KR102295610B1 - 유기 발광 다이오드 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 다이오드 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102295610B1
KR102295610B1 KR1020130165357A KR20130165357A KR102295610B1 KR 102295610 B1 KR102295610 B1 KR 102295610B1 KR 1020130165357 A KR1020130165357 A KR 1020130165357A KR 20130165357 A KR20130165357 A KR 20130165357A KR 102295610 B1 KR102295610 B1 KR 102295610B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
sub
groove
light emitting
organic light
Prior art date
Application number
KR1020130165357A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150076782A (ko
Inventor
박재현
한재정
김선만
최은희
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130165357A priority Critical patent/KR102295610B1/ko
Priority to US14/582,674 priority patent/US9431633B2/en
Priority to CN201410818535.XA priority patent/CN104752478B/zh
Publication of KR20150076782A publication Critical patent/KR20150076782A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102295610B1 publication Critical patent/KR102295610B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Abstract

본 발명은 광 추출 효율이 향상되고, 표시 품질이 향상된 유기 발광 다이오드 표시 장치에 관한 것으로, 내측면에 유기 발광셀을 포함하는 복수 개의 서브 픽셀이 배열된 기판; 인접한 상기 서브 픽셀 사이에 대응되도록 상기 기판에 형성된 홈; 및 상기 기판의 외측면에 형성된 광 추출 패턴을 포함한다.

Description

유기 발광 다이오드 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 다이오드 표시 장치에 관한 것으로, 광 추출 효율이 향상되고, 표시 품질이 향상된 유기 발광 다이오드 표시 장치에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 공간성, 편리성의 추구로 구부릴 수 있는 플렉시블(Flexible) 디스플레이가 요구되면서 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하는 유기 발광 다이오드 표시 장치가 근래에 각광받고 있다.
유기 발광 다이오드 표시 장치는 상, 하부 기판 사이에 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극이 차례로 적층된 유기 발광 표시 소자를 포함한다. 유기 발광 표시 소자는 유기 발광층 양단의 제 1, 제 2 전극에 전계가 형성되어, 유기 발광층 내에 전자와 정공을 주입 및 전달시켜 서로 결합할 때의 결합 에너지에 의해 발광되는 전계 발광 현상을 이용한다.
상기와 같은 유기 발광 다이오드 표시 장치는 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 액정 표시 장치에 비해 가볍고 두께가 얇다. 또한, 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 가져, 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다. 최근에는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 광 추출 효율을 향상시키기 위해, 광 추출 패턴을 더 구비한다.
도 1은 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치의 단면도이며, 도 2a 및 도 2b는 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치의 불량이 나타난 사진이다.
도 1과 같이, 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치는 각 서브 픽셀(20)의 유기 발광셀에서 광이 발생하고, 발생된 광이 외부로 방출되는 기판(10) 상에 광 추출 패턴(30)을 더 구비한다. 그런데, 유기 발광셀에서 발생한 광이 광 추출 패턴(30)에 의해 인접한 서브 픽셀(20)에 영향을 미친다. 예를 들어, OFF 서브 픽셀에 대응되는 영역에서도 인접한 ON 서브 픽셀에 의해 화상이 구현되고, 이에 따라, 도 2a 및 도 2b와 같은 블러(Blur), 고스트 이미지(Ghost image) 등과 같은 불량이 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 인접한 서브 픽셀 사이에 대응되도록 구비된 홈에 의해 광의 경로가 차단되어, 표시 품질이 향상된 유기 발광 다이오드 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 내측면에 유기 발광셀을 포함하는 복수 개의 서브 픽셀이 배열된 기판; 인접한 상기 서브 픽셀 사이에 대응되도록 상기 기판에 형성된 홈; 및 상기 기판의 외측면에 형성된 광 추출 패턴을 포함한다.
상기 홈 내부에 공기 또는 반사 물질이 채워진다.
상기 홈은 상기 기판의 내측면에 형성되거나, 상기 기판의 외측면에 형성된다.
상기 홈은 복수 개의 서브 픽셀의 가장자리를 감싸도록 일체형으로 형성된다.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 내측면에 유기 발광셀을 포함하는 복수 개의 서브 픽셀이 배열되고, 외측면에 광 추출 패턴이 형성된 기판; 및 상기 유기 발광셀과 상기 기판 사이에 형성된 수지층을 포함하며, 상기 수지층에는 인접한 상기 서브 픽셀 사이에 대응되도록 홀이 형성된다.
상기 홀은 상기 수지층을 관통한다.
상기 홀 내부에 공기 또는 반사 물질이 채워진다.
상기 홀은 복수 개의 서브 픽셀의 가장자리를 감싸도록 일체형으로 형성된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 인접한 서브 픽셀 사이에 대응되도록 기판 또는 수지층에 형성된 홈에 의해 광이 차단된다. 따라서, 블러(Blur), 고스트 이미지(Ghost image) 등과 같은 불량을 방지하고, 정확한 화상을 구현하여 표시 품질이 향상된다.
도 1은 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치의 불량이 나타난 사진이다.
도 3a는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 3c는 도 3a의 서브 픽셀의 단면도이다.
도 4는 홈이 기판의 외측면에 형성된 것을 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 다른 형태의 홈을 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명과 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치의 콘트라스트 특성을 비교한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3a는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 평면도이며, 도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다. 그리고, 도 3c는 도 3a의 서브 픽셀의 단면도이다. 도 4는 홈이 기판의 외측면에 형성된 것을 나타낸 단면도이다.
도 3a와 같이, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 기판(110) 상에 유기 발광셀을 포함하는 복수 개의 서브 픽셀(120)이 형성되고, 인접한 서브 픽셀(120) 사이에 대응되도록 기판(110)에 홈(110a)이 형성된다. 기판(110)은 글래스, PC(Polycarbanate), PMMA(Polymethylmethacrylate), PS(Polystyrene), PET(Poly ethylene terephthalate) 등에서 선택된 물질로 형성되며, 도 3b와 같이, 광이 방출되는 기판(110)의 상부면에는 광 추출 패턴(130)이 형성된다. 광 추출 패턴(130)은 표시 장치의 광 추출 효율을 향상시키기 위한 것이며, 홈(110a)은 광 추출 패턴(130)이 형성되지 않은 기판(110)의 하부면에 형성된다.
구체적으로, 기판(110)에는 데이터 배선과 게이트 배선이 교차하여 복수 개의 서브 픽셀(120)이 정의되고, 각 서브 픽셀(120)에 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광셀이 형성된다. 유기 발광셀은 도 3c와 같이, 제 1 전극(120a), 유기 발광층(120c) 및 제 2 전극(120b)이 차례로 적층된 구조이다. 이 때, 제 1 전극(120a)이 박막 트랜지스터와 접속된다.
제 1 전극(120a) 및 제 2 전극(120b)에 전계를 가하여 유기 발광층(120c) 내에 전자와 정공을 주입 및 전달시켜 유기 발광층(120c)에서 쌍을 이룬 전자와 정공은 여기상태로부터 기저상태로 떨어지면서 발광한다. 유기 발광층(120c)에서 발생한 광은 제 1 전극(120a)을 통과하여 기판(110)을 통과 외부로 방출되거나, 제 2 전극(120b)에서 반사된 후, 제 1 전극(120a)을 통과하여 기판(110)을 통과 외부로 방출된다.
그런데, 유기 발광셀(120)에서 방출되어 기판(110)으로 입사되는 광 중 기판(110)의 표면에 대해 약 42°이하의 입사각으로 입사된 광만이 해당 서브 픽셀에 대응되는 영역에서 외부로 방출되고, 나머지 광은 기판(110) 표면에서 전반사되며, 기판(110) 내부에서 소멸된다. 따라서, 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치는 광 추출 효율이 매우 낮다. 따라서, 기판(110) 외측면에 광 추출 패턴(130)을 구비한다.
광 추출 패턴(130)은 UV Resin, PMMA(Polymethylmethacrylate), PS(Polystyrene), PC(Polycarbanate) 등으로 형성된다. 도면에서는 광 추출 패턴(130)이 렌즈 형태인 것을 도시하였으나, 광 추출 패턴(130)은 프리즘, 피라미드, 원 기둥 등의 형태로 형성될 수 있다.
그런데, 광 추출 패턴(130)에 의해, OFF 서브 픽셀에 대응되는 영역에서도 인접한 ON 서브 픽셀에서 방출되는 광에 의해 화상이 구현된다. 구체적으로, 광 추출 패턴(130)이 형성되지 않은 경우, 기판(110)을 통해 외부로 방출되지 못한 광은 기판(110) 표면에서 전반사된다. 그러나, 광 추출 패턴(130)이 구비된 경우, 유기 발광셀(120)에서 방출되어 기판(110)으로 입사되는 광 중 임계각보다 큰 입사각으로 입사되는 광이 광 추출 패턴(130)을 통해 외부로 방출된다.
그런데, 임계각보다 큰 입사각을 갖는 광은 인접한 서브 픽셀로 진행하므로, 임계각보다 큰 입사각으로 입사되는 광은 인접한 서브 픽셀에 대응되는 영역에서 광 추출 패턴(130)을 통해 외부로 방출된다. 따라서, 블러(Blur), 고스트 이미지(Ghost image) 등과 같은 불량이 발생하며, 표시 장치의 콘트라스트비가 저하된다. 특히, 기판(110)의 두께가 두꺼워질수록 광의 진행 거리가 길어지므로, 기판(110)의 두께가 두꺼워질수록 상기와 같은 불량의 발생 확률 및 발생 정도가 심해진다.
이에 따라, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 인접한 서브 픽셀(120) 사이에 대응되도록 기판(110)에 홈(110a)을 형성한다. 홈(110a)은 광 추출 패턴(130)이 형성되지 않은 기판(110)의 내측면에 형성되거나, 도 4와 같이, 기판(110)의 외측면에 형성될 수도 있다.
홈(110a)의 내부에는 공기(Air)가 채워지거나, 반사 물질이 채워질 수 있다. 반사 물질은 광 반사 특성을 갖는 금속 화합물 또는 고분자 화합물이다. 이 때, 기판(110)과 반사 물질 또는 기판(110)과 공기의 굴절률차가 클수록 전반사가 발생할 확률이 높아져, 광 차단 효과가 향상된다.
예를 들어, 홈(110a) 내부에 공기가 채워진 경우에는 기판(110)과 공기의 굴절률 차에 의해 ON 서브 픽셀에서 방출되는 광 중, 인접한 OFF 서브 픽셀로 진행하는 광의 대부분이 전반사된다. 이에 따라, ON 서브 픽셀에서 방출되는 광이 인접한 서브 픽셀로 진행하는 것이 차단되므로, 블러(Blur), 고스트 이미지(Ghost image) 등이 발생하는 것을 방지하고, 표시 장치의 콘트라스트비가 향상된다. 또한, 홈(110a) 내부에 반사 물질이 채워진 경우에도 ON 서브 픽셀에서 방출되는 광 중, 인접한 OFF 서브 픽셀로 진행하는 광이 반사된다.
이 때, 홈(110a)의 폭이 너무 넓은 경우에는 투과율이 저하되므로, 홈(110a)의 폭은 서브 픽셀(120)의 폭의 50% 이내이며, 홈(110a)의 중심은 서브 픽셀의 경계면 중심의 20% 내에 위치하는 것이 바람직하다. 홈(110a)은 도시된 바와 같이, 서로 분리된 구조로 형성될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 다른 형태의 홈을 나타낸 평면도이다.
도 5a 및 도 5b와 같이, 홈(110a)은 일부만 서로 연결된 구조로 형성되거나, 도 5c와 같이, 복수 개의 서브 픽셀(120)의 가장자리를 감싸도록 일체형으로 형성될 수도 있다. 홈(110a)의 형태는 상기와 같은 구조에 국한되지 않으며, 홈(110a)은 다양한 형태로 변경 가능하다.
도 6은 본 발명과 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 장치의 콘트라스트 특성을 비교한 그래프로, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 글래스로 형성된 기판 상에 폭이 600㎛인 서브 픽셀이 구비되며, 홀의 폭은 10㎛이며, 홀의 깊이는 400㎛이다.
도 6과 같이, 일반적인 유기 발광 다이오드 표시 유기 발광셀에서 방출되어 기판으로 입사되는 광 중 임계각보다 큰 입사각으로 입사되는 광은 광 추출 패턴에 의해 인접한 서브 픽셀에 대응되는 영역에서 외부로 방출되므로, 인접한 서브 픽셀 사이에서도 광이 방출된다. 따라서, ON 서브 픽셀에서만 화상이 구현되는 것이 아니라, ON 서브 픽셀에 인접한 OFF 서브 픽셀에서도 화상이 구현된다.
반면에, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 홀에 의해 서브 픽셀에서 방출되는 광이 인접한 서브 픽셀로 진행하는 것이 방지되어 서브 픽셀 사이에서는 광이 방출되지 않는다. 따라서, 콘트라스트비가 저하되지 않고 표시 특성이 향상된다.
이하, 본 발명의 다른 실시 예의 유기 발광 다이오드 표시 장치를 설명하면 다음과 같다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 단면도이다.
도 7과 같이, 본 발명의 다른 실시 예의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 기판(210)에 홈을 형성하는 것이 아니라, 기판(210) 상에 홀(240a)을 포함하는 수지층(240)을 형성한다. 그리고, 수지층(240) 상에 유기 발광셀을 포함하는 서브 픽셀(220)이 형성된다. 홀(240a)은 인접한 서브 픽셀(220) 사이에 대응되도록 형성되며, 홀(240a)은 수지층(240)을 관통하도록 형성되므로, 홀(240a)의 깊이는 수지층(240)의 두께와 동일하다.
수지층(240)은 UV Resin, PMMA(Polymethylmethacrylate), PS(Polystyrene), PC(Polycarbanate) 등으로 형성되며, 홀(240a) 내부는 제 1 실시 예와 같이 공기로 채워지거나, 반사 물질로 채워질 수 있다. 이 때, 수지층(230)과 반사 물질 또는 수지층(230)과 공기의 굴절률차가 클수록 전반사가 발생할 확률이 높아져, 광 차단 효과가 향상된다.
