CN106654029B - 一种有机发光显示面板及装置 - Google Patents

一种有机发光显示面板及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106654029B
CN106654029B CN201611152979.XA CN201611152979A CN106654029B CN 106654029 B CN106654029 B CN 106654029B CN 201611152979 A CN201611152979 A CN 201611152979A CN 106654029 B CN106654029 B CN 106654029B
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting display
light emitting
display panel
electrode
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611152979.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106654029A (zh
Inventor
雷志宏
牛晶华
滨田
柳晨
王湘成
何为
刘银河
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianma Microelectronics Co Ltd
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Tianma Microelectronics Co Ltd
Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianma Microelectronics Co Ltd, Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd filed Critical Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201611152979.XA priority Critical patent/CN106654029B/zh
Priority to US15/459,605 priority patent/US20170187003A1/en
Publication of CN106654029A publication Critical patent/CN106654029A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106654029B publication Critical patent/CN106654029B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H10K85/6565—Oxadiazole compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种有机发光显示面板及装置，该有机发光显示面板包括：层叠设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和/或所述第二电极为出光侧电极；有机发光层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；电子传输层，位于所述有机发光层和所述第二电极之间，其中所述电子传输层包含镱，且所述镱的体积分数≤3％；光耦合层，位于所述出光侧电极背离所述有机发光层的一侧。利用本发明实施例技术方案可以降低有机发光显示面板电子传输层与阴极之间的界面能障，提高电子注入能力，提高有机发光显示面板的光线透过率以及有机发光显示面板性能的目的。

