CN113594389B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括：基底、设置在所述基底上的驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的发光结构层，所述发光结构层中设置有导热结构层，用于导出发光结构层工作时产生的热量。采用本公开实施例方案可以快速导出发光结构层工作时产生的焦耳热，防止因热量集中引起的发光材料及器件界面的劣化，进而减缓OLED显示装置在长时间工作后出现的发光效率衰减，延长显示器件的使用寿命。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)作为继阴极射线显像管(Cathode Ray Tube，CRT)、液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)显示技术后的第三代显示技术，具有自发光、亮度高、功耗低、厚度薄及可柔性显示等优点，正逐步发展为应用广泛的先进平板显示技术，具有广阔的市场前景。然而OLED器件在工作时，只有部分电能可以有效用于发光，剩余的电能将以焦耳热的形式损耗，尤其在高亮度、大电流密度的工作场景下，器件内部会产生大量的焦耳热；这些焦耳热若集中在器件内部不能快速散出，则会加速OLED发光材料及器件界面的劣化，从而降低显示装置的发光效率及其使用寿命。

发明内容

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，可以快速导出发光结构层工作时产生的焦耳热，防止因热量集中引起的发光材料及器件界面的劣化，延长显示装置的使用寿命。

一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括基底、设置在所述基底上的驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的发光结构层，所述发光结构层中设置有导热结构层，用于导出发光结构层工作时产生的热量。

另一方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。

再一方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

在基底上形成驱动电路层；

在所述驱动电路层上形成发光结构层；所述发光结构层中设置有导热结构层，用于导出发光结构层工作时产生的热量。

本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在发光结构层中设置导热结构层，可以快速导出发光结构层工作时产生的焦耳热，防止因热量集中引起的发光材料及器件界面的劣化，进而减缓OLED显示装置在长时间工作后出现的发光效率衰减，延长显示器件的使用寿命；本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低。

当然，实施本公开的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本公开的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为一种OLED显示装置的电路结构示意图；

图2为一种显示基板显示区域的平面结构示意图；

图3为一种显示基板的剖面结构示意图；

图4为一种像素驱动电路的等效电路图；

图5为本公开实施例显示基板的示意图；

图6为本公开实施例形成第二电容电极图案后的示意图；

图7为本公开实施例形成源电极和漏电极图案后的示意图；

图8为本公开实施例形成平坦层第二过孔后的示意图；

图9为本公开实施例形成第一导热层后的示意图；

图10为本公开实施例形成像素定义层后的示意图；

图11为本公开实施例形成第二导热层后的示意图；

图12为本公开实施例形成有机发光层和阴极图案后的示意图；

图13为本公开实施例形成第三导热层后的示意图。

附图标记说明:

10—基底； 11—第一绝缘层； 12—有源层；

13—第二绝缘层； 14—栅电极； 15—第一电容电极；

16—第三绝缘层； 17—第二电容电极； 18—第四绝缘层；

19—源电极； 20—漏电极； 21—平坦层；

22—阳极； 23—像素定义层； 24—有机发光层；

25—阴极； 26—第一封装层； 27—第二封装层；

28—第三封装层； 31—第一导热层； 32—第二导热层；

33—第三导热层； 101—基底； 102—驱动电路层；

103—发光结构层； 104—封装结构层； 210—驱动晶体管；

211—存储电容。

具体实施方式

本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的方案。因此，应当理解，在本公开中示出或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行一种或多种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或科学术语为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。本公开中，“多个”可以表示两个或两个以上的数目。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“耦接”、“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“电性的连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且可以包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。

在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本公开中，可以是第一极为漏电极、第二极为源电极，或者可以是第一极为源电极、第二极为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个数据信号线(D1到Dn)连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线(S1到Sm)连接，发光驱动器分别与多个发光信号线(E1到Eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线、至少一个发光信号线和像素驱动电路。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。

图2为一种显示基板显示区域的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2、出射第三颜色光线的第三子像素P3和出射第四颜色光线的第四子像素P4，四个子像素可以均包括电路单元和发光器件，电路单元可以包括扫描信号线、数据信号线和像素驱动电路，像素驱动电路分别与扫描信号线和数据信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光器件输出相应的电流。每个子像素中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。

在示例性实施方式中，第一子像素P1可以是出射红色光线的红色子像素(R)，第二子像素P2可以是出射白色光线的白色子像素(W)，第三子像素P3可以是出射蓝色光线的蓝色子像素(B)，第四子像素P4可以是出射绿色光线的绿色子像素(G)。

