WO2012043172A1

WO2012043172A1 - 蛍光体基板、およびこれを用いた表示装置、照明装置

Info

Publication number: WO2012043172A1
Application number: PCT/JP2011/070286
Authority: WO
Inventors: 別所　久徳; 井出　哲也; 悦昌藤田; 勇毅小林
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2010-10-01
Filing date: 2011-09-06
Publication date: 2012-04-05

Abstract

　蛍光体基板は、基板と、前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出する蛍光体層と、前記蛍光体層の前記光取出面と対向する面側に設けられた反射層と、が備えられ、前記蛍光体層は、前記光取出面に接する少なくとも１つの側面から前記励起光が入射されるよう構成されている。

Description

蛍光体基板、およびこれを用いた表示装置、照明装置

　本発明は、蛍光体基板、およびこれを用いた表示装置、照明装置に関する。
　本願は、２０１０年１０月１日に、日本に出願された特願２０１０－２２４１３７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　近年、社会の高度情報化に伴い、フラットパネルディスプレイのニーズが高まっている。フラットパネルディスプレイとしては、非自発光型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、自発光型のプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、無機エレクトロルミネセンス（無機ＥＬ）ディスプレイ、有機エレクトロルミネセンス（以下、「有機ＥＬ」または「有機ＬＥＤ」とも言う）ディスプレイ等が知られている。これらのフラットパネルディスプレイの中でも、有機ＥＬディスプレイは自発光が可能である点で特に注目されている。有機ＥＬディスプレイにおいては、単純マトリクス駆動により動画表示を行う技術、もしくは薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ, 以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス駆動により動画表示を行う技術が知られている。従来の有機ＥＬディスプレイでは、赤色光、緑色光、青色光を発する画素を１つの単位として並置し、白色をはじめとする様々な色を作り出してフルカラー表示を行っている。

　この種の有機ＥＬディスプレイを実現するためには、一般的にシャドーマスクを用いたマスク蒸着法により有機発光層材料を塗り分けることで、赤色、緑色、青色の各画素を形成する方法が採られる。ところが、この方法では、マスクの加工精度、マスクと基板とのアライメント精度、マスクの大型化が課題となっている。特にテレビジョンに代表される大型ディスプレイの分野では、基板サイズが、いわゆるＧ６世代（１８００ｍｍ×１５００ｍｍ）からＧ８世代（２４６０ｍｍ×２１６０ｍｍ）、Ｇ１０世代（３０５０ｍｍ×２８５０ｍｍ）と大型化が進んでいる。従来の製造方法では、基板サイズと同等以上のマスクを必要とするため、大型基板に対応したマスクの作製、加工が必要となる。

　マスクの基材は、非常に薄い金属（一般的な膜厚：５０～１００ｎｍ）で構成されるため、マスクの大型化は困難である。また、大型基板に対応したマスクの作製、加工が困難である。マスクの加工精度の低下、マスクと基板とのアライメント精度の低下が発生した場合、異なる発光層材料が混ざることにより画素間の混色を引き起こす。混色を防止するためには、画素間に設ける絶縁層の幅を広く取る必要がある。しかし、画素の面積が決まっている場合、発光部の面積が少なくなる。すなわち、混色の防止は、画素の開口率の低下に繋がり、有機ＥＬ素子の輝度の低下、消費電力の上昇、寿命の低下に繋がる。また、従来の製造方法では、蒸着ソースが基板より下側に配置され、有機材料を下方から上方に向けて蒸着して有機層を成膜する。したがって、基板およびマスクの大型化に伴い、中央部でマスクが撓んでしまう。このマスクの撓みは、上記の混色の原因ともなる。極端な場合には、有機層が形成されない部分ができてしまい、上下の電極のリークが生じる。また、従来の方法では、マスクは、所定の使用回数を経ると、劣化して使用できなくなる。したがって、マスクの大型化はディスプレイの製造コストの高騰に繋がる。

　そこで、青色域から青緑色域の光を発する有機ＥＬ材料部と、紫外域の光を発する有機ＥＬ材料部と、有機ＥＬ材料部からの青色域から青緑色域の光を励起光として赤色光を発光する蛍光材料部と、青色域から青緑色域の光を励起光として緑色光を発光する蛍光材料部と、紫外域の光を励起光として青色光を発光する蛍光材料部と、を備えたＥＬ素子が提案されている（下記の特許文献１参照）。このＥＬ素子は、上記の塗り分け方式の有機ＥＬ素子に比べて簡単に製造でき、より低コストで製造できる。また、ＥＬ発光素子部と、蛍光層と、蛍光層の側面上に設けられた反射膜を備え、側面に向かう光を効率良く正面に取り出すことを可能とした有機ＥＬ素子が提案されている（下記の特許文献２参照）。

　また、発光ピーク波長が４００～５００ｎｍの光を出射する光源と、液晶表示素子と、蛍光体からなる波長変換部と、を組み合わせたカラー表示装置が提案されている（下記の特許文献３、非特許文献１参照）。例えば、特許文献３には、この装置では液晶層の外側に設けられたＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体層で発光が生じるため、光利用効率が高く、明るいカラー表示装置を実現できる、と記載されている。

特許第２７９５９３２号公報特開平１１－３２９７２６号公報特開２０００－１３１６８３号公報

ＩＤＷ‘０９，ｐ．１００１（２００９）

　　特許文献１に記載のＥＬ素子においては、蛍光材料部から発せられる光は等方的に拡がる。よって、蛍光材料部から光を外部に取り出す際の光の損失が大きく、得られる発光効率が低い。そのため、所定の発光効率を得るためには投入電力を増大させなければならず、消費電力が上昇する要因となっていた。

　特許文献２に記載の有機ＥＬ素子においても、光源側に向けて発光する光を効率良く取り出すことができず、発光効率を十分に向上させることができない。また、金属膜や誘電体多層膜で反射膜を構成した場合、反射膜に対する光の入射角が反射性能に大きく影響する。そのため、全方向に等方的に発光する蛍光体層内ではその反射性能を十分に発揮することが困難である。その結果、光を十分に外部に取り出すことができない。

　特許文献３に記載のカラー表示装置においても、上記特許文献１、特許文献２と同様、蛍光体層から発せられる光は等方的である。その結果、蛍光体層からの光を外部に取り出す際の光の損失が大きく、得られる発光効率が低い。

　本発明の一態様は、蛍光体からの光の取り出し効率を向上させ、変換効率を向上させることが可能な蛍光体基板を提供することを目的とする。
　また、本発明の一態様として、上記の蛍光体基板を有機ＥＬ素子、液晶素子等と組み合わせることで視野角特性に優れ、かつ、低消費電力化が可能な表示装置を提供することを目的とする。また、本発明の一態様として、明るく、低消費電力化が可能な照明装置を提供することを目的とする。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、基板と、前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出する蛍光体層と、前記蛍光体層の前記光取出面と対向する面側に設けられた反射層と、が備えられ、前記蛍光体層は、前記光取出面に接する少なくとも１つの側面から前記励起光が入射されるよう構成されている。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記蛍光体層が、前記基板上の所定の領域毎に分割された複数のサブ蛍光体層で構成され、前記複数のサブ蛍光体層の各々の側面から前記励起光がれるよう構成されてもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記反射層は、前記蛍光体層の側面のうち、前記励起光を入射させる前記側面以外の側面にさらに設けられてもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記蛍光体層の前記励起光を入射させる前記側面に設けられ、前記励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過し、前記蛍光体層の発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射させるよう構成された波長選択透過反射層が備えられてもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記蛍光体層の側方に、前記励起光を前記蛍光体層の側面から入射させるための反射体が備えられていてもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板において、前記励起光は、前記光取出面と対面する前記蛍光体層の面を基準として、前記光取出し面とは反対側から前記反射体へ入射し、前記反射体は、記励起光の入射方向に対して傾斜する反射面を有し、前記反射面は、前記励起光の入射方向に対して０度より大きく、９０度より小さい傾斜角度有してもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記励起光の光路上に、前記励起光を前記反射面に向けて集光させる集光素子が備えられてもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記励起光を射出する発光素子部が備えられ、前記発光素子部の面積が少なくとも前記反射面の面積より大きく、前記発光素子部の中心と前記反射面の中心とが前記基板の法線に平行な直線上に位置してもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記蛍光体層の前記光取出面と対向する面が、前記光取出面に対して非平行とされてもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記蛍光体層の前記側面のうち、前記励起光が入射する側面の面積が、前記励起光が入射する側面以外の側面の面積よりも大きくてもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記蛍光体層の前記光取出面側に、可視光の波長域に相当するピッチを有する複数の微小構造体からなる光散乱構造部を有してもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記ピッチが６００ｎｍ以下であってもよい。

　本発明の一態様である蛍光体基板は、前記蛍光体層と前記基板とが密着していてもよい。

　本発明の一態様である表示装置は、蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、が備えられ、前記蛍光体基板は、基板と、前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出する蛍光体層と、前記蛍光体層の前記光取出面と対向する面側に設けられた反射層と、が備えられ、前記蛍光体層は、前記光取出面に接する少なくとも１つの側面から前記励起光が入射されるよう構成されている。

　本発明の一態様である表示装置は、基板と、前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出する蛍光体層と、前記蛍光体層の側方に設けられ、前記励起光を射出する発光素子部からなる光源と、が備えられ、前記蛍光体層は、前記発光素子部からの前記励起光を前記蛍光体層の光取出面に接する少なくとも１つの側面から入射されるよう構成されている。

　本発明の一態様である表示装置は、赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素をさらに有し、前記光源から前記励起光としての紫外光が射出され、前記蛍光体層は、前記赤色画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層と、前記緑色画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層と、前記青色画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層とを有してもよい。

　本発明の一態様である表示装置は、赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素をさらに有し、前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層とを有し、前記青色画素には前記青色光を散乱させる散乱層が設けられてもよい。

　本発明の一態様である表示装置は、前記光源が、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を有してもよい。

　本発明の一態様である表示装置は、前記複数の駆動素子が形成された基板第１の面と逆の第２の面からから光を取り出してもよい。

　本発明の一態様である表示装置は、前記光源が発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであってもよい。

　本発明の一態様である表示装置は、前記光源が、光射出面から光を射出する面状光源であり、前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記複数の画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御するよう構成されている液晶素子が設けられてもよい。

　本発明の一態様である照明装置は、基板と、前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出する蛍光体層と、前記蛍光体層の前記光取出面と対向する面側に設けられた反射層と、が備えられ、前記蛍光体層は、前記光取出面に接する１つ以上の側面から前記励起光が入射されるよう構成されている蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、が備えられてもよい。

　本発明一態様によれば、蛍光体からの光の取り出し効率が高く、変換効率が高い蛍光体基板を実現できる。また、上記の蛍光体基板を有機ＥＬ素子、液晶素子等と組み合わせることで、視野角特性に優れ、かつ、低消費電力化が可能な表示装置を実現できる。また、明るく、低消費電力化が可能な照明装置が実現できる。

本発明の第１の実施形態の表示装置を示す断面図である。本発明の第１の実施形態の表示装置の有機ＥＬ素子基板の要部を示す断面図である。本実施形態の第１の変形例の表示装置を示す断面図である。本実施形態の第２の変形例の表示装置を示す断面図である。本実施形態の第３の変形例の表示装置を示す断面図である。本実施形態の第４の変形例の表示装置を示す断面図である。本実施形態の第５の変形例の表示装置を示す断面図である。本実施形態の第６の変形例の表示装置を示す断面図である。本実施形態の第６の変形例の表示装置のＬＥＤ基板を示す断面図である。本実施形態の第７の変形例の表示装置を示す断面図である。本実施形態の第７の変形例の表示装置の無機ＥＬ基板を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の表示装置を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の表示装置の有機ＥＬ素子基板の要部を示す断面図である。本発明の第３の実施形態の表示装置を示す断面図である。本実施形態の表示装置を示す平面図である。本発明の第４の実施形態の表示装置を示す断面図である。上記実施形態の表示装置を備えた携帯電話機を示す図である。上記実施形態の表示装置を備えたテレビ受信装置を示す図である。本発明の一実施形態の照明装置を示す断面図である。本発明の実施例１の蛍光体基板を模式的に示す断面図である。本発明の実施例２の蛍光体基板を模式的に示す断面図である。本発明の実施例３の蛍光体基板を模式的に示す断面図である。本発明の実施例４の蛍光体基板を模式的に示す断面図である。従来の蛍光体基板を説明するための図である。従来の蛍光体基板を説明するための図である。従来の蛍光体基板を説明するための図である。

［第１の実施形態］
　以下、本発明の第１の実施形態について図１Ａおよび図１Ｂを用いて説明する。
　本実施形態の表示装置は、紫外光を発光する有機ＥＬ素子基板を光源として用いた例である。
　図１Ａは、本実施形態の表示装置の全体を示す断面図である。図１Ｂは、有機ＥＬ素子基板の要部を示す断面図である。
　なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。

　本実施形態の表示装置１は、図１Ａに示すように、蛍光体基板２と、蛍光体基板２上に平坦化膜３を介して貼り合わされた有機ＥＬ素子基板４（光源）と、を有する。本実施形態の表示装置１は、赤色、緑色、青色の表示をそれぞれ行う３つのドットにより画像を構成する最小単位である１つの画素が構成されている。ただし、以下の説明では、赤色の表示を行うドットを赤色画素ＰＲ、緑色の表示を行うドットを緑色画素ＰＧ、青色の表示を行うドットを青色画素ＰＢ、と称する。本実施形態の表示装置１においては、光源としての有機ＥＬ素子基板４から紫外光が射出される。蛍光体基板２にこの紫外光が励起光として入射され、赤色画素ＰＲでは赤色の蛍光、緑色画素ＰＧでは緑色の蛍光、青色画素ＰＢでは青色の蛍光が生じる。これら各色光によってフルカラー表示が行われる。

（蛍光体基板）
　以下、本実施形態の蛍光体基板２について詳細に説明する。
　本実施形態の蛍光体基板２においては、図１Ａに示すように、基板本体５の上面に光吸収層６と蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂとが形成されている。これら光吸収層６と蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂとを覆うように平坦化膜３が形成されている。蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは、画素毎に分割された複数の蛍光体層からなる。複数の蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは、画素によって異なる色の色光を発光するために異なる蛍光体材料で構成されている。光吸収層６は、光吸収性を有する材料から構成され、隣接する画素間の領域に対応して形成されている。この光吸収層６により、表示のコントラストを向上させることができる。また、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ上が平坦化膜３で平坦化されたことにより、後述する有機ＥＬ素子９と蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂとの間に空乏ができることを防止できる。かつ、有機ＥＬ素子基板４と蛍光体基板２との密着性を高めることができる。

　蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側方に位置する光吸収層６上には、断面が直角三角形状の反射体８が形成されている。反射体８は、後述する有機ＥＬ素子９から射出された紫外光Ｌｖを反射させて蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの一つの側面７ａ（図１Ａにおける左側の側面）から蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの内部に入射させるための反射面８ａを有している。後述する有機ＥＬ素子９は、反射体８の上方に配置される構成となっている。すなわち、紫外光Ｌｖは、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの光取出面と対面する蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂのそれぞれの面を基準として、前記光取出し面とは反対側から射出される。有機ＥＬ素子９の寸法は、隣接する蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ間の寸法、すなわち反射体８の平面寸法と略一致している。反射面８ａは一方向に傾斜した面（図１Ａでは右下がりの傾斜面）であり、紫外光Ｌｖの入射方向に対して０度より大きく、９０度より小さい傾斜角度をなすように形成されている。本実施形態の場合、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂで発光した光を基板本体５側から外部に取り出す構成のため、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの２つの主面のうち、基板本体５との界面（図１Ａにおける下面）が光取出面７ｂとなる。

　蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの光取出面７ｂと対向する面７ｃ（図１Ａにおける上面）および紫外光Ｌｖを入射させる側面７ａ以外の側面７ｄ（図１Ａにおける右側の側面）には反射層１０が形成されている。反射層１０は、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ内で光取出面７ｂと反対側、あるいは入光面７ａを除く側面７ｄ側に発光した光を正面方向（光取出し方向）に取り出すための層である。

　本実施形態の場合、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの２つの主面、すなわち反射層１０が形成された面７ｃと光取出面７ｂとは非平行である。蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの断面形状が楔状となっている。蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側面のうち、紫外光Ｌｖを入射させる側面７ａの面積は、紫外光Ｌｖを入射させる側面７ａ以外の側面７ｄの面積よりも大きい。蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂをこのような形状とすることで、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの光取出面７ｂと対向する面７ｃと側面７ｄとに反射層１０を効率良く形成することができる。その結果、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂから等方的に発せられた光を効率良く外部に取り出すことができる。

　また、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂと基板本体５とは完全に密着している。蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの光取出面７ｂ側に、可視光の波長域に相当するピッチを有する複数のプリズム１１（微小構造体）からなる光散乱構造部１２が設けられている。隣接するプリズム１１間のピッチは、可視光の波長レベルとする必要があり、例えば６００ｎｍ以下とすることが望ましい。
　後に説明する実施例の項で説明するが、本発明者らは、ピッチが６００ｎｍのナノプリズム構造体を形成することで光取出効率をより向上できることを実際に確認している。

　本実施形態において、基板本体５としては、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂからの光を外部に取り出す必要があることから、蛍光体の発光波長領域で光を透過する必要がある。そのため、基板本体５の材料には、例えばガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。ストレスが生じることなく湾曲させたり、折り曲げたりできるという観点では、プラスティック基板を用いることが好ましい。さらに、ガスバリア性を向上させる観点では、プラスティック基板に無機材料をコートした基板を用いることがさらに好ましい。この場合、プラスティック基板を有機ＥＬ素子の基板として用いた場合の最大の問題となる水分の透過による有機ＥＬ素子の劣化を解消することができる。なお、有機ＥＬ素子は、特に低量の水分に対しても劣化が起こることが知られている。

　本実施形態の蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは、紫外光Ｌｖを発光する有機ＥＬ素子９から発せられる励起光を吸収し、赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ発光する赤色蛍光体層７Ｒ、緑色蛍光体層７Ｇ、青色蛍光体層７Ｂから構成されている。また、必要に応じて、シアン光、イエロー光を発光する蛍光体層を画素に加えても良い。その場合、シアン光、イエロー光を発光する画素のそれぞれの色純度を、色度図上での赤色光、緑色光、青色光を発光する画素の色純度を示す点で結ばれる三角形より外側に設定することで、赤色、緑色、青色の３原色光を発光する画素を使用する表示装置よりも色再現性を広げることが可能となる。

　蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていても良いし、任意に添加剤等を含んでいても良く、これらの蛍光体材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であっても良い。本実施形態の蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。この種の蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類される。有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料の具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

　有機系蛍光体材料では、紫外の励起光を青色光に変換する蛍光色素として、スチルベンゼン系色素：１，４－ビス（２－メチルスチリル）ベンゼン、トランス－４，４‘－ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素：７－ヒドロキシ－４－メチルクマリン等が挙げられる。また、紫外、青色の励起光を緑色光に変換する蛍光色素として、クマリン系色素：２，３，５，６－１Ｈ、４Ｈ－テトラヒドロ－８－トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１－ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３－（２′－ベンゾチアゾリル）―７－ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３－（２′－ベンゾイミダゾリル）―７－Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、ナフタルイミド系色素：ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。また、紫外、青色の励起光を赤色光に変換する蛍光色素としては、シアニン系色素：４－ジシアノメチレン－２－メチル－６－（ｐ－ジメチルアミノスチルリル）－４Ｈ－ピラン、ピリジン系色素：１－エチル－２－［４－（ｐ－ジメチルアミノフェニル）－１，３－ブタジエニル］－ピリジニウム－パークロレート、およびローダミン系色素：ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１等が挙げられる。

　無機系蛍光体材料では、紫外の励起光を青色光に変換する蛍光体として、Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｓｎ⁴⁺、Ｓｒ₄Ａｌ₁₄Ｏ₂₅：Ｅｕ²⁺、ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺、ＳｒＧａ₂Ｓ₄：Ｃｅ³⁺、ＣａＧａ₂Ｓ₄：Ｃｅ³⁺、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ₂、０Ｍｇ）₁₀（ＰＯ₄）₆Ｃｌ₂：Ｅｕ²⁺、ＢａＡｌ₂ＳｉＯ₈：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ²⁺、ＢａＭｇ₂Ａｌ₁₆Ｏ₂₇：Ｅｕ²⁺、（Ｂａ，Ｃａ）₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ²⁺、Ｂａ₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈：Ｅｕ²⁺等が挙げられる。また、紫外、青色の励起光を緑色光に変換する蛍光体として、（ＢａＭｇ）Ａｌ₁₆Ｏ₂₇：Ｅｕ²⁺，Ｍｎ²⁺、Ｓｒ₄Ａｌ₁₄Ｏ₂₅：Ｅｕ²⁺、（ＳｒＢａ）Ａｌ₁₂Ｓｉ₂Ｏ₈：Ｅｕ²⁺、（ＢａＭｇ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ³⁺，Ｔｂ³⁺、Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇－Ｓｒ₂Ｂ₂Ｏ₅：Ｅｕ²⁺、（ＢａＣａＭｇ）₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₂Ｓｉ₃Ｏ₈－２ＳｒＣｌ₂：Ｅｕ²⁺、Ｚｒ₂ＳｉＯ₄、ＭｇＡｌ₁₁Ｏ₁₉：Ｃｅ³⁺，Ｔｂ³⁺、Ｂａ₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺等が挙げられる。また、紫外、青色の励起光を赤色光に変換する蛍光体としては、Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ³⁺、ＹＡｌＯ₃：Ｅｕ³⁺、Ｃａ₂Ｙ₂（ＳｉＯ₄）₆：Ｅｕ³⁺、ＬｉＹ₉（ＳｉＯ₄）₆Ｏ₂：Ｅｕ³⁺、ＹＶＯ₄：Ｅｕ³⁺、ＣａＳ：Ｅｕ³⁺、Ｇｄ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ³⁺、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ₄：Ｅｕ³⁺、Ｍｇ₄ＧｅＯ_5.5Ｆ：Ｍｎ⁴⁺、Ｍｇ₄ＧｅＯ₆：Ｍｎ⁴⁺、Ｋ₅Ｅｕ_2.5（ＷＯ₄）_6.25、Ｎａ₅Ｅｕ_2.5（ＷＯ₄）_6.25、Ｋ₅Ｅｕ_2.5（ＭｏＯ₄）_6.25、Ｎａ₅Ｅｕ_2.5（ＭｏＯ₄）_6.25等が挙げられる。

　また、上記無機系蛍光体材料は、必要に応じて表面改質処理を施しても良い。表面改質方法としてはシランカップリング剤等の化学的処理によるもの、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、さらにそれらの併用によるもの等が挙げられる。励起光による劣化、発光による劣化に対する安定性を考慮すると、無機系材料を使用する方が好ましい。さらに、無機系材料を用いる場合には、平均粒径（ｄ_５０）が、０．５μｍ～５０μｍであることが好ましい。平均粒径が１μｍ以下であると、蛍光体の発光効率が急激に低下する。また、５０μｍ以上であると、平坦な蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂを形成することが困難となる。その場合、例えば屈折率が約２．３の蛍光体層と屈折率が約１．７の有機ＥＬ素子との間に屈折率が１．０の空乏（空気層）ができる。すると、有機ＥＬ素子９からの光が効率良く蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂに届かず、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの発光効率が低下する。また、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの平坦化が難しいため、後述の第４の実施形態のように液晶素子と組み合わせる構成においては、液晶層を挟む電極間の距離がばらつき、均一に電界が掛からないため、液晶層が均一に動作しない場合がある。

　蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは、上記の蛍光体材料と樹脂材料とを溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウェットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により形成することができる。

　また、上記の樹脂材料として感光性樹脂を用いることで、フォトリソグラフィー法により蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂをパターニングすることができる。感光性樹脂としては、アクリル酸系樹脂、メタクリル酸系樹脂、ポリ桂皮酸ビニル系樹脂、硬ゴム系樹脂等の反応性ビニル基を有する感光性樹脂（光硬化型レジスト材料）の一種類または複数種類の混合物を用いることができる。また、上述のインクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法等のウェットプロセス、シャドーマスクを用いた抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等を用いれば、蛍光体材料を直接パターニングすることも可能である。

　上記の蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの膜厚は、１００ｎｍ～１００μｍ程度が好ましく、１μｍ～１００μｍ程度がさらに好ましい。膜厚が１００ｎｍ未満であると、有機ＥＬ素子９から青色光を射出した場合、青色光を十分吸収できないため、発光効率が低下したり、所望の色光に青色の透過光が混じることにより色純度が低下したりする。したがって、有機ＥＬ素子９からの光の吸収を高め、色純度に悪影響を及ぼさない程度に青色の透過光を低減するためには、膜厚として１μｍ以上とすることが好ましい。また、膜厚が１００μｍを超えると、有機ＥＬ素子９からの青色光を既に十分吸収することから、効率の上昇には繋がらず、材料を消費するだけに留まり、材料コストの高騰に繋がる。

　光吸収層６は、例えばクロム等の金属材料や黒色の樹脂等で形成することができる。光吸収層６の膜厚は、１００ｎｍ～１００μｍ程度が好ましく、１００ｎｍ～１０μｍ程度がさらに好ましい。また、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側面７ｄに向かう光を反射層１０によって効率良く外部に取り出すために、光吸収層６の膜厚は蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの膜厚より薄い方が好ましい。

　反射体８としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ等の反射率の高い金属材料によって形成できる。あるいは、反射体８の全体を金属材料で形成することに代えて、例えば無機材料等の他の材料で断面が三角形状の下地を形成しておき、その下地の傾斜面にＡｌ、Ａｇ等の反射率の高い金属膜を形成する構成としても良い。

　反射層１０としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒやその合金などの反射性の金属粉や金属粒子を含有した樹脂からなる反射性の樹脂膜を形成した構造などが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

（有機ＥＬ素子基板）
　次に、本実施形態の表示装置１において、光源として機能する有機ＥＬ素子基板４について説明する。
　本実施形態の有機ＥＬ素子基板４は、図１Ｂに示すように、基板本体２２の一面に陽極１３、正孔注入層１４、正孔輸送層１５、発光層１６、正孔ブロッキング層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９、陰極２０が順次積層された構成の複数の有機ＥＬ素子９を有している。また、陽極１３の端面を覆うようにエッジカバー２１が形成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ素子基板４は紫外光を発光する。紫外光の発光ピークは３６０ｎｍ～４１０ｎｍとすることが望ましい。ただし、有機ＥＬ素子基板４としては公知のものを用いることができる。有機ＥＬ素子基板４は、陽極１３と陰極２０との間に少なくとも有機発光材料からなる有機ＥＬ層を含んでいれば良く、具体的な構成は上記のものに限ることはない。なお、以下の説明では、正孔注入層１４から電子注入層１９までの層を有機ＥＬ層と称することもある。

　また、複数の有機ＥＬ素子９は、赤色画素ＰＲ、緑色画素ＰＧ、青色画素ＰＢの各々に対応してマトリクス状に設けられ、個別にオン／オフが制御されるようになっている。複数の有機ＥＬ素子９の駆動方法は、アクティブマトリクス駆動でも良いし、パッシブマトリクス駆動でも良い。アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ素子基板を用いた構成例は、後の第３の実施形態で詳述する。

　以下、有機ＥＬ素子基板４の各構成要素について詳細に説明する。
　基板本体２２としては、蛍光体基板２の基板本体５と略同じ材料を用いることができる。すなわち、基板本体２２の材料として、例えばガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、または、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、または、他の基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられる。しかしながら、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。

　ただし、ストレスを生じること無く、湾曲させたり、折り曲げたりできるという観点では、プラスティック基板、もしくは金属基板を用いることが好ましい。さらに、プラスティック基板に無機材料をコートした基板、金属基板に無機絶縁材料をコートした基板がより好ましい。これにより、有機ＥＬの基板としてプラスティック基板を用いた場合の最大の問題となる水分の透過による有機ＥＬの劣化を解消することができる。また、有機ＥＬの基板として金属基板を用いた場合の最大の問題となる金属基板の突起によるリーク（ショート）を解消することができる。なお、一般的に有機ＥＬ層の膜厚は１００ｎｍ～２００ｎｍ程度と非常に薄いため、突起によって画素部でのリーク電流もしくは短絡が顕著に生じることが知られている。

　さらに、有機ＥＬ層からの光を基板と逆側から取り出す場合には、基板本体２２としての制約はないが、有機ＥＬ層からの光を基板側から取り出す場合には、透明または半透明の基板本体２２を用いる必要がある。

　次に、陽極１３および陰極２０を形成する電極材料としては、公知の電極材料を用いることができる。陽極１３の場合には、発光層１６への正孔の注入をより効率良く行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上の金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、および、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ_２）インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられる。また、陰極２０の場合には、発光層１６への電子の注入をより効率良く行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下のリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、または、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。

　陽極１３および陰極２０は、上記の材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターニングした電極を形成することもできる。陽極１３および陰極２０の膜厚は５０ｎｍ以上が好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じる虞がある。

　色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等を達成するためマイクロキャビティ効果を用いる場合には、発光層１６からの光を陽極１３側（陰極２０側）から取り出す場合には、陽極１３（陰極２０）として半透明電極を用いることが好ましい。半透明電極として、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料の組み合わせを用いることができる。半透明電極材料としては、反射率および透過率の観点から銀が好ましい。半透明電極の膜厚は５ｎｍ～３０ｎｍが好ましい。膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光が十分に反射せず、干渉の効果を十分得ることができない。また、膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、輝度や効率が低下する虞がある。また、光を取り出す側と反対側の電極には、光反射率が高い電極を用いることが好ましい。
　光反射率が高い電極としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム－リチウム合金、アルミニウム－ネオジウム合金、アルミニウム－シリコン合金等の反射性金属電極、透明電極と反射性金属電極（反射電極）を組み合わせた電極等が挙げられる。

　本実施形態で用いられる有機ＥＬ層は、有機発光層の単層構造でも良いし、有機発光層と電荷輸送層、電荷注入層の多層構造でも良く、具体的には下記の構成が挙げられるが、本実施形態はこれらにより限定されるものではない。
（１）有機発光層、
（２）正孔輸送層／有機発光層、
（３）有機発光層／電子輸送層、
（４）正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層、
（５）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層、
（６）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層、
（７）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層、
（８）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層、
（９）正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／有機発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層。
　なお、本実施形態では、図１Ｂに示すように、上記の（８）を採用している。

　上記の構成例において、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の各層は、単層構造でも良いし、多層構造でも良い。有機発光層は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていても良い。有機発光層は、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていても良い。また、有機発光層は、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいても良く、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であっても良い。発光効率、寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。

　有機発光材料としては、有機ＥＬ用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類される。低分子発光材料、高分子発光材料の具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記の発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでも良い。その場合、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。

　発光層に任意に含まれる発光性のドーパントとしては、有機ＥＬ用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、紫外発光材料としては、ｐ－クォーターフェニル、３，５，３，５テトラ－ｔ－ブチルセクシフェニル、３，５，３，５テトラ－ｔ－ブチル－ｐ－クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。青色発光材料として、スチリル誘導体等の蛍光発光材料、ビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２‘］ピコリネート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’，６‘－ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１－ピラゾイル）ボレート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ_６）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。

　また、ドーパントを用いる時のホスト材料としては、有機ＥＬ用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、４，４‘－ビス（カルバゾール）ビフェニル、９，９－ジ（４－ジカルバゾール－ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６－ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、（ＰＣＦ）等のカルバゾール誘導体、４－（ジフェニルフォスフォイル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアニリン（ＨＭ－Ａ１）等のアニリン誘導体、１，３－ビス（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４－ビス（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）等のフルオレン誘導体等が挙げられる。

　電荷注入輸送層は、電荷（正孔、電子）の電極からの注入と発光層への輸送（注入）をより効率良く行う目的で、電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）に分類される。電荷注入層および電荷輸送層は、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていても良い。電荷注入層および電荷輸送層は、以下に例示する電荷注入輸送材料に、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいても良い。電荷注入層および電荷輸送層は、以下に例示する電荷注入輸送材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であっても良い。

　電荷注入輸送材料としては、有機ＥＬ用、有機光導電体用の公知の電荷注入電荷輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料、電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
　正孔注入輸送材料としては、例えば、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の酸化物、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン－樟脳スルホン酸（ＰＡＮＩ－ＣＳＡ）、３，４－ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ－ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子材料等が挙げられる。

　また、陽極からの正孔の注入および輸送をより効率良く行う目的で、正孔注入層として用いる材料としては、正孔輸送層に使用する正孔注入輸送材料よりも最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましい。また、正孔輸送層としては、正孔注入層に使用する正孔注入輸送材料よりも正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

　また、正孔の注入性および輸送性をより向上させるため、前記の正孔注入輸送材料にアクセプターをドープすることが好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
　アクセプター材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ，Ｉｒ、ＰＯＣｌ₃ 、ＡｓＦ₆ 、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の無機材料、ＴＣＮＱ（７，７，８，８，－テトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＱＦ₄ （テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＥ（テトラシアノエチレン）、ＨＣＮＢ（ヘキサシアノブタジエン）、ＤＤＱ（ジシクロジシアノベンゾキノン）等のシアノ基を有する化合物、ＴＮＦ（トリニトロフルオレノン）、ＤＮＦ（ジニトロフルオレノン）等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。このうち、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ₄ 、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物がキャリア濃度をより効果的に増加させられるため、より好ましい。

　電子注入輸送材料としては、例えば、ｎ型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ－ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）等のフッ化物、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。

　陰極からの電子の注入および輸送をより効率良く行う目的で、電子注入層として用いる材料としては、電子輸送層に使用する電子注入輸送材料よりも最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましい。また、電子輸送層として用いる材料としては、電子注入層に使用する電子注入輸送材料よりも電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
　また、電子の注入性および輸送性をより向上させるため、前記の電子注入輸送材料にドナーをドープすることが好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

　ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス－（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－（フェニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン等）、トリフェニルアミン類（トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ－３－メチルフェニル－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン等）、トリフェニルジアミン類（Ｎ，Ｎ’－ジ－（４－メチル－フェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，４－フェニレンジアミン）等の芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物（ただし、縮合多環化合物は置換基を有しても良い）、ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料がある。
　これらのうち、特に、芳香族３級アミンを骨格に持つ化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がキャリア濃度をより効果的に増加させられるため、より好ましい。

　発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、および電子注入層等を含む有機ＥＬ層は、上記の材料を溶剤に溶解、分散させた有機ＥＬ層形成用塗液を用いて、公知のウェットプロセス、公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により形成することができる。公知のウェットプロセスは、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等によって行われる。公知のドライプロセスは、上記の材料を用いた抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等が挙げられる。なお、ウェットプロセスにより有機ＥＬ層を形成する場合には、有機ＥＬ層形成用塗液は、レベリング剤、粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいても良い。

　上記の有機ＥＬ層の各層の膜厚は、１ｎｍ～１０００ｎｍ程度が好ましいが、１０ｎｍ～２００ｎｍがより好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、本来必要とされる物性（電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性など）が得られない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じる虞がある。また、膜厚が２００ｎｍを超えると、有機ＥＬ層の抵抗成分により駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる。

　本実施形態の場合、陽極１３の端部において陽極１３と陰極２０との間でリーク電流が生じることを防止する目的で、エッジカバー２１が形成されている。エッジカバー２１は、絶縁材料を用いたＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができ、公知のドライ法およびウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターニングすることができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。エッジカバー２１を構成する材料は、公知の絶縁材料を使用することができ、本実施形態では特に限定されないが、光を透過する必要があり、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＨｆＳｉＯＮ、ＺｒＯ、ＨｆＯ、ＬａＯ等が挙げられる。エッジカバー２１の膜厚としては、１００ｎｍ～２０００ｎｍが好ましい。１００ｎｍ以下であると、絶縁性が十分ではなく、陽極１３と陰極２０との間でリークが生じ、消費電力の上昇、非発光の原因となる。また、２０００ｎｍ以上であると、成膜プロセスに時間が掛かり、生産性の低下、エッジカバー２１での電極の断線の原因となる。

　有機ＥＬ素子９は、陽極１３、陰極２０として用いられる反射電極と半透明電極との干渉効果による、もしくは、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）を有することが好ましい。これにより、有機ＥＬ素子９からの光を正面方向に集光する（指向性を持たせる）ことが可能となる。その結果、周囲に逃げる光を低減することができ、正面での発光効率を高めることができる。これにより、有機ＥＬ素子９の発光層１６中で生じる発光エネルギーをより効率良く蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂへ伝搬することが可能となり、正面輝度を高めることが可能となる。また、干渉効果により、発光スペクトルの調整も可能となり、所望の発光ピーク波長、半値幅に調整することで発光スペクトルの調整が可能となる。これにより、各色光を発光する蛍光体をより効果的に励起し得るスペクトルに制御することができる。

　本発明者らは、蛍光体を用いた表示装置について検討したところ、蛍光体の変換効率に着目し、鋭意努力した結果、蛍光体に対して励起光を効率良く入射させることと、蛍光体で発光した光を効率良く前面側に取り出することの両方を満足できる構成の一実施形態に想到した。
　すなわち、本実施形態の表示装置１は、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂと、反射層１０と、が備えられている。蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出させる。反射層１０は、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの光取出面７ｂと対向する面７ｃおよび入光面７ａと異なる側面７ｄに設けられている。表示装置１は、蛍光体層１０の側面に設けられた反射体８によって蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側面７ａから励起光を入射させる構造を有している。

　これにより、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの光取出面７ｂからの発光量を従来よりも向上させることができる。蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂから全方向に等方的に発光する光のうち、背面側および入光面以外の側面に向かう光を反射層１０により反射させて効率良く正面方向（光取出面方向）に向かわせることができ、発光効率を向上させる（正面方向への輝度を向上させる）ことができる。一般に、蛍光体のような発光体の場合、正面方向に取り出せる光が全体の２０％程度であることから、背面側に発光する光を正面側に取り出すことは発光効率の向上にとって効果的である。

　例えば、図１６Ａに示すように、蛍光体層１００に光源１０１から励起光Ｌ１（点線の矢印）を入射した場合、蛍光体層１００中に含まれる蛍光体からの光は、各蛍光体から等方的に発光する。そのため、蛍光体層１００の光取出面側（正面方向）に発光する光Ｌ２（１点鎖線の矢印）は、有効に外部に取り出すことができる。ところが、蛍光体層１００の側面方向および光取出面と反対側に発光する光Ｌ３（破線の矢印）は、外部に取り出すことが不可能であり、発光のロスとなる。実際に光取出面側に取り出すことが可能な光は、全体の発光量の２０％程度である。

　これに対し、図１６Ｂに示すように、蛍光体層１００の側面のみを金属等の反射層１０２で覆うと、蛍光体層１００の内部で発光する光のうち、側面に向かう光の一部Ｌ２は反射層１０２で反射させて外部に取り出すことが可能となる。しかしながら、背面側（光源側）に向かう光Ｌ３は正面方向に取り出すことができず、結果として、光を外部に効率良く取り出すことができない。

　これに対し、図１６Ｃに示すように、蛍光体層１００の励起光入射側（光源１０１側）の面および側面に、励起光のピーク波長の光を透過し、蛍光体層１００の発光ピーク波長の光を反射する特性を有する透過・反射多層膜１０３を形成する構成も考えられる。
　この場合、励起光Ｌ１を蛍光体層１００の内部に取り込み、蛍光体層１００内で発生した光の一部を反射することが可能となる。ところが、透過・反射多層膜１０３は光の入射角が性能に大きく影響を及ぼし、全方向に等方的な発光が生じる蛍光体層１００の内部ではその性能を十分に発揮することが困難である。その結果、入射角によっては透過・反射多層膜１０３を透過したり、透過・反射多層膜１０３に吸収されたりする成分が発生し、光を十分に外部に取り出すことができない。つまり、蛍光体層への励起光の入射時の損失を低減することと、蛍光体層の光取り出し方向と異なる方向への光の損失を低減することの両者を満足することが、光取出し効率向上に繋がる。

　本発明のいくつかの実施形態では、蛍光体層の光取出面（正面側）と対面する面（背面）および側面に向けて発光する光をいかに正面方向に持っていくかに着目した。この観点から、光源からの励起光を蛍光体層の少なくとも１つ以上の側面から入射させ、蛍光体層の背面に反射層を設けることで、背面方向に発光する光を反射層で効率良く反射させる構成とすれば、正面方向（光取出方向）に取り出すことが可能となる。

　本実施形態では、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側方に断面が三角形状の反射体８が形成されている。反射体８の断面形状を変えることによって反射面８ａの傾斜角度を調整することができる。これにより、励起光を蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂに入射させる際の入射角度の最適化を図ることができ、励起光を蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂに効率良く入射させることができる。

　なお、図１Ａには図示していないが、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの励起光を入射させる側面７ａに、励起光を透過し、蛍光体から発光する光を反射する特性を有する波長選択透過反射層を形成することが望ましい。この波長選択透過反射層は、励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過し、蛍光体層の発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射させる特性を有することが必要である。より具体的に、波長選択透過反射層の材料としては、例えば誘電体多層膜、金属薄膜ガラス等からなる無機材料膜、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなる樹脂膜等が挙げられるが、本実施形態はこれらの層に限定されるものではない。波長選択透過反射層の効果については後の実施例の項で詳述する。

　この波長選択透過反射層により、有機ＥＬ素子基板４からの励起光を蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂに効率良く入射させることができる。また、この波長選択透過反射層により、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂから全方向に等方的に発光する光の進行方向を効率良く正面方向に変えることができる。特に、この構成によれば、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂで発光し、励起光を入射させる側面７ａに向かう光も波長選択透過反射層で反射させ、正面方向に射出させることができる。このようにして、発光効率を向上させる（正面方向への輝度を向上させる）ことができる。

　また本実施形態の場合、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの光取出面７ｂ側に複数のプリズム１１からなる光散乱構造部１２が設けられている。したがって、基板本体５と蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの屈折率差から発生する臨界角、すなわち全反射条件を最小化することが可能となり、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂから基板本体５への光の伝搬効率を向上させることができる。さらに、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂと基板本体５とが完全に密着した構造であるから、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂから基板本体５への光の伝搬効率を向上させることができる。なお、複数のプリズム１１からなる光散乱構造部１２に代えて、可視光の波長レベルのピッチを有する回折格子からなる光散乱構造部を用いても良い。

［第１の実施形態の第１の変形例］
　以下、上記実施形態の第１の変形例について、図２を用いて説明する。
　本変形例の表示装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、青色光を発光する有機ＥＬ素子基板を光源として用いた点が第１の実施形態と異なっている。
　図２は、本変形例の表示装置を示す断面図である。図２において、第１の実施形態で用いた図１Ａと共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　本変形例の表示装置２５は、図２に示すように、蛍光体基板２６と、蛍光体基板２６上に平坦化膜３を介して貼り合わされた有機ＥＬ素子基板２７（光源）と、から構成されている。本変形例の表示装置２５においては、光源としての有機ＥＬ素子基板２７から青色光が射出される。青色光の主発光ピークは、例えば４１０ｎｍ～４７０ｎｍであることが望ましい。

　また、蛍光体基板２６においては、赤色画素ＰＲには青色光を励起光として赤色光を発光する赤色蛍光体層７Ｒが設けられる。緑色画素ＰＧには青色光を励起光として緑色光を発光する緑色蛍光体層７Ｇが設けられている。これに対して、青色画素ＰＢには入射した青色光を散乱させて外部に射出させるための光散乱層２８が設けられている。光散乱層２８は、例えば光透過性を有する無機材料もしくは有機材料中にこれら材料とは屈折率が異なる粒子等が分散された構成を有している。光散乱層２８に入射した光は層内で等方的に散乱する。赤色画素ＰＲと緑色画素ＰＧについては、第１の実施形態と同様、各蛍光体層７Ｒ，７Ｇの光取出面７ｂと対向する面７ｃおよび入光面７ａ以外の側面７ｄに反射層１０が形成されている。青色画素ＰＢについても、光散乱層２８の光取出面２８ｂと対向する面２８ｃおよび入光面２８ａ以外の側面２８ｄに反射層１０が形成されている。表示装置２５のその他の構成は第１の実施形態と同様である。

　本変形例の表示装置２５においては、蛍光体基板２６に有機ＥＬ素子基板２７からの青色光が励起光として入射される。赤色画素ＰＲでは赤色蛍光体層７Ｒにより赤色の蛍光が生じる。緑色画素ＰＧでは緑色蛍光体層７Ｇにより緑色の蛍光が生じる。青色画素ＰＢでは入射した青色光を光散乱層２８で散乱させてそのまま射出させ、これら各色光によってフルカラー表示が行われる。このように、青色画素ＰＢの表示原理が第１の実施形態と異なるものの、本変形例においても、正面方向への輝度が高く、発光効率に優れた表示装置が実現できるといった第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

［第１の実施形態の第２の変形例］
　以下、上記実施形態の第２の変形例について、図３を用いて説明する。
　本変形例の表示装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、蛍光体層の側面から励起光を入射させるための反射体の断面形状が第１の実施形態と異なっている。
　図３は、本変形例の表示装置を示す断面図である。図３において、第１の実施形態で用いた図１Ａと共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　本変形例の表示装置３１においては、図３に示すように、蛍光体基板３２の蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側方に、断面が二等辺三角形状の反射体３３が形成されている。第１の実施形態における反射体８は、一方向に傾斜した反射面８ａ（図１Ａの右下がりの反射面）を有している。これに対し、本変形例における反射体３３は、基板本体５の法線に平行な中心軸を対称軸として２つの方向に傾斜した２つの反射面３３ａ，３３ｂ（図３の左下がりの反射面と右下がりの反射面）を有している。各反射面３３ａ，３３ｂは、紫外光Ｌｖの入射方向に対して０度より大きく、９０度より小さい傾斜角度をなしている。したがって、反射体３３に入射する励起光Ｌｖのうち、図３に示す反射体３３の左側半分に入射した光は反射面３３ａで反射して右側に向けて進行し、左側半分に入射した光は反射面３３ｂで反射して左側に向けて進行する。

　本変形例の場合、上述したように、反射体３３が励起光Ｌｖを異なる方向に反射させる２つの反射面３３ａ，３３ｂを有しているため、各蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂには両側面から励起光が入射することになる。したがって、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの光取出面７ｂと対向する面に反射層１０が形成され、側面７ａ，７ｄには反射層１０が形成されていない。あるいは、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側面に反射層を全く形成しない構成に代えて、第１の実施形態で説明した波長選択透過反射層を形成する構成としても良い。

　本変形例においても、正面方向への輝度が高く、発光効率に優れた表示装置が実現できるといった第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、反射体３３の反射面３３ａ，３３ｂの面積を適宜変えることにより、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂに入射させる励起光の光量を増やすことができ、正面方向に取り出す光の輝度を向上させることができる。

［第１の実施形態の第３の変形例］
　以下、上記実施形態の第３の変形例について、図４を用いて説明する。
　本変形例の表示装置の基本構成は第２の変形例と同様であり、蛍光体層および反射層の断面形状が第２の変形例と異なっている。
　図４は、本変形例の表示装置を示す断面図である。図４において、第２の変形例で用いた図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　第２の変形例においては、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ上の反射層１０は膜厚が一定の平坦な膜である。これに対し、本変形例の表示装置３６においては、蛍光体基板３７上の蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは、図４に示すように、中央の層厚が薄く、両端の層厚が厚い。また、各蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの光取出面７ｂと対向する面７ｃとは非平行となっている。この形状に対応して、反射層３８は中央の層厚が厚く、両端の層厚が薄くなっている。

　本変形例においても、正面方向への輝度が高く、発光効率に優れた表示装置が実現できるといった第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　また、反射層３８の反射面が両側に傾斜しているため、反射層３８で反射した光が基板本体５の法線方向から外側に向けて広がるように進行する。そのため、本変形例の表示装置３６の構成によれば、視野角をより広げることができる。

［第１の実施形態の第４の変形例］
　以下、上記実施形態の第４の変形例について、図５を用いて説明する。
　本変形例の表示装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、光源の光射出側にマイクロレンズを設けた点が第１の実施形態と異なっている。
　図５は、本変形例の表示装置を示す断面図である。図５において、第１の実施形態で用いた図１Ａと共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　本変形例の表示装置４１においては、図５に示すように、有機ＥＬ素子基板４２（光源）上の有機ＥＬ素子９（発光素子部）の光射出側にマイクロレンズ４３（集光素子）が設けられている。マイクロレンズ４３は、有機ＥＬ素子９から射出される励起光Ｌｖを反射体８の反射面８ａに向けて集光するためのものである。また、上記実施形態では、有機ＥＬ素子９の寸法は隣接する蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ間の間隔と略一致している。本変形例では、有機ＥＬ素子９は、その寸法が隣接する蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ間の間隔、すなわち反射体８の平面寸法よりも大きくなるように形成されている。さらに、有機ＥＬ素子９の中心と反射面８ａの中心とが基板本体５の法線上に位置している。蛍光体基板２の構成は上記実施形態と同一である。

　本変形例においても、正面方向への輝度が高く、発光効率に優れた表示装置が実現できるといった第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　また、本変形例の場合、有機ＥＬ素子９の光射出側にマイクロレンズ４３が備えられているため、反射体８の面積が小さい場合においても、励起光をより正確に反射体８へ入射させることができる。その結果、励起光Ｌｖを蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側面７ａにより効率的に入射させることができる。さらに、有機ＥＬ素子９の中心が反射体８の中心と一直線上にあり、有機ＥＬ素子９の面積が反射体８の面積よりも大きいため、少なくとも反射体８よりも広い面積の発光面を有する有機ＥＬ素子９からの光をより効率的に反射体８に入射させることができる。よって、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側面７ａに励起光をより効率的に入射させることができる。特に有機ＥＬ素子のような発光素子においては、発光量が発光寿命に大きく影響するため、反射体８への光の入射量を維持したままで単位面積当たりの発光量をより小さくできることは、有機ＥＬ素子の長寿命化にとって効果的である。

［第１の実施形態の第５の変形例］
　以下、上記実施形態の第５の変形例について、図６を用いて説明する。
　本変形例の表示装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、各画素にカラーフィルターを備えた点が第１の実施形態と異なっている。
　図６は、本変形例の表示装置を示す断面図である。図５において、第１の実施形態で用いた図１Ａと共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　本変形例の表示装置４６においては、図６に示すように、蛍光体基板４７を構成する基板本体５と各画素の蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂとの間にカラーフィルター４８Ｒ，４８Ｇ，４８Ｂが設けられている。赤色画素ＰＲには赤色カラーフィルター４８Ｒが設けられている。緑色画素ＰＧには緑色カラーフィルター４８Ｇが設けられている。青色画素ＰＢには青色カラーフィルター４８Ｂが設けられている。カラーフィルター４８Ｒ，４８Ｇ，４８Ｂとしては、従来一般のカラーフィルターを用いることが可能である。その他の構成は第１の実施形態と同様である。

　本変形例においても、正面方向への輝度が高く、発光効率に優れた表示装置が実現できるといった第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　また、本変形例の場合、各画素に対応してカラーフィルター４８Ｒ，４８Ｇ，４８Ｂが備えられているため、赤色画素ＰＲ、緑色画素ＰＧ、青色画素ＰＢの各々の色純度を高めることができ、表示装置４６の色再現範囲を拡大することができる。また、赤色蛍光体層７Ｒの下層に形成された赤色カラーフィルター４８Ｒ、緑色蛍光体層７Ｇの下層に形成された緑色カラーフィルター４８Ｇ、青色蛍光体層７Ｂの下層に形成された青色カラーフィルター４８Ｂが、外光中に含まれる励起光成分を吸収する。したがって、外光による蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの発光を低減もしくは防止することが可能となり、コントラストの低下を低減もしくは防止することができる。さらに、青色カラーフィルター４８Ｂ、緑色カラーフィルター４８Ｇ、赤色カラーフィルター４８Ｒによって、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂで吸収されず、透過しようとする励起光が外部に漏れ出すのを防止できる。このため、蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂからの発光と励起光による混色によって表示の色純度が低下するのを防止することができる。

［第１の実施形態の第６の変形例］
　以下、上記実施形態の第６の変形例について、図７Ａおよび図７Ｂを用いて説明する。
　本変形例の表示装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、光源としてＬＥＤ基板を用いている点が第１の実施形態と異なっている。
　図７Ａは、本変形例の表示装置の全体構成を示す断面図である。図７Ｂは、光源としてのＬＥＤ基板を示す断面図である。図７Ａおよび図７Ｂにおいて、第１の実施形態で用いた図１Ａおよび図１Ｂと共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　本変形例の表示装置５１において、蛍光体基板２の構成は第１の実施形態と同一であり、光源の構成が異なっている。ＬＥＤ基板５２（光源）は、図７Ｂに示すように、基板本体５３の一面に第１のバッファ層５４、ｎ型コンタクト層５５、第２のｎ型クラッド層５６、第１のｎ型クラッド層５７、活性層５８、第１のｐ型クラッド層５９、第２のｐ型クラッド層６０、第２のバッファ層６１が順次積層され、ｎ型コンタクト層５５上に陰極６２が形成され、第２のバッファ層６１上に陽極６３が形成された構成のＬＥＤ６４を有している。なお、ＬＥＤ基板としては公知のＬＥＤ、例えば紫外発光無機ＬＥＤ、青色発光無機ＬＥＤ等を用いることができ、具体的な構成は上記のものに限ることはない。

　以下、ＬＥＤ基板５２の各構成要素について詳細に説明する。
　本実施形態で用いられる活性層５８は、電子と正孔の再結合より発光を行う層であり、活性層材料としては、ＬＥＤ用の公知の活性層材料を用いることができる。このような活性層材料としては、例えば、紫外活性層材料としては、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、Ｉｎ_aＡｌ_bＧａ_1-a-bＮ（０≦ａ、０≦ｂ、ａ+ｂ≦１）、青色活性層材料としては、Ｉｎ_zＧａ_1-z Ｎ（０＜ｚ＜１）等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
　また、活性層５８として、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものが用いられる。量子井戸構造の活性層はｎ型、ｐ型のいずれでも良いが、特にノンドープ（不純物無添加）の活性層とすると、バンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり、色純度のよい発光が得られるため、好ましい。

　また、活性層５８にドナー不純物、アクセプター不純物の少なくとも一方をドープしてもよい。不純物をドープした活性層の結晶性がノンドープのものと同じであれば、ドナー不純物をドープすることにより、ノンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。アクセプター不純物をドープすると、バンド間発光のピーク波長よりも約０．５ｅＶだけ低エネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが、半値幅は広くなる。アクセプター不純物とドナー不純物との両者をドープすると、アクセプター不純物のみをドープした活性層の発光強度に比べて、その発光強度をさらに大きくすることができる。特に、アクセプター不純物をドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はＳｉ等のドナー不純物をもドープしてｎ型とすることが好ましい。

　本実施形態で用いられるｎ型クラッド層５６，５７としては、ＬＥＤ用の公知のｎ型クラッド層材料を用いることができる。クラッド層５６，５７は、単層でも多層構成でも良い。活性層５８よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型半導体でｎ型クラッド層５６，５７を構成した場合、ｎ型クラッド層５６，５７と活性層５８との間には正孔に対する電位障壁ができ、正孔を活性層５８に閉じ込めることが可能となる。例えば、ｎ型Ｉｎ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）によりｎ型クラッド層５６，５７を形成することが可能であるが、本実施形態は、これらに限定されるものではない。

　本実施形態で用いられるｐ型クラッド層５９，６０としては、ＬＥＤ用の公知のｐ型クラッド層材料を用いることができる。ｐ型クラッド層５９，６０は、単層でも多層構成でも良い。活性層５８よりもバンドギャップエネルギーが大きいｐ型半導体でｐ型クラッド層５９，６０を構成した場合、ｐ型クラッド層５９，６０と活性層５８との間には電子に対する電位障壁ができ、電子を活性層５８に閉じ込めることが可能となる。例えば、Ａｌ_y Ｇａ_1-y Ｎ（０≦ｙ≦１）によりｐ型クラッド層５９，６０を形成することが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。

　本実施形態で用いられるｎ型コンタクト層５５としては、ＬＥＤ用の公知のコンタクト層材料を用いることができる。例えば、ｎ型クラッド層５６，５７に接して電極を形成する層としてｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層５５を形成することが可能である。また、ｐ型クラッド層５９，６０に接して電極を形成する層として、ｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層を形成することも可能である。ただし、このコンタクト層は、第２のｎ型クラッド層５６、第２のｐ型クラッド層６０がＧａＮで形成されていれば、特に形成する必要はなく、第２のクラッド層をコンタクト層とすることも可能である。

　本実施形態で用いられる上記の各層は、ＬＥＤ用の公知の成膜プロセスを用いることが可能であるが、本実施形態は特にこれらに限定されるものではない。例えば、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）、ＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の気相成長法を用いて、例えばサファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面を含む）、ＳｉＣ（６Ｈ－ＳｉＣ、４Ｈ－ＳｉＣも含む）、スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、特にその（１１１）面）、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、あるいは他の酸化物単結晶基板（ＮＧＯ等）等の基板上に形成することが可能である。

　本変形例においても、正面方向への輝度が高く、発光効率に優れた表示装置が実現できるといった第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

［第１の実施形態の第７の変形例］
　以下、上記実施形態の第７の変形例について、図８Ａおよび図８Ｂを用いて説明する。
　本変形例の表示装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、光源として無機ＥＬ基板を用いている点が第１の実施形態と異なっている。
　図８Ａは、本変形例の表示装置の全体構成を示す断面図であり、図８Ｂは、光源としての無機ＥＬ基板を示す断面図である。図８Ａおよび図８Ｂにおいて、第１の実施形態で用いた図１Ａおよび図１Ｂと共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　本変形例の表示装置６７において、無機ＥＬ素子基板６８（光源）は、図８Ｂに示すように、基板本体６９の一面に第１電極７０、第１誘電体層７１、発光層７２、第２誘電体層７３、第２電極７４が順次積層された構成の無機ＥＬ素子７５を有している。なお、無機ＥＬ素子７５としては公知の無機ＥＬ、例えば紫外発光無機ＥＬ、青色発光無機ＥＬ等を用いることができ、具体的な構成は上記のものに限ることはない。

　以下、無機ＥＬ素子基板６８の各構成要素について詳細に説明する。
　基板本体６９としては、上述の有機ＥＬ素子基板４と同様のものを用いることができる。
　本実施形態で用いられる第１電極７０および第２電極７４としては、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、およびインジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ_２）インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられるが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。しかし、光を取り出す側の電極には、ＩＴＯ等の透明電極が良く、光を取り出す方向と逆側の電極には、アルミニウム等の反射膜を用いることが好ましい。

　第１電極７０および第２電極７４は、上記の材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることでパターニングした電極を直接形成することもできる。第１電極７０および第２電極７４の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなり、駆動電圧が上昇する虞がある。

　本実施形態で用いられる第１誘電体層７１および第２誘電体層７３としては、無機ＥＬ用の公知の誘電体材料を用いることができる。このような誘電体材料としては、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸アルミニウム（ＡｌＴｉＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。また、本実施形態の第１誘電体層７１および第２誘電体層７３は上記の誘電体材料のうちから選んだ１種類で構成しても良いし、２種類以上の材料を積層した構成でも良い。また、各誘電体層７１，７３の膜厚は、２００ｎｍ～５００ｎｍ程度が好ましい。

　本実施形態で用いられる発光層７２としては、無機ＥＬ用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料としては、例えば紫外発光材料としては、ＺｎＦ₂：Ｇｄ、青色発光材料としては、ＢａＡｌ₂Ｓ₄：Ｅｕ、ＣａＡｌ₂Ｓ₄：Ｅｕ、ＺｎＡｌ₂Ｓ₄：Ｅｕ、Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｔｍ、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＳｒＳ：Ｃｕ、ＣａＳ：Ｐｂ、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ_２Ｓ_４：Ｅｕ等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。また、発光層７２の膜厚は、３００ｎｍ～１０００ｎｍ程度が好ましい。

　なお、光源の構成として、上記実施形態では有機ＥＬ素子、第６の変形例ではＬＥＤ、第７の変形例では無機ＥＬ素子を例示した。これらの構成例において、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ、無機ＥＬ素子等の発光素子を封止する封止膜または封止基板を設けることが好ましい。封止膜および封止基板は、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、光源を構成する基板本体と逆側の表面上にスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法を用いて樹脂を塗布することによって封止膜とすることもできる。もしくは、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタ法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を形成した後、さらに、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法を用いて樹脂を塗布する、または、貼り合わせることによって封止膜とすることもできる。

　このような封止膜や封止基板により、外部からの発光素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、光源の寿命が向上する。また、光源と蛍光体基板とを接合するときは、一般の紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等で接着させることが可能である。また、次に説明する第２の実施形態のように、蛍光体基板上に光源を直接形成しても良く、その場合には、例えば窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス板、金属板等で封止する方法が挙げられる。さらに、封入した不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入すると、水分による有機ＥＬの劣化をより効果的に低減できるため、好ましい。ただし、本実施形態は、これらの部材や形成方法に限定されるものではない。また、基板と逆側から光を取り出す場合は、封止膜、封止基板ともに光透過性の材料を使用する必要がある。

［第２の実施形態］
　以下、本発明の第２の実施形態について、図９Ａ及び図９Ｂを用いて説明する。
　本実施形態の表示装置は、蛍光体基板上に光源を作り込んでいる点が第１の実施形態と異なっている。
　図９Ａは本実施形態の表示装置を示す断面図である。図９Ｂは本実施形態の表示装置の有機ＥＬ素子基板の要部を示す断面図である。図９Ａ及び図９Ｂにおいて、第１の実施形態で用いた図１Ａおよび図１Ｂと共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　本実施形態の表示装置７８は、図９Ａに示すように、蛍光体基板７９上の蛍光体層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの側方に光源となる有機ＥＬ素子９が形成されている。有機ＥＬ素子９は、第１の実施形態で例示した図１Ｂに示すものと同様の構成で良く、光吸収層６上に陽極１３、正孔注入層１４、正孔輸送層１５、発光層１６、正孔ブロッキング層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９、陰極２０が順次積層された構成を有している。ただし、第１の実施形態でも述べたように、有機ＥＬ素子９の具体的な構成は上記のものに限ることはない。また、本実施形態の有機ＥＬ素子９が紫外光を発光する場合には、青色画素ＰＢは紫外光を励起光として青色光を発光する青色蛍光体層を有するものとする。これに対して、本実施形態の有機ＥＬ素子９が青色光を発光する場合には、青色画素ＰＢは青色光を散乱させる光散乱層を有するものとする。

　本実施形態においても、正面方向への輝度が高く、発光効率に優れた表示装置が実現できるといった第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態の場合、蛍光体基板７９上に光源が直接作り込まれた構成であるため、光の伝搬効率に優れ、発光効率を高めることができる。また、基板本体が１枚で済み、薄型の表示装置を実現することができる。

［第３の実施形態］
　以下、本発明の第３の実施形態について、図１０、図１１を用いて説明する。
　本実施形態の表示装置は、アクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ素子基板を光源とした構成例である。
　図１０は本実施形態の表示装置を示す断面図である。図１１は本実施形態の表示装置を示す平面図である。図１０において、第１の実施形態で用いた図１Ａと共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　本実施形態の表示装置８２は、図１０に示すように、蛍光体基板２と、蛍光体基板２上に平坦化膜３を介して貼り合わされた有機ＥＬ素子基板８３（光源）と、から構成されている。本実施形態の有機ＥＬ素子基板８３は、赤色画素ＰＲ、緑色画素ＰＧ、青色画素ＰＢの各々に光を照射するか否かを切り換える手段として、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式が用いられている。一方、蛍光体基板２の構成は第１の実施形態と同様である。本実施形態の有機ＥＬ素子基板８３が紫外光を発光する場合には、青色画素ＰＢは紫外光を励起光として青色光を発光する青色蛍光体層を有するものとする。もしくは、本実施形態の有機ＥＬ素子基板８３が青色光を発光する場合には、青色画素ＰＢは青色光を散乱させる光散乱層を有するものとする。

（アクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ素子基板）
　以下、アクティブマトリクス駆動型の本実施形態の有機ＥＬ素子基板８３について詳細に説明する。
　本実施形態の有機ＥＬ素子基板８３は、図１０に示すように、基板本体８４の一面にＴＦＴ８５が形成されている。すなわち、ゲート電極８６およびゲート線８７が形成され、これらゲート電極８６およびゲート線８７を覆うように基板本体８４上にゲート絶縁膜８８が形成されている。ゲート絶縁膜８８上には活性層（図示略）が形成されている。活性層上には、ソース電極８９、ドレイン電極９０およびデータ線９１が形成されている。これらソース電極８９、ドレイン電極９０およびデータ線９１を覆うように平坦化膜９２が形成されている。
　なお、この平坦化膜９２は単層構造でなくても良く、他の層間絶縁膜と平坦化膜を組み合わせた構成としても良い。また、平坦化膜もしくは層間絶縁膜を貫通してドレイン電極９０に達するコンタクトホール９３が形成されている。平坦化膜９２上にコンタクトホール９３を介してドレイン電極９０と電気的に接続された有機ＥＬ素子９の陽極１３が形成されている。有機ＥＬ素子９自体の構成は第１の実施形態と同様である。

　アクティブマトリクス駆動型に用いる基板本体８４としては、５００℃以下の温度で溶融することなく、歪みも生じない基板を用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置で金属基板上にＴＦＴを形成することが困難であるが、線膨張係数が１×１０^－５／ ℃ 以下の鉄－ニッケル系合金である金属基板を用い、線膨張係数をガラスに合わせ込むことで、従来の生産装置を用いて金属基板上にＴＦＴを安価に形成することができる。また、プラスティック基板の場合には、耐熱温度が低いため、ガラス基板上にＴＦＴを形成した後、プラスティック基板にＴＦＴを転写することで、プラスティック基板上にＴＦＴを転写形成することができる。さらに、有機ＥＬ層からの発光を基板と逆側から取り出す場合には基板としての制約はないが、有機ＥＬ層からの発光を基板側から取り出す場合には透明または半透明の基板を用いる必要がある。

　ＴＦＴ８５は、有機ＥＬ素子９を形成する前に基板本体８４上に形成され、画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子駆動用素子として機能する。本実施形態で用いられるＴＦＴ８５としては、公知のＴＦＴが挙げられ、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。また、本実施形態では、ＴＦＴ８５の代わりに、金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。

　ＴＦＴ８５の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム－酸化ガリウム－酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、またはポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ－フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料などが挙げられる。また、ＴＦＴ８５の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型などが挙げられる。

　ＴＦＴ８５を構成する活性層の形成方法としては、以下の方法等が挙げられる。（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ_４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ_２Ｈ_６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法またはＳｉＨ_４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ^＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法。

　本実施形態で用いられるＴＦＴ８５のゲート絶縁膜８８は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ_２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ_２等が挙げられる。また、本実施形態で用いられるＴＦＴ８５のデータ線９１、ゲート線８７、ソース電極８９およびドレイン電極９０は、公知の導電性材料を用いて形成することができ、例えばタンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。本実施形態に係るＴＦＴ８５は、上記のような構成とすることができるが、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。

　本実施形態に用いられる層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、または、Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化タンタル（ＴａＯ、または、Ｔａ_２Ｏ_５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、その形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウェットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。

　その他、有機ＥＬ素子９からの光を基板本体８４の逆側から取り出す場合には、基板本体８４上に形成されたＴＦＴ８５に外光が入射し、ＴＦＴ８５の電気的特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を用いることが好ましい。また、上記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性層間絶縁膜としては、フタロシアニン、キナクリドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、Ｎｉ_ｘＺｎ_ｙＦｅ_２Ｏ_４等の無機絶縁材料等が挙げられる。しかしながら、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。

　本実施形態においては、基板本体８４上に形成したＴＦＴ８５や各種配線、電極により、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機ＥＬ素子９の欠陥（例えば、陽極１３や陰極２０の欠損や断線、有機ＥＬ層の欠損、陽極１３と陰極２０との短絡、耐圧の低下等）が発生する虞がある。よって、これらの欠陥を防止する目的で層間絶縁膜上に平坦化膜９２を設けることが望ましい。本実施形態で用いられる平坦化膜９２は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜９２の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウェットプロセスが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜９２は、単層構造でも多層構造でもよい。

　本実施形態の表示装置８２は、図１１に示すように、有機ＥＬ素子基板８３上に形成された画素部９４、ゲート信号側駆動回路９５、データ信号側駆動回路９６、信号配線９７、および電流供給線９８と、有機ＥＬ素子基板８３に接続されたフレキシブルプリント配線板９９（ＦＰＣ）および外部駆動回路１１１、とを備えている。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子基板８３は、有機ＥＬ素子９を駆動するために走査線電極回路、データ信号電極回路、電源回路等を含む外部駆動回路１１１に、ＦＰＣ９９を介して電気的に接続されている。本実施形態の場合、ＴＦＴ８５等のスイッチング回路が画素部９４内に配置されている。ＴＦＴ８５等が接続されるデータ線９１、ゲート線８７等の配線に有機ＥＬ素子９を駆動するためのデータ信号側駆動回路９６、ゲート信号側駆動回路９５がそれぞれ接続されている。データ信号側駆動回路９６、ゲート信号側駆動回路９５に信号配線９７を介して外部駆動回路１１１が接続されている。画素部９４内には、複数のゲート線８７および複数のデータ線９１が配置され、ゲート線８７とデータ線９１との交差部にＴＦＴ８５が配置されている。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子９は、電圧駆動デジタル階調方式により駆動が行われる。画素毎にスイッチング用ＴＦＴおよび駆動用ＴＦＴの２つのＴＦＴが配置され、駆動用ＴＦＴと有機ＥＬ素子９の陽極１３とが平坦化層９２に形成されるコンタクトホール９３を介して電気的に接続されている。また、一つの画素内には駆動用ＴＦＴのゲート電位を定電位にするためのコンデンサー（図示略）が、駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されるように配置されている。しかし、本実施形態では、特にこれらに限定されるものではなく、駆動方式は、前述した電圧駆動デジタル階調方式でも良く、電流駆動アナログ階調方式でも良い。また、ＴＦＴの数も特に限定されるものではなく、前述した２つのＴＦＴにより有機ＥＬ素子９を駆動しても良いし、ＴＦＴ８５の特性（移動度、閾値電圧）バラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した２個以上のＴＦＴを用いて有機ＥＬ素子９を駆動しても良い。

　本実施形態においても、正面方向への輝度が高く、発光効率に優れた表示装置が実現できるといった第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　特に本実施形態では、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ素子基板８３を採用しているため、表示品位に優れた表示装置を実現することができる。また、パッシブ駆動に比べて有機ＥＬ素子９の発光時間を長くすることができ、所望の輝度を得るための駆動電流を低減することができるため、低消費電力化が図れる。さらに、有機ＥＬ素子基板８３の逆側（蛍光体基板側）から光を取り出す構成であるから、ＴＦＴや各種配線等の形成領域に関係なく発光領域を広げることができ、画素の開口率を高めることができる。

［第４の実施形態］
　以下、本発明の第４の実施形態について、図１２を用いて説明する。
　本実施形態の表示装置は、蛍光体基板と光源との間に液晶素子を装入した構成例である。
　図１２は本実施形態の表示装置を示す断面図である。図１２において、第１の実施形態で用いた図１Ａおよび図１Ｂと共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。

　本実施形態の表示装置１１３は、図１２に示すように、蛍光体基板２と、有機ＥＬ素子基板１１４（光源）と、液晶素子１１５と、を備えている。蛍光体基板２の構成は第１の実施形態と同様であり、説明は省略する。また、有機ＥＬ素子基板１１４の積層構造は、第１の実施形態において図１Ｂに示したものと同様である。ところが、第１の実施形態では、各画素に対応する有機ＥＬ素子に個別に駆動信号が供給され、各有機ＥＬ素子が独立して発光、非発光が制御されていたのに対し、本実施形態では、有機ＥＬ素子１１６は、画素毎に分割されておらず、全ての画素に共通の面状光源として機能する。また、液晶素子１１５は、一対の電極を用いて液晶層に印加する電圧を画素毎に制御可能な構成とされ、有機ＥＬ素子１１６の全面から射出された光の透過率を画素毎に制御する。すなわち、液晶素子１１５は、有機ＥＬ素子基板１１４からの光を画素毎に選択的に透過させる光シャッターとしての機能を有する。

　本実施形態の液晶素子１１５は、公知の液晶素子を用いることが可能であり、例えば一対の偏光板１１７，１１８と、電極１１９，１２０と、配向膜１２１，１２２と、基板１２３と、を有し、配向膜１２１，１２２間に液晶１２４が挟持されている。さらに、液晶セルと一方の偏光板１１７，１１８との間に光学異方性層が１枚配置されてもよい。または、液晶セルと双方の偏光板１１７，１１８との間に光学異方性層が２枚配置されてもよい。液晶セルの種類としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＴＮモード、ＶＡモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＥＣＢモードなどが挙げられる。また、液晶素子１１５は、パッシブ駆動でも良いし、ＴＦＴ等のスイッチング素子を用いたアクティブ駆動でも良い。

　本実施形態においても、正面方向への輝度が高く、発光効率に優れた表示装置が実現できるといった第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　また本実施形態の場合、液晶素子１１５による画素のスイッチングと面状光源として機能する有機ＥＬ素子基板１１４とを組み合わせることで、消費電力をより低減することができる。

［第５の実施形態］
　上記実施形態の表示装置を備えた電子機器の一例として、図１３Ａに示す携帯電話機、図１３Ｂに示すテレビ受信装置などが挙げられる。
　図１３Ａに示す携帯電話機１２７は、本体１２８、表示部１２９、音声入力部１３０、音声出力部１３１、アンテナ１３２、操作スイッチ１３３等を備えており、表示部１２９に上記実施形態の表示装置が用いられている。
　図１３Ｂに示すテレビ受信装置１３５は、本体キャビネット１３６、表示部１３７、スピーカー１３８、スタンド１３９等を備えており、表示部１３７に上記実施形態の表示装置が用いられている。
　このような電子機器においては、上記実施形態の表示装置が用いられているため、表示品位に優れた低消費電力の電子機器を実現することができる。

［第６の実施形態］
　以下、本発明の蛍光体基板を備えた照明装置について、図１４を用いて説明する。
　本実施形態の照明装置１４１は、図１４に示すように、光学フィルム１４２、蛍光体基板１４３、陽極１４４と有機ＥＬ層１４５と陰極１４６とを含む有機ＥＬ素子１４７、熱拡散シート１４８、封止基板１４９、封止樹脂１５０、放熱材１５１、駆動用回路１５２、配線１５３、引掛けシーリング１５４、を備えている。
　このような照明装置においては、蛍光体基板１４３として上記実施形態の蛍光体基板が用いられているため、明るく、低消費電力の照明装置を実現することができる。

　なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
　例えば上記実施形態で説明した表示装置には、光取り出し側に偏光板を設けることが好ましい。偏光板としては、従来の直線偏光板とλ／４板とを組み合わせたものを用いることができる。このような偏光板を設けることによって、表示装置の電極からの外光反射、もしくは基板や封止基板の表面での外光反射を防止することができ、表示装置のコントラストを向上させることができる。その他、蛍光体基板、表示装置、照明装置の各構成要素の形状、数、配置、材料、形成方法等に関する具体的な記載は、上記実施形態に限ることなく、適宜変更が可能である。

　さらに、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
（比較例）
　基板として、０．７ｍｍのガラスを用いた。これを水洗後、純水超音波洗浄１０分、アセトン超音波洗浄１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄５分を行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
　次に、基板上に膜厚１００μｍの緑色蛍光体層を形成した。
　ここで、緑色蛍光体層の形成は、まず、平均粒径５ｎｍのエアロジル０．１６ｇにエタノール１５ｇおよびγ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて開放系室温下で１時間攪拌した。この混合物と緑色蛍光体Ｃａ_０．９７Ｍｇ_０．０３：ＺｒＯ_３：Ｈｏ２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７０℃のオーブンで２時間、さらに１２０℃のオーブンで２時間加熱し、表面改質したＢａ₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺を得た。

　次に、表面改質を施したＣａ_０．９７Ｍｇ_０．０３：ＺｒＯ_３：Ｈｏ　１０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌した緑色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した緑色蛍光体形成用塗液を、スクリーン印刷法で、前記ガラス上に３ｍｍ幅で所望の位置に塗布した。引き続き、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、緑色蛍光体層を形成し、蛍光体基板を完成した。

　最後に、この蛍光体基板を市販の輝度計（ＢＭ－７：株式会社トップコンテクノハウス社製）を用いて、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の背面から入射させた際、正面から取出される蛍光の２５℃での輝度変換効率を測定した。励起光としての青色ＬＥＤの輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２であったのに対して、蛍光体を通した後は、５４７ｎｍに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は１０２３ｃｄ／ｍ^２、輝度変換効率は１００％であった。

（実施例１）
　比較例で作製した蛍光体層上の背面側、および励起光を入射させない側面にアルミの全反射膜をスパッタ法により、５０ｎｍの膜厚で均一に形成した。
　なお、図１５Ａは、ガラス基板Ａ、青色ＬＥＤ光源Ｂ、緑色蛍光体層Ｃ、アルミ全反射膜Ｄ、励起光Ｌ１、蛍光体層からの発光成分Ｌ２、を示している。

　また、比較例と同様にして、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板のアルミ全反射膜を形成していない側面から入射させた際、正面から取り出される蛍光の２５℃での輝度変換効率を測定した。励起光としての、青色ＬＥＤの輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２であったのに対して、蛍光体を通した後は、５４７ｎｍに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は２５１０ｃｄ／ｍ^２、輝度変換効率２５０％と、比較例に対して２．５倍の輝度の向上が観測された。

（実施例２）
　実施例１で作製した蛍光体層上の励起光を入射させる側面に、波長選択透過反射膜として酸化チタン（ＴｉＯ_２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ_２：屈折率＝１．４７）をＥＢ蒸着法で交互に６層成膜して作製した誘電体多層膜をスパッタ法により、１００ｎｍの膜厚で形成した。
　なお、図１５Ｂは、ガラス基板Ａ、青色ＬＥＤ光源Ｂ、緑色蛍光体層Ｃ、アルミ全反射膜Ｄ、誘電体多層膜Ｅ、励起光Ｌ１、蛍光体層からの発光成分Ｌ２、を示している。

　また、比較例と同様にして、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の誘電体多層膜を蒸着した側面から入射させた際、正面から取り出される蛍光の２５℃での輝度変換効率を測定した。励起光としての、青色ＬＥＤの輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２であったのに対して、蛍光体を通した後は、５４７ｎｍに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は２９５０ｃｄ／ｍ^２、輝度変換効率は３００％と、比較例に対して３．０倍の輝度の向上が観測された。

（実施例３）
　比較例と同様な緑色蛍光体形成用塗液において、図１５Ｃに示すようなテーパ形状を成す蛍光体層（最大膜厚部：１００μｍ、最小膜厚部：５０μｍ）を形成した。
　ここで、蛍光体層の形状形成において、まず、基板上にシリコン樹脂を塗布した。次にテーパ形状を有するアルミ金型を作製し、金型をシリコン樹脂に賦形した。次に、シリコン樹脂から金型を取り外し、テーパ形状が形成されたシリコン樹脂に蛍光体材料をインクジェット法により塗布した。次に、テーパ形状が形成された蛍光体層をシリコン樹脂から取り出し、ＵＶ硬化樹脂を備えた比較例と同様な基板に熱圧着させた。上記以外は、実施例２と同様にして、蛍光体基板を作製した。
　なお、図１５Ｃにおいて、ガラス基板Ａ、青色ＬＥＤ光源Ｂ、はテーパ形状を有する緑色蛍光体層Ｃ‘、アルミ全反射膜Ｄ、誘電体多層膜Ｅ、励起光Ｌ１、蛍光体層からの発光成分Ｌ２、を示している。

　また、比較例と同様にして、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の面積の大きい側面（最大膜厚部：１００μｍ）から入射させた際、正面から取り出される蛍光の２５℃での輝度変換効率を測定した。励起光としての、青色ＬＥＤの輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２であったのに対して、蛍光体を通した後は、５４７ｎｍに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は３２８０ｃｄ／ｍ^２、輝度変換効率は３３０％と、比較例に対して３．２倍の輝度の向上が観測された。

（実施例４）
　比較例と同様な緑色蛍光体形成用塗液において、図１５Ｄに示すようなテーパ形状、かつ光取出面にナノプリズム形状（隣接するプリズム形状の間隔：６００ｎｍ）を有する蛍光体層を形成した。
　ここで、蛍光体層の形状形成には、まず、基板上にシリコン樹脂を塗布した。次に、テーパ形状、およびナノプリズム形状を有するアルミ金型を作製し、金型をシリコン樹脂に賦形した。次に、テーパ形状、およびナノプリズム形状が形成されたシリコン樹脂に蛍光体材料をインクジェット法により塗布した。次に、シリコン樹脂から金型を取り外し、テーパ形状、およびナノプリズム形状が形成された蛍光体層をシリコン樹脂から取り出し、ＵＶ硬化樹脂を備えた比較例と同様な基板に熱圧着させた。上記以外は、実施例２と同様にして、蛍光体基板を作製した。
　なお、図１５Ｄにおいて、ガラス基板Ａ、青色ＬＥＤ光源Ｂ、テーパ形状を有する緑色蛍光体層Ｃ‘、アルミ全反射膜Ｄ、誘電体多層膜Ｅ、ナノプリズム形状Ｆ、励起光Ｌ１、蛍光体層からの発光成分Ｌ２、を示している。

　また、比較例と同様にして、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の面積の大きい側面（最大膜厚部：１００μｍ）から入射させた際、ナノプリズム形状を有する正面から取り出される蛍光の２５℃での輝度変換効率を測定した。励起光としての、青色ＬＥＤの輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２であったのに対して、蛍光体を通した後は、５４７ｎｍに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は３６２０ｃｄ／ｍ^２、輝度変換効率は３６０％と、比較例に対して３．６倍の輝度の向上が観測された。

　以上の結果を下記の〔表１〕にまとめる。

（実施例５）
　本実施例では、青色有機ＥＬ素子と蛍光体方式を組み合わせた例について説明する。
　０．７ｍｍのガラス基板上に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色散乱体層を形成し、蛍光体基板とする。
　基板上に、クロムからなる台形上の低反射層（光吸収層）を幅２０μｍ、膜厚５００ｎｍで、２００μｍピッチで形成する。
　赤色蛍光体層の形成は、まず、平均粒径５ｎｍのエアロジル０．１６ｇにエタノール１５ｇおよびγ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて開放系室温下１時間攪拌した。この混合物と赤色蛍光体Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５を２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７０℃のオーブンで２時間、さらに１２０℃のオーブンで２時間加熱し、表面改質したＫ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５を得た。次に表面改質を施したＫ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５１０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌した赤色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した赤色蛍光体形成用塗液を、スクリーン印刷法で、ガラス基板上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、膜厚５０μｍの赤色蛍光体層を形成した。

　次に、緑色蛍光体層の形成は、まず、平均粒径５ｎｍのエアロジル０．１６ｇにエタノール１５ｇおよびγ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて開放系室温下１時間攪拌した。この混合物と緑色蛍光体Ｂａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２+２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７０℃のオーブンで２時間、さらに１２０℃のオーブンで２時間加熱し、表面改質したＢａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２+を得た。次に、表面改質を施したＢａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２+１０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌した緑色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した緑色蛍光体形成用塗液を、スクリーン印刷法で、ガラス基板上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、膜厚５０μｍの緑色蛍光体層を形成した。

　次に、青色散乱層の形成は、１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）を２０ｇ、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌して青色散乱層形成用塗液を作製した。以上作製した青色散乱層形成用塗液を、スクリーン印刷法で、ガラス基板上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、青色散乱層を形成した。

　次に、蛍光体層上の背面側、および励起光を入射させない側面にアルミ全反射膜をスパッタ法により、５０ｎｍの膜厚で均一に形成した。
　次に、隣接する蛍光体層間の低反射層上に４５°の傾斜角を有するアルミ全反射層を形成した。
　ここで、４５°の傾斜角を有するアルミ全反射層の形成には、まず、基板上にシリコン樹脂を塗布した。次に、４５°の傾斜形状を有するアルミ金型を作製し、金型をシリコン樹脂に賦形した。次に、４５°の傾斜形状が転写されたシリコン樹脂にアルミ全反射材料をインクジェット法により塗布した。次に、シリコン樹脂から金型を取り外し、４５°の傾斜形状が形成されたアルミ全反射層をシリコン樹脂から取り出し、ＵＶ硬化樹脂を備えた低反射層上に熱圧着させた。以上により、蛍光体基板を作製した。

　次に、０．７ｍｍの厚みのガラス基板上に、銀をスパッタ法により膜厚１００ｎｍとなるように成膜して反射電極を形成し、その上にインジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）を、膜厚２０ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜し、第１電極として反射電極（陽極）を形成した。従来のフォトリソグラフィー法により、第１電極の幅が１６０μｍ、ピッチが２００μｍで９０本のストライプにパターニングした。
　次に、第１電極上にＳｉＯ_２をスパッタ法により２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第１電極のエッジ部のみを覆うようにパターン化した。ここでは、第１電極の端から１０μｍ分だけ短辺をＳｉＯ_２で覆う構造とした。これを水洗した後、純水超音波洗浄１０分、アセトン超音波洗浄１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄５分を行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。

　次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０^－４Ｐａ以下の真空まで減圧し、各有機層の成膜を行った。
　まず、正孔注入材料として、１，１-ビス-ジ-４－トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用い抵抗加熱蒸着法により膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
　次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ‘－ｄｉ－ｌ-ナフチル-Ｎ，Ｎ’-ジフェニル-１，１‘－ビフェニル-１，１’-ビフェニル-４，４‘-ジアミン（ＮＰＤ）を用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

　次いで、正孔輸送層の上に青色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）を形成する。この青色有機発光層は、１，４-ビス-トリフェニルシリル-ベンゼン（ＵＧＨ－２）（ホスト材料）とビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２‘］ピコリネート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）をそれぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することで作製した。
　次いで、発光層の上に２，９－ジメチルー４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて正孔ブロッキング層（厚さ：１０ｎｍ）を形成した。
　次いで、正孔ブロッキング層の上にトリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて電子輸送層（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。
　次いで、電子輸送層の上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて電子注入層（厚さ：０．５ｎｍ）を形成した。

　この後、第２電極として半透明電極を形成した。まず、上記基板を金属蒸着用チャンバーに固定した。次に、第２電極形成用のシャドーマスク（前記第１電極のストライプと対抗する向きに５００μｍ幅、６００μｍピッチのストライプ状に第２電極を形成できるように開口部が空いているマスク）と前記基板をアライメントし、電子注入層の表面に真空蒸着法によりマグネシウムと銀をそれぞれ０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃの割合の蒸着速度で共蒸着でマグネシウム銀を所望のパターンで形成（厚さ：１ｎｍ）した。さらに、その上に、干渉効果を強調する目的、および、第２電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、銀を１Å／ｓｅｃの蒸着速度で所望のパターンで形成（厚さ：１９ｎｍ）した。
　これにより、第２電極が形成された。ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第１電極）と半透過電極（第２電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率良く、蛍光体層に伝搬させることが可能となる。また、同様にマイクロキャビティ効果により発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整している。

　次に、プラズマＣＶＤ法により、３μｍのＳｉＯ_２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。以上により、有機ＥＬ素子からなる光源基板を作製した。

　次に、以上のようにして作製した有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板を、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせする。なお、この前に蛍光体基板には熱硬化樹脂が塗布されており、熱硬化樹脂を介して両基板を密着させ、８０℃、２時間加熱することで熱硬化樹脂の硬化を行った。なお、上記貼り合わせ工程は、有機ＥＬの水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。
　最後に、周辺に形成している端子を外部電源に接続することで有機ＥＬ表示装置を完成した。

　ここで、外部電源により所望の電流を所望のストライプ状電極に印加することで青色発光有機ＥＬを任意にスイッチング可能な励起光源とし、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層で青色光から発光をそれぞれ赤色、緑色に変換し、赤色、緑色の等方発光が得られ、かつ、青色散乱層を介することで、等方的な青色発光を得ることができた。このようにして、フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性の良い画像を得ることができた。

（実施例６）
　　本実施例では、アクティブ駆動青色有機ＥＬ素子と蛍光体方式を組み合わせた例について説明する。
　蛍光体基板は実施例５と同様にして作製した。
　１００×１００ｍｍ角のガラス基板上に、ＰＥＣＶＤ法を用いて、アモルファスシリコン半導体膜を形成する。続いて、結晶化処理を施すことにより多結晶シリコン半導体膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて多結晶シリコン半導体膜を複数の島状にパターニングする。続いて、パターニングした多結晶シリコン半導体層の上にゲート絶縁膜およびゲート電極層をこの順番で形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングを行った。

　その後、パターニングした多結晶シリコン半導体膜に、リン等の不純物元素をドーピングすることによりソースおよびドレイン領域を形成し、ＴＦＴ素子を作製した。その後、平坦化膜を形成した。平坦化膜としては、ＰＥＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜、スピンコーターでアクリル系樹脂層をこの順で積層して形成する。まず、窒化シリコン膜を形成した後、窒化シリコン膜とゲート絶縁膜とを一括してエッチングすることによりソースおよび／またはドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、続いて、ソース配線を形成した。その後、アクリル系樹脂層を形成し、ゲート絶縁膜および窒化シリコン膜に穿孔したドレイン領域のコンタクトホールと同じ位置に、ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成することにより、アクティブマトリクス基板が完成する。平坦化膜としての機能は、アクリル系樹脂層で実現される。なお、ＴＦＴのゲート電位を定電位にするためのコンデンサーは、スイッチング用ＴＦＴのドレインと駆動用ＴＦＴのソースとの間に層間絶縁膜等の絶縁膜を介することで形成される。

　アクティブマトリクス基板上には、平坦化層を貫通して駆動用ＴＦＴと、青色発光有機ＥＬ素子の第１電極とをそれぞれ電気的に接続するコンタクトホールを形成する。
　次に、各発光画素を駆動するためのＴＦＴと接続した平坦化層を貫通して設けられたコンタクトホールに電気的に接続するように、スパッタ法により、各画素の第１電極（陽極）を形成した。第１電極は、Ａｌ（アルミニウム）１５０ｎｍとＩＺＯ（酸化インジウム－酸化亜鉛）２０ｎｍの膜厚で積層して形成した。次に、第１電極を各画素に対応した形状に従来のフォトリソグラフィー法でパターン化した。ここでは、第１電極の面積として、３００μｍ×１６０μｍとした。また、１００ｍｍ×１００ｍｍ角の基板に形成する、表示部は、８０ｍｍ×８０ｍｍで、表示部の上下左右に２ｍｍ幅の封止エリアを設け、短辺側にはさらに封止エリアの外にそれぞれ２ｍｍの端子取り出し部を設けた。長辺側には、折り曲げを行う方に２ｍｍ幅の端子取出し部を設けた。

　次に、第１電極のＳｉＯ_２をスパッタ法により２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第１電極のエッジ部を覆うようにパターニングした。ここでは、第１電極の端から１０μｍ分だけ４辺をＳｉＯ_２で覆う構造とし、エッジカバーとした。
　次に、前記アクティブ基板を洗浄した。アクティブ基板の洗浄としては、例えば、アセトン、ＩＰＡを用いて、超音波洗浄を１０分間行い、次に、ＵＶ－オゾン洗浄を３０分間行った。

　次に、この基板をインライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０^－４Ｐａ以下の真空まで減圧した。各有機層の成膜を行った。
　まず、正孔注入材料として、１，１-ビス-ジ-４－トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用い抵抗加熱蒸着法により膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
　次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ‘－ｄｉ－ｌ-ナフチル-Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１‘－ビフェニル-１，１’－ビフェニル-４，４‘－ジアミン（ＮＰＤ）を用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
　次いで、正孔輸送層の上に青色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。この青色有機発光層は、１，４－ビス-トリフェニルシリル-ベンゼン（ＵＧＨ－２）（ホスト材料）とビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２‘］ピコリネート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）をそれぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することで作製した。
　次いで、発光層の上に２，９－ジメチルー４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて正孔ブロッキング層（厚さ：１０ｎｍ）を形成した。
　次いで、正孔ブロッキング層の上にトリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて、電子輸送層（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。
　次いで、電子輸送層の上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、電子注入層（厚さ：０．５ｎｍ）を形成した。

　この後、第２電極として半透明電極を形成した。まず、上記基板を金属蒸着用チャンバーに固定した。次に、第２電極形成用のシャドーマスク（第１電極のストライプと対向する向きに２ｍｍ幅のストライプ状に第２電極を形成できるように開口部が空いているマスク）と基板をアライメントし、電子注入層の表面に真空蒸着法によりマグネシウムと銀をそれぞれ０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃの割合の蒸着速度で共蒸着で所望のパターンで形成（厚さ：１ｎｍ）した。さらに、その上に、干渉効果を強調する目的、および、第２電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、銀を１Å／ｓｅｃの蒸着速度で所望のパターンで形成（厚さ：１９ｎｍ）した。これにより、第２電極が形成された。ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第１電極）と半透過電極（第２電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となる。このため、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率良く、蛍光体層に伝搬させることが可能となる。また、同様にマイクロキャビティ効果により発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整している。

　次に、プラズマＣＶＤ法により、３μｍのＳｉＯ_２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。以上により、アクティブ駆動型有機ＥＬ素子基板を作製した。

　次に、以上のようにして作製したアクティブ駆動型有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板を、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせた。なお、この前に蛍光体基板には熱硬化樹脂が塗布されており、熱硬化樹脂を介して両基板を密着させ、９０℃、２時間加熱することで熱硬化樹脂の硬化を行った。なお、上記貼り合わせ工程は、有機ＥＬの水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。

　次に、光取り出し方向の基板に、偏光板を貼り合わせ、アクティブ駆動型有機ＥＬが完成した。
　最後に、短辺側に形成している端子を、ソースドライバを介して電源回路に、長辺側に形成している端子を、ゲートドライバを介して外部電源に接続することで、８０ｍｍ×８０ｍｍの表示部を持つアクティブ駆動型有機ＥＬディスプレイが完成した。

　ここで、外部電源により所望の電流を各画素に印加することで青色発光有機ＥＬを任意にスイッチング可能な励起光源とし、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層で青色光から発光をそれぞれ赤色、緑色に変換し、赤色、緑色の等方発光が得られ、かつ、青色散乱層を介することで、等方的な青色発光を得ることができた。このようにして、フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性の良い画像を得ることができた。

（実施例７）
　本実施例では、青色ＬＥＤと蛍光体方式を組み合わせた例について説明する。
　蛍光体基板は実施例５と同様にして作製した。
　ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ_３とを用い、反応容器にセットしたサファイア基板のＣ面に５５０℃でＧａＮからなるバッファ層を６０ｎｍの膜厚で成長させた。次に、温度を１０５０℃まで上げ、ＴＭＧ、ＮＨ_３に加えＳｉＨ_４ガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層を５μｍの膜厚で成長させた。続いて、原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え、同じく１０５０℃でＳｉドープｎ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ｎ層からなる第２のクラッド層を０．２μｍの膜厚で成長させた。

　次に、温度を８５０℃に下げ、ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＮＨ_３およびＳｉＨ_４を用い、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ_０．０１Ｇａ_０．９９Ｎからなる第１のｎ型クラッド層を６０ｎｍの膜厚で成長させた。
　続いて、ＴＭＧ、ＴＭＩおよびＮＨ_３を用い、８５０℃でノンドープＩｎ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎからなる活性層を５ｎｍの膜厚で成長させた。さらに、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＮＨ_３に加えて新たにＣＰＭｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、８５０℃でＭｇドープｐ型Ｉｎ_０．０１Ｇａ_０．９９Ｎからなる第１のｐ型クラッド層を６０ｎｍの膜厚で成長させた。
　次に、温度を１１００℃に上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ_３、ＣＰＭｇを用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ｎからなる第２のｐ型クラッド層を１５０ｎｍの膜厚で成長させた。

　続いて、１１００℃でＴＭＧ、ＮＨ_３およびＣＰＭｇを用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層を６００ｎｍの膜厚で成長させた。以上の操作終了後、温度を室温まで下げてウェーハを反応容器から取り出し、７２０℃でウェーハのアニーリングを行い、ｐ型層を低抵抗化した。次に、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｎ型コンタクト層の表面が露出するまでエッチングした。エッチング後、ｎ型コンタクト層の表面にチタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）からなる負電極、ｐ型コンタクト層の表面にニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）からなる正電極を形成した。電極形成後、ウェーハを３５０μｍ角のチップに分離した後、別に用意した外部回路に接続するための配線を形成した基板上に前記作製したＬＥＤチップをＵＶ硬化樹脂で固定し、ＬＥＤチップと基板上の配線とを電気的に接続し、青色ＬＥＤからなる光源基板を作製した。

　次に、以上のようにして作製した光源基板と蛍光体基板を、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせした。なお、この前に蛍光体基板には熱硬化樹脂が塗布されており、熱硬化樹脂を介して両基板を密着させ、８０℃、２時間加熱することで熱硬化樹脂の硬化を行った。なお、上記貼り合わせ工程は、有機ＥＬの水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。
　最後に、周辺に形成した端子を外部電源に接続することでＬＥＤ表示装置が完成した。

（実施例８）
　本実施例では、近紫外有機ＥＬ素子と、液晶と、蛍光体方式を組み合わせた例について説明する。
　０．７ｍｍのガラス基板上に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層を形成し、蛍光体基板を形成した。
　基板上に、クロムからなる台形上の低反射層（光吸収層）を幅２０μｍ、膜厚５００ｎｍで、２００μｍピッチで形成した。次に、ＣＦ４プラズマ処理により低反射層表面の撥水処理を行った。

　赤色蛍光体層の形成は、まず、［２－［２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル］－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン］－プロパンジニトリル（ＤＣＭ）（０．０２ｍｏｌ／ｋｇ（固形分比））をエポキシ系熱硬化樹脂に混ぜ、攪拌機により攪拌した赤色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した赤色蛍光体形成用塗液を、インクジェット法で、ガラス基板上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き、真空オーブン（１５０℃の条件）で１時間硬化し、膜厚２μｍの赤色蛍光体層を形成した。ここで、赤色蛍光体層の断面形状は、低反射層の撥水処理による効果により、蒲鉾状の形状であった。

　緑色蛍光体層の形成は、まず、２，３，６，７－テトラヒドロ－１１－オクソ－１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ－［１］ベンゾピラノ［６，７，８－ｉｊ］キノリジン―１０―カルボン酸（クマリン５１９）（０．０２ｍｏｌ／ｋｇ（固形分比））をエポキシ系熱硬化樹脂に混ぜ、攪拌機により攪拌した緑色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した緑色蛍光体形成用塗液を、インクジェット法で、ガラス基板上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き、真空オーブン（１５０℃の条件）で１時間硬化し、膜厚２μｍの緑色蛍光体層を形成した。ここで、緑色蛍光体層の断面形状は、低反射層の撥水処理による効果により、蒲鉾状の形状であった。

　青色蛍光体層の形成は、まず、７－ヒドロキシ－４－メチルクマリン（クマリン４）（０．０２ｍｏｌ／ｋｇ（固形分比））をエポキシ系熱硬化樹脂に混ぜ、攪拌機により攪拌した青色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した青色蛍光体形成用塗液を、インクジェット法で、ガラス基板上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き、真空オーブン（１５０℃の条件）で１時間硬化し、膜厚２μｍの青色蛍光体層を形成した。ここで、青色蛍光体層の断面形状は、低反射層の撥水処理による効果により、蒲鉾状の形状であった。

　次に、蛍光体層上の背面側、および励起光を入射させない側面にアルミ全反射膜をアプリケータにより５０ｎｍの膜厚で均一に形成した。
　次に、隣接する蛍光体層間の低反射層上に４５°の傾斜角を有するアルミ全反射層を形成した。
　ここで、４５°の傾斜角を有するアルミ全反射層の形成には、まず、基板上にシリコン樹脂を塗布した。次に４５°の傾斜形状を有するアルミ金型を作製し、金型をシリコン樹脂に賦形した。次に４５°の傾斜形状が転写されたシリコン樹脂にアルミ全反射材料をインクジェット法により塗布した。次に、シリコン樹脂から金型を取り外し、４５°の傾斜形状が形成されたアルミ全反射層をシリコン樹脂から取り出し、ＵＶ硬化樹脂を備えた低反射層上に熱圧着させた。
　次に、アルミ全反射膜上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂を用いて平坦化膜を形成し、平坦化膜上に、従来の方法により、偏光フィルム、透明電極、配向膜を形成し、蛍光体基板を作製した。

　次に、ガラス基板上に、従来の方法によりＴＦＴからなるスイッチング素子を形成した。次に、前記ＴＦＴとコンタクトホールを介して、電気的に接触するように、１００ｎｍのＩＴＯ透明電極を形成した。次に、先に作製している有機ＥＬ部の画素と同一のピッチになるように通常のフォトリソ法による透明電極をパターニングした。次に、配向膜を印刷法により形成した。

　次に、ＴＦＴを形成した基板と蛍光体基板とを、１０μｍのスペーサーを介して接着し、両基板間にＴＮモードの液晶材料を注入し、液晶および蛍光体部を完成させた。
　次に、０．７ｍｍの厚みのガラス基板上に、銀をスパッタ法により膜厚１００ｎｍとなるように成膜して反射電極を形成し、その上にインジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）を、膜厚２０ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜し、第１電極として反射電極（陽極）を形成した。従来のフォトリソグラフィー法により、所望の大きさに第１電極をパターニングした。

　次に、第１電極上にＳｉＯ_２をスパッタ法により２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第１電極のエッジ部のみを覆うように、パターニングした。ここでは、第１電極の端から１０μｍ分だけ短辺をＳｉＯ_２で覆う構造とした。これを水洗した後、純水超音波洗浄１０分、アセトン超音波洗浄１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄５分を行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。

　次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０^－４Ｐａ以下の真空まで減圧し、各有機層の成膜を行った。
　まず、正孔注入材料として、１，１-ビス-ジ-４－トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
　次に、正孔輸送材料として、カルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）を用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
　次いで、正孔輸送層の上に近紫外有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。この近紫外有機発光層は、３，５－ビス（４－ｔ－ブチル－フェニル）－４－フェニル－［１，２，４］トリアゾール（ＴＡＺ）（近紫外燐光発光材料）を、蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃとし、蒸着することで作製した。
　次いで、発光層の上に２，９－ジメチルー４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて電子輸送層（厚さ：２０ｎｍ）を形成した。
　次いで、電子輸送層の上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて電子注入層（厚さ：０．５ｎｍ）を形成した。

　この後、第２電極として半透明電極を形成した。まず、上記基板を金属蒸着用チャンバーに固定した。次に、第２電極形成用のシャドーマスク（第１電極のストライプと対向する向きに、幅が５００μｍ、ピッチが６００μｍのストライプ状に第２電極を形成できるように開口部が空いているマスク）と前記基板をアライメントし、電子注入層の表面に真空蒸着法によりマグネシウムと銀をそれぞれ０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃの割合の蒸着速度で共蒸着により所望のパターンで形成（厚さ：１ｎｍ）した。さらに、その上に、干渉効果を強調する目的、および、第２電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で銀を１Å／ｓｅｃの蒸着速度で所望のパターンで形成（厚さ：１９ｎｍ）した。これにより、第２電極が形成された。ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第１電極）と半透過電極（第２電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率良く、蛍光体層に伝搬させることが可能となる。また、同様にマイクロキャビティ効果により発光ピークを３７０ｎｍ、半値幅を３０ｎｍに調整している。

　次に、プラズマＣＶＤ法により、３μｍのＳｉＯ_２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。以上により、有機ＥＬ素子からなる光源基板を作製した。
　最後に、有機ＥＬ部と液晶および蛍光体部とを位置合わせし、熱硬化樹脂の硬化を行い、表示装置を完成した。

　ここで、外部電源により所望の有機ＥＬ部を発光するために、液晶駆動用の電極に所望の電圧を印加することで、所望の良好な画像、視野角特性の良い画像を得ることができた。

　本発明は、蛍光体基板、この蛍光体基板を用いた各種の表示装置、および照明装置に利用可能である。

　１，２５，３１，３６，４１，４６，５１，６７，７８，８２，１１３…表示装置、２，２６，３２，３７，４７，７９，８３…蛍光体基板、４，２７，４２，１１４…有機ＥＬ素子基板（光源）、５…基板本体、７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ…蛍光体層、８，３３…反射体、９，１１６…有機ＥＬ素子（発光素子部）、１０，３８…反射層、１１…プリズム、１２…光散乱構造部、２８…光散乱層、４３…マイクロレンズ（集光素子）、５２…ＬＥＤ基板（光源）、６４…ＬＥＤ（発光素子部）、６８…無機ＥＬ基板（光源）、７５…無機ＥＬ素子（発光素子部）、８５…ＴＦＴ、１１５…液晶素子、１４１…照明装置。

Claims

　基板と、
　前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出する蛍光体層と、
　前記蛍光体層の前記光取出面と対向する面側に設けられた反射層と、が備えられ、
　前記蛍光体層は、前記光取出面に接する少なくとも１つの側面から前記励起光が入射されるよう構成されている蛍光体基板。
　前記蛍光体層が、前記基板上の所定の領域毎に分割された複数のサブ蛍光体層で構成され、
　前記複数のサブ蛍光体層のそれぞれは、側面から前記励起光が入射されるよう構成されている請求項１に記載の蛍光体基板。
　前記反射層は、前記蛍光体層の側面のうち、前記励起光を入射させる前記側面以外の側面にさらに設けられている請求項１に記載の蛍光体基板。
　前記蛍光体層の前記励起光を入射させる前記側面に設けられ、前記励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過し、前記蛍光体層の発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射させるよう構成された波長選択透過反射層が備えられた請求項１に記載の蛍光体基板。
　前記蛍光体層の側方に、前記励起光を前記蛍光体層の側面から入射させるための反射体が備えられている請求項１に記載の蛍光体基板。
　前記励起光は、前記光取出面と対面する前記蛍光体層の面を基準として、前記光取出し面とは反対側から前記反射体へ入射し、
　前記反射体は、記励起光の入射方向に対して傾斜する反射面を有し、
　前記反射面は、前記励起光の入射方向に対して０度より大きく、９０度より小さい傾斜角度を有する請求項５に記載の蛍光体基板。
　前記励起光の光路上に、前記励起光を前記反射面に向けて集光させる集光素子が備えられた請求項５に記載の蛍光体基板。
　前記励起光を射出する発光素子部が備えられ、
　前記発光素子部の面積が少なくとも前記反射面の面積より大きく、前記発光素子部の中心と前記反射面の中心とが前記基板の法線に平行な直線上に位置する請求項７記載の蛍光体基板。
　前記蛍光体層の前記光取出面と対向する面が、前記光取出面に対して非平行とされた請求項１に記載の蛍光体基板。
　前記蛍光体層の前記側面のうち、前記励起光が入射する側面の面積が、前記励起光が入射する側面以外の側面の面積よりも大きい請求項９に記載の蛍光体基板。
　前記蛍光体層の前記光取出面側に、可視光の波長域に相当するピッチを有する複数の微小構造体からなる光散乱構造部を有する請求項１に記載の蛍光体基板。
　前記ピッチが６００ｎｍ以下である請求項１１に記載の蛍光体基板。
　前記蛍光体層と前記基板とが密着している請求項１１に記載の蛍光体基板。
　蛍光体基板と、
　前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、が備えられ、
　前記蛍光体基板は、基板と、前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出する蛍光体層と、前記蛍光体層の前記光取出面と対向する面側に設けられた反射層と、が備えられ、
　前記蛍光体層は、前記光取出面に接する少なくとも１つの側面から前記励起光が入射されるよう構成されている表示装置。
　基板と、
　前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出する蛍光体層と、
　前記蛍光体層の側方に設けられ、前記励起光を射出する発光素子部からなる光源と、が備えられ、
　前記蛍光体層は、前記発光素子部からの前記励起光が前記蛍光体層の光取出面に接する少なくとも１つの側面から入射されるよう構成されている表示装置。
　赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素をさらに有し、
　前記光源から前記励起光として紫外光が射出され、
　前記蛍光体層は、前記赤色画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層と、前記緑色画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層と、前記青色画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層と、を有する請求項１４に記載の表示装置。
　赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素をさらに有し、
　前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、
　前記蛍光体層は、前記赤色画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層と、前記緑色画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層とを有し、
　前記青色画素には前記青色光を散乱させる散乱層が設けられている請求項１４に記載の表示装置。
　前記光源が、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を有する請求項１６に記載の表示装置。
　前記複数の駆動素子が形成された基板の第１の面と逆の第２の面から光を取り出す請求項１８に記載の表示装置。
　前記光源が発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかである請求項１４に記載の表示装置。
　前記光源が、光射出面から光を射出する面状光源であり、
　前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記複数の画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御するよう構成されている液晶素子が設けられている請求項１６に記載の表示装置。
　基板と、前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を生じ、生じた光を光取出面から射出する蛍光体層と、前記蛍光体層の前記光取出面と対向する面側に設けられた反射層と、が備えられ、前記蛍光体層は、前記光取出面に接する少なくとも１つの側面から前記励起光が入射されるよう構成されている蛍光体基板と、
　前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、が備えられている照明装置。