KR101797293B1 - 유기 발광 다이오드 어레이 기판 및 그 제조 방법과 디스플레이 디바이스 - Google Patents

유기 발광 다이오드 어레이 기판 및 그 제조 방법과 디스플레이 디바이스 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예들은 유기 발광 다이오드 어레이 기판 및 그 제조 방법과 디스플레이 디바이스를 개시하고 있다. 이 어레이 기판은 베이스 기판, 베이스 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터, 유기 발광 다이오드 및 필링층을 포함하고, 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함하며, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역에는, 베이스 기판, 필링층 및 유기 발광 다이오드의 유기 발광층이 순차적으로 인접하도록 배치된다.

Description

유기 발광 다이오드 어레이 기판 및 그 제조 방법과 디스플레이 디바이스{ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE}
본 발명의 실시예들은 유기 발광 다이오드 어레이 기판 및 그 제조 방법과 디스플레이 디바이스에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 또한 유기 전계 발광 디스플레이(OELD)로서 알려져 있다. 자기 발광 특성을 갖는 OLED는 매우 얇은 유기 재료 코팅 및 유리 기판을 가지며; 전류가 통과할 경우, 유기 재료는 광을 방사할 것이고; 게다가, OLED 디스플레이는 시야각이 크고, 전기 에너지를 현저하게 절약할 수 있기에, OLED 스크린은 액정 디스플레이(LCD)에 비할 데 없는 많은 이점을 가지고 있다.
일반적으로, OLED 디바이스의 광은 항상 하부 기판으로부터 방사되는, 즉, 후면 발광 방식(bottom emission)이다. 그리고 소위 전면 발광 방식(top emission)은, 광이 하부 기판을 통과하지 못하지만, 그에 대향하는 상측에서 나가는 것을 지칭한다. 만일 기판 상에, 높은 반사성의 제1 전극이 있고, 제2 전극은 광투과성을 갖는 경우, 외부 제2 전극으로부터 광이 나간다. 제1 전극이 광투과성의 제2 전극과 조합하여 종래의 광투과성 ITO로 이루어져 있다면, 디바이스의 양 측면에서 광이 방사될 것이다.
본 발명의 일 실시예는 베이스 기판, 베이스 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터, 유기 발광 다이오드 및 필링층을 포함하고, 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함하고, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에는, 박막 트랜지스터가 배치되고; 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역에는, 베이스 기판, 필링층 및 유기 발광 다이오드의 유기 발광층이 순차적으로 인접하도록 배치된 유기 발광 다이오드 어레이 기판을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예는 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법을 제공하며, 이 유기 발광 다이오드 어레이 기판은 박막 트랜지스터와 유기 발광 다이오드를 포함하고, 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과제2 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함하고, 본 방법은,
베이스 기판의 제1 영역에 필링층 -필링층은 베이스 기판에 인접함- 을 형성하는 단계; 및
필링층상에 직접 유기 발광 다이오드의 유기 발광층의 일부를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 실시예는 상술한 유기 발광 다이오드 어레이 기판을 포함하는 디스플레이 디바이스를 제공한다.
본 개시 내용의 실시예들의 기술적인 해결책을 명확하게 예시하기 위하여, 실시예들의 도면들은 이하 간략하게 묘사될 것이며; 이러한 도면들은 단지 본 개시 내용의 일부 실시예들에만 연관되기 때문에 개시 내용을 제한하는 것은 아니라는 것은 명확하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의해 제공된 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 개략적인 구조도이다.
이하, 본 개시 내용의 실시예들에 관련되는 도면들과 관련하여 분명하고 충분히 이해될 수 있는 방식으로 본 개시 내용의 실시예들의 기술적 해결책들이 설명될 것이다. 기재된 실시예들은 본 개시 내용의 실시예들의 일부일 뿐이며 전부가 아니라는 점이 자명하다. 본 명세서에 설명된 실시예들에 기초하여, 본 분야의 숙련된 자라면, 임의의 독창적인 작업없이, 본 개시 내용의 범위 내에 있을 기타 실시예(들)를 얻을 수 있다.
본 출원인은 본 명세서에서 활성 OLED의 발광 디바이스의 각각의 화소는 박막 트랜지스터에 의해 제어되고, 각 화소에는 비투광 영역 및 투광 영역이 제공된다는 것을 알아냈다. 발광 디바이스의 투과율이 국제 표준에 따라 테스트될 경우, 투과율은
Figure 112015093913724-pat00001
로서 정의되고, 여기서 A1은 비투광 영역의 면적이고, A2는 투광 영역의 면적이며, Ts1은 투광 영역의 투과율이기에, Ts1이 증가할 경우, 전체 디바이스의 투과율 Ts은 증가할 것이다.
유기 발광 다이오드 어레이 기판의 디스플레이 효과를 향상시키기 위해, 본 발명의 실시예들은 유기 발광 다이오드 어레이 기판 및 그 제조 방법과 디스플레이 디바이스를 제공한다. 본 발명의 실시예들의 기술적 해결책에서, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역에 베이스 기판, 필링 층 및 유기 발광층의 순차적으로 인접한 구조를 형성함으로써, 광의 투과 효과(transmissive effect)가 향상된다. 게다가, 필링 층은 베이스 기판의 굴절률과 근사치의 굴절률을 갖는 재료로 이루어지기에, 투광 영역에서의 광의 투과율을 더욱 향상시키고, 디스플레이 디바이스의 디스플레이 효과를 향상시킨다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의해 제공된 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 개략적인 단면 구조도를 나타낸다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의해 제공된 유기 발광 다이오드 어레이 기판은 베이스 기판(10)과, 이 베이스 기판(10)으로부터 떨어진 방향으로 베이스 기판(10) 상에 적층 방식으로 순차적으로 배치된 박막 트랜지스터(30) 및 유기 발광 다이오드(40)를 포함하고, 박막 트랜지스터(30)는 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에 배치된다. 유기 발광 다이오드(40)는 베이스 기판(10)으로부터 떨어진 방향으로 적층 방식으로 순차적으로 배치된 제1 전극(41), 유기 발광층(42) 및 제2 전극(43)을 포함한다. 제1 전극(41)은 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에 위치하며 박막 트랜지스터(30) 위에 배치된다. 유기 발광층(42)과 제2 전극(43)은 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역까지 연장되며, 투광 영역내에 위치한 필링층(filling layer)(50)은 유기 발광층(42)과 베이스 기판(10) 사이에 배치되고, 게다가, 필링층(50)은 상부가 유기 발광층(42)과 인접하고, 하부는 베이스 기판(10)과 인접한다. 여기서, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역은 주변 가시광이 통과할 수 없는 영역을 지칭하며; 이에 상응하여, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역은 주변 가시광이 통과할 수 있는 영역을 지칭한다. 필링층(50)과 베이스 기판(10)간의 굴절률 차이의 절대값은 선정된 범위내에 있다. 박막 트랜지스터(30)와 제1 전극(41)은 필링층(50)의 동일한 측면에 적층되도록 형성되고, 박막 트랜지스터(30)와 제1 전극(41)의 두께의 합은 필링층(50)의 두께보다 크지 않다. 일례에서, 필링층(50)은 박막 트랜지스터(30)와 제1 전극(41)에 인접해 있다. 상술한 기술적 해결책에서, 박막 트랜지스터(30)는 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에 배치되고, 필링층(50), 유기 발광층(42) 및 제2 전극(43)만 투광 영역에 배치되어, 투과되는 동안 광이 통과하는 매체의 종류의 수를 감소시키고, 광의 투과 효과를 더욱 향상시킨다. 또한, 베이스 기판(10)의 굴절률과 근사치의 굴절률을 갖는 필링층(50)의 사용은 광의 투과율을 더욱 향상시켜서, 디스플레이 디바이스의 디스플레이 효과를 향상시킨다.
본 발명의 실시예들에 의해 제공된 유기 발광 다이오드 어레이 기판들은 디스플레이 윈도우 등과 같은 투명 디스플레이에 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예에 의해 제공된 유기 발광 다이오드 어레이 기판에서, 비투광 영역은 유기 발광 다이오드에 의해 화상을 디스플레이하는데 사용될 수 있고, 투광 영역은 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 후방측(즉, 뷰어에 대향하는 측)에 위치한 물체를 뷰어(viewer)가 볼 수 있도록 주변 가시광의 투과에 사용될 수 있다. 따라서, 뷰어는 유기 발광 다이오드 어레이 기판에 의해 디스플레이되는 화상을 볼 수 있고, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 후방에 있는 물체를 볼 수 있다.
상술한 실시예에서의 어레이 기판은 박막 트랜지스터(30)와 유기 발광층(42)간에 배치된 화소 정의층(38)을 더 포함한다. 유기 발광 다이오드 어레이 기판에 대한 설계 요구사항에 따르면, 제1 전극(41)과 제2 전극(43)은 각각 캐소드와 애노드이거나, 제1 전극(41)과 제2 전극(43)은 각각 애노드와 캐소드이다. 예를 들어, 제1 전극(41)은 애노드이고, 그에 따라 제2 전극(43)은 캐소드이거나; 제1 전극(41)이 캐소드이고, 그에 따라 제2 전극(43)은 애노드이다. 유기 발광 다이오드(40)의 유기 발광층(42)으로부터 방사된 광의 전부 또는 일부는 위쪽 방향으로 배출된다. 상술한 실시예에서, 유기 발광 다이오드(40)의 박막 트랜지스터(30)와 제1 전극(41)은 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에 제공되어 화상을 디스플레이하고; 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역에는 필링층(50), 유기 발광층(42) 및 제2 전극(43)만이 존재하기 때문에, 광이 통과하는 매체의 종류의 개수를 감소시키고 광의 투과 효과를 향상시킨다. 또한, 필링층(50)과 베이스 기판(10)간의 굴절률 차이의 절대값은 선정된 범위 이내이기에, 필링층(50)의 굴절률은 베이스 기판(10)의 굴절률과 거의 동일하게 되어, 필링층(50)과 베이스 기판(10)간의 접촉면상의 광의 반사를 감소시키고, 접촉면상에서 더 많은 광이 굴절되는 것을 보장하여, 더 많은 광이 배출되고, 디스플레이 디바이스의 디스플레이 효과를 더욱 향상시킨다.
여기서, 베이스 기판(10)은 유리, 석영, 사파이어 및 수지와 같은 공통 투명 재료로 이루어진 기판일 수 있다.
상술한 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 실시예에 의해 제공된 디스플레이 디바이스의 구조는 투과되는 동안 광이 통과하는 매체의 종류의 개수를 감소시키고 광의 투과 효과를 향상시킨다. 또한, 베이스 기판(10)의 굴절률과 근사치의 굴절률을 갖는 필링층(50)의 사용은 광의 투과율를 더욱 향상시켜서, 디스플레이 디바이스의 디스플레이 효과를 향상시킨다.
필링층(50)과 베이스 기판(10)간의 굴절률 차이의 절대값의 선정된 범위는 0-0.3이다. 예를 들어, 베이스 기판(10)이 유리 기판일 경우, 유리 기판의 굴절률은 1.5이고, 그에 따라 필링층(50)의 굴절률은 1.2-1.8 이내이며, 그 굴절률은 1.2-1.8내의 임의의 값, 예를 들면, 1.2, 1.3, 1.4, 1.45, 1.5, 1.55, 1.6, 1.7, 1.8 등일 수 있다.
상술한 선정된 범위에 부합하는 필링층(50)은 상이한 재료들로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 베이스 기판(10)이 유리 기판일 경우, 필링층(50)은 프로페닐 디글리콜 카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트 또는 폴리카보네이트 중 어느 하나일 수 있다. 그 가운데에, 프로페닐 디글리콜 카보네이트는 CR-39로서 간략하게 지칭될 수 있으며, 그 물리적 특성은 굴절률이 1.498이고 투과율이 92％이다. 유기 유리는 PMMA, 즉, 폴리메틸 메타크릴레이트로서 간략하게 지칭될 수 있으며, 그 물리적 특성은 굴절률이 1.49이고 투과율이 92％이다. 폴리카보네이트는 PC로서 간략하게 지칭될 수 있으며, 그 물리적 특성은 굴절률이 1.585이고 투과율이 90％이다. 상술한 여러 재료들의 굴절률들은 더 많은 광이 광투과 영역으로부터 배출될 수 있도록 보장하기 위하여, 베이스 기판(10)의 굴절률에 근사치를 가지며, 디스플레이 디바이스의 디스플레이 효과를 향상시킨다.
예를 들어, 박막 트랜지스터는 도 1에 나타낸 바와 같이, 활성층(31), 활성층(31) 상에 배치된 게이트 절연층(32), 게이트 절연층(32) 상에 배치된 게이트 전극(33), 게이트 전극(33) 상에 배치된 중간 절연층(34), 중간 절연층(34) 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극(35)을 포함할 수 있다. 상술한 실시예에서의 박막 트랜지스터(30)는 또한 상이한 구조일 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 박막 트랜지스터(30)는 디스플레이 디바이스의 비투광 영역에 전체적으로 배치되는 반면, 투광 영역에서는, 유기 발광층(42)과 베이스 기판(10) 사이에 필링층(50)만이 존재한다. 종래 기술에 비해, 본 출원의 실시예에 의해 제공된 유기 발광 다이오드 어레이 기판은 어레이 기판으로부터 배출되기 전에, 광이 통과되는 매체의 종류의 수를 감소시킬 수 있기 때문에, 광의 투과율을 향상시키고, 디스플레이 디바이스의 디스플레이 효과를 더욱 향상시킨다.
또한, 전체 디바이스의 안전성을 향상시키기 위해, 유기 발광 다이오드 어레이 기판은 베이스 기판(10)과 박막 트랜지스터(30) 사이에 배치된 버퍼층(20)을 더 포함한다.
한편, 유기 발광 다이오드 어레이 기판은 소스 전극은 물론 드레인 전극(35)과 화소 정의층(38) 사이에 배치된 패시베이션층(36) 및 평탄화층(37)을 더 포함한다. 평탄화층(37)은 제조하는 동안 화소 정의층(38)의 형성을 용이하게 한다.
상술한 실시예에서는, 박막 트랜지스터(30)가 유기 발광 다이오드(40)와 베이스 기판(10) 사이에 배치된다고 할지라도, 다른 실시예에서, 유기 발광 다이오드(40)가 박막 트랜지스터(30)와 베이스 기판(10) 사이에 배치될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명의 실시예는 상술한 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법을 더 제공한다. 본 방법은,
베이스 기판의 제1 영역에 필링층을 형성하는 단계 -필링층과 베이스 기판 사이의 굴절률 차이의 절대값은 선정된 범위 이내임- ;
베이스 기판의 제2 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및
박막 트랜지스터 및 필링층 상에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함하고, 유기 발광 다이오드는 베이스 기판으로부터 떨어진 방향으로 적층 방식으로 순차적으로 배치된 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 포함하고, 제1 전극은 베이스 기판의 제2 영역에 위치하고 박막 트랜지스터 위에 배치되고, 유기 발광층 및 제2 전극은 베이스 기판의 제1 영역까지 연장된다. 여기서, 베이스 기판의 제1 영역 및 제2 영역은 각각 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역 및 비투광 영역에 대응한다.
상술한 제조 방법에서, 박막 트랜지스터는 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에 배치되고, 필링층, 유기 발광층 및 제2 전극만이 투광 영역에 배치되어, 어레이 기판의 투광 영역내에서 이동하는 동안 광이 통과하는 매체의 종류의 수를 감소시켜서, 광의 투과율을 향상시킨다. 또한, 베이스 기판의 굴절률과 근사치의 굴절률을 갖는 필링층의 사용은 광의 투과율을 더욱 향상시키고 디스플레이 디바이스의 디스플레이 효과도 더욱 향상시킨다.
박막 트랜지스터 상에 유기 발광 다이오드를 형성하기 전에, 본 방법은 박막 트랜지스터 상에 패시베이션층과 평탄화층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
실시예에서, 상술한 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법은 다음 단계를 포함한다:
1 단계: 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에 대응하는 베이스 기판의 영역에 버퍼층을 형성한다;
2 단계: 버퍼층 상에 활성층을 형성한다;
3 단계: 활성층 상에 게이트 절연층을 형성한다;
4 단계: 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성한다;
5 단계: 게이트 전극 상에 중간 절연층을 형성한다;
6 단계: 충간 절연층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다;
7 단계: 소스 전극 및 드레인 전극 상에 적층되는 패시베이션층 및 평탄화층을 순차적으로 형성한다;
8 단계: 평탄화층 상에 제1 전극을 형성한다;
9 단계: 제1 전극 상에 화소 정의층을 형성한다;
10 단계: 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역에 대응하는 베이스 기판의 영역에 필링층을 형성한다;
11 단계: 화소 정의층과 필링층 상에 유기 발광층을 형성한다;
12 단계: 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성한다.
게다가, 본 발명의 실시예는 투명 디스플레이에 사용될 수 있는, 상술한 유기 발광 다이오드 어레이 기판들 중 임의의 것을 포함하는 디스플레이 디바이스를 더 제공한다. 디스플레이 디바이스는 OLED 패널, 휴대폰, 태블릿 개인용 컴퓨터, 텔레비전, 모니터, 랩톱, 디지털 사진 프레임, 내비게이터, 및 표시 기능을 갖는 임의의 다른 제품 또는 구성요소일 수 있다.
상술한 실시예들에서, 박막 트랜지스터는 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에 배치되고, 필링층, 유기 발광층 및 제2 전극만이 투광 영역에 배치되어, 투과되는 동안 광이 통과하는 매체의 종류의 수를 감소시키고, 한편, 베이스 기판의 굴절률과 근사치의 굴절률을 갖는 필링층의 사용은 광의 투과율을 더욱 향상시켜서, 디스플레이 디바이스의 디스플레이 효과를 향상시킨다.
상술한 설명에 따르면, 구조 및 방법은 본 발명의 실시예들에 따라 다음과 같이 적어도 제공될 수 있다.
(1) 유기 발광 다이오드 어레이 기판은, 베이스 기판, 베이스 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터, 유기 발광 다이오드 및 필링층을 포함하고, 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함하고, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에는, 박막 트랜지스터가 배치되고; 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역에는, 베이스 기판, 필링층 및 유기 발광 다이오드의 유기 발광층이 순차적으로 인접하도록 배치된다.
(2) (1)에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판에서, 필링층과 베이스 기판간의 굴절률 차이의 절대값은 선정된 범위 이내이다.
(3) (1) 또는 (2)에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판에서, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역내에 그리고 박막 트랜지스터 위에는 유기 발광 다이오드의 제1 전극이 위치하고, 투광 영역 및 비투과 영역내에는 유기 발광 다이오드의 유기 발광층 및 제2 전극이 배치된다.
(4) (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판에서, 선정된 범위는 0-0.3이다.
(5) (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판에서, 베이스 기판은 유리 기판이고, 필링층은 프로페닐 디글리콜 카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트 또는 폴리카보네이트 중 어느 하나이다.
(6) (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판에서, 박막 트랜지스터와 유기 발광층 사이에 배치된 화소 정의층을 더 포함한다.
(7) (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판에서, 박막 트랜지스터는 활성층, 활성층 상에 배치된 게이트 절연층, 게이트 절연층 상에 배치된 게이트 전극, 게이트 전극 상에 배치된 중간 절연층, 및 중간 절연층 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
(8) (6) 또는 (7)에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판에서, 소스 전극은 물론 드레인 전극과 화소 정의층 사이에 배치된 패시베이션층 및 평탄화층을 더 포함한다.
(9) (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판에서, 베이스 기판과 박막 트랜지스터 사이에 배치된 버퍼층을 더 포함한다.
(10) 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법에서, 유기 발광 다이오드 어레이 기판은 박막 트랜지스터와 유기 발광 다이오드를 포함하고, 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함하고, 본 방법은, 베이스 기판의 제1 영역에 필링층 -필링층은 베이스 기판에 인접함- 을 형성하는 단계; 및 필링층상에 직접 상기 유기 발광 다이오드의 유기 발광층의 일부를 형성하는 단계를 포함한다.
(11) (10)에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법에서, 필링층과 베이스 기판간의 굴절률 차이의 절대값은 선정된 범위 이내이다.
(12) (10) 또는 (11)에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법에서, 베이스 기판의 제1 영역과는 상이한 제2 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
박막 트랜지스터 위에 유기 발광 다이오드의 제1 전극을 형성하는 단계; 및
유기 발광 다이오드의 제1 전극과 필링층 상에 유기 발광 다이오드의 유기 발광층과 제2 전극 중 적어도 일부를 형성하는 단계를 더 포함한다.
(13) (12)에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법에서, 박막 트랜지스터 위에 유기 발광 다이오드의 제1 전극을 형상하기 전에, 박막 트랜지스터 상에 패시베이션층 및 평탄화층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
(14) (10) 내지 (13) 중 어느 하나에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법에서, 베이스 기판의 제1 영역 및 제2 영역은 각각 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역 및 비투광 영역에 대응한다.
(15) 디스플레이 디바이스는 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판을 포함한다.
본 개시 내용이 상술한 특정 실시예 및 일반적인 설명에 의해 상세히 예시되었지만, 본 개시 내용에 기초하여 임의의 보정 및 개선이 이루어질 수 있으며, 이는 본 분야의 숙련된 자들에게 명확하다. 따라서, 본 개시 내용의 사상으로부터 벗어나지 않고 본 개시 내용에 대해 행해진 보정 또는 개선은 본 개시 내용의 범위 내에 있어야 한다.
본 출원은 2014년 11월 26일자로 출원된 중국 특허 출원 제201410692271.8호의 우선권을 주장하며, 그 개시 내용은 그 전체가 본 출원의 일부로서 참조됨으로써 본 명세서에서 포함된다.

Claims (15)

  1. 유기 발광 다이오드 어레이 기판으로서,
    베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터, 유기 발광 다이오드 및 필링층(filling layer)을 포함하고,
    상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함하고,
    상기 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에는, 상기 박막 트랜지스터가 배치되고; 상기 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역에는, 상기 베이스 기판, 상기 필링층 및 상기 유기 발광 다이오드의 상기 유기 발광층이 순차적으로 인접하도록 배치되고, 상기 유기 발광층은 상기 투광 영역내의 상기 필링층과 직접 접촉하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 필링층과 상기 베이스 기판간의 굴절률 차이의 절대값은 선정된 범위 이내이며, 상기 선정된 범위는 0-0.3인, 유기 발광 다이오드 어레이 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역내에 그리고 상기 박막 트랜지스터 위에는 상기 유기 발광 다이오드의 제1 전극이 위치하고, 상기 투광 영역 및 상기 비투광 영역내에는 상기 유기 발광 다이오드의 상기 유기 발광층 및 상기 제2 전극이 배치되는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 유리 기판이고, 상기 필링층은 프로페닐 디글리콜 카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트 또는 폴리카보네이트 중 어느 하나인, 유기 발광 다이오드 어레이 기판.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터와 상기 유기 발광층 사이에 배치된 화소 정의층을 더 포함하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 활성층(active layer), 상기 활성층 상에 배치된 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치된 중간 절연층, 및 상기 중간 절연층 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소스 전극은 물론 상기 드레인 전극과 상기 화소 정의층 사이에 배치된 패시베이션층 및 평탄화층을 더 포함하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 기판과 상기 박막 트랜지스터 사이에 배치된 버퍼층을 더 포함하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판.
  9. 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법으로서,
    상기 유기 발광 다이오드 어레이 기판은 박막 트랜지스터와 유기 발광 다이오드를 포함하고, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함하고,
    상기 방법은,
    베이스 기판의 제1 영역에 필링층 -상기 필링층은 상기 베이스 기판에 인접함- 을 형성하는 단계; 및
    상기 필링층상에 직접 상기 유기 발광 다이오드의 유기 발광층의 일부를 형성하는 단계
    를 포함하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 필링층과 상기 베이스 기판간의 굴절률 차이의 절대값은 선정된 범위 이내이며, 상기 선정된 범위는 0-0.3인, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 제1 영역과는 상이한 제2 영역에 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 위에 상기 유기 발광 다이오드의 상기 제1 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광 다이오드의 상기 제1 전극과 상기 필링층 상에 상기 유기 발광 다이오드의 상기 유기 발광층과 상기 제2 전극 중 적어도 일부를 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터 위에 상기 유기 발광 다이오드의 상기 제1 전극을 형상하기 전에, 상기 박막 트랜지스터 상에 패시베이션층 및 평탄화층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 각각 상기 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 투광 영역 및 비투광 영역에 대응하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 제조 방법.
  14. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 다이오드 어레이 기판을 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 필링층은 상기 유기 발광 다이오드 어레이 기판의 비투광 영역에는 존재하지 않고, 상기 필링층은 상기 투광 영역내의 상기 베이스 기판과 직접 접촉하는, 유기 발광 다이오드 어레이 기판.
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