CN109616580B - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，阵列基板包括衬底，该衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区,所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区；像素限定层，置于所述衬底的所述显示区中，所述像素限定层上形成有若干个凹槽以及凹槽周围的凸起部，所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区；阴极走线，设于所述凸起部的表面上以及所述凹槽的底面上，所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙。本发明的优点在于使阴极走线在该像素限定层呈不连续状，若边缘阴极走线被腐蚀，则不会影响到像素区内的阴极走线，连续突起的正梯形结构提高器件侧面水氧阻隔性能，增加了封装有机层流出挡墙的难度。
Description
技术领域
本发明涉及柔性液晶显示邻域，特别涉及阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED显示屏是利用有机电致发光二极管制成的显示屏。由于同时具备自发光有机电激发光二极管，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。
与液晶显示器相比，有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)具有高对比、视角、运动图像响应速度等，以此引起人们的关注和开发。它是有机发光二极管OLED的一种。
随着OLED应用领域的拓展，新的应用领域更多的需要OLED显示柔性化的全面屏，OLED显示柔性化的全面屏会有越来越多的要求如：OLED显示弯折使用寿命、窄边框等，其中OLED显示的边框中，下边框变窄是研究热度较多的，但带来的问题也相对较多，其中，封装失效是下边框变窄带来的最直接的风险。
为减少下边框变窄而带来的封装失效，苹果在2018年发表的专利US20180069194中提出将靠近外围的像素限定层由连续态变为非连续态，阴极走线被限定在内侧开口以内，防止阴极走线受成膜偏差影响导致距离封装膜层太近。外侧开口被无机层填充，可提高侧面水氧阻隔性能，防止阴极走线被腐蚀。
但只是下边框变窄带来的一个问题，即阴极走线难以被封装无机膜包覆。还有其他问题也同样棘手，如像素区距离封装区较近，水汽更易入侵使发光材料失效、像素区距离挡墙较近，由于封装有机膜具有流动性，挡墙难以阻挡有机膜层，有机层外溢而造成封装失效，为解决此类问题，对OLED结构进行相关改造是目前的研究热点。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，利用对像素限定层开槽，填充设计从而形成正梯形开口和正梯形凸起，以解决现有技术中由于像素区域距离封装区较近，水汽容易入侵使发光材料失效；且像素区距离挡墙较近，由于封装有机膜具有流动性，挡墙难以阻挡有机膜层，有机层外溢造成封装失效的技术问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括衬底，该衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区,所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区；像素限定层，所述衬底的显示区中，所述像素限定层上形成有若干个凹槽以及凹槽周围的凸起部，所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区；阴极走线，设于所述凸起部的表面上以及所述凹槽的底面上，所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙。
进一步地，所述凹槽为正梯形，所述凸起部为倒置梯形，所述阴极走线的厚度小于所述凹槽的深度，所述凹槽的深度为200-300nm。
进一步地，所述阴极走线与所述凸起部之间还设有有机垫高层。
进一步地，所述有机垫高层为正梯形，其厚度为1um；其所用材料为亚克力或聚酰亚胺。
本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括开槽步骤：提供衬底，在衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区，所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区；在所述衬底的所述显示区上形成像素限定层和发光层；在所述像素限定层上开槽，形成凹槽和与所述凹槽相邻的凸起部，所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区；阴极走线形成步骤：在所述发光层、所述凸起部的表面以及所述凹槽的底面上形成阴极走线，所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙。
进一步地，在所述开槽步骤和所述阴极走线形成步骤之间还包括有机垫高层形成步骤，在所述凸起部上形成有机垫高层；在所述阴极走线形成步骤中，对应于所述凸起部的所述阴极走线设置在有机垫高层的表面。
进一步地，在所述阴极走线形成步骤之后，还包括第一有机层填充步骤，在所述凹槽中填充第一有机物形成第一有机层，使所述第一有机层的表面与所述凸起部的表面平齐。
进一步地，所述第一有机层填充步骤之后还包括封装步骤：第一无机层形成步骤，在所述阴极走线以及所述第一有机层的表面覆盖第一无机层；第二有机层形成步骤，在所述第一无机层形成步骤上形成第二有机层；第二无机层形成步骤，在所述第二有机层上形成第二无机层。
进一步地，在所述提供衬底步骤中，所述基底上还具有挡墙，该挡墙位于所述像素限定层远离所述封装区一侧。
本发明还提供了一种显示装置，采用上述阵列基板。
本发明的优点是：本发明的阵列基板及其制作方法、显示装置，在像素限定层上形成开口和凸起部，该结构使阴极走线在该像素限定层呈不连续状，即使边缘走线被腐蚀也不会影响到像素区内的阴极走线。利用曝光显影和涂布方式在像素限定层上形成正梯形开口和正梯形凸起，在其封装时可以延长水氧入侵通道，提高器件侧面水氧阻隔性能，同时也增加了封装有机层流出挡墙的难度，减少了封装有机层外溢的风险。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是实施例1中阵列基板侧面示意图。
图2是实施例2中阵列基板侧面示意图。
图3是图2中圆圈A部分的放大图。
图4是实施例中显示装置示意图。
图中
100显示装置；
10阵列基板；20彩膜基板；
110衬底；120封装区；
130像素限定层；140挡墙；
150发光层；160阴极走线；
170第一有机层；
1810第一无机层；1820第二无机层；
190第二有机层；
1310凸起部；1320凹槽；
1330有机垫高层；
具体实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
实施例1
如图1所示，本实施例1的阵列基板10，包括衬底110、封装区120、像素限定层130、挡墙140、发光层150、阴极走线160、第一有机层170、第一无机层1810、第二无机层1820、第二有机层190，其中所述像素限定层130又包括凸起部1310、凹槽1320。
所述衬底110包括显示区和绕所述显示区分布的封装区。
所述像素限定层130置于所述显示区内且为非连续态，这样可以避免由于显示面板下边框变窄带来的封装失效。但由于像素区距离封装区120和挡墙140较近，水汽更容易入侵使发光材料失效，且由于封装有机膜具有流动性，挡墙140难以阻挡有机膜，有机层容易外溢形成封装失效。所以采用在靠近所述封装区120的所述像素限定层130上开设所述凹槽1320从而形成所述凸起部1310。
所述凹槽1320四周的所述凸起部1310为倒置梯形，所述凹槽1320为正梯形，其开口深度大约为200-300nm，保证其深度大于发光层150和阴极走线160的总厚度，其效果在于可以最大程度的在底部形成所述发光层150和所述阴极走线160，且在之后填充所述第一有机层170时，可以保证所述第一有机层170完全填充所述凹槽1320。
所述发光层150涂布于整个所述显示区，所述阴极走线160形成于所述发光层150表面，由于所述像素限定层130为非连续态，且设有所述凸起部1310和所述述凹槽1320，因此，阴极走线在所述像素限定层130呈现不连续状，这样即使边缘的阴极走线被腐蚀也不会影响到像素区内的阴极走线。
本发明还提供了上述阵列基板封装结构的制作方法，包括开槽步骤、阴极走线形成步骤、第一有机层填充步骤和封装步骤。具体为：
开槽步骤：提供衬底110，在衬底110上形成封装边界和像素限定层130，通过曝光显影在所述像素限定层130开槽，形成凹槽1320和与所述凹槽1320相邻的凸起部1310；
阴极走线形成步骤：利用热蒸发工艺，在像素区即发光显示区域内形成发光层150，并在所述发光层150表面形成阴极走线160；
第一有机层填充步骤：利用热蒸发工艺，在所述凹槽1320内的所述阴极走线160表面形成第一有机层170，所述第一有机层170填充所述凹槽1320；
封装步骤：利用气相沉积在所述阴极走线以及所述第一有机层170的表面形成第一无机层1810；利用喷墨打印工艺在所述第一无机层1810上形成第二有机层190，再利用气相沉积在第二有机层190表面形成第二无机层1820，对器件表面进行薄膜封装。
其中，在所述封装步骤中，所述气相沉积形成的第一无机层1810，其材料可以为氮化硅、氮氧化硅等，所述喷墨打印工艺形成的有第二有机层190材质可以为亚克力。
实施例2
如图2所示，本实施例2的阵列基板10，包括衬底110、封装区120、像素限定层130、挡墙140、发光层150、阴极走线160、第一有机层170、第一无机层1810、第二有机层190，其中所述像素限定层130又包括凸起部1310、凹槽1320。
所述衬底110包括显示区和绕所述显示区分布的封装区。
所述像素限定层130至于所述显示区内且为非连续态，这样可以减小由于显示面板下边框变窄带来的封装失效。但由于像素区距离封装区120和挡墙140较近，水汽更容易入侵使发光材料失效，且由于封装有机膜具有流动性，挡墙140难以阻挡有机膜，有机层容易外溢形成封装失效。所以采用在所述像素限定层130上开设所述凹槽1320从而形成所述凸起部1310。
上述结构与实施例1中的结构一致，本实施例2与实施例1的区别特征在于，本实施例中的阵列基板10还包括有机垫高层1330。
所述有机垫高层1330形成于所述凸起部1310上，所述有机垫高层1330为正梯形，所述有机垫高层1330的较长底边与所述凸起部1310的较长底边重合，设计为正梯形的目的在于可以使所述有机垫高层1330更加稳定的形成于所述凸起部1310上，且可以充当挡墙，封装时可以阻挡有机层。避免单一所述挡墙140阻挡封装能力不足而造成封装失效。
所述凹槽周围的所述凸起部1310为倒置梯形，所述凹槽1320为正梯形，其开口深度大约为200-300nm，保证其深度大于发光层150和阴极走线160的总厚度，其效果在于可以最大程度的在底部形成所述发光层150和所述阴极走线160，且在之后填充所述第一有机层170时，可以保证所述第一有机层170完全填充所述凹槽1320。
所述发光层150涂布于整个所述显示区，所述阴极走线160形成于所述发光层150表面，由于所述像素限定层130为非连续态，且设有所述有机垫高层1330和所述述凹槽1320，因此，阴极走线160在所述像素限定层130呈现不连续状，这样即使边缘的阴极走线160被腐蚀也不会影响到像素区内的阴极走线160。本发明还提供了上述阵列基板封装结构的制作方法，包括开槽步骤、阴极走线形成步骤、有机垫高层形成步骤、第一有机层填充步骤和封装步骤。
开槽步骤：提供衬底110，在衬底上形成封装区120和像素限定层130，通过曝光显影在所述像素限定层130开槽，形成凹槽1320和与所述凹槽1320相邻的凸起部1310；
阴极走线形成步骤：利用热蒸发工艺，在像素区即发光显示区域内形成发光层150，并在所述发光层150表面形成阴极走线160；
有机垫高层形成步骤，在所述凸起部1310上形成有机垫高层1330；
在所述阴极走线160形成步骤中，对应于所述凸起部1310的所述阴极走线160设置在有机垫高层1330的表面；
第一有机层填充步骤：利用热蒸发工艺，在所述凹槽1320内的所述阴极走线160表面形成第一有机层170，所述第一有机层170填充所述凹槽1320；
封装步骤：利用气相沉积在所述阴极走线160以及所述第一有机层170的表面形成第一无机层1810、利用喷墨打印工艺在第一无机层1810上形成第二有机层190，再利用气相沉积在第二有机层190表面形成第二无机层1820，对器件表面进行薄膜封装。
其中，在所述封装步骤中，所述气相沉积形成的第一无机层1810和第二无机层1820，其材料可以为氮化硅、氮氧化硅等，所述喷墨打印工艺形成的有第二有机层190材质可以为亚克力。
本发明还提供了一种显示装置100，其主要改进点和特征均集中体现在所述阵列基板10上，对于显示装置的其他部件，如彩膜基板20等，就不再一一赘述。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括
衬底，该衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区,所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区；
像素限定层，置于所述衬底的所述显示区中，所述像素限定层上形成有若干个凹槽以及凹槽周围的凸起部，所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区；
阴极走线，设于所述凸起部的表面上以及所述凹槽的底面上，所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙；
所述凹槽为正梯形，所述凸起部为倒置梯形，所述阴极走线的厚度小于所述凹槽的深度，所述凹槽的深度为200-300nm。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阴极走线与所述凸起部之间还设有有机垫高层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述有机垫高层为正梯形，其厚度为1μm；其所用材料为亚克力或聚酰亚胺。
4.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括
开槽步骤：提供衬底，在衬底上具有显示区和绕所述显示区分布的封装区，所述显示区包括与所述封装区相邻的边侧区；在所述衬底的所述显示区上形成像素限定层和发光层；
在所述像素限定层上开槽，形成若干凹槽和与所述凹槽相邻的若干凸起部，所述凹槽和所述凸起部对应所述边侧区，其中，每一凹槽的形状为正梯形，深度为200-300nm，每一凸起部的形状为倒置梯形；
阴极走线形成步骤：在所述发光层、所述凸起部的表面以及所述凹槽的底面上形成阴极走线，所述阴极走线的厚度小于所述凹槽的深度，所述凸起部上的阴极走线和所述凹槽中的阴极走线之间存在间隙。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述开槽步骤和所述阴极走线形成步骤之间还包括
有机垫高层形成步骤，在所述凸起部上形成有机垫高层；
在所述阴极走线形成步骤中，对应于所述凸起部的所述阴极走线设置在有机垫高层的表面。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述阴极走线形成步骤之后，还包括
第一有机层填充步骤，在所述凹槽中填充第一有机物形成第一有机层，使所述第一有机层的表面与所述凸起部的表面平齐。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一有机层填充步骤之后还包括
封装步骤：
第一无机层形成步骤，在所述阴极走线以及所述第一有机层的表面覆盖第一无机层；
第二有机层形成步骤，在所述第一无机层形成第二有机层；
第二无机层形成步骤，在所述第二有机层上形成第二无机层。
8.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述提供衬底步骤中，所述衬底上还具有挡墙，该挡墙位于所述像素限定层远离所述封装区一侧。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3中任意一项所述的阵列基板。
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