CN112349864B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括：基底、设置在所述基底上的发光结构层以及设置在所述发光结构层上的封装结构层，所述封装结构层至少包括第一无机材料层，所述第一无机材料层的至少一个表面设置为第一起伏结构。采用本公开所述方案，可以提升显示器件的拉伸性能。
Description
技术领域
本公开实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、超轻薄、响应速度快、视角宽、功耗低等优点。随着OLED显示技术的不断发展，可拉伸显示被认为是继柔性显示之后，下一个更富有挑战和具有革命性意义的显示技术。在可拉伸显示中，显示器件需要承受单轴/双轴拉伸行为，这就要求显示器件中各个膜层不仅要薄，实现耐弯，更要能耐拉伸。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，提升显示器件的拉伸性能。
一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括基底、设置在所述基底上的发光结构层以及设置在所述发光结构层上的封装结构层；所述封装结构层至少包括第一无机材料层，所述第一无机材料层的至少一个表面设置为第一起伏结构。
另一方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
再一方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在基底上形成发光结构层；
在所述发光结构层上形成封装结构层，所述封装结构层至少包括第一无机材料层，所述第一无机材料层的至少一个表面设置为第一起伏结构。
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在封装结构层中的无机材料层的表面设置起伏结构，可以提升无机材料层的拉伸性能，进而提升显示器件的拉伸性能，为可拉伸显示产品的拉伸提供性能保证。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低。
当然，实施本公开的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本公开的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种OLED显示装置的电路结构示意图；
图2为一种显示基板显示区域的平面结构示意图；
图3为一种像素驱动电路的等效电路图；
图4为一种显示基板的剖面结构示意图；
图5为本公开实施例显示基板的示意图；
图6为本公开实施例形成第二电容电极图案后的示意图；
图7为本公开实施例形成源电极和漏电极图案后的示意图；
图8为本公开实施例形成平坦层第二过孔后的示意图；
图9为本公开实施例形成像素定义层后的示意图；
图10为本公开实施例形成有机发光层和阴极图案后的示意图；
图11为本公开实施例形成第一封装层(第二无机材料层)图案后的示意图；
图12为本公开实施例形成第二封装层(第一有机材料层)图案后的示意图；
图13a为本公开实施例凹陷截面为半圆形的起伏结构的示意图；
图13b为本公开实施例凹陷截面为弧形的起伏结构的示意图；
图13c为本公开实施例凹陷截面为梯形的起伏结构的示意图；
图14为本公开实施例形成第三封装层(第一无机材料层)图案后的示意图；
图15a为本公开实施例形成有第二起伏结构的一种基底的示意图；
图15b为本公开实施例形成有第二起伏结构的另一种基底的示意图。
附图标记说明:
1—玻璃载板； 10—基底； 11—第一绝缘层；
12—有源层； 13—第二绝缘层； 14—栅电极；
15—第一电容电极； 16—第三绝缘层； 17—第二电容电极；
18—第四绝缘层； 19—源电极； 20—漏电极；
21—阳极； 22—像素定义层； 23—有机发光层；
24—阴极； 25—第一封装层； 26—第二封装层；
27—第三封装层； 40—发光结构层； 41—驱动电路层；
42—发光器件； 50—封装结构层； 401—薄膜晶体管；
402—存储电容。
具体实施方式
本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的方案。因此，应当理解，在本公开中示出或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行一种或多种修改和改变。
此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或科学术语为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。本公开中，“多个”可以表示两个或两个以上的数目。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“耦接”、“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“电性的连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且可以包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。
