JP2006032088A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006032088A JP2006032088A JP2004208445A JP2004208445A JP2006032088A JP 2006032088 A JP2006032088 A JP 2006032088A JP 2004208445 A JP2004208445 A JP 2004208445A JP 2004208445 A JP2004208445 A JP 2004208445A JP 2006032088 A JP2006032088 A JP 2006032088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- organic
- substrate
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 127
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 20
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 17
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016276 Bi2O3—SiO2—B2O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 1,4-bis[(e)-2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1C QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical class C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- GPKJTRJOBQGKQK-UHFFFAOYSA-N quinacrine Chemical class C1=C(OC)C=C2C(NC(C)CCCN(CC)CC)=C(C=CC(Cl)=C3)C3=NC2=C1 GPKJTRJOBQGKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】
機械的強度が高く、製品寿命が長く、且つ生産性の良好な有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】
本発明に係る有機ＥＬ素子１００は、素子基板１１０と、素子基板１１０上に設けられた発光有機層１３０と、発光有機層１３０を覆うように設けられ、発光有機層１３０側の面に物理的加工により発光有機層１３０を収容する凹部が形成された封止基板１５０と、を有し、発光有機層１３０は、素子基板１１０と封止基板１５０とにより封止されており、封止基板１５０は、物理的加工された凹部表面を被覆する被覆層１６０を有する。
【選択図】図１
機械的強度が高く、製品寿命が長く、且つ生産性の良好な有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】
本発明に係る有機ＥＬ素子１００は、素子基板１１０と、素子基板１１０上に設けられた発光有機層１３０と、発光有機層１３０を覆うように設けられ、発光有機層１３０側の面に物理的加工により発光有機層１３０を収容する凹部が形成された封止基板１５０と、を有し、発光有機層１３０は、素子基板１１０と封止基板１５０とにより封止されており、封止基板１５０は、物理的加工された凹部表面を被覆する被覆層１６０を有する。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置に関するものである。
近年、情報処理機器の多様化に伴って、従来から一般に使用されている陰極線管（ＣＲＴ）よりも消費電力が少なく、薄型化が可能である平面素子に対する需要が高まってきている。そのような平面素子として、例えば、液晶素子やエレクトロルミネッセンス素子（以下、「ＥＬ素子」と略すことがある。）等を挙げることができる。それらのうち、ＥＬ素子は、全固体型、高速応答性、自発光性という特徴を有し、液晶素子のように視野角が限定されず、また、バックライトを必要とせず、さらに、より薄型化することができるため、特に研究開発が盛んに行われている。
しかしながら、ＥＬ素子は水分や酸素による影響を受けやすく、ＥＬ素子内に水分や酸素が浸入すると表示品質が著しく低下するという問題がある。
そこで、ＥＬ素子の耐久性を向上させる技術として、発光有機層を収納するための凹部（以下、「発光有機層収納部」と略すことがある。）が形成された封止基板と、素子基板と、により、水分や酸素に対して不安定な発光有機層を気密封止することにより、高い耐久性を得る加工技術が提唱されている（例えば、特許文献１等）。
図２は、そのような加工技術を施した有機ＥＬ素子２００の概略断面図である。
この有機ＥＬ素子２００は、素子基板２１０と、素子基板２１０上に設けられた第１電極２２０と、第１電極２２０の上に設けられた発光有機層２３０と、発光有機層の上に設けられた第２電極２４０と、素子基板２１０上に発光有機層２３０を囲うように設けられた封止基板２５０と、を有する。また、素子基板２１０と封止基板２５０との間に形成された空間には窒素等の不活性ガスが充填されている。
有機ＥＬ素子２００では、発光有機層２３０は素子基板２１０と封止基板２５０とによって封止されており、その中に不活性ガスが充填されている。従って、この有機ＥＬ素子２００では、水分や酸素による影響を受けやすい発光有機層２３０を効果的に水分や酸素から遮断することができる。よって、耐久性の良好な有機ＥＬ素子２００を実現することができる。
特開２００１−３５６５９号公報
特開２００３−２６２８５３号公報
封止基板２５０に発光有機層２３０を収納するための凹部は、一般的にサンドブラスト法等の物理的加工によって形成される（例えば、特許文献２）。
しかしながら、サンドブラスト法等の物理的加工により封止基板２５０に有機層収納部を形成した場合、研磨切削行程において封止基板２５０に微小なマイクロクラックが生じる。
封止基板２５０にマイクロクラックが発生した場合、封止基板２５０の強度、さらには有機ＥＬ素子２００の強度が低下し、所望の機械的耐久性が得られないという問題がある。また、マイクロクラックが生じた部分から水分や酸素が有機ＥＬ素子２００内に進入することにより内部の発光有機層２３０が劣化し、製品寿命が短くなるという問題がある。
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、機械的強度が高く、製品寿命が長い有機ＥＬ素子を提供することにある。
本発明に係る有機ＥＬ素子は、素子基板と、該素子基板上に設けられた発光有機層と、該発光有機層を覆うように設けられ、該発光有機層側の面に物理的加工により該発光有機層を収容する凹部が形成された封止基板と、を有し、
上記発光有機層は、上記素子基板と上記封止基板とにより封止されており、
上記封止基板は、上記物理的加工された凹部表面を被覆する被覆層を有するものである。
上記発光有機層は、上記素子基板と上記封止基板とにより封止されており、
上記封止基板は、上記物理的加工された凹部表面を被覆する被覆層を有するものである。
本発明に係る有機ＥＬ素子では、封止基板は、サンドブラスト法等の物理的加工により形成された凹部表面を被覆する被覆層を有する。そのため、物理的加工により封止基板の凹部表面に生じたマイクロクラックが被覆層により埋められている。従って、封止基板は、酸素や水分等の透過率が低く、且つ高い機械的強度を有する。よって、本発明に係る有機ＥＬ素子では、素子内に酸素や水分等が進入することによる発光有機層の劣化を効果的に抑制することができる。よって、本発明に係る有機ＥＬ素子は、高い機械的強度を有し、長い製品寿命を有する。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層は、その融点が上記封止基板の融点よりも低いものであることが好ましい。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層は、その融点が上記封止基板の歪点よりも低いものであっても構わない。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層は、樹脂材料により形成されているものであっても構わない。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層は光吸収材料を含有し、
上記発光有機層からの光を上記素子基板側から出射させるボトムエミッション方式であるものであっても構わない。
上記発光有機層からの光を上記素子基板側から出射させるボトムエミッション方式であるものであっても構わない。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層は、その光吸収率が１０％以上であっても構わない。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層は、上記発光有機層からの光を上記素子基板側に反射する光反射面を有しており、
上記発光有機層からの光を上記素子基板側から出射させるボトムエミッション方式であるものであっても構わない。
上記発光有機層からの光を上記素子基板側から出射させるボトムエミッション方式であるものであっても構わない。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層は、上記発光有機層からの光を上記素子基板側に散乱反射する光散乱反射面を有するものであっても構わない。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層は、上記発光有機層からの光を拡散透過する光拡散透過層により構成されており、
上記発光有機層からの光を上記第２電極側から出射させるトップエミッション方式であるものであっても構わない。
上記発光有機層からの光を上記第２電極側から出射させるトップエミッション方式であるものであっても構わない。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層の光透過率が５０％以上であり、
上記発光有機層からの光を上記第２電極側から出射させるトップエミッション方式であるものであっても構わない。
上記発光有機層からの光を上記第２電極側から出射させるトップエミッション方式であるものであっても構わない。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記被覆層は、金属を含有するものであっても構わない。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記発光有機層と上記封止基板との間に空間が形成されており、その空間に不活性ガスが充填されているものであっても構わない。
本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、素子基板と、該素子基板上に設けられた発光有機層と、該発光有機層を覆うように設けられ、該発光有機層側の面に物理的加工により該発光有機層を収容する凹部が形成された封止基板と、を有し、
上記発光有機層は、上記素子基板と上記封止基板とにより封止されており、
上記封止基板は、上記物理的加工された凹部表面を被覆する被覆層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたものである。
上記発光有機層は、上記素子基板と上記封止基板とにより封止されており、
上記封止基板は、上記物理的加工された凹部表面を被覆する被覆層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたものである。
本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、本発明に係る有機ＥＬ素子を備えたものである。また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、上述の通り、高い機械的強度を有し、長い製品寿命を有するものである。従って、本発明に係る有機ＥＬ表示装置もまた、高い機械的強度を有し、長い製品寿命を有する。
本発明によれば、封止基板の凹部に発生したマイクロクラックを被覆層により埋めることができるので、高い機械的強度、長い製品寿命を実現することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明に係る有機ＥＬ素子１００の概略断面図である。
この有機ＥＬ素子１００は、素子基板１１０と、素子基板１１０上に設けられた第１電極１２０と、第１電極１２０の上に設けられ、ホール輸送層１３１及び発光層１３２を備えた発光有機層１３０と、発光有機層１３０の上に設けられた第２電極１４０と、封止用樹脂１７０により素子基板１１０に接着された封止基板１５０と、封止基板１５０の凹部表面に設けられた被覆層１６０と、を有する。
