JP2014013714A - 有機電界発光素子 - Google Patents

有機電界発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2014013714A
JP2014013714A JP2012151167A JP2012151167A JP2014013714A JP 2014013714 A JP2014013714 A JP 2014013714A JP 2012151167 A JP2012151167 A JP 2012151167A JP 2012151167 A JP2012151167 A JP 2012151167A JP 2014013714 A JP2014013714 A JP 2014013714A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
transparent electrode
refractive index
organic
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012151167A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5990049B2 (ja
Inventor
Kana Morohashi
佳奈 諸橋
Manabu Tobise
学 飛世
Shinichiro Sonoda
慎一郎 園田
Shizunami Ri
静波 李
Yuichiro Itai
雄一郎 板井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
UDC Ireland Ltd
Original Assignee
UDC Ireland Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by UDC Ireland Ltd filed Critical UDC Ireland Ltd
Priority to JP2012151167A priority Critical patent/JP5990049B2/ja
Priority to US13/932,585 priority patent/US9614174B2/en
Publication of JP2014013714A publication Critical patent/JP2014013714A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5990049B2 publication Critical patent/JP5990049B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80516Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/816Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/828Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80517Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80524Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/331Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/346Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】光取出し層を別途作製する必要がなく、成膜プロセスが簡便でコスト的に有利な透明電極を有する有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】基板21と、基板に隣接する第1の透明電極23と、少なくともひとつの有機発光層を含む有機層24と、第2の透明電極25と、屈折率1.3以下の低屈折率層27と、反射体層28と、がこの順に形成された有機電界発光素子であって、第1の透明電極23は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する有機電界発光素子。
【選択図】図7

Description

本発明は、基板と、該基板に隣接する第1の透明電極と、少なくともひとつの有機発光層を含む有機層と、第2の透明電極と、屈折率1.3以下の低屈折率層と、反射体層と、がこの順に形成された有機電界発光素子であって、前記第1の透明電極は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する有機電界発光素子に関する。
有機電界発光素子は、基板上に陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極の間に、発光層を含む有機層を有する自発光型の発光装置であり、ディスプレイや照明など種々の用途への応用が期待されている。
有機電界発光素子は、発光層で発生した光を取り出すために、陽極及び陰極のうち少なくとも一方は、光透過性を有する電極である必要があり、光透過性を有する電極としては酸化インジウム錫(ITO)が一般的に用いられている。
デバイスの光抽出効率の向上を目的として、透明基板、光散乱層、透明第1電極層、有機EL要素及び透明第2電極層を含んでなる有機発光ダイオードが提案されている。そして、第2透明電極層の上に配置することができる反射体層の吸光率を低減するため、低屈折率アイソレーション層を設けることが提案されている(特許文献1)。
また、高効率の光取り出しと電気特性の向上とを両立させることを目的として、導電性ナノ粒子とバインダーとからなる第1透明導電層、及び、導電性高分子からなる第2透明導電層がこの順で基板表面に形成された電極を有する有機電界発光素子が提案されている(特許文献2)。
特開2004−127942号公報 特開2012−009359号公報
しかしながら、特許文献1には、低屈折アイソレーション層に使用される成分としてポリマー又は無機化合物が示唆されているが、低屈折アイソレーション層として屈折率が1.3以下の層を用いることの臨界的な効果については何ら示唆されていない。そして、光散乱層は電極とは別の層を構成しており、電極自体が光散乱層の役割を持つ構造については何ら示唆されておらず、低屈折アイソレーション層を有する有機発光ダイオードの具体的な開示も見当たらない。また、光散乱層が電極とは別途形成されることにより、層を作成するプロセスが追加され、素子の製造コストが上昇する恐れがある。更に、光散乱層自体からガスが発生する可能性があり、それによる素子へのダメージが懸念される。
一方、特許文献2で使用される導電性ナノ粒子は粒径が小さく、μmオーダーの粒子を電極に添加することは記載されていない。また、屈折率段差を減らして光取り出し効率を上げることが試みられているが、当該手法のみでは、1.1〜1.3倍程度に光取り出し効率を上げるのが限界である。
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、光取出し層を別途作製する必要がなく、成膜プロセスが簡便でコスト的に有利な透明電極を有する有機電界発光素子を提供することを目的とする。また、透明電極が一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種以上含有し、屈折率1
.3以下の低屈折率層が設けられている、光取り出し効率の観点で優れた有機電界発光素子を提供することを目的とする。
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討し、基板と、該基板に隣接する第1の透明電極と、少なくともひとつの有機発光層を含む有機層と、第2の透明電極と、屈折率1.3以下の低屈折率層と、反射体層と、がこの順に形成された有機電界発光素子であって、前記第1の透明電極は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する有機電界発光素子を見出した。当該構成を有する有機電界発光素子を採用することにより、光取り出し効率を大幅に向上させることができることを見出した。
すなわち、前記課題を解決する手段は、以下のとおりである。
〔1〕
基板と、基板に隣接する第1の透明電極と、少なくともひとつの有機発光層を含む有機層と、第2の透明電極と、屈折率1.3以下の低屈折率層と、反射体層と、がこの順に形成された有機電界発光素子であって、
第1の透明電極は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する有機電界発光素子。
〔2〕
第1の透明電極に含まれる一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子の含有率N1[体積%]と、第1の透明電極の膜厚L1[μm]とが、L1×N1≧200の関係を満たす、〔1〕に記載の有機電界発光素子。
〔3〕
有機層と、有機層に隣接する層とが接する面のうち、反射体層に近いほうの面の面積をS[μm]とし、低屈折率層の厚さをD[μm]としたとき、D/S≧0.04を満たす、〔1〕又は〔2〕に記載の有機電界発光素子。
〔4〕
第1の透明電極及び第2の透明電極の少なくとも一方が導電性マトリックスを含有する、〔1〕〜〔3〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔5〕
第1の透明電極が、一次粒子径が100nm以下の粒子を更に含有する、〔1〕〜〔4〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔6〕
第1の透明電極が導電性マトリックスと一次粒子径が100nm以下の粒子とを含有し、粒子の屈折率が導電性マトリックスの屈折率より高い、〔1〕〜〔5〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔7〕
反射体層は金属により構成されるか、又は、反射率が90%以上の拡散反射板により構成される、〔1〕〜〔6〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔8〕
第1の透明電極が、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する第1の層と、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を含まず、一次粒子径が100nm以下の粒子を含む第2の層との二層からなる、〔1〕〜〔7〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔9〕
第1の透明電極を構成する第2の層の構成成分の屈折率と、第1の透明電極を構成する第1の層の構成成分から一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を除いた成分の屈折率との差の絶対値が0.02以下である、〔8〕に記載の有機電界発光素子。
〔10〕
第2の透明電極が一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種以上含有
する、〔1〕〜〔9〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔11〕
第2の透明電極に含まれる一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子の含有率N2[体積%]と、第2の透明電極の膜厚L2[μm]とが、L2×N2≧200の関係を満たす、〔10〕に記載の有機電界発光素子。
本発明によれば、光取出し層を別途作製する必要がなく、成膜プロセスが簡便でコスト的に有利な透明電極を有する有機電界発光素子を提供することができる。また、透明電極が一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種以上含有し、屈折率1.3以下の低屈折率層が設けられている、光取り出し効率の観点で優れた有機電界発光素子を提供することができる。
また、PEDOT−PSSをはじめとする導電性マトリックスを含有する塗布液により形成された透明電極は、透明性が悪く、可視光の透過率が低下してしまう傾向があるが、本発明によれば、拡散用の透明樹脂拡散粒子をドープすることにより、透過率の低下を抑制することが出来る。
図1は、計算モデル1の有機電界発光素子を示す概略図である。 図2は、計算モデル2の有機電界発光素子を示す概略図である。 図3は、計算モデル2における、塗布型導電層の膜厚と倍率との関係を示したグラフである。 図4は、計算モデル2及び3における、D/Wと倍率との関係を示したグラフである。 図5は、計算モデル3の有機電界発光素子を示す概略図である。 図6は、参考例の有機電界発光素子を示す概略図である。 図7は、実施例1〜8及び比較例8〜9の有機電界発光素子を示す概略図である。 図8は、実施例10〜12の有機電界発光素子を示す概略図である。 図9は、実施例14〜15の有機電界発光素子を示す概略図である。 図10は、実施例17〜19の有機電界発光素子を示す概略図である。 図11は、比較例1の有機電界発光素子を示す概略図である。 図12は、比較例2及び3の有機電界発光素子を示す概略図である。 図13は、比較例4〜6の有機電界発光素子を示す概略図である。 図14は、比較例10の有機電界発光素子を示す概略図である。
本発明の有機電界発光素子は、基板と、該基板に隣接する第1の透明電極と、少なくともひとつの有機発光層を含む有機層と、第2の透明電極と、屈折率1.3以下の低屈折率層と、反射体層と、がこの順に形成された有機電界発光素子であって、前記第1の透明電極は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する。
[第1の透明電極]
本発明の第1の透明電極は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子(以下、「光拡散粒子」と称することもある。)を少なくとも1種含有する電極である。
本発明の第1の透明電極は、光拡散粒子を少なくとも1種含有していれば構成成分に特に制限はないが、例えば、光拡散粒子と導電性マトリックスとにより構成することができる。
ここで、本明細書における光散乱粒子の一次粒子径とは、光散乱粒子1gをメタノール200gに分散させ、ペックマン・コールタ一株式会社製の「マルチサイザーII」精密
粒度分布測定装置を使用して、光散乱粒子の粒子径の測定を行い、体積基準で平均粒子径となるように算出された一次粒子径である。
また、透明電極とは、膜厚100nmでの波長500nmの透過率70%以上であることを意味する。透過率は、日立ハイテク社製分光光度計U−3310を用いて測定されるものである。
第1の透明電極の膜厚は、光透過性と抵抗のバランスの観点から、100nm以上5μm以下であることが好ましく、200nm以上3μm以下であることがより好ましく、300nm以上2μm以下であることが更に好ましい。
第1の透明電極の平均厚みは、例えば第1の透明電極の一部を切り取り、走査型電子顕微鏡(S−3400N、日立ハイテク株式会社製)で測定して、求めることができる。
〔光拡散粒子〕
光拡散粒子としては、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子であって、光を散乱又は拡散可能なものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、有機粒子であっても、無機粒子であってもよく、2種以上の粒子を含有していても構わない。
ここで、本明細書において、透明な粒子とは、可視光領域、特に450〜750nmの波長の範囲において、透過散乱成分も含めた透過光量(I)と散乱反射成分も含めた反射光量(I)との合計値と、入射光量(I)とから下記の関係式を用いて求められる吸光度(A(λ))が1以下であることを意味する。
A(λ)=−log10{(I+I)/I}
前記有機粒子としては、例えばポリメチルメタクリレート粒子、架橋ポリメチルメタクリレート粒子、アクリル−スチレン共重合体粒子、メラミン粒子、ポリカーボネート粒子、ポリスチレン粒子、架橋ポリスチレン粒子、ポリ塩化ビニル粒子、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒド粒子、などの樹脂粒子が挙げられる。
前記無機粒子としては、例えばZrO、TiO、Al、In、ZnO、SnO、Sb、などが挙げられる。これらの中でも、TiO、ZrO、ZnO、SnOが特に好ましい。
これらの中でも、前記光拡散粒子としては、耐溶剤性とバインダー中の分散性の点で架橋状態の樹脂粒子が好ましく、架橋ポリメチルメタクリレート粒子が特に好ましい。
前記光拡散粒子が、架橋状態の樹脂粒子であることは、溶剤、例えばトルエン中に分散させ、樹脂粒子の溶け難さを見ることで確認することができる。
光拡散粒子の屈折率は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、1.0以上3.0以下が好ましく、1.2以上2.0以下がより好ましく、1.3以上1.7以下が更に好ましい。前記屈折率が、1.0以上3.0以下であると、光拡散(散乱)が強くなりすぎないため、光取り出し効率が向上しやすい。
本明細書における光散乱粒子の屈折率は、前記光散乱粒子の原料となる材料を、屈折率測定に使用するエリプソメーターの光源の波長程度の厚さでシリコン基板上に成膜し、前記膜を前記エリプソメーターにより測定される屈折率である。後述する、一次粒子径が100nm以下の粒子の屈折率も、同様に測定される屈折率である。
光拡散粒子の一次粒子径は、0.5μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上6μm以下がより好ましく、1μm以上3μm以下が更に好ましい。前記光拡散粒子の一次粒子径が10μm以下であると、光が前方散乱になりにくく、光拡散粒子による光の角度を変換する能力が低下しにくい。
一方で、前記光拡散粒子の一次粒子径が0.5μm未満であると、可視光の波長より小さくなり、ミー散乱がレイリー散乱の領域に変化する。これにより、光拡散粒子の散乱効率の波長依存性が大きくなり、有機電界発光素子の色度が変化しやすくなるため好ましく
ない。また、後方散乱が強くなりすぎ、光取り出し効率が低下してしまう点で好ましくない。
第1の透明電極における光拡散粒子の含有量は、30体積%以上66体積%以下が好ましく、40体積%以上60体積%以下がより好ましく、45体積%以上55体積%以下が特に好ましい。前記含有量が、30体積%以上であると、第1の透明電極に入射してきた光が光拡散粒子に散乱される確率が高く、第1の透明電極の光角度を変換する能力が大きいので、第1の透明電極の厚みを大きくしなくても光取り出し効率が向上する。また、前記第1の透明電極の厚みを大きくしなくてよいためコスト低減に繋がり、第1の透明電極の厚みのバラツキが小さくなり、発光面内の散乱効果にバラツキが生じにくい。一方、前記含有量が、66体積%以下であると、前記第1の透明電極の表面が大きく荒れすぎず、内部にも空洞が生じにくいため、前記第1の透明電極の物理的強度が低下しにくい。
また、前記第1の透明電極に含まれる光拡散粒子の含有率N1[体積%]と、前記第1の透明電極の膜厚L1[μm]とが、L1×N1≧200の関係を満たすことが好ましい。
L1×N1は200以上800以下であることが好ましく、220以上700以下であることがより好ましく、250以上500以下であることが更に好ましい。
L1×N1が200以上であると、第1の透明電極を通過する光が光拡散粒子に衝突する確立が高まり、第1の透明電極における光の前方散乱が十分に進行する。光の前方散乱が十分に進行すると、より多くの光が基板との界面まで放射され、光取り出し効率が上昇するため好ましい。
第1の透明電極は、光取り出し効率の観点から、前記樹脂粒子と、光触媒不活性処理した酸化チタン微粒子とを含むことが好ましい。該光触媒不活性処理した酸化チタン微粒子の具体例及び好ましい範囲は、前記第1の透明電極において説明したものと同様である。
〔一次粒子径が100nm以下の粒子〕
本発明においては、前記第1の透明電極は、一次粒子径が100nm以下の粒子(以下、「ナノサイズ粒子」と称することもある。)を更に含有することができる。
(導電性マトリックスよりも大きな屈折率を有するナノサイズ粒子)
前記ナノサイズ粒子としては、屈折率が後述する導電性マトリックスの屈折率より高い(大きい)ものが好ましい。導電性マトリックスに高屈折率のナノサイズ粒子を添加することで、透明電極の屈折率を本来の導電性マトリックスが持つ屈折率よりも高く調整することが可能となる。
導電性マトリックスよりも大きな屈折率を有するナノサイズ粒子としては、無機微粒子が好ましく、金属酸化物微粒子であり、例えば、アルミニウム、チタニウム、ジルコニウム、アンチモンの酸化物の微粒子が好ましく、屈折率の観点から、酸化チタンの微粒子が特に好ましい。酸化チタン微粒子は、光触媒効果を不活性処理したものであることが好ましい。
−光触媒不活性処理した酸化チタン微粒子−
光触媒不活性処理した酸化チタン微粒子は、光触媒活性を有していなければ特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、(1)酸化チタン微粒子表面をアルミナ、シリカ、及びジルコニアの少なくとも1種で被覆した酸化チタン微粒子、(2)前記(1)の被覆した酸化チタン微粒子の被覆表面に樹脂を被覆してなる酸化チタン微粒子などが挙げられる。前記樹脂としては、例えばポリメタクリル酸メチル(PMMA)などが挙げられる。
前記光触媒不活性処理した酸化チタン微粒子が、光触媒活性を有さないことの確認は、例えばメチレンブルー法により行うことができる。
前記光触媒不活性処理した酸化チタン微粒子における酸化チタン微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記結晶構造は、ルチル、ルチル/アナターゼの混晶、アナターゼが主成分であることが好ましく、特にルチル構造が主成分であることが好ましい。
前記酸化チタン微粒子は、酸化チタン以外の金属酸化物を添加して複合化させても構わない。
前記酸化チタン微粒子に複合化させることができる金属酸化物としては、Sn、Zr、Si、Zn、及びAlから選択される少なくとも1種の金属酸化物が好ましい。
前記金属酸化物のチタンに対する添加量は、1モル%〜40モル%が好ましく、2モル%〜35モル%がより好ましく、3モル%〜30モル%が更に好ましい。
導電性マトリックスよりも大きな屈折率を有するナノサイズ粒子の平均粒子サイズ(一次粒子径)は、1nm以上100nm以下であることが好ましく、1nm以上30nm以下が更に好ましく、1nm以上25nm以下が特に好ましく、1nm以上20nm以下が最も好ましい。一次粒子径が、100nm以下であれば、分散液が白濁しにくく、沈降が起きにくいため好ましく、1nm以上であれば、結晶構造がはっきりしてアモルファスにならず、経時でゲル化などの変化が起こりにくいため好ましい。
前記一次粒子径は、例えば、X線回折装置で測定された回折パターンの半値幅からの計算や電子顕微鏡(TEM)撮影像の直径からの統計計算などにより測定することができる。
導電性マトリックスよりも大きな屈折率を有するナノサイズ粒子の形状は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、米粒状、球形状、立方体状、紡錘形状、又は不定形状が好ましい。前記酸化チタン微粒子は、1種を単独で用いてもよいが、2種類以上を併用して用いることもできる。
導電性マトリックスよりも大きな屈折率を有するナノサイズ粒子は、第1の透明電極の屈折率を高くするために、屈折率が2.0以上3.0以下であることが好ましく、2.2以上3.0以下であることがより好ましく、2.2以上2.8以下が更に好ましく、2.2以上2.6以下が特に好ましい。前記屈折率が、2.0以上であれば、第1の透明電極の屈折率を効果的に高めることができ、前記屈折率が、3.0以下であれば粒子が着色するなどの不都合がないので好ましい。
導電性マトリックスよりも大きな屈折率を有するナノサイズ粒子の屈折率は以下のようにして測定することができる。屈折率既知の樹脂材料に導電性マトリックスよりも大きな屈折率を有する粒子をドープし、該粒子が分散された樹脂材料をSi基板、又は石英基板上に塗布膜を形成する。前記塗布膜の屈折率をエリプソメーターで測定し、前記塗布膜を構成する樹脂材料と前記粒子の体積分率から、前記粒子の屈折率が判る。
導電性マトリックスよりも大きな屈折率を有するナノサイズ粒子は、前記第1の透明電極の屈折率を有機層(特に発光層)の屈折率以上に高屈折率化する必要があるという理由から、第1の透明電極中に、第1の透明電極の全体積に対して10体積%以上50体積%以下含有されることが好ましく、15体積%以上50体積%以下含有されることがより好ましく、20体積%以上50体積%以下含有されることが更に好ましい。前記含有量が、10体積%以上であると、第1の透明電極の屈折率を効果的に上げることができ、光取り出し効果が向上するため好ましく、50体積%以下であると、レイリー散乱が強くならず、光取り出し効果が向上するため好ましい。
本発明においては、第1の透明電極の屈折率は、光取り出し効率向上の観点から、有機電界発光素子の有機発光層の屈折率以上であり、有機電界発光装置の発光層などの有機層の屈折率以上であることが好ましく、具体的には、1.7以上2.2以下であることが好ましく、1.7以上2.1以下であることがより好ましく、1.7以上2.0以下であることが更に好ましい。
第1の透明電極の抵抗は、1Ω/□(Ω/sq.ともいう。)以上1000Ω/□以下であることが好ましく、1Ω/□以上500Ω/□以下であることがより好ましく、1Ω/□以上300Ω/□以下であることが更に好ましい。
第1の透明電極の光透過率は、70%以上99%以下であることが好ましく、75%以上99%以下であることがより好ましく、80%以上99%以下であることが更に好ましい。
〔導電性マトリックス〕
本発明の第1の透明電極は、導電性マトリックスを含有することが好ましい。導電性マトリックスは、導電性高分子であることが好ましい。
導電性高分子としては、π共役系導電性高分子、σ共役系導電性高分子が好ましく、π共役系導電性高分子がより好ましい。
σ共役系導電性高分子としては、ポリ(メチルフェニルシラン)、ポリ(メチルプロピルシラン)、ポリ(フェニル−p−ビフェニルシラン)、ポリ(ジヘキシルシラン)等が挙げられる。
(π共役系導電性高分子)
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されない。π共役系導電性高分子は、化合物安定性、高導電性という理由から、π共役系複素環式化合物又はπ共役系複素環式化合物の誘導体であることが好ましい。
π共役系導電性高分子としては、脂肪族共役系のポリアセチレン、ポリアセン、ポリアズレン、芳香族共役系のポリフェニレン、複素環式共役系のポリピロール、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテン、含ヘテロ原子共役系のポリアニリン、ポリチエニレンビニレン、混合型共役系のポリ(フェニレンビニレン)、分子中に複数の共役鎖を持つ共役系である複鎖型共役系、これらの導電性ポリマーの誘導体、及び、これらの共役高分子鎖を飽和高分子にグラフト又はブロック共重した高分子である導電性複合体からなる群より選択される少なくとも一種を挙げることができる。
空気中での安定性の点からは、ポリピロール、ポリチオフェン及びポリアニリン又はこれらの誘導体が好ましく、ポリチオフェン、ポリアニリン、又はこれらの誘導体(すなわち、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体、及びポリアニリン誘導体)がより好ましい。
π共役系導電性高分子は無置換のままでも充分な導電性やバインダー樹脂への相溶性を得ることができるが、導電性及び相溶性をより高めるためには、アルキル基、カルボキシ基、スルホ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基等の官能基をπ共役系導電性高分子に導入することが好ましい。
π共役系導電性高分子の具体例としては、
ホリピロール類:ポリピロール、ポリ(N−メチルピロール)、ポリ(3−メチルピロール)、ポリ(3−エチルピロール)、ポリ(3−n−プロピルピロール)、ポリ(3−ブチルピロール)、ポリ(3−オクチルピロール)、ポリ(3−デシルピロール)、ポリ(3−ドデシルピロール)、ポリ(3,4−ジメチルピロール)、ポリ(3,4−ジブチルピロール)、ポリ(3−カルボキシピロール)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシピロール)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシエチルピロール)、ポリ(3−メチル−4
−カルボキシブチルピロール)、ポリ(3−ヒドロキシピロール)、ポリ(3−メトキシピロール)、ポリ(3−エトキシピロール)、ポリ(3−ブトキシピロール)、ポリ(3−メチル−4−ヘキシルオキシピロール)、
ポリチオフェン類:ポリ(チオフェン)、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリ(3−エチルチオフェン)、ポリ(3−プロピルチオフェン)、ポリ(3−ブチルチオフェン)、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)、ポリ(3−ヘプチルチオフェン)、ポリ(3−オクチルチオフェン)、ポリ(3−デシルチオフェン)、ポリ(3−ドデシルチオフェン)、ポリ(3−オクタデシルチオフェン)、ポリ(3−ブロモチオフェン)、ポリ(3−クロロチオフェン)、ポリ(3−ヨードチオフェン)、ポリ(3−シアノチオフェン)、ポリ(3−フェニルチオフェン)、ポリ(3,4−ジメチルチオフェン)、ポリ(3,4−ジブチルチオフェン)、ポリ(3−ヒドロキシチオフェン)、ポリ(3−メトキシチオフェン)、ポリ(3−エトキシチオフェン)、ポリ(3−ブトキシチオフェン)、ポリ(3−ヘキシルオキシチオフェン)、ポリ(3−ヘプチルオキシチオフェン)、ポリ(3−オクチルオキシチオフェン)、ポリ(3−デシルオキシチオフェン)、ポリ(3−ドデシルオキシチオフェン)、ポリ(3−オクタデシルオキシチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−メトキシチオフェン)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−エトキシチオフェン)、ポリ(3−カルボキシチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシエチルチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシブチルチオフェン)、
ポリアニリン類:ポリアニリン、ポリ(2−メチルアニリン)、ポリ(3−イソブチルアニリン)、ポリ(2−アニリンスルホン酸)、ポリ(3−アニリンスルホン酸)等が挙げられる。
(アニオン基を有する高分子ドーパント)
π共役系導電性高分子は、アニオン基を有する高分子ドーパント(「ポリアニオンドーパント」ともいう)と共に用いることが好ましい。すなわち、この場合は、有機導電性高分子化合物(π共役系導電性高分子)とアニオン基を有する高分子ドーパントとを含む有機導電性高分子組成物となる。π共役系導電性高分子にアニオン基を有する高分子ドーパントを組み合わせて用いることにより、高い導電性、導電性の経時安定性改良、積層体状態での耐水性が向上する。
ポリアニオンドーパントとしては、としては、例えば、置換又は未置換のポリアルキレン、置換又は未置換のポリアルケニレン、置換又は未置換のポリイミド、置換又は未置換のポリアミド、及び置換又は未置換のポリエステルのうち少なくともいずれかの構造を有し、かつアニオン基を有する構造単位を含むポリマーが挙げられる。
ポリアニオンドーパントのアニオン基としては、−O−SO 、−SO 、−COO(各式においてXは水素イオン、アルカリ金属イオンを表す。)が挙げられる。
これらの中でも、有機導電性高分子化合物へのドーピング能力の点から、−SO 、−COOが好ましい。
上記ポリアニオンドーパントの中でも、溶媒溶解性及び導電性の点から、ポリイソプレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸を含む共重合体、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリスルホエチルメタクリレートを含む共重合体、ポリ(4−スルホブチルメタクリレート)、ポリ(4−スルホブチルメタクリレート)を含む共重合体、ポリメタリルオキシベンゼンスルホン酸、ポリメタリルオキシベンゼンスルホン酸を含む共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸を含む共重合体等が好ましい。
ポリアニオンドーパントの重合度は、モノマー単位が10〜100,000個の範囲であることが好ましく、溶媒溶解性及び導電性の点からは、50〜10,000個の範囲がより好ましい。
ポリアニオンドーパントの含有量は、有機導電性高分子化合物1モルに対して0.1〜10モルの範囲であることが好ましく、1〜7モルの範囲であることがより好ましい。ここでモル数は、ポリアニオンドーパントを形成するアニオン基を含むモノマー由来の構造単位数、及び有機導電性高分子化合物を形成するピロール、チオフェン、アニリン等のモノマー由来の構造単位数で定義される。ポリアニオンドーパントの含有量が、有機導電性高分子化合物1モルに対して0.1モル以上であれば、有機導電性高分子化合物へのドーピング効果が大きくなり、導電性が充分に発現する。その上、溶媒への分散性及び溶解性が高くなり、均一な分散液を得ることが容易である。また、ポリアニオンドーパントの含有量が、有機導電性高分子化合物1モルに対して10モル以下であると、有機導電性高分子化合物を多く含有させることができ、充分な導電性が得られやすい。
(水又は有機溶剤への可溶性)
導電性高分子は、塗布性の観点から、水又は有機溶剤に可溶であることが好ましい。より具体的には、導電性高分子は、水又は含水率が5質量%以下で誘電率が2〜30の有機溶剤中に少なくとも1.0質量%で可溶であることが好ましい。ここで、「可溶」とは溶剤中に単一分子状態又は複数の単一分子が会合した状態で溶解しているか、粒子径が300nm以下の粒子状に分散されている状態を指す。
一般に、有機導電性高分子は親水性が高く、水、又は水を主成分とする溶媒に溶解するが、このような有機導電性高分子を有機溶剤に可溶化するには、有機導電性高分子を含む組成物中に、有機溶剤との親和性を上げる化合物や、有機溶剤中での分散剤等を添加する方法が挙げられる。また、有機導電性高分子とポリアニオンドーパントを用いる場合は、ポリアニオンドーパントの疎水化処理を行うことが好ましい。
有機溶剤としては、例えば、アルコール類、芳香族炭化水素類、エーテル類、ケトン類、エステル類などが好適である。
導電層は、上記各種材料を、透明基板の上方に、例えばディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、エクストルージョンコート法等の公知の薄膜形成方法で塗布し、乾燥、光及び/又は熱照射することにより作製することができる。好ましくは、光照射による硬化が、迅速硬化の点から有利である。更には、光硬化処理の後、光重合開始剤による拡散層の硬化(重合反応)を止める上で加熱処理することも好ましい。この場合、加熱温度としては、60℃〜105℃が好ましく、70℃〜100℃がより好ましく、70℃〜90℃が更に好ましい。
光照射の光源は、光重合開始剤の反応する波長(吸収波長)付近であればいずれでもよく、吸収波長が紫外領域の場合、光源として、超高圧、高圧、中圧、低圧の各水銀灯、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、メタルハライド灯、キセノン灯、太陽光等が挙げられる。波長350nm〜420nmの入手可能な各種レーザー光源をマルチビーム化して照射してもよい。また、吸収波長が赤外領域の場合、光源としてはハロゲンランプ、キセノンランプ、高圧ナトリウムランプが挙げられ、波長750nm〜1,400nmの入手可能な各種レーザー光源をマルチビーム化して照射してもよい。
光照射による光ラジカル重合の場合は、空気又は不活性気体中で行うことができるが、ラジカル重合性モノマーの重合の誘導期を短くするか、又は重合率を十分に高める等のた
めに、できるだけ酸素濃度を少なくした雰囲気とすることが好ましい。前記酸素濃度範囲は0〜1,000ppmが好ましく、0〜800ppmがより好ましく、0〜600ppmが更に好ましい。照射する紫外線の照射強度は、0.1mW/cm〜100mW/cmが好ましく、塗布膜表面上での光照射量は、100mJ/cm〜10,000mJ/cmが好ましく、100mJ/cm〜5,000mJ/cmがより好ましく、100mJ/cm〜1,000mJ/cmが特に好ましい。前記光照射量が、100mJ/cm未満であると、導電層が十分に硬化せず、導電層上に他の層を塗布する際に溶解、また、基板洗浄時に崩壊することがある。一方、前記光照射量が、10,000mJ/cmを超えると、導電層の重合が進み過ぎ表面が黄変し、透過率が低下し、光取り出し効率が低下することがある。また、光照射工程での温度は、15℃〜70℃が好ましく、20℃〜60℃がより好ましく、25℃〜50℃が特に好ましい。前記温度が、15℃未満であると、光重合による導電層の硬化に時間がかかることがあり、70℃を超えると、光重合開始剤自体に影響を及ぼし、光重合(硬化)できなくなることがある。
[基板]
本発明の有機電界発光素子における基板としては、透明基板が好ましい。
前記透明基板としては、その形状、構造、大きさ、材料等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記形状としては、例えば平板状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさは適宜選択することができる。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス(無アルカリガラス、ソーダライムガラス等)等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド樹脂(PI)、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、ポリエステル樹脂が好ましく、ロールでの塗布適性の観点からポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)が特に好ましい。
前記基板の表面は、その上に設ける第1の透明電極との密着性を向上させるため、表面活性化処理を行うことが好ましい。前記表面活性化処理としては、例えばグロー放電処理、コロナ放電処理、ガラス基板のシランカップリング処理などが挙げられる。
前記基板は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
前記基板の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、10μm以上が好ましく、50μm以上がより好ましい。
前記基板の屈折率は、1.3以上1.8以下が好ましく、1.4以上1.7以下がより好ましく、1.4以上1.6以下が更に好ましい。前記基板の屈折率が、1.3以上であると、基板と第1の透明電極の屈折率差が大きくなりすぎず、第1の透明電極からの光が入射する際、フレネル反射が強くなりすぎず、光取り出し効率が向上しやすい。前記基板の屈折率が、1.8以下であると、基板と空気(光出射側)の屈折率差が大きくなりすぎず、フレネル反射が強くなりすぎず、光取り出し効率が向上しやすい。
[有機層]
本発明の有機電界発光素子における有機層は、少なくとも有機発光層を有する。前記有機発光層以外の機能層としては、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
前記有機層は、陽極と有機発光層との間に正孔輸送層を有することが好ましく、陰極と発光層との間に電子輸送層を有することが好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層を設けてもよく、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けてもよい。
また、前記有機発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層(電子ブロック層)を設けてもよく、発光層と電子輸送層との間に電子輸送性中間層(正孔ブロック層)を設けてもよい。各機能層は複数の二次層に分かれていてもよい。
前記有機発光層を含むこれらの機能層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等のいずれによっても好適に形成することができる。
−有機発光層−
前記有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
前記有機発光層は、発光材料を含む。前記有機発光層は発光材料のみで構成されていてもよいし、ホスト材料と発光材料の混合層でもよい(後者の場合、発光材料を「発光性ドーパント」もしくは「ドーパント」と称する場合がある)。前記発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、2種以上が混合されていてもよい。ホスト材料は電荷輸送材料が好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であってもよい。更に、有機発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
前記有機発光層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、2nm〜500nmであるのが好ましく、外部量子効率の観点で、3nm〜200nmであるのがより好ましく、5nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、前記有機発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
−−発光材料−−
前記発光材料は、燐光発光材料、蛍光発光材料等のいずれも好適に用いることができる。
前記発光材料は、ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差(ΔIp)と電子親和力の差(ΔEa)が、1.2eV>△Ip>0.2eV、及び/又は1.2eV>△Ea>0.2eVの関係を満たすドーパントであることが、駆動耐久性の観点で好ましい。
前記発光層中の発光材料は、前記発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、0.1質量%〜50質量%含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から1質量%〜50質量%含有されることが好ましく、2質量%〜50質量%含有されることがより好ましい。
−−−燐光発光材料−−−
前記燐光発光材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
前記遷移金属原子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。
前記錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−
基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
これらの中でも、燐光発光材料としては、例えば、US6303238B1、US6097147、WO00/57676、WO00/70655、WO01/08230、WO01/39234A2、WO01/41512A1、WO02/02714A2、WO02/15645A1、WO02/44189A1、WO05/19373A2、WO2004/108857A1、WO2005/042444A2、WO2005/042550A1、特開2001−247859、特開2002−302671、特開2002−117978、特開2003−133074、特開2002−235076、特開2003−123982、特開2002−170684、EP1211257、特開2002−226495、特開2002−234894、特開2001−247859、特開2001−298470、特開2002−173674、特開2002−203678、特開2002−203679、特開2004−357791、特開2006−93542、特開2006−261623、特開2006−256999、特開2007−19462、特開2007−84635、特開2007−96259等の各公報に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。これらの中でも、Ir錯体、Pt錯体、Cu錯体、Re錯体、W錯体、Rh錯体、Ru錯体、Pd錯体、Os錯体、Eu錯体、Tb錯体、Gd錯体、Dy錯体、Ce錯体が好ましく、Ir錯体、Pt錯体、又はRe錯体がより好ましく、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むIr錯体、Pt錯体、又はRe錯体が更に好ましく、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、3座以上の多座配位子を含むIr錯体、Pt錯体、又はRe錯体が特に好ましい。
前記燐光発光材料の具体例として、以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
−−−蛍光発光材料−−−
前記蛍光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物(アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセンなど)、8−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、又はこれらの誘導体などを挙げることができる。
−−ホスト材料−−
前記ホスト材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料(正孔輸送性ホストと記載する場合がある)及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト化合物(電子輸送性ホストと記載する場合がある)を用いることができる。
−−−正孔輸送性ホスト材料−−−
前記正孔輸送性ホスト材料としては、例えば、以下の材料を挙げることができる。即ち、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体などが挙げられる。
これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体、分子内にカルバゾール基を有するものが好ましく、t−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物がより好ましい。
−−−電子輸送性ホスト材料−−−
前記電子輸送性ホスト材料としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、又はそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。これらの中でも、耐久性の点から金属錯体化合物が好ましく、金属に配位する少なくとも1つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。前記金属錯体電子輸送性ホストとしては、例えば特開2002−235076号公報、特開2004−214179号公報、特開2004−221062号公報、特開2004−221065号公報、特開2004−221068号公報、特開2004−327313号公報等に記載の化合物が挙げられる。
前記正孔輸送性ホスト材料、電子輸送性ホスト材料の具体例として、以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
−正孔注入層、正孔輸送層−
前記正孔注入層、又は前記正孔輸送層は、陽極又は陽極側の層から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いられる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層が好ましい。
前記正孔注入層、又は前記正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。前記正孔注入層、又は正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、及び三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して0.01質量%〜50質量%が好ましく、0.05質量%〜40質量%が更に好ましく、0.1質量%〜30質量%が特に好ましい。
前記正孔注入層、又は正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−電子注入層、電子輸送層−
前記電子注入層、又は前記電子輸送層は、陰極又は陰極側の層から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、
フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層が好ましい。
前記電子注入層、又は電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。前記電子注入層、又は電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Liなどのアルカリ金属、Mgなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が4.2eV以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd、及びYbなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して0.1質量%〜99質量%が好ましく、1.0質量%〜80質量%が更に好ましく、2.0質量%〜70質量%が特に好ましい。
前記電子注入層、又は前記電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−正孔ブロック層、電子ブロック層−
前記正孔ブロック層は、陽極側から有機発光層に輸送された正孔が陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
一方、前記電子ブロック層は、陰極側から有機発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、有機発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。
前記正孔ブロック層及び電子ブロック層の厚みは、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、前記正孔ブロック層及び電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
また、有機層と、該有機層に隣接する層とが接する面のうち、反射体層に近いほうの面の面積をS(μm)とし、低屈折率層の厚さをD(μm)としたとき、D/S≧0.04を満たすことが好ましい。
前記D/Sは、0.04≦D/S≦9を満たすことがより好ましく、0.16≦D/S≦4を満たすことがより好ましく、0.25≦D/S≦1を満たすことが更に好ましい。
前記D/SがD/S≧0.04を満たすことにより、反射体から反射された光がより効率的に有機電界発光素子へと戻ってきやすくなり、光取り出し効率が上昇するため好まし
い。
[第2の透明電極]
第2の透明電極を構成する成分は、透明電極を形成することができるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第2の透明電極を構成する成分としては、例えば、有機化合物を含有していてもよく、無機化合物を含有していてもよく、これらの混合物を含有していてもよい。
第2の透明電極を構成する成分としては、第1の透明電極を構成することができる成分と同様の成分を使用することができる。また、第2の透明電極を構成する好ましい成分及び第2の透明電極の好ましい態様の範囲もまた、第1の透明電極と同様である。
更に、第2の透明電極を構成する成分として、有機電界発光素子の透明電極として一般的に使用される金属酸化物を好ましく使用することができる。このような金属酸化物としては、例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)(屈折率(n)=2.0)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)、ZnO(屈折率(n)=1.95)、SnO(屈折率(n)=2.0)、In(屈折率(n)=1.9〜2.0)、TiO(屈折率(n)=1.90)などが挙げられる。アルミニウム又はインジウムをドープした酸化亜鉛、マグネシウムインジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物をはじめとする他の金属酸化物でも使用することができる。これらの酸化物の他、カソードとして、窒化ガリウムのような金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属セレン化物、及び硫化亜鉛のような金属硫化物を使用することもできる。Au、Ag又はCu及び高屈折率透明材料、例えばZnS、TiO、ITO、等の金属薄膜サンドイッチを使用することもできる。これらの中でも、ITO、IZOが特に好ましい。
第2の透明電極は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子(光拡散粒子)を少なくとも1種以上含有することが好ましい。上記光拡散粒子として使用することができる粒子の範囲は、第1の透明電極が含有する光拡散粒子と同様であり、好ましい範囲もまた同様である。
第2の透明電極における光拡散粒子の含有量は、第1の透明電極と同様の範囲から適宜選択することができ、好ましい範囲もまた同様である。
第2の透明電極が光拡散粒子を含有する場合、第2の透明電極は導電性マトリックスを含有することが好ましい。上記導電性マトリックスとして使用することができるマトリックスの範囲は、第1の透明電極が含有することができる導電性マトリックスと同様であり、好ましい範囲もまた同様である。
また、前記第2の透明電極に含まれる光拡散粒子の含有率N2[体積%]と、前記第2の透明電極の膜厚L2[μm]とが、L2×N2≧200の関係を満たすことが好ましい。
L2×N2は200以上800以下であることが好ましく、220以上700以下であることがより好ましく、250以上500以下であることが更に好ましい。
L2×N2が200以上であると、第2の透明電極を通過する光が光拡散粒子に衝突する確立が高まり、第2の透明電極における光の前方散乱が十分に進行する。光の前方散乱が十分に進行すると、より多くの光が基板との界面まで放射され、光取り出し効率が上昇するため好ましい。
第2の透明電極の膜厚は、導電率との観点から、30nm以上1μm以下であることが好ましく、50nm以上500nm以下であることがより好ましく、100nm以上300nm以下であることが更に好ましい。
[屈折率1.3以下の低屈折率層]
有機発光層から出射した光、あるいは光取り出し層で後方散乱した光を取り出すために、第二の電極を反射電極にすると、光取出し層側に放射させる事が出来る。しかし、反射電極は金属電極であるので、金属による光、特に、高角度側の光の吸収が発生し、損失になる。本発明の有機電界発光素子が屈折率1.3以下の低屈折率層を有することにより、第二の透明電極と該低屈折率層の屈折率差を利用し、高角度光が金属電極に吸収されなくOLED素子即ち光取出し側へ反射させ、光取り出し効率を上昇させることができる。
屈折率1.3以下の低屈折率層を構成する成分は、屈折率が1.3以下であることを満たせば特に制限はないが、1.2以下が好ましく、1.1以下がより好ましく、1.05以下が更に好ましい。
屈折率1.3以下の低屈折率層の形成方法には特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。低屈折率の材料として、酸素、窒素、二酸化炭素といった気体が挙げられる。例えば、後述する封止缶裏面(内側)に対して、後述する反射層又は拡散反射板を
付与し基板の有機層側を封止する際に、所望の厚さの屈折率1.3以下の低屈折率層となるように基板を封止する位置を調節することにより形成することができる。
[反射体層]
反射体層は、発生した光を反射し、効率良く光取りだし面より取り出すことを可能にする。該反射体層の光反射率は、好ましくは50%以上、より好ましくは70%以上であり、更に好ましくは90%以上である。
反射体層は好ましくは蒸着によって形成される。好ましくは、金属もしくは金属酸化物であり、より好ましくは、アルミニウム、銀、金、およびクロムなどの金属である。
反射体層は上記金属のほか、光反射率が90%以上の拡散反射板により構成されることも好ましい。
反射体層は、好ましくは、厚み0.01μm〜1μm、より好ましくは、0.05μm〜0.2μmに蒸着される。
[第1の透明電極を構成する第2の層(第1の透明電極の平坦化層)]
本発明の有機電界発光素子は、前記第1の透明電極を、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する第1の層と、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を含まず、一次粒子径が100nm以下の粒子を含む第2の層(以下、「第1の透明電極の平坦化層」と称することもある。)との二層からなる透明電極とすることができる。
上記第1の透明電極を構成する第2の層の構成成分は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子(光拡散粒子)を含まないことを除き、第1の透明電極を構成する第1の層の構成成分と同じ成分を使用することができる。また、第1の透明電極を構成する第2の層の好ましい構成成分及び好ましい態様の範囲は、光拡散粒子を含まないことを除き、第1の透明電極の範囲について述べたものと同様である。
前記第1の透明電極を構成する第2の層の構成成分の屈折率と、前記第1の透明電極を構成する第1の層の構成成分から一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を除いた成分の屈折率との差の絶対値が0.02以下であることが好ましい。第1の透明電極を構成する第2の層の屈折率をこのように調節することにより、第1の透明電極を構成する第1の層と第2の層との界面で生じる全反射等の影響による光取り出しの損失を防ぐことが出来る。
前記第1の透明電極を構成する第2の層の膜厚は、第1の層と第2の層とを含む第1の
透明電極全体の平坦性と、前記第2の層の透明性との両立の観点から、50nm以上4μm以下であることが好ましく、100nm以上1μm以下であることがより好ましく、200nm以上500nm以下であることが更に好ましい。
[第1の透明電極よりも抵抗が低い配線]
本発明の有機電界発光素子において、第1の透明電極と基板との間に、前記第1の透明電極よりも抵抗が低い配線(「補助配線」ともいう)を有することが好ましい。第1の透明電極よりも抵抗が低い配線を有することで、第1の透明電極と配線をあわせた透明電極としての全体の抵抗を下げることができ、有機電界発光素子の発光面が大面積となった場合においても電圧降下を抑制して、発光ムラを防止することができる。拡散を用いた光取出しでは、発光面が広く且つ発光ムラが無いように均一に発光することで、有機層や基板内部に閉じ込められた光を効率良く取り出すことが出来る。本発明の有機電界発光素子としては、第1の透明電極と基板との間に補助配線を有し、第1の透明電極が補助配線を覆っている構成がより好ましい。特に、塗布法により第1の透明電極を形成することで、配線を覆うように第1の透明電極を設けることができるため、有機電界発光素子において、配線が有機層に接触しない構成とすることができ、発光層の全ての面で発光が可能となる。
補助配線としては、金属を含有してなることが好ましく、銀、アルミニウム、金、銅、を含有してなることがより好ましく、銀、又はアルミニウムを含有してなることが更に好ましい。
補助配線は、上記金属を真空蒸着してフォトリソグラフィーやマスクを用いたエッチングなどにより形成することができる。また、上記金属を含む導電性インクの印刷、塗布等によって形成することもできる。
補助配線の厚みは、第1の透明電極の低抵抗化、補助配線により表面に凹凸形状が形成されるのを抑止する観点から、10nm以上3μm以下であることが好ましく、30nm以上1μm以下であることがより好ましく、50nm以上500nm以下であることが更に好ましい。
補助配線の幅は、第1の透明電極の低抵抗化、遮光性の観点から、1μm以上1mm以下であることが好ましく、5μm以上500μm以下であることがより好ましく、10μm以上200μm以下であることが更に好ましい。
[封止缶]
本発明の有機電界発光素子は、封止缶内に、少なくとも、前記第2の透明電極、前記有機発光層が封入されていることが好ましく、封止缶内に、前記第1の透明電極、前記第2の透明電極、及び前記有機発光層が封入されていることがより好ましい。
前記封止缶としては、第1の透明電極、第2の透明電極及び有機層を含む有機電界発光素子が封入できる大きさ、形状、構造などを有していれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記封止缶と第1の透明電極、第2の透明電極及び有機層を含む有機電界発光素子との間の空間には、水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
前記水分吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウムなどが挙げられる。
前記不活性液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類;パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、
パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤;塩素系溶剤、シリコーンオイル類などが挙げられる。
前記有機電界発光素子は、フルカラーで表示し得る装置として構成することができる。
前記有機電界発光素子をフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、2000年9月号、33〜37ページに記載されているように、色の3原色(青色(B)、緑色(G)、赤色(R))に対応する光をそれぞれ発光する層構造を基板上に配置する3色発光法、白色発光用の層構造による白色発光をカラーフィルタ層を通して3原色に分ける白色法、青色発光用の層構造による青色発光を蛍光色素層を通して赤色(R)及び緑色(G)に変換する色変換法、などが知られている。
この場合は、青色(B)、緑色(G)、赤色(R)の画素ごとにレーザーパワー、厚みを適宜調整することが好ましい。
また、上記方法により得られる、異なる発光色の層構造を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光装置を組み合わせた白色発光光源、青色(B)、緑色(G)、及び赤色(R)の有機電界発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。
前記有機電界発光素子は、例えば、照明機器、コンピュータ、車載用表示器、野外表示器、家庭用機器、業務用機器、家電用機器、交通関係表示器、時計表示器、カレンダ表示器、ルミネッセントスクリーン、音響機器等をはじめとする各種分野において好適に使用することができる。
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
<シミュレーションによる光取り出し効率の見積もり>
下記モデルを用い、市販の光線追跡ソフト(ZEMAX Development Corporationの製品ZEMAX−EE)で、以下の内容のシミュレーションをMie散乱理論により行った。
−参考モデル(計算モデル1)−
図1に示されるモデルは、光取出し措置(屈折率1.3以下の低屈折率層、散乱膜)がなく、Ag反射電極を持つ有機電界発光素子の計算モデルである。これは、参考(比較)素子として利用する。光取出し効率の倍率はこの素子を基準としている。すなわち、光取り出し効率の倍率は、下記の式により定義される。
倍率=実施素子の光取出し効率/参考素子の光取出し効率
ここで、光取出し効率は、下記の式により定義される。
光取出し効率=空気まで出射される光エネルギー/有機層から発光された光エネルギー
図1に示される参考モデルの有機電界発光素子は、下記のとおり構成されている。
空気/透明基板(1)(BK7、オハラ社製、屈折率n1.5、減衰係数k0、厚み0.7mm)/透明基板側にある透明電極を含む有機層(3)(屈折率n1.8、吸収率10%、厚み2μm、発光領域(3a)は2mm四角)/Ag反射電極(6)(屈折率n0.18、減衰係数k3.4)により構成される有機電界発光素子である。素子サイズは50mm四角である。
計算に用いる物性値は各材料のd線にある物性値である。
透明基板側にある透明電極を含む有機層の構成は、透明電極/正孔注入層と輸送層/発光層/電子注入層と輸送層であることとしている。
PIONEER R&D Vol.11 No.1,pp21−28によると、発光層
の屈折率nは1.7〜1.85である。また、良く利用される透明電極、錫ドープ酸化インジウム(ITO)(屈折率(n)=2.0)、ZnO(屈折率(n)=1.95)、SnO(屈折率(n)=2.0)、In(屈折率(n)=1.9〜2.0)、TiO(屈折率(n)=1.90)は、屈折率が有機層の屈折率より大きく、発光層と空気の間の全反射に影響を与えないので、透明電極を含む有機層の屈折率をn1.8にした。
また、有機層から発光した光が、有機電界発光素子の積層を通して、空気に放射する際、有機電界発光素子の積層間や、有機電界発光素子と空気間にある屈折率差によって、有機電界発光素子内部に反射される光が存在する。有機電界発光素子内部に反射された光が反射電極や、反射層(体)による再び光取出し側に反射され、有機層を通して、空気に放射する。光が有機層を通す度に、有機材料の減衰係数に依存して吸収される。ここでは、光が有機層を通す度に吸収率を10%とした。
有機層から透明基板まで(n1.8内にある)放射する光の配光分布はランバーシアン分布とした。
有機電界発光素子としては、Nature Vol.459,pp234−238(14 May 2009)に開示されている下記の構造のものを用いた。
Glass(オハラS−LAH53、屈折率n=1.8)/ITO(厚み90nm)/MeO−TPD:NDP−2(厚み45nm)/NPB(厚み10nm)/TCTA:Ir(MDQ)(acac)(厚み6nm)/TCTA(厚み2nm)/TPBi:FIrpic(4nm)/TPBi(厚み2nm)/TPBi:Ir(ppy)/TPBi(10nm)/Bphen:Cs(厚み25nm)/Ag(厚み100nm)
なお、特開2008−70198号公報の段落〔0002〕に記載されているように発光層から発光し、透明基板内に放射した光の配光分布はランベーシアン分布であるとした。
計算モデル1をシミュレーションした光取出し効率は約32%であった。これから、各計算モデルについてシミュレーションした光取出し効率の倍率は、この光取出し効率に対する倍率である。
〔参考例1〕
−拡散散乱膜の膜厚L1(μm)と光拡散粒子の含有率N1(体積%)による光取出し効率の向上する効果(計算モデル2)−
次に、高屈折率バインダー(屈折率n1.8)を有する微粒子拡散層の光取出し層を持つ塗布型導電層の構成である有機EL素子を想定し、透明電極を含む有機層と反射層(体)の間にある低屈折率層及び低屈折率層の距離による光取出し効率向上する効果は、図2に示すような計算モデル2による見積もった。ここでは、反射体(層)は平面Ag反射体を利用している。素子サイズは50mm四角である。
計算モデル2の構成は以下のとおりである。
空気/透明基板(1):n1.5、k0、厚み0.7mm/光取出し性能を持つ塗布型導電層(2)(拡散散乱膜):ポリマー:屈折率nb1.8、減衰係数k0;架橋アクリル系粒子:一次粒子径、屈折率np1.49、減衰係数k0、光拡散粒子の含有率N1(体積%)、膜厚L1(μm)/有機層(3)(n1.8、吸収率10%、厚み2μm、発光領域(3a)は2mm四角)/低屈折率層(5):n1.0、k0、低屈折率層厚D(μm)/Ag反射体(6)(屈折率n0.18、減衰係数k3.4)
ここでは、有機層の構成は、塗布型導電層/正孔注入層と輸送層/発光層/電子注入層と輸送層/透明電極であることとしている。
有機層と、有機層に隣接する層とが接する面のうち、反射体層に近いほうの面は正方形であり、一辺(以下、「有機層辺長」とも称する。)がW(μm)である。
光取出し性能を持つ塗布型導電層は導電性高屈折率ポリマーに拡散される微粒子による構成される微粒子拡散散乱膜である。光取出し性能を持つ塗布型導電層の屈折率をnb1.8とした。また、前記微粒子は、一次粒子径1.5μm、屈折率n=1.49、減衰係
数k=0である。
−−シミュレーション結果−−
計算モデル2について、D/W(低屈折率層厚D(μm)、有機層辺長W(μm))=0.5に一定にして、光拡散粒子の含有率N1=10体積%、30体積%、50体積%にして、塗布型導電層の膜厚L1(μm)をパラメーターとしてシミュレーションを行い、計算モデル1の光取出し効率に対する光取出し効率の倍率を求めた。結果を図3に示す。
また、計算モデル2について、光拡散粒子の含有率を50体積%で、塗布型導電膜の膜厚は5μmに一定にして、D/Wをパラメーターとしてシミュレーションを行い、計算モデル1の光取出し効率に対する光取出し効率の倍率を求めた。計算モデル2についての結果を、後述する計算モデル3についての結果と共に図4に示す。
計算に用いる物性値は材料のd線でのデータである。
図3の結果から、拡散散乱膜の膜厚L1(μm)と光拡散粒子の含有率N1(体積%)とがL1×N1≧200を満たすと、光取り出し効率の大幅に上昇するため好ましいことが分かった。
〔参考例2〕
−有機層の両面に塗布型導電層、空気ギャップの距離による光取出し効率の向上する効果(計算モデル3)−
−−シミュレーションモデル−−
前述したように、発光層から発光した光が有機層を通り過ぎるたびに有機層に吸収され、損失になる。これを解決するために、光が有機層を1回通して低屈折率層境界に進むたびにより多く光を取出すように、図5に示すとおり、有機層の両側に光取出し性能を持つ塗布型導電層を設ける。素子サイズは50mm四角である。
計算モデル3の構成は以下のとおりである。
空気/透明基板(1):n1.5、k0、厚み0.7mm/塗布型導電層(2)(微粒子拡散散乱膜):ポリマー:屈折率nb1.8、減衰係数k0;架橋アクリル系粒子:一次粒子径1.5μm、屈折率np1.49、減衰係数k0、光拡散粒子の含有率50体積%、散乱膜膜厚5μm/有機層(3)(n1.8、吸収率10%、厚み2μm、発光領域(3a)は2mm四角)/塗布型導電層(4)(微粒子拡散散乱膜):ポリマー:屈折率nb1.8、減衰係数k0;架橋アクリル系粒子:一次粒子径1.5μm、屈折率np1.49、減衰係数k0、光拡散粒子の含有率50体積%、膜厚5μm/低屈折率層(5):n1.0、k0、低屈折率層厚D(μm)/Ag反射体(6)(屈折率n0.18、減衰係数k3.4、厚み1mm)
ここでは、有機層の構成は、塗布型導電層/正孔注入層と輸送層/発光層/電子注入層と輸送層/透明電極であることとしている。
計算モデル3について、D/Wをパラメーターとして、計算モデル2と同じようにシミュレーションを行い、計算モデル1の光取出し効率に対する光取出し効率の倍率を求めた。
計算モデル2と計算モデル3のD/Wについてシミュレーション結果は図4にまとめた。
−−シミュレーション結果−−
図4は、光拡散粒子の含有率N1、N2=50体積%、拡散散乱膜1の膜厚L1=5μm、拡散散乱膜2の膜厚L2(μm)=5μm、低屈折率層の厚さD(μm)、有機層辺長W(μm)の有機電界発光素子とし、D/Wと光取り出し効率との関係の計算結果を示す図である。
図4の結果から、低屈折率層の厚さD(μm)と有機層辺長W(μm)とがD/W≧0.2を満たすと、光取り出し効率が更に上昇するため好ましいことが分かった。
一方、有機層と、有機層に隣接する層とが接する面のうち、反射体層に近いほうの面の面積S(μm)を用いて考えると、上記面積Sと上記有機層辺長Wとは、S=Wの関係を満たす。
よって、光取り出し効率を上昇させるためには、有機層に隣接する層とが接する面のうち、反射体層に近いほうの面の面積をS(μm)としたとき、前記DがSに対して0.04倍以上であることが好ましいことが分かった。
<有機電界発光素子の作製>
上記シミュレーションの結果を踏まえ、下記の有機電界発光素子を作製し、光取り出し効率の測定を行った。
−拡散導電層塗布液1の作成−
PEDOT−PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホン酸)、屈折率:1.5)に酸化チタン粒子(一次粒子径(φ)100nm以下)が分散されたスラリー材をドープし、オムニミキサーにて十分に攪拌し導電性バインダ材料を得た。
PEDOT−PSSと酸化チタン粒子の体積割合は必要な屈折率が得られる割合とすればよく、純粋な酸化チタンではPEDOT−PSS:酸化チタン=7:3〜6:4程度となるが、混合物、シェルコア構造を持った粒子では必要な屈折率が得られるよう適宜割合を調整すればよい。酸化チタンの代わりに屈折率の高い透明な粒子(例えば酸化ジルコニウム粒子等、粒状の透明材料)やスラリーやゾル状態のものを加えてもよい。
続いて、光拡散粒子(一次粒子径(φ)1.5μmの架橋アクリル系粒子)「材料名:MX−150」をスターラーにて攪拌しながら前記「導電性バインダ材料」にドープする。更にオムニミキサーにて光拡散粒子を十分に分散させた。
架橋アクリル系等の樹脂粒子の代わりに、径が1〜10μm程度の無機材料(酸化ジルコニウム、酸化チタン等)を加えてもよい。
導電性バインダの屈折率は1.8(PEDOT−PSS+酸化チタンスラリー)、光拡散粒子の屈折率は1.49(架橋アクリル系粒子の場合)で屈折率差が十分に大きく、薄膜でも光取り出しに十分な拡散を得た。
導電性バインダ材料と光拡散粒子の体積比は導電性バインダ:光拡散粒子MX−150では50:50〜90:10とした。
−拡散導電層塗布液2の作製−
前記「拡散導電層塗布液1の作成」と同様にPEDOT−PSSに酸化チタン粒子が分散されたスラリー材をドープし、オムニミキサーにて十分に攪拌し導電性バインダ材料を得た。
PEDOT−PSSと酸化チタン粒子の体積割合は必要な屈折率が得られる割合とすればよい。ここではPEDOT−PSSと酸化チタン粒子の体積割合を50:50〜90:10とした。
酸化チタンの代わりに、屈折率の高い透明な粒子(例えば酸化ジルコニウム粒子等、粒状の透明材料)を加えても良い。
−ガラス基板表面処理−
ガラス基板はシランカップリング処理を行い、拡散層−ガラス間の密着性を高めた。
−フォトリソ補助配線の成膜−
拡散層または平坦化層成膜後、真空蒸着機にて補助配線としてアルミニウムを200nmないし100nm成膜し、フォトリソ工程により、補助配線形状に形成した。
−マスク補助配線の成膜−
拡散層または平坦化層成膜後、真空蒸着機にて補助配線としてアルミニウムを200n
m、金属マスクにより成膜した。マスクにより、エッチングで得られる配線形状より丸みを帯びた形状となる。
−第1の透明電極(拡散導電層1)の成膜−
前記拡散導電層塗布液1をエッジコーターにて前記基板上に塗布した。塗布後、環境120℃内で乾燥、硬化させ、膜厚L1が1〜25μmの第1の透明電極を得た。
−第1の透明電極を形成する第2の層(平坦化層)の成膜−
拡散導電層1の表面の凹凸の度合いによっては拡散導電層塗布液2を拡散導電層1上に塗布してもよい。この場合、第1の透明電極は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する第1の層と、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を含まず、一次粒子径が100nm以下の粒子を含む第2の層との二層からなる。
−有機層の作成−
前記手法で作成した基板の第1電極上に、真空蒸着装置により、HAT−CNを10nm積層し、正孔注入層1を形成した。
前記正孔注入層1上に2−TNATA(4,4’,4”−トリス(N,N−(2−ナフチル)−フェニルアミノ)トリフェニルアミン:99.8質量%)とF4−TCNQ(0.2質量%)を160nm共蒸着させ、正孔注入層2を形成した。
前記正孔注入層2上にα−NPD(Bis[N−(1−naphthyl)−N−phenyl]benzidine)を10nm積層し、正孔輸送層を形成した。
前記正孔輸送層上にmCP(60質量%)と発光材料A(40質量%)を30nm共蒸着させ、発光層を形成した。
更に発光層上にBAlq(Bis−(2−methyl−8−quinolinolato)−4−(phenyl−phenolate)−aluminium(III))を40nm積層し電子輸送層を形成することにより、有機層が得られた。
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
−第2の透明電極(ITO)の成膜−
前記有機層上にスパッタ装置を用いITOを100nm形成した。
−封止及び反射層の作製−
封止缶裏面(内側)に対して、Agでコーティングした反射層、又は、反射率が90%以上の拡散反射板を付与し、窒素ガス雰囲気中にて、基板との設置面に封止材を塗った封止ガラス缶にて基板の有機層側を封止した。この窒素ガス(屈折率:1)充填領域を低屈折率層とした。
前記有機層の前記基板に平行な面は正方形であり、前記反射層又は拡散反射板と前記第2の透明電極との距離(低屈折率層の厚さ)は、該正方形の一辺に対して0.01〜0.5倍とした。
<光取り出し効率の測定>
直流定電流を各有機電界発光素子に印加して発光させ、浜松ホトニクス株式会社製の外部量子効率測定装置「C9920−12」を用いて外部量子効率を測定した。そして、以下の式から前記有機電界発光素子の光取り出し効率を算出した。
光取り出し効率(倍)=(有機電界発光素子の外部量子効率/参考素子の外部量子効率)
〔参考例〕
ガラス基板(11)上にマスク補助配線の成膜をせず、第1の透明電極(12)としてITO(100nm)をスパッタで設け、第2の電極(14)としてAg(100nm)を蒸着で設け、封止缶に反射体を付与しない以外は上記と同様の方法で、参考例の有機電界発光素子(参考素子)を作製した。参考素子の光取り出し効率を1として、以下の実施例の素子について光取り出し効率を評価した。
参考素子の層構造を図6に示す。
〔実施例1〜8〕
上記有機電界発光素子の作成方法において、拡散導電層1(23)の厚さL1(μm)、粒子含有率N1(vol%)、D/S及び反射体(28)をそれぞれ表1に記載の内容とし、実施例1〜8の有機電界発光素子を作製した。光取り出し効率の測定結果は、表1のとおりであった。なお、表1及びそれ以降の各表におけるD/Sとは、低屈折率層厚をD(μm)とし、有機層と、有機層に隣接する層とが接する面のうち、反射体層に近いほうの面の面積をS(μm)としたときのD/Sを意味する。
実施例1〜8の有機電界発光素子の層構造を図7に示す。
〔実施例10〜12〕
実施例1〜8の素子構成における第2の透明電極(ITO)に代えて、拡散導電層1と同様の方法により第2の透明電極としての拡散電極(26)を設け、実施例10〜13の
有機電界発光素子を作製した。ここで、第1の透明電極(23)及び第2の透明電極の拡散導電層の厚さL1、L2(μm)及び粒子含有率N1、N2(vol%)、D/S並びに反射体(28)をそれぞれ表2に記載の内容とした。光取り出し効率の測定結果は、表2のとおりであった。
実施例10〜12の有機電界発光素子の層構造を図8に示す。
〔実施例14〜15〕
補助電極を設けていない事以外は、実施例1〜2と同様の方法で実施例14〜15の有機電界発光素子を作製した。光取り出し効率の測定結果は、表3のとおりであった。
実施例14〜15の有機電界発光素子の層構造を図9に示す。
〔実施例17〜19〕
実施例1の素子構成における第1の透明電極と有機層との間に拡散導電層塗布液2を用いて第1の透明電極の平坦化層(5μm、第1の透明電極における第2の層)を設け、第1の透明電極(23c)が第1の層(23a)と第2の層(23b)との二層からなる、実施例17〜19の有機電界発光素子を作製した。ここで、拡散導電層塗布液2のPEDOT−PSSと酸化チタンの体積比率と、第1の透明電極における第2の層の屈折率を表4に記載の内容とした。光取り出し効率の測定結果は、表4のとおりであった。
実施例17〜19の有機電界発光素子の層構造を図10に示す。
〔比較例1〕
第1の透明電極(29)としてITOを100nmをスパッタで設けた以外は、実施例1と同様の方法で比較例1の有機電界発光素子を作製した。光取り出し効率の測定結果は、表5のとおりであった。
比較例1の有機電界発光素子の層構造を図11に示す。
〔比較例2、3〕
実施例1〜8と同様の方法によりガラス基板(21)上に拡散導電層1(23)及び有機層(24)を積層し、第2の電極(30)としてAg(100nm)を蒸着により設けた。その後、反射体を付与せず、窒素ガス雰囲気中にて、基板との設置面に封止材を塗った封止ガラス缶にて基板の有機層側を封止した。ここで、第1の透明電極の拡散導電層の厚さL1(μm)及び粒子含有率N1(vol%)をそれぞれ表6に記載の内容とした。光取り出し効率の測定結果は、表6のとおりであった。
比較例2及び3の有機電界発光素子の層構造を図12に示す。
〔比較例4〜6〕
ガラス基板(21)と透明電極(29)との間に下記の工程で光取り出し層(31)を付与する以外は、比較例1と同様の方法で有機電界発光素子を作製した。ここで、光取り出し層の厚さL1(μm)及び粒子含有率N1(vol%)をそれぞれ表7に記載の内容とした。光取り出し効率の測定結果は、表7のとおりであった。
比較例4〜6の有機電界発光素子の層構造を図13に示す。
〔比較例8〜9〕
第1の透明電極(23)に含まれる光拡散粒子の代わりに、TiOナノ粒子(15nm)、ITOナノ粒子(40nm)を添加した以外は、実施例1と同様の方法で有機電界発光素子を作製した。光取り出し効率の測定結果は、表8のとおりであった。
比較例8〜9の有機電界発光素子の層構造を図7に示す。
〔比較例10〕
実施例1の素子構成における低屈折率層を窒素(屈折率1)からMgF(屈折率1.
37)にした以外は同様の方法で、比較例10の有機電界発光素子を作製した。光取り出し効率の測定結果は、2.10であった。
比較例10の有機電界発光素子の層構造を図14に示す。
−光取り出し層塗布液の作製−
樹脂材料(アクリレート化合物「オグソールEA−0200」(大阪ガスケミカル(株)製))11.2gと、高屈折率無機フィラー(TiO分散液HTD−760(テイカ(株))40gとをトルエン42gに混合し、ローラーミキサー、スターラーにより攪拌して溶解した。更に、超音波(ソニファイヤー)によりTiOを分散させて、高屈折率樹脂を得た。
得られた高屈折率樹脂93gに光拡散粒子(平均直径1.5μmの架橋アクリル系粒子、屈折率1.49、材料名「EX−150」)14.8gをスターラーにて攪拌しながら添加し、超音波にて光拡散粒子を高屈折率樹脂に十分に分散させ、更にスターラーでよく攪拌した。続いて、重合開始剤(IRGACURE819、Ciba社製)を波長450nm以下の光がカットされた環境にて、樹脂に対し2質量%添加し、十分に攪拌し、樹脂膜中の光拡散粒子の含有率が30体積%となるような樹脂膜形成用塗布組成物を得た。
−光取り出し層の成膜−
前記光取り出し層塗布液をエッジコーターにて前記基板上に塗布し、膜厚L1が2〜10μmの光取り出し層を成膜した。
実施例1〜13の結果より、本発明の有機電界発光素子は、参考素子の光取り出し効率に比して極めて高い光取り出し効率を有することが分かった。
そして、拡散散乱膜の膜厚L1(μm)と光拡散粒子の含有率N1(体積%)とがL1×N1≧200を満たすと、光取り出し効率が更に上昇するため好ましいことが分かった。また、D/S≧0.04を満たしても、光取り出し効率が更に上昇するため好ましいことが分かった。これらの結果は、上記シミュレーションの結果とよく一致した。
比較例1の結果より、ガラス基板に隣接する透明電極が一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を含まず、低屈折率層を有する有機電界発光素子の光取り出し効率は、実施例の素子の光取り出し効率に比してきわめて低いことが分かった。
比較例2及び3の結果より、ガラス基板に隣接する透明電極が一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を含むが、低屈折率層を有しない有機電界発光素子の光取り出し効率は、実施例の素子の光取り出し効率に比して低いことが分かった。
比較例4〜7の結果より、比較例1の有機電界発光素子に対し、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を含む光取り出し層を電極とは別に設けた場合の光取り出し効率は、比較例1の光取り出し効率に比して改善するものの、依然として実施例の光取り出し効率より低いことが分かった。
比較例8及び9の結果より、光拡散粒子として一次粒子径が0.5μm以上の粒子を含有しない第1の透明電極を有する有機電界発光素子の光取り出し効率は、実施例の素子の光取り出し効率に比して低いことが分かった。
比較例10の結果より、屈折率が1.3を超える低屈折率層を有する有機電界発光素子の光取り出し効率は、実施例の素子の光取り出し効率に比して低いことが分かった。
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
Figure 2014013714
1 透明基板
2、4 塗布型導電層
3 有機層
3a 発光領域
5、27 低屈折率層
6 反射体:Ag
11、21 ガラス基板
12、29 透明電極(光拡散粒子なし)
13、24 有機層
14、30 Ag電極
22 補助配線
23 第1の透明電極(拡散導電層)
23a 第1の層(拡散導電層)
23b 第2の層(平坦化層)
23c 第1の透明電極(第1の層+第2の層)
25 第2の透明電極
26 第2の透明電極(拡散導電層)
28 反射体:Ag、拡散板
31 光取り出し層
32 MgF

Claims (11)

  1. 基板と、該基板に隣接する第1の透明電極と、少なくともひとつの有機発光層を含む有機層と、第2の透明電極と、屈折率1.3以下の低屈折率層と、反射体層と、がこの順に形成された有機電界発光素子であって、
    前記第1の透明電極は、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する有機電界発光素子。
  2. 前記第1の透明電極に含まれる一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子の含有率N1[体積%]と、前記第1の透明電極の膜厚L1[μm]とが、L1×N1≧200の関係を満たす、請求項1に記載の有機電界発光素子。
  3. 前記有機層と、該有機層に隣接する層とが接する面のうち、前記反射体層に近いほうの面の面積をS[μm]とし、前記低屈折率層の厚さをD[μm]としたとき、D/S≧0.04を満たす、請求項1又は2に記載の有機電界発光素子。
  4. 前記第1の透明電極及び前記第2の透明電極の少なくとも一方が導電性マトリックスを含有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
  5. 前記第1の透明電極が、一次粒子径が100nm以下の粒子を更に含有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
  6. 前記第1の透明電極が導電性マトリックスと一次粒子径が100nm以下の粒子とを含有し、該粒子の屈折率が該導電性マトリックスの屈折率より高い、請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
  7. 前記反射体層は金属により構成されるか、又は、反射率が90%以上の拡散反射板により構成される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
  8. 前記第1の透明電極が、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種含有する第1の層と、一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を含まず、一次粒子径が100nm以下の粒子を含む第2の層との二層からなる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
  9. 前記第1の透明電極を構成する第2の層の構成成分の屈折率と、前記第1の透明電極を構成する第1の層の構成成分から一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を除いた成分の屈折率との差の絶対値が0.02以下である、請求項8に記載の有機電界発光素子。
  10. 前記第2の透明電極が一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子を少なくとも1種以上含有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
  11. 前記第2の透明電極に含まれる一次粒子径が0.5μm以上の透明な粒子の含有率N2[体積%]と、前記第2の透明電極の膜厚L2[μm]とが、L2×N2≧200の関係を満たす、請求項10に記載の有機電界発光素子。
JP2012151167A 2012-07-05 2012-07-05 有機電界発光素子 Active JP5990049B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012151167A JP5990049B2 (ja) 2012-07-05 2012-07-05 有機電界発光素子
US13/932,585 US9614174B2 (en) 2012-07-05 2013-07-01 Organic electroluminescent devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012151167A JP5990049B2 (ja) 2012-07-05 2012-07-05 有機電界発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014013714A true JP2014013714A (ja) 2014-01-23
JP5990049B2 JP5990049B2 (ja) 2016-09-07

Family

ID=49877839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012151167A Active JP5990049B2 (ja) 2012-07-05 2012-07-05 有機電界発光素子

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9614174B2 (ja)
JP (1) JP5990049B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013106508A1 (de) * 2013-06-21 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrode und optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
EP2887411A1 (en) * 2013-12-23 2015-06-24 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Photoactive birefringent materials in OLEDs
US11432305B2 (en) 2014-05-19 2022-08-30 Qualcomm Incorporated Apparatus and method for synchronous multiplexing and multiple access for different latency targets utilizing thin control
US10278178B2 (en) 2014-05-19 2019-04-30 Qualcomm Incorporated Apparatus and method for inter-band pairing of carriers for time division duplex transmit- and receive-switching
DE102014222946A1 (de) * 2014-11-11 2016-05-12 Osram Oled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements
JP6519910B2 (ja) * 2014-12-11 2019-05-29 株式会社Joled 有機el素子および有機el素子の製造方法
EP3034548A1 (en) * 2014-12-18 2016-06-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Barrier film laminate comprising submicron getter particles and electronic device comprising such a laminate
CN104795430A (zh) * 2015-04-14 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示器件及其制作方法
DE102016107118A1 (de) 2016-04-18 2017-10-19 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode
CN114447255A (zh) * 2020-12-31 2022-05-06 湖南鼎一致远科技发展有限公司 一种电致发光器件的制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022438A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Sharp Corp 表示装置
JP2004127942A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Eastman Kodak Co 高光抽出型有機発光ダイオード(oled)デバイス
JP2004177481A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Seiko Epson Corp 表示体、表示パネルおよび表示装置
JP2004296429A (ja) * 2003-03-07 2004-10-21 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とこの素子を用いた面光源および表示装置
JP2004303724A (ja) * 2003-03-18 2004-10-28 Mitsubishi Chemicals Corp エレクトロルミネッセンス素子
JP2004333716A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Tomoegawa Paper Co Ltd 光拡散層、光拡散フィルムおよび光拡散粘着シート
JP2006032088A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007273254A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置及びその製造方法
JP2008515130A (ja) * 2004-09-27 2008-05-08 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 有機el表示装置
JP2009026541A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Fujifilm Corp 発光素子
WO2012081442A1 (ja) * 2010-12-17 2012-06-21 旭硝子株式会社 有機led素子の製造方法、散乱層で散乱される光の散乱特性をミー散乱およびレイリー散乱の間で制御する方法、ならびに透光性基板を製造する方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060244371A1 (en) * 2005-05-02 2006-11-02 Eastman Kodak Company OLED device having improved lifetime and output
US20070013293A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Eastman Kodak Company OLED device having spacers
US20070120108A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Alps Electric Co., Ltd. Light emitting device
JP2012009359A (ja) 2010-06-25 2012-01-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022438A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Sharp Corp 表示装置
JP2004127942A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Eastman Kodak Co 高光抽出型有機発光ダイオード(oled)デバイス
JP2004177481A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Seiko Epson Corp 表示体、表示パネルおよび表示装置
JP2004296429A (ja) * 2003-03-07 2004-10-21 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とこの素子を用いた面光源および表示装置
JP2004303724A (ja) * 2003-03-18 2004-10-28 Mitsubishi Chemicals Corp エレクトロルミネッセンス素子
JP2004333716A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Tomoegawa Paper Co Ltd 光拡散層、光拡散フィルムおよび光拡散粘着シート
JP2006032088A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置
JP2008515130A (ja) * 2004-09-27 2008-05-08 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 有機el表示装置
JP2007273254A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置及びその製造方法
JP2009026541A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Fujifilm Corp 発光素子
WO2012081442A1 (ja) * 2010-12-17 2012-06-21 旭硝子株式会社 有機led素子の製造方法、散乱層で散乱される光の散乱特性をミー散乱およびレイリー散乱の間で制御する方法、ならびに透光性基板を製造する方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140008620A1 (en) 2014-01-09
JP5990049B2 (ja) 2016-09-07
US9614174B2 (en) 2017-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5990049B2 (ja) 有機電界発光素子
JP6042103B2 (ja) 有機電界発光素子
Choy et al. Recent advances in transition metal complexes and light‐management engineering in organic optoelectronic devices
JP5698993B2 (ja) 光拡散層形成材料、及び光取り出し部材、並びに有機電界発光装置及びその製造方法
JP5898933B2 (ja) 積層体、及び有機電界発光装置
JP5288966B2 (ja) 発光素子及びその製造方法、並びに該発光素子を備えるディスプレイ
TWI501688B (zh) 發光裝置、其製造方法、及含其之顯示器
JP5933495B2 (ja) 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法
JP5912306B2 (ja) 有機電界発光用基板及び有機電界発光装置
KR20100063730A (ko) 유기 전계발광 소자
KR20120016028A (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
WO2013108618A1 (ja) 有機el素子及びその製造方法
JP6159550B2 (ja) 導電膜の製造方法
JP5973811B2 (ja) 有機電界発光素子、面光源、及び照明装置
Jeong et al. Controlling the Chromaticity of White Organic Light‐Emitting Diodes Using a Microcavity Architecture
WO2017056814A1 (ja) 透明有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5948276B2 (ja) 積層体、及び有機電界発光装置
CN103996794A (zh) 有机发光元件
JP6130629B2 (ja) 有機電界発光素子
JP5973812B2 (ja) 有機電界発光素子、面光源、及び照明装置
JP2013020985A (ja) 有機el表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151020

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160302

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160809

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160812

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5990049

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250