JP2015043256A - 光学基板およびその製造方法、発光素子、液晶素子、表示装置、液晶装置および照明装置 - Google Patents

光学基板およびその製造方法、発光素子、液晶素子、表示装置、液晶装置および照明装置 Download PDF

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Mitsuhiro Mukaidono
充浩 向殿
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Isatake Kobayashi
勇毅 小林
悦昌 藤田
Yoshimasa Fujita
悦昌 藤田
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Hisatoku Bessho
久徳 別所
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Takashi Ueki
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Abstract

【課題】光取り出し効率が充分に高い光学基板を提供する。
【解決手段】本発明の発光性基板1(光学基板)は、光透過性を有する第1の基板2と、第1の基板2から所定の間隔をおいて設けられ、第1の基板2に向けて光を射出する発光機能層5(光学層)と、第1の基板2と発光機能層5との少なくとも一方に接し、第1の基板2の発光機能層5との対向面に沿う方向に所定の間隔をおいて設けられた複数の構造物4と、第1の基板2と発光機能層5との間に設けられた気体層6と、を有する。
【選択図】図2

Description

本発明は、蛍光体等の発光機能を有する層、もしくは光散乱機能を有する層などを備えた光学基板およびその製造方法、発光素子、液晶素子、表示装置、液晶装置および照明装置に関する。
蛍光体などの発光機能を有する膜は、波長変換、エネルギー変換などに活用できる。例えば、有機エレクトロルミネッセンス(以下、「有機EL」とも言う)素子に蛍光体を組み合わせるタイプの有機EL装置は、色変換有機EL装置としてよく知られている(例えば、下記の特許文献1参照)。また、液晶素子に蛍光体を組み合わせるタイプの表示装置も知られている(例えば、下記の特許文献2参照)。
ところが、これらの装置において、大きな課題の一つは蛍光体などの発光機能を有する膜から発した光を充分に取り出すことができない、という問題である。蛍光体は、ガラス基板などの光透過性基板の上に形成される、もしくはアクリル板などの樹脂基板の内部に分散される、等の形態で使用されるのが一般的である。その場合、基板の屈折率が空気の屈折率よりも大きいため、Snellの法則に基づく全反射条件に従って基板から光を効率良く取り出すことができない。
このような課題に対して、例えば特許文献1には、有機EL素子と組み合わせた蛍光体層の側面に反射膜を設けることが開示されている。
下記の特許文献3には、透明導電層の発光層と反対側の面に屈折率が1.01〜1.3の範囲の低屈折率層を設けたアクティブマトリクス型発光素子が開示されている。
下記の特許文献4には、透明電極層と光透過性基板との間に、光を散乱させる粒子を低屈折率材料からなるマトリクス樹脂中に拡散させた浸み出し光拡散層を設けたEL素子が開示されている。
下記の特許文献5には、画素の側面に反射層を設けることにより光取り出し効率を向上させた発光素子が開示されている。
特開平11−329726号公報 特開2009−134275号公報 特開2002−278477号公報 特開2004−296437号公報 特開2010−009793号公報
上述の特許文献1、および特許文献5に開示された発明は、発光部の側面に反射部材を設けることで、発光部の側面に向かう光を正面側に取り出そうとするものである。しかしながら、有機EL素子の保護等の目的で、有機EL素子の光射出側にガラス等の光透過性基板を配置する場合がある。その場合、特許文献1、および特許文献5では、発光部からの光が透過する光透過性基板と空気との屈折率差により生じる全反射成分に対して有効な対策が施されていない。したがって、特許文献1、および特許文献5の技術では、光取り出し効率の改善に限界がある。
一方、特許文献3、および特許文献4には、低屈折率層の配置により光取り出し効率を向上できると記載されている。しかしながら、低屈折率層から光を取り出す際に依然として低屈折率層と空気との屈折率差がある。そのため、光取り出し効率を充分に高くすることは難しい。
以上、有機EL素子等の発光素子からの光を直接取り出す場合を例として課題を説明した。しかしながら、例えば発光素子からの光を光散乱層等の光学層を介して取り出す場合にも同様の課題がある。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、光取り出し効率を充分に高めることができる光学基板およびその製造方法を提供することを目的とする。また、上記の光学基板を備え、高輝度の発光素子、液晶素子、表示装置、液晶装置および照明装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の光学基板は、光透過性を有する第1の基板と、前記第1の基板から所定の間隔をおいて設けられ、前記第1の基板に向けて光を射出する光学層と、前記第1の基板と前記光学層との少なくとも一方に接し、前記第1の基板の前記光学層との対向面に沿う方向に所定の間隔をおいて設けられた複数の構造物と、前記第1の基板と前記光学層との間に設けられた気体層と、が備えられたことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記光学層の前記第1の基板との対向面とは反対側の面に、第2の基板が備えられたことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記構造物が、前記第1の基板の法線方向に配置された複数層の構造物で構成され、前記複数層の構造物が、前記第1の基板の前記対向面に接する第1の構造物と、前記光学層に接する第2の構造物と、を含むことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記第1の構造物と前記第2の構造物とが接していることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記第1の構造物と前記第2の構造物とが離間しており、前記第1の基板の外縁部に、前記第1の基板の前記対向面に接する支持部材が備えられたことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記第1の構造物の少なくとも一部が、光吸収性を有する材料からなる光吸収部材で構成されていることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記第1の構造物の外面の少なくとも一部が、光反射性を有する材料からなる光反射部材で構成されていることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記第1の構造物が、前記第1の基板と接し、光吸収性を有する材料からなる光吸収部材と、前記光吸収部材の前記第1の基板と接する面を除く残りの面を覆い、光反射性を有する材料からなる光反射部材と、から構成されたことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記第2の構造物の外面の少なくとも一部に、光反射性を有する材料からなる光反射部材が設けられたことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記光学層の厚さが、前記第2の構造物の厚さよりも薄いことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記構造物が、単一層の構造物で構成されていることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記構造物が、前記第1の基板の前記対向面と前記光学層との双方に接していることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記構造物が、前記第1の基板の前記対向面と前記光学層とのいずれか一方に接しており、前記第1の基板の外縁部および前記光学層の外縁部に、前記第1の基板の前記対向面と前記光学層との各々に接する支持部材が備えられたことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記構造物の少なくとも一部が、光吸収性を有する材料からなる光吸収部材で構成されていることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記構造物の外面の少なくとも一部が、光反射性を有する材料からなる光反射部材で構成されていることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記構造物が、前記第1の基板と接し、光吸収性を有する材料からなる光吸収部材と、前記光吸収部材の前記第1の基板と接する面を除く残りの面を覆い、光反射性を有する材料からなる光反射部材と、から構成されたことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記光学層が、所定の波長域の光を発する発光層であることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記光学層の前記第1の基板との対向面とは反対側の面に、前記波長域の光を選択的に反射し、前記波長域以外の波長域の光を選択的に透過する特性を有する波長選択反射部材が備えられたことを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記波長選択反射部材が、前記光学層の前記第1の基板との対向面とは反対側の面に備えられた第2の基板であることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記光学層が、入射された光を散乱させる光散乱層であることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記第1の基板と前記光学層との間に、カラーフィルタが備えられていることを特徴とする。
本発明の光学基板は、前記構造物が前記光学層を貫通し、前記構造物の前記第1の基板と接する面とは反対側の面と、前記光学層の前記第1の基板との対向面とは反対側の面と、が略同一平面上にあることを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、光透過性を有する第1の基板の一面に、所定の間隔をおいて複数の第1の構造物を形成する工程と、光透過性を有する第2の基板の一面に、所定の間隔をおいて複数の第2の構造物を形成する工程と、前記第2の基板の前記一面において、隣り合う前記第2の構造物に囲まれた領域に光学層を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記第1の構造物の形成面と前記第2の構造物の形成面とが互いに対向するように、所定の間隔を保持して固定する工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記第1の構造物と前記第2の構造物とが接した状態において、前記第1の基板と前記第2の基板とを固定することを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記第1の基板の一面と前記第2の基板の一面の少なくとも一方の外縁部に支持部材を形成する工程を備え、前記第1の構造物と前記第2の構造物とが接しない状態において、前記支持部材を介して前記第1の基板と前記第2の基板とを固定することを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記光学層の厚さが前記第2の構造物の厚さよりも薄くなるように、前記光学層を形成することを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、光透過性を有する第1の基板の一面と光透過性を有する第2の基板の一面のいずれか一方に、所定の間隔をおいて複数の構造物を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板のうち、前記複数の構造物を形成した側の基板の一面において、隣り合う前記構造物に囲まれた領域に光学層を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記複数の構造物を形成した側の基板の前記構造物の形成面と他の基板の一面とが互いに対向するように、所定の間隔を保持して固定する工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記構造物と前記他の基板の一面とが接した状態において、前記第1の基板と前記第2の基板とを固定することを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記第1の基板の一面と前記第2の基板の一面の少なくとも一方の外縁部に支持部材を形成する工程を備え、前記構造物と前記他の基板の一面とが接しない状態において、前記支持部材を介して前記第1の基板と前記第2の基板とを固定することを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記第1の基板と前記第2の基板とを固定した後、前記第2の基板の厚さ方向の少なくとも一部を剥離する工程を備えたことを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記第2の基板の厚さ方向の少なくとも一部を剥離した後、前記光学層の第2の基板の少なくとも一部を剥離した側の面に、第3の基板を固定する工程を備えたことを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記光学層が、所定の波長域の光を発する発光層であり、前記第3の基板が、前記波長域の光を選択的に反射し、前記波長域以外の波長域の光を選択的に透過する特性を有する波長選択反射板であることを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記第2の基板に犠牲層を形成する工程を備え、前記犠牲層の位置で前記第2の基板の厚さ方向の少なくとも一部を剥離することを特徴とする。
本発明の光学基板の製造方法は、前記第1の基板と前記第2の基板とを減圧雰囲気下で固定することを特徴とする。
本発明の発光素子は、本発明の光学基板と、前記光学基板に向けて光を射出する光源と、が備えられたことを特徴とする。
本発明の発光素子は、前記光学基板の前記光学層が、前記光源から射出された光を励起光として光を発する発光層であることを特徴とする。
本発明の液晶素子は、本発明の光学基板と、前記光学基板に向けて光を射出する光源と、前記光源から射出された光の透過率を調整する液晶セルと、が備えられたことを特徴とする。
本発明の液晶素子は、前記光学基板の前記光学層が、前記光源から射出され、前記液晶セルによって透過率が調整された光を励起光として光を発する発光層であることを特徴とする。
本発明の表示装置は、本発明の発光素子と、前記発光素子における前記光源の発光状態を制御する制御部と、が備えられたことを特徴とする。
本発明の液晶装置は、本発明の液晶素子と、前記液晶素子における前記液晶セルの透過率を制御する制御部と、が備えられたことを特徴とする。
本発明の照明装置は、本発明の発光素子と、前記発光素子における前記光源の発光状態を制御する制御部と、が備えられたことを特徴とする。
本発明によれば、光取り出し効率が充分に高い光学基板、およびその製造方法を提供することができる。また、上記の光学基板を備え、高輝度の発光素子、液晶素子、表示装置、液晶装置および照明装置を提供することができる。
本発明の第1実施形態の光学基板を示す平面図である。 第1実施形態の光学基板を示す、図1のA−A’線に沿う断面図である。 本発明の第2実施形態の光学基板を示す平面図である。 第2実施形態の光学基板を示す、図3のA−A’線に沿う断面図である。 本発明の第3実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第4実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第5実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第6実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第7実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第8実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第1変形例の光学基板を示す断面図である。 本発明の第2変形例の光学基板を示す断面図である。 本発明の第3変形例の光学基板を示す断面図である。 本発明の第4変形例の光学基板を示す断面図である。 本発明の第5変形例の光学基板を示す断面図である。 本発明の第6変形例の光学基板を示す断面図である。 本発明の第9実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第10実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第11実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第12実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第13実施形態の光学基板を示す断面図である。 本発明の第14実施形態の光学基板を示す断面図である。 (A)〜(D)本発明の第15実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(E)本発明の第16実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(D)本発明の第17実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(E)本発明の第18実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(E)本発明の第19実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(F)本発明の第20実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(F)本発明の第21実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(F)本発明の第22実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(E)本発明の第23実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(E)本発明の第24実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 (A)〜(D)本発明の第25実施形態の光学基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第26実施形態の発光素子を示す断面図である。 第1変形例の発光素子を示す断面図である。 本発明の第27実施形態の液晶素子を示す断面図である。 (A)、(B)本発明の第28実施形態の表示装置を示す正面図である。 (A)、(B)本発明の第29実施形態の照明装置を示す斜視図である。
[第1実施形態]
以下、本発明の第1実施形態について、図1、図2を用いて説明する。
本実施形態の光学基板は、発光機能を有する層を備え、例えば表示装置の発光性基板に用いて好適な光学基板の例を示す。
図1は、本実施形態の光学基板を示す平面図である。図2は、本実施形態の光学基板を示す、図1のA−A’線に沿う断面図である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
本実施形態の発光性基板1(光学基板)は、図1、図2に示すように、第1の基板2と、第2の基板3と、複数の構造物4と、発光機能を有する層5(光学層)と、気体層6と、を備えている。以下、「発光機能を有する層」のことを「発光機能層」と称する。図1に示すように、第1の基板2および第2の基板3の法線方向から見ると、複数の構造物4は、所定の間隔をおいて互いに平行に配置された複数の構造物4からなる2組の構造物群が互いに直交するように配置されている。言い換えると、複数の構造物4は、全体として格子状に配置されている。発光機能層5は、隣り合う構造物4によって囲まれた矩形状の領域に設けられている。
図2に示すように、第1の基板2と第2の基板3とは、構造物4を介して所定の間隔をおいて配置されている。第2の基板3の第1の基板2との対向面には、第1の基板2に向けて光を射出する発光機能層5が設けられている。構造物4は、第1の基板2の発光機能層5との対向面2aに沿う方向に所定の間隔をおいて複数設けられている。
構造物4は、第1の基板2および第2の基板3の厚さ方向に積層された複数層の構造物7,8で構成されている。複数層の構造物7,8は、第1の基板2の第2の基板3との対向面2aに接する第1の構造物7と、第2の基板3の第1の基板2との対向面3aに接する第2の構造物8である。本実施形態の場合、第1の構造物7と第2の構造物8とは互いに接している。第1の基板2と発光機能層5と構造物4とで囲まれた空間には気体が存在しており、この部分が気体層6を構成している。
第1の基板2は、光透過性を有する基板である。第1の基板2は、例えばガラス、石英等の無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等の透明樹脂基板等から構成される。第1の基板2は、後述する発光機能層5から発する光を射出する側の基板であり、光透過性を有することが必要である。本実施形態の具体例として、第1の基板2には、例えば液晶ディスプレイ等によく用いられる厚さ0.7mmのガラス基板が用いられる。
第2の基板3は、第1の基板と同様、光透過性を有する基板である。第2の基板3は、例えばガラス、石英等の無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等の透明樹脂基板等から構成される。本実施形態の具体例として、第2の基板3には、例えば厚さ0.7mmのガラス基板が用いられる。本実施形態の場合、後述する発光機能層5に対して第2の基板3を介して光を照射する必要がある。そのため、第2の基板3は、光透過性を有することが必要である。ただし、発光機能層5に第2の基板3を介して光を照射する必要がない場合には、第2の基板3は、光透過性を有していなくてもよい。その場合、第2の基板3は、例えば金属、無機材料等の光透過性を持たない材料から構成されていてもよい。
第1の構造物7は、第1の基板2の第2の基板3との対向面2aに壁状に形成されている。第1の構造物7には、例えば無機材料、有機材料、無機−有機ハイブリッド材料などが用いられる。本実施形態の発光性基板1が表示装置の用途で用いられる場合、第1の構造物7は、各画素もしくは各サブ画素の周囲を囲むように配置されることが望ましい。ただし、第1の構造物7は、必ずしもそのような配置でなくてもよい。もしくは、本実施形態の発光性基板1が照明装置の用途で用いられる場合、第1の構造物7は、第1の基板2上に一定の間隔で配置されることが望ましい。
第2の構造物8は、第2の基板3の第1の基板2との対向面3aに壁状に形成されている。第2の構造物8には、例えば無機材料、有機材料、無機−有機ハイブリッド材料などが用いられる。第1の構造物7と同様、本実施形態の発光性基板1が表示装置に用いられる場合、第2の構造物8は、各画素もしくは各サブ画素の周囲を囲むように配置されることが望ましいが、必ずしもそのような配置にしなくてもよい。もしくは、本実施形態の発光性基板1が照明装置に用いられる場合、第2の構造物8は、第2の基板3上に一定の間隔で配置されることが望ましい。
本実施形態の場合、第1の構造物7の幅W1は、第2の構造物8の幅W2よりも広い。しかしながら、必ずしも第1の構造物7の幅W1が第2の構造物8の幅W2より広くなくてもよい。すなわち、第1の構造物7の幅W1と第2の構造物8の幅W2とが等しくてもよい。あるいは、第1の構造物7の幅W1が第2の構造物8の幅W2より狭くてもよい。
第1の基板2と第2の基板3とは、第1の構造物7と第2の構造物8の位置が互いに一致するように対向している。ただし、第1の構造物7が存在し、第2の構造物8が存在しない箇所、もしくは第2の構造物8が存在し、第1の構造物7が存在しない箇所などがあってもよい。本実施形態の場合、第1の構造物7と第2の構造物8とが接しており、必要に応じて第1の構造物7と第2の構造物8との間に接着剤が配置され、接着剤によって第1の構造物7と第2の構造物8とが固定される。このとき、例えば接着剤に例えば酸化チタン等の粒子が分散されていると、接着剤層に光反射性が付与される点で好ましい。
第1の構造物7と第2の構造物8とは、接触しているだけで、固定されていなくてもよい。その場合、第1の基板2と第2の基板3とが分離することなく、第1の構造物7と第2の構造物8とが接触している状態を保持する必要がある。そのため、例えば第1の基板2と第2の基板3の周縁部に、第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせるための封止部材を設けてもよい。
第1の構造物7および第2の構造物8は、それぞれ光透過性、光不透過性、光吸収性、光反射性、光散乱性など、光に対する各種の特性を有していてもよい。第1の構造物7または第2の構造物8を光不透過性とする場合、これらの構造物7,8は、画素もしくはサブ画素を区画する遮光層、いわゆるブラックマトリクスとして機能する。その場合、第1の構造物7または第2の構造物8には、通常の液晶ディスプレイやカラーフィルタ基板などに用いられるブラックマトリクス技術を用いることができる。具体的には、第1の構造物7または第2の構造物8の構成材料に、例えばチタン等の金属を用いてもよいし、ブラックレジスト等の有機材料を用いてもよい。
これらの構造物7,8をブラックマトリクスとすることにより、本実施形態の発光性基板1を表示装置に適用した際に、外光の反射を抑制し、明環境でのコントラストを向上させ、視認性を向上させる効果が得られる。
一方、第1の構造物7、第2の構造物8のいずれか一方、あるいは両方を光反射性の構造物にすると、発光機能層5から発した光が横方向に伝播し、構造物を透過して逃げるのを防ぐことができる。第1の構造物7、第2の構造物8のいずれか一方、あるいは両方を光反射性にする場合、単に構造物7,8が光反射性を有するだけでは、構造物7,8の側面の各基板2,3に対する角度や構造物7,8の形状によって、取り出される光のプロファイルが大きく変わる。そのため、所望のプロファイルを得るために、構造物7,8の側面の基板2,3に対する角度や構造物7,8の形状を適切に制御する必要がある。
これに対して、構造物7,8が光反射性に加えて白色性、もしくは光散乱性を有する場合、構造物7,8で反射する光の射出方向が広がる。そのため、取り出される光のプロファイルは、構造物7,8の側面の基板2,3に対する角度や構造物7,8の形状にそれほど依存せず、自然な発光プロファイルが得られやすい。
一例として、第1の構造物7、第2の構造物8のいずれか一方、もしくは両方を光散乱性とする場合、特開2007−322546号公報、特開2008−211036号公報、特開2011−66267号公報などに開示されている高反射率の白色ソルダーレジストを利用して構造物7,8を形成することができる。あるいは、ポリイミド系やアクリル系などの感光性樹脂にTiOなどの粒子を分散させて、光反射性、光散乱性、白色性などの機能を付与することも有効な手法である。この場合、TiOなどの粒子は、粒径が200nm〜5μmであることが好ましい。この種の粒子を用いることにより、構造物7,8に光反射性を付与するとともに、光の反射方向をランダムにする光散乱性も付与することができる。
第1の構造物7、第2の構造物8のいずれか一方、もしくは両方を光散乱性とする場合、第1の構造物7や第2の構造物8は、第1の基板2、第2の基板3のいずれか一方、もしくは両方の一面上に所定のパターンで形成される。これらの構造物7,8を所定の形状にパターニングするためには、例えば光感光性樹脂に酸化チタン粒子などを添加した材料をフォトリソグラフィーによりパターニングする方法が採用できる。もしくは、樹脂に酸化チタン粒子などを添加した材料を全面に形成し、その上にフォトレジストのパターンを形成して、酸化チタン粒子を添加した樹脂層を所定のパターンにエッチングする方法が採用できる。このように、半導体製造プロセスや液晶パネル製造プロセスなどで用いられる公知の製造工程を適用することができる。
第1の構造物7や第2の構造物8の膜厚については、例えば1μm〜5μm程度の膜厚が概ね適切な範囲である。ただし、目的に合わせて、上記の範囲外の膜厚を適宜選定してかまわない。例えば、100nm〜数10μmの膜厚(高さ)を有する構造物7,8も使用可能であり、いずれの場合であっても本実施形態の効果を得ることができる。
第2の構造物8によって発光機能層5から射出された光を反射する前に、発光機能層5の内部で全反射を繰り返し、その度ごとに光の損失が生じるのは好ましくない。したがって、互いに隣り合う構造物4同士の間隔(開口径)はあまり大きくないことが望ましい。隣り合う構造物4同士の間隔は、例えば50mm、20mm、10mm、5mm、1mm、500μm、100μm、50μm、20μmなどの値とすることが望ましい。
第1の構造物7、第2の構造物8の位置は、本実施形態のように、発光機能層5の基本単位毎に、発光機能層5の周囲の全てをこれらの構造物7,8で覆うことが理想的である。ただし、発光機能層5の周囲の一部のみをこれらの構造物7,8で覆った場合でも、光取り出し効率の向上効果は得られる。
第2の構造物8は、インクジェット等のウェットプロセスによって発光機能層5を形成する場合に、第2の基板3の所定の画素領域に塗布された液体が、隣り合う画素領域に流れることを防止する機能を持たせてもよい。このような機能をより高めるために、第2の構造物8に撥液性を付与する処理を施すことも好ましい。
発光機能層5には、例えば蛍光体などが用いられる。発光機能層5を蛍光体で構成する場合、より具体的には、蛍光体と高分子樹脂との混合体などにより形成することができる。蛍光体としては、無機蛍光体、有機蛍光体、有機/無機ハイブリッド蛍光体、量子ドット蛍光体などを用いることができる。また、蛍光体は、ホスト・ゲスト型など、複数の材料で構成されていてもよい。
本実施形態では、発光機能層5が蛍光体で構成されているため、蛍光体に外部から励起光が照射されると、励起光の持つ光エネルギーによって蛍光体が発光する。ただし、発光機能層5は、必ずしも蛍光体で構成されていなくてもよい。発光機能層5は、例えば電気エネルギー、力学的エネルギー、熱エネルギー、荷電粒子線エネルギー、放射線エネルギー、音響エネルギーなどの外部エネルギーによって発光する材料で構成されていてもよい。さらに、発光機能層5は、化学反応や生化学反応によって発光する材料で構成されていてもよい。
発光機能層5を第2の構造物8で囲まれた領域に選択的に形成する方法として、例えば、マスク蒸着法、もしくはインクジェット法や印刷法等のウェット法を用いて材料を塗り分ける手法、LITI(Laser Induced Thermal Imaging)、LIPS(Laser Induced Pattern wise Sublimation)等のレーザーを用いる手法、フォトブリーチ法などの方法を適宜選択すればよい。ただし、発光機能層5は、必ずしも第2の構造物8で囲まれた領域に選択的に形成されていなくてもよく、第2の構造物8で囲まれた領域に加えて、第2の構造物8の上面に形成されていてもよい。
発光機能層5に蛍光体を用いる場合、発光機能層5は、紫外発光有機EL素子、青色発光有機EL素子、紫外発光LED、青色LED等の励起光源からの励起光を吸収し、赤色光を発する赤色蛍光体層、緑色光を発する緑色蛍光体層、青色光を発する青色蛍光体層等で構成される。ただし、励起光として青色光を適用する場合には、青色蛍光体層を設けず、青色励起光をそのまま表示に用いてもよい。励起光として指向性を有する青色光を用いる場合は、青色蛍光体層に代えて、指向性を有する励起光を散乱させ、等方的な光にして外部へ取り出せるように、光散乱層を用いてもよい。こうすることにより、蛍光体層からの光の配光特性と光散乱層からの光の配光特性とを合わせることができ、視野角特性に優れた表示を実現できる。また、蛍光体層からの発光が等方発光でない場合は、光散乱層の形成材料を調整して、光散乱層の配光特性を蛍光体層の配光特性に合わせることができる。
蛍光体層は、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよい。蛍光体層は、任意に添加剤等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料(結着用樹脂)または無機材料中に分散された構成であってもよい。
本実施形態の蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類される。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
有機系蛍光体材料としては、青色蛍光色素として、スチルベンゼン系色素:1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、トランス−4,4’−ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素:7−ヒドロキシ−4−メチルクマリン等が挙げられる。緑色蛍光色素として、クマリン系色素:2,3,5,6−1H、4H−テトラヒドロ−8−トリフロメチルキノリジン(9,9a、1−gh)クマリン(クマリン153)、3−(2′−ベンゾチアゾリル)―7−ジエチルアミノクマリン(クマリン6)、3−(2′−ベンゾイミダゾリル)―7−N,N−ジエチルアミノクマリン(クマリン7)、ナフタルイミド系色素:ベーシックイエロー51、ソルベントイエロー11、ソルベントイエロー116等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、シアニン系色素:4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチルリル)−4H−ピラン、ピリジン系色素:1−エチル−2−[4−(p−ジメチルアミノフェニル)−1,3−ブタジエニル]−ピリジニウム−パークロレート、及びローダミン系色素:ローダミンB、ローダミン6G、ローダミン3B、ローダミン101、ローダミン110、ベーシックバイオレット11、スルホローダミン101等が挙げられる。
無機系蛍光体材料としては、青色蛍光体として、Sr227:Sn4+、Sr4Al1425:Eu2+、BaMgAl1017:Eu2+、SrGa24:Ce3+、CaGa24:Ce3+、(Ba、Sr)(Mg、Mn)Al1017:Eu2+、(Sr、Ca、Ba2、0 Mg)10(PO46Cl2:Eu2+、BaAl2SiO8:Eu2+、Sr227:Eu2+、Sr5(PO43Cl:Eu2+、(Sr,Ca,Ba)5(PO43Cl:Eu2+、BaMg2Al1627:Eu2+、(Ba,Ca)5(PO43Cl:Eu2+、Ba3MgSi28:Eu2+、Sr3MgSi28:Eu2+等が挙げられる。緑色蛍光体として、(BaMg)Al1627:Eu2+,Mn2+、Sr4Al1425:Eu2+、(SrBa)Al12Si28:Eu2+、(BaMg)2SiO4:Eu2+、Y2SiO5:Ce3+,Tb3+、Sr227−Sr225:Eu2+、(BaCaMg)5(PO43Cl:Eu2+、Sr2Si38−2SrCl2:Eu2+、Zr2SiO4、MgAl1119:Ce3+,Tb3+、Ba2SiO4:Eu2+、Sr2SiO4:Eu2+、(BaSr)SiO4:Eu2+等が挙げられる。赤色蛍光体としては、Y22S:Eu3+、YAlO3:Eu3+、Ca22(SiO46:Eu3+、LiY9(SiO462:Eu3+、YVO4:Eu3+、CaS:Eu3+、Gd23:Eu3+、Gd22S:Eu3+、Y(P,V)O4:Eu3+、Mg4GeO5.5F:Mn4+、Mg4GeO6:Mn4+、K5Eu2.5(WO46.25、Na5Eu2.5(WO46.25、K5Eu2.5(MoO46.25、Na5Eu2.5(MoO46.25等が挙げられる。
上記無機系蛍光体は、必要に応じて表面改質処理を施してもよい。表面改質処理の方法としては、シランカップリング剤等の化学的処理によるもの、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、更にそれらの併用によるもの等が挙げられる。励起光による劣化、発光による劣化等に対する安定性を考慮すると、無機材料を使用する方が好ましい。さらに、無機材料を用いる場合には、無機材料の平均粒径が0.5〜50μmであることが好ましい。無機材料の平均粒径が0.5μm以下であると、蛍光体の発光効率が急激に低下する。無機材料の平均粒径が50μm以上であると、高い解像度でパターニングすることが困難になる。
蛍光体層は、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウェットプロセスにより形成できる。あるいは、上記の材料を用いて、抵抗加熱蒸着法、電子線(EB)蒸着法、分子線エピタキシー(MBE)法、スパッタリング法、有機気相蒸着(OVPD)法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により形成できる。
蛍光体層は、上記の高分子材料として感光性樹脂を用いることで、フォトリソグラフィー法によるパターニングが可能となる。ここで、感光性樹脂としては、アクリル酸系樹脂、メタクリル酸系樹脂、ポリ桂皮酸ビニル系樹脂、硬ゴム系樹脂等の反応性ビニル基を有する感光性樹脂(光硬化型レジスト材料)の一種類または複数種類の混合物を用いることができる。また、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法等のウェットプロセス、シャドーマスクを用いた抵抗加熱蒸着法、電子線(EB)蒸着法、分子線エピタキシー(MBE)法、スパッタリング法、有機気相蒸着(OVPD)法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により蛍光体材料を直接パターニングすることもできる。
蛍光体層の膜厚は、一般的には100nm〜100μm程度であるが、特に1μm〜100μmの範囲が好ましい。蛍光体層の膜厚が100nm未満であると、励起光源からの光を十分吸収できずに発光効率が低下する、必要とされる色に励起光の透過光が混じることで色純度が悪化する、といった問題が生じる。さらに、励起光源からの発光の吸収を高め、色純度の悪影響を及ぼさない程度に励起光の透過光を低減するために、蛍光体層の膜厚は1μm以上とすることが好ましい。蛍光体層の膜厚が100μmを超えると、効率の上昇には繋がらず、材料を消費するだけに留まり、材料コストが高騰する。
励起光として青色光を用いる際に、青色蛍光体層の代わりとして光散乱層を適用する場合、光散乱粒子は、有機材料、無機材料のいずれで構成してもよいが、無機材料で構成することが好ましい。これにより、指向性を有する励起光をより等方的に効率良く拡散または散乱させることが可能となる。また、無機材料を使用することにより、光や熱に安定な光散乱層を提供することができる。
光散乱粒子としては、透明度が高いものであることが好ましい。また、光散乱層としては、低屈折率の母材中に母材よりも高屈折率の微粒子が分散されたものであることが好ましい。また、青色光が光散乱層によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要である。そのため、光散乱性粒子の粒径は100nm〜500nm程度が好ましい。
光散乱粒子として、無機材料を用いる場合には、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫、およびアンチモンからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を主成分とした粒子(微粒子)等が挙げられる。光散乱粒子として、無機材料により構成された粒子(無機微粒子)を用いる場合には、例えば、シリカビーズ(屈折率:1.44)、アルミナビーズ(屈折率:1.63)、酸化チタンビーズ(屈折率 アナタース型:2.50、ルチル型:2.70)、酸化ジルコニアビーズ(屈折率:2.05)、酸化亜鉛ビーズ(屈折率:2.00)等が挙げられる。
光散乱粒子として、有機材料により構成された粒子(有機微粒子)を用いる場合には、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ(屈折率:1.49)、アクリルビーズ(屈折率:1.50)、アクリル−スチレン共重合体ビーズ(屈折率:1.54)、メラミンビーズ(屈折率:1.57)、高屈折率メラミンビーズ(屈折率:1.65)、ポリカーボネートビーズ(屈折率:1.57)、スチレンビーズ(屈折率:1.60)、架橋ポリスチレンビーズ(屈折率:1.61)、ポリ塩化ビニルビーズ(屈折率:1.60)、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒドビーズ(屈折率:1.68)、シリコーンビーズ(屈折率:1.50)等が挙げられる。
上述した光散乱粒子と混合して用いる樹脂材料としては、透光性の樹脂であることが好ましい。また、樹脂材料としては、例えば、メラミン樹脂(屈折率:1.57)、ナイロン(屈折率:1.53)、ポリスチレン(屈折率:1.60)、メラミンビーズ(屈折率:1.57)、ポリカーボネート(屈折率:1.57)、ポリ塩化ビニル(屈折率:1.60)、ポリ塩化ビニリデン(屈折率:1.61)、ポリ酢酸ビニル(屈折率:1.46)、ポリエチレン(屈折率:1.53)、ポリメタクリル酸メチル(屈折率:1.49)、ポリMBS(屈折率:1.54)、中密度ポリエチレン(屈折率:1.53)、高密度ポリエチレン(屈折率:1.54)、テトラフルオロエチレン(屈折率:1.35)、ポリ三フッ化塩化エチレン(屈折率:1.42)、ポリテトラフルオロエチレン(屈折率:1.35)等が挙げられる。
気体層6は、例えば空気、窒素、アルゴン等の種々の気体で構成することができ、気体の種類は特に限定されない。ただし、発光機能層5との反応による特性劣化を抑制する観点では、不活性ガスを用いることが望ましい。発光機能層5への水分の浸入による特性劣化を抑制する観点では、乾燥空気等の湿度が低い気体を用いることが望ましい。大気圧において、空気の屈折率は約1.000293であり、窒素の屈折率は約1.000297であり、アルゴンの屈折率は1.000281である。その他の気体を含めても、気体の屈折率は概ね1.000とみなすことができる。
気体の屈折率は、圧力が変わっても略変わらないと考えてよい。よって、気体層6の圧力は任意でよく、大気圧(1.01325×10Pa)であってもよいし、大気圧に対して減圧状態であってもよいし、加圧状態であってもよい。減圧状態の場合、絶対真空は現実には存在しないものの、気体層6の形態が維持される状態であれば、例えば高真空状態(0.1Pa〜10−5Pa)や超高真空状態(10−5Pa以下)であってもよい。すなわち、気体の圧力に係わらず、発光機能層5と第1の基板2とは、互いに接触することなく、所定の距離をおいて配置され、発光機能層5と第1の基板2との間に厚さが略一定の気体層6が形成されている必要がある。以下の説明では、気体層6の屈折率を1.000とする。
本実施形態の発光性基板1においては、第2の基板3上の発光機能層5と第1の基板2との間に気体層6が存在している。上述したように、気体層6の屈折率は1.000であり、第1の基板2に一般的な光学ガラスを用いた場合、第1の基板2の屈折率は約1.5である。したがって、例えば第2の基板3が光不透過性の基板であったとすると、図2に示すように、発光機能層6で発した光L1は、屈折率が1.000の気体層6と屈折率が1.5の第1の基板2とを透過して外部空間に射出される。
このとき、気体層6から第1の基板2に向かう光L1は低屈折率の物質から高屈折率の物質に入射することになり、気体層6と第1の基板2との界面では全反射が生じない。そのため、気体層6から第1の基板2に向かう光の略全ては第1の基板2に入射する。光L1は気体層6から第1の基板2に入射する際に、入射角θ1よりも小さい角度θ2で屈折し、第1の基板2の内部を進む。
次に、屈折率が1.5の第1の基板2と屈折率が1.000の大気(外部空間)との界面での臨界角は約42°となる。そのため、光L1は、第1の基板2の内部を進み、第1の基板2の上面(第1の基板2と外部空間との界面)に42°未満の入射角で入射したときに、第1の基板2の上面から射出される。一方、光L1は、42°以上の入射角で入射したときには、第1の基板の上面で全反射する。ところが、光L1は第1の基板2に入射する際に第1の基板2の法線方向に近い角度に屈折しているため、第1の基板2の上面に対して充分に小さい入射角で入射する。したがって、第1の基板2の上面で全反射する光は少なく、多くの光が第1の基板2から外部空間に射出される。
例えば、特許文献3に開示された従来の発光素子は、発光層から外部空間に至る光の経路中に屈折率が1.01〜1.30程度の低屈折率層を有している。これに対して、本実施形態の発光性基板1は、発光機能層5と第1の基板2との間に屈折率が1.000の気体層6を有している。そのため、本実施形態の発光性基板1の場合、光L1は第1の基板2に入射する際に従来の発光素子よりも大きく屈折し、光L1の進行方向は第1の基板2の法線方向により近くなる。したがって、第1の基板2の上面に対する光L1の入射角は従来の発光素子よりも小さくなる。その結果、本実施形態の発光性基板1では、第1の基板2の上面で全反射して第1の基板2に閉じこめられる光の割合が減り、第1の基板2の上面から射出される光の割合が増える。このように、本実施形態の発光性基板1では、光の取り出し効率を高めることができる。
さらに、第2の構造物8が光反射性を有する場合、図2に示すように、発光機能層5から第2の構造物8に向けて横方向に進む光L2は、第2の構造物8で反射して進行方向を変え、第1の基板2に向かう。このように、発光機能層5から横方向に向かう光L2を第1の基板2から取り出すことができる。これにより、光の取り出し効率を高めることができる。
[第2実施形態]
以下、本発明の第2実施形態について、図3、図4を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第1実施形態と同様であり、構造物の構成が第1実施形態と異なる。
図3は、本実施形態の光学基板を示す平面図である。図4は、本実施形態の光学基板を示す、図3のA−A’線に沿う断面図である。
図3、図4において、第1実施形態の図1、図2と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
第1実施形態の発光性基板1においては、第1の構造物7と第2の構造物8とが接していた。この構成により、第1の構造物7と第2の構造物8とが第1の基板2と第2の基板3とを相互に支持する役目を担っていた。これに対して、本実施形態の発光性基板10においては、図4に示すように、第1の構造物7と第2の構造物8とが所定の間隔dだけ離間している。間隔dは、例えば20μm以下程度である。第1の基板2や第2の基板3の表面に凹凸がある場合、間隔dは変動することがある。場合によっては、第1の構造物7と第2の構造物8とが接触し、間隔dが0μmになることもある。いずれにしても、本実施形態の発光性基板10において、少なくとも一部の第1の構造物7と第2の構造物8とは離間しているため、第1の構造物7および第2の構造物8は第1の基板2と第2の基板3とを相互に支持する役目を担うことが難しい。
そこで、第1の基板2および第2の基板3の外縁部に、第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせた状態で相互に固定するための貼り合わせ部材11が設けられている。貼り合わせ部材11は、例えば樹脂系の接着剤を用いてもよいし、無機材料等で形成してもよい。第1の基板2および第2の基板3と貼り合わせ部材11との間の密着性が確保できるものであれば、特に貼り合わせ部材11の材料は問わない。
貼り合わせ部材11は、第1の基板2の第2の基板3との対向面2aと第2の基板3の第1の基板2との対向面3aとの双方に接している。すなわち、貼り合わせ部材11は、第1の基板2と第2の基板3とを相互に支持するための支持部材として機能する。また、貼り合わせ部材11は、第1の構造物7と第2の構造物8との間隔dを保持する間隔保持部材としても機能する。したがって、貼り合わせ部材11の高さH3は、第1の構造物7の高さH1と、第2の構造物8の高さH2と、間隔dと、の和に等しくなるように設定される。貼り合わせ部材11の高さH3を規定するため、貼り合わせ部材11の構成材料中に、例えば一定の径を有する粒子状のギャップ材などを混入してもよい。
貼り合わせ部材11は、図3に示すように、第1の基板2および第2の基板3の外縁部に格子状の構造物4を囲むように矩形環状に設けられている。ただし、必ずしも構造物4の全周を囲むように設けられる必要はない。例えば、貼り合わせ部材11の一部が途切れ、複数の貼り合わせ部材が間隔をおいて配置されていてもよい。
本実施形態の発光性基板10においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
[第3実施形態]
以下、本発明の第3実施形態について、図5を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第1実施形態と同様であり、構造物の構成が第1実施形態と異なる。
図5は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図5において、第1実施形態の図2と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
第1実施形態の発光性基板1においては、構造物4が第1の構造物7と第2の構造物8とで構成されていた。これに対して、本実施形態の発光性基板13においては、図5に示すように、構造物が第2の構造物8のみで構成されており、第1実施形態における第1の構造物7を有していない。すなわち、本実施形態の発光性基板13では、構造物が単一層の構造物で構成されている。第2の構造物8は、第1の基板2の第2の基板3との対向面2aと第2の基板3の第1の基板2との対向面3aとの双方に接している。第2の構造物8は、発光機能層5にも接している。第2の構造物8は、光反射性、光散乱性、白色性等を有することが望ましい。その他の構成は第1実施形態と同様である。
本実施形態の発光性基板13においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果を得ることができる。本実施形態の場合、第1の構造物7が存在しないため、構造物の構成が簡単であり、第1の構造物7と第2の構造物8とを突き合わせる必要がない。したがって、第1の基板2と第2の基板3との貼り合わせ時に位置合わせ精度が低くて済み、貼り合わせ作業を容易に行うことができる。
[第4実施形態]
以下、本発明の第4実施形態について、図6を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第2実施形態と同様であり、構造物の構成が第2実施形態と異なる。
図6は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図6において、第2実施形態の図4と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
第2実施形態の発光性基板10においては、構造物4が第1の構造物7と第2の構造物8とで構成されていた。これに対して、本実施形態の発光性基板15においては、図6に示すように、構造物が第2の構造物8のみで構成されており、第2実施形態における第1の構造物7を有していない。第2の構造物8は、第1の基板2の第2の基板3との対向面2aと第2の基板3の第1の基板2との対向面3aとの双方に接している。第2の構造物8は、発光機能層5にも接している。第2の構造物8は、光反射性、光散乱性、白色性等を有することが望ましい。その他の構成は第2実施形態と同様である。
本実施形態の発光性基板15においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果を得ることができる。本実施形態の場合、第1の構造物7が存在しないため、構造物の構成が簡単であり、第1の構造物7と第2の構造物8とを突き合わせる必要がない。第1の基板2と第2の基板3との貼り合わせ時に位置合わせ精度が低くて済み、貼り合わせ作業を容易に行うことができる。
[第5実施形態]
以下、本発明の第5実施形態について、図7を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第2実施形態と同様であり、第2の基板の構成が第2実施形態と異なる。
図7は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図7において、第2実施形態の図4と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
第1実施形態において、第2の基板3は光透過性もしくは光不透過性を有する基板である、などと説明した。ただし、発光機能層5として蛍光体層を用い、第2の基板3を介して蛍光体層に励起光を照射する構成を採用する場合には、実用的には第2の基板3を本実施形態の構成とすることがより望ましい。
本実施形態の発光性基板17においては、図7に示すように、第2の基板18は、特定の波長域の光を選択的に透過し、その他の波長域の光を選択的に反射する機能を有している。この種の機能は、屈折率が異なる層を交互に多層積層した多層膜を基板本体の一面に形成することで実現できる。もしくは、この種の機能は、屈折率が異なる層を交互に多層積層してなるシートを基板上に貼り合わせることで実現できる。この種の機能を有する部材は、しばしばバンドパスフィルターなどと呼ばれる。その他の構成は第2実施形態と同様である。
具体的には、第2の基板18は、発光機能層5を発光させるための励起光の波長域の光を選択的に透過し、発光機能層5で発光した波長域の光を選択的に反射する機能を有している。したがって、励起光として紫外光を用いる場合、第2の基板18は、紫外域の光を選択的に透過し、青色域〜赤色域の光を選択的に反射する機能を有することが望ましい。あるいは、励起光として青色光を用いる場合、第2の基板18は、青色域の光を選択的に透過し、緑色域〜赤色域の光を選択的に反射する機能を有することが望ましい。
この構成によれば、図7に示すように、励起光L0は、第2の基板18を透過して発光機能層5に達することができる。一方、発光機能層5で発光した光L1は第2の基板18を透過することができない。発光機能層5で発光した光L1は第2の基板18で反射した後、気体層6、第1の基板2を順次透過し、第1の基板2の上面から外部空間に射出される。
本実施形態の発光性基板17においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態の発光性基板17は、気体層6を備えたことに加えて、第2の基板18が波長選択反射機能を有しているため、光の取り出し効率をより高めることができる。
[第6実施形態]
以下、本発明の第6実施形態について、図8を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第5実施形態と同様であり、第1の構造物の構成が第5実施形態と異なる。
図8は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図8において、第5実施形態の図7と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
第1実施形態において、第1の構造物7の全体が光吸収性もしくは光反射性を有する材料で形成されていた。これに対して、本実施形態の発光性基板20においては、図8に示すように、第1の構造物21が、光吸収層22と、光吸収層22の外面を被覆する光反射層23と、の2層構造となっている。光反射層23は、光吸収層22の側面と下面には形成されているが、第1の基板2に接する側の面には形成されていない。光吸収層22、光反射層23の構成材料としては、第1実施形態で例示したものが用いられる。その他の構成は、第5実施形態と同様である。
第1の構造物21は、光吸収層22と光反射層23の幅が等しく、光吸収層22上に光反射層23が積層された構成であってもよい。しかしながら、本実施形態のように、光吸収層22の幅W3よりも光反射層23の幅W4が大きく、光吸収層22の外面上を光反射層23が覆う構成である方が望ましい。その理由は、光吸収層22の外面上を光反射層23が覆っていないと、発光機能層5で発した光が光吸収層22に当たるからである。発光機能層5で発した光が光吸収層22に当たると、吸収されて光の損失につながるからである。
本実施形態の発光性基板20においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態によれば、2層構造の第1の構造物21を備えたことにより、図8に示すように、第1の基板2の外側から入射する外光LGは光吸収層22で吸収され、発光機能層5から発した光L1は光反射層23で反射して外部に取り出される。その結果、この発光性基板20を表示装置に用いた場合、表示のコントラスト比をより高めることができる。
[第7実施形態]
以下、本発明の第7実施形態について、図9を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第6実施形態と同様であり、カラーフィルタを付加した点が第6実施形態と異なる。
図9は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図9において、第6実施形態の図8と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板25は、図9に示すように、第1の基板2の第2の基板18との対向面2aに、異なる色のカラーフィルタ層26R,26G,26Bを含むカラーフィルタ26が設けられている。第1の基板2上のカラーフィルタ26と第2の基板18上の発光機能層5との間に気体層6が介在している。カラーフィルタ26は、第1の基板2の第2の基板18との対向面2aにおいて、第1の構造物21に囲まれた領域に形成されている。その他の構成は、第6実施形態と同様である。
本実施形態のカラーフィルタ26は、赤色光を透過する赤色カラーフィルタ層26Rと、緑色光を透過する緑色カラーフィルタ層26Gと、青色光を透過する青色カラーフィルタ層26Bと、を含む。カラーフィルタ26は、発光機能層5から射出される光の分光スペクトルを調整する機能と、第1の基板2に外部から入射する外光の反射を抑制する機能を併せ持っている。
赤色カラーフィルタ層26R、緑色カラーフィルタ層26G、青色カラーフィルタ層26Bは、発光機能層5もしくは光散乱層から射出される光の色に対応して配置されている。すなわち、赤色カラーフィルタ層26Rは、赤色光を発光する発光機能層5Rに対応する位置に配置されている。同様に、緑色カラーフィルタ層26Gは、緑色光を発光する発光機能層5Gに対応する位置に配置されている。青色カラーフィルタ層26Bは、青色光を発光する発光機能層5Bもしくは青色光を射出する光散乱層27に対応する位置に配置されている。
なお、対応する発光機能層5R,5G,5Bとカラーフィルタ層26R,26G,26Bとにおいて、発光機能層5R,5G,5Bからの射出光の分光スペクトルとカラーフィルタ層26R,26G,26Bの透過光の分光スペクトルとは、完全に一致する必要はなく、双方のスペクトルの少なくとも一部が重なっていればよい。すなわち、発光機能層5R,5G,5Bから射出される光の色相とカラーフィルタ層26R,26G,26Bを透過する光の色相とが少なくとも一致していればよい。
本実施形態の発光性基板25においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態の発光性基板25はカラーフィルタ26を備えているため、用いるカラーフィルタ26の分光スペクトルを適宜調整することで、発光性基板25から射出される光を所望の色相に調整することができる。また、カラーフィルタ26により外光の反射が抑制されるため、表示のコントラスト比を高めることができる。
[第8実施形態]
以下、本発明の第8実施形態について、図10を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第7実施形態と同様であり、カラーフィルタの配置が第7実施形態と異なる。
図10は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図10において、第7実施形態の図9と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板28は、図10に示すように、第2の基板18の発光機能層5上に、異なる色のカラーフィルタ層26R,26G,26Bを含むカラーフィルタ26が設けられている。第1の基板2と第2の基板18上のカラーフィルタ26との間に気体層6が介在している。カラーフィルタ26は、第2の基板18の発光機能層5上において第2の構造物8に囲まれた領域に形成されている。
本実施形態の場合、赤色カラーフィルタ層26Rは、赤色光を発光する発光機能層5R上に積層されている。同様に、緑色カラーフィルタ層26Gは、緑色光を発光する発光機能層5G上に積層されている。青色カラーフィルタ層26Bは、青色光を発光する発光機能層5B上もしくは青色光を散乱させる光散乱層27上に積層されている。すなわち、カラーフィルタ26は、発光機能層5と第1の基板2との間であれば、第1の基板2の側に配置されていてもよいし、第2の基板18の側に配置されていてもよい。カラーフィルタ26の構成は第7実施形態と同様である。その他の構成は第7実施形態と同様である。
本実施形態の発光性基板28においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果が得られる。また、カラーフィルタ26の使用により、発光性基板28からの光を所望の色相に調整できる、表示のコントラスト比を高められる、という第7実施形態と同様の効果が得られる。
以下、発光性基板の変形例をいくつか例示する。
以下の変形例は、上記第1〜第8実施形態の発光性基板の各構成要素の組み合わせを変えたものである。
以下の図面において、第1〜第8実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
[第1変形例]
第1変形例の発光性基板30は、図11に示すように、構造物が第1の構造物21のみで構成されている。第1の構造物21は、光吸収層22と光反射層23との2層構造である。第2の基板18は波長選択反射機能を有している。
[第2変形例]
第2変形例の発光性基板32は、図12に示すように、構造物が第2の構造物8のみで構成されている。第2の構造物8は第1の基板2と接していない。第2の基板18は波長選択反射機能を有している。
[第3変形例]
第3変形例の発光性基板34は、図13に示すように、構造物4が第1の構造物7と第2の構造物8とで構成されている。第1の構造物7と第2の構造物8とは互いに接している。第2の基板18は波長選択反射機能を有している。
[第4変形例]
第4変形例の発光性基板36は、図14に示すように、構造物が第1の構造物21と第2の構造物8とで構成されている。第1の構造物21と第2の構造物8とは互いに接している。第1の構造物21は光吸収層22と光反射層23との2層構造である。第2の基板18は波長選択反射機能を有している。
[第5変形例]
第5変形例の発光性基板38は、図15に示すように、構造物が第1の構造物21と第2の構造物8とで構成されている。第1の構造物21と第2の構造物8とは互いに接している。第1の構造物21は光吸収層22と光反射層23との2層構造である。第2の基板18は波長選択反射機能を有している。第1の基板2上にカラーフィルタ26が備えられている。
[第6変形例]
第6変形例の発光性基板40は、図16に示すように、構造物が第1の構造物21と第2の構造物8とで構成されている。第1の構造物21と第2の構造物8とは互いに接している。第1の構造物21は光吸収層22と光反射層23との2層構造である。第2の基板18は波長選択反射機能を有している。第2の基板18上にカラーフィルタ26が備えられている。
上記第1〜第6変形例の発光性基板30,32,34,36,38,40においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果が得られる。
[第9実施形態]
以下、本発明の第9実施形態について、図17を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第4変形例と同様であり、構造物の構成が第4変形例と異なる。
図17は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図17において、第4変形例の図14と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板42は、図17に示すように、格子状の構造物21で囲まれた各領域内に、さらに他の構造物43が設けられている。構造物43は、第1の基板2上の第1の構造物21と同様の構成を有しており、光吸収層22と光反射層23との2層構造である。構造物43が設けられた領域には第2の構造物8が存在せず、構造物43は気体層6に面している。その他の構成は第4変形例と同様である。
本実施形態の発光性基板42においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態の発光性基板42は構造物43を備えており、光吸収層22が占める割合がより多くなっている。これらの光吸収層22により外光の反射が抑制されるため、表示のコントラスト比をさらに高めることができる。
[第10実施形態]
以下、本発明の第10実施形態について、図18を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第9実施形態と同様であり、構造物の構成が第9実施形態と異なる。
図18は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図18において、第9実施形態の図17と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板45は、図18に示すように、格子状の構造物21で囲まれた各領域内に、さらに他の構造物46が設けられている。構造物46は、第1の基板2上の第1の構造物21とは高さが異なっている。構造物46は、第1の構造物21よりも高さが高く、第2の基板18上の発光機能層5と接している。構造物46は、光吸収層22と光反射層23との2層構造である。その他の構成は第9実施形態と同様である。
本実施形態の発光性基板45においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果が得られる。さらに、表示のコントラスト比を高められる、という第9実施形態と同様の効果が得られる。
[第11実施形態]
以下、本発明の第11実施形態について、図19を用いて説明する。
第1〜第10実施形態の発光性基板は第2の基板を備えていたのに対し、以下の第11〜第14実施形態では第2の基板を備えていない構成の発光性基板を例示する。
図19は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図19において、第1実施形態の図2と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板48は、図19に示すように、構造物4が第1の構造物7と第2の構造物8とで構成されている。第1の構造物7と第2の構造物8とは接合されている。発光機能層5は、第2の構造物8に接触した状態で第1の基板2に支持されている。製造プロセスにおいて、第2の構造物8は元来第2の基板上に形成されるが、第1の基板と第2の基板とが貼り合わされた後、第2の構造物8を残して第2の基板が剥離されたものが本実施形態の発光性基板48である。本実施形態の発光性基板48の製造方法については後述する。第2の基板を備えていない点以外は、第1実施形態の構成と同様である。
本実施形態の発光性基板48においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態の発光性基板48は第2の基板を備えていないため、発光性基板の薄型化を図ることができる。
[第12実施形態]
以下、本発明の第12実施形態について、図20を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板は、第2の基板を備えていない点以外は第2実施形態と同様である。
図20は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図20において、第2実施形態の図4と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板50は、図20に示すように、構造物4が第1の構造物7と第2の構造物8とで構成されている。第1の構造物7と第2の構造物8とは所定の間隔をおいて離間している。第1の基板2の外縁部に設けられた貼り合わせ部材11の下面は発光機能層5に接合されている。これにより、発光機能層5は貼り合わせ部材11を介して第1の基板2に支持されている。すなわち、貼り合わせ部材11は、発光機能層5を第1の基板2に支持するための支持部材として機能する。その他の構成は第2実施形態と同様である。
本実施形態の発光性基板50においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果が得られる。また、発光性基板の薄型化を図ることができる、という第11実施形態と同様の効果が得られる。
[第13実施形態]
以下、本発明の第13実施形態について、図21を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第11実施形態と同様であり、構造物の構成が第11実施形態と異なる。
図21は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図21において、第11実施形態の図19と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
第11実施形態の発光性基板48においては、構造物4が第1の構造物7と第2の構造物8とで構成されていた。これに対して、本実施形態の発光性基板52においては、図21に示すように、構造物が第2の構造物8のみで構成されており、第11実施形態における第1の構造物7を有していない。すなわち、本実施形態の発光性基板52では、構造物が単一層の構造物で構成されている。第2の構造物8は、第1の基板2と発光機能層5とに接している。この構成では、発光機能層5は第2の構造物8により第1の基板2に支持されている。その他の構成は第11実施形態と同様である。
本実施形態の発光性基板52においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果が得られる。また、発光性基板の薄型化を図ることができる、という第11実施形態と同様の効果が得られる。
[第14実施形態]
以下、本発明の第14実施形態について、図22を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の基本構成は第12実施形態と同様であり、構造物の構成が第12実施形態と異なる。
図22は、本実施形態の光学基板を示す断面図である。
図22において、第12実施形態の図20と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
第12実施形態の発光性基板50においては、構造物4が第1の構造物7と第2の構造物8とで構成されていた。これに対して、本実施形態の発光性基板54においては、図22に示すように、構造物が第2の構造物8のみで構成されており、第12実施形態における第1の構造物7を有していない。すなわち、本実施形態の発光性基板54では、構造物が単一層の構造物で構成されている。第2の構造物8は第1の基板2に接しておらず、発光機能層5は貼り合わせ部材11を介して第1の基板2に支持されている。その他の構成は第12実施形態と同様である。
本実施形態の発光性基板54においても、光の取り出し効率を高めることができる、という第1実施形態と同様の効果が得られる。また、発光性基板の薄型化を図ることができる、という第11実施形態と同様の効果が得られる。
[第15実施形態]
以下、本発明の第15実施形態について、図23(A)〜(D)を用いて説明する。
以下の第15〜第25実施形態では、本発明の光学基板の製造方法を例示する。
図23(A)〜(D)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第1の構造物の形成工程と、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、を備えている。本実施形態の製造プロセスは、第1実施形態の発光性基板の製造プロセスである。
図23(A)に示すように、第1の基板2の一面2aに、第1の構造物7を形成する。
既に述べたように、第1の構造物7は、光透過性、光不透過性、光吸収性、光反射性、光散乱性など、種々の機能を有する形態が可能である。特に好ましい一例は光吸収性を有する構造物であり、この場合、第1の構造物7はいわゆるブラックマトリクスとなる。他の好ましい一例は、光吸収層と光反射層との積層構造である。
第1の構造物7を形成する際には、例えば、通常の液晶ディスプレイやカラーフィルタ基板の製造プロセスに用いられるブラックマトリクスの形成技術を利用できる。あるいは、特開2007−322546号公報、特開2008−211036号公報、 特開2011−66267号公報などに開示されている高反射率の白色ソルダーレジストの形成技術を利用できる。あるいは、ポリイミド系やアクリル系などの感光性樹脂中にTiOなどの粒子を分散させて、光反射性、光散乱性、白色性などの機能を付与することも有効な手法である。これらの場合、パターニングは液晶ディスプレイや半導体の製造において頻繁に用いられる露光、現像、エッチングなどの処理によって行うことができるが、これに限らない。
別途、図23(B)に示すように、第2の基板3の一面3aに、第2の構造物8を形成する。
第2の構造物8は、第1の構造物7と同様、光透過性、光不透過性、光吸収性、光反射性、光散乱性など、種々の機能を有する形態が可能である。特に好ましい一例は光散乱性を有する構造物である。この場合も、上記と同様、例えば白色ソルダーレジストの形成技術を利用することができる。
次に、図23(C)に示すように、第2の基板3の第2の構造物8を形成した一面3aに発光機能層5を形成する。発光機能層5として蛍光体層を用いる場合、蛍光体を樹脂に分散させた材料を第2の基板3上に塗布する。塗布の方法としては、例えば、スピンコート法、カップコート法などを用いて蛍光体を樹脂に分散させた材料を基板全面に塗布する方法を用いることができる。もしくは、インクジェット法、ディスペンサ法などを用いて第2の構造物8で区画された領域毎に材料を塗布する方法を用いることができる。もしくは、蒸着法などを用いて蛍光体などの発光機能材料を第2の基板3上に成膜する手法を用いてもよい。
本工程においては、発光機能層5の厚さが第2の構造物8の厚さ(高さ)よりも薄くなるように材料の塗布量を調整することが望ましい。そうすることにより、第2の基板3上に発光機能層材料を塗布した際に材料の流れが第2の構造物8で堰き止められる。そのため、意図しない位置に発光機能層材料が流れ出すことを抑制できる。
次に、図23(D)に示すように、第1の構造物7と第2の構造物8とを対向させるようにして第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせる。これにより、第1の基板2と第2の基板3との間に気体層6が形成される。このとき、第1の基板2上の第1の構造物7の位置と第2の基板3上の第2の構造物8の位置とが一致するように位置合わせを行う。基板を貼り合わせる方法には、以下の種々の方法を採用できる。
最も簡単な方法は、第1の基板2と第2の基板3とを位置合わせした後、第1の基板2と第2の基板3とを押し付ける方法である。この際、必要に応じて、第1の基板2と第2の基板3とを加圧したり、加熱したりしてもよい。ただし、この方法は簡便な方法ではあるが、十分な貼り合わせ強度が得られない場合がある。
より現実的な方法は、第1の構造物7、第2の構造物8の少なくとも一方の対向面に接着剤を塗布した後、第1の基板2と第2の基板3とを位置合わせして貼り合わせる方法である。この場合も、必要に応じて、第1の基板2と第2の基板3とを加圧してもよい。接着剤の種類によっては、第1の基板2および第2の基板3を加熱してもよいし、光を照射してもよい。接着剤の塗布は、印刷などで行うことができる。
本実施形態の製造方法によれば、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造することができる。
[第16実施形態]
以下、本発明の第16実施形態について、図24(A)〜(E)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第15実施形態と同様であり、貼り合わせ部材を介して2枚の基板を貼り合わせる点が第15実施形態と異なる。
図24(A)〜(E)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図24(A)〜(E)において、第15実施形態の図23(A)〜(D)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第1の構造物の形成工程と、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、貼り合わせ部材の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、を備えている。本実施形態の製造プロセスは、第2実施形態の発光性基板の製造プロセスである。
本実施形態の製造プロセスにおいて、図24(A)〜(C)で示す工程は第15実施形態と同様である。
図24(C)に示すように、第2の基板3上に発光機能層5を形成した後、図24(D)に示すように、第2の基板3の発光機能層5上に貼り合わせ部材11を枠状に形成する。貼り合わせ部材11の構成材料には、例えば接着剤が用いられる。第2の基板3上への接着剤の塗布は、ディスペンサ法、印刷法などを用いて行うことができる。また、基板を貼り合わせた後に第1の構造物7と第2の構造物8との間隔dを一定に保持するために、接着剤中に予めギャップ材を混入しておくのもよい。ここでは、第2の基板3の発光機能層5上に貼り合わせ部材11を形成する例を示したが、第2の基板3上の発光機能層5が形成されていない領域に貼り合わせ部材11を形成してもよい。もしくは、第2の基板3に代えて、第1の基板2に貼り合わせ部材11を形成してもよい。
次に、図24(E)に示すように、第1の構造物7と第2の構造物8とを対向させるようにして、第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせ部材11を介して貼り合わせる。この際、第1の基板2上の第1の構造物7の位置と第2の基板3上の第2の構造物8の位置とが一致するように位置合わせを行う。貼り合わせの際には、必要に応じて、第1の基板2と第2の基板3とを加圧してもよい。貼り合わせ部材11に用いる接着剤の種類によっては、加熱してもよいし、光を照射してもよい。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15実施形態と同様の効果が得られる。
[第17実施形態]
以下、本発明の第17実施形態について、図25(A)〜(D)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第15実施形態と同様であり、第1の構造物を形成しない点が第15実施形態と異なる。
図25(A)〜(D)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図25(A)〜(D)において、第15実施形態の図23(A)〜(D)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、を備えている。本実施形態の製造プロセスは、第3実施形態の発光性基板の製造プロセスである。
本実施形態の製造プロセスにおいては、図25(A)に示すように、第1の基板2上には第1の構造物を形成しない。その他、図25(B)〜(D)で示す工程は第15実施形態と同様である。すなわち、図25(D)で示す工程では、構造物が形成されていない第1の基板2と第2の構造物8が形成された第2の基板3とを、第2の構造物8を介して貼り合わせる。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15〜第16実施形態と同様の効果が得られる。
[第18実施形態]
以下、本発明の第18実施形態について、図26(A)〜(E)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第17実施形態と同様であり、貼り合わせ部材を介して2枚の基板を貼り合わせる点が第17実施形態と異なる。
図26(A)〜(E)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図26(A)〜(E)において、第17実施形態の図25(A)〜(D)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、貼り合わせ部材の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、を備えている。本実施形態の製造プロセスは、第4実施形態の発光性基板の製造プロセスである。
本実施形態の製造プロセスにおいて、図26(A)〜(C)で示す工程は第17実施形態と同様である。
図26(C)に示すように、第2の基板3上に発光機能層5を形成した後、図26(D)に示すように、第2の基板3の発光機能層5上に貼り合わせ部材11を枠状に形成する。貼り合わせ部材11の構成材料には、例えば接着剤が用いられる。第2の基板3上への接着剤の塗布は、ディスペンサ法、印刷法などを用いて行うことができる。また、第1の基板2と第2の構造物8との間隔dを一定に保持するために、接着剤中に予めギャップ材を混入しておくのもよい。ここでは、第2の基板3の発光機能層5上に貼り合わせ部材11を形成する例を示したが、第2の基板3上の発光機能層5が形成されていない領域に貼り合わせ部材11を形成してもよい。もしくは、第1の基板2上に貼り合わせ部材を形成してもよい。
次に、図26(E)に示すように、第2の構造物8を第1の基板2に対向させるようにして、第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせ部材11を介して貼り合わせる。基板を貼り合わせる際には、必要に応じて、第1の基板2と第2の基板3とを加圧してもよい。貼り合わせ部材11に用いる接着剤の種類によっては、加熱してもよいし、光を照射してもよい。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15〜第17実施形態と同様の効果が得られる。
[第19実施形態]
以下、本発明の第19実施形態について、図27(A)〜(E)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第15実施形態と同様であり、2枚の基板を一旦貼り合わせた後、第2の基板を剥離する点が第15実施形態と異なる。
図27(A)〜(E)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図27(A)〜(E)において、第15実施形態の図23(A)〜(D)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第1の構造物の形成工程と、犠牲層の形成工程と、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、第2の基板の剥離工程と、を備えている。本実施形態の製造プロセスは、第11実施形態の発光性基板の製造プロセスである。
図27(A)に示すように、第1の基板2の一面2aに、第1の構造物7を形成する。第1の構造物7の具体的な形成方法は、第15実施形態で述べた通りである。
別途、図27(B)に示すように、第2の基板3の一面3aに、第2の構造物8を形成する。第2の構造物8の具体的な形成方法は、第15実施形態で述べた通りである。後工程において、第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせた後、第2の構造物8から第2の基板3を剥離する。したがって、第2の構造物8と第2の基板3との界面の位置で第2の基板3を容易に剥離できるのであれば、特に第2の基板3に加工を加える必要はなく、第2の基板3の一面に第2の構造物8を形成すればよい。ただし、一般的には、第2の基板3に加工を加えることなく、構造物と基板との界面から基板を剥離するのは難しい場合が多い。その場合には、以下の工程を加えればよい。
第2の基板3上に第2の構造物8を形成する前に、第2の基板3の一面3aから僅かな深さの位置に犠牲層57を形成する。犠牲層57の具体的な形成方法として、例えばイオン注入法を用いて第2の基板3の内部に水素イオンを高濃度に導入し、水素イオンが導入された層を形成する方法が採用できる。後で熱処理を加えて、水素イオンが導入された層から第2の基板3を剥離する方法は周知の方法である。
あるいは、犠牲層57の形成方法として、第2の基板3の一面3aに、例えば酸化リチウム等のアルカリ金属の酸化物、炭酸化物、硫酸化物、水酸化物や、炭酸ナトリウム等のアルカリ土類金属の酸化物、炭酸化物、硫酸化物、水酸化物等からなる層を形成する方法が採用できる。犠牲層57を後でエッチングして除去することにより、第2の基板3を剥離する。本方法によれば、第2の基板3の一面3aに犠牲層57を形成できるため、第2の構造物8と第2の基板3との界面の位置で第2の基板3を剥離することができる。
次に、図27(C)に示すように、第2の基板3の第2の構造物8を形成した面に発光機能層5を形成する。発光機能層5の具体的な形成方法は、第15実施形態で述べた通りである。
次に、図27(D)に示すように、第1の構造物7と第2の構造物8とを対向させるようにして、第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせる。具体的な貼り合わせ方法は、第15実施形態で述べた通りである。
次に、図27(E)に示すように、犠牲層57を除去することにより、犠牲層57の形成位置で第2の基板3を剥離する。上述したように、犠牲層57を除去する際には、犠牲層57が水素イオン導入層である場合は、貼り合わせた基板全体に熱処理を加えればよい。犠牲層57がアルカリ金属やアルカリ土類金属の化合物である場合は、ウェットエッチング、ドライエッチング等のエッチングを行えばよい。なお、犠牲層57が水素イオン導入層である場合、発光機能層5の下面側に僅かな厚さの第2の基板3の一部3fが残存する。この場合、第2の基板3として光透過性を有する基板を用いれば、第2の基板3の一部3fが残存しても、特性的に特に支障はない。また、残存した第2の基板3の一部3fにより発光機能層5や第2の構造物8が支持される点で好ましい。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15〜第18実施形態と同様の効果が得られる。
[第20実施形態]
以下、本発明の第20実施形態について、図28(A)〜(F)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第19実施形態と同様であり、貼り合わせ部材を介して2枚の基板を貼り合わせる点が第19実施形態と異なる。
図28(A)〜(F)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図28(A)〜(F)において、第19実施形態の図27(A)〜(E)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第1の構造物の形成工程と、犠牲層の形成工程と、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、貼り合わせ部材の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、第2の基板の剥離工程と、を備えている。本実施形態の製造プロセスは、第12実施形態の発光性基板の製造プロセスである。
本実施形態の製造プロセスにおいて、図28(A)〜(C)で示す工程は第19実施形態と同様である。
図28(C)に示すように、第2の基板3上に発光機能層5を形成した後、図28(D)に示すように、第2の基板3の発光機能層5上に貼り合わせ部材11を形成する。
次に、図28(E)に示すように、第2の構造物8を第1の基板に対向させるようにして第1の基板と第2の基板とを貼り合わせ部材11を介して貼り合わせる。その他の工程は第19実施形態と同様である。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15〜第19実施形態と同様の効果が得られる。
[第21実施形態]
以下、本発明の第21実施形態について、図29(A)〜(F)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第19実施形態と同様であり、第2の基板を剥離した後、剥離面に第3の基板を貼り合わせる点が第19実施形態と異なる。
図29(A)〜(F)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図29(A)〜(F)において、第19実施形態の図27(A)〜(E)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第1の構造物の形成工程と、犠牲層の形成工程と、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、第2の基板の剥離工程と、第3の基板の貼り合わせ工程と、を備えている。本実施形態の製造プロセスは、第3変形例の発光性基板の製造プロセスである。
本実施形態の製造プロセスにおいて、図29(A)〜(E)で示す工程は第19実施形態と同様である。
図29(E)に示すように、第2の基板3を剥離した後、図29(F)に示すように、第2の基板3を剥離した際に残存した第2の基板3の一部3fに、第3の基板58を貼り合わせる。本実施形態では、第3の基板58として、特定の波長域の光(励起光)を選択的に透過し、他の波長域の光(発光機能層から発する蛍光)を選択的に反射する特性を有する基板もしくはフィルムを用いる。第3の基板58を貼り合わせる際には接着剤を用いてもよいし、熱圧着などを用いてもよい。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15〜第20実施形態と同様の効果が得られる。
[第22実施形態]
以下、本発明の第22実施形態について、図30(A)〜(F)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第21実施形態と同様であり、貼り合わせ部材を介して2枚の基板を貼り合わせる点が第21実施形態と異なる。
図30(A)〜(F)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図30(A)〜(F)において、第21実施形態の図29(A)〜(F)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第1の構造物の形成工程と、犠牲層の形成工程と、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、貼り合わせ部材の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、第2の基板の剥離工程と、第3の基板の貼り合わせ工程と、を備えている。
本実施形態の製造プロセスにおいて、図30(A)〜(B)で示す工程は第21実施形態と同様である。
図30(C)に示すように、第2の基板3上に発光機能層5を形成した後、第2の基板3の発光機能層5上に貼り合わせ部材11を形成する。
次に、図30(D)に示すように、第2の構造物8を第1の構造物7に対向させるようにして、第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせ部材11を介して貼り合わせる。
その他の工程は第21実施形態と同様である。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15〜第21実施形態と同様の効果が得られる。
[第23実施形態]
以下、本発明の第23実施形態について、図31(A)〜(F)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第15実施形態と同様であり、第1の構造物が光吸収層と光反射層の2層構造である点と、第2の基板の一部を剥離する点が第15実施形態と異なる。
図31(A)〜(E)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図31(A)〜(E)において、第15実施形態の図23(A)〜(D)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第1の構造物の形成工程と、犠牲層の形成工程と、波長選択反射層の形成工程と、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、貼り合わせ部材の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、第2の基板の剥離工程と、を備えている。本実施形態の製造プロセスは、第4変形例の発光性基板の製造プロセスである。
図31(A)に示すように、第1の基板2の一面に、光吸収層22と光反射層23との2層構造を有する第1の構造物21を形成する。本実施形態の場合、光反射層23の幅W4が光吸収層22の幅W3よりも広く設定されている。このような第1の構造物21を形成する際には、最初に光吸収層22の構成材料からなる膜を形成する。次に、フォトリソグラフィーにより光吸収性材料膜をパターニングして光吸収層22を形成する。次に、光吸収層22を覆うように光反射層23の構成材料からなる膜を形成する。次に、フォトリソグラフィーにより光反射性材料膜をパターニングして光吸収層22よりも幅が広い光反射層23を形成する。このように、フォトリソグラフィーによる2回のパターニングを行うことにより、第1の構造物21を形成できる。なお、本実施形態の構成に代えて、光反射層の幅が光吸収層の幅と等しい場合には、光反射層と光吸収層とを1回のパターニングで一括して形成できる場合もある。
別途、図31(B)に示すように、第2の基板3の一面3aに、第2の構造物8を形成する。第2の構造物8の具体的な形成方法は、第15実施形態で述べた通りである。ただし、第2の基板として、犠牲層57、波長選択反射層59が順次形成された第2の基板3を用いる点は第15実施形態と異なる。よって、第2の構造物8を形成する前に、任意の基板の一面に犠牲層57、波長選択反射層59を順次形成し、第2の基板3を作成する。
次に、図31(C)に示すように、第2の基板3の一面3aに、貼り合わせ部材11を形成する。
次に、図31(D)に示すように、第1の構造物21と第2の構造物8とを対向させるようにして、第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせ部材11を介して貼り合わせる。
次に、図31(E)に示すように、犠牲層57を除去することにより、犠牲層57の形成位置で第2の基板3を剥離する。これにより、発光機能層5の下面に波長選択反射層59が残存する。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15〜第22実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態の製造方法によれば、波長選択反射機能を備えた第3の基板を後から貼り合わせることなく、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる。
[第24実施形態]
以下、本発明の第24実施形態について、図32(A)〜(E)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第23実施形態と同様であり、第1の構造物を形成しない点が第23実施形態と異なる。
図32(A)〜(E)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図32(A)〜(E)において、第23実施形態の図31(A)〜(D)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、貼り合わせ部材の形成工程と、第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、第2の基板の剥離工程と、を備えている。
本実施形態の製造プロセスにおいては、図32(A)に示すように、第1の基板2上に第1の構造物を形成しない。その他、図32(B)〜(E)で示す工程は第23実施形態と同様である。すなわち、図32(D)で示す工程では、構造物が形成されていない第1の基板2と第2の構造物8が形成された第2の基板3とを、貼り合わせ部材11を介して貼り合わせる。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15〜第23実施形態と同様の効果が得られる。
[第25実施形態]
以下、本発明の第25実施形態について、図33(A)〜(D)を用いて説明する。
本実施形態の発光性基板の製造方法の基本構成は第15実施形態と同様であり、減圧雰囲気下で基板の貼り合わせを行う点が第15実施形態と異なる。
図33(A)〜(D)は、本実施形態の発光性基板の製造工程を、順を追って示す断面図である。
図33(A)〜(D)において、第15実施形態の図23(A)〜(D)と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施形態の発光性基板の製造プロセスは、第1の構造物の形成工程と、第2の構造物の形成工程と、発光機能層の形成工程と、減圧雰囲気下での第1の基板と第2の基板との貼り合わせ工程と、を備えている。
図33(A)〜(C)で示す工程は第15実施形態と同様である。次に、第15〜第24実施形態では、常圧雰囲気下で第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせていた。これに対して、本実施形態では、減圧雰囲気下で第1の基板2と第2の基板3とを貼り合わせる。したがって、本実施形態では、図33(D)に示すように、内部が密閉可能とされたチャンバー61を備えた貼り合わせ装置を用いる。チャンバー61の内部は、ポンプ62により減圧雰囲気とされ、圧力が任意に調整できるようになっている。この種の貼り合わせ装置を用いて貼り合わせを行うことにより、第1の基板2と第2の基板3との間に形成される気体層6の圧力が大気圧よりも低くなる。
このとき、チャンバー61の内部に空気以外の気体を導入すれば、導入した気体からなる気体層6を形成することができる。例えば、チャンバー内に窒素ガスを導入すれば、窒素ガスからなる気体層6が形成される。チャンバー内に乾燥空気を導入すれば、乾燥空気からなる気体層6が形成される。その場合、発光機能層5への水分の浸入を抑制できる点で好ましい。
逆に、チャンバー61の内部を加圧状態とすれば、第1の基板2と第2の基板3との間に形成される気体層6の圧力が大気圧よりも高くなる。
本実施形態の製造方法においても、光の取り出し効率に優れた発光性基板を製造できる、といった第15〜第24実施形態と同様の効果が得られる。
[第26実施形態]
以下、本発明の第26実施形態について、図34を用いて説明する。
本実施形態では、上記発光性基板を備えた発光素子の一例として、有機EL素子の例を挙げる。
図34は、本実施形態の有機EL素子の断面図である。
本実施形態の有機EL素子70は、図34に示すように、第1の基板2と、第2の基板3と、構造物4と、有機EL光源71と、発光機能層5と、気体層6と、カラーフィルタ26と、を備えている。本実施形態の有機EL素子70は、図15に示した第5変形例の発光性基板を備えている。すなわち、構造物4は、互いに接合された第1の構造物21と第2の構造物8とで構成されている。第1の基板2上の第1の構造物21は、ブラックマトリクスとなる光吸収層22と光反射層23との2層構造を有している。第2の基板3上の第2の構造物8は、光散乱性を有している。
本実施形態において、構造物4で区画された領域の各々は、表示の最小単位である画素を構成するサブ画素に対応する。したがって、図34に示すように、隣接する3つの領域は、赤色の表示を行う赤色サブ画素72R、緑色の表示を行う緑色サブ画素72G、青色の表示を行う青色サブ画素72Bにそれぞれ対応する。赤色サブ画素72R、緑色サブ画素72G、および青色サブ画素72Bの3つのサブ画素で1つの画素が構成される。
第2の基板3の第1の基板2との対向面には、サブ画素毎に有機EL光源71が設けられている。有機EL光源71は、第1の電極73と、有機発光層74と、第2の電極75と、を備えている。 第1の電極73(下部電極)は、透明電極であればよく、例えば、ITO(Indium-tin-oxide)や、ZnO(Zinc oxide)などが用いられる。第1の電極73の厚さは、例えば100nm程度である。なお、第1の電極73は、通常はアノードであるが、カソードとすることも可能である。第1の電極73をカソードとする場合には、仕事関数の低い材料を用いる。また、配線抵抗を下げる目的等で補助配線を併設してもよい。補助配線は、例えばAl, Ag, Ta, Ti, Niなどの金属材料で形成できる。 第2の電極75(上部電極)は、第1の電極73と同様、透明電極で構成される。第2の電極75(上部電極)をアノードとすることも可能である。第2の電極75をアノードとする場合には、仕事関数の高い材料、例えば、ITOなどが好ましく用いられる。
これら以外にも、第1の電極73および第2の電極75を形成する電極材料として、公知の各種電極材料を用いることができる。電極がアノードである場合には、有機発光層74への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以上の金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)等の金属、および、インジウム(In)と錫(Sn)からなる酸化物(ITO)、錫(Sn)の酸化物(SnO)インジウム(In)と亜鉛(Zn)からなる酸化物(IZO)等が透明電極材料として挙げられる。
カソードを形成する電極材料としては、有機発光層74への電子の注入をより効率良く行う観点から、仕事関数が4.5eV以下のリチウム(Li)、カルシウム(Ca)、セリウム(Ce)、バリウム(Ba)、アルミニウム(Al)等の金属、または、これらの金属を含有するMg:Ag合金、Li:Al合金等の合金が挙げられる。
第1の電極73および第2の電極75は上記の材料を用いてEB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができる。ただし、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。必要に応じて、フォトリソグラフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもできる。また、シャドーマスクと組み合わせることでパターン化した電極を直接形成することもできる。電極の膜厚は、50nm以上が好ましい。膜厚が50nm未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。
有機発光層74は、第1の電極73と第2の電極75との間に印加された電圧によって、所定の波長域の光を発する。本実施形態の場合、有機発光層74は、青色の波長域の光を発する。有機発光層74は、単層でもよいが、通常は複数の層からなり、例えば、α−NPDとAlq3の積層膜などを用いることができる。また、アノードである第1の電極73(下部電極)と、カソードである第2の電極75(上部電極)との間に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などからなる複層の有機発光層を形成してもよい。
これらの層以外に、MoO層、C0層、フラーレン含有層、量子ドット含有層などさまざまな層を併用することも盛んに検討されている。いずれの層も本実施形態に適用できる。量子ドット含有層を用いた発光素子は、QLED(Quantum-dot light emitting diode)と呼ばれている。また、発光領域を積層する構造、いわゆるタンデム構造を用いることもできる。第1の電極73と第2の電極75との間に配置される層の膜厚は、通常、各層が数10nm程度である。
有機発光層74の層構造としての具体例として下記の構成が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
(1)有機発光層
(2)正孔輸送層/有機発光層
(3)有機発光層/電子輸送層
(4)正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層
(5)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層
(6)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層
(7)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層
(8)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層/電子注入層
(9)正孔注入層/正孔輸送層/電子防止層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層/電子注入層
ここで、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。
有機発光層74は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよい。もしくは、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよい。もしくは、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤(ドナー、アクセプター等)等を含んでいてもよい。もしくは、これらの材料が高分子材料(結着用樹脂)または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率・寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。
有機発光材料として、有機発光層用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示する。ただし、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよい。低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いる事が好ましい。
ここで、具体的な化合物を以下に例示する。ただし、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。
発光層に任意に含まれる発光性のドーパントとして、有機発光層用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、紫外発光材料としては、p−クォーターフェニル、3,5,3,5テトラ-t-ブチルセクシフェニル、3,5,3,5テトラ-t-ブチル-p−クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。青色発光材料として、スチリル誘導体等の蛍光発光材料、ビス[(4,6−ジフルオロフェニル)−ピリジナト−N,C2‘]ピコリネート イリジウム(III)(FIrpic)、ビス(4’,6‘−ジフルオロフェニルポリジナト)テトラキス(1−ピラゾイル)ボレート イリジウム(III)(FIr)等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
ドーパントを用いる時のホスト材料としては、有機EL用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、4,4‘−ビス(カルバゾール)ビフェニル、9,9−ジ(4−ジカルバゾール−ベンジル)フルオレン(CPF)、3,6−ビス(トリフェニルシリル)カルバゾール(mCP)、(PCF)等のカルバゾール誘導体、4−(ジフェニルフォスフォイル)−N,N-ジフェニルアニリン(HM−A1)等のアニリン誘導体、1,3−ビス(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)ベンゼン(mDPFB)、1,4−ビス(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)ベンゼン(pDPFB)等のフルオレン誘導体等が挙げられる。
電荷注入輸送層は、電荷(正孔、電子)の電極からの注入と発光層への輸送(注入)をより効率よく行う目的で、電荷注入層(正孔注入層、電子注入層)と電荷輸送層(正孔輸送層、電子輸送層)とに分類される。電荷注入輸送層は、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよい。もしくは、電荷注入輸送層は、任意に添加剤(ドナー、アクセプター等)等を含んでいてもよい。これらの材料が高分子材料(結着用樹脂)又は無機材料中に分散された構成であってもよい。
電荷注入輸送材料として、有機発光層用の公知の電荷輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料及び電子注入輸送材料に分類される。これらの具体的な化合物を以下に例示する。ただし、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
正孔注入・正孔輸送材料としては、例えば、酸化バナジウム(V)、酸化モリブデン(MoO)等の酸化物、無機p型半導体材料、ポルフィリン化合物、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン(NPD)等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン(PANI)、ポリアニリン−樟脳スルホン酸(PANI−CSA)、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイト(PEDOT/PSS)、ポリ(トリフェニルアミン)誘導体(Poly−TPD)、ポリビニルカルバゾール(PVCz)、ポリ(p−フェニレンビニレン)(PPV)、ポリ(p−ナフタレンビニレン)(PNV)等の高分子材料等が挙げられる。
アノードからの正孔の注入・輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層として用いる材料として、正孔輸送層に使用する正孔注入輸送材料より最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましい。正孔輸送層としては、正孔注入層に使用する正孔注入輸送材料より正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
正孔の注入・輸送性をより向上させるため、正孔注入・輸送材料にアクセプターをドープすることが好ましい。アクセプターとして、有機発光層用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示する。ただし、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
アクセプター材料としては、Au、Pt、W,Ir、POCl3 、AsF6 、Cl、Br、I、酸化バナジウム(V)、酸化モリブデン(MoO)等の無機材料、TCNQ(7,7,8,8,−テトラシアノキノジメタン)、TCNQF4 (テトラフルオロテトラシアノキノジメタン)、TCNE(テトラシアノエチレン)、HCNB(ヘキサシアノブタジエン)、DDQ(ジシクロジシアノベンゾキノン)等のシアノ基を有する化合物、TNF(トリニトロフルオレノン)、DNF(ジニトロフルオレノン)等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。このうち、TCNQ、TCNQF4 、TCNE、HCNB、DDQ等のシアノ基を有する化合物がキャリア濃度をより効果的に増加させることができるため、より好ましい。
電子注入・電子輸送材料として、例えば、n型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料;ポリ(オキサジアゾール)(Poly−OXZ)、ポリスチレン誘導体(PSS)等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウム(LiF)、フッ化バリウム(BaF)等のフッ化物、酸化リチウム(LiO)等の酸化物等が挙げられる。
電子のカソードからの注入・輸送をより効率よく行う点で、電子注入層として用いる材料としては、電子輸送層に使用する電子注入輸送材料より最低空分子軌道(LUMO)のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましい。電子輸送層として用いる材料として、電子注入層に使用する電子注入輸送材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
電子の注入・輸送性をより向上させるため、電子注入・輸送材料にドナーをドープすることが好ましい。ドナーとしては、有機発光層用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示する。ただし、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
ドナー材料として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Al、Ag、Cu、In等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類(N,N,N’,N’−テトラフェニルベンジジン、N,N’−ビス−(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス−(フェニル)−ベンジジン、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン等)、トリフェニルアミン類(トリフェニルアミン、4,4’4''−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)−トリフェニルアミン、4,4’4''−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン、4,4’4''−トリス(N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン等)、トリフェニルジアミン類(N,N’−ジ−(4−メチル−フェニル)−N,N’−ジフェニル−1,4−フェニレンジアミン)等の芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物(ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい)、TTF(テトラチアフルバレン)類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料が挙げられる。このうち、特に芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がキャリア濃度をより効果的に増加させることができるため、より好ましい。
発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層および電子注入層等の有機発光層は、上記の材料を溶剤に溶解、分散させた有機発光層形成用の塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウェットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線(EB)蒸着法、分子線エピタキシー(MBE)法、スパッタリング法、有機気相蒸着(OVPD)法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により形成することができる。なお、ウェットプロセスにより有機発光層を形成する場合には、有機発光層形成用の塗液は、レベリング剤、粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。
上記の有機発光層74を構成する各層の膜厚は、通常1〜1000nm程度であるが、10〜200nmが好ましい。膜厚が10nm未満であると、本来必要とされる物性(電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性)が得られない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。また、膜厚が200nmを超えると有機発光層74の抵抗成分により駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる懸念がある。
発光機能層5として、赤色サブ画素72Rには、有機EL光源71から発する青色光を励起光として赤色光を発光する蛍光体を含む蛍光体層5Rが設けられている。同様に、緑色サブ画素72Gには、有機EL光源71から発する青色光を励起光として緑色光を発光する蛍光体を含む蛍光体層5Gが設けられている。これに対し、青色サブ画素72Bには、有機EL光源71から発する青色光を散乱させて射出させる光散乱層27が設けられている。第1の基板2上のカラーフィルタ26と発光機能層5または光散乱層27との間には気体層6が設けられている。
本実施形態の有機EL素子70においては、有機EL光源71から射出された青色光が各サブ画素の発光機能層5または光散乱層27に入射する。赤色サブ画素72Rでは、青色光を励起光として発光機能層5Rから赤色光が射出され、赤色光がさらにカラーフィルタ26の赤色カラーフィルタ層26Rを透過し、第1の基板2を介して外部空間に射出される。同様に、緑色サブ画素72Gでは、青色光を励起光として発光機能層5Gから緑色光が射出され、緑色光がさらにカラーフィルタ26の緑色カラーフィルタ層26Gを透過し、第1の基板2を介して外部空間に射出される。一方、青色サブ画素72Bでは、青色光が光散乱層27で散乱し、その青色光がさらにカラーフィルタ26の青色カラーフィルタ層26Bを透過し、第1の基板2を介して外部空間に射出される。各サブ画素72R,72G,72Bでの青色光の強度が適宜調整されることにより、フルカラーの表示が行われる。
本実施形態の有機EL素子70は、光取り出し効率に優れた上記実施形態の発光性基板を備えているため、高輝度の有機EL素子を実現することができる。また、所定の輝度を得るための電力が削減できるため、低消費電力の有機EL素子を実現することができる。
(有機EL素子の変形例)
上記実施形態の有機EL素子70では、第2の電極75がサブ画素72R,72G,72B毎に分割されていた。この構成に代えて、本変形例の有機EL素子80では、図35に示すように、第2の電極81が全てのサブ画素72R,72G,72Bにわたって共通に設けられている。そのため、第2の電極81は、第2の構造物8を乗り越えるように設けられ、第1の構造物21と第2の構造物8との双方に接触している。
本変形例の有機EL素子80において、第1の構造物21のうち、光反射層23は例えばアルミニウム等の導電性を有する金属で構成されることが望ましい。一方、第2の構造物8は、例えば樹脂材料等の非導電性の材料で構成されることが望ましい。この場合、第1の構造物21を構成する光反射層23と第2の電極81とが電気的に接続されるため、光反射層23が第2の電極81の補助電極として機能する。したがって、第2の電極81が全てのサブ画素にわたって広い面積で形成されていても、第2の電極81の配線抵抗を下げることができる。
[第27実施形態]
以下、本発明の第27実施形態について、図36を用いて説明する。
本実施形態では、上記発光性基板を備えた液晶素子の一例を挙げる。
図36は、本実施形態の液晶素子の断面図である。
本実施形態の液晶素子90は、図36に示すように、第1の基板2と、波長選択反射板からなる第2の基板18と、構造物4と、発光機能層5と、気体層6と、カラーフィルタ26と、液晶装置91と、を備えている。本実施形態の液晶素子90は、図15に示した第5変形例の発光性基板を備えている。すなわち、構造物4は、互いに接合された第1の構造物21と第2の構造物8とで構成されている。第1の基板2上の第1の構造物21は、ブラックマトリクスとなる光吸収層22と光反射層23との2層構造を有している。第2の基板18上の第2の構造物8は、光散乱性を有している。
液晶装置91は、バックライト92と、一対の偏光板93,94と、液晶セル95と、を備えている。液晶セル95は、ガラス基板96と第2の基板18とが所定の間隔をおいてシール材97により貼り合わされた構成を有している。ガラス基板96と第2の基板18とシール材97とに囲まれた空間に液晶98が封入されている。ガラス基板96の第2の基板18との対向面には第1の電極99が設けられている。第2の基板18のガラス基板96との対向面には第2の電極100が設けられている。第1の電極99を覆うように配向膜101が形成されている。第2の電極100を覆うように配向膜102が形成されている。
本実施形態の例では、ガラス基板96側にはサブ画素毎に独立した第1の電極99が設けられている。第2の基板18側には全てのサブ画素にわたって共通の第2の電極100が設けられている。ガラス基板96には、サブ画素毎に、図示しない薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと略記する)が設けられている。また、ガラス基板96上には、TFTを駆動するための複数のデータ線、複数の走査線などが設けられている。
バックライト92は、青色光を射出する光源103と導光板104とを備えており、液晶セル95に向けて青色光を照射する。一方の偏光板93は、バックライト92とガラス基板96との間に配置されている。他方の偏光板94は、第2の基板18と第2の電極100との間に配置されている。
バックライト92から射出された青色光の透過率は、液晶セル95によってサブ画素72R,72G,72B毎に調整される。液晶セル95を透過した青色光は、各サブ画素72R,72G,72Bの発光機能層5に入射する。赤色サブ画素72Rでは、青色光を励起光として発光機能層5Rから赤色光が射出され、赤色光がさらにカラーフィルタ26の赤色カラーフィルタ層26Rを透過し、第1の基板2を介して外部空間に射出される。同様に、緑色サブ画素72Gでは、青色光を励起光として発光機能層5Gから緑色光が射出され、緑色光がさらにカラーフィルタ26の緑色カラーフィルタ層26Gを透過し、第1の基板2を介して外部空間に射出される。一方、青色サブ画素26Bでは、青色光が光散乱層27で散乱し、その青色光がさらにカラーフィルタ26の青色カラーフィルタ層26Bを透過し、第1の基板2を介して外部空間に射出される。液晶セル95により各サブ画素72R,72G,72Bでの青色光の光量が適宜調整されることにより、画素の色相が変化し、フルカラーの表示が行われる。
本実施形態の液晶素子90は、光取り出し効率に優れた上記実施形態の発光性基板を備えているため、高輝度の液晶素子を実現することができる。また、所定の輝度を得るための電力が削減できるため、低消費電力の液晶素子を実現することができる。
[第28実施形態:表示装置]
上記の発光素子や液晶素子の適用例として、図37(A)に示す携帯電話機、図37(B)に示すテレビ受信装置などの表示装置が挙げられる。
図37(A)に示す携帯電話機1000は、本体1001、表示部1002、音声入力部1003、音声出力部1004、アンテナ1005、操作スイッチ1006等を備えており、表示部1002に上記実施形態の発光素子や液晶素子が用いられている。
図37(B)に示すテレビ受信装置1100は、本体キャビネット1101、表示部1102、スピーカー1103、スタンド1104等を備えており、表示部1102に上記実施形態の発光素子や液晶素子が用いられている。
これら携帯電話機1000やテレビ受信装置1100においては、上記実施形態の発光素子や液晶素子が用いられているため、輝度が高く、表示品位に優れた表示装置を実現することができる。
[第29実施形態:照明装置]
発光素子の適用例として、例えば、図38(A)に示すシーリングライト(照明装置)が挙げられる。図38(A)に示すシーリングライト1400は、照明部1401、吊具1402、および電源コード1403等を備えている。照明部1401として、上記実施形態の発光素子が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る発光素子をシーリングライト1400の照明部1401に適用することにより、少ない消費電力で明るく、かつ自在な色調の照明光が得られる。そのため、光演出性の高い照明器具を実現することができる。
発光素子の他の適用例として、例えば、図38(B)に示す照明スタンドが挙げられる。図38(B)に示す照明スタンド1500は、照明部1501、スタンド1502、電源スイッチ1503、および電源コード1504等を備えている。照明部1501として、上記実施形態の発光素子が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る発光デバイスを照明スタンド1500の照明部1501に適用することにより、少ない消費電力で明るく、かつ自在な色調の照明光が得られる。そのため、光演出性の高い照明器具を実現することができる。
本発明は、光学基板およびその製造方法、発光素子、液晶素子、表示装置および照明装置に利用可能である。
1,10,13,15,17,20,25,28,30,32,34,36,38,40,42,45,48,50,52,54…発光性基板(光学基板)、2…第1の基板、3,18…第2の基板、4,43,46…構造物、5,5R,5G,5B…発光機能層(光学層)、6…気体層、7,21…第1の構造物、8…第2の構造物、11…貼り合わせ部材(支持部材)、22…光吸収層、23…光反射層、26…カラーフィルタ、27…光散乱層(光学層)、57…犠牲層、58…第3の基板、70,80…有機EL素子(発光素子)、90…液晶素子、1000…携帯電話機(表示装置)、1100…テレビ受信装置(表示装置)、1400…シーリングライト(照明装置)、1500…照明スタンド(照明装置)。

Claims (41)

  1. 光透過性を有する第1の基板と、
    前記第1の基板から所定の間隔をおいて設けられ、前記第1の基板に向けて光を射出する光学層と、
    前記第1の基板と前記光学層との少なくとも一方に接し、前記第1の基板の前記光学層との対向面に沿う方向に所定の間隔をおいて設けられた複数の構造物と、
    前記第1の基板と前記光学層との間に設けられた気体層と、が備えられたことを特徴とする光学基板。
  2. 前記光学層の前記第1の基板との対向面とは反対側の面に、第2の基板が備えられたことを特徴とする請求項1に記載の光学基板。
  3. 前記構造物が、前記第1の基板の法線方向に配置された複数層の構造物で構成され、
    前記複数層の構造物が、前記第1の基板の前記対向面に接する第1の構造物と、前記光学層に接する第2の構造物と、を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の光学基板。
  4. 前記第1の構造物と前記第2の構造物とが接していることを特徴とする請求項3に記載の光学基板。
  5. 前記第1の構造物と前記第2の構造物とが離間しており、
    前記第1の基板の外縁部に、前記第1の基板の前記対向面に接する支持部材が備えられたことを特徴とする請求項3に記載の光学基板。
  6. 前記第1の構造物の少なくとも一部が、光吸収性を有する材料からなる光吸収部材で構成されていることを特徴とする請求項3ないし5のいずれか一項に記載の光学基板。
  7. 前記第1の構造物の外面の少なくとも一部が、光反射性を有する材料からなる光反射部材で構成されていることを特徴とする請求項3ないし6のいずれか一項に記載の光学基板。
  8. 前記第1の構造物が、前記第1の基板と接し、光吸収性を有する材料からなる光吸収部材と、前記光吸収部材の前記第1の基板と接する面を除く残りの面を覆い、光反射性を有する材料からなる光反射部材と、から構成されたことを特徴とする請求項3ないし7のいずれか一項に記載の光学基板。
  9. 前記第2の構造物の外面の少なくとも一部に、光反射性を有する材料からなる光反射部材が設けられたことを特徴とする請求項3ないし8のいずれか一項に記載の光学基板。
  10. 前記光学層の厚さが、前記第2の構造物の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項3ないし9のいずれか一項に記載の光学基板。
  11. 前記構造物が、単一層の構造物で構成されていることを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載の光学基板。
  12. 前記構造物が、前記第1の基板の前記対向面と前記光学層との双方に接していることを特徴とする請求項11に記載の光学基板。
  13. 前記構造物が、前記第1の基板の前記対向面と前記光学層とのいずれか一方に接しており、
    前記第1の基板の外縁部および前記光学層の外縁部に、前記第1の基板の前記対向面と前記光学層との各々に接する支持部材が備えられたことを特徴とする請求項11に記載の光学基板。
  14. 前記構造物の少なくとも一部が、光吸収性を有する材料からなる光吸収部材で構成されていることを特徴とする請求項11ないし13のいずれか一項に記載の光学基板。
  15. 前記構造物の外面の少なくとも一部が、光反射性を有する材料からなる光反射部材で構成されていることを特徴とする請求項11ないし14のいずれか一項に記載の光学基板。
  16. 前記構造物が、前記第1の基板と接し、光吸収性を有する材料からなる光吸収部材と、前記光吸収部材の前記第1の基板と接する面を除く残りの面を覆い、光反射性を有する材料からなる光反射部材と、から構成されたことを特徴とする請求項11ないし15のいずれか一項に記載の光学基板。
  17. 前記光学層が、所定の波長域の光を発する発光層であることを特徴とする請求項1ないし16のいずれか一項に記載の光学基板。
  18. 前記光学層の前記第1の基板との対向面とは反対側の面に、前記波長域の光を選択的に反射し、前記波長域以外の波長域の光を選択的に透過する特性を有する波長選択反射部材が備えられたことを特徴とする請求項17に記載の光学基板。
  19. 前記波長選択反射部材が、前記光学層の前記第1の基板との対向面とは反対側の面に備えられた第2の基板であることを特徴とする請求項18に記載の光学基板。
  20. 前記光学層が、入射された光を散乱させる光散乱層であることを特徴とする請求項1ないし16のいずれか一項に記載の光学基板。
  21. 前記第1の基板と前記光学層との間に、カラーフィルタが備えられていることを特徴とする請求項1ないし20のいずれか一項に記載の光学基板。
  22. 前記構造物が前記光学層を貫通し、
    前記構造物の前記第1の基板と接する面とは反対側の面と、前記光学層の前記第1の基板との対向面とは反対側の面と、が略同一平面上にあることを特徴とする請求項1ないし21のいずれか一項に記載の光学基板。
  23. 光透過性を有する第1の基板の一面に、所定の間隔をおいて複数の第1の構造物を形成する工程と、
    光透過性を有する第2の基板の一面に、所定の間隔をおいて複数の第2の構造物を形成する工程と、
    前記第2の基板の前記一面において、隣り合う前記第2の構造物に囲まれた領域に光学層を形成する工程と、
    前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記第1の構造物の形成面と前記第2の構造物の形成面とが互いに対向するように、所定の間隔を保持して固定する工程と、を備えたことを特徴とする光学基板の製造方法。
  24. 前記第1の構造物と前記第2の構造物とが接した状態において、前記第1の基板と前記第2の基板とを固定することを特徴とする請求項23に記載の光学基板の製造方法。
  25. 前記第1の基板の一面と前記第2の基板の一面の少なくとも一方の外縁部に支持部材を形成する工程を備え、
    前記第1の構造物と前記第2の構造物とが接しない状態において、前記支持部材を介して前記第1の基板と前記第2の基板とを固定することを特徴とする請求項23に記載の光学基板の製造方法。
  26. 前記光学層の厚さが前記第2の構造物の厚さよりも薄くなるように、前記光学層を形成することを特徴とする請求項23ないし25のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
  27. 光透過性を有する第1の基板の一面と光透過性を有する第2の基板の一面のいずれか一方に、所定の間隔をおいて複数の構造物を形成する工程と、
    前記第1の基板と前記第2の基板のうち、前記複数の構造物を形成した側の基板の一面において、隣り合う前記構造物に囲まれた領域に光学層を形成する工程と、
    前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記複数の構造物を形成した側の基板の前記構造物の形成面と他の基板の一面とが互いに対向するように、所定の間隔を保持して固定する工程と、を備えたことを特徴とする光学基板の製造方法。
  28. 前記構造物と前記他の基板の一面とが接した状態において、前記第1の基板と前記第2の基板とを固定することを特徴とする請求項27に記載の光学基板の製造方法。
  29. 前記第1の基板の一面と前記第2の基板の一面の少なくとも一方の外縁部に支持部材を形成する工程を備え、
    前記構造物と前記他の基板の一面とが接しない状態において、前記支持部材を介して前記第1の基板と前記第2の基板とを固定することを特徴とする請求項27に記載の光学基板の製造方法。
  30. 前記第1の基板と前記第2の基板とを固定した後、前記第2の基板の厚さ方向の少なくとも一部を剥離する工程を備えたことを特徴とする請求項23ないし29のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
  31. 前記第2の基板の厚さ方向の少なくとも一部を剥離した後、前記光学層の第2の基板の少なくとも一部を剥離した側の面に、第3の基板を固定する工程を備えたことを特徴とする請求項30に記載の光学基板の製造方法。
  32. 前記光学層が、所定の波長域の光を発する発光層であり、
    前記第3の基板が、前記波長域の光を選択的に反射し、前記波長域以外の波長域の光を選択的に透過する特性を有する波長選択反射板であることを特徴とする請求項31に記載の光学基板の製造方法。
  33. 前記第2の基板に犠牲層を形成する工程を備え、
    前記犠牲層の位置で前記第2の基板の厚さ方向の少なくとも一部を剥離することを特徴とする請求項30ないし32のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
  34. 前記第1の基板と前記第2の基板とを減圧雰囲気下で固定することを特徴とする請求項23ないし33のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
  35. 請求項1ないし22のいずれか一項に記載の光学基板と、
    前記光学基板に向けて光を射出する光源と、が備えられたことを特徴とする発光素子。
  36. 前記光学基板の前記光学層が、前記光源から射出された光を励起光として光を発する発光層であることを特徴とする請求項34に記載の発光素子。
  37. 請求項1ないし22のいずれか一項に記載の光学基板と、
    前記光学基板に向けて光を射出する光源と、
    前記光源から射出された光の透過率を調整する液晶セルと、が備えられたことを特徴とする液晶素子。
  38. 前記光学基板の前記光学層が、前記光源から射出され、前記液晶セルによって透過率が調整された光を励起光として光を発する発光層であることを特徴とする請求項36に記載の液晶素子。
  39. 請求項34または35に記載の発光素子と、
    前記発光素子における前記光源の発光状態を制御する制御部と、が備えられたことを特徴とする表示装置。
  40. 請求項36または37に記載の液晶素子と、
    前記液晶素子における前記液晶セルの透過率を制御する制御部と、が備えられたことを特徴とする液晶装置。
  41. 請求項34または35に記載の発光素子と、
    前記発光素子における前記光源の発光状態を制御する制御部と、が備えられたことを特徴とする照明装置。
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