WO2013183696A1 - 蛍光体基板、表示装置および照明装置 - Google Patents

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WO2013183696A1
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勇毅 小林
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a phosphor substrate, a display device, and a lighting device.
  • FPD thin flat panel display
  • a display device using a thin flat panel display from a display device using a cathode ray tube
  • FPDs There are various types of FPDs.
  • a non-self-luminous liquid crystal display (LCD), a self-luminous plasma display panel (PDP), an inorganic electroluminescence (inorganic EL) display, an organic electroluminescence (organic EL) display, or the like is known.
  • the organic EL display has thin and lightweight elements (organic EL elements) used for display, and additionally has characteristics such as low voltage driving, high luminance, and self-light emission. For this reason, research and development of organic EL elements have been actively conducted.
  • An organic EL display has an organic EL element having an organic light emitting layer that emits blue to blue green light, and a green pixel composed of a phosphor layer that absorbs blue to blue green light emitted from the organic EL element as excitation light and emits green light. And a red pixel composed of a phosphor layer that absorbs blue to blue-green light emitted from the organic EL element as excitation light and emits red light, and a blue pixel composed of a blue color filter for improving color purity.
  • a device capable of full color emission is known (for example, see Patent Document 1).
  • the phosphor substrate having the phosphor layer as described above is provided with a barrier partitioning the phosphor layers for each pixel.
  • the barrier mainly plays a role of preventing light emission bleeding between the phosphor layers and preventing ink bleeding when the phosphor layer is formed by a wet process such as inkjet.
  • the barrier is light-transmitting, there is a problem that light emission from the phosphor layer propagates to the adjacent pixel through the barrier, causing light emission blur.
  • excitation light that is not absorbed by the phosphor layer propagates to the adjacent pixel through the barrier, and excites the phosphor layer of the adjacent pixel to cause crosstalk.
  • a method of coating the side surface of the barrier with a light reflecting film or a light absorbing film is known (for example, see Patent Document 2).
  • the light reflecting film is provided on the side surface of the barrier, if the barrier is not tapered, the light incident angle and the reflection angle are not changed, so that the light extraction efficiency cannot be improved dramatically. There was a problem. Further, in order to change the incident angle and the reflection angle of light, it is necessary to strictly control various parameters including the tapered shape of the barrier, so that the manufacturing process becomes complicated. Further, it is necessary to provide an external insulating film so that the lower electrodes are not short-circuited via the light reflecting film, and the process of providing the external insulating film also contributes to a complicated manufacturing process. Further, when the light absorption film is provided, there is a problem that the light extraction efficiency cannot be improved at all.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a phosphor substrate provided with a barrier that prevents light emission bleeding between adjacent pixels and is excellent in light extraction efficiency.
  • the phosphor substrate of the present invention includes a substrate, a phosphor layer that is provided on the substrate and generates fluorescence by excitation light incident from an excitation light source, and a barrier that surrounds a side surface of the phosphor layer. At least a part of the side surface in contact with the phosphor layer has a light scattering property or a light reflection property, and a light opaque portion is provided in a part of the barrier.
  • a light impermeable portion is provided inside the barrier.
  • the light impermeable portion includes a light absorbing portion and / or a light reflecting portion.
  • the light impermeable portion has a tapered shape.
  • the height of the light impermeable portion is equal to or greater than the film thickness of the phosphor layer.
  • the barrier preferably contains light scattering particles or light reflecting particles.
  • the display device of the present invention includes the phosphor substrate of the present invention, and a light source having a light emitting element that emits excitation light that irradiates the phosphor layer.
  • the display device of the present invention includes a plurality of pixels including at least a red pixel that performs display with red light, a green pixel that performs display with green light, and a blue pixel that performs display with blue light.
  • Ultraviolet light is emitted as the excitation light
  • a red phosphor layer that emits red light using the ultraviolet light as the excitation light is provided in the red pixel, and the ultraviolet light is emitted to the green pixel.
  • a green phosphor layer emitting green light is provided as excitation light
  • a blue phosphor layer emitting blue light using the ultraviolet light as the excitation light is provided in the blue pixel.
  • the display device of the present invention includes a plurality of pixels including at least a red pixel that performs display with red light, a green pixel that performs display with green light, and a blue pixel that performs display with blue light.
  • Blue light is emitted as the excitation light
  • a red phosphor layer that emits red light using the blue light as the excitation light is provided in the red pixel, and the blue light is emitted to the green pixel.
  • a green phosphor layer that emits green light as excitation light is provided, and a scatterer layer that scatters the blue light is provided on the blue pixel.
  • the light source includes an active matrix driving system including a plurality of light emitting elements provided corresponding to the plurality of pixels, and a plurality of driving elements that respectively drive the plurality of light emitting elements.
  • the light source is preferably.
  • the light source is any one of a light emitting diode, an organic electroluminescence element, and an inorganic electroluminescence element.
  • the light source is a planar light source that emits light from a light emission surface, and is emitted from the planar light source for each pixel between the planar light source and the phosphor substrate. It is preferable that a liquid crystal element capable of controlling the light transmittance is provided.
  • the light source has directivity.
  • An illumination device of the present invention includes the phosphor substrate of the present invention and a light source having a light emitting element that emits excitation light that irradiates the phosphor layer.
  • a phosphor substrate having a barrier that prevents light emission bleeding between adjacent pixels and is excellent in light extraction efficiency.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a phosphor substrate.
  • the phosphor substrate 10 according to this embodiment is provided on the substrate 11 and one surface 11a of the substrate 11, and generates fluorescence L2 by excitation light L1 incident from an excitation light source (not shown) provided outside.
  • a body layer 12G green phosphor layer
  • a phosphor layer 12R red phosphor layer
  • a phosphor layer 12B blue phosphor layer
  • a barrier 13 surrounding the side surfaces of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B.
  • the excitation light incident surface 12a on which the excitation light L1 of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B is incident is exposed from the opening of the partition wall 13. That is, the excitation light incident surface 12a is a surface on which excitation light L1 emitted from an excitation light source (not shown) can enter.
  • the excitation light L1 is converted into fluorescence L2, L3, L4 in the phosphor layers 12R, 12G, 12B, and the fluorescence L2, L3, L4 is emitted from the emission surface 12b of the phosphor layers 12R, 12G, 12B.
  • the phosphor layers 12R, 12G, and 12B are composed of a plurality of phosphor layers that are divided for each dot, and the plurality of phosphor layers 12R, 12G, and 12B emit different colored light depending on the dots. Consists of body materials. The phosphor materials constituting the plurality of phosphor layers 12R, 12G, and 12B may have different refractive indexes.
  • the phosphor layers 12R, 12G, and 12B are made of, for example, a thin film having a rectangular shape in plan view.
  • a wavelength selective transmission / reflection member that transmits the excitation light L1 and reflects the fluorescence L2 emitted from the phosphor layers 12R, 12G, and 12B is formed on the outer surface side of the excitation light incident surface 12a of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B. May be.
  • transmitting the excitation light means transmitting at least the light corresponding to the peak wavelength of the excitation light
  • reflecting the fluorescence generated in the phosphor layers 12R, 12G, and 12B means that the phosphor layers 12R and 12G are reflected.
  • 12B at least the light corresponding to each emission peak wavelength is reflected.
  • the barrier 13 at least a part of the side surface 13a in contact with the phosphor layers 12R, 12G, and 12B has a light scattering property or a light reflecting property.
  • the outer shape of the barrier 13 that surrounds the phosphor layers 12R, 12G, and 12B also has a rectangular shape in plan view.
  • At least one of the four side surfaces 13a in contact with 12R, 12G, and 12B has a light scattering property or a light reflecting property.
  • the light scattering property in the present embodiment is a known scattering phenomenon, and examples thereof include Mie scattering, Rayleigh scattering, and multiple scattering.
  • the present embodiment is not limited to this, and the known scattering phenomenon is used. Can be applied. From the viewpoint of improving the light extraction efficiency, it is preferable to apply a scattering phenomenon using backscattering.
  • the light reflectivity in the present embodiment is a known reflection phenomenon, and examples thereof include specular reflection, diffuse reflection, and retroreflection, but the present embodiment is not limited to this and is publicly known. A reflection phenomenon can be applied.
  • the light scattering property and the light reflecting property of the barrier 13 do not necessarily exist independently, and the barrier 13 may have both the light scattering property and the light reflecting property.
  • both the light scattering property and the light reflecting property may be expressed with a single material, or both the light scattering property and the light reflecting property may be expressed with a plurality of materials.
  • both a light scattering property and a light reflecting property are expressed by a plurality of materials, as shown in FIG. 2 and FIG. May be selected as appropriate.
  • the layers having light reflectivity have different reflectivities (one is ⁇ % and the other is ⁇ %), and the layers having light scatter are each having a scattering coefficient. Are different (one is ⁇ and the other is ⁇ ).
  • the barrier 13 when the layer which has light-scattering property is provided continuously, the light-scattering property of each layer differs.
  • the barrier 13 when the barrier 13 has a multi-stage structure, as shown in FIGS. 4 and 5, the barrier 13 may be constituted only by a light reflecting member having different optical characteristics, or a light scattering member having different optical characteristics. Only the barrier 13 may be formed.
  • the optical characteristics mentioned here refer to reflection characteristics, scattering characteristics, and the like, but the present embodiment is not limited to this, and known optical characteristics may be selected as appropriate.
  • the side surface 13a of the barrier 13 having light scattering property or light reflecting property means that a light scattering or light reflecting film is provided on the side surface 13a of the barrier 13.
  • the side surface 13a of the barrier 13 having light scattering property or light reflecting property means that an uneven shape for scattering light is formed on the side surface 13a of the barrier 13.
  • the fact that at least a part of the four side surfaces 13a in contact with the phosphor layers 12R, 12G, and 12B of the barrier 13 has a light scattering property or a light reflecting property is shown in FIGS. 6 (a) to 6 (e).
  • only one side surface 13a may have light scattering or light reflecting properties, two side surfaces 13a may have light scattering or light reflecting properties, or three side surfaces 13a may have It may have light scattering or light reflectivity, or all four side surfaces 13a may have light scattering or light reflectivity. That is, as shown in FIG. 6 (a), only one side surface 13a may be provided with a light scattering or light reflecting region (light-impermeable portion 14), or FIG. ) And (c), the light-opaque portions 14 may be provided on the two side surfaces 13a, and the light-opaque portions 14 are provided on the three side surfaces 13a, as shown in FIG. 6 (d). It may be provided, or, as shown in FIG.
  • the light impermeable portions 14 may be provided on all four side surfaces 13a. Further, as shown in FIGS. 7A to 7C, when two or more side surfaces 13a have light scattering or light reflecting properties, each side surface 13a has light scattering or light reflecting properties.
  • the area (light opaque portion 14) may be continuously distributed. Further, as shown in FIGS. 6A to 6E and the like, the regions having light scattering or light reflectivity (light non-transmissive portion 14) are phosphor layers 12R and 12G on the side surface 13a of the barrier 13. , 12B is not required to be formed only in the region opposite to the area 12B. As shown in FIGS.
  • the light-impermeable portion 14 is formed in a stripe shape along the entire side surface 13a. May be present. In addition, when there are a plurality of pixels, it is easier to produce the light impermeable portion 14 having a stripe shape.
  • the barrier 13 only needs to have at least the side surface 13a having light scattering properties or light reflecting properties, but the entire surface, that is, the side surfaces 13a and the upper surface 13b may have light scattering properties or light reflecting properties. Good. Further, a light impermeable portion 14 is provided inside the barrier 13.
  • the structural member and the formation method of the fluorescent substance substrate 10 are demonstrated concretely, the structural member and the formation method of the fluorescent substance substrate 10 are not limited to these.
  • substrate As the substrate 11, since it is necessary to take out the fluorescence L2, L3, L4 from the phosphor layers 12R, 12G, 12B to the outside, the fluorescence L2, L3, L4 in the emission region of the phosphor layers 12R, 12G, 12B.
  • an inorganic material substrate made of glass, quartz, or the like
  • a plastic substrate made of polyethylene terephthalate, polycarbazole, polyimide, or the like can be cited, but this embodiment is not limited to these substrates Absent.
  • a plastic substrate is preferably used because it is possible to form a curved portion and a bent portion without stress.
  • a substrate obtained by coating a plastic substrate with an inorganic material is more preferable.
  • the phosphor layers 12R, 12G, and 12B absorb the excitation light L1 from an excitation light source such as an ultraviolet light emitting organic EL element, a blue light emitting organic EL element, an ultraviolet light emitting LED, and a blue LED, and emit red, green, and blue light. It consists of a phosphor layer 12R, a green phosphor layer 12G, and a blue phosphor layer 12B.
  • an excitation light source such as an ultraviolet light emitting organic EL element, a blue light emitting organic EL element, an ultraviolet light emitting LED, and a blue LED, and emit red, green, and blue light. It consists of a phosphor layer 12R, a green phosphor layer 12G, and a blue phosphor layer 12B.
  • the excitation light L1 may be emitted from the blue pixel without providing the blue phosphor layer 12B.
  • the directional excitation light L1 can be scattered and isotropically emitted without being provided with the blue phosphor layer
  • a phosphor layer that emits cyan light and yellow light to the pixel.
  • the color reproduction range can be further expanded as compared with a display device that uses pixels that emit three primary colors of red, green, and blue.
  • the phosphor layers 12R, 12G, and 12B may be composed of only the phosphor materials exemplified below, and may optionally contain additives and the like, and these materials are polymer materials (binding resins). Or the structure disperse
  • a known phosphor material can be used as the phosphor material.
  • Such phosphor materials are classified into organic phosphor materials and inorganic phosphor materials. Specific examples of the organic phosphor material and the inorganic phosphor material are illustrated below, but the phosphor material is not limited to these materials.
  • Organic phosphor materials include blue fluorescent dyes, stilbenzene dyes: 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, trans-4,4′-diphenylstilbenzene, coumarin dyes: 7-hydroxy- 4-methylcoumarin and the like can be mentioned.
  • the green fluorescent dye includes coumarin dyes: 2,3,5,6-1H, 4H-tetrahydro-8-trifluoromethylquinolidine (9,9a, 1-gh) coumarin (coumarin 153), 3- (2′-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 6), 3- (2′-benzoimidazolyl) -7-N, N-diethylaminocoumarin (coumarin 7), naphthalimide dyes: basic yellow 51, solvent yellow 11 , Solvent Yellow 116 and the like.
  • red fluorescent dyes cyanine dyes: 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran, pyridine dyes: 1-ethyl-2- [4- ( p-dimethylaminophenyl) -1,3-butadienyl] -pyridinium-perchlorate and rhodamine dyes: rhodamine B, rhodamine 6G, rhodamine 3B, rhodamine 101, rhodamine 110, basic violet 11, sulforhodamine 101 and the like It is done.
  • Inorganic phosphor materials include blue phosphors such as Sr 2 P 2 O 7 : Sn 4+ , Sr 4 Al 14 O 25 : Eu 2+ , BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , SrGa 2 S 4 : Ce 3+ , CaGa 2 S 4 : Ce 3+ , (Ba, Sr) (Mg, Mn) Al 10 O 17 : Eu 2+ , (Sr, Ca, Ba 2 , Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu 2+ , BaAl 2 SiO 8 : Eu 2+ , Sr 2 P 2 O 7 : Eu 2+ , Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu 2+ , (Sr, Ca, Ba) 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu 2+ , BaMg 2 Al 16 O 27: Eu 2+, (Ba, Ca) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, Ba 3 MgSi 2 O 8: Eu 2+, Sr 3
  • Y 2 O 2 S Eu 3+ , YAlO 3 : Eu 3+ , Ca 2 Y 2 (SiO 4 ) 6 : Eu 3+ , LiY 9 (SiO 4 ) 6 O 2 : Eu 3+ , YVO 4 : Eu 3+ , CaS: Eu 3+ , Gd 2 O 3 : Eu 3+ , Gd 2 O 2 S: Eu 3+ , Y (P, V) O 4 : Eu 3+ , Mg 4 GeO 5.5 F: Mn 4+ , Mg 4 GeO 6 : Mn 4+ , K 5 Eu 2.5 (WO 4 ) 6.25 , Na 5 Eu 2.5 (WO 4 ) 6.25 , K 5 Eu 2.5 (MoO 4 ) 6.25 , Na 5 Eu 2.5 (MoO 4) 6.25 , and the like.
  • the inorganic phosphor material may be subjected to a surface modification treatment as necessary, such as by chemical treatment such as a silane coupling agent, addition of fine particles of submicron order, etc. And the like by physical treatment by or by the combination thereof.
  • a surface modification treatment such as by chemical treatment such as a silane coupling agent, addition of fine particles of submicron order, etc. And the like by physical treatment by or by the combination thereof.
  • an inorganic phosphor material is preferable to use an inorganic phosphor material as the phosphor material.
  • the average particle diameter (d 50 ) is preferably 0.5 to 50 ⁇ m. If the average particle size of the inorganic phosphor material is less than 0.5 ⁇ m, the luminous efficiency of the inorganic phosphor material is drastically lowered. On the other hand, if the average particle size of the inorganic phosphor material exceeds 50 ⁇ m, it becomes difficult to pattern with high resolution.
  • the phosphor layers 12R, 12G, and 12B are formed by using a phosphor layer forming coating solution obtained by dissolving and dispersing the phosphor material and the resin material in a solvent, using a spin coating method, a dipping method, a doctor blade method, Known wet processes such as discharge coating methods, spray coating methods, etc., ink jet methods, letterpress printing methods, intaglio printing methods, screen printing methods, microgravure coating methods, etc., resistance heating vapor deposition of the above materials It can be formed by a known dry process such as electron beam (EB) vapor deposition, molecular beam epitaxy (MBE), sputtering, organic vapor deposition (OVPD), or laser transfer.
  • EB electron beam
  • MBE molecular beam epitaxy
  • OVPD organic vapor deposition
  • the phosphor layers 12R, 12G, and 12B can be patterned by a photolithography method using a photosensitive resin (photosensitive resin) as the polymer material (binding resin).
  • a photosensitive resin photosensitive resin
  • a photosensitive resin having a reactive vinyl group such as an acrylic resin, a methacrylic resin, a polyvinyl cinnamate resin, and a hard rubber resin (photo-curable resist material).
  • One type selected from the group consisting of or a mixture of two or more types can be used.
  • the phosphor layers 12R, 12G, and 12B are formed by a wet process such as an ink jet method, a relief printing method, an intaglio printing method, a screen printing method, a resistance heating vapor deposition method using a shadow mask, an electron
  • a wet process such as an ink jet method, a relief printing method, an intaglio printing method, a screen printing method, a resistance heating vapor deposition method using a shadow mask, an electron
  • EB electron beam
  • MBE molecular beam epitaxy
  • sputtering method a sputtering method
  • organic vapor deposition (OVPD) method or a laser transfer method. It is also possible to form.
  • the film thickness of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B is usually about 100 nm to 100 ⁇ m, but preferably 1 ⁇ m to 100 ⁇ m. Further, in order to increase the absorption of the excitation light L1 from the excitation light source and reduce the transmitted light of the excitation light L1 to the extent that the color purity is not adversely affected, the film thickness of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B is 1 ⁇ m or more. It is preferable that If the phosphor layers 12R, 12G, and 12B have a film thickness of less than 100 nm, it is impossible to sufficiently absorb the excitation light L1 from the excitation light source, resulting in a decrease in luminous efficiency and a required color.
  • the light-scattering particles may be composed of an organic material or an inorganic material, but may be composed of an inorganic material. It is preferable to be configured. This makes it possible to diffuse or scatter the excitation light L1 having directivity from the outside (for example, the excitation light source) more isotropically and effectively. Further, by using an inorganic material, it is possible to form a light scattering layer that is stable to light and heat. Moreover, it is preferable to use what has high transparency as light-scattering particle
  • the light scattering particles are preferably particles in which fine particles having a higher refractive index than the base material are dispersed in a low refractive index base material. Further, in order for blue light to be effectively scattered by the scatterer layer, the particle size of the light-scattering particles needs to be in the Mie scattering region, so the particle size of the light-scattering particles is 100 nm to 500 nm. It is preferable that it is a grade.
  • the inorganic material is, for example, an oxidation of at least one metal selected from the group consisting of silicon, titanium, zirconium, aluminum, indium, zinc, tin and antimony. Examples thereof include particles (fine particles) containing an object as a main component.
  • examples of the inorganic fine particles include silica beads (refractive index: 1.44), alumina beads (refractive index: 1). .63), titanium oxide beads (anatase type refractive index: 2.50, rutile type refractive index: 2.70), zirconia oxide beads (refractive index: 2.05), zinc oxide beads (refractive index: 2.70). 00) and the like.
  • organic fine particles made of an organic material
  • examples of the organic fine particles include polymethyl methacrylate beads (refractive index: 1.49), acrylic beads (refractive index: 1). .50), acrylic-styrene copolymer beads (refractive index: 1.54), melamine beads (refractive index: 1.57), high refractive index melamine beads (refractive index: 1.65), polycarbonate beads (refractive index) : 1.57), styrene beads (refractive index: 1.60), crosslinked polystyrene beads (refractive index: 1.61), polyvinyl chloride beads (refractive index: 1.60), benzoguanamine-melamine formaldehyde beads (refractive index) : 1.68), silicone beads (refractive index: 1.50), and the like.
  • the resin material used by mixing with the light scattering particles described above is preferably a translucent resin.
  • the resin material include melamine resin (refractive index: 1.57), nylon (refractive index: 1.53), polystyrene (refractive index: 1.60), melamine beads (refractive index: 1.57), polycarbonate.
  • Refractive index: 1.57 polyvinyl chloride (refractive index: 1.60), polyvinylidene chloride (refractive index: 1.61), polyvinyl acetate (refractive index: 1.46), polyethylene (refractive index: 1.53), polymethyl methacrylate (refractive index: 1.49), poly MBS (refractive index: 1.54), medium density polyethylene (refractive index: 1.53), high density polyethylene (refractive index: 1. 54), tetrafluoroethylene (refractive index: 1.35), polytrifluoroethylene chloride (refractive index: 1.42), polytetrafluoroethylene (refractive index: 1.35), and the like.
  • the reflective material for forming a light reflective film provided on at least the side surface 13a of the barrier 13 include aluminum, silver, gold, an aluminum-lithium alloy, an aluminum-neodymium alloy, Examples thereof include reflective metals such as aluminum-silicon alloys.
  • aluminum or silver is preferable from the viewpoint of having a high reflectance over the entire visible light region.
  • the reflective material is not limited to the above, but the reflective material preferably has a reflectance of 80% or more in the CIE 1976 L * a * b display system.
  • the barrier 13 has light scattering properties, it is preferable to use the above-mentioned light scattering particles as a reflective material for forming a light scattering film provided at least on the side surface 13a of the barrier 13. Furthermore, the light-scattering particles may be dispersed in a resin and used as necessary.
  • the particle diameter of the light scattering particles needs to be in the Mie scattering region. Is preferably about 100 nm to 500 nm. Even when the light scattering effect is used, the light scattering particles preferably have a diffuse reflectance of 80% or more in the CIE 1976 L * a * b display system.
  • a mask vapor deposition method, a photolithography method, or the like is used as a method for forming a light-scattering film or a light-reflecting film on the barrier 13.
  • the barrier 13 itself may be formed of a material that reflects visible light or a material that scatters visible light.
  • the barrier 13 itself is formed of a material that reflects visible light or a material that scatters visible light, it is preferable to provide a light shielding layer between the substrate 11 and the barrier 13. Thereby, the fall of the contrast by external light can be suppressed.
  • a light-blocking layer may be provided at an interface between the light-scattering film or the light-reflective film and the substrate 11.
  • a light shielding layer may be provided at the interface between the barrier 11 and the light scattering film or the light reflecting film and the substrate 11.
  • a light shielding layer may be provided on the opposite side of the barrier 13 having the light extraction direction (the opposite side to the substrate 11).
  • the height (thickness) of the barrier 13 surrounding the side surfaces of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B is preferably larger than the film thickness of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B. Thereby, it can prevent that fluorescent substance layer 12R, 12G, 12B contacts with the structure provided in the excitation light source side, and is damaged. Further, when at least the side surface 13a of the barrier 13 has light scattering property or light reflection property, by making the height (thickness) of the barrier 13 larger than the film thickness of the phosphor layers 12R, 12G, 12B, The fluorescent component leaking to the side from the phosphor layers 12R, 12G, and 12B can be efficiently propagated in the light extraction direction (substrate 11 side).
  • Providing liquid repellency to the barrier When patterning the phosphor layer by the dispenser method, ink jet method, etc., it is essential to give the barrier liquid repellency in order to prevent the phosphor solution from overflowing from the barrier and mixing colors between adjacent pixels. is there.
  • Examples of a method for imparting liquid repellency to the barrier include the following methods. (1) Fluorine plasma treatment
  • a barrier is formed by performing plasma treatment on a substrate on which a barrier is formed under a condition that the introduced gas is fluorine-based. To impart liquid repellency.
  • fluorine-based surface modifier By adding a fluorine-based surface modifier to the light-scattering barrier material, liquid repellency can be imparted to the barrier.
  • a fluorine-based surface modifier for example, a UV curable surface modifier Defender (manufactured by DIC), MegaFuck or the like is used.
  • the light impermeable portion 14 provided inside the barrier 13 is a combination of a light absorbing portion or a light reflecting portion. Although it does not specifically limit as a light absorption material which comprises a light absorption part, For example, black particles, such as titanium black and carbon black, are mentioned.
  • a method for forming the light absorbing portion (light non-transmissive portion 14) is not particularly limited. For example, a screen printing method using the above light absorbing material dispersed in a non-photosensitive resin is used. Thus, a method of directly patterning or a method of forming by patterning by a photolithography method or the like using a material obtained by dispersing the light absorbing material in a non-photosensitive resin is used.
  • the light reflecting material constituting the light reflecting portion is not particularly limited, but for example, reflective metals such as aluminum, silver, gold, aluminum-lithium alloy, aluminum-neodymium alloy, aluminum-silicon alloy, etc. Etc. Among these light reflecting materials, aluminum or silver is preferable from the viewpoint of having a high reflectance over the entire visible light region.
  • a method for forming the light reflecting portion (light non-transmissive portion 14) is not particularly limited. For example, a screen printing method or the like using a material in which the light reflecting material is dispersed in a non-photosensitive resin is used.
  • a method of directly patterning, or a method of coating the light reflecting material on a member having no light reflectivity by a dry process such as a vapor deposition method or a sputtering method to form a light reflecting portion is used.
  • a light reflecting portion as the light non-transmissive portion 14 inside the barrier 13
  • the scattered transmitted light is reflected by the light reflecting portion, so that it is possible to prevent the scattered transmitted light from propagating to adjacent pixels. Not only can this be done, but the light extraction efficiency can be improved by returning the scattered transmitted light to the original pixels.
  • the light impermeable portion 14 may be formed by combining the light absorbing portion and the light reflecting portion.
  • the method of combining the light absorption part and the light reflection part that is, the arrangement of the light absorption part and the light reflection part is not particularly limited. For example, as shown in FIG. It is preferable to arrange the light reflecting portions 22 and 22. Thereby, the rate which reuses scattered transmitted light in the light extraction direction can be increased. Further, as shown in FIG.
  • the light absorbing portions 21 and the light reflecting portions 22 may be arranged so as to be alternately connected. In this case, it is preferable that both side surfaces of the light-impermeable portion 14 are formed by the light reflecting portion 22 from the viewpoint of improving light extraction efficiency. Moreover, it is not necessary to make the height and width of the light absorption part 21 and the light reflection part 22 uniform, and the light absorption part 21 and the light reflection part 22 may partially overlap. Furthermore, it is not necessary to arrange the light absorption function of the light absorption part 21 and the light reflection function of the light reflection part 22, and these performances can be determined individually.
  • the light-impermeable portion 14 is not high enough to provide a light-absorbing portion or a light-reflecting portion, or by combining both the light-absorbing portion and the light-reflecting portion, as shown in FIG.
  • the light transmitting portion 15 that can form a sufficient height is formed, and the light reflecting portion 16 is formed so as to cover the light transmitting portion 15, thereby forming the light non-transmitting portion 14.
  • a light transmission part 15 that can form a sufficient height is formed inside, and a light absorption part 17 is formed so as to cover the light transmission part 15, thereby providing a light non-transmission part. It may be 14. Further, as shown in FIG.
  • a light transmission part 15 capable of forming a sufficient height is formed inside, a light absorption part 17 is formed so as to cover the light transmission part 15, and the light absorption is further performed.
  • the light reflecting portion 16 may be formed so as to cover the portion 17 and may be the light non-transmissive portion 14.
  • the height here refers to a height that is at least the film thickness of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B. That is, as shown in FIG. 14, when the height of the light-impermeable portion 14 is lower than the thickness of the phosphor layers 12R, 12G, and 12B, the phosphor layer 12R that emits light at a position higher than the light-impermeable portion 14.
  • both the light reflecting portion 16 and the light absorbing portion 17 may be provided inside the light transmitting portion 15.
  • either the light reflecting portion or the light absorbing portion may be provided inside the light transmitting portion 15.
  • the barrier 13 can be more firmly fixed to the light impermeable portion 14 by expressing at least the surface of the light impermeable portion 14 in contact with the barrier 13 by ashing or the like.
  • the transmittance of the light-impermeable portion 14 is ideally 0%, but a member used for a display such as a phosphor material, a color filter material, and a barrier material; an allowable value such as a contrast ratio of the display and a color blur; Since the transmittance and the like of the light impermeable portion 14 allowed for each emission spectrum are not uniquely determined, the upper limit value and the lower limit value of the transmittance of the light opaque portion 14 are also uniquely determined. It is not possible. Therefore, in this embodiment, the transmittance of the light opaque portion 14 can be arbitrarily determined, but at least the transmittance of the light opaque portion 14 must be lower than the transmittance of the resin constituting the barrier 13. I must.
  • the transmittance of the light impermeable portion 14 is higher than the transmittance of the resin constituting the barrier 13, the light impermeable portion 14 has sufficient function to absorb or reflect the light transmitted through the barrier 13. It is because there is a possibility that it cannot be demonstrated.
  • the light-impermeable portion 14 has a tapered shape.
  • the light-impermeable portion 14 has a tapered shape in which the width gradually decreases as the distance from the substrate 11 side increases.
  • the width of the light-impermeable portion 14 is wide on the one surface 11a of the substrate 11 on which the phosphor layers 12R, 12G, and 12B are formed, fluorescence and excitation light propagate through the barrier 13. It is possible to effectively prevent the light from entering adjacent pixels.
  • the light impermeable portion 14 may have a tapered shape in which the width gradually increases as the distance from the substrate 11 side increases. In this case, since the light-impermeable portion 14 bites into the inside of the barrier 13, the function of improving the adhesion between the substrate 11 and the barrier 13 can be achieved.
  • the light-impermeable portion 14 may have a shape in which the width gradually decreases from the upper surface 14 a and the lower surface 14 b toward the central portion in the height direction.
  • the contact area between the substrate 11 and the light impermeable portion 14 is increased, the adhesion between the substrate 11 and the light impermeable portion 14 can be improved, and the light impermeable portion 14 is located inside the barrier 13. Therefore, the function of improving the adhesion between the substrate 11 and the barrier 13 can be achieved.
  • it is difficult to provide the light-impermeable portion 14 on the one surface 11a side of the substrate 11 provided with the phosphor layers 12R, 12G, and 12B as shown in FIG.
  • the phosphor layers 12R, 12G, and You may provide the light impervious part 14 in a part of barrier 13 in the position facing the board
  • the height of the light impermeable portion 14 is closer to the height of the barrier 13 as shown in FIG.
  • the barrier 13 in which the light opaque portion 14 is formed the barrier 13 in which the light opaque portion 14 is formed in advance on a temporary substrate, and one surface 11a of the substrate 11 is prepared.
  • the present embodiment is not limited to this.
  • the present embodiment is not limited to this.
  • the light impermeable portion 14 may be provided at any position within the barrier 13 or the side surface 13a.
  • the light impermeable portion 14 may be provided on the side surface 13 a of the barrier 13.
  • the light impermeable portion 14 may have a multistage structure. For example, in the case of forming the light opaque portion 14 having the shape as shown in FIG. 17, after the tapered light opaque portion 14 shown in FIG. 1 is formed, the tapered light opaque portion shown in FIG. The transmission part 14 may be formed. Further, when it is difficult to form the light-impermeable portion 14 as a continuous body, the light-impermeable portion 14 may be formed separately as shown in FIG. In this case, it is preferable to eliminate the gap as much as possible in order to reduce the fluorescent component entering the adjacent pixels by sewing the gap of the light opaque portion 14.
  • the barrier 13 in which the light opaque portion 14 is provided in advance is formed on a temporary substrate, while one of the substrates 11 is formed.
  • the barrier 13 provided with the light opaque portion 14 is also formed on the surface 11 a, and the barrier 13 provided with the light opaque portion 14 formed on the temporary substrate is formed on the one surface 11 a of the substrate 11.
  • the light impermeable portion 14 may be provided at any position within the barrier 13 or the side surface 13a.
  • the two light-impermeable portions 14 may be shifted from each other in the cross section along the height direction.
  • size of the two light impermeable parts 14 formed separately may differ, and it is not necessary to match an end surface.
  • a light impermeable portion 14 may be provided on the side surface 13 a side of the barrier 13.
  • the light absorption function and the light reflection function at each stage can be arbitrarily determined.
  • the light-impermeable portion 14 when the light-impermeable portion 14 has a two-stage structure, the light-impermeable portion 14 may be formed so that the first stage has a light reflecting function and the second stage has a light absorbing function. Furthermore, when the light-impermeable portion 14 has a multi-stage structure, it is not necessary to arrange the light absorption function and the light reflection function at each stage, and these performances can be arbitrarily determined. As a matter of course, a multi-stage structure may be formed by combining the above-described light transmission portions 15.
  • Color filter In the phosphor substrate 10, it is preferable to provide a color filter between the substrate 11 and the phosphor layers 12R, 12G, and 12B.
  • a conventional color filter is used as the color filter.
  • the red color filter provided so as to face the phosphor layer 12R absorbs excitation light (external light) that excites the phosphor layer 12R. Thereby, it becomes possible to reduce / prevent emission of the phosphor layer 12R due to external light, and to reduce / prevent a decrease in contrast. Further, the red color filter can prevent the excitation light L1 that is not absorbed by the phosphor layer 12R and is transmitted from leaking out. For this reason, it is possible to prevent a decrease in the color purity of the fluorescence L3 due to the light emission from the phosphor layer 12R and the color mixture by the excitation light L1.
  • the green color filter provided so as to face the phosphor layer 12G (green phosphor layer) absorbs excitation light (external light) that excites the phosphor layer 12G. Thereby, it becomes possible to reduce / prevent emission of the phosphor layer 12G due to external light, and to reduce / prevent a decrease in contrast. Further, the green color filter can prevent the excitation light L1 that is not absorbed and transmitted by the phosphor layer 12G from leaking outside. For this reason, it is possible to prevent a decrease in the color purity of the light emission caused by the color mixture of the fluorescence L2 from the phosphor layer 12G and the excitation light L1.
  • the blue color filter provided to face the phosphor layer 12B (blue phosphor layer) absorbs excitation light (external light) that excites the phosphor layer 12B. Thereby, it becomes possible to reduce / prevent emission of the phosphor layer 12B due to external light, and to reduce / prevent a decrease in contrast. Further, the blue color filter can prevent the excitation light L1 that is not absorbed and transmitted by the phosphor layer 12B from leaking outside. For this reason, it is possible to prevent a decrease in the color purity of the light emission caused by the color mixture by the fluorescence L4 from the phosphor layer 12B and the excitation light L1.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a display device.
  • the display device 30 is schematically configured from a phosphor substrate 10 and a light source substrate 32 bonded on the phosphor substrate 10 with an adhesive layer 31 interposed therebetween.
  • the phosphor substrate 10 includes one pixel, which is a minimum unit that forms an image, by three dots that respectively display red, green, and blue.
  • a dot that performs red display is referred to as a red pixel PR
  • a dot that performs green display is referred to as a green pixel PG
  • a dot that performs blue display is referred to as a blue pixel PB.
  • the light source substrate 32 is generally configured by a substrate 33 and a light source (excitation light source) 34 disposed on a surface of the substrate 33 on the phosphor substrate 10 side (hereinafter referred to as “one surface”) 33a. From the light source 34, for example, ultraviolet light is emitted as the excitation light L1. In the phosphor substrate 10, upon receiving the excitation light L1 emitted from the light source 34, green fluorescence L2 is generated in the green pixel PG, red fluorescence L3 is generated in the red pixel PR, and blue fluorescence L4 is generated in the blue pixel PB. Arise. Then, full color display is performed by these three color lights of red, green and blue.
  • Adhesive layer As an adhesive constituting the adhesive layer 31, for example, a general ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like is used.
  • the light source 34 for exciting the phosphors constituting the phosphor layers 12R, 12G, and 12B those that emit ultraviolet light and blue light are preferable.
  • the light source 34 For example, well-known ultraviolet LED, blue LED, ultraviolet light emission inorganic EL element, blue light emission inorganic EL element, ultraviolet light emission organic EL element, blue light emission organic EL element etc. are mentioned. It is done.
  • the ultraviolet light emitted from the light source 34 is preferably emitted with a main emission peak of 360 to 410 nm, and the blue light is preferably emitted with a main emission peak of 435 to 480 nm.
  • the light source 34 desirably has directivity. Directivity refers to the property that the intensity of light varies depending on the direction. The directivity may be provided at the time when light enters the phosphor layers 12R, 12G, and 12B.
  • the light source 34 desirably makes parallel light incident on the phosphor layers 12R, 12G, and 12B.
  • the half width is preferably ⁇ 30 degrees or less, and more preferably the half width is ⁇ 10 degrees or less. This is because when the half-value width is larger than 30 degrees, light emitted from the light source 34 enters other than a desired pixel and excites an undesired phosphor to reduce color purity and contrast.
  • FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an LED substrate that constitutes the light source substrate 32.
  • the LED substrate 40 includes a substrate 41, a first buffer layer 42, an n-type contact layer 43, a second n-type cladding layer 44, and a first n-type cladding that are sequentially stacked on one surface 41a of the substrate 41.
  • LED other well-known LED, for example, ultraviolet light emission inorganic LED, blue light emission inorganic LED, etc. can be used, However, A specific structure is not limited to said thing.
  • the active layer 46 is a layer that emits light by recombination of electrons and holes, and a known active layer material for LED can be used as the active layer material.
  • a known active layer material for LED can be used as the active layer material.
  • an active layer material for example, as an ultraviolet active layer material, AlGaN, InAlN, In a Al b Ga 1-ab N (0 ⁇ a, 0 ⁇ b, a + b ⁇ 1), blue active layer material Examples thereof include In z Ga 1-z N (0 ⁇ z ⁇ 1), but the present embodiment is not limited to these.
  • As the active layer 46 a single quantum well structure or a multiple quantum well structure is used.
  • the active layer of the quantum well structure may be either n-type or p-type. However, when it is a non-doped (no impurity added) active layer, the half-value width of the emission wavelength is narrowed due to interband emission, and light emission with good color purity is achieved. Since it is obtained, it is preferable.
  • the active layer 46 may be doped with at least one of a donor impurity and an acceptor impurity. If the crystallinity of the active layer doped with the impurity is the same as that of the non-doped layer, the emission intensity between bands can be further increased by doping the donor impurity as compared with the non-doped layer.
  • the acceptor impurity is doped, the peak wavelength can be shifted to the lower energy side by about 0.5 eV from the peak wavelength of interband light emission, but the full width at half maximum is widened.
  • the conductivity type of the active layer is preferably doped with a donor impurity such as Si to be n-type.
  • the second n-type cladding layer 44 and the first n-type cladding layer 45 a known n-type cladding layer material for LED can be used, and a single layer or a multilayer structure may be used.
  • the second n-type cladding layer 44 and the first n-type cladding layer 45 are formed of an n-type semiconductor having a band gap energy larger than that of the active layer 46, the second n-type cladding layer 44 and the first n-type cladding layer 45 are formed.
  • a potential barrier against holes is formed between the mold cladding layer 45 and the active layer 46, and holes can be confined in the active layer 46.
  • the second n-type cladding layer 44 and the first n-type cladding layer 45 can be formed from n-type In x Ga 1-x N (0 ⁇ x ⁇ 1). Is not limited to these.
  • the first p-type cladding layer 47 and the second p-type cladding layer 48 a known p-type cladding layer material for LED can be used, and a single layer or a multilayer structure may be used.
  • the first p-type cladding layer 47 and the second p-type cladding layer 48 are formed of a p-type semiconductor having a band gap energy larger than that of the active layer 46, the first p-type cladding layer 47 and the second p-type cladding layer 48 are formed.
  • a potential barrier against electrons is formed between the mold cladding layer 48 and the active layer 46, and the electrons can be confined in the active layer 46.
  • the first p-type cladding layer 47 and the second p-type cladding layer 48 can be formed from Al y Ga 1-y N (0 ⁇ y ⁇ 1). It is not limited to.
  • n-type contact layer 43 a known contact layer material for LED can be used.
  • a layer for forming an electrode in contact with the second n-type cladding layer 44 and the first n-type cladding layer 45 An n-type contact layer 43 made of n-type GaN can be formed. It is also possible to form a p-type contact layer made of p-type GaN as a layer for forming an electrode in contact with the first p-type cladding layer 47 and the second p-type cladding layer 48. However, this p-type contact layer does not need to be formed if the second n-type cladding layer 44 and the second p-type cladding layer 48 are made of GaN.
  • the n-type cladding layer 44 and the second p-type cladding layer 48) can be used as contact layers.
  • a known film formation process for LEDs can be used, but the present embodiment is not limited to these.
  • a vapor phase growth method such as MOVPE (metal organic vapor phase epitaxy), MBE (molecular beam vapor phase epitaxy), HDVPE (hydride vapor phase epitaxy), for example, sapphire (C plane, A plane, R plane), SiC (including 6H—SiC, 4H—SiC), spinel (MgAl 2 O 4 , especially its (111) plane), ZnO, Si, GaAs, or other oxide single crystal substrates ( It is possible to form on a substrate such as NGO.
  • MOVPE metal organic vapor phase epitaxy
  • MBE molecular beam vapor phase epitaxy
  • HDVPE hydrogen vapor phase epitaxy
  • sapphire C plane, A plane, R plane
  • SiC including 6H—SiC, 4H—SiC
  • spinel MgAl 2 O 4 , especially its (111) plane
  • FIG. 27 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an organic EL element substrate constituting the light source substrate 32.
  • the organic EL element substrate 60 includes a substrate 61 and an organic EL element 62 provided on one surface 61 a of the substrate 61.
  • the organic EL element 62 is generally configured by a first electrode 63, an organic EL layer 64, and a second electrode 65 provided in order on one surface 61 a of the substrate 61. That is, the organic EL element 62 includes, on one surface 61a of the substrate 61, a pair of electrodes including the first electrode 63 and the second electrode 65, and an organic EL layer 64 sandwiched between the pair of electrodes. I have.
  • the first electrode 63 and the second electrode 65 function as a pair of anodes or cathodes of the organic EL element 62.
  • the optical distance between the first electrode 63 and the second electrode 65 is adjusted to constitute a microresonator structure (microcavity structure).
  • the organic EL layer 64 is sequentially stacked from the first electrode 63 side toward the second electrode 65 side, and includes a hole injection layer 66, a hole transport layer 67, an organic light emitting layer 68, a hole prevention layer 69, and an electron transport.
  • a layer 70 and an electron injection layer 71 are included.
  • the hole injection layer 66, the hole transport layer 67, the organic light emitting layer 68, the hole prevention layer 69, the electron transport layer 70, and the electron injection layer 71 may each have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the hole injection layer 66, the hole transport layer 67, the organic light emitting layer 68, the hole prevention layer 69, the electron transport layer 70, and the electron injection layer 71 may each be an organic thin film or an inorganic thin film.
  • the hole injection layer 66 efficiently injects holes from the first electrode 63.
  • the hole transport layer 67 efficiently transports holes to the organic light emitting layer 68.
  • the electron transport layer 70 efficiently transports electrons to the organic light emitting layer 68.
  • the electron injection layer 71 efficiently injects electrons from the second electrode 65.
  • the hole injection layer 66, the hole transport layer 67, the electron transport layer 70, and the electron injection layer 71 correspond to a carrier injection transport layer.
  • the organic EL element 62 is not limited to the above configuration, and the organic EL layer 64 has a multilayer structure of an organic light emitting layer and a carrier injecting and transporting layer, even if the organic EL layer 64 has a single layer structure of an organic light emitting layer. Also good.
  • Specific examples of the configuration of the organic EL element 62 include the following.
  • each of the injection layer, the hole transport layer, the hole prevention layer, the electron prevention layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • each of the organic light emitting layer, hole injection layer, hole transport layer, hole prevention layer, electron prevention layer, electron transport layer, and electron injection layer may be either an organic thin film or an inorganic thin film.
  • An edge cover 72 is formed so as to cover the end face of the first electrode 63. That is, the edge cover 72 is formed on one surface 61 a of the substrate 61 between the first electrode 63 and the second electrode 65 in order to prevent leakage between the first electrode 63 and the second electrode 65. It is provided so as to cover the edge portion of the formed first electrode 63.
  • each structural member which comprises the organic EL element substrate 60, and its formation method are demonstrated concretely, this embodiment is not limited to these structural members and a formation method.
  • the substrate 61 for example, an inorganic material substrate made of glass, quartz or the like, a plastic substrate made of polyethylene terephthalate, polycarbazole, polyimide, or the like, an insulating substrate such as a ceramic substrate made of alumina, or the like, or aluminum (Al), iron A metal substrate made of (Fe) or the like, or a substrate coated with an insulating material made of silicon oxide (SiO 2 ), an organic insulating material or the like on the substrate, or a metal substrate made of aluminum or the like is anodized.
  • substrate etc. which performed the insulation process by this method are mentioned, this embodiment is not limited to these board
  • a substrate in which a plastic substrate is coated with an inorganic material and a substrate in which a metal substrate is coated with an inorganic insulating material are preferable.
  • a substrate coated with such an inorganic material deterioration of the organic EL due to the permeation of water, which is the biggest problem when a plastic substrate is used as the substrate of the organic EL element substrate (organic EL is particularly low in quantity) It is known that degradation also occurs with respect to the moisture of water).
  • leakage (short) due to protrusions on the metal substrate which is the biggest problem when a metal substrate is used as the substrate of the organic EL element substrate (because the film thickness of the organic EL layer is very thin, about 100 to 200 nm, It is known that a leak (short circuit) is remarkably generated in the current in the pixel portion.
  • a substrate that does not melt at a temperature of 500 ° C. or lower and does not cause distortion as the substrate 61.
  • a general metal substrate has a coefficient of thermal expansion different from that of glass, it is difficult to form a TFT on a metal substrate with a conventional production apparatus, but the linear expansion coefficient is 1 ⁇ 10 ⁇ 5 / ° C. or less.
  • the metal substrate that is an iron-nickel alloy of this type and matching the linear expansion coefficient to glass it becomes possible to form TFTs on the metal substrate at low cost using a conventional production apparatus.
  • the TFT on the glass substrate is transferred to the plastic substrate, thereby transferring the TFT onto the plastic substrate. be able to.
  • the TFT formed on the substrate 61 is formed in advance on one surface 61a of the substrate 61 before the organic EL element 62 is formed, and functions as a pixel switching element and an organic EL element driving element.
  • a known TFT can be cited.
  • a metal-insulator-metal (MIM) diode can also be used.
  • TFTs that can be used in active drive organic EL display devices and organic EL display devices can be formed using known materials, structures, and formation methods.
  • the material of the active layer constituting the TFT include inorganic semiconductor materials such as amorphous silicon (amorphous silicon), polycrystalline silicon (polysilicon), microcrystalline silicon, cadmium selenide, zinc oxide, indium oxide-oxide Examples thereof include oxide semiconductor materials such as gallium-zinc oxide, and organic semiconductor materials such as polythiophene derivatives, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene) derivatives, naphthacene, and pentacene.
  • the TFT structure include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.
  • an active layer forming method for forming a TFT (1) a method of ion doping impurities into amorphous silicon formed by plasma induced chemical vapor deposition (PECVD), and (2) a silane (SiH 4 ) gas is used.
  • PECVD plasma induced chemical vapor deposition
  • SiH 4 silane
  • amorphous silicon by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), crystallizing amorphous silicon by solid phase growth to obtain polysilicon, and then ion doping by ion implantation, (3) Si 2 H Amorphous silicon is formed by LPCVD using 6 gases or PECVD using SiH 4 gas, annealed by a laser such as an excimer laser, etc., and amorphous silicon is crystallized to obtain polysilicon, followed by ion doping (Low temperature process), (4) LPCVD method or The polysilicon layer is formed by ECVD method, a gate insulating film formed by thermal oxidation at 1000 ° C.
  • LPCVD low pressure chemical vapor deposition
  • a method of performing ion doping high temperature Process
  • a method of forming an organic semiconductor material by an inkjet method a method of obtaining a single crystal film of the organic semiconductor material.
  • the gate insulating film constituting the TFT in this embodiment can be formed using a known material.
  • As the gate insulating film for example, PECVD method, and a SiO 2 or polysilicon film formed by the LPCVD method or the like insulating film made of SiO 2 or the like obtained by thermal oxidation.
  • the signal electrode line, the scanning electrode line, the common electrode line, the first drive electrode, and the second drive electrode of the TFT in this embodiment can be formed using a known material.
  • the material of the signal electrode line, the scan electrode line, the common electrode line, the first drive electrode, and the second drive electrode include tantalum (Ta), aluminum (Al), copper (Cu), and the like.
  • the TFT of the organic EL element substrate 60 can be configured as described above, but the present embodiment is not limited to these materials, structures, and formation methods.
  • the interlayer insulating film that can be used in the active drive organic EL display device and the organic EL display device can be formed using a known material.
  • a material of the interlayer insulating film for example, inorganic materials such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN or Si 2 N 4 ), tantalum oxide (TaO or Ta 2 O 5 ), acrylic resin, resist material Organic materials, etc. are mentioned.
  • Examples of the method for forming the interlayer insulating film include a dry process such as a chemical vapor deposition (CVD) method and a vacuum deposition method, and a wet process such as a spin coating method. If necessary, the interlayer insulating film can be patterned by a photolithography method or the like.
  • the organic EL element 62 When light emitted from the organic EL element 62 is extracted from the side opposite to the substrate 61 (second electrode 65 side), external light is incident on the TFT formed on the one surface 61a of the substrate 61, and the TFT characteristics. In order to prevent the change from occurring, it is preferable to form a light-shielding insulating film having light-shielding properties. Further, the interlayer insulating film and the light-shielding insulating film can be used in combination.
  • Examples of the material of the light-shielding insulating film include, for example, pigments or dyes such as phthalocyanine and quinaclonone dispersed in a polymer resin such as polyimide, color resists, black matrix materials, and inorganic insulating materials such as Ni x Zn y Fe 2 O 4 Although materials etc. are mentioned, this embodiment is not limited to these materials and a formation method.
  • the active drive type organic EL display device when a TFT or the like is formed on one surface 61a of the substrate 61, an unevenness is formed on the surface, and the unevenness causes an organic EL element 82 defect (for example, a pixel electrode defect). There is a risk that a defect of the organic EL layer, a disconnection of the second electrode, a short circuit between the first electrode and the second electrode, a decrease in breakdown voltage, or the like) may occur.
  • a planarizing film may be provided on the interlayer insulating film.
  • planarization film can be formed using a known material.
  • the material for the planarizing film include inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, and tantalum oxide, and organic materials such as polyimide, acrylic resin, and resist material.
  • the method for forming the planarization film include a dry process such as a CVD method and a vacuum deposition method, and a wet process such as a spin coating method.
  • the present embodiment is limited to these materials and the formation method. is not.
  • the planarization film may have either a single layer structure or a multilayer structure.
  • the first electrode 63 and the second electrode 65 function as a pair of anodes or cathodes of the organic EL element 62. That is, when the first electrode 63 is an anode, the second electrode 65 is a cathode, and when the first electrode 63 is a cathode, the second electrode 65 is an anode.
  • an electrode material for forming the first electrode 63 and the second electrode 65 a known electrode material can be used.
  • As an electrode material for forming the anode gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni) or the like having a work function of 4.5 eV or more from the viewpoint of more efficiently injecting holes into the organic EL layer 64.
  • ITO Metal, oxide
  • SnO 2 oxide of tin
  • IZO oxide of indium (In) and zinc (Zn)
  • Transparent electrode materials and the like Metal, oxide (ITO) composed of indium (In) and tin (Sn), oxide (SnO 2 ) of tin (Sn), oxide (IZO) composed of indium (In) and zinc (Zn) Transparent electrode materials and the like.
  • lithium (Li), calcium (Ca), cerium (Ce) having a work function of 4.5 eV or less from the viewpoint of more efficiently injecting electrons into the organic EL layer 64.
  • metals such as barium (Ba) and aluminum (Al), or alloys such as Mg: Ag alloys and Li: Al alloys containing these metals.
  • the first electrode 63 and the second electrode 65 can be formed by a known method such as an EB vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a resistance heating vapor deposition method using the above materials. Is not limited to these forming methods. Moreover, the electrode formed by the photolithographic method and the laser peeling method can also be patterned as needed, and the electrode patterned directly by combining with a shadow mask can also be formed.
  • the film thickness of the first electrode 63 and the second electrode 65 is preferably 50 nm or more. When the film thickness is less than 50 nm, the wiring resistance increases and the drive voltage may increase.
  • the microcavity effect is used for the purpose of improving the color purity of the display device, the light emission efficiency, the front luminance, etc., or when the light emitted from the organic EL layer 64 is extracted from the first electrode 63 or the second electrode 65 side. It is preferable to use a translucent electrode as the first electrode 63 or the second electrode 65.
  • a translucent electrode As a material for the semitransparent electrode, a metal semitransparent electrode alone or a combination of a metal translucent electrode and a transparent electrode material can be used. In particular, as a material for the semitransparent electrode, silver is preferable from the viewpoint of reflectance and transmittance.
  • the film thickness of the translucent electrode is preferably 5 to 30 nm.
  • the film thickness of the translucent electrode is less than 5 nm, the light cannot be sufficiently reflected, and the interference effect cannot be obtained sufficiently.
  • the film thickness of the translucent electrode exceeds 30 nm, the light transmittance is rapidly decreased, so that the luminance and light emission efficiency of the display device may be decreased.
  • the electrode having high reflectivity include a reflective metal electrode (reflective electrode) made of, for example, aluminum, silver, gold, aluminum-lithium alloy, aluminum-neodymium alloy, aluminum-silicon alloy, and the like. The electrode etc. which combined are mentioned.
  • the charge injection / transport layer is a charge injection layer (hole injection layer 66, electron injection layer 71) for the purpose of more efficiently injecting charges (holes, electrons) from the electrode and transporting (injection) to the light emitting layer.
  • a charge transport layer (a hole transport layer 67, an electron transport layer 70), and may be composed of only the charge injecting and transporting material exemplified below, optionally including additives (donor, acceptor, etc.)
  • a structure in which these materials are dispersed in a polymer material (binding resin) or an inorganic material may be used.
  • charge injecting and transporting material known charge injecting and transporting materials for organic EL elements and organic photoconductors can be used. Such charge injecting and transporting materials are classified into hole injecting and transporting materials and electron injecting and transporting materials. Specific examples of these compounds are given below, but this embodiment is not limited to these materials. .
  • oxides such as vanadium oxide (V 2 O 5 ) and molybdenum oxide (MoO 2 ), and inorganic p-type semiconductor materials are used.
  • a porphyrin compound N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) -benzidine (TPD), N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N ′ -Diphenyl-benzidine ( ⁇ -NPD), 4,4 ', 4 "-tris (carbazol-9-yl) triphenylamine (TCTA), N, N-dicarbazolyl-3,5-benzene (m-CP), 4,4 ′-(cyclohexane-1,1-diyl) bis (N, N-di-p-tolylaniline) (TAPC), 2,2′-bis (N, N-diphenylamine) -9,9′- Spirobifluorene (DPAS) N1, N1 ′-(biphenyl-4,4′-diyl) bis (N1-phenyl-N4, N4-di-m-tolylbenzene-1,
  • the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) is higher than that of the material of the hole transport layer 67 from the viewpoint of more efficiently injecting and transporting holes from the anode. It is preferable to use a low material. Further, as the material for the hole transport layer 67, a material having higher hole mobility than the material for the hole injection layer 66 is preferably used.
  • the hole injection layer 66 and the hole transport layer 67 may optionally contain an additive (donor, acceptor, etc.).
  • the hole injection layer 66 and the hole transport layer 67 preferably include an acceptor.
  • the acceptor a known acceptor material for organic EL elements can be used. Although these specific compounds are illustrated below, this embodiment is not limited to these materials.
  • the acceptor may be either an inorganic material or an organic material.
  • the inorganic material include gold (Au), platinum (Pt), tungsten (W), iridium (Ir), phosphorus oxychloride (POCl 3 ), hexafluoroarsenate ion (AsF 6 ⁇ ), chlorine (Cl), Examples include bromine (Br), iodine (I), vanadium oxide (V 2 O 5 ), molybdenum oxide (MoO 2 ), and the like.
  • organic materials include 7,7,8,8, -tetracyanoquinodimethane (TCNQ), tetrafluorotetracyanoquinodimethane (TCNQF 4 ), tetracyanoethylene (TCNE), hexacyanobutadiene (HCNB), and dicyclohexane.
  • Compounds having a cyano group such as dicyanobenzoquinone (DDQ); compounds having a nitro group such as trinitrofluorenone (TNF) and dinitrofluorenone (DNF); fluoranil; chloranil; bromanyl and the like.
  • compounds having a cyano group such as TCNQ, TCNQF 4 , TCNE, HCNB, and DDQ are preferable because the effect of increasing the hole concentration is higher.
  • the hole blocking layer 69, the electron transport layer 70, and the electron injection layer 71 known materials are used. If the material is a low molecular material, an inorganic material that is an n-type semiconductor; 1,3-bis [2- (2,2′-bipyridin-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene (Bpy-OXD), 1,3-bis (5- (4- (tert-butyl) phenyl) Oxadiazole derivatives such as -1,3,4-oxadiazol-2-yl) benzene (OXD7); 3- (4-biphenyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4 -Triazole derivatives such as triazole (TAZ); thiopyrazine dioxide derivative; benzoquinone derivative; naphthoquinone derivative; anthraquinone derivative; diphenoquinone derivative; fluorenone derivative; Quin
  • a material for the electron injection layer 71 a material having a higher energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) than that of the material for the electron transport layer 70 is used from the viewpoint of more efficiently injecting and transporting electrons from the cathode. Is preferred. Further, as the material of the electron transport layer 70, a material having higher electron mobility than the material of the electron injection layer 71 is preferably used.
  • LUMO lowest unoccupied molecular orbital
  • the electron transport layer 70 and the electron injection layer 71 may optionally contain an additive (donor, acceptor, etc.).
  • the electron transport layer 70 and the electron injection layer 71 preferably include a donor.
  • a donor the well-known donor material for organic EL elements can be used. Although these specific compounds are illustrated below, this embodiment is not limited to these materials.
  • the donor may be either an inorganic material or an organic material.
  • the inorganic material include alkali metals such as lithium, sodium and potassium; alkaline earth metals such as magnesium and calcium; rare earth elements; aluminum (Al); silver (Ag); copper (Cu); It is done.
  • the organic material include a compound having an aromatic tertiary amine skeleton, a condensed polycyclic compound which may have a substituent such as phenanthrene, pyrene, perylene, anthracene, tetracene and pentacene, tetrathiafulvalene (TTF), Examples include dibenzofuran, phenothiazine, and carbazole.
  • Compounds having an aromatic tertiary amine skeleton include anilines; phenylenediamines; N, N, N ′, N′-tetraphenylbenzidine, N, N′-bis- (3-methylphenyl) -N, N Benzidines such as' -bis- (phenyl) -benzidine, N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine; triphenylamine, 4,4'4 "-tris ( N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine, 4,4'4 "-tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine, 4,4'4" -tris (N Triphenylamines such as-(1-naphthyl) -N-phenyl-amino) -triphenylamine; N, N'-di- (4-methyl-
  • the above-mentioned condensed polycyclic compound “has a substituent” means that one or more hydrogen atoms in the condensed polycyclic compound are substituted with a group other than a hydrogen atom (substituent).
  • the number of is not particularly limited, and all hydrogen atoms may be substituted with a substituent.
  • the position of the substituent is not particularly limited. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an alkenyloxy group having 2 to 10 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 15 carbon atoms. An aryloxy group having 6 to 15 carbon atoms, a hydroxyl group, a halogen atom, and the like.
  • the alkyl group may be linear, branched or cyclic.
  • Examples of the linear or branched alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and n-pentyl group.
  • the cyclic alkyl group may be monocyclic or polycyclic, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, norbornyl group, isobornyl group Group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, tricyclodecyl group and the like.
  • Examples of the alkoxy group include a monovalent group in which an alkyl group is bonded to an oxygen atom.
  • Examples of the alkenyl group include an alkyl group having 2 to 10 carbon atoms in which one single bond (C—C) between carbon atoms is substituted with a double bond (C ⁇ C).
  • Examples of the alkenyloxy group include a monovalent group in which the alkenyl group is bonded to an oxygen atom.
  • the aryl group may be monocyclic or polycyclic, and the number of ring members is not particularly limited, and preferred examples include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, and the like.
  • Examples of the aryloxy group include a monovalent group in which an aryl group is bonded to an oxygen atom.
  • Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • a compound having an aromatic tertiary amine skeleton, a condensed polycyclic compound which may have a substituent, and an alkali metal are preferable because the effect of increasing the electron concentration is higher.
  • the organic light emitting layer 68 may be composed only of the organic light emitting material exemplified below, or may be composed of a combination of a light emitting dopant and a host material, and optionally, a hole transport material, an electron transport material, Additives (donor, acceptor, etc.) may be included. Moreover, the structure by which these each material was disperse
  • organic light emitting material a known light emitting material for an organic EL element can be used.
  • Such light-emitting materials are classified into low-molecular light-emitting materials, polymer light-emitting materials, and the like. Specific examples of these compounds are given below, but the present embodiment is not limited to these materials.
  • Low molecular light emitting materials (including host materials) used for the organic light emitting layer 68 include aromatic dimethylidene compounds such as 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) -biphenyl (DPVBi); 5-methyl Oxadiazole compounds such as -2- [2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazole; 3- (4-biphenyl) -4-phenyl-5-t- Triazole derivatives such as butylphenyl-1,2,4-triazole (TAZ); styrylbenzene compounds such as 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene; thiopyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives , Fluorescent organic materials such as diphenoquinone derivatives and fluorenone derivatives; azomethine zinc complexes, (8- Mud
  • Polymer light emitting materials used for the organic light emitting layer 68 include poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-PPP), poly [2,5-bis- [2- (N, N, N— Triethylammonium) ethoxy] -1,4-phenyl-alt-1,4-phenyllene] dibromide (PPP-NEt 3+ ), poly [2- (2′-ethylhexyloxy) -5-methoxy-1,4- Phenylenevinylene] (MEH-PPV), poly [5-methoxy- (2-propanoxysulfonide) -1,4-phenylenevinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis- (hexyloxy) 1,4-phenylene- (1-cyanovinylene)] (CN-PPV) and other polyphenylene vinylene derivatives; poly (9,9-dioctylfluorene) (PDAF) and other polyphen
  • the organic light emitting material is preferably a low molecular light emitting material, and a phosphorescent material having high light emission efficiency is preferably used from the viewpoint of reducing power consumption.
  • a well-known dopant for organic EL elements can be used.
  • the dopant in the case of an ultraviolet light emitting material, p-quaterphenyl, 3,5,3,5-tetra-tert-butylsecphenyl, 3,5,3,5-tetra-tert-butyl-p- Examples thereof include fluorescent light emitting materials such as quinckphenyl.
  • a fluorescent light emitting material such as a styryl derivative; bis [(4,6-difluorophenyl) -pyridinato-N, C2 ′] picolinate iridium (III) (FIrpic), bis (4 ′, 6 And phosphorescent organic metal complexes such as' -difluorophenylpolydinato) tetrakis (1-pyrazoyl) borate iridium (III) (FIr6).
  • the green light emitting material include phosphorescent organic metal complexes such as tris (2-phenylpyridinate) iridium (Ir (ppy) 3 ).
  • host material can be used also as a hole transport material or an electron transport material, for example, a hole transport material and an electron transport material can also be used as a host material.
  • a known wet process, dry process, and laser transfer method are used. Etc. are used.
  • a coating method such as a spin coating method, a dipping method, a doctor blade method, a discharge coating method, a spray coating method, or the like using a liquid in which a material constituting each layer is dissolved or dispersed in a solvent; an inkjet method; Examples thereof include a printing method such as a relief printing method, an intaglio printing method, a screen printing method, and a micro gravure coating method.
  • the liquid used in the above coating method and printing method may contain additives for adjusting the physical properties of the liquid, such as a leveling agent and a viscosity modifier.
  • a resistance heating vapor deposition method As the dry process, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam (EB) vapor deposition method, a molecular beam epitaxy (MBE) method, a sputtering method, an organic vapor phase vapor deposition (OVPD) method, or the like, using the material constituting each of the above layers is used. It is done.
  • the thickness of each of the hole injection layer 66, the hole transport layer 67, the organic light emitting layer 68, the hole prevention layer 69, the electron transport layer 70, and the electron injection layer 71 is usually about 1 to 1000 nm. 200 nm is preferred. If the film thickness is less than 10 nm, the physical properties (charge injection characteristics, transport characteristics, confinement characteristics) that are originally required cannot be obtained. In addition, pixel defects due to foreign matters such as dust may occur. On the other hand, when the film thickness exceeds 200 nm, the drive voltage increases due to the resistance component of the organic EL layer 64, and as a result, power
  • the edge cover 72 can be formed using an insulating material by a known method such as an EB vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a resistance heating vapor deposition method, or the like, by a known dry method or a wet photolithography method. Patterning can be performed, but the present embodiment is not limited to these forming methods.
  • a known method such as an EB vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a resistance heating vapor deposition method, or the like, by a known dry method or a wet photolithography method. Patterning can be performed, but the present embodiment is not limited to these forming methods.
  • the insulating material constituting the edge cover 72 a known material is used, but in this embodiment, the insulating material is not particularly limited. Since the edge cover 72 needs to transmit light, examples of the insulating material constituting the edge cover 72 include SiO, SiON, SiN, SiOC, SiC, Hf
  • the film thickness of the edge cover 72 is preferably 100 to 2000 nm. If the film thickness is less than 100 nm, the insulation is not sufficient, and a leak occurs between the first electrode 63 and the second electrode 65, resulting in an increase in power consumption and non-light emission. On the other hand, if the film thickness exceeds 2000 nm, the film forming process takes a long time, resulting in a decrease in production efficiency and disconnection of the second electrode 65 by the edge cover 72.
  • the organic EL element 62 has a microcavity structure (optical microresonator structure) due to an interference effect between the first electrode 63 and the second electrode 65, or a microcavity structure (optical microresonator structure) formed of a dielectric multilayer film. ).
  • the microresonator structure is configured by the first electrode 63 and the second electrode 65
  • the light emission of the organic EL layer 64 is caused in the front direction (light extraction direction) due to the interference effect between the first electrode 63 and the second electrode 65. It can be condensed.
  • the directivity can be given to light emission of the organic EL layer 64, the light emission loss escaping to the periphery can be reduced, and the light emission efficiency can be increased. Thereby, it is possible to more efficiently propagate the emission energy generated in the organic EL layer 64 to the phosphor layer, and the front luminance of the display device can be increased.
  • the emission spectrum of the organic EL layer 64 can also be adjusted, and the desired emission peak wavelength and half width can be adjusted. Thereby, it is possible to control the red phosphor and the green phosphor to a spectrum that can be excited more effectively, and the color purity of the blue pixel can be improved.
  • the display device of this embodiment is electrically connected to an external drive circuit (scanning line electrode circuit (source driver), data signal electrode circuit (gate driver), power supply circuit).
  • an external drive circuit scanning line electrode circuit (source driver), data signal electrode circuit (gate driver), power supply circuit.
  • the substrate 61 constituting the organic EL element substrate 60 a glass substrate coated with an insulating material, more preferably a metal substrate or a plastic substrate coated with an insulating material, more preferably a metal substrate.
  • a substrate obtained by coating an insulating material on an upper or plastic substrate is used.
  • the organic EL element substrate 60 may be driven by connecting the organic EL element 62 directly to an external circuit. Further, a switching circuit such as a TFT is arranged in the pixel, and the organic EL element substrate 60 is an external drive circuit (scanning line electrode circuit (source driver)) for driving the organic EL element 62 to a wiring to which the TFT or the like is connected. , Data signal electrode circuit (gate driver), power supply circuit).
  • the active substrate constituting the organic EL element constituting the active drive organic EL display device is on a glass substrate, more preferably on a metal substrate, on a plastic substrate, more preferably on a metal substrate or on a plastic substrate.
  • TFTs are arranged at a plurality of scanning signal lines, data signal lines, and intersections between the scanning signal lines and the data signal lines.
  • the organic EL element 62 is driven by a voltage-driven digital gradation method, and two TFTs, a switching TFT 81 and a driving TFT 82, are arranged for each pixel, and the driving TFT 82 and the light emitting element are emitted.
  • the first electrode provided in the portion 83 is electrically connected through a contact hole formed in the planarization film.
  • a capacitor for making the gate potential of the driving TFT 82 constant in one pixel is arranged so as to be connected to the gate electrode of the driving TFT 82.
  • the present embodiment is not particularly limited to these, and the driving method may be the voltage-driven digital gradation method described above or the current-driven analog gradation method.
  • the number of TFTs is not particularly limited, and the organic EL element 62 may be driven by the two TFTs described above.
  • the organic EL element 62 may be driven using two or more TFTs having a built-in compensation circuit therein.
  • FIG. 29 is a schematic configuration diagram of a display device 90 including the phosphor substrate 10 and the organic EL element substrate 60 described above.
  • the display device 90 includes an organic EL element substrate 60, a phosphor substrate 10 disposed so as to face the organic EL element substrate 60, and a pixel unit 91 provided in a region where the organic EL element substrate 60 and the phosphor substrate 10 face each other.
  • a flexible printed circuit (FPC) and an external drive circuit 97 are schematically configured.
  • the external driving circuit 97 sequentially selects the scanning lines (scanning lines) of the pixel portion 91 by the gate signal side driving circuit 92, and the data signal side for each pixel element arranged along the selected scanning line. Pixel data is written by the drive circuit 93. That is, the gate signal side driving circuit 92 sequentially drives the scanning lines, and the data signal side driving circuit 93 outputs the pixel data to the data lines, whereby the driven scanning lines and the data lines from which the data are output intersect. The pixel element arranged at the position to be driven is driven.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view of an organic EL element substrate 100 using an active matrix driving type organic EL layer 110. 30, the same components as those of the organic EL element substrate 60 shown in FIG. 27 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the organic EL element substrate 100 has a TFT (driving element) 130 formed on one surface 120 a of the substrate 120. That is, the gate electrode 131 and the gate line 132 are formed, and the gate insulating film 133 is formed on the substrate 120 so as to cover the gate electrode 131 and the gate line 132.
  • An active layer (not shown) is formed on the gate insulating film 133, and a source electrode 134, a drain electrode 135, and a data line 136 are formed on the active layer, and the source electrode 134, the drain electrode 135, and the data line 136 are connected to each other.
  • a planarization film 137 is formed so as to cover it.
  • planarization film 137 does not have to have a single layer structure, and may have a structure in which another interlayer insulating film and a planarization film are combined.
  • a contact hole 138 that penetrates the planarization film or the interlayer insulating film and reaches the drain electrode 135 is formed, and the organic material that is electrically connected to the drain electrode 135 through the contact hole 138 is formed on the planarization film 137.
  • An anode (first electrode) 63 of the EL layer 110 is formed.
  • the configuration of the organic EL layer 110 itself is the same as that of the organic EL layer 64 described above.
  • the TFT 130 is formed on the substrate 120 before the organic EL layer 110 is formed, and functions as a pixel switching element and an organic EL element driving element.
  • Examples of the TFT 130 used in this embodiment include known TFTs, which can be formed using known materials, structures, and formation methods.
  • a metal-insulator-metal (MIM) diode can be used instead of the TFT 130.
  • Examples of the material of the active layer of the TFT 130 include inorganic semiconductor materials such as amorphous silicon (amorphous silicon), polycrystalline silicon (polysilicon), microcrystalline silicon, cadmium selenide, zinc oxide, indium oxide-gallium oxide- Examples thereof include oxide semiconductor materials such as zinc oxide, or organic semiconductor materials such as polythiophene derivatives, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene) derivatives, naphthacene, and pentacene.
  • Examples of the structure of the TFT 130 include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.
  • the method for forming the active layer constituting the TFT 130 (1) a method of ion doping impurities into amorphous silicon formed by plasma induced chemical vapor deposition (PECVD), and (2) a silane (SiH 4 ) gas is used.
  • PECVD plasma induced chemical vapor deposition
  • SiH 4 silane
  • amorphous silicon by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), crystallizing amorphous silicon by solid phase epitaxy to obtain polysilicon, and then ion doping by ion implantation, (3) Si 2 H
  • LPCVD low pressure chemical vapor deposition
  • SiH 4 gas amorphous silicon is formed by LPCVD using 6 gases or PECVD using SiH 4 gas, annealed by a laser such as an excimer laser, and amorphous silicon is crystallized to obtain polysilicon, followed by ion doping (Low temperature process),
  • LPCVD method How other form a polysilicon layer by PECVD, the gate insulating film formed by thermal oxidation at 1000 ° C.
  • the gate insulating film 133 can be formed using a known material. Examples thereof include SiO 2 formed by PECVD, LPCVD, etc., or SiO 2 obtained by thermally oxidizing a polysilicon film.
  • the data line 136, the gate line 132, the source electrode 134, and the drain electrode 135 can be formed using a known conductive material such as tantalum (Ta), aluminum (Al), or copper (Cu). It is done.
  • the TFT 130 can be configured as described above, but is not limited to these materials, structures, and formation methods.
  • the interlayer insulating film used in this embodiment can be formed using a known material.
  • the method for forming the interlayer insulating film include a dry process such as a chemical vapor deposition (CVD) method and a vacuum deposition method, and a wet process such as a spin coating method. Moreover, it can also pattern by the photolithographic method etc. as needed.
  • the interlayer insulating film and the light-shielding insulating film can be used in combination.
  • the light-shielding insulating film is not particularly limited.
  • a pigment or dye such as phthalocyanine or quinacridone dispersed in a polymer resin such as polyimide, a color resist, a black matrix material, Ni x Zn y Fe
  • a polymer resin such as polyimide, a color resist, a black matrix material, Ni x Zn y Fe
  • inorganic insulating materials such as 2 O 4 .
  • the TFT 130 formed on the substrate 120, various wirings, and electrodes form irregularities on the surface, and the irregularities cause defects (for example, the anode (first electrode) 63 and the cathode (for example, the anode (first electrode) 63).
  • the second electrode) 65 may be broken or disconnected, the organic EL layer 110 may be broken, the anode (first electrode) 63 and the cathode (second electrode) 65 may be short-circuited, or the breakdown voltage may be reduced. Therefore, it is desirable to provide the planarizing film 137 on the interlayer insulating film for the purpose of preventing these defects.
  • the planarization film 137 can be formed using a known material.
  • an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or tantalum oxide, an organic material such as polyimide, acrylic resin, or a resist material is used.
  • a method for forming the planarizing film 137 is not particularly limited, and for example, a dry process such as a CVD method or a vacuum deposition method, or a wet process such as a spin coating method is used. Further, the planarization film 137 may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the organic EL layer 110 is preferably covered with a sealing film 140.
  • the sealing film 140 can be formed by a known sealing material and sealing method. Specifically, the sealing film 140 can be formed by applying a resin on the surface opposite to the substrate 120 using a spin coating method, an ODF, a lamination method, or the like. Alternatively, after forming an inorganic film such as SiO, SiON, SiN, etc. by plasma CVD, ion plating, ion beam, sputtering, etc., resin is further added using spin coating, ODF, lamination, etc.
  • the sealing film 140 can be formed by coating, or a sealing substrate can be attached. Such a sealing film 140 can prevent oxygen and moisture from being mixed into the organic EL layer 110 from the outside, and the life of the organic EL element substrate 100 is improved.
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an inorganic EL element substrate constituting the light source substrate 32.
  • the inorganic EL element substrate 150 is roughly configured by a substrate 151 and an inorganic EL element 152 provided on one surface 151 a of the substrate 151.
  • the inorganic EL element 152 includes a first electrode 153, a first dielectric layer 154, a light emitting layer 155, a second dielectric layer 156, and a second electrode 157, which are sequentially stacked on one surface 151a of the substrate 151. Yes.
  • the first electrode 153 and the second electrode 157 function as a pair as an anode or a cathode of the inorganic EL element 152.
  • the inorganic EL element 152 a known inorganic EL element such as an ultraviolet light emitting inorganic EL element, a blue light emitting inorganic EL element, or the like can be used, but the specific configuration is not limited to the above. Absent.
  • each structural member which comprises the inorganic EL element substrate 150, and its formation method are demonstrated concretely, this embodiment is not limited to these structural members and a formation method.
  • the substrate 151 a substrate similar to the substrate 61 constituting the organic EL element substrate 60 is used.
  • the first electrode 153 and the second electrode 157 function as a pair as an anode or a cathode of the inorganic EL element 152. That is, when the first electrode 153 is an anode, the second electrode 157 is a cathode, and when the first electrode 153 is a cathode, the second electrode 157 is an anode.
  • a metal such as aluminum (Al), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), and an oxide made of indium (In) and tin (Sn) (ITO), tin (Sn) oxide (SnO 2 ), indium (In) and oxide (IZO) composed of zinc (Zn), and the like can be cited as transparent electrode materials. It is not limited.
  • a transparent electrode such as ITO is good for the electrode on the light extraction side, and a reflective electrode made of aluminum or the like is preferably used for the electrode on the opposite side to the light extraction direction.
  • the first electrode 153 and the second electrode 157 can be formed by a known method such as an EB vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a resistance heating vapor deposition method using the above materials. Is not limited to these forming methods. Moreover, the electrode formed by the photolithographic method and the laser peeling method can also be patterned as needed, and the electrode patterned by combining with a shadow mask can also be formed.
  • the film thicknesses of the first electrode 153 and the second electrode 157 are preferably 50 nm or more. When the film thicknesses of the first electrode 153 and the second electrode 157 are less than 50 nm, the wiring resistance becomes high and the drive voltage may increase.
  • a known dielectric material for inorganic EL elements can be used as the first dielectric layer 154 and the second dielectric layer 156.
  • a known dielectric material for inorganic EL elements include tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ), silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum titanate ( Examples include AlTiO 3 ), barium titanate (BaTiO 3 ), and strontium titanate (SrTiO 3 ).
  • the present embodiment is not limited to these dielectric materials.
  • first dielectric layer 154 and the second dielectric layer 156 may have a single layer structure made of one kind selected from the above dielectric materials, or a multilayer structure in which two or more kinds are laminated. Also good.
  • the film thickness of the first dielectric layer 154 and the second dielectric layer 86 is preferably about 200 to 500 nm.
  • the light emitting layer 155 a known light emitting material for an inorganic EL element can be used.
  • a light emitting material for example, ZnF 2 : Gd as an ultraviolet light emitting material, BaAl 2 S 4 : Eu, CaAl 2 S 4 : Eu, ZnAl 2 S 4 : Eu, Ba 2 SiS 4 as a blue light emitting material.
  • the thickness of the light emitting layer 155 is preferably about 300 to 1000 nm.
  • a sealing film or a sealing substrate for sealing a light emitting element such as an organic EL element, an LED, or an inorganic EL element is provided. It is preferable.
  • the sealing film and the sealing substrate can be formed by a known sealing material and sealing method. Specifically, the sealing film can be formed by applying a resin on the surface opposite to the substrate constituting the light source by using a spin coat method, an ODF, a laminate method, or the like. Alternatively, after forming an inorganic film such as SiO, SiON, SiN, etc.
  • a sealing film can be formed by coating, or a sealing substrate can be attached. Such a sealing film or a sealing substrate can prevent entry of oxygen and moisture from the outside into the light-emitting element, thereby improving the life of the light source.
  • the display device 30 is preferably provided with a polarizing plate on the light extraction side (the other surface 11b side of the substrate 11 of the phosphor substrate 10).
  • the polarizing plate is preferably a combination of a conventional linear polarizing plate and a ⁇ / 4 plate. By providing the polarizing plate, it is possible to prevent external light reflection from the electrodes of the display device 30 and external light reflection on the surface (the other surface 33b) of the substrate 11 or the substrate 33 (sealing substrate). The contrast of 30 can be improved.
  • a liquid crystal element may be provided between the phosphor substrate 10 and the light source 34.
  • the liquid crystal element is not particularly limited, and a known liquid crystal element can be used.
  • the liquid crystal element includes a pair of polarizing plates, a pair of electrodes, a pair of alignment films, and a substrate. A liquid crystal cell is sandwiched between a pair of alignment films.
  • one optically anisotropic layer is disposed between the liquid crystal cell and one polarizing plate, or two optically anisotropic layers are disposed between the liquid crystal cell and both polarizing plates. It may be.
  • the liquid crystal element has a function as an optical shutter that selectively transmits light emitted from the light source 34.
  • the type of the liquid crystal cell is not particularly limited, but can be appropriately selected according to the purpose. Examples thereof include a TN mode, a VA mode, an OCB mode, an IPS mode, and an ECB mode.
  • the liquid crystal element may be passively driven or may be of an active drive type using a switching element such as a TFT. It is preferable to combine the switching of the liquid crystal element and the switching of the light source 34 because power consumption can be further reduced.
  • the display device of the present embodiment it is possible to realize an excellent display device that improves light extraction efficiency and greatly improves conversion efficiency, has excellent viewing angle characteristics, and can reduce power consumption.
  • the above display device can also be applied to, for example, a ceiling light (illumination device) 160 shown in FIG.
  • a ceiling light 160 illustrated in FIG. 32 is a lighting device including a light emitting unit 161, a hanging line 162, and a power cord 163.
  • the light emitting unit 161 is composed of the display device described above.
  • the ceiling light 160 includes the above-described display device as the light emitting unit 161, so that the lighting device is excellent in luminous efficiency.
  • the above display device can also be applied to, for example, an illumination stand (illumination device) 170 shown in FIG.
  • a lighting stand 170 shown in FIG. 33 is a lighting device including a light emitting unit 171, a stand 172, a main switch 173, and a power cord 174.
  • the light emitting unit 171 is composed of the above display device.
  • the illumination stand 170 includes the above display device as the light emitting unit 171 and thereby becomes an illumination device having excellent light emission efficiency.
  • the display device described above can be applied to various electronic devices.
  • electronic devices including the above display device will be described with reference to FIGS.
  • the above display device can be applied to, for example, the mobile phone shown in FIG.
  • a cellular phone 180 illustrated in FIG. 34 includes a voice input unit 181, a voice output unit 182, an antenna 183, an operation switch 184, a display unit 185, a housing 186, and the like.
  • the above display device can be preferably applied as the display unit 185. By applying the above display device to the display portion 185 of the mobile phone 180, an image can be displayed with good light emission efficiency.
  • a thin television 190 illustrated in FIG. 35 includes a display portion 191, a speaker 192, a cabinet 193, a stand 194, and the like.
  • the above display device can be suitably applied as the display unit 191.
  • an image can be displayed with good light emission efficiency.
  • the above display device can be applied to, for example, a portable game machine shown in FIG.
  • a portable game machine 200 shown in FIG. 36 includes operation buttons 201 and 202, an external connection terminal 203, a display unit 204, a housing 205, and the like.
  • the above display device can be suitably applied as the display unit 204.
  • an image can be displayed with good luminous efficiency.
  • the above display device can be applied to, for example, a notebook computer shown in FIG.
  • a notebook computer 210 illustrated in FIG. 37 includes a display portion 211, a keyboard 212, a touch pad 213, a main switch 214, a camera 215, a recording medium slot 216, a housing 217, and the like.
  • the above display device can be preferably applied as the display unit 211. By applying the above display device to the display portion 211 of the notebook computer 210, an image can be displayed with good luminous efficiency.
  • a tablet terminal 220 illustrated in FIG. 38 includes a display unit (touch panel) 221, a camera 222, a housing 223, and the like.
  • the above display device can be preferably applied as the display unit 221. By applying the above display device to the display unit 221 of the tablet terminal 220, an image can be displayed with good light emission efficiency.
  • FIG. 39 is a schematic view showing the phosphor substrate of Experimental Example 1, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along line AA of (a).
  • the substrate 23 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour. Next, an epoxy-based positive photosensitive resin was applied to the entire surface of one surface 231a of the substrate 231 by spin coating. Then, it baked at 90 degreeC for 2 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers.
  • the coating film is covered with a light shielding mask for forming a barrier frame of 2 rows ⁇ 2 columns in which the width of the barrier 232 is 50 ⁇ m and the pitch of the barrier 232 is 100 ⁇ m, and i-line (340 mJ / cm 2 ).
  • the film was exposed.
  • the coating film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 150 ° C. for 1 hour, whereby the barrier 232 is formed from the substrate 231 side. Patterning was performed so as to form a taper shape with the width gradually becoming smaller as the distance from the center increases.
  • a red phosphor layer 233 and a blue scatterer layer 234 having a film thickness of 7 ⁇ m were formed in a pattern defined by the barrier 232 to obtain a phosphor substrate 230.
  • red phosphor layer forming coating solution and a blue scatterer layer forming coating solution were prepared.
  • a red phosphor layer-forming coating solution 30 g of polyvinyl alcohol 10 wt% aqueous solution is added to 30 g of red phosphor K 5 Eu 2.5 (WO 4 ) 6.25 having an average particle diameter of 2 ⁇ m, and dispersed by a disperser. Stir.
  • a red phosphor layer forming coating solution was obtained.
  • the blue scatterer layer-forming coating solution 30 g of a polyvinyl alcohol 10 wt% aqueous solution was added to 30 g of silica particles (refractive index: 1.65) having an average particle size of 1.5 ⁇ m, and the mixture was stirred by a disperser. This obtained the coating liquid for blue scatterer layer formation.
  • the substrate 231 was washed with UV / O 3 , and then the substrate 231 was subjected to fluorine plasma treatment to impart liquid repellency to the barrier 232 and impart lyophilicity to the substrate 231.
  • a red phosphor layer forming coating solution and a blue scatterer layer forming coating solution were applied in a pattern to the inside of a frame-shaped barrier 232 provided on the substrate 231 by a dispenser method.
  • the substrate 231 coated with the red phosphor layer forming coating solution and the blue scatterer layer forming coating solution was dried by heating in a vacuum oven (200 ° C., 10 mmHg) for 4 hours to obtain a film thickness of 7 ⁇ m.
  • Red phosphor layers 233A and 233B and blue scatterer layers 234A and 234B were formed.
  • the excitation light incident surface side (the side opposite to the substrate 231) of the red phosphor layers 233A and 233B and the blue scatterer layer 234A is shielded, and only the blue scatterer layer 234B is irradiated with the blue excitation light. did.
  • blue scattered light was observed from the blue scatterer layer 234B.
  • blue scattered light was also observed from the blue scatterer layer 234A, and further red light was observed from the red phosphor layers 233A and 233B.
  • blue scattered light from the blue scatterer layer 234B propagates through the barrier 232 and enters the adjacent blue scatterer layer 234A and red phosphor layers 233A and 233B.
  • Blue scattered light is emitted in the light extraction direction (substrate 231 side) by the scattering particles, and in the red phosphor layers 233A and 233B, the red phosphor layers 233A and 233B are excited by the blue scattered light, and the red phosphor layer This is considered to be caused by red light emitted from 233A and 233B. This caused crosstalk.
  • red light component was observed from the red phosphor layers 233A and 233B, and a weak red light component was also observed from the blue scatterer layers 234A and 234B. This is because the blue scattered light from the blue scatterer layer 234B is emitted from the red phosphor layers 233A and 233B without being absorbed by the red phosphor layers 233A and 233B, while the red color is scattered by the blue scattered light.
  • the red light emitted from the red phosphor layers 233A and 233B propagates through the barrier 232 and enters the adjacent blue scatterer layers 234A and 234B. This is considered to be because red light was emitted in the light extraction direction by the light scattering particles of 234A and 234B. Thereby, the color purity was lowered.
  • FIG. 40A and 40B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 2, wherein FIG. 40A is a plan view and FIG. 40B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG.
  • a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used as the substrate 241.
  • pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes
  • acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes
  • isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour.
  • a negative resist containing carbon black was applied to the entire surface of one surface 241a of the substrate 241 by spin coating. Then, it baked at 90 degreeC for 1 hour, and formed the light-impermeable film
  • the light-impermeable film was covered with a light-shielding mask for patterning in a line surrounding each pixel on the substrate 241 and irradiated with i-line (300 mJ / cm 2 ) to expose the light-impermeable film. .
  • the light-impermeable film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 150 ° C. for 1 hour, whereby the light-impermeable portion 242 is formed.
  • patterning was performed so as to form a tapered shape in which the width gradually decreased as the distance from the substrate 241 side was increased. Note that the width of the light-impermeable portion 242 in the portion in contact with the one surface 241a of the substrate 241 was set to 30 ⁇ m.
  • an epoxy-based positive photosensitive resin was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface 241a of the substrate 241 on which the light-impermeable portion 242 was patterned. Then, it baked at 90 degreeC for 2 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers. Next, the coating film is covered with a light shielding mask for forming a barrier frame of 2 rows ⁇ 2 columns in which the width of the barrier 243 is 50 ⁇ m and the pitch of the barrier 243 is 100 ⁇ m, and i-line (300 mJ / cm 2 ). And the coating film was exposed.
  • the coating film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 120 ° C. for 1 hour, whereby the barrier 243 is formed from the substrate 241 side. Patterning was performed so as to form a taper shape in which the width gradually decreased with increasing distance.
  • a red phosphor layer 244 and a blue scatterer layer 245 having a film thickness of 7 ⁇ m were patterned in the region partitioned by the barrier 242 to obtain a phosphor substrate 240.
  • the excitation light incident surface side (the side opposite to the substrate 241) of the red phosphor layers 244A and 244B and the blue scatterer layer 245A is shielded, and only the blue scatterer layer 245B is irradiated with the blue excitation light. did.
  • blue scattered light was observed from the blue scatterer layer 245B, and blue scattered light was observed from the blue scatterer layer 245A as in Experimental Example 1.
  • neither red light nor blue light was observed from the red phosphor layers 244A, 244B.
  • the light-impermeable portion 242 is provided inside the barrier 243 between the red phosphor layers 244A and 244B and the blue scatterer layers 245A and 245B, and thus the blue scattering emitted from the blue scatterer layer 245B. This is considered to be because light was absorbed by the light opaque portion 242 and did not enter the red phosphor layers 244A and 244B. On the other hand, the light-impermeable portion 242 is not provided between pixels of the same color (between the red phosphor layer 244A and the red phosphor layer 244B and between the blue scatterer layer 245A and the blue scatterer layer 245B).
  • the blue scattered light emitted from the blue scatterer layer 245B is incident on the adjacent blue scatterer layer 245A via the barrier 243 between the blue scatterer layer 245A and the blue scatterer layer 245B. It is considered that blue scattered light was also observed from the layer 245A.
  • the light non-transmission portion 242 is provided only between pixels of different colors (between the red phosphor layers 244A and 244B and the blue scatterer layers 245A and 245B), light is transmitted between the pixels of different colors. Although transmission can be prevented, light transmission cannot be prevented between pixels of the same color.
  • the light opaque portion 242 may be provided only between pixels of different colors.
  • the case where the light opaque portion 242 is provided at the center between the pixels is illustrated, but the light opaque portion 242 may be provided anywhere as long as it is inside the barrier 243.
  • the probability of scattering / reflecting light is increased and the light extraction efficiency can be improved. It is preferable to provide it at the center.
  • the outermost portion of the barrier 243 corresponding to the outermost pixel in the pixel region does not cause a color blur, it is not always necessary to provide the light opaque portion 242 at the outermost portion.
  • FIG. 41A and 41B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 3, wherein FIG. 41A is a plan view and FIG. 41B is a cross-sectional view taken along line CC of FIG.
  • the substrate 251 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour. Next, a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied to the entire surface of one surface 251a of the substrate 251 by spin coating. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers.
  • the coating film is covered with a light-shielding mask for forming a barrier frame of 2 rows ⁇ 2 columns in which the width of the barrier 252 is 50 ⁇ m and the pitch of the barrier 252 is 100 ⁇ m, and i-line (300 mJ / cm 2 ). And the coating film was exposed. Subsequently, using an alkali developer as a developer, the coating film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 120 ° C. for 1 hour, whereby the barrier 252 is formed from the substrate 251 side. Patterning was performed so as to form a taper shape in which the width gradually decreased with increasing distance. Next, in the same manner as in Experimental Example 1, a red phosphor layer 253 and a blue scatterer layer 254 having a film thickness of 7 ⁇ m were patterned in the region partitioned by the barrier 252 to obtain a phosphor substrate 250.
  • the red phosphor layers 253A and 253B and the blue scatterer layer 254A are shielded from the excitation light incident surface side (the side opposite to the substrate 251), and only the blue scatterer layer 254B is irradiated with the blue excitation light. did.
  • blue scattered light was observed from the blue scatterer layer 254B with a light extraction efficiency 1.1 times that of Experimental Example 1. This is considered to be because the scattered light component directed from the blue scatterer layer 254B to the side is scattered and reflected by the barrier 252 and the blue scattered light is emitted in the light extraction direction.
  • blue scattered light was observed from the blue scatterer layer 254A, and further red light was observed from the red phosphor layers 253A and 253B.
  • FIG. 42A and 42B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 4, wherein FIG. 42A is a plan view and FIG. 42B is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG.
  • the substrate 261 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour.
  • thermosetting resin containing carbon black was applied in a line shape having a width of 30 ⁇ m and a thickness of 10 ⁇ m. Thereafter, baking was performed at 150 ° C. for 1 hour, and a light-impermeable portion 262 having a taper shape in which the width gradually decreased as the distance from the substrate 261 side became 10 ⁇ m.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface 261a of the substrate 261 on which the light opaque portion 262 was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers. Next, the coating film is covered with a light shielding mask for forming a barrier frame of 2 rows ⁇ 2 columns in which the width of the barrier 263 is 50 ⁇ m and the pitch of the barrier 263 is 100 ⁇ m, and i-line (300 mJ / cm 2 ). The film was exposed.
  • the coating film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 120 ° C. for 1 hour, whereby the barrier 263 is formed from the substrate 261 side. Patterning was performed so as to form a taper shape with the width gradually becoming smaller as the distance from the center increases.
  • a red phosphor layer 264 and a blue scatterer layer 265 having a film thickness of 7 ⁇ m were patterned in the region partitioned by the barrier 263 to obtain a phosphor substrate 260.
  • the excitation light incident surface side (the side opposite to the substrate 261) of the red phosphor layers 264A and 264B and the blue scatterer layer 265A is shielded, and only the blue scatterer layer 265B is irradiated with the blue excitation light. did.
  • blue scattered light was observed from the blue scatterer layer 265B, and blue scattered light was also observed from the blue scatterer layer 265A as in Experimental Example 2.
  • neither red light nor blue light was observed from the red phosphor layers 264A, 264B.
  • the light-impermeable portion 262 is provided inside the barrier 263 between the red phosphor layers 264A and 264B and the blue scatterer layers 265A and 265B, and thus the blue scattering emitted from the blue scatterer layer 265B. This is probably because the light was absorbed by the light-impermeable portion 262 and did not enter the red phosphor layers 264A and 264B. On the other hand, the light-impermeable portion 262 is not provided between pixels of the same color (between the red phosphor layer 264A and the red phosphor layer 264B and between the blue scatterer layer 265A and the blue scatterer layer 265B).
  • the blue scattered light emitted from the blue scatterer layer 265B enters the adjacent blue scatterer layer 265A via the barrier 263 between the blue scatterer layer 265A and the blue scatterer layer 265B, and the blue scatterer It is considered that blue scattered light was also observed from the layer 265A.
  • the light opaque portion 262 is provided only between pixels of different colors (between the red phosphor layers 264A and 264B and the blue scatterer layers 265A and 265B), light is transmitted between the pixels of different colors. Although transmission can be prevented, light transmission cannot be prevented between pixels of the same color. However, for example, when all RGB pixels are lit as in a lighting device, or when only the same color pixels are lit, there is no effect of light transmission between pixels of the same color.
  • the light opaque portion 262 may be provided only between pixels of different colors. In this experimental example, the case where the light opaque portion 262 is provided at the center between the pixels is illustrated, but the light opaque portion 262 may be provided anywhere within the barrier 263.
  • the light non-transmission part 262 is provided in the central part inside the barrier 263, the probability of scattering / reflecting light is increased and the light extraction efficiency can be improved. It is preferable to provide it at the center.
  • the outermost portion of the barrier 263 corresponding to the outermost pixel in the pixel region does not cause a color blur, the light opaque portion 262 is not necessarily provided at the outermost portion.
  • FIG. 43A and 43B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 5, in which FIG. 43A is a plan view and FIG. 43B is a cross-sectional view taken along line EE of FIG.
  • the substrate 271 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour. Next, a negative resist containing carbon black was applied to the entire surface of one surface 271a of the substrate 271 by spin coating.
  • the light-impermeable film membrane with a film thickness of 10 micrometers.
  • the light-impermeable film was covered with a light-shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 271 and irradiated with i-line (300 mJ / cm 2 ) to expose the light-impermeable film. .
  • the light-impermeable film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 150 ° C. for 1 hour, whereby the light-impermeable portion 272 is formed.
  • Patterning was performed so as to form a shape perpendicular to one surface 271a of the substrate 271. Note that the width of the light-impermeable portion 272 in the portion in contact with the one surface 271a of the substrate 271 was set to 30 ⁇ m.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface 271a of the substrate 271 on which the light-impermeable portion 272 was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers. Next, the coating film is covered with a light-shielding mask for forming a barrier frame of 2 rows ⁇ 2 columns in which the width of the barrier 273 is 50 ⁇ m and the pitch of the barrier 273 is 100 ⁇ m, and i-line (300 mJ / cm 2 ). And the coating film was exposed.
  • the coating film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 120 ° C. for 1 hour, whereby the barrier 273 is formed from the substrate 271 side. Patterning was performed so as to form a taper shape in which the width gradually decreased with increasing distance.
  • a red phosphor layer 274 and a blue scatterer layer 275 having a film thickness of 7 ⁇ m were patterned in a region partitioned by the barrier 273 to obtain a phosphor substrate 270.
  • the red phosphor layers 274A and 274B and the blue scatterer layer 275A are shielded from the excitation light incident surface side (the side opposite to the substrate 271), and only the blue scatterer layer 275B is irradiated with the blue excitation light. did.
  • blue scattered light is observed from the blue scatterer layer 275B with 1.3 times the light extraction efficiency of Experimental Example 4, and from other pixels, that is, from the red phosphor layers 274A and 274B and the blue scatterer layer 275A. No luminescence was observed.
  • the reason why the light extraction efficiency is improved as compared with Experimental Example 4 is that light can be extracted more efficiently by surrounding all four surfaces of the pixel with the barrier 273.
  • the outermost portion of the barrier 273 corresponding to the outermost pixel in the pixel region does not cause a color blur, so the light non-transmissive portion 272 is not necessarily provided at the outermost portion. There is no need to provide.
  • FIG. 44A and 44B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 6, in which FIG. 44A is a plan view and FIG. 44B is a cross-sectional view taken along line FF in FIG.
  • the substrate 281 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour.
  • silver paste was applied in a grid shape having a width of 20 ⁇ m and a thickness of 20 ⁇ m by screen printing so as to surround the red pixel and the blue pixel, respectively. Thereafter, baking was performed at 120 ° C. for 1 hour, and a light-impermeable portion 282 having a taper shape with a film thickness of 20 ⁇ m and gradually becoming narrower as the distance from the substrate 281 side was formed.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface 281a of the substrate 281 on which the light opaque portion 282 was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers. Next, the coating film is covered with a light-shielding mask for forming a barrier frame of 2 rows ⁇ 2 columns in which the width of the barrier 283 is 50 ⁇ m and the pitch of the barrier 283 is 100 ⁇ m, and i-line (300 mJ / cm 2 ). The film was exposed.
  • the coating film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 120 ° C. for 1 hour, whereby the barrier 283 is formed from the substrate 281 side. Patterning was performed so as to form a taper shape with the width gradually becoming smaller as the distance from the center increases.
  • a 7 ⁇ m-thick red phosphor layer 284 and blue scatterer layer 285 were patterned in the region partitioned by the barrier 283 to obtain a phosphor substrate 280.
  • the excitation light incident surface side (the side opposite to the substrate 281) of the red phosphor layers 284A and 284B and the blue scatterer layer 285A is shielded, and only the blue scatterer layer 285B is irradiated with the blue excitation light. did.
  • blue scattered light is observed from the blue scatterer layer 285B with a light extraction efficiency 1.1 times that of Experimental Example 5, and the other pixels, that is, the red phosphor layers 284A and 284B and the blue scatterer layer 285A. No luminescence was observed.
  • the light extraction efficiency is improved as compared with Experimental Example 5 because the light non-transmissive portion 282 has light reflectivity, and thus the blue scattered light that has been transmitted without being scattered and reflected by the barrier 283 is reflected by the light. This is considered to be because the blue scattered light was reflected in the light extraction direction after being reflected by the non-transmissive portion 282.
  • the bright room CR was lower than that of Experimental Example 5. This is considered to be caused by the fact that external light was reflected by the light impermeable portion 282 and that external light was scattered and reflected by the barrier 283 provided so as to cover the light impermeable portion 282.
  • the light absorbing portions are provided as the light opaque portions 262 and 272
  • the light opaque portions are not necessarily provided at the outermost portions of the barriers 263 and 273 corresponding to the outermost pixels in the pixel region.
  • the light reflecting portion is provided as the light non-transmissive portion 282. Therefore, in order to improve the light extraction efficiency, the barrier 283 corresponding to the outermost pixel is provided. It is preferable to provide a light-impermeable portion 282 at the outermost portion.
  • [Experimental Example 7] 45 is a schematic view showing a phosphor substrate of Experimental Example 7, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along the line GG of (a).
  • the substrate 291 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour. Next, a negative resist containing carbon black was applied to the entire surface of one surface 291a of the substrate 291 by spin coating.
  • the light absorption film 292 was covered with a light shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 291 and irradiated with i-line (300 mJ / cm 2 ) to expose the light absorption film 292. .
  • the light absorption film 292 is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 150 ° C. for 1 hour, whereby the light absorption film 292 is vertically aligned. It was patterned so as to form a proper shape.
  • the width of the light absorption film 292 in the portion in contact with one surface 291a of the substrate 291 was set to 60 ⁇ m.
  • the silver paste is formed in a grid shape having a width of 20 ⁇ m and a thickness of 20 ⁇ m by screen printing so as to surround the red pixel and the blue pixel, respectively. Applied. Thereafter, baking was performed at 120 ° C. for 1 hour, and a light-impermeable portion 293 having a taper shape with a film thickness of 20 ⁇ m and gradually becoming narrower as the distance from the substrate 291 side was formed.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface 291a of the substrate 291 on which the light opaque portion 293 was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers.
  • the i-line 300 mJ / cm 2
  • a light-shielding mask for forming a 2 ⁇ 2 barrier frame in which the barrier 294 has a width of 50 ⁇ m and the barrier 294 has a pitch of 100 ⁇ m. And the coating film was exposed.
  • the coating film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 120 ° C. for 1 hour, whereby the barrier 294 is formed from the substrate 291 side. Patterning was performed so as to form a taper shape in which the width gradually decreased with increasing distance.
  • a red phosphor layer 295 and a blue scatterer layer 296 having a film thickness of 7 ⁇ m were formed in a pattern on a region partitioned by the barrier 294, whereby a phosphor substrate 290 was obtained.
  • the red phosphor layers 295A and 295B and the blue scatterer layer 296A are shielded from the excitation light incident surface side (the side opposite to the substrate 291), and only the blue scatterer layer 296B is irradiated with the blue excitation light. did.
  • blue scattered light is observed from the blue scatterer layer 296B with a light extraction efficiency 1.1 times that of Experimental Example 5, and the other pixels, that is, the red phosphor layers 295A and 295B and the blue scatterer layer 296A. No luminescence was observed.
  • the light extraction efficiency is improved as compared with Experimental Example 5 because the light non-transmissive portion 293 has light reflectivity, and thus the blue scattered light that has been transmitted without being scattered and reflected by the barrier 294 is reflected by the light. This is considered to be because the blue scattered light was reflected in the light extraction direction after being reflected by the opaque portion 293. Moreover, it became higher than Experimental Example 6 about bright room CR. This is because the light absorbing film 292 is wider than the width of the light-reflective light-impermeable portion 293 and the light-scattering barrier 294, so that external light is not reflected or scattered by the light-impermeable portion 293 and the barrier 294. This is considered to be due to absorption by the light absorption film 292.
  • the light absorbing portions are provided as the light opaque portions 262 and 272
  • the light opaque portions are not necessarily provided at the outermost portions of the barriers 263 and 273 corresponding to the outermost pixels in the pixel region.
  • a light reflecting portion is provided as the light non-transmissive portion 293. Therefore, in order to improve the light extraction efficiency, the barrier 294 corresponding to the outermost pixel is provided. It is preferable to provide a light-impermeable portion 293 at the outermost portion.
  • FIG. 46A and 46B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 8, in which FIG. 46A is a plan view and FIG. 46B is a cross-sectional view taken along line HH of FIG. 46A.
  • the substrate 301 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour. Next, a negative resist containing carbon black was applied to the entire surface of one surface 301a of the substrate 301 by spin coating. Then, it baked at 90 degreeC for 1 hour, and formed the light-impermeable film
  • the light-impermeable film was covered with a light-shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 301, irradiated with i-line (300 mJ / cm 2 ), and the light-impermeable film was exposed. .
  • the light-impermeable film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 150 ° C. for 1 hour, whereby the light-impermeable portion 302 is formed. Patterning was performed so as to form a shape perpendicular to one surface 301 a of the substrate 301. Note that the width of the light-impermeable portion 302 in the portion in contact with the one surface 301a of the substrate 301 was set to 15 ⁇ m.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface 301a of the substrate 301 on which the light opaque portion 302 was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers.
  • the i-line 300 mJ / cm 2 is applied to the coating film by covering the light-shielding mask for forming a 2 ⁇ 2 barrier frame in which the width of the barrier 303 is 25 ⁇ m and the pitch of the barrier 303 is 100 ⁇ m. The film was exposed.
  • FIG. 47A and 47B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 9, wherein FIG. 47A is a plan view and FIG. 47B is a cross-sectional view taken along the line II of FIG.
  • the substrate 31 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour. Next, a negative resist containing carbon black was applied to the entire surface of one surface 311a of the substrate 311 by spin coating. Then, it baked at 90 degreeC for 1 hour, and formed the light-impermeable film
  • the light-impermeable film was covered with a light-shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 311 and irradiated with i-line (250 mJ / cm 2 ) to expose the light-impermeable film.
  • a light-shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 311 and irradiated with i-line (250 mJ / cm 2 ) to expose the light-impermeable film.
  • i-line 250 mJ / cm 2
  • the width of the portion in contact with the one surface 311 a of the substrate 311 is 10 ⁇ m
  • the width of the upper surface (the surface opposite to the surface in contact with the one surface 311 a of the substrate 311) 312 a was 15 ⁇ m.
  • the entire surface of the substrate 311 provided with the light-impermeable portion 312 was subjected to microwave plasma treatment, so that the surface of the light-impermeable portion 312 was roughened.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface 311a of the substrate 311 on which the light opaque portion 312 was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers.
  • the coating film is covered with a light-shielding mask for forming a barrier frame of 2 rows ⁇ 2 columns in which the width of the barrier 313 is 25 ⁇ m and the pitch of the barrier 313 is 100 ⁇ m, and i-line (300 mJ / cm 2 ).
  • the film was exposed.
  • the coating film was developed for 1 minute using an alkali developer as the developer, the barrier 313 without any twisting or peeling could be patterned.
  • baking was performed at 120 ° C. for 1 hour, so that the barrier 313 was patterned so as to have a tapered shape that gradually became narrower as it moved away from the substrate 311 side. .
  • a red phosphor layer 314 and a blue scatterer layer 315 having a thickness of 7 ⁇ m were formed in a pattern in a region partitioned by the barrier 313, whereby a phosphor substrate 310 was obtained.
  • the excitation light incident surface side (the side opposite to the substrate 311) of the red phosphor layers 314A and 314B and the blue scatterer layer 315A is shielded, and only the blue scatterer layer 315B is irradiated with the blue excitation light. did.
  • blue scattered light was observed from the blue scatterer layer 314B, and no light emission was observed from the other pixels, that is, the red phosphor layers 314A and 314B and the blue scatterer layer 315A.
  • the light non-transmission part 312 has a function of improving the adhesion between the barrier 313 and the substrate 311, so that the light non-transmission part 312 is not exposed to the outermost part of the barrier 313 corresponding to the outermost pixel. It is preferable to provide the transmission part 312.
  • FIG. 48A and 48B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 10, in which FIG. 48A is a plan view and FIG. 48B is a cross-sectional view taken along line JJ of FIG.
  • the substrate 321 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour. Next, a negative resist was applied to the entire surface of one surface 321a of the substrate 321 by spin coating. Then, it baked at 90 degreeC for 1 hour, and formed the light transmissive film
  • the light transmission film was covered with a light shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 321, and irradiated with i-line (250 mJ / cm 2 ) to expose the light transmission film.
  • a light shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 321, and irradiated with i-line (250 mJ / cm 2 ) to expose the light transmission film.
  • i-line 250 mJ / cm 2
  • the width of the portion in contact with one surface 321a of the substrate 321 is 10 ⁇ m, and the width of the upper surface (the surface opposite to the surface in contact with one surface 321a of the substrate 321) is 9 ⁇ m. It was.
  • a pattern of silver 323 with a film thickness of 100 nm was formed on the surface of the light transmission part 322 by vacuum vapor deposition.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface 321a of the substrate 321 on which the light transmission part 322 was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers.
  • the coating film is covered with a light-shielding mask for forming a 2 ⁇ 2 barrier frame in which the width of the barrier 324 is 25 ⁇ m and the pitch of the barrier 324 is 100 ⁇ m, and i-line (300 mJ / cm 2 ).
  • the film was exposed.
  • the coating film was developed for 1 minute using an alkali developer as a developer, the barrier 324 having no twist or peeling could be patterned.
  • baking was performed at 120 ° C. for 1 hour, so that the barrier 324 was patterned so as to have a tapered shape that gradually became narrower as it moved away from the substrate 321 side. .
  • the excitation light incident surface side (the side opposite to the substrate 321) of the red phosphor layers 326A and 326B and the blue scatterer layer 327A is shielded, and only the blue scatterer layer 327B is irradiated with the blue excitation light. did.
  • blue scattered light was observed from the blue scatterer layer 327B, and no light emission was observed from the other pixels, that is, the red phosphor layers 326A and 326B and the blue scatterer layer 327A.
  • the shape of the light-impermeable portion 312 is made to increase the adhesion with the substrate 311.
  • the adhesion with the substrate 321 is good and a thick film can be formed. Even if the light transmitting portion 322 is used, the barrier 324 that exhibits the same effect can be formed. Further, a light absorbing film made of carbon black or the like may be provided on the surface of the light transmitting portion 322 instead of the light reflecting film made of silver 323 or the like. In this experimental example, since the light transmission part 322 has a function of improving the adhesion between the barrier 324 and the substrate 321, the light transmission is also performed at the outermost portion of the barrier 324 corresponding to the outermost pixel. A portion 322 is preferably provided.
  • Example 11 (Example of blue organic EL + phosphor system) 49A and 49B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 11, in which FIG. 49A is a plan view and FIG. 49B is a cross-sectional view taken along line KK in FIG. "Production of phosphor substrate"
  • the substrate 331 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour.
  • a negative resist containing carbon black was applied to the entire surface of one surface 331a of the substrate 331 by spin coating. Then, it baked at 90 degreeC for 1 hour, and formed the light-impermeable film
  • the light-impermeable film was covered with a light-shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 331, irradiated with i-line (250 mJ / cm 2 ), and the light-impermeable film was exposed.
  • a light-shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 331, irradiated with i-line (250 mJ / cm 2 ), and the light-impermeable film was exposed.
  • an alkali developer as a developer
  • the light-impermeable film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 150 ° C. for 1 hour, so that the distance from the substrate 331 side increases.
  • a light-impermeable portion 332 having a tapered shape that gradually increases in width was formed.
  • the width of the portion in contact with the one surface 331a of the substrate 331 is 10 ⁇ m, and the width of the upper surface (the surface opposite to the surface in contact with the one surface 331a of the substrate 331) 332a. was 15 ⁇ m.
  • the entire surface of the light-impermeable portion 332 was roughened by subjecting the entire substrate 331 provided with the light-impermeable portion 332 to microwave plasma treatment.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface 331a of the substrate 331 on which the light-impermeable portion 332 was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers.
  • the coating film is covered with a light-shielding mask for forming a 3 ⁇ 3 barrier frame in which the width of the barrier 333 is 25 ⁇ m and the pitch of the barrier 333 is 100 ⁇ m, and i-line (300 mJ / cm 2 ). And the coating film was exposed. Subsequently, when the coating film was developed for 1 minute using an alkali developer as a developer, the barrier 333 having no twist or peeling could be patterned. Subsequently, after rinsing with pure water, baking was performed at 120 ° C. for 1 hour, so that the barrier 333 was patterned so as to have a tapered shape that gradually became narrower as it moved away from the substrate 331 side. .
  • a red phosphor layer 334, a green phosphor layer 335, and a blue scatterer layer 336 having a thickness of 10 ⁇ m were formed in a pattern in a region partitioned by the barrier 333 to obtain a phosphor substrate 330.
  • red phosphor layer 334 the green phosphor layer 335, and the blue scatterer layer 336
  • a red phosphor layer forming coating solution In order to form the red phosphor layer 334, the green phosphor layer 335, and the blue scatterer layer 336, a red phosphor layer forming coating solution, a green phosphor layer forming coating solution, and a blue scatterer layer forming coating solution are used.
  • a red phosphor layer-forming coating solution 30 g of polyvinyl alcohol 10 wt% aqueous solution is added to 30 g of red phosphor K 5 Eu 2.5 (WO 4 ) 6.25 having an average particle diameter of 2 ⁇ m, and dispersed by a disperser. Stir.
  • a red phosphor layer forming coating solution was obtained.
  • a green phosphor layer-forming coating solution 30 g of a polyvinyl alcohol 10 wt% aqueous solution was added to 30 g of a green phosphor Ba 2 SiO 4 : Eu 2+ having an average particle diameter of 2 ⁇ m, and the mixture was stirred by a disperser. Thus, a green phosphor layer forming coating solution was obtained.
  • the blue scatterer layer-forming coating solution 30 g of a polyvinyl alcohol 10 wt% aqueous solution was added to 30 g of silica particles (refractive index: 1.65) having an average particle size of 1.5 ⁇ m, and the mixture was stirred by a disperser. This obtained the coating liquid for blue scatterer layer formation.
  • the substrate 331 was washed with UV / O 3 , and then the substrate 331 was subjected to fluorine plasma treatment to impart liquid repellency to the barrier 333 and impart lyophilicity to the substrate 331.
  • the red phosphor layer forming coating solution, the green phosphor layer forming coating solution, and the blue scatterer layer forming coating solution are placed inside the frame-shaped barrier 333 provided on the substrate 331 by the dispenser method. A pattern was applied.
  • the substrate 331 coated with the red phosphor layer forming coating solution, the green phosphor layer forming coating solution, and the blue scatterer layer forming coating solution is applied for 4 hours in a vacuum oven (conditions of 200 ° C. and 10 mmHg).
  • red phosphor layers 334A, 334B, 334C, green phosphor layers 335A, 335B, 335C, and blue scatterer layers 336A, 336B, 336C having a thickness of 10 ⁇ m were formed.
  • the substrate 331 is used.
  • An acrylic resin was applied to the entire surface of the one surface 331a by spin coating so as to have a thickness of 20 ⁇ m, and heated at 120 ° C. for 30 minutes to form a planarization layer 337.
  • a wavelength selective reflection film 338 having a thickness of 2 ⁇ m was formed, and a phosphor substrate 330 in which a red phosphor layer 334, a green phosphor layer 335, and a blue scatterer layer 336 were patterned was obtained.
  • the wavelength selective reflection film 338 was designed to transmit 80% or more of blue excitation light and reflect 95% or more of red fluorescence and green fluorescence.
  • a silver film is formed on a 0.7 mm thick glass substrate by a sputtering method so as to have a film thickness of 100 nm, and then a reflective film is formed. Subsequently, a film thickness of 20 nm is formed on the reflective film by a sputtering method.
  • ITO indium-tin oxide
  • a reflective electrode anode
  • the first electrode was patterned in a stripe shape so as to have a width of 30 ⁇ m and a pitch of 50 ⁇ m by a conventional photolithography method.
  • SiO 2 was laminated on the glass substrate by a sputtering method so as to have a film thickness of 200 nm. Subsequently, SiO 2 was patterned to cover only the edge portion of the first electrode by a conventional photolithography method, thereby forming an edge cover. Here, the short side was covered with SiO 2 by 2 ⁇ m from the end of the first electrode. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 120 ° C. for 1 hour.
  • this glass substrate was fixed to a substrate holder in a resistance heating evaporation apparatus, and the pressure was reduced to a vacuum of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less, and an organic EL layer including an organic light emitting layer was formed by resistance heating evaporation.
  • a hole injection layer having a thickness of 100 nm was formed by resistance heating vapor deposition using 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane (TAPC) as a hole injection material.
  • TAPC 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane
  • N, N′-di-1-naphthyl-N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine was used to form a 40 nm-thick hole transport layer by resistance heating vapor deposition.
  • a blue organic light emitting layer having a thickness of 30 nm was formed on the hole transport layer.
  • a hole blocking layer having a thickness of 10 nm was formed on the blue organic light emitting layer by using 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).
  • BCP 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • an electron transport layer having a thickness of 30 nm was formed on the hole blocking layer using tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3 ).
  • an electron injection layer having a thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer using lithium fluoride (LiF).
  • a second electrode made of a translucent electrode was formed on the electron injection layer.
  • the glass substrate on which each of the above parts was formed was fixed in a metal vapor deposition chamber.
  • a shadow mask for forming the second electrode (a mask in which openings are open so that the second electrode can be formed in a stripe shape having a width of 30 ⁇ m and a pitch of 50 ⁇ m in a direction facing the stripe of the first electrode) and glass
  • a shadow mask for forming the second electrode a mask in which openings are open so that the second electrode can be formed in a stripe shape having a width of 30 ⁇ m and a pitch of 50 ⁇ m in a direction facing the stripe of the first electrode
  • glass By aligning the substrate and co-depositing magnesium and silver on the surface of the electron injection layer by vacuum evaporation at a deposition rate of 0.1 ⁇ / sec and 0.9 ⁇ / sec, Further, magnesium silver having a thickness of 1 nm was formed in a desired pattern.
  • the second electrode was formed.
  • a microcavity effect (interference effect) appears between the reflective electrode (first electrode) and the semi-transmissive electrode (second electrode), and the front luminance can be increased. It is possible to more efficiently propagate the light emission energy from the light to the phosphor layer and the scatterer layer. Further, the emission peak was adjusted to 460 nm and the half-value width to 50 nm by the microcavity effect.
  • an inorganic protective layer made of SiO 2 having a thickness of 3 ⁇ m was formed by patterning from the edge of the display portion to the sealing area of 2 mm in the vertical and horizontal directions by a plasma CVD method.
  • the blue organic EL element substrate provided with the blue organic EL element was produced as described above.
  • the blue organic EL element substrate and the phosphor substrate 330 were aligned with an alignment marker formed outside the display unit.
  • the phosphor substrate 330 is preliminarily coated with a thermosetting resin. The two substrates are brought into close contact with each other through the thermosetting resin and heated at 80 ° C. for 2 hours to cure the thermosetting resin. It was.
  • the above-described bonding step was performed in a dry air environment (water content: ⁇ 80 ° C.) for the purpose of preventing deterioration of the organic EL element due to moisture.
  • terminals formed in the periphery were connected to an external power source to obtain an organic EL display device.
  • a blue organic EL element is used as an excitation light source which can be arbitrarily switched by applying a desired current to a desired stripe-shaped electrode from an external power source, and the red phosphor layer 334 converts blue excitation light into red.
  • the red phosphor layer 334 converts blue excitation light into red.
  • the side emission is extracted in the light extraction direction by the barrier 333, and the red phosphor layer
  • the red phosphor layer Among the isotropic light emission from 334, the green phosphor layer 335, and the blue scatterer layer 336, the light emitted to the side opposite to the light extraction direction is extracted in the light extraction direction by the wavelength selective reflection film 338.
  • the organic EL display device could be driven with low power consumption.
  • a dielectric multilayer film is exemplified as the wavelength selective reflection film 338, but the wavelength selective reflection film 338 is not limited to this.
  • the wavelength selective reflection film 338 include a metal thin film, a metal thin film glass, an inorganic material made of quartz, a plastic substrate made of polyethylene terephthalate, polycarbazole, polyimide, or the like.
  • a screen printing method, a resistance heating vapor deposition method, a molecular beam epitaxy (MBE) method, a sputtering method, or the like is used as a method for forming the wavelength selective reflection film 338.
  • Example 12 (Example of blue organic EL + phosphor system) "Production of phosphor substrate" A glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used as the substrate. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour. Next, a negative resist was applied to the entire surface of one surface of the substrate by spin coating. Then, it baked at 90 degreeC for 30 minutes, and formed the light transmissive film
  • the light transmissive film was covered with a light shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate, irradiated with i-line (250 mJ / cm 2 ), and the light transmissive film was exposed.
  • the light transmission film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 150 ° C. for 1 hour, so that the width gradually increases as the distance from the substrate side increases.
  • a light transmitting portion having a taper shape in which the width becomes narrower was formed. In the light transmitting portion, the width of the portion in contact with one surface of the substrate was 10 ⁇ m, and the width of the upper surface (the surface opposite to the surface in contact with one surface of the substrate) was 9 ⁇ m.
  • silver was patterned in a film thickness of 100 nm on the surface of the light transmitting portion by vacuum deposition to obtain a light non-transmitting portion.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface of the substrate on which the light-impermeable portion was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers.
  • the coating film is covered with a light shielding mask for forming a 3 ⁇ 3 barrier frame having a barrier width of 25 ⁇ m and a barrier pitch of 100 ⁇ m, and irradiated with i-line (300 mJ / cm 2 ).
  • the coating film was exposed. Subsequently, when the coating film was developed for 1 minute using an alkaline developer as the developer, the barrier without any twisting or peeling could be patterned. Subsequently, after rinsing with pure water, baking was performed at 120 ° C. for 1 hour, so that the barrier was patterned so as to have a tapered shape in which the width gradually decreased with increasing distance from the substrate side. Next, a red phosphor layer, a green phosphor layer, and a blue scatterer layer having a film thickness of 10 ⁇ m were formed in a pattern in a region partitioned by the barrier.
  • a wavelength selective reflection film having a thickness of 2 ⁇ m was formed, and a phosphor substrate on which a red phosphor layer, a green phosphor layer, and a blue scatterer layer were patterned was obtained.
  • the wavelength selective reflection film was designed to transmit 80% or more of blue excitation light and reflect 95% or more of red fluorescence and green fluorescence.
  • a silver film is formed on a 0.7 mm thick glass substrate by a sputtering method so as to have a film thickness of 100 nm, and then a reflective film is formed. Subsequently, a film thickness of 20 nm is formed on the reflective film by a sputtering method.
  • ITO indium-tin oxide
  • a reflective electrode anode
  • the first electrode was patterned in a stripe shape so as to have a width of 30 ⁇ m and a pitch of 50 ⁇ m by a conventional photolithography method.
  • SiO 2 was laminated on the glass substrate by a sputtering method so as to have a film thickness of 200 nm by a sputtering method.
  • SiO 2 was patterned to cover only the edge portion of the first electrode by a conventional photolithography method, thereby forming an edge cover.
  • the short side was covered with SiO 2 by 2 ⁇ m from the end of the first electrode.
  • pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes
  • acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes
  • isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 120 ° C. for 1 hour.
  • this glass substrate was fixed to a substrate holder in a resistance heating evaporation apparatus, and the pressure was reduced to a vacuum of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less, and an organic EL layer including an organic light emitting layer was formed by resistance heating evaporation.
  • a hole injection layer having a thickness of 100 nm was formed by resistance heating vapor deposition using 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane (TAPC) as a hole injection material.
  • TAPC 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane
  • N, N′-di-1-naphthyl-N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine was used to form a 40 nm-thick hole transport layer by resistance heating vapor deposition.
  • a blue organic light emitting layer having a thickness of 30 nm was formed on the hole transport layer.
  • a hole blocking layer having a thickness of 10 nm was formed on the blue organic light emitting layer by using 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).
  • BCP 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • an electron transport layer having a thickness of 30 nm was formed on the hole blocking layer using tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3 ).
  • an electron injection layer having a thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer using lithium fluoride (LiF).
  • a second electrode made of a translucent electrode was formed on the electron injection layer.
  • the glass substrate on which each of the above parts was formed was fixed in a metal vapor deposition chamber.
  • a shadow mask for forming the second electrode (a mask in which openings are open so that the second electrode can be formed in a stripe shape having a width of 30 ⁇ m and a pitch of 50 ⁇ m in a direction facing the stripe of the first electrode) and glass
  • a shadow mask for forming the second electrode a mask in which openings are open so that the second electrode can be formed in a stripe shape having a width of 30 ⁇ m and a pitch of 50 ⁇ m in a direction facing the stripe of the first electrode
  • glass By aligning the substrate and co-depositing magnesium and silver on the surface of the electron injection layer by vacuum evaporation at a deposition rate of 0.1 ⁇ / sec and 0.9 ⁇ / sec, Further, magnesium silver having a thickness of 1 nm was formed in a desired pattern.
  • the second electrode was formed.
  • a microcavity effect (interference effect) appears between the reflective electrode (first electrode) and the semi-transmissive electrode (second electrode), and the front luminance can be increased. It is possible to more efficiently propagate the light emission energy from the light to the phosphor layer and the scatterer layer. Further, the emission peak was adjusted to 460 nm and the half-value width to 50 nm by the microcavity effect.
  • an inorganic protective layer made of SiO 2 having a thickness of 3 ⁇ m was formed by patterning from the edge of the display portion to the sealing area of 2 mm in the vertical and horizontal directions by a plasma CVD method.
  • the blue organic EL element substrate provided with the blue organic EL element was produced as described above.
  • the blue organic EL element substrate and the phosphor substrate were aligned with an alignment marker formed outside the display unit.
  • the thermosetting resin was previously apply
  • the above-described bonding step was performed in a dry air environment (water content: ⁇ 80 ° C.) for the purpose of preventing deterioration of the organic EL element due to moisture.
  • terminals formed in the periphery were connected to an external power source to obtain an organic EL display device.
  • a blue organic EL element is used as an excitation light source that can be arbitrarily switched by applying a desired current to a desired stripe electrode by an external power source, and blue excitation light is converted into red light by a red phosphor layer.
  • blue excitation light is converted into green light in the green phosphor layer and allowing the blue excitation light to pass through the blue scatterer layer, isotropic blue light emission could be obtained.
  • full-color display with no crosstalk and no color blur is possible, and a good image can be obtained.
  • the side emission is taken out in the light extraction direction by the barrier, and the red phosphor layer, the green phosphor Out of the isotropic light emission from the light scattering layer and the blue scatterer layer, the light emitted from the side opposite to the light extraction direction is extracted in the light extraction direction by the wavelength selective reflection film, so that the organic EL display device has low power consumption. It was possible to drive with.
  • FIG. 50A and 50B are schematic views showing the phosphor substrate of Experimental Example 13, wherein FIG. 50A is a plan view and FIG. 50B is a sectional view taken along line LL in FIG. "Production of phosphor substrate"
  • the substrate 341 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a 10 cm ⁇ 10 cm square was used. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 100 ° C. for 1 hour. Next, an acrylic resin containing hollow particles was applied to the entire surface of one surface 341a of the substrate 341 by spin coating.
  • a negative resist containing carbon black was applied on the entire surface of the low refractive index layer 342 by spin coating. Then, it baked at 90 degreeC for 1 hour, and formed the light shielding film with a film thickness of 1 micrometer.
  • the light shielding film was covered with a light shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 341, and irradiated with i-line (350 mJ / cm 2 ) to expose the light shielding film.
  • i-line 350 mJ / cm 2
  • the light-transmitting film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 220 ° C. for 1 hour to form a light-shielding layer 343 having a width of 30 ⁇ m.
  • a pattern was formed.
  • a negative resist was applied to the entire surface of one surface 341a of the substrate 341 by spin coating. Then, it baked at 90 degreeC for 30 minutes, and formed the light transmissive film
  • the light transmissive film was covered with a light shielding mask for patterning in a lattice shape surrounding each pixel on the substrate 341, irradiated with i-line (250 mJ / cm 2 ), and the light transmissive film was exposed.
  • the light-transmitting film is developed for 1 minute, rinsed with pure water, and then baked at 150 ° C. for 1 hour to form a substrate on the light-shielding layer 343.
  • a light-transmitting portion 344 having a tapered shape whose width gradually decreases as the distance from the 341 side is increased, and a pattern is formed.
  • the width of the portion on the one surface 341a side of the substrate 341 was 10 ⁇ m, and the width of the upper surface (the surface opposite to the one surface 341a side of the substrate 341) 344a was 9 ⁇ m.
  • silver was patterned in a film thickness of 100 nm on the surface of the light transmission part 344 by a vacuum vapor deposition method to obtain a light non-transmission part 345.
  • a white positive resist containing titanium oxide and barium sulfate was applied by spin coating so as to cover the entire surface of one surface 341a of the substrate 341 on which the light opaque portion 345 was patterned. Then, it baked at 80 degreeC for 30 minutes, and formed the coating film with a film thickness of 15 micrometers.
  • the coating film is covered with a light-shielding mask for forming a 3 ⁇ 3 barrier frame in which the width of the barrier 346 is 25 ⁇ m and the pitch of the barrier 346 is 100 ⁇ m, and i-line (300 mJ / cm 2 ).
  • the film was exposed.
  • the coating film was developed for 1 minute using an alkaline developer as the developer, the barrier without any twisting or peeling could be patterned.
  • baking was performed at 120 ° C. for 1 hour, so that the barrier 346 was patterned so as to have a tapered shape that gradually became narrower as it moved away from the substrate 341 side.
  • a red phosphor layer 347, a green phosphor layer 348, and a blue scatterer layer 349 having a film thickness of 10 ⁇ m were formed in a pattern defined by the barrier 346.
  • an acrylic resin was applied to the entire surface of one surface 341a of 341 by spin coating so as to have a thickness of 20 ⁇ m, and heated at 120 ° C. for 30 minutes, thereby forming a planarization layer 350.
  • a wavelength selective reflection film 352 having a thickness of 2 ⁇ m was formed, and a phosphor substrate 340 in which a red phosphor layer 347, a green phosphor layer 348, and a blue scatterer layer 349 were patterned was obtained.
  • the wavelength selective reflection film 352 was designed to transmit 80% or more of blue excitation light and reflect 95% or more of red fluorescence and green fluorescence.
  • a silver film is formed on a 0.7 mm thick glass substrate by a sputtering method so as to have a film thickness of 100 nm, and then a reflective film is formed. Subsequently, a film thickness of 20 nm is formed on the reflective film by a sputtering method.
  • ITO indium-tin oxide
  • a reflective electrode anode
  • the first electrode was patterned in a stripe shape so as to have a width of 30 ⁇ m and a pitch of 50 ⁇ m by a conventional photolithography method.
  • SiO 2 was laminated on the glass substrate by a sputtering method so as to have a film thickness of 200 nm. Subsequently, SiO 2 was patterned to cover only the edge portion of the first electrode by a conventional photolithography method, thereby forming an edge cover. Here, the short side was covered with SiO 2 by 2 ⁇ m from the end of the first electrode. After washing with water, pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, acetone ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes, and isopropyl alcohol vapor cleaning was performed for 5 minutes, followed by drying at 120 ° C. for 1 hour.
  • this glass substrate was fixed to a substrate holder in a resistance heating evaporation apparatus, and the pressure was reduced to a vacuum of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less, and an organic EL layer including an organic light emitting layer was formed by resistance heating evaporation.
  • a hole injection layer having a thickness of 100 nm was formed by resistance heating vapor deposition using 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane (TAPC) as a hole injection material.
  • TAPC 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane
  • N, N′-di-1-naphthyl-N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine was used to form a 40 nm-thick hole transport layer by resistance heating vapor deposition.
  • a blue organic light emitting layer having a thickness of 30 nm was formed on the hole transport layer.
  • a hole blocking layer having a thickness of 10 nm was formed on the blue organic light emitting layer by using 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).
  • BCP 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • an electron transport layer having a thickness of 30 nm was formed on the hole blocking layer using tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3 ).
  • an electron injection layer having a thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer using lithium fluoride (LiF).
  • a second electrode made of a translucent electrode was formed on the electron injection layer.
  • the glass substrate on which each of the above parts was formed was fixed in a metal vapor deposition chamber.
  • a shadow mask for forming the second electrode (a mask in which openings are open so that the second electrode can be formed in a stripe shape having a width of 30 ⁇ m and a pitch of 50 ⁇ m in a direction facing the stripe of the first electrode) and glass
  • a shadow mask for forming the second electrode a mask in which openings are open so that the second electrode can be formed in a stripe shape having a width of 30 ⁇ m and a pitch of 50 ⁇ m in a direction facing the stripe of the first electrode
  • glass By aligning the substrate and co-depositing magnesium and silver on the surface of the electron injection layer by vacuum evaporation at a deposition rate of 0.1 ⁇ / sec and 0.9 ⁇ / sec, Further, magnesium silver having a thickness of 1 nm was formed in a desired pattern.
  • the second electrode was formed.
  • a microcavity effect (interference effect) appears between the reflective electrode (first electrode) and the semi-transmissive electrode (second electrode), and the front luminance can be increased. It is possible to more efficiently propagate the light emission energy from the light to the phosphor layer and the scatterer layer. Further, the emission peak was adjusted to 460 nm and the half-value width to 50 nm by the microcavity effect.
  • an inorganic protective layer made of SiO 2 having a thickness of 3 ⁇ m was formed by patterning from the edge of the display portion to the sealing area of 2 mm in the vertical and horizontal directions by a plasma CVD method.
  • the blue organic EL element substrate provided with the blue organic EL element was produced as described above.
  • the blue organic EL element substrate and the phosphor substrate were aligned with an alignment marker formed outside the display unit.
  • the thermosetting resin was previously apply
  • the above-described bonding step was performed in a dry air environment (water content: ⁇ 80 ° C.) for the purpose of preventing deterioration of the organic EL element due to moisture.
  • terminals formed in the periphery were connected to an external power source to obtain an organic EL display device.
  • a blue organic EL element is used as an excitation light source which can be arbitrarily switched by applying a desired current to a desired stripe-shaped electrode from an external power source, and blue excitation light is converted into red by a red phosphor layer 347.
  • blue excitation light is converted into green light in the green phosphor layer 348 and allowing the blue excitation light to pass through the blue scatterer layer 349, it was possible to obtain isotropic blue light emission. .
  • full-color display with no crosstalk and no color blur is possible, and a good image can be obtained.
  • the side emission is extracted in the light extraction direction by the barrier 346, and the red phosphor layer 347, out of the isotropic emission from the green phosphor layer 348 and the blue scatterer layer 349, the emission to the side opposite to the light extraction direction is extracted in the light extraction direction by the wavelength selective reflection film 352.
  • the organic EL display device could be driven with low power consumption.
  • the phosphor layer is sandwiched between the low refractive index layers, the loss due to the fluorescence being reflected a plurality of times by the wavelength selective reflection film 352 can be reduced, so that the light extraction efficiency is further improved than in Experimental Example 12.
  • I was able to increase it.
  • outside light was scattered by the barrier 346 to reduce the bright room contrast.
  • a light shielding layer 343 is provided between the barrier 346 and the substrate 341. External light was absorbed by the light shielding layer 343, and the bright room contrast could be improved.
  • a layer using hollow particles was formed as the low refractive index layer.
  • the present invention is not limited to this, and the low refractive index layer may be a single resin layer such as a fluororesin. Airgel or the like may be used. Moreover, since a refractive index is so low that it is preferable, you may use gas as a low-refractive-index layer.
  • FIG. 30 An active drive type blue organic EL element substrate as shown in FIG. 30 was produced.
  • a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a size of 100 mm ⁇ 100 mm was used as a substrate, and an amorphous silicon semiconductor film was formed on the glass substrate by PECVD.
  • the amorphous silicon semiconductor film was crystallized to form a polycrystalline silicon semiconductor film.
  • the polycrystalline silicon semiconductor film was patterned into a plurality of islands by photolithography. Subsequently, a gate insulating film and a gate electrode layer were formed in this order on the patterned polycrystalline silicon semiconductor layer, and patterning was performed by a photolithography method.
  • the patterned polycrystalline silicon semiconductor film was doped with an impurity element such as phosphorus to form a source region and a drain region, and a TFT element was manufactured. Thereafter, a planarizing film was formed.
  • a silicon nitride film formed by PECVD method and an acrylic resin layer formed by spin coating method were laminated in this order.
  • the silicon nitride film and the gate insulating film are etched together to form a contact hole that leads to the source region and / or the drain region, and then a source wiring is formed.
  • an acrylic resin layer was formed, and a contact hole leading to the drain region was formed at the same position as the contact hole of the drain region drilled in the gate insulating film and the silicon nitride film, and then a source wiring was formed.
  • an acrylic resin layer was formed, and a contact hole communicating with the drain region was formed at the same position as the contact hole of the drain region formed in the gate insulating film and the silicon nitride film, thereby obtaining an active matrix substrate.
  • the function as a planarizing film is realized by an acrylic resin layer.
  • the capacitor for setting the gate potential of the TFT element to a constant potential was formed by interposing an insulating film such as an interlayer insulating film between the drain of the switching TFT element and the source of the driving TFT element.
  • a driving TFT element, a first electrode of a red light-emitting organic EL element, a first electrode of a green light-emitting organic EL element, and a first electrode of a blue light-emitting organic EL element are formed on the active matrix substrate through the planarization film. Contact holes for electrical connection were provided.
  • the first electrode (anode) of each pixel is formed by sputtering so as to be electrically connected to the contact hole provided through the planarization film connected to the TFT element for driving each pixel. Formed.
  • the first electrode is formed by laminating a reflective electrode Al (aluminum) with a thickness of 150 nm and a transparent electrode IZO (indium oxide-zinc oxide) with a thickness of 20 nm by sputtering, and has a shape corresponding to each pixel. Patterning was performed by photolithography. Here, the area of the first electrode was set to 70 ⁇ m ⁇ 70 ⁇ m.
  • the display unit is 80 mm ⁇ 80 mm
  • a sealing area having a width of 2 mm is provided on the top, bottom, left and right of the display unit, and 2 mm each outside the sealing area on the short side.
  • the terminal extraction part was provided.
  • a 2 mm terminal lead-out portion was provided for bending.
  • the above active matrix substrate was cleaned.
  • ultrasonic cleaning using acetone and isopropyl alcohol was performed for 10 minutes, and then UV-ozone cleaning was performed for 30 minutes.
  • this substrate was fixed to a substrate holder in an in-line type resistance heating deposition apparatus, and the pressure was reduced to a vacuum of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less, and an organic layer including an organic light emitting layer was formed by resistance heating deposition.
  • a hole injection layer having a thickness of 100 nm was formed by resistance heating vapor deposition using 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane (TAPC) as a hole injection material.
  • TAPC 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane
  • N, N′-di-l-naphthyl-N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine was used to form a 40 nm-thick hole transport layer by resistance heating vapor deposition.
  • a blue organic light emitting layer having a thickness of 30 nm was formed on the hole transport layer.
  • a hole blocking layer having a thickness of 10 nm was formed on the blue organic light emitting layer by using 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).
  • BCP 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • an electron transport layer having a thickness of 30 nm was formed on the hole blocking layer using tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3 ).
  • an electron injection layer having a thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer using lithium fluoride (LiF).
  • a second electrode made of a translucent electrode was formed on the electron injection layer.
  • the glass substrate on which each of the above parts was formed was fixed in a metal vapor deposition chamber.
  • align the shadow mask for forming the second electrode (a mask with an opening so that the second electrode can be formed in a stripe shape with a width of 2 mm facing the first electrode stripe) and the glass substrate.
  • magnesium and silver are vapor-deposited at a rate of 0.1 ⁇ / sec and 0.9 ⁇ / sec, respectively, by a vacuum evaporation method. A 1 nm thick magnesium silver was formed in the desired pattern.
  • the second electrode was formed.
  • a microcavity effect (interference effect) appears between the reflective electrode (first electrode) and the semi-transmissive electrode (second electrode), and the front luminance can be increased. It is possible to more efficiently propagate the light emission energy from the light to the phosphor layer and the scatterer layer. Further, the emission peak was adjusted to 460 nm and the half-value width to 50 nm by the microcavity effect.
  • an inorganic protective layer made of SiO 2 having a thickness of 3 ⁇ m was formed by patterning from the edge of the display portion to the sealing area of 2 mm in the vertical and horizontal directions by a plasma CVD method.
  • an active drive type blue organic EL element substrate provided with a blue organic EL element was produced.
  • the active drive type blue organic EL element substrate and the phosphor substrate were aligned with an alignment marker formed outside the display unit.
  • the thermosetting resin was previously apply
  • the above-described bonding step was performed in a dry air environment (water content: ⁇ 80 ° C.) for the purpose of preventing deterioration of the organic EL element due to moisture.
  • a polarizing plate was bonded to the substrate on the light extraction side.
  • the terminal formed on the short side is connected to the power supply circuit via the source driver, and the terminal formed on the long side is connected to the external power supply via the gate driver, and the display unit has an 80 mm ⁇ 80 mm square.
  • An active drive type blue organic EL display device was obtained.
  • a blue organic EL element is used as an excitation light source that can be arbitrarily switched by applying a desired current to a desired stripe electrode by an external power source, and blue excitation light is converted into red light by a red phosphor layer.
  • blue excitation light is converted into green light in the green phosphor layer and allowing the blue excitation light to pass through the blue scatterer layer, isotropic blue light emission could be obtained.
  • full-color display with no crosstalk and no color blur is possible, and a good image can be obtained.
  • the side emission is taken out in the light extraction direction by the barrier, and the red phosphor layer, the green phosphor Of the isotropic light emission from the light emitting layer and the blue scatterer layer, the light emitted to the side opposite to the light extraction direction is extracted in the light extraction direction by the wavelength selective reflection film. Can be driven with low power consumption.
  • TMA trimethylaluminum
  • a first n-type cladding layer made of Si-doped n-type In 0.01 Ga 0.99 N is used using TMG, TMI (trimethylindium), NH 3 and SiH 4 .
  • the film was grown at a film thickness of 60 nm.
  • an active layer made of non-doped In 0.05 Ga 0.95 N was grown at a thickness of 5 nm at 850 ° C. using TMG, TMI and NH 3 .
  • a first p-type cladding layer made of Mg-doped p-type In 0.01 Ga 0.99 N at 850 ° C. newly using CPMg (cyclopentadienyl magnesium) was grown at a film thickness of 60 nm.
  • a second p-type cladding layer made of Mg-doped p-type Al 0.3 Ga 0.7 N is grown at a thickness of 150 nm using TMG, TMA, NH 3 , and CPMg. I let you.
  • a p-type contact layer made of Mg-doped p-type GaN was grown at a film thickness of 600 nm using TMG, NH 3 and CPMg at 1100 ° C.
  • the temperature was lowered to room temperature, the wafer was taken out from the reaction vessel, and the wafer was annealed at 720 ° C. to reduce the resistance of the p-type layer.
  • a mask having a predetermined shape was formed on the surface of the uppermost p-type contact layer, and etching was performed until the surface of the n-type contact layer was exposed. After the etching, a negative electrode made of titanium (Ti) and aluminum (Al) was formed on the surface of the n-type contact layer, and a positive electrode made of nickel (Ni) and gold (Au) was formed on the surface of the p-type contact layer.
  • the prepared LED chip After electrode formation, after separating the wafer into 350 ⁇ m square chips, the prepared LED chip is fixed with a UV curable resin on a substrate on which wiring for connecting to an external circuit prepared separately is formed, The LED chip and the wiring on the substrate were electrically connected to produce a light source substrate (blue LED substrate) made of blue LEDs.
  • the light source substrate and the phosphor substrate produced as described above were aligned using an alignment marker formed outside the display unit.
  • the phosphor substrate is pre-coated with a thermosetting resin.
  • the two substrates are brought into close contact with each other through the thermosetting resin and heated at 80 ° C. for 2 hours to cure the thermosetting resin. It was.
  • the above bonding process was performed in a dry air environment (water content: ⁇ 80 ° C.).
  • a blue LED display device was obtained by connecting terminals formed in the periphery to an external power source.
  • a blue LED can be used as an excitation light source that can be arbitrarily switched by applying a desired current to a desired striped electrode from an external power source, and blue excitation light is converted into red light by a red phosphor layer. Then, isotropic blue light emission could be obtained by converting the blue excitation light into green light in the green phosphor layer and allowing the blue excitation light to pass through the blue scatterer layer. As a result, full-color display with no crosstalk and no color blur is possible, and a good image can be obtained.
  • the side emission is taken out in the light extraction direction by the barrier, and the red phosphor layer, the green phosphor Out of the isotropic emission from the layer and the blue scatterer layer, the emission to the opposite side of the light extraction direction is extracted in the light extraction direction by the wavelength selective reflection film, so the blue LED display device has low power consumption. It was possible to drive with.
  • the present invention provides a high-quality display device and lighting device that prevents light emission bleeding between adjacent pixels and prevents crosstalk with a phosphor substrate having a barrier that excels in light extraction efficiency. it can.

Abstract

　隣接する画素間における発光にじみを防止するとともに、光の取り出し効率に優れる障壁を備えた蛍光体基板を提供する。　基板１１と、基板１１上に設けられ、励起光源から入射した励起光により蛍光を生じる蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの側面を囲む障壁１３と、を備え、障壁１３の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと接する側面１３ａのうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有し、障壁１３の一部に光不透過部１４が設けられている蛍光体基板１０。

Description

蛍光体基板、表示装置および照明装置
本発明は、蛍光体基板、表示装置および照明装置に関する。
近年、従来主流であったブラウン管を使用した表示装置から、薄型のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の表示装置へのニーズが高まりつつある。ＦＰＤには様々な種類のものがある。例えば、非自発光型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、自発光型のプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）ディスプレイ、または、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）ディスプレイ等が知られている。中でも、有機ＥＬディスプレイは、表示に使用する素子（有機ＥＬ素子）が薄型かつ軽量であり、加えて低電圧駆動、高輝度および自発光等の特性を有している。そのため、有機ＥＬ素子の研究開発が盛んに行われている。
有機ＥＬディスプレイとしては、青色～青緑色発光する有機発光層を有する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子からの青色～青緑色発光を励起光として吸収し、緑色を発光する蛍光体層からなる緑色画素と、有機ＥＬ素子からの青色～青緑色発光を励起光として吸収し、赤色に発光する蛍光体層からなる赤色画素と、色純度を向上させるための青色カラーフィルターからなる青色画素と、を備え、フルカラー発光可能なものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記のような蛍光体層を備えた蛍光体基板には、画素毎に蛍光体層間を仕切る障壁が設けられることが多い。障壁は、主に、蛍光体層間における発光にじみ防止や、インクジェット等のウエットプロセスで蛍光体層を形成する場合のインクにじみ防止等の役割を果たす。しかしながら、障壁が光透過性である場合には、蛍光体層の発光が障壁を介して隣接する画素へ伝播し、発光にじみが生じるという課題があった。また、蛍光体層に吸収されなかった励起光が同じく障壁を介して隣接する画素へ伝播し、隣接する画素の蛍光体層を励起してクロストークが生じるという課題があった。それらの課題を解決するための方法としては、例えば、障壁の側面を光反射膜または光吸収膜で被膜する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
日本国特許公報「特許第２７９５９３２号公報」 日本国公開特許公報「特開２００８－２７７１８６号公報」
しかしながら、障壁の側面に光反射膜を設けた場合、障壁がテーパー形状をなしていないと、光の入射角と反射角が不変であるため、光の取り出し効率を飛躍的に向上させることができないという課題があった。また、光の入射角と反射角を変えるためには、障壁のテーパー形状を含めて、種々のパラメータを厳密に制御する必要があるため、製造プロセスが煩雑になる。また、下部電極同士が光反射膜を介して短絡しないように、外部絶縁膜を設ける必要があり、外部絶縁膜を設ける工程も、製造プロセスが煩雑になる一因となる。さらに、光吸収膜を設けた場合、光の取り出し効率を全く向上させることができないという課題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、隣接する画素間における発光にじみを防止するとともに、光の取り出し効率に優れる障壁を備えた蛍光体基板を提供することを目的とする。
本発明の蛍光体基板は、基板と、前記基板上に設けられ、励起光源から入射した励起光により蛍光を生じる蛍光体層と、前記蛍光体層の側面を囲む障壁と、を備え、前記障壁の前記蛍光体層と接する側面のうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有し、前記障壁の一部に光不透過部が設けられていることを特徴とする。
本発明の蛍光体基板において、前記障壁の内部に光不透過部が設けられていることが好ましい。
本発明の蛍光体基板において、前記光不透過部は、光吸収部および／または光反射部からなることが好ましい。
本発明の蛍光体基板において、前記光不透過部は、テーパー形状をなしていることが好ましい。
本発明の蛍光体基板において、前記光不透過部の高さは、前記蛍光体層の膜厚以上であることが好ましい。
本発明の蛍光体基板において、前記障壁は、光散乱性粒子または光反射性粒子を含有することが好ましい。
本発明の表示装置は、本発明の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、を備えたことを特徴とする。
本発明の表示装置において、赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての紫外光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層が設けられたことが好ましい。
本発明の表示装置において、赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素に前記青色光を散乱させる散乱体層が設けられたことが好ましい。
本発明の表示装置において、前記光源は、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を備えたアクティブマトリクス駆動方式の光源であることが好ましい。
本発明の表示装置において、前記光源は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであることが好ましい。
本発明の表示装置において、前記光源は、光射出面から光を射出する面状光源であり、前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられたことが好ましい。
本発明の表示装置において、前記光源は、指向性を有することが好ましい。
本発明の照明装置は、本発明の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、隣接する画素間における発光にじみを防止するとともに、光の取り出し効率に優れる障壁を備えた蛍光体基板を提供することができる。
蛍光体基板の一実施形態を示す概略断面図である。 障壁の一実施形態を示す概略平面図である。 障壁の一実施形態を示す概略平面図である。 障壁の一実施形態を示す概略平面図である。 障壁の一実施形態を示す概略平面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略平面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略平面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略平面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部における不具合を説明する概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 表示装置の一実施形態を示す概略断面図である。 光源基板を構成するＬＥＤ基板の一実施形態を示す概略断面図である。 光源基板を構成する有機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。 表示装置の１画素（サブ画素）の等価回路を示す図である。 表示装置の一実施形態を示す平面模式図である。 アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ層を用いた有機ＥＬ素子基板の断面図である。 光源基板を構成する無機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。 表示装置の一適用例であるシーリングライトを示す外観図である。 表示装置の一適用例である照明スタンドを示す外観図である。 表示装置の一適用例である携帯電話を示す外観図である。 表示装置の一適用例である薄型テレビを示す外観図である。 表示装置の一適用例である携帯型ゲーム機を示す外観図である。 表示装置の一適用例であるノートパソコンを示す外観図である。 表示装置の一適用例であるタブレット端末を示す外観図である。 実験例１の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線に沿う断面図である。 実験例２の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。 実験例３の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 実験例４の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ－Ｄ線に沿う断面図である。 実験例５の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ－Ｅ線に沿う断面図である。 実験例６の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ－Ｆ線に沿う断面図である。 実験例７の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＧ－Ｇ線に沿う断面図である。 実験例８の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ－Ｈ線に沿う断面図である。 実験例９の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。 実験例１０の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＪ－Ｊ線に沿う断面図である。 実験例１１の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＫ－Ｋ線に沿う断面図である。 実験例１３の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＬ－Ｌ線に沿う断面図である。
以下、図面を参照して、本発明に係る蛍光体基板、並びに、それを用いた表示装置および照明装置の実施形態について説明する。
なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をよりよく理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
［蛍光体基板］
図１は、蛍光体基板の一実施形態を示す概略断面図である。
本実施形態に係る蛍光体基板１０は、基板１１と、基板１１の一方の面１１ａ上に設けられ、外部に設けられた励起光源（図示略）から入射した励起光Ｌ１により蛍光Ｌ２を生じる蛍光体層１２Ｇ（緑色蛍光体層）、励起光Ｌ１により蛍光Ｌ３を生じる蛍光体層１２Ｒ（赤色蛍光体層）、および、励起光Ｌ１により蛍光Ｌ４を生じる蛍光体層１２Ｂ（青色蛍光体層）と、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの側面を囲む障壁１３とから概略構成されている。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの励起光Ｌ１が入射する励起光入射面１２ａは、隔壁１３の開口部から露出している。すなわち、励起光入射面１２ａは、励起光源（図示略）から射出された励起光Ｌ１が入射可能な面である。励起光Ｌ１は蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂにおいて、蛍光Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４に変換され、蛍光Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４は蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの射出面１２ｂから射出される。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、ドット毎に分割された複数の蛍光体層からなり、複数の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、ドットによって異なる色の色光を発光するために、異なる蛍光体材料で構成されている。なお、これら複数の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを構成する蛍光体材料は、互いにその屈折率が異なっていてもよい。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、平面視矩形状の薄膜からなる。蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの励起光入射面１２ａの外面側に、励起光Ｌ１を透過し、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから放射された蛍光Ｌ２を反射する波長選択透過反射部材が形成されていてもよい。なお、励起光を透過するとは、励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過することを意味し、また、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂで生じた蛍光を反射するとは、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂからのそれぞれの発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射することを意味する。
障壁１３は、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと接する側面１３ａのうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有している。例えば、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが平面視矩形状をなしている場合、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを囲む障壁１３の外形も平面視矩形状をなすので、障壁１３の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと接する４つの側面１３ａのうち少なくとも１つが光散乱性または光反射性を有している。本実施形態における光散乱性とは、公知の散乱現象のことであり、例えば、ミー散乱、レイリー散乱、多重散乱等が挙げられるが、本実施形態はこれに限定されず、公知の散乱現象を適用することができる。光取出し効率を向上させるという観点では、後方散乱を利用した散乱現象を適用することが好ましい。また、本実施形態における光反射性とは、公知の反射現象のことであり、例えば、鏡面反射、拡散反射、再帰性反射等が挙げられるが、本実施形態はこれに限定されず、公知の反射現象を適用することができる。また、本実施形態において、障壁１３の光散乱性と光反射性は必ずしも独立して存在する必要はなく、障壁１３が光散乱性と光反射性の両方を有していてもよい。その場合、単一の材料で光散乱性と光反射性の両方を発現させてもよいし、複数の材料で光散乱性と光反射性の両方を発現させてもよい。さらに付け加えると、複数の材料で光散乱性と光反射性の両方を発現させる場合、図２および図３に示すように、障壁１３を多段構造にして、各段に光散乱性と光反射性を適宜選択してもよい。例えば、図２（ｃ）に示すように、光反射性を有する層は、それぞれ反射率が異なっており（一方が○％、他方が□％）、光散乱性を有する層は、それぞれ散乱係数が異なっている（一方が△、他方が◇）。なお、図３（ｃ）、（ｆ）に示すように、光散乱性を有する層が連続して設けられる場合、それぞれの層の光散乱性は異なっている。
また、障壁１３が多段構造の場合、図４および図５に示すように、異なる光学特性を有する光反射性部材だけで障壁１３を構成してもよいし、異なる光学特性を有する光散乱性部材だけで障壁１３を構成してもよい。ここで言う光学特性とは反射特性や散乱特性等を指すが、本実施形態はこれに限定されず、公知の光学特性を適宜選択してもよい。
障壁１３の側面１３ａが、光散乱性または光反射性を有するとは、障壁１３の側面１３ａに光散乱性または光反射性の膜が設けられていることを言う。また、障壁１３の側面１３ａが、光散乱性または光反射性を有するとは、障壁１３の側面１３ａに、光を散乱させるための凹凸形状が形成されていることを言う。
また、障壁１３の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと接する４つの側面１３ａのうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有しているとは、図６（ａ）～（ｅ）に示すように、１つの側面１３ａのみが光散乱または光反射性を有していてもよいし、２つの側面１３ａが光散乱または光反射性を有していてもよいし、３つの側面１３ａが光散乱または光反射性を有していてもよいし、４つ全ての側面１３ａが光散乱または光反射性を有していてもよい。すなわち、図６（ａ）に示すように、１つの側面１３ａのみに光散乱または光反射性を有している領域（光不透過部１４）が設けられていてもよいし、図６（ｂ）、（ｃ）に示すように、２つの側面１３ａに光不透過部１４が設けられていてもよいし、図６（ｄ）に示すように、３つの側面１３ａに光不透過部１４が設けられていてもよいし、図６（ｅ）に示すように、４つ全ての側面１３ａに光不透過部１４が設けられていてもよい。
また、図７（ａ）～（ｃ）に示すように、２つ以上の側面１３ａが光散乱または光反射性を有している場合、各側面１３ａの光散乱または光反射性を有している領域（光不透過部１４）が連続的に分布していてもよい。
さらに、図６（ａ）～（ｅ）等に示すように、光散乱または光反射性を有している領域（光不透過部１４）は、障壁１３の側面１３ａにおける蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと対向する領域のみに形成されている必要はなく、図８（ａ）～（ｅ）に示すように、光不透過部１４は、ストライプ状をなして、１つの側面１３ａ全面に沿在していてもよい。なお、画素が複数ある場合、光不透過部１４がストライプ状をなしている方が作製し易い。
なお、障壁１３は、少なくとも側面１３ａが光散乱性または光反射性を有していればよいが、表面全面、すなわち、側面１３ａおよび上面１３ｂが光散乱性または光反射性を有していてもよい。
さらに、障壁１３の内部には、光不透過部１４が設けられている。
以下、蛍光体基板１０の構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、蛍光体基板１０の構成部材およびその形成方法は、これらに限定されるものではない。
「基板」
基板１１としては、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂからの蛍光Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を外部に取り出す必要があることから、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの発光領域で、蛍光Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を透過する必要があり、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。これらの基板の中でも、ストレスなく湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となることから、プラスチック基板を用いることが好ましい。さらに、ガスバリア性を向上させる観点から、プラスチック基板に無機材料をコートした基板がより好ましい。
「蛍光体層」
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子、紫外発光ＬＥＤ、青色ＬＥＤ等の励起光源からの励起光Ｌ１を吸収し、赤色、緑色、青色に発光する赤色蛍光体層１２Ｒ、緑色蛍光体層１２Ｇ、青色蛍光体層１２Ｂから構成されている。ただし、励起光源として青色発光を適用する場合、青色蛍光体層１２Ｂを設けずに、励起光Ｌ１を青色画素からの発光としてもよい。また、励起光源として指向性を有する青色発光を適用する場合、青色蛍光体層１２Ｂを設けずに、当該指向性を有する励起光Ｌ１を散乱し、等方発光にして外部へ取り出すことができるような散乱体層を適用してもよい。
また、必要に応じて、シアン光、イエロー光に発光する蛍光体層を画素に加えることが好ましい。ここで、シアン光、イエロー光に発光する画素のそれぞれの色純度を、色度図上での赤色、緑色、青色に発光する画素の色純度の点で結ばれる三角形より外側にすることで、赤色、緑色、青色の３原色を発光する画素を使用する表示装置より色再現範囲をさらに拡げることが可能となる。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。
蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類される。以下に、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料の具体的な化合物を例示するが、蛍光体材料はこれらの材料に限定されるものではない。
有機系蛍光体材料としては、青色蛍光色素として、スチルベンゼン系色素：１，４－ビス（２－メチルスチリル）ベンゼン、トランス－４，４’－ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素：７－ヒドロキシ－４－メチルクマリン等が挙げられる。
また、緑色蛍光色素としては、クマリン系色素：２，３，５，６－１Ｈ、４Ｈ－テトラヒドロ－８－トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１－ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３－（２’－ベンゾチアゾリル）－７－ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３－（２’－ベンゾイミダゾリル）－７－Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、ナフタルイミド系色素：ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。
また、赤色蛍光色素としては、シアニン系色素：４－ジシアノメチレン－２－メチル－６－（ｐ－ジメチルアミノスチルリル）－４Ｈ－ピラン、ピリジン系色素：１－エチル－２－［４－（ｐ－ジメチルアミノフェニル）－１，３－ブタジエニル］－ピリジニウム－パークロレート、および、ローダミン系色素：ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１等が挙げられる。
無機系蛍光体材料としては、青色蛍光体として、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ４＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ２、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ２＋、ＢａＡｌ２ＳｉＯ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ２＋、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
また、緑色蛍光体としては、（ＢａＭｇ）Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、（ＳｒＢａ）Ａl１２Ｓｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、（ＢａＭｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７－Ｓｒ２Ｂ２Ｏ５：Ｅｕ２＋、（ＢａＣａＭｇ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８－２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ２＋、Ｚｒ２ＳｉＯ４、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
また、赤色蛍光体としては、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、ＹＡｌＯ３：Ｅｕ３＋、Ｃａ２Ｙ２（ＳｉＯ４）６：Ｅｕ３＋、ＬｉＹ９（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ３＋、ＹＶＯ４：Ｅｕ３＋、ＣａＳ：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ３＋、Ｍｇ４ＧｅＯ５．５Ｆ：Ｍｎ４＋、Ｍｇ４ＧｅＯ６：Ｍｎ４＋、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｎａ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５、Ｎａ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５等が挙げられる。
また、上記無機系蛍光体材料は、必要に応じて表面改質処理を施してもよく、その方法としては、シランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、あるいは、それらの併用によるもの等が挙げられる。
また、励起光による劣化、発光による劣化等の安定性を考慮すると、蛍光体材料としては、無機系蛍光体材料を用いることが好ましい。さらに、無機系蛍光体材料を用いる場合には、平均粒径（ｄ５０）が、０．５～５０μｍであることが好ましい。無機系蛍光体材料の平均粒径が０．５μｍ未満であると、無機系蛍光体材料の発光効率が急激に低下する。一方、無機系蛍光体材料の平均粒径が５０μｍを超えると、高解像度にパターニングすることが困難になる。
また、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により形成することができる。
また、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、前記の高分子材料（結着用樹脂）として、感光性の樹脂（感光性樹脂）を用いることによって、フォトリソグラフィー法により、パターニングすることが可能となる。
ここで、感光性樹脂としては、アクリル酸系樹脂、メタクリル酸系樹脂、ポリ桂皮酸ビニル系樹脂、および、硬質ゴム系樹脂等の反応性ビニル基を有する感光性樹脂（光硬化型レジスト材料）からなる群より選択される１種類、または、２種類以上の混合物を用いることが可能である。
また、感光性樹脂を用いた場合、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法等のウエットプロセス、シャドーマスクを用いた抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により蛍光体材料を直にパターニングすることにより形成することも可能である。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚は、通常１００ｎｍ～１００μｍ程度であるが、１μｍ～１００μｍであることが好ましい。また、励起光源からの励起光Ｌ１の吸収を高め、色純度に悪影響を及ぼさない程度に励起光Ｌ１の透過光を低減するためには、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚が１μｍ以上であることが好ましい。蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚が１００ｎｍ未満であると、励起光源からの励起光Ｌ１を十分に吸収することが不可能であるため、発光効率の低下や、必要とされる色に励起光Ｌ１の透過光が混じることによる色純度の悪化といった問題が生じる。一方、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚が１００μｍを超えると、励起光源からの励起光Ｌ１を既に十分に吸収することから、発光効率の上昇には繋がらず、材料を消費するだけに留まり、材料コストのアップに繋がる。
一方、青色蛍光体層１２Ｂの代わりとして、散乱体層を適用する場合、光散乱性粒子は、有機材料から構成されていてもよいし、無機材料から構成されていてもよいが、無機材料から構成されていることが好ましい。これにより、外部（例えば、励起光源）からの指向性を有する励起光Ｌ１を、より等方的かつ効果的に、拡散または散乱させることが可能となる。また、無機材料を用いることにより、光および熱に安定な光散乱層を形成することが可能となる。
また、光散乱性粒子としては、透明度が高いものを用いることが好ましい。また、光散乱性粒子としては、低屈折率の母材中に、母材よりも高屈折率の微粒子を分散するものであることが好ましい。また、青色光が散乱体層によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径は１００ｎｍ～５００ｎｍ程度であることが好ましい。
光散乱性粒子として、無機材料を用いる場合には、無機材料としては、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫およびアンチモンからなる群より選択される少なくとも１種の金属の酸化物を主成分とした粒子（微粒子）等が挙げられる。
また、光散乱性粒子として、無機材料から構成された粒子（無機微粒子）を用いる場合には、無機微粒子としては、例えば、シリカビーズ（屈折率：１．４４）、アルミナビーズ（屈折率：１．６３）、酸化チタンビーズ（アナタース型の屈折率：２．５０、ルチル型の屈折率：２．７０）、酸化ジルコニアビーズ（屈折率：２．０５）、酸化亜鉛ビーズ（屈折率：２．００）等が挙げられる。
光散乱性粒子として、有機材料から構成された粒子（有機微粒子）を用いる場合には、有機微粒子としては、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ（屈折率：１．４９）、アクリルビーズ（屈折率：１．５０）、アクリル－スチレン共重合体ビーズ（屈折率：１．５４）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、高屈折率メラミンビーズ（屈折率：１．６５）、ポリカーボネートビーズ（屈折率：１．５７）、スチレンビーズ（屈折率：１．６０）、架橋ポリスチレンビーズ（屈折率：１．６１）、ポリ塩化ビニルビーズ（屈折率：１．６０）、ベンゾグアナミン－メラミンホルムアルデヒドビーズ（屈折率：１．６８）、シリコーンビーズ（屈折率：１．５０）等が挙げられる。
上述した光散乱性粒子と混合して用いる樹脂材料としては、透光性の樹脂であることが好ましい。樹脂材料としては、例えば、メラミン樹脂（屈折率：１．５７）、ナイロン（屈折率：１．５３）、ポリスチレン（屈折率：１．６０）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、ポリカーボネート（屈折率：１．５７）、ポリ塩化ビニル（屈折率：１．６０）、ポリ塩化ビニリデン（屈折率：１．６１）、ポリ酢酸ビニル（屈折率：１．４６）、ポリエチレン（屈折率：１．５３）、ポリメタクリル酸メチル（屈折率：１．４９）、ポリＭＢＳ（屈折率：１．５４）、中密度ポリエチレン（屈折率：１．５３）、高密度ポリエチレン（屈折率：１．５４）、テトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）、ポリ三フッ化塩化エチレン（屈折率：１．４２）、ポリテトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）等が挙げられる。
「障壁」
障壁１３が光反射性を有する場合、少なくとも障壁１３の側面１３ａに設けられる光反射性の膜を形成する反射材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム－リチウム合金、アルミニウム－ネオジウム合金、アルミニウム－シリコン合金等の反射性金属等が挙げられる。これらの反射材料の中でも、可視光全域に渡って高い反射率を有する観点から、アルミニウムまたは銀が好ましい。
なお、本実施形態において、反射材料は上記のものに限定されるものではないが、反射材料としては、ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ表示系において８０％以上の反射率を有するものが好ましい。
また、障壁１３が光散乱性を有する場合、少なくとも障壁１３の側面１３ａに設けられる光散乱性の膜を形成する反射材料としては、上記の光散乱性粒子を用いることが好ましい。さらに、光散乱性粒子は、必要に応じて、樹脂に分散して用いてもよい。
また、青色光が上記の光散乱性の膜によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径は１００ｎｍ～５００ｎｍ程度であることが好ましい。光散乱効果を用いる場合においても、光散乱性粒子としては、ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ表示系において８０％以上の拡散反射率を有するものが好ましい。
障壁１３上に、光散乱性の膜または光反射性の膜を形成する方法としては、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法等が用いられる。
障壁１３上に、光散乱性の膜または光反射性の膜を形成する以外にも、障壁１３自体を、可視光を反射する材料や可視光を散乱する材料で形成してもよい。
障壁１３自体を、可視光を反射する材料や可視光を散乱する材料で形成する場合、基板１１と障壁１３の間に、遮光層を設けることが好ましい。これにより、外光によるコントラストの低下を抑止できる。
なお、障壁１３上に、光散乱性の膜または光反射性の膜を形成する場合、光散乱性の膜または光反射性の膜と、基板１１とが接する界面に遮光層を設けてもよいし、障壁１３および光散乱性の膜または光反射性の膜と、基板１１とが接する界面に遮光層を設けてもよい。
さらに、ある画素に進入するように設計された励起光が、隣接する画素に漏れて混色することを防止するためには、隣接する画素に進入しようとする光を吸収する目的で、光散乱性を有する障壁１３の光取出し方向とは反対側（基板１１とは反対側）に遮光層を設けてもよい。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの側面を囲む障壁１３の高さ（厚さ）は、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚よりも大きいことが好ましい。これにより、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、励起光源側に設けられる構造物と接触して損傷することを防止できる。
また、少なくとも障壁１３の側面１３ａが、光散乱性または光反射性を有する場合、障壁１３の高さ（厚さ）を、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚よりも大きくすることによって、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから、その側方へ漏れ出す蛍光成分を、光取出し方向（基板１１側）に効率よく伝播することができる。
「障壁への撥液性の付与」
蛍光体層をディスペンサー法、インクジェット法等によってパターニングする場合、障壁より蛍光体溶液が溢れ出て、隣接する画素間での混色を防止するために、障壁に撥液性を付与することが必須である。障壁に撥液性を付与する方法としては、例えば、以下のような方法が挙げられる。
（１）フッ素プラズマ処理
例えば、特開２０００－７６９７９号公報に開示されているように、障壁を形成した基板に対して、導入ガスをフッ素系とした条件下でプラズマ処理を行うことによって、障壁に撥液性を付与する。
（２）フッ素系表面改質剤の添加
光散乱性の障壁の材料にフッ素系表面改質剤を添加することによって、障壁に撥液性を付与することができる。フッ素系表面改質剤としては、例えば、ＵＶ硬化型表面改質剤ディフェンサ（ＤＩＣ社製）やメガファック等が用いられる。
「障壁の内部に設けられる光不透過部」
障壁１３の内部に設けられている光不透過部１４は、光吸収部または光反射部を組み合わせたものである。
光吸収部を構成する光吸収材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、チタンブラックやカーボンブラック等の黒色粒子が挙げられる。光吸収部（光不透過部１４）の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、前記の光吸収材料を非感光性樹脂に分散させたものを用いて、スクリーン印刷法等により、直接、パターニングする方法、あるいは、前記の光吸収材料を非感光性樹脂に分散させたものを用いて、フォトリソグラフィー法等によりパターニングすることにより形成する方法が用いられる。
障壁１３の内部に、光不透過部１４として光吸収部を設けることにより、散乱透過光が光吸収部に吸収されるので、隣接する画素へ、散乱透過光が伝播するのを防止することができる。
また、光反射部を構成する光反射材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム－リチウム合金、アルミニウム－ネオジウム合金、アルミニウム－シリコン合金等の反射性金属等が挙げられる。これらの光反射材料の中でも、可視光全域に渡って高い反射率を有する観点から、アルミニウムまたは銀が好ましい。
光反射部（光不透過部１４）の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、前記の光反射材料を非感光性樹脂に分散させたものを用いて、スクリーン印刷法等により、直接、パターニングする方法、あるいは、蒸着法やスパッタリング法等のドライプロセスにより、光反射性がない部材に、前記の光反射材料をコーティングして、光反射部とする方法が用いられる。
障壁１３の内部に、光不透過部１４として光反射部を設けることにより、散乱透過光が光反射部で反射されるので、隣接する画素へ、散乱透過光が伝播するのを防止することができるばかりでなく、散乱透過光を元の画素へ戻すことによって、光の取り出し効率を向上させることができる。
製造プロセス等の問題により、光不透過部１４を光吸収部または光反射部のみで形成することが難しい場合、すなわち、製造プロセス等の問題により、散乱透過光を十分に防ぐための光吸収部または光反射部を単体で形成することができない場合、光吸収部と光反射部を組み合わせて、光不透過部１４を形成してもよい。光吸収部と光反射部を組み合わせる方法、すなわち、光吸収部と光反射部の配置は特に限定されるものではないが、例えば、図９に示すように、光吸収部２１の両側面側に光反射部２２，２２を配置することが好ましい。これにより、散乱透過光を光取出し方向に再利用する率を高めることができる。
また、図１０に示すように、光吸収部２１と光反射部２２を交互に連接するように配置してもよい。この場合、光不透過部１４の両側面は、光反射部２２で形成されるようにすることが光の取り出し効率を向上する観点から好ましい。また、光吸収部２１と光反射部２２の高さや幅を揃える必要はないし、光吸収部２１と光反射部２２とが一部重畳してもよい。さらに、光吸収部２１の光吸収機能や光反射部２２の光反射機能を揃える必要はなく、これらの性能を個別に決定することができる。
また、光吸収部また光反射部を設けるか、あるいは、光吸収部と光反射部の両方を組み合わせただけでは光不透過部１４の高さが十分でない場合、図１１に示すように、内部に、十分な高さを形成できる光透過部１５を形成し、その光透過部１５を覆うように、光反射部１６を形成して、光不透過部１４としてもよい。また、図１２に示すように、内部に、十分な高さを形成できる光透過部１５を形成し、その光透過部１５を覆うように、光吸収部１７を形成して、光不透過部１４としてもよい。また、図１３に示すように、内部に、十分な高さを形成できる光透過部１５を形成し、その光透過部１５を覆うように、光吸収部１７を形成し、さらに、その光吸収部１７を覆うように、光反射部１６を形成して、光不透過部１４としてもよい。ここで言う高さとは、少なくとも蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚以上の高さのことである。すなわち、図１４に示すように、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚よりも光不透過部１４の高さが低いと、光不透過部１４よりも高い位置で発光した蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの光が、光不透過部１４が形成されていない障壁１３を介して隣接画素へ透過するおそれがある。光不透過部１４の高さは、上述したように蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚以上の高さであればよいので、障壁１３の高さと等しくする必要はない。
なお、図１５に示すように、光透過部１５の内部に、光反射部１６と光吸収部１７の両方が設けられていてもよい。あるいは、光透過部１５の内部に、光反射部または光吸収部のいずれか一方が設けられていてもよい。
また、光不透過部１４の少なくとも障壁１３と接する面をアッシング等であらすことにより、障壁１３を光不透過部１４に対して、より強固に固着させることもできる。
また、光不透過部１４の透過率は０％が理想的であるが、蛍光体材料、カラーフィルター材料、障壁材料等のディスプレイに用いられる部材；ディスプレイのコントラスト比や色にじみ等の許容値；発光スペクトル毎に許容される光不透過部１４の透過率等は、一意的に決定されるわけではないので、光不透過部１４の透過率の上限値および下限値等も一意的に決定することはできない。
したがって、本実施形態においても、光不透過部１４の透過率を任意に決定することができるが、少なくとも光不透過部１４の透過率は、障壁１３を構成する樹脂の透過率よりも低くなければならない。なぜならば、光不透過部１４の透過率が、障壁１３を構成する樹脂の透過率よりも高い場合、障壁１３内部を透過する光を、光不透過部１４で吸収あるいは反射する機能が十分に発揮できないおそれがあるからである。
また、図１に示すように、光不透過部１４は、テーパー形状をなしていることが好ましい。
図１では、光不透過部１４は、基板１１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなしている。この場合、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが形成されている基板１１の一方の面１１ａにおいて、光不透過部１４の幅が広くなっているので、蛍光や励起光が障壁１３を伝播して隣接する画素へ入射することを効果的に防ぐことが可能となる。
また、図１６に示すように、光不透過部１４は、基板１１側から離れるに従って次第に幅が広くなっていくテーパー形状をなしていてもよい。この場合、光不透過部１４が、障壁１３の内側に食い込む形となるので、基板１１と障壁１３との密着性を高める機能を果たすことができる。
また、図１７に示すように、光不透過部１４は、その高さ方向において、上面１４ａおよび下面１４ｂから中央部に向かって次第に幅が狭くなる形状をなしていてもよい。この場合、基板１１と光不透過部１４との接触面積が大きくなるので、基板１１と光不透過部１４との密着性を高めることができるとともに、光不透過部１４が、障壁１３の内側に食い込む形となるので、基板１１と障壁１３との密着性を高める機能を果たすことができる。
また、光不透過部１４を蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが設けられた基板１１の一方の面１１ａ側に設けることが困難な場合、図１８に示すように、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが設けられた基板１１と対向する位置にある障壁１３の一部に光不透過部１４を設けてもよい。ただし、この場合、障壁１３を透過して隣接画素へ入る蛍光成分を低減するため、図１９に示すように、光不透過部１４の高さは障壁１３の高さに近ければ近いほど好ましい。このような光不透過部１４が形成された障壁１３の作製手法としては、予め仮基板上に、光不透過部１４が形成された障壁１３を作製しておき、基板１１の一方の面１１ａへ転写する等の手法が挙げられるが、本実施形態はこれに限定されない。なお、図１８、１９では、障壁１３内部において、その中央に光不透過部１４が設けられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、障壁１３の内部または側面１３ａであれば、どこの位置に光不透過部１４が設けられていてもよい。例えば、図２０に示すように、障壁１３の側面１３ａに光不透過部１４が設けられていてもよい。
光不透過部１４は、多段構造をなしていてもよい。例えば、図１７に示すような形状の光不透過部１４を形成する場合、図１に示すテーパー形状の光不透過部１４を形成した後、その上に、図１６に示すテーパー形状の光不透過部１４を形成してもよい。また、光不透過部１４を連続体で形成することが困難な場合、図２１に示すように、光不透過部１４を分離して形成してもよい。この場合、光不透過部１４の間隙を縫って隣接画素へ入る蛍光成分を低減するため、間隙は限りなく無くすことが好ましい。このような光不透過部１４が形成された障壁１３の作製手法としては、予め仮基板上に、光不透過部１４が設けられた障壁１３を形成しておき、一方、基板１１の一方の面１１ａにも光不透過部１４が設けられた障壁１３を形成しておき、仮基板上に形成された光不透過部１４が設けられた障壁１３を、基板１１の一方の面１１ａに形成された光不透過部１４が設けられた障壁１３上へ転写する等の手法が挙げられるが、本実施形態はこれに限定されない。なお、図２１では、障壁１３内部において、その中央に光不透過部１４が設けられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、障壁１３の内部または側面１３ａであれば、どこの位置に光不透過部１４が設けられていてもよい。例えば、図２２に示すように、高さ方向に沿う断面において、２つの光不透過部１４がずれて配置されていてもよい。また、図２３に示すように、高さ方向に沿う断面において、分離して形成された２つの光不透過部１４の形状や大きさは異なっていてもよいし、端面を合わせる必要もない。また、図２４に示すように、障壁１３の側面１３ａ側に光不透過部１４が設けられていてもよい。
また、光不透過部１４が多段構造である場合、各段における光吸収機能や光反射機能を任意に決定することができる。例えば、光不透過部１４が二段構造である場合、一段目が光反射機能を有し、二段目が光吸収機能を有するように、光不透過部１４を形成してもよい。さらに、光不透過部１４が多段構造である場合、各段の光吸収機能や光反射機能を揃える必要はなく、これらの性能を任意に決定することができる。当然のことながら、上述の光透過部１５を組み合わせて多段構造を形成してもよい。
「カラーフィルター」
蛍光体基板１０において、基板１１と蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂとの間に、カラーフィルターを設けることが好ましい。
カラーフィルターとしては、従来のカラーフィルターが用いられる。カラーフィルターを設けることによって、赤色画素、緑色画素、青色画素の色純度を高めることが可能となり、蛍光体基板１０を用いた表示装置の色再現範囲を拡大することができる。
蛍光体層１２Ｒ（赤色蛍光体層）と対向するように設けられる赤色カラーフィルターは、蛍光体層１２Ｒを励起する励起光（外光）を吸収する。これにより、外光による蛍光体層１２Ｒの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止することができる。また、赤色カラーフィルターにより、蛍光体層１２Ｒにより吸収されず、透過してしまう励起光Ｌ１が外部に漏れ出すことを防止できる。このため、蛍光体層１２Ｒからの発光と励起光Ｌ１による混色に起因する蛍光Ｌ３の色純度の低下を防止することが可能となる。
同様に、蛍光体層１２Ｇ（緑色蛍光体層）と対向するように設けられる緑色カラーフィルターは、蛍光体層１２Ｇを励起する励起光（外光）を吸収する。これにより、外光による蛍光体層１２Ｇの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止することができる。また、緑色カラーフィルターにより、蛍光体層１２Ｇにより吸収されず、透過してしまう励起光Ｌ１が外部に漏れ出すことを防止できる。このため、蛍光体層１２Ｇからの蛍光Ｌ２と励起光Ｌ１による混色に起因する発光の色純度の低下を防止することが可能となる。
同様に、蛍光体層１２Ｂ（青色蛍光体層）と対向するように設けられる青色カラーフィルターは、蛍光体層１２Ｂを励起する励起光（外光）を吸収する。これにより、外光による蛍光体層１２Ｂの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止することができる。また、青色カラーフィルターにより、蛍光体層１２Ｂにより吸収されず、透過してしまう励起光Ｌ１が外部に漏れ出すことを防止できる。このため、蛍光体層１２Ｂからの蛍光Ｌ４と励起光Ｌ１による混色に起因する発光の色純度の低下を防止することが可能となる。
［表示装置］
図２５は、表示装置の一実施形態を示す概略断面図である。
表示装置３０は、蛍光体基板１０と、蛍光体基板１０上に、接着層３１を介して貼り合わされた光源基板３２とから概略構成されている。
蛍光体基板１０は、赤色、緑色および青色の表示をそれぞれ行う３つのドットにより画像を構成する最小単位である１つの画素が構成されている。以下の説明では、赤色の表示を行うドットを赤色画素ＰＲ、緑色の表示を行うドットを緑色画素ＰＧ、青色の表示を行うドットを青色画素ＰＢと称する。
光源基板３２は、基板３３と、基板３３の蛍光体基板１０側の面（以下、「一方の面」と言う。）３３ａに配置された光源（励起光源）３４とから概略構成されている。光源３４からは、励起光Ｌ１として、例えば、紫外光が射出される。蛍光体基板１０では、光源３４から射出された励起光Ｌ１を受けて、緑色画素ＰＧにおいて緑色の蛍光Ｌ２が生じ、赤色画素ＰＲにおいて赤色の蛍光Ｌ３が生じ、青色画素ＰＢにおいて青色の蛍光Ｌ４が生じる。そして、これら赤色、緑色および青色の３つの色光によってフルカラー表示が行われる。
（接着層）
接着層３１を構成する接着剤としては、例えば、一般の紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂等が用いられる。
（光源）
「基板」
基板３３としては、上記の基板１１と同様のものが用いられる。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを構成する蛍光体を励起する光源３４としては、紫外光、青色光を発するものが好ましい。光源３４としては、特に限定されるものではないが、例えば、公知の紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、紫外発光無機ＥＬ素子、青色発光無機ＥＬ素子、紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子等が挙げられる。
また、これらの光源３４を直接スイッチングすることによって、画像を表示するための、発光のＯＮ／ＯＦＦをコントロールすることが可能であるが、蛍光体層と光源等の間に、液晶のようなシャッター機能を有する層を配置し、それを、コントロールすることにより、発光のＯＮ／ＯＦＦをコントロールすることも可能である。また、液晶のようなシャッター機能を有する層と光源とを両方共ＯＮ／ＯＦＦをコントロールすることも可能である。
ここで、光源３４から発する紫外光としては、主発光ピークが３６０ｎｍ～４１０ｎｍの発光が好ましく、青色光としては、主発光ピークが４３５ｎｍ～４８０ｎｍの発光が好ましい。光源３４は、指向性を有していることが望ましい。指向性とは、光の強度が方向によって異なる性質をいう。指向性は、光が蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに入射する時点で有していればよい。光源３４は、平行光を蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに入射させることが望ましい。
光源３４の指向性の程度としては、半値幅が±３０度以下であることが好ましく、より好ましくは半値幅が±１０度以下である。
半値幅が３０度よりも大きい場合、光源３４から射出された光が所望の画素以外に入射して、所望外の蛍光体を励起することにより、色純度やコントラストを低下させるためである。
以下、光源３４として好適に利用可能な発光素子について説明する。
「ＬＥＤ」
図２６は、光源基板３２を構成するＬＥＤ基板の一実施形態を示す概略断面図である。ＬＥＤ基板４０は、基板４１と、基板４１の一方の面４１ａ上に順に積層された第一のバッファ層４２、ｎ型コンタクト層４３、第二のｎ型クラッド層４４、第一のｎ型クラッド層４５、活性層４６、第一のｐ型クラッド層４７、第二のｐ型クラッド層４８および第二のバッファ層４９と、ｎ型コンタクト層４３上に形成された陰極５０と、第二のバッファ層４９上に形成された陽極５１とから概略構成されている。
なお、ＬＥＤとしては、他の公知のＬＥＤ、例えば、紫外発光無機ＬＥＤ、青色発光無機ＬＥＤ等を用いることができるが、具体的な構成は上記のものに限定されるものではない。
以下、ＬＥＤ基板４０の各構成要素について詳細に説明する。
活性層４６は、電子と正孔の再結合により発光を行う層であり、活性層材料としては、ＬＥＤ用の公知の活性層材料を用いることができる。このような活性層材料としては、例えば、紫外活性層材料として、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎａＡｌｂＧａ１－ａ－ｂＮ（０≦ａ、０≦ｂ、ａ＋ｂ≦１）、青色活性層材料としては、ＩｎｚＧａ１－ｚＮ（０＜ｚ＜１）等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
また、活性層４６としては、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものが用いられる。量子井戸構造の活性層はｎ型、ｐ型のいずれでもよいが、特にノンドープ（不純物無添加）の活性層とすると、バンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり、色純度のよい発光が得られるため好ましい。
また、活性層４６に、ドナー不純物またはアクセプター不純物の少なくとも一方をドープしてもよい。不純物をドープした活性層の結晶性がノンドープのものと同じであれば、ドナー不純物をドープすることにより、ノンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。アクセプター不純物をドープすると、バンド間発光のピーク波長よりも約０．５ｅＶだけ低エネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが、半値幅は広くなる。アクセプター不純物とドナー不純物との両者をドープすると、アクセプター不純物のみをドープした活性層の発光強度に比べて、その発光強度をさらに大きくすることができる。特に、アクセプター不純物をドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はＳｉ等のドナー不純物をもドープしてｎ型とすることが好ましい。
第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５としては、ＬＥＤ用の公知のｎ型クラッド層材料を用いることができ、単層でも多層構成でもよい。活性層４６よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型半導体で、第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５を構成した場合、第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５と、活性層４６との間には、正孔に対する電位障壁ができ、正孔を活性層４６に閉じ込めることが可能となる。例えば、ｎ型ＩｎｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ＜１）により、第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５を形成することが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８としては、ＬＥＤ用の公知のｐ型クラッド層材料を用いることができ、単層でも多層構成でもよい。活性層４６よりもバンドギャップエネルギーが大きいｐ型半導体で、第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８を構成した場合、第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８と、活性層４６との間には、電子に対する電位障壁ができ、電子を活性層４６に閉じ込めることが可能となる。例えば、ＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ≦１）により、第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８を形成することが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
ｎ型コンタクト層４３としては、ＬＥＤ用の公知のコンタクト層材料を用いることができ、例えば、第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５に接して電極を形成する層としてｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層４３を形成することが可能である。また、第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８に接して電極を形成する層として、ｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層を形成することも可能である。ただし、このｐ型コンタクト層は、第二のｎ型クラッド層４４、第二のｐ型クラッド層４８がＧａＮで形成されていれば、特に形成する必要はなく、第二のクラッド層（第二のｎ型クラッド層４４、第二のｐ型クラッド層４８）をコンタクト層とすることも可能である。
本実施形態で用いられる上記の各層の形成方法としては、ＬＥＤ用の公知の成膜プロセスを用いることが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。例えば、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）、ＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の気相成長法を用いて、例えば、サファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面を含む）、ＳｉＣ（６Ｈ－ＳｉＣ、４Ｈ－ＳｉＣも含む）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４、特にその（１１１）面）、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、あるいは、他の酸化物単結晶基板（ＮＧＯ等）等の基板上に形成することが可能である。
「有機ＥＬ素子」
図２７は、光源基板３２を構成する有機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。有機ＥＬ素子基板６０は、基板６１と、基板６１の一方の面６１ａ上に設けられた有機ＥＬ素子６２とから概略構成されている。有機ＥＬ素子６２は、基板６１の一方の面６１ａ上に順に設けられた、第一電極６３と、有機ＥＬ層６４と、第二電極６５とから概略構成されている。すなわち、有機ＥＬ素子６２は、基板６１の一方の面６１ａ上に、第一電極６３および第二電極６５からなる一対の電極と、これら一対の電極間に挟持された有機ＥＬ層６４と、を備えている。第一電極６３および第二電極６５は、有機ＥＬ素子６２の陽極または陰極として対で機能する。第一電極６３と第二電極６５との間の光学距離は、微小共振器構造（マイクロキャビティ構造）を構成するように調整されている。
有機ＥＬ層６４は、第一電極６３側から第二電極６５側に向かって順に積層された、正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１から構成されている。
正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１は、それぞれ単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１は、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。
正孔注入層６６は、第一電極６３からの正孔の注入を効率よく行うものである。
正孔輸送層６７は、有機発光層６８への正孔の輸送を効率よく行うものである。
電子輸送層７０は、有機発光層６８への電子の輸送を効率よく行うものである。
電子注入層７１は、第二電極６５からの電子の注入を効率よく行うものである。
正孔注入層６６、正孔輸送層６７、電子輸送層７０および電子注入層７１は、キャリア注入輸送層に該当する。
なお、有機ＥＬ素子６２は上記の構成に限定されるものではなく、有機ＥＬ層６４が、有機発光層の単層構造であっても、有機発光層とキャリア注入輸送層の多層構造であってもよい。有機ＥＬ素子６２の構成としては、具体的には、下記のものが挙げられる。
（１）第一電極６３と第二電極６５の間に、有機発光層のみが設けられた構成（２）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔輸送層および有機発光層がこの順に積層された構成
（３）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（４）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（５）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（６）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成
（７）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、正孔防止層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（８）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成
（９）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、有機発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成
これら有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。
また、第一電極６３の端面を覆うようにエッジカバー７２が形成されている。すなわち、エッジカバー７２は、第一電極６３と第二電極６５の間でリークを起こすことを防止するために、第一電極６３と第二電極６５の間において、基板６１の一方の面６１ａに形成された第一電極６３のエッジ部を覆うように設けられている。
以下、有機ＥＬ素子基板６０を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。
基板６１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、または、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、または、これらの基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、アルミニウム等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。これらの基板の中でも、ストレスなく湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となることから、プラスチック基板または金属基板を用いることが好ましい。
さらに、プラスチック基板に無機材料をコーティングした基板、金属基板に無機絶縁材料をコーティングした基板が好ましい。このような無機材料をコーティングした基板を用いることにより、プラスチック基板を有機ＥＬ素子基板の基板として用いた場合に最大の問題となる水分の透過による有機ＥＬの劣化（有機ＥＬは、特に、低量の水分に対しても劣化が起こることが知られている。）を解消することが可能となる。また、金属基板を有機ＥＬ素子基板の基板として用いた場合の最大の問題となる金属基板の突起によるリーク（ショート）（有機ＥＬ層の膜厚は１００～２００ｎｍ程度と非常に薄いため、突起による画素部での電流にリーク（ショート）が、顕著に起こることが知られている。）を解消することが可能となる。
また、ＴＦＴを形成する場合には、基板６１としては、５００℃以下の温度で融解せず、歪みも生じない基板を用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置で金属基板上にＴＦＴを形成することは困難であるが、線膨張係数が１×１０－５／ ℃ 以下の鉄－ニッケル系合金である金属基板を用いて、線膨張係数をガラスに合わせ込むことにより、金属基板上にＴＦＴを従来の生産装置を用いて安価に形成することが可能となる。
また、プラスチック基板の場合には、耐熱温度が非常に低いため、ガラス基板上にＴＦＴを形成した後、プラスチック基板にガラス基板上のＴＦＴを転写することにより、プラスチック基板上にＴＦＴを転写形成することができる。
さらに、有機ＥＬ層６４からの発光を基板６１とは反対側から取り出す場合には、基板としての制約はないが、有機ＥＬ層６４からの発光を基板６１側から取り出す場合には、有機ＥＬ層６４からの発光を外部に取り出すために、透明または半透明の基板を用いる必要がある。
基板６１に形成されるＴＦＴは、有機ＥＬ素子６２を形成する前に、予め基板６１の一方の面６１ａに形成され、画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子駆動用素子として機能する。本実施形態におけるＴＦＴとしては、公知のＴＦＴが挙げられる。また、ＴＦＴの代わりに、金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置に用いることが可能なＴＦＴは、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。
ＴＦＴを構成する活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム－酸化ガリウム－酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、または、ポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ－フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
ＴＦＴを構成する活性層の形成方法としては、（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法またはＳｉＨ４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。
本実施形態におけるＴＦＴを構成するゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜としては、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等からなる絶縁膜が挙げられる。
また、本実施形態におけるＴＦＴの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができる。これら信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極の材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。有機ＥＬ素子基板６０のＴＦＴは、上記のような構成とすることができるが、本実施形態は、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置に用いることが可能な層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。層間絶縁膜の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮまたはＳｉ２Ｎ４）、酸化タンタル（ＴａＯまたはＴａ２Ｏ５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。
また、層間絶縁膜の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等により、層間絶縁膜をパターニングすることもできる。
有機ＥＬ素子６２からの発光を基板６１とは反対側（第二電極６５側）から取り出す場合には、外光が基板６１の一方の面６１ａに形成されたＴＦＴに入射して、ＴＦＴの特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を形成することが好ましい。また、上記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜の材料としては、例えば、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、ＮｉｘＺｎｙＦｅ２Ｏ４等の無機絶縁材料等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、基板６１の一方の面６１ａにＴＦＴ等を形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機ＥＬ素子８２の欠陥（例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、第二電極の断線、第一電極と第二電極の短絡、耐圧の低下等）等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜上に平坦化膜を設けてもよい。
このような平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができる。平坦化膜の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセス等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。
第一電極６３および第二電極６５は、有機ＥＬ素子６２の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第一電極６３を陽極とした場合、第二電極６５は陰極となり、第一電極６３を陰極とした場合、第二電極６５は陽極となる。
第一電極６３および第二電極６５を形成する電極材料としては、公知の電極材料を用いることができる。陽極を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層６４への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上の金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、および、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ２）、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等の透明電極材料等が挙げられる。
また、陰極を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層６４への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下のリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、または、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。
第一電極６３および第二電極６５は、上記の材料を用いて、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法、レーザー剥離法により形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターニングした電極を形成することもできる。
第一電極６３および第二電極６５の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなり、駆動電圧が上昇するおそれがある。
表示装置の色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等の目的でマイクロキャビティ効果を用いる場合、有機ＥＬ層６４からの発光を第一電極６３または第二電極６５側から取り出す場合には、第一電極６３または第二電極６５として半透明電極を用いることが好ましい。
半透明電極の材料としては、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料を組み合わせたものを用いることができる。特に、半透明電極の材料としては、反射率と透過率の観点から、銀が好ましい。
半透明電極の膜厚は、５～３０ｎｍが好ましい。半透明電極の膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得るとこができない。また、半透明電極の膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、表示装置の輝度および発光効率が低下するおそれがある。
また、第一電極６３または第二電極６５としては、光を反射する反射率の高い電極を用いることが好ましい。反射率の高い電極としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム－リチウム合金、アルミニウム－ネオジウム合金、アルミニウム－シリコン合金等からなる反射性金属電極（反射電極）、この反射性金属電極と透明電極を組み合わせた電極等が挙げられる。
電荷注入輸送層は、電荷（正孔、電子）の電極からの注入と発光層への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、電荷注入層（正孔注入層６６、電子注入層７１）と電荷輸送層（正孔輸送層６７、電子輸送層７０）に分類され、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。
電荷注入輸送材料としては、有機ＥＬ素子用、有機光導電体用の公知の電荷注入輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料および電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
正孔注入層６６および正孔輸送層６７の材料としては、公知のものが用いられ、例えば、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の酸化物や無機ｐ型半導体材料；ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（α－ＮＰＤ）、４，４’，４”－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ－ジカルバゾリル－３，５－ベンゼン（ｍ－ＣＰ）、４，４’－（シクロヘキサン－１，１－ジイル）ビス（Ｎ，Ｎ－ジ－ｐ－トリルアニリン）（ＴＡＰＣ）、２，２’－ビス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミン）－９，９’－スピロビフルオレン（ＤＰＡＳ）、Ｎ１，Ｎ１’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ１－フェニル－Ｎ４，Ｎ４－ジ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン）（ＤＮＴＰＤ）、Ｎ３，Ｎ３，Ｎ３”’， Ｎ３”’－テトラ－ｐ－トリル－［１，１’：２’，１”：２”，１”’－クォーターフェニル］－３，３”’－ジアミン（ＢＴＰＤ）、４，４’－（ジフェニルシランジイル）ビス（Ｎ，Ｎ－ジ－ｐ－トリルアニリン）（ＤＴＡＳｉ）、２，２－ビス（４－カルバゾール－９－イルフェニル）アダマンティン（Ａｄ－Ｃｚ）等の芳香族第三級アミン化合物；ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子含窒素化合物；ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン－樟脳スルホン酸（ＰＡＮＩ－ＣＳＡ）、３，４－ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ－ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子化合物；２－メチル－９，１０－ビス（ナフタレン－２－イル）アントラセン（ＭＡＤＮ）等の芳香族炭化水素化合物等が挙げられる。
正孔注入層６６の材料としては、陽極からの正孔の注入および輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層６７の材料よりも、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましい。また、正孔輸送層６７の材料としては、正孔注入層６６の材料よりも、正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
正孔注入層６６および正孔輸送層６７は、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）を含んでいてもよい。
そして、正孔の注入性および輸送性をより向上させるためには、正孔注入層６６および正孔輸送層６７は、アクセプターを含むことが好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ素子向けの公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
アクセプターは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。
無機材料としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、イリジウム（Ｉｒ）、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）、六フッ化ヒ酸イオン（ＡｓＦ６ －）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等が挙げられる。
有機材料としては、７，７，８，８，－テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱＦ４）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）、ヘキサシアノブタジエン（ＨＣＮＢ）、ジシクロジシアノベンゾキノン（ＤＤＱ）等のシアノ基を有する化合物；トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）、ジニトロフルオレノン（ＤＮＦ）等のニトロ基を有する化合物；フルオラニル；クロラニル；ブロマニル等が挙げられる。
これらの中でも、正孔濃度を増加させる効果がより高いことから、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ４、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物が好ましい。
正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１の材料としては、公知のものが用いられ、低分子材料であれば、ｎ型半導体である無機材料；１，３－ビス［２－（２，２’－ビピリジン－６－イル）－１，３，４－オキサジアゾ－５－イル］ベンゼン（Ｂｐｙ－ＯＸＤ）、１，３－ビス（５－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）ベンゼン（ＯＸＤ７）等のオキサジアゾール誘導体；３－（４－ビフェニル）－４－フェニル－５－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；チオピラジンジオキシド誘導体；ベンゾキノン誘導体；ナフトキノン誘導体；アントラキノン誘導体；ジフェノキノン誘導体；フルオレノン誘導体；ベンゾジフラン誘導体；８－ヒドロキシキノリノラート－リチウム（Ｌｉｑ）等のキノリン誘導体；２，７－ビス［２－（２，２’－ビピリジン－６－イル）－１，３，４－オキサジアゾ－５－イル］－９，９－ジメチルフルオレン（Ｂｐｙ－ＦＯＸＤ）等のフルオレン誘導体；１，３，５－トリ［（３－ピリジル）－フェン－３－イル］ベンゼン（ＴｍＰｙＰＢ）、１，３，５－トリ［（３－ピリジル）－フェン－３－イル］ベンゼン（ＴｐＰｙＰＢ）等のベンゼン誘導体；２，２’，２”－（１，３，５－ベンジントリイル）－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンゾイミダゾール）（ＴＰＢＩ）等のベンゾイミダゾール誘導体；３，５－ジ（ピレン－１－イル）ピリジン（ＰＹ１）等のピリジン誘導体；３，３’，５，５’－テトラ［（ｍ－ピリジル）－フェン－３－イル］ビフェニル（ＢＰ４ｍＰｙ）等のビフェニル誘導体；４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン誘導体；トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）等のトリフェニルボラン誘導体；ジフェニルビス（４－（ピリジン－３－イル）フェニル）シラン（ＤＰＰＳ）等のテトラフェニルシラン誘導体；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ－ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等が挙げられる。特に、電子注入層７１の材料としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）等のフッ化物；酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。
電子注入層７１の材料としては、陰極からの電子の注入および輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層７０の材料よりも最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましい。また、電子輸送層７０の材料としては、電子注入層７１の材料よりも、電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
電子輸送層７０および電子注入層７１は、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）を含んでいてもよい。
そして、電子の輸送性および注入性をより向上させるためには、電子輸送層７０および電子注入層７１は、ドナーを含むことが好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ素子用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
ドナーは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。
無機材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属；マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属；希土類元素；アルミニウム（Ａｌ）；銀（Ａｇ）；銅（Ｃｕ）；インジウム（Ｉｎ）等が挙げられる。
有機材料としては、芳香族３級アミン骨格を有する化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の置換基を有していてもよい縮合多環化合物、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等が挙げられる。
芳香族３級アミン骨格を有する化合物としては、アニリン類；フェニレンジアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス－（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－（フェニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン等のベンジジン類；トリフェニルアミン、４，４’４”－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４”－トリス（Ｎ－３－メチルフェニル－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４”－トリス（Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類；Ｎ，Ｎ’－ジ－（４－メチル－フェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，４－フェニレンジアミン等のトリフェニルジアミン類等が挙げられる。
上記の縮合多環化合物が「置換基を有する」とは、縮合多環化合物中の１つ以上の水素原子が、水素原子以外の基（置換基）で置換されていることを指し、置換基の数は特に限定されず、全ての水素原子が置換基で置換されていてもよい。そして、置換基の位置も特に限定されない。置換基としては、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数２～１０のアルケニル基、炭素数２～１０のアルケニルオキシ基、炭素数６～１５のアリール基、炭素数６～１５のアリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよい。
直鎖状または分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。環状のアルキル基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。アルケニル基としては、炭素数が２～１０のアルキル基において、炭素原子間の１つの単結合（Ｃ－Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが挙げられる。アルケニルオキシ基としては、アルケニル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。アリール基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、環員数は特に限定されず、好ましいものとしては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。アリールオキシ基としては、アリール基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
これらの中でも、ドナーとしては、電子濃度を増加させる効果がより高いことから、芳香族３級アミン骨格を有する化合物、置換基を有していてもよい縮合多環化合物、アルカリ金属が好ましい。
有機発光層６８は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。また、これらの各材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および耐久性の観点からは、有機発光層６８の材質は、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。
有機発光材料としては、有機ＥＬ素子向けの公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
有機発光層６８に用いられる低分子発光材料（ホスト材料を含む）としては、４，４’－ビス（２，２’－ジフェニルビニル）－ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデン化合物；５－メチル－２－［２－［４－（５－メチル－２－ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物；３－（４－ビフェニル）－４－フェニル－５－ｔ－ブチルフェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；１，４－ビス（２－メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物；チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料；アゾメチン亜鉛錯体、（８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光発光有機金属錯体；ＢｅＢｑ（ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体）；４，４’－ビス－（２，２－ジ－ｐ－トリル－ビニル）－ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）；トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオノ）（モノフェナントロリン）Ｅｕ（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））；ジフェニルエチレン誘導体；トリス［４－（９－フェニルフルオレン－９－イル）フェニル］アミン（ＴＦＴＰＡ）等のトリフェニルアミン誘導体；ジアミノカルバゾール誘導体；ビススチリル誘導体；芳香族ジアミン誘導体；キナクリドン系化合物；ペリレン系化合物；クマリン系化合物；ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ）；オリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ－３Ｔ）；４，４’－ジ（トリフェニルシリル）－ビフェニル（ＢＳＢ）、ジフェニル－ジ（ｏ－トリル）シラン（ＵＧＨ１）、１，４－ビストリフェニルシリルベンゼン（ＵＧＨ２）、１，３－ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ３）、トリフェニル－（４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル）シラン（ＴＰＳｉ－Ｆ）等のシラン誘導体；９，９－ジ（４－ジカルバゾール－ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６－ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）－２，２’－ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ジカルバゾリル－３，５－ベンゼン（ｍ－ＣＰ）、３－（ジフェニルホスホリル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（ＰＰＯ１）、３，６－ジ（９－カルバゾリル）－９－（２－エチルヘキシル）カルバゾール（ＴＣｚ１）、９，９’－（５－（トリフェニルシリル）－１，３－フェニレン）ビス（９Ｈ－カルバゾール）（ＳｉｍＣＰ）、ビス（３，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）ジフェニルシラン（ＳｉｍＣＰ２）、３－（ジフェニルホスホリル）－９－（４－ジフェニルホスホリル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール（ＰＰＯ２１）、２，２－ビス（４－カルバゾリルフェニル）－１，１－ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）、３，６－ビス（ジフェニルホスホリル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（ＰＰＯ２）、９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール（ＣｚＳｉ）、３，６－ビス［（３，５－ジフェニル）フェニル］－９－フェニル－カルバゾール（ＣｚＴＰ）、９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ジトリチル－９Ｈ－カルバゾール（ＣｚＣ）、９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（９－（４－メトキシフェニル）－９Ｈ－フルオレン－９－イル）－９Ｈ－カルバゾール（ＤＦＣ）、２，２’－ビス（４－カルバゾール－９－イル）フェニル）－ビフェニル（ＢＣＢＰ）、９，９’－（（２，６－ジフェニルベンゾ［１，２－ｂ：４，５－ｂ’］ジフラン－３，７－ジイル）ビス（４，１－フェニレン））ビス（９Ｈ－カルバゾール）（ＣＺＢＤＦ）等のカルバゾール誘導体；４－（ジフェニルフォスフォイル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアニリン（ＨＭ－Ａ１）等のアニリン誘導体；１，３－ビス（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４－ビス（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）、２，７－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ－ＣＢＰ）、２－［９，９－ジ（４－メチルフェニル）－フルオレン－２－イル］－９，９－ジ（４－メチルフェニル）フルオレン（ＢＤＡＦ）、２－（９，９－スピロビフルオレン－２－イル）－９，９－スピロビフルオレン（ＢＳＢＦ）、９，９－ビス［４－（ピレニル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン（ＢＰＰＦ）、２，２’－ジピレニル－９，９－スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ－Ｐｙｅ）、２，７－ジピレニル－９，９－スピロビフルオレン（２，２’－Ｓｐｉｒｏ－Ｐｙｅ）、２，７－ビス［９，９－ジ（４－メチルフェニル）－フルオレン－２－イル］－９，９－ジ（４－メチルフェニル）フルオレン（ＴＤＡＦ）、２，７－ビス（９，９－スピロビフルオレン－２－イル）－９，９－スピロビフルオレン（ＴＳＢＦ）、９，９－スピロビフルオレン－２－イル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド（ＳＰＰＯ１）等のフルオレン誘導体；１，３－ジ（ピレン－１－イル）ベンゼン（ｍ－Ｂｐｙｅ）等のピレン誘導体；プロパン－２，２’－ジイルビス（４，１－フェニレン）ジベンゾエート（ＭＭＡ１）等のベンゾエート誘導体；４，４’－ビス（ジフェニルフォスフィンオキサイド）ビフェニル（ＰＯ１）、２，８－ビス（ジフェニルフォスフォリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＰＰＴ）等のフォスフィンオキサイド誘導体；４，４”－ジ（トリフェニルシリル）－ｐ－ターフェニル（ＢＳＴ）等のターフェニル誘導体；２，４－ビス（フェノキシ）－６－（３－メチルジフェニルアミノ）－１，３，５－トリアジン（ＢＰＭＴ）等トリアジン誘導体等が挙げられる。
有機発光層６８に用いられる高分子発光材料としては、ポリ（２－デシルオキシ－１，４－フェニレン）（ＤＯ－ＰＰＰ）、ポリ［２，５－ビス－［２－（Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリエチルアンモニウム）エトキシ］－１，４－フェニル－アルト－１，４－フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ－ＮＥｔ３＋）、ポリ［２－（２’－エチルヘキシルオキシ）－５－メトキシ－１，４－フェニレンビニレン］（ＭＥＨ－ＰＰＶ）、ポリ［５－メトキシ－（２－プロパノキシサルフォニド）－１，４－フェニレンビニレン］（ＭＰＳ－ＰＰＶ）、ポリ［２，５－ビス－（ヘキシルオキシ）－１，４－フェニレン－（１－シアノビニレン）］（ＣＮ－ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体；ポリ（９，９－ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリスピロ誘導体；ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。
有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。
有機発光層６８に用いられる発光性のドーパントとしては、有機ＥＬ素子用の公知のドーパントを用いることができる。このようドーパントとしては、紫外発光材料であれば、ｐ－クォーターフェニル、３，５，３，５－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルセクシフェニル、３，５，３，５－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料；ビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’，６’－ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１－ピラゾイル）ボレート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ６）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、緑色発光材料であれば、トリス（２－フェニルピリジナート）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
なお、有機ＥＬ層６４を構成する各層の材料について説明したが、例えば、ホスト材料は正孔輸送材料または電子輸送材料としても使用でき、正孔輸送材料および電子輸送材料もホスト材料として使用できる。
正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１各層の形成方法としては、公知のウエットプロセス、ドライプロセス、レーザー転写法等が用いられる。
ウエットプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させた液体を用いる、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法；インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等が挙げられる。上記の塗布法や印刷法に用いられる液体は、レベリング剤、粘度調整剤等、液体の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。
ドライプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を用いる、抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等が用いられる。
正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１の各層の膜厚は、通常１～１０００ｎｍ程度であるが、１０～２００ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、本来必要とされる物性（電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性）が得られない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。一方、膜厚が２００ｎｍを超えると、有機ＥＬ層６４の抵抗成分によって駆動電圧が上昇し、結果として、消費電力が上昇する。
エッジカバー７２は、絶縁材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができ、公知のドライ法またはウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターニングすることができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、エッジカバー７２を構成する絶縁材料としては、公知の材料が用いられるが、本実施形態では、絶縁材料が特に限定されるものではない。
エッジカバー７２は光を透過する必要があるので、エッジカバー７２を構成する絶縁材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＨｆＳｉＯＮ、ＺｒＯ、ＨｆＯ、ＬａＯ等が挙げられる。
エッジカバー７２の膜厚は、１００～２０００ｎｍが好ましい。膜厚が１００ｎｍ未満であると、絶縁性が十分ではなく、第一電極６３と第二電極６５の間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、膜厚が２０００ｎｍを超えると、成膜プロセスに時間が掛り、生産効率の低下、エッジカバー７２による第二電極６５の断線の原因となる。
ここで、有機ＥＬ素子６２は、第一電極６３と第二電極６５との干渉効果によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）、または、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）を有することが好ましい。第一電極６３と第二電極６５により微小共振器構造が構成されると、第一電極６３と第二電極６５との干渉効果により、有機ＥＬ層６４の発光を正面方向（光取り出し方向）に集光することができる。その際、有機ＥＬ層６４の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光損失を低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機ＥＬ層６４で生じる発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層へ伝搬することが可能となり、表示装置の正面輝度を高めることができる。
また、第一電極６３と第二電極６５との干渉効果により、有機ＥＬ層６４の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長および半値幅に調整することができる。これにより、赤色蛍光体および緑色蛍光体をより効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することが可能となり、青色画素の色純度を向上させることができる。
また、本実施形態の表示装置は、外部駆動回路（走査線電極回路（ソースドライバ）、データ信号電極回路（ゲートドライバ）、電源回路）に電気的に接続される。ここで、有機ＥＬ素子基板６０を構成する基板６１としては、ガラス基板上に絶縁材料をコートした基板、より好ましくは金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板、さらに好ましくは金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板が用いられる。
また、有機ＥＬ素子基板６０は、有機ＥＬ素子６２を直接、外部回路に接続し、駆動してもよい。また、ＴＦＴ等のスイッチング回路を画素内に配置し、有機ＥＬ素子基板６０は、ＴＦＴ等が接続される配線に有機ＥＬ素子６２を駆動するための外部駆動回路（走査線電極回路（ソースドライバ）、データ信号電極回路（ゲートドライバ）、電源回路）に電気的に接続されていてもよい。
なお、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子を構成するアクティブ基板は、ガラス基板上、より好ましくは、金属基板上、プラスチック基板上、さらに好ましくは、金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板上に、複数の走査信号線、データ信号線、および、走査信号線とデータ信号線との交差部にＴＦＴが配置される。
また、有機ＥＬ素子６２は、図２８に示すように、電圧駆動デジタル階調方式によって駆動が行われ、画素毎にスイッチング用ＴＦＴ８１および駆動用ＴＦＴ８２の２つのＴＦＴが配置され、駆動用ＴＦＴ８２と発光部８３に設けられた第一電極とが、平坦化膜に形成されるコンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、１つの画素内には駆動用ＴＦＴ８２のゲート電位を定電位にするためのコンデンサーが、駆動用ＴＦＴ８２のゲート電極に接続されるように配置されている。しかし、本実施形態では、特にこれらに限定されるものではなく、駆動方式は、前述した電圧駆動デジタル階調方式でもよく、電流駆動アナログ階調方式でもよい。また、ＴＦＴの数も特に限定されるものではなく、前記の２つのＴＦＴにより有機ＥＬ素子６２を駆動してもよいし、ＴＦＴの特性（移動度、閾値電圧）バラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した２個以上のＴＦＴを用いて有機ＥＬ素子６２を駆動してもよい。
図２９は、上記の蛍光体基板１０と有機ＥＬ素子基板６０を備えた表示装置９０の概略構成図である。表示装置９０は、有機ＥＬ素子基板６０と、有機ＥＬ素子基板６０と対向配置された蛍光体基板１０と、有機ＥＬ素子基板６０と蛍光体基板１０とが対向する領域に設けられた画素部９１と、画素部９１に駆動信号を供給するゲート信号側駆動回路９２、データ信号側駆動回路９３、信号配線９４および電流供給線９５と、有機ＥＬ素子基板６０に接続されたフレキシブルプリント配線板９６（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔｓ、ＦＰＣ）と、外部駆動回路９７とから概略構成されている。
外部駆動回路９７は、画素部９１の走査ライン（走査線）を順次ゲート信号側駆動回路９２により選択し、選択されている走査ラインに沿って配置されている各画素素子に対し、データ信号側駆動回路９３により画素データを書き込む。すなわち、ゲート信号側駆動回路９２が走査線を順次駆動し、データ信号側駆動回路９３がデータ線に画素データを出力することにより、駆動された走査線とデータが出力されたデータ線との交差する位置に配置された画素素子が駆動される。
「アクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ素子」
図３０は、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ層１１０を用いた有機ＥＬ素子基板１００の断面図である。図３０において、図２７に示した有機ＥＬ素子基板６０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
有機ＥＬ素子基板１００は、基板１２０の一方の面１２０ａにＴＦＴ（駆動素子）１３０が形成されている。すなわち、ゲート電極１３１およびゲート線１３２が形成され、これらゲート電極１３１およびゲート線１３２を覆うように、基板１２０上にゲート絶縁膜１３３が形成されている。
ゲート絶縁膜１３３上には、活性層（図示略）が形成され、活性層上にソース電極１３４、ドレイン電極１３５およびデータ線１３６が形成され、これらソース電極１３４、ドレイン電極１３５およびデータ線１３６を覆うように平坦化膜１３７が形成されている。
なお、この平坦化膜１３７は単層構造でなくてもよく、他の層間絶縁膜と平坦化膜を組み合わせた構成としてもよい。また、平坦化膜もしくは層間絶縁膜を貫通してドレイン電極１３５に達するコンタクトホール１３８が形成され、平坦化膜１３７上に、コンタクトホール１３８を介して、ドレイン電極１３５と電気的に接続された有機ＥＬ層１１０の陽極（第一電極）６３が形成されている。なお、有機ＥＬ層１１０自体の構成は前述した有機ＥＬ層６４と同様である。
ＴＦＴ１３０は、有機ＥＬ層１１０を形成する前に、基板１２０上に形成され、画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子駆動用素子として機能する。本実施形態で用いられるＴＦＴ１３０としては、公知のＴＦＴが挙げられ、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。また、本実施形態では、ＴＦＴ１３０の代わりに、金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。
ＴＦＴ１３０の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム－酸化ガリウム－酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、またはポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ－フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料等が挙げられる。また、ＴＦＴ１３０の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
ＴＦＴ１３０を構成する活性層の形成方法としては、（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法またはＳｉＨ４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。
ゲート絶縁膜１３３は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等が挙げられる。データ線１３６、ゲート線１３２、ソース電極１３４およびドレイン電極１３５は、公知の導電性材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。ＴＦＴ１３０は、前記のような構成とすることができるが、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。
本実施形態に用いられる層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、または、Ｓｉ３Ｎ４）、酸化タンタル（ＴａＯ、または、Ｔａ２Ｏ５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が用いられる。また、層間絶縁膜の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。
その他、有機ＥＬ層１１０からの光を基板１２０の反対側から取り出す場合には、基板１２０上に形成されたＴＦＴ１３０に外光が入射し、ＴＦＴ１３０の電気的特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を用いることが好ましい。また、前記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜としては、特に限定されるものではないが、例えば、フタロシアニン、キナクリドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、ＮｉｘＺｎｙＦｅ２Ｏ４等の無機絶縁材料等が挙げられる。
本実施形態においては、基板１２０上に形成したＴＦＴ１３０や各種配線、電極により、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機ＥＬ層１１０の欠陥（例えば、陽極（第一電極）６３や陰極（第二電極）６５の欠損や断線、有機ＥＬ層１１０の欠損、陽極（第一電極）６３と陰極（第二電極）６５との短絡、耐圧の低下等）が発生するおそれがある。よって、これらの欠陥を防止する目的で層間絶縁膜上に平坦化膜１３７を設けることが望ましい。
平坦化膜１３７は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が用いられる。平坦化膜１３７の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが用いられる。
また、平坦化膜１３７は、単層構造であっても、多層構造であってもよい。
また、有機ＥＬ層１１０は、封止膜１４０で覆われていることが好ましい。
封止膜１４０は、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、基板１２０と反対側の表面上にスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜１４０を形成することもできる。あるいは、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタリング法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を形成した後、さらに、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜１４０を形成するか、または、封止基板を貼り合わせることもできる。
このような封止膜１４０により、外部からの有機ＥＬ層１１０内への酸素や水分の混入を防止することができ、有機ＥＬ素子基板１００の寿命が向上する。
「無機ＥＬ素子」
図３１は、光源基板３２を構成する無機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。無機ＥＬ素子基板１５０は、基板１５１と、基板１５１の一方の面１５１ａ上に設けられた無機ＥＬ素子１５２とから概略構成されている。
無機ＥＬ素子１５２は、基板１５１の一方の面１５１ａに順に積層された、第一電極１５３、第一誘電体層１５４、発光層１５５、第二誘電体層１５６および第二電極１５７から構成されている。第一電極１５３および第二電極１５７は、無機ＥＬ素子１５２の陽極または陰極として対で機能する。なお、無機ＥＬ素子１５２としては、公知の無機ＥＬ素子、例えば、紫外発光無機ＥＬ素子、青色発光無機ＥＬ素子等を用いることができるが、具体的な構成は前記のものに限定されるものではない。
以下、無機ＥＬ素子基板１５０を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。
基板１５１としては、上記の有機ＥＬ素子基板６０を構成する基板６１と同様のものが用いられる。
第一電極１５３および第二電極１５７は、無機ＥＬ素子１５２の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第一電極１５３を陽極とした場合、第二電極１５７は陰極となり、第一電極１５３を陰極とした場合、第二電極１５７は陽極となる。
第一電極１５３および第二電極１５７としては、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、および、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ２）、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられるが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。光を取り出す側の電極には、ＩＴＯ等の透明電極がよく、光を取り出す方向と反対側の電極には、アルミニウム等からなる反射電極を用いることが好ましい。
第一電極１５３および第二電極１５７は、上記の材料を用いて、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法、レーザー剥離法により形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることでパターニングした電極を形成することもできる。
第一電極１５３および第二電極１５７の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。第一電極１５３および第二電極１５７の膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなり、駆動電圧が上昇するおそれがある。
第一誘電体層１５４および第二誘電体層１５６としては、無機ＥＬ素子用の公知の誘電体材料を用いることができる。このような誘電体材料としては、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸アルミニウム（ＡｌＴｉＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）等が挙げられるが、本実施形態はこれらの誘電体材料に限定されるものではない。また、第一誘電体層１５４および第二誘電体層１５６は、上記の誘電体材料から選択された１種類からなる単層構造であってもよく、２種類以上を積層した多層構造であってもよい。また、第一誘電体層１５４および第二誘電体層８６の膜厚は、２００～５００ｎｍ程度が好ましい。
発光層１５５としては、無機ＥＬ素子用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料としては、例えば、紫外発光材料として、ＺｎＦ２：Ｇｄ、青色発光材料として、ＢａＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ＣａＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ＺｎＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｂａ２ＳｉＳ４：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｔｍ、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＳｒＳ：Ｃｕ、ＣａＳ：Ｐｂ、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ２Ｓ４：Ｅｕ等が挙げられるが、本実施形態はこれらの発光材料に限定されるものではない。
また、発光層１５５の膜厚は、３００～１０００ｎｍ程度が好ましい。
なお、光源３４として、有機ＥＬ素子基板、ＬＥＤ基板、無機ＥＬ素子基板等を用いた場合、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ、無機ＥＬ素子等の発光素子を封止する封止膜または封止基板を設けることが好ましい。
封止膜および封止基板は、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、光源を構成する基板と反対側の表面上にスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜を形成することもできる。あるいは、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタリング法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を形成した後、さらに、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜を形成するか、または、封止基板を貼り合わせることもできる。このような封止膜や封止基板により、外部からの発光素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、光源の寿命が向上する。
また、表示装置３０は、光取り出し側（蛍光体基板１０の基板１１の他方の面１１ｂ側）に偏光板を設けることが好ましい。偏光板としては、従来の直線偏光板とλ／４板とを組み合わせたものが好ましい。偏光板を設けることによって、表示装置３０の電極からの外光反射、基板１１または基板３３（封止基板）の表面（他方の面３３ｂ）における外光反射を防止することが可能となり、表示装置３０のコントラストを向上することができる。
また、表示装置３０は、蛍光体基板１０と光源３４との間に、液晶素子を設けてもよい。液晶素子としては、特に限定されるものではないが、公知の液晶素子を用いることができ、例えば、一対の偏光板と、一対の電極と、一対の配向膜と、基板と、を有し、一対の配向膜間に液晶セルが挟持されたものが挙げられる。また、液晶セルと一方の偏光板との間に、光学異方性層が１枚配置されるか、または、液晶セルと双方の偏光板との間に光学異方性層が２枚配置されていてもよい。
液晶素子は、光源３４からの発光を選択的に透過させる、光シャッターとしての機能を有する。液晶セルの種類は、特に限定されるものではないが、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＴＮモード、ＶＡモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＥＣＢモード等が挙げられる。
また、液晶素子は、パッシブ駆動であってもよいし、ＴＦＴ等のスイッチング素子を用いたアクティブ駆動型であってもよい。液晶素子のスイッチングと、光源３４のスイッチングとを組み合わせることによって、より消費電力を低減することが可能となるため、好ましい。
本実施形態の表示装置によれば、光の取り出し効率を向上させて変換効率を大幅に向上させ、視野角特性に優れ、かつ、低消費電力化が可能な優れた表示装置を実現できる。
［照明装置］
また、上記の表示装置は、例えば、図３２に示すシーリングライト（照明装置）１６０にも適用できる。図３２に示すシーリングライト１６０は、発光部１６１と、吊下線１６２と、電源コード１６３とを備えてなる照明装置である。シーリングライト１６０において、発光部１６１は、上記の表示装置から構成されている。
本実施形態のシーリングライト１６０は、上記の表示装置を発光部１６１として備えることにより、発光効率に優れる照明装置となる。
また、上記の表示装置は、例えば、図３３に示す照明スタンド（照明装置）１７０にも適用できる。図３３に示す照明スタンド１７０は、発光部１７１と、スタンド１７２と、メインスイッチ１７３と、電源コード１７４とを備えてなる照明装置である。照明スタンド１７０において、発光部１７１は、上記の表示装置から構成されている。
本実施形態の照明スタンド１７０は、上記の表示装置を発光部１７１として備えることにより、発光効率に優れる照明装置となる。
［電子機器］
上記の表示装置は、各種電子機器に適用することができる。
以下、上記の表示装置を備えた電子機器について、図３４～３８を用いて説明する。上記の表示装置は、例えば、図３４に示す携帯電話に適用できる。
図３４に示す携帯電話１８０は、音声入力部１８１、音声出力部１８２、アンテナ１８３、操作スイッチ１８４、表示部１８５および筐体１８６等を備えている。そして、表示部１８５として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置を携帯電話１８０の表示部１８５に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
また、上記の表示装置は、例えば、図３５に示す薄型テレビに適用できる。
図３５に示す薄型テレビ１９０は、表示部１９１、スピーカ１９２、キャビネット１９３およびスタンド１９４等を備えている。
そして、表示部１９１として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置を薄型テレビ１９０の表示部１９１に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
また、上記の表示装置は、例えば、図３６に示す携帯型ゲーム機に適用できる。
図３６に示す携帯型ゲーム機２００は、操作ボタン２０１、２０２、外部接続端子２０３、表示部２０４および筐体２０５等を備えている。
そして、表示部２０４として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置を携帯型ゲーム機２００の表示部２０４に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
また、上記の表示装置は、例えば、図３７に示すノートパソコンに適用できる。
図３７に示すノートパソコン２１０は、表示部２１１、キーボード２１２、タッチパッド２１３、メインスイッチ２１４、カメラ２１５、記録媒体スロット２１６および筐体２１７等を備えている。
そして、表示部２１１として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置をノートパソコン２１０の表示部２１１に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
さらに、上記の表示装置は、例えば、図３８に示すタブレット端末に適用できる。図３８に示すタブレット端末２２０は、表示部（タッチパネル）２２１、カメラ２２２および筐体２２３等を備えている。
そして、表示部２２１として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置をタブレット端末２２０の表示部２２１に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
以上、図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されないことは言うまでもない。上記の実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
その他、表示装置、照明装置の各構成要素の形状、数、配置、材料、形成方法等に関する具体的な記載は、上記の実施形態に限定されることなく、適宜変更が可能である。
以下、実験例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実験例に限定されるものではない。
［実験例１］
図３９は、実験例１の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線に沿う断面図である。
基板２３１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板２３１の一方の面２３１ａの全面に、スピンコート法により、エポキシ系のポジ型感光性樹脂を塗布した。その後、９０℃にて２分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２３２の幅が５０μｍ、障壁２３２のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３４０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、障壁２３２を、基板２３１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、障壁２３２によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２３３、青色散乱体層２３４をパターン形成し、蛍光体基板２３０を得た。
ここで、赤色蛍光体層２３３と青色散乱体層２３４の形成方法を説明する。
赤色蛍光体層２３３と青色散乱体層２３４を形成するために、赤色蛍光体層形成用塗液と青色散乱体層形成用塗液を調製した。
赤色蛍光体層形成用塗液を調製するには、平均粒径２μｍの赤色蛍光体Ｋ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、赤色蛍光体層形成用塗液を得た。
青色散乱体層形成用塗液を調製するには、平均粒径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、青色散乱体層形成用塗液を得た。
次に、基板２３１をＵＶ／Ｏ３で洗浄し、続いて、基板２３１をフッ素プラズマ処理することにより、障壁２３２に撥液性を付与し、基板２３１に親液性を付与した。次に、赤色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を、ディスペンサー法により、基板２３１上に設けられた枠状の障壁２３２の内部にパターン塗布した。次に、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）により、赤色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を塗布した基板２３１を、４時間、加熱乾燥して、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂ、青色散乱体層２３４Ａ，２３４Ｂを形成した。
蛍光体基板２３０において、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂおよび青色散乱体層２３４Ａの励起光入射面側（基板２３１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２３４Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２３４Ｂから青色散乱光が観測された。ただし、青色散乱体層２３４Ｂ以外に、青色散乱体層２３４Ａからも青色散乱光が観測され、さらに、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂからは赤色光が観測された。これは、青色散乱体層２３４Ｂからの青色散乱光が障壁２３２内を伝播して、隣接する青色散乱体層２３４Ａおよび赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂに入射し、青色散乱体層２３４Ａにおいては、光散乱性粒子によって光取出し方向（基板２３１側）に青色散乱光が射出され、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂにおいては、青色散乱光によって赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂが励起されて、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂから赤色光が発光したために生じたと考えられる。これにより、クロストークを生じた。
また、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂからは弱い青色光成分も観測され、青色散乱体層２３４Ａ，２３４Ｂからは弱い赤色光成分も観測された。これは、青色散乱体層２３４Ｂからの青色散乱光が、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂで赤色蛍光体に吸収されずに、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂから射出され、一方、青色散乱光によって赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂが励起されて、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂから発光した赤色光が、障壁２３２内を伝播して、隣接する青色散乱体層２３４Ａ、２３４Ｂに入射し、青色散乱体層２３４Ａ、２３４Ｂの光散乱性粒子によって、赤色光が光取出し方向に射出されたためであると考えられる。これにより、色純度が低下した。
［実験例２］
図４０は、実験例２の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。
基板２４１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板２４１の一方の面２４１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板２４１上の各画素を囲むライン状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、光不透過部２４２を、基板２４１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。なお、基板２４１の一方の面２４１ａに接している部分における光不透過部２４２の幅を３０μｍとした。
次に、光不透過部２４２がパターニングされた基板２４１の一方の面２４１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、エポキシ系のポジ型感光性樹脂を塗布した。その後、９０℃にて２分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２４３の幅が５０μｍ、障壁２４３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２４３を、基板２４１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁２４２によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２４４、青色散乱体層２４５をパターン形成し、蛍光体基板２４０を得た。
蛍光体基板２４０において、赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂおよび青色散乱体層２４５Ａの励起光入射面側（基板２４１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２４５Ｂのみに、青色励起光を照射した。その結果、青色散乱体層２４５Ｂから青色散乱光が観測され、実験例１と同様に、青色散乱体層２４５Ａからも青色散乱光が観測された。しかしながら、赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂからは赤色光も青色光も観測されなかった。これは、赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂと青色散乱体層２４５Ａ，２４５Ｂとの間において、障壁２４３の内部に光不透過部２４２が設けられているので、青色散乱体層２４５Ｂから射出した青色散乱光が、光不透過部２４２で吸収され、赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂに入射しなかったためであると考えられる。
一方、同色の画素間（赤色蛍光体層２４４Ａと赤色蛍光体層２４４Ｂとの間、青色散乱体層２４５Ａと青色散乱体層２４５Ｂとの間）には、光不透過部２４２が設けられていないので、青色散乱体層２４５Ｂから射出した青色散乱光が、青色散乱体層２４５Ａと青色散乱体層２４５Ｂとの間の障壁２４３を介して、隣接する青色散乱体層２４５Ａに入射し、青色散乱体層２４５Ａからも青色散乱光が観測されたものと考えられる。
本実験例のように、異色の画素間（赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂと青色散乱体層２４５Ａ，２４５Ｂとの間）のみに光不透過部２４２を設けた場合、異色の画素間では光の透過を防止できるが、同色の画素間では光の透過を防止できなかった。しかしながら、例えば、照明装置のように、ＲＧＢ全画素を点灯するような場合や、同色の画素のみを点灯させる場合には、同色の画素間における光の透過による影響がないため、このようなアプリケーションにおいては、異色の画素間のみに光不透過部２４２を設ければよい。
なお、本実験例では、光不透過部２４２を画素間の中央部に設けた場合を例示しが、障壁２４３の内部であれば、光不透過部２４２をどこに設けてもよい。ただし、障壁２４３内部の中央部に光不透過部２４２を設けた方が、光を散乱・反射する確率が高まり、光取出し効率を向上させることができるので、光不透過部２４２を画素間の中央部に設けることが好ましい。また、画素領域の最外画素に対応する障壁２４３の最外箇所は、色にじみを発生させる箇所にはならないので、その最外箇所には、必ずしも光不透過部２４２を設ける必要がない。
［実験例３］
図４１は、実験例３の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ－Ｃ線に沿う断面図である。
基板２５１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板２５１の一方の面２５１ａの全面に、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２５２の幅が５０μｍ、障壁２５２のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２５２を、基板２５１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁２５２によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２５３、青色散乱体層２５４をパターン形成し、蛍光体基板２５０を得た。
蛍光体基板２５０において、赤色蛍光体層２５３Ａ，２５３Ｂおよび青色散乱体層２５４Ａの励起光入射面側（基板２５１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２５４Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２５４Ｂから、実験例１の１．１倍の光取出し効率で青色散乱光が観測された。これは、青色散乱体層２５４Ｂから側方へ向かう散乱光成分を、障壁２５２で散乱・反射して、青色散乱光が光取出し方向に射出されたためであると考えられる。また、実験例１と同様に、青色散乱体層２５４Ｂ以外に、青色散乱体層２５４Ａからも青色散乱光が観測され、さらに、赤色蛍光体層２５３Ａ，２５３Ｂからは赤色光が観測された。
［実験例４］
図４２は、実験例４の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ－Ｄ線に沿う断面図である。基板２６１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板２６１の一方の面２６１ａ上において、赤色画素と青色画素の間の非発光部の中央、および、赤色画素端部から２５μｍ外側と青色画素端部から２５μｍ外側に、ディスペンサー法により、カーボンブラックを含有した熱硬化性樹脂を、幅３０μｍ、厚さ１０μｍのライン状に塗布した。その後、１５０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍ、基板２６１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光不透過部２６２を形成した。
次に、光不透過部２６２がパターニングされた基板２６１の一方の面２６１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。次に、その塗膜に、障壁２６３の幅が５０μｍ、障壁２６３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２６３を、基板２６１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。次に、実験例１と同様にして、障壁２６３によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２６４、青色散乱体層２６５をパターン形成し、蛍光体基板２６０を得た。
蛍光体基板２６０において、赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂおよび青色散乱体層２６５Ａの励起光入射面側（基板２６１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２６５Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２６５Ｂから青色散乱光が観測され、実験例２と同様に、青色散乱体層２６５Ａからも青色散乱光が観測された。しかしながら、赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂからは赤色光も青色光も観測されなかった。これは、赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂと青色散乱体層２６５Ａ，２６５Ｂとの間において、障壁２６３の内部に光不透過部２６２が設けられているので、青色散乱体層２６５Ｂから射出した青色散乱光が、光不透過部２６２で吸収され、赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂに入射しなかったためであると考えられる。一方、同色の画素間（赤色蛍光体層２６４Ａと赤色蛍光体層２６４Ｂとの間、青色散乱体層２６５Ａと青色散乱体層２６５Ｂとの間）には、光不透過部２６２が設けられていないので、青色散乱体層２６５Ｂから射出した青色散乱光が、青色散乱体層２６５Ａと青色散乱体層２６５Ｂとの間の障壁２６３を介して、隣接する青色散乱体層２６５Ａに入射し、青色散乱体層２６５Ａからも青色散乱光が観測されたものと考えられる。
本実験例のように、異色の画素間（赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂと青色散乱体層２６５Ａ，２６５Ｂとの間）のみに光不透過部２６２を設けた場合、異色の画素間では光の透過を防止できるが、同色の画素間では光の透過を防止できなかった。しかしながら、例えば、照明装置のようにＲＧＢ全画素を点灯するような場合や、同色の画素のみを点灯させる場合には、同色の画素間における光の透過による影響がないため、このようなアプリケーションにおいては、異色の画素間のみに光不透過部２６２を設ければよい。
なお、本実験例では、光不透過部２６２を画素間の中央部に設けた場合を例示しが、障壁２６３の内部であれば、光不透過部２６２をどこに設けてもよい。ただし、障壁２６３内部の中央部に光不透過部２６２を設けた方が、光を散乱・反射する確率が高まり、光取出し効率を向上させることができるので、光不透過部２６２を画素間の中央部に設けることが好ましい。また、画素領域の最外画素に対応する障壁２６３の最外箇所は、色にじみを発生させる箇所にはならないので、その最外箇所には、必ずしも光不透過部２６２を設ける必要がない。
［実験例５］
図４３は、実験例５の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ－Ｅ線に沿う断面図である。
基板２７１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板２７１の一方の面２７１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板２７１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、光不透過部２７２を基板２７１の一方の面２７１ａに対して垂直な形状をなすように、パターニングした。なお、基板２７１の一方の面２７１ａに接している部分における光不透過部２７２の幅を３０μｍとした。
次に、光不透過部２７２がパターニングされた基板２７１の一方の面２７１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。次に、その塗膜に、障壁２７３の幅が５０μｍ、障壁２７３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２７３を、基板２７１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。次に、実験例１と同様にして、障壁２７３によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２７４、青色散乱体層２７５をパターン形成し、蛍光体基板２７０を得た。
蛍光体基板２７０において、赤色蛍光体層２７４Ａ，２７４Ｂおよび青色散乱体層２７５Ａの励起光入射面側（基板２７１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２７５Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２７５Ｂから実験例４の１．３倍の光取出し効率で青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層２７４Ａ，２７４Ｂおよび青色散乱体層２７５Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。このように、実験例４よりも光取出し効率が向上したのは、画素の４面全てを障壁２７３で囲ったことでより効率良く光を取り出すことができたためだと考えられる。なお、実験例４と同様に、画素領域の最外画素に対応する障壁２７３の最外箇所は、色にじみを発生させる箇所にはならないので、その最外箇所には、必ずしも光不透過部２７２を設ける必要がない。
［実験例６］
図４４は、実験例６の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ－Ｆ線に沿う断面図である。
基板２８１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板２８１の一方の面２８１ａ上において、赤色画素と青色画素をそれぞれ囲むように、スクリーン印刷法により、銀ペーストを、幅２０μｍ、厚さ２０μｍの格子状に塗布した。その後、１２０℃にて１時間焼成し、膜厚２０μｍ、基板２８１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光不透過部２８２を形成した。
次に、光不透過部２８２がパターニングされた基板２８１の一方の面２８１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２８３の幅が５０μｍ、障壁２８３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２８３を、基板２８１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁２８３によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２８４、青色散乱体層２８５をパターン形成し、蛍光体基板２８０を得た。
蛍光体基板２８０において、赤色蛍光体層２８４Ａ，２８４Ｂおよび青色散乱体層２８５Ａの励起光入射面側（基板２８１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２８５Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２８５Ｂから、実験例５の１．１倍の光取出し効率で青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層２８４Ａ，２８４Ｂおよび青色散乱体層２８５Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。このように、実験例５よりも光取出し効率が向上したのは、光不透過部２８２が光反射性を有しているので、障壁２８３で散乱反射せずに透過してきた青色散乱光を光不透過部２８２で反射し、青色散乱光が光取出し方向に射出されたためであると考えられる。ただし、明室ＣＲは、実験例５と比較して低くなった。これは、外光が光不透過部２８２で反射したこと、そして、光不透過部２８２を覆うように設けられた障壁２８３で外光が散乱反射したことが原因であると考えられる。なお、実験例４および５では、光不透過部２６２，２７２として光吸収部を設けているため、画素領域の最外画素に対応する障壁２６３，２７３の最外箇所には必ずしも光不透過部２６２，２７２を形成する必要はなかったが、本実験例では、光不透過部２８２として光反射部を設けているので、光取出し効率を向上させるためには、最外画素に対応する障壁２８３の最外箇所に光不透過部２８２を設けることが好ましい。
［実験例７］
図４５は、実験例７の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＧ－Ｇ線に沿う断面図である。
基板２９１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板２９１の一方の面２９１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１．５μｍの光吸収膜２９２を形成した。次に、その光吸収膜２９２に、基板２９１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光吸収膜２９２を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光吸収膜２９２を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、光吸収膜２９２を垂直な形状をなすように、パターニングした。なお、基板２９１の一方の面２９１ａに接している部分における光吸収膜２９２の幅を６０μｍとした。次に、基板２９１の一方の面２９１ａに形成した光吸収膜２９２上において、赤色画素と青色画素をそれぞれ囲むように、スクリーン印刷法により、銀ペーストを、幅２０μｍ、厚さ２０μｍの格子状に塗布した。その後、１２０℃にて１時間焼成し、膜厚２０μｍ、基板２９１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光不透過部２９３を形成した。
次に、光不透過部２９３がパターニングされた基板２９１の一方の面２９１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。次に、その塗膜に、障壁２９４の幅が５０μｍ、障壁２９４のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２９４を、基板２９１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。次に、実験例１と同様にして、障壁２９４によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２９５、青色散乱体層２９６をパターン形成し、蛍光体基板２９０を得た。
蛍光体基板２９０において、赤色蛍光体層２９５Ａ，２９５Ｂおよび青色散乱体層２９６Ａの励起光入射面側（基板２９１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２９６Ｂのみに、青色励起光を照射した。その結果、青色散乱体層２９６Ｂから、実験例５の１．１倍の光取出し効率で青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層２９５Ａ，２９５Ｂおよび青色散乱体層２９６Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。このように、実験例５よりも光取出し効率が向上したのは、光不透過部２９３が光反射性を有しているので、障壁２９４で散乱反射せずに透過してきた青色散乱光を光不透過部２９３で反射し、青色散乱光が光取出し方向に射出されたためであると考えられる。また、明室ＣＲについて実験例６よりも高くなった。これは、光吸収膜２９２が光反射性の光不透過部２９３および光散乱性の障壁２９４の幅よりも広いため、外光が光不透過部２９３および障壁２９４で反射・散乱されずに、光吸収膜２９２に吸収されたためだと考えられる。なお、実験例４および５では、光不透過部２６２，２７２として光吸収部を設けているため、画素領域の最外画素に対応する障壁２６３，２７３の最外箇所には必ずしも光不透過部２６２，２７２を形成する必要はなかったが、本実験例では、光不透過部２９３として光反射部を設けているので、光取出し効率を向上させるためには、最外画素に対応する障壁２９４の最外箇所に光不透過部２９３を設けることが好ましい。
［実験例８］
図４６は、実験例８の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ－Ｈ線に沿う断面図である。基板３０１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板３０１の一方の面３０１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板３０１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、光不透過部３０２を基板３０１の一方の面３０１ａに対して垂直な形状をなすように、パターニングした。なお、基板３０１の一方の面３０１ａに接している部分における光不透過部３０２の幅を１５μｍとした。
次に、光不透過部３０２がパターニングされた基板３０１の一方の面３０１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。次に、その塗膜に、障壁３０３の幅が２５μｍ、障壁３０３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、障壁３０３が基板３０１から剥離している箇所があり、赤色蛍光体層や青色散乱体層を形成することができなかった。これは、障壁３０３のアスペクト比が高くなり、基板３０１との密着性を確保できなかったためであると考えられる。
［実験例９］
図４７は、実験例９の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。
基板３１１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板３１１の一方の面３１１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板３１１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、基板３１１側から離れるに従って次第に幅が広くなっていくテーパー形状をなす光不透過部３１２を形成した。なお、光不透過部３１２において、基板３１１の一方の面３１１ａに接している部分の幅を１０μｍ、上面（基板３１１の一方の面３１１ａに接している面とは反対側の面）３１２ａの幅を１５μｍとした。
次に、光不透過部３１２が設けられた基板３１１全体をマイクロ波プラズマ処理することにより、光不透過部３１２の表面を粗面化した。
次に、光不透過部３１２がパターニングされた基板３１１の一方の面３１１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。次に、その塗膜に、障壁３１３の幅が２５μｍ、障壁３１３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁３１３をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁３１３を、基板３１１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。次に、実験例１と同様にして、障壁３１３によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層３１４、青色散乱体層３１５をパターン形成し、蛍光体基板３１０を得た。
蛍光体基板３１０において、赤色蛍光体層３１４Ａ，３１４Ｂおよび青色散乱体層３１５Ａの励起光入射面側（基板３１１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層３１５Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層３１４Ｂから青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層３１４Ａ，３１４Ｂおよび青色散乱体層３１５Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。
なお、本実験例では、光不透過部３１２が、障壁３１３と基板３１１との密着性を向上させる機能を有していることから、最外画素に対応する障壁３１３の最外箇所に光不透過部３１２を設けることが好ましい。
［実験例１０］
図４８は、実験例１０の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＪ－Ｊ線に沿う断面図である。
基板３２１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板３２１の一方の面３２１ａの全面に、スピンコート法により、ネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光透過膜を形成した。
次に、その光透過膜に、基板３２１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、基板３２１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光透過部３２２を形成した。なお、光透過部３２２において、基板３２１の一方の面３２１ａに接している部分の幅を１０μｍ、上面（基板３２１の一方の面３２１ａに接している面とは反対側の面）の幅を９μｍとした。
