KR20170038964A - 표시 패널 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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KR20170038964A
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alignment key
key
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groove pattern
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윤성재
김진원
김태민
이택준
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 표시 패널을 제공한다. 본 발명에 따른 표시 패널은 제1 기판과 제1 기판에 대향하는 제2 기판과 제1 기판상에 배치된 제1 얼라인 키와 제1 얼라인 키와 중첩되도록 제2 기판 상에 배치된 제2 얼라인 키를 포함하되, 제2 얼라인 키는 테두리부와 상기 테두리부에 의해 정의된 영역 내에 그루브 패턴을 포함한다.

Description

표시 패널 및 그의 제조 방법{Display Panel and method of manufacturing the same}
본 발명은 표시 패널에 관한 것으로 보다 상세하게는 컬러필터 온 박막 트랜지스터 구조(COT)를 갖는 표시 패널에 관한 것이다.
표시 장치는 정보 통신의 발달과 더불어 큰 발전을 하고 있으며, 현대인에게 있어 필수품으로 자리잡고 있다. 표시 장치 중 액정 표시 장치는 화질이 뛰어나고 경량 박형이 가능하며 구동 전압이 낮아 차세대 표시 장치로 급부상하고 있다.
액정 표시 장치는 서로 일정 간격을 가지며 서로 마주하는 두 기판과 상기 두 기판 사이에 개재된 액정을 포함한다. 이때, 박막 트랜지스터 어레이에 대응시켜 블랙 매트릭스를 형성하여 광 누설을 방지하게 되는데, 기존에는 컬러필터가 형성된 기판과 박막 트랜지스터가 형성된 기판이 달라서, 이를 정렬하기 위해 각각의 기판에 얼라인 키를 형성한 뒤, 정렬하여 합착하였다. 그런데, 이러한 합착 공정상에서, 배선 및 박막 트랜지스터와 블랙 매트릭스간에 미스 얼라인이 발생하여 광 누설이 발생하였다.
이러한 문제를 해결하면서도 액정 표시 장치의 개구율 확보를 위해 하나의 기판상에 박막트랜지스터와 컬러필터를 형성하는 컬러필터 온 박막트랜지스터(이하, COT로 표기) 구조를 갖는 액정 표시 장치가 개발되었다. 제1 기판과 상기 제1 기판과 대향하고, COT 구조를 갖는 액정 표시 장치는 박막트랜지스터와 컬러필터 및 블랙 매트릭스를 구비하는 제2 기판 및 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
여기서, 상기 제1 기판 및 제2 기판간의 합착 공정에서 배향막과 실 패턴이 서로 접촉하는 경우 배향막과 실패턴간의 접착력이 약하므로 실 들뜸 불량이 발생될 수 있을 뿐만 아니라, 제1 기판 및 제2 기판 각각에 구비된 배향막들의 러빙 방향이 틀어질 수 있어 콘트라스트비가 저하될 수 있다.
따라서, 블랙 매트릭스와 컬러필터 및 박막 트랜지스터를 하나의 기판에 배치시켜 개구율을 향상 시킬 수 있는 COT 구조가 개발되었으나, 상기 COT 구조에서는 제1 기판에는 블랙 매트릭스가 존재하지 않을 뿐 아니라, 투명한 소재만이 배치되고 있어서 미스 얼라인을 방지하기 위한 얼라인 키를 형성하는 공정이 추가되는 문제점이 있었다.
한편, 블랙 매트릭스가 컬러필터가 배치된 기판 상에 배치시키는 경우에, 얼라인 키를 블랙 매트릭스와 동일한 재료로 동시에 형성할 수 없어, 미스 얼라인을 방지하기 위한 얼라인 키에 대한 식별력일 떨어져 불리한 요소로 작용할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 블랙 매트릭스가 배치되지 않는 기판에 그루브 패턴을 포함하는 얼라인 키를 통해 두 기판 합착시 유리한 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 블랙 매트릭스가 배치되지 않는 기판에 얼라인 키를 형성할 때, 추가적인 제조 공정 없이 얼라인 키를 용이하게 형성할 수 있는 액정 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판과 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판과 상기 제1 기판상에 배치된 제1 얼라인 키와 상기 제1 얼라인 키와 중첩되도록 제2 기판 상에 배치된 제2 얼라인 키를 포함하되, 상기 제2 얼라인 키는 테두리부와 상기 테두리부에 의해 정의된 영역 내에 그루브 패턴을 포함한다.
이때, 상기 제2 기판 상에 배치된 공통 전극을 더 포함하고, 상기 제2 얼라인 키는 상기 공통 전극상에 상기 공통 전극을 구성하는 물질과 동일한 물질로 구성될 수 있다. 이때, 상기 제2 얼라인 키는 상기 공통 전극 상에 공통 전압이 인가될 때, 공통 전압이 인가될 수 있다.
여기서, 상기 제1 얼라인 키와 상기 제2 얼라인 키는 서로 다른 크기를 가질 수 있다.
나아가, 상기 제2 얼라인 키는 상기 제1 얼라인 키와 중첩된 영역과 상기 제1 얼라인 키와 중첩되지 않는 영역을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 얼라인 키는 상기 제2 얼라인 키의 중심으로부터 비대칭으로 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판과 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판과 상기 제2 기판상에 배치된 실링 키와 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 상기 실링 키와 적어도 일부분 중첩되도록 배치된 실링 부재를 포함하되, 상기 실링 키는, 테두리부와 상기 테두리부에 의해 정의된 영역 내 그루브 패턴을 포함한다.
여기서, 상기 실링 키의 그루브 패턴은 제1 방향으로 배치된 제1 그루브 패턴과 제1 방향과 수직 교차하는 제2 방향으로 배치된 제2 그루브 패턴을 포함하고, 상기 실링 키는 상기 제1 그루브 패턴과 제2 그루브 패턴이 교차하는 교차 영역을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 그루브 패턴의 두께와 상기 제2 그루브 패턴의 두께가 서로 상이할 수 있다. 또한, 상기 복수개의 그루브 패턴 중 적어도 하나는 테어퍼진 내측벽을 갖을 수 있다. 나아가, 상기 복수개의 그루브 패턴 중 적어도 하나는 굴곡진 경계면을 가질 수 있다. 더불어, 상기 그루브 패턴 내부의 최단 폭은 상기 그루브 패턴과 그루브 패턴 사이의 최단 이격 거리보다 짧을 수 있다.
또한, 상기 실링 부재는 상기 그루브 패턴 내부를 적어도 부분적으로 채울 수 있다.
또한, 상기 제1 기판은, 서로 교차하는 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인에 연결되는 복수의 화소가 배치되는 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸며 상기 표시 영역 외측에 배치되고, 상기 실링키가 배치되는 비표시 영역과상기 실링키 외곽에 제1 얼라인 키가 배치되는 얼라인 키 영역을 포함하고, 상기 제2 기판은, 제1 얼라인 키와 중첩되도록 배치되는 제2 얼라인 키를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 얼라인 키는 상기 복수의 게이트 라인 또는 상기 복수의 데이터 라인과 동일층에 동일 물질로 구성될 수 있다.
나아가, 제2 얼라인 키의 그루브 패턴은, 그루브 패턴 내 바닥면과 상기 바닥면으로부터 상측으로 연장된 내측벽을 포함하고, 상기 바닥면 또는 내측벽 중 적어도 하나는 요철면을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법은 제1 기판을 준비하는 단계와 상기 제1 기판에 투명 도전성 물질을 증착하는 단계와 상기 제1 기판의 일 모서리에 실링 키의 테두리를 형성하는 단계와 상기 실링 키의 테두리 영역 내에 레이저를 조사하는 단계와 상기 레이저를 일 방향으로 이동시켜 상기 실링 키의 그루브 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이 때, 상기 실링 키의 그루브 패턴은 상기 투명 도전성 물질에 상면으로부터 깊이가 15μm 이상이 될 수 있다.
여기서, 상기 레이저는 400nm 내지 600nm 사이의 파장을 이용할 수 있다.
또한, 상기 제2 얼라인 키를 형성하는 단계는, 상기 제2 기판의 제2 얼라인 키가 상기 제1 기판의 제1 얼라인 키 안으로 들어오도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 정렬하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 얼라인 키를 용이하게 인식할 수 있어 COT 구조를 갖는 표시 패널의 합착 공정에 필요한 시간을 단축시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널은 미스 얼라인이 되지 않은 표시 패널을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 자른 단면도이다.
도 3은 제2 얼라인 키(336) 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 제2 얼라인 키의 그루브 패턴을 확대한 확대도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 실링 키(500)를 나타낸 확대도이다.
도 9a 내지 도 9c는 실링 키(500)를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 실링 키(500)의 그루브를 확대한 확대도이다.
도 11은 실링 키(500)의 교차 영역(B)을 분리하여 나타낸 확대도이다.
도 12는 도 11의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 자른 단면도이다.
도 13a 내지 도 13f는 본 발명의 제1 얼라인 키를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 제1 기판(101)을 제조 한 후의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 몇몇 실시 예에 따른 제1 얼라인 키 및 제2 얼라인 키의 형상을 도시한 도면이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 17은 본 발명의 몇몇 실시 예에 따른 표시 패널을 합착하기 위한 합착 장치의 단면도이다.
도 18 내지 도 20은 본 발명의 몇몇 실시 예에 따른 표시 패널을 정렬하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 21은 합착 장치가 얼라인 키를 인식하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 정면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 패널은 제1 기판(101)과 제1 기판(101) 상부에 배치되어 제1 기판(101)과 대향하는 제2 기판(102)을 포함한다.
제1 기판(101)과 제2 기판(102)은 기판 영역(410)과 기판 영역(410)을 둘러싸고 기판 영역(410)과 기판 영역(410) 사이에 배치되는 얼라인 키 영역을 포함한다. 제1 얼라인 키(306)는 제1 기판(101)에 배치된다. 제1 얼라인 키(306)는 제1 기판(101) 네 모서리에 배치될 수 있다. 그러나 제1 얼라인 키(306)는 제1 기판(101) 네 모서리에 배치되어야 하는 것은 아니고 표시 패널을 기준으로 대각선 방향으로 서로 마주 보는 두 모서리에 배치될 수 있으며, 세 모서리에 배치될 수 있다.
제2 얼라인 키(336)는 제1 얼라인 키(306)의 맞은편 제1 기판(101)상에 배치된다. 제2 얼라인 키(336)는 제1 얼라인 키(306)보다 면적이 적다. 따라서 제1 얼라인 키(306)는 제2 얼라인 키(336)와 중첩되는 부분(a)과 제2 얼라인 키(336)와 중첩되지 않는 부분(b-a)를 포함할 수 있다. 제1 얼라인 키(306)는 테두리부 만으로 구성될 수 있고 제2 얼라인 키(336)는 테두리부와 테두리부 내부에 배치된 그루브 패턴으로 구성될 수 있다.
기판 영역(410) 내에는 실링 키(500)가 배치될 수 있다. 실링 키(500)는 제2 기판(102) 상에 복수개의 기판 영역(410)마다 각각 배치될 수 있으며, 실링 키(500)는 각각의 기판 영역(410)마다 복수개 배치될 수 있다. 실링 키(500)는 기판 영역(410)내 비표시 영역 상에 배치되고, 실링 키(500)가 배치된 제2 기판(102) 하부에는 실링 부재가 배치될 수 있다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면도이다. 도 2를 참조하면, 표시 패널은 제1 기판(101), 제1 기판(101)과 대향하는 제2 기판(102) 및 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이에 개재된 액정층(390)을 포함한다. 표시 패널은 기판 영역(410)에는 실링 키(500)가 배치되고, 얼라인 키 영역(420)에는 제1 얼라인 키(306)와 제2 얼라인 키(336)가 배치된다.
기판 영역(410)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 화상이 시인되는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 화상이 시인되지 않는 영역이다. 표시 영역(DA)은 외곽이 비표시 영역(NDA)으로 둘러 싸여있다.
공통 전극(351)은 제2 기판(102) 상에 배치된다. 공통 전극(351)은 통판 형태로 제2 기판(102) 전면에 배치될 수 있다. 공통 전극(351)은 공통 전압이 인가될 수 있고, 공통 전압은 제2 기판(102) 전면에 인가될 수 있다.
공통 전극(351)은 표시 패널의 얼라인 키 영역(420)까지 배치될 수 있다. 공통 전극(351)은 얼라인 키 영역(420)상 일 부분에 그루브 패턴을 포함한 제2 얼라인 키(336)를 포함할 수 있다. 그루브 패턴은 복수개 일 수 있으며, 일정한 간격마다 배치될 수 있고 그루브 패턴과 그루브 패턴 사이에는 공통 전극(351)이 배치될 수 있다. 그루브 패턴은 공통 전극(351)이 제2 기판(102)을 향하여 만입된 형태일 수 있다.
공통 전극(351)은 기판 영역(410) 내 비표시 영역(NDA) 상 일 부분에 그루브 패턴을 포함한 실링 키(500)를 포함할 수 있다. 그루브 패턴은 복수개 일 수 있으며, 일정한 간격마다 배치되고, 실링 키(500)는 공통 전극(351)에 그루브가 배치된 형태일 수 있다.
제1 기판(101)은 박막 트랜지스터 기판일 수 있다. 제1 기판(101)의 표시 영역(DA)에는 제1 방향으로 연장된 복수의 게이트 라인과 제 1방향에 수직인 제2 방향으로 연장된 복수의 데이터 라인이 형성될 수 있다. 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 정의된 각 화소마다 화소 전극(334)이 배치될 수 있다. 본 명세서에서는 제1 방향은 가로 방향이고, 제2 방향은 세로 방향일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 전극(304)은 게이트 라인으로부터 화소 전극(334)을 향해 돌출된 것일 수 있다. 게이트 전극(304)은 제1 기판(101) 상에 배치될 수 있다. 제1 얼라인 키(306)는 게이트 전극(304) 및 게이트 라인과 동일 층에 배치될 수 있다. 제1 얼라인 키(306)는 테두리부(306_1, 306_2)에 의해 정의된 공간을 갖는다. 제1 얼라인 키(306)의 테두리부(306_1, 306_2)는 게이트 전극(304)과 동일 층에 동일한 물질로 구성될 수 있다.
제1 기판(101)은 유리 또는 폴리머(polymer)로 이루어진 베이스 기판(미도시), 게이트 전극(304), 게이트 절연막(343), 반도체층(320), 오믹 컨택층(327), 소스 전극(323), 드레인 전극(324), 패시베이션막(342), 유기막(341) 등이 적층된 구조를 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터의 채널은 반도체층(320)으로 형성될 수 있다. 반도체층(320)은 게이트 전극(304)과 오버랩(overlap)되도록 배치될 수 있다. 소스 전극(323)과 드레인 전극(324)은 반도체층(320)을 기준으로 이격될 수 있다.
화소 전극(324)은 유기층(341) 상에 단위 화소마다 배치될 수 있다. 화소 전극(324)의 일부는 컨택홀의 내부에 배치된다. 컨택홀 내부에 배치된 화소 전극(324)의 일부는 드레인 전극(324)과 접촉되어 이와 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(324)은 드레인 전극(324)으로부터 데이터 전압을 인가 받아 공통 전극(351)과 함께 액정 분자의 방향을 제어한다.
제1 기판(101)의 표시 영역(DA)은 각 화소마다 컬러필터(328a, 328b)가 배치될 수 있다. 각 컬러필터(328a, 328b)는 소스 전극(323)과 드레인 전극(324)을 덮고 있는 패시베이션막(342)과 유기막(341)의 사이에 배치될 수 있다. 컬러필터(328a, 328b)는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 컬러 필터를 포함할 수 있다. 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 컬러 필터(328a, 328b)는 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소마다 각 행과 각 열을 따라 교대로 배열될 수 있다.
각 컬러필터(328a, 328b)의 경계에는 차광 패턴(330)이 배치될 수 있다. 차광 패턴(330)은 유기막(341) 상부에 배치될 수 있으며 차광 패턴(330)은 컬러필터(328a, 328b)의 경계뿐 아니라 비표시 영역(NDA) 일부에도 배치될 수 있다. 차광 패턴(330)은 실링 부재(350)가 배치되는 부분까지 확장되어 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
차광 패턴(330)상에는 컬럼 스페이서(340)가 배치될 수 있다. 차광 패턴(330)과 컬럼 스페이서(340)는 일체형일 수 있다. 컬럼 스페이서(340)는 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이의 셀갭을 유지하도록 구성될 수 있다.
제1 기판(101)과 제2 기판(102)은 실런트등으로 이루어진 실링 부재(350)에 의해 합착 될 수 있다. 실링 부재(350)는 제1 기판(101) 및 제2 기판(102)의 비표시(NDA) 영역에 배치될 수 있다. 실링 부재(350)는 액정층(390)이 표시 패널 내에 머무를 수 있도록 봉합할 수 있다. 실링 부재(350)는 제2 기판(102)의 공통 전극(351) 상에 배치되는 실링 키(500)의 그루브 내부를 적어도 일부분 채우도록 배치될 수 있다.
이하, 도 3을 참조하여 제2 기판(102) 상에 제2 얼라인 키(336)를 형성하는 제조방법에 대해서 설명하도록 한다.
먼저 제2 기판(102)을 준비한다. 제2 기판(102)은 투명한 유리, 석영, 세라믹, 실리콘 또는 투명 플라스틱 등의 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 기판(102)은 사각형의 판상형일 수 있다.
제2 기판(102) 상에 공통 전극(351)을 구성하는 물질을 제2 기판(102) 전면에 스퍼터링 하여 형성할 수 있다. 그 후에 제2 얼라인 키(336)를 배치할 위치에 레이저 장치(130)를 이용하여 테두리를 형성한 후, 테두리 안에 그루브 패턴을 형성할 수 있다. 레이저(B1)는 그린 계열의 400nm~ 600nm대의 파장을 사용할 수 있고, 조사할 때 에너지는 1mJ 내지 10mJ 에너지를 사용하여 제2 얼라인 키(336)를 형성할 수 있다.
레이저 장치(130)는 제2 기판(102)의 공통 전극(351)이 배치된 일면 상부에서 제2 기판(102)을 향해 레이저(B1)를 조사할 수 있으며, 레이저를 조사하여 공통 전극(351)의 일부를 깎아 제2 기판(102)으로 공통 전극(351)의 일부가 만입된 그루브 패턴을 만들어 제2 얼라인 키(336)를 형성할 수 있다.
도 4는 도 3에 의해 제조된 제2 얼라인 키(336)를 확대한 확대도이다. 도 4를 참조하면, 공통 전극(351)은 제2 얼라인 키(336)가 형성되기 전 두께(Th+ Th0)는 30μm~40μm의 두께를 가질 수 있다. 제2 얼라인 키(336)의 그루브 패턴의 깊이(Th)는 15μm 이상 일 수 있으며, 바람직하게는 25μm이상 30μm 이하일 수 있다. 그루브 패턴의 폭(W)은 5μm 미만일 수 있다. 제2 얼라인 키(336)내 형성된 그루브 패턴은 복수 개 일 수 있으며, 복수 개의 그루브 패턴을 한번에 형성하기 위해 레이저 장치(103)는 복수의 레이저를 출력할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 기판(102)에서 제3 얼라인 키(337)를 확대한 확대도이다.
도 5를 참조하면, 제3 얼라인 키(337)는 레이저 장치(130)의 출력 레이저의 파장 또는 시간에 따른 레이저의 에너지를 변화시켜 도 5와 같은 제3 얼라인 키(337)를 형성할 수 있다. 제3 얼라인 키(337)의 그루브 패턴은 제1 바닥부(337b)와 제1 바닥부(336b)로부터 상측으로 연장된 제1 내측벽(336a)을 포함한다. 제1 내측벽(336a)은 제1 바닥부(336b)로부터 기울어진 측벽을 포함할 수 있으며, 따라서 그루브 패턴 입구의 폭(W1)은 제1 바닥부(336b)의 폭(W2) 보다 넓을 수 있다. 제3 얼라인 키(337)는 테이퍼 된 그루브 패턴을 가질 수 있다.
도 6은 제4 얼라인 키(338)를 확대한 확대도이다. 제4 얼라인 키(338)는 제2 바닥부(336c)와 제2 바닥부(336c)로부터 상측으로 연장된 내측벽(336d)을 포함할 수 있다. 제2 바닥부(336c)의 일 면은 요철부(R)를 더 포함할 수 있다. 요철부(R)는 레이저 장치(130)의 레이저(B1) 조사 과정에서 생긴 것일 수 있다. 불규칙한 면이고, 반드시 요철부(R)가 일정하게 배치되어야 하는 것은 아니다.
도 7은 제5 얼라인 키(339)를 확대한 확대도이다. 제5 얼라인 키(339)는 제3 바닥부(336e)와 제3 바닥부(336e)로부터 상측으로 연장된 제3 내측벽(336f)을 포함할 수 있다. 제3 바닥부(336e)와 제3 내측벽(336f)는 각각 적어도 일 부분에 요철면(R1, R2)를 포함할 수 있다. 요철면(R1, R2)은 레이저 장치(130)의 레이저 조사(B1) 과정에서 공통 전극(351)이 깎일 때 생기는 파편으로 인해 생긴 것일 수 있다. 따라서 각각의 요철면(R1, R2)은 상이한 요철 각도, 요철 깊이, 요철 패턴을 가질 수 있다.
도 5 내지 도 7의 얼라인 키(336 내지 339)의 실시예는 실링 키(500)에 적용 가능하다. 실링 키(500)의 그루브 패턴은 제1 방향의 제1 그루브 패턴과 제1 방향에 수직하는 방향인 제2 방향의 제2 그루브 패턴을 포함하고, 각각의 그루브 패턴은 도 5 내지 도 7의 얼라인 키(336 내지 339)와 마찬가지로 바닥부와 상기 바닥부로부터 상측으로 연장된 내측벽을 포함하고 있고, 상기 바닥부 또는 상기 내측벽 중 적어도 일부는 요철면(R1, R2)을 포함할 수 있으며, 상기 내측벽은 상기 바닥부로부터 테이퍼진 경사면으로 구성될 수 있다. 본 발명의 일 실시에에서는 제2 기판의 얼라인 키(336)와 실링 키(500)는 동일한 제조 방식에 의해 제조 될 수 있으므로, 얼라인 키(336 내지 339)의 실시예는 실링 키(500)에 적용될 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.
도 8은 실링 키(500) 만을 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 8을 참조하면 실링 키(500)는 십자(+)형상일 수 있다. 따라서 실링 키(500)는 크게 제1 영역(A1), 제2 영역(A2), 제3 영역(A3), 제4 영역(A4), 교차 영역(B)로 나뉠 수 있다. 실링 부재(500)는 제4 영역(A4)과 교차 영역(B) 및 제3 영역(A3)을 따라 도포될 수 있다. 따라서 실링 부재(350)는 실링 키(500)와 중첩될 수 있다.
실링 키(500)는 십자 형태의 테두리부 내에 그루브(501, 502)을 포함하는데 제1 방향으로 연장되는 제1 그루브(501)와 제1 방향과 수직으로 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 그루브(502)을 포함한다.
제1 그루브(501)는제2 영역(A2)에서부터 제4 영역(A4)까지 연장될 수 있고, 제2 그루브(502)은 제1 영역(A1)에서부터 제3 영역(A3)까지 연장될 수 있다. 교차 영역(B)은 제1 그루브(501)와 제2 그루브(502) 모두 포함될 수 있다.
도 9a 내지 도 9c를 참조하여 실링 키(500)를 제조하는 방법에 대하여 설명하도록 한다. 도 9a를 참조하면, 먼저 실링 키(500)의 테두리부를 형성한다. 테두리부 형성 방법은 레이저 장치(130)를 제2 기판(102)의 공통 전극(351) 상에 실링 키(500) 형성 영역에 배치시키고 테두리부를 형성할 수 있다.
도 9b를 참조하면, 레이저 장치(130)를 공통 전극(351) 상의 제1 영역(A1)의 일 측면에 배치시키고 제2 그루브(502)을 형성할 수 있다. 제2 그루브(502)는 제1 영역(A1)의 일 측면에서부터 시작해서 제3 영역(A3)의 끝단까지 밀어서 제2 그루브(502)을 형성할 수 있다.
도 9c를 참조하면, 레이저 장치(130)를 공통 전극(351) 상의 제2 영역(A2)의 일 측면에 배치시키고 제1 그루브(501)를 형성할 수 있다. 제1 그루브(501)는제2 영역(A2)의 일 측면에서부터 시작해서 제4 영역(A4)의 끝단까지 밀어서 제1 그루브(501)를 형성할 수 있다.
도 10은 제1 그루브(501)를 확대한 확대도이다. 실링 키(500)에 배치된 제1 그루브(501)는 확대하여 보았을 때 미세한 굴곡진 곡면을 가질 수 있다. 제1 그루브(501)에 의해 실링 키(500)는 이격된 거리를 가질 수 있다. 실링 키(500)는 제1 그루브(501)의 굴곡진 곡면에 의해 최단 폭(W3)을 가질 때, 제1 그루브(501)와 또 다른 제1 그루브(501) 사이의 최단 이격 거리(W4)는 제1 그루브(501)의 굴곡진 곡면에 의해 최단 이격 거리(W3)보다 넓을 수 있다.
도 11은 실링 키(500)의 교차 영역(B)만을 확대한 확대도이고, 도 12는 도 11의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 자른 단면도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 교차 영역(B)은 제1 그루브(501)와 제2 그루브(502) 모두 포함하며, 제1 그루브(501)와 제2 그루브(502)이 수직 교차할 수 있다. 도 9와 같이 제2 그루브(502)이 먼저 형성된 후, 제1 그루브(501)이 형성된 경우 제2 그루브(502)의 두께(Th2)보다 제1 그루브(501)의 두께(Th2+Th3)는 더 클 수 있다. 나중에 형성된 그루브의 경우 레이저(B1)가 더 깊은 부분까지 직접 닿기 때문에 동일한 에너지를 가할 때 더 깊이 있는 그루브가 형성될 수 있다.
먼저, 도 13(a)에 도시된 바와 같이 제1 기판(101) 표면에 도전성 물질(305)을 스퍼터링 할 수 있다. 도전성 물질(305)로써, 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리, 크롬, 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다.
다음으로, 도 13(b)에 도시된 바와 같이 포토 레지스트층(600)을 형성한다. 포토 레지스트층(600)은 자외선(605)을 조사받으면 일부 경화될 수 있으며, 경화된 영역은 현상 단계에서 제거되지 않기 때문에 하부에 형성된 도전 물질을 보호할 수 있다.
다음으로, 도 13(c)에 도시된 바와 같이 게이트 전극(304) 및 제1 얼라인 키(306)를 형성할 위치 상부에 포토 레지스트층(600_2) 상부에 자외선(605)을 조사한다. 이 때, 일부 영역만 자외선을 투과시키고 그 이외의 영역의 자외선(605)은 차단하는 마스크(604)가 사용될 수 있다. 자외선(605)이 조사된 포토 레지스트층의 일부 영역(600_2, 600_3, 600_4)은 경화될 수 있다.
다음으로, 도 13(d)에 도시된 바와 같이 경화된 포토 레지스트층(600_2, 600_3, 600_4)을 제외한 나머지 영역을 제거하는 현상 과정이 수행될 수 있다.
다음으로 도 13(e)에 도시된 바와 같이 경화되어 남아 있는 포토 레지스트층을 제외한 영역의 도전 물질을 제거하는 식각이 수행될 수 있다.
다음으로 도 13(f)에 도시된 바와 같이 남아 있는 경화된 포토 레지스트를 제거하면, 원하는 모양대로 게이트 라인, 게이트 전극(304), 제1 얼라인 키(306)를 제1 기판(101) 상에 형성할 수 있다.
도 14는 도 13에 의해 게이트 라인, 게이트 전극(304), 제2 얼라인 키(306)가 형성된 후 여러 공정을 거쳐 완성된 제1 기판(101)의 단면을 도시한 도면이다.
제1 기판(101)에 게이트 절연막(343)과 반도체층(320), 소스 전극(323), 드레인 전극(324), 패시베이션 층(342)을 차례로 증착할 수 있다. 상기 공정은 당업자에게 자명할 것이다. 유기층(341)과 컬러 필터(328a, 328b)을 형성한 후, 컨택홀을 형성하여 화소 전극(334)을 형성한다. 그 후에 박막 트랜지스터가 배치된 영역 또는 데이터라인 게이터 라인과 겹치도록 차광 패턴(330)과 컬럼 스페이서(340)를 일체형으로 형성할 수 있다. 그 위에 하부 배향막(361)을 형성하여 제1 기판(101)을 제조할 수 있다.
상기와 같은 방법으로 제조된 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)와 제1 기판(101)의 제2 얼라인 키(306)의 다양한 형상은 도 15를 참조하여 설명하도록 한다.
도 15를 참조하면, 일 실시예에 따르면 제1 기판(101)의 있는 제2 얼라인 키(336)는 작은 네모이고, 제2 얼라인 키(306)는 제2 얼라인 키(336)보다 큰 네모의 형상일 수 있다.
다른 실시예는 제1 기판(101)에 배치된 제2 얼라인 키(306)는 십자 모양의 크로스 된 형상일 수 있으며, 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)는 제2 얼라인 키(306)의 네 모서리를 따라 형성된 형태일 수 있다. 상기 실시예에서 합착된 상태에서 제2 얼라인 키(336)는 제2 얼라인 키(306)내에 포개질 수 있는 형상인 것이 바람직 할 것이다. 상기 실시예에 의할 때 위의 실시예 보다 레이저에 의해 제2 얼라인 키(336)를 형성하는데 드는 시간이 줄어 들 수 있는 장점이 있다.
또 다른 실시예는 제2 기판(102)에 배치된 제2 얼라인 키(336)는 작은 원형일 수 있다. 이때 제2 얼라인 키(336)는 원형의 형상일 수 있으며 제2 얼라인 키(306)는 제2 얼라인 키(336)보다 큰 원형일 수 있다. 제2 얼라인 키(336)는 그루브 패턴을 더 포함할 수 있다. 제3 실시예에 의할 때 제1 기판(101)과 제2 모기판을 정렬할 때 다른 실시예에 비해 오차 허용범위를 정확히 계산하여 얼라인 키를 설계할 수 있다. 이는 얼라인 키가 중심으로부터 떨어진 거리가 모두 동일하기 때문이다.
도 16은 제2 얼라인 키(306)를 차광 패턴(330)과 동일한 물질로 동일한 공정으로 만들 수 있음을 나타낸 도면이다.
도 16을 참조하면 제2 얼라인 키(306)는 유기막(341) 상에 배치되며, 차광 패턴(330)이 형성될 때 함께 형성될 수 있다. 차광 패턴(330)은 블랙계열의 유기 염료로 구성될 수 있으며, 이로부터 차광 패턴(330)을 만드는 과정은 앞에서 살펴본 제조 방법과 유사한 방식으로 제조 될 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.
도 17은 본 발명의 표시 패널의 합착 장치의 단면도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 액정 표시 장치의 합착 장치는 제2 기판(102)과 제1 기판(101) 합착시 불순물과 같은 이물질의 유입 방지 등을 위해 외부와 차단되어 진공 상태를 유지하는 진공 챔버(103)와 진공 챔버(103) 상에 두 기판(101, 102) 의 합착 마크를 감지하여 제2 기판(102)과 제1 기판(101)을 정렬시키기 위한 디텍터(104)와 디텍터(104)과 진공 챔버(103) 내부에서 상하 움직임이 가능한 벨로우즈 관(105), 제2 기판(102)을 이동하는 흡착기(110)와 흡착기(110)를 지탱하는 바(180)와 바 아래에 배치된 레일(182)과 레일(182)을 따라 이동하는 이동 모터(116) 및 바(180)를 고정시키는 지지부(150)를 포함한다.
진공 챔버(103) 내부에는 제2 기판(102)과 제1 기판(101)이 유입된 후 진공 상태로 한다. 여기서, 진공 챔버(103) 내부의 진공도는 합착하고자 하는 액정 모드에 따라 차이가 있으나, IPS 모드는 1.0 x 10-3Pa 내지 1Pa 정도로 하고, TN 모드는 약 1.1 x 10-3Pa 내지 102 Pa로 할 수 있다.
진공 챔버(103)는 제2 기판(102) 및 제1 기판(101)을 수용할 수 있는 크기의 내부 공간을 포함한다. 진공 챔버(103) 내부에 밑면에는 제1 기판(101)을 진공 흡착하여 고정할 수 있도록 제1 기판(101) 표면 전면을 진공 흡착할 수 있도록 구성될 수 있다. 따라서 제1 기판(101)은 진공 챔버(103) 내에서 이동하지 않고 고정될 수 있다. 진공 챔버(103) 상부에 형성된 홀을 통해 바(108)까지 연결되고 진공 챔버(103) 내부에서 제2 기판(102)을 부착한 상태로 상하 좌우 이동이 가능한 흡착기(110)는 진공 챔버(103) 내부 공간을 이동할 수 있다. 여기서, 흡착기(110)의 진공도는 진공 챔버(103) 내부 공간의 진공도 보다 높은 것이 바람직하다.
흡착기(110)는 모든 방향으로 이동 가능하며, 360도 회전이 가능하도록 설계될 수 있다. 흡착기(110)는 제2 기판(102)과 부착된 후, 디텍터(104)가 제2 기판(102)의 제2 얼라인 마크와 제1 기판(101)의 제1 얼라인 마크를 감지하여 위치를 맞춘 후, 제2 기판(102)을 수직 방향으로 하강시켜 제2 기판(102)이 제1 기판(101)과 대향할 수 있도록 한다. 제2 기판(102)과 제1 기판(101) 사이의 간격이 1mm가 될때까지 흡착기(110)는 제2 기판(102)을 수직 하강시킬 수 있다. 제2 기판(102)과 제1 기판(101) 사이의 간격이 1mm가 될 때, 디텍터(104)는 제2 기판(102)과 제1 기판(101) 각각의 얼라인 마크를 다시 한번 인식 한 후, 디텍터(104)가 제2 기판(102)과 제1 기판(101) 각각의 위치가 정렬된 상태라고 판단하는 경우에 흡착기(110)는 제2 기판(102)을 다시 한번 수직 하강 시킬 수 있다. 이때, 흡착기(110)는 제2 기판(102)상의 상면(102a)과 제1 기판(101)상의 상면(101a)이 접촉한 것을 인식하고, 접촉한 시점에서부터 0.1ton 에서부터 0.5ton의 압력으로 상기 두 기판(101, 102)을 합착한다.
가압하여 두 기판(101, 102)의 합착이 완료되면, 합착된 두 기판(101, 102)을 분리시키고, 언로딩 하여 진공 챔버(103) 내에 고정되어 있던 제1 기판(101)의 진공 흡착 상태를 해제할 수 있다.
디텍터(104)는 진공 챔버(103)내에 배치된 사각 판상 형태의 제2 기판(102)의 적어도 두 모서리 부위에 배치될 수 있다. 디텍터(104)가 두 개만 설치되는 경우에는 제2 기판(102)의 평면상에서 대각선 방향으로 서로 마주보는 위치에 디텍터(104)가 각각 배치될 수 있다. 디텍터(104)는 제2 기판(102)의 네 모서리 모두에 배치될 수도 있고, 제2 기판(102)의 세 모서리에 배치될 수 있다.
디텍터(104)는 현미경과 유사한 구조로서, 제2 기판(102)의 합착 마크와 제1 기판(101)의 합착 마크를 인식한 후, 두 기판의 얼라인 마크의 배열 상태로부터 정렬되었는지 여부를 판단한다. 디텍터(104)는 진공 챔버(103) 내부에서 고정된 위치에 배치될 수 있다. 디텍터(104)는 제2 기판(102)과 제1 기판(101)의 배치 위치가 정렬되어 있지 못하다고 판단할 경우에 디텍터(104)는 흡착기(110)가 제2 기판(102)을 진공 챔버(103)내에 공중에서 이동할 수 있도록 한다. 디텍터(104)는 제2 기판(102)의 이동 하는 과정에서도 제2 기판(102)의 제2 얼라인 마크와 제1 기판(101)의 제1 얼라인 마크의 배열 상태를 파악하여 정렬 여부를 판단하고, 정렬 된 것으로 판단된 경우에는 흡착기(110)의 이동을 정지시킬 수 있다.
벨로우즈 관(107)은 디텍터(104)가 진공 챔버(103) 내 제2 기판(102) 상부에서 수직 방향의 움직임을 가능하도록 한다. 디텍터(104)가 고정된 상태에서 제2 기판(102)이 수직 방향으로 하강하면, 디텍터(104)와 제2 기판(102) 상의 합착 마크 사이의 초점 거리가 길어져 해상도가 떨어질 수 있다. 특히 COT 구조에서 제2 기판(102) 상에는 투명 물질로만 구성될 수 있고, 제2 기판(102)이 공중에 떠 있는 상태에서 제2 기판(102)의 제2 얼라인 마크를 인식하기 어렵기 때문에 디텍터(104)의 해상도를 높일 필요가 있다. 따라서 디텍터(104)는 제2 기판(102)이 수직 방향으로 하강 할 때, 함께 이동하여 초점 거리를 짧게 할 필요가 있다. 이동하는 제2 기판(102)과 디텍터 (104) 사이의 일정한 거리를 유지할 수 있도록 하기 위해 디텍터(104)는 벨로우즈 관(107)에 연결되어 벨로우즈 관(107)을 따라 이동할 수 있다.
디텍터(104)가 복수인 경우에 각각의 디텍터(104)와 연결된 벨로우즈 관(107)이 배치될 수 있으며, 복수개의 디텍터(104) 각각과 제2 기판(102) 사이의 초점 거리를 모두 일정하게 유지할 수 있도록 할 수 있다.
지지부(150)는 진공 챔버(103)와 진공 챔버(103)와 이격되어 진공 챔버(103) 상부에서 한쪽 방향으로 길게 배치되는 바(180)의 한쪽 부분과 연결되어 배치된 위치를 지지해준다. 지지부(150)는 수직 방향으로 길게 배치되고, 바(180)의 무게를 지탱할 수 있도록 단단하고 밀도 있는 소재로 구성될 수 있다.
바(180)는 진공 챔버(103) 상부에 진공 챔버(103)의 수평 방향으로 길게 배치되어 있을 수 있다. 바(180) 위에는 레일(182)이 배치되고 레일은 흡착기(110)와 바(180) 사이를 연결하고, 흡착기(110)가 이동할 수 있도록 가이드한다.이 때 흡착기(110)과 레일(182) 사이에는 이동 모터(116)가 더 부착되어, 흡착기(110)가 이동해야 하거나 회전해야 할 때 이동 모터(116)는 흡착기(110)에 동력을 제공할 수 있다.
이동 모터(116)는 레일(182)을 따라 디텍터(104)가 이동할 수 있도록 동력을 제공해 준다. 이동 모터(116)는 레일(182)을 따라 이동하는 동력뿐 아니라 동일한 레일(182) 상의 위치에서 회전하거나 진공 챔버(103) 내에서 수직 방향의 이동도 가능하게 한다.
도 18 내지 도 20은 디텍터(104)가 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)와 제1 기판(101)의 제1 얼라인 키(306)를 인식하여 정렬하는 방법을 나타낸 도면이다.
디텍터(104)는 제2 기판(102) 상부에 제2 얼라인 키(336)가 배치될 수 있는 위치 상부에 위치한다. 디텍터(104)는 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)가 제1 기판(101)의 제1 얼라인 키(306) 영역 내부로 들어오는지를 판단하여 두 기판(102, 101)의 정렬 여부를 판단한다.
도 19를 참조하면, 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)가 제1 기판(101)의 제1 얼라인 키(306)상에 걸쳐져 있거나 제1 기판(101)의 제1 얼라인 키(306) 외부에 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)가 위치하는 경우에 디텍터(104)는 제2 기판(102)과 제1 기판(101)이 정렬되지 않은 것으로 판단하고, 디텍터(104)는 흡착기(110)가 제2 기판(102)을 이동시킬 수 있도록 한다.
도 20을 참조하면, 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)가 제1 기판(101)의 제1 얼라인 키(306) 안에 들어와 있으므로 디텍터(104)는 도 5와 같은 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)와 제1 기판(101)의 제1 얼라인 키(306)의 상태를 감지하면, 두 기판(102, 101)이 정렬된 것으로 판단한다. 이때 제2 얼라인 키(336)는 제1 얼라인 키(306)과 중첩된 부분과 중첩되지 않은 부분이 서로 대칭되지 않을 수 있고, 따라서 제2 얼라인 키(336)의 중심과 제1 얼라인 키(306)의 중심은 일치 하지 않아 비대칭일 수 있다.
디텍터(104)는 제2 기판(102)과 제1 기판(101)이 정렬된 것으로 인지하는 경우, 제2 기판(102)은 제1 기판(101)을 향해 수직 하강하여 제1 기판(101)과 접촉할 수 있다. 이에 따라 디텍터(104)는 해상도를 유지 하기 위해 제2 기판(102) 사이의 초점 거리를 유지 하기 위해 제2 기판(102)을 따라 수직 하강할 수 있다.
디텍터(104)는 도 5와 같이 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)가 제1 기판(101)의 제1 얼라인 키(306)의 영역 안으로 들어오기만 한다면, 정렬된 것으로 인식할 수 있다. 제1 기판(101)의 제1 얼라인 키(306)는 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)의 크기보다 크고, 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)가 제1 기판(101)의 합착 마크 안으로 들어왔을 때에도, 여유 공간이 있을 수 있는 크기를 가질 수 있다. 상기 여유 공간은 제2 기판(102)과 제1 기판(101)의 정렬 시 허용될 수 있는 오차 범위를 고려하여 설계될 수 있다.
제2 기판(102)은 투명한 물질로 구성되어 있고, 제2 기판(102)은 합착 장치 내에서 공중에 떠 있으므로 디텍터(104)가 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)를 인식하는 것이 어렵다. 따라서 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)를 투명한 물질로 만들되, 그 안에 그루브를 형성하게 되면, 디텍터(104)는 빛의 방향이 왜곡된 것을 통해 제2 얼라인 키(336)를 인식할 수 있다.
도 21은 디텍터(104)가 제2 기판(102)의 그루브를 인식하는 방법을 나타낸 도면이다. 디텍터(104)는 측정부(122), 광원(121), 스플리터(123)를 포함할 수 있다.
광원(121)으로부터 방출된 광(①)은 스플리터(123)에 의해 일부 방향이 바뀔 수 있다(②). 제2 기판(102)의 제2 얼라인 키(336)를 향한 광(②)은 제2 얼라인 키(336) 상에서 반사되어 온 광(③) 뿐만 아니라 제2 얼라인 키(336)상에서 그루브 된 홈에 의해 유실된 광(④) 과의 차이로 인해 디텍터(104)는 제2 얼라인 키(336)를 인식할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
101 제1 기판
102 제2 기판
306 제1 얼라인 키
336 제2 얼라인 키
350 실링 부재
500 실링 키
501 제1 그루브
502 제2 그루브

Claims (20)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판;
    상기 제1 기판상에 배치된 제1 얼라인 키; 및
    상기 제1 얼라인 키와 중첩되도록 제2 기판 상에 배치된 제2 얼라인 키를 포함하되,
    상기 제2 얼라인 키는 테두리부와 상기 테두리부에 의해 정의된 영역 내에 그루브 패턴을 포함하는 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 기판 상에 배치된 공통 전극을 더 포함하고,
    상기 제2 얼라인 키는 상기 공통 전극 상에 상기 공통 전극을 구성하는 물질과 동일한 물질로 구성되는 표시 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 얼라인 키는 상기 공통 전극 상에 공통 전압이 인가될 때, 공통 전압이 인가되는 표시 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 얼라인 키와 상기 제2 얼라인 키는 서로 다른 크기를 갖는 표시 패널.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 얼라인 키는 상기 제1 얼라인 키와 중첩된 영역과 상기 제1 얼라인 키와 중첩되지 않는 영역을 포함하는 표시 패널.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 얼라인 키는 상기 제2 얼라인 키의 중심으로부터 비대칭으로 배치되는 표시 패널.
  7. 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판;
    상기 제2 기판상에 배치된 실링키; 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 상기 실링키와 적어도 일부분 중첩되도록 배치된 실링 부재를 포함하되,
    상기 실링키는,
    테두리부와 상기 테두리부에 의해 정의된 영역 내 그루브 패턴을 포함하는 표시 패널.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 실링 키의 그루브 패턴은 제1 방향으로 배치된 제1 그루브 패턴과 제1 방향과 수직 교차하는 제2 방향으로 배치된 제2 그루브 패턴을 포함하고,
    상기 실링 키는 상기 제1 그루브 패턴과 제2 그루브 패턴이 교차하는 교차 영역을 포함하는 표시 패널.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 그루브 패턴의 두께와 상기 제2 그루브 패턴의 두께가 서로 상이한 표시 패널.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 복수개의 그루브 패턴 중 적어도 하나는 테어퍼진 내측벽을 갖는 표시 패널.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 복수개의 그루브 패턴 중 적어도 하나는 굴곡진 경계면을 포함하는 표시 패널.
  12. 제9항에 있어서
    상기 그루브 패턴 내부의 최단 폭은 상기 그루브 패턴과 그루브 패턴 사이의 최단 이격 거리보다 짧은 표시 패널.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 실링 부재는 상기 그루브 패턴 내부를 적어도 부분적으로 채우는 표시 패널.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 제1 기판은,
    서로 교차하는 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인에 연결되는 복수의 화소가 배치되는 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸며 상기 표시 영역 외측에 배치되고, 상기 실링키가 배치되는 비표시 영역; 및
    상기 실링키 외곽에 제1 얼라인 키가 배치되는 얼라인 키 영역을 포함하고,
    상기 제2 기판은,
    제1 얼라인 키와 중첩되도록 배치되는 제2 얼라인 키를 포함하는 표시 패널.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 얼라인 키는 상기 복수의 게이트 라인 또는 상기 복수의 데이터 라인과 동일층에 동일 물질로 구성되는 표시 패널.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 얼라인 키의 그루브 패턴은,
    상기 그루브 패턴 내 바닥면과 상기 바닥면으로부터 상측으로 연장된 내측벽을 포함하고,
    상기 바닥면 또는 내측벽 중 적어도 하나는 요철면을 포함하는 표시 패널.
  17. 제1 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 기판에 투명 도전성 물질을 증착하는 단계;
    상기 제1 기판의 일 모서리에 실링 키의 테두리를 형성하는 단계;
    상기 실링 키의 테두리 영역 내에 레이저를 조사하는 단계; 및
    상기 레이저를 일 방향으로 이동시켜 상기 실링 키의 그루브 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 표시 패널 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 실링 키의 그루브 패턴은 상기 투명 도전성 물질에 상면으로부터 깊이가 15μm 이상이 되는 표시 패널 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 레이저는
    400nm 내지 600nm 사이의 파장을 이용하는 표시 패널 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제2 얼라인 키를 형성하는 단계는,
    상기 제2 기판의 제2 얼라인 키가 상기 제1 기판의 제1 얼라인 키 안으로 들어오도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 정렬하는 단계를 더 포함하는 표시 패널 제조 방법.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102458907B1 (ko) * 2015-12-29 2022-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102624165B1 (ko) * 2018-10-12 2024-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
CN111199981B (zh) * 2018-11-16 2023-04-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN111258105A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 上海仪电显示材料有限公司 彩色滤光基板及测试方法
CN109765719A (zh) * 2019-03-21 2019-05-17 深圳市华星光电技术有限公司 基板的制作方法及基板
KR20200117093A (ko) * 2019-04-02 2020-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110534548A (zh) * 2019-08-06 2019-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN110716359A (zh) 2019-10-14 2020-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法
CN110967884A (zh) * 2019-11-29 2020-04-07 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
KR102678900B1 (ko) * 2019-12-04 2024-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈 및 표시 장치 제조 방법
CN113138474A (zh) * 2020-01-20 2021-07-20 松下液晶显示器株式会社 视角控制单元、视角控制单元的基板组件及显示组件
CN112366209B (zh) * 2020-11-10 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001083521A (ja) * 1999-09-16 2001-03-30 Toshiba Corp 液晶表示装置
KR100652053B1 (ko) * 2003-06-28 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 제조방법
KR100928494B1 (ko) * 2005-04-15 2009-11-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20060126159A (ko) * 2005-06-03 2006-12-07 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20080057584A (ko) * 2006-12-20 2008-06-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP5083599B2 (ja) * 2007-03-27 2012-11-28 カシオ計算機株式会社 アライメントマークを有する構造体、それを含む組立体、デバイス、構造体の位置合わせ方法、組立体およびデバイスの製造方法
JP5259211B2 (ja) 2008-02-14 2013-08-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR101665529B1 (ko) 2010-04-21 2016-10-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5450825B2 (ja) * 2010-09-03 2014-03-26 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに表示装置
JP5943642B2 (ja) * 2012-02-24 2016-07-05 株式会社ジャパンディスプレイ 立体表示装置
KR20140017767A (ko) 2012-07-31 2014-02-12 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 이의 정렬 방법
KR102182881B1 (ko) 2013-11-13 2020-11-26 엘지디스플레이 주식회사 얼라인 키를 포함하는 표시패널 및 그 제조방법
US9595497B2 (en) * 2014-06-13 2017-03-14 Apple Inc. Display with low reflectivity alignment structures

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10797079B2 (en) 2017-07-25 2020-10-06 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display device and method of manufacturing the same
US11398501B2 (en) 2017-07-25 2022-07-26 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display device and method of manufacturing the same

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US20170090227A1 (en) 2017-03-30

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