在示例性实施方式中，子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。在一种示例性实施方式中，四个子像素可以采用水平并列方式排列，形成RWBG像素排布。在另一种示例性实施方式中，四个子像素可以采用正方形(Square)、钻石形(Diamond)或竖直并列等方式排列，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，水平方向依次设置的多个子像素称为像素行，竖直方向依次设置的多个子像素称为像素列，多个像素行和多个像素列构成阵列排布的像素阵列。

图3为一种显示基板的剖面结构示意图，示意了OLED显示基板三个子像素的结构。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板中每个子像素可以包括设置在基底101上的驱动电路层102、设置在驱动电路层102远离基底一侧的发光结构层103以及设置在发光结构层103远离基底一侧的封装层104。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，基底可以是柔性基底；每个子像素的驱动电路层102可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图3中以部分驱动晶体管210和存储电容211为例进行示意；每个子像素的发光结构层103可以包括阳极、像素定义层、有机发光层和阴极；封装结构层104可以包括多个叠设的封装层。

在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C、7T1C或8T1C结构。图4为一种像素驱动电路的等效电路图。如图4所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C，像素驱动电路分别与8个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)连接。

在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。其中，第一节点N1分别与第三晶体管T3的第一极、第四晶体管T4的第二极和第五晶体管T5的第二极连接，第二节点N2分别与第一晶体管的第二极、第二晶体管T2的第一极、第三晶体管T3的控制极和存储电容C的第二端连接，第三节点N3分别与第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的第二极和第六晶体管T6的第一极连接。

在示例性实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。

第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线INIT连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第一晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。

第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。

第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。

第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管或扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。

第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。

第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。

第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第七晶体管T7将初始电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。

在示例性实施方式中，发光器件可以是OLED，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)，或者可以是QLED，包括叠设的第一极(阳极)、量子点发光层和第二极(阴极)。

在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。

在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。

在示例性实施方式中，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E和初始信号线INIT可以沿水平方向延伸，第二电源线VSS、第一电源线VDD和数据信号线D可以沿竖直方向延伸。

在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。

示例性实施方式中，像素驱动电路中的第一晶体管T1到第七晶体管T7可以采用低温多晶硅晶体管，或者可以采用氧化物晶体管，或者可以采用低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管。低温多晶硅晶体管的有源层采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)，金属氧化物晶体管的有源层采用金属氧化物半导体(Oxide)。低温多晶硅晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物晶体管具有漏电流低等优点，将低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管集成在一个显示基板上，形成低温多晶氧化物(LowTemperature Polycrystalline Oxide，简称LTPO)显示基板，可以利用两者的优势，可以实现低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。

OLED器件在工作时会产生一部分焦耳热，这些焦耳热若集中在器件内部不能快速散出，则会加速OLED发光材料及器件界面的劣化，降低显示装置的发光效率和使用寿命。

本公开实施例提供了一种显示基板，如图5所示，所述显示基板包括基底、设置在所述基底上的驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的发光结构层，所述发光结构层中设置有导热结构层，用于导出发光结构层工作时产生的热量。

本公开实施例通过在发光结构层中构建导热结构层，可以快速导出发光结构层中发光器件工作时所产生的焦耳热，避免发光结构层附近的热量集中，可以减缓OLED发光材料及器件劣化，从而减缓显示装置在长时间工作后发光效率的降低，提升显示装置的发光性能，延长其使用寿命。

在示例性实施例中，所述发光结构层包括依次叠设的第四导电层、像素定义层、有机发光层和第五导电层，其中在所述第四导电层远离像素定义层的一侧设置第一导热层，所述第四导电层在基底上的正投影大于或等于所述第一导热层在基底上的正投影。

在示例性实施例中，所述第一导热层可以为聚合物材料层，所述聚合物材料为以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯。采用上述材料制备的导热层具有较高的导热性。

在示例性实施例中，所述发光结构层包括依次叠设的第四导电层、像素定义层、有机发光层和第五导电层，其中在所述有机发光层靠近像素定义层的一侧设置第二导热层，所述有机发光层在基底上的正投影大于或等于所述第二导热层在基底上的正投影。

在示例性实施例中，所述第二导热层可以为聚合物材料层，所述聚合物材料为以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯。采用上述材料制备的导热层具有较高的导热性。

在示例性实施例中，第二导热层可以为复合导热层，复合导热层包括聚合物材料和导热无机颗粒，所述聚合物材料包括以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯，所述导热无机颗粒包括以下一种或多种：氮化硼、氮化铝、金刚石。

在示例性实施例中，所述发光结构层包括依次叠设的第四导电层、像素定义层、有机发光层和第五导电层，其中在所述第五导电层远离有机发光层的一侧设置第三导热层，所述第五导电层在基底上的正投影大于或等于所述第三导热层在基底上的正投影。

在示例性实施例中，所述第三导热层为聚合物材料层，所述聚合物材料为以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯。采用上述材料制备的导热层具有较高的导热性。

在示例性实施例中，第三导热层为复合导热层，复合导热层包括聚合物材料和导热无机颗粒，所述聚合物材料包括以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯，所述导热无机颗粒包括以下一种或多种：氮化硼、氮化铝、金刚石。

通过合理构建多个导热层，可以提高导热效率，进一步提升OLED显示装置发光性能。

下面通过显示基板的制备过程说明本公开实施例的技术方案。

本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

以下所述示例性显示基板包括基底、驱动电路层、发光结构层和封装结构层，其中所述发光结构层设置有导热结构层。

(1)在玻璃载板1上制备柔性基底10。在一些示例性实施方式中，制备过程可以包括：

在玻璃载板1上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第一柔性材料层，完成基底10的制备。在一些示例中，第一柔性材料层的厚度范围可以为5微米(μm)至30μm。在一些示例中，柔性材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚乙烯醇(PVA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或经表面处理的聚合物软膜等材料。除了采用玻璃载板外，在其他实施例所述载板还可以是塑料材质。

(2)在基底10上制备驱动电路层图案。在示例性实施方式中，在基底10上制备驱动电路层图案可以包括：

2-1，形成半导体层图案。

在示例性实施方式中，形成半导体层图案可以包括：在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖整个基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于每个子像素中的有源层12。

2-2，形成第一导电层图案。

在示例性实施方式中，形成第一导电层图案可以包括：依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层13，以及设置在第二绝缘层13上的第一导电层图案，第一导电层图案至少包括位于每个子像素中的栅电极14和第一电容电极15。在示例性实施方式中，第一导电层可以称为第一栅金属(GATE1)层。

2-3，形成第二导电层图案。

在示例性实施方式中，形成第二导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，依次沉积第三绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层的第三绝缘层16，以及设置在第三绝缘层16上的第二导电层图案，第二导电层图案至少包括位于每个子像素中的第二电容电极17，第二电容电极17在基底上的正投影与第一电容电极15在基底上的正投影存在重叠区域。如图6所示。在示例性实施方式中，第二导电层可以称为第二栅金属(GATE2)层。

2-4，形成第四绝缘层图案。

在示例性实施方式中，形成第四绝缘层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二导电层的第四绝缘层图案，第四绝缘层上设置有多个过孔，过孔内的第四绝缘层18、第三绝缘层16和第二绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层12的两端。

2-5，形成第三导电层图案。

在示例性实施方式中，形成第三导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，形成设置在第四绝缘层18上的第三导电层图案，第三导电层图案至少包括位于每个子像素中的源电极19和漏电极20，源电极19和漏电极20分别通过设置在第四绝缘层上的多个过孔与有源层连接。如图7所示。

2-6，形成平坦层图案。

在示例性实施方式中，形成平坦层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三导电层的平坦层21，平坦层上形成有过孔，过孔内的平坦层21被去掉，暴露出每个子像素中的漏电极20。如图8所示。

至此，在基底上制备完成驱动电路层102图案。在示例性实施方式中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成第一晶体管210，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容211。在示例性实施方式中，第一晶体管210可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。驱动电路层用于为OLED显示装置提供驱动电流，并有序控制各个子像素的开关，从而使显示装置显示出图案。TFT驱动开关的类型可以为LTPS、a-Si、Oxide以及其他薄膜晶体管阵列，本公开在此不作限定。

在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称为层间绝缘(ILD)层。第一导电薄膜、第二导电薄膜和第三导电薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

(3)在形成前述图案的基底上制备发光结构层和导热结构层。在示例性实施方式中，在形成前述图案的基底上制备发光结构层和导热结构层可以包括：

3-1，形成第一导热层图案。

在示例性实施方式中，形成第一导热层图案可以包括：在形成前述图案的基底上通过涂布、喷墨打印或丝网印刷的方式形成第一导热薄膜，通过图案化工艺对第一导热薄膜进行图案化，形成设置于平坦层21上的第一导热层31。第一导热层31上设置有过孔，过孔位置与平坦层21上的过孔位置相对应，用于暴露出每个子像素中的漏电极20。如图9所示。

第一导热层31在基底上的正投影可以与后续制备的阳极22在基底上的正投影重合，或者第一导热层31在基底上的正投影可以小于阳极22在基底上的正投影。第一导热层用于促进阳极的热量导出。

3-2，形成第四导电层图案。

在示例性实施方式中，形成第四导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积第四导电薄膜(该导电薄膜可以是透明导电薄膜)，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，形成设置在第一导热层31上的第四导电层图案，第四导电层图案至少包括位于每个子像素中的阳极22，阳极22通过设置于平坦层21上的过孔与第一晶体管210的漏电极20连接。

3-3，形成像素定义层图案。

在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层(PDL，Pixel Definition Layer)23，像素定义层23在每个子像素形成有像素开口，像素开口内的像素定义层23被去掉，暴露出阳极22的表面。如图10所示。

3-4，形成第二导热层图案。

在示例性实施方式中，形成第二导热层图案可以包括：在形成前述图案的基底上通过涂布、喷墨打印或丝网印刷的方式形成第二导热薄膜，通过图案化工艺对第二导热薄膜进行图案化，形成设置于像素定义层23上的第二导热层32。第二导热层32上设置有开口，所述开口位置与像素定义层上的像素开口位置相对应，用于暴露出阳极22的表面。如图11所示。

第二导热层32在基底上的正投影可以与后续制备的有机发光层在基底上的正投影重合，或者第二导热层32在基底上的正投影可以小于有机发光层在基底上的正投影。第二导热层32用于促进发光层激子复合区域的热量导出。

3-5，形成有机发光层图案。

在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上采用磁控溅射、真空蒸镀、喷墨打印或涂布等工艺形成有机发光层24，有机发光层24通过像素开口与阳极22连接。

在示例性实施例中，可根据材料的类型及其化学性质和物理特性选择成膜工艺。

3-6，形成第五导电层图案。

在示例性实施方式中，形成第五导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积第五导电薄膜，通过图案化工艺对第五导电薄膜进行图案化，形成设置在有机发光层24的第五导电层图案，第五导电层图案至少包括阴极25，阴极25与有机发光层24连接。如图12所示。

3-7，形成第三导热层图案。

在示例性实施方式中，形成第三导热层图案可以包括：在形成前述图案的基底上通过涂布、喷墨打印或丝网印刷的方式形成第三导热薄膜，通过图案化工艺对第三导热薄膜进行图案化，形成设置于阴极25上的第三导热层33。如图13所示。

第三导热层33在基底上的正投影可以与阴极25在基底上的正投影重合，或者第三导热层33在基底上的正投影可以小于阴极25在基底上的正投影。第三导热层33用于促进阴极的热量导出。

本实施例以包括第一导热层、第二导热层和第三导热层的导热结构层为例进行说明，在其他实施例中，所述导热结构层可以包括其中任意一层，或者任意两层。本实施例在发光结构层构建了上-中-下三层导热结构，分别导出发光层阴极区域、激子复合区域和阳极区域所产生的焦耳热。导热层采用高导热系数的柔性聚合物材料制作，并在中-下导热层中掺杂无机导热颗粒以增强散热效果，可以快速导出发光结构层工作时产生的焦耳热，避免因热量集中引起的OLED发光材料及器件界面劣化，进而可缓解OLED显示装置在高亮度、大电流密度下工作时出现的发光效率降低、使用寿命减短的问题，提升OLED显示装置的发光性能和使用寿命。

至此，在驱动电路层102上制备完成发光结构层103和导热结构层图案。在示例性实施方式中，制备发光结构层103过程中，还可以形成隔离柱、隔离坝等结构，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，上述导热层可以采用高导热系数的柔性聚合物材料制备，可以加快发光结构层工作时产生的焦耳热导出。聚合物材料可以包括以下一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯等。

在示例性实施方式中，所述制备导热层的聚合物材料中可填充高导热无机颗粒，包括但不限于以下一种或多种：氮化硼、氮化铝、金刚石。填充无机颗粒后的导热层为复合导热层，可以进一步增强导热层的散热能力。例如第三导热层33可以使用纯聚合物材料制备，可以不添加无机颗粒，以避免无机导热颗粒降低显示装置的光取出效率。第二导热层32和/或第一导热层31可添加无机导热颗粒制成复合导热层，以增强显示装置的热量散出。

导热层可通过涂布、喷墨打印或丝网印刷等方式形成，本公开对此不做限定。

在示例性实施方式中，发光结构层中的有机发光层可以包括叠设的空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、电子阻挡层(Electron Block Layer，简称EBL)、发光层(Emitting Layer，简称EML)、空穴阻挡层(Hole Block Layer，简称HBL)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)。在阳极和阴极的电压驱动下，利用有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。

在示例性实施方式中，不同颜色的发光器件的发光层不同。例如，红色发光元件包括红色发光层，绿色发光元件包括绿色发光层，蓝色发光元件包括蓝色发光层。为了降低工艺难度和提升良率，位于发光层一侧的空穴注入层和空穴传输层可以采用共通层，位于发光层另一侧的电子注入层和电子传输层可以采用共通层。在示例性实施方式中，上述膜层中的一种或多种可以通过一次工艺(一次蒸镀工艺或一次喷墨打印工艺)制作。在示例性实施方式中，有机发光层可以通过采用精细金属掩模版(FMM，Fine Metal Mask)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀制备形成，或者采用喷墨工艺制备形成。

在示例性实施方式中，透明导电薄膜可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。

(4)在形成前述图案的基底上制备封装结构层。

封装结构层可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间。

封装结构层可以为发光结构层阻隔外界的水汽和氧气，防止发光器件因水氧的侵蚀而导致材料劣化，从而使得显示装置的发光效率降低甚至失效。同时，封装层还可以保护发光结构层免受外界的撞击和划伤，延长显示装置的使用寿命。

通过上述过程，完成了包括基底、发光结构层、导热结构层和封装结构层的显示基板的制备。其中，所述导热结构层可以包括第一导热层、第二导热层和第三导热层中的任意一个或多个。

从以上描述的显示基板的结构以及制备过程可以看出，本公开提供的显示基板，有以下优点：

(1)通过在发光结构层中设置导热结构层，可以可快速导出发光结构层工作时产生的焦耳热，防止因热量集中引起的发光材料及器件界面的劣化，进而减缓OLED显示装置在长时间工作后出现的发光效率衰减，延长显示器件的使用寿命；

(2)采用高导热系数的聚合物材料作为导热层，其加工方法与现有柔性显示面板制造技术高度一致，具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，实施门槛低，可快速量产化；

(3)通过将导热层与OLED发光层一体化，可降低导热层厚度，实现显示面板的轻薄化，增强其柔性弯折性能；此外，围绕OLED发光层构建的上-中-下三层导热结构，可缩短热量传递路径，加速热量导出，提升显示面板的散热效果；

(4)相较于其他技术方案，本公开实施例避免使用诸如碳纤维、石墨烯等碳材料，是由于这些碳材料虽然有着较高的导热系数，但也同时是良好的光热转换材料；在日光照射下，这些碳材料表面的温度会急剧升高，从而对OLED显示装置形成相反的加热效果，加速OLED发光材料及器件界面的劣化，降低显示面板的发光性能和使用寿命。

本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，OLED显示基板不仅可以顶发射结构，也可以是底发射结构。又如，薄膜晶体管不仅可以是顶栅结构，也可以是底栅结构，不仅可以是双栅结构，也可以是单栅结构。再如，薄膜晶体管可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管，驱动电路层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层，本公开实施例在此不做限定。

在一示例性实施例中，所述OLED显示基板可以是有源OLED显示基板，或者可以是无源OLED显示基板。

在一示例性实施例中，所述OLED基板可以包含彼此隔开的多个岛状显示区域、设置在相邻岛状显示区域之间的镂空开孔区域以及连接相邻岛状显示区域的连接区域。每个岛状显示区域配置为进行图像显示，每个镂空开孔区域配置为在显示基板拉伸时提供变形空间，每个连接区域配置为设置信号线并传递拉力。可以在所述岛状显示区域中的发光结构层中设置本公开实施例所述的导热结构层。制备方法如前所述，此处不再赘述。

基于本公开实施例的技术构思，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法。本实施例显示基板的制备方法包括：

S1、在基底上形成驱动电路层；

S2、在所述驱动电路层上形成发光结构层；所述发光结构层中设置有导热结构层，用于导出发光结构层工作时产生的热量。

在一示例性实施例中，所述导热结构层通过涂布、喷墨打印或丝网印刷的方式形成。

本实施例中，膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。

本实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过在发光结构层中设置导热结构层，可以快速导出发光结构层工作时产生的焦耳热，防止因热量集中引起的发光材料及器件界面的劣化，进而减缓OLED显示装置在长时间工作后出现的发光效率衰减，延长显示器件的使用寿命；本实施例的制备方法利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。在延长OLED显示装置使用寿命上具有实际应用价值，具有良好的应用前景。

基于本公开实施例的技术构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种显示基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的发光结构层，所述发光结构层中设置有导热结构层，用于导出发光结构层工作时产生的热量；其中：

所述发光结构层包括依次叠设的第四导电层、像素定义层、有机发光层和第五导电层，在所述驱动电路层与所述第四导电层之间设置第一导热层，所述第四导电层在基底上的正投影大于或等于所述第一导热层在基底上的正投影，所述第一导热层用于促进阳极的热量的导出；所述第一导热层设置有过孔，过孔位置与平坦层上的过孔位置相对应，用于暴露出每个子像素中的漏电极；在所述有机发光层靠近像素定义层的一侧设置第二导热层，所述第二导热层上设置有开口，所述开口位置与所述像素定义层上的像素开口位置相对应，用于暴露出阳极的表面，在所述第二导热层上的开口之外，所述有机发光层与所述第二导热层直接接触，在所述第二导热层上的开口之内，所述有机发光层与所述第二导热层没有接触，所述有机发光层在基底上的正投影大于或等于所述第二导热层在基底上的正投影，所述第二导热层用于促进发光层激子复合区域的热量导出；在所述第五导电层远离有机发光层的一侧设置第三导热层，所述第五导电层在基底上的正投影大于或等于所述第三导热层在基底上的正投影，所述第三导热层用于促进阴极的热量导出；通过构建的上-中-下三层导热结构，缩短热量传递路径，加速热量导出。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一导热层为聚合物材料，所述聚合物材料为以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二导热层为聚合物材料，所述聚合物材料为以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，第二导热层为复合导热层，所述复合导热层包括聚合物材料和导热无机颗粒，所述聚合物材料包括以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯，所述导热无机颗粒包括以下一种或多种：氮化硼、氮化铝、金刚石。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第三导热层为聚合物材料，所述聚合物材料为以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，第三导热层为复合导热层，所述复合导热层包括聚合物材料和导热无机颗粒，所述聚合物材料包括以下材料中的一种或多种：聚乙烯、硅橡胶、聚苯硫醚、聚四氟乙烯，所述导热无机颗粒包括以下一种或多种：氮化硼、氮化铝、金刚石。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层包括晶体管和存储电容。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层远离基底的一侧设置有封装结构层，包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述第一封装层和第三封装层采用无机材料，所述第二封装层采用有机材料。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示基板。

10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成驱动电路层；

在所述驱动电路层上形成发光结构层；所述发光结构层中设置有导热结构层，用于导出发光结构层工作时产生的热量，所述发光结构层包括依次叠设的第四导电层、像素定义层、有机发光层和第五导电层，在所述驱动电路层与所述第四导电层之间设置第一导热层，所述第四导电层在基底上的正投影大于或等于所述第一导热层在基底上的正投影，所述第一导热层用于促进阳极的热量的导出；所述第一导热层设置有过孔，过孔位置与平坦层上的过孔位置相对应，用于暴露出每个子像素中的漏电极；在所述有机发光层靠近像素定义层的一侧设置第二导热层，所述第二导热层上设置有开口，所述开口位置与所述像素定义层上的像素开口位置相对应，用于暴露出阳极的表面，在所述第二导热层上的开口之外，所述有机发光层与所述第二导热层直接接触，在所述第二导热层上的开口之内，所述有机发光层与所述第二导热层没有接触，所述有机发光层在基底上的正投影大于或等于所述第二导热层在基底上的正投影，所述第二导热层用于促进发光层激子复合区域的热量导出；在所述第五导电层远离有机发光层的一侧设置第三导热层，所述第五导电层在基底上的正投影大于或等于所述第三导热层在基底上的正投影，所述第三导热层用于促进阴极的热量导出；通过构建的上-中-下三层导热结构，缩短热量传递路径，加速热量导出。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述导热结构层通过涂布、喷墨打印或丝网印刷的方式形成。