TW201523917A - 磊晶基板、其製造方法及發光二極體 - Google Patents

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Kuo-Hsiung Chang
Chung-Wei Li
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Abstract

一種磊晶基板，包含一本體，該本體具有相反的一第一表面及一第二表面。該本體的第一表面形成多個凸起部，該等凸起部彼此不相接且對稱中心係相互等距或至少部分不等距，且每一凸起部及其相鄰凸起部的尺寸係至少部分相互差異。該磊晶基板可供製作發光二極體，以提升發光二極體的亮度。

Description

磊晶基板、其製造方法及發光二極體
本發明是有關於一種磊晶基板，特別是指一種具有不規則圖案的發光二極體磊晶基板。
發光二極體(light emitting diode，簡稱為LED)是目前最重要的照明技術之一，其亮度與發光效率之提升一直是各界的發展重點。就發光二極體的磊晶技術而言，圖案化磊晶基板(patterned epitaxial substrate)可有效提升發光二極體的磊晶品質並增進其出光效率，是目前較常見的發光二極體磊晶基板。
以中華民國公告號第M420049號專利為例，該專利提出一種圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate，簡稱為PSS)，該圖案化藍寶石基板的表面形成多個大小一致的角錐，且各個角錐之間是以等間距的方式排列，以期提升發光二極體(藍光)的出光效率。與未經圖案化處理的藍寶石基板相比，表面經圖案化處理的藍寶石基板確實能提升發光二極體的出光效率，但是過去的圖案化藍寶石基板的表面圖案(如前述的角錐)均為相同尺寸，此種 表面結構只能有限度地提升發光二極體出光效率。
此外，過去製作圖案化藍寶石基板的方法大多是先藉由黃光微影技術(photolithography)在未圖案化的藍寶石基板表面產生圖案化的蝕刻遮罩(etching mask)，再藉由蝕刻技術通過蝕刻遮罩在藍寶石基板的表面蝕刻出預定的結構圖案(如前述的角錐)。一般而言，上述黃光微影技術是透過整面曝光式的曝光機或分區曝光式的步進式曝光機(stepper)進行蝕刻遮罩的圖形界定，但是整面曝光式的曝光機不能界定尺寸差異過大的形狀圖案，因此無法同時定義出微米等級與奈米等級的結構圖案；而步進式曝光機則會在基板表面分區依序定義出相同的圖案，較不適合用於製作不同圖形的製程。因此，根據上述黃光微影技術的製程特性，會限制圖案化藍寶石基板的圖案設計及製程技術。
因此，本發明之目的，即在提供一種磊晶基板、該磊晶基板的製造方法及使用該磊晶基板的發光二極體。相較於規則圖案化磊晶基板，本發明的磊晶基板可進一步提升發光二極體的亮度，且該製造方法可有效製出不同尺寸圖案的圖案化磊晶基板。
於是，本發明磊晶基板，包含一本體，該本體具有相反的一第一表面及一第二表面。該本體的第一表面形成多個凸起部，該等凸起部彼此不相接，且每一凸起部及其相鄰凸起部的尺寸係至少部分相互差異。
其中，該等凸起部呈圓錐結構或多邊形角錐結構。
較佳地，該等凸起部的對稱中心係相互等距排列或至少部分非等距排列。
較佳地，該等凸起部的高度範圍為0.2至2微米，底面的直徑或邊長的長度範圍為0.2至4.8微米，且該等凸起部的對稱中心的間距範圍為0.5至5微米。
進一步來說，該等凸起部的尺寸差異主要在於底面的直徑或邊長的長度，且該等凸起部的形狀係由下而上漸縮。
較佳地，該磊晶基板的本體的材質選自氧化鋁、碳化矽、氮化鎵、矽及其群組。
較佳地，該等凸起部是以每三個相鄰凸起部的對稱中心連線呈正三角形的方式排列。
或者是，該等凸起部是由其中一凸起部於內，其周圍的鄰近六個凸起部概呈六邊形的方式排列。
另一方面，本發明的製造方法係用於製作上述磊晶基板，並包含以下步驟：(A)製備一模仁及一未加工的磊晶基板，該模仁的一表面凹陷形成多個間隔排列的凹部；(B)設置一可圖案層於該磊晶基板的本體的第一表面，並藉由該模仁壓印於該可圖案層，使該可圖案層於對應該模仁的凹部處分別形成一凸起的抗蝕刻結構；及(C)蝕刻該磊晶基板的本體的第一表面，而使該磊晶基板的本體的第一表面對應該等抗蝕刻結構處分別形成該等凸起部。
較佳地，該可圖案層是採用照光固化或加熱固化之材料，於步驟(C)的蝕刻加工是採用乾蝕刻技術，且步驟(C)之後還包含一步驟(D)：去除該可圖案層。
進一步來說，本發明還提出一種發光二極體，該發光二極體包含一如前述的磊晶基板、一緩衝層、一第一型半導體層、一半導體發光層及一第二型半導體層及兩電極。該緩衝層設置於該磊晶基板之本體的第一表面。該第一型半導體層設置於該緩衝層相反於該磊晶基板的一表面。該半導體發光層設置於該第一型半導體層相反於該緩衝層的一表面，主要材質與該第一型半導體層相同。該第二型半導體層設置於該半導體發光層相反於該第一型半導體層的一表面，主要材質相同於該第一型半導體層及該半導體發光層，且電性與該第一型半導體層相異。該等電極分別設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層，供與外部電源形成電性連接
本發明之功效在於：該磊晶基板之第一表面形成的尺寸相異的凸起部可提升發光二極體的亮度，且上述製造方法藉由壓印技術界定出凸起部的形狀、尺寸與分布位置，可簡便地製作具有相異尺寸之凸起部的磊晶基板。
1、1’‧‧‧磊晶基板
11‧‧‧本體
12‧‧‧第一表面
121‧‧‧凸起部
122‧‧‧凹陷部
13‧‧‧第二表面
2‧‧‧模仁
21‧‧‧凸部
22‧‧‧凹部
3‧‧‧可圖案層
31‧‧‧抗蝕刻結構
4‧‧‧發光二極體
41‧‧‧緩衝層
42‧‧‧第一型半導體層
43‧‧‧半導體發光層
44‧‧‧第二型半導體層
45‧‧‧電極
H‧‧‧高度
R‧‧‧直徑
D‧‧‧間距
L‧‧‧邊長
S1~S4‧‧‧流程步驟
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的較佳實施例詳細說明中清楚地呈現，其中：圖1是一側視示意圖，說明本發明磊晶基板的一較佳實施例； 圖2是該磊晶基板的俯視示意圖；圖3是圖2的局部放大圖；圖4是該磊晶基板的表面形貌的變化實施態樣；圖5是磊晶基板之表面形貌的另一變化實施態樣；圖6是一流程圖，說明該磊晶基板的製造步驟；圖7(A)至圖7(E)是該磊晶基板的製造流程示意圖；及圖8是一側視示意圖，說明一使用該磊晶基板的發光二極體。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚地呈現。
參閱圖1至圖3，為本發明磊晶基板1的較佳實施例。磊晶基板1可用作製造發光二極體的承載基板，材質選自氧化鋁(Al2O3)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、矽(Si)及其群組，並包含一本體11。
磊晶基板1的本體11具有位於相反側的一第一表面12及一第二表面13，其第一表面12形成多個凸起部121，該等凸起部121彼此不相接且對稱中心係相互等距排列，且每一凸起部121及其相鄰凸起部121的尺寸係至少部分相互差異。此處，該等凸起部121的形狀呈由下而上漸縮的圓錐結構，其高度H範圍為0.2至2微米，底面的 直徑R的長度範圍為0.2至4.8微米，且對稱中心之間的間距D範圍為0.5至5微米。
本實施例中，該等凸起部121的尺寸差異主要在於底面的直徑的長度，且該等凸起部121是以每三個相鄰凸起部121的對稱中心連線呈正三角形的方式排列。也就是說，凸起部121雖根據對稱中心的位置而規則等距排列，但是凸起部121的底面的直徑尺寸可視為隨機不規則設定，且如前述說明涵蓋奈米等級至微米等級的分布。
且進一步來說，參照圖4，於製造過程中，凸起部121的形貌也可以製作為多邊形角錐結構(此處以正六邊形角錐為例)，其底面的邊長L的長度範圍為0.2至4.8微米，且對稱中心之間的間距D範圍為0.5至5微米，此亦為本發明磊晶基板1可調整的變化實施態樣。
另一方面，參照圖5，於前述圖1至圖4的實施態樣中，磊晶基板1表面的凸起部121係相互等距(即各個凸起部121對稱中心之間的間距D均完全相同)，且具體來說是以每三個相鄰凸起部121的對稱中心連線呈正三角形的方式排列。也就是說，若以如圖3中七個緊鄰的凸起部121來看，外圍六個凸起部121之對稱中心點的假想連線會形成一個正六邊形，並將一個凸起部121圍繞於該假想的正六邊形之中。但在其他實施態樣中，磊晶基板1也可以如圖5般，其凸起部121的對稱中心係至少部分非等距排列(亦即各個凸起部121對稱中心之間的間距D不一定相同)，且該等凸起部121主要是由其中一凸起部121於內，其 周圍的鄰近六個凸起部121概呈六邊形(非正六邊形)的方式排列。根據此種排列方式，亦能達成本發明的功效。
以下參照圖1、圖2、圖6及圖7，說明本發明磊晶基板1的製造方法。
步驟S1、S2：參照圖7(A)、圖7(B)及圖7(C)。首先，製備一模仁2及一未加工的磊晶基板1’。此處，磊晶基板1’係以氧化鋁材質的藍寶石基板(sapphire substrate)為例進行說明，而該模仁2的表面則形成多個凹部22及凸部21，該等凹部22係等距排列，且尺寸、形狀及分布位置對應於圖1中的磊晶基板1的凸起部121。也就是說，模仁2的凹部22係用於界定磊晶基板1的凸起部121的尺寸、形狀及排列分布狀態。
接著，在未加工的磊晶基板1’的第一表面12設置一可圖案層3(如圖7A)，並藉由模仁2壓印於可圖案層3，使可圖案層3於對應模仁2的凹部22分別形成一凸起的抗蝕刻結構31。其中，可圖案層3係採用照光固化或加熱固化之材料，本實施例是使用光阻。因此，步驟S2的會先將光阻塗佈於未加工的磊晶基板1’的第一表面12並施以初步的烤乾，隨後將模仁2具有凹部22及凸部21的表面壓印於光阻，使光阻對應於凹部22處受壓形成抗蝕刻結構31(如圖7B)，接著再對光阻施以紫外光照光固化，並將模仁2自光阻表面移除(如圖7C)，即完成抗蝕刻結構31的圖形定義，該等抗蝕刻結構31可用作後續蝕刻製程的蝕刻遮罩。
相較於一般採用黃光微影技術界定抗蝕刻結構31的方式，本發明使用壓印技術進行抗蝕刻結構31的圖形界定。由於凸起部121的底面的直徑或對角線長度範圍涵蓋微米等級與奈米等級，採用壓印技術透過模仁2可一次性地製成抗蝕刻結構31，而相對於黃光微影技術具有較佳的製程優點。
步驟S3、S4：參照圖7(B)及圖7(D)，完成上述抗蝕刻結構31的製作後，接著對未加工的磊晶基板1’的第一表面12進行蝕刻，於蝕刻過程中該等抗蝕刻結構31可暫時保護其下的磊晶基板1的第一表面12’不受到蝕刻製程影響，因此磊晶基板1的第一表面12’未設有抗蝕刻結構31處會先被蝕刻而形成凹陷部122，而設有抗蝕刻結構31最終會保留形成凸起部121。
本實施例中，步驟S3是以乾蝕刻技術進行磊晶基板1的加工，例如以含氯氣的蝕刻氣體(圖7D中的向下箭頭即表示由蝕刻氣體進行蝕刻)藉由蝕刻設備的偏壓、氣體流量、時間等製程參數控制凸起部121表面形貌，而能形成圓錐或角錐形貌的凸起部121。
完成上述蝕刻製程後，可進一步進行可圖案層3(如光阻)的去除步驟，並清洗磊晶基板1，而完成磊晶基板1的製作。但要特別說明的是，上述關於可圖案層3之材質與蝕刻製程的技術內容可根據需要而調整，不以此處揭露的內容為限。
參照圖8，為使用上述磊晶基板1製作的發光二 極體4的晶粒(die)側視示意圖。發光二極體4包含一磊晶基板1、一緩衝層41、一第一型半導體層42、一半導體發光層43、一第二型半導體層44及兩電極45。
本實施例中，發光二極體4是以藍光發光二極體為例進行說明，因此磊晶基板1是採用氧化鋁材質的藍寶石基板，緩衝層41、第一型半導體層42、半導體發光層43及第二型半導體層44等磊晶結構的主要材質為氮化鎵，但上述技術內容僅用於示例說明，不應以此限制發明的實施範圍。
緩衝層41設置於磊晶基板1的第一表面12，提供磊晶基板1與第一型半導體層42之間的晶格匹配緩衝作用。第一型半導體層42設置於緩衝層41上相反該磊晶基板1的表面，本實施例其材質為經摻雜處理的N型氮化鎵。半導體發光層43設置於第一型半導體層42上相反於緩衝層41的表面，主要材質亦為氮化鎵，其中還進一步區分為多層銦含量不同的氮化銦鎵(InGaN)交錯層疊所構成的多重量子阱(multiple quantum well，簡稱為MQW，圖中未繪出)，為發光二極體4的主要發光區域。第二型半導體層44設置於半導體發光層43上相反於第一型半導體層42的表面，此處的材質為經摻雜處理的P型氮化鎵。電極45分別設置於第一型半導體層42與第二型半導體層44上，主要為金屬材質，可供外部電源形成電性連接。
以下，定義磊晶基板1的填充因子(fill factor)為磊晶基板1每單位面積中的凸起部121底部面積所佔的 比例。在填充因子、磊晶結構、電極結構及測試電源均相同的比較條件下，使用本發明磊晶基板1之發光二極體的亮度會高於使用習知規則圖案化磊晶基板之發光二極體約2%，因此本發明的磊晶基板1確實能有效提升發光二極體的亮度。
綜上所述，藉由不規則尺寸的凸起部121的形成，本發明磊晶基板1確實能進一步提升發光二極體之亮度。此外，藉由壓印技術與蝕刻技術的配合，本發明的製造方法能有效且便捷地製出磊晶基板1上的奈米與微米尺寸的不規則尺寸凸起部121。故本發明磊晶基板1及其製造方法確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧磊晶基板
11‧‧‧本體
12‧‧‧第一表面
121‧‧‧凸起部
122‧‧‧凹陷部
13‧‧‧第二表面
H‧‧‧高度

Claims (13)

  1. 一種磊晶基板，包含：一本體，具有相反的一第一表面及一第二表面，該本體的第一表面形成多個凸起部，該等凸起部彼此不相接，且每一凸起部及其相鄰凸起部的尺寸係至少部分相互差異。
  2. 如請求項1所述之磊晶基板，其中，該等凸起部的對稱中心係相互等距。
  3. 如請求項1所述之磊晶基板，其中，該等凸起部的對稱中心係至少部分非等距排列。
  4. 如請求項1所述之磊晶基板，其中，該等凸起部呈圓錐結構或多邊形角錐結構。
  5. 如請求項2所述之磊晶基板，其中，該等凸起部的高度範圍為0.2至2微米，底面的直徑或邊長的長度範圍為0.2至4.8微米，且該等凸起部的對稱中心的間距範圍為0.5至5微米。
  6. 如請求項3所述之磊晶基板，其中，該等凸起部的尺寸差異主要在於底面的直徑或邊長的長度。
  7. 如請求項1所述之磊晶基板，其中，該等凸起部的形狀係由下而上漸縮。
  8. 如請求項1所述之磊晶基板，其中，該磊晶基板之本體的材質選自氧化鋁、碳化矽、氮化鎵、矽及其群組。
  9. 如請求項2所述之磊晶基板，其中，該等凸起部是以每三個相鄰凸起部的對稱中心連線呈正三角形的方式排列 。
  10. 如請求項3所述之磊晶基板，其中，該等凸起部主要是由其中一個凸起部於內，其周圍的鄰近六個凸起部概呈六邊形的方式排列。
  11. 一種製造方法，用於製作請求項1至10中任一項所述之磊晶基板，包含以下步驟：(A)製備一模仁及一未加工的磊晶基板，該模仁的一表面凹陷形成多個間隔排列的凹部；(B)設置一可圖案層於該磊晶基板之本體的第一表面，並藉由該模仁壓印於該可圖案層，使該可圖案層於對應該模仁的凹部處分別形成一凸起的抗蝕刻結構；及(C)蝕刻該磊晶基板之本體的第一表面，使該磊晶基板之本體的第一表面對應該等抗蝕刻結構處分別形成該等凸起部。
  12. 如請求項11所述之製造方法，其中，該可圖案層是使用照光固化或加熱固化之材料，於步驟(C)的蝕刻步驟是使用乾蝕刻技術，且步驟(C)之後還包含一步驟(D)：去除該可圖案層。
  13. 一種發光二極體，包含：一如請求項1至10中任一項所述之磊晶基板；一緩衝層，設置於該磊晶基板之本體的第一表面；一第一型半導體層，設置於該緩衝層相反於該磊晶基板的一表面；一半導體發光層，設置於該第一型半導體層相反於 該緩衝層的一表面，主要材質與該第一型半導體層相同；一第二型半導體層，設置於該半導體發光層相反於該第一型半導體層的一表面，主要材質相同於該第一型半導體層及該半導體發光層，且電性與該第一型半導體層相異；及兩電極，分別設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層，供與外部電源形成電性連接。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113299809B (zh) * 2021-05-24 2023-04-18 錼创显示科技股份有限公司 微型发光元件及其显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1681727A4 (en) * 2003-11-04 2009-12-16 Pioneer Corp SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
TWI304486B (en) * 2006-10-19 2008-12-21 Efun Technology Co Ltd Brightness enhancement film having curved prism units and matte
US20070018186A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Lg Chem, Ltd. Light emitting diode device having advanced light extraction efficiency and preparation method thereof
JP5000112B2 (ja) * 2005-09-09 2012-08-15 東京応化工業株式会社 ナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法
JP5082752B2 (ja) * 2006-12-21 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子
KR100882240B1 (ko) * 2008-09-11 2009-02-25 (주)플러스텍 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
JP2011129718A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Showa Denko Kk 基板、テンプレート基板、半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子を用いた照明装置および電子機器
TWI540756B (zh) * 2010-08-06 2016-07-01 Nichia Corp 藍寶石基板及半導體發光元件
US8963165B2 (en) * 2010-12-29 2015-02-24 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor light emitting element, nitride semiconductor transistor element, method of manufacturing nitride semiconductor structure, and method of manufacturing nitride semiconductor element
TWI470829B (zh) * 2011-04-27 2015-01-21 Sino American Silicon Prod Inc 磊晶基板的製作方法、發光二極體，及其製作方法
JP5095842B2 (ja) * 2011-05-24 2012-12-12 株式会社東芝 半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハ
US8624279B2 (en) * 2011-06-02 2014-01-07 Sino-American Silicon Products Inc. Light emitting diode substrate and light emitting diode
CN103378249A (zh) * 2012-04-13 2013-10-30 璨圆光电股份有限公司 发光二极管的具有介电材料层的半导体层及其制作方法
TWI539624B (zh) * 2012-05-28 2016-06-21 晶元光電股份有限公司 具有圖形化界面之發光元件及其製造方法
JP5723344B2 (ja) * 2012-09-25 2015-05-27 株式会社東芝 有機電界発光素子および発光装置
CN103050598B (zh) * 2012-12-17 2016-06-01 江苏新广联科技股份有限公司 混合型不等间距图形化衬底及其制备方法
CN103078057B (zh) * 2013-01-29 2016-01-20 苏州大学 有机太阳能电池及其制作方法
KR102048941B1 (ko) * 2013-04-12 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 가요성 기판 및 그 제조 방법, 유기 발광 표시 장치
WO2015033638A1 (ja) * 2013-09-03 2015-03-12 シャープ株式会社 半導体発光素子

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