JP5723344B2 - 有機電界発光素子および発光装置 - Google Patents
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Description
有機電界発光素子においては、陰極側電極と陽極側電極との間に電圧を印加することで、陰極側電極から有機発光層に電子を注入し、陽極側電極から有機発光層に正孔を注入する。注入された電子と正孔とは、再結合し、再結合に伴い生成された励起子が放射失活する際に光が発生する。
この様な有機電界発光素子においては、光取り出し効率の向上が望まれている。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して述べたものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)、(b)は、第1の実施形態に係る有機電界発光素子を例示する模式断面図である。
図1(a)は、後述する凸部80が第1電極10と有機発光層30との間に設けられた場合である。
図1(b)は、凸部80が有機発光層30と第2電極20との間に設けられた場合である。
第1電極10は、例えば、陽極として機能する。第1電極10の厚み寸法は、例えば、50ナノメートル(nm)以上とすることができる。
第1電極10は、例えば、In、Sn、Zn及びTiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む酸化物を含む。第1電極10には、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)膜、フッ素ドープ酸化錫(FTO)、インジウム亜鉛酸化物を含む導電性ガラスを用いて作製された膜(例えばNESAなど)などを用いることができる。第1電極10の屈折率は、例えば、1.7以上2.2以下である。
第2電極20は、有機発光層30から放出される光に対して反射性を有する。第2電極20の光反射率は、第1電極10の光反射率よりも高い。本願明細書においては、第1電極10の光反射率よりも高い光反射率を有している状態を反射性を有するという。
第2電極20は、例えば、陰極として機能する。第2電極20の厚み寸法は、例えば、5ナノメートル(nm)以上とすることができる。5ナノメートル(nm)以上であれば、有機発光層30から放出される光の一部を反射し、かつ、電流を有機発光層30に有効に供給することができる。
第2電極20は、例えば、アルミニウム及び銀の少なくともいずれかを含む。例えば、第2電極20には、アルミニウム膜が用いられる。また、第2電極20として、銀とマグネシウムとの合金を用いても良い。さらに、この合金にカルシウムを添加しても良い。
有機発光層30の厚み寸法は、例えば、5ナノメートル(nm)以上とすることができる。
有機発光層30の屈折率は、例えば、1.7以上2.2以下である。
図示しない第1機能層は、有機発光層30と第1電極10との間に設けられる。第1機能層の厚み寸法は、例えば、1ナノメートル(nm)以上、500ナノメートル(nm)以下とすることができる。
第1機能層を設けるときには、凸部80は第1電極10と有機発光層30との間に設けられる。
第1機能層は、例えば、正孔注入層として機能する。第1機能層が正孔注入層として機能する場合には、例えば、PEDPOT:PPSポリ(3,4- エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)、CuPc(銅フタロシアニン)及びMoO3(三酸化モリブデン)などを含む。
第1機能層は、例えば、正孔輸送層として機能する。第1機能層が正孔輸送層として機能する場合には、例えば、α−NPD(4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル)、TAPC(1,1-ビス[4-[N,N-ジ(p-トリル)アミノ]フェニル]シクロヘキサン)、m−MTDATA(4,4',4''-トリス[フェニル(m-トリル)アミノ]トリフェニルアミン)、TPD(ビス(3-メチルフェニル)-N,N'-ジフェニルベンジジン)及びTCTA(4,4',4”−トリ(N− カルバゾリル)トリフェニルアミン)などを含む。
なお、第1機能層は、正孔注入層として機能する層と、正孔輸送層として機能する層と、が積層されたものであってもよい。
第2機能層は、例えば、電子輸送層として機能する。第2機能層は、例えば、Alq3(トリス(8キノリ. ノラト)アルミニウム(III))、BAlq(ビス(2-メチル-8-キノリラト-N1,O8)-(1,1’-ビフェニル-4-オラト)アルニウム)、Bphen(バソフェナントロリン)及び3TPYMB(トリス[3−(3−ピリジル)−メシチル]ボラン)などを含む。
第2機能層は、例えば、電子注入層として機能する。その場合、第2機能層は、例えば、フッ化リチウム、フッ化セシウム、リチウムキノリン錯体などを含む。
図1(a)に示すように、有機電界発光素子1においては、凸部80は、第1電極10と有機発光層30との間に設けられている。
図1(b)に示すように、有機電界発光素子1aにおいては、凸部80は、有機発光層30と第2電極20との間に設けられている。
なお、光取り出し効率の向上に関する詳細は後述する。
凸部80は、有機発光層30から放出された光に対して透過性を有する。
また、凸部80は、導電性または絶縁性を有する。
有機発光層30に対して一桁以上導電率(単位;S/m)が高く、十分に高い導電性を示す導電性材料を用いて凸部80を形成すれば、凸部80は第1電極10または第2電極20の一部として機能することになる。この場合、凸部80が形成された部分と重なる有機発光層30においても発光が生じることになるので、凸部80を設けたことによって発光面積が減少することはない。また、凸部80が導電性を有し、凸部80を有機発光層30と第2電極20の間に設ける場合には、平坦な第1電極10の上に有機発光層30を形成することになるので、短絡などの問題は発生しない。
一方、凸部80が絶縁性を有していれば、凸部80を第1電極10と有機発光層30の間、または、有機発光層30と第2電極20の間のどちらに設ける場合でも、発光面積は減少するが短絡などの問題は生じず、有機電界発光素子の作製が容易となる。
例えば、凸部80の屈折率をn、有機発光層30の屈折率をn1とした場合、 n1×0.9≦n≦n1×1.1となるようにすることができる。
また、凸部80には、例えば、アクリル系樹脂(例えば、屈折率=1.49)、トリアジン系樹脂(例えば、屈折率=1.7〜1.8)などのポリマー樹脂を用いることができる。
ポリマー樹脂を用いる場合には、ポリマー樹脂の屈折率よりも高い屈折率を有する粒子をポリマー樹脂の内部に分散させることで屈折率を調整することができる。ポリマー樹脂の屈折率よりも高い屈折率を有する粒子は、例えば、酸化チタン(例えば、屈折率=2.7)や、酸化ジルコニウムなどからなる粒子である。
この様に、ポリマー樹脂に対する粒子の割合を変化させることで、凸部80の屈折率が、有機発光層30の屈折率と同等となるようにすることができる。
凸部80は、例えば、図1(a)、(b)に示すように半球状の形態を有したものとすることができる。
ただし、凸部80の形態は半球状に限定されるわけではない。
図2に示す有機電界発光素子1bのように、凸部80は四角錐状の形態を有したものとすることもできる。
また、凸部80は、例えば、円錐状、角錐状、円錐台状、角錐台状、半球状、半楕円体状などの任意の形態を有するものとすることができる。
第1電極10および有機発光層30の内部を反射しながら伝搬する光は、凸部80の内部に導入され、反射面20aに入射する。反射面20aは、第1電極10の面10aに対して傾いているので、反射面20aに入射した光は基板60側に向けて反射されることになる。そのため、第1電極10および有機発光層30の内部に閉じ込められていた光を外部に取り出すことができるので、光取り出し効率を向上させることができる。
また、複数の凸部80の大きさが同じとなっていてもよいし、異なる大きさの凸部80が含まれていてもよい。
なお、複数のマイクロレンズ90が設けられる場合を例示したが、光の進行方向を変化させることができる任意の光学要素を設けるようにすればよい。例えば、レンチキュラレンズシートや、ピラミッド構造を有するシートなど、他の光学フィルムを用いて、他の光学要素を設けることもできる。
図3の横軸は、開口率である。すなわち、凸部80が設けられる第1電極10の面の面積、または有機発光層30の面の面積に対する凸部80が設けられていない領域の面積の割合である。
図3の縦軸は、光取り出し効率である。
図3は、光取り出し効率のシミュレーション結果の例を表したものである。
第1電極10は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を100ナノメートル(nm)とした。有機発光層30は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を100ナノメートル(nm)とした。凸部80は、屈折率を1.8とし、直径寸法が3マイクロメートル(μm)の半球状とした。マイクロレンズ90は、屈折率を1.5とし、直径寸法が30マイクロメートル(μm)の半球状とした。有機発光層30において発生した光の波長は525ナノメートル(nm)とした。
そして、開口率を変化させて、それぞれの場合における光取り出し効率を求めた。
図4の横軸は、開口率である。すなわち、凸部80が設けられる第1電極10の面の面積、または有機発光層30の面の面積に対する凸部80が設けられていない領域の面積の割合である。
図4の縦軸は、光取り出し効率である。
図4は、光取り出し効率のシミュレーション結果の例を表したものである。
第1電極10は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を100ナノメートル(nm)とした。有機発光層30は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を100ナノメートル(nm)とした。凸部80は、屈折率を1.8とし、正方形の底面の一辺の長さが3マイクロメートル(μm)、高さ寸法が3マイクロメートル(μm)の四角錐状とした。マイクロレンズ90は、屈折率を1.5とし、直径寸法が30マイクロメートル(μm)の半球状とした。有機発光層30において発生した光の波長は525ナノメートル(nm)とした。
そして、開口率を変化させて、それぞれの場合における光取り出し効率を求めた。
すなわち、第2電極20に平坦な反射面20aが形成されるような形態を有する凸部80とすれば、光取り出し効率をさらに向上させることができる。
例えば、凸部80の形態は、角錐状や角錐台状などとすることが好ましい。
図5の横軸は、凸部80の高さ寸法である。
図5の縦軸は、光取り出し効率である。
図5は、光取り出し効率のシミュレーション結果の例を表したものである。
第1電極10は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を100ナノメートル(nm)とした。有機発光層30は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を100ナノメートル(nm)とした。凸部80は、屈折率を1.8とし、正方形の底面の一辺の長さが3マイクロメートル(μm)の四角錐状とした。マイクロレンズ90は、屈折率を1.5とし、直径寸法が30マイクロメートル(μm)の半球状とした。有機発光層30において発生した光の波長は525ナノメートル(nm)とした。
また、「C2」と「D2」から分かるように、凸部80の高さ寸法を1マイクロメートル(μm)以上、3マイクロメートル(μm)以下とすれば、光取り出し効率をさらに向上させることができる。
また、凸部80の底面の一辺の長さは、3マイクロメートル(μm)である。そのため、底面の一辺の長さと高さとの比を3:1〜1:1とすると光取り出し効率をさらに向上させることができる。例えば、凸部80の底面の一辺の長さが30マイクロメートル(μm)であれば、高さを10マイクロメートル(μm)以上、30マイクロメートル(μm)以下とすれば、光取り出し効率をさらに向上させることができる。
この場合、凸部80の底面は、一辺の長さLが3マイクロメートル(μm)の正方形であるので、底面における最大長さLMAXは対角線の長さとなり、4.2マイクロメートル(μm)となる。
そのため、凸部80の底面の最大長さをLMAX、凸部80の高さをHとした場合、1.4≦LMAX/H≦4.2とすれば、光取り出し効率をさらに向上させることができる。
なお、これは底面が正方形の場合であるが、底面が他の形状の場合も同様の効果が得られる。
すなわち、凸部80の第1電極10側の面(底面)の最大長さをLMAX、凸部80の高さをHとすると、1.4≦LMAX/H≦4.2とすれば、光取り出し効率をさらに向上させることができる。
なお、凸部80の第1電極10側の面(底面)の最大長さLMAXは、凸部80の第1電極10側の面(底面)に形成された線分の最大長さである。
例えば、凸部80の第1電極10側の面(底面)が円形である場合には最大長さLMAXは、直径の長さとなる。凸部80の第1電極10側の面(底面)が四角形である場合には最大長さLMAXは、対角線の長さとなる。凸部80の第1電極10側の面(底面)が楕円形である場合には最大長さLMAXは、長軸の長さとなる。
この場合、凸部80の第1電極10側の面(底面)の最大長さLMAXは、凸部80の第1電極10側の面(底面)内における長さとは限らない。
例えば、凸部80の第1電極10側の面(底面)が三角形である場合には、最大長さLMAXは三角形の1辺の長さとなる。
図6(a)、(b)は、第2の実施形態に係る有機電界発光素子を例示する模式断面図である。
図6(a)は、凸部80が第1電極10と有機発光層30との間に設けられた場合である。
図6(b)は、凸部80が有機発光層30と第2電極20との間に設けられた場合である。
また、一例として、半球状の形態を有する凸部80が設けられた場合を例示したが、凸部80の形態は半球状に限定されるわけではない。
凸部80は、例えば、円錐状、角錐状、円錐台状、角錐台状、半球状、半楕円体状などの任意の形態を有するものとすることができる。
光路制御層70は、有機発光層30から放出された光に対して透過性を有する。
光路制御層70の材料は、有機発光層30から放出された光に対して透過性があれば特に限定はない。ただし、光路制御層70の屈折率は、有機発光層30の屈折率と同等とすることができる。光路制御層70の屈折率が、有機発光層30の屈折率と同等であれば、有機発光層30側と光路制御層70との間における光の導入を円滑に行うことができる。
前述したように、凸部80の屈折率は、有機発光層30の屈折率と同等とすることができる。そのため、光路制御層70の屈折率と、有機発光層30の屈折率と、凸部80の屈折率と、が同等となるようにすることができる。
この場合、光路制御層70の材料は、凸部80の材料と同じとすることができる。
光路制御層70の厚み寸法は、例えば、1マイクロメートル(μm)以上、100マイクロメートル(μm)以下とすることができる。
図1(a)、(b)に例示をした有機電界発光素子1、1aには光路制御層70が設けられていない。
そのため、図1(a)、(b)に示すように、基板60と、第2電極20との間を反射しながら光が伝搬する。この場合、基板60と、第2電極20との間の距離が短くなるので、光の伝搬距離に対する反射回数が多くなる。反射回数が多くなれば、反射による損失が多くなる。
例えば、第2電極20の反射率が90%であれば、光は10回程度しか反射出来ず、横方向の光の伝搬距離は1〜3μm程度になる。この場合、凸部80の幅寸法とピッチ寸法を光の横方向の伝搬距離と同程度にしなければ、放射された光の伝搬光は凸部80に侵入することはない。例えば、第1の実施形態に係る有機電界発光素子1、1aのように、光路制御層70が設けられていない場合であって、凸部80の幅寸法とピッチ寸法が1〜3マイクロメートル(μm)程度の場合には、凸部80の幅寸法とピッチ寸法が、光の横方向の伝搬距離と同程度となるので、光取り出し効率を向上させることができる。この場合、凸部80の形成には、フォトリソグラフィ法などの半導体製造プロセスを用いることができる。
前述したように、第2電極20の反射率が90%であれば、光は10回程度反射するので、横方向の光の伝搬距離は、光路制御層70の膜厚の10倍程度と長くすることができる。横方向の伝搬距離が長くなれば、凸部80の幅寸法やピッチ寸法を光路制御層70の膜厚の10倍程度にしても、光取り出し効率を向上させることができる。凸部80の幅寸法やピッチ寸法を長くできれば、凸部80の形成にスクリーン印刷法などの安価なプロセスを用いることができる。
図7は、No.1〜No.4に示す構成における光取り出し効率のシミュレーション結果の例を表したものである。
図7の縦軸は、光取り出し効率である。
No.2に示す構成は、四角錐状の形態を有する凸部80が設けられた場合であり、マイクロレンズ90が設けられていない場合である。
No.3に示す構成は、No.1に示す構成にさらに複数のマイクロレンズ90が設けられた場合である。
No.4に示す構成は、No.2に示す構成にさらに複数のマイクロレンズ90が設けられた場合である。
第1電極10は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を100ナノメートル(nm)とした。有機発光層30は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を100ナノメートル(nm)とした。凸部80は、屈折率を1.8とし、正方形の底面の一辺の長さが80マイクロメートル(μm)、高さ寸法が60マイクロメートル(μm)の四角錐状とした。また、複数の凸部80をマトリクス状に配列(格子配列)した。凸部80同士の間の寸法は、80マイクロメートル(μm)とした。光路制御層70は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を100マイクロメートル(μm)とした。基板60は、屈折率を1.5とし、厚み寸法を700マイクロメートル(μm)とした。マイクロレンズ90は、屈折率を1.5とし、直径寸法が30マイクロメートル(μm)の半球状とした。マイクロレンズ90の配設形態は六方最密充填とし、充填率を82%とした。有機発光層30において発生した光の波長は525ナノメートル(nm)とした。
また、図7中のNo.4に示すように、複数のマイクロレンズ90をさらに設けるようにすれば、光取り出し効率をさらに向上させることができる。
図8は、凸部80の屈折率と光取り出し効率との関係を例示するためのグラフ図である。
なお、図8中の「E」はマイクロレンズ90を有する場合、「F」はマイクロレンズ90を有さない場合である。
シミュレーションの条件は、図7の場合と同様とし、有機発光層30の屈折率は1.8に固定した。
また、マイクロレンズ90は、直径寸法が3マイクロメートル(μm)の半球状とした。
ここで、前述したように、凸部80の屈折率をn、有機発光層30の屈折率をn1とした場合、n1×0.9≦n≦n1×1.1となるようにすることができる。
すなわち、凸部80の屈折率nは、1.62≦n≦1.98とすることができる。
凸部80の屈折率nをこの様にすれば、図8中の「E」、「F」に示すように光取り出し効率を向上させることができる。
図9(a)、(b)は、第3の実施形態に係る有機電界発光素子を例示する模式断面図である。
図9(a)は、凸部80が第1電極10と有機発光層30との間に設けられた場合である。
図9(b)は、凸部80が有機発光層30と第2電極20との間に設けられた場合である。
また、一例として、半球状の形態を有する凸部80が設けられた場合を例示したが、凸部80の形態は半球状に限定されるわけではない。
凸部80は、例えば、円錐状、角錐状、円錐台状、角錐台状、半球状、半楕円体状などの任意の形態を有するものとすることができる。
有機電界発光素子21、21aの場合には、光路制御層70のマイクロレンズ90が設けられる側の界面70aと、第2電極20との間を反射しながら光が伝搬する。この場合、界面70aと、第2電極20との間の距離を長くすることができるので、光の伝搬距離に対する反射回数を少なくすることができる。前述したように、第2電極20の反射率が90%であれば、光は10回程度反射し、横方向の光の伝搬距離は、光路制御層70の膜厚の10倍程度になる。横方向の伝搬距離が長くなれば、凸部80の幅寸法やピッチ寸法を光路制御層70の膜厚の10倍程度にしても、光取り出し効率を向上させることができる。この場合、凸部80の形成にはスクリーン印刷法などの安価なプロセスを用いることができる。
図10に示すように、発光装置111には、発光部111a、駆動部111b、制御部111cが設けられている。
発光部111aは、前述した有機電界発光素子1、1a、1b、11、11a、21、21aを複数有している。有機電界発光素子1、1a、1b、11、11a、21、21aの配設形態には特に限定がない。例えば、図10に例示をしたように規則的な配置とすることもできるし、規則的ではない任意の配置とすることもできる。また、有機電界発光素子1、1a、1b、11、11a、21、21aの数も例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。有機電界発光素子1、1a、1b、11、11a、21、21aを1つ有しているのでも良い。
駆動部111bは、例えば、有機電界発光素子有機電界発光素子1、1a、1b、11、11a、21、21a毎、あるいはすべての有機電界発光素子有機電界発光素子1、1a、1b、11、11a、21、21aに電流を印加する駆動回路を有したものとすることができる。
例えば、発光装置111が表示装置である場合には、駆動部111bは、有機電界発光素子有機電界発光素子1、1a、1b、11、11a、21、21a毎に電流を印加するものとすることができる。
また、例えば、発光装置111が照明装置である場合には、駆動部111bは、すべての有機電界発光素子有機電界発光素子1、1a、1b、11、11a、21、21aに電流を印加するものとすることができる。
なお、駆動部111aによる駆動の形態は、例示をしたものに限定されるわけではなく、発光装置111の用途などに応じて適宜変更することができる。
制御部111cは、例えば、駆動部111bを制御する制御回路を有したものとすることができる。
なお、前述した有機電界発光素子有機電界発光素子1、1a、1b、11、11a、21、21a以外の要素には、既知の技術を適用することができる。そのため、発光部111a、駆動部111b、制御部111cに関する詳細な説明は省略する。
Claims (8)
- 第1電極と、
前記第1電極と対峙して設けられた第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた有機発光層と、
前記第1電極と前記有機発光層との間、および、前記有機発光層と前記第2電極との間、の少なくともいずれかに設けられ、絶縁性を有し、屈折率が1.62以上、1.98以下である凸部と、
を備えた有機電界発光素子。 - 前記凸部は、前記第2電極側に向かうにつれ、前記第1電極が伸びる方向に平行な方向の断面積が漸減する形態を有する請求項1記載の有機電界発光素子。
- 前記凸部の前記第1電極側の面の最大長さをLMAX、前記凸部の高さをHとした場合、以下の式を満足する請求項1または2に記載の有機電界発光素子。
1.4≦LMAX/H≦4.2 - 前記凸部の屈折率をn、前記有機発光層の屈折率をn1とした場合、以下の式を満足する請求項1〜3のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
n1×0.9≦n≦n1×1.1 - 前記凸部は、相互に離間して複数設けられている請求項1〜4のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極の前記有機発光層が設けられる側とは反対側に設けられた光路制御層をさらに備えた請求項1〜5のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
- 前記光路制御層の屈折率をn2、前記有機発光層の屈折率をn1とした場合、以下の式を満足する請求項1〜6のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
n1×0.9≦n2≦n1×1.1 - 第1電極と、
前記第1電極と対峙して設けられた第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた有機発光層と、
前記第1電極と前記有機発光層との間、および、前記有機発光層と前記第2電極との間、の少なくともいずれかに設けられ、絶縁性を有し、屈折率が1.62以上、1.98以下である凸部と、
を備えた有機電界発光素子と、
前記有機電界発光素子に電流を印加する駆動部と、
前記駆動部を制御する制御部と、
を有する発光装置。
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DE102013108876B4 (de) * | 2013-08-16 | 2022-08-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement |
TW201523917A (zh) * | 2013-12-12 | 2015-06-16 | Hwasun Quartek Corp | 磊晶基板、其製造方法及發光二極體 |
FR3041204B1 (fr) * | 2015-09-14 | 2017-09-15 | Valeo Vision | Gestion de la tension directe d'une source lumineuse led a micro- ou nano-fils |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100356608C (zh) | 1999-04-30 | 2007-12-19 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光器件及其制造方法 |
US6881501B2 (en) * | 2000-03-13 | 2005-04-19 | Seiko Epson Corporation | Organic electro-luminescence element and the manufacturing method thereof |
JP3991605B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2007-10-17 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP4226835B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2009-02-18 | 三星エスディアイ株式会社 | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
US6831407B2 (en) * | 2002-10-15 | 2004-12-14 | Eastman Kodak Company | Oled device having improved light output |
JP4165478B2 (ja) | 2003-11-07 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
JP3915810B2 (ja) | 2004-02-26 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 |
EP1766703A1 (fr) | 2004-05-17 | 2007-03-28 | THOMSON Licensing | Diode electroluminescente organique (oled ) a extraction de lumiere amerlioree, afficheur correspondant |
JP4507718B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-07-21 | 京セラ株式会社 | カラー有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2007311236A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 |
US20080238297A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Masuyuki Oota | Organic el display and method of manufacturing the same |
JP2009187748A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 表示装置 |
EP2278855A4 (en) | 2008-03-28 | 2011-05-18 | Sumitomo Chemical Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE |
JP4775863B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2011-09-21 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2010157424A (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機el発光装置 |
JP2010198974A (ja) | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機el発光素子 |
CN102422452B (zh) * | 2009-05-08 | 2015-03-25 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光设备 |
JP5714003B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2015-05-07 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | エレクトロルミネッセンス装置 |
JPWO2011016086A1 (ja) | 2009-08-05 | 2013-01-10 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
EP2471122A4 (en) * | 2009-08-24 | 2013-11-06 | Du Pont | ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE LUMINAIRES |
JP2011049234A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機el発光素子 |
KR101084178B1 (ko) | 2009-12-14 | 2011-11-17 | 한국과학기술원 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 조명 장치, 및 이를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치 |
JP5258817B2 (ja) | 2010-03-02 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 照明装置及びその製造方法 |
WO2011111629A1 (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-15 | 旭硝子株式会社 | 有機led発光素子及びその製造方法 |
KR20110134174A (ko) | 2010-06-08 | 2011-12-14 | 미래나노텍(주) | 유기 발광 다이오드 |
JP2012186107A (ja) | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子及び照明装置 |
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JP5723344B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2015-05-27 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子および発光装置 |
JP2014103008A (ja) | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Toshiba Corp | 液体用容器、容器用照明装置、容器用部材及び容器照明システム |
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