WO2012090786A1 - 発光デバイス、表示装置、及び照明装置 - Google Patents

発光デバイス、表示装置、及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012090786A1
WO2012090786A1 PCT/JP2011/079490 JP2011079490W WO2012090786A1 WO 2012090786 A1 WO2012090786 A1 WO 2012090786A1 JP 2011079490 W JP2011079490 W JP 2011079490W WO 2012090786 A1 WO2012090786 A1 WO 2012090786A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
substrate
light
excitation light
phosphor layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/079490
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
別所　久徳
壮史 石田
悦昌 藤田
勇毅 小林
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US13/997,650 priority Critical patent/US9117977B2/en
Publication of WO2012090786A1 publication Critical patent/WO2012090786A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Definitions

  • the present invention relates to a light-emitting device, a display device, and a lighting device that include a phosphor layer that emits fluorescence by excitation light.
  • the need for flat panel displays has increased with the advancement of information technology in society.
  • the flat panel display include a non-self-luminous liquid crystal display (LCD), a self-luminous plasma display (PDP), an inorganic electroluminescence (inorganic EL) display, and organic electroluminescence (hereinafter, “organic EL”). Or a display or the like.
  • organic EL displays are particularly attracting attention because they can emit light.
  • a technique for displaying a moving picture by simple matrix driving or a technique for displaying a moving picture by active matrix driving using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) is known.
  • TFT thin film transistor
  • a conventional organic EL display pixels emitting red light, green light, and blue light are juxtaposed as one unit, and various colors including white are generated to perform full color display.
  • the substrate size is increasing from the so-called G6 generation (1800 mm ⁇ 1500 mm) to G8 generation (2460 mm ⁇ 2160 mm) and G10 generation (3050 mm ⁇ 2850 mm).
  • G6 generation 1800 mm ⁇ 1500 mm
  • G8 generation (2460 mm ⁇ 2160 mm
  • G10 generation (3050 mm ⁇ 2850 mm).
  • a mask equivalent to or larger than the substrate size is required. Therefore, it is necessary to manufacture and process a mask corresponding to a large substrate.
  • the base material of the mask is composed of a very thin metal (general film thickness: 50 nm to 100 nm), it is difficult to manufacture and process a mask corresponding to a large substrate.
  • a reduction in mask processing accuracy or a reduction in alignment accuracy between the mask and the substrate occurs, light emission color mixing between pixels is caused by mixing different light emitting layer materials.
  • the area of the pixels is determined, the area of the light emitting portion is reduced. That is, it leads to a decrease in the aperture ratio of the pixel, resulting in a decrease in luminance of the organic EL element, an increase in power consumption, and a decrease in life.
  • the vapor deposition source is disposed below the substrate, and the organic material is vapor-deposited from below to above to form an organic layer. Therefore, as the substrate and the mask are increased in size, the mask is bent at the center. Such bending of the mask also causes the above-described mixed color of light emission. In an extreme case, a portion where the organic layer is not formed is formed, and leakage of the upper and lower electrodes occurs. In the conventional manufacturing method, the mask is deteriorated and cannot be used after a predetermined number of times of use. Therefore, an increase in the size of the mask leads to an increase in the manufacturing cost of the display.
  • an organic EL material part that emits light from a blue region to a blue-green region, an organic EL material unit that emits light in an ultraviolet region, and a blue region to a blue-green region from the organic EL material unit.
  • Fluorescent material part that emits red light using excitation light as light
  • fluorescent material part that emits green light using light from blue to blue-green light as excitation light
  • blue light that emits light from ultraviolet light as excitation light
  • an EL element including a fluorescent material portion see, for example, Patent Document 1. This EL element can be easily manufactured as compared with the above-described organic EL element of the separate coating method, and is superior in cost.
  • One embodiment of the present invention has been made in view of the above circumstances, and a light-emitting device, a display device, and an illumination device that can efficiently emit fluorescence emitted from a phosphor layer toward the outside and emit light with high luminance
  • An object is to provide an apparatus.
  • the light-emitting device includes an excitation light source element that emits excitation light, a substrate that faces the excitation light source element, and a phosphor that is excited by the excitation light to emit fluorescence and is positioned on the substrate A layer, an optical reflector provided on a side surface of the phosphor layer parallel to a stacking direction of the substrate and the phosphor layer, and provided between the phosphor layer and the substrate, and refracted more than the substrate.
  • a low-refractive-index material layer having a low refractive index.
  • a wavelength configured to transmit at least excitation light in a peak wavelength region in the wavelength range of the excitation light and reflect at least fluorescence in the peak wavelength region in the wavelength range of the fluorescence emitted from the phosphor layer.
  • the phosphor layer may have an excitation light incident surface facing the excitation light source element, and the wavelength selection layer may be provided on the incident surface.
  • the phosphor layer is divided into a plurality of predetermined regions, and the low refractive index material layer is provided between each of the divided plurality of phosphor layers and the second substrate. It may be.
  • a light absorption layer may be provided between the phosphor layers adjacent to each other.
  • the light absorption layer may be disposed between the low refractive index material layer and the substrate.
  • the surface of the light absorption layer facing the phosphor layer may be covered with the low refractive index material layer.
  • the low refractive index material layer is configured such that a critical angle of incident light incident from the phosphor layer toward the low refractive index material layer is smaller than a critical angle of outgoing light emitted from the second substrate to the outside. May have a large refractive index.
  • the substrate may be curved so that at least an end of the substrate approaches the excitation light source element.
  • a display device includes the light emitting device.
  • the excitation light source element emits excitation light in an ultraviolet wavelength range
  • the phosphor layer includes a red phosphor layer that constitutes a red pixel that emits red light by the excitation light, and a green pixel that emits green light by the excitation light. And a blue phosphor layer constituting a blue pixel that emits blue light by the excitation light.
  • the excitation light source element emits blue excitation light
  • the phosphor layer constitutes a red phosphor layer that constitutes a red pixel that emits red light by the excitation light, and a green pixel that emits green light by the excitation light.
  • a green phosphor layer, and a scattering layer constituting a blue pixel that scatters the excitation light.
  • an active matrix drive element that drives the excitation light source element may be arranged.
  • the fluorescence may be emitted from the substrate to the outside.
  • the excitation light source element may be composed of any one of a light emitting diode, an organic electroluminescence element, and an inorganic electroluminescence element.
  • a liquid crystal element capable of controlling the transmittance of the excitation light may be provided between the excitation light source element and the substrate, and the excitation light source element may form a planar light source.
  • a lighting device includes the light emitting device described in each of the above items.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a light-emitting device according to the first embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 10 includes a first substrate 11 and an excitation light source element 13 formed on the one surface 11 a side of the substrate 11. Further, it is preferable that an active drive element 19 is further formed between the one surface 11 a of the first substrate 11 and the excitation light source element 13.
  • the active drive element 19 is an element that drives the excitation light source element 13, and may be, for example, a TFT.
  • the second substrate 12 is formed through the sealing layer 14 so as to face the first substrate 11.
  • a low refractive index material layer 15 is formed on the one surface 12 a side of the second substrate 12.
  • a phosphor layer 16 is formed on the low refractive index material layer 15.
  • the phosphor layer 16 may be divided into a plurality of predetermined areas, for example, for each pixel unit.
  • the phosphor layer 16 is excited by the excitation light E emitted from the excitation light source element 13 and emits fluorescence F.
  • the phosphor layer 16 is a phosphor layer of three primary colors of a blue phosphor layer, a green phosphor layer, and a red phosphor layer. You may comprise so that it may comprise.
  • a light absorption layer 17 is formed between the phosphor layers 16, 16.
  • the light absorption layer 17 is formed so as to spread between the plurality of divided phosphor layers 16 and the second substrate 12.
  • An optical reflector 18 is formed on the side surface of the phosphor layer 16 along the stacking direction L of the first substrate 11 and the second substrate 12.
  • the excitation light source element 13 may be composed of, for example, a light emitting diode, an organic electroluminescence element (organic EL element), or an inorganic electroluminescence element (inorganic EL element).
  • the excitation light source element 13 irradiates the phosphor layer 16 with excitation light.
  • Excitation light E emitted from the excitation light source element 13 excites the phosphor layer 16.
  • the excitation light source element 13 may emit, for example, light in the ultraviolet wavelength region or excitation light in the blue wavelength region.
  • the low refractive index material layer 15 is made of a material having a refractive index smaller than that of the second substrate 12.
  • the critical angle of incident light (fluorescence) incident from the phosphor layer 16 toward the low refractive index material layer 15 is smaller than the critical angle of outgoing light (fluorescence) emitted from the second substrate to the outside.
  • a material having a refractive index is preferable.
  • excitation light E emitted from the excitation light source element 13 enters the phosphor layer 16 and excites the phosphor layer 16. Then, fluorescence F is emitted from the phosphor layer 16. The fluorescence F emitted from the phosphor layer 16 is emitted from the second substrate 12 to the outside through the low refractive index material layer 15.
  • the low refractive index material layer 15 is made of a material having a refractive index smaller than that of the second substrate 12. Therefore, as compared with the conventional configuration not including the low refractive index material layer 15, the fluorescence F emitted from the phosphor layer 16 is reflected on the surface of the second substrate 12 when entering the second substrate 12. Light that becomes loss (loss) such as returning to the phosphor layer 16 is reduced. As a result, it is possible to realize an increase in the amount of emitted fluorescence F and a reduction in power consumption.
  • the incident angle at which the fluorescence F emitted from the phosphor layer 16 can enter the second substrate 12 is controlled by the low refractive index material layer 15 as compared with the conventional configuration not including the low refractive index material layer 15. It becomes possible. That is, the incident angle at which the fluorescence F emitted from the phosphor layer 16 can enter the second substrate 12 from the low refractive index material layer 15 can be controlled. Thereby, it is possible to reduce the fluorescence F totally reflected at the interface between the second substrate 12 and the outside, and to reduce display blur and blur.
  • an optical reflector 18 is formed on the side surface of the phosphor layer 16 along the stacking direction L of the first substrate 11 and the second substrate 12. Thereby, a part of the fluorescence F emitted toward the side surface of the phosphor layer 16 is also reflected toward the second substrate 12 by the optical reflector 18, so that the amount of the emitted fluorescence F is further increased. Increase can be achieved.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of an organic EL element.
  • the organic EL element (excitation light source element) 20 includes a first electrode (anode) 22 and a second electrode (cathode) 23 stacked on one surface 21 a of the first substrate 21, and the first electrode 22 and the second electrode 23. And an organic layer (organic EL layer) 24 disposed therebetween.
  • the organic layer (organic EL layer) 24 includes a hole injection layer 24a, a hole transport layer 24b, an organic light emitting layer 24c, a hole prevention layer 24d, an electron transport layer 24e, and an electron stacked in order from the side in contact with the first electrode 22. It is composed of an injection layer 24 f and edge covers 24 g formed on both sides of the first electrode 22.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of an inorganic EL element.
  • the inorganic EL element (excitation light source element) 30 includes a first electrode 32, a first dielectric layer (insulating layer) 33, an inorganic light emitting layer 34, and a second dielectric layer (insulating) stacked on one surface 31a of the first substrate 31. Layer) 35 and a second electrode 36.
  • the inorganic light emitting layer 34 emits, for example, ultraviolet light or blue light. Emits excitation light. By irradiating the excitation light toward the phosphor layer 16 (see FIG. 1), fluorescence can be emitted from the phosphor layer 16.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of an LED.
  • the LED (excitation light source element) 40 includes a buffer layer 42 and an n-type contact layer 43 stacked on one surface 41 a of the first substrate 41.
  • a second electrode (cathode) 49b is connected to the n-type contact layer 43.
  • the second n-type cladding layer 44b, the first n-type cladding layer 44a, the active layer 46, the first p-type cladding layer 47a, the second p-type cladding layer 47b, and the buffer layer 48 are stacked on the n-type contact layer 43.
  • a first electrode (anode) 49a are sequentially formed.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a light emitting device according to the second embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 50 includes a first substrate 51 and an excitation light source element 53 formed on the one surface 51 a side of the substrate 51.
  • a second substrate 52 is formed facing the first substrate 51 with a sealing layer 54 interposed therebetween.
  • a low refractive index material layer 55 is formed on the one surface 52 a side of the second substrate 52.
  • a phosphor layer 56 is formed on the low refractive index material layer 55.
  • the phosphor layer 56 may be divided into a plurality of predetermined areas, for example, for each pixel unit.
  • the phosphor layer 56 is excited by the excitation light E emitted from the excitation light source element 53 and emits fluorescence F.
  • the phosphor layer 56 is a phosphor layer of three primary colors of a blue phosphor layer, a green phosphor layer, and a red phosphor layer. You may be comprised from.
  • a light absorption layer 57 is formed between the phosphor layers 56, 56... Adjacent to each other.
  • the light absorption layer 57 may be formed so as to spread between the plurality of divided phosphor layers 56 and the second substrate 52.
  • An optical reflector 58 is formed on the side surface of the phosphor layer 56 along the stacking direction L of the first substrate 51 and the second substrate 52. Further, a wavelength selection layer 59 is formed on the excitation light incident surface 56 a side where the phosphor layer 56 faces the excitation light source element 53. The wavelength selection layer 59 transmits at least the excitation light E in the peak wavelength region in the wavelength range of the excitation light E emitted from the excitation light source element 53 and is excited by the excitation light E to be emitted from the phosphor layer 56. It is an optical functional layer that reflects at least the fluorescence F in the peak wavelength region in the fluorescence F wavelength range.
  • the excitation light E emitted from the excitation light source element 53 enters the phosphor layer 56 via the wavelength selection layer 59 and excites the phosphor layer 56. Since the wavelength selection layer 59 transmits at least the excitation light E in the peak wavelength region in the wavelength range of the excitation light E, the excitation light E can reach the phosphor layer 56. Then, the fluorescence F is emitted from the phosphor layer 56. The fluorescence F emitted from the phosphor layer 56 is emitted from the second substrate 52 to the outside through the low refractive index material layer 55.
  • the low refractive index material layer 55 is made of a material having a refractive index smaller than that of the second substrate 52.
  • the critical angle of incident light (fluorescence F) incident from the phosphor layer 56 toward the low refractive index material layer 55 is emitted light (fluorescence emitted from the second substrate 52 to the outside).
  • the optical reflector 58 on the side surface of the phosphor layer 56 along the stacking direction L of the first substrate 51 and the second substrate 52, the fluorescence F emitted toward the side surface direction of the phosphor layer 56 is obtained. Is also reflected toward the second substrate 52 by the optical reflector 58, so that the amount of emitted fluorescent light F can be further increased.
  • the fluorescence F emitted from the phosphor layer 56 toward the excitation light source element 53 has a low wavelength that reflects at least the fluorescence F in the peak wavelength region. Since the refractive index material layer 55 reflects the light toward the second substrate 52 without returning to the excitation light source element 53, it is possible to further increase the amount of emitted fluorescent light F.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of a light emitting device according to the third embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 80 includes a first substrate 81 and an excitation light source element 83 formed on the one surface 81 a side of the substrate 81.
  • a second substrate 82 is formed opposite to the first substrate 81 with a sealing layer 84 interposed therebetween.
  • a light absorption layer 87 is formed on the one surface 82 a side of the second substrate 82.
  • the light absorption layer 87 is formed so as to be positioned between the phosphor layers 86, 86.
  • a low refractive index material layer 85 is formed so as to cover the light absorption layer 87. That is, the light absorption layer 87 is formed inside the low refractive index material layer 85 so that the surface facing the upper phosphor layer 86 is covered with the low refractive index material layer 85.
  • a phosphor layer 86 is formed on the low refractive index material layer 85 covering the light absorption layer 87.
  • the phosphor layer 86 may be divided into a plurality of parts for each predetermined region, for example, for each pixel unit.
  • the phosphor layer 86 is excited by the excitation light E emitted from the excitation light source element 83 and emits fluorescence F.
  • the phosphor layer 86 is a phosphor layer of three primary colors of a blue phosphor layer, a green phosphor layer, and a red phosphor layer. You may be comprised from.
  • An optical reflector 88 is formed on the side surface of the phosphor layer 86 along the stacking direction L of the first substrate 81 and the second substrate 82. Further, a wavelength selection layer 89 is formed on the excitation light incident surface 83 a side where the phosphor layer 86 faces the excitation light source element 83.
  • the wavelength selection layer 89 transmits at least the excitation light E in the peak wavelength region in the wavelength range of the excitation light E emitted from the excitation light source element 83, and is emitted from the phosphor layer 66 by being excited by the excitation light E. It is an optical functional layer that reflects at least the fluorescence F in the peak wavelength region in the fluorescence F wavelength range.
  • a base for forming the phosphor layer 86 is formed by forming the low refractive index material layer 85 so as to cover the light absorption layers 87, 87... Formed intermittently.
  • the low refractive index material layer 85 serves as a planarizing layer, and the phosphor layer 86 can be accurately formed in a desired shape.
  • FIG. 12A is a schematic cross-sectional view showing an example of a light-emitting device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 200 includes a substrate 202, an excitation light source element 203, a low refractive index material layer 205, a phosphor layer 206, and an optical reflector 208.
  • the light emitting device 200 does not have to have a substrate disposed to face the substrate 202. That is, the excitation light source element 203 does not have to be formed on the substrate disposed to face the substrate 202.
  • the excitation light source element 203 may be fixed to the substrate 202 by a resin layer (not shown).
  • the low refractive index material layer 205 is formed on the substrate 202.
  • the phosphor layer 206 is formed on the low refractive index material layer 205.
  • the excitation light source element 203 may be a light emitting diode, an organic electroluminescence element (organic EL element), or an inorganic electroluminescence element (inorganic EL element).
  • the excitation light source element 203 irradiates the phosphor layer 206 with excitation light.
  • the excitation light source element 203 may emit, for example, light in the ultraviolet wavelength region or excitation light in the blue wavelength region.
  • the number of excitation light source elements 203 may be one or plural.
  • the low refractive index material layer 205 is made of a material having a refractive index smaller than that of the substrate 202.
  • the critical angle of incident light (fluorescence) incident from the phosphor layer 206 toward the low refractive index material layer 205 is smaller than the critical angle of outgoing light (fluorescence) emitted from the second substrate to the outside.
  • a material having a refractive index is preferable.
  • the phosphor layer 206 is excited by the excitation light E emitted from the excitation light source element 203 and emits fluorescence F.
  • the phosphor layer 206 may not be divided.
  • an optical reflector 208 is formed on the side surface of the phosphor layer 206. As a result, part of the fluorescence F emitted toward the side surface of the phosphor layer 206 is also reflected toward the substrate 202 by the optical reflector 208, so that the amount of emitted fluorescence F is increased. Can do.
  • excitation light E emitted from the excitation light source element 203 enters the phosphor layer 206 and excites the phosphor layer 206. Then, fluorescence F is emitted from the phosphor layer 206. The fluorescence F emitted from the phosphor layer 206 is emitted from the substrate 202 to the outside through the low refractive index material layer 205.
  • the low refractive index material layer 205 is made of a material having a refractive index smaller than that of the substrate 202. Therefore, as compared with a conventional configuration that does not include the low refractive index material layer 205, when the fluorescence F emitted from the phosphor layer 206 is incident on the substrate 202, the phosphor layer 206 is reflected by the surface of the substrate 202. The light that becomes loss (loss), such as returning to, is reduced. As a result, it is possible to realize an increase in the amount of emitted fluorescence F and a reduction in power consumption.
  • the low refractive index material layer 205 can control the incident angle at which the fluorescence F emitted from the phosphor layer 206 can enter the substrate 202. It becomes possible. That is, the incident angle at which the fluorescence F emitted from the phosphor layer 206 can enter the substrate 202 from the low refractive index material layer 205 can be controlled. Thereby, it is possible to reduce the fluorescence F totally reflected at the interface between the substrate 202 and the outside, and to reduce display blur and blur.
  • FIG. 12B shows a light emitting device 90 as a modification of the present embodiment.
  • the light emitting device 90 includes a substrate 92, an excitation light source element 93, a low refractive index material layer 95, a phosphor layer 96, and an optical reflector 98.
  • the substrate 92 is curved so that the end of the substrate 92 approaches the excitation light source element 93. Only the end of the substrate 92 may be curved, or the entire substrate 92 may be curved.
  • the low refractive index material layer 95 and the phosphor layer 96 are formed on the substrate 92.
  • the low refractive index material layer 95 and the phosphor layer 96 are also curved similarly to the substrate 92.
  • the phosphor layer 96 is efficiently irradiated with the excitation light even when the emission angle of the excitation light emitted from the excitation light source element 93 is wide. It becomes possible to do.
  • the substrate (second substrate) forming the phosphor layer used in this embodiment needs to take out the fluorescence emitted from the phosphor to the outside, it is necessary to transmit light in the emission wavelength region of the phosphor. is there.
  • the second substrate include inorganic material substrates made of glass, quartz, and the like, plastic substrates made of polyethylene terephthalate, polycarbazole, polyimide, and the like, but this embodiment is not limited to these substrates. .
  • a plastic substrate because it is possible to form a bent portion and a bent portion without stress. Further, from the viewpoint of improving gas barrier properties, a substrate obtained by coating a plastic substrate with an inorganic material is more preferable. As a result, it is known that the organic EL element deteriorates due to the permeation of water that can occur when the organic EL element is used as an excitation light source element (the organic EL element is also deteriorated even with a low amount of moisture. ) Can be eliminated.
  • the phosphor layer absorbs excitation light from an ultraviolet light emitting organic EL element, a blue light emitting organic EL element, an ultraviolet light emitting LED, a blue LED, etc., and emits blue, green, red light, a blue phosphor layer, a green phosphor layer, a red color It is composed of a phosphor layer and the like. Moreover, it is preferable to add phosphors emitting light of cyan and yellow to the pixels as necessary.
  • the color reproduction range can be further expanded as compared with a display device using pixels that emit three primary colors of green and blue.
  • the phosphor layer may be composed only of the phosphor material exemplified below.
  • the phosphor layer may be configured to include a phosphor material exemplified below, and optionally an additive.
  • the phosphor layer may have a configuration in which a phosphor material exemplified below is dispersed in a polymer material (binding resin) or an inorganic material.
  • a known phosphor material can be used as the phosphor material.
  • Such phosphor materials are classified into organic phosphor materials and inorganic phosphor materials. Specific compounds of the organic phosphor material and the inorganic phosphor material are exemplified below, but the present embodiment is not limited to these materials.
  • Organic phosphor materials include, as fluorescent dyes that convert ultraviolet excitation light into blue light emission, stilbenzene dyes: 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, trans-4,4′-diphenylstil Benzene, coumarin dyes: 7-hydroxy-4-methylcoumarin and the like.
  • coumarin dyes 2,3,5,6-1H, 4H-tetrahydro-8-trifluoromethylquinolidine (9,9a, 1 -Gh) Coumarin (coumarin 153), 3- (2'-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 6), 3- (2'-benzimidazolyl) -7-N, N-diethylaminocoumarin (coumarin 7), na Phthalimide dyes: basic yellow 51, solvent yellow 11, solvent yellow 116 and the like.
  • cyanine dyes 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran
  • pyridine Dyes 1-ethyl-2- [4- (p-dimethylaminophenyl) -1,3-butadienyl] -pyridinium-perchlorate
  • rhodamine dyes rhodamine B, rhodamine 6G, rhodamine 3B, rhodamine 101, rhodamine 110, basic violet 11, sulforhodamine 101 and the like.
  • phosphors that convert ultraviolet excitation light into blue light emission are Sr 2 P 2 O 7 : Sn 4+ , Sr 4 Al 14 O 25 : Eu 2+ , BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , SrGa 2 S 4 : Ce 3+ , CaGa 2 S 4 : Ce 3+ , (Ba, Sr) (Mg, Mn) Al 10 O 17 : Eu 2+ , (Sr, Ca, Ba 2 , 0 Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu 2+ , BaAl 2 SiO 8 : Eu 2+ , Sr 2 P 2 O 7 : Eu 2+ , Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu 2+ , (Sr , Ca, Ba) 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu 2+ , BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu 2+ , (Ba, Ca) 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu 2+ , BaMg 2 Al 16 O 27 :
  • Y 2 O 2 S Eu 3+ , YAlO 3 : Eu 3+ , Ca 2 Y 2 (SiO 4 ) 6 : Eu 3 + , LiY 9 (SiO 4 ) 6 O 2 : Eu 3+ , YVO 4 : Eu 3+ , CaS: Eu 3+ , Gd 2 O 3 : Eu 3+ , Gd 2 O 2 S: Eu 3+ , Y ( P, V) O 4 : Eu 3+ , Mg 4 GeO 5.5 F: Mn 4+ , Mg 4 GeO 6 : Mn 4+ , K 5 Eu 2.5 (WO 4 ) 6.25 , Na 5 Eu 2.5 (WO 4 ) 6.25 Examples thereof include K 5 Eu 2.5 (MoO 4 ) 6.25 and Na 5 Eu 2.5 (MoO 4 ) 6.25 .
  • the inorganic phosphor may be subjected to a surface modification treatment as necessary.
  • the surface modification treatment include chemical treatment using a silane coupling agent, physical treatment using addition of submicron-order fine particles, and combinations thereof.
  • the average particle size (d 50 ) is preferably 0.5 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the average particle size is 1 ⁇ m or less, the luminous efficiency of the phosphor is lowered.
  • it is 50 ⁇ m or more, it becomes difficult to form a flat film, and when the excitation light source element is an organic EL, depletion occurs between the phosphor layer and the organic EL element (organic EL element ( Depletion (refractive index: 1.0) between the refractive index: about 1.7) and the inorganic phosphor layer (refractive index: about 2.3).
  • the light from the organic EL element does not efficiently reach the inorganic fluorescent layer, and the luminous efficiency of the phosphor layer is reduced. Also, in the case of a liquid crystal display device, it is difficult to flatten the phosphor layer and it becomes impossible to form the liquid crystal layer (the distance between the electrodes sandwiching the liquid crystal layer varies, and a uniform electric field is not applied) Therefore, the liquid crystal layer does not operate uniformly).
  • the phosphor layer is formed by using a phosphor layer forming coating solution obtained by dissolving and dispersing the phosphor material and the resin material in a solvent, using a spin coating method, a dipping method, a doctor blade method, a discharge coating method, a spraying method. It can be formed by a known wet process such as a coating method such as a coating method, an ink jet method, a relief printing method, an intaglio printing method, a screen printing method, a microgravure coating method or the like.
  • the phosphor layer is made of the above-described phosphor material by a known dry process such as resistance heating vapor deposition, electron beam (EB) vapor deposition, molecular beam epitaxy (MBE), sputtering, or organic vapor deposition (OVPD). Alternatively, it can be formed by a laser transfer method or the like.
  • a known dry process such as resistance heating vapor deposition, electron beam (EB) vapor deposition, molecular beam epitaxy (MBE), sputtering, or organic vapor deposition (OVPD).
  • EB electron beam
  • MBE molecular beam epitaxy
  • OVPD organic vapor deposition
  • it can be formed by a laser transfer method or the like.
  • the phosphor layer can be patterned by photolithography by using a photosensitive resin as the polymer material.
  • a photosensitive resin one of photosensitive resins (photo-curable resist material) having a reactive vinyl group such as acrylic acid resin, methacrylic acid resin, polyvinyl cinnamate resin, and hard rubber resin. It is possible to use one kind or a mixture of plural kinds.
  • wet processes such as the ink jet method, relief printing method, intaglio printing method, screen printing method, resistance heating vapor deposition method using shadow mask, electron beam (EB) vapor deposition method, molecular beam epitaxy (MBE) method, sputtering method It is also possible to directly pattern the phosphor material by a known dry process such as an organic vapor deposition (OVPD) method or a laser transfer method.
  • a known dry process such as an organic vapor deposition (OVPD) method or a laser transfer method.
  • the thickness of the phosphor layer is usually about 100 nm to 100 ⁇ m, preferably 1 ⁇ m to 100 ⁇ m. If the film thickness is less than 100 nm, it is impossible to sufficiently absorb the blue light emitted from the excitation light source element. Therefore, the emission efficiency is lowered, and the color purity of the excitation light is mixed with the required color. Deterioration can occur.
  • the film thickness is preferably 1 ⁇ m or more. Further, when the film thickness exceeds 100 ⁇ m, the excitation light from the excitation light source element is already sufficiently absorbed, so that the efficiency is not increased and only the material is consumed, and the material cost is increased.
  • the film thickness of the light absorption layer is usually about 100 nm to 100 ⁇ m, preferably 100 nm to 10 ⁇ m.
  • the thickness of the light absorption layer is preferably smaller than the thickness of the phosphor layer.
  • the optical reflector is provided on the side of the phosphor layer excluding the back surface and the excitation light incident surface.
  • This is a layer having a property that light emitted from the phosphor layer takes out fluorescence emitted toward the side surface except the back surface of the phosphor layer and the incident surface of the excitation light in the front direction (light extraction direction).
  • the optical reflector for example, a structure in which a reflective resin film made of a reflective metal powder such as Al, Ag, Au, Cr or an alloy thereof, or a resin containing metal particles is formed.
  • the present embodiment is not limited to these.
  • the upper surface of the phosphor layer by forming a flattening film. This can prevent depletion between the excitation light source element and the phosphor layer.
  • adhesion between the first substrate on which the excitation light source element is formed and the second substrate on which the phosphor layer is formed can be improved.
  • the wavelength selection layer (wavelength selection transmission / reflection layer) may be provided so as to overlap the phosphor layer.
  • the wavelength selection layer has a property of transmitting the excitation light emitted from the excitation light source element and reflecting the fluorescence emitted from the phosphor layer. More specifically, examples of the wavelength selection layer include dielectric multilayer films, metal thin film glasses, inorganic material substrates made of quartz, plastic substrates made of polyethylene terephthalate, polycarbazole, polyimide, etc. Embodiments are not limited to these layers.
  • the low refractive index material layer is provided between the phosphor layer and the second substrate.
  • the low refractive index material layer has a property of reducing the incident angle of the fluorescence incident on the second substrate out of the fluorescence emitted in the isotropic direction from the phosphor layer. More specifically, examples of the low refractive index material layer include a fluorine resin having a refractive index of about 1.35 to 1.4 and a silicone resin having a refractive index of about 1.4 to 1.5. The present embodiment is not limited to these layers.
  • a color filter between the second substrate forming the phosphor layer and the phosphor layer.
  • a conventional color filter can be used.
  • by providing a color filter it is possible to increase the color purity of red, green, and blue pixels.
  • the color reproduction range can be expanded.
  • the blue color filter formed on the blue phosphor layer, the green color filter formed on the green phosphor layer, and the red color filter formed on the red phosphor layer excite each phosphor of external light. Absorbs excitation light. Therefore, it is possible to reduce or prevent light emission of the phosphor layer due to external light, and it is possible to reduce or prevent a decrease in contrast.
  • the blue color filter, the green color filter formed on the green phosphor layer, and the red color filter formed on the red phosphor layer leak out the excitation light that is not absorbed by the phosphor layer and passes through. Therefore, it is possible to prevent a decrease in the color purity of the light emission due to the color mixture by the light emission from the phosphor layer and the excitation light.
  • the excitation light source element that excites the phosphor those emitting ultraviolet light and blue light are preferable.
  • the present embodiment is not limited to these layers. Further, by directly switching these light sources, it is possible to control ON / OFF of light emission for displaying an image. It is also possible to control ON / OFF of light emission by disposing a layer having a shutter function such as liquid crystal between the phosphor layer and the excitation light source element and controlling it. It is also possible to control ON / OFF of both the layer having a shutter function such as liquid crystal and the excitation light source element.
  • the excitation light source element known ultraviolet LED, blue LED, ultraviolet light emitting inorganic EL, blue light emitting inorganic EL, ultraviolet light emitting organic EL, blue light emitting organic EL and the like can be used, and are not particularly limited. It can be produced by a known production method.
  • the ultraviolet light light having a main light emission peak of 360 nm to 410 nm is preferable.
  • the blue light is preferably emitted with a main emission peak of 410 nm to 470 nm.
  • a known LED When using an LED as the excitation light source element, a known LED can be applied, and examples include an ultraviolet light emitting inorganic LED and a blue light emitting inorganic LED.
  • the LED is composed of, for example, a substrate, a buffer layer, an n-type contact layer, an n-type cladding layer, an active layer, a p-type cladding layer, and a p-type contact layer, but is not limited thereto.
  • the active layer is a layer that emits light by recombination of electrons and holes.
  • the active layer material for forming the active layer known active layer materials for LEDs can be used.
  • an active layer material for example, as an ultraviolet active layer material, AlGaN, InAlN, In a Al b Ga 1-ab N (0 ⁇ a, 0 ⁇ b, a + b ⁇ 1), blue active layer material In z Ga 1 -z N (0 ⁇ z ⁇ 1) and the like can be mentioned, but this embodiment is not limited to these.
  • the active layer has a single quantum well structure or a multiple quantum well structure.
  • the active layer of the quantum well structure may be either n-type or p-type.
  • the half-value width of the emission wavelength is narrowed by band-to-band emission, and emission with good color purity is obtained. Therefore, it is preferable.
  • the active layer may be doped with donor impurities and / or acceptor impurities. If the crystallinity of the active layer doped with impurities is the same as that of non-doped, doping with donor impurities can further increase the emission intensity between bands as compared with non-doped ones.
  • the acceptor impurity is doped, the peak wavelength can be shifted to a lower energy side by about 0.5 eV than the peak wavelength of interband light emission, but the full width at half maximum is increased.
  • the light emission intensity can be further increased as compared with the light emission intensity of the active layer doped only with the acceptor impurity.
  • the conductivity type of the active layer is preferably doped with a donor impurity such as Si to be n-type.
  • n-type cladding layer As the n-type cladding layer, a known n-type cladding layer material for LED can be used.
  • the n-type cladding layer may be a single layer or a multilayer.
  • an n-type cladding layer With a material formed of an n-type semiconductor having a larger band gap energy than the active layer, a potential barrier against holes is created between the n-type cladding layer and the active layer, and the holes are activated. It becomes possible to confine in a layer.
  • it can be formed by n-type Inx Ga1-x ⁇ N (0 ⁇ x ⁇ 1), but this embodiment is not limited to these.
  • the p-type cladding layer As the p-type cladding layer, a known p-type cladding layer material for LED can be used.
  • the p-type cladding layer may be one layer or another layer.
  • a potential barrier against electrons is formed between the p-type cladding layer and the active layer, and the electrons are in the active layer. It becomes possible to confine.
  • it can be formed of Aly Ga1-y N (0 ⁇ y ⁇ 1), but this embodiment is not limited to these.
  • a known contact layer material for LED can be used as the contact layer.
  • an n-type contact layer made of n-type GaN as a layer for forming an electrode in contact with the n-type cladding layer
  • p-type GaN as a layer for forming an electrode in contact with the p-type cladding layer.
  • this contact layer need not be formed if the second n-type cladding layer and the second p-type cladding layer are formed of GaN, and the second cladding layer may be used as a contact layer. Is possible.
  • each said layer which comprises these LEDs can use the well-known film-forming process for LED, this embodiment is not specifically limited to these.
  • a vapor phase growth method such as MOVPE (metal organic vapor phase epitaxy), MBE (molecular beam vapor phase epitaxy), HDVPE (hydride vapor phase epitaxy), for example, sapphire (C plane, A plane, R ), SiC (including 6H—SiC, 4H—SiC), spinel (MgAl 2 O 4 , especially its (111) plane), ZnO, Si, GaAs, or other oxide single crystal substrates (such as NGO) ) Or the like.
  • MOVPE metal organic vapor phase epitaxy
  • MBE molecular beam vapor phase epitaxy
  • HDVPE hydrogen vapor phase epitaxy
  • sapphire C plane, A plane, R
  • SiC including 6H—SiC, 4H—SiC
  • spinel MgAl 2 O 4 , especially its (111) plane
  • the organic EL element is composed of, for example, a first electrode, a second electrode, and an organic EL layer including an organic layer between the first electrode and the second electrode, but is not limited thereto. is not.
  • the organic layer has at least an organic light emitting layer made of an organic light emitting material.
  • an organic EL element substrate for example, an inorganic material substrate made of glass, quartz or the like, a plastic substrate made of polyethylene terephthalate, polycarbazole, polyimide, or the like, an insulating substrate such as a ceramic substrate made of alumina, or aluminum (Al ), A metal substrate made of iron (Fe) or the like, or a substrate coated with an insulator made of silicon oxide (SiO 2 ) or an organic insulating material on the substrate, or a surface of a metal substrate made of Al or the like as an anode.
  • substrate etc. which performed the insulation process by methods, such as oxidation, are mentioned, This embodiment is not limited to these board
  • the plastic substrate or the metal substrate because it is possible to form a bent portion and a bent portion without stress.
  • a substrate in which a plastic substrate is coated with an inorganic material and a substrate in which a metal substrate is coated with an inorganic insulating material are more preferable.
  • leakage (short) due to protrusions of the metal substrate that can occur when the metal substrate is used as the substrate of the organic EL element (the film thickness of the organic EL element is very thin, about 100 nm to 200 nm, so It is known that leakage (short circuit) occurs in the current of the current.
  • a substrate that does not melt at a temperature of 500 ° C. or lower and does not cause distortion.
  • a general metal substrate has a coefficient of thermal expansion different from that of glass, it is difficult to form a TFT on the metal substrate with a conventional production apparatus, but the linear expansion coefficient is 1 ⁇ 10 ⁇ 5 / ° C. or less.
  • TFTs that control light emission of organic EL elements are formed on the substrate in advance before the organic EL elements are formed, and function as switching and driving.
  • a known TFT can be cited.
  • a metal-insulator-metal (MIM) diode can be used instead of the TFT.
  • TFTTFTs that can be used in active drive organic EL displays and organic EL display devices can be formed using known materials, structures, and formation methods.
  • amorphous silicon amorphous silicon
  • polycrystalline silicon polysilicon
  • microcrystalline silicon inorganic semiconductor materials such as cadmium selenide, zinc oxide, indium oxide-gallium oxide-
  • oxide semiconductor material such as zinc oxide
  • organic semiconductor material such as a polythiophene derivative, a thiophene oligomer, a poly (p-ferylene vinylene) derivative, naphthacene, or pentacene
  • TFT structure include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.
  • the method for forming the active layer constituting the TFT (1) a method of ion doping impurities into amorphous silicon formed by plasma induced chemical vapor deposition (PECVD), and (2) a silane (SiH 4 ) gas is used.
  • PECVD plasma induced chemical vapor deposition
  • SiH 4 silane
  • amorphous silicon by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), crystallizing amorphous silicon by solid phase epitaxy to obtain polysilicon, and then ion doping by ion implantation, (3) Si 2 H Amorphous silicon is formed by LPCVD using 6 gases or PECVD using SiH 4 gas, annealed by a laser such as an excimer laser, and the amorphous silicon is crystallized to obtain polysilicon, followed by ion doping (Low temperature process), (4) LPCVD or PE The polysilicon layer is formed by VD method, a gate insulating film formed by thermal oxidation at 1000 ° C.
  • LPCVD low pressure chemical vapor deposition
  • a method of performing ion doping high temperature Process
  • a method of forming an organic semiconductor material by an inkjet method a method of obtaining a single crystal film of the organic semiconductor material.
  • the gate insulating film of the TFT can be formed using a known material. Examples thereof include SiO 2 formed by PECVD, LPCVD, etc., or SiO 2 obtained by thermally oxidizing a polysilicon film.
  • the signal electrode line, the scanning electrode line, the common electrode line, the first drive electrode, and the second drive electrode of the TFT used in this embodiment can be formed using a known material, for example, tantalum (Ta ), Aluminum (Al), copper (Cu), and the like.
  • the TFT of the organic EL panel according to this embodiment can be formed with the above-described configuration, but is not limited to these materials, structures, and formation methods.
  • An interlayer insulating film that can be used for an active drive organic EL display and an organic EL display device can be formed using a known material.
  • a material of the interlayer insulating film for example, an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN or Si 2 N 4 ), tantalum oxide (TaO or Ta 2 O 5 ), or an acrylic resin And organic materials such as resist materials.
  • the formation method include dry processes such as chemical vapor deposition (CVD) and vacuum deposition, and wet processes such as spin coating. Moreover, it can also pattern by the photolithographic method etc. as needed.
  • the organic EL layer When light emitted from the organic EL layer (excitation light) is taken out from the opposite side (second electrode side) of the substrate, external light is incident on the TFT formed on the substrate and changes in TFT characteristics occur.
  • a light-shielding insulating film having light-shielding properties In addition, the interlayer insulating film and the light-shielding insulating film can be used in combination.
  • the light-shielding interlayer insulating film include those obtained by dispersing pigments or dyes such as phthalocyanine and quinaclone in polymer resins such as polyimide, color resists, black matrix materials, and inorganic insulating materials such as Ni x Zn y Fe 2 O 4. Can be mentioned. However, this embodiment is not limited to these materials and forming methods.
  • a TFT or the like When a TFT or the like is formed on a substrate in an active drive organic EL display device, unevenness is formed on the surface, and the unevenness causes an organic EL element defect (for example, pixel electrode defect, organic EL layer defect, There is a risk that a break of the counter electrode, a short circuit between the pixel electrode and the counter electrode, a decrease in breakdown voltage, or the like).
  • a planarizing film may be provided on the interlayer insulating film.
  • planarizing film can be formed using a known material, and examples thereof include inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, and tantalum oxide, and organic materials such as polyimide, acrylic resin, and resist material.
  • examples of the method for forming the planarizing film include a dry process such as a CVD method and a vacuum deposition method, and a wet process such as a spin coating method.
  • the present embodiment is not limited to these materials and the forming method.
  • the planarization film may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the first electrode and the second electrode function as a pair as an anode or a cathode of the organic EL element. That is, when the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, and when the first electrode is a cathode, the second electrode is an anode.
  • Specific compounds and formation methods are exemplified below, but the present embodiment is not limited to these materials and formation methods.
  • the electrode material for forming the first electrode and the second electrode known electrode materials can be used.
  • a metal such as gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni) having a work function of 4.5 eV or more
  • an oxide (ITO) composed of indium (In) and tin (Sn)
  • an oxide (IZO) composed of indium (In) and zinc (Zn), and the like are transparent electrodes.
  • a material As a material.
  • lithium (Li), calcium (Ca), cerium (Ce), a work function of 4.5 eV or less from the viewpoint of more efficiently injecting electrons into the organic EL layer examples thereof include metals such as barium (Ba) and aluminum (Al), and alloys such as Mg: Ag alloy and Li: Al alloy containing these metals.
  • the first electrode and the second electrode can be formed by a known method such as an EB vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a resistance heating vapor deposition method using the above materials.
  • the method is not limited.
  • the formed electrode can be patterned by a photolithographic fee method or a laser peeling method, or a patterned electrode can be directly formed by combining with a shadow mask.
  • the film thickness is preferably 50 nm or more. When the film thickness is less than 50 nm, the wiring resistance is increased, which may increase the drive voltage.
  • a translucent electrode As the first electrode (second electrode), it is possible to use a metal translucent electrode alone or a combination of a metal translucent electrode and a transparent electrode material, but as a translucent electrode material, from the viewpoint of reflectance and transmittance Silver is preferred.
  • the film thickness of the semitransparent electrode is preferably 5 nm to 30 nm.
  • the film thickness is less than 5 nm, light cannot be sufficiently reflected, and interference effects cannot be obtained sufficiently.
  • the film thickness exceeds 30 nm, the light transmittance is drastically reduced, so that the luminance and efficiency may be lowered.
  • electrode materials used in this case include reflective metal electrodes such as aluminum, silver, gold, aluminum-lithium alloys, aluminum-neodymium alloys, and aluminum-silicon alloys, transparent electrodes, and reflective metal electrodes (reflective electrodes). The electrode etc. which combined these are mentioned.
  • the organic EL layer may be a single layer structure of an organic light emitting layer or a multilayer structure of an organic light emitting layer and a charge transport layer, and specifically includes the following configurations, but the present invention is not limited thereto. Absent. (1) Organic light emitting layer (2) Hole transport layer / organic light emitting layer (3) Organic light emitting layer / electron transport layer (4) Hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer (5) Hole injection layer / Hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer (6) hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer (7) hole injection layer / hole transport layer / organic Light emitting layer / Hole prevention layer / Electron transport layer (8) Hole injection layer / Hole transport layer / Organic light emitting layer / Hole prevention layer / Electron transport layer / Electron injection layer (9) Hole injection layer / Hole Transport layer / electron prevention layer / organic light emitting layer / hole prevention layer
  • the organic light emitting layer may be comprised only from the organic light emitting material illustrated below.
  • the organic light emitting layer may be composed of a combination of a light emitting dopant and a host material, and may optionally contain a hole transport material, an electron transport material, an additive (donor, acceptor, etc.) and the like.
  • the organic light emitting layer 23 may have a configuration in which materials exemplified below are dispersed in a polymer material (binding resin) or an inorganic material. From the viewpoint of luminous efficiency and lifetime, it is preferable that a luminescent dopant is dispersed in the host material.
  • organic light emitting material a known light emitting material for organic EL can be used.
  • organic light-emitting materials are classified into low-molecular light-emitting materials, polymer light-emitting materials, and the like, and specific compounds thereof are exemplified below, but the present embodiment is not limited to these materials.
  • the light-emitting material may be classified into a fluorescent material, a phosphorescent material, and the like, and it is preferable to use a phosphorescent material with high light emission efficiency from the viewpoint of reducing power consumption.
  • this embodiment is not limited to these materials.
  • a known dopant material for organic EL can be used.
  • a dopant material for example, as an ultraviolet light emitting material, p-quaterphenyl, 3,5,3,5 tetra-t-butylsecphenyl, 3,5,3,5 tetra-t-butyl-p -Fluorescent materials such as quinckphenyl.
  • fluorescent light emitting materials such as styryl derivatives, bis [(4,6-difluorophenyl) -pyridinato-N, C2 ′] picolinate, iridium (III) (FIrpic), bis (4 ′, 6′-difluorophenyl) Examples thereof include phosphorescent organic metal complexes such as polydinato) tetrakis (1-pyrazoyl) borate, iridium (III) (FIr6), and the like.
  • a known host material for organic EL can be used as a host material when using a dopant.
  • host materials include the low-molecular light-emitting materials, the polymer light-emitting materials, 4,4′-bis (carbazole) biphenyl, 9,9-di (4-dicarbazole-benzyl) fluorene (CPF), 3 , 6-bis (triphenylsilyl) carbazole (mCP), carbazole derivatives such as (PCF), aniline derivatives such as 4- (diphenylphosphoyl) -N, N-diphenylaniline (HM-A1), 1,3- And fluorene derivatives such as bis (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) benzene (mDPFB) and 1,4-bis (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) benzene (pDPFB).
  • the charge injection / transport layer is used to more efficiently inject charges (holes, electrons) from the electrode and transport (injection) to the light emitting layer, and the charge injection layer (hole injection layer, electron injection layer). It may be classified into a transport layer (a hole transport layer, an electron transport layer) and may be composed only of the charge injection transport material exemplified below.
  • the charge injecting and transporting layer may optionally contain an additive (donor, acceptor, etc.) and the like.
  • the charge injection / transport layer may have a configuration in which a charge injection / transport material exemplified below is dispersed in a polymer material (binding resin) or an inorganic material.
  • charge injecting and transporting material known charge transporting materials for organic EL and organic photoconductors can be used. Such charge injecting and transporting materials are classified into hole injecting and transporting materials and electron injecting and transporting materials. Specific examples of these compounds are given below, but this embodiment is not limited to these materials. .
  • hole injection and hole transport materials include oxides such as vanadium oxide (V 2 O 5 ) and molybdenum oxide (MoO 2 ), inorganic p-type semiconductor materials, porphyrin compounds, N, N′-bis (3 -Methylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) -benzidine (TPD), N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine (NPD), etc.
  • oxides such as vanadium oxide (V 2 O 5 ) and molybdenum oxide (MoO 2 )
  • inorganic p-type semiconductor materials such as silicon oxide (V 2 O 5 ) and molybdenum oxide (MoO 2 ), inorganic p-type semiconductor materials, porphyrin compounds, N, N′-bis (3 -Methylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) -benzidine (TPD), N, N′-d
  • Low molecular weight materials such as tertiary amine compounds, hydrazone compounds, quinacridone compounds, styrylamine compounds, polyaniline (PANI), polyaniline-camphor sulfonic acid (PANI-CSA), 3,4-polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate ( PEDOT / PSS), poly (triphenylamine) derivative (Poly-TPD), polyvinylcarbazole (PV Cz), poly (p-phenylene vinylene) (PPV), poly (p-naphthalene vinylene) (PNV) and the like.
  • the highest occupied molecular orbital (HOMO) is better than the hole injection transport material used for the hole transport layer. It is preferable to use a material having a low energy level. As the hole transport layer, it is preferable to use a material having a higher hole mobility than the hole injection transport material used for the hole injection layer.
  • the hole injection and transport material in order to improve the hole injection and transport properties, it is preferable to dope the hole injection and transport material with an acceptor.
  • an acceptor a known acceptor material for organic EL can be used. Although these specific compounds are illustrated below, this embodiment is not limited to these materials.
  • Acceptor materials include Au, Pt, W, Ir, POCl 3 , AsF 6 , Cl, Br, I, vanadium oxide (V 2 O 5 ), molybdenum oxide (MoO 2 ), and other inorganic materials, TCNQ (7, 7 , 8,8, -tetracyanoquinodimethane), TCNQF 4 (tetrafluorotetracyanoquinodimethane), TCNE (tetracyanoethylene), HCNB (hexacyanobutadiene), DDQ (dicyclodicyanobenzoquinone), etc.
  • TNF trinitrofluorenone
  • DNF dinitrofluorenone
  • organic materials such as fluoranyl, chloranil and bromanyl.
  • compounds having a cyano group such as TCNQ, TCNQF 4 , TCNE, HCNB, DDQ and the like are more preferable because they can increase the carrier concentration more effectively.
  • Examples of electron injection and electron transport materials include inorganic materials that are n-type semiconductors, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, thiopyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, fluorenone derivatives, benzodifuran derivatives. And low molecular weight materials such as poly (oxadiazole) (Poly-OXZ) and polystyrene derivatives (PSS).
  • examples of the electron injection material include fluorides such as lithium fluoride (LiF) and barium fluoride (BaF 2 ), and oxides such as lithium oxide (Li 2 O).
  • the material used for the electron injection layer is a material having an energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) higher than that of the electron injection and transport material used for the electron transport layer in that the electron injection and transport from the cathode are performed more efficiently Is preferably used.
  • LUMO lowest unoccupied molecular orbital
  • As the material used for the electron transport layer a material having higher electron mobility than the electron injection transport material used for the electron injection layer is preferably used.
  • the electron injection and transport material it is preferable to dope the electron injection and transport material with a donor.
  • a donor a known donor material for organic EL can be used. Although these specific compounds are illustrated below, this embodiment is not limited to these materials.
  • Donor materials include inorganic materials such as alkali metals, alkaline earth metals, rare earth elements, Al, Ag, Cu, In, anilines, phenylenediamines, benzidines (N, N, N ′, N′-tetraphenyl) Benzidine, N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine, N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl- Benzidine, etc.), triphenylamines (triphenylamine, 4,4′4 ′′ -tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine, 4,4′4 ′′ -tris (N-3- Methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine, 4,4′4 ′′ -tris (N- (1-naphthyl) -N
  • An organic EL layer such as a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, a hole injection layer, and an electron injection layer is spin-coated using a coating liquid for forming an organic EL layer in which the above materials are dissolved and dispersed in a solvent.
  • Known wet methods such as coating methods, dipping methods, doctor blade methods, discharge coating methods, spray coating methods, etc., inkjet methods, letterpress printing methods, intaglio printing methods, screen printing methods, printing methods such as microgravure coating methods, etc.
  • the coating liquid for organic EL layer formation may contain the additive for adjusting the physical properties of coating liquid, such as a leveling agent and a viscosity modifier.
  • each organic EL layer is usually about 1 nm to 1000 nm, but preferably 10 nm to 200 nm. If the film thickness is less than 10 nm, the physical properties (charge injection characteristics, transport characteristics, confinement characteristics) that are originally required cannot be obtained. In addition, pixel defects due to foreign matters such as dust may occur. On the other hand, if the film thickness exceeds 200 nm, the drive voltage increases due to the resistance component of the organic EL layer, leading to an increase in power consumption.
  • the organic EL display and the organic EL display device cause leakage between the first electrode and the second electrode at the edge portion of the first electrode formed on the substrate side between the first electrode and the second electrode. It is preferable to have an edge cover for the purpose of preventing.
  • the edge cover can be formed by a known method such as an EB vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a resistance heating vapor deposition method using an insulating material, and a known dry and wet photolithography method.
  • the present embodiment is not limited to these forming methods.
  • a known material can be used as a material constituting the insulating layer, and it is not particularly limited in this embodiment, but it is necessary to transmit light.
  • a known material can be used as a material constituting the insulating layer, and it is not particularly limited in this embodiment, but it is necessary to transmit light.
  • the film thickness is preferably 100 nm to 2000 nm. When the thickness is 100 nm or less, the insulating property is not sufficient, and leakage occurs between the first electrode and the second electrode, resulting in an increase in power consumption and non-light emission. On the other hand, when the thickness is 2000 nm or more, the film forming process takes time, resulting in deterioration of productivity and disconnection of the second electrode at the edge cover.
  • the organic EL element preferably has a microcavity structure (optical microresonator structure) due to an interference effect between a reflective electrode used as an electrode composed of an anode and a cathode and a semitransparent electrode, or a dielectric multilayer film.
  • a microcavity structure optical microresonator structure
  • the emission spectrum can be adjusted due to the interference effect, and the emission spectrum can be adjusted by adjusting to a desired emission peak wavelength and half width. Therefore, it is possible to improve the color purity of the blue pixel by controlling the spectrum so that the red and green phosphors can be excited more effectively.
  • the organic EL element is electrically connected to an external drive circuit (scanning line electrode circuit, data signal electrode circuit, power supply circuit) for driving.
  • the substrate constituting the organic EL element is a glass substrate, more preferably a metal substrate, a plastic substrate, more preferably a metal substrate or a substrate obtained by coating an insulating material on a plastic substrate. Yes.
  • the organic EL element may be directly connected to an external circuit and driven, or a switching circuit such as a TFT is arranged in the pixel, and an external drive for driving the light source to a wiring to which the TFT or the like is connected. It may be electrically connected to a circuit (scan line electrode circuit (source driver), data signal electrode circuit (gate driver), power supply circuit).
  • a switching circuit such as a TFT is arranged in the pixel, and an external drive for driving the light source to a wiring to which the TFT or the like is connected. It may be electrically connected to a circuit (scan line electrode circuit (source driver), data signal electrode circuit (gate driver), power supply circuit).
  • the active substrate constituting the light source constituting the active drive type display device is formed by coating an insulating material on a glass substrate, more preferably on a metal substrate, on a plastic substrate, and more preferably on a metal substrate or a plastic substrate.
  • TFTs are arranged at a plurality of scanning signal lines, data signal lines, and intersections between the scanning signal lines and the data signal lines.
  • driving is performed by a voltage-driven digital gradation method, two TFTs for switching and driving are arranged for each pixel, and the driving TFT and the first electrode of the EL element are planarized layers. It is electrically connected through a contact hole formed in the. Further, in one pixel, a capacitor for setting the gate potential of the driving TFT to a constant potential is disposed so as to be connected to the gate portion of the driving TFT.
  • the present invention is not particularly limited to these, and the above-described voltage-driven digital gradation method may be used, and a current-driven analog gradation method may be used.
  • the number of TFTs is not particularly limited, and the organic EL may be driven by the two TFTs described above.
  • An organic EL element using two or more conventional TFTs having a compensation circuit built therein may be driven.
  • the ultraviolet light emitting inorganic EL and the blue light emitting inorganic EL are obtained from the substrate, the first electrode, the first dielectric layer, the light emitting layer, the second dielectric layer, and the second electrode.
  • the present invention is not limited to these.
  • an inorganic material substrate made of glass, quartz, etc., a plastic substrate made of polyethylene terephthalate, polycarbazole, polyimide, etc., an insulating substrate such as a ceramic substrate made of alumina, etc., or aluminum
  • a metal substrate made of (Al), iron (Fe), or the like, or a substrate coated with an insulator made of silicon oxide (SiO 2 ), an organic insulating material or the like on the substrate, or a metal substrate made of Al, etc.
  • substrate etc. which performed the insulation process by methods, such as anodizing, are mentioned, This embodiment is not limited to these board
  • the plastic substrate or the metal substrate because a bent portion and a bent portion can be formed without stress. Further, a substrate in which a plastic substrate is coated with an inorganic material and a substrate in which a metal substrate is coated with an inorganic insulating material are more preferable.
  • the first electrode and the second electrode of the inorganic EL element are made of a metal such as aluminum (Al), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), and indium (In) and tin (Sn).
  • the transparent electrode material include oxide (ITO), tin (Sn) oxide (SnO 2 ), indium (In), and oxide (IZO) composed of zinc (Zn). It is not limited to. However, it is preferable to use a transparent electrode such as ITO as the electrode arranged in the light extraction direction. It is preferable to use a reflective film made of aluminum or the like for the electrode disposed opposite to the light extraction direction.
  • the first electrode and the second electrode can be formed by a known method such as an EB vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a resistance heating vapor deposition method using the above materials.
  • the forming method is not limited. If necessary, the formed electrode can be patterned by a photolithographic fee method or a laser peeling method, or a patterned electrode can be directly formed by combining with a shadow mask.
  • the film thickness is preferably 50 nm or more. When the film thickness is less than 50 nm, the wiring resistance is increased, which may increase the drive voltage.
  • the first and second dielectric layers a known dielectric material for inorganic EL can be used.
  • dielectric materials include tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ), silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum titanate ( Examples include AlTiO 3 ) barium titanate (BaTiO 3 ) and strontium titanate (SrTiO 3 ), but this embodiment is not limited thereto.
  • the first and second dielectric layers may be one type selected from the above-mentioned dielectric materials or a structure in which two or more types of materials are laminated.
  • the film thickness of the dielectric is preferably about 200 nm to 500 nm.
  • the light emitting layer a known light emitting material for inorganic EL can be used.
  • a light emitting material for example, ZnF 2 : Gd as an ultraviolet light emitting material, BaAl 2 S 4 : Eu, CaAl 2 S 4 : Eu, ZnAl 2 S 4 : Eu, Ba 2 as a blue light emitting material.
  • Examples include SiS 4 : Ce, ZnS: Tm, SrS: Ce, SrS: Cu, CaS: Pb, (Ba, Mg) Al 2 S 4 : Eu, but the present embodiment is not limited thereto.
  • the thickness of the light emitting layer is preferably about 300 nm to 1000 nm.
  • a sealing film or a sealing substrate for the inorganic EL element can be formed by a known sealing material and sealing method.
  • a sealing film can be formed by applying a resin on the surface opposite to the substrate of the light source by using a spin coat method, an ODF, or a laminate method. After forming an inorganic film such as SiO, SiON, or SiN by plasma CVD, ion plating, ion beam, sputtering, or the like, the resin is further applied using spin coating, ODF, or lamination. Or it can also be set as a sealing film by bonding. This sealing film can prevent oxygen and moisture from being mixed into the light emitting element from the outside, and the life of the light source is improved.
  • the excitation light source element and the phosphor substrate (second substrate) when they are connected, they can be bonded with a conventional ultraviolet curable resin, thermosetting resin, or the like.
  • the method of sealing inert gas, such as nitrogen gas and argon gas, with glass, a metal, etc. is mentioned, for example.
  • a hygroscopic agent such as barium oxide in the enclosed inert gas because deterioration of the excitation light source element (for example, an organic EL element) due to moisture can be effectively reduced.
  • the present embodiment is not limited to these members and forming methods.
  • a polarizing plate When a light emitting device using an excitation light source element as described above is applied to a display device, it is preferable to provide a polarizing plate on the light extraction side.
  • the polarizing plate a combination of a conventional linear polarizing plate and a ⁇ / 4 plate can be used.
  • a polarizing plate it is possible to prevent external light reflection from the electrodes of the display device and external light reflection from the surface of the substrate or the sealing substrate, and the contrast of the display device can be improved. it can.
  • a known liquid crystal element can be applied as the liquid crystal element.
  • the liquid crystal cell and the liquid crystal cell are sandwiched.
  • a pair of deflecting plates it is not limited to these.
  • the liquid crystal cell carries a liquid crystal between two electrode substrates. Furthermore, one optically anisotropic layer is disposed between the liquid crystal cell and one polarizing plate, or two optically anisotropic layers are disposed between the liquid crystal cell and both polarizing plates. Sometimes it is done.
  • the liquid crystal element functions as an optical shutter that selectively transmits light emitted from the excitation light source element.
  • liquid crystal cell There is no restriction
  • the liquid crystal element may be passively driven or may be actively driven using a switching element such as a TFT. It is preferable to combine the switching of the liquid crystal element and the light source and the switching because power consumption can be further reduced.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an active matrix driving type organic EL display which is an example of a display device including the light emitting device of the present embodiment.
  • a TFT which is an active driving element including a gate electrode 126, a drain electrode 108, a source electrode 127, a gate insulating film 129, a wiring 130, a through hole 131 and the like is formed on one surface of a substrate 101.
  • the cathode 110 is formed.
  • a sealing layer 112 is formed on the excitation light source element 118.
  • a red light emitting phosphor layer 124 and a green light emitting phosphor layer 125 defined by a low refractive index material layer 120, an optical reflection film 119, and a light absorption layer 123 are formed on the sealing substrate 116 side and the substrate 101 side.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a control portion of the display device.
  • the display device 130 includes a first substrate 131, a pixel portion G, a gate signal driving circuit 132, a data signal driving circuit 133, a wiring 134, a current supply line 135, a second substrate (sealing substrate) 136, and FPC (Flexible printed circuits). 137 and an external drive circuit 138.
  • the external driving circuit 138 sequentially selects the scanning lines (scanning lines) of the pixel portion G by the gate signal driving circuit 132, and the data signal driving circuit for each pixel element arranged along the selected scanning line.
  • step 133 pixel data is written. That is, the gate signal driving circuit 132 sequentially drives the scanning lines, and the data signal driving circuit 133 outputs the pixel data to the data lines, so that the position where the driven scanning line and the data line to which the data is output intersects.
  • the pixel elements arranged in are driven.
  • the display device according to an embodiment of the present invention can be applied to, for example, the mobile phone shown in FIG.
  • a cellular phone 60 shown in FIG. 9 includes an audio input unit 61, an audio output unit 62, an antenna 63, an operation switch 64, a display unit 65, a housing 66, and the like.
  • the display device of this embodiment can be suitably applied as the display unit 61.
  • By applying the display device according to an embodiment of the present invention to the display unit 65 of the mobile phone 60 it is possible to display a high contrast image with low power consumption.
  • the display device according to an embodiment of the present invention can be applied to, for example, a thin television shown in FIG.
  • a thin television 70 shown in FIG. 10 includes a display unit 71, speakers 72, a cabinet 73, a stand 74, and the like.
  • the display device of this embodiment can be suitably applied as the display unit 71.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a ceiling light, which is an example of a lighting device including the light emitting device of the present embodiment.
  • a ceiling light 150 shown in FIG. 11 includes a first electrode (anode) 152, an organic EL element 153, a second electrode (cathode) 154, a thermal diffusion sheet 155, and a second substrate (sealing substrate) on a first substrate 151. 156 and the heat dissipation material layer 157 are sequentially formed.
  • An optical film 158 is formed on the light extraction side of the first substrate 151.
  • Sealing resin 159 is formed at both ends of the laminate, and a driving circuit 161 and a wiring 162 connected to the sealing circuit 163 are formed in the central region of the laminate.
  • a green phosphor layer having a thickness of 100 ⁇ m was formed on the substrate.
  • the green phosphor layer first, 15 g of ethanol and 0.22 g of ⁇ -glycidoxypropyltriethoxysilane were added to 0.16 g of aerosil having an average particle diameter of 5 nm, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. 20 g of this mixture and green phosphor Ca 0.97 Mg 0.03 : ZrO 3 : Ho were transferred to a mortar, mixed well, and then heated in an oven at 70 ° C. for 2 hours and further in an oven at 120 ° C. for 2 hours. The surface modified Ba 2 SiO 4 : Eu 2+ was obtained.
  • a green phosphor-forming coating solution was prepared by stirring.
  • the green phosphor-forming coating solution prepared above was applied to a desired position with a width of 3 mm on the glass by a screen printing method. Subsequently, it was dried by heating in a vacuum oven (200 ° C., 10 mmHg) for 4 hours to form a green phosphor layer, thereby completing a phosphor substrate.
  • the side of the phosphor layer is covered with a light-shielding film and the blue LED is used as excitation light and 450 nm light is incident from the back of the phosphor substrate, the fluorescence is emitted from the side of the substrate.
  • the body substrate was viewed from the front, it was confirmed that the periphery of the substrate was blurred.
  • Comparative Example 2 A low refractive index material film was formed on the same glass substrate as in Comparative Example 1.
  • a fluorine resin having a refractive index of about 1.35 to 1.4 was used as the low refractive index material, and this was formed with a film thickness of 50 ⁇ m on the substrate by sputtering.
  • a green phosphor layer was formed on the low refractive index material layer in the same manner as in Comparative Example 1.
  • fluorescence was emitted from the substrate side surface. It was not emitted, and it was confirmed that the periphery of the substrate was not blurred when the phosphor substrate was viewed from the front.
  • a low refractive index material film was formed on the same glass substrate as in Comparative Example 2.
  • a fluorine resin having a refractive index of about 1.35 to 1.4 was used as the low refractive index material, and this was formed with a film thickness of 50 ⁇ m on the substrate by sputtering.
  • a green phosphor layer was formed on the low refractive index material layer by the same method as in Comparative Example 2.
  • an aluminum total reflection film was uniformly formed with a film thickness of 50 nm on the side surface of the phosphor layer produced in Comparative Example 2 by sputtering. Also, when 450 nm light is incident from the back side of the phosphor substrate using blue LED as excitation light, the fluorescence is not emitted from the side surface of the phosphor substrate, and the side surface of the phosphor layer is shielded when the phosphor substrate is viewed from the front. It was confirmed that no blurring occurred around the substrate at the same level as in Comparative Example 2 even when not covered with a film.
  • the luminance conversion efficiency at 25 ° C. of fluorescence extracted from the front surface was measured when 450 nm light was incident from the back surface of the phosphor substrate using blue LED as excitation light. .
  • the luminance of the blue LED as the excitation light was 1,000 cd / m 2 , but after passing through the phosphor, it emitted green light having a light emission peak at 547 nm, and the luminance was 2,692 cd / m 2. 2 and a luminance conversion efficiency of 260%, a 2.6-fold increase in luminance was observed with respect to Comparative Example 1.
  • a low refractive index material film is formed on the same glass substrate as in Comparative Example 2.
  • a fluorine resin having a refractive index of about 1.35 to 1.4 is used as the low refractive index material, and this is formed with a film thickness of 50 ⁇ m on the substrate by sputtering.
  • a green phosphor layer is formed on the low refractive index material layer in the same manner as in Comparative Example 2.
  • an aluminum total reflection film is uniformly formed with a film thickness of 50 nm on the side surface of the phosphor layer produced in Comparative Example 2 by sputtering.
  • a dielectric multilayer film formed by film formation is formed to a thickness of 100 nm by sputtering.
  • the luminance conversion efficiency at 25 ° C. of fluorescence extracted from the front surface was measured when 450 nm light was incident from the back surface of the phosphor substrate using blue LED as excitation light. .
  • the luminance of the blue LED as the excitation light was 1,000 cd / m 2 , but after passing through the phosphor, it emitted green light having a light emission peak at 547 nm, and the luminance was 3,235 cd / m 2. 2 and a luminance conversion efficiency of 320%, and a brightness improvement of 3.2 times with respect to Comparative Example 1 was observed.
  • Table 1 shows the luminance, luminance conversion efficiency, comparison with Comparative Example 1, and blur around the phosphor substrate in Comparative Examples 1 and 2 above and Examples 1 and 2 of the present invention.
  • Example 3 Blue organic EL element + phosphor system A low refractive index material film was formed on a 0.7 mm glass substrate.
  • a fluorine resin having a refractive index of about 1.35 to 1.4 was used as the low refractive index material, and this was formed with a film thickness of 50 ⁇ m on the substrate by sputtering.
  • a red phosphor layer, a green phosphor layer, and a blue scatterer layer were formed on the low refractive index material layer to obtain a phosphor substrate.
  • a trapezoidal low reflection layer made of chromium was formed with a width of 20 ⁇ m, a film thickness of 500 nm, and a pitch of 200 ⁇ m.
  • red phosphor layer In the formation of the red phosphor layer, first, 15 g of ethanol and 0.22 g of ⁇ -glycidoxypropyltriethoxysilane were added to 0.16 g of aerosil having an average particle diameter of 5 nm, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. This mixture and 20 g of red phosphor K 5 Eu 2.5 (WO 4 ) 6.25 were transferred to a mortar and mixed well, then heated in an oven at 70 ° C. for 2 hours and further in an oven at 120 ° C. for 2 hours to modify the surface. K 5 Eu 2.5 (WO 4 ) 6.25 was obtained.
  • the green phosphor layer was formed by adding 15 g of ethanol and 0.22 g of ⁇ -glycidoxypropyltriethoxysilane to 0.16 g of aerosil having an average particle diameter of 5 nm and stirring for 1 hour at an open system room temperature.
  • This mixture and 20 g of green phosphor Ba 2 SiO 4 : Eu 2+ were transferred to a mortar and mixed well, and then heated in a 70 ° C. oven for 2 hours and further in a 120 ° C. oven for 2 hours to modify the surface.
  • Ba 2 SiO 4 : Eu 2+ was obtained.
  • the blue scattering layer-forming coating liquid prepared as described above was applied by screen printing to an area where the low reflection layer on the glass was not formed. Subsequently, it was dried by heating in a vacuum oven (200 ° C., 10 mmHg) for 4 hours to form a blue scattering layer. Next, an aluminum total reflection film was uniformly formed with a film thickness of 50 nm on the side surface on the phosphor layer by sputtering.
  • a reflective electrode was formed on a 0.7 mm thick glass substrate by a sputtering method so that silver had a thickness of 100 nm.
  • An indium-tin oxide (ITO) film was formed thereon by sputtering so as to have a film thickness of 20 nm.
  • a reflective electrode anode was formed as the first electrode.
  • the first electrode was patterned into 90 stripes with a width of 160 ⁇ m and a pitch of 200 ⁇ m by a conventional photolithography method.
  • SiO 2 was laminated on the first electrode by a sputtering method, and was patterned by a conventional photolithography method so as to cover only the edge portion of the first electrode.
  • a short side of 10 ⁇ m from the end of the first electrode is covered with SiO 2 .
  • this substrate was fixed to a substrate holder in a resistance heating vapor deposition apparatus, and the pressure was reduced to a vacuum of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • Each organic layer was formed.
  • TAPC 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane
  • N, N′-di-1-naphthyl-N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine is used as a hole transport material.
  • a hole transport layer having a thickness of 40 nm was formed by resistance heating vapor deposition.
  • This blue organic light-emitting layer comprises 1,4-bis-triphenylsilyl-benzene (UGH-2) (host material) and bis [(4,6-difluorophenyl) -pyridinato-N, C2 ′] picolinate iridium (III ) (FIrpic) (blue phosphorescent light-emitting dopant) was prepared by co-evaporation at a deposition rate of 1.5 ⁇ / sec and 0.2 ⁇ / sec.
  • a hole blocking layer (thickness: 10 nm) was formed on the light emitting layer using 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).
  • BCP 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • an electron transport layer (thickness: 30 nm) was formed on the hole blocking layer using tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3 ).
  • an electron injection layer (thickness: 0.5 nm) is formed on the electron transport layer using lithium fluoride (LiF).
  • a semitransparent electrode was formed as the second electrode.
  • the substrate was fixed to a metal deposition chamber.
  • a shadow mask for forming a second electrode (a mask having an opening so that the second electrode can be formed in a stripe shape having a width of 500 ⁇ m and a pitch of 600 ⁇ m in a direction opposite to the stripe of the first electrode) and the above-mentioned
  • the substrate is aligned, and magnesium and silver are co-deposited on the surface of the electron injection layer by a vacuum deposition method at a deposition rate of 0.1 ⁇ / sec and 0.9 ⁇ / sec, respectively, to form magnesium silver in a desired pattern ( (Thickness: 1 nm).
  • silver is formed in a desired pattern at a deposition rate of 1 mm / sec (thickness: 19 nm) for the purpose of emphasizing the interference effect and preventing voltage drop due to wiring resistance at the second electrode. )did.
  • the second electrode was formed.
  • a microcavity effect (interference effect) appears between the reflective electrode (first electrode) and the semi-transmissive electrode (second electrode), and the front luminance can be increased. It becomes possible to propagate the luminescence energy from the phosphor layer more efficiently.
  • the emission peak was adjusted to 460 nm and the half-value width to 50 nm by the microcavity effect.
  • an inorganic protective layer made of SiO 2 having a thickness of 3 ⁇ m was formed by patterning from the edge of the display portion to a sealing area of 2 mm in the vertical and horizontal directions by a plasma CVD method.
  • the light source substrate which consists of an organic EL element was produced by the above.
  • thermosetting resin was previously apply
  • the above bonding step was performed in a dry air environment (water content: ⁇ 80 ° C.) for the purpose of preventing deterioration of the organic EL due to water.
  • an organic EL display device was completed by connecting terminals formed in the periphery to an external power source.
  • the blue light-emitting organic EL was used as an excitation light source that can be arbitrarily switched.
  • the red phosphor layer and the green phosphor layer convert the light emission from blue light to red and green, respectively, to obtain isotropic light emission of red and green, and isotropic blue light emission through the blue scattering layer It was possible to obtain a full-color display, a good image, and a good viewing angle characteristic.
  • Example 4 Active drive blue organic EL + phosphor system
  • a phosphor substrate was prepared in the same manner as in Example 4.
  • An amorphous silicon semiconductor film was formed on a 100 ⁇ 100 mm square glass substrate by PECVD.
  • a polycrystalline silicon semiconductor film was formed by performing a crystallization treatment.
  • the polycrystalline silicon semiconductor film was patterned into a plurality of islands by using a photolithography method.
  • a gate insulating film and a gate electrode layer were formed in this order on the patterned polycrystalline silicon semiconductor layer, and patterning was performed using a photolithography method.
  • the patterned polycrystalline silicon semiconductor film was doped with an impurity element such as phosphorus to form source and drain regions, and a TFT element was fabricated. Thereafter, a planarizing film was formed.
  • a silicon nitride film formed by PECVD and an acrylic resin layer were formed in this order using a spin coater.
  • the silicon nitride film and the gate insulating film were etched together to form a contact hole leading to the source or drain region, and then a source wiring was formed. Thereafter, an acrylic resin layer was formed, and a contact hole communicating with the drain region was formed at the same position as the contact hole of the drain region drilled in the gate insulating film and the silicon nitride film, thereby completing the active matrix substrate.
  • the function as a planarizing film was realized by an acrylic resin layer.
  • the capacitor for setting the gate potential of the TFT to a constant potential is formed by interposing an insulating film such as an interlayer insulating film between the drain of the switching TFT and the source of the driving TFT.
  • the driving TFT, the first electrode of the red light emitting organic EL element, the first electrode of the green light emitting organic EL element, and the first electrode of the blue light emitting organic EL element are passed through the planarization layer. Contact holes formed for electrical connection are provided.
  • a first electrode (anode) of each pixel was formed by a sputtering method in a contact hole provided through a planarization layer connected to a TFT for driving each light emitting pixel.
  • the first electrode is electrically connected to the TFT for driving the light emitting pixel.
  • the first electrode was formed by laminating Al (aluminum) with a thickness of 150 nm and IZO (indium oxide-zinc oxide) with a thickness of 20 nm.
  • the first electrode was patterned into a shape corresponding to each pixel by a conventional photolithography method.
  • the area of the first electrode was 300 ⁇ m ⁇ 160 ⁇ m.
  • the display unit formed on a 100 mm ⁇ 100 mm square substrate is 80 mm ⁇ 80 mm, and 2 mm wide sealing areas are provided on the top, bottom, left and right of the display unit, and further sealing is provided on the short side.
  • a 2 mm terminal lead-out portion was provided outside the area.
  • a 2 mm terminal extraction part was provided on the side to be bent.
  • the edge cover is made to have a structure in which four sides are covered with SiO 2 by 10 ⁇ m from the end of the first electrode.
  • the active substrate was cleaned.
  • the cleaning of the active substrate for example, acetone and IPA were used for ultrasonic cleaning for 10 minutes, and then UV-ozone cleaning was performed for 30 minutes.
  • this substrate was fixed to a substrate holder in an in-line type resistance heating vapor deposition apparatus, and the pressure was reduced to a vacuum of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • Each organic layer was formed.
  • TAPC 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane
  • N, N′-di-1-naphthyl-N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine is used as a hole transport material.
  • a hole transport layer having a thickness of 40 nm was formed by resistance heating vapor deposition.
  • a blue organic light emitting layer was formed on the hole transport layer.
  • This blue organic light-emitting layer comprises 1,4-bis-triphenylsilyl-benzene (UGH-2) (host material) and bis [(4,6-difluorophenyl) -pyridinato-N, C2 ′] picolinate iridium (III ) (FIrpic) (blue phosphorescent light emitting dopant) was prepared by co-evaporation at a deposition rate of 1.5 ⁇ / sec and 0.2 ⁇ / sec.
  • a hole blocking layer (thickness: 10 nm) was formed on the light emitting layer using 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).
  • an electron transport layer (thickness: 30 nm) was formed on the hole blocking layer using tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3 ).
  • an electron injection layer (thickness: 0.5 nm) was formed on the electron transport layer using lithium fluoride (LiF).
  • a semitransparent electrode was formed as the second electrode.
  • the substrate was fixed to a metal deposition chamber.
  • the shadow mask for forming the second electrode (a mask having an opening so that the second electrode can be formed in a stripe shape having a width of 2 mm in a direction opposite to the stripe of the first electrode) and the substrate are aligned.
  • magnesium and silver are formed on the surface of the electron injection layer in a desired pattern by co-evaporation at a deposition rate of 0.1 ⁇ / sec and 0.9 ⁇ / sec, respectively, by a vacuum evaporation method (thickness: 1 nm) )did.
  • silver is formed in a desired pattern at a deposition rate of 1 mm / sec (thickness: 19 nm) for the purpose of emphasizing the interference effect and preventing voltage drop due to wiring resistance at the second electrode. )did.
  • the second electrode was formed.
  • a microcavity effect (interference effect) appears between the reflective electrode (first electrode) and the semi-transmissive electrode (second electrode), and the front luminance can be increased. It is possible to more efficiently propagate the light emission energy from the phosphor layer and the orientation improving layer.
  • the emission peak was adjusted to 460 nm and the half-value width to 50 nm by the microcavity effect.
  • an inorganic protective layer made of SiO 2 having a thickness of 3 ⁇ m was formed by patterning from the edge of the display portion to a sealing area of 2 mm in the vertical and horizontal directions by a plasma CVD method.
  • an active drive type organic EL element substrate was produced.
  • thermosetting resin was previously apply
  • the above bonding step was performed in a dry air environment (water content: ⁇ 80 ° C.) for the purpose of preventing deterioration of the organic EL due to water.
  • the active drive organic EL was completed by attaching a polarizing plate to the substrate in the light extraction direction.
  • the terminal formed on the short side is connected to the power supply circuit via the source driver, and the terminal formed on the long side is connected to the external power supply via the gate driver, thereby displaying an 80 mm ⁇ 80 mm display.
  • An active drive organic EL display with a part was completed.
  • the blue light emitting organic EL is used as an excitation light source that can be arbitrarily switched, and the red phosphor layer and the green phosphor layer emit light from blue light to red and green, respectively. It is possible to obtain isotropic emission of red and green by conversion, and through the blue scattering layer, it is possible to obtain isotropic blue emission, enabling full color display, good image, and viewing angle. An image with good characteristics could be obtained.
  • Example 5 Blue LED + phosphor system
  • the phosphor substrate was prepared in the same manner as in Example 4. Using TMG (trimethylgallium) and NH 3 , a buffer layer made of GaN was grown to a thickness of 60 nm on the C surface of the sapphire substrate set in the reaction vessel at 550 ° C. Next, the temperature was raised to 1050 ° C., and an n-type contact layer made of Si-doped n-type GaN was grown to a thickness of 5 ⁇ m using SiH 4 gas in addition to TMG and NH 3 .
  • TMA trimethylaluminum
  • the temperature is lowered to 850 ° C.
  • the first n-type cladding layer made of Si-doped n-type In 0.01 Ga 0.99 N is made 60 nm using TMG, TMI (trimethylindium), NH 3 and SiH 4. It was made to grow with the film thickness.
  • TMG, TMI and NH 3 an active layer made of non-doped In 0.05 Ga 0.95 N was grown at a thickness of 5 nm at 850 ° C.
  • a new p-type cladding layer made of Mg-doped p-type In 0.01 Ga 0.99 N at 850 ° C. using CPMg (cyclopentadienylmagnesium) is added to 60 nm. Growing with film thickness.
  • a second p-type cladding layer made of Mg-doped p-type Al 0.3 Ga 0.7 N is grown to a thickness of 150 nm using TMG, TMA, NH 3 , CPMg. It was.
  • a p-type contact layer made of Mg-doped p-type GaN was grown to a thickness of 600 nm.
  • the temperature was lowered to room temperature, the wafer was taken out of the reaction vessel, and the wafer was annealed at 720 ° C. to reduce the resistance of the p-type layer.
  • a mask having a predetermined shape was formed on the surface of the uppermost p-type contact layer, and etching was performed until the surface of the n-type contact layer was exposed.
  • a negative electrode made of titanium (Ti) and aluminum (Al) was formed on the surface of the n-type contact layer, and a positive electrode made of nickel (Ni) and gold (Au) was formed on the surface of the p-type contact layer.
  • the wafer is separated into 350 ⁇ m square chips, and the LED chip thus prepared is fixed with a UV curable resin on a substrate on which wiring for connecting to a separately prepared external circuit is formed, The chip and the wiring on the substrate were electrically connected to produce a light source substrate composed of a blue LED.
  • thermosetting resin was previously apply
  • the above bonding step was performed in a dry air environment (water content: ⁇ 80 ° C.) for the purpose of preventing deterioration of the organic EL element due to moisture.
  • an LED display device was completed by connecting terminals formed in the periphery to an external power source.
  • the blue light-emitting organic EL is used as an excitation light source that can be arbitrarily switched, and the red phosphor layer and the green phosphor layer emit light from blue light respectively. It is possible to obtain isotropic light emission of red and green by converting to green, and through the blue scattering layer, it is possible to obtain isotropic blue light emission, full color display is possible, and a good image An image with good viewing angle characteristics was obtained.
  • Example 6 Blue organic EL + liquid crystal + phosphor system A low refractive index material film was formed on a 0.7 mm glass substrate.
  • a fluorine resin having a refractive index of about 1.35 to 1.4 was used as the low refractive index material, and this was formed with a film thickness of 50 ⁇ m on the substrate by sputtering.
  • a red phosphor layer, a green phosphor layer, and a blue scatterer layer were formed on the low refractive index material layer to obtain a phosphor substrate.
  • a trapezoidal low-reflection layer made of chromium is formed on a substrate with a width of 20 ⁇ m, a thickness of 500 nm, and a pitch of 200 ⁇ m.
  • the water repellent treatment of the surface of the low reflection layer was performed by CF4 plasma treatment.
  • the red phosphor layer is formed by first [2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] -6-methyl-4H-pyran-4-ylidene] -propanedinitrile (DCM) (0. 02 mol / kg (solid content ratio)) was mixed with an epoxy thermosetting resin to prepare a red phosphor-forming coating solution that was stirred with a stirrer.
  • the red phosphor-forming coating solution prepared above was applied to an area where the low reflection layer on the glass was not formed by an ink jet method. Subsequently, it was cured in a vacuum oven (150 ° C.) for 1 hour to form a red phosphor layer having a thickness of 2 ⁇ m.
  • the cross-sectional shape of the red phosphor layer was a bowl shape due to the effect of the water repellent treatment of the low reflection layer.
  • the green phosphor layer is formed by using 2,3,6,7-tetrahydro-11-oxo-1H, 5H, 11H- [1] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolidine-10-carboxylic acid ( Coumarin 519) (0.02 mol / kg (solid content ratio)) was mixed with an epoxy thermosetting resin to prepare a green phosphor-forming coating solution stirred with a stirrer.
  • the green phosphor-forming coating liquid prepared as described above was applied to an area where the low reflection layer on the glass was not formed by an ink jet method. Subsequently, it was cured in a vacuum oven (150 ° C.) for 1 hour to form a green phosphor layer having a thickness of 2 ⁇ m.
  • the cross-sectional shape of the green phosphor layer was a bowl-like shape due to the effect of the water repellent treatment of the low reflection layer.
  • the blue phosphor layer is formed by first forming 7-hydroxy-4-methylcoumarin (coumarin 4) (0.02 mol / kg (solid content ratio)) in an epoxy thermosetting resin and stirring with a stirrer. A coating liquid was prepared. The blue phosphor-forming coating solution prepared as described above was applied to an area where the low reflection layer on the glass was not formed by an inkjet method. Subsequently, curing was performed in a vacuum oven (150 ° C.) for 1 hour to form a blue phosphor layer having a thickness of 2 ⁇ m.
  • the cross-sectional shape of the blue phosphor layer was a bowl shape due to the effect of the water repellent treatment of the low reflection layer.
  • an aluminum total reflection film was uniformly formed with a film thickness of 50 nm on the side surface on the phosphor layer by sputtering.
  • a planarizing film is formed on the dielectric multilayer film by an acrylic resin by spin coating, and a polarizing film, a transparent electrode, and a light distribution film are formed on the planarizing film by a conventional method.
  • a phosphor substrate was prepared.
  • a switching element made of TFT was formed on a glass substrate by a conventional method.
  • a 100 nm ITO transparent electrode was formed so as to be in electrical contact with the TFT through a contact hole.
  • the transparent electrode was patterned by a normal photolithography method so as to have the same pitch as that of the pixels of the organic EL portion produced previously.
  • an alignment film was formed by a printing method.
  • the substrate on which the TFT is formed and the phosphor substrate are bonded via a 10 ⁇ m spacer, and a TN mode liquid crystal material is injected between the substrate on which the TFT is formed and the phosphor substrate.
  • the liquid crystal / phosphor part was completed.
  • a reflective electrode is formed on a 0.7 mm thick glass substrate by sputtering so that silver has a thickness of 100 nm, and indium-tin oxide (ITO) has a thickness of 20 nm on the reflective electrode.
  • ITO indium-tin oxide
  • a film was formed by sputtering, and a reflective electrode (anode) was formed as the first electrode.
  • the first electrode was patterned to a desired size by a conventional photolithography method.
  • SiO 2 was laminated on the first electrode by a sputtering method, and was patterned by a conventional photolithography method so as to cover only the edge portion of the first electrode.
  • a short side of 10 ⁇ m from the end of the first electrode is covered with SiO 2 .
  • this substrate was fixed to a substrate holder in a resistance heating vapor deposition apparatus, and the pressure was reduced to a vacuum of 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • Each organic layer was formed.
  • TAPC 1,1-bis-di-4-tolylamino-phenyl-cyclohexane
  • CBP carbazole biphenyl
  • a 10 nm-thick hole transport layer was formed by resistance heating vapor deposition.
  • a near ultraviolet organic light emitting layer (thickness: 30 nm) is formed on the hole transport layer.
  • This near-ultraviolet organic light-emitting layer is formed by depositing 3,5-bis (4-t-butyl-phenyl) -4-phenyl- [1,2,4] triazole (TAZ) (near-ultraviolet phosphorescent light-emitting material) at each deposition rate.
  • TEZ 3,5-bis (4-t-butyl-phenyl) -4-phenyl- [1,2,4] triazole
  • an electron transport layer (thickness: 20 nm) was formed on the light emitting layer using 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).
  • an electron injection layer (thickness: 0.5 nm) was formed on the electron transport layer using lithium fluoride (LiF).
  • a semitransparent electrode was formed as the second electrode.
  • the substrate was fixed to a metal deposition chamber.
  • a shadow mask for forming a second electrode (a mask having an opening so that the second electrode can be formed in a stripe shape having a width of 500 ⁇ m and a pitch of 600 ⁇ m in a direction opposite to the stripe of the first electrode) and the above-mentioned
  • the substrate is aligned, and magnesium and silver are co-deposited on the surface of the electron injection layer by a vacuum deposition method at a deposition rate of 0.1 sec / sec and 0.9 sec / sec in a desired pattern (thickness) 1 nm).
  • silver is formed in a desired pattern at a deposition rate of 1 mm / sec (thickness: 19 nm) for the purpose of emphasizing the interference effect and preventing voltage drop due to wiring resistance at the second electrode. )did.
  • a microcavity effect (interference effect) appears between the reflective electrode (first electrode) and the semi-transmissive electrode (second electrode), and the front luminance can be increased. It becomes possible to propagate the luminescence energy from the phosphor layer more efficiently. Similarly, the emission peak was adjusted to 370 nm and the half-value width to 30 nm by the microcavity effect.
  • an inorganic protective layer made of 3 ⁇ m of SiO 2 is patterned by plasma CVD from the edge of the display portion to a sealing area of 2 mm in the vertical and horizontal directions using a shadow mask.
  • the light source substrate which consists of an organic EL element was produced by the above.
  • the organic EL portion, the liquid crystal, and the phosphor portion were aligned with a thermosetting resin and cured to complete a display device.
  • a desired good image and an image with good viewing angle characteristics can be obtained by applying a current to emit light from a desired organic EL section by an external power source and a desired voltage to an electrode for driving a liquid crystal. I was able to.
  • the embodiment of the present invention can be used for a phosphor substrate, various display devices using the phosphor substrate, and a lighting device.
  • SYMBOLS 10 Light-emitting device, 11 ... 1st board

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

　発光デバイスは、励起光を発する励起光源素子と、前記励起光源素子と対向する基板と、前記励起光によって励起され蛍光を発し、前記基板の上に位置する蛍光体層と、前記基板と前記蛍光体層との積層方向と平行な前記蛍光体層の側面に設けられた光学反射体と、前記蛍光体層と前記基板の間に設けられ、前記基板よりも屈折率が小さい低屈折率材層とを備える。

Description

発光デバイス、表示装置、及び照明装置
　本発明は、励起光によって蛍光を発する蛍光体層を備えた発光デバイス、表示装置、及び照明装置に関する。
　本願は、２０１０年１２月２７日に、日本に出願された特願２０１０－２８９７７３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　近年、社会の高度情報化に伴い、フラットパネルディスプレイのニーズが高まっている。フラットパネルディスプレイとしては、例えば、非自発光型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、自発光型のプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、無機エレクトロルミネセンス（無機ＥＬ）ディスプレイ、有機エレクトロルミネセンス（以下、「有機ＥＬ」または「有機ＬＥＤ」とも言う）ディスプレイ等が挙げられる。
　 これらフラットパネルディスプレイの中でも、特に有機ＥＬディスプレイは自発光が可能である点で特に注目されている。有機ＥＬディスプレイにおいては、単純マトリクス駆動により動画表示を行う技術、もしくは薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス駆動により動画表示を行う技術が知られている。従来の有機ＥＬディスプレイでは、赤色光、緑色光、青色光を発する画素を１つの単位として並置し、白色をはじめとする様々な色を作り出してフルカラー表示を行っている。
　 こうした有機ＥＬディスプレイを実現するためには、一般的にシャドーマスクを用いたマスク蒸着法により有機発光層材料を塗り分けることで、赤色、緑色、青色の各画素を形成する方法が一般的に行われている。ところが、この方法では、マスクの加工精度、マスクと基板とのアライメント精度、マスクの大型化が大きな課題となっている。
　 特にテレビジョンに代表される大型ディスプレイの分野では、基板サイズが、いわゆるＧ６世代（１８００ｍｍ×１５００ｍｍ）からＧ８世代（２４６０ｍｍ×２１６０ｍｍ）、Ｇ１０世代（３０５０ｍｍ×２８５０ｍｍ）と大型化が進んでいる。こうした従来の製造方法では、基板サイズと同等以上のマスクを必要とするため、大型基板に対応したマスクの作製、加工が必要となる。
　 ところが、マスクの基材は非常に薄い金属（一般的な膜厚：５０ｎｍ～１００ｎｍ）で構成されるため、大型基板に対応したマスクの作製、加工が困難である。マスクの加工精度の低下や、マスクと基板とのアライメント精度の低下が発生した場合、異なる発光層材料が混ざることにより画素間の発光の混色を引き起こす。こうした現象を防止するためには、画素間に設ける絶縁層の幅を広く取る必要があるが、画素の面積が決まっている場合、発光部の面積が少なくなる。すなわち、画素の開口率の低下に繋がり、有機ＥＬ素子の輝度の低下、消費電力の上昇、寿命の低下をもたらす。
　 また、従来の製造方法では、蒸着源が基板より下側に配置され、有機材料を下方から上方に向けて蒸着して有機層を成膜する。そのため、基板およびマスクの大型化に伴い、中央部でのマスクの撓みが生じる。こうしたマスクの撓みは、上述した発光の混色の原因ともなる。極端な場合には、有機層が形成されない部分ができてしまい、上下の電極のリークが生じる。また、従来の製造方法では、マスクは、所定の使用回数を経ると、劣化して使用できなくなる。そのため、マスクの大型化はディスプレイの製造コストの高騰に繋がる。
　 こうした課題を解決するために、例えば、青色域から青緑色域の光を発する有機ＥＬ材料部と、紫外域の光を発する有機ＥＬ材料部と、有機ＥＬ材料部からの青色域から青緑色域の光を励起光として赤色光を発光する蛍光材料部と、青色域から青緑色域の光を励起光として緑色光を発光する蛍光材料部と、紫外域の光を励起光として青色光を発光する蛍光材料部と、を備えたＥＬ素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。　このＥＬ素子は、上記の塗り分け方式の有機ＥＬ素子に比べて簡単に製造でき、コスト面で優れている。
　 また、ＥＬ発光素子部と蛍光層とを備え、蛍光層の側面上に反射膜を設けることにより側面に向かう光を効率良く正面に取り出すことを可能とした有機ＥＬ素子も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
　 また、発光ピーク波長が４００ｎｍ～５００ｎｍの光を出射する光源と、液晶表示素子と、蛍光体からなる波長変換部と、を組み合わせたカラー表示装置も提案されている（例えば特許文献３、特許文献４、非特許文献１参照）。特許文献３の記載によれば、液晶層の外側に設けられたＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体層で発光が生じるため、光利用効率が高く、明るいカラー表示装置を実現できるとされている。
特許第２７９５９３２号公報 特開平１１－３２９７２６号公報 特開２０００－１３１６８３号公報 特開２００１－２０２８２７号公報
ＩＤＷ‘０９，ｐ．１００１（２００９）
　しかしながら、特許文献１に記載されたＥＬ素子においては、蛍光体層から発せられる光は等方的に拡がるため、光の一部が基板と外部との界面で反射され、外部に取り出されない。反射された光が隣接する蛍光材料部に進入し、表示にじみやぼやけを発生させ、表示品位を低下するという課題がある。
　 また、蛍光体層から発せられる光は等方的に拡がるがため、蛍光体層から光を外部に取り出す際の光の損失が大きく、得られる発光効率が低いという課題もある。そのため、所定の発光効率を得るためには投入電力を増大させなければならず、消費電力が上昇する要因となる。
　 特許文献２に記載された有機ＥＬ素子においても、基板側に入射する光の入射角を制御する形態となっていないため、基板と外部との界面で反射する光成分が存在し、表示品位を十分に向上させることができない。また、光源側に向けて発光する光を効率良く取り出すことができず、発光効率を十分に向上させることができないという課題がある。
　 特許文献３に記載されたカラー表示装置においても、蛍光体層から発せられる光は等方的であるため、光の一部が基板と外部との界面で反射され、外部に取り出されず、反射された光が隣接する蛍光材料部に進入し、表示にじみやぼやけを発生させ、表示品位を低下させるという課題がある。また、蛍光体層からの光を外部に取り出す際の光の損失が大きく、得られる発光効率が低いという課題もある。
　 一方、特許文献４に記載の発光素子構造においては、表示にじみやぼやけに対する手立ては施されているが、蛍光体層から光を外部に効率よく取り出すための手立てが施されていないため、発光効率を十分に向上させることができないという課題がある。
　 本発明の一態様は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、蛍光体層から発した蛍光を外部に向けて効率よく出射させ、高輝度に発光可能な発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供することを目的とする。
　 上記課題を解決するために、本発明のいくつかの態様は次のような発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供した。
　 すなわち、本発明の一態様における発光デバイスは、励起光を発する励起光源素子と、前記励起光源素子と対向する基板と、前記励起光によって励起され蛍光を発し、前記基板の上に位置する蛍光体層と、前記基板と前記蛍光体層との積層方向と平行な前記蛍光体層の側面に設けられた光学反射体と、前記蛍光体層と前記基板の間に設けられ、前記基板よりも屈折率が小さい低屈折率材層と、を備える。
　さらに、前記励起光の波長範囲のうちピーク波長域の励起光を少なくとも透過し、かつ前記蛍光体層から発した前記蛍光の波長範囲のうちピーク波長域の蛍光を少なくとも反射させるよう構成された波長選択層を有し、前記蛍光体層は、前記励起光源素子に対面する前記励起光の入射面を有し、前記入射面上に前記波長選択層が設けられていてもよい。
　さらに、前記蛍光体層は、所定の領域毎に複数に分割されており、前記低屈折率材層は、分割された複数の前記蛍光体層のそれぞれと前記第二基板との間にもうけられていてもよい。
　さらに、分割された複数の前記蛍光体層における、互いに隣接した前記蛍光体層どうしの間に、それぞれ光吸収層が設けられていてもよい。
　前記光吸収層は、前記低屈折率材層と、前記基板との間に配されていてもよい。
　前記光吸収層の前記蛍光体層に対向する面は、前記低屈折率材層に覆われていてもよい。
　 前記低屈折率材層は、前記蛍光体層から前記低屈折率材層に向けて入射する入射光の臨界角が、前記第二基板から外部に出射する出射光の臨界角よりも小さくなるような屈折率を有していてもよい。
　前記基板は、前記基板の少なくとも端部が前記励起光源素子に近づくように湾曲していてもよい。
　本発明の他の態様における表示装置は、前記発光デバイスを備える。
　前記励起光源素子は紫外線波長域の励起光を出射し、前記蛍光体層は、前記励起光によって赤色光を発する赤色画素を構成する赤色蛍光体層と、前記励起光によって緑色光を発する緑色画素を構成する緑色蛍光体層と、前記励起光によって青色光を発する青色画素を構成する青色蛍光体層と、を少なくとも備えていてもよい。
　 前記励起光源素子は青色の励起光を出射し、前記蛍光体層は、前記励起光によって赤色光を発する赤色画素を構成する赤色蛍光体層と、前記励起光によって緑色光を発する緑色画素を構成する緑色蛍光体層と、を少なくとも備え、前記励起光を散乱させる青色画素を構成する散乱層を備えていてもよい。
　 さらに、前記励起光源素子を駆動するアクティブマトリックス駆動素子を配置してもよい。
　 前記基板から前記蛍光を外部に出射させてもよい。
　 前記励起光源素子は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかから構成されてもよい。
　 さらに、前記励起光源素子と前記基板との間に、前記励起光の透過率を制御可能な液晶素子を有し、前記励起光源素子は面状光源を成していてもよい。
　 本発明のさらに他の態様における照明装置は、前記各項記載の発光デバイスを備える。
　 本発明の態様によれば、高発光効率（高輝度）の発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供することができる。
本発明の第一実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。 励起光源素子の一例である有機ＥＬ素子を示す断面図である。 励起光源素子の一例である無機ＥＬ素子を示す断面図である。 励起光源素子の一例であるＬＥＤを示す断面図である。 本発明の第二実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。 本発明の第三実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。 発光デバイスを備えた表示装置の一例である、アクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイを示す断面図である。 表示装置の制御部分の構成例を示す概要図である。 本発明の発光デバイスの一適用例である携帯電話を示す外観図である。 本発明の発光デバイスの一適用例である薄型テレビを示す外観図である。 本発明の発光デバイスの一適用例であるシーリングライトを示す断面図である。 第四実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。 第四実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。
　以下、図面を参照して、本発明に係る発光デバイス、表示装置、及び電子機器の一実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
（第一実施形態）
　 図１は本発明の第一実施形態に係る発光デバイスの一例を示す概略断面図である。
　 発光デバイス１０は、第一基板１１と、この基板１１の一面１１ａ側に形成された励起光源素子１３とを備えている。また、第一基板１１の一面１１ａと励起光源素子１３との間には、更にアクティブ駆動素子１９が形成されているのが好ましい。アクティブ駆動素子１９は、励起光源素子１３を駆動させる素子であり、例えば、ＴＦＴであってもよい。
　 一方、この第一基板１１に対向して、封止層１４を介して第二基板１２が形成されている。この第二基板１２の一面１２ａ側には、低屈折率材層１５が形成されている。
　更に、低屈折率材層１５に重ねて蛍光体層１６が形成されている。この蛍光体層１６は、所定の領域毎、例えば画素単位ごとに複数に分割されて形成されていいてもよい。蛍光体層１６は、励起光源素子１３で発した励起光Ｅによって励起され、蛍光Ｆを発する。こうした蛍光体層１６は、本実施形態の発光デバイス１０を、例えばフルカラー表示を行う表示装置などに用いる場合には、青色蛍光体層、緑色蛍光体層、赤色蛍光体層の三原色の蛍光体層から構成されるよう構成してもよい。
　更に、互いに隣接する蛍光体層１６，１６…どうしの間には、光吸収層１７が形成されている。光吸収層１７は、例えば、分割された複数の蛍光体層１６と第二基板１２との間に広がるように形成されている。
　また、第一基板１１と第二基板１２との積層方向Ｌに沿った蛍光体層１６の側面には、光学反射体１８が形成されている。
　 励起光源素子１３は、例えば、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）、無機エレクトロルミネセンス素子（無機ＥＬ素子）から構成されていてもよい。励起光源素子１３は、蛍光体層１６に向けて励起光を照射する。励起光源素子１３が発する励起光Ｅは、蛍光体層１６を励起させる。励起光源素子１３は、例えば紫外線波長域の光や、青色波長域の励起光を出射してもよい。
　 低屈折率材層１５は、第二基板１２よりも屈折率が小さい材料から構成される。特に、蛍光体層１６から低屈折率材層１５に向けて入射する入射光（蛍光）の臨界角が、第二基板から外部に出射する出射光（蛍光）の臨界角よりも小さくなるような屈折率を持つ材料であることが好ましい。
　 以上のような構成の発光デバイス１０の作用について説明する。
　 図１に示すように、励起光源素子１３から発した励起光Ｅは蛍光体層１６に入射し、蛍光体層１６を励起させる。そして、蛍光体層１６からは蛍光Ｆが出射される。蛍光体層１６から出射した蛍光Ｆは、低屈折率材層１５を介して第二基板１２のから外部に出射される。
　 この時、低屈折率材層１５は、第二基板１２よりも屈折率が小さい材料で構成されている。したがって、低屈折率材層１５を備えていない従来の構成と比較して、蛍光体層１６から発した蛍光Ｆが第二基板１２に入射する際に、第二基板１２の表面で反射されて蛍光体層１６に戻ってしまうといったロス（損失）となる光を低減する。これにより、出射される蛍光Ｆの光量の増大と、消費電力の低減を実現することが可能となる。
　 また、低屈折率材層１５を備えていない従来の構成と比較して、蛍光体層１６から発した蛍光Ｆが第二基板１２内に入射出来る入射角を低屈折率材層１５で制御することが可能となる。すなわち、蛍光体層１６から発した蛍光Ｆが低屈折率材層１５から第二基板１２内に入射出来る入射角を制御することが可能となる。これにより、第二基板１２と外部の界面で全反射する蛍光Ｆを低減し、表示にじみやぼやけの低減を実現することが可能となる。
　また、第一基板１１と第二基板１２との積層方向Ｌに沿った蛍光体層１６の側面に光学反射体１８を形成する。これによって、蛍光体層１６の側面方向に向けて発した蛍光Ｆの一部も、この光学反射体１８によって第二基板１２に向けて反射されるため、出射される蛍光Ｆの光量の更なる増大を図ることができる。
　次に、励起光源素子１３の一例として、有機ＥＬ素子の構成を説明する。
　図２は、有機ＥＬ素子の一例を示す断面図である。
　有機ＥＬ素子（励起光源素子）２０は、第一基板２１の一面２１ａに積層された第一電極（陽極）２２、および第二電極（陰極）２３と、この第一電極２２と第二電極２３との間に配された有機層（有機ＥＬ層）２４とを備えている。
　有機層（有機ＥＬ層）２４は、第一電極２２に接する側から順に重ねた正孔注入層２４ａ、正孔輸送層２４ｂ、有機発光層２４ｃ、正孔防止層２４ｄ、電子輸送層２４ｅ、電子注入層２４ｆ、および第一電極２２の両側に形成されたエッジカバー２４ｇから構成される。
　このような構成の有機ＥＬ素子（励起光源素子）２０の第一電極２２と第二電極２３との間に、所定の電圧を印加すると、有機発光層２４ｃから、例えば紫外光や青色光などの励起光を発する。この励起光を蛍光体層１６（図１参照）に向けて照射することによって、蛍光体層１６から蛍光を出射させることができる。
　次に、励起光源素子１３の一例として、無機ＥＬ素子の構成を説明する。
　図３は、無機ＥＬ素子の一例を示す断面図である。
　無機ＥＬ素子（励起光源素子）３０は、第一基板３１の一面３１ａに積層された第一電極３２、第一誘電体層（絶縁層）３３、無機発光層３４、第二誘電体層（絶縁層）３５、および第二電極３６とを備えている。
　このような構成の無機ＥＬ素子（励起光源素子）３０の第一電極３２と第二電極３６との間に、所定の電圧を印加すると、無機発光層３４から、例えば紫外光や青色光などの励起光を発する。この励起光を蛍光体層１６（図１参照）に向けて照射することによって、蛍光体層１６から蛍光を出射させることができる。
　次に、励起光源素子１３の一例として、発光ダイオード（ＬＥＤ）の構成を説明する。
　図４は、ＬＥＤの一例を示す断面図である。
　ＬＥＤ（励起光源素子）４０は、第一基板４１の一面４１ａに積層されたバッファ層４２、およびｎ型コンタクト層４３を備える。このｎ型コンタクト層４３には、第二電極（陰極）４９ｂが接続される。また、ｎ型コンタクト層４３に重ねて、第二ｎ型クラッド層４４ｂ、第一ｎ型クラッド層４４ａ、活性層４６、第一ｐ型クラッド層４７ａ、第二ｐ型クラッド層４７ｂ、バッファ層４８、および第一電極（陽極）４９ａが順に形成されている。
　このような構成の発光ダイオード（ＬＥＤ）４０の第一電極４４ａと第二電極４４ｂとの間に、所定の電圧を印加すると、活性層４６で電子と正孔の再結合が生じて、例えば紫外光や青色光などの励起光を発する。この励起光を蛍光体層１６（図１参照）に向けて照射することによって、蛍光体層１６から蛍光を出射させることができる。
（第二実施形態）
　 図５は本発明の第二実施形態に係る発光デバイスの一例を示す概略断面図である。
　 発光デバイス５０は、第一基板５１と、この基板５１の一面５１ａ側に形成された励起光源素子５３とを備えている。
　 一方、この第一基板５１に対向して、封止層５４を介して第二基板５２が形成されている。この第二基板５２の一面５２ａ側には、低屈折率材層５５が形成されている。
　更に、低屈折率材層５５に重ねて蛍光体層５６が形成されている。この蛍光体層５６は、所定の領域毎、例えば画素単位ごとに複数に分割されて形成されていても良い。蛍光体層５６は、励起光源素子５３で発した励起光Ｅによって励起され、蛍光Ｆを発する。こうした蛍光体層５６は、本実施形態の発光デバイス５０を、例えばフルカラー表示を行う表示装置などに用いる場合には、青色蛍光体層、緑色蛍光体層、赤色蛍光体層の三原色の蛍光体層から構成されていてもよい。
　更に、互いに隣接する蛍光体層５６，５６…どうしの間には、光吸収層５７が形成されている。光吸収層５７は、例えば、分割された複数の蛍光体層５６と第二基板５２との間に広がるように形成されていてもよい。
　また、第一基板５１と第二基板５２との積層方向Ｌに沿った蛍光体層５６の側面には、光学反射体５８が形成されている。更に、蛍光体層５６が励起光源素子５３に対面する励起光の入射面５６ａ側には、波長選択層５９が形成されている。
　この波長選択層５９は、励起光源素子５３から発した励起光Ｅの波長範囲のうちピーク波長域の励起光Ｅを少なくとも透過し、かつ、この励起光Ｅによって励起されて蛍光体層５６から発した蛍光Ｆの波長範囲のうち、ピーク波長域の蛍光Ｆを少なくとも反射させる光学機能層である。
　 以上のような構成の発光デバイス５０の作用について説明する。
　 図５に示すように、励起光源素子５３から発した励起光Ｅは波長選択層５９を介して蛍光体層５６に入射し、蛍光体層５６を励起させる。波長選択層５９は、励起光Ｅの波長範囲のうちピーク波長域の励起光Ｅを少なくとも透過させるため、励起光Ｅは蛍光体層５６に達することができる。そして、蛍光体層５６からは蛍光Ｆが出射される。蛍光体層５６から出射した蛍光Ｆは、低屈折率材層５５を介して第二基板５２のから外部に出射される。
　 この時、低屈折率材層５５は、第二基板５２よりも屈折率が小さい材料から構成されている。例えば、低屈折率材層５５は、蛍光体層５６から低屈折率材層５５に向けて入射する入射光（蛍光Ｆ）の臨界角が、第二基板５２から外部に出射する出射光（蛍光Ｆ）の臨界角よりも小さくなるような屈折率を持つ材料から構成されている。従って、蛍光体層５６から発した蛍光Ｆが第二基板５２に入射する際に、第二基板５２の表面で反射されて蛍光体層５６に戻ってしまうといったロス（損失）となる光を低減する。よって、出射される蛍光Ｆの光量の増大と、消費電力の低減を実現することが可能となる。
　また、第一基板５１と第二基板５２との積層方向Ｌに沿った蛍光体層５６の側面に光学反射体５８を形成することによって、蛍光体層５６の側面方向に向けて発した蛍光Ｆの一部も、この光学反射体５８によって第二基板５２に向けて反射されるため、出射される蛍光Ｆの光量の更なる増大を図ることができる。
　更に、蛍光体層５６から励起光源素子５３に戻る方向に向けて発した蛍光Ｆについても、蛍光体層５６から発した蛍光Ｆの波長範囲のうち、ピーク波長域の蛍光Ｆを少なくとも反射させる低屈折率材層５５によって、励起光源素子５３に戻ることなく第二基板５２に向けて反射されるため、出射される蛍光Ｆの光量の更なる増大を図ることが可能になる。
（第三実施形態）
　 図６は本発明の第三実施形態に係る発光デバイスの一例を示す概略断面図である。
　 発光デバイス８０は、第一基板８１と、この基板８１の一面８１ａ側に形成された励起光源素子８３とを備えている。
　 一方、この第一基板８１に対向して、封止層８４を介して第二基板８２が形成されている。この第二基板８２の一面８２ａ側には、光吸収層８７が形成されている。この光吸収層８７は、上層に重ねて配される蛍光体層８６，８６…どうしの間に位置するように形成される。更に、この光吸収層８７を覆うように、低屈折率材層８５が形成されている。
即ち、光吸収層８７は、上層の蛍光体層８６に対向する面が低屈折率材層８５に覆われるように、低屈折率材層８５の内部に形成される。
　更に、この光吸収層８７を覆う低屈折率材層８５に重ねて蛍光体層８６が形成されている。この蛍光体層８６は、所定の領域毎、例えば画素単位ごとに複数に分割されて形成されていても良い。蛍光体層８６は、励起光源素子８３で発した励起光Ｅによって励起され、蛍光Ｆを発する。こうした蛍光体層８６は、本実施形態の発光デバイス８０を、例えばフルカラー表示を行う表示装置などに用いる場合には、青色蛍光体層、緑色蛍光体層、赤色蛍光体層の三原色の蛍光体層から構成されていてもよい。
　また、第一基板８１と第二基板８２との積層方向Ｌに沿った蛍光体層８６の側面には、光学反射体８８が形成されている。更に、蛍光体層８６が励起光源素子８３に対面する励起光の入射面８３ａ側には、波長選択層８９が形成されている。
　この波長選択層８９は、励起光源素子８３から発した励起光Ｅの波長範囲のうちピーク波長域の励起光Ｅを少なくとも透過し、かつ、この励起光Ｅによって励起されて蛍光体層６６から発した蛍光Ｆの波長範囲のうち、ピーク波長域の蛍光Ｆを少なくとも反射させる光学機能層である。
　こうした第三実施形態に係る発光デバイス８０では、間欠的に形成された光吸収層８７，８７…を覆うように低屈折率材層８５を形成することによって、蛍光体層８６を形成する土台となる低屈折率材層８５が平坦化層の役割を果たし、蛍光体層８６を所望の形状に正確に形成することが可能になる。
（第四実施形態）
　図１２Ａは、本発明の第四実施形態に係る発光デバイスの一例を示す概略断面図である。
　発光デバイス２００は、基板２０２と、励起光源素子２０３と、低屈折率材層２０５と、蛍光体層２０６と、光学反射体２０８を備えている。本実施形態において、発光デバイス２００は、基板２０２と対向して配置される基板を有していなくてもよい。すなわち、励起光源素子２０３は、基板２０２と対向して配置される基板上に形成されていなくてもよい。励起光源素子２０３は、図示しない樹脂層によって、基板２０２に固定されていてもよい。低屈折率材層２０５は、基板２０２の上に形成されている。蛍光体層２０６は、低屈折率材層２０５の上に形成されている。
　励起光源素子２０３は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）、無機エレクトロルミネセンス素子（無機ＥＬ素子）であってもよい。励起光源素子２０３は、蛍光体層２０６に向けて励起光を照射する。励起光源素子２０３は、例えば紫外線波長域の光や、青色波長域の励起光を出射してもよい。本実施形態の発光デバイスを照明として用いる場合には、励起光源素子２０３の数は一つでもよいし、複数でもよい。
　 低屈折率材層２０５は、基板２０２よりも屈折率が小さい材料から構成される。特に、蛍光体層２０６から低屈折率材層２０５に向けて入射する入射光（蛍光）の臨界角が、第二基板から外部に出射する出射光（蛍光）の臨界角よりも小さくなるような屈折率を持つ材料であることが好ましい。
　蛍光体層２０６は、励起光源素子２０３で発した励起光Ｅによって励起され、蛍光Ｆを発する。本実施形態の発光デバイスを照明として用いる場合には、蛍光体層２０６は、分割されていなくてもよい。
　また、蛍光体層２０６の側面には、光学反射体２０８が形成されている。これによって、蛍光体層２０６の側面方向に向けて発した蛍光Ｆの一部も、この光学反射体２０８によって基板２０２に向けて反射されるため、出射される蛍光Ｆの光量の増大を図ることができる。
　 以上のような構成の発光デバイス２００の作用について説明する。
　 図１２Ａに示すように、励起光源素子２０３から発した励起光Ｅは蛍光体層２０６に入射し、蛍光体層２０６を励起させる。そして、蛍光体層２０６からは蛍光Ｆが出射される。蛍光体層２０６から出射した蛍光Ｆは、低屈折率材層２０５を介して基板２０２のから外部に出射される。
　 この時、低屈折率材層２０５は、基板２０２よりも屈折率が小さい材料で構成されている。したがって、低屈折率材層２０５を備えていない従来の構成と比較して、蛍光体層２０６から発した蛍光Ｆが基板２０２に入射する際に、基板２０２の表面で反射されて蛍光体層２０６に戻ってしまうといったロス（損失）となる光を低減する。これにより、出射される蛍光Ｆの光量の増大と、消費電力の低減を実現することが可能となる。
　 また、低屈折率材層２０５を備えていない従来の構成と比較して、蛍光体層２０６から発した蛍光Ｆが基板２０２内に入射出来る入射角を低屈折率材層２０５で制御することが可能となる。すなわち、蛍光体層２０６から発した蛍光Ｆが低屈折率材層２０５から基板２０２内に入射出来る入射角を制御することが可能となる。これにより、基板２０２と外部の界面で全反射する蛍光Ｆを低減し、表示にじみやぼやけの低減を実現することが可能となる。
　本実施形態の変形例として、図１２Ｂに発光デバイス９０を示す。発光デバイス９０は、基板９２と、励起光源素子９３と、低屈折率材層９５と、蛍光体層９６と、光学反射体９８を備えている。基板９２は、基板９２の端部が励起光源素子９３に近づくように湾曲している。基板９２は、端部のみが湾曲していてもよいし、基板９２全体が湾曲していてもよい。低屈折率材層９５と蛍光体層９６は、基板９２の上に形成されている。低屈折率材層９５と蛍光体層９６も基板９２と同様に湾曲している。
　基板９２、低屈折率材層９５、蛍光体層９６を湾曲させることにより、励起光源素子９３から射出される励起光の射出角度が広い場合においても、効率よく蛍光体層９６に励起光を照射することが可能となる。
（第五実施形態）
　 以下、上述した各実施形態に係る発光デバイスを構成する各構成部材及びその形成方法についてより詳細に説明するが、上述した各実施形態はこれら構成部材及び形成方法に限定されるものではない。
　 本実施形態で用いられる蛍光体層を形成する基板（第二基板）は、蛍光体から発した蛍光を外部に取り出す必要がある事から、蛍光体の発光波長領域で、光を透過する必要がある。第二基板としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。
　 ここで、ストレス無く湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となる為、プラスティック基板を用いる事が好ましい。更に、ガスバリア性を向上させる観点から、プラスティック基板に無機材料をコートした基板が更に好ましい。これにより、有機ＥＬ素子を励起光源素子として用いた場合に生じ得る水分の透過による有機ＥＬ素子の劣化（有機ＥＬ素子は、特に低量の水分に対しても劣化が起こることが知られている）を解消する事が可能となる。
　 蛍光体層は、紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子、紫外発光ＬＥＤ、青色ＬＥＤ等の励起光を吸収し、青色、緑色、赤色に発光する青色蛍光体層、緑色蛍光体層、赤色蛍光体層等から構成されている。また、必要に応じて、シアン、イエローに発光する蛍光体を画素に加える事が好ましい。
　 ここで、シアン、イエローに発光する画素のそれぞれの色純度を、色度図上での赤色、緑色、青色に発光する画素の色純度の点で結ばれる三角形より外側にすることで、赤色、緑色、青色の３原色を発光する画素を使用する表示装置より色再現範囲を更に広げる事が可能となる。
　 蛍光体層は、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよい。蛍光体層は、以下に例示する蛍光体材料と、任意に添加剤等を含むよう構成されていてもよい。蛍光体層は、以下に例示する蛍光体材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。
　 蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類される。有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料の具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
　 有機系蛍光体材料としては、紫外の励起光を、青色発光に変換する蛍光色素として、スチルベンゼン系色素：１，４－ビス（２－メチルスチリル）ベンゼン、トランス－４，４‘－ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素：７－ヒドロキシ－４－メチルクマリン等が挙げられる。また、紫外、青色の励起光を、緑色発光に変換する蛍光色素として、クマリン系色素：２，３，５，６－１Ｈ、４Ｈ－テトラヒドロ－８－トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１－ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３－（２′－ベンゾチアゾリル）―７－ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３－（２′－ベンゾイミダゾリル）―７－Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、ナフタルイミド系色素：ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。
　 また、紫外、青色の励起光を、赤色の発光に変換する蛍光色素としては、シアニン系色素：４－ジシアノメチレン－２－メチル－６－（ｐ－ジメチルアミノスチルリル）－４Ｈ－ピラン、ピリジン系色素：１－エチル－２－［４－（ｐ－ジメチルアミノフェニル）－１，３－ブタジエニル］－ピリジニウム－パークロレート、及びローダミン系色素：ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１等が挙げられる。
　 無機系蛍光体材料としては、紫外の励起光を青色の発光に変換する蛍光体として、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｓｎ4+、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｃｅ3+、ＣａＧａ2Ｓ4：Ｃｅ3+、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ2、0 Ｍｇ）10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+、ＢａＡｌ2ＳｉＯ8：Ｅｕ2+、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ2+、Ｓｒ5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+、（Ｂａ，Ｃａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+、Ｂａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+、Ｓｒ3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+等が挙げられる。
　 また、紫外、青色の励起光を、緑色の発光に変換する蛍光体として、（ＢａＭｇ）Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+、（ＳｒＢａ）Ａl12Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+、（ＢａＭｇ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ3+，Ｔｂ3+、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7－Ｓｒ2Ｂ2Ｏ5：Ｅｕ2+、（ＢａＣａＭｇ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+、Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8－２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ2+、Ｚｒ2ＳｉＯ4、ＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｃｅ3+，Ｔｂ3+、Ｂａ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+、Ｓｒ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ4：Ｅｕ2+等が挙げられる。
　 また、紫外、青色の励起光を、赤色の発光に変換する蛍光体としては、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+、ＹＡｌＯ3：Ｅｕ3+、Ｃａ2Ｙ2（ＳｉＯ4）6：Ｅｕ3+、ＬｉＹ9（ＳｉＯ4）6Ｏ2：Ｅｕ3+、ＹＶＯ4：Ｅｕ3+、ＣａＳ：Ｅｕ3+、Ｇｄ2Ｏ3：Ｅｕ3+、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4：Ｅｕ3+、Ｍｇ4ＧｅＯ5.5Ｆ：Ｍｎ4+、Ｍｇ4ＧｅＯ6：Ｍｎ4+、Ｋ5Ｅｕ2.5（ＷＯ4）6.25、Ｎａ5Ｅｕ2.5（ＷＯ4）6.25、Ｋ5Ｅｕ2.5（ＭｏＯ4）6.25、Ｎａ5Ｅｕ2.5（ＭｏＯ4）6.25等が挙げられる。
　 また、上記無機系蛍光体は、必要に応じて表面改質処理を施してもよい。表面改質処理の方法としては、シランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、更にそれらの併用によるもの等が挙げられる。
　励起光による劣化、発光による劣化等、蛍光体層の安定性を考慮すると、無機材料を使用する方が好ましい。
　 更に無機材料を用いる場合には、平均粒径（ｄ５０）が、０．５μｍ～５０μｍであることが好ましい。平均粒径が１μｍ以下であると、蛍光体の発光効率が低下する。また、５０μｍ以上であると、平坦な膜を形成する事が困難となり、励起光源素子が有機ＥＬの場合、蛍光体層と、有機ＥＬ素子との間に空乏が出来てしまう（有機ＥＬ素子（屈折率：約１．７）と無機蛍光体層（屈折率：約２．３）の間に空乏（屈折率：１．０））。したがって、有機ＥＬ素子からの光が効率よく無機蛍光層に届かず、蛍光体層の発光効率の低下が起こる。また、液晶表示装置の場合、蛍光体層の平坦化が困難で、液晶層を形成する事が不可能となったりする（液晶層を挟む電極間の距離がバラバラとなり、均一に電界が掛からない為、液晶層が均一に動作しない等）。
　 また、蛍光体層は、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセスで形成することができる。また、蛍光体層は上記の蛍光体材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。
　 また、蛍光体層は、前記高分子材料として感光性樹脂を用いる事で、フォトリソグラフィー法により、パターン化が可能となる。
　 ここで、感光性樹脂としては、アクリル酸系樹脂、メタクリル酸系樹脂、ポリ桂皮酸ビニル系樹脂、硬ゴム系樹脂等の反応性ビニル基を有する感光性樹脂（光硬化型レジスト材料）の一種類又は複数種類の混合物を用いる事が可能である。　また、前記、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法等ウエットプロセス、シャドーマスクを用いた抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により蛍光体材料をダイレクトにパターニングする事も可能である。
　 上記の蛍光体層の膜厚は、通常１００ｎｍ～１００μｍ程度であるが、１μｍ～１００μｍが好ましい。膜厚が１００ｎｍ未満であると、励起光源素子からの青色発光を十分吸収することが不可能である為、発光効率の低下、必要とされる色に励起光の色が混じる事による色純度の悪化が生じる可能性がある。
　 更に励起光源素子からの発光の吸収を高め、色純度の悪影響を及ぼさない程度に励起光の透過を低減する為には、膜厚として、１μｍ以上とする事が好ましい。また、膜厚が１００μｍを超えると励起光源素子からの励起光を既に十分吸収する事から、効率の上昇には繋がらず材料を消費するだけに留まり、材料コストが上昇する。
　 分割して形成された蛍光体層どうしの間には、光吸収層を形成する事が好ましい。これによりコントラストが向上される。
　 光吸収層の膜厚としては、通常１００ｎｍ～１００μｍ程度であるが、１００ｎｍ～１０μｍが好ましい。また、蛍光体層の側面への発光を効率良く、反射層により外部に取り出す為に、光吸収層の膜厚は、蛍光体層の膜厚より薄い方が好ましい。
　 光学反射体は、蛍光体層の背面と励起光の入射面を除く側面に設けられる。蛍光体層内で発した光が、蛍光体層の背面及び励起光の入射面を除く側面側に向けて発光した蛍光を正面方向（光取出し方向）に取り出す性質を有する層である。
　 より具体的には、光学反射体としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒやその合金などの反射性の金属粉、或いは金属粒子を含有した樹脂から成る反射性の樹脂膜を形成した構造などが挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
　 また、蛍光体層の上面は、平坦化膜を形成して平坦化する事が好ましい。これにより、励起光源素子と蛍光体層との間に空乏が出来る事を防止できる。また、励起光源素子が形成される第一基板と蛍光体層が形成される第二基板との密着性を上げる事が出来る。
　 波長選択層（波長選択透過反射層）は、蛍光体層に重ねて設けられてもよい。波長選択層は、励起光源素子から発した励起光を透過し、かつ、蛍光体層から発した蛍光を反射する性質を有する。
　 より具体的には、波長選択層としては、例えば、誘電体多層膜、金属薄膜ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの層に限定されるものではない。
　 低屈折率材層は、蛍光体層と第二基板の間に設けられる。低屈折率材層は、蛍光体層から等方向的に発光した蛍光の内、第二基板に入射する蛍光の入射角を小さくする性質を有する。
　 より具体的には、低屈折率材層としては、例えば、屈折率が１．３５～１．４程度のフッ素樹脂や屈折率が１．４～１．５程度のシリコーン樹脂等が挙げられるが、本実施形態はこれらの層に限定されるものではない。
　 蛍光体層を形成する第二基板と蛍光体層との間には、カラーフィルターを設けることが好ましい。カラーフィルターとしては、従来のカラーフィルターを用いることが可能である。ここで、カラーフィルターを設けることによって、赤色、緑色、青色画素の色純度を高める事が可能となり、表示装置を形成する場合、色再現範囲を拡大する事ができる。
　 また、青色蛍光体層上に形成された青色カラーフィルター、緑色蛍光体層上に形成された緑色カラーフィルター、赤色蛍光体層上に形成された赤色カラーフィルターが、外光の各蛍光体を励起する励起光を吸収する。そのため、外光による蛍光体層の発光を低減又は防止することが可能となり、コントラストの低下を低減又は防止する事が出来る。青色カラーフィルター、緑色蛍光体層上に形成された緑色カラーフィルター、赤色蛍光体層上に形成された赤色カラーフィルターにより、蛍光体層により吸収されず、透過してしまう励起光が外部に漏れ出す事を防止できるため、蛍光体層からの発光と励起光による混色による発光の色純度の低下を防止する事が可能となる。
　 蛍光体を励起する励起光源素子としては、紫外光、青色光を発するものが好ましく、例えば、紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、紫外発光無機ＥＬ、青色発光無機ＥＬ、紫外発光有機ＥＬ、青色発光有機ＥＬ等が挙げられるが、本実施形態はこれらの層に限定されるものではない。また、これらの光源を直接スイッチングする事で、画像を表示する為の発光のＯＮ／ＯＦＦをコントロールする事が可能である。蛍光体層と励起光源素子等の間に、例えば液晶の様なシャッター機能を有する層を配置し、それを、コントロールする事で発光のＯＮ／ＯＦＦをコントロールする事も可能である。また、液晶の様なシャッター機能を有する層と励起光源素子とを両方共ＯＮ／ＯＦＦをコントロールする事も可能である。
　 励起光源素子としては公知の紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、紫外発光無機ＥＬ、青色発光無機ＥＬ、紫外発光有機ＥＬ、青色発光有機ＥＬ等が使用可能であり、特に限定されるものではなく、公知の材料、公知の製造方法で作製する事が可能である。ここで、紫外光としては、主発光ピークが、３６０ｎｍ～４１０ｎｍの発光が、好ましく。青色光としては、主発光ピークが４１０ｎｍ～４７０ｎｍの発光が好ましい。
　 励起光源素子としてＬＥＤを用いる場合、公知のＬＥＤを適用する事が可能で、例えば、紫外発光無機ＬＥＤ、青色発光無機ＬＥＤ等が挙げられる。ＬＥＤは、例えば、基板、バッファ層、ｎ型コンタクト層、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、およびｐ型コンタクト層より構成されているが、これらに限定されるものではない。
　 活性層は、電子と正孔の再結合より発光を行う層である。活性層を形成する活性層材料としては、ＬＥＤ用の公知の活性層材料を用いることができる。このような活性層材料としては、例えば、紫外活性層材料としては、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎaＡｌbＧａ1-a-bＮ（０≦a、０≦b、a＋b≦１）、青色活性層材料としては、Ｉｎz Ｇａ1-z N（０＜ｚ＜１）等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
　 また、活性層としては、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものである。量子井戸構造の活性層はｎ型、ｐ型のいずれでもよいが、特にノンドープ（不純物無添加）とすることによりバンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり、色純度のよい発光が得られるため好ましい。
　 また、活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物をドープしてもよい。不純物をドープした活性層の結晶性がノンドープと同じであれば、ドナー不純物をドープすると、ノンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。
　アクセプター不純物をドープするとバンド間発光のピーク波長よりも約０．５ｅＶ低エネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが、半値幅は広くなる。
　 アクセプター不純物とドナー不純物との両者をドープすると、アクセプター不純物のみをドープした活性層の発光強度に比べその発光強度をさらに大きくすることができる。
　特に、アクセプター不純物をドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はＳｉ等のドナー不純物をもドープしてｎ型とすることが好ましい。
　 ｎ型クラッド層としては、ＬＥＤ用の公知のｎ型クラッド層材料を用いることができる。ｎ型クラッド層は、１層でも多層でも良い。活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいｎ型半導体で形成される材料によりｎ型クラッド層を構成する事で、ｎ型クラッド層と活性層の間には正孔に対する電位障壁ができ、正孔を活性層に閉じ込める事が可能となる。例えば、ｎ型Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）により形成する事が可能であるが、本実施形態は、これらに限定されるものではない。
　 ｐ型クラッド層としては、ＬＥＤ用の公知のｐ型クラッド層材料を用いることができる。ｐ型クラッド層は、１層でも他層でも良い。活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいｐ型半導体で形成される材料によりｐ型クラッド層を構成する事で、ｐ型クラッド層と活性層の間には電子に対する電位障壁ができ、電子は活性層に閉じ込める事が可能となる。例えば、Ａｌy Ｇａ1-y Ｎ（０≦ｙ≦１）で形成する事が可能であるが、本実施形態は、これらに限定されるものではない。
　 コンタクト層としては、ＬＥＤ用の公知のコンタクト層材料を用いることができる。例えば、ｎ型クラッド層に接して電極を形成する層としてｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を形成することが可能であり、ｐ型クラッド層に接して電極を形成する層としてｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を形成することが可能である。但し、このコンタクト層は、第２のｎ型クラッド層、第２のｐ型クラッド層をＧａＮで形成されていれば、特に形成する必要はなく、第２のクラッド層をコンタクト層とすることも可能である。
　 また、これらＬＥＤを構成する上記各層は、ＬＥＤ用の公知の成膜プロセスを用いる事が可能であるが、本実施形態は特にこれらに限定されるものではない。例えば、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）、ＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の気相成長法を用いて、例えばサファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面を含む）、ＳｉＣ（６Ｈ－ＳｉＣ、４Ｈ－ＳｉＣも含む）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４、特にその（１１１）面）、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、あるいは他の酸化物単結晶基板（ＮＧＯ等）等の基板上に形成することが可能である。
　 励起光源素子として有機ＥＬ素子を用いる場合、公知の有機ＥＬ素子を適用する事が可能である。有機ＥＬ素子は、例えば、第一電極と、第二電極と、第一電極と第二電極との間に有機層を含む有機ＥＬ層と、により構成されているが、これらに限定されるものではない。有機層は、少なくとも有機発光材料からなる有機発光層を有する。
　 有機ＥＬ素子の基板としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、又は、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、または、前記基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。
　ここで、ストレス無く湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となる為、前記プラスティック基板、もしくは、前記金属基板を用いる事が好ましい。更に、プラスティック基板に無機材料をコートした基板、金属基板に無機絶縁材料をコートした基板が更に好ましい。これにより、プラスティック基板を有機ＥＬ素子の基板として用いた場合に生じ得る水分の透過による有機ＥＬ素子の劣化（有機ＥＬ素子は、特に低量の水分に対しても劣化が起こることが知られている。）を解消する事が可能となる。
　 また、金属基板を有機ＥＬ素子の基板として用いた場合に生じ得る金属基板の突起によるリーク（ショート）（有機ＥＬ素子の膜厚は、１００ｎｍ～２００ｎｍ程度と非常に薄いため、突起による画素部での電流にリーク（ショート）が起こることが知られている。）を解消する事が可能となる。
　 また、ＴＦＴを形成する場合には、５００℃以下の温度で融解せず、歪みも生じない基板を用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置で金属基板上にＴＦＴを形成することが困難であるが、線膨張係数が１×１０－５／ ℃ 以下の鉄－ ニッケル系合金である金属基板を用いて、線膨張係数をガラスと概ね一致させることで金属基板上にＴＦＴを従来の生産装置を用いて安価に刑する事が可能となる。
　 また、プラスティック基板の場合には、耐熱温度が低いため、ガラス基板上にＴＦＴを形成した後、プラスティック基板にＴＦＴを転写する事で、プラスティック基板上にＴＦＴを転写形成する事が可能である。
　 更に、有機ＥＬ層からの発光（励起光）を基板の逆側（第二電極側）から取り出す場合には、基板としての制約はないが、有機ＥＬ層からの発光を基板側から取り出す場合には、用いる基板として有機ＥＬ層からの発光を外部に取り出す為に、透明又は半透明の基板を用いる必要がある。
　 有機ＥＬ素子の発光を制御するＴＦＴは、有機ＥＬ素子を形成する前に、予め基板上に形成され、スイッチング用及び駆動用として機能する。本実施形態で用いられるＴＦＴとしては、公知のＴＦＴが挙げられる。また、本実施形態では、ＴＦＴの代わりに金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。
　 アクティブ駆動型有機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬ表示装置に用いる事が可能なＴＦＴは、公知の材料、構造及び形成方法を用いて形成することができる。ＴＦＴの活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム－酸化ガリウム－酸化亜鉛等の酸化物半導体材料又は、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ－フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。
　 ＴＦＴを構成する活性層の形成方法としては、（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法又はＳｉＨ４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法又はＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。
　 ＴＦＴのゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２又はポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等が挙げられる。また、本実施形態で用いられるＴＦＴの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第１駆動電極及び第２駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。本実施形態に係る有機ＥＬパネルのＴＦＴは、上記のような構成で形成することができるが、これらの材料、構造及び形成方法に限定されるものではない。
　 アクティブ駆動型有機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬ表示装置に用いる事が可能な層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。層間絶縁膜の材料として、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、又は、Ｓｉ２Ｎ４）、酸化タンタル（ＴａＯ、又は、Ｔａ２Ｏ５）等の無機材料、又は、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、その形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。
　 有機ＥＬ層からの発光（励起光）を基板の逆側（第二電極側）から取り出す場合には、外光が基板上に形成されたＴＦＴに入射して、ＴＦＴ特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を用いることが好ましい。また、上記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性層間絶縁膜としては、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料又は染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、ＮｉｘＺｎｙＦｅ２Ｏ４等の無機絶縁材料等が挙げられる。しかしながら、本実施形態はこれらの材料及び形成方法に限定されるものではない。
　 アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において基板上にＴＦＴ等を形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機ＥＬ素子の欠陥（例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等）等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜上に平坦化膜を設けてもよい。
　 こうした平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料及び形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造でも多層構造でもよい。
　 第一電極及び第二電極は、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極として対で機能する。つまり、第一電極を陽極とした場合には、第二電極は陰極となり、第一電極を陰極とした場合には、第二電極は陽極となる。以下に、具体的な化合物及び形成方法を例示するが、本実施形態はこれらの材料及び形成方法に限定されるものではない。
　 第一電極及び第二電極を形成する電極材料としては公知の電極材料を用いることができる。陽極である場合には、有機ＥＬ層への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上の金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、及び、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ２）インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられる。
　 また、陰極を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下のリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、又は、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。
　 第一電極及び第二電極は上記の材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、５０ｎｍ以上が好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。
　 更に、色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等の目的でマイクロキャビティ効果を用いる場合には、有機ＥＬ層からの発光を第一電極側（第二電極）から取り出す場合には、第一電極（第二電極）として半透明電極を用いることが好ましい。ここで用いる材料として、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料の組み合わせを用いる事が可能であるが、半透明電極材料としては、反射率及び透過率の観点から、銀が好ましい。
　 半透明電極の膜厚は、５ｎｍ～３０ｎｍが好ましい。膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得るとこができない。また、膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから輝度、効率が低下するおそれがある。
　また、第二電極（第一電極）として光を反射する反射率の高い電極を用いることが好ましい。この際に用いる電極材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム－リチウム合金、アルミニウム－ネオジウム合金、アルミニウム－シリコン合金等の反射性金属電極、透明電極と前記反射性金属電極（反射電極）を組み合わせた電極等が挙げられる。
　 有機ＥＬ層は、有機発光層の単層構造でも、有機発光層と電荷輸送層の多層構造でもよく、具体的には、下記の構成が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
（１）有機発光層
（２）正孔輸送層／有機発光層
（３）有機発光層／電子輸送層
（４）正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（５）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（６）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
（７）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層
（８）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層／電子注入層
（９）正孔注入層／正孔輸送層／電子防止層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層／電子注入層
　 ここで、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層及び電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。
　 有機発光層は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよい。また、有機発光層は、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。また、有機発光層２３は、以下に例示する材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。
　発光効率及び寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。
　 有機発光材料としては、有機ＥＬ用の公知の発光材料を用いることができる。このような有機発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いる事が好ましい。
　 ここで、具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
　有機発光層に任意に含まれる発光性のドーパントとしては、有機ＥＬ用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、紫外発光材料としては、ｐ－クォーターフェニル、３，５，３,５テトラ-ｔ-ブチルセクシフェニル、３，５，３,５テトラ-ｔ-ブチル-ｐ－クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。青色発光材料として、スチリル誘導体等の蛍光発光材料、ビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２‘］ピコリネート　イリジウム（III）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’,６‘－ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１－ピラゾイル）ボレート　イリジウム（III）（ＦＩｒ６）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
　 また、ドーパントを用いる時のホスト材料としては、有機ＥＬ用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、４，４‘－ビス（カルバゾール）ビフェニル、９，９－ジ（４－ジカルバゾール－ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６－ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、（ＰＣＦ）等のカルバゾール誘導体、４－（ジフェニルフォスフォイル）－Ｎ，Ｎ-ジフェニルアニリン（ＨＭ－Ａ１）等のアニリン誘導体、１，３－ビス（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４－ビス（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）等のフルオレン誘導体等が挙げられる。
　 電荷注入輸送層は、電荷（正孔、電子）の電極からの注入と発光層への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）に分類され、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよい。電荷注入輸送層は、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。電荷注入輸送層は、以下に例示する電荷注入輸送材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。
　 電荷注入輸送材料としては、有機ＥＬ用、有機光導電体用の公知の電荷輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料及び電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
　 正孔注入及び正孔輸送材料としては、例えば、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の酸化物、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン－樟脳スルホン酸（ＰＡＮＩ－ＣＳＡ）、３，４－ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ－ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子材料等が挙げられる。
　 また、陽極からの正孔の注入及び輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層として用いる材料としては、正孔輸送層に使用する正孔注入輸送材料より最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましい。正孔輸送層としては、正孔注入層に使用する正孔注入輸送材料より正孔の移動度が、高い材料を用いることが好ましい。
　 また、より正孔の注入及び輸送性を向上させるため、前記正孔注入及び輸送材料にアクセプターをドープする事が好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
　 アクセプター材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ，Ｉｒ、ＰＯＣｌ3 、ＡｓＦ6 、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の無機材料、ＴＣＮＱ（７，７，８，８，－テトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＱＦ4 （テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＥ（テトラシアノエチレン）、ＨＣＮＢ（ヘキサシアノブタジエン）、ＤＤＱ（ジシクロジシアノベンゾキノン）等のシアノ基を有する化合物、ＴＮＦ（トリニトロフルオレノン）、ＤＮＦ（ジニトロフルオレノン）等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。
　この内、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ4 、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。
　 電子注入及び電子輸送材料としては、例えば、ｎ型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ－ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）等のフッ化物、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。
　 電子の陰極からの注入及び輸送をより効率よく行う点で、電子注入層として用いる材料としては、電子輸送層に使用する電子注入輸送材料より最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましい。電子輸送層として用いる材料としては、電子注入層に使用する電子注入輸送材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
　 また、より電子の注入及び輸送性を向上させるため、前記電子注入及び輸送材料にドナーをドープする事が好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
　 ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス－（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－（フェニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン等）、トリフェニルアミン類（トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ－３－メチルフェニル－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン等）、トリフェニルジアミン類（Ｎ，Ｎ’－ジ－（４－メチル－フェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，４－フェニレンジアミン）等の芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物（ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい）、ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料がある。この内特に、芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。
　 発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層等の有機ＥＬ層は、上記の材料を溶剤に溶解、分散させた有機ＥＬ層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。なお、ウエットプロセスにより有機ＥＬ層を形成する場合には、有機ＥＬ層形成用塗液は、レベリング剤、粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。
　 上記の各有機ＥＬ層の膜厚は、通常１ｎｍ～１０００ｎｍ程度であるが、１０ｎｍ～２００ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、本来必要とされる物性（電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性）が得られない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。また、膜厚が２００ｎｍを超えると有機ＥＬ層の抵抗成分により駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる。
　 有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ表示装置は、第一電極と第二電極との間に、基板側に形成された第一電極のエッジ部で、第一電極と第二電極間でリークを起こす事を防止する目的でエッジカバーを有することが好ましい。ここで、エッジカバーは、絶縁材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができ、公知のドライ及びウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターン化をすることができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。
　 また、絶縁層を構成する材料は、公知の材料を使用することができ、本実施形態では特に限定されないが、光を透過する必要があり、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＨｆＳｉＯＮ、ＺｒＯ、ＨｆＯ、ＬａＯ等が挙げられる。また、膜厚としては、１００ｎｍ～２０００ｎｍが好ましい。１００ｎｍ以下であると、絶縁性が十分ではなく、第一電極と第二電極との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。
　また、２０００ｎｍ以上であると、成膜プロセスに時間が係り生産性の悪化、エッジカバーでの第二電極の断線の原因となる。
　 有機ＥＬ素子は、陽極、陰極からなる電極として用いられる反射電極と半透明電極との干渉効果による、もしくは、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）を有する事が好ましい。これにより、有機ＥＬ素子の発光を正面方向に集光する（指向性を持たせる）事が可能とり、周囲に逃げる発光ロスを低減する事が可能となり、正面での発光効率を高める事が可能となる。
　 これにより、より効率良く有機ＥＬ素子の発光層中で生じる発光エネルギーを蛍光体層へ伝搬する事が可能となり、また、正面輝度を高める事が可能となる。また、干渉効果により、発光スペクトルの調整も可能となり、所望の発光ピーク波長、半値幅に調整する事により発光スペクトルの調整が可能となる。したがって、赤色、緑色蛍光体をより効果的に励起することが可能なスペクトルに制御する事が、青色画素の色純度を向上させる事が可能となる。
　 また、有機ＥＬ素子は、駆動するために外部駆動回路（走査線電極回路、データ信号電極回路、電源回路）に電気的に接続される。
　 ここで、有機ＥＬ素子を構成する基板は、ガラス基板上、より好ましくは、金属基板上、プラスティック基板上、更に好ましくは、金属基板、もしくは、プラスティック基板上に絶縁材料をコートした基板を用いている。
　 また、有機ＥＬ素子は、直接外部回路に接続し、駆動しても良いし、ＴＦＴ等のスイッチング回路を画素内に配置し、ＴＦＴ等が接続される配線に前記光源を駆動するための外部駆動回路（走査線電極回路（ソースドライバ）、データ信号電極回路（ゲートドライバ）、電源回路）に電気的に接続されていても良い。
　 アクティブ駆動型表示装置を構成する光源を構成するアクティブ基板は、ガラス基板上、より好ましくは、金属基板上、プラスティック基板上、更に好ましくは、金属基板、もしくは、プラスティック基板上に絶縁材料をコートした基板上に、複数の走査信号線、データ信号線、及び、走査信号線とデータ信号線との交差部にＴＦＴが配置される。
　 こうした有機ＥＬ素子では、電圧駆動デジタル階調方式により駆動が行われ、画素毎にスイッチング用及び駆動用の２つのＴＦＴが配置され、駆動用のＴＦＴとＥＬ素子の第一電極とが平坦化層に形成されるコンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、一画素中には駆動用のＴＦＴのゲート電位を定電位にするためのコンデンサーが、駆動用のＴＦＴのゲート部分に接続されるように配置されている。
　しかし、本実施形態では、特にこれらに限定されるものではなく、前述した電圧駆動デジタル階調方式でも良く、また、電流駆動アナログ階調方式でも良い。また、ＴＦＴの数も、特に限定されるものではなく、前述した２つのＴＦＴにより、有機ＥＬを駆動しても良いし、ＴＦＴの特性（移動度、閾値電圧）バラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した従来の２個以上のＴＦＴを用いた有機ＥＬ素子を駆動しても良い。
　 励起光源素子として無機ＥＬ素子を用いる場合、例えば、紫外発光無機ＥＬや青色発光無機ＥＬは、基板、第一電極、第１誘電体層、発光層、第２誘電体層、および第二電極より構成されているが、これらに限定されるものではない。
　 無機ＥＬ素子に用いられる基板としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、又は、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、または、前記基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。
　 しかし、ここで、ストレス無く湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となる為、前記プラスティック基板、もしくは、前記金属基板を用いる事が好ましい。更に、プラスティック基板に無機材料をコートした基板、金属基板に無機絶縁材料をコートした基板が更に好ましい。
　 無機ＥＬ素子の第一電極及び第二電極としては、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、及び、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ２）インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられるが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。しかし、光を取り出す方向に配置する電極は、ＩＴＯ等の透明電極を用いると良い。光を取り出す方向と逆に配置する電極は、アルミニウム等の反射膜を用いる事が好ましい。
　 第一電極及び第二電極は、上記の材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、５０ｎｍ以上が好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。
　 第一及び第二誘電体層としては、無機ＥＬ用の公知の誘電体材料を用いることができる。このような誘電体材料としては、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸アルミニウム（ＡｌＴｉＯ３）チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。また、第一及び第二誘電体層は上記の誘電体材料のうちから選んだ１種類でも、２種類以上の材料を積層した構成でも良い。また、誘電体の膜厚は、２００ｎｍ～５００ｎｍ程度が、好ましい。
　 発光層としては、無機ＥＬ用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料としては、例えば、紫外発光材料としては、ＺｎＦ2：Ｇｄ、青色発光材料としては、ＢａＡｌ2Ｓ4：Ｅｕ、ＣａＡｌ2Ｓ4：Ｅｕ、ＺｎＡｌ2Ｓ4：Ｅｕ、Ｂａ2ＳｉＳ4：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｔｍ、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＳｒＳ：Ｃｕ、ＣａＳ：Ｐｂ、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ２Ｓ４：Ｅｕ等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。また、発光層の膜厚は、３００ｎｍ～１０００ｎｍ程度が、好ましい。
　 無機ＥＬ素子には、封止膜又は封止基板を設けることが好ましい。用いられる封止膜及び封止基板は、公知の封止材料及び封止方法により形成することができる。具体的には、前記光源の基板と逆側の表面上に樹脂をスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法を用いて塗布する事によって封止膜とすることもできる。プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタ法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を形成した後、更に、樹脂をスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法を用いて塗布する、又は、貼り合わせることによって封止膜とすることもできる。この封止膜により、外部からの発光素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、前記光源の寿命が向上する。
　 また、前記励起光源素子と前記蛍光体基板（第二基板）とを接続させるときは、従来の紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等で接着させる事が可能である。また、蛍光体基板上に前記励起光源素子を直接形成した場合には、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス、金属等で封止する方法が挙げられる。更に、封入した不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入する方がより水分による励起光源素子（例えば有機ＥＬ素子）の劣化を効果的に低減できるため好ましい。本実施形態は、これらの部材や形成方法に限定されるものではない。また、第二基板から発光を取り出すため、前記封止膜として光透過性の材料を使用する必要がある。
　 以上のような励起光源素子を用いた発光デバイスを表示装置に適用する際には、光取り出し側に偏光板を設けることが好ましい。偏光板としては、従来の直線偏光板とλ／４板とを組み合わせたものを用いることが可能である。ここで、偏光板を設けることによって、表示装置の電極からの外光反射、基板もしくは封止基板の表面での外光反射を防止する事が可能であり、表示装置のコントラストを向上させることができる。
　 次に、蛍光体層と励起光源素子との間に、液晶素子を設けた表示装置では、液晶素子として公知の液晶素子を適用する事が可能で、例えば、液晶セル及び前記液晶セルを挟持する一対の偏向板により構成されているが、これらに限定されるものではない。
　液晶セルは、２枚の電極基板の間に液晶を担持している。更に、液晶セルと一方の偏光板との間に、光学異方性層が一枚配置されるか、又は、液晶セルと双方の偏光板との間に、光学異方性層が２枚配置されることもある。
　 液晶素子は、前記励起光源素子からの発光を選択的に透過させる、光シャッターとしての機能を有する。
　 液晶セルの種類としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＴＮモード、ＶＡモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＥＣＢモードなどが挙げられる。
　 また、前記液晶素子は、パッシブ駆動でも良いし、ＴＦＴ等のスイッチング素子用いたアクティブ駆動でも良い。
　 液晶素子のスイッチングと光源とスイッチングを組み合わせる事で、より消費電力を低減される事が可能となる為、好ましい。
　 図７は、本実施形態の発光デバイスを備えた表示装置の一例である、アクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイを示す断面図である。
　 この有機ＥＬディスプレイ１００は、基板１０１の一面に、ゲート電極１２６、ドレイン電極１０８、ソース電極１２７、ゲート絶縁膜１２９、配線１３０、スルーホール１３１等からなるアクティブ駆動素子であるＴＦＴが形成される。
　励起光源素子１１８を構成する陽極１０２、エッジカバー１２２、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、電子ブロッキング層１０５、発光層１０６、正孔ブロッキング層１０７、電子輸送層１０８、電子注入層１０９、陰極１１０が形成されている。
　 こうした励起光源素子１１８の上に、封止層１１２が形成される。一方、封止基板（第二基板）１１６上には、低屈折率材層１２０、光学反射膜１１９、光吸収層１２３で区画された赤色発光蛍光体層１２４、緑色発光蛍光体層１２５が形成されている。そして、封止基板１１６側と基板１０１側とが封止層１１２を介して接合されている。
　 図８は、表示装置の制御部分の構成例を示す概要図である。
　 表示装置１３０は、第一基板１３１、画素部Ｇ、ゲート信号駆動回路１３２、データ信号駆動回路１３３、配線１３４、電流供給線１３５、第二基板（封止基板）１３６、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ）１３７、および外部駆動回路１３８とを有している。
　 外部駆動回路１３８は、画素部Ｇの走査ライン（走査線）を順次ゲート信号駆動回路１３２により選択し、選択されている走査ラインに沿って配置されている各画素素子に対し、データ信号駆動回路１３３により画素データを書き込む。すなわち、ゲート信号駆動回路１３２が走査線を順次駆動し、データ信号駆動回路１３３がデータ線に画素データを出力することで、駆動された走査線とデータが出力されたデータ線との交差する位置に配置された画素素子が駆動される。
　 本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図９に示す携帯電話に適用できる。
図９に示す携帯電話６０は、音声入力部６１、音声出力部６２、アンテナ６３、操作スイッチ６４、表示部６５、及び筐体６６等を備えている。そして、表示部６１として本実施形態の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置を携帯電話６０の表示部６５に適用することによって、少ない消費電力で高いコントラストの映像を表示することができる。
　 また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図１０に示す薄型テレビに適用できる。図１０に示す薄型テレビ７０は、表示部７１、スピーカ７２、キャビネット７３、およびスタンド７４等を備えている。そして、表示部７１として本実施形態の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置を薄型テレビ７０の表示部７１に適用することによって、少ない消費電力で高いコントラストの映像を表示することができる。
　 図１１は、本実施形態の発光デバイスを備えた照明装置の一例である、シーリングライトを示す断面図である。図１１に示すシーリングライト１５０は、第一基板１５１の上に第一電極（陽極）１５２、有機ＥＬ素子１５３、第二電極（陰極）１５４、熱拡散シート１５５、第二基板（封止基板）１５６、および放熱材層１５７が順に形成されてなる。
　 また、第一基板１５１の光取り出し側には、光学フィルム１５８が形成されている。
　 こうした積層体の両端部には封止樹脂１５９が形成され、また、積層体の中心領域には、駆動用回路１６１やこれに繋がる配線１６２が形成され、引掛シーリング部材１６３によって、このシーリングライト１５０を、例えば室内の天井等から吊下させ、室内照明として用いることができる。
　 本発明の一実施形態に係る発光デバイスをシーリングライト１５０に適用することによって、少ない消費電力で明るい照明光を得ることができ、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。
　 以下、本発明の一態様における具体的な実施例、および従来の比較例を列記するが、本発明の態様はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。
　 （比較例１）
　 基板として、０．７ｍｍのガラスを用いた。これを水洗後、純水超音波洗浄１０分、アセトン超音波洗浄１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄５分を行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
　 次に基板上に膜厚１００μｍの緑色蛍光体層を形成した。
　 ここで、緑色蛍光体層の形成は、まず、平均粒径５ｎｍのエアロジル０．１６ｇにエタノール１５ｇおよびγ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて開放系室温下１時間攪拌した。この混合物と緑色蛍光体Ｃａ０．９７Ｍｇ０．０３：ＺｒＯ３：Ｈｏを２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７０℃のオーブンで２時間、さらに１２０℃のオーブンで２時間加熱し、表面改質したＢａ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を得た。次に表面改質を施したＣａ０．９７Ｍｇ０．０３：ＺｒＯ３：Ｈｏ　１０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌した緑色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した緑色蛍光体形成用塗液を、スクリーン印刷法で、前記ガラス上に３ｍｍ幅で所望の位置に塗布した。引き続き真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、緑色蛍光体層を形成し、蛍光体基板を完成した。
　 最後に、この蛍光体層の側面を遮光膜で覆った状態で、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の背面から入射させた際、基板側面から蛍光が出射しており、蛍光体基板を正面視した際、基板の周囲がぼやけていることを確認した。
　 また、この蛍光体基板を市販の輝度計（ＢＭ－７：株式会社トップコンテクノハウス社製）を用いて、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の背面から入射させた際、正面から取出される蛍光の２５℃での輝度変換効率を測定した。励起光としての青色ＬＥＤの輝度が１，０００ｃｄ／ｍ２であったのに対して、蛍光体を通した後は、５４７ｎｍに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は１，０２３ｃｄ／ｍ２と輝度変換効率１００％であった。
　 （比較例２）
　 比較例１と同様なガラス基板上に低屈折率材膜を形成した。ここで、低屈折率材には、屈折率が１．３５～１．４程度のフッ素樹脂を用い、これをスパッタ法により、基板上に５０μｍの膜厚で形成した。
　 次に比較例１と同様な方法で低屈折率材層上に緑色蛍光体層を形成した。
また、比較例と同様にして、この蛍光体層の側面を遮光膜で覆った状態で、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の背面から入射させた際、基板側面から蛍光が出射しておらず、蛍光体基板を正面視した際、基板の周囲がぼやけていないことを確認した。
　 一方、比較例１と同様に、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の背面から入射させたところ、正面から取出される蛍光の２５℃での輝度変換効率を測定した。励起光としての青色ＬＥＤの輝度が１，０００ｃｄ／ｍ２であったのに対して、蛍光体を通した後は、５４７ｎｍに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は８１６ｃｄ／ｍ２と輝度変換効率８０％で、比較例１に対して輝度低下を確認した。
　 （実施例１：図１参照）
　 比較例２と同様なガラス基板上に低屈折率材膜を形成した。ここで、低屈折率材には、屈折率が１．３５～１．４程度のフッ素樹脂を用い、これをスパッタ法により、基板上に５０μｍの膜厚で形成した。
　 次に比較例２と同様な方法で低屈折率材層上に緑色蛍光体層を形成した。
　 次に比較例２で作製した蛍光体層の側面にアルミ全反射膜をスパッタ法により、５０ｎｍの膜厚で均一に形成した。
　 また、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の背面から入射させた際、基板側面から蛍光が出射しておらず、蛍光体基板を正面視した際、蛍光体層の側面を遮光膜で覆わない状態でも比較例２と同等レベルで基板の周囲にぼやけが発生していないことを確認した。
　 また、比較例１，２と同様にして、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の背面から入射させた際、正面から取出される蛍光の２５℃での輝度変換効率を測定した。励起光としての青色ＬＥＤの輝度が１，０００ｃｄ／ｍ２であったのに対して、蛍光体を通した後は、５４７ｎｍに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は２，６９２ｃｄ／ｍ２と輝度変換効率２６０％と比較例１に対して、２．６倍の輝度の向上が観測された。
　 （実施例２、図５参照）
　 比較例２と同様なガラス基板上に低屈折率材膜を形成する。ここで、低屈折率材には、屈折率が１．３５～１．４程度のフッ素樹脂を用い、これをスパッタ法により、基板上に５０μｍの膜厚で形成する。
　 次に比較例２と同様な方法で低屈折率材層上に緑色蛍光体層を形成する。
　 次に比較例２で作製した蛍光体層の側面にアルミ全反射膜をスパッタ法により、５０ｎｍの膜厚で均一に形成する。
　 次に作製した蛍光体層上に波長選択透過反射膜として酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率＝１．４７）をＥＢ蒸着法で交互に６層成膜して作製した誘電体多層膜をスパッタ法により、１００ｎｍの膜厚で形成する。
　 また、比較例１，２と同様に、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の背面から入射させた際、基板側面から蛍光が出射しておらず、蛍光体基板を正面視した際、実施例１と同等レベルで基板の周囲にぼやけが発生していないことを確認した。
　 また、比較例１，２と同様にして、青色ＬＥＤを励起光として４５０ｎｍの光を蛍光体基板の背面から入射させた際、正面から取出される蛍光の２５℃での輝度変換効率を測定した。励起光としての青色ＬＥＤの輝度が１，０００ｃｄ／ｍ２であったのに対して、蛍光体を通した後は、５４７ｎｍに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は３，２３５ｃｄ／ｍ２と輝度変換効率３２０％と比較例１に対して、３．２倍の輝度の向上が観測された。
　 以上の比較例１、２、および本発明の実施例１、２における輝度、輝度変換効率、比較例１との比較、および蛍光体基板周囲のぼやけについて、表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　 （実施例３）
　 青色有機ＥＬ素子＋蛍光体方式
　 ０．７ｍｍのガラス基板上に、低屈折率材膜を形成した。ここで、低屈折率材には、屈折率が１．３５～１．４程度のフッ素樹脂を用い、これをスパッタ法により、基板上に５０μｍの膜厚で形成した。
　 次に低屈折率材層上に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色散乱体層を形成し、蛍光体基板とした。
　 基板上に、クロムからなる台形上の低反射層を幅２０μｍ、膜厚５００ｎｍで、２００μｍピッチで形成した。
　 赤色蛍光体層の形成は、まず、平均粒径５ｎｍのエアロジル０．１６ｇにエタノール１５ｇおよびγ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて開放系室温下１時間攪拌した。この混合物と赤色蛍光体Ｋ5Ｅｕ2.5（ＷＯ4）6.25を２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７０℃のオーブンで２時間、さらに１２０℃のオーブンで２時間加熱し、表面改質したＫ5Ｅｕ2.5（ＷＯ4）6.25を得た。
　 次に表面改質を施したＫ5Ｅｕ2.5（ＷＯ4）6.25　１０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌した赤色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した赤色蛍光体形成用塗液を、スクリーン印刷法で、前記ガラス上の低反射層を形成していない領域に塗布した。
　引き続き真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、膜厚５０μｍの赤色蛍光体層を形成した。
　 次に、緑色蛍光体層の形成は、まず、平均粒径５ｎｍのエアロジル０．１６ｇにエタノール１５ｇおよびγ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて開放系室温下１時間攪拌した。この混合物と緑色蛍光体Ｂａ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７０℃のオーブンで２時間、さらに１２０℃のオーブンで２時間加熱し、表面改質したＢａ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を得た。　
　 次に表面改質を施したＢａ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+　１０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌した緑色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した緑色蛍光体形成用塗液を、スクリーン印刷法で、前記ガラス上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、膜厚５０μｍの緑色蛍光体層を形成した。
　 次に、青色散乱層の形成は、１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）を２０ｇ、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌して青色散乱層形成用塗液を作製した。
　 以上作製した青色散乱層形成用塗液を、スクリーン印刷法で、前記ガラス上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、青色散乱層を形成した。
　次に、蛍光体層上の側面にアルミ全反射膜をスパッタ法により、５０ｎｍの膜厚で均一に形成した。
　 次に、作製した蛍光体層上の側面に波長選択透過反射膜として酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率＝１．４７）をＥＢ蒸着法で交互に６層成膜して作製した誘電体多層膜をスパッタ法により、１００ｎｍの膜厚で形成する。以上により、蛍光体基板を作製した。
　 次に、０．７ｍｍの厚みのガラス基板上に、銀を膜厚１００ｎｍとなるようスパッタ法により反射電極を成膜した。その上にインジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）を、膜厚２０ｎｍとなるようスパッタ法により成膜した。これらにより、第一電極として反射電極（陽極）を形成した。従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極幅が１６０μｍ幅、２００μｍピッチで９０本のストライプにパターニングした。
　 次に、第一電極上にＳｉＯ２をスパッタ法により２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うように、パターン化した。ここでは、第一電極の端から１０μｍ分だけ短辺をＳｉＯ２で覆う構造とした。これを水洗後、純水超音波洗浄１０分、アセトン超音波洗浄１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄５分を行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。
　 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０－４Ｐａ以下の真空まで減圧した。各有機層の成膜を行った。
　まず、正孔注入材料として、１，１-ビス-ジ-４－トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用い抵抗加熱蒸着法により膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
　 次に正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ‘－ｄｉ－ｌ-ナフチル-Ｎ，Ｎ’-ジフェニル-１，１‘－ビフェニル-１，１’-ビフェニル-４，４‘-ジアミン（ＮＰＤ）を用い抵抗加熱蒸着法により膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
　 次いで、正孔輸送層の上に青色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。この青色有機発光層は、１，４-ビス-トリフェニルシリル-ベンゼン（ＵＧＨ－２）（ホスト材料）とビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２‘］ピコリネート　イリジウム（III）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）をそれぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することで作製した。
　 次いで、発光層の上に２，９－ジメチルー４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて正孔防止層（厚さ：１０ｎｍ）を形成した。
　次いで、正孔防止層の上にトリス(８－ヒドロキシキノリン)アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて電子輸送層（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。
　 次いで、電子輸送層の上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて電子注入層（厚さ：０．５ｎｍ）を形成する。
　 この後、第二電極として半透明電極を形成した。まず、上記基板を金属蒸着用チャンバーに固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（前記第一電極のストライプと対抗する向きに５００μｍ幅、６００μｍピッチのストライプ状に第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）と前記基板をアライメントし、電子注入層の表面に真空蒸着法によりマグネシウムと銀をそれぞれ０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃの割合の蒸着速度で共蒸着し、マグネシウム銀を所望のパターンで形成（厚さ：１ｎｍ）した。更にその上に、干渉効果を強調する目的、及び、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で銀を１Å／ｓｅｃの蒸着速度で銀を所望のパターンで形成（厚さ：１９ｎｍ）した。これにより、第二電極が形成された。ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が、発現し、正面輝度を高める事が可能となり有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率良く、蛍光体層に伝搬させることが可能となる。また、同様にマイクロキャビティ効果により発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
　 次にプラズマＣＶＤ法により、３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層をシャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。以上により、有機ＥＬ素子からなる光源基板を作製した。
　 次に以上のようにして作製した有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板を、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。尚、事前に蛍光体基板には、熱硬化樹脂が塗布されており、熱硬化樹脂を介して両基板を密着し、８０℃、２時間加熱することで硬化を行った。尚、上記貼り合わせ工程は、有機ＥＬの水分による劣化を防止する目的でドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。
　 最後に、周辺に形成している端子を外部電源に接続することで有機ＥＬ表示装置を完成した。
　 ここで、外部電源により所望の電流を所望のストライプ状電極に印加することで、青色発光有機ＥＬを任意にスイッチング可能な励起光源とした。赤色蛍光体層、緑色蛍光体層で青色光から発光をそれぞれ赤色、緑色に変換し、赤色、緑色の等方発光が得られ、かつ、青色散乱層を介する事で、等方的な青色発光を得ることが可能であり、フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性の良い画像を得る事ができた。
（実施例４）
　 アクティブ駆動青色有機ＥＬ＋蛍光体方式
　 蛍光体基板は実施例４と同様にして作製した。
　 １００×１００ｍｍ角のガラス基板上に、ＰＥＣＶＤ法を用いて、アモルファスシリコン半導体膜を形成した。続いて、結晶化処理を施すことにより多結晶シリコン半導体膜を形成した。次に、フォトリソグラフィー法を用いて多結晶シリコン半導体膜を複数の島状にパターンニングした。続いて、パターニングした多結晶シリコン半導体層の上にゲート絶縁膜及びゲート電極層をこの順番で形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングを行った。
　 その後、パターニングした多結晶シリコン半導体膜にリン等の不純物元素をドーピングすることによりソース及びドレイン領域を形成し、ＴＦＴ素子を作製した。その後、平坦化膜を形成した。平坦化膜としては、ＰＥＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜、スピンコーターでアクリル系樹脂層をこの順で積層し形成した。
　 まず、窒化シリコン膜を形成した後、窒化シリコン膜とゲート絶縁膜とを一括してエッチングすることによりソース又はドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、続いて、ソース配線を形成した。その後、アクリル系樹脂層を形成し、ゲート絶縁膜及び窒化シリコン膜に穿孔したドレイン領域のコンタクトホールと同じ位置に、ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成することにより、アクティブマトリクス基板が完成した。平坦化膜としての機能は、アクリル系樹脂層で実現された。なお、ＴＦＴのゲート電位を定電位にするためのコンデンサーは、スイッチング用ＴＦＴのドレインと駆動用ＴＦＴのソースとの間に層間絶縁膜等の絶縁膜を介することで形成された。
　 アクティブマトリクス基板上には、平坦化層を貫通して駆動用ＴＦＴと、赤色発光有機ＥＬ素子の第一電極、緑色発光有機ＥＬ素子の第一電極、青色発光有機ＥＬ素子の第一電極とをそれぞれ電気的に接続するために形成されたコンタクトホールが設けられている。
　 次に、各発光画素を駆動する為のＴＦＴと接続した平坦化層を貫通して設けられたコンタクトホール内にスパッタ法により、各画素の第一電極（陽極）が形成された。第一電極は、発光画素を駆動する為のＴＦＴと電気的に接続する。第一電極は、Ａｌ（アルミニウム）を１５０ｎｍとＩＺＯ（酸化インジウム－酸化亜鉛）を２０ｎｍの膜厚で積層して形成された。
　 次に第一電極を各画素に対応した形状に従来のフォトリソグラフィー法でパターン化した。ここでは、第一電極の面積としては、３００μｍ×１６０μｍとした。また１００ｍｍ×１００ｍｍ角の基板に形成する、表示部は、８０ｍｍ×８０ｍｍで、表示部の上下左右に設けている２ｍｍ幅の封止エリアが設けられており、短辺側には、更に封止エリアの外にそれぞれ２ｍｍの端子取出し部が設けられた。長辺側は、折り曲げを行う方に、２ｍｍ端子取出し部が設けられた。
　 次に第一電極のＳｉＯ２をスパッタ法により２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部を覆うように、パターン化した。ここでは、第一電極の端から１０μｍ分だけ４辺をＳｉＯ２で覆う構造としエッジカバーとした。
　次に、前記アクティブ基板を洗浄した。アクティブ基板の洗浄としては、例えば、アセトン、ＩＰＡを用いて、超音波洗浄を１０分間行い、次に、ＵＶ－オゾン洗浄を３０分間行った。
　 次に、この基板をインライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０－４Ｐａ以下の真空まで減圧した。各有機層の成膜を行った。
　まず、正孔注入材料として、１，１-ビス-ジ-４－トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用い抵抗加熱蒸着法により膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
　 次に正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ‘－ｄｉ－ｌ-ナフチル-Ｎ，Ｎ’-ジフェニル-１，１‘－ビフェニル-１，１’-ビフェニル-４，４‘-ジアミン（ＮＰＤ）を用い抵抗加熱蒸着法により膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
　 次いで、正孔輸送層の上に青色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。この青色有機発光層は、１，４-ビス-トリフェニルシリル-ベンゼン（ＵＧＨ－２）（ホスト材料）とビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２‘］ピコリネート　イリジウム（III）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）をそれぞれの蒸着速度を１．５Å/sec、０．２Å/ secとし、共蒸着することで作製した。
　 次いで、発光層の上に２，９－ジメチルー４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて正孔防止層（厚さ：１０ｎｍ）を形成した。
　 次いで、正孔防止層の上にトリス(８－ヒドロキシキノリン)アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて電子輸送層（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。
　 次いで、電子輸送層の上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて電子注入層（厚さ：０．５ｎｍ）を形成した。
　 この後、第二電極として半透明電極を形成した。まず、上記基板を金属蒸着用チャンバーに固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（前記第一電極のストライプと対抗する向きに２ｍｍ幅のストライプ状に第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）と前記基板をアライメントし、電子注入層の表面に真空蒸着法によりマグネシウムと銀をそれぞれ０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃの割合の蒸着速度で共蒸着でマグネシウム銀を所望のパターンで形成（厚さ：１ｎｍ）した。
　 更にその上に、干渉効果を強調する目的、及び、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で銀を１Å／ｓｅｃの蒸着速度で銀を所望のパターンで形成（厚さ：１９ｎｍ）した。これにより、第二電極が形成された。ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が、発現し、正面輝度を高める事が可能となり有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率良く、蛍光体層、及び配向性向上層に伝搬させることが可能となる。また、同様にマイクロキャビティ効果により発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
　 次にプラズマＣＶＤ法により、３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層をシャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。以上により、アクティブ駆動型有機ＥＬ素子基板が作製した。
　 次に以上のようにして作製したアクティブ駆動型有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板を、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。尚、事前に蛍光体基板には、熱硬化樹脂が塗布されており、熱硬化樹脂を介して両基板を密着し、９０℃、２時間加熱することで硬化を行った。尚、上記貼り合わせ工程は、有機ＥＬの水分による劣化を防止する目的でドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。
　 次に、光取り出し方向の基板に、偏光板を張り合わせ、アクティブ駆動型有機ＥＬは完成した。
　 最後に、短辺側に形成している端子をソースドライバを介して電源回路に、長辺側に形成している端子をゲートドライバを介して外部電源に接続することで、８０ｍｍ×８０ｍｍの表示部を持つアクティブ駆動型有機ＥＬディスプレイを完成した。
　 ここで、外部電源により所望の電流を各画素に印加することで青色発光有機ＥＬを任意にスイッチング可能な励起光源とし赤色蛍光体層、緑色蛍光体層で青色光から発光をそれぞれ赤色、緑色に変換し、赤色、緑色の等方発光が得られ、かつ、青色散乱層を介する事で、等方的な青色発光を得ることが可能であり、フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性の良い画像を得る事ができた。
　 （実施例５）
　 青色ＬＥＤ＋蛍光体方式
　 蛍光体基板は実施例４と同様にして作製した。
　 ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ３とを用い、反応容器にセットしたサファイア基板のＣ面に５５０℃でＧａＮよりなるバッファ層を６０ｎｍの膜厚で成長させた。次に温度を１０５０℃まで上げ、ＴＭＧ、ＮＨ３に加えＳｉＨ４ガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を５μｍの膜厚で成長させた。続いて原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え、同じく１０５０℃でＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層よりなる第２のクラッド層を０．２μｍの膜厚で成長させた。
　 次に、温度を８５０℃に下げ、ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＮＨ３およびＳｉＨ４を用い、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層を６０ｎｍの膜厚で成長させた。
　 続いてＴＭＧ、ＴＭＩおよびＮＨ３を用い、８５０℃でノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層を５ｎｍの膜厚で成長させた。更に、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＮＨ３に加え新たにＣＰＭｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い８５０℃でＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層を６０ｎｍの膜厚で成長させた。
　 次に温度を１１００℃に上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ３、ＣＰＭｇを用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層を１５０ｎｍの膜厚で成長させた。
　続いて、１１００℃でＴＭＧ、ＮＨ３およびＣＰＭｇを用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を６００ｎｍの膜厚で成長させた。以上の操作終了後、温度を室温まで下げてウェーハを反応容器から取り出し、７２０℃でウェーハのアニーリングを行い、ｐ型層を低抵抗化すた。次に、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｎ型コンタクト層の表面が露出するまでエッチングした。
　 エッチング後、ｎ型コンタクト層の表面にチタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）よりなる負電極、ｐ型コンタクト層の表面にニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）よりなる正電極を形成した。電極形成後、ウェーハを３５０μｍ角のチップに分離した後、別に用意してある外部回路に接続するための配線を形成してある基板上に前記作製したＬＥＤチップをＵＶ硬化樹脂で固定し、ＬＥＤチップと基板上の配線を電気的に接続し、青色ＬＥＤからなる光源基板を作製した。
　 次に以上のようにして作製した光源基板と蛍光体基板を、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。尚、事前に蛍光体基板には、熱硬化樹脂が塗布されており、熱硬化樹脂を介して両基板を密着し、８０℃、２時間加熱することで硬化を行った。尚、上記貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的でドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。
　 最後に、周辺に形成している端子を外部電源に接続することでＬＥＤ表示装置を完成した。
　 ここで、外部電源により所望の電流を所望のストライプ状電極に印加することで青色発光有機ＥＬを任意にスイッチング可能な励起光源とし赤色蛍光体層、緑色蛍光体層で青色光から発光をそれぞれ赤色、緑色に変換し、赤色、緑色の等方発光が得られ、かつ、青色散乱層を介する事で、等方的な青色発光を得ることが可能であり、フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性の良い画像を得る事ができた。
　 （実施例６）
　 青色有機ＥＬ＋液晶+蛍光体方式
０．７ｍｍのガラス基板上に、低屈折率材膜を形成した。ここで、低屈折率材には、屈折率が１．３５～１．４程度のフッ素樹脂を用い、これをスパッタ法により、基板上に５０μｍの膜厚で形成した。
　 次に低屈折率材層上に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色散乱体層を形成し、蛍光体基板とした。
　 基板上に、クロムからなる台形上の低反射層を幅２０μｍ、膜厚５００ｎｍで、２００μｍピッチで形成する。次に、ＣＦ４プラズマ処理により低反射層表面の撥水処理を行った。
　 赤色蛍光体層の形成は、まず、［２－［２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル］－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン］－プロパンジニトリル（ＤＣＭ）（０．０２ｍｏｌ／ｋｇ（固形分比））をエポキシ系熱硬化樹脂に混ぜ攪拌機により攪拌した赤色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した赤色蛍光体形成用塗液を、インクジョット法で、前記ガラス上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き真空オーブン（１５０℃の条件）で１時間硬化し、膜厚２μｍの赤色蛍光体層を形成した。ここで、赤色蛍光体層の断面形状は、低反射層の撥水処理による効果により、蒲鉾状の形状であった。
　 緑色蛍光体層の形成は、まず、２，３，６，７－テトラヒドロ－１１－オクソ－１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ－［１］ベンゾピラノ［６，７，８－ｉｊ］キノリジン―１０―カルボン酸（クマリン５１９）（０．０２ｍｏｌ／ｋｇ（固形分比））をエポキシ系熱硬化樹脂に混ぜ攪拌機により攪拌した緑色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した緑色蛍光体形成用塗液を、インクジョット法で、前記ガラス上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き真空オーブン（１５０℃の条件）で１時間硬化し、膜厚２μｍの緑色蛍光体層を形成した。ここで、緑色蛍光体層の断面形状は、低反射層の撥水処理による効果により、蒲鉾状の形状であった。
　 青色蛍光体層の形成は、まず、７－ヒドロキシ－４－メチルクマリン（クマリン４）（０．０２ｍｏｌ／ｋｇ（固形分比））をエポキシ系熱硬化樹脂に混ぜ攪拌機により攪拌した青色蛍光体形成用塗液を作製した。以上作製した青色蛍光体形成用塗液を、インクジェット法で、前記ガラス上の低反射層を形成していない領域に塗布した。引き続き真空オーブン（１５０℃の条件）で１時間硬化し、膜厚２μｍの青色蛍光体層を形成した。ここで、青色蛍光体層の断面形状は、低反射層の撥水処理による効果により、蒲鉾状の形状であった。
　 次に、蛍光体層上の側面にアルミ全反射膜をスパッタ法により、５０ｎｍの膜厚で均一に形成した。
　 次に、作製した蛍光体層上の側面に波長選択透過反射膜として酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率＝１．４７）をＥＢ蒸着法で交互に６層成膜して作製した誘電体多層膜をスパッタ法により、１００ｎｍの膜厚で形成した。
　 次に誘電体多層膜上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂を用いて平坦化膜を形成し、平坦化膜上に、従来の方法により、偏光フィルム、透明電極、配光膜を形成し、蛍光体基板を作製した。
　 次に、ガラス基板上に、従来の方法によりＴＦＴからなるスイッチング素子を形成した。次に、前記ＴＦＴとコンタクトホールを介して、電気的に接触するように、１００ｎｍのＩＴＯ透明電極を形成した。次に、先に作製している有機ＥＬ部の画素と同一のピッチになるように通常のフォトリソ法による透明電極をパターニングを行った。次に、配向膜を印刷法により形成した。
　 次に、ＴＦＴを形成している基板と蛍光体基板とを、１０μｍのスペーサーを介して、接着し、ＴＦＴを形成している基板と蛍光体基板との間に、ＴＮモードの液晶材料を注入し、液晶・蛍光体部を完成した。
　 次に、０．７ｍｍの厚みのガラス基板上に、銀を膜厚１００ｎｍとなるようスパッタ法により反射電極を成膜し、その上にインジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）を、膜厚２０ｎｍとなるようスパッタ法により成膜し、第一電極として反射電極（陽極）を形成した。従来のフォトリソグラフィー法により、所望大きさに第一電極をパターニングした。
　 次に、第一電極上にＳｉＯ２をスパッタ法により２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うように、パターン化した。ここでは、第一電極の端から１０μｍ分だけ短辺をＳｉＯ２で覆う構造とした。これを水洗後、純水超音波洗浄１０分、アセトン超音波洗浄１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄５分を行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。
　 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０－４Ｐａ以下の真空まで減圧した。各有機層の成膜を行った。
　まず、正孔注入材料として、１，１-ビス-ジ-４－トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用い抵抗加熱蒸着法により膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
　 次に正孔輸送材料として、カルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）を用い抵抗加熱蒸着法により膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
　 次いで、正孔輸送層の上に近紫外有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）を形成する。この近紫外有機発光層は、３，５－ビス（４－ｔ－ブチル－フェニル）－４－フェニル－［１，２，４］トリアゾール（ＴＡＺ）（近紫外燐光発光材料）をそれぞれの蒸着速度を１．５Å/secとし、蒸着することで作製した。
　 次いで、発光層の上に２，９－ジメチルー４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて電子輸送層（厚さ：２０ｎｍ）を形成した。
　 次いで、電子輸送層の上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて電子注入層（厚さ：０．５ｎｍ）を形成した。
　 この後、第二電極として半透明電極を形成した。まず、上記基板を金属蒸着用チャンバーに固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（前記第一電極のストライプと対抗する向きに５００μｍ幅、６００μｍピッチのストライプ状に第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）と前記基板をアライメントし、電子注入層の表面に真空蒸着法によりマグネシウムと銀をそれぞれ０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃの割合の蒸着速度で共蒸着でマグネシウム銀を所望のパターンで形成（厚さ：１ｎｍ）した。更にその上に、干渉効果を強調する目的、及び、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で銀を１Å／ｓｅｃの蒸着速度で銀を所望のパターンで形成（厚さ：１９ｎｍ）した。
　 これにより、第二電極が形成された。ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が、発現し、正面輝度を高める事が可能となり有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率良く、蛍光体層に伝搬させることが可能となる。また、同様にマイクロキャビティ効果により発光ピークを３７０ｎｍ、半値幅を３０ｎｍに調整した。
　 次にプラズマＣＶＤ法により、３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層をシャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成する。以上により、有機ＥＬ素子からなる光源基板を作製した。
　 最後に有機ＥＬ部と液晶及び蛍光体部を熱硬化樹脂による位置合わせ、硬化を行い、表示装置を完成した。
　 ここで、外部電源により所望の有機ＥＬ部を発光する為に電流を、液晶を駆動させるための電極に所望の電圧を印加することで所望の良好な画像、視野角特性の良い画像を得る事ができた。
　 本発明の態様は、蛍光体基板、この蛍光体基板を用いた各種の表示装置、および照明装置に利用可能である。
　１０…発光デバイス、１１…第一基板、１２…第二基板、１３…励起光源素子、１４…封止層、１６…蛍光体層、１７…光吸収層、１８…光学反射体。

Claims (16)

  1. 　励起光を発する励起光源素子と、
    　前記励起光源素子と対向する基板と、
    　前記励起光によって励起され蛍光を発し、前記基板の上に位置する蛍光体層と、
    　前記基板と前記蛍光体層との積層方向と平行な前記蛍光体層の側面に設けられた光学反射体と、
    　前記蛍光体層と前記基板の間に設けられ、前記基板よりも屈折率が小さい低屈折率材層と、を備える発光デバイス。
  2. 　さらに、前記励起光の波長範囲のうちピーク波長域の励起光を少なくとも透過し、かつ前記蛍光体層から発した前記蛍光の波長範囲のうちピーク波長域の蛍光を少なくとも反射させるよう構成された波長選択層を有し、
    　前記蛍光体層は、前記励起光源素子に対面する前記励起光の入射面を有し、
    　前記入射面上に前記波長選択層が設けられている請求項１に記載の発光デバイス。
  3. 　 前記蛍光体層は、所定の領域毎に複数に分割されており、前記低屈折率材層は、分割された複数の前記蛍光体層のそれぞれと前記基板との間に設けられている請求項１に記載の発光デバイス。
  4. 　 さらに、分割された複数の前記蛍光体層における、互いに隣接した前記蛍光体層どうしの間に、それぞれ光吸収層が設けられている請求項３に記載の発光デバイス。
  5. 　 前記光吸収層は、前記低屈折率材層と、前記基板との間に配されている請求項４に記載の発光デバイス。
  6. 　 前記光吸収層の前記蛍光体層に対向する面は、前記低屈折率材層に覆われている請求項４に記載の発光デバイス。
  7. 　 前記低屈折率材層は、前記蛍光体層から前記低屈折率材層に向けて入射する入射光の臨界角が、前記第二基板から外部に出射する出射光の臨界角よりも小さくなるような屈折率を有する請求項１に記載の発光デバイス。
  8. 　前記基板は、前記基板の少なくとも端部が前記励起光源素子に近づくように湾曲している請求項１に記載の発光デバイス。
  9. 　 請求項１に記載の発光デバイスを備えた表示装置。
  10. 　 前記励起光源素子は紫外線波長域の励起光を出射し、
    　 前記蛍光体層は、前記励起光によって赤色光を発する赤色画素を構成する赤色蛍光体層と、前記励起光によって緑色光を発する緑色画素を構成する緑色蛍光体層と、前記励起光によって青色光を発する青色画素を構成する青色蛍光体層と、を少なくとも備える請求項９に記載の表示装置。
  11. 　 前記励起光源素子は青色の励起光を出射し、
    　 前記蛍光体層は、前記励起光によって赤色光を発する赤色画素を構成する赤色蛍光体層と、前記励起光によって緑色光を発する緑色画素を構成する緑色蛍光体層と、を少なくとも備え、
    　前記励起光を散乱させる青色画素を構成する散乱層を備える請求項９に記載の表示装置。
  12. 　さらに、前記励起光源素子を駆動するアクティブマトリックス駆動素子を有する請求項９に記載の表示装置。
  13. 　 前記基板から前記蛍光を外部に出射させる請求項１２に記載の表示装置。
  14. 　 前記励起光源素子は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかから構成される請求項９に記載の表示装置。
  15. 　さらに、前記励起光源素子と前記基板との間に、前記励起光の透過率を制御可能な液晶素子を有し、
    　前記励起光源素子は面状光源を成す請求項９に記載の表示装置。
  16. 　請求項１に記載の発光デバイスを備える照明装置。
PCT/JP2011/079490 2010-12-27 2011-12-20 発光デバイス、表示装置、及び照明装置 WO2012090786A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/997,650 US9117977B2 (en) 2010-12-27 2011-12-20 Light emitting device, display apparatus, and illuminating apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010289773 2010-12-27
JP2010-289773 2010-12-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012090786A1 true WO2012090786A1 (ja) 2012-07-05

Family

ID=46382897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/079490 WO2012090786A1 (ja) 2010-12-27 2011-12-20 発光デバイス、表示装置、及び照明装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9117977B2 (ja)
WO (1) WO2012090786A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140044924A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Innolux Corporation Color conversion film
US20140160408A1 (en) * 2012-12-10 2014-06-12 Samsung Display Co., Ltd. Photoluminescent panel, photoluminescent liquid crystal display device, and method of manufacturing the photoluminescent panel
JP2016058586A (ja) * 2014-09-10 2016-04-21 シャープ株式会社 表示装置及びテレビ受信装置
CN105611681A (zh) * 2012-08-08 2016-05-25 群康科技(深圳)有限公司 色转换膜
JP2016219675A (ja) * 2015-05-25 2016-12-22 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
CN107180845A (zh) * 2016-03-10 2017-09-19 三星显示有限公司 显示装置
US11557700B2 (en) * 2016-10-25 2023-01-17 Osram Oled Gmbh Method of producing optoelectronic semiconductor components and an optoelectronic semiconductor component

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013076948A1 (ja) * 2011-11-24 2015-04-27 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR20140081314A (ko) * 2012-12-21 2014-07-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20150021634A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-22 Rohm Co., Ltd. Display unit using led light sources
US9564550B2 (en) * 2013-10-28 2017-02-07 Infineon Technologies Dresden Gmbh Optoelectronic component, a method for manufacturing an optoelectronic component, and a method for processing a carrier
DE102013113533A1 (de) * 2013-12-05 2015-06-11 Osram Oled Gmbh Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements
KR102295610B1 (ko) * 2013-12-27 2021-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치
JP6286024B2 (ja) * 2014-03-07 2018-02-28 富士フイルム株式会社 トランジスタの製造方法
DE102015107580A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement
JP6428730B2 (ja) * 2016-08-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102533686B1 (ko) * 2018-01-18 2023-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
DE102018132542A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische leuchtvorrichtung und herstellungsverfahren
CN112952025A (zh) * 2021-03-31 2021-06-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11329726A (ja) * 1998-05-21 1999-11-30 Sharp Corp 有機ｅｌ素子
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2010040976A (ja) * 2008-08-08 2010-02-18 Sony Corp 発光素子及びこれを用いた照明装置並びに表示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5126214A (en) 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
JP2795932B2 (ja) 1989-11-09 1998-09-10 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP2000131683A (ja) 1998-10-29 2000-05-12 Hitachi Ltd カラー表示装置
KR100450542B1 (ko) 1998-10-29 2004-10-01 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 조명 장치 및 이를 이용한 액정 표시 장치
JP2000258771A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Sharp Corp 液晶表示装置
JP4279971B2 (ja) 1999-11-10 2009-06-17 パナソニック電工株式会社 発光素子
US6762553B1 (en) 1999-11-10 2004-07-13 Matsushita Electric Works, Ltd. Substrate for light emitting device, light emitting device and process for production of light emitting device
JP4262902B2 (ja) * 2001-03-30 2009-05-13 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2003142262A (ja) * 2001-11-06 2003-05-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器
US7368307B2 (en) * 2005-06-07 2008-05-06 Eastman Kodak Company Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface
US20080042146A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Cok Ronald S Light-emitting device having improved ambient contrast

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11329726A (ja) * 1998-05-21 1999-11-30 Sharp Corp 有機ｅｌ素子
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2010040976A (ja) * 2008-08-08 2010-02-18 Sony Corp 発光素子及びこれを用いた照明装置並びに表示装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140044924A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Innolux Corporation Color conversion film
TWI483007B (zh) * 2012-08-08 2015-05-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 色轉換膜
CN105611681A (zh) * 2012-08-08 2016-05-25 群康科技(深圳)有限公司 色转换膜
US20140160408A1 (en) * 2012-12-10 2014-06-12 Samsung Display Co., Ltd. Photoluminescent panel, photoluminescent liquid crystal display device, and method of manufacturing the photoluminescent panel
US9971198B2 (en) * 2012-12-10 2018-05-15 Samsung Display Co., Ltd. Photoluminescent panel, photoluminescent liquid crystal display device, and method of manufacturing the photoluminescent panel
US10481432B2 (en) 2012-12-10 2019-11-19 Samsung Display Co., Ltd. Photoluminescent panel, photoluminescent liquid crystal display device, and method of manufacturing the photoluminescent panel
US10914986B2 (en) 2012-12-10 2021-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Photoluminescent panel, photoluminescent liquid crystal display device, and method of manufacturing the photoluminescent panel
JP2016058586A (ja) * 2014-09-10 2016-04-21 シャープ株式会社 表示装置及びテレビ受信装置
JP2016219675A (ja) * 2015-05-25 2016-12-22 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
CN107180845A (zh) * 2016-03-10 2017-09-19 三星显示有限公司 显示装置
CN107180845B (zh) * 2016-03-10 2024-03-29 三星显示有限公司 显示装置
US11557700B2 (en) * 2016-10-25 2023-01-17 Osram Oled Gmbh Method of producing optoelectronic semiconductor components and an optoelectronic semiconductor component

Also Published As

Publication number Publication date
US20130299816A1 (en) 2013-11-14
US9117977B2 (en) 2015-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012090786A1 (ja) 発光デバイス、表示装置、及び照明装置
US8908125B2 (en) Fluorescent substrate and method for producing the same, and display device
WO2012108384A1 (ja) 蛍光体基板、およびこれを用いた表示装置、照明装置
US9099409B2 (en) Organic electroluminescent display device, electronic apparatus including the same, and method for producing organic electroluminescent display device
JP5538519B2 (ja) 発光素子、ディスプレイ及び表示装置
US9512976B2 (en) Light-emitting device, display device and illumination device
US8796914B2 (en) Organic electroluminescence element, organic electroluminescence display, and organic electroluminescence display apparatus
WO2013111696A1 (ja) 蛍光体基板、表示装置および電子機器
WO2012081568A1 (ja) 蛍光体基板、表示装置および照明装置
WO2013021941A1 (ja) 蛍光体基板、表示装置および電子機器
WO2013039072A1 (ja) 発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置
US20130154478A1 (en) Organic light emitting device and antistatic method for the same
WO2014084012A1 (ja) 散乱体基板
JP2013109907A (ja) 蛍光体基板および表示装置
WO2013183696A1 (ja) 蛍光体基板、表示装置および照明装置
JP2016218151A (ja) 波長変換基板、発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器
WO2012091018A1 (ja) 有機ｅｌ表示ユニット、有機ｅｌ表示装置、及び有機ｅｌ表示ユニットの製造方法
WO2012121372A1 (ja) 表示素子及び電子機器
WO2012043611A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置、及びその製造方法
WO2011145418A1 (ja) 蛍光体表示装置および蛍光体層
JP2016143658A (ja) 発光素子および表示装置
WO2012081536A1 (ja) 発光デバイス、表示装置、電子機器及び照明装置
US8547013B2 (en) Organic EL display device with a color converting layer
WO2012043172A1 (ja) 蛍光体基板、およびこれを用いた表示装置、照明装置
WO2012144426A1 (ja) 蛍光体基板および表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11854012

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13997650

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11854012

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP