JP2012009359A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】光取り出し効率を向上するとともに、短絡の発生を低減し、高効率の光取り出しと電気特性向上とを両立した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板1と、前記基板1表面に形成され光透過性を有する第1電極2と、少なくとも一つの有機発光層を含む有機層3と、前記有機層3の前記第1電極2とは反対側に形成された第2電極4とを含む。第1電極2は、導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーとバインダーとからなる第1透明導電層5、及び、導電性高分子からなる第2透明導電層6がこの順で基板1表面に形成されたものである。
【選択図】図1
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板1と、前記基板1表面に形成され光透過性を有する第1電極2と、少なくとも一つの有機発光層を含む有機層3と、前記有機層3の前記第1電極2とは反対側に形成された第2電極4とを含む。第1電極2は、導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーとバインダーとからなる第1透明導電層5、及び、導電性高分子からなる第2透明導電層6がこの順で基板1表面に形成されたものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、照明器具、液晶バックライト、各種ディスプレイ、表示装置などに用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
従来、面発光体の代表的なものとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)が知られている。
図3に、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す。この有機エレクトロルミネッセンス素子は、光透過性の基板1の表面に光透過性の第1電極2を設け、この第1電極2の上に、有機エレクトロルミネッセンス材料からなる有機発光層を含む有機層3を設け、この有機層3の上に光反射性の第2電極4を設けることによって形成されている。そして、第1電極2と第2電極4との間に電圧を印加することによって有機層3で発光した光が、第1電極2及び基板1を通過して外部に取り出される。
一般的に光透過性の第1電極2は、ITO、IZO、AZO、GZO、FTO、ATOなどの導電性酸化物を透明導電材料として用い、スパッタ法や真空蒸着法などの気相成膜法などで形成されている。これらの製膜方法は高価な装置や多量のエネルギーが必要であり、製造コストや環境負荷を低減する技術が求められている。また、これらの方法で製膜した透明導電膜の屈折率はガラス基板に比べて高いため、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成した場合、基板1と第1電極2との間での屈折率差による全反射が生じやすい。そして、この全反射ロスが、光取り出し効率を低下させる要因になっている。
近年、導電性のナノ粒子を含有するバインダー溶液を用いて塗布や印刷などにより、透明導電膜を形成する方法が提案されている(特許文献1)。この方法を用いると、導電性のナノ粒子を保持するバインダー材料の選択により、透明導電膜の屈折率を制御することができる。屈折率を制御することにより、光学的に有利な有機エレクトロルミネッセンス素子構造を形成することができる。しかしながら、その一方で、粒子分散性が低いと透明導電膜の表面粗さが大きくなり、有機エレクトロルミネッセンス素子に短絡が生じる危険性が高くなる。このような短絡を回避する方法として、ナノ粒子を含有した透明導電膜上に粒子を含有しない、または、含有量の少ないバインダー材料をオーバーコートするなどして平坦性を改善する手法が提案されている(特許文献2)。ところが、このような方法では平坦性は改善されるものの、透明導電膜に比べオーバーコート層の導電性が低いため、電極としての電気特性は低下してしまうという問題があった。
本発明は上記について鑑みてなされたものであり、光取り出し効率を向上するとともに、短絡の発生を低減し、高効率の光取り出しと電気特性向上とを両立した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とするものである。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板と、前記基板表面に形成され光透過性を有する第1電極と、少なくとも一つの有機発光層を含む有機層と、前記有機層の前記第1電極とは反対側に形成された第2電極とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、第1電極は、導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーとバインダーとからなる第1透明導電層、及び、導電性高分子からなる第2透明導電層がこの順で基板表面に形成されたものであることを特徴とする。
上記有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、有機発光層の屈折率をn1とし、第1透明導電層の屈折率をn2とし、第2透明導電層の屈折率をn3とした場合に、n1≦n3≦n2、又は、n2≦n3≦n1の関係が成り立つことが好ましい。
上記有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、第2透明導電層は、第1透明導電層とは反対側の表面粗さRaが300nm以下であることが好ましい。
上記有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、第1透明導電層のヘイズが30%以上であることが好ましい。
上記有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、第1透明導電層は、第2透明導電層側の表面に導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーによって形成された凹凸を有することが好ましい。
本発明によれば、光透過性の電極である第1電極が、上記のような第1透明導電層と第2透明導電層とにより形成されていることにより、第1透明導電層が導電性の微細物質を含むことによって、電気特性を低下させることなく光取り出し効率を向上することができ、また、第2透明導電層が導電性高分子により形成されることによって、この層が導電性を有するオーバーコート層として機能し、電極の表面を平坦にして短絡を低減することができるので、高効率の光取り出しと電気特性向上とを両立した有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができるものである。
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
図1に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子(以下「有機EL素子」ともいう)の層構成の一例を示す。この有機EL素子は、光透過性の基板1の表面に光透過性の第1電極2を設け、この第1電極2の表面に、有機エレクトロルミネッセンス材料からなる有機発光層を含む有機層3を設け、さらにこの有機層3の表面に光反射性の第2電極4を設けることによって形成されている。そして、第1電極2と第2電極4との間に電圧を印加することによって有機層3で発光した光が、第1電極2及び基板1を通過して外部に取り出されるものであり、図1の形態は、基板1を介して光が取り出されるボトムエミッション構造と呼ばれる有機EL素子である。第1電極2と第2電極4のうち一方の電極が正極となり他方が陰極となるが、図示の形態では、第1電極2が正極、第2電極4が陰極となっている。
基板1は、光透過性を有する透明基板であり、光を透過させるものであれば特に制限されることはなく適宜の基板材料によって形成されたものを使用することができる。基板1の材料としては、例えば、ソーダガラスや無アルカリガラス等のリジッドな透明ガラス板、ポリカーボネートやポリエチレンテレフタレート等のフレキシブルな透明プラスチック板などを用いることができる。基板1は、通常、第1電極2側の表面が平坦なものが用いられる。基板1の屈折率としては、例えば、1.2〜1.8の範囲にすることができる。
そして、本発明では、第1電極2を第1透明導電層5と第2透明導電層6とにより構成するものである。第1透明導電層5及び第2透明導電層6は、この順で基板1表面に積層されて形成されている。それにより、光取り出し性を向上させるとともに、第1電極2の表面を平坦なものにして短絡を防止することができる。
第1透明導電層5は、導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーとバインダーとにより形成されている。すなわち、第1透明導電層は導電性の微細物質を含む樹脂層として形成されるものである。それにより、電気特性を低下させることなく光取り出し効率を向上することができる。
導電性ナノ粒子としては、銀、インジウム−錫酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、錫酸化物、Au等の導電性の金属又は合金微粒子、導電性高分子からなる粒子、導電性の有機材料からなる粒子、ドーパント(ドナーまたはアクセプタ)含有有機粒子、導電体と導電性有機材料(高分子含む)の混合物からなる粒子を挙げることができる。導電性ナノ粒子の粒子径は、球状粒子の場合、粒子径1〜100nmの範囲にすることができる。この範囲より大きいと透明性を損なうおそれがある。この範囲より小さいと導電性が低下するおそれがある。粒子径は、例えば、ダイナミック光散乱光度計(DLS−8000、大塚電子社製)を用いて測定することができる。
また、導電性ナノワイヤーとしては、前記導電性ナノ粒子と同様の材料によってナノサイズのワイヤー状に形成されたものを用いることができる。導電性ナノワイヤーのサイズは、直径1〜100nm、アスペクト比1〜100の範囲にすることができる。直径やアスペクト比がこの範囲より大きいと透明性を損なうおそれがある。直径やアスペクト比がこの範囲より小さいと導電性が低下するおそれがある。導電性ナノワイヤーの直径やアスペクト比は、例えば、透過型電子顕微鏡(TEM)観察により測定することができる。また、粒子径は、測定ダイナミック光散乱光度計(DLS−8000、大塚電子社製)を用いて測定することができる。
第1透明導電層5に用いられるバインダーとしては、透明性のある適宜の樹脂が用いられる。この樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、その他の熱可塑性樹脂や、これらの樹脂を構成する単量体の2種以上の共重合体が挙げられる。
第1透明導電層5において、導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーと、バインダーとの含有量比は、電極を形成した際の体積比で、例えば、導電性物質:樹脂=1:1〜1:30の範囲に設定することができる。含有量比がこの範囲になることにより、導電性と透明性とをより両立させて、電気特性と光取り出し性とを向上させることができるものである。
第1透明導電層5は、例えば、導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーを含む樹脂などの材料を、基板1表面に、スピンコート、スクリーン印刷、ディップコート、ダイコート、キャスト、スプレーコート、グラビアコートすることで形成することができる。したがって、気相法などを行う必要がなく、コーティングによって簡単に第1透明導電層5を形成することができるものである。
ここで、第1透明導電層5の屈折率をn2とする。この屈折率n2は、1.4〜1.8程度に設定することができる。屈折率n2がこの範囲になることにより、全反射ロスが低減しやすくなり、光取り出し効率がより向上するものである。
第1透明導電層5は、ヘイズが30%以上であることが好ましい。第1透明導電層5のヘイズが30%以上になることにより、基板1の内部または第1電極2の内部に閉じ篭る光を散乱させることができ、外部へ取り出す光量を増大させることができる。これにより高効率の光取り出し向上をさらに達成できるものである。ヘイズの上限は99%程度にすることができる。ヘイズは、例えば、ヘイズメーターにより測定することができる。
第2透明導電層6は導電性高分子により形成されている。それにより、この第2透明導電層6がオーバーコート層として機能して、第1電極2の表面を平坦にすることができるものである。そして、第2透明導電層6は導電性を有するので、電気特性を低下させることがない。したがって、短絡を低減し、電気特性を向上させるものである。また、第2透明導電層6は、透明な高分子の層として形成されているので、光取り出し性を向上させることができるものである。
第2透明導電層6に用いられる導電性高分子としては、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリカルバゾール、ポリアセチレンなどの導電性高分子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらを単独で用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。また、導電性を高めるために、ドーパントを用いたドーピングを行っても良い。ドーパントとしては、スルホン酸、ルイス酸、プロトン酸、アルカリ金属、アルカリ土類金属などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
第2透明導電層6は、例えば、導電性高分子の分散液などの材料を、第1透明導電層5の表面に、スピンコート、スクリーン印刷、ディップコート、ダイコート、キャスト、スプレーコート、グラビアコートすることで形成することができる。したがって、気相法などを行う必要がなく、コーティングによって簡単に第2透明導電層6を形成することができるものである。
第2透明導電層6は表面粗さRaが300nm以下であることが好ましい。すなわち、第1透明導電層6とは反対側の表面である第1電極2自体の表面の表面粗さが300nm以下となることが好ましいものである。第2透明導電層6の表面粗さRaが300nm以下になることによって、有機EL素子として機能するのに十分な平坦性を確実に達成することができ、高効率の光取り出し性と電気特性向上とをさらに両立できるものである。第2透明導電層6の表面粗さRaがこれ以上粗いと、短絡の危険性が高まるおそれがある。表面粗さRaはさらに好ましくは200nm以下にすることができる。表面粗さRaの下限としては特に制限がなく、例えば、測定器により測定される最小値とすることができる。表面粗さRaは、例えば、触針式表面形状測定器により測定することができる。
ここで、第2透明導電層6の屈折率をn3とする。この屈折率n3は、1.4〜1.8程度に設定することができる。屈折率n3がこの範囲になることにより、全反射ロスが低減しやすくなり、光取り出し効率がより向上するものである。
第1電極2の膜厚としては、例えば、20〜1000nmの範囲にすることができる。また第1透明導電層5の膜厚としては、例えば、20〜500nmの範囲にすることができる。また第2透明導電層6の膜厚としては、例えば、10〜1000nmの範囲にすることができる。これらの層の膜厚が上記範囲になることにより、より光取り出し性の向上と電気特性の向上とを両立させることができるものである。
第1透明導電層5と第2透明導電層6との間の層界面は、平坦な面であってもよいが、凹凸7を有するような面にしてもよい。この凹凸7は導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーによって形成されたものであることが好ましい。すなわち、第1透明導電層5が、第2透明導電層6側の表面に導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーの一部が突出するなどによって形成された凹凸7を有するように形成されるものである。なお、突出した導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーの表面は、バインダーの樹脂が被覆されていてもよいし、導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤー自体の表面が露出していてもよい。
図2に、第1透明導電層5の表面に凹凸7を有する形態の一例を示す。凹凸7はランダムに形成されてもよいし、規則的に形成されていてもよい。また、凹凸7は界面全体に均等に形成されていてもよいし、部分的に形成されていてもよい。このように、導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーに起因する凹凸7を第1透明導電層5の表面に形成することで、第1透明導電層5と第2透明導電層6との界面での全反射ロスを低減することができる。また、第1透明導電層5の第2透明導電層6近傍での電気特性を改善することができる。したがって、高効率の光取り出しと電気特性向上とをより両立することが可能になるものである。なお、この凹凸7は第2透明導電層6の表面平坦性を損ねないように、突出幅が第2透明導電層6の厚み以下で設けられることが好ましい。
有機層3において、有機発光層を形成する有機EL材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、ピラン、キナクリドン、ルブレン、及びこれらの誘導体、あるいは、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、及びこれらの発光性化合物からなる基を分子の一部分に有する化合物あるいは高分子等が挙げられる。また上記化合物に代表される蛍光色素由来の化合物のみならず、いわゆる燐光発光材料、例えばIr錯体、Os錯体、Pt錯体、ユーロピウム錯体等々の発光材料、又はそれらを分子内に有する化合物若しくは高分子も好適に用いることができる。これらの材料は、必要に応じて、適宜選択して用いることができる。
また、有機層3には、有機発光層以外に、正孔注入層(ホール注入層)、正孔輸送層(ホール輸送層)、電子輸送層、電子注入層などの各層を適時、設けてもよい。なお、電子注入層はもとよりこれらの層は有機物質で作製されなくてもよいが、ここでは有機層3として説明する。
ここで、有機層3の中に存在する有機発光層の屈折率をn1とする。有機発光層の屈折率n1は、1.4〜1.8程度に設定することができる。屈折率n1がこの範囲になることにより、光取り出し効率がより向上するものである。ところで、有機発光層には、中空シリカ微粒子などの中空の微粒子を含有させてもよい。それにより、有機発光層の屈折率n1を低下させることができ、屈折率が好ましい値になるよう調整することができる。中空の微粒子の粒子径は、例えば、10〜1000nm程度に設定することができる。
また、有機層3の構成としては、第1電極2に有機発光層が直接隣接する場合もあるが、第1電極2と有機発光層との間に、ホール注入層やホール輸送層など、他の有機層が単数又は複数で介在する場合がある。そして、この場合において、第1電極2と有機発光層とに挟まれる単数又は複数の有機層の屈折率は、有機発光層と同程度のものにすることができる。第1電極2と有機発光層との間の有機層の屈折率が有機発光層と同程度になれば、有機層3内での屈折率段差がなくなり、光取り出し効率がより向上するものである。
上記のように、本形態では、有機発光層の屈折率をn1とし、第1透明導電層の屈折率をn2とし、第2透明導電層の屈折率をn3としている。そして、このようにした場合に、n1≦n3≦n2、又は、n2≦n3≦n1の関係が成り立つことが好ましい。それにより、第2透明導電層6の屈折率n3が、第1透明導電層5の屈折率n1と有機発光層の屈折率n1との間の中間的な値になることによって、各層の面でのフレネル反射によるロスを低減できる。そして、これによりさらなる高効率の光取り出し性の向上を達成できるものである。また、屈折率がこのような関係になれば、外光の反射も低減することができ、発光の視認性も向上することができるものである。
有機層3の第1電極2とは反対側には、第2電極4が設けられる。第2電極4の材料としては、Alなどを用いることができるが、Alと他の電極材料を組み合わせて積層構造などとして構成するものであってもよい。このような電極材料の組み合わせとしては、アルカリ金属とAlとの積層体、アルカリ金属と銀との積層体、アルカリ金属のハロゲン化物とAlとの積層体、アルカリ金属の酸化物とAlとの積層体、アルカリ土類金属や希土類金属とAlとの積層体、これらの金属種と他の金属との合金などが挙げられ、具体的には、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウムなどとAlとの積層体、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、LiF/Al混合物/積層体、Al/Al2O3混合物などを例として挙げることができる。上記に挙げた材料や形態は一例であり、これらに限定されるものではない。光を第1電極2側から取り出す場合は反射性のよい材料を用いることが好ましい。なお、光を両面(第1電極2側及び第2電極4側の両方)から取り出すようにしてもよく、その場合、第2電極4に光透過性の材料を用いることが好ましい。
有機EL素子の製造方法としては、特に限定されるものではなく、通常の方法により作製することができる。すなわち、基板1の表面に、適宜のコーティング法や蒸着法などによって、各層を順次積層することにより形成することができる。最後に、封止キャップ等で封止してもよい。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
[素子の作製]
(実施例1)
基板1として、無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」)を用いた。この基板1の波長500nmでの屈折率は、1.50〜1.53である。
(実施例1)
基板1として、無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」)を用いた。この基板1の波長500nmでの屈折率は、1.50〜1.53である。
まず、ITOナノ粒子溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)に、ポリスチレン(PS、Aldrich社製)を分散した10wt%アセトン溶液を、体積比でITOナノ粒子:PMMA=1:8になるように混合し、混合溶液を調製した。
この混合溶液を、基板1上にスピンコート法により、膜厚100nmになるように塗布し、120℃に加熱した。これにより、第1透明導電層5を形成した。屈折率をSCI社製FilmTekで測定したところ、この第1透明導電層5(PS膜)の屈折率(n2)は、波長650nmにおいて1.6であった。また、この第1透明導電層5のヘイズは約80%であった。また、第1透明導電層5の表面を走査型プローブ顕微鏡(SPM−9600、島津製作所社製)により観察したところ、ITOナノ粒子による凹凸7が層表面に形成されていた。なお、屈折率の測定については、別の記載がない限り、以下同様に、SCI社製FilmTekにより測定した
次に、第1透明導電層5の上に、質量比1:2.5のポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリアニオンポリ(スチレンスルホン酸塩)溶液(以下、PEDOT:PSSと略称、Clevios(登録商標)PH1000、H.C.Starck社製、組成比PEDOT:PSS=1:2.5、水溶液)をスピンコート法により塗布し、膜厚200nmになるように塗布し、120℃に加熱した。これにより、第2透明導電層6を形成した。なお、PEDOT:PSSは、導電性を有する高分子である。第2透明導電層6(PEDOT:PSS膜)の屈折率(n3)は、波長650nmにおいて1.55であった。また、第2透明導電層6の表面粗さRaは200nm以下だった。これにより正極となる第1電極2が形成された。
次に、第1透明導電層5の上に、質量比1:2.5のポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリアニオンポリ(スチレンスルホン酸塩)溶液(以下、PEDOT:PSSと略称、Clevios(登録商標)PH1000、H.C.Starck社製、組成比PEDOT:PSS=1:2.5、水溶液)をスピンコート法により塗布し、膜厚200nmになるように塗布し、120℃に加熱した。これにより、第2透明導電層6を形成した。なお、PEDOT:PSSは、導電性を有する高分子である。第2透明導電層6(PEDOT:PSS膜)の屈折率(n3)は、波長650nmにおいて1.55であった。また、第2透明導電層6の表面粗さRaは200nm以下だった。これにより正極となる第1電極2が形成された。
そして、第2透明導電層6の上に、質量比1:6のPEDOT:PSS(Clevios(登録商標)P VP AI4083、H.S.Starck)を膜厚が約65nmになるようにスピンコーターで塗布して、200℃15分間焼成することによりホール注入層を形成した。このホール注入層の屈折率は、波長650nmにおいて約1.5であった。なお、ホール注入層に用いたPEDOT:PSSは、第2透明導電層6に用いたPEDOT:PSSとは、導電性の点で相違するものであり、前者は正孔注入として機能する材料、後者は電極として機能する高導電性材料である。さらに、TFB(poly[(9,9-dioctylfuluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)])(アメリカンダイソース社製「HoleTransport Polymer ADS259BE」)を溶媒であるTHFに溶解した溶液をホール注入層の上に膜厚12nmになるようにスピンコーターで塗布してTFB膜を形成し、これを200℃で10分間焼成することによって、ホール輸送層を得た。このホール輸送層の屈折率は、波長650nmにおいて1.7であった。
次に、発光性を有する赤色高分子(アメリカンダイホース社製「Light Emittingpolymer ATS111RE」)を溶媒であるTHFに溶解した溶液を、ホール輸送層の上に膜厚が70nmになるように、スピンコーターで塗布し、100℃で10分間焼成することによって、有機発光層を形成した。この有機発光層の屈折率(n1)は、波長650nmにおいて1.7であった。
さらに、有機発光層の上に電子注入層として、真空蒸着により、Ba(高純度化学社製)を5nmの膜厚で形成した。そして最後に、電子注入層の上に陰極となる第2電極4として、真空蒸着により、Al(高純度化学社製)を80nmの膜厚で形成した。
真空蒸着の後、各層が形成された基板1を露点−80℃以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックスに大気に暴露することなく搬送した。一方、硝子製の封止キャップに吸水剤(ダイニック社製)を貼り付けると共に、封止キャップの外周部に紫外線硬化樹脂製のシール剤を塗布したものを予め用意した。そして、グローブボックス内で各層を囲むように封止キャップを基板1にシール剤で張り合わせ、紫外線照射してシール剤を硬化させることによって、各層を封止キャップで封止した。これにより、図1又は2のような層構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例2)
第1透明導電層5の材料として、ITOナノ粒子溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)に、ポリメチルメタクリレート(PMMA、Aldrich社製)を分散した10wt%アセトン溶液を、体積比でITOナノ粒子:PMMA=1:8になるように混合して調製した混合溶液を使用した。第1透明導電層5の膜厚は100nmとした。作製した第1透明導電層5の屈折率(n2)は、波長650nmにおいて1.51だった。第1透明導電層5のヘイズは約80%であった。また、第1透明導電層5の表面にはITO粒子による凹凸7が形成されていた。それ以外は、実施例1と同様にして、図1又は2のような層構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
第1透明導電層5の材料として、ITOナノ粒子溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)に、ポリメチルメタクリレート(PMMA、Aldrich社製)を分散した10wt%アセトン溶液を、体積比でITOナノ粒子:PMMA=1:8になるように混合して調製した混合溶液を使用した。第1透明導電層5の膜厚は100nmとした。作製した第1透明導電層5の屈折率(n2)は、波長650nmにおいて1.51だった。第1透明導電層5のヘイズは約80%であった。また、第1透明導電層5の表面にはITO粒子による凹凸7が形成されていた。それ以外は、実施例1と同様にして、図1又は2のような層構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例3)
有機発光層の材料として、赤色高分子(アメリカンダイホース社製「Light Emittingpolymer ATS111RE」)とイソプロパノール分散多孔質中空シリカ微粒子(触媒化成工業製「スルーリアCS60−IPA」、固形分20質量%、平均一次粒径60nm、外殻厚み約10nm)とを質量比1:1で溶媒であるTHFに溶解・分散した溶液を用いた。この溶液をホール輸送層の上に膜厚が70nmになるようにスピンコーターで塗布し、100℃で10分間焼成して有機発光層を得た。この有機発光層の屈折率(n3)は、波長650nmにおいて1.45だった。それ以外は、実施例1と同様にして、図1又は2のような層構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
有機発光層の材料として、赤色高分子(アメリカンダイホース社製「Light Emittingpolymer ATS111RE」)とイソプロパノール分散多孔質中空シリカ微粒子(触媒化成工業製「スルーリアCS60−IPA」、固形分20質量%、平均一次粒径60nm、外殻厚み約10nm)とを質量比1:1で溶媒であるTHFに溶解・分散した溶液を用いた。この溶液をホール輸送層の上に膜厚が70nmになるようにスピンコーターで塗布し、100℃で10分間焼成して有機発光層を得た。この有機発光層の屈折率(n3)は、波長650nmにおいて1.45だった。それ以外は、実施例1と同様にして、図1又は2のような層構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例4)
第1透明導電層5の材料として、銀ナノワイヤー(直径約50nm、長さ約5μm、反射率90%以上)とPMMAとを、実施例2と同じ体積比率でアセトンに分散させた銀ナノワイヤー:PMMA溶液を使用した。銀ナノワイヤーは、公知論文「MaterialsChemistry and Physics vol.114 p333-338 “Preparation of Ag nanorods with highyield by polyol process”」に準じて作成したものであり、平均直径50nm、平均長さ5μmである。作製した第1透明導電層5の屈折率(n2)は、波長650nmにおいて1.50だった。第1透明導電層5のヘイズは約80%であった。また、第1透明導電層5の表面には銀ナノワイヤーによる凹凸7が形成されていた。それ以外は、実施例2と同様にして、図1又は2のような層構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
第1透明導電層5の材料として、銀ナノワイヤー(直径約50nm、長さ約5μm、反射率90%以上)とPMMAとを、実施例2と同じ体積比率でアセトンに分散させた銀ナノワイヤー:PMMA溶液を使用した。銀ナノワイヤーは、公知論文「MaterialsChemistry and Physics vol.114 p333-338 “Preparation of Ag nanorods with highyield by polyol process”」に準じて作成したものであり、平均直径50nm、平均長さ5μmである。作製した第1透明導電層5の屈折率(n2)は、波長650nmにおいて1.50だった。第1透明導電層5のヘイズは約80%であった。また、第1透明導電層5の表面には銀ナノワイヤーによる凹凸7が形成されていた。それ以外は、実施例2と同様にして、図1又は2のような層構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(比較例1)
基板1の表面に、ITO膜(100nm、屈折率約1.9)をスパッタし、第1電極2を形成した。そしてこの第1電極2の上に、実施例1と同様の材料・方法により、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子注入層を形成し、さらにその上に第2電極4を形成し、最後に封止キャップで封止することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
基板1の表面に、ITO膜(100nm、屈折率約1.9)をスパッタし、第1電極2を形成した。そしてこの第1電極2の上に、実施例1と同様の材料・方法により、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子注入層を形成し、さらにその上に第2電極4を形成し、最後に封止キャップで封止することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(比較例2)
実施例1と同じ方法によって得た第1透明導電層5の上に、第2透明導電層を設けることなく、実施例1と同様の材料・方法により、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子注入層を形成し、さらにその上に第2電極4を形成し、最後に封止キャップで封止することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。第1透明導電層5の表面粗さRaは400nm以上であった。
実施例1と同じ方法によって得た第1透明導電層5の上に、第2透明導電層を設けることなく、実施例1と同様の材料・方法により、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子注入層を形成し、さらにその上に第2電極4を形成し、最後に封止キャップで封止することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。第1透明導電層5の表面粗さRaは400nm以上であった。
[測定]
各有機エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加して定法により量子効率(光の取り出し効率)を測定し、比較例1の外部量子効率を基準(1.0)とした場合の外部量子効率比を算出した。なお、2Vの電圧印加時の電流値を測定した。
各有機エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加して定法により量子効率(光の取り出し効率)を測定し、比較例1の外部量子効率を基準(1.0)とした場合の外部量子効率比を算出した。なお、2Vの電圧印加時の電流値を測定した。
[結果]
結果を表1に示す。
結果を表1に示す。
表1に示すように、実施例1〜4の素子は、電極がITO膜である比較例1に対して、光の取り出し効率が向上していることが確認された。また、第2透明導電層6の屈折率が、第1透明導電層5の屈折率と有機発光層の屈折率との間にある実施例2〜4の素子は、実施例1に比べて、光の取り出し効率が向上していることが確認された。一方、第2透明導電層6を形成しなかった比較例2では、2V印加時の電流値が実施例1〜4よりも高く、電極間の短絡が生じており発光も確認できなかった。これにより、各実施例における第2透明導電層6は、電極間の短絡を防止する効果があることが確認された。
1 基板
2 第1電極
3 有機層
4 第2電極
5 第1透明導電層
6 第2透明導電層
7 凹凸
2 第1電極
3 有機層
4 第2電極
5 第1透明導電層
6 第2透明導電層
7 凹凸
Claims (5)
- 基板と、前記基板表面に形成され光透過性を有する第1電極と、少なくとも一つの有機発光層を含む有機層と、前記有機層の前記第1電極とは反対側に形成された第2電極とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、第1電極は、導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーとバインダーとからなる第1透明導電層、及び、導電性高分子からなる第2透明導電層がこの順で基板表面に形成されたものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 有機発光層の屈折率をn1とし、第1透明導電層の屈折率をn2とし、第2透明導電層の屈折率をn3とした場合に、n1≦n3≦n2、又は、n2≦n3≦n1の関係が成り立つことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 第2透明導電層は、第1透明導電層とは反対側の表面粗さRaが300nm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 第1透明導電層のヘイズが30%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 第1透明導電層は、第2透明導電層側の表面に導電性ナノ粒子又は導電性ナノワイヤーによって形成された凹凸を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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Cited By (10)
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---|---|---|---|---|
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KR20140005774A (ko) | 2012-07-05 | 2014-01-15 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 유기 전계 발광 소자, 면 광원, 및 조명 장치 |
JP2014199751A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | パナソニック株式会社 | 導電性光学部材 |
US20150262730A1 (en) * | 2012-10-03 | 2015-09-17 | Hutchinson | Transparent conductive electrode and associated production method |
JP2016502230A (ja) * | 2012-10-03 | 2016-01-21 | ユッチンソン | 透明電極およびその製造方法 |
US9373818B2 (en) | 2012-05-30 | 2016-06-21 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent element |
US9614174B2 (en) | 2012-07-05 | 2017-04-04 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent devices |
US9645454B2 (en) | 2013-04-01 | 2017-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent conductive film and electric device |
KR20200030324A (ko) * | 2018-09-12 | 2020-03-20 | 계명대학교 산학협력단 | 전도성 고분자를 활용한 반투명 유기태양광전지 및 그 제조방법 |
US11469394B2 (en) | 2019-03-22 | 2022-10-11 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate having enhanced light extraction efficiency, preparation method therefor, and display device |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN109390478A (zh) * | 2017-08-07 | 2019-02-26 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
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Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8339037B2 (en) * | 2004-03-26 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Organic light emitting device with reduced angle dependency |
JP4736348B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2011-07-27 | 日本ゼオン株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
WO2005112513A1 (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Zeon Corporation | エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および表示装置 |
JP2009129882A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜、透明導電性フィルム及びフレキシブル透明面電極 |
JP2009181856A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 透明導電膜付き透明板および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010118165A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明電極とその製造方法及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9287521B2 (en) | 2012-04-23 | 2016-03-15 | Konica Minolta, Inc. | Transparent electrode, method for manufacturing transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescence element |
WO2013161639A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、透明電極の製造方法、電子デバイス、および有機電界発光素子 |
JPWO2013161639A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、透明電極の製造方法、電子デバイス、および有機電界発光素子 |
US9373818B2 (en) | 2012-05-30 | 2016-06-21 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent element |
KR20140005774A (ko) | 2012-07-05 | 2014-01-15 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 유기 전계 발광 소자, 면 광원, 및 조명 장치 |
US9614174B2 (en) | 2012-07-05 | 2017-04-04 | Udc Ireland Limited | Organic electroluminescent devices |
US20150262730A1 (en) * | 2012-10-03 | 2015-09-17 | Hutchinson | Transparent conductive electrode and associated production method |
JP2016502230A (ja) * | 2012-10-03 | 2016-01-21 | ユッチンソン | 透明電極およびその製造方法 |
US9905332B2 (en) | 2012-10-03 | 2018-02-27 | Hutchinson | Transparent conductive electrode and associated production method |
JP2014199751A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | パナソニック株式会社 | 導電性光学部材 |
US9645454B2 (en) | 2013-04-01 | 2017-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent conductive film and electric device |
KR20200030324A (ko) * | 2018-09-12 | 2020-03-20 | 계명대학교 산학협력단 | 전도성 고분자를 활용한 반투명 유기태양광전지 및 그 제조방법 |
KR102116067B1 (ko) | 2018-09-12 | 2020-05-27 | 계명대학교 산학협력단 | 전도성 고분자를 활용한 반투명 유기태양광전지 및 그 제조방법 |
US11469394B2 (en) | 2019-03-22 | 2022-10-11 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate having enhanced light extraction efficiency, preparation method therefor, and display device |
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