CN109616580B - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
阵列基板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109616580B CN109616580B CN201811239811.1A CN201811239811A CN109616580B CN 109616580 B CN109616580 B CN 109616580B CN 201811239811 A CN201811239811 A CN 201811239811A CN 109616580 B CN109616580 B CN 109616580B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- cathode
- groove
- organic
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,阵列基板包括衬底,该衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区,所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区;像素限定层,置于所述衬底的所述显示区中,所述像素限定层上形成有若干个凹槽以及凹槽周围的凸起部,所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区;阴极走线,设于所述凸起部的表面上以及所述凹槽的底面上,所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙。本发明的优点在于使阴极走线在该像素限定层呈不连续状,若边缘阴极走线被腐蚀,则不会影响到像素区内的阴极走线,连续突起的正梯形结构提高器件侧面水氧阻隔性能,增加了封装有机层流出挡墙的难度。
Description
技术领域
本发明涉及柔性液晶显示邻域,特别涉及阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED显示屏是利用有机电致发光二极管制成的显示屏。由于同时具备自发光有机电激发光二极管,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。
与液晶显示器相比,有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)具有高对比、视角、运动图像响应速度等,以此引起人们的关注和开发。它是有机发光二极管OLED的一种。
随着OLED应用领域的拓展,新的应用领域更多的需要OLED显示柔性化的全面屏,OLED显示柔性化的全面屏会有越来越多的要求如:OLED显示弯折使用寿命、窄边框等,其中OLED显示的边框中,下边框变窄是研究热度较多的,但带来的问题也相对较多,其中,封装失效是下边框变窄带来的最直接的风险。
为减少下边框变窄而带来的封装失效,苹果在2018年发表的专利US20180069194中提出将靠近外围的像素限定层由连续态变为非连续态,阴极走线被限定在内侧开口以内,防止阴极走线受成膜偏差影响导致距离封装膜层太近。外侧开口被无机层填充,可提高侧面水氧阻隔性能,防止阴极走线被腐蚀。
但只是下边框变窄带来的一个问题,即阴极走线难以被封装无机膜包覆。还有其他问题也同样棘手,如像素区距离封装区较近,水汽更易入侵使发光材料失效、像素区距离挡墙较近,由于封装有机膜具有流动性,挡墙难以阻挡有机膜层,有机层外溢而造成封装失效,为解决此类问题,对OLED结构进行相关改造是目前的研究热点。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,利用对像素限定层开槽,填充设计从而形成正梯形开口和正梯形凸起,以解决现有技术中由于像素区域距离封装区较近,水汽容易入侵使发光材料失效;且像素区距离挡墙较近,由于封装有机膜具有流动性,挡墙难以阻挡有机膜层,有机层外溢造成封装失效的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列基板,包括衬底,该衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区,所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区;像素限定层,所述衬底的显示区中,所述像素限定层上形成有若干个凹槽以及凹槽周围的凸起部,所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区;阴极走线,设于所述凸起部的表面上以及所述凹槽的底面上,所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙。
进一步地,所述凹槽为正梯形,所述凸起部为倒置梯形,所述阴极走线的厚度小于所述凹槽的深度,所述凹槽的深度为200-300nm。
进一步地,所述阴极走线与所述凸起部之间还设有有机垫高层。
进一步地,所述有机垫高层为正梯形,其厚度为1um;其所用材料为亚克力或聚酰亚胺。
本发明还提供了一种阵列基板的制作方法,包括开槽步骤:提供衬底,在衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区,所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区;在所述衬底的所述显示区上形成像素限定层和发光层;在所述像素限定层上开槽,形成凹槽和与所述凹槽相邻的凸起部,所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区;阴极走线形成步骤:在所述发光层、所述凸起部的表面以及所述凹槽的底面上形成阴极走线,所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙。
进一步地,在所述开槽步骤和所述阴极走线形成步骤之间还包括有机垫高层形成步骤,在所述凸起部上形成有机垫高层;在所述阴极走线形成步骤中,对应于所述凸起部的所述阴极走线设置在有机垫高层的表面。
进一步地,在所述阴极走线形成步骤之后,还包括第一有机层填充步骤,在所述凹槽中填充第一有机物形成第一有机层,使所述第一有机层的表面与所述凸起部的表面平齐。
进一步地,所述第一有机层填充步骤之后还包括封装步骤:第一无机层形成步骤,在所述阴极走线以及所述第一有机层的表面覆盖第一无机层;第二有机层形成步骤,在所述第一无机层形成步骤上形成第二有机层;第二无机层形成步骤,在所述第二有机层上形成第二无机层。
进一步地,在所述提供衬底步骤中,所述基底上还具有挡墙,该挡墙位于所述像素限定层远离所述封装区一侧。
本发明还提供了一种显示装置,采用上述阵列基板。
本发明的优点是:本发明的阵列基板及其制作方法、显示装置,在像素限定层上形成开口和凸起部,该结构使阴极走线在该像素限定层呈不连续状,即使边缘走线被腐蚀也不会影响到像素区内的阴极走线。利用曝光显影和涂布方式在像素限定层上形成正梯形开口和正梯形凸起,在其封装时可以延长水氧入侵通道,提高器件侧面水氧阻隔性能,同时也增加了封装有机层流出挡墙的难度,减少了封装有机层外溢的风险。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是实施例1中阵列基板侧面示意图。
图2是实施例2中阵列基板侧面示意图。
图3是图2中圆圈A部分的放大图。
图4是实施例中显示装置示意图。
图中
100显示装置;
10阵列基板;20彩膜基板;
110衬底;120封装区;
130像素限定层;140挡墙;
150发光层;160阴极走线;
170第一有机层;
1810第一无机层;1820第二无机层;
190第二有机层;
1310凸起部;1320凹槽;
1330有机垫高层;
具体实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
实施例1
如图1所示,本实施例1的阵列基板10,包括衬底110、封装区120、像素限定层130、挡墙140、发光层150、阴极走线160、第一有机层170、第一无机层1810、第二无机层1820、第二有机层190,其中所述像素限定层130又包括凸起部1310、凹槽1320。
所述衬底110包括显示区和绕所述显示区分布的封装区。
所述像素限定层130置于所述显示区内且为非连续态,这样可以避免由于显示面板下边框变窄带来的封装失效。但由于像素区距离封装区120和挡墙140较近,水汽更容易入侵使发光材料失效,且由于封装有机膜具有流动性,挡墙140难以阻挡有机膜,有机层容易外溢形成封装失效。所以采用在靠近所述封装区120的所述像素限定层130上开设所述凹槽1320从而形成所述凸起部1310。
所述凹槽1320四周的所述凸起部1310为倒置梯形,所述凹槽1320为正梯形,其开口深度大约为200-300nm,保证其深度大于发光层150和阴极走线160的总厚度,其效果在于可以最大程度的在底部形成所述发光层150和所述阴极走线160,且在之后填充所述第一有机层170时,可以保证所述第一有机层170完全填充所述凹槽1320。
所述发光层150涂布于整个所述显示区,所述阴极走线160形成于所述发光层150表面,由于所述像素限定层130为非连续态,且设有所述凸起部1310和所述述凹槽1320,因此,阴极走线在所述像素限定层130呈现不连续状,这样即使边缘的阴极走线被腐蚀也不会影响到像素区内的阴极走线。
本发明还提供了上述阵列基板封装结构的制作方法,包括开槽步骤、阴极走线形成步骤、第一有机层填充步骤和封装步骤。具体为:
开槽步骤:提供衬底110,在衬底110上形成封装边界和像素限定层130,通过曝光显影在所述像素限定层130开槽,形成凹槽1320和与所述凹槽1320相邻的凸起部1310;
阴极走线形成步骤:利用热蒸发工艺,在像素区即发光显示区域内形成发光层150,并在所述发光层150表面形成阴极走线160;
第一有机层填充步骤:利用热蒸发工艺,在所述凹槽1320内的所述阴极走线160表面形成第一有机层170,所述第一有机层170填充所述凹槽1320;
封装步骤:利用气相沉积在所述阴极走线以及所述第一有机层170的表面形成第一无机层1810;利用喷墨打印工艺在所述第一无机层1810上形成第二有机层190,再利用气相沉积在第二有机层190表面形成第二无机层1820,对器件表面进行薄膜封装。
其中,在所述封装步骤中,所述气相沉积形成的第一无机层1810,其材料可以为氮化硅、氮氧化硅等,所述喷墨打印工艺形成的有第二有机层190材质可以为亚克力。
实施例2
如图2所示,本实施例2的阵列基板10,包括衬底110、封装区120、像素限定层130、挡墙140、发光层150、阴极走线160、第一有机层170、第一无机层1810、第二有机层190,其中所述像素限定层130又包括凸起部1310、凹槽1320。
所述衬底110包括显示区和绕所述显示区分布的封装区。
所述像素限定层130至于所述显示区内且为非连续态,这样可以减小由于显示面板下边框变窄带来的封装失效。但由于像素区距离封装区120和挡墙140较近,水汽更容易入侵使发光材料失效,且由于封装有机膜具有流动性,挡墙140难以阻挡有机膜,有机层容易外溢形成封装失效。所以采用在所述像素限定层130上开设所述凹槽1320从而形成所述凸起部1310。
上述结构与实施例1中的结构一致,本实施例2与实施例1的区别特征在于,本实施例中的阵列基板10还包括有机垫高层1330。
所述有机垫高层1330形成于所述凸起部1310上,所述有机垫高层1330为正梯形,所述有机垫高层1330的较长底边与所述凸起部1310的较长底边重合,设计为正梯形的目的在于可以使所述有机垫高层1330更加稳定的形成于所述凸起部1310上,且可以充当挡墙,封装时可以阻挡有机层。避免单一所述挡墙140阻挡封装能力不足而造成封装失效。
所述凹槽周围的所述凸起部1310为倒置梯形,所述凹槽1320为正梯形,其开口深度大约为200-300nm,保证其深度大于发光层150和阴极走线160的总厚度,其效果在于可以最大程度的在底部形成所述发光层150和所述阴极走线160,且在之后填充所述第一有机层170时,可以保证所述第一有机层170完全填充所述凹槽1320。
所述发光层150涂布于整个所述显示区,所述阴极走线160形成于所述发光层150表面,由于所述像素限定层130为非连续态,且设有所述有机垫高层1330和所述述凹槽1320,因此,阴极走线160在所述像素限定层130呈现不连续状,这样即使边缘的阴极走线160被腐蚀也不会影响到像素区内的阴极走线160。本发明还提供了上述阵列基板封装结构的制作方法,包括开槽步骤、阴极走线形成步骤、有机垫高层形成步骤、第一有机层填充步骤和封装步骤。
开槽步骤:提供衬底110,在衬底上形成封装区120和像素限定层130,通过曝光显影在所述像素限定层130开槽,形成凹槽1320和与所述凹槽1320相邻的凸起部1310;
阴极走线形成步骤:利用热蒸发工艺,在像素区即发光显示区域内形成发光层150,并在所述发光层150表面形成阴极走线160;
有机垫高层形成步骤,在所述凸起部1310上形成有机垫高层1330;
在所述阴极走线160形成步骤中,对应于所述凸起部1310的所述阴极走线160设置在有机垫高层1330的表面;
第一有机层填充步骤:利用热蒸发工艺,在所述凹槽1320内的所述阴极走线160表面形成第一有机层170,所述第一有机层170填充所述凹槽1320;
封装步骤:利用气相沉积在所述阴极走线160以及所述第一有机层170的表面形成第一无机层1810、利用喷墨打印工艺在第一无机层1810上形成第二有机层190,再利用气相沉积在第二有机层190表面形成第二无机层1820,对器件表面进行薄膜封装。
其中,在所述封装步骤中,所述气相沉积形成的第一无机层1810和第二无机层1820,其材料可以为氮化硅、氮氧化硅等,所述喷墨打印工艺形成的有第二有机层190材质可以为亚克力。
本发明还提供了一种显示装置100,其主要改进点和特征均集中体现在所述阵列基板10上,对于显示装置的其他部件,如彩膜基板20等,就不再一一赘述。
以上仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括
衬底,该衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区,所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区;
像素限定层,置于所述衬底的所述显示区中,所述像素限定层上形成有若干个凹槽以及凹槽周围的凸起部,所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区;
阴极走线,设于所述凸起部的表面上以及所述凹槽的底面上,所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙;
所述凹槽为正梯形,所述凸起部为倒置梯形,所述阴极走线的厚度小于所述凹槽的深度,所述凹槽的深度为200-300nm。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述阴极走线与所述凸起部之间还设有有机垫高层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述有机垫高层为正梯形,其厚度为1μm;其所用材料为亚克力或聚酰亚胺。
4.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括
开槽步骤:提供衬底,在衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区,所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区;在所述衬底的所述显示区上形成像素限定层和发光层;
在所述像素限定层上开槽,形成若干凹槽和与所述凹槽相邻的若干凸起部,所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区,其中,每一凹槽的形状为正梯形,深度为200-300nm,每一凸起部的形状为倒置梯形;
阴极走线形成步骤:在所述发光层、所述凸起部的表面以及所述凹槽的底面上形成阴极走线,所述阴极走线的厚度小于所述凹槽的深度,所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述开槽步骤和所述阴极走线形成步骤之间还包括
有机垫高层形成步骤,在所述凸起部上形成有机垫高层;
在所述阴极走线形成步骤中,对应于所述凸起部的所述阴极走线设置在有机垫高层的表面。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述阴极走线形成步骤之后,还包括
第一有机层填充步骤,在所述凹槽中填充第一有机物形成第一有机层,使所述第一有机层的表面与所述凸起部的表面平齐。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一有机层填充步骤之后还包括
封装步骤:
第一无机层形成步骤,在所述阴极走线以及所述第一有机层的表面覆盖第一无机层;
第二有机层形成步骤,在所述第一无机层形成第二有机层;
第二无机层形成步骤,在所述第二有机层上形成第二无机层。
8.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述提供衬底步骤中,所述衬底上还具有挡墙,该挡墙位于所述像素限定层远离所述封装区一侧。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-3中任意一项所述的阵列基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811239811.1A CN109616580B (zh) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
US16/476,289 US10797120B2 (en) | 2018-10-23 | 2018-11-22 | Array substrate, fabrication method thereof, and display device |
PCT/CN2018/116960 WO2020082481A1 (zh) | 2018-10-23 | 2018-11-22 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811239811.1A CN109616580B (zh) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109616580A CN109616580A (zh) | 2019-04-12 |
CN109616580B true CN109616580B (zh) | 2020-06-16 |
Family
ID=66001906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811239811.1A Active CN109616580B (zh) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10797120B2 (zh) |
CN (1) | CN109616580B (zh) |
WO (1) | WO2020082481A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109300956B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-05-14 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及显示装置 |
CN109860239B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN110085553B (zh) * | 2019-04-22 | 2021-06-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled阵列基板及其制作方法 |
CN110120462B (zh) | 2019-05-07 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示模组及电子装置 |
CN110212110B (zh) * | 2019-05-27 | 2021-04-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
KR20210019256A (ko) | 2019-08-12 | 2021-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
CN110729311B (zh) * | 2019-10-31 | 2023-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN112018264B (zh) | 2020-09-01 | 2023-04-28 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种发光基板及其制备方法 |
CN113394242B (zh) * | 2021-06-15 | 2022-07-22 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN115000330B (zh) * | 2022-06-29 | 2023-04-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102080296B1 (ko) | 2013-12-03 | 2020-02-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
KR102279921B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2021-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2016085796A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-05-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
CN106469742A (zh) * | 2015-08-14 | 2017-03-01 | 群创光电股份有限公司 | 有机发光二极管显示面板 |
JP2017083517A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
CN105355646B (zh) * | 2015-11-13 | 2019-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN106876331B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-11-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN107104127B (zh) * | 2017-04-27 | 2019-11-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
CN107180923B (zh) * | 2017-07-20 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN107658332A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及制作方法 |
CN108364987B (zh) * | 2018-02-24 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN108364988A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN108538890A (zh) | 2018-04-20 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示装置 |
-
2018
- 2018-10-23 CN CN201811239811.1A patent/CN109616580B/zh active Active
- 2018-11-22 WO PCT/CN2018/116960 patent/WO2020082481A1/zh active Application Filing
- 2018-11-22 US US16/476,289 patent/US10797120B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10797120B2 (en) | 2020-10-06 |
WO2020082481A1 (zh) | 2020-04-30 |
CN109616580A (zh) | 2019-04-12 |
US20200185468A1 (en) | 2020-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109616580B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
US7279063B2 (en) | Method of making an OLED display device with enhanced optical and mechanical properties | |
US11316131B2 (en) | OLED display panel having multi-groove retaining walls | |
CN115734679A (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 | |
JP2011003706A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
EP3642880B1 (en) | Display substrate, display apparatus, method of fabricating display substrate | |
CN107195803B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
CN110635067B (zh) | 一种有机发光显示面板及显示装置 | |
CN109671866B (zh) | 显示模组挡墙结构 | |
CN109904336B (zh) | 电子装置基板及制造方法/显示装置 | |
WO2021103197A1 (zh) | Oled显示面板 | |
CN113950712B (zh) | 显示基板、显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 | |
WO2019205910A1 (zh) | 显示面板的封装方法、显示装置及其制作方法 | |
TWI686970B (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
US20220278300A1 (en) | Display substrate, fabrication method thereof and display panel | |
CN112289948B (zh) | 有机发光二极体显示面板及其制作方法 | |
CN112018131B (zh) | 柔性显示面板及其制备方法 | |
JP7086822B2 (ja) | 表示装置、及びその製造方法 | |
CN109103347B (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法 | |
CN110085553B (zh) | Oled阵列基板及其制作方法 | |
TWI709797B (zh) | 顯示面板 | |
US11825698B2 (en) | Display substrate and manufacturing process thereof | |
KR102019252B1 (ko) | 광 관리 시스템을 구비하는 발광 디스플레이 | |
CN111357114B (zh) | Oled薄膜封装结构及显示模组 | |
CN111403620A (zh) | 显示装置及显示装置的制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |