CN104241535B - 一种有机发光结构 - Google Patents

一种有机发光结构 Download PDF

Info

Publication number
CN104241535B
CN104241535B CN201310224799.8A CN201310224799A CN104241535B CN 104241535 B CN104241535 B CN 104241535B CN 201310224799 A CN201310224799 A CN 201310224799A CN 104241535 B CN104241535 B CN 104241535B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
anode
offside reflection
emitting structure
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310224799.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104241535A (zh
Inventor
刘志鸿
王承贤
黄俊杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Original Assignee
EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd filed Critical EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN201310224799.8A priority Critical patent/CN104241535B/zh
Priority to TW102123836A priority patent/TWI515938B/zh
Priority to US14/104,876 priority patent/US9379357B2/en
Publication of CN104241535A publication Critical patent/CN104241535A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104241535B publication Critical patent/CN104241535B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Abstract

本发明公开了一种有机发光结构,包括阳极层、阴极层,以及该阳极层与该阴极层之间的有机发光层;其中,还包括侧面反射层;该阳极层具有一反射层,该阴极层为透明结构;该侧面反射层位于阴极层之下,其与该阳极层构成出光区,该阳极层和该侧面反射层反射该有机发光层发出的光线,使其从出光区射出。本发明的有机发光结构,通过在有机发光层的周围设置侧面反射层,以对侧方向的光线进行反射。由此能够提高有机发光结构的发光效率,具有很高的应用价值。

Description

一种有机发光结构
技术领域
本发明涉及OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)结构。
背景技术
OLED为自发光的显示技术,OLED的发光效率与选定的发光材料、背板以及外围元件的设计相关。OLED必须凭借着反射层进行反射,以提高发光亮度,进而增进相关的显示性能。
现有技术中的OLED发光结构参见图1所示。该OLED发光结构中的阳极具有一反射层,用于对有机发光层产生的光线进行反射。反射层可以为阳极金属平面。该OLED发光结构所产生的光线如图1所示,其发出的光线随意散射。一些光线并未从有效的发光区域和方向上射出,造成该OLED发光结构的整体发光效率不高。
发明内容
鉴于现有技术的上述问题和/或其他问题,本发明提供了一种高发光效率的有机发光结构。
本发明提供的有机发光结构,包括:
阳极层,该阳极层具有一反射层;
阴极层,该阴极层为透明结构;
该阳极层与该阴极层之间的有机发光层;及
侧面反射层,位于该有机发光层周围,与该阳极层一起构成出光区,
其中,该阳极层和该侧面反射层反射该有机发光层发出的光线,使其从出光区射出。
该侧面反射层采用物理气相沉积或化学气相沉积方法形成。
该侧面反射层包括一具有反射性能的金属层。
该侧面反射层为三层结构,外部两层为一透明且具半导体特性的氧化金属层,中间为该金属层。
该侧面反射层为一透明且具半导体特性的氧化金属层与该金属层结合而成。
该氧化金属层为铟锡氧化物或/氧化铟锌。
该金属层由Al、Ag、Ni或其合金形成。
该侧面反射层与该阳极层之间的夹角介于90-150度。
该侧面反射层与该有机发光层之间的最短距离,大于或等于该阴极层与该阳极层之间的最短距离的两倍。
该侧面反射层为圆台状结构。
本发明还提供了一种有机发光结构,包括:
阴极层,该阴极层具有一反射层;
阳极层,该阳极层为透明结构;
该阴极层与该阳极层之间的有机发光层;及
侧面反射层,位于该有机发光层周围,与该阴极层一起构成出光区,
其中,该阴极层和该侧面反射层反射该有机发光层发出的光线,使其从出光区射出。
本发明的OLED发光结构,通过在有机发光层的周围设置侧面反射层,以对侧方向的光线进行反射。由此能够提高OLED发光结构的发光效率,具有很高的应用价值。
附图说明
图1为现有技术的OLED发光结构的示意图。
图2为本发明一实施例的OLED发光结构的示意图。
图3为本发明另一实施例的OLED发光结构的示意图。
图4为本发明OLED发光结构的局部放大图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中,为了清晰,夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
此外,所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
本发明提供了一种高发光效率的OLED发光结构,包括阴极层1、阳极层2,阴极层1和阳极层2之间所夹的有机发光层3,以及侧面反射层4。
参见图2所示。在本发明的一实施例中,该OLED发光结构中的阳极具有一反射层,用于对有机发光层3产生的光线进行反射。阴极层1为透明层,在阴极层1和阳极层2之间夹有机发光层3,形成如三明治的结构。当阴极层1和阳极层2之间施加适当电压时,电子和空穴在此有机发光层3中相遇复合,就会发出光线。所发出的光线经阳极反射层的反射后,从阴极透明层透射而出。
该阳极层2包括一具有高反射性能的金属层。该金属层可使用Al、Ag或Ni等金属或其合金制成平滑的具有高反射性能的平面。阳极层也可以采用双层或三明治结构。例如,阳极上下两层可使用铟锡氧化物(ITO)或/氧化铟锌(IZO)等相关的氧化金属层。中间的金属行反射层的功能,使用AL/Ag/Ni或相关金属合金制成。
在有机发光层3的四周,另外设置有侧面反射层4。该侧面反射层4可以利用PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉积)或CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)的工艺制作于有机发光层3的四周。该侧面反射层4也包括一金属层,起到反射作用。该金属层与阳极的金属层类似。该侧面反射层4也可以设计成类似三明治结构,外部两层可为一薄而透明具半导体特性的氧化金属层,如可以为ITO或/IZO,中间一层为金属层。或者,该侧面反射层4也可以采用单层金属层的结构,或者也可以采用透明的氧化金属层与金属层结合的双层结构。该侧面反射层4位于阴极层1之下,其与阳极层2共同构成该OLED发光结构的出光区。有机发光层3所发出的光都从该出光区射出。
在该OLED发光结构中,根据具体的应用需求,可以对侧面反射层4的高度进行调节,以实现调节OLED发光结构的侧面透光度。或者,调节侧面反射层4与阳极层2之间的距离,以实现调节该OLED出光区的大小。或者,调节侧面反射层4与阳极层2平面间的夹角θ,以实现调节出光区的角度。
此外,侧面反射层4应与OLED的有机发光层3保持一定的距离,以进行电性保护。参见图4所示为OLED发光结构的局部放大图,设侧面反射层4与有机发光层3之间的最短距离为L,阴极层1与阳极层2之间的最短距离为H,则应使L≥2H,以防止OLED的电荷被诱导,造成原件烧毁。如在一种OLED结构中,设计侧面反射层4与有机发光层3的距离约为0.6um的距离,而考虑到目前OLED蒸镀的精度为±7um,故可设计侧面反射层4与有机发光层3的距离为0.6um~7um。
在本发明的一实施例中,为提高侧面反射层4的反射效率,如图2和图3所示,其适宜设计成圆台状结构。该圆台状结构与阳极层2平面的夹角θ适宜设计为90-150度,该夹角θ可根据具体的应用环境进行调整,以最大限度的使OLED射出的近水平方向的散射光能够导回到人眼可视的角度,以实现增加亮度的目的。易于理解,本案也可以根据具体需求,将侧面反射层4设计成其他形状的曲面,以实现不同的反射效果。
下面说明侧面反射层4的形成方法。
在平坦化层10上形成阳极2之后,形成覆盖阳极2的绝缘层12。在绝缘层12中形成用于侧面反射层4的开口。利用PVD或CVD方法在绝缘层12上及开口中形成反射材料层。利用回蚀刻工艺蚀刻反射材料层,在开口中形成侧面反射层4。沉积绝缘材料,覆盖侧面反射层4的上表面。然后,通过蚀刻工艺形成暴露阳极2的开口。在开口中沉积有机发光层3。在有机发光层3上沉积阴极层。后续工艺与本领域通常使用的常规方法相同,在此不再赘述。
需要说明的是,本发明的上述实施方式以阳极层2作为反射层,阴极层1为透明层为例进行说明。对于其他类型的OLED发光结构,如阴极层1为反射层,阳极为透明的结构,也可以在该OLED发光结构的有机发光层3中设置侧面反射层4,以提高发光效率。本发明的方案对于不同种类和形态的OLED发光结构均能适用,其不影响本发明的技术目的和有益效果。
本发明的OLED发光结构,通过在有机发光层的周围设置侧面反射层4,以对侧方向的光线进行反射。由此能够提高OLED发光结构的发光效率,具有很高的应用价值。
本领域技术人员应当意识到在不脱离本发明所附的权利要求所揭示的本发明的范围和精神的情况下所作的更动与润饰,均属本发明的权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种有机发光结构,包括:
阳极层,该阳极层具有一反射层;
阴极层,该阴极层为透明结构;
该阳极层与该阴极层之间的有机发光层;及
侧面反射层,位于该有机发光层周围,并与该有机发光层位于该阴极层的同一侧,该侧面反射层与该阳极层一起构成出光区,
其中,该阳极层和该侧面反射层反射该有机发光层发出的光线,使其从出光区射出;该侧面反射层与该有机发光层之间的最短距离,大于或等于该阴极层与该阳极层之间的最短距离的两倍。
2.根据权利要求1所述的有机发光结构,其中,该侧面反射层采用物理气相沉积或化学气相沉积方法形成。
3.根据权利要求1所述的有机发光结构,其中,该侧面反射层包括一具有反射性能的金属层。
4.根据权利要求3所述的有机发光结构,其中,该侧面反射层为三层结构,外部两层为一透明且具半导体特性的氧化金属层,中间为该金属层。
5.根据权利要求3所述的有机发光结构,其中,该侧面反射层为一透明且具半导体特性的氧化金属层与该金属层结合而成。
6.根据权利要求4或5所述的有机发光结构,其中,该氧化金属层为铟锡氧化物或氧化铟锌。
7.根据权利要求3所述的有机发光结构,其中,该金属层由Al、Ag、Ni或其合金形成。
8.根据权利要求1所述的有机发光结构,其中,该侧面反射层与该阳极层之间的夹角介于90-150度。
9.根据权利要求1所述的有机发光结构,其中,该侧面反射层为圆台状结构。
10.一种有机发光结构,包括:
阴极层,该阴极层具有一反射层;
阳极层,该阳极层为透明结构;
该阴极层与该阳极层之间的有机发光层;及
侧面反射层,位于该有机发光层周围,并与该有机发光层位于该阳极层的同一侧,该侧面反射层与该阴极层一起构成出光区,
其中,该阴极层和该侧面反射层反射该有机发光层发出的光线,使其从出光区射出;该侧面反射层与该有机发光层之间的最短距离,大于或等于该阴极层与该阳极层之间的最短距离的两倍。
CN201310224799.8A 2013-06-06 2013-06-06 一种有机发光结构 Active CN104241535B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310224799.8A CN104241535B (zh) 2013-06-06 2013-06-06 一种有机发光结构
TW102123836A TWI515938B (zh) 2013-06-06 2013-07-03 有機發光結構
US14/104,876 US9379357B2 (en) 2013-06-06 2013-12-12 Organic light emitting structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310224799.8A CN104241535B (zh) 2013-06-06 2013-06-06 一种有机发光结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104241535A CN104241535A (zh) 2014-12-24
CN104241535B true CN104241535B (zh) 2017-07-25

Family

ID=52004705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310224799.8A Active CN104241535B (zh) 2013-06-06 2013-06-06 一种有机发光结构

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9379357B2 (zh)
CN (1) CN104241535B (zh)
TW (1) TWI515938B (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104600093A (zh) * 2014-12-25 2015-05-06 上海和辉光电有限公司 一种显示面板
US20160219702A1 (en) 2015-01-23 2016-07-28 Gholamreza Chaji Selective micro device transfer to receiver substrate
US10700120B2 (en) 2015-01-23 2020-06-30 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
US10847571B2 (en) 2015-01-23 2020-11-24 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
CN108336126B (zh) 2015-02-13 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示装置以及像素结构的制作方法
CN106033800A (zh) * 2015-03-16 2016-10-19 上海和辉光电有限公司 有机发光结构以及具有该结构的有机发光器件和面板
CN106159100A (zh) * 2015-04-24 2016-11-23 上海和辉光电有限公司 有机发光二极管结构及其制作方法
US11011707B2 (en) 2016-12-01 2021-05-18 Toray Industries, Inc. Organic EL display device
CN107331680B (zh) * 2017-07-05 2020-04-24 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN107968110B (zh) * 2017-11-21 2020-05-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法
KR102449772B1 (ko) * 2017-12-19 2022-09-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN108538888A (zh) * 2018-04-09 2018-09-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制造方法、oled显示器
US10658621B2 (en) 2018-04-09 2020-05-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED panel and manufacturing method thereof and OLED display
CN109148489B (zh) * 2018-08-30 2022-06-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及制作方法、显示装置
WO2020107252A1 (en) * 2018-11-28 2020-06-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel structure, display apparatus, and method of fabricating pixel structure
CN109671749A (zh) * 2018-12-13 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示屏及其制作方法
CN109873023B (zh) * 2019-03-29 2021-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置
CN110071224B (zh) * 2019-04-04 2020-07-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件及其制作方法
KR20210041673A (ko) 2019-10-07 2021-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112117357B (zh) * 2020-09-17 2022-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN113113550B (zh) * 2021-03-16 2023-01-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板和oled显示装置
CN115943754A (zh) * 2021-05-28 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN114023838B (zh) * 2021-11-03 2023-11-10 宁波勤邦新材料科技股份有限公司 一种高反射高阻隔太阳能电池背板膜及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102386338A (zh) * 2010-08-31 2012-03-21 日东电工株式会社 有机电致发光的发光装置
CN102891265A (zh) * 2012-09-28 2013-01-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Oled阳极的增反结构和oled阴极的增反结构

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
JP4693253B2 (ja) * 2001-01-30 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
JP4252297B2 (ja) * 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
JPWO2009031571A1 (ja) 2007-09-06 2010-12-16 ソニー株式会社 光抽出素子、光抽出素子の製造方法および表示装置
KR100943948B1 (ko) * 2008-01-08 2010-02-26 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
JP2011023240A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Sony Corp 表示装置
KR101084177B1 (ko) * 2009-11-30 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
JP2011228229A (ja) * 2010-04-23 2011-11-10 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
KR101821167B1 (ko) * 2011-08-30 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 반사 구조를 갖는 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101928582B1 (ko) * 2012-07-25 2018-12-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102386338A (zh) * 2010-08-31 2012-03-21 日东电工株式会社 有机电致发光的发光装置
CN102891265A (zh) * 2012-09-28 2013-01-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Oled阳极的增反结构和oled阴极的增反结构

Also Published As

Publication number Publication date
TW201448307A (zh) 2014-12-16
TWI515938B (zh) 2016-01-01
US20140361265A1 (en) 2014-12-11
CN104241535A (zh) 2014-12-24
US9379357B2 (en) 2016-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104241535B (zh) 一种有机发光结构
EP2704227B1 (en) Oled encapsulating structure and manufacturing method thereof, and light-emitting device
US20090174319A1 (en) Organic luminescent device
KR20120102482A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치
CN109904347A (zh) 发光器件及其制造方法、显示装置
EP2884555B1 (en) OLED on curved substrate
US9425431B2 (en) Organic electroluminescent element and light emitting device with light extraction portions
US20140225086A1 (en) Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component
CN106654051B (zh) 一种具有光取出结构的oled和oled灯具
EP3675173B1 (en) Display panel, method for manufacturing same, electroluminescent device and display apparatus
EP3240058A1 (en) Organic light emitting diode
CN105280838B (zh) 一种oled发光器件及显示装置
TWI283550B (en) Trans-reflective organic electroluminescent panel and method of fabricating the same
US8872167B2 (en) Organic light-emitting device
JP6340674B2 (ja) 有機発光素子用の光取出し基板、その製造方法、及びこれを含む有機発光素子
US20170358763A1 (en) Flexible substrate and method of manufacturing same
US9722208B2 (en) Light-emitting devices using thin film electrode with refractive index optimized capping layer for reduction of plasmonic energy loss
JP5723344B2 (ja) 有機電界発光素子および発光装置
US9887389B2 (en) Organic light emitting device
JP2006139932A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
US20130270542A1 (en) Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component
US20200220100A1 (en) Top-emitting type organic electroluminescent device, manufacturing method thereof and display apparatus
US20180083222A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
CN108963106A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US11094906B2 (en) Display panel

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 201506, No. nine, No. 1568, Jinshan Industrial Zone, Shanghai, Jinshan District

Patentee after: Shanghai Hehui optoelectronic Co., Ltd

Address before: 201500, building two, building 100, 1, Jinshan Industrial Road, 208, Shanghai, Jinshan District

Patentee before: EverDisplay Optronics (Shanghai) Ltd.