素子基板１１０は、有機ＥＬ素子１００の機械的強度を担保できるものであれば何ら限定されるものではない。素子基板１１０は、例えば、ガラス、石英等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート等のプラスティック、繊維強化プラスティック（ＦＲＰ）又は、アルミナ等のセラミックス等の絶縁性材料からなる基板、若しくは、アルミニウム、鉄等の金属基板にＳｉＯ2や有機絶縁性材料等の絶縁材料をコートした基板、若しくは、アルミニウム、鉄等の金属基板の表面を陽極酸化法等により絶縁化処理を施した基板等により構成することができる。
尚、有機ＥＬ素子１００が発光層１３２からの光を素子基板１１０側から出射させるボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子である場合は、素子基板１１０は、例えば、ガラスやプラスティック材料等の光透過性材料により形成することがより好ましい。
第１電極１２０は、何ら限定されるものではなく、公知の電極材料により形成することができるが、発光有機層１３０への高いホール注入効率を実現する観点から、第１電極１２０は、仕事関数が大きい材料により形成することが好ましい。この構成によれば、高い発光効率を有する発光層１３２を実現することができ、より高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。仕事関数が大きい材料としては、例えば、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。
また、有機ＥＬ素子１００が、発光層１３２からの光を素子基板１１０側から取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子である場合には、第１電極１２０は、光透過率の高い材料により形成することが好ましい。この構成によれば、発光層１３２からの光の取り出し効率が高い有機ＥＬ素子１００を実現することができるからである。このような材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等が挙げられる。
一方、有機ＥＬ素子１００が発光層１３２からの光を第２電極１４０側から取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ素子である場合には、第１電極１２０は、光反射性の材料により形成することが好ましい。この構成によれば、発光層１３２から素子基板１１０側に出射された光は、光反射性に構成された第１電極１２０により第２電極１４０側に反射されるため、発光層１３２からの光の取り出し効率が高い有機ＥＬ素子１００を実現することができる。光反射性の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やプラチナ（Ｐｔ）等が挙げられる。また、有機ＥＬ素子１００がトップエミッション方式である場合は、第１電極１２０は、仕事関数が大きい材料からなる層と光反射率が高い材料からなる層との複層構造としても勿論構わない。この構成によれば、発光有機層１３０への高いホール注入効率と、発光層１３２からの光の高い取り出し効率との双方を有する有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
第２電極１４０は、何ら限定されるものではなく、公知の電極材料により形成することができるが、発光有機層１３０への高い電子注入効率を実現する観点から、第２電極１４０は、仕事関数の小さい材料により形成することが好ましい。この構成によれば、第２電極１４０は発光層１３２への高い電子注入効率を有し、発光層１３２は高い発光効率を有するため、より高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。尚、仕事関数の小さい材料としては、例えば、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）等が挙げられる。
また、有機ＥＬ素子１００が、第２電極１４０側から発光層１３２からの光を取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ素子である場合には、第２電極１４０は、光透過率の高い材料により形成することが好ましい。この構成によれば、発光層１３２からの光の取り出し効率が高い有機ＥＬ素子１００を実現することができるからである。このような材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等が挙げられる。
一方、有機ＥＬ素子１００が発光層１３２からの光を素子基板１１０側から取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子である場合には、第２電極１４０は、光反射性の材料により形成することが好ましい。この構成によれば、発光層１３２から第２電極１４０側へ出射された光は、光反射性に構成された第２電極１４０により素子基板１１０側に反射されるため、発光層１３２からの光の取り出し効率が高い有機ＥＬ素子１００を実現することができるからである。尚、光反射性を有する第２電極１４０の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やプラチナ（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等が挙げられる。
また、第２電極１４０は、例えばカルシウム（Ｃａ）等の仕事関数の小さな材料からなる層と、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の酸素に対して安定であり導電率の高い層との積層構造（Ｃａ層／Ａｌ層、Ｃｅ層／Ａｌ層、Ｃｓ層／Ａｌ層、Ｂａ層／Ａｌ層等）、若しくは、仕事関数の小さな材料と酸素に対して安定であり導電率の高い材料との合金からなる層（Ｃａ：Ａｌ合金、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等）としても構わない。この構成によれば、例えばカルシウム（Ｃａ）等の比較的酸化されやすい仕事関数の小さい材料を酸素に対して安定な材料により覆っているため、仕事関数の小さい材料の酸化を効果的に抑制することができる。よって、長い寿命を有する有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
また、第２電極１４０を、薄膜化した低い導電率を有する材料からなる層と低い仕事関数を有する層との積層構造（ＬｉＦ層／Ａｌ層、ＬｉＦ層／Ｃａ層／Ａｌ層、ＢａＦ2層／Ｂａ層／Ａｌ層等）、若しくは、透明導電性材料に仕事関数の低い材料をドープした層（ＩＴＯ：Ｃｓ層、ＩＤＩＸＯ：Ｃｓ層、ＳｎＯ2：Ｃｓ層等）、若しくは、透明導電性材料からなる層と、仕事関数の低い材料からなる層との積層構造（Ｂａ層／ＩＴＯ層、Ｃａ層／ＩＤＩＸＯ層、Ｂａ層／ＳｎＯ2層等）に構成しても勿論構わない。
発光有機層１３０は、ホール輸送層１３１と発光層１３２とからなる。しかし、本発明は、何らこれに限定されず、発光有機層１３０を、発光層１３２のみにより構成しても構わない。また、発光有機層１３０を、発光層１３２と、ホール注入層、ホール輸送層１３１、電子輸送層、及び、電子注入層のうち１層以上と、からなる積層構造に構成しても勿論構わない。
ホール輸送層１３１は、第１電極１２０から注入されるホールの発光層１３２へのホール輸送効率を向上する機能を有する。従って、ホール輸送層１３１を設けることにより高い発光効率及び発光輝度を有する有機ＥＬ素子１００を実現することができる。ホール輸送層１３１は、何ら限定されるものではなく、公知のホール輸送材料により構成することができる。ホール輸送材料としては、例えば、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第３級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクドリン化合物、スチルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネート（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、トリフェニルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料等が挙げられる。
また、ホール輸送層１３１は、上記のホール輸送材料のうち１種のホール輸送材料により形成するものであっても、上記のホール輸送材料のうち複数のホール輸送材料を複合して形成するものであっても構わない。また、ホール輸送層１３１は、上記のホール輸送材料の他に、例えば、ドナーやアクセプター等の添加剤、レベリング剤、結着用の樹脂等を含有するものであっても構わない。結着用の樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル等が挙げられるが、何らこれに限定されるものではない。
発光層１３２は、何ら限定されるものではなく、公知の発光材料により形成することができる。発光材料としては、例えば、４，４’‐ビス（２，２’‐ジフェニルビニル）‐ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族化合物、オキサジアゾール化合物、３‐（４‐ビフェニルイル）‐４‐フェニル‐５‐ｔ‐ブチルフェニル‐１，２，４‐トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾ‐ル誘導体、１，４‐ビス（２‐メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８‐ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ3）等の蛍光性有機金属化合物等の低分子発光材料、若しくは、例えば、ポリ［２，５‐ビス‐［２‐（Ｎ，Ｎ，Ｎ‐トリエチルアンモニウム）エトキシ］‐１，４‐フェニル‐アルト‐１，４‐フェニレン］ジブロマイド（ＰＰＰ‐ＮＥｔ3+）、ポリ［２‐（２’‐エチルヘキシルオキシ）‐５‐メトキシ‐１，４‐フェニレンビニレン］（ＭＥＨ‐ＰＰＶ）、ポリ［５‐メトキシ‐（２‐プロパノキシサルフォニド）‐１，４‐フェニレンビニレン］（ＭＰＳ‐ＰＰＶ）、ポリ［２，５‐ビス‐（ヘキシルオキシ）‐１，４‐フェニレン‐（１‐シアノビニレン）］（ＣＮ‐ＰＰＶ）、ポリ（９，９‐ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等の高分子発光材料等が挙げられる。
また、発光層１３２は、上記の発光材料のうち１種の発光材料により形成するものであっても、上記の発光材料のうち複数の発光材料を複合して形成するものであっても構わない。また、発光層１３２は、上記の発光材料の他に、例えば、発光アシスト剤、電荷輸送材料、ドナーやアクセプター等の添加剤、発光性のドーパント、レベリング剤、電荷注入材料、結着用の樹脂等を含有するものであっても構わない。結着用の樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル等が挙げられるが、何らこれに限定されるものではない。
封止基板１５０は、素子基板１１０に封止用樹脂１７０により接着されており、発光有機層１３０は、封止基板１５０と、素子基板１１０とにより封止されている。従って、水分や酸素による影響を受けやすい発光有機層１３０を外気から効果的に遮断することができる。よって、発光有機層１３０の劣化を効果的に抑制することができ、製品寿命の長い有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
封止基板１５０は、水分や酸素の透過率が低いものであれば何ら限定されるものではなく、例えば、ソーダライムガラス等のガラス基板、石英基板、プラスティック基板等により構成することができる。
封止用樹脂１７０は、封止基板１５０を素子基板１１０に確実に固定することができ、水分及び酸素の透過率が低いものであれば何ら限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂等を用いることができる。また、封止用樹脂１７０は紫外線硬化樹脂であっても構わない。この構成によれば、封止用樹脂１７０を加熱することなく、紫外線の照射のみによって硬化させることができるため、容易に封止基板１５０を素子基板１１０に接着することができる。
被覆層１６０は、物理的加工による凹部形成の際に、封止基板１５０の凹部表面に生じたマイクロクラックを埋め、発光有機層１３０への水分や酸素の浸入を効果的に抑制する機能を有する。従って、被覆層１６０を設けることにより、発光有機層１３０の劣化を効果的に抑制することができ、製品寿命の長い有機ＥＬ素子１００を実現することができる。また、被覆層１６０により物理的加工による凹部形成の際に、封止基板１５０の凹部表面に生じたマイクロクラックを埋めることにより、封止基板１５０の機械的強度を向上することができる。よって、被覆層１６０を設けることにより、機械的強度の高い有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
また、封止基板１５０の凹部に被覆層を設け、被覆層上に必要に応じて乾燥剤（水分吸着剤）を設けることでき、発光有機層に侵入する微小な水分を捕捉する構成とすることも可能である。
被覆層１６０は、何ら限定されるものではないが、その融点が封止基板１５０の融点よりも低いものであることが好ましい。そのような低融点材料としては、例えば、低融点ガラスや樹脂材料等が挙げられる。具体的には、例えば、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス等の低融点ガラス、アクリル樹脂、ニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料等が挙げられる。
尚、被覆層１６０の融点は、低いほど好ましく、封止基板１５０の歪点よりも低いことがより好ましい。被覆層１６０の融点を低くすることによって、被覆層１６０を封止基板１５０に形成する際に、封止基板１５０に歪み等が発生することを抑制することができる。
尚、被覆層１６０は、その熱膨張係数が封止基板１５０の熱膨張係数と近似することがより好ましい。この構成によれば、有機ＥＬ素子１００が加熱された場合においても、被覆層１６０にクラック等が発生することがなく、より製品寿命の長い有機ＥＬ素子１００を実現することができる。尚、被覆層１６０の熱膨張係数や融点等の物性は、例えば、被覆層に混ぜる金属フィラー等の量を変化させることにより調整することができる。
また、被覆層１６０の層厚は、１〜２００μｍであることが好ましい。より好ましい被覆層の層厚は、１０〜２０μｍである。
有機ＥＬ素子１００が、発光層１３２からの光を素子基板１１０側から出射するボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子である場合は、被覆層１６０は、例えば、カーボンブラック、酸化鉄等の金属微粒子、セラミックス微粒子等の可視光域の光を吸収する光吸収材料を含有するものであっても構わない。被覆層１６０に光吸収材料を含有させることにより、被覆層１６０を光吸収性にすることができ、例えば、有機ＥＬ素子１００を用いた有機ＥＬ表示装置によりＲＧＢのフルカラー表示をする際には、ＲＧＢ各色間の混色現象を効果的に軽減することができ、高いコントラスト比を有する有機ＥＬ表示装置を実現することができる。尚、光吸収材料は、その含有率が５％以上であることが好ましい。また、被覆層１６０の吸収率は、１０％以上であることがより好ましい。
また、有機ＥＬ素子１００がボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子である場合は、被覆層１６０は、発光層１３２からの光を素子基板１１０側に反射する光反射面を有するものであっても構わない。この構成によれば、発光層１３２の第２電極１４０側への発光は被覆層１６０に形成された光反射面によって素子基板１１０方向に反射され、観察者側に出射される。よって、この構成によれば発光層１３２からの光の取り出し効率が高く、高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
尚、被覆層１６０に光反射面を形成する方法は、何ら限定されるものではないが、例えば、被覆層１６０に例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を含有させる方法、被覆層１６０を低融点金属により構成する方法、被覆層１６０の発光有機層１３０側表面にアルミニウム（Ａｌ）等の金属を例えばスパッタ法等の成膜方法により成膜する方法等が挙げられる。
また、有機ＥＬ素子１００がボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子である場合は、被覆層１６０は、発光層１３２からの光を散乱反射する光散乱反射面を有するものであっても構わない。この構成によれば、発光層１３２から被覆層１６０側へ出射された光は散乱された状態で観察者側に出射されるため、出射光の指向性を低減することができ、視野角が広い有機ＥＬ素子１００を実現することができる。被覆層１６０に光散乱反射面を形成する方法としては、例えば、被覆層１６０にアルミニウム等の金属微粒子を分散させる方法等を挙げることができるが、何らこれに限定されるものではない。
また、有機ＥＬ素子１００が発光層１３２からの光を第２電極１４０側から取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子である場合は、被覆層１６０を光透過性に構成することがより好ましい。この構成によれば、発光層１３２からの光の取り出し効率が高く、高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。尚、この場合、被覆層１６０の光透過率は、５０％以上であることがより好ましく、より好ましくは９０％以上である。
また、有機ＥＬ素子１００がトップエミッション構造の有機ＥＬ素子である場合は、被覆層１６０は、発光層１３２からの光を拡散透過する光拡散透過層により構成されるものであっても構わない。この構成によれば、発光層１３２からの光は、被覆層１６０により拡散された後、観察者側に出射する。従って、観察者側に出射する光の指向性が弱く、視野角の広い有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
尚、被覆層１６０を光拡散透過層に構成する手段としては、例えば、被覆層１６０を発泡性にする方法、被覆層１６０の表面に凹凸形状を形成する方法、金属微粒子やセラミックス微粒子等を分散させる方法等が挙げられるが、何ら何らこれに限定されるものではない。
以下、有機ＥＬ素子１００の製造方法について詳細に説明する。
まず、ガラス等からなる素子基板１１０上に、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の電極材料をスパッタ法等の公知の成膜技術により成膜し、続いてフォトリゾグラフィー技術等の公知のパターニング方法により所望の電極構造にパターニングすることにより第１電極１２０を形成する。
次に、第１電極１２０を形成した素子基板１１０上に、例えば、ポルフィリン化合物等のホール輸送材料等をスピンコート法やインクジェット法等の公知の成膜技術により成膜することによりホール輸送層１３１を形成する。次に、ホール輸送層１３１の上に、例えば、ポリ［２，５‐ビス‐［２‐（Ｎ，Ｎ，Ｎ‐トリエチルアンモニウム）エトキシ］‐１，４‐フェニル‐アルト‐１，４‐フェニレン］ジブロマイド（ＰＰＰ‐ＮＥｔ3+）等の発光材料をスピンコート法やインクジェット法等の公知の成膜技術により成膜することにより発光層１３２を形成することによりホール輸送層１３１と発光層１３２とからなる発光有機層１３０を形成する。
次に、例えば、サンドブラスト法等の公知の物理的加工技術を用いて平坦なガラス基板に発光有機層１３０を収納する発光有機層収納部を形成することにより、封止基板１５０を形成する。次に、加工した封止基板を、例えば低融点ガラス等によりコートすることにより被覆層１６０を形成する。従って、封止基板１５０をサンドブラスト法等により加工する際に、マイクロクラックが発生した場合であっても、低融点ガラス等により形成される被覆層１６０によりそのマイクロクラックが埋められるため、機械的強度が強く、水分や酸素の素子内への進入を効果的に抑制することができる有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
また、このように有機ＥＬ素子１００では、封止基板１５０を加工する際に、マイクロクラックが発生しても十分な機械的強度等を得ることができるため、例えば、＃２２０番（約１１５μｍφ）と比較的粒度の粗いアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の研磨剤を用いて封止基板１５０を加工することができる。従って、封止基板１５０を短時間で加工することができる。よって、有機ＥＬ素子１００は、その生産性が高い。尚、マイクロクラックの発生を低減するためには、＃１５００番（約１７μｍφ）程度の研磨剤を用いてサンドブラスト法によりガラス基板を加工する必要がある。この場合と比較すると、本発明において用いることができる＃２２０番（約１１５μｍφ）と比較的粒度の粗い研磨剤を用いて封止基板１５０を加工する場合は、約２５倍ものスピードで封止基板１５０の加工をすることができる。
尚、サンドブラスト法は、サンドブラスト法による加工が不要である部分にマスキング処理を行った後に行う。具体的には、例えば、感光性のドライフィルムレジストを加熱ラミネートすることによりガラス基板等に貼り付け、フォト法によりマスキング部分だけレジスト膜を残すことによりマスキング処理を行う。
封止基板１５０の上に形成する被覆層１６０は、例えば、低融点ガラスからなるガラスフリットを酢酸ビニルやターピネオール等の沸点の高い溶剤に溶解させペースト状にしたものをスクリーン印刷法、ディスペンサ法、コーター法等の成膜方法により成膜し、８０℃〜２００℃程度の低温で乾燥した後、３００℃〜５００℃程度の温度で焼成処理を行うことにより形成することができる。この場合、焼成温度は、低い方が好ましい。焼成温度が高いと、封止基板１５０に歪が生じ、所望の機械的強度等を得ることができないからである。よって、被覆層１６０の材料は、封止基板より低融点、より好ましくは、封止基板の歪点以下の融点を有する材料であることが好ましい。このような材料としては、例えば、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス等が挙げられる。
また、被覆層１６０は、例えば、熱硬化型、又は紫外線硬化型の樹脂材料により形成しても構わない。この場合は、封止基板１５０に、樹脂材料をスクリーン印刷法、ディスペンサ法、コーター法等の公知の成膜技術により塗布し、その後、加熱又は紫外線を照射することにより被覆層１６０を容易に形成することができる。被覆層１６０を樹脂材料により形成した場合は、低融点ガラスにより形成した場合よりもさらに低い温度で被覆層１６０を形成することができるため、封止基板１６０に歪が生じにくく、また製造も容易である。
次に、上述の方法で被覆層１６０を形成した封止基板１５０を発光有機層１３０を形成した素子基板１１０上に、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂等の封止用樹脂を用いて接着することにより、有機ＥＬ素子１００を製造することができる。
尚、さらに水分及び酸素による発光有機層１３０の劣化を効果的に抑制するために、封止基板１５０を素子基板１１０に接着する工程を、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行い、封止基板１５０と素子基板１１０とにより形成される発光有機層収納部を不活性ガスにより満たすことがより好ましい。
上述したように、本発明に係る有機ＥＬ素子１００は、機械的強度が高く、製品寿命が高く、且つ生産性の高いものである。従って、この有機ＥＬ素子１００を有する有機ＥＬ表示装置もまた、機械的強度が高く、製品寿命が長く、且つ生産性の高いものである。
１００、２００ 有機ＥＬ素子
１１０、２１０ 素子基板
１２０、２２０ 第１電極
１３０、２３０ 発光有機層
１３１ ホール輸送層
１３２ 発光層
１４０、２４０ 第２電極
１５０、２５０ 封止基板
１６０ 被覆層
１７０ 封止用樹脂
１１０、２１０ 素子基板
１２０、２２０ 第１電極
１３０、２３０ 発光有機層
１３１ ホール輸送層
１３２ 発光層
１４０、２４０ 第２電極
１５０、２５０ 封止基板
１６０ 被覆層
１７０ 封止用樹脂
Claims (13)
- 素子基板と、該素子基板上に設けられた発光有機層と、該発光有機層を覆うように設けられ、該発光有機層側の面に物理的加工により該発光有機層を収容する凹部が形成された封止基板と、を有し、
上記発光有機層は、上記素子基板と上記封止基板とにより封止されており、
上記封止基板は、上記物理的加工された凹部表面を被覆する被覆層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層は、その融点が上記封止基板の融点よりも低い有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層は、その融点が上記封止基板の歪点よりも低い有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層は、樹脂材料により形成されている有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層は光吸収材料を含有し、
上記発光有機層からの光を上記素子基板側から出射させるボトムエミッション方式である有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項５に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層は、その光吸収率が１０％以上である有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層は、上記発光有機層からの光を上記素子基板側に反射する光反射面を有しており、
上記発光有機層からの光を上記素子基板側から出射させるボトムエミッション方式である有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項７に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層は、上記発光有機層からの光を上記素子基板側に散乱反射する光散乱反射面を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層は、上記発光有機層からの光を拡散透過する光拡散透過層により構成されており、
上記発光有機層からの光を上記第２電極側から出射させるトップエミッション方式である有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層の光透過率が５０％以上であり、
上記発光有機層からの光を上記第２電極側から出射させるトップエミッション方式である有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記被覆層は、金属を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記発光有機層と上記封止基板との間に空間が形成されており、その空間に不活性ガスが充填されている有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 素子基板と、該素子基板上に設けられた発光有機層と、該発光有機層を覆うように設けられ、該発光有機層側の面に物理的加工により該発光有機層を収容する凹部が形成された封止基板と、を有し、
上記発光有機層は、上記素子基板と上記封止基板とにより封止されており、
上記封止基板は、上記物理的加工された凹部表面を被覆する被覆層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004208445A JP2006032088A (ja) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004208445A JP2006032088A (ja) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006032088A true JP2006032088A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35898190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004208445A Pending JP2006032088A (ja) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006032088A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227574A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、固体撮像素子 |
| JP2007232802A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2007265988A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電子機器 |
| JP2007273894A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、固体撮像素子、及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP2010055918A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2011022379A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ、当該カラーフィルタを備えた有機ｅｌ表示装置およびカラーフィルタの形成方法 |
| JP2012088731A (ja) * | 2011-12-07 | 2012-05-10 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2014013714A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2014013713A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子、面光源、及び照明装置 |
| JP2014013712A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子、面光源、及び照明装置 |
| US8927307B2 (en) | 2006-03-03 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
-
2004
- 2004-07-15 JP JP2004208445A patent/JP2006032088A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7999339B2 (en) | 2006-02-22 | 2011-08-16 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device and solid-state imaging device |
| JP2007227574A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、固体撮像素子 |
| JP2007232802A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2007265988A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電子機器 |
| US8927307B2 (en) | 2006-03-03 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| JP2007273894A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、固体撮像素子、及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP2010055918A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2011022379A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ、当該カラーフィルタを備えた有機ｅｌ表示装置およびカラーフィルタの形成方法 |
| JP2012088731A (ja) * | 2011-12-07 | 2012-05-10 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2014013714A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2014013713A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子、面光源、及び照明装置 |
| JP2014013712A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子、面光源、及び照明装置 |
| US9614174B2 (en) | 2012-07-05 | 2017-04-04 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5930081B2 (ja) | 有機ｌｅｄ素子用の透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法 | |
| US7511422B2 (en) | Organic electroluminescent element with specific structure connecting luminescent regions and organic electroluminescent device including the same | |
| US6891330B2 (en) | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission | |
| US6903505B2 (en) | Light-emitting device with organic electroluminescent material and photoluminescent materials | |
| US7834541B2 (en) | OLED device having improved light output | |
| JP2006294491A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 | |
| JP4769254B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセント光源 | |
| US9240569B2 (en) | Display and electronic system | |
| WO2005034586A1 (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2003187963A (ja) | エレクトロルミネッセント素子 | |
| KR20100051631A (ko) | 투광성 기판, 그의 제조 방법, 유기 ｌｅｄ 소자 및 그의 제조 방법 | |
| CN1710998A (zh) | 有机el元件和有机el显示面板 | |
| JP2007311046A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 | |
| KR20110116142A (ko) | 전자 디바이스용 기판 및 이것을 사용한 전자 디바이스 | |
| TW200930137A (en) | Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic apparatus | |
| JP2011103205A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP2009129681A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 | |
| WO2011039911A1 (ja) | 有機ｅｌ照明装置及びその製造方法 | |
| JP2007066886A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子用積層体及びエレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2007035313A (ja) | 光取出し膜、光取出し膜付き透光体及びエレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2006032088A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| CN105206652B (zh) | 封框胶、显示面板和显示装置 | |
| JP2015043256A (ja) | 光学基板およびその製造方法、発光素子、液晶素子、表示装置、液晶装置および照明装置 | |
| US9515295B2 (en) | Light extraction substrate for organic light emitting device, fabrication method therefor and organic light emitting device including same | |
| JP2016141044A (ja) | フレキシブル基板及びその製造方法 |