KR102177214B1 - 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광추출 효율이 향상된 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 본 발명의 일 관점에 따르면, 주름구조를 갖는 플렉서블 기판, 상기 플렉서블 기판 상에 배치되며 주름구조를 갖는 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치되는 발광층을 포함하는 중간층 및 상기 화소전극에 대향하도록 배치된 대향전극을 구비하는, 플렉서블 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법{Flexible display apparatus and method for manufacturing the same}
본 발명은 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광추출 효율이 향상된 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 관심이 높아짐에 따라 이에 관한 연구가 활발히 진행되고 있는데, 이러한 플렉서블 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 종래의 글라스재 기판이 아닌 수지 등과 같은 재질의 플렉서블 기판을 이용한다.
그러나 이러한 종래의 플렉서블 디스플레이 장치에는 디스플레이부에서 발광하는 빛의 일부가 디스플레이 내부에 갇혀 광추출 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 광추출 효율이 향상된 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 주름구조를 갖는 플렉서블 기판, 상기 플렉서블 기판 상에 배치되며 주름구조를 갖는 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치되는 발광층을 포함하는 중간층 및 상기 화소전극에 대향하도록 배치된 대향전극을 구비하는, 플렉서블 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 화소전극의 주름구조는 불규칙적일 수 있다.
상기 플렉서블 기판은 신축성을 가지는 재료를 포함할 수 있다.
상기 플렉서블 기판은 제1영역과 제2영역을 갖고, 제1영역에는 박막트랜지스터가 배치되고, 제2영역에는 상기 화소전극이 배치되며, 상기 화소전극은 상기 박박트랜지스터에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 플렉서블 기판을 준비하는 단계, 플렉서블 기판에 인장력을 가하는 단계, 인장력이 가해진 플렉서블 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계, 화소전극에 주름구조가 형성되도록 플렉서블 기판에 가해진 인장력을 제거 하는 단계, 화소전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계 및 화소전극에 대향하는 대향전극을 형성하는 단계를 포함하는, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.
상기 인장력을 제거하는 단계는, 화소전극에 불규칙적으로 주름구조를 형성하는 단계일 수 있다.
플렉서블 기판은 신축성을 가지는 재료를 포함할 수 있다.
상기 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계는, 증착법 또는 프린팅법을 이용해 형성하는 단계일 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 플렉서블 기판을 준비하는 단계, 플렉서블 기판에 인장력을 가하는 단계, 인장력이 가해진 플렉서블 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계, 화소전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계, 화소전극에 대향하도록 대향전극을 형성하는 단계 및 화소전극에 주름구조가 형성되도록 플렉서블 기판에 가해진 인장력을 제거 하는 단계를 포함하는, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.
상기 인장력을 제거하는 단계는, 화소전극에 불규칙적으로 주름구조를 형성하는 단계일 수 있다.
플렉서블 기판은 신축성을 가지는 재료를 포함할 수 있다.
상기 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계는, 증착법 또는 프린팅법을 이용해 형성하는 단계일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다. 이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 광추출 효율이 향상된 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조공정을 도시하는 단면도들이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조공정을 도시하는 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치는 플렉서블 기판(100), 플렉서블 기판(100) 상에 배치된 화소전극(210), 발광층을 포함한 중간층(220) 및 대향전극(230)을 구비한다.
플렉서블 기판(100)은 휘어질 수 있는 특성을 가지는 소재인 플라스틱 필름과 같은 고분자 소재로 제조할 수 있다. 플렉서블 기판(100)은 예컨대 폴리이미드(Polyimide, PI)나, 폴리 카보네이트(Polycarbonate, PC)나, 폴리 에테르 설폰(Polyethersulphone, PES)이나, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET)나, 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN)나, 폴리아릴레이트(Polyarylate, PAR), 유리섬유 강화플라스틱(Fiber glass reinforced plastic, FRP) 등의 고분자 소재를 포함할 수 있다. 이러한 플렉서블 기판(100)은 신축성을 가질 수 있다.
이러한 플렉서블 기판(100)은 도 1에 도시된 것과 같이, 주름구조를 가질 수 있다. 도 1에서는 플렉서블 기판(100)의 주름구조가 일정한 간격으로 균일하게 형성된 것으로 도시되어 있으나, 플렉서블 기판(100)의 주름 구조는 불규칙적으로 형성될 수 있다. 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 이루는 커브의 지름은 수 마이크로에서부터 수십 마이크로까지 다양하게 형성될 수 있다.
플렉서블 기판(100)은 상술한 것과 같이 신축성 있는 고분자 소재를 포함하여 형성되기 때문에, 플렉서블 기판(100) 자체에 인장력을 가한 후 인장력을 제거하면 본 발명의 일 실시예와 같은 주름 구조를 형성할 수 있다. 이러한 플렉서블 기판(100)의 주름구조는, 일정한 형상의 화학적 패터닝을 이용한 것이 아니고 플렉서블 기판(100) 자체의 기계적, 물리적 변형을 통해 형성된 것이기 때문에 불규칙적으로 형성될 수 있다. 경우에 따라 이러한 플렉서블 기판(100)에 주름구조를 형성하기 위해서 인장력을 제거한 후 기판(100)을 수축시키는 과정이 더 포함될 수도 있다.
한편, 플렉서블 기판(100) 상에는 유기발광소자(200)가 배치될 수 있다. 유기발광소자(200)는 화소전극(210), 발광층을 포함하는 중간층(220), 대향전극(230)이 포함될 수 있다.
플렉서블 기판(100) 상에는 화소전극(210)이 배치될 수 있다. 여기서 화소전극(210)이 플렉서블 기판(100) 상에 배치된다고 함은, 기판 상에 화소전극(210)이 직접 배치되는 경우뿐만 아니라, 플렉서블 기판(100) 상에 각종 층들이 형성되고 그러한 층 등 상에 화소전극(210)이 배치되는 경우를 포함하는 것은 물론이다. 예컨대, 플렉서블 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)가 배치되고, 평탄화막이 이러한 박막트랜지스터(TFT)를 덮도록 하며, 화소전극(210)은 그러한 평탄화막 상에 위치하도록 할 수도 있다. 다만 본 발명은 전면발광에만 한정되는 것은 아니며, 배면발광에도 적용될 수 있음은 자명하다. 이하 도면에서는 편의상 플렉서블 기판(100) 상에 직접 화소전극(210)이 위치하는 것으로 도시하였으며, 이하의 설명에서도 편의상 그와 같이 설명한다.
이러한 화소전극(210)은 주름구조를 가질 수 있다. 다시 말해, 화소전극(210)은 플렉서블 기판(100) 상에 배치되고 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라 배치될 수 있다. 도 1에서는 편의상 화소전극(210)의 주름구조 역시 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라서 일정한 간격으로 균일하게 형성된 것으로 도시되어 있으나, 화소전극(210)의 주름구조는 불규칙적으로 형성될 수 있다. 이러한 화소전극(210)의 주름구조는 화소전극(210) 하부의 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라 그대로 형성될 수도 있고, 플렉서블 기판(100)의 주름구조와는 일부분 달리 형성될 수도 있다.
화소전극(210) 은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
한편, 플렉서블 기판(100) 상부에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있다. 화소정의막(180)은 화소전극(210)의 가장자리를 덮으며 중앙부가 노출되도록 배치될 수 있다. 이와 같이 화소정의막(180)에 의해 노출된 화소전극(210)의 중앙부는 디스플레이부의 화소영역으로 이해될 수 있다.
이러한 화소정의막(180)은 예컨대 유기 절연막으로 구비될 수 있다. 그러한 유기 절연막으로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴계 고분자, 폴리스티렌(PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다.
한편, 화소정의막(180)에 의해 노출된 화소전극(210) 상에는 발광층을 포함한 중간층(220)이 배치될 수 있다. 도 1에는 하나의 층으로 도시되어 있으나, 중간층(220)은 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하며, 발광층을 이외에 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 물론 중간층(220)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.
도 1에서는 중간층(220)의 플렉서블 기판(100) 방향으로의 하부면은 화소전극(210)의 주름구로를 따라 배치되며, 플렉서블 기판(100)의 반대방향으로의 상부면은 평평하게 배치되어 있는 것으로 도시되어 있다. 다만 중간층(220)의 형상은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 중간층(220)을 형성하는 공정 방법에 따라 중간층(220)의 플렉서블 기판(100)의 반대방향으로의 상부면 역시 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라 형성될 수 있다.
이러한 중간층(220)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
중간층(220)이 저분자 유기물일 경우, 예컨대 발광층(EML)을 중심으로 홀 수송층(hole transport layer: HTL), 홀 주입층(hole injection layer: HIL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등이 적층될 수 있다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층 될 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N'-디(나프탈렌-1-일)-N(N'-Di(naphthalene-1-yl)-N), N'-디페닐-벤지딘(N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다.
중간층(220)이 고분자 유기물일 경우, 예컨대 발광층(EML) 외에 홀 수송층(HTL)이 포함될 수 있다. 홀 수송층(HTL)은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용할 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 또한, 중간층(220)과 화소전극(210) 및 대향전극(230) 사이에는 무기 재료가 더 구비될 수도 있다.
이때 홀 수송층(HTL), 홀 주입층(HIL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 플렉서블 기판(100) 전면(全面)에 일체(一體)로 형성될 수 있고, 발광층(EML)만 잉크젯 프린팅 공정으로 화소별로 형성될 수 있다.
한편, 중간층(220) 상에는 대향전극(230)이 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 화소전극(210)에 대향하도록 플렉서블 기판(100) 상부에 일체(一體)로 배치될 수 있다. 이러한 대향전극(230)은 투명 전극, 반투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다.
대향전극(230)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(230)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 2에서는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치가 구체적으로 배면발광으로 구현되는 경우를 도시하고 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치는, 플렉서블 기판(100), 플렉서블 기판(100) 상에 배치된 화소전극(210), 발광층을 포함한 중간층(220) 및 대향전극(230)을 구비한다.
플렉서블 기판(100)은 휘어질 수 있는 특성을 가지는 소재인 플라스틱 필름과 같은 고분자 소재로 제조할 수 있다. 이러한 플렉서블 기판(100)은 신축성을 가질 수 있다.
플렉서블 기판(100)은 제1영역(I)과 제2영역(II)을 가질 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이 플렉서블 기판(100)의 제1영역(I)은 박막트랜지스터(TFT)가 배치되는 영역으로 이해될 수 있으며, 플렉서블 기판(100)의 제2영역(II)은 화소전극(210)이 배치되는 영역으로 이해될 수 있다. 따라서 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치에 있어서 유기발광소자(200)는 플렉서블 기판(100)의 제2영역(II)에 배치될 수 있다.
이러한 플렉서블 기판(100)은 도 2에 도시된 것과 같이, 주름구조를 가질 수 있다. 도 2에서는 플렉서블 기판(100)의 주름구조가 일정한 간격으로 균일하게 형성된 것으로 도시되어 있으나, 플렉서블 기판(100)의 주름 구조는 불규칙적으로 형성될 수 있다. 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 이루는 커브의 지름은 수 마이크로에서부터 수십 마이크로까지 다양하게 형성될 수 있다.
플렉서블 기판(100)은 상술한 것과 같이 신축성 있는 고분자 소재를 포함하여 형성되기 때문에, 플렉서블 기판(100) 자체에 인장력을 가한 후 인장력을 제거하면 본 발명의 일 실시예와 같은 주름 구조를 형성할 수 있다. 플렉서블 기판(100)의 주름구조는 일정한 형상의 화학적 패터닝을 이용한 것이 아니고, 플렉서블 기판(100) 자체의 기계적, 물리적 변형을 통해 형성된 것이기 때문에 불규칙적으로 형성될 수 있다. 경우에 따라 이러한 플렉서블 기판(100)에 주름구조를 형성하기 위해서 인장력을 제거한 후 기판(100)을 수축시키는 과정이 더 포함될 수도 있다.
플렉서블 기판(100) 상에는 플렉서블 기판(100)의 면을 평탄화하기 위해 또는 반도체층(120)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해 기판 전면(全面)에 걸쳐 버퍼층(110)이 배치되고, 이 버퍼층(110) 상에 반도체층(120)이 위치하도록 할 수 있다. 버퍼층(110)은 플렉서블 기판(100) 바로 상에 배치될 수 있는바, 플렉서블 기판(100)의 주름을 따라 주름구조를 갖도록 형성될 수 있다. 도 2에서는 주름구조가 일정한 간격으로 균일하게 형성된 것으로 도시되어 있으나, 전술한 것과 같이 주름구조는 불규칙적으로 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층(110)은 예컨대, 실리콘옥사이드(SiO2) 또는 실리콘나이트라이드(SiNx) 등으로 형성될 수 있다.
버퍼층(110) 상에는 패터닝된 반도체층(120)이 위치하도록 할 수 있다. 반도체층(120)은 플렉서블 기판(100)의 제1영역(I)에 배치될 수 있다. 도 2에서는 반도체층(120)이 플렉서블 기판(100) 상에 배치된 버퍼층(110)을 따라 주름구조로 형성되어 있으나 반드시 이와 같은 형상에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서 반도체층(120)은 평평한 형상을 가질 수도 있다. 반도체층(120)은 예컨대, 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 결정질 실리콘(poly silicon)일 수 있다.
이러한 버퍼층(110) 및 반도체층(120)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 증착될 수 있다
이때 반도체층(120)과 후술할 제1게이트전극(140)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성되는 게이트절연막(130)이 플렉서블 기판(100) 전면에 걸쳐 반도체층(120)과 제1게이트전극(140) 사이에 개재될 수 있다. 이러한 게이트절연막(130)은 주름구조로 형성될 수 있다. 이러한 주름구조는 도 2에서는 편의상 일정한 굴곡을 갖는 주름구조를 도시하였으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 주름구조를 불규칙적일 수 있다.
반도체층(120)의 상부에는 제1게이트전극(140) 및 제2게이트전극(142)이 순차적으로 배치되는데, 제1게이트전극(140) 및 제2게이트전극(142)에 인가되는 신호에 따라 소스전극(162) 및 드레인전극(160)이 전기적으로 소통된다. 제1게이트전극(140) 및 제2게이트전극(142)은 동일한 마스크 공정에 의해 패터닝 되므로 동일한 식각면을 가질 수 있다. 제1게이트전극(140) 및 제2게이트전극(142)도 마찬가지로 도2에서는 주름구조를 갖는 것으로 도시되었으나 반드시 이와 같은 형상에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서 제1게이트전극(140) 및 제2게이트전극(142)은 평평한 형상을 가질 수도 있다.
이때 플렉서블 기판(100)의 제1영역(I) 상에 배치되는 제1게이트전극(140)은 플렉서블 기판(100)의 제2영역(II) 상에 배치되는 화소전극(210)과 동일 층에 형성될 수 있다. 따라서 제1게이트전극(140)은 화소전극(210)과 동일한 물질을 포함하여 형성될 수 있다.
도 2에 도시된 것과 같이 플렉서블 기판(100)의 제2영역(II)에 배치된 화소전극(210)은 플렉서블 기판(100)을 따라 주름구조를 갖도록 형성될 수 있다. 도 2에서는 편의상 화소전극(210)의 주름구조 역시 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라서 일정한 간격으로 균일하게 형성된 것으로 도시되어 있으나, 화소전극(210)의 주름구조는 불규칙적으로 형성될 수 있다. 이러한 화소전극(210)의 주름구조는 화소전극(210) 하부의 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라 그대로 형성될 수도 있고, 플렉서블 기판(100)의 주름구조와는 일부분 달리 형성될 수도 있다.
이 경우 제1게이트전극(140) 및 화소전극(210)은 예컨대 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zink oxide: IZO), 징크옥사이드(zink oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium galium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminium zink oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
제2게이트전극(142)은 제1게이트전극(140) 상에 배치될 수 있다. 이때 플렉서블 기판(100)의 제1영역(I) 상에 배치되는 제2게이트전극(142)은 플렉서블 기판(100)의 제2영역(II) 상에 배치되는 금속층(212)과 동일한 층에 형성될 수 있다.
금속층(212)은 화소전극(210) 상에 배치될 수 있는데, 화소전극(210)의 중앙부가 노출되도록 패터닝 될 수 있다. 따라서 금속층(212)은 화소전극(210)의 가장자리 부분에 위치할 수 있다. 이와 같은 금속층(212)은 박막트랜지스터(TFT)의 드레인전극과 화소전극(210)이 전기적으로 연결되도록 컨택시키는 역할을 한다.
이러한 제2게이트전극(142) 및 금속층(212)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
한편, 제1게이트전극(140) 및 제2게이트전극(142)의 상부에는 층간절연막(150)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘옥사이드(SiO2) 또는 실리콘나이트라이드(SiNx) 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.
층간절연막(150)의 상부에는 소스전극(162) 및 드레인전극(160)이 배치된다. 소스전극(162) 및 드레인전극(160)은 층간절연막(150)과 게이트절연막(130)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(120)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스전극(162) 및 드레인전극(160)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
이때 드레인전극(160)은 층간절연막(150)에 형성되는 비아홀을 통하여 금속층(212)에 전기적으로 연결된다. 이렇게 드레인전극(160)과 연결된 금속층(212)은 박막트랜지스터(TFT)와 화소전극(210)을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. 도 2에서는 층간절연막(150)의 대향전극(230) 방향(+z 방향)의 상부면이 평평한 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서 하부의 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라 적어도 일부분이 주름구조를 가질 수 있다.
이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT)의 보호를 위해, 도 2에는 도시되지 않았으나 보호막으로서 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 절연막이 더 배치될 수 있다. 절연막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 절연막은 단층 또는 다층구조를 가질 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
한편, 박막트랜지스터(TFT) 상부에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있다. 화소정의막(180)은 박막트랜지스터(TFT) 상에 위치하거나, 상술한 절연막 상에 위치할 수 도 있다. 이러한 화소정의막(180)은 플렉서블 기판(100)의 제2영역(II) 상에 개구를 가질 수 있고 이 개구를 통해 화소영역을 정의하는 역할을 한다.
도 2에서는 화소정의막(180)의 대향전극(230) 방향(+z 방향)의 상부면이 평평한 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서 하부의 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라 적어도 일부분이 주름구조를 가질 수 있다.
이러한 화소정의막(180)은 예컨대 유기 절연막으로 구비될 수 있다. 그러한 유기 절연막으로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴계 고분자, 폴리스티렌(PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다.
한편, 플렉서블 기판(100)의 제2영역(II) 상에 형성된 화소정의막(180)의 개구는 화소영역을 정의하며 화소전극(210)의 중앙부를 노출 시킬 수 있다. 이러한 화소전극(210) 상에는 발광층을 포함한 중간층(220)이 배치될 수 있다.
도 2에서는 중간층(220)의 플렉서블 기판(100) 방향으로의 하부면은 화소전극(210)의 주름구로를 따라 배치되며, 플렉서블 기판(100)의 반대방향으로의 상부면은 평편하게 배치되어 있는 것으로 도시되어 있다. 다만 중간층(220)의 형상은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 중간층(220)을 형성하는 공정 방법에 따라 중간층(220)의 플렉서블 기판(100)의 반대방향으로의 상부면 역시 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라 형성될 수 있다.
중간층(220)의 자세한 구조 및 중간층(220)을 구성하는 재료에 대하여는 전술한 것과 동일한 바 생략한다.
한편, 발광층을 포함하는 중간층(220)을 덮으며 화소전극(210)에 대향하는 대향전극(230)이 플렉서블 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다.
도 2에서는 대향전극(230)이 화소정의막(180)의 대향전극(230) 방향의 상부면을 따라 평평한 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 경우에 따라서 대향전극(230) 의 적어도 일부분이 플렉서블 기판(100)의 주름구조를 따라 형성될 수 있다.
대향전극(230)을 구성하는 재료에 대하여는 전술한 것과 동일한 바 생략한다.
이와 같이 플렉서블 디스플레이 장치의 플렉서블 기판(100)에 주름구조가 형성되고, 플렉서블 기판(100) 상부에 배치되는 화소전극(210)이 플렉서블 기판(100)을 따라 주름구조를 갖게 되면, 플렉서블 디스플레이 장치의 광추출 효율을 획기적으로 향상시킬 수 있다.
지금까지는 플렉서블 디스플레이 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조공정을 도시하는 단면도들이다. 이하 설명에서는 플렉서블 디스플레이 장치를 구성하는 재료에 관하여 전술한 것과 동일한 바, 이를 생략하고 설명하기로 한다.
먼저 도 3을 참조하면, 플렉서블 기판(100)을 준비하는 단계를 거친다. 플렉서블 기판(100)은 휘어질 수 있는 특성을 가지는 소재인 플라스틱 필름과 같은 고분자 소재로 제조할 수 있다. 따라서 이러한 플렉서블 기판(100)은 신축성을 가질 수 있다.
이후 도 4를 참조하면, 플렉서블 기판(100)이 신축성을 갖는바 플렉서블 기판(100)에 인장력을 가하는 단계를 거칠 수 있다. 도 4에서는 플렉서블 기판(100)을 +x방향과 그 반대방향인 -x방향으로 동시에 잡아당겨 플렉서블 기판(100)에 인장력을 가할 수 있다. 다만 도 4에 도시된 것에 한정되는 것은 아니고, 플렉서블 기판(100)을 +y방향과 그 반대방향인 -y방향으로 동시에 잡아당겨 플렉서블 기판(100)에 인장력을 가할 수도 있다.
이와 같이 플렉서블 기판(100)에 인장력을 가한 상태에서, 플렉서블 기판(100) 상에 화소전극(210)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 도 4에서는 편의상 화소전극(210)이 플렉서블 기판(100) 상에 직접 형성되는 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 다시 말해 플렉서블 기판(100) 상에 화소전극(210)이 직접 형성되는 경우뿐만 아니라, 플렉서블 기판(100) 상에 각종 층들이 형성되고 그러한 층 등 상에 화소전극(210)이 형성되는 경우를 포함하는 것은 물론이다.
예컨대, 플렉서블 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)가 배치되고, 평탄화막이 이러한 박막트랜지스터(TFT)를 덮도록 하며, 화소전극(210)은 그러한 평탄화막 상에 위치하도록 할 수도 있다. 다만 본 발명은 전면발광에만 한정되는 것은 아니며, 배면발광에도 적용될 수 있음은 자명하다. 이하 도면에서는 편의상 플렉서블 기판(100) 상에 직접 화소전극(210)이 위치하는 것으로 도시하였으며, 이하의 설명에서도 편의상 그와 같이 설명한다.
그 후 도 5를 참조하면, x축 방향 또는 y축 방향으로 인장력이 가해진 플렉서블 기판(100)에서 인장력을 제거하는 단계를 거칠 수 있다. 이와 같이 인장력이 제거된 플렉서블 기판(100)은 인장력이 가해졌던 방향과 반대되는 방향으로 수축될 수 있다. 도 5에서는 +x방향과 그 반대방향인 -x방향으로 인장력이 가해졌던 플렉서블 기판(100)이, 각각 -x방향과 그 반대방향인 +x방향으로 수축되는 것을 도시하고 있다.
이때 인장력이 제거된 플렉서블 기판(100)과 플렉서블 기판(100) 상에 형성된 화소전극(210)에는 주름구조가 형성된다. 도 5에서는 편의상 플렉서블 기판(100) 및 화소전극(210)에 형성된 주름구조가 일정한 간격으로 균일하게 형성된 것으로 도시되어 있으나, 플렉서블 기판(100)의 주름 구조는 실질적으로 불규칙적으로 형성될 수 있다.
플렉서블 기판(100) 및 화소전극(210)의 주름구조가 불규칙적으로 형성되는 이유는, 상술한 것과 같이, 주름구조 자체가 화학적 패터닝을 이용한 것이 아니고, 플렉서블 기판(100) 자체의 기계적, 물리적 변형을 통해 형성된 것이기 때문이다. 플렉서블 기판(100)은 신축성 있는 고분자 소재를 포함하여 형성되기 때문에, 플렉서블 기판(100) 자체에 인장력을 가한 후 인장력을 제거하면 본 발명의 일 실시예와 같은 주름 구조를 형성할 수 있다. 이러한 플렉서블 기판(100)에 주름구조를 형성하기 위해서는, 경우에 따라, 인장력을 제거한 후 수축시키는 과정이 더 포함될 수도 있다. 이러한 물리적, 기계적 방법을 통해 플렉서블 기판(100) 및 화소전극(210)에 주름구조를 형성할 수 있으므로 별도의 마스크 또는 패터닝 공정이 필요하지 않아 제조공정을 단순화 시킬 수 있다.
그 후 도 6을 참조하면, 주름구조가 형성된 플렉서블 기판(100) 상에 화소정의막(180)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 화소정의막(180)은 플렉서블 기판(100)을 따라 주름구조가 형성된 화소전극(210)의 중앙부가 노출되도록 개구가 형성될 수 있다. 이러한 화소정의막(180)의 개구는 화소영역을 정의한다.
한편, 화소정의막(180)에 의한 정의된 화소영역에는 발광층을 포함한 중간층(220)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 중간층(220)은 주름구조가 형성된 화소전극(210) 상에 형성될 수 있다.
이러한 중간층(220)은 예컨대, 잉크젯 프린팅 공정 또는 증착 공정으로 통해 형성될 수 있다. 도 6에서는 중간층(220)이 잉크젯 프린팅 등의 용액 공정으로 형성된 경우를 도시하고 있다. 즉, 중간층(220)의 플렉서블 기판(100) 방향으로의 하부면은 화소전극(210)의 주름구조를 따라 형성되는 반면, 중간층(220)의 플렉서블 기판(100)의 반대방향으로의 상부면은 평평하게 형성될 수 있다.
한편, 중간층(220)은 상술한 것과 같이 증착 공정에 의해서도 형성될 수 있는데, 이 경우에는 중간층(220)의 상부면 및 하부면 모두 화소전극(210)의 주름구조를 따라 형성될 수 있다.
한편, 도 6에는 도시되어 있지 않으나, 플렉서블 기판(100) 상에 화소전극(210)에 대향하도록 대향전극(230)이 형성될 수 있다. 대향전극(230)은 중간층(220)을 덮도록 형성되며, 플렉서블 기판(100) 전면에 걸쳐 형성될 수 있다.
이와 같은 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법을 통해, 별도의 마스크나 패터닝 공정 없이 물리적, 기계적으로 플렉서블 기판(100)과 플렉서블 기판(100) 상에 형성된 화소전극(210)에 주름구조를 형성할 수 있어 제조 공정을 단순화 시킬 수 있다. 또한 이러한 화소전극(210)의 주름구조를 통해 플렉서블 디스플레이 장치의 광추출 효율을 획기적으로 향상시킬 수 있다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조공정을 도시하는 단면도들이다. 이하 설명에서는 플렉서블 디스플레이 장치를 구성하는 재료에 관하여 전술한 것과 동일한 바, 이를 생략하고 설명하기로 한다.
먼저 도 7을 참조하면, 플렉서블 기판(100)을 준비하는 단계를 거친다. 플렉서블 기판(100)은 휘어질 수 있는 특성을 가지는 소재인 플라스틱 필름과 같은 고분자 소재로 제조할 수 있다. 따라서 이러한 플렉서블 기판(100)은 신축성을 가질 수 있다.
이후 도 8를 참조하면, 플렉서블 기판(100)이 신축성을 갖는바 플렉서블 기판(100)에 인장력을 가하는 단계를 거칠 수 있다. 도 8에서는 플렉서블 기판(100)을 +x방향과 그 반대방향인 -x방향으로 동시에 잡아당겨 플렉서블 기판(100)에 인장력을 가할 수 있다. 다만 도 8에 도시된 것에 한정되는 것은 아니고, 플렉서블 기판(100)을 +y방향과 그 반대방향인 -y방향으로 동시에 잡아당겨 플렉서블 기판(100)에 인장력을 가할 수도 있다.
이와 같이 플렉서블 기판(100)에 인장력을 가한 상태에서, 플렉서블 기판(100) 상에 화소전극(210)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 도 8에서는 편의상 화소전극(210)이 플렉서블 기판(100) 상에 직접 형성되는 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 다시 말해 플렉서블 기판(100) 상에 화소전극(210)이 직접 형성되는 경우뿐만 아니라, 플렉서블 기판(100) 상에 각종 층들이 형성되고 그러한 층 등 상에 화소전극(210)이 형성되는 경우를 포함하는 것은 물론이다.
예컨대, 플렉서블 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)가 배치되고, 평탄화막이 이러한 박막트랜지스터(TFT)를 덮도록 하며, 화소전극(210)은 그러한 평탄화막 상에 위치하도록 할 수도 있다. 다만 본 발명은 전면발광에만 한정되는 것은 아니며, 배면발광에도 적용될 수 있음은 자명하다. 이하 도면에서는 편의상 플렉서블 기판(100) 상에 직접 화소전극(210)이 위치하는 것으로 도시하였으며, 이하의 설명에서도 편의상 그와 같이 설명한다.
그 후 도 8에 도시된 것과 같이, 인장력이 가해진 플렉서블 기판(100) 상에 화소정의막(180)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 화소정의막(180)은 화소전극(210)의 중앙부를 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 이러한 화소정의막(180)의 개구는 화소영역을 정의한다.
한편, 화소정의막(180)에 의한 정의된 화소영역에는 발광층을 포함한 중간층(220)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 중간층(220)은 화소전극(210) 상에 형성될 수 있다.
이러한 중간층(220)은 예컨대, 잉크젯 프린팅 공정 또는 증착 공정으로 통해 형성될 수 있다.
한편, 플렉서블 기판(100) 상에 화소전극(210)에 대향하도록 대향전극(230)이 형성될 수 있다. 대향전극(230)은 중간층(220)을 덮도록 형성되며, 플렉서블 기판(100) 전면에 걸쳐 형성될 수 있다.
그 후 도 9를 참조하면, x축 방향 또는 y축 방향으로 인장력이 가해진 플렉서블 기판(100)에서 인장력을 제거하는 단계를 거칠 수 있다. 이와 같이 인장력이 제거된 플렉서블 기판(100)은 인장력이 가해졌던 방향과 반대되는 방향으로 수축될 수 있다. 도 9에서는 +x방향과 그 반대방향인 -x방향으로 인장력이 가해졌던 플렉서블 기판(100)이, 각각 -x방향과 그 반대방향인 +x방향으로 수축되는 것을 도시하고 있다.
이때 인장력이 제거된 플렉서블 기판(100)과 플렉서블 기판(100) 상에 형성된 유기발광소자(200)에는 주름구조가 형성된다. 도 9에서는 화소전극(210) 만 플렉서블 기판(100)을 따라 주름구조가 형성된 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 이 경우 중간층(220) 과 대향전극(230)도 적어도 일부 주름구조를 형성할 수 있다.
또한 도 9에서는 편의상 플렉서블 기판(100) 및 화소전극(210)에 형성된 주름구조가 일정한 간격으로 균일하게 형성된 것으로 도시되어 있으나, 플렉서블 기판(100)의 주름 구조는 실질적으로 불규칙적으로 형성될 수 있다. 이러한 주름구조를 이루는 커브의 지름은 수 마이크로에서부터 수십 마이크로까지 다양하게 형성될 수 있다.
플렉서블 기판(100) 및 화소전극(210)의 주름구조가 불규칙적으로 형성되는 이유는, 상술한 것과 같이, 주름구조 자체가 화학적 패터닝을 이용한 것이 아니고, 플렉서블 기판(100) 자체의 기계적, 물리적 변형을 통해 형성된 것이기 때문이다. 플렉서블 기판(100)은 신축성 있는 고분자 소재를 포함하여 형성되기 때문에, 플렉서블 기판(100) 자체에 인장력을 가한 후 인장력을 제거하면 본 발명의 일 실시예와 같은 주름 구조를 형성할 수 있다. 이러한 플렉서블 기판(100)에 주름구조를 형성하기 위해서는, 경우에 따라, 인장력을 제거한 후 수축시키는 과정이 더 포함될 수도 있다. 이러한 물리적, 기계적 방법을 통해 플렉서블 기판(100) 및 화소전극(210)에 주름구조를 형성할 수 있으므로 별도의 마스크 또는 패터닝 공정이 필요하지 않아 제조공정을 단순화 시킬 수 있다.
이와 같은 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법을 통해, 별도의 마스크나 패터닝 공정 없이 물리적, 기계적으로 플렉서블 기판(100)과 플렉서블 기판(100) 상에 형성된 화소전극(210)에 주름구조를 형성할 수 있어 제조 공정을 단순화 시킬 수 있다. 또한 이러한 화소전극(210)의 주름구조를 통해 플렉서블 디스플레이 장치의 광추출 효율을 획기적으로 향상시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
100: 플렉서블 기판
110: 버퍼층
120: 반도체층
130: 게이트절연막
140: 제1게이트전극
142: 제2게이트전극
150: 층간절연막
160: 드레인전극
162: 소스전극
180: 화소정의막
200: 유기발광소자
210: 화소전극
212: 금속층
220: 중간층
230: 대향전극

Claims (12)

  1. 제1 면과 상기 제1 면의 반대면인 제2 면이 모두 주름구조를 갖고, 제1 영역과 제2 영역을 갖는 플렉서블 기판;
    상기 플렉서블 기판의 상기 제1 영역의 상기 제1 면 상에 배치되며 주름구조를 갖는 반도체층, 상기 반도체층과 적어도 일부가 중첩되도록 배치되며 주름구조를 갖는 게이트전극 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결된 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터;
    상기 플렉서블 기판의 상기 제2 영역의 상기 제1 면 상에 배치되며 주름구조를 갖는 화소전극;
    상기 화소전극 상에 배치되는 발광층을 포함하는 중간층; 및
    상기 화소전극에 대향하도록 배치된 대향전극;
    을 구비하는, 플렉서블 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화소전극의 주름구조는 불규칙적인, 플렉서블 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판은 신축성을 가지는 재료를 포함하는, 플렉서블 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화소전극은 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되는, 플렉서블 디스플레이 장치.
  5. 플렉서블 기판을 준비하는 단계;
    플렉서블 기판에 인장력을 가하는 단계;
    인장력이 가해진 플렉서블 기판의 제1 면 상에 화소전극을 형성하는 단계;
    플렉서블 기판의 제1 면과 제1 면의 반대면인 제2 면 및 화소전극에 주름구조가 형성되도록 플렉서블 기판에 가해진 인장력을 제거 하는 단계;
    화소전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및
    화소전극에 대향하는 대향전극을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 인장력을 제거하는 단계는, 화소전극에 불규칙적으로 주름구조를 형성하는 단계인, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    플렉서블 기판은 신축성을 가지는 재료를 포함하는, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계는, 증착법 또는 프린팅법을 이용해 형성하는 단계인, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법.
  9. 플렉서블 기판을 준비하는 단계;
    플렉서블 기판에 인장력을 가하는 단계;
    인장력이 가해진 플렉서블 기판의 제1 면 상에 화소전극을 형성하는 단계;
    화소전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계;
    화소전극에 대향하도록 대향전극을 형성하는 단계; 및
    플렉서블 기판의 제1 면과 제1 면의 반대면인 제2 면 및 화소전극에 주름구조가 형성되도록 플렉서블 기판에 가해진 인장력을 제거 하는 단계;
    를 포함하는, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 인장력을 제거하는 단계는, 화소전극에 불규칙적으로 주름구조를 형성하는 단계인, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    플렉서블 기판은 신축성을 가지는 재료를 포함하는, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계는, 증착법 또는 프린팅법을 이용해 형성하는 단계인, 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법.
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