次に、光透過部３２２の表面に、真空蒸着法により、銀３２３を膜厚１００ｎｍでパターン形成した。次に、光透過部３２２がパターニングされた基板３２１の一方の面３２１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。次に、その塗膜に、障壁３２４の幅が２５μｍ、障壁３２４のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁３２４をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁３２４を、基板３２１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。次に、実験例１と同様にして、障壁３２４によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層３２５、青色散乱体層３２６をパターン形成し、蛍光体基板３２０を得た。
蛍光体基板３２０において、赤色蛍光体層３２６Ａ，３２６Ｂおよび青色散乱体層３２７Ａの励起光入射面側（基板３２１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層３２７Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層３２７Ｂから青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層３２６Ａ，３２６Ｂおよび青色散乱体層３２７Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。
実験例９では、光不透過部３１２の形状を基板３１１との密着性を高める形状にしたが、本実験例のように、基板３２１との密着性が良好で、かつ、厚膜形成が可能な光透過部３２２を用いても同様な効果を発現する障壁３２４を形成することができる。また、光透過部３２２の表面には、銀３２３等からなる光反射膜ではなく、カーボンブラック等からなる光吸収膜を設けてもよい。
なお、本実験例では、光透過部３２２が、障壁３２４と基板３２１との密着性を向上させる機能を有していることから、最外画素に対応する障壁３２４の最外箇所にも光透過部３２２を設けることが好ましい。
［実験例１１］
（青色有機ＥＬ＋蛍光体方式の実施例）
図４９は、実験例１１の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＫ－Ｋ線に沿う断面図である。
「蛍光体基板の作製」
基板３３１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板３３１の一方の面３３１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板３３１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、基板３３１側から離れるに従って次第に幅が広くなっていくテーパー形状をなす光不透過部３３２を形成した。なお、光不透過部３３２において、基板３３１の一方の面３３１ａに接している部分の幅を１０μｍ、上面（基板３３１の一方の面３３１ａに接している面とは反対側の面）３３２ａの幅を１５μｍとした。
次に、光不透過部３３２が設けられた基板３３１全体をマイクロ波プラズマ処理することにより、光不透過部３３２の表面を粗面化した。
次に、光不透過部３３２がパターニングされた基板３３１の一方の面３３１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。次に、その塗膜に、障壁３３３の幅が２５μｍ、障壁３３３のピッチが１００μｍとなる３行×３列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁３３３をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁３３３を、基板３３１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。次に、障壁３３３によって区画された領域に、膜厚１０μｍの赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５、青色散乱体層３３６をパターン形成し、蛍光体基板３３０を得た。
ここで、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６の形成方法を説明する。
赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６を形成するために、赤色蛍光体層形成用塗液、緑色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を調製した。赤色蛍光体層形成用塗液を調製するには、平均粒径２μｍの赤色蛍光体Ｋ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、赤色蛍光体層形成用塗液を得た。緑色蛍光体層形成用塗液を調製するには、平均粒径２μｍの緑色蛍光体Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、緑色蛍光体層形成用塗液を得た。青色散乱体層形成用塗液を調製するには、平均粒径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、青色散乱体層形成用塗液を得た。次に、基板３３１をＵＶ／Ｏ３で洗浄し、続いて、基板３３１をフッ素プラズマ処理することにより、障壁３３３に撥液性を付与し、基板３３１に親液性を付与した。次に、赤色蛍光体層形成用塗液、緑色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を、ディスペンサー法により、基板３３１上に設けられた枠状の障壁３３３の内部にパターン塗布した。
次に、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）により、赤色蛍光体層形成用塗液、緑色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を塗布した基板３３１を、４時間、加熱乾燥して、膜厚１０μｍの赤色蛍光体層３３４Ａ，３３４Ｂ，３３４Ｃ、緑色蛍光体層３３５Ａ，３３５Ｂ，３３５Ｃ、青色散乱体層３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃを形成した。
次に、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６と、障壁３３３および構造物とによって生じる蛍光体基板の表面高さの不釣り合いを最小限に抑えるために、基板３３１の一方の面３３１ａの全面に、スピンコート法により、厚さ２０μｍとなるようにアクリル樹脂を塗布し、１２０℃にて３０分加熱することにより、平坦化層３３７を形成した。
次に、平坦化層３３７上に、ＥＢ蒸着法により、酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率＝１．４７）を交互に６層成膜して、膜厚２μｍの波長選択反射膜３３８を形成し、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６がパターン形成された蛍光体基板３３０を得た。なお、波長選択反射膜３３８を、青色励起光を８０％以上透過し、赤色蛍光および緑色蛍光を９５％以上反射するように設計した。
「青色有機ＥＬ素子基板の作製」
次に、光源として用いる青色有機ＥＬ素子基板の作製方法について説明する。
厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍとなるように、銀を成膜して反射膜とし、続いて、反射膜の上に、スパッタリング法により、膜厚２０ｎｍとなるように、インジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）を成膜し、銀とＩＴＯとの積層膜からなる第一電極として反射電極（陽極）を形成した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極を、幅が３０μｍ、ピッチが５０μｍとなるようにストライプ状にパターニングした。
次に、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚２００ｎｍとなるように、ＳｉＯ２を積層した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うように、ＳｉＯ２をパターニングし、エッジカバーを形成した。ここでは、第一電極の端から２μｍ分だけ短辺側をＳｉＯ２で覆う構造とした。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。
次に、このガラス基板を、抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０－４Ｐａ以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機ＥＬ層を抵抗加熱蒸着法により形成した。まず、正孔注入材料として、１，１－ビス－ジ－４－トリルアミノ－フェニル－シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＮＰＤ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、厚さ３０ｎｍの青色有機発光層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、１，４－ビス－トリフェニルシリル－ベンゼン（ＵＧＨ－２）（ホスト材料）とビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）を、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、この青色有機発光層を形成した。
次に、青色有機発光層上に、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、厚さ１０ｎｍの正孔防止層を形成した。次に、正孔防止層上に、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
この後、電子注入層上に、半透明電極からなる第二電極を形成した。
まず、金属蒸着用チャンバーに、前記の各部位が形成されたガラス基板を固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極のストライプと対向する向きに幅３０μｍ、ピッチ５０μｍのストライプ状に、第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）とガラス基板をアライメントし、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀を、それぞれの蒸着速度を０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、電子注入層上に、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀を、所望のパターンで形成した。
さらに、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、真空蒸着法により、銀を、蒸着速度を１Å／ｓｅｃとし、蒸着することにより、マグネシウム銀上に、厚さ１９ｎｍの銀を、所望のパターンで形成した。これにより、第二電極を形成した。
ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層および散乱体層に伝搬させることが可能となる。また、マイクロキャビティ効果により、発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、膜厚３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。
以上により、青色有機ＥＬ素子を備えた青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
次に、青色有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板３３０とを、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板３３０には熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、８０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。
最後に、周辺に形成した端子を外部電源に接続し、有機ＥＬ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色有機ＥＬ素子を任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層３３４で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層３３５で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層３３６に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁３３３で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜３３８で光取出し方向へ取り出しているので、有機ＥＬ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
なお、本実験例では、波長選択反射膜３３８として、誘電体多層膜を例示したが、波長選択反射膜３３８は、これに限定されるものではない。波長選択反射膜３３８としては、例えば、金属薄膜や金属薄膜ガラス、石英等からなる無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、波長選択反射膜３３８の形成方法としては、ＥＢ蒸着法以外に、例えば、スクリーン印刷法、抵抗加熱蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法等が用いられる。
［実験例１２］
（青色有機ＥＬ＋蛍光体方式の実施例）
「蛍光体基板の作製」
基板として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板の一方の面の全面に、スピンコート法により、ネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて３０分焼成し、膜厚１０μｍの光透過膜を形成した。
次に、その光透過膜に、基板上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、基板側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光透過部を形成した。なお、光透過部において、基板の一方の面に接している部分の幅を１０μｍ、上面（基板の一方の面に接している面とは反対側の面）の幅を９μｍとした。
次に、光透過部の表面に、真空蒸着法により、銀を膜厚１００ｎｍでパターン形成し、光不透過部を得た。次に、光不透過部がパターニングされた基板の一方の面全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。次に、その塗膜に、障壁の幅が２５μｍ、障壁のピッチが１００μｍとなる３行×３列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁を、基板側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。次に、障壁によって区画された領域に、膜厚１０μｍの赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色散乱体層をパターン形成した。
次に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層と、障壁および構造物とによって生じる蛍光体基板の表面高さの不釣り合いを最小限に抑えるために、基板の一方の面の全面に、スピンコート法により、厚さ２０μｍとなるようにアクリル樹脂を塗布し、１２０℃にて３０分加熱することにより、平坦化層を形成した。次に、平坦化層上に、ＥＢ蒸着法により、酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率＝１．４７）を交互に６層成膜して、膜厚２μｍの波長選択反射膜を形成し、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層がパターン形成された蛍光体基板を得た。
なお、波長選択反射膜を、青色励起光を８０％以上透過し、赤色蛍光および緑色蛍光を９５％以上反射するように設計した。
「青色有機ＥＬ素子基板の作製」
次に、光源として用いる青色有機ＥＬ素子基板の作製方法について説明する。
厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍとなるように、銀を成膜して反射膜とし、続いて、反射膜の上に、スパッタリング法により、膜厚２０ｎｍとなるように、インジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）を成膜し、銀とＩＴＯとの積層膜からなる第一電極として反射電極（陽極）を形成した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極を、幅が３０μｍ、ピッチが５０μｍとなるようにストライプ状にパターニングした。
次に、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚２００ｎｍとなるように、ＳｉＯ２をスパッタリング法により２００ｎｍ積層した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うように、ＳｉＯ２をパターニングし、エッジカバーを形成した。ここでは、第一電極の端から２μｍ分だけ短辺側をＳｉＯ２で覆う構造とした。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。
次に、このガラス基板を、抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０－４Ｐａ以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機ＥＬ層を抵抗加熱蒸着法により形成した。まず、正孔注入材料として、１，１－ビス－ジ－４－トリルアミノ－フェニル－シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＮＰＤ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、厚さ３０ｎｍの青色有機発光層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、１，４－ビス－トリフェニルシリル－ベンゼン（ＵＧＨ－２）（ホスト材料）とビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）を、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、この青色有機発光層を形成した。
次に、青色有機発光層上に、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、厚さ１０ｎｍの正孔防止層を形成した。次に、正孔防止層上に、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
この後、電子注入層上に、半透明電極からなる第二電極を形成した。
まず、金属蒸着用チャンバーに、前記の各部位が形成されたガラス基板を固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極のストライプと対向する向きに幅３０μｍ、ピッチ５０μｍのストライプ状に、第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）とガラス基板をアライメントし、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀を、それぞれの蒸着速度を０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、電子注入層上に、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀を、所望のパターンで形成した。
さらに、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、真空蒸着法により、銀を、蒸着速度を１Å／ｓｅｃとし、蒸着することにより、マグネシウム銀上に、厚さ１９ｎｍの銀を、所望のパターンで形成した。これにより、第二電極を形成した。
ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層および散乱体層に伝搬させることが可能となる。また、マイクロキャビティ効果により、発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、膜厚３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。
以上により、青色有機ＥＬ素子を備えた青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
次に、青色有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板とを、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、８０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。
最後に、周辺に形成した端子を外部電源に接続し、有機ＥＬ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色有機ＥＬ素子を任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜で光取出し方向へ取り出しているので、有機ＥＬ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
［実験例１３］
図５０は、実験例１３の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＬ－Ｌ線に沿う断面図である。
「蛍光体基板の作製」
基板３４１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。次に、基板３４１の一方の面３４１ａの全面に、スピンコート法により、中空粒子を含有したアクリル樹脂を全面に塗布した。その後、２００℃にて１時間焼成し、膜厚１μｍの低屈折率層３４２（ｎ＝１．２１）を形成した。
次に、低屈折率層３４２上に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１μｍの遮光膜を形成した。
次に、その遮光膜に、基板３４１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、遮光膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、２２０℃にて１時間焼成することにより、幅３０μｍの遮光層３４３をパターン形成した。次に、基板３４１の一方の面３４１ａの全面に、スピンコート法により、ネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて３０分焼成し、膜厚１０μｍの光透過膜を形成した。
次に、その光透過膜に、基板３４１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、遮光層３４３上に、基板３４１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光透過部３４４をパターン形成した。なお、光透過部３４４において、基板３４１の一方の面３４１ａ側の部分の幅を１０μｍ、上面（基板３４１の一方の面３４１ａ側の面とは反対側の面）３４４ａの幅を９μｍとした。
次に、光透過部３４４の表面に、真空蒸着法により、銀を膜厚１００ｎｍでパターン形成し、光不透過部３４５を得た。
次に、光不透過部３４５がパターニングされた基板３４１の一方の面３４１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。次に、その塗膜に、障壁３４６の幅が２５μｍ、障壁３４６のピッチが１００μｍとなる３行×３列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁３４６を、基板３４１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、障壁３４６によって区画された領域に、膜厚１０μｍの赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８、青色散乱体層３４９をパターン形成した。
次に、赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８および青色散乱体層３４９と、障壁３４６および構造物とによって生じる蛍光体基板３４０の表面高さの不釣り合いを最小限に抑えるために、基板３４１の一方の面３４１ａの全面に、スピンコート法により、厚さ２０μｍとなるようにアクリル樹脂を塗布し、１２０℃にて３０分加熱することにより、平坦化層３５０を形成した。
次に、平坦化層３５０上に、スピンコート法により中空粒子を含有したアクリル樹脂を全面に塗布し、２００℃にて１時間焼成することにより、膜厚１μｍの低屈折率層(ｎ＝１．２１) ３５１を形成した。
次に、低屈折率層３５１上に、ＥＢ蒸着法により、酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率＝１．４７）を交互に６層成膜して、膜厚２μｍの波長選択反射膜３５２を形成し、赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８および青色散乱体層３４９がパターン形成された蛍光体基板３４０を得た。なお、波長選択反射膜３５２を、青色励起光を８０％以上透過し、赤色蛍光および緑色蛍光を９５％以上反射するように設計した。
「青色有機ＥＬ素子基板の作製」
次に、光源として用いる青色有機ＥＬ素子基板の作製方法について説明する。
厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍとなるように、銀を成膜して反射膜とし、続いて、反射膜の上に、スパッタリング法により、膜厚２０ｎｍとなるように、インジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）を成膜し、銀とＩＴＯとの積層膜からなる第一電極として反射電極（陽極）を形成した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極を、幅が３０μｍ、ピッチが５０μｍとなるようにストライプ状にパターニングした。
次に、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚２００ｎｍとなるように、ＳｉＯ２を積層した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うように、ＳｉＯ２をパターニングし、エッジカバーを形成した。ここでは、第一電極の端から２μｍ分だけ短辺側をＳｉＯ２で覆う構造とした。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。
次に、このガラス基板を、抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０－４Ｐａ以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機ＥＬ層を抵抗加熱蒸着法により形成した。まず、正孔注入材料として、１，１－ビス－ジ－４－トリルアミノ－フェニル－シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＮＰＤ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、厚さ３０ｎｍの青色有機発光層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、１，４－ビス－トリフェニルシリル－ベンゼン（ＵＧＨ－２）（ホスト材料）とビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）を、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、この青色有機発光層を形成した。
次に、青色有機発光層上に、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、厚さ１０ｎｍの正孔防止層を形成した。次に、正孔防止層上に、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
この後、電子注入層上に、半透明電極からなる第二電極を形成した。
まず、金属蒸着用チャンバーに、前記の各部位が形成されたガラス基板を固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極のストライプと対向する向きに幅３０μｍ、ピッチ５０μｍのストライプ状に、第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）とガラス基板をアライメントし、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀を、それぞれの蒸着速度を０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、電子注入層上に、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀を、所望のパターンで形成した。
さらに、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、真空蒸着法により、銀を、蒸着速度を１Å／ｓｅｃとし、蒸着することにより、マグネシウム銀上に、厚さ１９ｎｍの銀を、所望のパターンで形成した。これにより、第二電極を形成した。
ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層および散乱体層に伝搬させることが可能となる。また、マイクロキャビティ効果により、発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、膜厚３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。
以上により、青色有機ＥＬ素子を備えた青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
次に、青色有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板とを、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、８０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。
最後に、周辺に形成した端子を外部電源に接続し、有機ＥＬ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色有機ＥＬ素子を任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層３４７で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層３４８で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層３４９に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８および青色散乱体層３４９からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁３４６で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８および青色散乱体層３４９からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜３５２で光取出し方向へ取り出しているので、有機ＥＬ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
さらに、本実験例では、蛍光体層を低屈折率層で挟んでいるので波長選択反射膜３５２で蛍光が複数回反射することによる損失を低減できるため、実験例１２よりもさらに光取出し効率を高めることができた。また、実験例１２では、外光が障壁３４６によって散乱して明室コントラストを下げていたのに対し、本実験例では、障壁３４６と基板３４１の間には遮光層３４３が設けられているため、外光が遮光層３４３で吸収され、明室コントラストを向上させることができた。なお、本実施例では、低屈折率層として中空粒子を用いた層を形成したが、本発明はこれに限定されず、低屈折率層としては、フッ素樹脂等の単一樹脂層でもよいし、エアロゲル等を用いてもよい。また、屈折率は低ければ低いほど好ましいので、低屈折率層として気体を用いてもよい。
［実験例１４］
（アクティブ駆動型青色有機ＥＬ＋蛍光体方式の実施例）
「蛍光体基板の作製」
実験例９と同様にして、蛍光体基板を作製した。
「アクティブ駆動型青色有機ＥＬ素子基板の作製」
図３０に示すようなアクティブ駆動型青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
基板として、厚さ０．７ｍｍ、１００ｍｍ×１００ｍｍ角のガラス基板を用い、このガラス基板上に、ＰＥＣＶＤ法により、アモルファスシリコン半導体膜を形成した。次に、アモルファスシリコン半導体膜の結晶化処理を施すことにより、多結晶シリコン半導体膜を形成した。次に、フォトリソグラフィー法により、多結晶シリコン半導体膜を複数の島状にパターニングした。続いて、パターニングした多結晶シリコン半導体層上に、ゲート絶縁膜およびゲート電極層をこの順番で形成し、フォトリソグラフィー法により、パターニングを行った。
次に、パターニングした多結晶シリコン半導体膜にリン等の不純物元素をドーピングすることにより、ソース領域およびドレイン領域を形成し、ＴＦＴ素子を作製した。その後、平坦化膜を形成した。平坦化膜としては、ＰＥＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜、スピンコート法により形成したアクリル系樹脂層を、この順で積層し、形成した。
まず、窒化シリコン膜を形成した後、窒化シリコン膜とゲート絶縁膜とを一括してエッチングすることにより、ソース領域および／またはドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、続いて、ソース配線を形成した。その後、アクリル系樹脂層を形成し、ゲート絶縁膜および窒化シリコン膜に穿設したドレイン領域のコンタクトホールと同じ位置に、ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、続いて、ソース配線を形成した。
その後、アクリル系樹脂層を形成し、ゲート絶縁膜および窒化シリコン膜に穿設したドレイン領域のコンタクトホールと同じ位置に、ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、アクティブマトリクス基板を得た。
平坦化膜としての機能は、アクリル系樹脂層で実現される。
なお、ＴＦＴ素子のゲート電位を定電位にするためのコンデンサーは、スイッチング用ＴＦＴ素子のドレインと、駆動用ＴＦＴ素子のソースとの間に、層間絶縁膜等の絶縁膜を介することで形成した。アクティブマトリクス基板上に、平坦化膜を貫通して駆動用ＴＦＴ素子と、赤色発光有機ＥＬ素子の第一電極、緑色発光有機ＥＬ素子の第一電極、青色発光有機ＥＬ素子の第一電極とをそれぞれ電気的に接続するコンタクトホールを設けた。
次に、各画素を駆動するためのＴＦＴ素子と接続した平坦化膜を貫通して設けられたコンタクトホールに電気的に接続するように、スパッタリング法により、各画素の第一電極（陽極）を形成した。
第一電極は、スパッタリング法により、反射電極Ａｌ（アルミニウム）を１５０ｎｍと透明電極ＩＺＯ（酸化インジウム－酸化亜鉛）を２０ｎｍの膜厚で積層して形成し、各画素に対応した形状に、従来のフォトリソグラフィー法により、パターニングを行った。ここでは、第一電極の面積を、７０μｍ×７０μｍとした。また、１００ｍｍ×１００ｍｍ角の基板に対して、表示部は８０ｍｍ×８０ｍｍであり、表示部の上下左右に幅２ｍｍの封止エリアを設け、短辺側にはさらに封止エリアの外にそれぞれ２ｍｍの端子取出し部を設けた。長辺側には、折り曲げを行う方に、２ｍｍの端子取出し部を設けた。
次に、第一電極のＳｉＯ２を、スパッタリング法により、２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部を覆うように、パターニングした。ここでは、第一電極の端から２μｍ分だけ４辺をＳｉＯ２で覆う構造とし、エッジカバーとした。
次に、上記のアクティブマトリクス基板を洗浄した。アクティブマトリクス基板の洗浄では、例えば、アセトン、イソプロピルアルコールを用いて超音波洗浄を１０分間行い、次に、ＵＶ－オゾン洗浄を３０分間行った。
次に、この基板を、インライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０－４Ｐａ以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機層を抵抗加熱蒸着法により形成した。まず、正孔注入材料として、１，１－ビス－ジ－４－トリルアミノ－フェニル－シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－ｌ-ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＮＰＤ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、厚さ３０ｎｍの青色有機発光層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、１，４－ビス－トリフェニルシリル－ベンゼン（ＵＧＨ－２）（ホスト材料）とビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート　イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）を、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、この青色有機発光層を形成した。
次に、青色有機発光層上に、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、厚さ１０ｎｍの正孔防止層を形成した。次に、正孔防止層上に、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
この後、電子注入層上に、半透明電極からなる第二電極を形成した。
まず、金属蒸着用チャンバーに、前記の各部位が形成されたガラス基板を固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極のストライプと対向する向きに幅２ｍｍのストライプ状に、第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）とガラス基板をアライメントし、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀を、それぞれの蒸着速度を０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、電子注入層上に、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀を、所望のパターンで形成した。
さらに、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、真空蒸着法により、銀を、蒸着速度を１Å／ｓｅｃとし、蒸着することにより、マグネシウム銀上に、厚さ１９ｎｍの銀を、所望のパターンで形成した。これにより、第二電極を形成した。
ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層および散乱体層に伝搬させることが可能となる。また、マイクロキャビティ効果により、発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、膜厚３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。以上により、青色有機ＥＬ素子を備えたアクティブ駆動型青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
次に、アクティブ駆動型青色有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板とを、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、９０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。
次に、光取り出し側の基板に、偏光板を貼り合わせた。
最後に、短辺側に形成した端子を、ソースドライバを介して電源回路に、長辺側に形成した端子を、ゲートドライバを介して外部電源に接続し、８０ｍｍ×８０ｍｍ角の表示部を持つアクティブ駆動型青色有機ＥＬ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色有機ＥＬ素子を任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜で光取出し方向へ取り出しているので、アクティブ駆動型青色有機ＥＬ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
［実験例１５］
（青色ＬＥＤ＋蛍光体方式の実施例）
「蛍光体基板の作製」
実験例９と同様にして、蛍光体基板を作製した。
「青色ＬＥＤ基板の作製」
ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ３とを用い、反応容器にセットしたサファイア基板のＣ面に５５０℃でＧａＮからなるバッファ層を、膜厚６０ｎｍで成長させた。次に、温度を１０５０℃まで上げ、ＴＭＧ、ＮＨ３に加えてＳｉＨ４ガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を、膜厚５μｍで成長させた。続いて、原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え、同じく１０５０℃でＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層からなる第２のクラッド層を、膜厚０．２μｍで成長させた。
次に、温度を８５０℃に下げ、ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＮＨ３およびＳｉＨ４を用い、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなる第一のｎ型クラッド層を、膜厚６０ｎｍで成長させた。
続いて、ＴＭＧ、ＴＭＩおよびＮＨ３を用い、８５０℃でノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなる活性層を、膜厚５ｎｍで成長させた。
さらに、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＮＨ３に加えて、新たにＣＰＭｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、８５０℃でＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなる第一のｐ型クラッド層を、膜厚６０ｎｍで成長させた。
次に、温度を１１００℃に上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ３、ＣＰＭｇを用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる第二のｐ型クラッド層を、膜厚１５０ｎｍで成長させた。
続いて、１１００℃でＴＭＧ、ＮＨ３およびＣＰＭｇを用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層を、膜厚６００ｎｍで成長させた。
以上の操作終了後、温度を室温まで下げて、反応容器からウェーハを取り出し、７２０℃でウェーハのアニーリングを行い、ｐ型層を低抵抗化した。
次に、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｎ型コンタクト層の表面が露出するまでエッチングした。
エッチング後、ｎ型コンタクト層の表面にチタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）からなる負電極、ｐ型コンタクト層の表面に、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）からなる正電極を形成した。
電極形成後、ウェーハを３５０μｍ角のチップに分離した後、別に用意してある外部回路に接続するための配線が形成されている基板上に、作製したＬＥＤチップをＵＶ硬化樹脂で固定して、ＬＥＤチップと基板上の配線を電気的に接続し、青色ＬＥＤからなる光源基板（青色ＬＥＤ基板）を作製した。
次に、以上のようにして作製した光源基板と蛍光体基板を、表示部の外に形成されているアライメントマーカーにより位置合わせを行った。
なお、蛍光体基板には、予め熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、８０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、ドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。最後に、周辺に形成されている端子を外部電源に接続することにより、青色ＬＥＤ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色ＬＥＤを任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜で光取出し方向へ取り出しているので、青色ＬＥＤ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
本発明は、隣接する画素間における発光にじみを防止するとともに、光の取り出し効率に優れる障壁を備えた蛍光体基板により、クロストークを防いで、高画質な表示装置および照明装置を提供することができる。
１０　蛍光体基板
１１　基板
１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ　蛍光体層
１３　障壁
１４　光不透過部
１５　光透過部
１６　光反射部
１７　光吸収部
２１　光吸収部
２２　光反射部
３０　表示装置
３１　接着層
３２　光源基板
３３　基板
３４　光源
４０　ＬＥＤ基板
４１　基板
４２　第一のバッファ層
４３　ｎ型コンタクト層
４４　第二のｎ型クラッド層
４５　第一のｎ型クラッド層
４６　活性層
４７　第一のｐ型クラッド層
４８　第二のｐ型クラッド層
４９　第二のバッファ層
５０　陰極
５１　陽極
６０　有機ＥＬ素子基板
６１　基板
６２　有機ＥＬ素子
６３　第一電極
６４　有機ＥＬ層
６５　第二電極
６６　正孔注入層
６７　正孔輸送層
６８　有機発光層
６９　正孔防止層
７０　電子輸送層
７１　電子注入層
８１　スイッチング用ＴＦＴ
８２　駆動用ＴＦＴ
８３　発光部
９０　表示装置
９１　画素部
９２　ゲート信号側駆動回路
９３　データ信号側駆動回路
９４　信号配線
９５　電流供給線
９６　フレキシブルプリント配線板
９７　外部駆動回路
１００　有機ＥＬ素子基板
１１０　有機ＥＬ層
１２０　基板
１３０　ＴＦＴ
１３１　ゲート電極
１３２　ゲート線
１３３　ゲート絶縁膜
１３４　ソース電極
１３５　ドレイン電極
１３６　データ線
１３７　平坦化膜
１３８　コンタクトホール
１５０　無機ＥＬ素子基板
１５１　基板
１５２　無機ＥＬ素子
１５３　第一電極
１５４　第一誘電体層
１５５　発光層
１５６　第二誘電体層
１５７　第二電極
１６０　シーリングライト（照明装置）
１６１　発光部
１６２　吊下線
１６３　電源コード
１７０　照明スタンド（照明装置）
１７１　発光部
１７２　スタンド
１７３　メインスイッチ
１７４　電源コード
１８０　携帯電話
１８１　音声入力部
１８２　音声出力部
１８３　アンテナ
１８４　操作スイッチ
１８５　表示部
１８６　筐体
１９０　薄型テレビ
１９１　表示部
１９２　スピーカ
１９３　キャビネット
１９４　スタンド
２００　携帯型ゲーム機
２０１，２０２　操作ボタン
２０３　外部接続端子
２０４　表示部
２０５　筐体
２１０　ノートパソコン
２１１　表示部
２１２　キーボード
２１３　タッチパッド
２１４　メインスイッチ
２１５　カメラ
２１６　記録媒体スロット
２１７　筐体
２２０　タブレット端末
２２１　表示部（タッチパネル）
２２２　カメラ
２２３　筐体

Claims (14)

  1. 基板と、前記基板上に設けられ、励起光源から入射した励起光により蛍光を生じる蛍光体層と、前記蛍光体層の側面を囲む障壁と、を備え、
    前記障壁の前記蛍光体層と接する側面のうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有し、前記障壁の一部に光不透過部が設けられていることを特徴とする蛍光体基板。
  2. 前記障壁の内部に光不透過部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体基板。
  3. 前記光不透過部は、光吸収部および／または光反射部からなることを特徴とする請求項１または２に記載の蛍光体基板。
  4. 前記光不透過部は、テーパー形状をなしていることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の蛍光体基板。
  5. 前記光不透過部の高さは、前記蛍光体層の膜厚以上であることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の蛍光体基板。
  6. 前記障壁は、光散乱性粒子または光反射性粒子を含有することを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の蛍光体基板。
  7. 請求項１～６のいずれか１項に記載の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、を備えたことを特徴とする表示装置。
  8. 赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、
    前記光源から前記励起光としての紫外光が射出され、
    前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層が設けられたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  9. 赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、
    前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、
    前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素に前記青色光を散乱させる散乱層が設けられたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  10. 前記光源は、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を備えたアクティブマトリクス駆動方式の光源であることを特徴とする請求項８または９に記載の表示装置。
  11. 前記光源は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであることを特徴とする請求項７～１０のいずれか１項に記載の表示装置。
  12. 前記光源は、光射出面から光を射出する面状光源であり、
    前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられたことを特徴とする請求項７～１１のいずれか１項に記載の表示装置。
  13. 前記光源は、指向性を有することを特徴とする請求項７～１２のいずれか１項に記載の表示装置。
  14. 請求項１～６のいずれか１項に蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、を備えたことを特徴とする記載の照明装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104049374A (zh) * 2014-07-05 2014-09-17 福州大学 一种可实现面发光的led屏及其裸眼立体显示装置
CN108281469A (zh) * 2018-01-29 2018-07-13 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN110888265A (zh) * 2018-09-11 2020-03-17 三星显示有限公司 电子装置
CN113451489A (zh) * 2020-08-12 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板及电子设备

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6843146B2 (ja) * 2016-09-30 2021-03-17 富士フイルム株式会社 構造体、カラーフィルタ、固体撮像素子、画像表示装置、構造体の製造方法および有機物層形成用組成物
KR102613757B1 (ko) * 2016-10-06 2023-12-14 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP2019102664A (ja) * 2017-12-04 2019-06-24 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄ表示パネルの製造方法
KR102572718B1 (ko) * 2018-09-14 2023-08-31 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
CN113491018A (zh) * 2019-02-26 2021-10-08 凸版印刷株式会社 波长选择滤光器、波长选择滤光器的制造方法及显示装置
JP7369338B2 (ja) * 2020-04-28 2023-10-26 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 ブラックマトリクス基板及びこれを備えた表示装置
WO2023181142A1 (ja) * 2022-03-23 2023-09-28 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子及び表示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006022123A1 (ja) * 2004-08-26 2006-03-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ表示装置
WO2009031571A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Sony Corporation 光抽出素子、光抽出素子の製造方法および表示装置
JP2010250259A (ja) * 2009-03-27 2010-11-04 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP2011233269A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Panasonic Electric Works Co Ltd 照明装置
WO2012043611A1 (ja) * 2010-09-30 2012-04-05 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置、及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006022123A1 (ja) * 2004-08-26 2006-03-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ表示装置
WO2009031571A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Sony Corporation 光抽出素子、光抽出素子の製造方法および表示装置
JP2010250259A (ja) * 2009-03-27 2010-11-04 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP2011233269A (ja) * 2010-04-23 2011-11-17 Panasonic Electric Works Co Ltd 照明装置
WO2012043611A1 (ja) * 2010-09-30 2012-04-05 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置、及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104049374A (zh) * 2014-07-05 2014-09-17 福州大学 一种可实现面发光的led屏及其裸眼立体显示装置
CN108281469A (zh) * 2018-01-29 2018-07-13 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN108281469B (zh) * 2018-01-29 2020-08-25 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN110888265A (zh) * 2018-09-11 2020-03-17 三星显示有限公司 电子装置
CN113451489A (zh) * 2020-08-12 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板及电子设备

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