在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本公开中，可以是第一极为漏电极、第二极为源电极，或者可以是第一极为源电极、第二极为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
在本公开中，“可拉伸”是指材料、结构、装置或装置组件承受拉力变形(例如，变长、或变宽、或变长和变宽)而不会产生永久变形或者诸如破裂之类故障的能力，例如，伸长长度的至少10％而不会永久变形、裂开或断开的能力。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
图1为一种OLED显示装置的电路结构示意图。如图1所示，OLED显示装置可以包括扫描信号驱动器、数据信号驱动器、发光信号驱动器、OLED显示基板、第一电源单元、第二电源单元和初始电源单元。在示例性实施方式中，OLED显示基板至少包括多个扫描信号线(S1到SN)、多个数据信号线(D1到DM)和多个发光信号线(EM1到EMN)，扫描信号驱动器被配置为依次向多个扫描信号线(S1到SN)提供扫描信号，数据信号驱动器被配置为向多个数据信号线(D1到DM)提供数据信号，发光信号驱动器被配置为依次向多个发光信号线(EM1到EMN)提供发光控制信号。在示例性实施方式中，多个扫描信号线和多个发光信号线沿着水平方向延伸，多个数据信号线沿着竖直方向延伸。所述显示装置包括多个子像素，至少一个子像素包括像素驱动电路和发光器件，像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。第一电源单元、第二电源单元和初始电源单元分别被配置为通过第一电源线、第二电源线和初始信号线向像素驱动电路提供第一电源电压、第二电源电压和初始电源电压。
图2为一种显示基板显示区域的平面结构示意图。如图2所示，显示区域可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个中包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3。在示例性实施方式中，像素单元P中可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，或者可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色(W)子像素，本公开在此不做限定。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图3为一种像素驱动电路的等效电路图。如图3所示，像素驱动电路可以包括7个开关晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C和8个信号线(数据信号线DATA、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、第一初始信号线INIT1、第二初始信号线INIT2、第一电源线VSS、第二电源线VDD和发光信号线EM)。其中，第一初始信号线INIT1、第二初始信号线INIT2可以为同一条信号线。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与第一初始信号线INIT1连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线DATA连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第五晶体管T5的控制极与发光信号线EM连接，第五晶体管T5的第一极与第二电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线EM连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与第二初始信号线INIT2连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。存储电容C的第一端与第二电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第一电源线VSS连接，第一电源线VSS的信号为低电平信号，第二电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。
图4为一种显示基板的剖面结构示意图，示意了OLED显示基板三个子像素的结构。如图4所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底10上的驱动电路层41、设置在驱动电路层41远离基底10一侧的发光器件42以及设置在发光器件42远离基底10一侧的封装结构层50。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，基底可以是柔性基底；每个子像素的驱动电路层41可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图4中以每个子像素中包括一个驱动晶体管和一个存储电容为例进行示意；发光器件42可以包括阳极、像素定义层、有机发光层和阴极；封装结构层50可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层。
为了提高拉伸性能，本公开发明人认为，可以在膜层结构上进行设计，但是在膜层结构中，无机膜层的耐拉伸性能远低于有机膜层(无机膜层拉伸断裂应变量小于0.1％)，限制了拉伸性能的提升，因此，本公开发明人考虑通过对无机膜层进行结构设计，提升无机膜层的耐拉伸性能，以此提升显示器件的拉伸性能。
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，可以有效提升显示器件的拉伸性能，且具有制作成本低、易于工艺实现等优点。本公开实施例的显示基板，如图5所示，包括基底10、设置在所述基底上的发光结构层40以及设置在所述发光结构层上的封装结构层50；所述封装结构层至少包括第一无机材料层，所述第一无机材料层的至少一个表面设置为第一起伏结构(或可称为褶皱结构，或褶皱起伏结构)。
例如可以采用等离子刻蚀的方式在所述第一无机材料层表面形成所述第一起伏结构。
在一示例性实施例中，所述封装结构层包括第一有机材料层和设置于所述第一有机材料层远离基底一侧的第一无机材料层，所述第一有机材料层远离基底的第一表面设置为第一起伏结构，所述第一无机材料层与所述第一有机材料层接触的表面为所述第一起伏结构。
其中，形成所述第一无机材料层时，所述第一无机材料层会复制所述第一有机材料层第一表面的第一起伏结构，使得所述第一无机材料层远离所述第一有机材料层的表面的形状与所述第一有机材料层第一表面的形状相同，即也为所述第一起伏结构。例如可以采用纳米压印或者等离子刻蚀的方式在所述第一有机材料层第一表面形成所述第一起伏结构。由于有机材料层硬度较无机材料层硬度低，因此采用无机材料层复制有机材料层形状的方式使无机材料层表面形成起伏结构，工艺实现更为简单，且由于有机材料层表面也具有起伏结构，可以获得更好的拉伸性能。
在一示例性实施例中，所述封装结构层还可包括设置于所述发光结构层与所述第一有机材料层之间的第二无机材料层，即所述封装结构层包括依次叠设的第二无机材料层、第一有机材料层以及第一无机材料层。其中，所述第一有机材料层第一表面设置有所述第一起伏结构，所述第一无机材料层表面的形状与所述第一有机材料层第一表面的形状相同。或者所述第二无机材料层远离基底的表面设置为第一起伏结构。
在一示例性实施例中，所述封装结构层还可包括设置于所述第一无机材料层远离基底一侧的第三无机材料层，即所述封装结构层包括依次叠设的第一有机材料层、第一无机材料层以及第三无机材料层。形成所述第三无机材料层时，所述第三无机材料层复制所述第一无机材料层表面的第一起伏结构，使得所述第三无机材料层表面的形状与所述第一无机材料层表面的形状相同，即所述第三无机材料层邻近和远离所述第一无机材料层的表面均可为第一起伏结构。通过增加无机材料层，可以增加显示基板的抗水氧能力。
在一示例性实施例中，所述第一起伏结构包括至少一组朝向所述基底方向的凹陷和与所述凹陷连接的朝向远离所述基底方向的凸起。在垂直于所述基底的方向上，所述凹陷的截面形状包括但不限于：半圆形、弧形、梯形。
在一示例性实施例中，为了保证拉伸性能，在垂直于所述基底方向上，对于所述第一起伏结构中的任意一个凹陷和与所述凹陷连接的凸起，其中，所述凹陷最靠近基底方向的位置(波谷)与所述凸起最远离基底方向的位置(波峰)在垂直于所述基底方向上的差值(高度差)小于或等于300nm，所述凹陷最靠近基底方向的位置与所述凸起最远离基底方向的位置在平行于所述基底方向上的距离范围为50nm-10μm。
在一示例性实施例中，所述基底邻近发光结构层的表面可以设置有第二起伏结构。
在一示例性实施例中，所述发光结构层包括驱动电路层和发光器件，所述驱动电路层包括晶体管和存储电容；所述基底邻近所述发光结构层的第二有机材料层表面设置为第二起伏结构，或者设置为交替的平面和第二起伏结构，其中，所述平面在所述基底上的投影包含所述晶体管在所述基底上的投影和存储电容在所述基底上的投影。
其中，所述第二起伏结构包括至少一组朝向所述基底方向的凹陷和与所述凹陷连接的朝向远离所述基底方向的凸起。
为了保证拉伸性能以及基底上发光结构层的制备，在垂直于所述基底方向上，对于所述第二起伏结构中的任意一个凹陷和与所述凹陷连接的凸起，其中，所述凹陷最靠近基底方向的位置与所述凸起最远离基底方向的位置在垂直于所述基底方向上的差值小于或等于20nm，所述凹陷最靠近基底方向的位置与所述凸起最远离基底方向的位置在平行于所述基底方向上的距离范围为50nm-10μm。
下面通过显示基板的制备过程说明本公开实施例的技术方案。
本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。
以下所述示例性显示基板包括基底、发光结构层和封装结构层，其中所述发光结构层包括驱动电路层和发光器件，所述封装结构层包括第一封装层、第二封装层和第三封装层，其中第一封装层即为前述第二无机材料层，第二封装层即为前述第一有机材料层，第三封装层即为前述第一无机材料层。
(1)在玻璃载板1上制备柔性基底10。在一些示例性实施方式中，制备过程可以包括：
在玻璃载板1上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第一柔性材料层，完成基底10的制备。在一些示例中，第一柔性材料层的厚度范围可以为5微米(μm)至30μm。在一些示例中，柔性材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)或经表面处理的聚合物软膜等材料。除了采用玻璃载板外，在其他实施例所述载板还可以是塑料材质。
(2)在基底10上制备驱动电路层图案。在示例性实施方式中，在基底10上制备驱动电路层图案可以包括：
在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖整个基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于每个子像素中的有源层12。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层13，以及设置在第二绝缘层13上的第一金属层图案，第一金属层图案至少包括位于每个子像素中的栅电极14和第一电容电极15。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一金属层的第三绝缘层16，以及设置在第三绝缘层16上的第二金属层图案，第二金属层图案至少包括位于每个子像素中的第二电容电极17，第二电容电极17在基底上的正投影与第一电容电极15在基底上的正投影存在重叠区域。如图6所示。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺形成多个第一过孔图案，第一过孔内的第四绝缘层18、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出有源层的两端。
随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层18上形成第三金属层图案，第三金属层图案至少包括位于每个子像素中的源电极19和漏电极20，源电极19和漏电极20分别通过第一过孔与有源层连接。如图7所示。
随后，涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成平坦层，平坦层上形成有第二过孔，第二过孔内的平坦层被去掉，暴露出每个子像素中的漏电极。如图8所示。
至此，在基底10上制备完成驱动电路层41图案。在示例性实施方式中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成第一晶体管401，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容402。在示例性实施方式中，第一晶体管401可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
(3)在形成前述图案的基底上制备发光器件。在示例性实施方式中，在形成前述图案的基底上制备发光器件可以包括：
在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过图案化工艺对透明导电薄膜进行图案化，形成阳极图案，阳极图案至少包括位于每个子像素中的阳极21，阳极21通过第二过孔与第一晶体管401的漏电极20连接。
随后，涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层(PDL，Pixel Definition Layer)22，像素定义层22在每个子像素形成有像素开口，像素开口内的像素定义层被去掉，暴露出阳极21的表面。如图9所示。
随后，依次形成有机发光层23和阴极24，有机发光层与像素开口内的阳极连接，阴极与有机发光层连接。如图10所示。
至此，在驱动电路层41上制备完成发光器件42图案。在示例性实施方式中，制备发光器件过程中，还可以形成隔离柱、隔离坝等结构，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，发光器件42中的有机发光层可以包括发光层(EmittingLayer，简称EML)，以及包括空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、空穴阻挡层(Hole Block Layer，简称HBL)、电子阻挡层(Electron Block Layer，简称EBL)、电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)中的一个或多个膜层。在阳极和阴极的电压驱动下，利用有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。
在示例性实施方式中，不同颜色的发光器件42的发光层不同。例如，红色发光元件包括红色发光层，绿色发光元件包括绿色发光层，蓝色发光元件包括蓝色发光层。为了降低工艺难度和提升良率，位于发光层一侧的空穴注入层和空穴传输层可以采用共通层，位于发光层另一侧的电子注入层和电子传输层可以采用共通层。在示例性实施方式中，空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以通过一次工艺(一次蒸镀工艺或一次喷墨打印工艺)制作，但通过形成的膜层表面段差或者通过表面处理等手段实现隔离。例如，相邻子像素对应的空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以是隔离的。在示例性实施方式中，有机发光层可以通过采用精细金属掩模版(FMM，Fine Metal Mask)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀制备形成，或者采用喷墨工艺制备形成。
在示例性实施方式中，透明导电薄膜可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
(4)在形成前述图案的基底上制备封装结构层。
i.在形成前述图案的基础上形成第一封装层即前述第二无机材料层。在示例性实施方式中，在形成前述图案的基础上形成第一封装层可以包括：在形成前述图案的基础上，沉积一层阻水薄膜，形成覆盖发光器件阴极的第一阻水层25(即第一封装层)。阻水薄膜的材料可以包括氮化硅,厚度可以约为2000埃至12000埃。如图11所示。
ii.在形成前述图案的基础上形成第二封装层即前述第一有机材料层。在示例性实施方式中，在形成前述图案的基础上形成第二封装层可以包括：通过涂覆或喷墨打印方式在第一封装层25上形成有机封装膜层26(即第二封装层)，在示例性实施方式中，有机封装膜层可以采用丙烯酸酯或环氧等材料，厚度可以约为1.0μm至8.0μm。
通过纳米压印或等离子体刻蚀方式，在有机封装膜层表面形成第一起伏结构，如图12所示。在垂直于所述基底方向上，对于所述第一起伏结构中的任意一个凹陷和与所述凹陷连接的凸起，将所述凹陷最靠近基底方向的位置称为波谷，将所述凸起最远离基底方向的位置称为波峰，所述波谷与波峰在垂直于所述基底方向上的差值即高度差(如图13中d1)≤300nm，所述波谷与波峰在平行于所述基底方向上的距离范围(如图13中d2)为50nm-10μm。在垂直于所述基底的平面上，所述凹陷的截面可以为半圆形(如图13a所示)、弧形(如图13b所示)、或梯形(如图13c所示)，本公开对此不做限制。所述凹陷与所述凸起的形状可以相同也可以不同。
iii.在形成前述图案的基础上形成第三封装层即前述第一无机材料层。在示例性实施方式中，在形成前述图案的基础上形成第三封装层可以包括：在形成前述图案的基础上，沉积一层封装薄膜，形成覆盖第二封装层26的第三封装层27，该第三封装层自动复制第二封装层的第一起伏结构，如图14所示。
在示例性实施方式中，第三封装层27可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者氧化铝等，厚度可以约为2000埃至12000埃。
通过上述过程，完成了包括基底、发光结构层和封装结构层的显示基板的制备。其中，所述封装结构层至少包括无机材料层，所述无机材料层远离基底的表面为第一起伏结构。
从以上描述的显示基板的结构以及制备过程可以看出，本公开提供的显示基板，通过在无机封装层设置褶皱起伏结构，可以提升无机封装层的拉伸性能，从而提升显示器件的拉伸性能，可以为可拉伸显示产品提供性能保证。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低。
本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，OLED显示基板不仅可以顶发射结构，也可以是底发射结构。又如，薄膜晶体管不仅可以是顶栅结构，也可以是底栅结构，不仅可以是双栅结构，也可以是单栅结构。再如，薄膜晶体管可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层，本公开实施例在此不做限定。
例如，在一示例性实施例中，所述封装结构层可以包括两个封装层，即第一有机材料层和第一无机材料层，其中第一有机材料层通过纳米压印或等离子体刻蚀方式在远离基底的表面形成第一起伏结构，第一无机材料层自动复制第一有机材料层的第一起伏结构，以提升无机封装层的拉伸性能，从而提升显示器件的拉伸性能。在该实施例的基础上，在另一实施例中，所述第一有机材料层远离基底的一侧还可以设置第三无机材料层，即所述封装结构层包括依次设置的三个封装层：第一有机材料层、第一无机材料层和第三无机材料层，第一无机材料层自动复制第一有机材料层的第一起伏结构，第三无机材料层自动复制第一无机材料层的第一起伏结构。无机材料可以采用氧化硅、氧化铝、氮化硅或氮氧化硅等，有机材料可以采用基于PET的柔性高分子材料，具有良好的封装效果，可以有效阻止水氧进入有机发光层，而且具有柔性变形特点，可以实现显示基板的拉伸变形
在一示例性实施例中，为了进一步提升拉伸性能，可以在所述基板上设置第二起伏结构，例如可以在上述制备方法步骤(1)中，在形成的第一柔性材料层(即前述第二有机材料层)上通过纳米压印或者等离子刻蚀的方式形成第二起伏结构。
例如在形成第一柔性材料层后，在该第一柔性材料层上沉积一层不连续的缓冲薄膜，形成覆盖第一柔性材料层的不连续的掩膜层图案，掩膜层厚度≤5nm。所述缓冲薄膜可以采用无机材料，如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。或者所述缓冲薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构。以该掩膜层为掩膜版，对第一柔性材料层表面进行等离子刻蚀，形成第二起伏结构，
或者，在形成第一柔性材料层后，在该第一柔性材料层上通过纳米压印方式，压印出规则或者不规则分布的第二起伏结构。
形成有第二起伏结构的基底如图15所示。
在形成第二起伏结构的第一柔性材料层上还可以形成其他单层或复合层结构，本公开对此不做限制。
在一示例性实施例中，所述基底的上表面包括第二起伏结构(如图15a所示)，或者包括交替的平面和第二起伏结构(如图15b所示)，可以将该图15b所示的第二起伏结构理解为不连续的起伏结构，后续可以在所述平面上制备驱动电路层中的晶体管和电容时，即所述平面在基底上的投影包含所述晶体管在所述基底上的投影和存储电容在所述基底上的投影。
所述第二起伏结构的形状与所述第一起伏结构的形状类似，不同之处在于，所述波谷与波峰在垂直于所述基底方向上的差值即高度差(如图13中d1)≤20nm。
在一示例性实施例中，所述OLED显示基板可以是有源OLED显示基板，或者可以是无源OLED显示基板。
在一示例性实施例中，所述OLED基板可以包含彼此隔开的多个岛状显示区域、设置在相邻岛状显示区域之间的镂空开孔区域以及连接相邻岛状显示区域的连接区域。每个岛状显示区域配置为进行图像显示，每个镂空开孔区域配置为在显示基板拉伸时提供变形空间，每个连接区域配置为设置信号线并传递拉力。可以在所述岛状显示区域中的封装结构层和/或连接区域的封装结构层中设置所述第一起伏结构。或者可以在所述岛状显示区域和/或连接区域的基底上设置所述第二起伏结构。制备方法如前所述，此处不再赘述。
基于本公开实施例的技术构思，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法。本实施例显示基板的制备方法包括：
S1、在基底上形成发光结构层；
S2、在所述发光结构层上形成封装结构层，所述封装结构层至少包括第一无机材料层，所述第一无机材料层的至少一个表面设置为第一起伏结构。
在一示例性实施例中，步骤S2中在所述发光结构层上形成封装结构层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一有机材料层，采用纳米压印或等离子体刻蚀方式在所述第一有机材料层远离基底的第一表面形成第一起伏结构；在所述第一有机材料层上形成第一无机材料层，所述第一无机材料层与所述第一有机材料层接触的表面为所述第一起伏结构，所述第一无机材料层远离所述第一有机材料层的表面为所述第一起伏结构。
在一示例性实施例中，所述方法还可包括，采用纳米压印或等离子体刻蚀方式在所述基底邻近所述发光结构层的第二有机材料层表面形成第二起伏结构。
本实施例中，膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。
本实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过在封装结构层中的无机材料层表面设置起伏结构，可以增加无机材料层的拉伸性能，为可拉伸显示产品提供性能保证，有效提升了显示器件的拉伸性能。本实施例的制备方法利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。在提高OLED面板拉伸性能上具有实际应用价值，具有良好的应用前景。
基于本公开实施例的技术构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种显示基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的发光结构层以及设置在所述发光结构层上的封装结构层，所述封装结构层至少包括第一无机材料层，所述第一无机材料层的至少一个表面设置为第一起伏结构；所述基底邻近所述发光结构层的表面设置有第二起伏结构，所述发光结构层包括驱动电路层和发光器件，所述驱动电路层包括晶体管和存储电容；所述基底邻近所述发光结构层的第二有机材料层表面设置为交替的平面和第二起伏结构，其中，所述平面在所述基底上的投影包含所述晶体管在所述基底上的投影，所述平面在所述基底上的投影包含所述存储电容在所述基底上的投影；
所述显示基板包含彼此隔开的多个岛状显示区域、设置在相邻岛状显示区域之间的镂空开孔区域以及连接相邻岛状显示区域的连接区域，每个岛状显示区域配置为进行图像显示，每个镂空开孔区域配置为在显示基板拉伸时提供变形空间，每个连接区域配置为设置信号线并传递拉力；在所述岛状显示区域中的封装结构层和/或连接区域的封装结构层中设置所述第一起伏结构，在所述岛状显示区域和/或连接区域的基底上设置所述第二起伏结构；
其中，所述第一起伏结构包括至少一组朝向所述基底方向的凹陷和与所述凹陷连接的朝向远离所述基底方向的凸起，在垂直于所述基底方向上，对于所述第一起伏结构中的任意一个凹陷和与所述凹陷连接的凸起，其中，所述凹陷最靠近基底方向的位置与所述凸起最远离基底方向的位置在垂直于所述基底方向上的差值小于或等于300nm；
所述第二起伏结构包括至少一组朝向所述基底方向的凹陷和与所述凹陷连接的朝向远离所述基底方向的凸起，在垂直于所述基底方向上，对于所述第二起伏结构中的任意一个凹陷和与所述凹陷连接的凸起，其中，所述凹陷最靠近基底方向的位置与所述凸起最远离基底方向的位置在垂直于所述基底方向上的差值小于或等于20nm。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述封装结构层包括第一有机材料层和设置于所述第一有机材料层远离基底一侧的第一无机材料层，所述第一有机材料层远离基底的第一表面设置为第一起伏结构，所述第一无机材料层与所述第一有机材料层接触的表面为所述第一起伏结构。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一无机材料层远离所述第一有机材料层的表面为所述第一起伏结构。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述封装结构层还包括设置于所述发光结构层与所述第一有机材料层之间的第二无机材料层。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，其中，
所述凹陷最靠近基底方向的位置与所述凸起最远离基底方向的位置在平行于所述基底方向上的距离范围为50nm-10μm。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的显示基板。
7.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成发光结构层，所述发光结构层包括驱动电路层和发光器件，所述驱动电路层包括晶体管和存储电容；
在所述发光结构层上形成封装结构层，所述封装结构层至少包括第一无机材料层，所述第一无机材料层的至少一个表面设置为第一起伏结构；
采用纳米压印或等离子体刻蚀方式在所述基底邻近所述发光结构层的第二有机材料层表面形成交替的平面和第二起伏结构，其中，所述平面在所述基底上的投影包含所述晶体管在所述基底上的投影，所述平面在所述基底上的投影包含所述存储电容在所述基底上的投影；
其中，所述显示基板包含彼此隔开的多个岛状显示区域、设置在相邻岛状显示区域之间的镂空开孔区域以及连接相邻岛状显示区域的连接区域，每个岛状显示区域配置为进行图像显示，每个镂空开孔区域配置为在显示基板拉伸时提供变形空间，每个连接区域配置为设置信号线并传递拉力；在所述岛状显示区域中的封装结构层和/或连接区域的封装结构层中设置所述第一起伏结构，在所述岛状显示区域和/或连接区域的基底上设置所述第二起伏结构；
其中，所述第一起伏结构包括至少一组朝向所述基底方向的凹陷和与所述凹陷连接的朝向远离所述基底方向的凸起，在垂直于所述基底方向上，对于所述第一起伏结构中的任意一个凹陷和与所述凹陷连接的凸起，其中，所述凹陷最靠近基底方向的位置与所述凸起最远离基底方向的位置在垂直于所述基底方向上的差值小于或等于300nm；
所述第二起伏结构包括至少一组朝向所述基底方向的凹陷和与所述凹陷连接的朝向远离所述基底方向的凸起，在垂直于所述基底方向上，对于所述第二起伏结构中的任意一个凹陷和与所述凹陷连接的凸起，其中，所述凹陷最靠近基底方向的位置与所述凸起最远离基底方向的位置在垂直于所述基底方向上的差值小于或等于20nm。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在发光结构层上形成封装结构层，包括：
在所述发光结构层的阴极上形成第一有机材料层，采用纳米压印或等离子体刻蚀方式在所述第一有机材料层远离基底的第一表面形成第一起伏结构；在所述第一有机材料层上形成第一无机材料层，所述第一无机材料层与所述第一有机材料层接触的表面为所述第一起伏结构。
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