WO2023206066A1 - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括显示区(100)和透明区(200)，在垂直于显示基板的平面上，显示基板至少包括设置在基底(10)上的驱动结构层(20)和发光结构层(30)，驱动结构层(20)至少包括无机绝缘层(14)，发光结构层(30)至少包括像素定义层(22)；显示区(100)的驱动结构层(20)还包括设置在无机绝缘层(14)上的平坦层(15)，像素定义层(22)设置在平坦层(15)上，且与平坦层(15)接触；透明区(200)的无机绝缘层(14)上设置有至少一个凹槽(80)，像素定义层(22)填充位于透明区(200)的凹槽(80)。
Description
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
一方面，本公开提供了一种显示基板，包括显示区和透明区，所述显示区被配置为实现图像显示，所述透明区被配置为透过光线；在垂直于显示基板的平面上，所述显示基板至少包括设置在基底上的驱动结构层和设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的发光结构层，所述驱动结构层至少包括无机绝缘层，所述发光结构层至少包括像素定义层；所述显示区的驱动结构层还包括设置在所述无机绝缘层远离所述基底一侧的平坦层，所述像素定义层设置在所述平坦层远离所述基底的一侧，且与所述平坦层接触；所述透明区的无机绝缘层上设置有至少一个凹槽，所述像素定义层填充位于所述透明区的凹槽。
在示例性实施例中，所述透明区中所述像素定义层的厚度大于所述显示区中所述像素定义层的厚度。
在示例性实施例中，所述凹槽的深度小于所述无机绝缘层的厚度。
在示例性实施例中，所述凹槽的深度等于所述无机绝缘层的厚度。
在示例性实施例中，所述透明区的驱动结构层至少包括设置在基底上的缓冲层和设置在所述缓冲层远离所述基底一侧的层间绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述层间绝缘层远离所述基底的一侧，填充所述凹槽的像素定义层与所述层间绝缘层接触。
在示例性实施例中，所述凹槽包括连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第二凹槽设置在所述第一凹槽的槽底，所述第二凹槽在所述基底上的正投影位于所述第一凹槽在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述凹槽的形状包括如下任意一个或者多个：三角形、矩形、多边形、圆形和椭圆形。
在示例性实施例中，在垂直于所述基底的平面上，所述凹槽的截面形状为矩形、梯形或者多边形。
在示例性实施例中，所述无机绝缘层上设置有多个凹槽，在平行于所述基底的平面上，所述多个凹槽的形状相同，或者，所述多个凹槽的形状不同。
在示例性实施例中，所述无机绝缘层上设置有多个凹槽，在平行于所述基底的平面上，所述多个凹槽的尺寸相同，或者，所述多个凹槽的尺寸不同。
在示例性实施例中，所述无机绝缘层上设置有多个凹槽，在垂直于所述基底的平面上，所述多个凹槽的深度相同，或者，所述多个凹槽的深度不同。
在示例性实施例中，所述显示区的无机绝缘层上还设置有阳极过孔；在平行于所述基底的平面上，所述凹槽在所述基底平面上的正投影的面积大于所述阳极过孔在所述基底平面上的正投影的面积。
在示例性实施例中，所述透明区还设置有辅助阴极，所述辅助阴极设置在所述凹槽远离所述显示区的一侧。
在示例性实施例中，所述辅助阴极包括设置在所述无机绝缘层远离所述基底一侧的第一辅助阴极、设置在所述第一辅助阴极远离所述基底一侧的第二辅助阴极以及设置在所述第二辅助阴极远离所述基底一侧的第三辅助阴 极，所述第二辅助阴极在所述基底上的正投影位于所述第一辅助阴极在所述基底上的正投影的范围之内，所述第二辅助阴极在所述基底上的正投影位于所述第三辅助阴极在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施例中，所述像素定义层覆盖所述辅助阴极靠近所述显示区一侧的边缘。
另一方面，本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
又一方面，本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区和透明区，所述显示区被配置为实现图像显示，所述透明区被配置为透过光线；所述制备方法包括：
在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层至少包括无机绝缘层，所述显示区的驱动结构层还包括设置在所述无机绝缘层远离所述基底一侧的平坦层，所述透明区的无机绝缘层上设置有至少一个凹槽；
在所述驱动结构层上形成发光结构层，所述发光结构层至少包括像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦层远离所述基底的一侧，且与所述平坦层接触，所述像素定义层填充位于所述透明区的凹槽。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种显示基板的结构示意图；
图2为一种显示基板的平面结构示意图；
图3为一种显示基板的剖面结构示意图；
图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
图5为本公开示例性实施例一种显示基板的平面结构示意图；
图6为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图；
图7A至图7C为本公开示例性实施例凹槽的平面结构示意图；
图8A至图8C为本公开示例性实施例凹槽的剖面结构示意图；
图9为本公开实施例显示基板形成晶体管电路层图案后的示意图；
图10为本公开实施例显示基板形成第四绝缘层图案后的示意图；
图11为本公开实施例显示基板形成第一平坦层图案后的示意图；
图12为本公开实施例显示基板形成阳极导电层图案后的示意图；
图13为本公开实施例显示基板形成像素定义层图案后的示意图；
图14为本公开显示基板形成有机发光层和阴极图案后的示意图。
附图标记说明:
10—基底； 11—第一绝缘层； 12—第二绝缘层；
13—第三绝缘层； 14—第四绝缘层； 15—第一平坦层；
20—驱动结构层； 21—阳极； 21-1—第一阳极；
21-2—第二阳极； 21-3—第三阳极； 22—像素定义层；
23—有机发光层； 24—阴极； 30—发光结构层；
40—封装结构层； 51—遮挡电极； 52—有源层；
53—栅电极； 54—源电极； 55—漏电极；
60—电源电极； 70—辅助阴极； 70-1—第一辅助阴极；
70-2—第二辅助阴极； 70-3—第三辅助阴极； 80—凹槽；
81—第一凹槽； 82—第二凹槽； 91—发光块；
92—阴极块； 100—显示区； 200—透明区；
210—过渡区； 300—显示单元。
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和 内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计
本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流 过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，OLED显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器和像素阵列，像素阵列可以包括多个扫描信号线(S1到Sm)、多个数据信号线(D1到Dn)和多个子像素Pxij。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、…… 和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以子像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。子像素阵列可以包括多个像素子PXij。每个像素子PXij可以连接到对应的数据信号线和对应的扫描信号线，i和j可以是自然数。子像素PXij可以指其中晶体管连接到第i扫描信号线且连接到第j数据信号线的子像素。
图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3均包括像素驱动电路和发光器件。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，第一子像素P1可以是出射红色光线的红色子像素(R)，第二子像素P2可以是出射蓝色光线的蓝色子像素(B)，第三子像素P3可以是出射绿色光线的绿色子像素(G)。在示例性实施方式中，子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，本公开在此不做限定。
在其它示例性实施方式中，像素单元可以包括四个子像素，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形等方式排列，本公开在此不做限定。
图3为一种显示基板的剖面结构示意图，示意了OLED显示基板三个子像素的结构。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底10上的驱动结构层20、设置在驱动结构层20远离基底10一侧的发光结构层30以及设置在发光结构层30远离基底10一侧的封装结构层40。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如触控结构层等，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，基底10可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。每个子像素的驱动结构层20可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容。发光结构层30可以包括阳极、像素定义层、有机发光层和阴极，阳极通过过孔与驱动晶体管的漏电极连接，有机发光层与阳极连接，阴极与有机发光层连接，有机发光层在阳极和阴极驱动下出射相应颜色的光线。封装结构层40可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层30。
图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。如图4所示，像素驱动电路为3T1C结构，可以包括3个开关晶体管(第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3)、1个存储电容C和6个信号线(数据线D、第一扫描线S1、第二扫描线S2、补偿线B、第一电源线VDD和第二电源线VSS)。在示例性实施方式中，第一晶体管T1为开关晶体管，第二晶体管T2为驱动晶体管，第三晶体管T3为补偿晶体管。第一晶体管T1的栅电极耦接于第一扫描线S1，第一晶体管T1的第一极耦接于数据线D，第一晶体管T1的第二极耦接于第二晶体管T2的栅电极，第一晶体管T1用于在第一扫描线S1控制下，接收数据线D传输的数据信号，使第二晶体管T2的栅电极接收所述数据信号。第二晶体管T2的栅电极耦接于第一晶体管T1的第二极，第二晶体管T2的第一极耦接于第一电源线VDD，第二晶体管T2的第二极耦接于OLED的第一极，第二晶体管T2用于在其栅电极所接收的数据信号控制下，在第二极产生相应的电流。第三晶体管T3的栅电极耦 接于第二扫描线S2，第三晶体管T3的第一极耦接于补偿线B，第三晶体管T3的第二极耦接于第二晶体管T2的第二极，第三晶体管T3用于响应补偿时序提取第二晶体管T2的阈值电压Vth以及迁移率，以对阈值电压Vth进行补偿。OLED的第一极耦接于第二晶体管T2的第二极，OLED的第二极耦接于第二电源线VSS，OLED用于响应第二晶体管T2的第二极的电流而发出相应亮度的光。存储电容C的第一极与第二晶体管T2的栅电极耦接，存储电容C的第二极与第二晶体管T2的第二极耦接，存储电容C用于存储第二晶体管T2的栅电极的电位。
在示例性实施方式中，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号，第二电源线VSS的信号为低电平信号。第一晶体管T1到第三晶体管T3可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第三晶体管T3可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，发光器件可以是有机发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。
按照出光方向，OLED显示基板可以分为三种：底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。底发射OLED是光从基板底部方向出射，顶发射OLED是光从基板顶部方向出射，双面发射OLED是光同时从基板底部方向和基板顶部方向出射。与底发射OLED相比，顶发射OLED具有开口率大、色纯度高、容易实现高分辨率(Pixels per inch，简称PPI)等优点，受到了广泛应用，特别是大尺寸透明显示装置。透明显示是显示技术一个重要的个性化显示领域，是指在透明状态下进行图像显示，观看者不仅可以看到显示装置中的影像，而且可以看到显示装置背后的景象，可以广泛应用于汽车/地铁等车载显示以及酒店/服装店等橱窗展示等，具有画质清晰、显示效果逼真等显著优点。
