CN104362169B - 一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及到显示装置的技术领域，公开了一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括：衬底，设置在衬底上并沿远离衬底方向依次层叠设置的薄膜晶体管及有机发光二极管，其中，薄膜晶体管设置于衬底的不透光区域，发光二极管的有机电致发光层及第二电极延伸至衬底的透光区域，且有机电致发光层及衬底之间设置有填充层，填充层与衬底的折射率差值的绝对值在设定范围内。本发明实施例中，将薄膜晶体管设置在衬底的不透光区域，在透光区域内仅设置了填充层和有机电致发光层及第二电极，减少了光线传播时经过的介质的种类，同时，采用与衬底折射率相近似的填充层更进一步的提高了光线的透射率，从而提高了显示装置的显示效果。

Description

一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及到显示装置的技术领域，尤其涉及到一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED，即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，又称为有机电激光显示(Organic Electroluminesence Display,OELD)。OLED具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且OLED显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，OLED屏幕具备了许多LCD不可比拟的优势。
一般OLED组件的光都是由基板射出的，也就是下发光。而所谓的上发光(topemission)是指光不经过底下基板而是从另一边射出。如果基板之上为高反射的第一电极，而第二电极是透光的，则光是从表面的第二电极发出的。若第一电极材料使用传统的透光ITO第一电极并搭配透光第二电极，则组件的两面都会发光，也就是所谓的穿透式组件(transparent device)。
申请人发现：主动式OLED发光组件是由薄膜晶体管来控制的，薄膜晶体光上设置有不透光区域和透光区域，在测试发光组件的透过率时根据国标，假设不透光区域的面积为A1，透光区域的面积为A2，且透光区域的透过率为Ts1，则定义透过率为：这里如果Ts1提高，整个组件的透过率Ts就会提高。
发明内容
本发明提供了一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置，用以减少光线传播时经过的介质的种类，提高组件的透过率，同时提高了显示装置的显示效果。本发明提供了一种有机发光二极管阵列基板，包括：衬底，设置在所述衬底上并沿远离所述衬底方向依次层叠设置的薄膜晶体管及有机发光二极管，其中，所述薄膜晶体管设置于所述衬底的不透光区域，所述有机发光二极管包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极、有机电致发光层及第二电极，所述第一电极位于所述衬底的不透光区域且设置于所述薄膜晶体管的上方，所述有机电致发光层及所述第二电极延伸至所述衬底的透光区域，且所述有机电致发光层及所述衬底之间设置有位于所述衬底的透光区域内并与所述薄膜晶体管及所述第一电极相邻的填充层，所述填充层与所述衬底的折射率差值的绝对值在设定范围内。
在上述技术方案中，薄膜晶体管设置在衬底的不透光区域，在透光区域内仅设置了填充层、有机电致发光层及第二电极，减少了光线传播时经过的介质的种类，同时，采用与衬底折射率相近似的填充层更进一步的提高了光线的透射率，从而提高了显示装置的显示效果。
优选的，所述设定范围为0～0.3。使得填充层的折射率与衬底的折射率相近似，保证了更多的光线能够射出，提高了显示效果。
优选的，所述衬底为玻璃基板，所述填充层为丙烯基二甘醇碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯中的任一种。可以选择不同的材料来制作填充层。
优选的，还包括设置在所述薄膜晶体管与所述有机电致发光层之间的像素定义层。
优选的，所述薄膜晶体管包括有源层，设置在所述有源层上的栅极绝缘层，设置在所述栅极绝缘层上的栅极，设置在所述栅极上的中间绝缘层，设置在所述中间绝缘层上的源极和漏极。
优选的，还包括设置在所述衬底与所述薄膜晶体管之间的缓冲层。提高了薄膜晶体管的安全性。
优选的，所述有机发光二极管阵列基板还包括设置在所述源极和漏极及所述像素定义层之间的钝化层及平坦层。在制作时，方便像素定义层的设置。
本发明还提供了一种有机发光二极管阵列基板的制备方法，该方法包括以下步骤：
在衬底的不透光区域形成薄膜晶体管；
在所述衬底的透光区域形成填充层，且所述填充层与所述衬底的折射率差值的绝对值在设定范围内；
在所述薄膜晶体管和所述填充层上形成有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极、有机电致发光层及第二电极，所述第一电极位于所述衬底的不透光区域且设置于所述薄膜晶体管的上方，所述有机电致发光层及所述第二电极延伸至所述衬底的透光区域。
在上述方法中，薄膜晶体管设置在衬底的不透光区域，在透光区域内仅设置了填充层、有机电致发光层及第二电极，减少了光线传播时经过的介质的种类，同时，采用与衬底折射率相近似的填充层更进一步的提高了光线的透射率，从而提高了显示装置的显示效果。
优选的，在所述薄膜晶体管上形成有机发光二极管之前，还包括在所述薄膜晶体管上形成钝化层及平坦层。
本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一项所述的有机发光二极管阵列基板。
在上述方法中，薄膜晶体管设置在衬底的不透光区域，在透光区域内仅设置了填充层、有机电致发光层及第二电极，减少了光线传播时经过的介质的种类，同时，采用与衬底折射率相近似的填充层更进一步的提高了光线的透射率，从而提高了显示装置的显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的有机发光二极管阵列基板的结构示意图。
附图标记：
10-衬底 20-缓冲层 30-薄膜晶体管
31-有源层 32-栅极绝缘层 33-栅极
34中间绝缘层 35-源极和漏极 36-钝化层
37-平坦层 38-像素定义层 40-有机发光二极管
41-第一电极 42-有机电致发光层 43-第二电极
50-填充层
具体实施方式
为了提高有机发光二极管阵列基板的显示效果，本发明实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置，在本发明实施例的技术方案中，通过采用将薄膜晶体管等部件设置在不透光区域，并在透光区域填充上与衬底折射率相近似的材料，从而改善了光线的透过效果，提高了显示装置的显示效果。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下以非限制性的实施例为例对本发明作进一步详细说明。
如图1所示，图1示出了本发明实施例提供的有机发光二极管阵列基板的结构示意图。
本发明提供了一种有机发光二极管阵列基板，包括：衬底10，设置在衬底10上并沿远离衬底10方向依次层叠设置的薄膜晶体管30及有机发光二极管40，其中，薄膜晶体管30设置于衬底10的不透光区域，有机发光二极管40包括沿远离衬底10方向依次层叠设置的第一电极41、有机电致发光层42及第二电极43，第一电极41位于衬底10的不透光区域且设置于薄膜晶体管30的上方，有机电致发光层42及第二电极43延伸至衬底10的透光区域，且有机电致发光层4及衬底10之间设置有位于衬底10的透光区域内并与薄膜晶体管30及第一电极41相邻的填充层50，填充层50与衬底10的折射率差值的绝对值在设定范围内。在上述技术方案中，薄膜晶体管30设置在衬底10的不透光区域，在透光区域内仅设置了填充层50、有机电致发光层42及第二电极43，减少了光线传播时经过的介质的种类，同时，采用与衬底10折射率相近似的填充层50更进一步的提高了光线的透射率，从而提高了显示装置的显示效果。
在上述实施例中的阵列基板还包括设置在薄膜晶体管30与有机电致发光层42之间的像素定义层38。此外，该有机发光二极管阵列基板可以为下发光式及穿透式的显示装置的阵列基板，其中的第一电极41及第二电极43分别为阴极和阳极，其具体的设置根据有机发光二极管阵列基板的设计要求而定。如第一电极41为阳极，相应的第二电极43为阴极；或者第一电极41为阴极，相应的第二电极43为阳极。有机发光二极管40的有机电致发光层42发出的全部或部分光线经衬底10射出，在上述实施例中，通过将薄膜晶体管30及有机发光二极管40中的第一电极41设置在衬底10的不透光区域内，从而避免了光线在传播时在第一电极41及薄膜晶体管30中的传播，在衬底10的透光区域内仅有衬底10及填充层50，有机电致发光层42发射出的光线仅需经过填充层50以及衬底10后即可射出，并且填充层50与衬底10的折射率差值的绝对值在设定范围内，使得填充层50的折射率近似等于衬底10的折射率，减少了光线在填充层50与衬底10之间接触面上的反射，保证了更多的光线在接触面上发生折射，从而使得更多的光线能够射出，提高了显示装置的显示效果。
其中的衬底10可以为玻璃、石英、蓝宝石、树脂等常见的透明材料制作的基板，其中的有机发光二极管40包括上述第二电极43、第一电极41及设置在第二电极43和第一电极41之间的有机电致发光层42，有机电致发光层42射出的光线依次经过填充层50及衬底10后从衬底10的出光面射出。
通过上述描述可以看出，本实施例提供的显示装置采用的结构减少了光线传播时经过的介质的种类，同时，采用与衬底10折射率相近似的填充层50更进一步的提高了光线的透射率，从而提高了显示装置的显示效果。
具体的，设定范围为0～0.3。例如，在衬底10为玻璃基板时，玻璃基板的折射率为1.5，此时，该填充层50的折射率介于1.2～1.8之间，其具体折射率可以为1.2、1.3、1.4、1.45、1.5、1.55、1.6、1.7或1.8等任意介于1.2～1.8之间的数值。
在满足上述设定范围的填充层50可以选用不同的材料来制作，较佳的，在衬底10为玻璃基板时，填充层50可以为丙烯基二甘醇碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯中的任一种。其中，丙烯基二甘醇碳酸酯，简称CR-39，其物理特性有：折射率1.498，透过率92％。有机玻璃，简称PMMA，即聚甲基丙烯酸甲酯，其物理特性有：折射率1.49，透过率92％。聚碳酸酯，简称PC，其物理特性有：折射率1.585，透过率90％。上述几种材料的折射率均与衬底10的折射率相近似，从而保证了能够有更多的光线从衬底10上射出，提高了显示装置的显示效果。
上述实施例中的薄膜晶体管30可以采用不同的结构，具体的该薄膜晶体管可以包括有源层31，设置在有源层31上的栅极绝缘层32，设置在栅极绝缘层32上的栅极33，设置在栅极33上的中间绝缘层34，设置在所述中间绝缘层34上的源极和漏极35。其具体设置结构如图1所示，从其图中可以看出，上述具体结构均设置在显示装置的不透光区域内，在透光区域内，发光的有机电致发光层42与衬底10之间仅有填充层50，与现有技术相比，减少了光线穿过的介质的种类，提高了光线的穿透率，进而提高了显示装置的显示效果。
此外，为了提高整个装置的安全性，该有机发光二极管阵列基板还包括设置在衬底10与薄膜晶体管30之间的缓冲层20。
同时，该有机发光二极管阵列基板还包括设置在所述源极和漏极35及所述像素定义层38之间的钝化层36及平坦层37。通过平坦层37方便了在制作时形成像素定义层38。
本发明实施例还提供了一种上述有机发光二极管阵列基板的制备方法，该方法包括以下步骤：
在衬底的不透光区域形成薄膜晶体管；
在所述衬底的透光区域形成填充层，且所述填充层与所述衬底的折射率差值的绝对值在设定范围内；
在所述薄膜晶体管和所述填充层上形成有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极、有机电致发光层及第二电极，所述第一电极位于所述衬底的不透光区域且设置于所述薄膜晶体管的上方，所述有机电致发光层及所述第二电极延伸至所述衬底的透光区域。
在上述制备方法中，通过将薄膜晶体管设置在衬底的不透光区域，在透光区域内仅设置了填充层、有机电致发光层及第二电极，减少了光线传播时经过的介质的种类，同时，采用与衬底折射率相近似的填充层更进一步的提高了光线的透射率，从而提高了显示装置的显示效果。
在所述薄膜晶体管上形成有机发光二极管之前，还可以包括在所述薄膜晶体管上形成钝化层及平坦层。
为了方便对本方法的理解，下面对其制作步骤进行详细说明。
步骤一：在衬底的不透光区域形成缓冲层；
步骤二：在缓冲层上形成有源层；
步骤三：在有源层上形成栅极绝缘层；
步骤四：在栅极绝缘层上形成栅极；
步骤五：在栅极上形成中间绝缘层；
步骤六：在中间绝缘层上形成源极和漏极；
步骤七：在源极和漏极上依次形成层叠的钝化层及平坦层；
步骤七：在平坦层上形成第一电极；
步骤八：在第一电极上形成像素定义层；
步骤九：在衬底的透光区域形成填充层；
步骤十：在像素定义层及填充层上形成有机电致发光层；
步骤十一：在有机电致发光层上形成第二电极。
此外，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一种所述的有机发光二极管阵列基板。所述显示装置可以为：OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在上述实施例中，薄膜晶体管设置在衬底的不透光区域，在透光区域内仅设置了填充层、有机电致发光层及第二电极，减少了光线传播时经过的介质的种类，同时，采用与衬底折射率相近似的填充层更进一步的提高了光线的透射率，从而提高了显示装置的显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括：衬底，设置在所述衬底上并沿远离所述衬底方向依次层叠设置的薄膜晶体管及有机发光二极管，其中，所述薄膜晶体管设置于所述衬底的不透光区域，所述有机发光二极管包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极、有机电致发光层及第二电极，所述第一电极位于所述衬底的不透光区域且设置于所述薄膜晶体管的上方，所述有机电致发光层及所述第二电极延伸至所述衬底的透光区域，且所述有机电致发光层及所述衬底之间设置有位于所述衬底的透光区域内并与所述薄膜晶体管及所述第一电极相邻的单层填充层，所述填充层与所述衬底的折射率差值的绝对值在设定范围内。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述设定范围为0～0.3。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述衬底为玻璃基板，所述填充层为丙烯基二甘醇碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯中的任一种。
4.如权利要求1～3任一项所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述薄膜晶体管与所述有机电致发光层之间的像素定义层。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层，设置在所述有源层上的栅极绝缘层，设置在所述栅极绝缘层上的栅极，设置在所述栅极上的中间绝缘层，设置在所述中间绝缘层上的源极和漏极。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述源极和漏极及所述像素定义层之间的钝化层及平坦层。
7.如权利要求1～3任一项所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述衬底与所述薄膜晶体管之间的缓冲层。
8.一种有机发光二极管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底的不透光区域形成薄膜晶体管；
在所述衬底的透光区域形成填充层，且所述填充层与所述衬底的折射率差值的绝对值在设定范围内；
在所述薄膜晶体管和所述填充层上形成有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极、有机电致发光层及第二电极，所述第一电极位于所述衬底的不透光区域且设置于所述薄膜晶体管的上方，所述有机电致发光层及所述第二电极延伸至所述衬底的透光区域。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述薄膜晶体管上形成有机发光二极管之前，还包括在所述薄膜晶体管上形成钝化层及平坦层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的有机发光二极管阵列基板。
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