JP2003257662A - エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＥＬ素子の実効的な発光面積を増大させ、高輝
度を実現する。また、ＥＬ素子の発光輝度を維持しなが
らその寿命を長くする。 【解決手段】平坦化絶縁膜２２の表面に凹凸を形成す
る。陽極２２の表面は平坦化絶縁膜２２の凹凸を反映し
て凹凸部が形成される。ホール輸送層２３、発光層２
４、電子輸送層２５及び陰極２６は、陽極２２上に真空
蒸着法により形成される。ホール輸送層２３、発光層２
４、電子輸送層２５及び陰極２６の表面には陽極２２の
凹凸形状が反映される結果、夫々凹凸部が形成される。
これにより、発光層２４の実効的な発光面積Ｓ１は従来
例のＳ０に比して増大する。
度を実現する。また、ＥＬ素子の発光輝度を維持しなが
らその寿命を長くする。 【解決手段】平坦化絶縁膜２２の表面に凹凸を形成す
る。陽極２２の表面は平坦化絶縁膜２２の凹凸を反映し
て凹凸部が形成される。ホール輸送層２３、発光層２
４、電子輸送層２５及び陰極２６は、陽極２２上に真空
蒸着法により形成される。ホール輸送層２３、発光層２
４、電子輸送層２５及び陰極２６の表面には陽極２２の
凹凸形状が反映される結果、夫々凹凸部が形成される。
これにより、発光層２４の実効的な発光面積Ｓ１は従来
例のＳ０に比して増大する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス表示装置及びその製造方法に関する。
ッセンス表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図１５に従来のＥＬ表示装置の一画素の平
面図を示し、図１６に図１５中のＢ−Ｂ線に沿った断面
図を示す。ゲート電極１１を備えたゲート信号線５１
と、ドレイン信号線５２との交点付近に有機ＥＬ素子駆
動用のＴＦＴを備えている。そのＴＦＴのドレインはド
レイン信号線５２に接続されており、またゲートはゲー
ト信号線５１に接続されており、更にソースはＥＬ素子
の陽極６１に接続されている。実際のＥＬ表示装置で
は、この画素が多数個、マトリックス状に配置され表示
領域を構成している。
面図を示し、図１６に図１５中のＢ−Ｂ線に沿った断面
図を示す。ゲート電極１１を備えたゲート信号線５１
と、ドレイン信号線５２との交点付近に有機ＥＬ素子駆
動用のＴＦＴを備えている。そのＴＦＴのドレインはド
レイン信号線５２に接続されており、またゲートはゲー
ト信号線５１に接続されており、更にソースはＥＬ素子
の陽極６１に接続されている。実際のＥＬ表示装置で
は、この画素が多数個、マトリックス状に配置され表示
領域を構成している。
【０００４】表示画素１１０は、ガラスや合成樹脂など
から成る基板又は導電性を有する基板あるいは半導体基
板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を順に積
層形成して成る。ただし、基板１０として導電性を有す
る基板及び半導体基板を用いる場合には、これらの基板
１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁膜を形成した上に
ＴＦＴを形成する。
から成る基板又は導電性を有する基板あるいは半導体基
板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を順に積
層形成して成る。ただし、基板１０として導電性を有す
る基板及び半導体基板を用いる場合には、これらの基板
１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁膜を形成した上に
ＴＦＴを形成する。
【０００５】まず、絶縁性基板１０上にクロム（Ｃｒ）
等の高融点金属から成るゲート電極１１を形成し、その
上にゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層
１３を順に形成する。
等の高融点金属から成るゲート電極１１を形成し、その
上にゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層
１３を順に形成する。
【０００６】その能動層１３には、ゲート電極１１上方
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、いわゆ
るＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、いわゆ
るＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。
【０００７】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にす
る平坦化絶縁膜１７を形成する。
【０００８】そして、その平坦化絶縁膜１７のソース１
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してソース１３ｓとコンタクトし
たＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成るソース電極１８
を兼ねた、陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に形成する。
陽極６１はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極か
ら成る。この陽極６１の上にＥＬ素子６０を形成する。
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してソース１３ｓとコンタクトし
たＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成るソース電極１８
を兼ねた、陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に形成する。
陽極６１はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極か
ら成る。この陽極６１の上にＥＬ素子６０を形成する。
【０００９】有機ＥＬ素子６０は、一般的な構造であ
り、陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenyl
phenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層、Ｔ
ＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphen
ylanine）からなる第２ホール輸送層から成るホール輸
送層６２、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含む
Ｂｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム
錯体）から成る発光層６３、及びＢｅｂｑ2から成る電
子輸送層６４、マグネシウム・インジウム合金もしくは
アルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る陰極
６５が、この順番で積層形成された構造である。
り、陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenyl
phenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層、Ｔ
ＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphen
ylanine）からなる第２ホール輸送層から成るホール輸
送層６２、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含む
Ｂｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム
錯体）から成る発光層６３、及びＢｅｂｑ2から成る電
子輸送層６４、マグネシウム・インジウム合金もしくは
アルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る陰極
６５が、この順番で積層形成された構造である。
【００１０】有機ＥＬ素子６０は、上記の駆動用のＴＦ
Ｔを介して供給される電流によって発光する。つまり、
陽極６１から注入されたホールと、陰極６５から注入さ
れた電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成す
る有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放
射失活する過程で発光層６３から光が放たれ、この光が
透明な陽極６１から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
Ｔを介して供給される電流によって発光する。つまり、
陽極６１から注入されたホールと、陰極６５から注入さ
れた電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成す
る有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放
射失活する過程で発光層６３から光が放たれ、この光が
透明な陽極６１から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
【００１１】なお、上述した技術は、例えば特開平１１
−２８３１８２号公報に記載されている。
−２８３１８２号公報に記載されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ素子６０の発
光面積Ｓは図１６に示すように、陽極６１上に形成され
た発光層６３の平面的な面積によって規定される。した
がって、発光面積Ｓ０が大きいほど有機ＥＬ素子６０の
輝度は大きくなる。しかしながら、発光面積Ｓを大きく
することは画素面積の増大を招き、高精細化を阻害する
という問題がある。
光面積Ｓは図１６に示すように、陽極６１上に形成され
た発光層６３の平面的な面積によって規定される。した
がって、発光面積Ｓ０が大きいほど有機ＥＬ素子６０の
輝度は大きくなる。しかしながら、発光面積Ｓを大きく
することは画素面積の増大を招き、高精細化を阻害する
という問題がある。
【００１３】一方、有機ＥＬ素子６０の寿命、すなわち
発光輝度が所定輝度以下に減衰するまでの時間は、図１
７に示すように、有機ＥＬ素子６０に流れる電流の電流
密度が低いほど長くなる。しかしながら、電流密度を低
くすると有機ＥＬ素子６０の輝度も下がってしまうとい
う問題があった。
発光輝度が所定輝度以下に減衰するまでの時間は、図１
７に示すように、有機ＥＬ素子６０に流れる電流の電流
密度が低いほど長くなる。しかしながら、電流密度を低
くすると有機ＥＬ素子６０の輝度も下がってしまうとい
う問題があった。
【００１４】そこで、本発明の目的は画素面積の増大を
招くことなく有機ＥＬ素子６０の実効的な発光面積を増
大させ、高輝度を実現することである。また、本発明の
他の目的は有機ＥＬ素子６０の発光輝度を維持しながら
その寿命を長くすることである。
招くことなく有機ＥＬ素子６０の実効的な発光面積を増
大させ、高輝度を実現することである。また、本発明の
他の目的は有機ＥＬ素子６０の発光輝度を維持しながら
その寿命を長くすることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来技術の
課題に鑑みてなされたもので、その特徴とする点は、有
機ＥＬ素子の発光層の表面に凹凸部を設け、その実効的
な表面積を増大させることである。
課題に鑑みてなされたもので、その特徴とする点は、有
機ＥＬ素子の発光層の表面に凹凸部を設け、その実効的
な表面積を増大させることである。
【００１６】これにより、本発明のＥＬ表示装置は、従
来例の、凹凸部の無い有機ＥＬ素子と同じ平面的な面積
を有していても、表面の凹凸により実効的な発光面積が
増大するので、有機ＥＬ素子の発光輝度を高めることが
できる。また、本発明のＥＬ表示装置は従来例に比して
所定の発光輝度を得るための電流密度を減少させること
ができるので、発光輝度を維持しながらその寿命を伸ば
すことが可能となる。
来例の、凹凸部の無い有機ＥＬ素子と同じ平面的な面積
を有していても、表面の凹凸により実効的な発光面積が
増大するので、有機ＥＬ素子の発光輝度を高めることが
できる。また、本発明のＥＬ表示装置は従来例に比して
所定の発光輝度を得るための電流密度を減少させること
ができるので、発光輝度を維持しながらその寿命を伸ば
すことが可能となる。
【００１７】また、有機ＥＬ素子の発光層に凹凸部を形
成する方法について概説すれば、以下のとおりである。
成する方法について概説すれば、以下のとおりである。
【００１８】駆動用のＴＦＴを被覆している平坦化絶縁
膜の表面を荒らすこと、つまり凹凸部を設けることで、
その平坦化絶縁膜の上層に積層される有機ＥＬ素子の、
陽極、発光層、陰極等はその凹凸を反映して凹凸部が形
成される。平坦化絶縁膜の表面に凹凸部を形成する方法
としては、例えば、ハーフ露光を用いる方法、下地
のパターニングにより絶縁膜の凹凸部を形成した後に平
坦化絶縁膜を形成する方法、が適している。
膜の表面を荒らすこと、つまり凹凸部を設けることで、
その平坦化絶縁膜の上層に積層される有機ＥＬ素子の、
陽極、発光層、陰極等はその凹凸を反映して凹凸部が形
成される。平坦化絶縁膜の表面に凹凸部を形成する方法
としては、例えば、ハーフ露光を用いる方法、下地
のパターニングにより絶縁膜の凹凸部を形成した後に平
坦化絶縁膜を形成する方法、が適している。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。 （第１の実施形態）以下、第１の実施形態について図１
〜図５を参照しながら説明する。なお、図１５、図１６
と同一の構成部分については同一の符号を付している。
図面を参照しながら詳細に説明する。 （第１の実施形態）以下、第１の実施形態について図１
〜図５を参照しながら説明する。なお、図１５、図１６
と同一の構成部分については同一の符号を付している。
【００２０】図１に示すように、絶縁性基板１０上にＴ
ＦＴを形成する。すなわち、絶縁性基板１０上にクロム
（Ｃｒ）等の高融点金属から成るゲート電極１１を形成
し、その上にゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からな
る能動層１３を順に形成する。
ＦＴを形成する。すなわち、絶縁性基板１０上にクロム
（Ｃｒ）等の高融点金属から成るゲート電極１１を形成
し、その上にゲート絶縁膜１２、及びｐ−Ｓｉ膜からな
る能動層１３を順に形成する。
【００２１】その能動層１３には、ゲート電極１１上方
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、いわゆ
るＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。
のチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側に、チ
ャネル１３ｃ上のストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイ
オンドーピングし更にゲート電極１１の両側をレジスト
にてカバーしてイオンドーピングしてゲート電極１１の
両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。即ち、いわゆ
るＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。
【００２２】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。そして、感光性樹脂から成る平坦化絶縁膜２０（例
えば、日本合成ゴム製ＪＳＲ−３１５）を形成する（以
上、図１参照）。
びストッパ絶縁膜１４上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形
成し、ドレイン１３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極１６を形成す
る。そして、感光性樹脂から成る平坦化絶縁膜２０（例
えば、日本合成ゴム製ＪＳＲ−３１５）を形成する（以
上、図１参照）。
【００２３】次に、図２に示すように、平坦化絶縁膜２
０の表面にハーフ露光を行い、現像処理を施すことで、
この平坦化絶縁膜２０の表面が荒らされ、多数の凹凸部
２０Ａが形成される。ここで、ハーフ露光は平坦化絶縁
膜２０に後述するコンタクトホールを形成する際の通常
露光に比して２０％〜４０％の露光量の露光である。
０の表面にハーフ露光を行い、現像処理を施すことで、
この平坦化絶縁膜２０の表面が荒らされ、多数の凹凸部
２０Ａが形成される。ここで、ハーフ露光は平坦化絶縁
膜２０に後述するコンタクトホールを形成する際の通常
露光に比して２０％〜４０％の露光量の露光である。
【００２４】次に、図３に示すように、ＴＦＴのソース
１３ｓ上にコンタクトホール２１を形成する。この工程
は、ＴＦＴのソースｓに対応する領域に開口部を有する
マスク（不図示）を用いて、通常の１００％露光を行
い、現像処理により当該開口部の平坦化絶縁膜２０を除
去し、その後エッチングにより、平坦化絶縁膜１５を選
択的に除去して、ＴＦＴのソース１３ｓの表面を露出さ
せる。
１３ｓ上にコンタクトホール２１を形成する。この工程
は、ＴＦＴのソースｓに対応する領域に開口部を有する
マスク（不図示）を用いて、通常の１００％露光を行
い、現像処理により当該開口部の平坦化絶縁膜２０を除
去し、その後エッチングにより、平坦化絶縁膜１５を選
択的に除去して、ＴＦＴのソース１３ｓの表面を露出さ
せる。
【００２５】次に、図４に示すように、ＩＴＯから成る
陽極２２を平坦化絶縁膜２２上に形成する。陽極２２
は、コンタクトホール２１を介してＴＦＴのソースｓと
接続するようにパターニングされる。すると、陽極２２
の表面は平坦化絶縁膜２２の凹凸を反映して、凹凸部が
形成される。
陽極２２を平坦化絶縁膜２２上に形成する。陽極２２
は、コンタクトホール２１を介してＴＦＴのソースｓと
接続するようにパターニングされる。すると、陽極２２
の表面は平坦化絶縁膜２２の凹凸を反映して、凹凸部が
形成される。
【００２６】次に、図５に示すように、凹凸部が形成さ
れた陽極２２上にＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphen
ylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層、
ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triph
enylanine）から成る第２ホール輸送層、から成るホー
ル輸送層２３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を
含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリ
ウム錯体）から成る発光層２４、及びＢｅｂｑ2から成
る電子輸送層２５、マグネシウム・インジウム合金もし
くはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る
陰極２６が、この順番で積層形成される。これらのホー
ル輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５及び陰極２
６は、シャドウマスクを用いた真空蒸着法により形成さ
れる。図５において、発光層２４は画素毎に陽極２４上
に形成され、他のホール輸送層２３、電子輸送層２５及
び陰極２６についてはＥＬ表示装置の表示領域全体に形
成されている。
れた陽極２２上にＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphen
ylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層、
ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triph
enylanine）から成る第２ホール輸送層、から成るホー
ル輸送層２３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を
含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリ
ウム錯体）から成る発光層２４、及びＢｅｂｑ2から成
る電子輸送層２５、マグネシウム・インジウム合金もし
くはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る
陰極２６が、この順番で積層形成される。これらのホー
ル輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５及び陰極２
６は、シャドウマスクを用いた真空蒸着法により形成さ
れる。図５において、発光層２４は画素毎に陽極２４上
に形成され、他のホール輸送層２３、電子輸送層２５及
び陰極２６についてはＥＬ表示装置の表示領域全体に形
成されている。
【００２７】これにより、ホール輸送層２３、発光層２
４、電子輸送層２５及び陰極２６の表面には陽極２２の
凹凸形状が反映される結果、夫々凹凸部が形成される。
これにより、発光層２４の実効的な発光面積Ｓ１は従来
例のＳ０に比して増大する。このため、単位面積あたり
の電流密度が同じであればその分、輝度Ｋはその比（Ｓ
１／Ｓ０）だけ増加することになる。また、発光輝度Ｋ
が同じであれば、電流密度は（Ｓ０／Ｓ１）の比で減少
する。このため、有機ＥＬ素子の寿命はその分伸びるこ
とになる（図１７参照）。
４、電子輸送層２５及び陰極２６の表面には陽極２２の
凹凸形状が反映される結果、夫々凹凸部が形成される。
これにより、発光層２４の実効的な発光面積Ｓ１は従来
例のＳ０に比して増大する。このため、単位面積あたり
の電流密度が同じであればその分、輝度Ｋはその比（Ｓ
１／Ｓ０）だけ増加することになる。また、発光輝度Ｋ
が同じであれば、電流密度は（Ｓ０／Ｓ１）の比で減少
する。このため、有機ＥＬ素子の寿命はその分伸びるこ
とになる（図１７参照）。
【００２８】理想的には発光層２４の凹凸部が半球面で
ある場合に発光面積は最大となる。それは、凹凸が無い
場合に比べて2倍の発光面積の増加となる。その理由
は、球の半径をｒとすると１つの凸部（又は凹部）の表
面積は２πｒ2であり、円の面積はπｒ2であるから、2
倍の表面積の増加となるからである。その場合、例えば
有機ＥＬ素子の寿命は４倍になる。
ある場合に発光面積は最大となる。それは、凹凸が無い
場合に比べて2倍の発光面積の増加となる。その理由
は、球の半径をｒとすると１つの凸部（又は凹部）の表
面積は２πｒ2であり、円の面積はπｒ2であるから、2
倍の表面積の増加となるからである。その場合、例えば
有機ＥＬ素子の寿命は４倍になる。
【００２９】（第２の実施形態）以下、第２の実施形態
について図６〜図１２を参照しながら説明する。なお、
図１５、図１６と同一の構成部分については同一の符号
を付している。
について図６〜図１２を参照しながら説明する。なお、
図１５、図１６と同一の構成部分については同一の符号
を付している。
【００３０】図６に、絶縁性基板１０上にＴＦＴ、層間
絶縁膜１５、ドレイン電極１６を形成する。ここまでの
工程は第１の実施形態と同様である。
絶縁膜１５、ドレイン電極１６を形成する。ここまでの
工程は第１の実施形態と同様である。
【００３１】次に、図７に示すように、絶縁膜１３０
（例えばＳｉＯ2膜）をＣＶＤ法等により形成し、この
絶縁膜３０上に多数の島にパターンニングされたホトレ
ジスト１３１を形成する。
（例えばＳｉＯ2膜）をＣＶＤ法等により形成し、この
絶縁膜３０上に多数の島にパターンニングされたホトレ
ジスト１３１を形成する。
【００３２】そして、このホトレジスト１３１をマスク
として絶縁膜３０をエッチングし、ホトレジスト１３１
を除去すると、図８に示すように、層間絶縁膜１５に絶
縁膜から成る多数の凸部１３２が形成される。
として絶縁膜３０をエッチングし、ホトレジスト１３１
を除去すると、図８に示すように、層間絶縁膜１５に絶
縁膜から成る多数の凸部１３２が形成される。
【００３３】次に、図９に示すように、有機樹脂から成
る平坦化絶縁膜１３３を形成する。この平坦化絶縁膜１
３３の表面は下地の多数の凸部３２を反映して、多数の
凹凸部が形成される。
る平坦化絶縁膜１３３を形成する。この平坦化絶縁膜１
３３の表面は下地の多数の凸部３２を反映して、多数の
凹凸部が形成される。
【００３４】次に、図１０に示すように平坦化絶縁膜１
３３及び層間絶縁膜１５を選択的にエッチングして、Ｔ
ＦＴのソースｓ上に、コンタクトホール１３４を形成す
る。そして、図１１に示すように、ＩＴＯから成る陽極
２２を平坦化絶縁膜２２上に形成する。陽極２２は、コ
ンタクトホール２１を介してＴＦＴのソースｓと接続す
るようにパターニングされる。すると、陽極１３５の表
面は平坦化絶縁膜１３５の凹凸を反映して、凹凸部が形
成される。
３３及び層間絶縁膜１５を選択的にエッチングして、Ｔ
ＦＴのソースｓ上に、コンタクトホール１３４を形成す
る。そして、図１１に示すように、ＩＴＯから成る陽極
２２を平坦化絶縁膜２２上に形成する。陽極２２は、コ
ンタクトホール２１を介してＴＦＴのソースｓと接続す
るようにパターニングされる。すると、陽極１３５の表
面は平坦化絶縁膜１３５の凹凸を反映して、凹凸部が形
成される。
【００３５】次に、図１２に示すように、凹凸部が形成
された陽極１３５上に、第１の実施形態と同様に、有機
ＥＬ素子のホール輸送層１３６、発光層１３７、電子輸
送層１３８及び陰極１３９が、シャドウマスクを用いた
真空蒸着法により形成される。図において、発光層１３
７は画素毎に陽極１３５上に形成され、他のホール輸送
層１３６、電子輸送層１３８及び陰極１３９については
ＥＬ表示装置の表示領域全体に形成されている。
された陽極１３５上に、第１の実施形態と同様に、有機
ＥＬ素子のホール輸送層１３６、発光層１３７、電子輸
送層１３８及び陰極１３９が、シャドウマスクを用いた
真空蒸着法により形成される。図において、発光層１３
７は画素毎に陽極１３５上に形成され、他のホール輸送
層１３６、電子輸送層１３８及び陰極１３９については
ＥＬ表示装置の表示領域全体に形成されている。
【００３６】これにより、有機ＥＬ素子のホール輸送層
１３６、発光層１３７、電子輸送層１３８及び陰極１３
９の表面には、陽極１３５の凹凸形状が反映される結
果、夫々凹凸部が形成される。したがって、第１の実施
形態と同様に、発光層１３７の実効的な発光面積Ｓ２は
従来例のＳ０に比して増大する。 （第３の実施形態）上述した第１、第２の実施形態で
は、１つのＴＦＴ（有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ）を含む
表示画素から成る表示装置への適用例について説明した
が本発明はこれに限定されることなく、２つのＴＦＴ
（スイッチング用ＴＦＴ、駆動用ＴＦＴ）を含む表示画
素から成る表示装置についても同様に適用できるもので
ある。そこで、以下にこのような第３の実施形態に係る
について図面を参照しながら説明する。
１３６、発光層１３７、電子輸送層１３８及び陰極１３
９の表面には、陽極１３５の凹凸形状が反映される結
果、夫々凹凸部が形成される。したがって、第１の実施
形態と同様に、発光層１３７の実効的な発光面積Ｓ２は
従来例のＳ０に比して増大する。 （第３の実施形態）上述した第１、第２の実施形態で
は、１つのＴＦＴ（有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ）を含む
表示画素から成る表示装置への適用例について説明した
が本発明はこれに限定されることなく、２つのＴＦＴ
（スイッチング用ＴＦＴ、駆動用ＴＦＴ）を含む表示画
素から成る表示装置についても同様に適用できるもので
ある。そこで、以下にこのような第３の実施形態に係る
について図面を参照しながら説明する。
【００３７】図１３に有機ＥＬ表示装置の表示画素付近
を示す平面図を示し、図１４（ａ）に図１３中のＡ−Ａ
線に沿った断面図を示し、図１４（ｂ）に図１３中のＢ
−Ｂ線に沿った断面図を示す。
を示す平面図を示し、図１４（ａ）に図１３中のＡ−Ａ
線に沿った断面図を示し、図１４（ｂ）に図１３中のＢ
−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００３８】図１３及び図１４に示すように、ゲート信
号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示
画素１１１が形成されており、マトリクス状に配置され
ている。
号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示
画素１１１が形成されており、マトリクス状に配置され
ている。
【００３９】この表示画素１１１には、自発光素子であ
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６３とから成
っている。
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６３とから成
っている。
【００４０】即ち、両信号線５１，５２の交点付近には
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
【００４１】また、ゲート信号線５１と並行に保持容量
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
【００４２】図１４に示すように、有機ＥＬ表示装置
は、ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有
する基板あるいは半導体基板等の基板１００上に、ＴＦ
Ｔ及び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、
基板１００として導電性を有する基板及び半導体基板を
用いる場合には、これらの基板１００上にＳｉＯ2やＳ
ｉＮなどの絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及
び有機ＥＬ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲ
ート電極がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるい
わゆるトップゲート構造である。
は、ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有
する基板あるいは半導体基板等の基板１００上に、ＴＦ
Ｔ及び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、
基板１００として導電性を有する基板及び半導体基板を
用いる場合には、これらの基板１００上にＳｉＯ2やＳ
ｉＮなどの絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及
び有機ＥＬ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲ
ート電極がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるい
わゆるトップゲート構造である。
【００４３】まず、スイッチング用ＴＦＴである第１の
ＴＦＴ３０について説明する。
ＴＦＴ３０について説明する。
【００４４】図１４（ａ）に示すように、石英ガラス、
無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶
質シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣ
ＶＤ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射
して溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ
−Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とす
る。その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積
層体をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上
に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３
１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン
信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源であ
りＡｌから成る駆動電源線５３が配置されている。
無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶
質シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣ
ＶＤ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射
して溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ
−Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とす
る。その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積
層体をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上
に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３
１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン
信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源であ
りＡｌから成る駆動電源線５３が配置されている。
【００４５】そして、ゲート絶縁膜３２及び能動層３３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１１５が形成されており、ドレ
イン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等
の金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全
面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１
７が形成されている。
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１１５が形成されており、ドレ
イン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等
の金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全
面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１
７が形成されている。
【００４６】次に有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである第
２のＴＦＴ４０について説明する。図１４（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜
１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜
及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１１５を形
成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動
電源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹
脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えて
いる。そして、この平坦化絶縁膜１１７の表面に凹凸が
形成されている。
２のＴＦＴ４０について説明する。図１４（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜
１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜
及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１１５を形
成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホー
ルにＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動
電源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹
脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えて
いる。そして、この平坦化絶縁膜１１７の表面に凹凸が
形成されている。
【００４７】そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトし
たＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子１６０の
陽極１６１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽
極１６１は各表示画素ごとに島状に分離形成されてい
る。そして、陽極１６１の表面は平坦化絶縁膜１１５の
凹凸を反映して、凹凸部が形成される。
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトし
たＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子１６０の
陽極１６１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽
極１６１は各表示画素ごとに島状に分離形成されてい
る。そして、陽極１６１の表面は平坦化絶縁膜１１５の
凹凸を反映して、凹凸部が形成される。
【００４８】次に、図１４に示すように、凹凸部が形成
された陽極１６１上に、ホール輸送層１６２、発光層１
６３、電子輸送層１６４及び陰極１６５が、シャドウマ
スクを用いた真空蒸着法により形成される。
された陽極１６１上に、ホール輸送層１６２、発光層１
６３、電子輸送層１６４及び陰極１６５が、シャドウマ
スクを用いた真空蒸着法により形成される。
【００４９】これにより、ホール輸送層１６２、発光層
１６３、電子輸送層１６４及び陰極１６５の表面には陽
極１６１の凹凸形状が反映される結果、夫々凹凸部が形
成される。したがって、発光層１６３の実効的な発光面
積が増大する。
１６３、電子輸送層１６４及び陰極１６５の表面には陽
極１６１の凹凸形状が反映される結果、夫々凹凸部が形
成される。したがって、発光層１６３の実効的な発光面
積が増大する。
【００５０】
【発明の効果】本発明の表示装置及び表示装置の製造方
法によれば、ＥＬ素子の発光層の表面に凹凸部を設け、
その実効的な表面積を増大させているので、画素面積の
増大を招くことなく有機ＥＬ素子６０の実効的な発光面
積を増大させ、高輝度を実現することができる。また、
ＥＬ素子の発光輝度を維持しながらその寿命を長くする
ことができる。
法によれば、ＥＬ素子の発光層の表面に凹凸部を設け、
その実効的な表面積を増大させているので、画素面積の
増大を招くことなく有機ＥＬ素子６０の実効的な発光面
積を増大させ、高輝度を実現することができる。また、
ＥＬ素子の発光輝度を維持しながらその寿命を長くする
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置及びその製造方法を示す断面図であ
る。
ネッセンス表示装置及びその製造方法を示す断面図であ
る。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロル
ミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロル
ミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
ミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロル
ミネッセンス表示装置及びそのの製造方法を示す断面図
である。
ミネッセンス表示装置及びそのの製造方法を示す断面図
である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係るエレクトロル
ミネッセンス表示装置及びそのの製造方法を示す断面図
である。
ミネッセンス表示装置及びそのの製造方法を示す断面図
である。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係るエレクトロル
ミネッセンス表示装置及びそのの製造方法を示す断面図
である。
ミネッセンス表示装置及びそのの製造方法を示す断面図
である。
【図１５】従来のＥＬ表示装置の一画素の平面図であ
る。
る。
【図１６】図１３中のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図１７】有機ＥＬ素子の寿命と電流密度の関係を示す
図である。
図である。
１０ 絶縁性基板 １１ ゲート電極 １３ 能動
層 １４ ストッパ絶縁膜 １５ 層間絶縁膜 １６
ドレイン電極 ２０ 平坦化絶縁膜 ２０Ａ 凹凸部 ２１ コン
タクトホール ２２ 陽極 ２３ ホール輸送層 ２４ 発光層
２５ 電子輸送層 ２６ 陰極 ３０ 第１のＴＦＴ ４０ 第２のＴ
ＦＴ １３０ 絶縁膜 １３１ ホトレジスト １３２
凸部 １３３ 平坦化絶縁膜 １３４ コンタクトホール
１３５ 陽極 １３６ ホール輸送層 １３７ 発光層 １３８
電子輸送層 １３９ 陰極
層 １４ ストッパ絶縁膜 １５ 層間絶縁膜 １６
ドレイン電極 ２０ 平坦化絶縁膜 ２０Ａ 凹凸部 ２１ コン
タクトホール ２２ 陽極 ２３ ホール輸送層 ２４ 発光層
２５ 電子輸送層 ２６ 陰極 ３０ 第１のＴＦＴ ４０ 第２のＴ
ＦＴ １３０ 絶縁膜 １３１ ホトレジスト １３２
凸部 １３３ 平坦化絶縁膜 １３４ コンタクトホール
１３５ 陽極 １３６ ホール輸送層 １３７ 発光層 １３８
電子輸送層 １３９ 陰極
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成された薄膜トランジスタ
と、 前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成され、 この絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記
薄膜トランジスタのソース又はドレインと接続された陽
極と、 前記陽極上に形成された発光層と、 前記発光層上に形成された陰極と、を具備するエレクト
ロルミネッセンス表示装置において、 少なくとも前記発光層の表面に凹凸部が形成されている
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項２】 基板上に薄膜トランジスタを形成する工
程と、 前記薄膜トランジスタ上に感光性材料から成る平坦化絶
縁膜を形成する第１の工程と、 前記平坦化絶縁膜の全面にハーフ露光及び現像処理を施
すことにより前記平坦化絶縁膜の表面に凹凸部を形成す
る第２の工程と、 前記平坦化絶縁膜上に前記薄膜トランジスタのドレイン
に対応する位置に開口部を有するホトレジストを形成す
る第３の工程と、 通常露光及び現像処理を施すことにより前記平坦化絶縁
膜にコンタクトホールを形成する第４の工程と、 前記コンタクトホールを介して前記前記薄膜トランジス
タのソース又はドレインと接続する陽極を形成する第５
の工程と、 前記陽極上に発光層を形成する第６の工程と、 前記発光層上に陰極を形成する第７の工程と、を具備
し、前記陽極、前記発光層及び前記陰極の表面に凹凸部
が形成されるようにしたことを特徴とするエレクトロル
ミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に薄膜トランジスタを形成する第
１の工程と、 前記薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を形成する第２の
工程と、 前記層間絶縁膜上に絶縁膜から成る多数の凸部を形成す
る第３の工程と、 前記層間絶縁膜及び多数の凸部上に平坦化絶縁膜を形成
する第４の工程と、 前記平坦化絶縁膜にコンタクトホールを形成する第５の
工程と、 前記コンタクトホールを介して前記前記薄膜トランジス
タのソース又はドレインと接続する陽極を形成する第５
の工程と、 前記陽極上に発光層を形成する第７の工程と、 前記発光層上に陰極を形成する第８工程と、を具備し、
前記陽極、前記発光層及び前記陰極の表面に凹凸部が形
成されるようにしたことを特徴とするエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第３の工程は、前記層間絶縁膜上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にフォトリソグラ
フィ工程を施すことにより前記絶縁膜から成る多数の凸
部を形成する工程であることを特徴とする請求項３記載
のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
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