JP2013507771A - マスク・レベルを削減した金属酸化物fetの製造法 - Google Patents
マスク・レベルを削減した金属酸化物fetの製造法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013507771A JP2013507771A JP2012533188A JP2012533188A JP2013507771A JP 2013507771 A JP2013507771 A JP 2013507771A JP 2012533188 A JP2012533188 A JP 2012533188A JP 2012533188 A JP2012533188 A JP 2012533188A JP 2013507771 A JP2013507771 A JP 2013507771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- source
- gate
- thin film
- depositing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 146
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 102
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 102
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 22
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 23
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 ITO Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001345 ε-poly-D-lysine Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
AMOLED要素の他のバリエーションも利用することができるが、全てのバリエーションにおいて、一般に、個別の走査線およびデータ線、および相互接続トランジスタ、および透明導体が必要とされる。
オプションで、スペーサまたはバンク層35は、パターニング・マスクまたはエッチング・マスクとして使用され、37で示された領域内の不透明なS/D金属26およびオプションのバリア金属24がエッチング除去されて光透過(すなわちディスプレイ)領域になる。このオプションの段階は、例えば、透明ディスプレイまたは底部発光/反射ディスプレイにおいて用いられる。オプションの透明導体層38から成る透明電極が、半導体金属酸化物層16上の領域37に堆積される。オプションの透明導体層38が無くても、半導体金属酸化物層16が透明電極としての役割を果たすことは理解されるであろう。透明導体層38の1つの利点は、半導体金属酸化物層と比較して、その材料(例えばTCOまたは同種のもの)が一般に比較的硬く、したがって、列および行の駆動回路または同種のものを接続するための良好な接触パッドを形成する点である。
Claims (22)
- アクティブ・マトリクス・ディスプレイ用の薄膜トランジスタを、マスキング作業を削減して製作する方法において、前記方法は、
表面を有する基板を提供する段階と、
前記基板の前記表面上にゲート金属をパターン形成し、薄膜トランジスタのゲートを画定する段階と、
前記ゲートおよびその周囲の基板表面の上にゲート誘電体の層を形成する段階と、
前記ゲート誘電体の層上に半導体金属酸化物の層を堆積させる段階と、
前記ゲートの上方に重なる前記半導体金属酸化物上にチャネル保護層をパターン形成する段階であって、前記チャネル保護層はパターン形成されて前記ゲート上の前記半導体金属酸化物内にチャネル領域を画定し、かつ、前記半導体金属酸化物の残部を露出させる、段階と、
前記チャネル保護層および前記露出された半導体金属酸化物の上に、少なくとも1つのソース/ドレイン金属層を堆積させる段階と、
単一のエッチング段階で、前記ソース/ドレイン金属層を通って、前記ゲート上の前記チャネル保護層までエッチングして、前記ソース/ドレイン金属層を前記薄膜トランジスタのソース端子とドレイン端子とに分離し、かつ、前記薄膜トランジスタの周辺部で前記ソース/ドレイン金属層および前記半導体金属酸化物を通ってエッチングして、前記薄膜トランジスタを隔離する段階と、
前記隔離された薄膜トランジスタおよびその周囲の前記ソース/ドレイン金属層の一部上に、パターン形成された非導電性のスペーサ層を堆積させる段階と、
から構成されることを特徴とする方法。 - 前記スペーサ層をマスクとして使用して前記ソース/ドレイン金属層をエッチングし、前記薄膜トランジスタに隣接する光透過領域を画定し、前記光透過領域内の透明電極を露出させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記薄膜トランジスタの前記製作は、アクティブ・マトリクス・ディスプレイ内に複数の薄膜トランジスタを製作する段階を含み、前記アクティブ・マトリクス・ディスプレイは、データ線および走査線のマトリクスを含み、前記ゲート金属は前記走査線の1つに接続され、また、前記ソース/ドレイン金属は前記データ線の1つに接続されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記光透過領域内の前記透明電極は、前記アクティブ・マトリクス・ディスプレイ内の発光装置の電極であることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記発光装置は、液晶発光装置(LCD)および有機発光装置(OLED)のうちの1つを含むことを特徴とする請求項4記載の方法。
- 前記スペーサ層は、前記基板およびその上に形成された関連するコンポーネントを、前記アクティブ・マトリクス・ディスプレイ内の隣接する基板構造から分離するために配置されることを特徴とする請求項4記載の方法。
- 前記少なくとも1つのソース/ドレイン金属層を堆積させる段階は、前記ソース/ドレイン金属層を堆積させる前に、前記露出された半導体金属酸化物を堆積させる段階および前記チャネル保護層上に透明な酸化物の層を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つのソース/ドレイン金属層を堆積させる段階は、前記透明な酸化物の層上にバリア金属層を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記バリア金属層を堆積させる段階は、Mo、W、Cr、およびNiのうちの1つを堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項8記載の方法。
- アクティブ・マトリクス・ディスプレイ内に薄膜トランジスタのマトリクスを製作する方法において、前記アクティブ・マトリクス・ディスプレイは、データ線および走査線のマトリクスを含み、前記方法は、
表面を有する基板を提供する段階と、
前記基板の前記表面上にゲート金属をパターン形成して前記マトリクスの各薄膜トランジスタのゲートを画定し、さらに、前記マトリクスの各薄膜トランジスタの前記ゲートを選択された走査線に接続する段階と、
前記各ゲートおよびそれらの周囲の基板表面の上にゲート誘電体の層を形成する段階と、
前記ゲート誘電体の層上に半導体金属酸化物の層を堆積させる段階と、
前記各ゲートの上方に重なる前記半導体金属酸化物上にチャネル保護層をパターン形成する段階であって、前記チャネル保護層はパターン形成されて前記各ゲート上の前記半導体金属酸化物内にチャネル領域を画定し、かつ、前記半導体金属酸化物の残部を露出させる、段階と、
前記チャネル保護層および前記露出された半導体金属酸化物の上に、少なくとも1つのソース/ドレイン金属層を堆積させる段階と、
単一のエッチング段階で、前記ソース/ドレイン金属層を通って、前記各ゲート上の前記チャネル保護層までエッチングして、前記ソース/ドレイン金属層を前記薄膜トランジスタのソース端子とドレイン端子とに分離し、かつ、前記薄膜トランジスタの周辺部で前記ソース/ドレイン金属層および前記半導体金属酸化物を通ってエッチングして、前記マトリクスの前記各薄膜トランジスタを隔離し、さらに、前記ソース/ドレイン端子のそれぞれを前記データ線の1つに接続する、段階と、
前記隔離された薄膜トランジスタおよびその周囲の前記ソース/ドレイン金属層の一部上に、パターン形成された非導電性のスペーサ層を堆積させる段階と、
から構成されることを特徴とする方法。 - 前記スペーサ層をマスクとして使用して前記ソース/ドレイン金属層をエッチングし、前記薄膜トランジスタに隣接する光透過領域を画定し、前記光透過領域内の透明電極を露出させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項10記載の方法。
- 前記光透過領域内の前記透明電極は、前記アクティブ・マトリクス・ディスプレイ内の発光装置の電極であることを特徴とする請求項11記載の方法。
- 前記発光装置は、液晶発光装置(LCD)および有機発光装置(OLED)のうちの1つを含むことを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記スペーサ層は、前記基板およびその上に形成された関連するコンポーネントを、前記アクティブ・マトリクス・ディスプレイ内の隣接する基板構造から分離するために配置されることを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記少なくとも1つのソース/ドレイン金属層を堆積させる段階は、前記ソース/ドレイン金属層を堆積させる前に、前記露出された半導体金属酸化物を堆積させる段階および前記チャネル保護層上に透明な酸化物の層を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項11記載の方法。
- 前記少なくとも1つのソース/ドレイン金属層を堆積させる段階は、前記透明な酸化物の層上にバリア金属層を堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- 前記バリア金属層を堆積させる段階は、Mo、W、Cr、およびNiのうちの1つを堆積させる段階を含むことを特徴とする請求項16記載の方法。
- アクティブ・マトリクス・ディスプレイ用の1対の相互接続された薄膜トランジスタを、マスキング作業を削減して製作する方法において、前記方法は、
表面を有する基板を提供する段階と、
前記基板の前記表面上にゲート金属をパターン形成し、2つの離間した薄膜トランジスタ用ゲートを画定する段階と、
前記ゲート上にバリア金属の層を形成する段階と、
前記ゲートの1つの上にある前記バリア金属の表面上にビア・マスクをパターン形成してビアを画定し、さらに、前記ビア・マスクを使用して前記バリア金属をエッチングし、前記ビアを形成する段階と、
前記ビア・マスクをリフローして前記ビアの側面を被覆する段階と、
前記ゲートの前記金属を陽極処理し、前記ゲートの前記表面に、陽極処理された金属の層を画定する段階と、
前記ビア・マスクを除去する段階と、
前記ゲートのそれぞれに関連する、チャネルおよびソース/ドレイン端子を形成する段階と、
前記ビアを通って、前記ゲートの1つを前記ゲートの他のゲートの1つの前記ソース/ドレイン端子に接続する段階と、
から構成されることを特徴とする方法。 - 前記チャネルおよびソース/ドレイン端子を形成する段階は、
ゲート誘電体の層上に半導体金属酸化物の層を堆積させる段階と、
前記2つのゲートの各々の上方に重なる前記半導体金属酸化物上にチャネル保護層をパターン形成する段階であって、前記チャネル保護層はパターン形成されて、前記2つのゲートの各々の上の前記半導体金属酸化物内にチャネル領域を画定し、かつ、前記半導体金属酸化物の残部を露出させる、段階と、
前記チャネル保護層および前記露出された半導体金属酸化物の上に、少なくとも1つのソース/ドレイン金属層を堆積させる段階と、
単一のエッチング段階で、前記ソース/ドレイン金属層を通って、前記2つのゲートの各々の上の前記チャネル保護層までエッチングして、前記ソース/ドレイン金属層を前記薄膜トランジスタのソース端子とドレイン端子とに分離し、かつ、前記ソース/ドレイン金属層および前記1対の薄膜トランジスタの周辺部で前記半導体金属酸化物を通ってエッチングして、前記1対の薄膜トランジスタを隔離する、段階と、
前記分離された薄膜トランジスタおよびその周囲のソース/ドレイン金属層の上に非導電性スペーサ層をパターン形成する段階と、
マスクとして前記非導電性スペーサ層を使用して前記ソース/ドレイン金属層をエッチングし、前記1対の薄膜トランジスタに隣接する光透過領域を画定し、さらに、前記光透過領域内に透明電極を露出させる段階と、
を含むことを特徴とする請求項18記載の方法。 - 前記基板の前記表面上にゲート金属をパターン形成する段階は、AlおよびTaのうちの1つをパターン形成する段階を含むことを特徴とする請求項18記載の方法。
- 前記ビア・マスクをパターン形成する段階は、フォトリソグラフィを用いてパターン形成する段階を含み、前記ビア・マスクはフォトレジスト材料であることを特徴とする請求項18記載の方法。
- 前記ビア・マスクをリフローする段階は、前記フォトレジスト材料を柔軟にして、前記ビアの側面に部分的に流下させる段階を含むことを特徴とする請求項21記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/612,123 | 2009-11-04 | ||
US12/612,123 US8187929B2 (en) | 2009-11-04 | 2009-11-04 | Mask level reduction for MOSFET |
PCT/US2010/048264 WO2011056294A1 (en) | 2009-11-04 | 2010-09-09 | Mask level reduction for mofet |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013507771A true JP2013507771A (ja) | 2013-03-04 |
JP5670458B2 JP5670458B2 (ja) | 2015-02-18 |
Family
ID=43925866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012533188A Expired - Fee Related JP5670458B2 (ja) | 2009-11-04 | 2010-09-09 | マスク・レベルを削減した金属酸化物fetの製造法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8187929B2 (ja) |
EP (1) | EP2497107B1 (ja) |
JP (1) | JP5670458B2 (ja) |
KR (1) | KR20120099009A (ja) |
CN (1) | CN102598230B (ja) |
WO (1) | WO2011056294A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9401431B2 (en) * | 2009-04-21 | 2016-07-26 | Cbrite Inc. | Double self-aligned metal oxide TFT |
US9318614B2 (en) * | 2012-08-02 | 2016-04-19 | Cbrite Inc. | Self-aligned metal oxide TFT with reduced number of masks and with reduced power consumption |
CN102651340B (zh) * | 2011-12-31 | 2014-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种tft阵列基板的制造方法 |
CN104335113A (zh) * | 2012-05-26 | 2015-02-04 | 希百特股份有限公司 | 用于mofet的掩膜层级减少 |
US9070779B2 (en) * | 2012-12-18 | 2015-06-30 | Cbrite Inc. | Metal oxide TFT with improved temperature stability |
CN104241394A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及相应的制备方法、显示基板和显示装置 |
CN104362169B (zh) * | 2014-11-26 | 2017-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
US9647044B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-05-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode array substrate and manufacturing method thereof, and display device |
CN105116642B (zh) | 2015-09-24 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN114068407A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-02-18 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 控制tft基板上的过孔孔径大小的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005302808A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
JP2007157916A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
WO2008136505A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法 |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0139346B1 (ko) * | 1994-03-03 | 1998-06-15 | 김광호 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 |
EP1220187A4 (en) * | 1999-09-08 | 2005-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ELECTRIC CIRCUIT BOARD, TFT MATRIX SUBSTRATE THEREOF AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY |
TW508830B (en) * | 2001-08-28 | 2002-11-01 | Hannstar Display Corp | Thin film transistor structure having four procedures of mask processing and the manufacturing method |
JP4628693B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2011-02-09 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置用基板及びその製造方法並びにそれを備えた液晶表示装置 |
US7605026B1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-10-20 | Cbrite, Inc. | Self-aligned transparent metal oxide TFT on flexible substrate |
JP5292066B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2013-09-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US7879698B2 (en) * | 2008-03-24 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor |
US8394897B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-03-12 | Chevron Oronite Company Llc | Production of vinylidene-terminated polyolefins via quenching with monosulfides |
-
2009
- 2009-11-04 US US12/612,123 patent/US8187929B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-09 WO PCT/US2010/048264 patent/WO2011056294A1/en active Application Filing
- 2010-09-09 JP JP2012533188A patent/JP5670458B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-09 CN CN201080050111.3A patent/CN102598230B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-09 EP EP10828708.7A patent/EP2497107B1/en not_active Not-in-force
- 2010-09-09 KR KR1020127009549A patent/KR20120099009A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005302808A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
JP2007157916A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
WO2008136505A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法 |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102598230A (zh) | 2012-07-18 |
US8187929B2 (en) | 2012-05-29 |
US20110104841A1 (en) | 2011-05-05 |
JP5670458B2 (ja) | 2015-02-18 |
KR20120099009A (ko) | 2012-09-06 |
EP2497107A4 (en) | 2013-04-03 |
EP2497107B1 (en) | 2015-07-29 |
WO2011056294A1 (en) | 2011-05-12 |
CN102598230B (zh) | 2015-11-25 |
EP2497107A1 (en) | 2012-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5670458B2 (ja) | マスク・レベルを削減した金属酸化物fetの製造法 | |
WO2019169848A1 (en) | Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate | |
JP4139346B2 (ja) | 平板表示装置及びその製造方法 | |
TWI483036B (zh) | 陣列基板及其製作方法 | |
JP2007294951A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
JP2008129314A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP6526215B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
WO2020199548A1 (en) | Display panel, display apparatus, and method of fabricating display panel | |
JP2006018281A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板の製造方法 | |
KR20100021236A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 | |
CN105321958B (zh) | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | |
US9954015B2 (en) | Method of manufacturing thin film transistor array substrate | |
KR20100007561A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 | |
JP6196387B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
KR20130062122A (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
US8304772B2 (en) | Thin-film transistor array panel and method of fabricating the same | |
KR102367245B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2007142411A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
US8450160B2 (en) | Flattening method of a substrate | |
US20060054889A1 (en) | Thin film transistor array panel | |
JP2010114160A (ja) | 半導体素子およびその製造方法並びに表示装置 | |
JP2010078632A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
JP5202254B2 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
CN110596975A (zh) | 有源矩阵基板及其制造方法 | |
KR20080047166A (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130902 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131202 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140317 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140617 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140624 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140716 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140724 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140818 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5670458 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |