CN112366209A - 显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置。该显示基板包括位于常规显示区和位于常规显示区的四角处的呈弧形的拉伸区,该制作方法包括:制备包括柔性衬底、堆叠结构以及特定金属层的待刻蚀基板,特定金属层为距离柔性衬底最远的采用干法刻蚀的金属层;对待刻蚀基板进行图形化处理,以形成贯穿堆叠结构以及部分柔性衬底拉伸槽,拉伸槽位于拉伸区。本实施例通过先形成特定金属层,再对堆叠结构以及柔性衬底进行刻蚀的制作方法来形成拉伸槽,使得拉伸槽形成之后没有通过干法刻蚀的金属层,金属没有进入拉伸槽内的机会,能够从根本上避免拉伸槽内金属残留的问题,从而提升柔性衬底在拉伸区的拉伸性能。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
为了实现全面屏,将显示屏的四边处设计为曲面显示是一种较为常用的方式,为了进一步优化,将显示屏的四角处也设计为曲面显示。对于OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)显示屏来说,四角弧形区域的曲面显示通常是采用拉伸的方式来形成的。
为了提升OLED基板的拉伸能力且防止拉伸对位于柔性衬底上的功能性膜层产生影响,需要在柔性衬底的拉伸区域进行图形化处理以形成拉伸槽,现有的拉伸槽的制作方法,存在拉伸槽内金属残留问题,这会导致对柔性衬底的刻蚀不均,影响柔性衬底的拉伸性能。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置,以解决现有技术中的OLED基板拉伸槽槽内金属残留的问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括位于常规显示区和位于所述常规显示区的四角处的拉伸区,所述拉伸区呈弧形,所述显示基板的制作方法包括:
制备待刻蚀基板,所述待刻蚀基板包括柔性衬底、位于所述柔性衬底上的堆叠结构以及位于所述堆叠结构远离所述柔性衬底一侧的特定金属层第一金属层,所述堆叠结构包括有源层、至少一个导电层以及多个绝缘层,所述特定金属层为距离所述柔性衬底最远的采用干法刻蚀的金属层;对所述待刻蚀基板进行图形化处理,以形成贯穿所述堆叠结构以及部分所述柔性衬底拉伸槽,所述拉伸槽位于所述拉伸区。
可选地,对所述待刻蚀基板进行图形化处理,包括:在所述特定金属层远离堆叠结构的一侧涂覆光刻胶,并对所述光刻胶进行曝光、显影以去除待刻蚀区域的所述光刻胶;以曝光、显影后的所述光刻胶作为掩膜,对所述待刻蚀区域的所述堆叠结构以及所述柔性衬底进行干刻以形成所述拉伸槽。
可选地,所述显示基板的制作方法还包括:在对所述待刻蚀基板进行图形化处理之前,在所述特定金属层远离所述柔性衬底的一侧形成特定无机绝缘层。
可选地,以曝光、显影后的所述光刻胶作为掩膜,对所述待刻蚀区域的所述堆叠结构以及所述柔性衬底进行干刻以形成所述拉伸槽,包括:以曝光、显影后的所述光刻胶作为掩膜,对所述堆叠结构进行第一干刻以形成贯穿所述堆叠结构的第一拉伸槽部;以形成所述第一拉伸槽部的所述堆叠结构作为掩膜,对所述柔性衬底进行第二干刻以形成贯穿部分所述柔性衬底的第二拉伸槽部,所述拉伸槽包括所述第一拉伸槽部和所述第二拉伸槽部,所述柔性衬底在第二干刻条件下的刻蚀速度大于所述特定无机绝缘层在所述第二干刻条件下的刻蚀速度。
可选地,制备待刻蚀基板,包括:提供一玻璃基板,在所述玻璃基板上形成所述柔性衬底;在所述柔性衬底远离所述玻璃基板的一侧形成所述堆叠结构;在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成所述特定金属层。
可选地,所述堆叠结构还包括缓冲层,所述导电层包括第一导电层,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层;在所述柔性衬底远离玻璃基板的一侧形成所述堆叠结构,包括:在所述柔性衬底远离所述玻璃基板的一侧形成所述缓冲层;在所述缓冲层远离所述柔性衬底的一侧形成所述有源层,所述有源层包括多个有源岛;在所述有源层远离所述柔性衬底的一侧形成所述第一绝缘层;在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底的一侧形成所述第一导电层,所述第一导电层包括多个栅极;在所述第一导电层远离所述柔性衬底的一侧形成所述第二绝缘层。
可选地,在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成特定金属层,包括:在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成金属材料层,并采用干法刻蚀对所述金属材料层进行图形化处理以形成源漏电极层,所述源漏电极层作为所述特定金属层,所述源漏电极层包括的多个源极和多个漏极。
可选地,所述导电层还包括位于所述第二绝缘层远离所述柔性衬底一侧的第二导电层,所述第二导电层包括的多个源极和多个漏极,所述绝缘层还包括位于所述第二导电层远离所述柔性衬底一侧的第三绝缘层;在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成特定金属层,包括:在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成金属材料层,并采用干法刻蚀对所述金属材料层进行图形化处理以形成源漏电极搭接层,所述源漏电极搭接层作为所述特定金属层,所述源漏电极搭接层包括多个搭接电极,每个所述搭接电极与一个所述漏极通过贯穿所述第三绝缘层的过孔电连接。
可选地,所述显示基板还包括绑定部,所述绑定部能够弯折至所述显示基板的出光面的相对侧,对所述待刻蚀基板进行图形化处理,还包括:对所述待刻蚀基板进行刻蚀以形成所述绑定部。
第二个方面,本申请实施例提供了一种显示基板,所述显示基板由上述的显示基板的制作方法制成。
可选地,所述拉伸区被拉伸之前,所述拉伸区的分辨率小于所述常规显示区的分辨率。
第三个方面,本申请实施例提供了一种显示面板,所述显示面板包括盖板以及上述的显示基板,所述拉伸区包括显示部分和位于所述显示部分远离所述常规显示区的非显示部分,所述显示基板被拉伸后,所述显示部分的分辨率升高。
第四个方面,本申请实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述的显示面板。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是:
本申请实施例提供的显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置,通过先形成特定金属层,再对堆叠结构以及柔性衬底进行刻蚀的制作方法来形成拉伸槽,使得拉伸槽形成之后没有通过干法刻蚀的金属层,也就是金属没有进入拉伸槽内的机会,因此,能够从根本上避免拉伸槽内金属残留的问题,从而提升柔性衬底在拉伸区的拉伸性能。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本申请实施例提供的一种显示基板的制作方法的流程示意图;
图2为本申请实施例提供的一种显示基板的制作方法制得的显示基板的俯视结构示意图;
图3为图1所示的显示基板的制作方法中步骤S1的工艺示意图;
图4为图1所示的显示基板的制作方法中步骤S2的工艺示意图;
图5为图1所示的显示基板的制作方法中步骤S1的流程示意图;
图6为图5所示的显示基板的制作方法中步骤S101的工艺示意图;
图7为图5所示的显示基板的制作方法中步骤S102的工艺示意图;
图8为图5所示的显示基板的制作方法中步骤S103的工艺示意图;
图9为图5所示的显示基板的制作方法中步骤S102的流程示意图;
图10为图5所示的显示基板的制作方法中步骤S102后所形成的刻蚀拉伸槽之前的显示基板的结构示意图;
图11为图2所示的显示基板沿A-A线的一种截面示意图;
图12为图2所示的显示基板沿A-A线的另一种截面示意图;
图13为图1所示的显示基板的制作方法中步骤S2的流程示意图;
图14为图13所示的显示基板的制作方法中步骤S201的工艺示意图;
图15为图13所示的显示基板的制作方法中步骤S202的工艺示意图;
图16为图13所示的显示基板的制作方法中步骤S202的流程示意图;
图17为图16所示的显示基板的制作方法中步骤S2021的工艺示意图;
图18为图16所示的显示基板的制作方法中步骤S2022的工艺示意图;
图19为本申请实施例提供的另一种显示基板的制作方法制得的显示基板的俯视结构示意图;
图20为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图21为本申请实施例提供的一种显示基板被拉伸的远离示意图;
图22为本申请实施例提供的一种显示装置的框架结构示意图。
附图标记:
I-显示基板;II-盖板;
0-玻璃基板;T-拉伸槽;T1-第一拉伸槽部;T2-第二拉伸槽部;10-常规显示区;20-拉伸区;30-侧弯区;40-绑定部;S-源极;D-漏极;G栅极;M-搭接电极;
1-柔性衬底;
2-堆叠结构;21-有源层;211-有源岛;22-导电层;221-第一导电层;222-第二导电层;23-绝缘层;231-第一绝缘层;232-第二绝缘层;233-第三绝缘层;24-缓冲层
3-特定金属层;
4-特定无机绝缘层;
5-阳极层;51-阳极;
6-光刻胶。
具体实施方式
下面详细描述本申请,本申请的实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外,如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的,则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语),具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是,诸如通用字典中定义的那些术语,应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义,并且除非像这里一样被特定定义,否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
本申请的发明人发现,为了提升OLED基板的拉伸能力且防止拉伸对位于柔性衬底上的功能性膜层产生影响,需要在柔性衬底的拉伸区进行图形化处理以形成拉伸槽,现有的拉伸槽的制作方法,存在拉伸槽内金属残留问题,这会导致对柔性衬底的刻蚀不均,影响柔性衬底的拉伸性能。
对于金属层来说,可以采用干法刻蚀和湿法刻蚀两种工艺,但对于显示面板中的金属层来说,部分金属层必须采用干法刻蚀才能够满足精度要求,因此,即使干法刻蚀存在金属残留问题且湿法刻蚀无金属残留问题,但也必须使用干法刻蚀。
本申请提供的显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置,旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种显示基板的制作方法,如图1至图4所示,显示基板包括常规显示区10和位于常规显示区10的四角处的拉伸区20,拉伸区20为弧形,本实施例提供的显示基板的制作方法包括:
S1:制备待刻蚀基板,待刻蚀基板包括柔性衬底1、位于柔性衬底1上的堆叠结构2以及位于堆叠结构2远离柔性衬底1一侧的特定金属层3,堆叠结构2包括有源层21、至少一个导电层22以及多个绝缘层23,特定金属层3为距离柔性衬底1最远的采用干法刻蚀的金属层。
需要说明的是,“特定金属层3”并非是指在材料、图形等方面具有特殊性,而是指该膜层为距离柔性衬底最远的采用干法刻蚀的金属层,即特定金属层3为显示基板中最后一个采用干法刻蚀的金属层。
S2:对待刻蚀基板进行图形化处理,以形成贯穿堆叠结构2以及部分柔性衬底1的拉伸槽T,拉伸槽T位于拉伸区20。
需要说明的是,拉伸槽T部分贯穿柔性衬底1,即拉伸槽T在柔性衬底1上形成的为非贯穿孔。当显示基板被拉伸时,拉伸槽T的宽度产生变化,从而实现形变,并且拉伸槽T处的柔性衬底1的厚度较低也更易被拉伸,而柔性衬底1上的功能性膜层(包括堆叠结构2中的膜层以及特定金属层)几乎无拉伸,从而保证非拉伸槽处的柔性衬底1上的功能层不会受到拉伸的影响,保证显示基板能够正常工作。
本实施例通过先形成特定金属层3,再对堆叠结构2以及柔性衬底1进行刻蚀的制作方法来形成拉伸槽,使得拉伸槽T形成之后没有通过干法刻蚀的金属层,也就是金属没有进入拉伸槽T内的机会,因此,能够从根本上避免拉伸槽T内金属残留的问题,从而提升柔性衬底1在拉伸区20的拉伸性能。
需要说明的是,虽然图2中的每个拉伸区20仅设置有一个拉伸槽T,但实际上,每个拉伸区20可设置多个拉伸槽T以提升拉伸区的拉伸性能。
需要说明的是,显示基板还包括位于常规显示区10的四边外侧的侧弯区30,侧弯区30与拉伸区10连接为一个闭合的框形,显示基板的侧弯区30向与显示基板的出光方向相反的方向上弯曲。
具体地,拉伸槽T在柔性衬底1上的正投影与有源层21和导电层22在柔性衬底1上的正投影无交叠,也就是拉伸槽T应避开堆叠结构2的功能部分。
可选地,如图5至图8所示,本实施例提供的显示基板的制作方法中,步骤S1包括:
S101:提供一玻璃基板0,在玻璃基板0上形成柔性衬底1。具体地,柔性衬底1的材料可以为聚酰亚胺(Polyimide,PI)薄膜。
S102:在柔性衬底1远离玻璃基板0的一侧形成堆叠结构2。具体地,根据实际设计的不同,堆叠结构2可以包括不同的膜层。
S103:在堆叠结构2远离柔性衬底1的一侧形成特定金属层3。
本实施例通过在玻璃基板0上依次形成柔性衬底1、堆叠结构2和特定金属层3,即在对柔性衬底1刻蚀之前,形成特定金属层3,使得拉伸槽T刻蚀完成后,避免金属材料进入拉伸槽T的可能,从而有利于提升柔性衬底1的拉伸性能。
进一步地,如图9和图10所示,堆叠结构2还包括缓冲层24,导电层22包括第一导电层221,绝缘层23包括第一绝缘层231和第二绝缘层232;基于此,本实施例提供的显示基板的制作方法中,步骤S102包括:
S1011:在柔性衬底1远离玻璃基板0的一侧形成缓冲层24。缓冲层24有利于提升柔性衬底1与有源层21的结合力。
S1012:在缓冲层24远离柔性衬底1的一侧形成有源层21,有源层21包括多个有源岛211。具体地,有源层21的材料可以为多晶硅、非晶硅以及金属氮化物半导体等。每个有源岛211包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。
S1013:在有源层21远离柔性衬底1的一侧形成第一绝缘层231。
S1014:在第一绝缘层231远离柔性衬底1的一侧形成第一导电层221,第一导电层221包括多个栅极G。具体地,每个栅极G在柔性衬底1上的正投影位于一个相应的有源岛211在柔性衬底1上的正投影内,第一导电层还包括多条栅极线(图10并未示出),每条栅极线与相应的多个栅极电连接。
S1015:在第一导电层221远离柔性衬底1的一侧形成第二绝缘层232。
需要说明的是,第一绝缘层231的材料和第二绝缘层232的材料优选为无机绝缘材料。
根据堆叠结构2所包含的膜层的不同,特定金属层3也可以为不同的膜层,以下进行详细说明。
在一个具体的实施例中,如图11所示,本实施例提供的显示基板的制作方法中,步骤S103包括:
在堆叠结构2远离柔性衬底1的一侧形成一金属材料层,并采用干法刻蚀对该金属材料层进行图形化处理以形成源漏电极层,源漏电极层作为图形化特定金属层3,源漏电极层包括多个源极S和多个漏极D。
在另一个具体的实施例中,如图12所示,导电层22还包括位于第二绝缘层232远离柔性衬底一侧的第二导电层222,第二导电层222包括的多个源极S和多个漏极D,绝缘层23还包括位于第二导电层222远离柔性衬底1一侧的第三绝缘层233。基于此,本实施例提供的显示基板的制作方法中,步骤S103包括:
在堆叠结构2远离柔性衬底1的一侧形成一金属材料层,并对该金属材料层进行图形化处理以形成源漏电极搭接层,源漏电极搭接层作为特定金属层3,源漏电极搭接层包括多个搭接电极M,每个搭接电极M与一个漏极D通过贯穿第三绝缘层233的过孔电连接。
具体地,虽然图12并未显示,第二导电层222还包括的条数据线,数据线与相应的多个源极S电连接。
具体地,如图11和图12所示,显示基板还包括位于特定金属层3远离柔性衬底1一侧的阳极层5,阳极层5包括多个阳极51,阳极层5与特定金属层3之间设置有特定无机绝缘层4。
具体地,虽然图11和图12并未显示,但阳极层5和特定无机绝缘层4之间还设置有平坦化层,平坦化层通常由有机材料制成。平坦化层优选为在刻蚀槽T制作完成之后形成。
具体地,如图11和图12所示,阳极层5可以采用金属材料形成,但阳极层5通常采用湿法刻蚀来形成多个阳极51,这是由于阳极51的尺寸较大,湿法刻蚀工艺能够满足阳极层5的精度要求,同时,湿法刻蚀不会产生金属残留问题。
具体地,具体地,虽然图11和图12并未示出,但源漏电极层还包括多条数据线,数据线与多个相应的源极S电连接。
具体地,如图11所示,源漏电极层(即特定金属层3)中的每个源极S与一个有源岛211的源极区电连接,每个漏极D分别与一个有源岛211的漏极区和一个阳极51电连接。
具体地,如图12所示,源漏电极搭接层(即特定金属层3)包括多个搭接电极M,每个搭接电极M分别与一个漏极D和一个阳极51电连接,以实现阳极51与相应的漏极D的电连接。
需要说明的是,虽然图11和图12并未显示,但栅极层也可以分为第一栅极层和第二栅极层,以提升走线的密度,适应性地,第一栅极层和第二栅极层之间也应设置绝缘层。
进一步地,如图13、图14和图15所示,本实施例提供的显示基板的制作方法中,步骤S2包括:
S201:在特定金属层3远离堆叠结构2的一侧涂覆光刻胶6,并对光刻胶6进行曝光、显影以去除待刻蚀区域的光刻胶6。需要说明的是,光刻胶6可以为正性光刻胶,也可以为负性光刻胶。
S202:以曝光、显影后的光刻胶6作为掩膜,对待刻蚀区域的堆叠结构2以及柔性衬底1进行干刻以形成拉伸槽T。
本实施例提供的显示基板的制作方法通过干刻的方式来形成拉伸槽T,能够对拉伸槽T的位置、形状以及尺寸进行良好的控制,以获得高精度的拉伸槽。
进一步地,如图14和图15所示,本实施例提供的显示基板的制作方法还包括:在步骤S2之前,在第一金属层3远离柔性衬底1的一侧形成特定无机绝缘4。
需要说明的是“特定无机绝缘层4”并非是材料或图形具有特殊性,仅仅是指位于“特定金属层3”和阳极层5之间的无机绝缘层。该特定无机绝缘层4在后续对显示基板进行刻蚀以形成拉伸槽T的过程中,对特定无机绝缘层4之下的膜层进行保护。
进一步地,如图16、图17和图18所示,本实施例提供的显示基板的制作方法中,步骤S202包括:
S2021:以曝光、显影后的光刻胶6作为掩膜,对堆叠结构2进行第一干刻以形成贯穿堆叠结构2的第一拉伸槽部T1。
具体地,第一干刻在对堆叠结构2进行刻蚀的同时,由于堆叠结构4的厚度较大(涉及到缓冲层21以及多个无机绝缘层),光刻胶6也会被刻蚀掉一部分,在此过程中,可以调节刻蚀参数,使得无机材料的刻蚀速度大于有机材料(光刻胶6为有机材料)的刻蚀速度,使光刻胶6尽肯能被保留。
S2022:以形成第一拉伸槽部T1的堆叠结构2作为掩膜,对柔性衬底1进行第二干刻以形成贯穿部分柔性衬底1的第二拉伸槽部T2,拉伸槽T包括第一拉伸槽部T1和第二拉伸槽部T2,柔性衬底1在第二干刻条件下的刻蚀速度大于特定无机绝缘层4在第二干刻条件下的刻蚀速度。
具体地,可以采用有机材料与无机膜选择比高的气体(O2)进行第二干刻,使得柔性衬底1的刻蚀速度大于特定无机膜层4的刻蚀速度,此过程中,有机材料的光刻胶6也能够被刻蚀掉,无需另外进行光刻胶的剥离操作。
进一步地,如图19所示,本实施例提供的显示基板还包括绑定部40,绑定部40能够弯折至显示基板的出光面的相对侧,本实施例提供的显示基板的制作方法中,步骤S2还包括:对显示基板进行刻蚀以形成绑定部40。
本实施例将绑定部40设计为能够弯折至显示基板的出光面的相对侧,有利用实现显示面板的窄边框设计,并且形成绑定部40和形成拉伸槽T在同一工艺流程中实现,有利于减少工序,从而节省生产成本。
基于同一发明构思,本实施例提供了一种显示基板,如图2、图4、图11、图12以及图19所示,本实施例提供的显示基板由上述实施例中的显示基板的制作方法制成,该显示基板具有上述实施例中的显示基板的制作方法的有益效果,在此不再赘述。
进一步地,如图2所示,拉伸槽T优选为弧形槽。拉伸区20被拉伸之前,拉伸区20的分辨率小于常规显示区10的分辨率。
基于同一发明构思,本实施例提供了一种显示面板,如图20和图21所示,并结合图2和图19,本实施例提供的显示面板包括盖板II以及上述实施例中的显示基板I,拉伸区20包括显示部分20a和位于显示部分20a远离常规显示区10的非显示部分20b,显示基板被拉伸后,显示部分20a的分辨率升高。本实施例提供的显示面板包括上述实施例中的显示基板I,具有上述实施例中的显示基板I的有益效果,在此不再赘述。
具体地,如图21所示,当显示基板的拉伸区20被拉伸时,在显示基板的拉伸区20受到拉伸力F1,拉伸力F1的拉伸方向为由常规显示区10的弧形拐角的中点指向拉伸区20的弧形外边缘的中点的方向,此时,显示基板的拉伸区20产生弯曲力F2,弯曲力F2具有指向常规显示区10的分量,使得部分拉伸区20被收缩,相应地,这一部分拉伸区20上的像素排布密度会提升,也就是该部分拉伸区20的分辨率会升高。具体地,能够将分辨率提升的这一部分拉伸区20设计为显示部分20a,而非显示部分20b的分辨率即使降低也不影响显示。
具体地,通过对拉伸区20的像素排布以及拉伸参数进行设计,能够使分辨率升高以后的显示部分20a的分辨率与常规显示区10的分辨率趋于一致,从而提升显示面板的显示效果。
基于同一发明构思,本实施例提供了一种显示装置,如图22所示,本实施例提供的显示装置包括上述实施例中的显示面板,具有上述实施例中的显示面板的有益效果,在此不再赘述。
进一步地,本实施例提供的显示装置还包括驱动芯片和供电电源,驱动芯片为显示面板提供驱动信号,供电电源为显示面板提供电能。
具体地,本实施例提供的显示装置优选为手机、平板电脑等四角处为弧形的显示装置。
应用本申请实施例,至少能够实现如下有益效果:
本申请实施例提供的显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置,通过先形成特定金属层,再对堆叠结构以及柔性衬底进行刻蚀的制作方法来形成拉伸槽,使得拉伸槽形成之后没有通过干法刻蚀的金属层,也就是金属没有进入拉伸槽T内的机会,因此,能够从根本上避免拉伸槽内金属残留的问题,从而提升柔性衬底在拉伸区的拉伸性能。
本技术领域技术人员可以理解,本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地,具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地,现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是,虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,其可以以其他的顺序执行。而且,附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段,这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,其执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上仅是本申请的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (13)
1.一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括位于常规显示区和位于所述常规显示区的四角处的拉伸区,所述拉伸区呈弧形,其特征在于,所述显示基板的制作方法包括:
制备待刻蚀基板,所述待刻蚀基板包括柔性衬底、位于所述柔性衬底上的堆叠结构以及位于所述堆叠结构远离所述柔性衬底一侧的特定金属层,所述堆叠结构包括有源层、至少一个导电层以及多个绝缘层,所述特定金属层为距离所述柔性衬底最远的采用干法刻蚀的金属层;
对所述待刻蚀基板进行图形化处理,以形成贯穿所述堆叠结构以及部分所述柔性衬底拉伸槽,所述拉伸槽位于所述拉伸区。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,对所述待刻蚀基板进行图形化处理,包括:
在所述特定金属层远离堆叠结构的一侧涂覆光刻胶,并对所述光刻胶进行曝光、显影以去除待刻蚀区域的所述光刻胶;
以曝光、显影后的所述光刻胶作为掩膜,对所述待刻蚀区域的所述堆叠结构以及所述柔性衬底进行干刻以形成所述拉伸槽。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法,其特征在于,还包括:在对所述待刻蚀基板进行图形化处理之前,在所述特定金属层远离所述柔性衬底的一侧形成特定无机绝缘层。
4.根据权利要求3的显示基板的制作方法,其特征在于,以曝光、显影后的所述光刻胶作为掩膜,对所述待刻蚀区域的所述堆叠结构以及所述柔性衬底进行干刻以形成所述拉伸槽,包括:
以曝光、显影后的所述光刻胶作为掩膜,对所述堆叠结构进行第一干刻以形成贯穿所述堆叠结构的第一拉伸槽部;
以形成所述第一拉伸槽部的所述堆叠结构作为掩膜,对所述柔性衬底进行第二干刻以形成贯穿部分所述柔性衬底的第二拉伸槽部,所述拉伸槽包括所述第一拉伸槽部和所述第二拉伸槽部,所述柔性衬底在第二干刻条件下的刻蚀速度大于所述特定无机绝缘层在所述第二干刻条件下的刻蚀速度。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,制备待刻蚀基板,包括:
提供一玻璃基板,在所述玻璃基板上形成所述柔性衬底;
在所述柔性衬底远离所述玻璃基板的一侧形成所述堆叠结构;
在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成所述特定金属层。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述堆叠结构还包括缓冲层,所述导电层包括第一导电层,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层;在所述柔性衬底远离玻璃基板的一侧形成所述堆叠结构,包括:
在所述柔性衬底远离所述玻璃基板的一侧形成所述缓冲层;
在所述缓冲层远离所述柔性衬底的一侧形成所述有源层,所述有源层包括多个有源岛;
在所述有源层远离所述柔性衬底的一侧形成所述第一绝缘层;
在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底的一侧形成所述第一导电层,所述第一导电层包括多个栅极;
在所述第一导电层远离所述柔性衬底的一侧形成所述第二绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成特定金属层,包括:在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成金属材料层,并采用干法刻蚀对所述金属材料层进行图形化处理以形成源漏电极层,所述源漏电极层作为所述特定金属层,所述源漏电极层包括的多个源极和多个漏极。
8.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述导电层还包括位于所述第二绝缘层远离所述柔性衬底一侧的第二导电层,所述第二导电层包括的多个源极和多个漏极,所述绝缘层还包括位于所述第二导电层远离所述柔性衬底一侧的第三绝缘层;
在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成特定金属层,包括:在所述堆叠结构远离所述柔性衬底的一侧形成金属材料层,并采用干法刻蚀对所述金属材料层进行图形化处理以形成源漏电极搭接层,所述源漏电极搭接层作为所述特定金属层,所述源漏电极搭接层包括多个搭接电极,每个所述搭接电极与一个所述漏极通过贯穿所述第三绝缘层的过孔电连接。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述显示基板还包括绑定部,所述绑定部能够弯折至所述显示基板的出光面的相对侧,对所述待刻蚀基板进行图形化处理,还包括:对所述待刻蚀基板进行刻蚀以形成所述绑定部。
10.一种显示基板,其特征在于,由权利要求1-9中任一项所述的显示基板的制作方法制成。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述拉伸区被拉伸之前,所述拉伸区的分辨率小于所述常规显示区的分辨率。
12.一种显示面板,其特征在于,包括盖板以及权利要求10或11的所述的显示基板,所述拉伸区包括显示部分和位于所述显示部分远离所述常规显示区的非显示部分,所述显示基板被拉伸后,所述显示部分的分辨率升高。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求12所述的显示面板。
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---|---|
US (1) | US11557615B2 (zh) |
CN (1) | CN112366209B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113206137A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示装置及其制备方法 |
CN113571553A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-10-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140080254A1 (en) * | 2012-09-17 | 2014-03-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Fabricating Method Of Thin Film Transistor, Fabricating Method Of Array Substrate And Display Device |
US20170210115A1 (en) * | 2016-01-26 | 2017-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming separation starting point and separation method |
CN107104077A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-08-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板的制作方法 |
CN107591416A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-01-16 | 惠科股份有限公司 | 一种阵列基板的制造方法 |
CN108470718A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 |
CN110943114A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-03-31 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种可弯折显示面板及显示装置 |
CN111276496A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-06-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板和显示装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103545320B (zh) * | 2013-11-11 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置 |
KR102177214B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2020-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR20170038964A (ko) * | 2015-09-30 | 2017-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
US10797126B2 (en) * | 2018-01-29 | 2020-10-06 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof, display panel |
CN108539016B (zh) * | 2018-03-29 | 2022-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性衬底及其制备方法、显示面板的制备方法和显示装置 |
KR20200115751A (ko) * | 2019-03-25 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110707120B (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、制造方法以及拼接显示面板 |
KR20210086290A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 이를 이용한 멀티 표시 장치 |
KR20210086289A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 이를 이용한 멀티 표시 장치 |
US11316003B2 (en) * | 2020-02-25 | 2022-04-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display device, and method for manufacturing same |
CN111403452A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示模组及电子装置 |
KR20220021945A (ko) * | 2020-08-13 | 2022-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 그의 제조 방법 |
CN112234090B (zh) * | 2020-10-20 | 2024-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-11-10 CN CN202011249588.6A patent/CN112366209B/zh active Active
-
2021
- 2021-06-27 US US17/359,616 patent/US11557615B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140080254A1 (en) * | 2012-09-17 | 2014-03-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Fabricating Method Of Thin Film Transistor, Fabricating Method Of Array Substrate And Display Device |
US20170210115A1 (en) * | 2016-01-26 | 2017-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming separation starting point and separation method |
CN107104077A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-08-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板的制作方法 |
CN107591416A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-01-16 | 惠科股份有限公司 | 一种阵列基板的制造方法 |
CN108470718A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 |
CN110943114A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-03-31 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种可弯折显示面板及显示装置 |
CN111276496A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-06-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板和显示装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113206137A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示装置及其制备方法 |
WO2022227510A1 (zh) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示装置及其制备方法 |
CN113571553A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-10-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220149084A1 (en) | 2022-05-12 |
US11557615B2 (en) | 2023-01-17 |
CN112366209B (zh) | 2024-05-24 |
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