Description

一种有机发光显示面板及装置
技术领域
本发明实施例涉及有机发光显示技术，尤其涉及一种有机发光显示面板及装置。
背景技术
有机发光显示(Organic light Emitting Display)，由于其具有不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快等技术优点，已经成为显示行业发展的重点方向之一。
现有的有机发光显示面板包括：阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极和基板。工作时，在有机发光显示面板的阳极和阴极之间施加一偏置电压，空穴和电子突破界面能障，分别从空穴传输层和电子传输层向发光层迁移，在发光层上，电子和空穴复合产生激子，激子不稳定，释放出能量，将能量传递给发光层中有机发光物质的分子，使其从基态跃迁到激发态。激发态很不稳定，受激分子从激发态回到基态，辐射跃迁而产生发光现象。在有机发光显示面板中，有机材料与电极之间界面能障的高低决定了注入载流子的数量、有机发光显示面板的亮度以及效率。但现在的有机发光显示面板中，由于电子传输层与阴极之间的界面能障过高，电子的注入能力较低，这将会使得有机发光显示面板的性能较差。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示面板及装置，以实现降低电子传输层与阴极之间的界面能障，提高有机发光显示面板性能的目的。
第一方面，本发明实施例提供了一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括：
层叠设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和/或所述第二电极为出光侧电极；
有机发光层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；
电子传输层，位于所述有机发光层和所述第二电极之间，其中所述电子传输层包含镱，且所述镱的体积分数≤3％；
光耦合层，位于所述出光侧电极背离所述有机发光层的一侧。
第二方面，本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括本发明实施例提供的任意一种有机发光显示面板。
本发明实施例通过在电子传输层掺杂镱，且镱的体积分数≤3％，解决了现有的有机发光显示面板中电子传输层与阴极之间的界面能障过高，有机发光显示面板性能低的问题，实现了降低有机发光显示面板电子传输层与阴极之间的界面能障，提高电子注入能力，以及有机发光显示面板性能的目的。此外本发明实施例通过在有机发光显示面板中增设光耦合层，可以有效提高有机发光显示面板的光线透过率，可以进一步提高有机发光显示面板的性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图；
图2a-图2d为本发明实施例提供的有机发光显示面板与现有的有机发光显示面板的性能参数对比图；
图3a-图3c为本发明实施例提供的有机发光显示面板的性能参数对比图；
图4a为光耦合层的折射率随该光耦合层厚度的变化关系图；
图4b为光耦合层消光系数随该光耦合层厚度的变化关系图；
图5为本发明提供的有机发光显示面板的光线透过率随光耦合层的厚度的变化关系图；
图6a和图6b本发明实施例提供的有机发光显示面板的性能参数对比图；
图7为本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图。参见图1，该有机发光显示面板包括：层叠设置的第一电极11和第二电极12，第一电极11和/或第二电极12为出光侧电极(图1中示例性地仅以第二电极12为出光侧电极)；有机发光层13，位于第一电极11和第二电极12之间；电子传输层14，位于有机发光层13和第二电极12之间，其中，电子传输层14包含镱(Yb)，且镱的体积分数≤3％；以及光耦合层20，位于出光侧电极(第二电极12)背离有机发光层13的一侧。第一电极11为阳极，第二电极12为阴极。
根据FN隧穿模型(Fowler-Nordheim tunneling model)，可知，设置电子传输层14包含镱可以降低电子传输层14与第二电极12之间的界面能障。
由于现有的有机发光显示面板中电子传输层14不包含镱，分别制作两个有机发光显示面板的局部器件，其中第一个器件B中电子传输层14不包含镱，第二个器件A中电子传输层14包含镱，对两个器件的电子注入能力进行研究，其结果如图2a所示。图2a中，横轴表示器件的电流密度J，单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示器件的电压U,单位为伏特(V)。参见图2a，在相同电流密度J下，第二个器件A的电压U要比第一器件B的电压U低的多，这说明设置电子传输层14包含镱确实有助于降低界面能障，有利于电子的注入。
图2b-2d为本发明实施例提供的有机发光显示面板与现有的有机发光显示面板的性能曲线对比图。其中，D表示本发明实施例提供的有机发光显示面板，C表示现有的有机发光显示面板，在现有的有机发光显示面板C中，电子传输层14不包含镱。
图2b中，横轴表示有机发光显示面板的电流密度J，单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示有机发光显示面板上所施加的偏置电压U，单位为伏(V)。从图2b中可以发现，在相同的电流密度J下，本发明实施例提供的有机发光显示面板D需要的偏置电压U比现有的有机发光显示面板C所需要的偏置电压U低得多。这说明设置电子传输层14包含镱确实有助于降低电子传输层14与第二电极12(即阴极)之间的界面能障，有利于从第二电极12注入更多的电子，促进有机发光显示面板中载流子平衡，进而降低有机发光显示面板的工作电压(即偏置电压U)。
图2c中，横轴表示有机发光显示面板的电流密度J，单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示有机发光显示面板的发光效率E，单位为坎德拉每安培(cd/A)。参见图2c，在相同的电流密度J下，本发明实施例提供的有机发光显示面板D的发光效率E明显高于现有的有机发光显示面板C的发光效率E。这说明设置电子传输层14包含镱确实有助于提升有机发光显示面板的性能。
图2d中，横轴表示有机发光显示面板的工作时长，单位为小时(h)。纵轴表示有机发光显示面板发光亮度L与初始亮度L0的比值。参见图2d，改进后有机发光显示面板D的亮度L从初始亮度L0(对应纵坐标为100)衰减到初始亮度L0的75％(对应纵坐标为75)这个过程中，本发明实施例提供的有机发光显示面板D的工作时长约等于370h，而现有的有机发光显示面板C工作时长约等于160h。显然，本发明实施例提供的有机发光显示面板D工作时长比现有的有机发光显示面板C工作时长长的多。这说明相对于现有的有机发光显示面板C，本发明实施例提供的有机发光显示面板D寿命更长。换言之，设置电子传输层14包含镱确实有助于延长有机发光显示面板的寿命。
图3a-图3c为本发明实施例提供的有机发光显示面板的性能参数对比图，其中，F为电子传输层14中镱的体积分数为1％的有机发光显示面板，G为电子传输层14中镱的体积分数为3％的有机发光显示面板，H为电子传输层14中镱的体积分数为5％的有机发光显示面板，J为电子传输层14中镱的体积分数为7％的有机发光显示面板，K为电子传输层14中镱的体积分数为9％的有机发光显示面板。
图3a中，横轴表示有机发光显示面板的电流密度J，单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示有机发光显示面板上所施加的偏置电压U,单位为伏(V)。从图3a中可以发现，在相同的电流密度J下，各有机发光显示面板按照所施加的偏置电压U由低到高的顺序排列，结果为：有机发光显示面板G＜有机发光显示面板F＜有机发光显示面板H＜有机发光显示面板J＜有机发光显示面板K。
图3b中，横轴表示有机发光显示面板的电流密度J，单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示有机发光显示面板的发光效率E，单位为坎德拉每安培(cd/A)。参见图3b，在相同的电流密度J下，各有机发光显示面板按照发光效率E由高到低的顺序排列，结果为：有机发光显示面板G＞有机发光显示面板F＞有机发光显示面板H＞有机发光显示面板J＞有机发光显示面板K。
图3c中，横轴表示有机发光显示面板的工作时长，单位为小时(h)，纵轴表示有机发光显示面板发光亮度L与初始亮度L0的比值。参见图3c，有机发光显示面板发光亮度L与初始亮度L0的比值相同时，有机发光显示面板G、有机发光显示面板F以及有机发光显示面板H的工作时长明显长于有机发光显示面板J或有机发光显示面板K的工作时长。
综上说明，有机发光显示面板中传输层14中镱含量不同，有机发光显示面板的性能存在一定差别。在具体设置时，可以根据待制作有机发光显示面板的性能需求，选取合适的镱的体积分数值。可选地，设置镱的体积分数≤3％，结合图3a-图3c，可以理解，这样设置可以更加有效的降低肖特基势垒，提高电子的注入能力，从而促进有机发光显示面板中载流子的平衡，提高有机发光显示面板的性能。
继续参见图1，在具体使用时，光线在有机发光层13处形成后，经出光侧电极(第二电极12)出射。考虑若有机发光显示面板不包括光耦合层20，光线由出光侧电极(第二电极12)射入到空气中的过程，实质上是光线由光密介质射入到光疏介质的过程，光线在出光侧电极(第二电极12)与空气的交界面易发生反射，进而使的光线的透过率低。本申请技术方案中设置光耦合层20的实质是，改变有机发光显示面板出光侧与空气接触的面的折射率，以抑制光的反射，进而提高光线的透光率。
研究表明，在出光侧电极背离有机发光层13的一侧沉积光耦合层20，可以使得从出光侧电极发出的光的透光率至少提升10％。此外沉积有光耦合层20的出光侧电极的方块电阻比未沉积有光耦合层20的出光侧电极的方块电阻至少减小0.2Ω/□。
在具体使用时，可用作光耦合层20的材料有多种，例如，光耦合层20的材料的结构式的通式为
其中，Ar1、Ar2、Ar3以及Ar4为芳香基团，R1-R28为烷烃基团或芳香基团，A为有机基团。示例性地，该光耦合层20的材料可以为：
进一步地，该光耦合层20的厚度可以为任意数值，在具体设置时，可以根据待制作的有机发光显示面板的性能需求而定。
图4a为光耦合层20的折射率随该光耦合层20厚度的变化关系图。其中，横轴表示光耦合层20的厚度，单位为纳米(nm)，纵轴表示光耦合层20的折射率。参见图4a，当光耦合层20的厚度为时，光耦合层20的折射率趋于稳定。
图4b为光耦合层20消光系数随该光耦合层20厚度的变化关系图。其中，横轴表示光耦合层20的厚度，单位为纳米(nm)，纵轴表示光耦合层20的消光系数。消光系数可以反映该光耦合层20对光线的吸收情况，消光系数越大，该光耦合层20对光线的吸收越多。参见图4b，当光耦合层20的厚度为时，该光耦合层20的消光系数趋于稳定。
结合图4a和图4b，可选地，设置光耦合层20的厚度为
图5为本发明实施例提供的有机发光显示面板的光线透过率随光耦合层20的厚度的变化关系图。其中，横轴表示光耦合层20的厚度，单位为纳米(nm)，纵轴表示有机发光显示面板出光侧光线的透过率T％。参见图5，虽然随着光耦合层20的厚度的逐渐增加，光线的透过率略有降低，但在误差允许的范围内。总体而言，当光耦合层20的厚度在的范围内时，该有机发光显示面板的光线透过率较为理想。
