CN101661999A - 电光学装置、电光学装置的制造方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制因制造时产生的裂纹等引起的强度的降低的电光学装置。电光学装置(2)具备以隔开规定的间隔对置的方式保持的一对基板，和配置在该一对基板间的电光学物质(7)，其特征在于：在上述一对基板的各自的与上述电光学物质(7)相反一侧的面上形成有硬膜层(9)。

Description

电光学装置、电光学装置的制造方法和电子设备
技术领域
本发明涉及电光学装置、电光学装置的制造方法和电子设备。
背景技术
有机电致发光显示装置(以下称为“有机EL装置”)等的在一对基板间夹持电光学物质的形态的电光学装置，由于轻量且薄型等特征而被便携式电话机等的显示部所采用。在这种情况下，为了使该电光学装置变得更薄，一般对上述基板进行研磨等处理。而且，为了抑制由于这种处理而引起的强度的降低，提出了在研磨后的基板表面上粘贴偏光板，使该电光学装置的强度提高的方法(例如参照专利文献1)。
【专利文献1】日本特开2004-46115号公报
发明内容
但是，上述的方法存在使电光学装置整体的厚度增加的弊端。还存在如下的问题，即、对于在该电光学装置的制造时发生的裂纹等具有很小效果。进而，无法获得提高电光学的侧端部的强度的效果。
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，其能够作为以下的方式或适用例而实现。
[适用例]一种电光学装置，其具备以隔开规定的间隔对置的方式保持的一对基板，和配置在该一对基板间的电光学物质，其特征在于，在上述一对基板的各自的与上述电光学物质相反一侧的面上形成有硬膜层。
根据这样的结构，能够在上述硬膜层形成前用该硬膜层掩埋在上述一对基板上发生的裂纹等。因而，能够提高电光学装置的强度，能够提高可靠性等。
[适用例2]在上述电光学装置的基础上，其特征在于，还具有密封件，该密封件配置在上述一对基板间，且对上述一对基板进行保持，在上述一对基板的各个端面和上述密封件的与上述电光学物质相反一侧的面上形成有上述硬膜层。
根据这样的结构，利用上述硬膜层能够增强上述裂纹等的发生几率高的基板的端面。因而，能够进一步提高电光学装置的强度。
[适用例3]在上述电光学装置的基础上，其特征在于，上述硬膜层的层厚为5μm以上且50μm以下。
为了掩埋上述裂纹等，需要该硬膜层的层厚至少为5μm。另一方面，如果该硬膜层形成得非常厚，则电光学装置的厚度增大，其弊端较大。因而，根据这样的结构，能够在降低电光学装置的厚度的同时提高强度。
[适用例4]在上述电光学装置的基础上，其特征在于，上述硬膜层的透射率为85％以上。
根据这种结构，能够不损坏显示品质而提高电光学装置的强度。另外，上述透射率为可视光的透射率。
[适用例5]在上述电光学装置的基础上，其特征在于，在上述硬膜层内混入有粒子，该粒子由具有比该硬膜层的形成材料的折射率低的折射率的透明树脂构成。
根据这种结构，能够防止表面的反射，能够提高显示品质。
[适用例6]在上述电光学装置的基础上，其特征在于，除去上述硬膜层的上述电光学装置的厚度为50μm至1000μm。
根据这样的结构，即使加上上述硬膜层的厚度也能够得到充分薄的电光学装置。
[适用例7]在上述电光学装置的基础上，其特征在于，上述电光学物质是有机电致发光材料。
根据这种结构，对于有机电致发光显示装置而言，能够提高强度。
[适用例8]一种电子设备，其特征在于，在显示部中具备上述电光学装置。
根据这样的结构，能够不降低可靠性而缩小该显示部的厚度，能够提高便携性。
[适用例9]一种电光学装置的制造方法，该电光学装置具备以隔开规定的间隔对置的方式贴合的一对基板和配置在该一对基板间的电光学物质，其特征在于，按照记载的顺序实施以下工序，第一工序，以使上述一对基板的相互对置的第一面来夹持上述电光学物质的方式使该一对基板贴合，从而形成电光学面板；第二工序，对上述一对基板的至少一个基板的上述第一面的相反一侧的面即第二面进行研磨，从而减少上述电光学面板的厚度；和第三工序，在上述一对基板的至少一个基板的上述第二面上形成硬膜层。
根据这样的制造方法，能够得到在抑制厚度增加的同时提高强度的电光学装置。
[适用例10]在上述电光学装置的制造方法的基础上，其特征在于，上述第二工序是对上述一对基板的双方的上述第二面进行研磨的工序，上述第三工序是在上述一对基板的双方的上述第二面上形成上述硬膜层的工序。
根据这样的制造方法，能够得到在进一步抑制厚度增大的同时进一步提高强度的电光学装置。
[适用例11]在上述电光学装置的制造方法的基础上，其特征在于，上述第二工序是对上述第二面进行研磨直至上述电光学面板的厚度变为50μm的工序。
根据这样的制造方法，能够得到在维持必要的强度的同时最大限度抑制厚度的增加的电光学装置。
[适用例12]在上述电光学装置的制造方法的基础上，其特征在于，上述第三工序是以上述硬膜层的厚度成为5μm以上且50μm以下的方式形成该硬膜层的工序。
根据这样的制造方法，能够在最大限度抑制厚度的增加的同时提高电光学装置的强度。
[适用例13]在上述电光学装置的制造方法的基础上，其特征在于，还实施第四工序，该第四工序是在上述电光学面板的端面形成上述硬膜层。
根据这样的制造方法，由于能够将电光学装置的表面全部用上述硬膜层覆盖，所以能够进一步提高强度。
[适用例14]在上述电光学装置的制造方法的基础上，其特征在于，上述第三工序是形成混入有粒子的硬膜层的工序，该粒子由具有比上述硬膜层的形成材料的折射率低的折射率的透明树脂构成。
根据这样的制造方法，能够得到使强度以及显示品质都提高的电光学装置。
附图说明
图1是第一实施方式的有机EL装置的各种元件、配线等的等价电路图。
图2是第一实施方式的有机EL装置所具备的作为电光学面板的有机EL面板的示意剖视图。
图3是第一实施方式的有机EL装置的示意剖视图。
图4是第二实施方式的有机EL装置的示意剖视图。
图5是第三实施方式的有机EL装置的示意剖视图。
图6是第四实施方式的有机EL装置的示意剖视图。
图7是第五实施方式的有机EL装置的工序剖视图。
图8是第五实施方式的有机EL装置的工序剖视图。
图9是作为电子设备的便携式电话机的立体图。
符号说明如下：
1...作为电光学装置的有机EL装置；2...作为电光学装置的有机EL装置；3...作为电光学装置的有机EL装置；4...作为电光学装置的有机EL装置；5...作为电光学装置的有机EL装置7...作为电光学物质的有机EL元件层；8...透明树脂粒子；9...硬膜层；10...元件基板；11...对置基板；12...有机EL面板；13...有机EL面板的集合体；15...第一面；16...第二面；18...密封件；19...侧端部；20B...蓝色有机EL元件；20G...绿色有机EL元件；20R...红色有机EL元件；22...阳极；24...阴极；26...接触孔；28...隔壁；30B...蓝色发光功能层；30G...绿色发光功能层；30R...红色发光功能层；32...电极保护层；34...有机缓冲层；36...气体阻挡层；38...粘接层；42...液体材料；44...涂敷装置；46...保护带；80...作为电子设备的便携式电话机；81...显示部；82...操作按钮；100...显示区域；102...扫描线；104...信号线；106...电源供给线；108...开关用TFT；110...保持电容；112...驱动用TFT；120...扫描线驱动电路；125...周边电路；130...信号线驱动电路。
具体实施方式
以下参照附图对使本发明具体化的有机EL装置的实施方式进行叙述。另外，在以下所示的各图中，为了将各构成要素作成在图面上能够识别程度的大小，而使该构成要素的尺寸和比例与实际的尺寸和比例适当不同。
(第一实施方式)
图1是作为本实施方式的电光学装置的有机EL装置1的各种元件、配线等的等价电路图。在有机EL装置1的显示区域100，有规律地配置有发红色光的红色有机EL元件20R、发绿色光的绿色有机EL元件20G、和发蓝色光的蓝色有机EL元件20B的三个种类的有机EL元件20。以下，在不区别发光色的情况下，仅称作有机EL元件20。另外，如后述那样，上述各有机EL元件20，仅仅是作为电光学材料的有机EL材料不同。
有机EL装置1是有源矩阵型的装置，其分别控制有机EL元件20的发光，且在包含多个有机EL元件20的显示区域100中形成图像。在显示区域100中形成有多根扫描线102、与扫描线102正交的多根信号线104、和与信号线104平行地延伸的多根电源供给线106。各个有机EL元件20分别形成在由扫描线102、信号线104、电源供给线106所包围的方形的区段内。
在各个像素区域中形成有经由扫描线102向栅极电极供给扫描信号的开关用TFT(薄膜晶体管)108、保持经由开关用TFT108从信号线104供给的像素信号的保持电容110、将保持电容110保持的像素信号供给到栅极电极的驱动用TFT112、和经由驱动用TFT112从电源供给线106流入驱动电流的有机EL元件20。有机EL元件20以与流动的电流的大小对应的亮度进行发光。
在显示区域100的周边形成有扫描线驱动电路120和信号线驱动电路130。扫描线驱动电路120根据由未图示的外部电路供给的各种信号，向扫描线102依次供给扫描信号。信号线驱动电路130向信号线104供给图像信号。另外，将扫描线驱动电路120和信号线驱动电路130统称为周边电路125。另外，周边电路125(参照图2)与未图示的外部电路连接。
当扫描线102被驱动且使开关用TFT108成为打开状态时，该时刻的信号线104的电位被保持在保持电容110，根据保持电容110的状态决定驱动用TFT112的电平。然后，经由驱动用TFT112从电源供给线106向有机EL元件20流动驱动电流，有机EL元件20根据驱动电流的大小进行发光。各个有机EL元件20被独立控制，根据驱动电流的大小调节有机EL元件20R、20G、20B中的红色、绿色、蓝色的发光亮度，从而在显示区域100中形成彩色图像。
图2是本实施方式的有机EL装置1(参照图3)具备的电光学面板的示意剖视图。是与后述的一对基板(元件基板10和对置基板11)垂直的方向的剖视图。是形成后述的硬膜层9(参照图3)之前的阶段的剖视图。该阶段在以下的记载中称为作为电光学面板的有机EL面板12。有机EL面板12，除了分别形成的方法之外，还可以采用如后述那样使用基板集中多个形成在大面积上之后，对各个有机EL面板12的每个进行切割的方法。
如图所示，有机EL面板12由元件基板10和对置基板11的一对基板，以及夹持在该一对基板间的有机EL元件20(点划线的框子内)等构成。上述一对基板，按照第一面15与有机EL元件20相对且第二面16成为外侧的方式粘贴。本实施方式的有机EL装置1是顶部发光型，观察者位于对置基板11侧。因而，需要对置基板11是由玻璃等透明材料构成的基板，但元件基板10不需要透明性。
有机EL元件20由阴极24和阳极22构成的一对电极、以及该一对电极所夹持的发光功能层30构成。在红色有机EL元件20R上形成有红色发光功能层30R，在发绿色光的绿色有机EL元件20G上形成有绿色发光功能层30G，在发蓝色光的蓝色有机EL元件20B上形成有蓝色发光功能层30B。发光功能层是至少作为电光学物质的、包括由通电而发光的有机EL材料层的层。有机EL材料层的形成材料根据有机EL元件20的射出光而不同。即，上述三个种类的发光功能层30(R、G、B)含有互不相同的有机EL材料。
另外，虽然在图2中省略图示，但优选在发光功能层30的阳极22侧形成空穴注入层和空穴输送层，优选在阴极24侧形成电子注入层和电子输送层。通过形成这种层，能够提高发光效率等。
阳极22是供给空穴的电极，且针对每个有机EL元件20相互电独立。阴极24是供给电子的电极，以所有的有机EL元件20的阴极24侧成为相同电位的方式形成在显示区域100的整个区域。驱动用TFT(以下仅称为“TFT”)针对每个有机EL元件，形成在其元件基板10的第一面15上。另外，在图2中，开关用TFT108(参照图1)和保持电容110(参照图1)省略图示。
而且，在TFT的上面、即对置基板11侧形成有由氧化硅等构成的层间绝缘层。TFT112和阳极22经由形成于该层间绝缘层的接触孔26电连接。而且，各有机EL元件间被由氧化硅等构成的间隔壁28所划分。
在阴极24的对置基板11侧依次层叠有电极保护层32和有机缓冲层34和气体阻挡层36。电极保护层32是为了保护阴极24受到水分等影响而形成的薄膜，由硅氧氮化物形成。有机缓冲层34是用于缓和由元件基板10的弯曲体积膨胀而引起的应力的薄膜，由环氧化合物等的具有透明性和平坦化功能的材料形成。气体阻挡层36是用于抑制氧和水分的渗入的薄膜，由硅氮化物或硅氧氮化物形成。
将形成有气体阻挡层36的元件基板10和对置基板11用粘接层38和密封件18粘合而形成有机EL面板12。即，在形成于元件基板10的第一面15的有机EL元件20和周边电路125等的周围形成有框状的密封件18，在由该密封件18包围的区域以覆盖气体阻挡层36的方式形成粘接层38之后，将对置基板11以该对置基板的第一面15与该粘接层面接触的方式粘贴，由此形成有机EL面板12。
将该一对基板的端面和密封件18的外周部即不与有机EL元件20等相对且也不与上述一对基板接触的部分合并的部分，是有机EL面板12的侧端部19。本实施方式的有机EL装置1，在表面的大致整个区域即构成有机EL面板的一对基板的双方的第二面16、和上述侧端部19形成有硬膜层9(参照图3)。
图3是本实施方式涉及的在表面的大致整个区域形成有硬膜层9的有机EL装置1的示意剖视图。图3是与上述图2同一方向的剖视图。在本图和后述的各图中，将在元件基板10和对置基板11之间形成的有机EL元件20等设为作为电光学物质的有机EL元件层7，省略详细的图示。如图所示，硬膜层9形成在包含侧端部19的有机EL面板12的表面整个区域。
硬膜层9是可视光的透射率为至少85、优选为大致98％以上的由透明材料构成的层。此外，优选折射率为大致1.7。硬膜层9的形成目的是为了提高有机EL元件12的强度，因此优选为在用JIS-K5400表示的铅笔硬度试验中表示“H”以上的硬度的层。
硬膜层9的层厚优选为10μm～50μm。由于在后述的有机EL面板12的分割工序等中在基板(元件基板10和对置基板11)上产生的裂纹最大为10μm左右，所以为了掩埋这样的裂纹，需要上述的层厚。另一方面，在本实施方式中形成硬膜层的目的是几乎不增加有机EL装置整体的厚度而使强度提高，因此不优选超过50μm。
硬膜层9的形成优选采用将树脂等的形成材料溶解于溶剂而得到的液体材料涂敷在基板的第二面16上而发挥效果的方法。涂敷方法在形成于第二面16上的情况下优选旋涂法。由于在侧端部19无法适用旋涂法，所以优选如第五方式所示那样并用浸渍法而形成。
作为成为硬膜层9的构成材料的树脂，优选热固化型或紫外线固化型的树脂。具体而言，列举聚酯、聚醚、丙烯类树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸乙酯等。进而，在将上述树脂作为紫外线固化型树脂使用时，优选混合使用光致聚合引发剂和光敏化剂。此外，作为溶剂，优选MEK(甲基-乙基甲酮)、MIBK(甲基异丁基酮)等。
(本实施方式的效果)
本实施方式涉及的有机EL装置1，并不是粘贴片状的保护膜，而是在基板表面形成通过固化液体材料而得到的硬膜层9，因此能够掩埋裂纹。因而，在施加弯曲有机EL装置那样的力的状态下进行使用时，也能够充分提高强度。此外，通过将硬膜层9的层厚作成50μm以下，能够抑制有机EL装置整体厚度的增加，且不会阻碍向电子设备的组装。此外，由于以包围有机EL面板12整体的方式形成硬膜层9，所以也能够得到提高侧端部19的强度的效果。因而，本实施方式涉及的有机EL装置1能够在抑制厚度增加的同时提高强度，在装入电子设备等的情况下也能够提高对应性。
(第二实施方式)
接着，对第二实施方式进行说明。作为本实施方式涉及的电光学装置的有机EL装置2，除了有机EL面板12(参照图2)的厚度以外，与第一实施方式的有机EL装置1大致相同。因此，对与有机EL装置1的构成要素共通的构成要素标注相同的符号，并省略说明的记载。
图4是本实施方式涉及的有机EL装置2的示意剖视图。图4是与上述图3相同方向的剖视图。有机EL装置2的特征是减少上述一对基板的厚度。上述一对基板，特别是元件基板10由于要经过在第一面15上形成有机EL元件20等的工序，因此为了保持强度而需要规定的厚度(大致0.5mm)。但是，作为完成后的有机EL装置，并不是一定需要这样的厚度。特别是在以向弯曲方向施加力的方式进行使用的过程中，为了确保柔软性，优选基板的厚度薄。因此，本实施方式的有机EL装置2，对形成硬膜层9之前的阶段的有机EL面板的第二面16实施蚀刻等处理，减少有机EL装置整体的厚度。
有机EL面板12的厚度优选减少至50μm。如果为这样的厚度，则能够提高柔软性，并能够经得起严格条件下的使用。此外，硬膜层9的厚度优选大致5μm。如果为这样的厚度，则能够将有机EL装置2的整体的厚度控制在60μm以内，非常有利于向电子设备组装。另外，硬膜层9的形成材料与上述有机EL装置1同样。
(第三实施方式)
接着，对第三实施方式进行说明。作为本实施方式涉及的电光学装置的有机EL装置3，除了在硬膜层中掺杂有透明树脂粒子8之外，与第二实施方式的有机EL装置2大致相同。因此，对与有机EL装置1和有机EL装置2的构成要素共通的构成要素标注相同的符号，并省略说明的记载。
图5是本实施方式涉及的有机EL装置3的示意剖视图。图5是与上述图3相同方向的剖视图。有机EL装置3的特征是在硬膜层9中掺杂有透明树脂粒子8。另外，透明树脂粒子8配置在上述一对基板的第二面16上的硬膜层9中，不配置在侧端部19中。
透明树脂粒子8以与硬膜层9的形成材料不同的材料形成，折射率为1.4至1.5。透明树脂粒子8的大小(直径)图示为与硬膜层9的层厚大致一致，但并不限定于这种大小，也可以比硬膜层9的层厚小。此外，透明树脂粒子8也可以比硬膜层9的层厚稍微大，从而从硬膜层9露出一部分。
这种透明树脂粒子8起到抑制有机EL装置3的外光(从外部照射到有机EL装置的光)的反射的功能。即，混入了透明树脂粒子8的硬膜层9，也起到作为外光反射防止层的效果。即，透明树脂粒子8，在被折射率(与该透明树脂粒子的折射率相比)高的硬膜层9包围周围的状态下，位于第二面16。入射到透明树脂粒子8的光大多在该透明树脂粒子内漫反射之后，射出到较广的范围。因而，减少向特定方向反射的比率，降低对观察者的外光反射。
(第四实施方式)
接着，对第四实施方式进行说明。作为本实施方式涉及的电光学装置的有机EL装置4，除了形成有硬膜层的区域以外，与第二实施方式的有机EL装置2大致相同。因此，对与有机EL装置1和有机EL装置2的构成要素共通的构成要素标注相同的符号，并省略说明的记载。
图6是本实施方式涉及的有机EL装置4的示意剖视图。图6是与上述图3相同方向的剖视图。有机EL装置4的特征是在侧端部19不形成硬膜层9。如果减少构成有机EL装置的一对基板的厚度则有机EL装置的强度降低，但对于侧端部19的构造而言并没有特别的变化。因而，即使仅在除去侧端部19的区域形成硬膜层，也能够在一定程度上增补上述强度的降低。
另一方面，通过限定硬膜层9的形成区域，有机EL装置4与上述其它实施方式的有机EL装置相比降低制造成本。即，有机EL装置4在降低厚度的基础上，还抑制了制造成本的增加并提高了强度。
(第五实施方式)
接着，参照图7和图8所示的工序剖视图对作为第五实施方式的有机EL装置的制造方法进行说明。另外，用第五实施方式涉及的制造方法得到的作为电光学装置的有机EL装置5是与有机EL装置3同样结构的有机EL装置。
首先，如图7(a)所示，通过公知的方法，形成有机EL面板的集合体(以下称为“面板集合体”)13。面板集合体13由一对大型的基板(元件基板10和对置基板11)、该一对基板所夹持的多个有机EL元件层7和以划分该有机EL元件层的方式形成的密封件18构成。
接着，如图7(b)所示，对上述一对基板的第二面16实施蚀刻等处理而降低双方基板的厚度。另外，如果能得到规定厚度的有机EL装置，则也可以仅对上述一对基板之中的任一个基板进行蚀刻。
接着，如图7(c)所示，在上述一对基板的双方的第二面16上粘贴保护带46。保护带46粘贴在包括将来对面板集合体13进行分割的线在内的规定宽度的区域。如上上述，有机EL装置的侧端部19(参照图2)由一对基板的端面和密封件18构成。因而，上述的“对面板集合体13进行分割的线”在相邻的密封件18之间。
接着，如图7(d)所示，使用涂敷装置44在面板集合体13的第二面16上涂敷液体材料42。液体材料42是在由硬膜层9(参照图3)的构成材料构成的树脂中掺杂透明树脂粒子8的液体材料。通过紫外线照射使涂敷后的液体材料42固化而成为硬膜层9。对面板集合体13的双方的面实施这种工序(涂敷和固化)。
接着，如图8(a)所示，除去保护带46。成为除了对上述面板集合体13进行分割的线和面板集合体13的两端之外形成有硬膜层9的状态。
接着，如图8(b)所示，利用未图示的切割装置将面板集合体13分割成各个有机EL面板12。在该工序中，在侧端部19的附近产生裂纹。
接着，如图8(c)所示，利用浸渍法对侧端部19涂敷液体材料42。然后，利用紫外线等使涂敷后的液体材料42固化。对有机EL面板12的4边全部进行该工序，由此如图8(d)所示，能够得到与第三实施方式涉及的有机EL装置3同样的、具备掺杂有透明树脂粒子8的硬膜层9的有机EL装置5。
根据这种制造方法，能够得到如下的有机EL装置，该有机EL装置在减少了夹持有机EL元件层7的一对基板的厚度的基础上，利用硬膜层9抑制强度的降低。进而，通过用硬膜层9掩埋裂纹能够抑制因分割时产生的裂纹等引起的强度的降低。因而，根据这种制造方法，能够得到使装置整体的厚度的降低和强度的提高并存的有机EL装置。
(电子设备)
接着，对将上述第一～第四实施方式涉及的有机EL装置的任一个应用在电子设备中的例子进行说明。图9是作为电子设备的便携式电话机80的立体图。便携式电话机80具有显示部81和操作按钮82。显示部81通过装入内部的有机EL装置1(或有机EL装置2～4)，能够对以用操作按钮82输入的内容和接收信息为首的各种信息进行显示。
便携式电话机80，由于具备上述各实施方式涉及的薄型即抑制整体厚度的增加的有机EL装置，所以变得小型化且轻量化。此外，上述有机EL装置通过硬膜层9增强了面板强度，因此便携式电话机80的强度也被增强。
(变形例)
上述各实施方式作为电光学装置以有机EL装置为例进行说明。但是，本发明的实施方式并不限定于有机EL装置，也可以适用于其它电光学装置，例如液晶装置。液晶装置一般也采用如下的方法，即、使用大型基板在同时形成多个液晶面板之后进行分割的方法。在这种情况下，通过用硬膜层掩埋分割时产生的裂纹，能够提高面板强度。

Claims (14)

1.一种电光学装置，其特征在于，其具备以隔开规定的间隔对置的方式被保持的一对基板、和配置在该一对基板间的电光学物质，
在上述一对基板各自的与上述电光学物质相反一侧的面上形成有硬膜层。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
还具有密封件，该密封件配置在上述一对基板间，且对上述一对基板进行保持，
在上述一对基板各自端面和上述密封件的与上述电光学物质相反一侧的面上形成有上述硬膜层。
3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，
上述硬膜层的层厚为5μm以上且50μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电光学装置，其特征在于，
上述硬膜层的透射率为85％以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电光学装置，其特征在于，
在上述硬膜层内混入有粒子，该粒子由具有比该硬膜层的形成材料的折射率低的折射率的透明树脂构成。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电光学装置，其特征在于，
除去上述硬膜层的上述电光学装置的厚度为50μm至1000μm。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的电光学装置，其特征在于，
上述电光学物质是有机电致发光材料。
8.一种电子设备，其特征在于，
其在显示部中具备权利要求1至权利要求7中任一项所述的电光学装置。
9.一种电光学装置的制造方法，其特征在于，其是电光学装置的制造方法，该电光学装置具备以隔开规定的间隔对置的方式被贴合的一对基板、和配置在该一对基板间的电光学物质，
按照记载的顺序实施以下工序，
第一工序，以使上述一对基板的相互对置的第一面来夹持上述电光学物质的方式使该一对基板贴合，从而形成电光学面板；
第二工序，对上述一对基板的至少一个基板的上述第一面的相反一侧的面即第二面进行研磨，从而减少上述电光学面板的厚度；和
第三工序，在上述一对基板的至少一个基板的上述第二面上形成硬膜层。
10.根据权利要求9所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，
上述第二工序是对上述一对基板的双方上述第二面进行研磨的工序，
上述第三工序是在上述一对基板的双方上述第二面上形成上述硬膜层的工序。
11.根据权利要求9或10所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，
上述第二工序是对上述第二面进行研磨直至上述电光学面板的厚度变为50μm的工序。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，
上述第三工序是以上述硬膜层的厚度为5μm以上且50μm以下的方式形成该硬膜层的工序。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，
还实施第四工序，该第四工序是在上述电光学面板的端面形成上述硬膜层。
14.根据权利要求9～13中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，
上述第三工序是形成混入有粒子的硬膜层的工序，该粒子由具有比上述硬膜层的形成材料的折射率低的折射率的透明树脂构成。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102770801A (zh) * 2010-02-02 2012-11-07 贝尼科公司 强化结构模件和制造方法
CN105144841A (zh) * 2013-04-15 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 发光装置
TWI686970B (zh) * 2017-12-20 2020-03-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光顯示裝置及其製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101459130B1 (ko) * 2011-12-30 2014-11-10 제일모직주식회사 플라스틱 글레이징 및 그 제조방법
DE102012220586A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Element zur Stabilisierung eines optoelektronischen Bauelements, Verfahren zur Herstellung eines Elements und optoelektronisches Bauelement
WO2014175198A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI562428B (en) * 2013-09-30 2016-12-11 Lg Display Co Ltd Organic light emitting device and method for preparing the same
CN110176482B (zh) 2014-07-25 2023-08-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
WO2016059514A1 (en) 2014-10-17 2016-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP2016085457A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
CN106783914B (zh) * 2016-11-28 2019-08-13 武汉华星光电技术有限公司 双面oled显示器及其封装方法
KR20200046221A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100672855B1 (ko) * 1998-07-20 2007-01-22 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 광방출 디바이스용 기판, 기판을 포함하는 폴리-led, 및 광방출 디바이스용 적층 제조 방법
US6559915B1 (en) * 1999-07-19 2003-05-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical films having matt property, films having a high transmittance, polarizing plates and liquid crystal display devices
JP3560532B2 (ja) * 2000-05-02 2004-09-02 株式会社巴川製紙所 ディスプレイ用帯電防止フィルム
GB2395358B (en) * 2002-09-17 2006-08-02 Dainippon Printing Co Ltd Method of manufacturing a light emitting display panel and a light emitting display panel
JP2004226880A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Sharp Corp 表示パネルおよびその製造方法
KR100641793B1 (ko) * 2002-12-26 2006-11-02 샤프 가부시키가이샤 표시패널 및 그 제조방법
JP2004294601A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Nitto Denko Corp 反射防止フィルム、光学素子および画像表示装置
US7423373B2 (en) * 2004-03-26 2008-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2006032088A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置
US20070200147A1 (en) * 2004-08-04 2007-08-30 Fujifilm Corporation Method For Manufacturing An Optical Film, Apparatus For Manufacturing The Same Optical Film, Polarizing Plate And Image Display Device
KR100700000B1 (ko) * 2004-10-19 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 표시장치와 그 제조방법
WO2007142142A1 (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 光学積層体、偏光板、及び、画像表示装置
JP2008058489A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法並びに電子機器
JP2008165205A (ja) * 2006-12-05 2008-07-17 Fujifilm Corp 光学フィルム、反射防止フィルム、それを用いた偏光板およびディスプレイ装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102770801A (zh) * 2010-02-02 2012-11-07 贝尼科公司 强化结构模件和制造方法
CN102770801B (zh) * 2010-02-02 2015-11-25 贝尼科公司 强化结构模件和制造方法
CN105144841A (zh) * 2013-04-15 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 发光装置
US9406898B2 (en) 2013-04-15 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising a substrate with a bent end portion
US9848070B2 (en) 2013-04-15 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having bent end portions
US10924595B2 (en) 2013-04-15 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a bent substrate
US11095763B2 (en) 2013-04-15 2021-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having multiple curved regions
US11723253B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device including flexible printed circuit
TWI686970B (zh) * 2017-12-20 2020-03-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光顯示裝置及其製造方法
US10930882B2 (en) 2017-12-20 2021-02-23 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device having a seal pattern corresponding to a concave part

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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