TWI686970B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種有機發光顯示裝置，該有機發光顯示裝置以以下方式配置：改變一封裝基板的形狀以對應於用於塗佈一密封圖案材料的起點和終點，以使每個區域具有均勻寬度的一密封圖案，從而實現窄邊框。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法

本發明涉及一種有機發光顯示裝置，更具體地，涉及一種有機發光顯示裝置及其製造方法，其中，改變封裝基板的形狀以防止塗佈在相對的基板之間用於其間的黏合的密封圖案材料在數量上的誤差。

近來，隨著資訊時代的到來，用於視覺性地表達電子資訊信號的顯示領域迅速發展。為了滿足這種趨勢，已經開發出具有優異性能的各種平板顯示裝置，即小型化、輕量化和低功耗的平板顯示裝置，並且已經迅速取代現有的陰極射線管(CRT)。

平板顯示裝置的示例可以包括：液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示面板裝置(PDP)、場發射顯示裝置(FED)、有機發光顯示裝置(OLED)等。

在該等裝置中，不需要獨立光源的OLED被設計成小巧的尺寸，並且顯示鮮豔的色彩，因此，被認為是具有競爭力的應用。

這種OLED包括用於獨立驅動各個子像素的有機發光二極體，並且就此而言，有機發光二極體包括包含正電極和負電極的有機層以及在它們之間的有機發光層。

例如，OLED具有陣列配置，該陣列配置包括薄膜電晶體和有機發光二極體，以對應於下基板上的每個子像素，並且包括封裝基板，用於密封易受濕氣影響的有機發光二極體以面向該陣列。另外，OLED包括圍繞下基板與封裝基板之間的邊緣的密封圖案(屏障圖案)，以密封位於上部和下部的封裝基板與下基板之間的空間，以隔開在側表面上的外部空氣。

通常，將密封圖案塗佈在封裝基板上，並且將封裝基板和下基板黏合以面向彼此。在這種情況下，用於塗佈密封圖案的起點和終點需要彼此重疊以密封密封圖案的內部空間而不會滲入外部空氣，因此，密封圖案不可避免地且部分地彼此重疊。因此，過量的密封圖案材料保留在彼此重疊之密封圖案的起點和終點，因此，在封裝基板和下基板彼此黏合之後，與其他區域相比，在起點和終點的密封圖案的一部分的寬度增加，並且，當在黏合過程中施加壓力時，寬度進一步增加。如此一來，當使用形成具有相同寬度的密封圖案的一般方法時，因為起點和終點彼此重疊，由於密封圖案材料的量的誤差，造成在特定點的密封圖案的寬度不能被控制，因此，隱藏不用於顯示的非主動區域的邊框區域的寬度增加，並且不能實現窄邊框。

另外，當由於密封圖案的各部分之間的重疊，造成透過在塗佈有過量的密封圖案材料的部分的基板之間的黏合而施加過大的壓力時存在密封圖案穿過主動區域的問題。然而，使用目前的OLED結構沒有克服這個問題的解決方案。

本發明的一個目的是提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法，其中，改變封裝基板的形狀以防止塗佈在相對的基板之間用於其間的黏合的密封圖案材料在數量上的誤差。

本發明的附加優點、目的和特徵將部分地在以下描述中闡述，並且部分地對於本領域通常知識者在研究下文後將變得顯而易見，或者可以從本發明的實踐中獲知。本發明的這些和其它優點可以通過本發明的說明書、申請專利範圍以及附圖中具體指出的結構來理解和獲得。

為了實現這些目的和其他優點並且根據本發明的目的，如本文所實施且廣泛地描述，提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法，其中，改變封裝基板的形狀以對應於用於塗佈密封圖案材料起點和終點並且容納過量的密封圖案材料，以使每個區域具有均勻寬度的密封圖案，從而實現窄邊框。

在本發明的一個態樣中，一種有機發光顯示裝置包括：面向彼此的基板和封裝基板，並且每個基板和封裝基板具有包括複數個子像素的主動區域和圍繞主動區域的非主動區域；凹陷部分，包含在封裝基板的非主動區域中； 密封圖案，設置在基板與封裝基板之間的非主動區域中，並且處於具有均勻高度的閉合迴圈中；以及填充密封圖案，具有與密封圖案相同的材料，並且填充在凹陷部分以與密封圖案重疊。

密封圖案和填充密封圖案可以彼此成為一體並且具有相同的寬度。

凹陷部分可以對應於封裝基板的內表面，並且凹陷部分可以包括：底表面，與封裝基板的內表面距離有第一深度；以及側表面，相對於底表面傾斜一鈍角。

第一深度可以是封裝基板的主動區域的厚度的0.1至0.6倍。

在凹陷部分中側表面相對於底表面的鈍角可以為125°至145°。

填充密封圖案的垂直截面可以是連接到填充密封圖案的密封圖案的截面的0.1至0.4倍。

在基板上的子像素可以包括：至少一個薄膜電晶體；用於覆蓋薄膜電晶體的覆蓋層；以及藉由堆疊來配置的有機發光二極體，並且該有機發光二極體可以包括：第一電極；有機發光層；以及第二電極，該有機發光二極體在覆蓋層上電性連接到薄膜電晶體。

該有機發光顯示裝置可以進一步包括彩色濾光片層，設置在封裝基板上以對應於每個子像素。

該有機發光顯示裝置可以進一步包括保護層，用於覆蓋基板上的有機發光二極體，其中，保護層與密封圖案可以重疊一部分寬度。

該有機發光顯示裝置可以進一步包括填充構件，在基板與封裝基板之間的密封圖案的內部區域中。

在本發明的另一態樣中，一種製造有機發光顯示裝置的方法包括：製備基板，該基板包括包含複數個子像素的第一主動區域和圍繞第一主動區域的第一非主動區域；製備封裝基板，該封裝基板包括第二主動區域和第二非主動區域，第二主動區域和第二非主動區域分別對應於基板的第一主動區域和第一非主動區域；在第二非主動區域內設置凹陷部分；在閉合迴圈中塗佈密封圖案材料，以具有對應於凹陷部分的起點和終點；以及黏合基板和封裝基板以使密封圖案材料面向基板。

在基板和封裝基板的黏合中，密封圖案材料可以用於形成填充密封圖案和密封圖案，填充密封圖案填充在凹陷部分中，密封圖案與填充密封圖案重疊，並且在非主動區域內具有均勻高度。

在密封圖案材料的塗佈中，密封圖案材料可以被塗佈兩次，以對應於起點和終點。

凹陷部分的設置可以包括形成含有以下表面的凹陷部分：底表面，與封裝基板的內表面距離有第一深度；以及側表面，相對於底表面傾斜一鈍角。

100‧‧‧基板

111‧‧‧源極連接佈線

112‧‧‧閘極電極

113‧‧‧閘極金屬層

114‧‧‧閘極接地佈線

121‧‧‧緩衝層

122‧‧‧半導體層

131‧‧‧閘極絕緣層

132‧‧‧蝕刻阻擋件

133‧‧‧資料金屬層、源極金屬層

135‧‧‧焊墊電極

136‧‧‧源極電極

137‧‧‧汲極電極

138‧‧‧層間絕緣層

141‧‧‧覆蓋層

142‧‧‧虛設覆蓋層

151‧‧‧第一電極

152‧‧‧短路裸佈線

153‧‧‧焊墊保護電極

161‧‧‧堤部

162‧‧‧第二屏障圖案

163‧‧‧堤岸層

171‧‧‧有機發光層

181‧‧‧第二電極

191‧‧‧保護層

200‧‧‧封裝基板

200a‧‧‧凹陷部分

210a‧‧‧第三屏障圖案

210b‧‧‧第四屏障圖案

220‧‧‧第一屏障圖案

250‧‧‧填充材料

300‧‧‧密封圖案

300a‧‧‧填充密封圖案

500‧‧‧點膠機

2010‧‧‧底表面

2020‧‧‧側表面

3000‧‧‧密封圖案材料

AA‧‧‧主動區域

D‧‧‧屏障

d‧‧‧第一深度、第一均勻深度

D1‧‧‧第一屏障

D2‧‧‧第二屏障

EP‧‧‧終點

GP1‧‧‧閘極焊墊部分、閘極驅動器

GP2‧‧‧閘極焊墊部分、閘極驅動器

h‧‧‧厚度

NA‧‧‧非主動區域

P‧‧‧焊墊部分

SP‧‧‧起點

Sub-P‧‧‧子像素

TFT‧‧‧薄膜電晶體

w‧‧‧寬度

x‧‧‧寬度、間隔

為了提供對本發明的進一步理解，附圖被包括並且被併入及構成本申請案的一部分，附圖說明了本發明的實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖式中：圖1為根據本發明的有機發光顯示裝置(OLED)的平面圖；圖2為說明根據本發明的OLED的凹陷部分和與其對應的黏合狀態的剖面圖；圖3為根據本發明一實施例之圖2的OLED的封裝基板的剖面圖；圖4為顯示在圖3之封裝基板上塗佈密封圖案的方法的剖面圖；圖5為沿圖1之I-I’線所截取的剖面圖；圖6為沿圖1之Ⅱ-Ⅱ’線所截取的剖面圖；以及圖7為沿圖1之Ⅲ-Ⅲ’線所截取的剖面圖。

在下文中，將參照附圖更全面地描述本發明，附圖中示出本發明的示例性實施例。然而，本發明可以以許多不同的形式實施，並且不應該被解釋為限於本文所闡述的實施例；相反地，提供這些實施例是為了使本發明徹底和完整，並且將本發明的概念完全傳達給本領域通常知識者。

在圖式中揭露的用於描述本發明的實施例的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅僅是示例性的，並且本發明不限於此。貫穿本說明書，相同的元件符號代表相同的元件。在本發明的以下描述中，當判定可能不必要地混淆本發明的主題時，將省略對已知先前技術的詳細描述。

如本文所用，除非使用術語「僅」，否則術語「包括」、「具有」、「包含」等暗示可以添加其他部分。如本文所用，除非上下文另有明確說明，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在也包括複數形式。

即使沒有明確的陳述，元件也應被解釋為包括誤差範圍。

在描述位置關係時，除非明確地使用術語「立即」或「直接」，否則諸如「元件B上的元件A」、「元件B上方的元件A」、「元件B下方的元件A」和「元件B旁邊的元件A」等的短語，另一個元件C可以設置在元件A與B之間。

在描述時間關係時，除非明確地使用術語「立即」或「直接」，否則諸如「之後」、「接下來」、「接著」、「之前」等術語可以包括任何兩個事件不連續的情況。

在描述元件時，使用諸如「第一」和「第二」的術語，但是這些元件不受這些術語的限制。這些術語僅用於區別一個元件和其他元件。因此，如本文所用，第一元件可以是本發明的技術構思內的第二元件。

應當理解，術語「至少一個」包括一個以上的相關項目的所有可能組合。例如，「第一項目、第二項目和第三項目中的至少一個」不僅意味著第一項目、第二項目或第三項目中的每一個，還意味著第一項目、第二項目和第三項目中的兩個以上的項目的所有可能組合。

可以部分或完全組合本發明的各種示例性實施例的特徵。如本領域通常知識者將清楚地理解的，各種交互作用和操作在技術上是可行的。各種示例性實施例可以單獨地或組合地實踐。

在下文中，將參照附圖更全面地描述本發明，附圖中示出了本發明的示例性實施例。

圖1為根據本發明的有機發光顯示裝置(OLED)的平面圖。圖2為說明根據本發明的OLED的凹陷部分和與其對應的黏合狀態的剖面圖。

參照圖1和圖2，根據本發明一實施例的OLED可以包括面向彼此的基板100和封裝基板200，並且基板、封裝基板以及在基板與封裝基板之間的區域具有主動區域AA和圍繞主動區域AA的非主動區域NA，其中在基板與封裝基板之間的主動區域包括：複數個子像素Sub-P；凹陷部分200a，包含在封裝基板200的非主動區域NA中的一部分中；密封圖案300，設置在基板100與 封裝基板200之間的非主動區域NA中，並且形成在具有均勻高度的閉合迴圈中；以及填充密封圖案300a，由與密封圖案300相同的材料形成，並且填充在凹陷部分200a中以與密封圖案300重疊。

此處，密封圖案300和填充密封圖案300a可以彼此成為一體並且具有相同的寬度，因為它們被設置為在塗佈密封圖案材料期間在其上塗佈有密封圖案材料的部分上彼此重疊。

關於填充密封圖案300a，在塗佈密封圖案材料並黏合基板100和封裝基板200的過程期間，過量的密封圖案材料被容納於凹陷部分200a中，因此，密封圖案300可以在凹陷部分200a所在的部分以及凹陷部分200a不在的部分(通常塗佈有密封圖案材料而不與其他材料重疊的部分)具有整體均勻的高度。

凹陷部分200a可以包括：底表面2010，以均勻高度設置在封裝基板200上；以及側表面2020，相對於底表面2010傾斜一鈍角，其對應於封裝基板200的內表面。也就是說，如圖2所見，凹陷部分200a可以藉由從封裝基板200的內表面去除梯形部分來形成。

第一深度d可以是封裝基板200的非主動區域NA的厚度h的0.1至0.6倍。也就是說，凹陷部分200a可以藉由使用預定蝕刻方法去除對應部分來形成，並且可以具有用於容納被去除部分中的材料的寬度x。寬度x可以對應於用於塗佈密封圖案材料的起點SP與終點EP之間的間隔，並且對應於密封圖案材料被塗佈兩次的區域。

在凹陷部分200a中，側表面2020相對於底表面2010的鈍角可以為125°至145°。

在下文中，詳細描述了根據本發明的OLED的塗佈密封圖案的方法。

圖3為根據本發明一實施例之圖2的OLED的封裝基板的剖面圖。圖4為顯示在圖3的封裝基板上塗佈密封圖案的方法的剖面圖。

如圖3及圖4所示，凹陷部分200a可以形成在封裝基板200的一部分上。在這種情況下，凹陷部分200a的寬度x可以是用於塗佈密封圖案材料的起點SP與終點EP之間的間隔，並且第一深度d可以是封裝基板200的非主動區域NA的厚度h的0.1至0.6倍。也就是說，凹陷部分200a可以藉由從封 裝基板200的內表面去除對應部分來形成，並且底表面2010可以具有第一均勻深度d。

另外，如圖4所示，可以在點膠機500沿一個方向移動的同時塗佈密封圖案材料3000。

此處，凹陷部分200a包括：底表面2010，具有第一深度d；以及圍繞底表面2010的側表面2020，以相對於底表面2010具有125°至145°的鈍角。這是因為用於塗佈密封圖案材料3000的點膠機500處於靜止狀態，然後執行塗佈，並且就此而言，一預定量的密封圖案材料3000可能不在起點SP排出，並且經過一預定時段，直到一預定量的密封圖案材料3000以0的速度排出，類似地，一預定量的密封圖案材料3000可以被塗佈然後可以在終點EP逐漸地減少。因此，與其中排出一恆定量的密封圖案材料3000的部分相比，改變了密封圖案材料3000的塗佈量，因此，側表面2020可以根據塗佈的密封圖案材料3000的逐漸改變的量而傾斜。

在塗佈密封圖案材料3000的過程中，凹陷部分200a的寬度x可以是用於塗佈密封圖案材料的起點SP與終點EP之間的間隔，並且第一深度d可以是封裝基板200的非主動區域NA的厚度h的0.1至0.6倍。也就是說，凹陷部分200a可以藉由從封裝基板200的內表面去除對應部分來形成，並且底表面2010可以具有第一均勻深度d。第一深度d可以是封裝基板200的非主動區域NA的厚度的0.1倍以上，以容納過量的密封圖案材料3000而不會溢出，並且可以是封裝基板200的非主動區域NA的厚度的0.6倍以下，以防止封裝基板200在凹陷部分200a中發生破裂並且損壞。

凹陷部分200a可以形成在密封圖案材料3000的塗佈被重複的部分中，並且根據需要，可以部分地形成在點膠機500的速度降低的部分中。這是因為，當點膠機500的速度降低時，與其他區域相比，可以增加在速度降低的部分的塗佈量，並且可以增加在該部分的密封圖案300的寬度，因此，過量的密封圖案材料3000可以容納在封裝基板200中。例如，如圖4所示，當用於排出密封圖案材料3000的點膠機500沿著封裝基板200的四個角落移動時，點膠機500需要在每個角落改變其方向，因此，有必要為了調節點膠機500的速度，並且可以在每個角落進一步設置凹陷部分200a。在這種情況下，設置在每 個角落的凹陷部分200a可以具有與用於塗佈密封圖案材料3000的起點SP和終點EP處的凹陷部分200a不同的形狀和不同的深度。

因此，如圖4所示，當在封裝基板200上完成圖4的密封圖案材料3000的塗佈過程時，封裝基板200和基板100彼此黏合，然後完成熱固化，可以形成在封裝基板200與基板100之間熱固化的密封圖案300和填充在封裝基板200的凹陷部分200a中的填充密封圖案300a。

密封圖案300和填充密封圖案300a可以在用於塗佈圖4的密封圖案材料的起點SP與終點EP之間的間隔x中彼此成為一體。

另外，在圖4中，填充密封圖案300a的垂直截面可以是連接到填充密封圖案300a的密封圖案300的截面的0.1至0.4倍。

上述凹陷部分200a可以設置以在塗佈密封圖案材料3000期間防止過量的密封圖案材料塗佈在特定區域中，因此，密封圖案300可以在整個非主動區域NA中形成為一預定寬度。另外，凹陷部分200a可以設置以調整密封圖案材料3000的過度填充量，因此，由於考慮到密封圖案周圍的加工裕度而不需要增加非主動區域NA，可以減少非主動區域NA。

在圖2至圖4中，從在封裝基板200上塗佈密封圖案材料3000的觀點來看，封裝基板200作為下方部分來說明，封裝基板200的內表面作為上方部分來說明，並且包含設置在其上的薄膜電晶體的基板100位於上方部分。在封裝基板200和基板100實際黏合或完全黏合之後的狀態可以是倒置狀態，也就是說，基板100可以是下方部分，並且封裝基板200可以是上方部分。

圖2至圖4的剖面圖示出了非主動區域，其中塗佈有密封圖案300，並且參考以下附圖描述了主動區域的配置。

根據本發明的OLED可以透過包括上述凹陷部分200a的封裝基板200的配置來控制在塗佈密封圖案300期間的過量塗佈量。

在下文中，詳細描述了包括根據本發明的陣列配置的OLED。

圖5為沿圖1之I-I’線所截取的剖面圖。圖6為沿圖1之Ⅱ-Ⅱ’線所截取的剖面圖。圖7為沿圖1之Ⅲ-Ⅲ’線所截取的剖面圖。

主動區域AA的每個子像素可以包括：薄膜電晶體TFT；覆蓋層141，用於覆蓋薄膜電晶體TFT；以及有機發光二極體(OLED)，藉由堆疊在覆蓋層141上電性連接到薄膜電晶體TFT的至少一個第一電極151、有機發光 層171和第二電極181來形成。雖然有機發光層171作為單層說明，但這僅是示例，或者，有機發光層171可以藉由進一步包括基本上用於發光的EL層以及設置在EL層的下方和上方的電洞相關層和電子相關層，來形成為複數層。在圖5至圖7的剖面圖中，只有示出焊墊部分和與其相鄰的主動區域AA的圖5說明了薄膜電晶體TFT，但是本發明不限於此，因此，薄膜電晶體TFT也可以設置在與圖6的閘極焊墊部分相鄰的主動區域和與圖7的非焊墊部分相鄰的主動區域中。

作為參考，薄膜電晶體TFT可以包括：閘極電極112；半導體層122；以及源極電極136和汲極電極137，連接到半導體層122的相對側。閘極絕緣層131可以插入在閘極電極112與半導體層122之間。所示的半導體層122可以由氧化物半導體形成，因此，蝕刻阻擋件132可以被說明為設置以在源極電極136和汲極電極137的圖案化期間保護通道部分。然而，薄膜電晶體是一個示例，或者，半導體層122可以由非晶矽或多晶矽形成，或者可以包括複數個矽層，並且在這種情況下，可以省略蝕刻阻擋件132。

汲極電極137可以電性連接到有機發光二極體的第一電極151。第一電極151可以是反射金屬，而第二電極181可以是透明金屬；或者相反地，第一電極151可以是透明金屬，而第二電極181可以是反射金屬。前者可以稱為頂部發射型，而後者可以稱為底部發射型，並且就此而言，所說明的形式對應於用於在封裝基板200保持透光率的結構，並且主要以頂部發射方式實施。

由與第一電極151在相同層階(layer level)的相同材料形成的焊墊保護電極153可以進一步設置在焊墊電極135上，以防止焊墊電極135氧化。

另外，密封圖案300可以包括第一屏障圖案220和第二屏障圖案162，分別設置在密封圖案300的相對側，因此，可以界定密封圖案300的區域。

保護層191可以進一步設置在基板100的最上方部分，以充分覆蓋第二電極181並保護有機發光二極體。保護層191可以由SiON等形成，其為比閘極絕緣層131和層間絕緣層138厚的無機絕緣層，閘極絕緣層131和層間絕緣層138是薄膜電晶體的近似絕緣層，並且主要可以防止累積在基板100與封裝基板200之間的雜質穿透到有機發光二極體中。緩衝層121、閘極絕緣層131和層間絕緣層138可以是無機層，並且在其上部的覆蓋層141、堤部161以及第一屏障圖案至第四屏障圖案220、162、210a和210b可以由有機材料形成。

雖然上面已經描述了設置在基板100上的第一屏障圖案220和第二屏障圖案162，但是封裝基板200也可以具有如圖5至圖7所示的屏障功能，因此，面對第一屏障圖案220和第二屏障圖案162的第三屏障圖案210a和第四屏障圖案210b可以進一步設置在面對基板100的封裝基板200的一個表面上。

用於界定有機發光二極體的發光部分的堤部161可以進一步包括在子像素Sub-P的邊界部分處。此處，堤部161可以包括黑色樹脂。堤部161可以由有機材料形成，並且可以具有類似於覆蓋層141之1μm至5μm的厚度，並且更詳細地，可以具有1.1μm至3μm的厚度。

此處，除了薄膜電晶體TFT和第一電極151經由其彼此連接的接觸孔之外，覆蓋層141可以形成為完全覆蓋主動區域AA，並且還可以延伸到主動區域之外以與密封圖案300部分重疊。在這種情況下，覆蓋層141與密封圖案300重疊的寬度可以在非主動區域的第一側至第四側中的每一側處(焊墊部分、電性連接到主動區域AA中的閘極線而形成在基板內的相對閘極驅動器部分積體電路、以及非焊墊部分)各自不同。這是因為，由於在各側的非主動區域NA的覆蓋層141的下部構造不同，因此佔據下部構造的體積不同，從而需要依據覆蓋層141的重疊程度來補償在各側的體積差。

如圖5所示，焊墊部分可以包括在其中設置短路裸佈線152的區域外部的覆蓋層141。短路裸佈線152可以由與第一電極151相同層階的相同金屬材料形成。層間絕緣層138和閘極絕緣層131可以設置為在覆蓋層141下方約2000Å的薄的厚度。這是因為，當短路裸佈線152從覆蓋層141突出時，如果在薄絕緣層中產生針孔，則在短路裸佈線與源極連接佈線之間可能會發生短路。因此，為了防止短路裸佈線與源極連接佈線之間的這種短路，也就是說，覆蓋層141突出到具有短路裸佈線152的區域之外。

也就是說，厚的覆蓋層141位於短路裸佈線152的下方，以對應於至少一源極連接佈線111所在的位置，因此，即使具有薄的厚度的層間絕緣層138和閘極絕緣層131損壞，短路裸佈線152和源極連接佈線111仍可以保持彼此絕緣。另外，為了穩定短路裸佈線152的電位，第二電極181可以覆蓋短路裸佈線152的上部，並且在這種情況下，第二電極181可以在位於第二電極181下方諸如源極連接佈線111或閘極金屬層113之金屬所在的位置，僅形成到覆蓋 層141的上部。這是為了與上述使用下金屬層防止由具有薄的厚度的層間絕緣層138和閘極絕緣層131的針孔所引起的短路的功能類似的功能。

如圖5及圖6所示，在焊墊部分和閘極焊墊部分中，金屬層位於覆蓋層141的下方，並且第二電極181位於覆蓋層141的上部，並且，如圖7所示，在金屬層不位於覆蓋層141的下方的非焊墊部分中，第二電極181可以覆蓋覆蓋層141的側部，並且可以位於與其相鄰的層間絕緣層138的上部。即使在圖7的情況下，第二電極181仍可以不與閘極接地佈線114重疊，這是為了與防止短路相同的目的。此處，如圖7所示，第二電極181可以在整個主動區域和其部分外部區域中形成為一體的結構，並且可以與密封圖案300部分地重疊，並且，在主動區域的外部部分中，第二電極181可以電性連接到短路裸佈線152。

在圖5至圖7中，在基板100上的組件中未描述的元件121是緩衝層，設置為防止在基板100的雜質滲透到形成在基板100上的組件中。或者，當在基板100上執行特定製程時，緩衝層可以防止製程的影響。

可以藉由堆疊下側的虛設覆蓋層(dummy overcoat layer)142和上側的堤岸層163來設置第一屏障圖案220。在這種情況下，虛設覆蓋層142可以形成在與覆蓋層141相同的層階以與其間隔開，並且堤岸層163可以形成在與堤部161相同的層階以與其間隔開。第二屏障圖案162可以形成在與堤部161相同的層階以與其間隔開。

在這種情況下，第一屏障圖案220和第二屏障圖案162可以以與覆蓋層141和堤部161相同的製程製造。

另外，第三屏障圖案210a和第四屏障圖案210b可以彼此間隔開，並且可以以與包含在封裝基板200中的黑色矩陣(圖中未示)或彩色濾光片層(圖中未示)的製程相同的製程製造，以與封裝基板200間隔開。如此，屏障圖案可以彼此間隔開，並且屏障圖案可以與內部覆蓋層、內部黑色矩陣或彩色濾光片層間隔開以阻擋濕氣滲透的路徑。黑色矩陣可以具有與設置在基板100上的堤部161對應的形狀，並且彩色濾光片層可以設置為對應於每個子像素的有機發光二極體。在這種情況下，彩色濾光片層可以與黑色矩陣的相對側重疊。

此處，在基板100和封裝基板200中，第一屏障D1界定包含第一屏障圖案220和第三屏障圖案210a的密封圖案300的外線，第一屏障圖案220 和第三屏障圖案210a設置在相同的平面位置，並且第二屏障D2界定包含第二屏障圖案162和第四屏障圖案210b的密封圖案300的內線。第一屏障D1和第二屏障D2統稱為屏障D，並且根據本發明的有機發光顯示裝置可以在非主動區域的第一側至第四側具有與屏障D相同的寬度w。

密封圖案300可以由具有初始黏度的液體材料形成，並且可以包括聚合物材料，該聚合物材料包括諸如作為黏合劑成分的環氧樹脂和光起始劑或熱起始劑的有機材料成分作為主要成分，並且在這種情況下，具有吸濕功能的複數個吸氣劑(getter)可以分散在聚合物材料中。在這種情況下，每個吸氣劑可以是氯化鈣、矽膠、活性氧化鋁、氯化鋰和三甘醇中的任何一種，並且可以是液體聚合物材料中的固體組分，其為直徑為0.5μm至3μm的球形形狀或最大長度為0.5μm至3μm的圓柱形或多面體形狀，並且吸氣劑可以最初分散在包含在密封圖案300中的液體材料中，並且當液體材料硬化時可以同時固定在密封圖案300中。另外，吸氣劑可以防止濕氣和外部空氣從側表面滲透到密封圖案300中，以保護位於主動區域中的有機發光陣列免受濕氣或外部空氣的影響。密封圖案300可以分配在其上完全配置有薄膜電晶體陣列和有機發光陣列的基板100上，或者可以分配在其上完全配置有黑色矩陣陣列和彩色濾光片層陣列的封裝基板200的非主動區域中，以圍繞主動區域AA的邊緣部分。具有黏度的液體材料在製程期間具有分配均勻性，因此，在分配時間點對於每個區域具有相同的寬度，但是，由於液體材料具有流動性，當在基板100上存在表面偏差時，如果壓力是在基板100和封裝基板200彼此黏合之後施加，可以改變液體材料的延展能力。當基板100和封裝基板200彼此黏合，然後其之間的間隔變為預定程度時，密封圖案300透過熱或UV固化而保持固態，以恆定地保持基板100與封裝基板200之間的間隔。

基本上，為了驅動主動區域AA中的子像素Sub-P，基板100需要包括在第一側至第四側的非主動區域中的佈線和驅動部分(焊墊部分、相對閘極焊墊部分、以及非焊墊部分)，為了傳輸信號，佈線和驅動部分可以根據源極驅動器(圖中未示)或可撓性印刷電路板(圖中未示)的佈置配置在不同側，因此，與薄膜電晶體陣列一起形成而在基板100上的非主動區域可以在第一側至第四側具有不同的表面密度。在包含焊墊部分P的非主動區域的第一側的主動區域AA需要包括源極連接佈線111，其連接到在非主動區域中的複數個 焊墊電極135中的每一個(參照圖5)。在這種情況下，源極連接佈線111的數量需要等於或大於主動區域中資料線的數量，因此，源極連接佈線111可以在非主動區域的第一側具有相當高的密度。作為參考，包含主動區域AA中的閘極線(圖中未示，其與圖5中的112在相同的層階)位於橫向方向上、資料線(圖中未示)位於縱向方向上、並且閘極線和資料線位於子像素Sub-P的邊界部分。此處，源極連接佈線111可以是用於將信號施加到資料線的佈線，並且可以佈置在主動區域AA的下端與焊墊部分P之間。所示的源極連接佈線111可以位於與閘極線和閘極電極112相同的層階，並且在這種情況下，源極連接佈線111可以電性連接到包含在焊墊部分P中的焊墊電極135。如果必要，源極連接佈線111可以整合到資料線中(其位於與元件136、137相同的層階)。

焊墊部分可以進一步包括：用於將閘極驅動電壓信號、閘極接地信號和閘極時脈信號傳輸到閘極焊墊部分的焊墊電極(圖中未示)；以及連接到源極連接佈線111的焊墊電極。在這種情況下，當用於傳輸資料相關信號的焊墊信號位於焊墊部分的中心部分時，用於傳輸閘極相關信號的焊墊電極可以位於用於傳輸資料相關信號的焊墊信號的相對外側。

複數個焊墊電極可以包含在基板100的焊墊部分中，其比封裝基板200相較突出，並且源極連接佈線111可以位於焊墊部分P與主動區域AA之間，以將焊墊電極連接到焊墊部分。源極連接佈線111可以基於圖1從焊墊部分P沿垂直方向延伸，並且可以一體地連接到資料線(其位於與源極電極136和汲極電極137相同的層階)，該資料線位於主動區域AA的下邊緣部分中，以與密封圖案300重疊。

閘極焊墊部分GP1和GP2可以具有對應於每條閘極線的閘極電路區塊，並且在這種情況下，閘極電路區塊可以包括：移位暫存器、位準偏移器和緩衝器。移位暫存器、位準偏移器和緩衝器可以以複數條佈線和複數個薄膜電晶體的組合配置。圖6為沿著非主動區域的第二側的一個表面所截取的剖面圖，並且說明了閘極金屬層113和資料金屬層133與密封圖案300完全重疊但僅示出佈線穿過的一個截面的情況，並且基本上，閘極焊墊部分可以包括複數個薄膜電晶體和複數條佈線。閘極驅動器GP1和GP2可以藉由圖案化在與形成在與主動區域AA的閘極線相同層階的閘極金屬層113的電極相同層階的層、與 半導體層122相同層的材料(圖中未示)、以及與資料線形成在相同層階的源極金屬層133來形成。

上述閘極焊墊部分可以是板內閘極(gate in panel,GIP)的類型，並且可以藉由在基板100的相對側的非主動區域中嵌入用於驅動閘極線的驅動器來配置，而不是以單獨的晶片或薄膜的形式。也就是說，閘極焊墊部分可以以複數個薄膜電晶體和複數條佈線彼此重疊的方式形成，並且該閘極焊墊部分可以在形成在主動區域AA中所形成的薄膜電晶體TFT時同時形成。也就是說，閘極焊墊部分可以以這樣的方式配置：形成薄膜電晶體TFT，並且同時，包含金屬層113和133之類似的薄膜電晶體(其與包含在薄膜電晶體TFT中的金屬層相同)以及半導體層連接到閘極線之個別的邊緣。

第一屏障圖案220可以進一步包括作為下部的虛設覆蓋層142，其形成在與覆蓋層141相同的層階。這需要對應於第二屏障圖案162的上層，因為第二屏障圖案162形成在從主動區域AA延伸的覆蓋層141上。如此一來，當密封圖案300展開時，可以防止密封圖案300溢出至下部屏障圖案上。

第一屏障圖案220可以與覆蓋層141間隔開，因此，即使濕氣部分地滲透到僅由有機材料形成的第一屏障圖案220中，濕氣也可能不會傳遞到在主動區域區AA中形成為一體結構的覆蓋層141。

當形成黑色矩陣(圖中未示)和彩色濾光片層時，第三屏障圖案210a和第四屏障圖案210b可以同時形成為對應於封裝基板200的主動區域。如果必要，當採用用於發射不同顏色光的發光層的不同顏色作為包含相鄰的子像素Sub-P中的有機發光二極體的有機發光層171時，可以從封裝基板200中省略黑色矩陣。當彩色濾光片層包含在封裝基板200中時，每個子像素Sub-P的有機發光層171可以是以相同方式發射白光的發光層。

從剖面圖的觀點來看，填充材料250可以設置在基板100的最上表面與封裝基板200的最上表面之間的密封圖案300的一區域中，以保持基板100與封裝基板200之間的間隔。在封裝基板200和基板100彼此黏合之後，填充材料250可以在填充過程期間接觸密封圖案300。然而，填充材料250和密封圖案300由不同材料形成，並且在密封圖案300大致硬化或完全硬化之後，將填充材料250相鄰地填充到密封圖案300，並且因此填充材料250和密封圖案300不會相互干擾。

根據本發明的上述有機發光顯示裝置可以包括凹陷部分200a，設置在其上塗佈有密封圖案材料的封裝基板200上，以控制屏障圖案的寬度，以提供用於容納過量密封圖案材料的空間。

特別地，凹陷部分200a可以應用於由於分配過程的中止而發生塗佈量的誤差的點、以及在用於塗佈密封圖案材料3000的起點與終點之間的區域，因此，可以容易地控制塗佈在封裝基板200的整個區域上的密封圖案材料3000的寬度。

同時，在基板上的子像素包括：至少一個薄膜電晶體(TFT)；覆蓋層141，用於覆蓋薄膜電晶體TFT；以及有機發光二極體(OLED)，在覆蓋層141上電性連接到薄膜電晶體TFT。有機發光二極體藉由堆疊第一電極151、有機發光層171以及第二電極181來形成。有機發光層171包括至少一個發光層。有機發光層171還可以包括共同層，以在發光層下方或上方傳輸電洞或電子。

特別地，根據減少外部區域的目前趨勢，可以針對每個區域改變凹陷部分，因此，當應用封裝基板時，在基板與封裝基板之間的密封圖案的寬度可以完全地減少，從而容易實現窄邊框。

根據本發明的有機發光顯示裝置及其製造方法可以具有以下效果。

第一，可以設置凹陷部分以在塗佈密封圖案材料期間防止密封圖案材料過量地塗佈在特定區域中，因此，密封圖案可以在整個非主動區域NA中以一均勻寬度來形成。

第二，可以設置凹陷部分以調整密封圖案材料的過量填充量，並且考慮到密封圖案周圍的加工裕度(processing margin)，由於不需要增加非主動區域，因此可以減少非主動區域，從而實現窄邊框。

對於本領域通常知識者顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以在本發明中進行各種修改和變化。因此，本發明旨在涵蓋在所附申請專利範圍及其均等範圍內的本發明的修改和變化。

本申請案主張於2017年12月20日提交的韓國專利申請案第10-2017-0176287號的優先權，其全部內容通過引用結合於此，如同在此完全闡述一樣。

100‧‧‧基板

200‧‧‧封裝基板

200a‧‧‧凹陷部分

300‧‧‧密封圖案

300a‧‧‧填充密封圖案

2010‧‧‧底表面

2020‧‧‧側表面

d‧‧‧第一深度、第一均勻深度

x‧‧‧寬度、間隔

Claims (16)

1. 一種有機發光顯示裝置，包括：一基板和一封裝基板，面向彼此，並且該基板、該封裝基板以及在該基板與該封裝基板之間的一區域具有一主動區域和圍繞該主動區域的一非主動區域，其中，在該基板與該封裝基板之間的該主動區域包括複數個子像素；一凹陷部分，包含在該封裝基板的該非主動區域中；一密封圖案，設置在該基板與該封裝基板之間的該非主動區域中，並且處於具有一均勻高度的一閉合迴圈中；一填充密封圖案，具有與該密封圖案相同的材料，並且填充在該凹陷部分中以與該密封圖案重疊；一第一屏障圖案以及一第二屏障圖案，各別設置於位於該基板的一內表面上的該密封圖案的一第一端以及一第二端；以及一第三屏障圖案以及一第四屏障圖案，各別設置於位於該封裝基板的一內表面上的該凹陷部分的一第一端以及一第二端。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該密封圖案和該填充密封圖案彼此成為一體並且具有相同的寬度。
3. 根據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該凹陷部分對應於該封裝基板的該內表面，以及其中，該凹陷部分包括：一底表面，與該封裝基板的該內表面距離有一第一深度；以及一側表面，相對於該底表面傾斜一鈍角。
4. 根據申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中，該第一深度是該封裝基板的該主動區域的厚度的0.1至0.6倍。
5. 根據申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中，在該凹陷部分中該側表面相對於該底表面的該鈍角為125°至145°。
6. 根據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該填充密封圖案的一垂直截面是連接到該填充密封圖案的該密封圖案的一截面的0.1至0.4倍。
7. 根據申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，在該基板上的該子像素包括：至少一個薄膜電晶體；一覆蓋層，用於覆蓋該薄膜電晶體；以及一有機發光二極體，在該覆蓋層上電性連接到該薄膜電晶體，其中，該有機發光二極體藉由堆疊一第一電極、一有機發光層以及一第二電極來配置。
8. 根據申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，進一步包括：一彩色濾光片層，設置在該封裝基板上以對應於每個子像素。
9. 根據申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，進一步包括：一保護層，用於覆蓋該基板上的該有機發光二極體，其中，該保護層與該密封圖案重疊一部分寬度。
10. 根據申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，進一步包括：一填充構件，在該基板與該封裝基板之間的該密封圖案的一內部區域中。
11. 根據申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中，該第三屏障圖案與該第四屏障圖案之間的一距離大於該凹陷部分的該底表面的一寬度。
12. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包括：製備一基板，該基板包括一第一主動區域和圍繞該第一主動區域的一第一非主動區域，並且在該基板的該第一主動區域上製備複數個子像素； 製備一封裝基板，該封裝基板包括一第二主動區域和一第二非主動區域，該第二主動區域和該第二非主動區域分別對應於該基板的該第一主動區域和該第一非主動區域；在該第二非主動區域內設置一凹陷部分；在位於該基板的一內表面上的一密封圖案的一第一端以及一第二端，各別設置一第一屏障圖案以及一第二屏障圖案；在位於該封裝基板的一內表面上的該凹陷部分的一第一端以及一第二端，各別設置一第三屏障圖案以及一第四屏障圖案；在該第二非主動區域上的一閉合迴圈中塗佈一密封圖案材料，以具有對應於該凹陷部分的一起點和一終點；以及黏合該基板和該封裝基板，以使該密封圖案材料面向該基板。
13. 根據申請專利範圍第12項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，在該基板和該封裝基板的黏合中，該密封圖案材料用於形成一填充密封圖案和該密封圖案，該填充密封圖案填充在該凹陷部分中，該密封圖案與該填充密封圖案重疊，並且具有在該基板與該封裝基板之間的一均勻高度。
14. 根據申請專利範圍第12項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，在該密封圖案材料的塗佈中，該密封圖案材料被塗佈兩次，以對應於該起點和該終點。
15. 根據申請專利範圍第12項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，該凹陷部分的設置包括形成含有以下表面的該凹陷部分：一底表面，與該封裝基板的該內表面距離有一第一深度；以及一側表面，相對於該底表面傾斜一鈍角。
16. 根據申請專利範圍第15項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，該第三屏障圖案與該第四屏障圖案之間的一距離大於該凹陷部分的該底表面的一寬度。

Images