为了使得有机发光显示面板具有的较好的显示效果，可选地，出光侧电极的透过率为30％-50％。出光侧电极与光耦合层20叠合后的透过率≥65％。
图6a和图6b为本发明实施例提供的有机发光显示面板的性能参数曲线图。图6a和图6b中，L为电子传输层14中镱的体积分数为1％且包括光耦合层20的有机发光显示面板，M为电子传输层14中镱的体积分数为3％且包括光耦合层20的有机发光显示面板，N为电子传输层14中镱的体积分数为5％且包括光耦合层20的有机发光显示面板，P为电子传输层14中镱的体积分数为10％且包括光耦合层20的有机发光显示面板。
图6a中，横轴表示有机发光显示面板发出的光线的波长，单位为纳米(nm)，纵轴表示有机发光显示面板出光侧光线的透过率T％。从图6a可以发现，随着电子传输层14中镱的体积分数的不断提高，有机发光显示面板的透过率出现一定程度的下降。
图6b中，横轴表示不同的有机发光显示面板，纵轴表示有机发光显示面板出光侧电极与光耦合材料层的方块电阻，单位为欧姆每方块(Ω/□)。从图6b可以发现，与其余有机发光显示面板相比，电子传输层14中镱的体积分数为3％且包括光耦合层20的有机发光显示面板M的方块电阻最小，这有利于减小有机发光显示面板的所需的偏置电压。事实上，该有机发光显示面板的方块电阻仅为现有的有机发光显示面板方块电阻的一半。
上述数据再次说明，选取镱的体积分数≤3％，且在有机发光显示面板出光侧增设光耦合层20，可以有效提高有机发光显示面板的光线透过率，降低有机发光显示面板的偏置电压，提高有机发光显示面板的性能。
图7为本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图。示例性地，如图7所示，该有机发光显示面板仅将第二电极12作为出光侧电极，光线在有机发光层13处形成后，经电子传输层14以及第二电极12出射。具体地，第一电极11可以包含第一导电透明薄膜111、第二导电透明薄膜112和位于第一导电透明薄膜111和第二导电透明薄膜112之间的反射膜113，第二电极12的材料可以为银或者含银的合金。可选地，在具体设计时，第一电极11的各膜层的材料和厚度可以有多种，只要能确保第一电极11具有很好的空穴注入能力以及很好的反射效果即可。例如，第一电极11中第一导电透明薄膜111和第二导电透明薄膜112材料可以为氧化铟锡或氧化铟锌，反射膜113的材料可以为银或者含银的合金，反射膜113的厚度可以为50nm-150nm。第二电极12的厚度可以有多种，只要能确保第二电极12具有很好的电子注入能力以及良好的光线透过率即可。例如，第二电极12的材料可以为含银的合金，其中银的体积百分比≥80％，第二电极12的厚度可以为10nm-20nm。
图8为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图。参见图8，该有机发光显示面板仅将第一电极11作为出光侧电极，光线在有机发光层13处形成后，经第一电极11出射。具体地，第一电极11的材料为导电透明材料，第二电极12的材料可以为银或者含银的合金。可选地，在具体设计时，第一电极11的材料和厚度可以有多种，只要能确保第一电极11具有很好的空穴注入能力以及良好的光线透过率即可。例如，构成第一电极11的导电透明薄膜材料可以为氧化铟锡或氧化铟锌。第二电极12的厚度可以有多种，只要能确保第二电极12具有很好的电子注入能力以及良好的反射效果即可。例如，第二电极12的材料可以为含银的合金，其中银的体积百分比≥80％，第二电极12的厚度可以为50nm-150nm。
在上述技术方案的基础上，有机发光层13的材料可以包含红光发光材料、绿光发光材料和蓝光发光材料。在使用时，可选地，红光发光材料发出的光、绿光发光材料发出的光和蓝光发光材料发出的光混合得到白光。
进一步地，参见图9，该有机发光显示面板还可以包括色阻层15，色阻层15设置于有机发光显示面板的出光侧，以使有机发光显示面板发出的白光经色阻15层变为彩色光。
典型地，红光发光材料和绿光发光材料可以包含磷光材料，蓝光发光材料可以包含荧光材料。其中，荧光材料可以包含热活性延迟荧光材料。
图10为本发明实施提供的又一种有机发光显示面板，参见图10，该有机发光显示面板还可以包括空穴传输层16，空穴传输层16位于第一电极11和有机发光层13之间。
需要说明的，本申请提供的各有机发光面板在制作的过程中，可以在基板上，先形成第一电极11，然后依次形成位于第一电极11和第二电极12之间的各膜层，直至最后形成第二电极12；也可以在基板上，先形成第二电极12，然后依次形成位于第一电极11和第二电极12之间的各膜层，直至最后形成第一电极11，即有机发光显示面板也可以是倒置结构。
本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置。图11为本发明实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图，参见图11，该有机发光显示装置101包括本发明实施例提供的任意一种有机发光显示面板。该有机发光显示装置具体可以为手机、笔记本电脑，智能可穿戴设备以及公共大厅的信息查询机等。
本发明实施例提供的有机发光显示装置通过设置电子传输层包含镱，且镱的体积分数≤3％，解决现有的有机发光显示面板中电子传输层与阴极之间的界面能障过高，有机发光显示面板性能低的问题，实现了降低有机发光显示面板电子传输层与阴极之间的界面能障，提高电子注入能力，以及有机发光显示面板性能的目的。此外本发明实施例通过在有机发光显示面板中增设光耦合层，可以有效提高有机发光显示面板的光线透过率，可以进一步提高有机发光显示面板的性能。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (13)

