CN112952025A - 显示基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板包括：衬底基板，所述衬底基板具有驱动电路层；位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；位于所述开口区域内的发光单元，沿远离所述衬底基板的方向，所述发光单元包括依次设置的第一电极、有机功能层和第二电极；所述发光单元包括朝向所述衬底基板的第一侧、远离所述衬底基板的第二侧以及位于所述第一侧和所述第二侧之间的侧表面，所述显示基板还包括：包覆至少部分所述侧表面的反光层。本发明的技术方案能够提高显示基板的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管，简称OLED)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及显示装置，能够提高显示基板的出光效率。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种显示基板，包括：
衬底基板，所述衬底基板具有驱动电路层；
位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；
位于所述开口区域内的发光单元，沿远离所述衬底基板的方向，所述发光单元包括依次设置的第一电极、有机功能层和第二电极；
所述发光单元包括朝向所述衬底基板的第一侧、远离所述衬底基板的第二侧以及位于所述第一侧和所述第二侧之间的侧表面，所述显示基板还包括：
包覆至少部分所述侧表面的反光层。
一些实施例中，所述反光层靠近所述发光单元的表面的切线与所述第一电极的远离所述衬底基板的表面的切线之间的角度小于90度。
一些实施例中，所述反光层在平行于所述衬底基板的方向上的厚度大于或等于50nm。
一些实施例中，所述反光层采用导电材料制作。
一些实施例中，所述反光层包括与所述第一电极接触的第一反光图形和与所述第二电极接触的第二反光图形，所述第一反光图形和所述第二反光图形之间间隔有绝缘图形。
一些实施例中，沿远离所述衬底基板的方向，所述有机功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，所述第一反光图形与所述空穴阻挡层绝缘，所述第二反光图形与所述空穴传输层绝缘。
一些实施例中，所述发光层与所述绝缘图形为一体结构。
一些实施例中，所述空穴传输层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴注入层在所述衬底基板上的正投影内，所述空穴注入层包覆所述空穴传输层的侧表面，所述空穴传输层与所述第一反光图形不接触；
所述发光层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴传输层在所述衬底基板上的正投影内，所述空穴传输层包覆所述发光层的部分侧表面，所述发光层与所述第一反光图形不接触。
一些实施例中，所述空穴注入层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第一电极包覆所述空穴注入层的侧表面，所述空穴注入层与所述第一反光图形不接触。
一些实施例中，所述发光层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴阻挡层在所述衬底基板上的正投影内；
所述空穴阻挡层在所述衬底基板上的正投影位于所述电子传输层在所述衬底基板上的正投影内，所述电子传输层包覆所述空穴阻挡层的侧表面，所述空穴阻挡层与所述第二反光图形不接触。
一些实施例中，所述电子传输层在所述衬底基板上的正投影位于所述电子注入层在所述衬底基板上的正投影内，所述电子注入层包覆所述电子传输层的侧表面，所述电子传输层的侧表面与所述第二反光图形不接触。
一些实施例中，所述电子注入层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第二电极包覆所述电子注入层206的侧表面，所述电子注入层的侧表面与所述第二反光图形不接触。
一些实施例中，所述显示基板还包括：
位于所述发光单元的出光侧的光取出层，所述光取出层的折射率小于所述衬底基板的折射率。
一些实施例中，所述光取出层为折射率沿出光方向上呈递减趋势的单层结构，所述出光方向为所述光取出层背离所述有机功能层的方向；或
所述光取出层的材质包括球形分子材料；或
所述光取出层朝向所述发光单元的一侧表面设置有多个阵列排布的半球状微结构。
本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，显示基板设置有包覆发光单元的侧表面的反光层，发光单元发出的侧向光照射到反光层后，反光层能够通过反射的方式将该部分光出射向显示侧，从而减少发光单元的侧面光损失，提高显示基板的出光效率。
附图说明
图1-图2为本发明一实施例显示基板的截面示意图；
图3为本发明实施例显示基板的平面示意图；
图4-图11为本发明一些实施例显示基板的截面示意图。
附图标记
100 第二电极
200 有机功能层
300 第一电极
400 衬底基板
500 反光层
600 绝缘图形
700 光提取层
800 发光区域
201 空穴注入层HIL
202 空穴传输层HTL
203 发光层EML
204 空穴阻挡层HBL
205 电子传输层ETL
206 电子注入层EIL
501 第一反光图形
502 第二反光图形
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
通常，发光装置可以分为具有由有机材料形成的发光层的有机发光二极管(OLED)装置以及具有由无机材料形成的发光层的无机发光装置。有机发光现象是指使用有机材料将电能转换成光能的现象。当适当的有机材料层位于第一电极和第二电极之间，并且在两个电极之间施加电压时，空穴从第一电极注入到有机材料层中，而电子从第二电极注入到有机材料层中。当注入的空穴和电子相遇时产生激子，并且当激子下降到基态时产生光。OLED显示装置具有一系列优点，诸如驱动电压低、视角宽、分辨率高、响应时间短和自然色彩再现性好等。
但是由OLED产生的光仅大约20％从OLED装置出射，显示基板的出光效率有待提高。
本发明的实施例提供一种显示基板及显示装置，能够提高显示基板的出光效率。
本发明的实施例提供一种显示基板，如图1所示，包括：
衬底基板400，所述衬底基板400具有驱动电路层；
位于所述衬底基板400上的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；
位于所述开口区域内的发光单元，沿远离所述衬底基板400的方向，所述发光单元包括依次设置的第一电极300、有机功能层200和第二电极100；
所述发光单元包括朝向所述衬底基板400的第一侧、远离所述衬底基板400的第二侧以及位于所述第一侧和所述第二侧之间的侧表面，所述显示基板还包括：
包覆至少部分所述侧表面的反光层500。
本实施例中，显示基板设置有包覆发光单元的侧表面的反光层500，发光单元发出的侧向光照射到反光层500后，反光层500能够通过反射的方式将该部分光出射向显示侧，从而减少发光单元的侧面光损失，提高显示基板的出光效率。
本实施例的显示基板可以是OLED显示基板，还可以是QLED(量子点发光二极管)显示基板、MINILED(微发光二极管)显示基板、MICROLED(微有机电致发光二极管)显示基板等。
其中，所述衬底基板可以采用玻璃基板、石英基板或硅基板，还可以采用柔性基板，比如聚酰亚胺薄膜。在衬底基板采用玻璃基板或石英基板或柔性基板时，衬底基板不仅包括玻璃基板或石英基板或柔性基板，还包括位于玻璃基板或石英基板或柔性基板上的薄膜晶体管阵列层；在衬底基板采用硅基板时，在硅基板内部集成有驱动电路层。
本实施例中，第一电极300可以是阳极和阴极中的一者，第二电极100可以是阳极和阴极中的另一者。第二电极100可以采用具有光反射特性的金属层，第一电极300可以采用具有透光特性的超薄导电层，第一电极300的材料包括但不限于氧化铟锡(ITO)。
由于第二电极100具有光反射特性，因此，有机功能层200发出的光照射到第二电极100上，由于其对光的反射特性，第二电极100将光反射后再次穿过有机功能层200，经由透明的第一电极300射出，穿过透明的衬底基板400，发出可见光。
但是，有机功能层200产生的光并不都是全都能经由衬底基板400出射。光的发射是无定向的，沿其光源四散发射，仅有部分光能通过上述方式经由衬底基板400发出，部分光传播至有机功能层200侧面而在显示基板内传播，不会经由衬底基板400发出，而造成光损失，这样从有机功能层200发出的光经由波导效应等损失，使得显示基板的发光效率仅约20％左右。
因此，本实施例在发光单元的侧表面设置反光层500，将侧面损失部分的光通过反射的方式射向衬底基板400，以提高出光效率，减少有机功能层200侧面的光损失。反光层500可以是铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等一种或两种以上的高反射比和非透明性金属，但不限于此。
如图2所示，沿远离所述衬底基板400的方向，所述有机功能层200包括依次层叠的空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、空穴阻挡层204、电子传输层205和电子注入层206，在显示基板工作时，空穴从第一电极300注入到发光层203中，而电子从第二电极100注入到发光层203中，当注入的空穴和电子相遇时在发光层203中产生激子，激发发光层203进行发光，图2中的虚线为发光层203发出的光线的传播方向，发光层203发出的光线可以朝向远离衬底基板400一侧传播，还可以朝向衬底基板400一侧传播，还可以侧向传播。其中，侧向传播的光线照射到反光层500上后，被反光层500反射，朝向显示侧(即远离衬底基板400一侧)出射；朝向衬底基板400一侧传播的光线被衬底基板400反射后照到反光层500上后，被反光层500再次反射，朝向显示侧出射，从而可以提高显示基板的出光效率。
本实施例中，反光层500可以包覆发光单元的侧表面的一部分，也可以包覆发光单元的侧表面的全部，反光层500的面积越大，反射的光线越多，越有利于提高显示基板的出光效率。
反光层500可以采用绝缘材料制作，若反光层500采用绝缘材料制作，反光层500可以包覆发光单元的侧表面的全部；反光层500还可以采用导电材料比如导电金属制作，在反光层500采用导电材料制作时，为了避免反光层500导通第一电极300和第二电极100，导致第二电极100和第一电极300短接，反光层500不能覆盖侧表面的全部。
如图1和图2所示，在反光层500采用导电材料制作时，所述反光层500包括与所述第一电极300接触的第一反光图形501和与所述第二电极100接触的第二反光图形502，所述第一反光图形501和所述第二反光图形502之间间隔有绝缘图形600，绝缘图形600可以避免第一电极300和第二电极100导通。为了提高反光层500的面积，本实施例将反光层500分为第一反光图形501和第二反光图形502，并设置绝缘图形600来间隔开第一反光图形501和第二反光图形502，这样可以使得反光层500覆盖发光单元的侧表面的绝大部分。
在反光层500采用导电材料制作时，第一反光图形501与第一电极300连通，可以进行空穴的传输，第二反光图形502与第二电极100连通，可以进行电子的传输，这样第一反光图形501可以间接增大第一电极300与有机功能层200的接触面积，第二反光图形502可以间接增大第二电极100与有机功能层200的接触面积，对于载流子注入有机功能层200有辅助作用，可以提高载流子在发光层203所复合成激子的浓度，进一步提高显示基板的发光性能。
本实施例中，绝缘图形600可以采用有机绝缘材料，比如丙烯酸树脂；还可以采用无机绝缘材料，比如氮化硅、氧化硅等，只要能够防止第一反光图形501和第二反光图形502导通即可。
本实施例中，在制作反光层500及发光单元时，可以在真空室中通过热气相沉积形成各膜层。具体地，可以先利用精细金属掩膜板蒸镀第一电极300、空穴注入层201及空穴传输层202，之后形成第一反光图形501、发光层203和绝缘图形600，再依次形成空穴阻挡层204、电子传输层205、电子注入层206和第二反光图形502，最后蒸镀形成第二电极100，第二电极100可以是面状电极，覆盖显示基板的整个显示区域。
本实施例中，由于第二电极100和反光层500都具有反射特性，因此，第二电极100和反光层500可以采用相同的材料，比如第二电极100和反光层500可以都使用Ag或Mg，这样可以采用相同的成膜设备来制作第二电极100和反光层500，相比现有制作显示基板的设备，无需增加新的成膜设备来形成反光层500。
由于气相沉积过程中分子扩散，显示基板中，反光层500与有机功能层200之间的界面会有一定倾斜，使得所述反光层靠近所述发光单元的表面的切线与所述第一电极的远离所述衬底基板的表面的切线之间的角度小于90度，这样更有利于反射的光线从第一电极300一侧出射。
如果反光层500的厚度过小比如小于50nm，则反光层500能够透过一定的光线，会影响反光层500的反射性能，进而影响显示基板的出光效率；如果反光层500的厚度过大比如大于100nm，由于反光层500位于像素区域内，会影响发光单元各膜层的沉积，优选地，反光层500在平行于所述衬底基板的方向上的厚度可以大于或等于50nm，优选为50-100nm，这样可以兼顾反光层500的反射性能和发光单元的性能。
图3所示为显示基板的平面示意图，可以看出，反光层500包围发光区域，可以对发光区域的侧向光进行反射。图3中，发光区域为正方形，但发光区域并不局限为正方形，还可以为其他形状，比如圆形、六边形或其他不规则形状。
一具体示例中，如图2所示，沿远离所述衬底基板400的方向，所述有机功能层200包括依次层叠的空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、空穴阻挡层204、电子传输层205和电子注入层206，所述第一反光图形501可以从第一电极300延伸至空穴传输层202，与所述空穴阻挡层204绝缘，所述第二反光图形502可以从电子注入层206延伸至空穴阻挡层204，与所述空穴传输层202绝缘，这样可以避免第一反光图形501越过发光层203将空穴传输至空穴阻挡层204，第二反光图形502越过发光层203将电子传输至空穴传输层202，影响发光单元的正常工作。
一些实施例中，如图4所示，所述显示基板还包括：
位于所述发光单元的出光侧的光取出层700，所述光取出层700的折射率小于所述衬底基板400的折射率。通过光取出层700可以减少全反射，增加光取出，进一步提高显示基板的出光效率。
一些实施例中，所述光取出层700为折射率沿出光方向上呈递减趋势的单层结构，所述出光方向为所述光取出层700背离所述发光层203的方向。
其中，出光方向为光取出层700背离发光层203的方向。
本实施例中，设置光取出层700沿出光方向折射率呈递减趋势，能够调控广角干涉以及多光束干涉，从而能够提高显示基板的光取出率，同时增大视角；再一方面，相比于光取出层700采用折射率为阶梯式递减趋势的多层结构，光线在透过光取出层700会因层与层之间界面而引起光能损失而言，本实施例中，光取出层700采用折射率呈递减趋势的单层结构，也即该光取出层700在沿出光方向上不存在折射率不同的层间界面，从而避免了光线在透过该光取出层700时因层与层之间界面所引起的光能损失，进而进一步的提高了OLED器件的光取出率。
此处需要说明的是，上述折射率沿出光方向上呈递减趋势、且呈单层结构的光取出层700是指，该光取出层700在沿出光方向上折射率递减，但是不同折射率区域之间没有界面。
在此基础上，由于光取出层700的折射率呈渐变趋势，因此，实际中光取出层700至少需要采用两种以上折射率不同的材料构成。
此处需要说明的是，构成光取出层700的材料可以为无机化合物类，例如ZnO、ZnS、ZnSe、TeO2、WO3、MoO3、MgO、LiF等具有较高折射率的无机物，但不限于这些无机化合物；也可以为有机化合物类，例如Alq3、Liq3、MeO-TPD、BCP等具有较高折射率的有机物，但不限于这些有机化合物。当然在实际使用时，选用的两种材料可以是上述的两种无机化合物，或者是两种有机化合物，或者是一种无机化合物、一种有机化合物，本发明对此不作限定。
例如，光取出层700在厚度方向上包括：沿出光方向上含量递减的第一折射率材料和含量递增的第二折射率材料，其中，第一折射率材料的折射率大于第二折射率材料的折射率，从而形成折射率在沿出光方向上整体呈连续的渐变递减趋势的单层结构的光取出层700。
需要说明的是，上述第一折射率材料和第二折射率材料的含量可以为重量百分比。
此处应当理解到，光取出层700中，沿出光方向，具有较大折射率的第一折射率材料的含量逐渐依次连续递减，具有较小折射率的第二折射率材料的含量逐渐依次连续递增；也就是说，该光取出层700整体呈单层结构，且沿出光方向上，折射率大的材料的含量越来越少，而折射率小的材料的含量越来越多，从而使得该单层结构的光取出层700的折射率在沿出光方向上整体呈连续的渐变递减趋势。
综上所述，对于上述任一种光取出层700而言，优选的，光取出层700中与第一电极接触一侧的折射率与远离第一电极一侧的折射率的差值大于或等于0.1；当然应当理解到，光取出层700中远离第一电极一侧的折射率必然大于空气的折射率。
具体的，在光取出层700中与第一电极接触一侧的折射率N1与远离第一电极一侧的折射率N2的差值小于0.1的情况下，即0＜N1-N2＜0.1的情况下，由于两侧的折射率差值太小，对广角干涉以及多光束干涉的调控程度较小，从而使得对显示基板的光取出率的增加，视角的增大有限。因此，优选的，采用光取出层700中与第一电极接触一侧的折射率与远离第一电极一侧的折射率的差值大于或等于0.1。
在此基础上，优选的，光取出层的厚度为20nm～500nm。
具体的，如果光取出层的厚度小于20nm时，由于厚度过小(同时还需要满足前述折射率递减的条件)，从而对制作工艺要求较高，并且对于调控广角干涉以及多光束干涉也不明显。如果光取出层的厚度大于500nm时，由于厚度过大，一方面，造成不必要的浪费，另一方面，不利于轻薄化的设计理念；因此，优选的，取出层的厚度为20nm～500nm的范围内，当然可以包括20nm和500nm。
另外，本领域的技术人员应当理解到，为了尽可能的保证光取出层能够调控广角干涉以及多光束干涉，实际中需要根据实际的光束(例如波长)以及光取出层能的折射率范围，在上述优选厚度范围内，选择设置合理的光取出层厚度。
一些实施例中，所述光取出层700的材质包括球形分子材料，具体地，光取出层700的材料为球形分子C70，以利用其自身的分子堆积方式，使光取出层700具有微纳结构，其可以减少显示基板出光的全反射，提升光取出率。
C70是一个具有特殊结构的球形分子，其在衬底基板上沉积时会形成一种精细的微纳结构，这种精细的微纳结构类似于微透镜或者是具有诸多微球的散射层，薄膜的表面粗糙度也会进一步增大，C70材料形成的光取出层700可以将原本入射角大于临界角的射线角度缩小，减少出射光的全反射，提升光取出率。且该光取出层700在整个可见光范围内透过率比较高，可以保证产生的光子不会被其过多的吸收；利用C70自身的堆积方式，光取出层700形成一种精细的微纳结构，减少全反射，增加光取出。
一些实施例中，所述光取出层700朝向所述发光单元的一侧表面设置有多个阵列排布的半球状微结构，具体地，在光取出层700朝向所述发光单元的一侧表面形成有阵列排布的多个纳米级别的微结构，微结构的形状为半球状，当然，微结构的形状并不局限为半球状，还可以采用其他形状，比如半椭球状等。半球状微结构一方面可以减少全反射，增加光取出，另一方面还可以改变光线的传播方向，如图5所示，发光层203射出的光线在传播至光取出层700时，很大一部分光线的传播方向与衬底基板400成小于90°的角度，本实施例中，通过半球状微结构可以将这部分光线的传播方向改变为与衬底基板400垂直，这样能够增加正向光的去除，优化显示基板的显示效果。
一些实施例中，如图6所示，沿远离所述衬底基板400的方向，所述有机功能层200包括依次层叠的空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、空穴阻挡层204、电子传输层205和电子注入层206，其中，发光层203可以与所述绝缘图形600为一体结构，这样可以简化显示基板的结构，另外，还可以增加发光层203与第一反光图形501和第二反光图形502的接触面积，提高载流子在发光层203所复合成激子的浓度，进一步提高显示基板的发光性能。
一些实施例中，如图7所示，沿远离所述衬底基板400的方向，所述有机功能层200包括依次层叠的空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、空穴阻挡层204、电子传输层205和电子注入层206，所述空穴传输层202在所述衬底基板400上的正投影位于所述空穴注入层201在所述衬底基板400上的正投影内，所述空穴注入层201包覆所述空穴传输层202的侧表面，所述空穴传输层202与所述第一反光图形501不接触；所述发光层203在所述衬底基板400上的正投影位于所述空穴传输层202在所述衬底基板400上的正投影内，所述空穴传输层202包覆所述发光层203的部分侧表面，所述发光层203与所述第一反光图形501不接触。如图7所示，本实施例的显示基板采用这样的结构设计，可以提高空穴注入层201与第一反光图形501的接触面积，间接提高空穴注入层201与第一电极300的接触面积，有利于提高空穴的数量，进而提高载流子在发光层203所复合成激子的浓度，进一步提高显示基板的发光性能。
一些实施例中，如图8所示，沿远离所述衬底基板400的方向，所述有机功能层200包括依次层叠的空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、空穴阻挡层204、电子传输层205和电子注入层206，所述空穴注入层201在所述衬底基板400上的正投影位于所述第一电极300在所述衬底基板400上的正投影内，所述第一电极300包覆所述空穴注入层201的侧表面，所述空穴注入层201与所述第一反光图形501不接触；如图8所示，本实施例的显示基板采用这样的结构设计，这样可以直接提高空穴注入层201与第一电极300的接触面积，有利于提高空穴的数量，进而提高载流子在发光层203所复合成激子的浓度，进一步提高显示基板的发光性能。
一些实施例中，如图9所示，沿远离所述衬底基板400的方向，所述有机功能层200包括依次层叠的空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、空穴阻挡层204、电子传输层205和电子注入层206，所述发光层203在所述衬底基板400上的正投影位于所述空穴阻挡层204在所述衬底基板400上的正投影内，所述空穴阻挡层204在所述衬底基板400上的正投影位于所述电子传输层205在所述衬底基板400上的正投影内，所述电子传输层205包覆所述空穴阻挡层204的侧表面，所述空穴阻挡层204与所述第二反光图形502不接触，如图9所示，本实施例的显示基板采用这样的结构设计，这样可以提高电子传输层205与第二反光图形的接触面积，间接提高电子传输层205与第二电极100的接触面积，有利于提高传输的电子的数量，进而提高载流子在发光层203所复合成激子的浓度，进一步提高显示基板的发光性能。
一些实施例中，如图10所示，沿远离所述衬底基板400的方向，所述有机功能层200包括依次层叠的空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、空穴阻挡层204、电子传输层205和电子注入层206，所述电子传输层205在所述衬底基板400上的正投影位于所述电子注入层206在所述衬底基板400上的正投影内，所述电子注入层206包覆所述电子传输层205的侧表面，所述电子传输层205的侧表面与所述第二反光图形502不接触，这样可以提高电子注入层206与第二反光图形502的接触面积，间接提高电子注入层206与第二电极100的接触面积，有利于提高电子的数量，进而提高载流子在发光层203所复合成激子的浓度，进一步提高显示基板的发光性能。
一些实施例中，还可以是，所述电子注入层206在所述衬底基板400上的正投影位于所述第二电极100在所述衬底基板400上的正投影内，所述第二电极包覆所述电子注入层206的侧表面，所述电子注入层206的侧表面与所述第二反光图形不接触，这样可以直接提高电子注入层206与第二电极的接触面积，有利于提高电子的数量，进而提高载流子在发光层所复合成激子的浓度，进一步提高显示基板的发光性能。
一些实施例中，如图11所示，沿远离所述衬底基板400的方向，所述有机功能层200包括依次层叠的空穴注入层201、空穴传输层202、发光层203、空穴阻挡层204、电子传输层205和电子注入层206，发光层203在所述衬底基板400上的正投影位于空穴阻挡层204在所述衬底基板400上的正投影内，空穴阻挡层204包覆发光层203的侧表面；空穴阻挡层204在所述衬底基板400上的正投影位于所述电子传输层205在所述衬底基板400上的正投影内，电子传输层205包覆空穴阻挡层204的侧表面；电子传输层205在所述衬底基板400上的正投影位于所述电子注入层206在所述衬底基板400上的正投影内，所述电子注入层206包覆所述电子传输层205的侧表面，所述电子传输层205的侧表面与所述第二反光图形502不接触。在有机功能材料中，整体来说空穴传输速度比电子传输速度快，在发光层203中发光区域靠近第二电极100侧，采用图11的结构可加强电子的注入，实现发光区域从第二电极100侧向发光层203中心移动，防止激子累积在某一界面，影响器件的整体性能。
本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板，具有与前述实施例提供的显示基板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对显示基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
在此基础上，优选的，上述显示基板中的第一电极位于第二电极背离衬底基板的一侧，也即该显示基板为顶发射型，显示基板发出的光线从顶部出射，从而不受基板上薄膜晶体管(TFT)的排布影响，保证了器件的高开口率；同时，对于给定的材料组成，顶发光的器件工作电压可以有效降低，进而能够延长整个器件的使用寿命。
该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本发明实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板具有驱动电路层；
位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；
位于所述开口区域内的发光单元，沿远离所述衬底基板的方向，所述发光单元包括依次设置的第一电极、有机功能层和第二电极；
所述发光单元包括朝向所述衬底基板的第一侧、远离所述衬底基板的第二侧以及位于所述第一侧和所述第二侧之间的侧表面，所述显示基板还包括：
包覆至少部分所述侧表面的反光层。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述反光层靠近所述发光单元的表面的切线与所述第一电极的远离所述衬底基板的表面的切线之间的角度小于90度。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述反光层在平行于所述衬底基板的方向上的厚度大于或等于50nm。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述反光层采用导电材料制作。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述反光层包括与所述第一电极接触的第一反光图形和与所述第二电极接触的第二反光图形，所述第一反光图形和所述第二反光图形之间间隔有绝缘图形。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，沿远离所述衬底基板的方向，所述有机功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，所述第一反光图形与所述空穴阻挡层绝缘，所述第二反光图形与所述空穴传输层绝缘。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述发光层与所述绝缘图形为一体结构。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，
所述空穴传输层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴注入层在所述衬底基板上的正投影内，所述空穴注入层包覆所述空穴传输层的侧表面，所述空穴传输层与所述第一反光图形不接触；
所述发光层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴传输层在所述衬底基板上的正投影内，所述空穴传输层包覆所述发光层的部分侧表面，所述发光层与所述第一反光图形不接触。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，
所述空穴注入层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第一电极包覆所述空穴注入层的侧表面，所述空穴注入层与所述第一反光图形不接触。
10.根据权利要求6-9中任一项所述的显示基板，其特征在于，
所述发光层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴阻挡层在所述衬底基板上的正投影内；
所述空穴阻挡层在所述衬底基板上的正投影位于所述电子传输层在所述衬底基板上的正投影内，所述电子传输层包覆所述空穴阻挡层的侧表面，所述空穴阻挡层与所述第二反光图形不接触。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，
所述电子传输层在所述衬底基板上的正投影位于所述电子注入层在所述衬底基板上的正投影内，所述电子注入层包覆所述电子传输层的侧表面，所述电子传输层的侧表面与所述第二反光图形不接触。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，
所述电子注入层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第二电极包覆所述电子注入层的侧表面，所述电子注入层的侧表面与所述第二反光图形不接触。
13.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
位于所述发光单元的出光侧的光取出层，所述光取出层的折射率小于所述衬底基板的折射率。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，
所述光取出层为折射率沿出光方向上呈递减趋势的单层结构，所述出光方向为所述光取出层背离所述有机功能层的方向；或
所述光取出层的材质包括球形分子材料；或
所述光取出层朝向所述发光单元的一侧表面设置有多个阵列排布的半球状微结构。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-14中任一项所述的显示基板。
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