CN102881711A - 一种主动式oled - Google Patents

Abstract

本发明公开一种主动式OLED，包括数据线、电源供应线、扫描线、共通电极、数据TFT、电流TFT、有机发光层和透明电极层，数据TFT和电流TFT与数据线同层形成，共通电极的上方形成有机发光层，透明电极层覆盖有机发光层，数据线与电源供应线利用不同层金属制作并重叠，共通电极与数据线或扫描线同层形成。本发明的主动式OLED结构将数据线与电源供应线以不同层金属在同样位置进行配置，利用此架构可以减少金属线所占用的不透光区域，不论在顶发光OLED架构或底发光OLED架构中，都可以有效提升发光层的区域以提升OLED亮度。

Description

一种主动式OLED

技术领域

本发明属于电子技术领域，具体涉及一种主动式OLED。

背景技术

OLED，即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，又称为有机电激光显示(Organic Electroluminesence Display，OELD)。因为具备轻薄、省电等特性，因此从2003年开始，这种显示设备在MP3播放器上得到了广泛应用，而对于同属数码类产品的DC与手机，此前只是在一些展会上展示过采用OLED屏幕的工程样品，还并未走入实际应用的阶段。但OLED屏幕却具备了许多LCD不可比拟的优势。有机电激发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

OLED的基本驱动结构如图1，扫描线3’(Scanning Line)为第一TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶体管)控制数据线1’(Data Line)，再以数据线1’输入像素的信号为第二TFT控制电源供应线2’(Source Line)电流的输入。现有OLED结构的数据线1’(Data Line)与电流供应线2’(Source Line)多为同一层金属，在同一平面配置不透光的金属。数据线1’与电流供应线2’分别配置在有机发光层7’两侧使得第一TFT与第二TFT也分布于像素两侧会占用较多面积，影响到OLED亮度。

因此，需要一种新的OLED结构以解决上述问题。

发明内容

发明目的：本发明针对现有技术中现有OLED结构不透光之数据线与电流供应线，以及第一第二TFT配置在像素两侧影响发光区域的缺陷，提供一个数据线与电源供应线利用不同层金属制作并重叠的主动式OLED结构。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明的主动式OLED结构采用如下技术方案：

一种主动式OLED，包括数据线、电源供应线、扫描线、共通电极、数据TFT、电流TFT、有机发光层和透明电极层，所述数据TFT和电流TFT与所述数据线同层形成，所述共通电极的上方形成所述有机发光层，所述透明电极层覆盖所述有机发光层(7)，所述数据线与所述电源供应线利用不同层金属制作并重叠，所述共通电极与所述数据线或所述扫描线同层形成。。

进一步的，所述扫描线与所述数据线利用同一金属层形成。

进一步的，所述OLED为底发光OLED或顶发光OLED。

进一步的，所述数据TFT和所述电流TFT均由IGZO构成。

进一步的，所述数据TFT和电流TFT为顶栅结构或底栅结构。

进一步的，还包括数据TFT栅极和电流TFT栅极，所述数据TFT栅极和电流TFT栅极与所述扫描线同层形成。

有益效果：本发明的主动式OLED结构将数据线与电源供应线以不同层金属在同样位置进行配置，利用此架构可以减少金属线所占用的不透光区域，不论在顶发光OLED架构或底发光OLED架构中，都可以有效提升发光层的区域以提升OLED亮度。

本发明还提供了上述主动式OLED的制备方法。

本发明的主动式OLED的制备方法采用如下的技术方案：

一种主动式OLED的制备方法，包括以下步骤：

a、首先依序形成数据线、数据TFT以及电流TFT，然后形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上开设与数据TFT接触的第一接触孔；

b、在步骤a形成的第一绝缘层上利用扫描线金属形成扫描线、数据TFT栅极、电流TFT栅极、以及共通电极，其中，电流TFT栅极一端通过第一接触孔与数据TFT电性连接，电流TFT栅极的另一端位于电流TFT的上方，扫描线连接数据TFT栅极，电流TFT栅极与扫描线相互分离；；

c、在扫描线金属上覆盖保护层，并在数据TFT处形成第二接触孔，在电流TFT的两端分别形成第三接触孔和第四接触孔，共通电极与扫描线同层形成；

d、在步骤c形成的图案上形成电流供应线和有机发光层，并在有机发光层上形成透明电极层，其中，有机发光层形成在共通电极上，电流供应线通过第二接触孔和第三接触孔分别与数据TFT和电流TFT电性连接，透明电极层通过第四接触孔电性连接电流TFT，电流供应线与数据线利用不同层金属制作形成并重叠。

本发明的主动式OLED的制备方法还有另外一种实施方式。

一种主动式OLED的制备方法，包括以下步骤：

a、首先依序形成数据线、共通电极、数据TFT和电流TFT，然后形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上开设与数据线、电流TFT的两端和数据TFT的两端接触的接触孔，共通电极与数据线同层形成；

b、在第一绝缘层上利用扫描线金属形成扫描线、数据线栅极、数据TFT栅极和电流TFT栅极，数据线栅极的一端通过接触孔电性连接数据线，数据线栅极的另一端通过接触孔电性连接数据TFT，数据TFT栅极的一端位于数据TFT的上方，数据TFT栅极的另一端连接扫描线，电流TFT栅极的一端通过接触孔电性连接数据TFT，电流TFT栅极的另一端位于电流TFT的上方，电流TFT栅极与扫描线相互分离；

c、在扫描线金属上覆盖保护层，并在电流TFT处形成接触孔，在共通电极上形成有机发光层；

d、在步骤c形成的图案上形成电流供应线和透明电极层，电流供应线通过接触孔电流TFT电性连接，透明电极层连接电流TFT并覆盖有机发光层，透明电极层通过接触孔与电流TFT电性连接，电流供应线与数据线利用不同层金属制作形成并重叠。

本发明主动式OLED的制备方法简单，通过将电流供应线与数据线利用不同层金属制作形成并重叠，将共通电极与扫描线或数据线同层形成，利用此架构可以减少金属线所占用的不透光区域，不论在顶发光OLED架构或底发光OLED架构中，都可以有效提升发光层的区域以提升OLED亮度。

附图说明

图1是现有技术的OLED的结构示意图；

图2是实施例1的主动式OLED结构的结构示意图；

图3是实施例1的主动式OLED结构的A-A’剖面图；

图4是实施例2的主动式OLED结构的结构示意图；

图5是实施例2的主动式OLED结构的B-B’剖面图；

图6是实施例1的步骤a的结构示意图；

图7是实施例1的步骤a的A-A’剖面图；

图8是实施例1的步骤b的结构示意图；

图9是实施例1的步骤b的A-A’剖面图；

图10是实施例1的步骤c的结构示意图；

图11是实施例1的步骤c的A-A’剖面图；

图12是实施例1的步骤d的结构示意图；

图13是实施例1的步骤d的A-A’剖面图；

图14是实施例2的步骤a的结构示意图；

图15是实施例2的步骤a的B-B’剖面图；

图16是实施例2的步骤b的结构示意图；

图17是实施例2的步骤b的B-B’剖面图；

图18是实施例2的步骤c的结构示意图；

图19是实施例2的步骤c的B-B’剖面图；

图20是实施例2的步骤d的结构示意图；

图21是实施例2的步骤d的B-B’剖面图；

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

一种主动式OLED，包括数据线1、电源供应线2、扫描线3、共通电极4、数据TFT5、电流TFT6、有机发光层7和透明电极层8，数据TFT5和电流TFT6与数据线1同层形成，共通电极4的上方形成有机发光层7，透明电极层8覆盖有机发光层7，数据线1与电源供应线2利用不同层金属制作并重叠，共通电极4与数据线1或扫描线3同层形成。其中，扫描线3与数据线1也可利用同一金属层形成。OLED为底发光OLED或顶发光OLED。数据TFT5和电流TFT6均由IGZO构成。数据TFT5和电流TFT6为顶栅结构或底栅结构。其中，数据线1、电源供应线2、扫描线3和共通电极4构成金属层．数据TFT5和电流TFT6构成TFT半导体层，其中，数据TFT5和电流TFT6上覆盖有保护层9。共同电极4的上方设置有有机发光层7，有机发光层7的上方覆盖透明电极8。还包括数据TFT栅极31和电流TFT栅极32，数据TFT栅极31和电流TFT栅极32与扫描线3同层形成。

实施例1

请参阅图2和图3所示，为共通电极4与扫描线3同层架构。

具体制造步骤为：

a、请参阅图6和图7所示，首先依序形成数据线1、数据TFT5以及电流TFT6，然后形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上开设与数据TFT5接触的第一接触孔51；其中，电流TFT5和数据TFT6的材料为IGZO。IGZO(indium gallium zincoxide)为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。

其中，数据TFT5和电流TFT6均位于数据线1的同侧，数据TFT5与数据线1相连接，电流TFT6与数据线1相互分离；电流TFT6位于数据TFT5的一侧，且与数据TFT5相互分离，其中，数据TFT5和电流TFT6均垂直于数据线1。

b、请参阅图8和图9所示，在第一绝缘层上利用扫描线金属形成扫描线3、数据TFT栅极31、电流TFT栅极32、以及共通电极4；其中，电流TFT栅极32一端通过第一接触孔51与数据TFT5电性连接，电流TFT栅极32的另一端位于电流TFT6的上方。其中，扫描线3连接数据TFT栅极31，电流TFT栅极32与扫描线3相互分离；扫描线3和共通电极4均连接数据线1，共通电极4位于电流TFT6的一侧，共通电极4的两侧均设置有扫描线3，且共通电极4两侧的扫描线3均连接数据线1。此时，共通电极4与扫描线3同层形成。

c、请参阅图10和图11所示，在扫描线金属上覆盖保护层9，并在数据TFT5处形成第二接触孔91，在电流TFT6的两端分别形成第三接触孔92和第四接触孔93，其中，第三接触孔92靠近数据线1，第四接触孔93远离数据线1。

d、请参阅图12和图13所示，在步骤c形成的图案的基础上形成电流供应线2和有机发光层7，并在有机发光层7上形成与电流TFT6电性连接的透明电极层8，其中，电流供应线2通过第二接触孔91和第三接触孔92分别与数据TFT5和电流TFT6电性连接，透明电极层8通过第四接触孔93电性连接电流TFT6；其中，电流供应线2的位置与数据线1的位置重叠，电流供应线2与数据线1利用不同层金属制作并重叠。有机发光层7在共通电极4上形成，透明电极层8电性连接电流TFT6并覆盖有机发光层7。

实施例2

请参阅图4和图5所示，为共通电极4与数据线1同层架构。

具体制造步骤为：

a、请参阅图14和图15所示，首先依序形成数据线1、共通电极4、电流TFT6和数据TFT5，然后形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上开设与数据线1、电流TFT6的两端和数据TFT5的两端接触的接触孔；其中，电流TFT6和数据TFT5的材料为IGZO。IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。其中，电流TFT6、数据TFT5和共通电极4均位于数据线1的同侧且均与数据线1相互分离，其中，数据TFT5垂直于数据线1，电流TFT6平行于数据线1。此时，共通电极4与数据线1同层形成。

b、请参阅图16和图17所示，在第一绝缘层上利用扫描线金属形成扫描线3、数据线栅极30、数据TFT栅极31和电流TFT栅极32；其中，数据线栅极30的一端通过接触孔电性连接数据线1，数据线栅极30的另一端通过接触孔电性连接数据TFT5；数据TFT栅极31的一端位于数据TFT5的上方，数据TFT栅极31的另一端连接扫描线3；电流TFT栅极32的一端通过接触孔电性连接数据TFT5，电流TFT栅极32的另一端位于电流TFT6的上方，其中，电流TFT栅极32与扫描线3相互分离；

c、请参阅图18和图19所示，在扫描线金属上覆盖保护层9，并在电流TFT6处形成接触孔，在共通电极4上形成有机发光层7；

d、请参阅图20和图21所示，在步骤c形成的图案的基础上形成电流供应线2和透明电极层8，电流供应线2通过接触孔电流TFT6电性连接，透明电极层8连接电流TFT6并覆盖有机发光层7，其中，透明电极层8通过接触孔与电流TFT6电性连接，其中电流供应线2的位置与数据线1的位置重叠，即电流供应线2与数据线1利用不同层金属制作并重叠。

本发明的主动式OLED结构将数据线1与电源供应线2以不同层金属在同样位置进行配置，利用此架构可以让OLED驱动架构中之数据TFT5与电流TFT6往数据线1与电源供应线2靠近，可以减少不透光之区域，不论在顶发光或底发光之架构中，都可以有效提升发光层区域以提升OLED亮度。

Claims (8)

1.一种主动式OLED，包括数据线(1)、电源供应线(2)、扫描线(3)、共通电极(4)、数据TFT(5)、电流TFT(6)、有机发光层(7)和透明电极层(8)，所述数据TFT(5)和电流TFT(6)与所述数据线(1)同层形成，所述共通电极(4)的上方形成所述有机发光层(7)，所述透明电极层(8)覆盖所述有机发光层(7)，其特征在于，所述数据线(1)与所述电源供应线(2)利用不同层金属制作并重叠，所述共通电极(4)与所述数据线(1)或所述扫描线(3)同层形成。

2.如权利要求1所述的主动式OLED，其特征在于，所述扫描线(3)与所述数据线(1)利用同一金属层形成。

3.如权利要求1所述的主动式OLED，其特征在于，所述OLED为底发光OLED或顶发光OLED。

4.如权利要求4所述的主动式OLED，其特征在于，所述数据TFT(5)和电流TFT(6)为顶栅结构或底栅结构。

5.如权利要求4所述的主动式OLED，其特征在于，所述数据TFT(5)和所述电流TFT(6)均由IGZO构成。

6.如权利要求1所述的主动式OLED，其特征在于，还包括数据TFT栅极(31)和电流TFT栅极(32)，所述数据TFT栅极(31)和电流TFT栅极(32)与所述扫描线(3)同层形成。

7.一种主动式OLED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、首先依序形成数据线(1)、数据TFT(5)以及电流TFT(6)，然后形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上开设与数据TFT(5)接触的第一接触孔(51)；

b、在步骤a形成的第一绝缘层上利用扫描线金属形成扫描线(3)、数据TFT栅极(31)、电流TFT栅极(32)、以及共通电极(4)，其中，电流TFT栅极(32)一端通过第一接触孔(51)与数据TFT(5)电性连接，电流TFT栅极(32)的另一端位于电流TFT(6)的上方，扫描线(3)连接数据TFT栅极(31)，电流TFT栅极(32)与扫描线(3)相互分离；；

c、在扫描线金属上覆盖保护层(9)，并在数据TFT(5)处形成第二接触孔(91)，在电流TFT(6)的两端分别形成第三接触孔(92)和第四接触孔(93)，共通电极(4)与扫描线(3)同层形成；

d、在步骤c形成的图案上形成电流供应线(2)和有机发光层(7)，并在有机发光层(7)上形成透明电极层(8)，其中，有机发光层(7)形成在共通电极(4)上，电流供应线(2)通过第二接触孔(91)和第三接触孔(92)分别与数据TFT(5)和电流TFT(6)电性连接，透明电极层(8)通过第四接触孔(93)电性连接电流TFT(6)，电流供应线(2)与数据线(1)利用不同层金属制作形成并重叠。

8.一种主动式OLED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、首先依序形成数据线(1)、共通电极(4)、数据TFT(5)和电流TFT(6)，然后形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上开设与数据线(1)、电流TFT(6)的两端和数据TFT(5)的两端接触的接触孔，共通电极(4)与数据线(1)同层形成；

b、在第一绝缘层上利用扫描线金属形成扫描线(3)、数据线栅极(30)、数据TFT栅极(31)和电流TFT栅极(32)，数据线栅极(30)的一端通过接触孔电性连接数据线(1)，数据线栅极(30)的另一端通过接触孔电性连接数据TFT(5)，数据TFT栅极(31)的一端位于数据TFT(5)的上方，数据TFT栅极(31)的另一端连接扫描线(3)，电流TFT栅极(32)的一端通过接触孔电性连接数据TFT(5)，电流TFT栅极(32)的另一端位于电流TFT(6)的上方，电流TFT栅极(32)与扫描线(3)相互分离；

c、在扫描线金属上覆盖保护层(9)，并在电流TFT(6)处形成接触孔，在共通电极(4)上形成有机发光层(7)；

d、在步骤c形成的图案上形成电流供应线(2)和透明电极层(8)，电流供应线(2)通过接触孔电流TFT(6)电性连接，透明电极层(8)连接电流TFT(6)并覆盖有机发光层(7)，透明电极层(8)通过接触孔与电流TFT(6)电性连接，电流供应线(2)与数据线(1)利用不同层金属制作形成并重叠。

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