1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括：
层叠设置的第一电极和第二电极，所述第二电极为出光侧电极；
有机发光层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；
电子传输层，位于所述有机发光层和所述第二电极之间，其中所述电子传输层包含镱，且所述镱的体积分数≤3％；
光耦合层，位于所述出光侧电极背离所述有机发光层的一侧；
所述出光侧电极的透过率为30％-50％；
所述出光侧电极与所述光耦合层叠合后的透过率≥65％。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述光耦合层的材料的结构通式为
其中，Ar1、Ar2、Ar3以及Ar4为芳香基团，R1-R28为烷烃基团或芳香基团，A为有机基团。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述光耦合层的厚度为
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述第二电极为出光侧电极，所述第二电极的材料为银或者含银的合金；
所述第一电极包含第一导电透明薄膜、第二导电透明薄膜和位于所述第一导电透明薄膜和所述第二导电透明薄膜之间的反射膜。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述第一电极中所述第一导电透明薄膜和所述第二导电透明薄膜材料为氧化铟锡或氧化铟锌，所述反射膜的材料为银或者含银的合金，所述反射膜的厚度为50nm-150nm。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述第二电极的材料为含银的合金，其中银的体积百分比≥80％，所述第二电极的厚度为10nm-20nm。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光层的材料包含红光发光材料、绿光发光材料和蓝光发光材料。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述红光发光材料发出的光、绿光发光材料发出的光和蓝光发光材料发出的光混合得到白光。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示面板，其特征在于，还包括色阻层，所述色阻层设置于所述有机发光显示面板的出光侧，以使所述有机发光显示面板发出的白光经色阻层变为彩色光。
10.根据权利要求7所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述红光发光材料和所述绿光发光材料包含磷光材料，所述蓝光发光材料包含荧光材料。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述荧光材料包含热活性延迟荧光材料。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述第一电极和所述有机发光层之间。
13.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的有机发光显示面板。
CN201611152979.XA 2016-12-14 2016-12-14 一种有机发光显示面板及装置 Active CN106654029B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611152979.XA CN106654029B (zh) 2016-12-14 2016-12-14 一种有机发光显示面板及装置
US15/459,605 US20170187003A1 (en) 2016-12-14 2017-03-15 Organic light-emitting diode (oled) display panel and display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611152979.XA CN106654029B (zh) 2016-12-14 2016-12-14 一种有机发光显示面板及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106654029A CN106654029A (zh) 2017-05-10
CN106654029B true CN106654029B (zh) 2018-09-07

Family

ID=58822423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611152979.XA Active CN106654029B (zh) 2016-12-14 2016-12-14 一种有机发光显示面板及装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20170187003A1 (zh)
CN (1) CN106654029B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107482130B (zh) * 2017-08-02 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光面板及其制作方法、有机发光装置
US20220115618A1 (en) * 2019-02-21 2022-04-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting element and display device
US11430969B2 (en) * 2019-08-28 2022-08-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Electroluminescent component having metal layer disposed between two of optical coupling layers and display device having the same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1961617A (zh) * 2004-03-29 2007-05-09 富士胶片株式会社 有机电致发光元件及其制造方法和显示装置
WO2008135891A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-13 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Organic light emitting diode device
US8179034B2 (en) * 2007-07-13 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices
CN103346267A (zh) * 2013-06-24 2013-10-09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 有源矩阵有机电致发光显示器件
CN103594659A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103715372A (zh) * 2013-12-26 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1961617A (zh) * 2004-03-29 2007-05-09 富士胶片株式会社 有机电致发光元件及其制造方法和显示装置
WO2008135891A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-13 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Organic light emitting diode device
US8179034B2 (en) * 2007-07-13 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices
CN103594659A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103346267A (zh) * 2013-06-24 2013-10-09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 有源矩阵有机电致发光显示器件
CN103715372A (zh) * 2013-12-26 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106654029A (zh) 2017-05-10
US20170187003A1 (en) 2017-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8552416B2 (en) Quantum dot light emitting diode device and display device therewith
JP5328402B2 (ja) 燐光性ドープがされた混合層構造を有する、非常に安定で効率的な有機発光素子
CN102456847B (zh) 白光有机发光器件
CN106654050B (zh) 一种有机发光显示面板及装置
CN103872253A (zh) 白色有机发光装置
US11018314B2 (en) Organic electroluminescent diode and manufacturing method thereof, display panel and display device
CN103811531A (zh) 有机发光显示装置
KR20110057377A (ko) 백색 유기 발광 소자
JP2005522016A (ja) 指向性発光を有する機械的に可撓性の有機エレクトロルミネセント・デバイス
CN106654029B (zh) 一种有机发光显示面板及装置
US10347836B2 (en) QLED device and manufacturing method thereof, QLED display panel and QLED display device
CN106549113B (zh) 一种有机发光显示面板及装置
CN106601921A (zh) 一种有机发光显示面板及装置
CN105304822B (zh) 白色有机发光装置
CN106816540B (zh) 一种有机发光显示面板及装置
JP2017191734A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子および照明装置
CN109638055A (zh) 一种有机发光显示面板、制备方法及显示装置
US20140084255A1 (en) Organic Light-Emitting Diode Using Bandgap Matching Dye as Co-Host
US10177333B2 (en) Organic light-emitting display panel and device
CN106206961A (zh) 一种oled器件
JP4748835B2 (ja) 照明器具
CN105870351A (zh) Oled显示面板及其制备方法
KR101101940B1 (ko) 이중 도핑을 이용한 고효율 진적색 인광 유기발광소자 및 그 제조 방법
CN113498556B (zh) 发光结构、显示面板和显示装置
CN106784347A (zh) 一种有机发光显示面板及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211027

Address after: No.8, liufangyuan Henglu, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province

Patentee after: WUHAN TIANMA MICROELECTRONICS Co.,Ltd.

Patentee after: Wuhan Tianma Microelectronics Co.,Ltd. Shanghai Branch

Patentee after: Tianma Micro-Electronics Co.,Ltd.

Address before: Room 509, building 1, No. 6111, Longdong Avenue, Pudong New Area, Shanghai, 200120

Patentee before: SHANGHAI TIANMA AM-OLED Co.,Ltd.

Patentee before: Tianma Micro-Electronics Co.,Ltd.