홀(240a)의 폭이 너무 넓은 경우에는 투과율이 저하되므로, 홀(240a)의 폭은 서브 픽셀(120)의 폭의 50% 이내이며, 홀(240a)의 중심은 서브 픽셀의 경계면 중심의 20% 내에 위치하는 것이 바람직하다. 홀(240a) 역시 제 1 실시 예의 홈과 같이, 서로 분리된 구조로 형성되거나, 복수 개의 서브 픽셀(120)을 감싸도록 일체형으로 형성될 수도 있으며, 홀(240a)은 다양한 형태로 변경 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 인접한 서브 픽셀 사이에 대응되도록 기판(110) 또는 수지층(240)에 형성된 홈(110a, 240a)에 의해 광이 차단된다. 따라서, 블러(Blur), 고스트 이미지(Ghost image) 등과 같은 불량을 방지하고, 정확한 화상을 구현하여 표시 품질이 향상된다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
110, 210: 기판 110a: 홈
120, 220: 서브 픽셀 120a: 제 1 전극
120b: 제 2 전극 120c: 유기 발광층
130, 230: 광 추출 패턴 240: 수지층
240a: 홀

Claims (10)

  1. 내측면과 외측면을 갖는 기판;
    상기 기판의 내측면에 배열되며, 서로 교차하는 복수개의 게이트 배선과 데이터 배선에 의해 정의되고, 각각 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광셀을 포함하는 복수 개의 서브 픽셀;
    인접한 상기 서브 픽셀들 사이에 대응되며, 상기 인접한 서브 픽셀들에 각각 이격되어 형성되고, 상기 인접한 서브 픽셀들 사이의 간격보다 작은 폭과 상기 기판의 내측면으로부터 상기 기판 내부에 일부 두께로 형성된 홈;
    상기 홈에 채워지며, 상기 기판과 굴절률 차를 갖는 간섭 차단 패턴; 및
    상기 기판의 외측면에 접하여 형성된 광 추출 패턴을 포함하며,
    상기 광 추출 패턴은 단면 상에서 복수개의 반원 또는 호가 접하여 반복되며, 상기 서브 픽셀들에 대해 불규칙하게 배열되며,
    상기 홈은 상기 기판의 내부에 내부 평탄면을 갖고, 상기 홈의 측부는 상기 기판의 내측면 및 상기 내부 평탄면에 각각 수직하며,
    상기 홈의 폭은 상기 서브 픽셀의 폭의 50% 이내이며, 상기 홈의 중심은 서브 픽셀의 경계면 중심의 20% 내에 위치하고,
    상기 홈의 내부 평탄면에 대해, 상기 기판의 내측면까지의 제 1 수직거리가 상기 기판의 외측면까지의 제 2 수직 거리보다 크고,
    상기 간섭 차단 패턴은 광 반사성의 고분자 화합물이며,
    상기 홈과 간섭 차단 패턴에 의해 하나의 서브 픽셀에서 방출된 광이 인접한 서브 픽셀로 진행하는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 홈은 복수 개의 서브 픽셀 각각의 가장자리를 감싸며 상기 기판에 일체형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
KR1020130165357A 2013-12-27 2013-12-27 유기 발광 다이오드 표시 장치 KR102295610B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130165357A KR102295610B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 유기 발광 다이오드 표시 장치
US14/582,674 US9431633B2 (en) 2013-12-27 2014-12-24 Organic light emitting diode display device
CN201410818535.XA CN104752478B (zh) 2013-12-27 2014-12-24 有机发光二极管显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130165357A KR102295610B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 유기 발광 다이오드 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150076782A KR20150076782A (ko) 2015-07-07
KR102295610B1 true KR102295610B1 (ko) 2021-08-30

Family

ID=53482889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130165357A KR102295610B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 유기 발광 다이오드 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9431633B2 (ko)
KR (1) KR102295610B1 (ko)
CN (1) CN104752478B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9625948B2 (en) * 2015-08-24 2017-04-18 Apple Inc. Electronic devices with retractable displays
KR101749147B1 (ko) * 2015-10-30 2017-06-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20180012176A (ko) * 2016-07-26 2018-02-05 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2018061056A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
CN108133948B (zh) * 2016-12-01 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及制作方法、显示面板、显示设备
KR102431686B1 (ko) * 2017-12-05 2022-08-10 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN109300964B (zh) * 2018-10-26 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板及其制作方法
TW202107427A (zh) * 2019-03-22 2021-02-16 美商康寧公司 包含次表面散射特徵的光學組件
CN109887411B (zh) * 2019-04-19 2021-11-16 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置
US11239397B2 (en) * 2019-12-11 2022-02-01 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Breathable and waterproof micro light emitting diode display

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282260A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2004164912A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Seiko Epson Corp 表示体、表示パネルおよび表示装置
JP2004199953A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Seiko Epson Corp 表示体、表示パネルおよび表示装置
JP2009049135A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Sony Corp 表示装置
JP2009110873A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Toppan Printing Co Ltd 表示装置
JP2010134217A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Sony Corp カラーフィルタおよびその製造方法並びに発光装置
JP2010146955A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機ｅｌ発光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4302914B2 (ja) * 2001-07-30 2009-07-29 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光素子、および表示装置
JP2004241130A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Seiko Epson Corp 発光ディスプレイパネルおよびその製造方法
DE10393384B4 (de) * 2003-06-13 2017-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Organische EL-Anzeige mit reduzierten mechanischen Spannungen
JP4165478B2 (ja) * 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
US20050242709A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Seiko Epson Corporation Display element and method of manufacturing display element
US20080278063A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved power distribution
CN101688979B (zh) * 2007-05-17 2011-02-09 Prysm公司 用于扫描光束显示系统的具有发光带的多层屏幕
US20090109539A1 (en) * 2007-07-09 2009-04-30 Bruno Devos Display panel with improved reflectivity
US20110146889A1 (en) * 2008-10-01 2011-06-23 Jang Hwan Hwang Method for manufacturing display device with optical/electronic structures
KR101351720B1 (ko) * 2009-06-11 2014-01-14 니폰 제온 가부시키가이샤 면 광원 장치, 조명 기구 및 백라이트 장치
KR101094300B1 (ko) * 2009-10-12 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 조명 장치 및 그 제조 방법
JP2012054040A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
US9117977B2 (en) * 2010-12-27 2015-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, display apparatus, and illuminating apparatus
KR101766878B1 (ko) * 2011-02-28 2017-08-10 삼성디스플레이 주식회사 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
US8373181B2 (en) * 2011-06-29 2013-02-12 General Electric Company Method and device for a cathode structure for flexible organic light emitting diode (OLED) device
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282260A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2004164912A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Seiko Epson Corp 表示体、表示パネルおよび表示装置
JP2004199953A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Seiko Epson Corp 表示体、表示パネルおよび表示装置
JP2009049135A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Sony Corp 表示装置
JP2009110873A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Toppan Printing Co Ltd 表示装置
JP2010134217A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Sony Corp カラーフィルタおよびその製造方法並びに発光装置
JP2010146955A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機ｅｌ発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104752478A (zh) 2015-07-01
KR20150076782A (ko) 2015-07-07
US20150188092A1 (en) 2015-07-02
CN104752478B (zh) 2018-10-26
US9431633B2 (en) 2016-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102295610B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR102342596B1 (ko) 표시 장치
CN103262649B (zh) 薄板以及发光装置
KR100753257B1 (ko) 광학 디바이스 및 유기 ｅｌ 디스플레이
US10295709B2 (en) Black matrix, flat panel display device and method for producing the same
US8987767B2 (en) Light emitting device having improved light extraction efficiency
JP2020525970A (ja) Ｏｌｅｄ表示基板及びその製造方法、表示装置
WO2015143840A1 (zh) 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN109309108B (zh) 显示面板及显示装置
CN103474450A (zh) 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN113707826B (zh) 显示面板及显示装置
KR20120054887A (ko) 유기발광소자 및 그의 제조방법
CN104241541A (zh) 有机电致发光器件及显示装置
WO2016029584A1 (zh) 有机发光二极管显示装置的修复方法
KR20160117764A (ko) 광학필름 및 이를 포함하는 표시장치
KR102293507B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이를 제조하기 위한 박막 증착용 마스크
KR101421024B1 (ko) 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법
KR101484089B1 (ko) 초박형 유기발광소자 제조방법
KR20160018977A (ko) 광학 필름 및 이를 포함하는 표시장치
KR101466833B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102408471B1 (ko) 전계발광 표시장치
CN109856719B (zh) 显示面板和显示装置
KR101608335B1 (ko) 유기발광소자
KR101535236B1 (ko) 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20070051636A (ko) 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant