CN108831893B - 阵列基板、阵列基板的制造方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制造方法和显示面板，属于显示技术领域。该阵列基板包括：挠性基板，所述挠性基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有多个空隙，所述第二区域为所述挠性基板中未设置有所述空隙的区域；所述挠性基板的所述第二区域上包括电子元件。本发明通过将电子元件设置在具有多个空隙的挠性基板上，这具有空隙的挠性基板具有一定的可拉伸性能，且不会影响电子元件以及走线的正常设置。解决了相关技术中衬底基板上设置有条形通孔的区域无法设置包括电子元件和走线在内的各种器件，导致阵列基板仅能设置较少的各种器件的问题。达到了阵列基板中能够设置较多的各种器件的效果。

Description

阵列基板、阵列基板的制造方法和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法和显示面板。
背景技术
阵列基板通常包括衬底基板和在衬底基板上的多个电子元件，如薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor)等。这多个电子元件能够对设置在阵列基板上的其它器件(如用于显示的显示器件)进行控制。
相关技术中的一种阵列基板包括设置有多个条型通孔的衬底基板以及设置在该衬底基板上的多个电子元件，衬底基板上设置的多个条型通孔提高了衬底基板的柔韧性，使得阵列基板具有一定的挠性功能。
在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：衬底基板上设置有条形通孔的区域无法设置包括电子元件和走线在内的各种器件，导致阵列基板仅能设置较少的各种器件。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、阵列基板的制造方法和显示面板，能够解决相关技术中阵列基板仅能设置较少的各种器件的问题。所述技术方案如下：
根据本申请的第一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
挠性基板，所述挠性基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有多个空隙，所述第二区域为所述挠性基板中未设置有所述空隙的区域；
所述挠性基板的所述第二区域上包括电子元件。
可选的，所述阵列基板还包括柔性衬底基板，
所述挠性基板设置在所述柔性衬底基板上，且所述挠性基板未设置所述电子元件的一侧与所述柔性衬底基板接触。
可选的，所述空隙为空腔。
可选的，所述空隙为凹槽，
所述凹槽的开口朝向远离所述电子元件的方向。
可选的，所述挠性基板由有机材料构成。
可选的，所述阵列基板还包括走线，
所述走线设置在所述挠性基板上，所述走线为弯曲的走线。
可选的，所述多个空隙在所述挠性基板的第一区域均匀分布。
根据本申请的第二方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
形成挠性基板，所述挠性基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有多个空隙，所述第二区域为所述挠性基板中未设置有所述空隙的区域；
在所述挠性基板的所述第二区域上形成电子元件。
可选的，所述形成挠性基板，包括：
在基台上形成挠性基板；
所述在所述挠性基板的所述第二区域上形成电子元件之后，所述方法还包括：
将形成有所述电子元件的挠性基板从所述基台上剥离。
可选的，所述将形成有所述电子元件的挠性基板从所述基台上剥离之后，所述方法还包括：
将形成有所述电子元件的挠性基板设置在柔性衬底基板上，所述挠性基板未设置所述电子元件的一侧与所述柔性衬底基板接触。
可选的，所述挠性基板包括设置有所述空隙的挠性层和设置在所述挠性层上的平整层，所述在基台上形成挠性基板，包括：
在所述基台上形成所述挠性层；
在形成有所述挠性层的基台上形成所述平整层。
可选的，所述在基台上形成挠性基板，包括：
在所述基台上形成指定图案，所述指定图案包括开口区域，所述开口区域设置有多个开口；
通过涂布技术将膜层溶液涂覆在形成有所述指定图案的基台上形成覆层以及流入所述多个开口的填充结构，所述多个开口的填充结构中存在所述空隙；
对所述覆层和所述多个开口的填充结构进行固化处理，所述指定图案和固化处理后的所述覆层和所述填充结构构成所述挠性基板。
可选的，所述在基台上形成挠性基板，包括：
在基台上形成由第一材料构成的指定图案，所述指定图案包括开口区域，所述开口区域设置有多个开口；
通过第二材料在所述多个开口中形成填充结构，所述第二材料的沸点小于所述第一材料的熔点；
在形成有所述填充结构的基台上形成由第三材料构成的平整层，所述第二材料的沸点小于所述第三材料的熔点；
以指定温度加热设置有所述平整层的基台，使所述填充结构气化，所述指定温度大于所述第二材料的沸点，且小于所述第一材料以及所述第三材料的熔点。
根据本申请的第三方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括第一方面所述的阵列基板。
可选的，所述显示面板为有机发光二极管显示面板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
通过将电子元件设置在具有多个空隙的挠性基板上，这具有空隙的挠性基板具有一定的可拉伸性能，且不会影响电子元件以及走线的正常设置。解决了相关技术中衬底基板上设置有条形通孔的区域无法设置包括电子元件和走线在内的各种器件，导致阵列基板难以用于控制较为密集的各种器件的问题。达到了能够应用于控制较为密集的各种器件的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术中的一种阵列基板的结构示意图；
图2是本发明实施例示出的一种阵列基板的结构示意图；
图3是本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图；
图4是本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图；
图5是本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图；
图6是图3所示的阵列基板的俯视图；
图7是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图8是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图9是图8所示实施例中一种基台上挠性层的结构示意图；
图10是图8所示实施例中一种基台上的挠性基板的结构示意图；
图11是图8所示实施例中一种阵列基板的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图13是图12所示实施例中一种基台上的指定图案的结构示意图；
图14是图12所示实施例中另一种基台上的指定图案的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图16是图15所示实施例中一种基台上的指定图案的结构示意图；
图17是图15所示实施例中一种基台上指定图案和平整层的结构示意图；
图18是图15所示实施例中另一种基台上指定图案和平整层的结构示意图。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是相关技术中的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括设置有多个条型通孔111的衬底基板11以及设置在该衬底基板11上的多个TFT，衬底基板上设置的多个条型通孔提高了衬底基板11的柔韧性，使得阵列基板具有一定的挠性功能。
但是，在衬底基板11上纵横交错的条型通孔111严重限制了TFT以及各种走线112的设置位置。这使得TFT以及走线112的设计极为困难，且大大限制了TFT的排列的密集程度，这使得该阵列基板难以用于控制较为密集的各种器件。示例性的，由于TFT难以一一对应对排列密集的器件进行控制，因而该阵列基板难以应用于有机发光器件排列较为密集的有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示面板中。同样的，该阵列基板难以应用于子像素排列较为密集的液晶显示面板(英文：Liquid CrystalDisplay)。
本发明实施例提供了一种阵列基板、阵列基板的制造方法和显示面板，可以解决上述相关技术中存在的问题。
图2是本发明实施例示出的一种阵列基板的结构示意图。该阵列基板20可以包括：
挠性基板21，挠性基板21包括第一区域a1和第二区域a2，第一区域a1设置有多个空隙q，第二区域a2为挠性基板21中未设置有空隙(英文：Void)q的区域。
挠性基板21的第二区域a2上包括电子元件22。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，通过将薄膜晶体管设置在具有多个空隙的挠性基板上，这具有空隙的挠性基板具有一定的可拉伸性能，且不会影响薄膜晶体管以及走线的正常设置。解决了相关技术中衬底基板上设置有条形通孔的区域无法设置包括电子元件和走线在内的各种器件，导致阵列基板仅能设置较少的各种器件的问题。达到了阵列基板能够设置较多的各种器件的效果。
请参考图3，其示出了本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板在图2所示的阵列基板的基础上增加了一些部件。
图3所示的阵列基板20还包括柔性衬底基板23，挠性基板21设置在柔性衬底基板23上，且挠性基板21未设置电子元件22的一侧与柔性衬底基板23接触。柔性衬底基板23可以由柔韧性能较强的材料构成。其中，电子元件22可以包括薄膜晶体管或其它设置在阵列基板上的电子元件。
可选的，如图3所示，挠性基板21中的空隙q为空腔。该空腔能够在挠性基板21形变时随之形变，以缓解形变时挠性基板21的内部应力，提高了挠性基板21的柔韧性。
可选的，多个空隙q在挠性基板21的第一区域a1均匀分布。如此可以使阵列基板20各处的挠性较为均匀。
此外，多个空隙q在挠性基板21的第一区域a1也可以不均匀分布。示例性的，第一区域可以包括设置有空隙的第一子区域和未设置有空隙的第二子区域，本发明实施例不进行限制。
在本发明实施例中，第一区域为分布有空隙的区域。而第二区域为未设置有空隙的区域，电子元件可以设置在第二区域中。第二区域和第一区域在挠性基板上的分布情况可以由电子元件所在的区域来决定。可选的，可以将预先设计的电子元件所占据的区域设置为第二区域，而将其他区域设置为第一区域，并在该第一区域设置空隙。示例性的，任意两个电子元件在挠性基板上所占据的区域可以属于第二区域，这两个电子元件之间未设置其他电子元件的区域可以属于第一区域。
可选的，如图4所示，其为本发明实施例示出的另一种阵列基板，该阵列基板的挠性基板21中的空隙q为凹槽，凹槽的开口朝向远离电子元件22的方向f。该凹槽同样能够在挠性基板21形变时随之形变，以缓解形变时挠性基板21的内部应力，提高了挠性基板21的柔韧性。
可选的，电子元件22和挠性基板21之间还可以设置有中间介电层(英文：inter-layer Dielectric；简称：ILD)、栅绝缘层和缓冲层等结构，这些结构可以参考相关技术，在此不再赘述。
可选的，图4所示的阵列基板中也可以设置有柔性衬底基板，其结构可以如图5所示，柔性衬底基板23可以和空隙q构成空腔，该空腔q能够在挠性基板21形变时随之形变，以缓解形变时挠性基板21的内部应力，提高了挠性基板21的柔韧性。
可选的，挠性基板21由有机材料构成。有机材料的柔韧性通常较强。
可选的，如图6所示，其为图3所示的阵列基板的俯视图，阵列基板还包括走线24。走线24设置在挠性基板21上，走线24为弯曲的走线。走线24可以设置在挠性基板21的第一区域(图6中未标出)，也可以设置在挠性基板21的第二区域(图6中未标出)。在挠性基板21被拉伸时，弯曲的走线能够随着挠性基板被拉直，避免了走线被拉断的情况，提高了走线的拉伸能力。图6中示出了连接两个电子元件22的走线24的结构，本发明实施例提供的阵列基板中上的各种走线的结均可以参考该走线24的结构，在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，通过将电子元件设置在具有多个空隙的挠性基板上，这具有空隙的挠性基板具有一定的可拉伸性能，且不会影响电子元件以及走线的正常设置。解决了相关技术中衬底基板上设置有条形通孔的区域无法设置包括电子元件和走线在内的各种器件，导致阵列基板仅能设置较少的各种器件的问题。达到了阵列基板能够设置较多的各种器件的效果。
图7是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述图2所示实施例提供的阵列基板，该方法可以包括下面几个步骤：
步骤701、形成挠性基板，该挠性基板包括第一区域和第二区域，第一区域设置有多个空隙，第二区域为挠性基板中未设置有空隙的区域。
步骤702、在挠性基板的第二区域上形成电子元件。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过将电子元件形成在具有多个空隙的挠性基板上，这具有空隙的挠性基板具有一定的可拉伸性能，且不会影响电子元件以及走线的正常设置。解决了相关技术中衬底基板上设置有条形通孔的区域无法设置包括电子元件和走线在内的各种器件，导致阵列基板仅能设置较少的各种器件的问题。达到了阵列基板能够设置较多的各种器件的效果。
本发明实施例提供的阵列基板中的挠性基板的形成方式可以包括多种。下面根据挠性基板形成方式的不同，分别介绍各种阵列基板的制造方法：
图8是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述图3所示实施例提供的阵列基板，该方法可以包括下面几个步骤：
步骤801、在基台上形成挠性层。
在使用本发明实施例提供的方法时，首先可以在基台上通过各种方式形成挠性层，根据挠性层结构的不同，挠性层的形成方式也可以不同。示例性的，可以在基台上形成待加工层，之后通过构图工艺在该待加工层上形成多个凹槽以构成挠性层。其中，基台可以是刚性基台，用于在其上制造挠性基板。挠性层可以由有机材料构成。
其中，构图工艺可以包括涂覆光刻胶，曝光光刻胶，显影，刻蚀和剥离光刻胶等步骤。
步骤801结束时，基台上挠性层的结构可以如图9所示，基台30上设置有形成有多个凹槽c的挠性层211。
步骤802、在形成有挠性层的基台上形成平整层，平整层和挠性层构成挠性基板。
平整层可以由黏度较高的膜层溶液来形成，以避免形成平整层的溶液大量的流入挠性层的凹槽中。
平整层也可以由柔韧性较强的有机材料构成。
步骤802结束时，基台上的挠性基板21的结构可以如图10所示。设置有多个凹槽c的区域在平整层212上的正投影所在区域可以为挠性基板211的第一区域a1，除第一区域a1外的其他区域可以为挠性基板21的第二区域a2。
步骤803、在形成有平整层的挠性层上形成电子元件。
电子元件可以形成于挠性基板的第二区域中。电子元件可以包括栅极、有源层、源极和漏极等结构，电子元件根据其类型(如顶栅型TFT和底栅型TFT等)的不同，形成方式也会不同。电子元件的形成方式可以参考相关技术，在此不再赘述。
步骤804、将形成有电子元件的挠性基板从基台上剥离。
步骤805、将形成有电子元件的挠性基板设置在柔性衬底基板上，挠性基板未设置电子元件的一侧与柔性衬底基板接触。
柔性衬底基板对挠性基板和电子元件具有一定的保护和支撑作用。此外，由于阵列基板对于柔性衬底基板的柔性要求较高，因而柔性衬底基板通常使用硅胶等的材料制成，例如，柔性衬底基板的材料可以包括聚二甲基硅氧烷(英文：polydimethylsiloxane；简称：PDMS)。但是，此类材料的耐高温能力较差，这导致柔性衬底基板难以承受形成电子元件(如TFT)时的温度，因而本发明实施例采用了先在基台上形成了设置有电子元件的挠性基板，之后再将该挠性基板设置在了柔性衬底基板上的制造方式以保护柔性衬底基板。
步骤805结束时，阵列基板的结构可以如图11所示，挠性基板21设置在柔性衬底基板23上，挠性基板21的第二区域a2设置有电子元件22。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过将电子元件形成在具有多个空隙的挠性基板上，这具有空隙的挠性基板具有一定的可拉伸性能，且不会影响电子元件以及走线的正常设置。解决了相关技术中衬底基板上设置有条形通孔的区域无法设置包括电子元件和走线在内的各种器件，导致阵列基板仅能设置较少的各种器件的问题。达到了阵列基板能够设置较多的各种器件的效果。
图12是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述图3所示实施例提供的阵列基板，该方法可以包括下面几个步骤：
步骤901、在基台上形成指定图案，指定图案包括开口区域，开口区域设置有多个开口。
可以通过构图工艺在基台上形成指定图案。
步骤901结束时，基台上的指定图案的结构可以如图13所示，基台30上设置有指定图案213，指定图案213的开口区域a4设置有多个开口k1。开口k1在平形成基台30的方向f2上宽度可以为5至100微米，在垂直于基台30的方向f3上的深度可以为5至50微米。
步骤902、通过涂布技术将膜层溶液涂覆在形成有指定图案的基台上形成覆层以及流入多个开口的填充结构。
膜层溶液涂覆在指定图案上之后，会在重力的作用下流动，并流入指定图案的开口中，在开口中形成填充结构，多个开口的填充结构中存在空隙。
步骤902结束时，基台上指定图案的结构可以如图14所示，指定图案213上形成有覆层214，指定图案213的开口中设置有填充结构t，填充结构t中存在空隙q。其中，由于膜层溶液的流速以及凝固速度的原因，可能存在部分填充结构t中未能形成空隙q，也可能存在部分开口中未能形成填充结构，本发明实施例不进行限制。空隙q在垂直于基台30的方向f3上的长度为1至10微米。
步骤903、对覆层和多个开口的填充结构进行固化处理。
可以通过静置或加热的方式来对覆层和多个开口的填充结构进行固化处理，指定图案和固化处理后的覆层和填充结构构成挠性基板。该挠性基板的杨式模量可以在0.5GPa(十亿帕斯卡)至10GPa之间。
步骤904、在挠性基板的第二区域上形成电子元件。
本步骤可以参考图8所示实施例中的步骤803，在此不再赘述。
步骤905、将形成有电子元件的阵列基板从基台上剥离。
步骤906、将形成有电子元件的阵列基板设置在柔性衬底基板上，挠性基板未设置电子元件的一侧与柔性衬底基板接触。
该柔性衬底基板的杨式模量可以在0.1GPa至1GPa之间。
本步骤可以参考图8所示实施例中的步骤805，在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过将电子元件形成在具有多个空隙的挠性基板上，这具有空隙的挠性基板具有一定的可拉伸性能，且不会影响电子元件以及走线的正常设置。解决了相关技术中衬底基板上设置有条形通孔的区域无法设置包括电子元件和走线在内的各种器件，导致阵列基板仅能设置较少的各种器件的问题。达到了阵列基板能够设置较多的各种器件的效果。
图15是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述图3所示实施例提供的阵列基板，该方法可以包括下面几个步骤：
步骤1001、在基台上形成由第一材料构成的指定图案，指定图案包括开口区域，开口区域设置有多个开口。
本步骤中形成指定图案的方式可以参考上述图9所示实施例中的步骤901，在此不再赘述。
可选的，用于形成指定图案的第一材料可以包括聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)、金属材料或玻璃(如玻璃纤维)等。
步骤1002、通过第二材料在多个开口中形成填充结构。
可以通过构图工艺以第二材料在多个开口中形成填充结构。其中，第二材料的沸点小于第一材料的熔点。
可选的，第二材料可以包括低熔点的聚碳酸酯(英文：Polycarbonate；简称：PC)、聚苯乙烯(英文：Polystyrene；简称：PS)或聚甲基丙烯酸甲酯(英文：polymethylmethacrylate；简称：PMMA)等。
步骤1002结束时，基台上的指定图案的结构可以如图16所示。基台30上形成有指定图案213，指定图案213的开口区域a4的开口中设置有填充结构t2。
步骤1003、在形成有填充结构的基台上形成由第三材料构成的平整层。
其中，第二材料的沸点小于第三材料的熔点。第三材料可以包括聚酰亚胺、金属材料或玻璃等。第三材料可以和第一材料可以为一种材料，也可以为不同的材料，本发明实施例不进行限制。
步骤1003结束时，基台上的结构可以如图17所示，指定图案213和填充结构t2上设置有平整层215。
由于填充结构将指定图案中的开口填平，使得指定图案的平整度较高，进而形成的平整层的平整度也会较高，这方便了后续的结构(如TFT和走线等)的形成。
步骤1004、以指定温度加热设置有平整层的基台，使填充结构气化。
填充结构气化之后，填充结构原本占据的空间即会形成空隙。
该指定温度大于第二材料的沸点，且小于第一材料以及第三材料的熔点。因而能够在使填充材料气化的基础上，不对由第一材料构成的指定图案以及由第三材料构成的平整层造成损坏。
此外，可以通过控制加热时间来控制填充结构的气化程度，即可以使填充结构全部气化，也可以是填充结构部分气化。
步骤1004结束时，设置有平整层的基台的结构可以如图18所示，平整层215和指定图案213构成挠性基板21。挠性基板21中设置有空隙q。
步骤1005、在挠性基板的第二区域上形成电子元件。
本步骤可以参考图8所示实施例中的步骤803，在此不再赘述。
步骤1006、将形成有电子元件的挠性基板从基台上剥离。
步骤1007、将形成有电子元件的挠性基板设置在柔性衬底基板上，挠性基板未设置电子元件的一侧与柔性衬底基板接触。
本步骤可以参考图8所示实施例中的步骤805，在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过将电子元件形成在具有多个空隙的挠性基板上，这具有空隙的挠性基板具有一定的可拉伸性能，且不会影响电子元件以及走线的正常设置。解决了相关技术中衬底基板上设置有条形通孔的区域无法设置包括电子元件和走线在内的各种器件，导致阵列基板仅能设置较少的各种器件的问题。达到了阵列基板能够设置较多的各种器件的效果。
此外，本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括权上述各个实施例提供的的阵列基板。
可选的，该显示面板为有机发光二极管显示面板。有机发光二极管显示面板是一种能够自发光的显示面板，其能够被制造为具有一定挠性的显示面板。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中，术语“第一”、“第二”和“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
挠性基板，所述挠性基板由指定图案和固化处理后的覆层和填充结构构成，所述指定图案通过构图工艺在基台上形成，所述挠性基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有多个空隙，所述第二区域为所述挠性基板中未设置有所述空隙的区域；
所述空隙为空腔；
所述挠性基板的所述第二区域上包括电子元件，所述电子元件包括栅极、有源层、源极和漏极；
所述阵列基板还包括走线，所述走线连接两个所述电子元件，两个所述电子元件在所述挠性基板上所占据的区域为第二区域，两个所述电子元件之间未设置其他电子元件的区域为第一区域；
所述走线设置在所述挠性基板上，所述走线为弯曲的走线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括柔性衬底基板，
所述挠性基板设置在所述柔性衬底基板上，且所述挠性基板未包括电子元件的一侧与所述柔性衬底基板接触。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述空隙为凹槽，
所述凹槽的开口朝向远离所述电子元件的方向。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述挠性基板由有机材料构成。
5.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述多个空隙在所述挠性基板的第一区域均匀分布。
6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
形成挠性基板，所述挠性基板由指定图案和固化处理后的覆层和填充结构构成，所述指定图案通过构图工艺在基台上形成，所述挠性基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有多个空隙，所述第二区域为所述挠性基板中未设置有所述空隙的区域，所述空隙为空腔；
在所述挠性基板的所述第二区域上形成电子元件，所述电子元件包括栅极、有源层、源极和漏极；
在所述阵列基板上形成走线，所述走线连接两个所述电子元件，两个所述电子元件在所述挠性基板上所占据的区域为第二区域，两个所述电子元件之间未设置其他电子元件的区域为第一区域；
所述走线设置在所述挠性基板上，所述走线为弯曲的走线。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成挠性基板，包括：
在基台上形成挠性基板；
所述在所述挠性基板的所述第二区域上形成电子元件之后，所述方法还包括：
将形成有所述电子元件的挠性基板从所述基台上剥离。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将形成有所述电子元件的挠性基板从所述基台上剥离之后，所述方法还包括：
将形成有所述电子元件的挠性基板设置在柔性衬底基板上，所述挠性基板未设置所述电子元件的一侧与所述柔性衬底基板接触。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述挠性基板包括设置有所述空隙的挠性层和设置在所述挠性层上的平整层，所述在基台上形成挠性基板，包括：
在所述基台上形成所述挠性层；
在形成有所述挠性层的基台上形成所述平整层。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在基台上形成挠性基板，包括：
在所述基台上形成指定图案，所述指定图案包括开口区域，所述开口区域设置有多个开口；
通过涂布技术将膜层溶液涂覆在形成有所述指定图案的基台上形成覆层以及流入所述多个开口的填充结构，所述多个开口的填充结构中存在所述空隙；
对所述覆层和所述多个开口的填充结构进行固化处理，所述指定图案和固化处理后的所述覆层和所述填充结构构成所述挠性基板。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在基台上形成挠性基板，包括：
在基台上形成由第一材料构成的指定图案，所述指定图案包括开口区域，所述开口区域设置有多个开口；
通过第二材料在所述多个开口中形成填充结构，所述第二材料的沸点小于所述第一材料的熔点；
在形成有所述填充结构的基台上形成由第三材料构成的平整层，所述第二材料的沸点小于所述第三材料的熔点；
以指定温度加热设置有所述平整层的基台，使所述填充结构气化，所述指定温度大于所述第二材料的沸点，且小于所述第一材料以及所述第三材料的熔点。
12.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至5任一所述的阵列基板。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为有机发光二极管显示面板。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108831893B (zh) * 2018-06-14 2021-05-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法和显示面板
CN109920803B (zh) 2019-03-25 2020-12-11 京东方科技集团股份有限公司 一种可拉伸显示基板及显示装置
CN110854130A (zh) * 2019-10-24 2020-02-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性薄膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN114527609A (zh) * 2022-02-24 2022-05-24 广州小米光电科技有限公司 一种液晶显示器阵列基板及其制造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1427010B1 (en) * 2002-11-29 2012-01-11 STMicroelectronics Srl Manufacturing method of a semiconductor substrate comprising at least a buried cavity
US7105448B2 (en) 2003-02-28 2006-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for peeling off semiconductor element and method for manufacturing semiconductor device
CN103646848B (zh) 2004-06-04 2018-06-05 伊利诺伊大学评议会 组装可印刷半导体元件和制造电子器件的方法
KR101404472B1 (ko) 2012-11-29 2014-06-11 광주과학기술원 스트레처블 기판, 스트레처블 광기전장치, 및 스트레처블 기기
KR102177214B1 (ko) * 2014-03-17 2020-11-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102269133B1 (ko) 2014-04-30 2021-06-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN104157233B (zh) 2014-08-06 2017-04-12 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板
KR102432345B1 (ko) 2015-04-30 2022-08-12 삼성디스플레이 주식회사 신축성 표시 장치
KR102456062B1 (ko) 2015-10-16 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9984918B2 (en) * 2015-12-31 2018-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
KR20180034780A (ko) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
DE102016124207B4 (de) * 2016-12-13 2023-04-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zur bildung vergrabener isolierungsgebiete
CN107067979B (zh) * 2017-03-08 2020-05-05 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示装置及其制造方法、以及电子设备
CN107689420A (zh) * 2017-08-21 2018-02-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled柔性基板、oled显示面板及制作方法
CN107968109A (zh) 2017-11-21 2018-04-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN107994036B (zh) 2017-12-14 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN108831893B (zh) 2018-06-14 2021-05-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法和显示面板

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