CN109378318B - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents
一种显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109378318B CN109378318B CN201811194127.6A CN201811194127A CN109378318B CN 109378318 B CN109378318 B CN 109378318B CN 201811194127 A CN201811194127 A CN 201811194127A CN 109378318 B CN109378318 B CN 109378318B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal
- via hole
- display panel
- gradient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 164
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 244
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板及其制作方法,该制作方法包括:在栅极上制作第一金属层;所述第一金属层包括第一部分和第一金属走线,所述第一部分与所述栅极的位置对应;在所述第一金属层上制作隔离层,对所述隔离层进行图案化处理,以在显示区域的所述隔离层上形成两个第一过孔、第二过孔以及在弯折区域的隔离层上形成第三过孔;在所述第一过孔内、第二过孔内以及所述隔离层上形成第二金属层,对所述第二金属层进行图案化处理,以使位于显示区域的所述第二金属层分别形成第二金属走线、源极以及漏极。本发明的显示面板及其制作方法,能够提高生产效率,降低生产成本。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
【背景技术】
为了实现小尺寸窄边框的显示面板,实现屏幕更大的屏占比,通常是减小面板边缘区域的尺寸,目前采用焊盘弯曲(pad bending)技术,将屏幕的一部分金属走线、驱动芯片及柔性电路板弯折到屏幕的背面进行焊接,以减小下边缘区域的尺寸。
当边缘区域进一步减小时,伴随着VSS,VDD走线区域变窄,导致压降(IR drop)会随之增大以及面板均匀性变差。因此为了克服此现象,目前采用双层网状的SD结构也即设置两层SD1和SD2,且SD1和SD2通过过孔连接,这种设计可有效降低压降,改善面板均匀性,但是由于这种结构中的SD2的膜厚、成分均与SD1的膜厚、成分一致,因此需要在SD1与SD2之间增加多层绝缘层,从而增加了光罩的数量,增加了光罩成本,从而增加了生产成本,且降低了生产效率。
因此,有必要提供一种显示面板及其制作方法,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法,能够提高生产效率,降低生产成本。
为解决上述技术问题,本发明提供一种显示面板的制作方法,其包括:
在柔性衬底上制作栅极;
在所述栅极上制作第一金属层,对所述第一金属层进行图案化处理,以使位于显示区域的第一金属层形成第一部分和第一金属走线,所述第一部分与所述栅极的位置对应;
在所述第一金属层上制作隔离层,对所述隔离层进行图案化处理,以在所述显示区域的隔离层上形成两个第一过孔、第二过孔以及在弯折区域的隔离层上形成第三过孔;
在所述第一过孔内、第二过孔内以及所述隔离层上形成第二金属层,对所述第二金属层进行图案化处理,以使位于所述显示区域的第二金属层分别形成第二金属走线、源极以及漏极,所述第一金属走线通过所述第二过孔与所述第二金属走线连接,其中所述显示面板包括所述显示区域和所述弯折区域。
在本发明的显示面板的制作方法中,所述隔离层包括依次位于所述第一金属层上的钝化层、第一平坦层、第一绝缘层,所述对所述隔离层进行图案化处理,以在所述显示区域的隔离层上形成第二过孔步骤包括:
对所述钝化层进行图案化处理以及依次对所述第一平坦层以及所述第一绝缘层进行图案化处理,以形成第二过孔。
在本发明的显示面板的制作方法中,所述显示面板包括位于所述柔性衬底和所述栅极之间的半导体层,所述半导体层用于形成沟道,所述对所述隔离层进行图案化处理,以在显示区域的所述隔离层上形成两个第一过孔的步骤包括:
当依次对所述第一平坦层、所述第一绝缘层进行图案化处理时,形成第一过孔的第一梯度,其中所述第一过孔的第一梯度从所述第一绝缘层延伸到所述第一平坦层;
对所述第一过孔的第一梯度所在的区域进行蚀刻,以形成第一过孔的第二梯度,其中所述第一过孔的第二梯度从所述钝化层延伸到所述沟道的上方。
在本发明的显示面板的制作方法中,所述显示面板的制作方法包括位于所述柔性衬底和所述半导体层之间的屏障层,所述对所述隔离层进行图案化处理,以在弯折区域的隔离层上形成第三过孔的步骤包括:
当依次对所述第一平坦层、所述第一绝缘层进行图案化处理时,形成第三过孔的第一梯度;其中所述第三过孔的第一梯度从所述第一绝缘层延伸到所述第一平坦层;
对所述第三过孔的第一梯度所在的区域进行刻蚀,以形成第三过孔的第二梯度,其中所述第三过孔的第二梯度从所述钝化层延伸到所述屏障层。
在本发明的显示面板的制作方法中,所述在弯折区域的隔离层上形成第三过孔的步骤之后,以及在所述第一过孔内、第二过孔内以及所述隔离层上形成第二金属层的步骤之前,所述方法还包括:在所述第三过孔内填充有机材料。
在本发明的显示面板的制作方法中,所述方法还包括:
当对所述第二金属层进行图案化处理时,以使位于所述弯折区域的第二金属层形成多条间隔设置的第三金属走线,所述第三金属走线位于所述有机材料上。
在本发明的显示面板的制作方法中,所述第一绝缘层的厚度小于预设厚度。
在本发明的显示面板的制作方法中,所述第一金属层和所述第二金属层的截面结构都为Ti/Al/Ti,所述栅极的材料为Mo。
本发明还提供一种显示面板,其包括:
柔性衬底;
设置在所述柔性衬底上的栅极;
设置在所述栅极上的第一金属层;所述第一金属层包括第一部分和第一金属走线,所述第一部分与所述栅极的位置对应;
设置在所述第一金属层上的隔离层;位于显示区域的所述隔离层上设置有两个第一过孔、第二过孔;位于弯折区域的隔离层上设置有第三过孔;
设置在所述第一过孔内、第二过孔内以及所述隔离层上的第二金属层,所述第二金属层包括位于所述显示区域的第二金属走线、源极以及漏极,所述第一金属走线通过所述第二过孔与所述第二金属走线连接,其中所述显示面板包括所述显示区域和所述弯折区域。
在本发明的显示面板中,所述第三过孔内填充有有机材料。
本发明的显示面板及其制作方法,通过第二金属层替代现有技术中的金属部,在省去金属部的同时,减少了光罩数量,提高了生产效率且降低了生产成本。
【附图说明】
图1为现有显示面板的结构示意图;
图2为本发明显示面板的制作方法的第一步的结构示意图。
图3为本发明显示面板的制作方法的第二步中第一分步的结构示意图。
图4为本发明显示面板的制作方法的第二步中第二分步的结构示意图。
图5为本发明显示面板的制作方法的第二步中第三分步的结构示意图。
图6为本发明显示面板的制作方法的第二步中第四分步的结构示意图。
图7为本发明显示面板的制作方法的第二步中第五分步的结构示意图。
图8为本发明显示面板的制作方法的第二步中第六分步的结构示意图。
图9为本发明显示面板的制作方法的第三步的结构示意图。
图10为本发明显示面板的制作方法的第四步的结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1,图1为现有显示面板的结构示意图。
如图1所示,现有的显示面板包括显示区域101和弯折区域102,其制作方法主要包括如下步骤:
S101、在柔性衬底上依次形成缓冲层、半导体层、第一栅极、第一栅极绝缘层、金属部、第二栅极绝缘层;
如图1所示,依次在柔性衬底11上形成缓冲层12、半导体层13、第一栅极绝缘层14、第一栅极15、第二栅极绝缘层16、金属部17、层间绝缘层18。
其中,通过光罩制程对该半导体层13进行图案化处理形成沟道。具体地,通过一掩膜板对该半导体层13进行曝光显影以形成沟道。
其中第一栅极的具体制作过程为:在第一栅极绝缘层14上先形成第一金属层,再通过一掩膜板对该第一金属层进行图案化处理形成第一栅极15。
其中金属部的具体制作过程为:在第二栅绝缘层16上形成第二金属层,再通过一掩膜板对该第二金属层进行图案化处理形成金属部17。
S102、使用掩膜板对所述层间绝缘层进行图案化处理,以使位于显示区域的所述层间绝缘层形成两个第一过孔和第二过孔;
使用一掩膜板对所述层间绝缘层18进行图案化处理形成两个第一过孔201、202以及第二过孔203,其中一个第一过孔201的位置与源极的位置对应;另外一个第一过孔202的位置与第一漏极的位置对应。
S103、在经过图案化处理后的层间绝缘层上依次形成第三金属层、第一平坦层、第四金属层、第二平坦层、阳极、像素定义层及光阻间隙物。
具体地,在层间绝缘层18上形成第三金属层19,通过一道光罩制程对该第三金属层19进行图案化处理形成源极191和第一漏极192以及多条第一金属走线193,其中源极191和第一漏极192分别与一第一过孔的位置对应。
之后,在第三金属层19上形成第一平坦层20、通过一道光罩制程对该平坦层20进行图案化处理形成第三过孔204以及第五过孔205。
在第一平坦层20上形成第四金属层21,通过一道光罩制程对第四金属层21进行图案化处理形成第二漏极211和多条第三金属走线212。第二漏极211通过第三过孔204与第一漏极192电性连接。部分第三金属走线212通过第五过孔205与对应的第一金属走线192连接。
在第四金属层21上形成第二平坦层22,第二平坦层22上形成有第六过孔(图中未示出)。第二平坦层22形成有导电层23,通过一道光罩制程对该导电层23进行图案化处理形成阳极。阳极通过第六过孔与第二漏极211连接。
在导电层23上形成像素定义层24和光阻间隔层,可通过一道光罩制程对该像素定义层24和光阻间隔层进行图案化处理形成预设图案的像素定义层和光阻间隔物25。
请参照图2,图2为本发明显示面板的制作方法的第一步的结构示意图。
如图2所示,本发明的显示面板包括显示区域101和弯折区域102,本发明的显示面板的制作方法包括:
S201、在柔性衬底上依次形成屏障层、缓冲层、沟道、第一栅极绝缘层、栅极、第二栅极绝缘层、第一金属层;对所述第一金属层进行图案化处理,以使显示区域的第一金属层形成第一部分和第一金属走线;
如图2所示,依次在柔性衬底11上形成屏障层31、缓冲层12、半导体层13、第一栅极绝缘层14、栅极15、第二栅极绝缘层16、第一金属层32。
其中沟道的具体制作过程为:在缓冲层12上形成半导体层,并通过光罩制程对该半导体层13进行图案化处理形成沟道。具体地,通过一掩膜板对该半导体层13进行曝光显影以形成沟道。
其中栅极的具体制作过程为:在第一栅极绝缘层14上先形成一金属层,再通过一掩膜板对该金属层进行图案化处理形成栅极15。
在第二栅绝缘层16上形成第一金属层32,再通过一掩膜板对该第一金属层32进行图案化处理,以使显示区域101的第一金属层32形成第一部分321和第一金属走线322。也即,所述第一金属层32包括第一部分321和第一金属走线322,所述第一部分321与所述栅极15的位置对应。
S202、在所述第一金属层上制作隔离层,对所述隔离层进行图案化处理,以在显示区域的所述隔离层上形成两个第一过孔、第二过孔;
结合图5,为了防止第一金属层出现断线,所述隔离层包括依次位于所述第一金属层32上的钝化层33、第一平坦层34、第一绝缘层35,所述在显示区域的所述隔离层上形成第二过孔的步骤包括:
S2021、在所述第一金属层上制作钝化层,对所述钝化层进行图案化处理,以形成第二过孔的第一梯度;
如图3所示,在所述第一金属层32上制作钝化层33,对所述钝化层33进行图案化处理,以形成第二过孔的第一梯度41。
S2022、在所述钝化层上制作第一平坦层,对所述第一平坦层进行图案化处理,以形成第二过孔的第二梯度、第一过孔的第一部分以及形成第三过孔的第一部分;
如图4所示,在所述钝化层33上制作第一平坦层34,对所述第一平坦层34进行图案化处理,以形成第二过孔的第二梯度42以及第一过孔的第一部分43以及形成第三过孔的第一部分44;
S2023、在所述第一平坦层上制作第一绝缘层,对所述第一绝缘层进行图案化处理,以形成第二过孔的第三梯度以及第一过孔的第二梯度;
如图5所示,在所述第一平坦层34上制作第一绝缘层35,对所述第一绝缘层35进行图案化处理,以形成第二过孔的第三梯度,从而得到完整的第二过孔303;同时还形成第一过孔的第二部分45;此外还形成第三过孔的第二部分46。其中第一过孔的第一部分43和第二部分45构成第一过孔的第一梯度,也即第一过孔的第一梯度从所述第一绝缘层35延伸到所述第一平坦层34。其中第三过孔的第一部分44和第二部分46构成第三过孔的第一梯度,第三过孔的第一梯度从所述第一绝缘层35延伸到所述第一平坦层34。
S2024、对所述第一过孔的第一梯度所在的区域进行蚀刻,以形成第一过孔的第二梯度,其中所述第一过孔的第二梯度从所述第一平坦层延伸到所述沟道的上方。
如图6所示,对第一过孔所在的区域进一步蚀刻,使得刻蚀后的过孔从钝化层33延伸到沟道的上方,完成第一过孔的第二梯度的制作,第一过孔的第一梯度和第二梯度制作完毕形成完整的第一过孔301。
S2025、对所述第三过孔的第一梯度所在的区域进行刻蚀,以形成第三过孔的第二梯度,其中所述第三过孔的第二梯度从所述钝化层延伸到所述屏障层。
如图6所示,例如,也即对第三过孔所在的区域进一步蚀刻,使得过孔从钝化层33延伸到缓冲层12。
如图7所示,对第三过孔所在的区域进行再一次蚀刻,使得过孔从缓冲层12延伸到屏障层31,完成第三过孔的第二梯度的制作,第三过孔的第一梯度和第二梯度制作完毕形成完整的第三过孔304。
S2026、在所述第三过孔内填充有机材料。
如图8所示,在所述第三过孔304内填充有机材料37。
S203、在所述第一过孔内、第二过孔内以及所述隔离层上形成第二金属层,对所述第二金属层进行图案化处理,以使位于显示区域的所述第二金属层分别形成第二金属走线、源极以及漏极,所述源极和漏极通过一所述第一过孔与所述沟道连接,所述第一金属走线通过所述第二过孔与所述第二金属走线连接。
如图9所示,在所述第一过孔301、302内、第二过孔303内以及所述第一绝缘层35上形成第二金属层36,位于显示区域101的所述第二金属层36包括源极361、漏极362以及第二金属走线363,所述源极361和漏极362均通过一所述第一过孔与所述沟道连接,所述第一金属走线322通过所述第二过孔303与所述第二金属走线363连接。
所述方法还包括:当对所述第二金属层进行图案化处理时,以使位于所述弯折区域的第二金属层形成多条间隔设置的第三金属走线,所述第三金属走线位于所述有有机材料上。
也即对所述第二金属层进行图案化处理的同时,使位于所述弯折区域102的所述第二金属层形成多条间隔设置的第三金属走线364,所述第三金属走线364位于所述有机材料37上。
所述第一金属层32和所述第二金属层36的截面结构都为Ti/Al/Ti,所述栅极15的材料为Mo。
S204、在经过图案化处理后的第二金属层上依次形成第二平坦层、阳极、像素定义层及光阻间隙物。
在第二金属层36上形成第二平坦层22,第二平坦层22上形成有过孔(图中未示出)。第二平坦层22形成有导电层23,通过一道光罩制程对该导电层23进行图案化处理形成阳极。阳极通过该过孔与漏极362连接。
在导电层23上形成像素定义层24和光阻间隔层,可通过一道光罩制程对该像素定义层24和光阻间隔层进行图案化处理形成预设图案的像素定义层和光阻间隔物25。
由于本发明采用第一金属层32包括第一部分321和第一金属走线322,通过第一部分替代现有显示面板中的金属部17,也即省去了现有技术中的金属部,不再需要额外制作金属部,因此减少了光罩数量,且第一金属层的第一部分与栅极组成电容存储电荷,能够满足基本的驱动电路的结构,同时第一金属走线322与第三金属走线363位于不同层,因此可以将第一金属走线322的排布方向与第二金属走线363的排布方向垂直设置,从而构成双层网状结构,第一金属走线322和第三金属走线363比如为VDD走线,降低了IR drop,提高面板的均匀性,此外由于省去了金属部,简化了制程工艺,降低了生产成本,提高了生产效率。
本发明还提供一种显示面板,如图10所示,所述显示面板包括所述显示区域101和所述弯折区域102,显示面板的剖面结构包括:柔性衬底11、屏障层31、缓冲层12、半导体层13、第一栅极绝缘层14、栅极15、第二栅极绝缘层16、第一金属层32、隔离层;
半导体层13设置在所述缓冲层12上;半导体层13用于形成沟道。
栅极15设置在所述第一栅极绝缘层14上;第一金属层32设置在所述第二栅极绝缘层16上;所述第一金属层32包括第一部分321和第一金属走线322,所述第一部分321与所述栅极15的位置对应;
隔离层设置在所述第一金属层32上;位于显示区域的所述隔离层上设置有两个第一过孔301、302、第二过孔303;位于弯折区域的隔离层上设置有第三过孔304;所述隔离层包括依次位于所述第一金属层32上的钝化层33、第一平坦层34、第一绝缘层35;
第二金属层36设置在所述第一过孔301、302内、第二过孔303内以及所述第一绝缘层35上,所述第二金属层36包括位于所述显示区域的第二金属走线363、源极361以及漏极362,所述源极361和漏极362均通过一所述第一过孔与所述沟道连接,所述第一金属走线322通过所述第二过孔303与所述第二金属走线363连接。
所述第三过孔304内填充有有机材料37。
所述弯折区域的所述第二金属层36包括多条间隔设置的第三金属走线364,所述第三金属走线364位于所述有有机材料37上。
所述第一金属层32和所述第二金属层36的材料都为Ti/Al/Ti,所述栅极15的材料为Mo。
所述显示面板还可包括设置在所述第二金属层36上的第二平坦层22、阳极、像素定义层24及光阻间隙物25。阳极通过该过孔与漏极362连接。
本发明的显示面板及其制作方法,通过第二金属层替代现有技术中的金属部,在省去金属部的同时,减少了光罩数量,提高了生产效率且降低了生产成本。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法,其包括:
在柔性衬底上制作栅极;
在所述栅极上制作第一金属层,对所述第一金属层进行图案化处理,以使位于显示区域的第一金属层形成第一部分和第一金属走线,所述第一部分与所述栅极的位置对应;
在所述第一金属层上制作隔离层,对所述隔离层进行图案化处理,以在所述显示区域的隔离层上分别形成两个第一过孔和一个第二过孔以及在弯折区域的隔离层上形成第三过孔;
在所述第一过孔内、第二过孔内以及所述隔离层上形成第二金属层,对所述第二金属层进行图案化处理,以使位于所述显示区域的第二金属层分别形成第二金属走线、源极以及漏极,所述第一金属走线通过所述第二过孔与所述第二金属走线连接,其中所述显示面板包括所述显示区域和所述弯折区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述隔离层包括依次位于所述第一金属层上的钝化层、第一平坦层、第一绝缘层,所述对所述隔离层进行图案化处理,以在所述显示区域的隔离层上形成第二过孔步骤包括:
对所述钝化层进行图案化处理以及依次对所述第一平坦层以及所述第一绝缘层进行图案化处理,以形成第二过孔。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板包括位于所述柔性衬底和所述栅极之间的半导体层,所述半导体层用于形成沟道,所述对所述隔离层进行图案化处理,以在显示区域的所述隔离层上形成两个第一过孔的步骤包括:
当依次对所述第一平坦层、所述第一绝缘层进行图案化处理时,形成第一过孔的第一梯度,其中所述第一过孔的第一梯度从所述第一绝缘层延伸到所述第一平坦层;
对所述第一过孔的第一梯度所在的区域进行蚀刻,以形成第一过孔的第二梯度,其中所述第一过孔的第二梯度从所述钝化层延伸到所述沟道的上方。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板包括位于所述柔性衬底和所述半导体层之间的屏障层,所述对所述隔离层进行图案化处理,以在弯折区域的隔离层上形成第三过孔的步骤包括:
当依次对所述第一平坦层、所述第一绝缘层进行图案化处理时,形成第三过孔的第一梯度;其中所述第三过孔的第一梯度从所述第一绝缘层延伸到所述第一平坦层;
对所述第三过孔的第一梯度所在的区域进行刻蚀,以形成第三过孔的第二梯度,其中所述第三过孔的第二梯度从所述钝化层延伸到所述屏障层。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在弯折区域的隔离层上形成第三过孔的步骤之后,以及在所述第一过孔内、第二过孔内以及所述隔离层上形成第二金属层的步骤之前,所述方法还包括:在所述第三过孔内填充有机材料。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
当对所述第二金属层进行图案化处理时,以使位于所述弯折区域的第二金属层形成多条间隔设置的第三金属走线,所述第三金属走线位于所述有机材料上。
7.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一绝缘层的厚度小于预设厚度。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一金属层和所述第二金属层的截面结构都为Ti/Al/Ti,所述栅极的材料为Mo。
9.一种显示面板,其特征在于,包括
柔性衬底;
设置在所述柔性衬底上的栅极;
设置在所述栅极上的第一金属层;所述第一金属层包括第一部分和第一金属走线,所述第一部分与所述栅极的位置对应;
设置在所述第一金属层上的隔离层;位于显示区域的所述隔离层上分别设置有两个第一过孔和一个第二过孔;位于弯折区域的隔离层上设置有第三过孔;
设置在所述第一过孔内、第二过孔内以及所述隔离层上的第二金属层,所述第二金属层包括位于所述显示区域的第二金属走线、源极以及漏极,所述第一金属走线通过所述第二过孔与所述第二金属走线连接,其中所述显示面板包括所述显示区域和所述弯折区域。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第三过孔内填充有有机材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811194127.6A CN109378318B (zh) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 一种显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811194127.6A CN109378318B (zh) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 一种显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109378318A CN109378318A (zh) | 2019-02-22 |
CN109378318B true CN109378318B (zh) | 2020-10-16 |
Family
ID=65398045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811194127.6A Active CN109378318B (zh) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 一种显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109378318B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110071124B (zh) * | 2019-04-22 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN110265409B (zh) * | 2019-06-20 | 2021-07-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板、其制备方法及其显示面板 |
CN110473897B (zh) * | 2019-06-28 | 2024-02-27 | 福建华佳彩有限公司 | 一种内嵌式oled显示面板及其制作方法 |
CN110581140B (zh) * | 2019-08-12 | 2022-01-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板及其显示面板 |
CN110649068A (zh) * | 2019-09-02 | 2020-01-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法 |
CN110993666A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及电子装置 |
CN111106154A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-05-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制造方法 |
WO2021195972A1 (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN112002701A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板以及电子设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107910335A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-04-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示面板制作方法及显示装置 |
CN108288621A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 |
CN108493198A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置 |
CN108550612A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-09-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN108598091A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-09-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6673731B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2020-03-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-10-15 CN CN201811194127.6A patent/CN109378318B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107910335A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-04-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示面板制作方法及显示装置 |
CN108288621A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 |
CN108493198A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置 |
CN108598091A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-09-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
CN108550612A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-09-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109378318A (zh) | 2019-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109378318B (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
CN109065583B (zh) | 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板 | |
WO2016141709A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN110047899B (zh) | 显示面板、显示装置及制造方法 | |
CN111880344B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN109065616B (zh) | 柔性显示面板及制造方法 | |
EP3809463A1 (en) | Array substrate and method for manufacturing same, array substrate motherboard, display panel and display device | |
TWI477869B (zh) | 顯示面板之陣列基板及其製作方法 | |
CN109698160B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
CN109560087A (zh) | 一种tft阵列基板及其制备方法 | |
TWI460516B (zh) | 畫素結構及其製作方法 | |
CN109326612A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN108598091B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法 | |
CN104900655A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN108766992B (zh) | 一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法 | |
JP2013507771A (ja) | マスク・レベルを削減した金属酸化物fetの製造法 | |
CN101488479B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
JP4637120B2 (ja) | 液晶表示装置用下基板の製造方法 | |
CN113835557B (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
US20080048191A1 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
CN111446266B (zh) | 显示面板和显示面板的制备方法 | |
CN104952887A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN109411518B (zh) | 一种有机发光二极管显示器及其制作方法 | |
TW201413825A (zh) | 薄膜電晶體的製作方法 | |
JPH0823102A (ja) | 電子部品及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |