CN106601921A - 一种有机发光显示面板及装置 - Google Patents
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- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 131
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 35
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005689 Fowler Nordheim tunneling Effects 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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Abstract
本发明实施例公开了一种有机发光显示面板及装置,该有机发光显示面板包括:基板;层叠设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述基板的同一侧;有机发光层,位于所述第一电极和所述第二电极之间;电子传输层,位于所述有机发光层和所述第二电极之间;其中,所述电子传输层包含镱,且所述镱的体积分数≤3%。利用本发明实施例技术方案可以降低有机发光显示面板电子传输层与阴极之间的界面能障,提高电子注入能力,以及有机发光显示面板性能的目的。
Description
技术领域
本发明实施例涉及有机发光显示技术,尤其涉及一种有机发光显示面板及装置。
背景技术
有机发光显示(Organic light Emitting Display),由于其具有不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快等技术优点,已经成为显示行业发展的重点方向之一。
现有的有机发光显示面板包括:阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极和基板。工作时,在有机发光显示面板的阳极和阴极之间施加一偏置电压,空穴和电子突破界面能障,分别从在空穴传输层和电子传输层向发光层迁移,在发光层上,电子和空穴复合产生激子,激子不稳定,释放出能量,将能量传递给发光层中有机发光物质的分子,使其从基态跃迁到激发态。激发态很不稳定,受激分子从激发态回到基态,辐射跃迁而产生发光现象。在有机发光显示面板中,有机材料与电极之间界面能障的高低决定了注入载流子的数量、有机发光显示面板的亮度以及效率。但现在的有机发光显示面板中,由于电子传输层与阴极之间的界面能障过高,电子的注入能力较低,这将会使得有机发光显示面板的性能较差。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示面板及装置,以实现降低电子传输层与阴极之间的界面能障,提高有机发光显示面板性能的目的。
第一方面,本发明实施例提供了一种有机发光显示面板,该有机发光显示面板包括:
基板;
层叠设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述基板的同一侧;
有机发光层,位于所述第一电极和所述第二电极之间;
电子传输层,位于所述有机发光层和所述第二电极之间;
其中,所述电子传输层包含镱,且所述镱的体积分数≤3%。
第二方面,本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括本发明实施例提供的任意一种有机发光显示面板。
本发明实施例通过在电子传输层掺杂镱,且镱的体积分数≤3%,解决了现有的有机发光显示面板中电子传输层与阴极之间的界面能障过高,有机发光显示面板性能低的问题,实现了降低有机发光显示面板电子传输层与阴极之间的界面能障,提高电子注入能力,以及有机发光显示面板性能的目的。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图;
图2a-图2d为本发明实施例提供的有机发光显示面板与现有的有机发光显示面板的性能参数对比图;
图3a-图3c为本发明实施例提供的有机发光显示面板的性能参数对比图;
图4为本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的有机发光显示面板与现有的有机发光显示面板的第二电极侧透光率的对比图;
图9为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图;
图10为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图;
图11为本发明实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图。参见图1,该有机发光显示面板包括:基板10;层叠设置的第一电极11和第二电极12,第一电极11和第二电极12均位于基板10的同一侧;有机发光层13,位于第一电极11和第二电极12之间;电子传输层14,位于有机发光层13和第二电极12之间。其中,电子传输层14包含镱(Yb),且镱的体积分数≤3%。第一电极11为阳极,第二电极12为阴极。
根据FN隧穿模型(Fowler-Nordheim tunneling model),可知,设置电子传输层14包含镱可以降低电子传输层14与第二电极12之间的界面能障。
由于现有的有机发光显示面板中电子传输层14不包含镱,分别制作两个有机发光显示面板的局部器件,其中第一个器件B中电子传输层14不包含镱,第二个器件A中电子传输层14包含镱,对两个器件的电子注入能力进行研究,其结果如图2a所示。图2a中,横轴表示器件的电流密度J,单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示器件的电压U,单位为伏特(V)。参见图2a,在相同电流密度J下,第二个器件A的电压U要比第一器件B的电压U低的多,这说明设置电子传输层14包含镱确实有助于降低界面能障,有利于电子的注入。
图2b-2d为本发明实施例提供的有机发光显示面板与现有的有机发光显示面板的性能曲线对比图。其中,D表示本发明实施例提供的有机发光显示面板,C表示现有的有机发光显示面板,在现有的有机发光显示面板中,电子传输层14不包含镱。
图2b中,横轴表示有机发光显示面板的电流密度J,单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示有机发光显示面板上所施加的偏置电压U,单位为伏(V)。从图2b中可以发现,在相同的电流密度J下,本发明实施例提供的有机发光显示面板D需要的偏置电压U比现有的有机发光显示面板C所需要的偏置电压U低得多。这说明设置电子传输层14包含镱确实有助于降低电子传输层14与第二电极12(即阴极)之间的界面能障,有利于从第二电极12注入更多的电子,促进有机发光显示面板中载流子平衡,进而降低有机发光显示面板的工作电压(即偏置电压U)。
图2c中,横轴表示有机发光显示面板的电流密度J,单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示有机发光显示面板的发光效率E,单位为坎德拉每安培(cd/A)。参见图2c,在相同的电流密度J下,本发明实施例提供的有机发光显示面板D的发光效率E明显高于现有的有机发光显示面板C的发光效率E。这说明设置电子传输层14包含镱确实有助于提升有机发光显示面板的性能。
图2d中,横轴表示有机发光显示面板的工作时长,单位为小时(h)。纵轴表示有机发光显示面板发光亮度L与初始亮度L0的比值。参见图2d,改进后有机发光显示面板D的亮度L从初始亮度L0(对应纵坐标为100)衰减到初始亮度L0的75%(对应纵坐标为75)这个过程中,本发明实施例提供的有机发光显示面板D的工作时长约等于370h,而现有的有机发光显示面板C工作时长约等于160h。显然,本发明实施例提供的有机发光显示面板D工作时长比现有的有机发光显示面板C工作时长长的多。这说明相对于现有的有机发光显示面板C,本发明实施例提供的有机发光显示面板D寿命更长。换言之,设置电子传输层14包含镱确实有助于延长有机发光显示面板的寿命。
图3a-图3c为本发明实施例提供的有机发光显示面板的性能参数对比图,其中,F为电子传输层14中镱的体积分数为1%的有机发光显示面板,G为电子传输层14中镱的体积分数为3%的有机发光显示面板,H为电子传输层14中镱的体积分数为5%的有机发光显示面板,J为电子传输层14中镱的体积分数为7%的有机发光显示面板,K为电子传输层14中镱的体积分数为9%的有机发光显示面板。
图3a中,横轴表示有机发光显示面板的电流密度J,单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示有机发光显示面板上所施加的偏置电压U,单位为伏(V)。从图3a中可以发现,在相同的电流密度J下,各有机发光显示面板按照所施加的偏置电压U由低到高的顺序排列,结果为:有机发光显示面板G<有机发光显示面板F<有机发光显示面板H<有机发光显示面板J<有机发光显示面板K。
图3b中,横轴表示有机发光显示面板的电流密度J,单位为毫安每平方厘米(mA/cm2),纵轴表示有机发光显示面板的发光效率E,单位为坎德拉每安培(cd/A)。参见图3b,在相同的电流密度J下,各有机发光显示面板按照发光效率E由高到低的顺序排列,结果为:有机发光显示面板G>有机发光显示面板F>有机发光显示面板H>有机发光显示面板J>有机发光显示面板K。
图3c中,横轴表示有机发光显示面板的工作时长,单位为小时(h),纵轴表示有机发光显示面板发光亮度L与初始亮度L0的比值。参见图3c,有机发光显示面板发光亮度L与初始亮度L0的比值相同时,有机发光显示面板G、有机发光显示面板F以及有机发光显示面板H的工作时长明显长于有机发光显示面板J或有机发光显示面板K的工作时长。
综上说明,有机发光显示面板中传输层14中镱含量不同,有机发光显示面板的性能存在一定差别。在具体设置时,可以根据待制作有机发光显示面板的性能需求,选取合适的镱的体积分数值。可选地,设置镱的体积分数≤3%,结合图3a-图3c,可以理解,这样设置可以更加有效的降低肖特基势垒,提高电子的注入能力,从而促进有机发光显示面板中载流子的平衡,提高有机发光显示面板的性能。
进一步地,参见图1,该有机发光显示面板中,第一电极11位于第二电极12与基板10之间。对于这种有机发光显示面板,在具体设计时,可以将该有机发光显示面板设计为顶发射式、底发射式或双侧发射式。
示例性地,如图4所示,该有机发光显示面板的发光模式为顶发射。对于该有机发光显示面板,第二电极12作为出光侧电极,光线在有机发光层13处形成后,经电子传输层14以及第二电极12出射。具体地,第一电极11包含第一导电透明薄膜111、第二导电透明薄膜112和位于第一导电透明薄膜111和第二导电透明薄膜112之间的反射膜113,第二电极12的材料为银或者含银的合金。可选地,在具体设计时,第一电极11的各膜层的材料和厚度可以有多种,只要能确保第一电极11具有很好的空穴注入能力以及很好的反射效果即可。例如,第一电极11中第一导电透明薄膜111和第二导电透明薄膜112材料可以为氧化铟锡或氧化铟锌,反射膜113的材料可以为银或者含银的合金,反射膜113的厚度可以为50nm-150nm。第二电极12的厚度可以有多种,只要能确保第二电极12具有很好的电子注入能力以及良好的光线透过率即可。例如,第二电极12的材料可以为含银的合金,其中银的体积百分比≥80%,第二电极12的厚度可以为10nm-20nm。
图5为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图。参见图5,该有机发光显示面板的发光模式为底发射。该有机发光显示面板,第一电极11作为出光侧电极,光线在有机发光层13处形成后,经第一电极11以及基板10出射。具体地,第一电极11的材料为导电透明材料,第二电极12的材料可以为银或者含银的合金。可选地,在具体设计时,第一电极11的材料和厚度可以有多种,只要能确保第一电极11具有很好的空穴注入能力以及良好的光线透过率即可。例如,构成第一电极11的导电透明薄膜材料可以为氧化铟锡或氧化铟锌。第二电极12的厚度可以有多种,只要能确保第二电极12具有很好的电子注入能力以及良好的反射效果即可。例如,第二电极12的材料可以为含银的合金,其中银的体积百分比≥80%,第二电极12的厚度可以为50nm-150nm。
图6为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图。与图5相比,图6中有机发光显示面板中,第二电极12位于第一电极11与基板10之间。同样地,在具体设计时,可以将该有机发光显示面板设计为顶发射式、底发射式或双侧发射式等。
参见图6,该有机发光显示面板的发光模式为顶发射,该有机发光显示面板,第一电极11作为出光侧电极,光线在有机发光层13处形成后,经第一电极11出射。具体地,第一电极11的材料为导电透明材料,第二电极12的材料可以为银或者含银的合金。可选地,在具体设计时,第一电极11的材料和厚度可以有多种,只要能确保第一电极11具有很好的空穴注入能力以及良好的光线透过率即可。例如,构成第一电极11的导电透明薄膜材料可以为氧化铟锡或氧化铟锌。第二电极12的厚度可以有多种,只要能确保第二电极12具有很好的电子注入能力以及良好的反射效果即可。例如,第二电极12的材料可以为含银的合金,其中银的体积百分比≥80%,第二电极的厚度可以为50nm-150nm。
图7为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图。参见图7,该有机发光显示面板的发光模式为底发射。对于该有机发光显示面板,第二电极12作为出光侧电极,光线在有机发光层13处形成后,经电子传输层14、第二电极12以及基板10出射。具体地,第一电极11包含第一导电透明薄膜111、第二导电透明薄膜112和位于第一导电透明薄膜111和第二导电透明薄膜112之间的反射膜113,第二电极12的材料可以为银或者含银的合金。可选地,在具体设计时,第一电极11的各膜层的材料和厚度可以有多种,只要能确保第一电极11具有很好的空穴注入能力以及很好的反射效果即可。例如,第一电极11中第一导电透明薄膜111和第二导电透明薄膜112材料可以为氧化铟锡或氧化铟锌,反射膜113的材料可以为银或者含银的合金,反射膜113的厚度可以为50nm-150nm。第二电极12的厚度可以有多种,只要能确保第二电极12具有很好的电子注入能力以及良好的光线透过率即可。例如,第二电极12的材料可以为含银的合金,其中银的体积百分比≥80%,第二电极12的厚度可以为10nm-20nm。
若有机发光显示面板的发光模式为双侧发射式是指第一电极11和第二电极12同时作为出光侧电极,光线在有机发光层13处形成后,一部分经电子传输层14以及第二电极12出射,另一部分经过第一电极11出射。
以光线在有机发光层形成后,经电子传输层以及第二电极(即阴极)出射后的有机发光显示面板为研究对象,对其第二电极(即阴极)侧光线的透过率进行研究,其研究结果通过图8给出。图8中,横轴表示有机发光显示面板发出的光线的波长,单位为纳米(nm),纵轴表示有机发光显示面板阴极侧光线的透过率T%。参见8,对于不同波长的光线,改进后有机发光显示面板D的光线透过率T%均大于现有的有机发光显示面板C的光线透过率T%。这说明,设置电子传输层包括镱确实有助于提高第二电极侧的光线透过率。
在上述技术方案的基础上,有机发光层13的材料可以包含红光发光材料、绿光发光材料和蓝光发光材料。在使用时,可选地,红光发光材料发出的光、绿光发光材料发出的光和蓝光发光材料发出的光混合得到白光。
进一步地,参见图9,该有机发光显示面板还可以包括色阻层15,色阻层15设置于有机发光显示面板的出光侧,以使有机发光显示面板发出的白光经色阻15层变为彩色光。
典型地,红光发光材料和绿光发光材料可以包含磷光材料,蓝光发光材料可以包含荧光材料。其中,荧光材料可以包含热活性延迟荧光材料。
图10为本发明实施提供的又一种有机发光显示面板,参见图10,该有机发光显示面板还可以包括空穴传输层16,空穴传输层16位于第一电极11和有机发光层13之间。
本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置。图11为本发明实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图,参见图11,该有机发光显示装置101包括本发明实施例提供的任意一种有机发光显示面板。该有机发光显示装置具体可以为手机、笔记本电脑,智能可穿戴设备以及公共大厅的信息查询机等。
本发明实施例提供的有机发光显示装置通过设置电子传输层14包含镱,且镱的体积分数≤3%,解决现有的有机发光显示面板中电子传输层与阴极之间的界面能障过高,有机发光显示面板性能低的问题,实现了降低有机发光显示面板电子传输层与阴极之间的界面能障,提高电子注入能力,以及有机发光显示面板性能的目的。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (18)
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
基板;
层叠设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述基板的同一侧;
有机发光层,位于所述第一电极和所述第二电极之间;
电子传输层,位于所述有机发光层和所述第二电极之间;
其中,所述电子传输层包含镱,且所述镱的体积分数≤3%。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述第一电极位于所述第二电极与所述基板之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板的发光模式为顶发射,其中,所述第一电极包含第一导电透明薄膜、第二导电透明薄膜和位于所述第一导电透明薄膜和所述第二导电透明薄膜之间的反射膜,所述第二电极的材料为银或者含银的合金。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板的发光模式为底发射,其中,所述第一电极的材料为导电透明材料,所述第二电极的材料为银或者含银的合金。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第二电极位于所述第一电极与所述基板之间。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板的发光模式为顶发射,其中,所述第一电极的材料为导电透明材料,所述第二电极的材料为银或者含银的合金。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板的发光模式为底发射,其中,所述第一电极包含第一导电透明薄膜、第二导电透明薄膜和位于所述第一导电透明薄膜和所述第二导电透明薄膜之间的反射膜,所述第二电极的材料为银或者含银的合金。
8.根据权利要求3或7所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述第一电极中所述第一导电透明薄膜和所述第二导电透明薄膜材料为氧化铟锡或氧化铟锌,所述反射膜的材料为银或者含银的合金,所述反射膜的厚度为50nm-150nm。
9.根据权利要求3或7所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述第二电极的材料为含银的合金,其中银的体积百分比≥80%,所述第二电极的厚度为10nm-20nm。
10.根据权利要求4或6所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述导电透明薄膜材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
11.根据权利要求4或6所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述第二电极的材料为含银的合金,其中银的体积百分比≥80%,所述第二电极的厚度为50nm-150nm。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光层的材料包含红光发光材料、绿光发光材料和蓝光发光材料。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述红光发光材料发出的光、绿光发光材料发出的光和蓝光发光材料发出的光混合得到白光。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括色阻层,所述色阻层设置于所述有机发光显示面板的出光侧,以使所述有机发光显示面板发出的白光经所述色阻层变为彩色光。
15.根据权利要求12所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述红光发光材料和所述绿光发光材料包含磷光材料,所述蓝光发光材料包含荧光材料。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述荧光材料包含热活性延迟荧光材料。
17.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括空穴传输层,所述空穴传输层位于所述第一电极和所述有机发光层之间。
18.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括权利要求1-17任一项所述的有机发光显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611155175.5A CN106601921A (zh) | 2016-12-14 | 2016-12-14 | 一种有机发光显示面板及装置 |
US15/592,407 US20170250364A1 (en) | 2016-12-14 | 2017-05-11 | Organic light-emitting diode (oled) display panel and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611155175.5A CN106601921A (zh) | 2016-12-14 | 2016-12-14 | 一种有机发光显示面板及装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106601921A true CN106601921A (zh) | 2017-04-26 |
Family
ID=58801271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611155175.5A Pending CN106601921A (zh) | 2016-12-14 | 2016-12-14 | 一种有机发光显示面板及装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170250364A1 (zh) |
CN (1) | CN106601921A (zh) |
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---|---|
US20170250364A1 (en) | 2017-08-31 |
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