本公开提供了一种显示基板，包括显示区和透明区，所述显示区被配置为实现图像显示，所述透明区被配置为透过光线；在垂直于显示基板的平面上，所述显示基板至少包括设置在基底上的驱动结构层和设置在所述驱动结 构层远离所述基底一侧的发光结构层，所述驱动结构层至少包括无机绝缘层，所述发光结构层至少包括像素定义层；所述显示区的驱动结构层还包括设置在所述无机绝缘层远离所述基底一侧的平坦层，所述像素定义层设置在所述平坦层远离所述基底的一侧，且与所述平坦层接触；所述透明区的无机绝缘层上设置有至少一个凹槽，所述像素定义层填充位于所述透明区的凹槽。
在示例性实施方式中，所述透明区中所述像素定义层的厚度大于所述显示区中所述像素定义层的厚度。
在一种示例性实施方式中，所述凹槽的深度小于所述无机绝缘层的厚度。
在另一种示例性实施方式中，所述凹槽的深度等于所述无机绝缘层的厚度。
在示例性实施方式中，所述透明区的驱动结构层至少包括设置在基底上的缓冲层和设置在所述缓冲层远离所述基底一侧的层间绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述层间绝缘层远离所述基底的一侧，填充所述凹槽的像素定义层与所述层间绝缘层接触。
在又一种示例性实施方式中，所述凹槽包括连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第二凹槽设置在所述第一凹槽的槽底，所述第二凹槽在所述基底上的正投影位于所述第一凹槽在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在平行于所述基底的平面上，所述凹槽的形状包括如下任意一个或者多个：三角形、矩形、多边形、圆形和椭圆形。
在示例性实施方式中，在垂直于所述基底的平面上，所述凹槽的截面形状为矩形、梯形或者多边形。
在示例性实施方式中，所述无机绝缘层上设置有多个凹槽，在平行于所述基底的平面上，所述多个凹槽的形状相同，或者，所述多个凹槽的形状不同。
在示例性实施方式中，所述无机绝缘层上设置有多个凹槽，在平行于所述基底的平面上，所述多个凹槽的尺寸相同，或者，所述多个凹槽的尺寸不 同。
在示例性实施方式中，所述无机绝缘层上设置有多个凹槽，在垂直于所述基底的平面上，所述多个凹槽的深度相同，或者，所述多个凹槽的深度不同。
在示例性实施方式中，所述显示区的无机绝缘层上还设置有阳极过孔；在平行于所述基底的平面上，所述凹槽在所述基底平面上的正投影的面积大于所述阳极过孔在所述基底平面上的正投影的面积。
图5为本公开示例性实施例一种显示基板的平面结构示意图。如图5所示，在平行于显示基板的平面上，显示基板可以包括规则排布的多个显示单元300，多个显示单元300可以形成多个单元行和多个单元列，单元行可以包括多个沿着第一方向X依次设置的多个显示单元300，单元列可以包括多个沿着第二方向Y依次设置的多个显示单元300，第一方向X和第二方向Y交叉。至少一个显示单元300可以包括显示区100和透明区200，透明区200可以位于显示区100第一方向X的一侧，显示区100被配置为实现图像显示，透明区200被配置为实现光线透过，从而实现透明状态下的图像显示，即透明显示。
在示例性实施方式中，透明区200可以至少包括过渡区210，过渡区210可以位于透明区200靠近显示区100的一侧，即位于显示区100和透明区200的交界区域，过渡区210被配置为设置有辅助阴极。
图6为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图，为图5中A-A向的剖视图。如图6所示，在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以至少包括设置在基底10上的驱动结构层20和设置在驱动结构层20远离基底10一侧的发光结构层30。
在示例性实施方式中，显示区100的驱动结构层20可以至少包括构成像素驱动电路的晶体管20A，显示区100的发光结构层30可以至少包括发光器件，发光器件与晶体管20A连接。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，显示区100的驱动结构层20可以至少包括在基底10上依次设置的第一导电层、第一绝缘层11、 半导体层、第二绝缘层12、第二导电层、第三绝缘层13、第三导电层、第四绝缘层14和平坦层15，第一导电层可以至少包括遮挡电极，半导体层可以至少包括有源层，第二导电层可以至少包括栅电极，第三导电层可以至少包括源电极和漏电极，第四绝缘层14和平坦层15上开设有阳极过孔，遮挡电极、有源层、栅电极、源电极和漏电极可以构成晶体管20A。显示区100的发光结构层30可以至少包括阳极21、像素定义层22、有机发光层23和阴极24。阳极21可以设置在平坦层15远离基底的一侧，阳极21可以通过过孔与晶体管20A的漏电极连接。像素定义层22可以设置在阳极21远离基底的一侧，像素定义层22上设置有像素开口，像素开口暴露出阳极21的表面。有机发光层23可以设置在像素定义层22远离基底的一侧，有机发光层23通过像素开口与阳极21连接，阴极24可以设置在有机发光层23远离基底的一侧，阳极21、有机发光层23和阴极24构成发光器件。
在示例性实施方式中，透明区200中过渡区210的驱动结构层20可以至少包括电源电极60和至少一个凹槽，电源电极60可以设置在第三导电层中，至少一个凹槽可以设置在作为无机绝缘层的第四绝缘层14上，凹槽被配置为增加像素定义层22与第四绝缘层14的接触面积。过渡区210的发光结构层30可以至少包括像素定义层22和辅助阴极70，像素定义层22设置在第四绝缘层14远离基底的一侧，像素定义层22填充至少一个凹槽，辅助阴极70设置在第四绝缘层14远离基底的一侧，且通过过孔与电源电极60连接。
在示例性实施方式中，显示区100的源电极和漏电极与过渡区210的电源电极60可以同层设置，材料相同，且通过同一次图案化工艺同时形成。
在示例性实施方式中，显示区100的阳极21与过渡区210的辅助阴极70可以同层设置，材料相同，且通过同一次图案化工艺同时形成。
在示例性实施方式中，过渡区210的发光结构层30还可以包括有机发光块和阴极块，有机发光块可以设置在辅助阴极70远离基底的一侧，有机发光块与显示区100的有机发光层可以同层设置，材料相同，且通过同一次工艺同时形成，阴极块可以设置在有机发光块远离基底的一侧，阴极块与显示区100的阴极可以同层设置，材料相同，且通过同一次工艺同时形成。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，过渡区210以外的 透明区200可以包括在基底10上依次设置的第一绝缘层11、第三绝缘层13和第四绝缘层14，透明区200的其它膜层(如平坦层和像素定义层)被去掉，以提高透明度。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，辅助阴极70的形状可以包括如下任意一种或多种：三角形、正方形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，辅助阴极70可以包括第一辅助阴极70-1、设置在第一辅助阴极70-1远离基底一侧的第二辅助阴极70-2和设置在第二辅助阴极70-2远离基底一侧的第三辅助阴极70-3，第二辅助阴极70-2在基底上的正投影位于第一辅助阴极70-1在基底上的正投影的范围之内，第二辅助阴极70-2在基底上的正投影位于第三辅助阴极70-3在基底上的正投影的范围之内，叠设的第一辅助阴极70-1、第二辅助阴极70-2和第三辅助阴极70-3构成“工”字形的辅助阴极结构。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，阳极21可以包括第一阳极21-1、设置在第一阳极21-1远离基底一侧的第二阳极21-2和设置在第二阳极21-2远离基底一侧的第三阳极21-3，第二阳极21-2在基底上的正投影位于第一阳极21-1在基底上的正投影的范围之内，第二阳极21-2在基底上的正投影位于第三阳极21-3在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第一辅助阴极70-1与第一阳极21-1可以同层设置，材料相同。
在示例性实施方式中，第二辅助阴极70-2与第二阳极21-2同层设置，材料相同。
在示例性实施方式中，第三辅助阴极70-3与第三阳极21-3同层设置，材料相同。
图7A至图7C为本公开示例性实施例凹槽的平面结构示意图，示意了一个过渡区的平面结构。在示例性实施方式中，过渡区210可以包括辅助阴极70和至少一个凹槽80，辅助阴极70可以设置在凹槽80远离显示区100的一侧(显示区100第一方向X的一侧)。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，辅助阴极70的形状可以为沿着第二方向Y延伸的条形状，凹槽80的形状可以包括如下任意一个或者多个：三角形、矩形、多边形、圆形和椭圆形。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，凹槽80的形状可以为沿着第一方向X延伸的条形状，或者，凹槽80的形状可以为沿着第二方向Y延伸的条形状。
在示例性实施方式中，在过渡区设置多个凹槽80时，多个凹槽80可以沿着第一方向X依次设置，如图7A所示，或者，多个凹槽80可以沿着第二方向Y依次设置，如图7B所示，或者，多个凹槽80可以分别沿着第一方向X和第二方向Y依次设置，如图7C所示。
在示例性实施方式中，在过渡区设置多个凹槽80时，多个凹槽80的形状可以相同，或者可以不同。
在示例性实施方式中，在过渡区设置多个凹槽80时，多个凹槽80的宽度可以相同，或者可以不同，宽度可以为凹槽第一方向X上的最大尺寸。
在示例性实施方式中，在过渡区设置多个凹槽80时，多个凹槽80的长度可以相同，或者可以不同，长度可以为凹槽第二方向Y上的最大尺寸。
在示例性实施方式中，在过渡区设置多个凹槽80时，多个凹槽80的深度可以相同，或者可以不同，深度可以为垂直于显示基板方向上的最大尺寸。
图8A至图8C为本公开示例性实施例凹槽的剖面结构示意图，为图7C中B-B向的剖视图。在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，凹槽80的剖面形状可以是矩形、梯形或者多边形，矩形的内壁可以是直线、折线或者弧线。
在示例性实施方式中，凹槽80的深度可以小于第四绝缘层14的厚度，即凹槽80是在第四绝缘层14上开设的盲孔，如图8A所示。
在示例性实施方式中，凹槽80的深度可以等于第四绝缘层14的厚度，即凹槽80是在第四绝缘层14上开设的通孔，如图8B所示。
在示例性实施方式中，凹槽可以至少包括连通的第一凹槽81和第二凹 槽82，第二凹槽82设置在第一凹槽81的槽底，第二凹槽82的面积小于第一凹槽81的面积，第二凹槽82在基底上的正投影位于第一凹槽81在基底上的正投影的范围之内，形成台阶状的凹槽结构，如图8C所示。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下操作。
(1)在基底上制备晶体管电路层图案。在示例性实施方式中，在基底上制备晶体管电路层可以包括：
在基底10上沉积第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成设置在基底10上的第一导电层图案，第一导电层至少包括位于显示区100的遮挡电极51。
随后，在形成前述图案的基底上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖遮挡电极图案的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于显示区100的有源层52，有源层52在基底上的正投影位于遮挡电极51在基底上的正投影的范围之内。
随后，在形成前述图案的基底上依次沉积第二绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜和第二绝缘薄膜进行图案化，形成设置在半导体层图案上的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第二导电层图案，第二导电层图案至少包括位于显示区100的栅电极53，第二导电层图案在基底上的正投影位于第二绝缘层12在基底上的正投影的范围之内，栅电极53在基底上的正投影位于有源层52在基底上的正投影的范围之内。
随后，利用栅电极53进行遮挡对有源层52进行掺杂处理，使有源层52形成沟道区和位于沟道区两侧的掺杂区。
在示例性实施方式中，第二导电层图案还可以包括栅极走线等结构，本公开在此不做限定。
随后，在形成前述图案的基底上沉积第三绝缘薄膜，通过图案化工艺对第三绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二导电层图案的第三绝缘层13，显示区100的第三绝缘层13上开设有两个有源过孔和至少一个遮挡过孔图案。两个有源过孔可以位于有源层52两端的掺杂区，有源过孔内的第三绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层52两端掺杂区的表面，至少一个遮挡过孔可以位于遮挡电极51的边缘，遮挡过孔内的第三绝缘层13和第一绝缘层11被刻蚀掉，暴露出遮挡电极51的表面。
随后，在形成前述图案的基底上沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第三绝缘层13上形成第三导电层图案，第三导电层图案至少包括位于显示区100的源电极54和漏电极55，以及位于过渡区210的电源电极60，源电极54和漏电极55分别通过有源过孔与有源层52两端的掺杂区连接，漏电极55还通过遮挡过孔与遮挡电极51连接。
至此，在基底10上制备完成晶体管电路层图案，如图9所示。在示例性实施方式中，遮挡电极51、有源层52、栅电极53、源电极54和漏电极55组成晶体管20A，电源电极60可以作为传输低电压电源信号的电极。在示例性实施方式中，晶体管20A可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管。
(2)形成第四绝缘层图案。在示例性实施方式中，形成第四绝缘层图案 可以包括：在形成前述图案的基底上沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第三导电层图案的第四绝缘层14，第四绝缘层14上开设有第一过孔K1、第二过孔K2和至少一个凹槽80，如图10所示。
在示例性实施方式中，第一过孔K1可以设置在显示区100，第一过孔K1内的第四绝缘薄膜被刻蚀掉，暴露出晶体管20A的漏电极的表面，第一过孔K1被配置为使后续形成的阳极通过该过孔与晶体管20A的漏电极连接。
在示例性实施方式中，第二过孔K2可以设置在过渡区210，第二过孔K2内的第四绝缘薄膜被刻蚀掉，暴露出电源电极60的表面，第二过孔K2被配置为使后续形成的辅助阴极通过该过孔与电源电极60连接。
在示例性实施方式中，凹槽80可以设置在过渡区210，凹槽80被配置为由后续形成的像素定义层填充，以增加像素定义层与第四绝缘层14的接触面积，提高像素定义层与第四绝缘层之间的粘结力。
在示例性实施方式中，凹槽80在基底上的正投影的面积可以大于第一过孔K1在基底上的正投影的面积，以保证后续形成的像素定义层有更好的粘附性，提高像素定义层与第四绝缘层之间的粘结力。
在一种示例性实施方式中，凹槽80可以是盲孔结构，凹槽80内部分厚度的第四绝缘薄膜被刻蚀掉，使得凹槽80的底部保留有部分厚度的第四绝缘层。
在另一种示例性实施方式中，凹槽80可以是通孔结构，凹槽80内全部厚度的第四绝缘薄膜被刻蚀掉，使得凹槽80暴露出第三绝缘层13的表面。
在示例性实施方式中，在平行于基底的平面上，凹槽80的形状可以包括如下任意一个或者多个：三角形、矩形、多边形、圆形和椭圆形。
在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面上，凹槽80的剖面形状可以是矩形、梯形或者多边形，矩形的内壁可以是直线、折线或者弧线。
在示例性实施方式中，过渡区210中设置多个凹槽80时，多个凹槽80的形状可以相同，或者可以不同。多个凹槽80的宽度可以相同，或者可以不 同。多个凹槽80的长度可以相同，或者可以不同。多个凹槽80的深度可以相同，或者可以不同。
(3)形成第一平坦层图案。在示例性实施方式中，形成第一平坦层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，在第四绝缘层14上形成第一平坦层15图案，第一平坦层15上开设有第三过孔K3，如图11所示。
在示例性实施方式中，第一平坦层15可以位于显示区100，透明区的第一平坦薄膜被去掉，暴露出第四绝缘层14以及第四绝缘层14上设置的凹槽80和第二过孔K2，以增加透明区的透明度。
在示例性实施方式中，第三过孔K3可以设置在显示区100，第三过孔K3内的第一平坦薄膜被去掉，暴露出第一过孔K1，使得第三过孔K3和第一过孔K1连通，连通的第一过孔K1和第三过孔K3构成阳极过孔。
在示例性实施方式中，凹槽在基底上的正投影的面积可以大于阳极过孔在基底上的正投影的面积，以保证后续形成的像素定义层有更好的粘附性，提高像素定义层与第四绝缘层之间的粘结力。
至此，在基底10上制备完成驱动结构层20图案，如图11所示。在示例性实施方式中，显示区100的驱动结构层20可以至少包括在基底上依次设置的第一导电层、第一绝缘层11、半导体层、第二绝缘层12、第二导电层、第三绝缘层13、第三导电层、第四绝缘层14和平坦层15，第四绝缘层14和平坦层15上开设有阳极过孔。过渡区210的驱动结构层20可以至少包括在基底上依次设置的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13、电源电极60和第四绝缘层14，第四绝缘层14上开设有第二过孔和至少一个凹槽，第二过孔K2暴露出电源电极60。
在示例性实施方式中，基底可以是刚性基底，或者可以是柔性基底。刚性基底可以包括玻璃或者石英等，柔性基底可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、第二柔性材料层和第二无机材料层。在示例性实施方式中，第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料 层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，第一、第二无机材料层也称为阻挡(Barrier)层。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为缓冲(Buffer)层，第二绝缘层称为栅绝缘(GI)层，第三绝缘层称为层间绝缘(ILD)层，第四绝缘层称为钝化(PVX)层。第一平坦层可以采用有机材料，如树脂等。第一导电层、第二导电层和第三导电层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
(4)形成阳极导电层图案。在示例性实施方式中，形成阳极导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上依次沉积第一透明导电薄膜、反射薄膜和第二透明导电薄膜，通过图案化工艺对第一透明导电薄膜、反射薄膜和第二透明导电薄膜进行图案化，形成阳极导电层图案，阳极导电层图案至少包括阳极21和辅助阴极70，如图12所示。
在示例性实施方式中，阳极21可以位于显示区100，阳极21可以包括设置在平坦层15上的第一阳极21-1、设置在第一阳极21-1远离基底一侧的第二阳极21-2以及设置在第二阳极21-2远离基底一侧的第三阳极21-3，第一阳极21-1通过阳极过孔与晶体管20A的漏电极连接，第二阳极21-2与第一阳极21-1搭接，第三阳极21-3与第二阳极21-2搭接。
在示例性实施方式中，辅助阴极70可以位于过渡区210，辅助阴极70可以包括设置在第四绝缘层14上的第一辅助阴极70-1、设置在第一辅助阴极70-1远离基底一侧的第二辅助阴极70-2以及设置在第二辅助阴极70-2远离基底一侧的第三辅助阴极70-3，第一辅助阴极70-1通过第二过孔K2与电源电极60连接，第二辅助阴极70-2与第一辅助阴极70-1搭接，第三辅助阴 极70-3与第二辅助阴极70-2搭接。
在示例性实施方式中，辅助阴极70可以设置在凹槽80远离显示区100的一侧。
在示例性实施方式中，第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)等透明导电材料，反射薄膜可以采用铝(Al)等金属材料。
在示例性实施方式中，可以采用多次湿刻工艺形成阳极21和辅助阴极70。例如，依次沉积第一透明导电薄膜、反射薄膜和第二透明导电薄膜后，涂覆一层光刻胶，经过掩膜、曝光和显影形成光刻胶图案后，可以先采用第一刻蚀液对未被光刻胶覆盖的第二透明导电薄膜进行刻蚀，形成第三阳极21-3和第三辅助阴极70-3。随后，采用第二刻蚀液刻蚀暴露出的反射薄膜，形成第二阳极21-2和第二辅助阴极70-2。随后，采用第三刻蚀液刻蚀暴露出的第一透明导电薄膜，形成第一阳极21-1和第一辅助阴极70-1。在采用第二刻蚀液对反射薄膜进行刻蚀时，通过对反射薄膜进行较大过刻量的刻蚀，第二辅助阴极70-2具有较大的缩进量，使得第一辅助阴极70-1和第三辅助阴极70-3相对于第二辅助阴极70-2的侧壁具有突出部，上下两个突出部和第二辅助阴极70-2的侧壁形成内陷结构，使得叠设的第一辅助阴极70-1、第二辅助阴极70-2和第三辅助阴极70-3的剖面形状呈“工”字形结构。
在示例性实施方式中，由于第二阳极21-2和第二辅助阴极70-2通过同一次刻蚀工艺同步形成，因而第二阳极21-2也具有较大的缩进量，使得第一阳极21-1和第三阳极21-3相对于第二阳极21-2的侧壁具有突出部。
由于采用第三刻蚀液对第一透明导电薄膜进行刻蚀时，会同时刻蚀第三阳极21-3和第三辅助阴极70-3，因而刻蚀后形成的第三阳极21-3的宽度小于第一阳极21-1的宽度，刻蚀后形成的第三辅助阴极70-3的宽度小于第一辅助阴极70-1。
在示例性实施方式中，第二阳极21-2在基底上的正投影可以位于第一阳极21-1在基底上的正投影的范围之内，第二阳极21-2在基底上的正投影可以位于第三阳极21-3在基底上的正投影的范围之内，第三阳极21-3在基底上的正投影可以位于第一阳极21-1在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第二辅助阴极70-2在基底上的正投影可以位于 第一辅助阴极70-1在基底上的正投影的范围之内，第二辅助阴极70-2在基底上的正投影可以位于第三辅助阴极70-3在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第三辅助阴极70-3在基底上的正投影可以位于第一辅助阴极70-1在基底上的正投影的范围之内，因而辅助阴极70呈现上部小、下部大的整体形貌。
在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面上，所述第二辅助阴极的剖面形状可以为梯形。
在示例性实施方式中，第一刻蚀液和第三刻蚀液可以采用H
2SO
4系稀酸，第二刻蚀液可以采用H
3PO
4系浓酸，第二刻蚀液刻蚀反射薄膜的速率大于刻蚀第二刻蚀液刻蚀第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜的速率。
在示例性实施方式中，本次工艺后，透明区中辅助阴极70以外区域的第一透明导电薄膜、反射薄膜和第二透明导电薄膜被去掉，暴露出第四绝缘层14以及第四绝缘层14上开设的凹槽80。
(5)形成像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义(PDL)层22图案，如图13所示。
在示例性实施方式中，像素定义层22可以位于显示区，透明区的像素定义薄膜被去掉，以增加透明区的透明度。
在示例性实施方式中，显示区100的像素定义层22上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被去掉，暴露出阳极21中第三阳极21-3的表面。
在示例性实施方式中，像素开口在基底上的正投影位于第一阳极21-1、第二阳极21-2和第三阳极21-3在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，像素开口的形状可以是三角形、矩形、多边形、圆形或椭圆形等。在垂直于显示基板的平面上，像素开口的截面形状可以是矩形或者梯形等。
在示例性实施方式中，在阳极21以外区域，显示区100的像素定义层22设置在平坦层15上，并与平坦层15直接接触。
在示例性实施方式中，显示区100中平坦层15靠近透明区一侧的边缘被 像素定义层22覆盖。
在示例性实施方式中，显示区的像素定义层22延伸到透明区，设置在第四绝缘层14远离基底的一侧，且与第四绝缘层14接接触。延伸到透明区的像素定义层22填充凹槽80，一方面增加了像素定义层22与第四绝缘层14之间的接触面积，提高了像素定义层与第四绝缘层之间的粘结力，另一方面使得透明区中像素定义层22的厚度大于显示区中像素定义层22的厚度，像素定义层厚度增加可以增强像素定义层抗脱落的能力，可以进一步提高了像素定义层与第四绝缘层之间的粘结力。
在示例性实施方式中，凹槽80为贯通第四绝缘层14的通槽结构，因而填充凹槽80的像素定义层22与第三绝缘层(层间绝缘层)接触。
在示例性实施方式中，像素定义层22远离显示区100一侧的边缘覆盖辅助阴极70靠近显示区100一侧的边缘。
在示例性实施方式中，像素定义层22远离显示区100一侧的边缘覆盖辅助阴极70中第一辅助阴极70-1靠近显示区100一侧的边缘。
在示例性实施方式中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
(6)形成有机发光层和阴极图案。在示例性实施方式中，形成有机发光层和阴极图案可以包括：在形成前述图案的基底上蒸镀有机发光材料，形成有机发光层23和发光块91图案，随后在形成前述图案的基底上沉积阴极薄膜，形成阴极24和阴极块92图案，如图14所示。
在示例性实施方式中，有机发光层23和阴极24可以位于显示区100，发光块91和阴极块92可以位于过渡区210，发光块91与有机发光层23隔离设置，阴极24与阴极块92隔离设置。
在示例性实施方式中，显示区100的有机发光层23可以通过像素开口与阳极21连接，阴极24可以是连通在一起的整体结构，阴极24搭接在有机发光层23远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，由于辅助阴极70的“工”字形结构，第三辅助阴极70-3凸出第二辅助阴极70-2一段距离，蒸镀方式中有机发光材料的扩散性能 较差，因而第三辅助阴极70-3的“屋檐”结构可以切断有机发光材料，不仅使得有机发光材料在第三辅助阴极70-3的侧面边缘处断开，而且可以阻止有机发光材料扩散到屋檐的下方，仅在第三辅助阴极70-3的上表面形成发光块91，实现了有机发光层23与发光块91的相互隔离。
在示例性实施方式中，由于辅助阴极70的“工”字形结构，第三辅助阴极70-3凸出第二辅助阴极70-2一段距离，因而第三辅助阴极70-3的“屋檐”结构可以切断阴极薄膜，在发光块91的上表面形成阴极块92。
在示例性实施方式中，发光块91在基底上的正投影可以位于第三辅助阴极70-3在基底上的正投影的范围之内，阴极块92在基底上的正投影可以位于发光块91在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，有机发光层可以包括发光层(EML)，以及如下任意一层或多层：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在示例性实施方式中，有机发光材料可以采用精细金属掩模版(Fine Metal Mask，简称FMM)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀形成，或者采用喷墨工艺形成。
在示例性实施方式中，可以采用如下制备方法制备有机发光层。先采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴注入层和空穴传输层，在显示基板上形成空穴注入层和空穴传输层的共通层。随后，采用精细金属掩模版在红色子像素蒸镀电子阻挡层和红色发光层，在绿色子像素蒸镀电子阻挡层和绿色发光层，在蓝色子像素蒸镀电子阻挡层和蓝色发光层，相邻子像素的电子阻挡层和发光层可以有少量的交叠(例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10％)，或者可以是隔离的。随后，采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在显示基板上形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层。
在示例性实施方式中，电子阻挡层可以作为发光器件的微腔调节层，通过设计电子阻挡层的厚度，可以使得阴极和阳极之间有机发光层的厚度满足微腔长度的设计。在一些示例性实施方式中，可以采用有机发光层中的空穴传输层、空穴阻挡层或电子传输层作为发光器件的微腔调节层，本公开在此 不做限定。
在示例性实施方式中，发光层可以包括主体(Host)材料和掺杂在主体材料中的客体(Dopant)材料，发光层客体材料的掺杂比例为1％至20％。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施方式中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施方式中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。
在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物。在示例性实施方式中，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
在示例性实施方式中，在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等。在示例性实施方式中，空穴传输层的厚度可以约为40nm至150nm。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。在示例性实施方式中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化 锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等。在示例性实施方式中，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
在示例性实施方式中，阴极薄膜可以采用透明的氧化铟锌(IZO)，可以采用用磁控溅射(Sputter)沉积方式。由于磁控溅射方式沉积氧化铟锌的扩散性能较好，因此氧化铟锌可以绕过第三辅助阴极的“屋檐”结构扩散到屋檐的下方，与辅助阴极的侧壁搭接，实现了阴极与辅助阴极之间的搭接，而且阴极与辅助阴极的接触面积较大，可以有效降低接触界面处的电阻，提高连接可靠性。
至此，在驱动结构层20上制备完成发光结构层30图案，发光结构层30包括阳极、像素定义层、有机发光层、阴极和辅助阴极，有机发光层分别与阳极和阴极连接，阴极与辅助阴极连接。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程还可以包括形成封装结构层图案，形成封装结构层图案可以包括：先利用开放式掩膜板采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方式沉积第一无机薄膜，形成第一封装层。随后，利用喷墨打印工艺在第一封装层上喷墨打印有机材料，固化成膜后，形成第二封装层。随后，利用开放式掩膜板沉积第二无机薄膜，形成第三封装层，第一封装层、第二封装层和第三封装层组成封装层。在示例性实施例中，第一封装层和第三封装层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，第二封装层可以采用树脂材料，形成无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层。
在示例性实施方式中，制备完成封装结构层后，可以在封装结构层上形成触摸结构层(TSP)，触摸结构层可以包括触控电极层，或者包括触控电极层和触控绝缘层，本公开在此不做限定。
目前，采用显示区和透明区的透明显示装置存在像素暗点不良的问题。研究表明，像素暗点不良是由于阴极和阳极之间短路造成的。进一步研究表明，阴极和阳极之间短路是由于过渡区中像素定义层脱落造成的。在透明区， 由于像素定义层与第四绝缘层直接接触，而有机材料的像素定义层与无机材料的第四绝缘层之间的粘附力较差，因而会产生像素定义层脱落的情况。当像素定义层脱落时，后续形成的阴极会搭接在阳极上，造成阴极和阳极之间短路，从而导致像素暗点不良。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板，通过在透明区的第四绝缘层上设置凹槽，使得与第四绝缘层直接接触的像素定义层填充该凹槽，增加了像素定义层与第四绝缘层的接触面积，从而增强了像素定义层与第四绝缘层之间的粘附力，可以避免像素定义层脱落。此外，填充凹槽的像素定义层相当于增加了像素定义层的厚度，从而增强了像素定义层抗脱落的能力，可以进一步提高像素定义层与第四绝缘层之间的粘结力，进一步避免像素定义层脱落。本公开示例性实施例显示基板可以避免像素定义层脱落，可以有效避免阴极和阳极之间短路，从而有效避免了像素暗点不良。
本公开示例性实施例通过设置凹槽的数量、平面形状以及剖面形状，可以有效增加像素定义层与第四绝缘层的接触面积。由于本公开第四绝缘层上的凹槽与第四绝缘层上的过孔同步形成，因而本公开方案不会增加额外的图案化工艺，不会增加制备成本，具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开示例性实施例通过将辅助阴极的剖面形状设置成“工”字形，使得有机发光层和阴极在辅助阴极的边缘处断开，利用磁控溅射方式沉积阴极，不仅顺利实现了阴极与辅助阴极之间的搭接，而且有效增加阴极与辅助阴极的接触面积，有效降低了接触界面处的电阻，提高了连接可靠性，提升了显示品质。
本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，本公开显示基板可以应用于具有像素驱动电路的显示装置中，如OLED、量子点显示(QLED)、发光二极管显示(Micro LED或Mini LED)或量子点发光二极管显示(QDLED)等，本公开在此不做限定。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法，以制备前述的显示基板。在示例性实施方式中，所述显示基板包括显示区和透明区，所述显示区被配置为实现图像显示，所述透明区被配置为透过光线；显示基板的制备方法可以包括：
在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层至少包括无机绝缘层，所述显示区的驱动结构层还包括设置在所述无机绝缘层远离所述基底一侧的平坦层，所述透明区的无机绝缘层上设置有至少一个凹槽；
在所述驱动结构层上形成发光结构层，所述发光结构层至少包括像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦层远离所述基底的一侧，且与所述平坦层接触，所述像素定义层填充位于所述透明区的凹槽。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (17)
- 一种显示基板，包括显示区和透明区，所述显示区被配置为实现图像显示，所述透明区被配置为透过光线；在垂直于显示基板的平面上，所述显示基板至少包括设置在基底上的驱动结构层和设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的发光结构层，所述驱动结构层至少包括无机绝缘层，所述发光结构层至少包括像素定义层；所述显示区的驱动结构层还包括设置在所述无机绝缘层远离所述基底一侧的平坦层，所述像素定义层设置在所述平坦层远离所述基底的一侧，且与所述平坦层接触；所述透明区的无机绝缘层上设置有至少一个凹槽，所述像素定义层填充位于所述透明区的凹槽。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述透明区中所述像素定义层的厚度大于所述显示区中所述像素定义层的厚度。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述凹槽的深度小于所述无机绝缘层的厚度。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述凹槽的深度等于所述无机绝缘层的厚度。
- 根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述透明区的驱动结构层至少包括设置在基底上的缓冲层和设置在所述缓冲层远离所述基底一侧的层间绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述层间绝缘层远离所述基底的一侧，填充所述凹槽的像素定义层与所述层间绝缘层接触。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述凹槽包括连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第二凹槽设置在所述第一凹槽的槽底，所述第二凹槽在所述基底上的正投影位于所述第一凹槽在所述基底上的正投影的范围之内。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，在平行于所述基底的平面上，所述凹槽的形状包括如下任意一个或者多个：三角形、矩形、多边形、圆形和椭圆形。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，在垂直于所述基底的平面上，所述凹槽的截面形状为矩形、梯形或者多边形。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述无机绝缘层上设置有多个凹槽，在平行于所述基底的平面上，所述多个凹槽的形状相同，或者，所述多个凹槽的形状不同。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述无机绝缘层上设置有多个凹槽，在平行于所述基底的平面上，所述多个凹槽的尺寸相同，或者，所述多个凹槽的尺寸不同。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述无机绝缘层上设置有多个凹槽，在垂直于所述基底的平面上，所述多个凹槽的深度相同，或者，所述多个凹槽的深度不同。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示区的无机绝缘层上还设置有阳极过孔；在平行于所述基底的平面上，所述凹槽在所述基底平面上的正投影的面积大于所述阳极过孔在所述基底平面上的正投影的面积。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述透明区还设置有辅助阴极，所述辅助阴极设置在所述凹槽远离所述显示区的一侧。
- 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述辅助阴极包括设置在所述无机绝缘层远离所述基底一侧的第一辅助阴极、设置在所述第一辅助阴极远离所述基底一侧的第二辅助阴极以及设置在所述第二辅助阴极远离所述基底一侧的第三辅助阴极，所述第二辅助阴极在所述基底上的正投影位于所述第一辅助阴极在所述基底上的正投影的范围之内，所述第二辅助阴极在所述基底上的正投影位于所述第三辅助阴极在所述基底上的正投影的范围之内。
- 根据权利要求14所述的显示基板，其中，所述像素定义层覆盖所述辅助阴极靠近所述显示区一侧的边缘。
- 一种显示装置，包括权利要求1至15任一项所述的显示基板。
- 一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区和透明区，所述显示区被配置为实现图像显示，所述透明区被配置为透过光线；所述制备方法包括：在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层至少包括无机绝缘层，所述显示区的驱动结构层还包括设置在所述无机绝缘层远离所述基底一侧的平坦层，所述透明区的无机绝缘层上设置有至少一个凹槽；在所述驱动结构层上形成发光结构层，所述发光结构层至少包括像素定义层，所述像素定义层设置在所述平坦层远离所述基底的一侧，且与所述平坦层接触，所述像素定义层填充位于所述透明区的凹槽。
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| CN106328673A (zh) * | 2015-07-03 | 2017-01-11 | 三星显示有限公司 | 透明显示设备及制造该透明显示设备的方法 |
| CN111524952A (zh) * | 2020-05-07 | 2020-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
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2022
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- 2022-04-26 WO PCT/CN2022/089256 patent/WO2023206066A1/zh unknown
Patent Citations (3)
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