TWI470829B - 磊晶基板的製作方法、發光二極體，及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種磊晶基板的製造方法、一種發光二極體，及發光二極體的製作方法，特別是指一種圖案化磊晶基板的製造方法，及一種具有該圖案化之磊晶基板的發光二極體，及其製作方法。
參閱圖1，一般發光二極體(以下簡稱LED)結構具有一磊晶基板11，及一形成於該磊晶基板11上的半導體發光元件12。該半導體發光元件12具有一與該磊晶基板11連接的第一型半導體層121、一形成於該第一型半導體層121上的發光層122、一形成於該發光層122上的第二型半導體123，及分別形成於該第一、二型半導體層121、123上的第一、二電極124、125，當外界經由該第一、二電極124、125配合提供電能時，該發光層122可在接收電能後以光電效應發光。
而以目前LED元件發光層122常用的氮化鎵(GaN)類半導體材料為例而言，GaN的折射率(n)約為2.5，空氣為1，因此，自該發光層122產生的光行進到發光層122與空氣的界面時，容易因為發光層122與空氣之間的折射率差而產生全反射，因此大多數的光會直接反射而實質回到該發光層122，而在該磊晶基板11與該半導體發光元件12中往復行進，而降低發光二極體的光取出率，因此，業者為了降低發光層122與空氣之間全反射的問題，紛紛提出將平面型磊晶基板11改成表面具有不同粗化結構的基板，例如將基板表面形成不規則粗化結構、或是令基板表面形成具有規則排列的凸粒結構等，利用讓光線於接觸到該基板的粗化結構後改變反射後行進路徑，而減少光在發光層122與空氣層界面間的全反射的機率，以提升LED之光取出率。
配合參閱圖2，美國專利US2010059789公開號(以下簡稱789專利)揭示一種LED元件的製作方法，是利用表面具有多數凹、凸結構的磊晶基板2而製得一具有高光取出率的LED，該磊晶基板2的製作方法為：(1)於一基材21上形成一由光阻材料構成的光阻層，配合使用一光罩，經由微影製程後於該基材21上形成一具有預定圖案的遮罩101，並以第一次蝕刻製程(first etching process)蝕刻該基材21未被該遮罩101覆蓋的部份，而於該基材21形成多數圖案(patern)102，(2)以熱處理(heat treatment)方式加熱前述該形成複數圖案102的基材21，令該些對應覆蓋在多數圖案102上的遮罩101於加熱過程中變形，而形成不同厚度，(3)接著進行第二次蝕刻，將該些遮罩101與基材21一併蝕刻，於該些圖案102上形成凹槽(concave)103及凸塊(protrusion)104，而得到該表面具有多數凹、凸結構的磊晶基板2，藉由形成多數圖案102且每一個圖案102均有凹、凸結構的磊晶基板2，以改善後續磊晶品質並提升製得之LED的光取出率。
由前述說明可知，由於該789專利之磊晶基板2形成的該些凹、凸結構是藉由將光阻加熱，利用材料受熱產生的變形而令覆蓋於該些圖案102上的遮罩101轉變成具有不同厚度的結構，之後再利用具有不同厚度的遮罩101，藉由蝕刻參數的控制，而將該些圖案102蝕刻成具有凹、凸結構的圖樣，因此可知，該磊晶基板2的每一個圖案102的凹、凸結構會受限於其係藉由光阻受熱產生的變形所控制，因此，也僅能得到概似碗狀的結構，而無法有更多的結構設計，此外，由於製程控制不易，因此該些圖案彼此的均勻性亦較難控制。
因此，本發明之目的，即在提供一種製程簡便、容易控制，且圖案均勻性佳的圖案化磊晶基板的製造方法。
此外，本發明之另一目的，即在提供一種可提升光取出率之發光二極體。
又，本發明之再一目的，即在提供一種可提升光取出率之發光二極體的製作方法。
於是，本發明磊晶基板的製作方法，包含：
(a) 於一基材表面形成一遮罩層，並配合使用一光罩，將該遮罩層預定部份移除，令該遮罩層殘留部分形成複數個彼此間隔設置的第一圖案，該每一個第一圖案具有至少一由該遮罩層材料構成的第一非蝕刻區、一第二非蝕刻區，及複數個經由移除該遮罩層材料所形成的蝕刻區，且該第二非蝕刻區為環圍該些蝕刻區及該第一非蝕刻區。
(b) 以該些第一圖案為遮罩自該基材表面向下進行蝕刻，令該基材同時形成複數個預設圖案，之後，移除該第一圖案，完成該磊晶基板的製作，其中，該每一個預設圖案具有一個外圍部、一個由該外圍部界定出之凹槽，及至少一個位於該凹槽的凸塊。
此外，本發明的發光二極體，包含：
一磊晶基板，具有一本體，及複數個由該本體表面向上凸起且彼此間隔設置的預設圖案，該每一預設圖案具有一個外圍部、一個由該外圍部界定出之凹槽，及至少一個位於該凹槽的凸塊。
一半導體發光元件，設置在該磊晶基板具有預設圖案的表面，在提供電能時以光電效應發光，而當發光時，向該磊晶基板方向行進的光子碰到該每一預設圖案時會被反射而實質向外發出。
又，本發明之發光二極體的製作方法，包含：
(a)於一基材表面形成一遮罩層，並配合使用一光罩將該遮罩層預定部份移除至該基材表面露出，令該遮罩層殘留部分形成複數個彼此間隔設置的第一圖案，該每一個第一圖案具有至少一由該遮罩層材料構成的第一非蝕刻區、一第二非蝕刻區，及複數個經由移除該遮罩層材料所形成的蝕刻區，且該第二非蝕刻區為環圍該些蝕刻區及第一非蝕刻區。
(b)以該些第一圖案為遮罩自該基材表面向下進行蝕刻，令該基材形成複數個預設圖案，其中，該每一個預設圖案具有一個外圍部、一個由該外圍部界定出之凹槽，及至少一個位於該凹槽的凸塊，之後，移除該些第一圖案，形成一磊晶基板。
(c)於該磊晶基板具有該些預設圖案的表面形成一在接收外施加電能時會以光電效應發光的半導體發光元件。
本發明之功效在於：利用光罩設計並配合蝕刻製程，可以一次蝕刻方式同時形成複數個具有預設圖案之磊晶基板，不僅製程簡便、容易控制，且可提升該些預設圖案的均一性；此外，還可藉由遮罩圖案的設計而簡單改變該些凸塊的幾何形狀。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。
參閱圖3，本發明一種發光二極體的製作方法之較佳實施例，是可製作如圖3所示的發光二極體。
該發光二極體包含一磊晶基板3，及一半導體發光元件4。
配合參閱圖4、5，該磊晶基板3可選自藍寶石、矽、氧化物、碳化矽等材料構成，具有一本體31，及複數個由該本體31表面向上凸起且彼此間隔設置的預設圖案32，該每一預設圖案32具有一個界定出一凹槽323的外圍部321，及複數個位於該凹槽323並概呈錐狀的凸塊322，且該每一凸塊322彼此不相連接，其中，該每一外圍部321具有一自該本體31表面向上延伸的高度H，該凹槽323具有一深度D，且該深度D與該高度H實質相同。
該半導體發光元件4具有一與該本體31及該些預設圖案32表面連接的第一型半導體層41、一形成於該第一型半導體層41上的發光層42、一形成於該發光層42上的第二型半導體層43，及分別形成於該第一、二型半導體層41、43上的第一、二電極44、45，當外界經由該第一、二電極44、45配合提供電能時，該發光層42可在接收電能後以光電效應發光。
具體的說，該第一、二型半導體層41、43是由電性彼此相反的III-V族系半導體材料構成，例如可選自氮化鎵系半導體材料，該發光層42則是選自接收電能後可以光電效應發光的材料構成，例如硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、磷化鎵(GaP)、磷砷鎵(GaAs1-x
Px
)、砷鋁鎵(GaAlAs)，或氮化鎵(GaN)等，該第一、二電極44、45選自鎳、鉛、鈷、鐵、鈦、銅、銠、金、釕、鎢、鋯、鉬、鉭、鉑、銀、此等之氧化物、氮化物，及前述之一組合的材料所構成，由於該半導體發光元件4的相關材料選擇為本技術領域者所週知，且非為本發明之重點，因此不再多加贅述，於本實施例中該磊晶基板3是由藍寶石構成，該第一、二型半導體層41、43分別由n型及p型氮化鎵構成，該發光層42為由氮化鎵構成，該第一、二電極44、45為由鉑金構成。
藉由令該磊晶基板3具有多數均勻區隔分離的預設圖案32結構設計，讓自該發光層42發出，朝向該磊晶基板3行進的光，在接觸該些預設圖案32的凸塊及凹槽322、323後改變反射後的光行進路徑，減少光在第二型半導體層43與空氣界面間的全反射的機率，而得以進一步提升該發光二極體的光取出率。
參閱圖6、7，本發明一種發光二極體的製作方法的該較佳實施例，包含以下三個步驟。
首先進行步驟51，於一基材200表面形成複數個第一圖案202。
該步驟51是先於一基材200表面形成一層遮罩層201，接著配合使用一具有複數個遮罩圖案301的光罩300，將該遮罩層201預定部份移除，令殘餘的遮罩層201形成複數個與該些遮罩圖案301相對應的第一圖案202。該遮罩層201可由以氧化矽(SiO2
)、氮化矽(SiNx
)，或光阻材料構成，該些遮罩圖案301為依據該預定形成之預設圖案32及所使用之光阻材料的選擇而加以設計改變，例如，當預定形成具有複數個凸塊322的預設圖案32時，則該些遮罩圖案301可規劃成具有如圖8所示，具有複數個呈圓形，彼此成預定間隔設置且為最密堆積排列的遮罩圖案301；該每一遮罩圖案301具有複數個概成方形且彼此錯位排列的透光區302、一個圈圍該些透光區302的第一非透光區303，及複數個由該些透光區302共同界定之第二非透光區304，經由該些遮罩圖案301的設計，令該遮罩層201於該基材200表面形成與該些遮罩圖案301對應之第一圖案202；而當預定形成具有一個凸塊322的預設圖案32時，則該每一個遮罩圖案301則可規劃成具有如圖9所示，具有一個位於該遮罩圖案301中央並概成方形的第一非透光區303、一個圈圍該第一非透光區303的透光區302，及一個環圍該透光區302的第二非透光區304的圖案；此外，要說明的是，該些第一、二非蝕刻區的形狀可依需求而具有例如方形、圓形、多邊型等不同的形狀設計，而得到具有不同幾何形狀的凸塊322。
要說明的是，當該遮罩層201是由氧化矽(SiO2
)或氮化矽(SiNx
)構成時，則可利用具有預定遮罩圖案301之光罩300為遮罩直接對該遮罩層201進行蝕刻，而令該遮罩層201形成該些遮罩圖案301相對應的第一圖案202，而當該遮罩層201是由光阻材料構成構成時，則可利用具有預定遮罩圖案301之光罩300為遮罩對該遮罩層201進行微影製程，而令該遮罩層201形成該些遮罩圖案301相對應的第一圖案202，由於該蝕刻及微影製程為本技術領域者所知悉，因此不再詳述，於本實施例中，該遮罩層201是由正型光阻材料構成，且該光罩300是以具有如圖8所示之遮罩圖案301為例進行說明。
詳細的說，該步驟51是先於該基材200上形成一層由正型光阻材料構成的遮罩層201後，再使用該具有預定遮罩圖案301的光罩300對該遮罩層201進行微影製程，將該遮罩層201預定部份移除至該基材200表面露出，令殘留的遮罩層201形成複數個與該些遮罩圖案301對應之第一圖案202，該每一個第一圖案202具有複數個由該光阻材料構成的第一非蝕刻區203、一第二非蝕刻區204，及複數個經由移除該光阻材料後所形成的蝕刻區205，該些蝕刻區205共同環圍界定出該些第一非蝕刻區203，並令該些第一非蝕刻區203彼此間隔，且該第二非蝕刻區204環圍該些蝕刻區205，由於該微影製程為半導體製程領域技術者所知悉，因此，不再多加贅述。
接著進行步驟52，以該些第一圖案202為遮罩，自該基材200表面向下進行蝕刻，製得一磊晶基板3。
該步驟52是以該些第一圖案202為遮罩，利用乾式蝕刻，例如高密度電漿蝕刻、反應式離子蝕刻，或濕式蝕刻方式，例如使用磷酸、硫磷酸或氫氧化鉀等蝕刻液，自該基材200表面向下蝕刻，令該基材200同時形成多數個預設圖案32，該每一個預設圖案32具有一個自該基材200露出之表面向上延伸且高度為H的外圍部321、一個由該外圍部321界定出之凹槽323，及複數個位於該凹槽323且彼此不相連接的凸塊322，其中，該凹槽323的深度可藉由蝕刻的參數控制而令其小於或等於該外圍部的高度H，於本實施例中，該步驟52是以乾式蝕刻方式進行蝕刻，令該凹槽323的深度D實質與該外圍部321的高度H相同，之後，將該些第一圖案202移除，即可製得該具有複數個如圖3所示之預設圖案32的磊晶基板3。
要說明的是，當該光罩300為使用具有如圖9所示之遮罩圖案301時，則可得到具有複數個如圖10所示之預設圖案32的磊晶基板3。
最後，進行步驟53，於該磊晶基板3表面形成一半導體發光元件4。
該步驟53是先於該磊晶基板3具有該些預設圖案32的表面形成該第一型半導體層41，接著，再由該第一型半導體層41的部份表面向上磊晶形成該發光層42，接著，再於該發光層42表面形成該第二型半導體層43，最後，分別於該第一、二型半導體層41、43表面形成該第一、二電極44、45，即可製得如圖2所示的發光二極體；由於該作動單元4的相關材料選擇及製程為本技術領域者所知悉，且非為本發明之重點，因此不再多加贅述。
本發明藉由光罩300的圖案設計，先於該基材200上形成預定的第一圖案202，再搭配一次蝕刻製程，令該基材200同時形成多數個具預定凹槽323及凸塊322的預設圖案32，而得到該圖案化磊晶基板3，不僅可有效提升利用該磊晶基板3製得之發光二極體的光取出率，且與習知利用光阻經由熱處理後產生之厚度差異，再利用該厚度差，經蝕刻後而於基材表面產生凹、凸結構圖案的方法相較，本案不僅製程容易控制，且更可提升該些預設圖案32彼此之間的均勻性；此外，由於該些預定圖案32會令該磊晶基板3表面形成凹、凸態樣的微結構，與習知具平面態樣的磊晶基板相較，由於該呈凹、凸態樣的微結構可增加該第一型半導體層與該磊晶基板的接觸面積，因此還可進一步提升磊晶品質，降低磊晶過程的缺陷產生。
參閱圖11~12，圖11是本發明該較佳實施例製得之發光二極體(以下簡稱CPSS)與利用平面態樣之磊晶基板製得之發光二極體(以下簡稱Planar)，在輸入電流為20mA條件下的光-電流-電壓(以下簡稱L-I-V)量測結果，圖12(a)與12(b)則分別是CPSS及Planar的發光亮度(以下簡稱LE)圖譜。
由圖11可知，以本發明具有均勻分布的預設圖案32的磊晶基板3所製得的發光二極體(CPSS)與由平面態樣之磊晶基板製得之發光二極體(Planar)的光取出效率相較，可大幅提升約25%；而再由圖12發光亮度的量測結果可知，本發明之發光二極體(CPSS)由於可有效減低非放射中心及磊晶成長過程形成的凹陷，因此，其表面發光亮度比Planar發光二極體高且較為均勻，顯示利用本發明之磊晶基板製得之發光二極體(CPSS)可有效提升光取出率。
此外，值得一提的是，於進行該步驟53，形成該第一型半導體層41時，可以橫向磊晶方式，藉由製程控制，令該第一型半導體層41不完全填覆該凹槽323，而與該每一個預設圖案32共同界定出至少一封閉孔33，藉由該些封閉孔33的形成可讓該磊晶基板3具有不同的折射率，增加光線於接觸該磊晶基板3時的反射及折射效果，而可進一步提升該發光二極體的光取出率。
參閱圖13，又值得一提的是，該發光二極體的製作方法可更包含一實施於該步驟53之前的披覆層形成步驟。該步驟是先在該磊晶基板3上形成一由折射率與該磊晶基板3不同的材料構成的披覆層34，例如可於該凹槽323中，或是該本體31的部份表面形成由氧化物、氮化物、矽，或矽化物構成的披覆層34，或是形成具有高反射性，例如金屬、合金金屬等材料構成的披覆層34，讓該磊晶基板3藉由該披覆層的材料選擇而具有不同的折射率或反射能力，而得以增加光線於接觸該磊晶基板3時的折射及反射效果，以更進一步提升該發光二極體的光取出率。要說明的是，該批覆層34的設置位置可經由製程的設計而加以控制，例如，該披複層34可形成於該本體31無形成該些預設圖案32的部份表面，或是可形成於該預設圖案32上；參閱圖13(a)~(c)，圖13(a)~(c)是以該批覆層34為形成於該預設圖案32做說明，該批覆層34可形成於該預設圖案32之外圍部321圈圍之基材200表面，或是該些凸塊322的周面與該外圍部321鄰近該些凸塊322的表面，或是同時形成於該些凸塊322的周面，該外圍部321鄰近該些凸塊322的表面與該由該外圍部321圈圍之基材200表面，由於形成該披覆層34的製程方法為本技術領域者習知因此不再多加贅述，藉由該批覆層34的設置，也可減低後續以橫向磊晶形成的第一型半導體層41與磊晶基板3之間晶格不匹配所造成的差排問題。
綜上所述，本發明藉由光罩的圖案設計，先於該基材上形成預定的第一圖案，再搭配一次蝕刻製程，直接於該基材上同時形成多數個具預定凹、凸結構之預設圖案，不僅製程簡單容易控制且可更有效提升利用該圖案化後的磊晶基板製得之發光二極體的光取出率；此外，由於該些預設圖案會令該磊晶基板表面形成凹、凸態樣的微結構而可增加該第一型半導體層與該磊晶基板的接觸面積，因此還可提升磊晶品質，降低磊晶過程的缺陷產生，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
H．．．高度
D．．．深度
200．．．基材
201．．．遮罩層
202．．．第一圖案
203．．．第一非蝕刻區
204．．．第二非蝕刻區
205．．．蝕刻區
300．．．光罩
301．．．遮罩圖案
302．．．透光區
303．．．第一非透光區
304．．．第二非透光區
3．．．磊晶基板
31．．．本體
32．．．預設圖案
321．．．外圍部
322．．．凸塊
323．．．凹槽
33．．．封閉孔
34．．．披覆層
4．．．半導體發光元件
41．．．第一型半導體層
42．．．發光層
43．．．第二型半導體層
44．．．第一電極
45．．．第二電極
51．．．步驟
52．．．步驟
53．．．步驟
圖1是一示意圖，說明習知發光二極體結構；
圖2是一流程示意圖，說明習知製備具有多數凹、凸結構的磊晶基板的製備流程；
圖3是一示意圖，說明由本發明較佳實施例製得的發光二極體；
圖4是一掃瞄式電子顯微鏡圖，說明圖2之磊晶基板的預設圖案；
圖5是一局部示意圖，輔助說明圖3之預設圖案；
圖6是一流程圖，說明本發明該較佳實施例；
圖7是一流程示意圖，輔助說明圖5；
圖8是一示意圖，說明該光罩的態樣；
圖9是一示意圖，說明該光罩的另一態樣；
圖10是一掃瞄式電子顯微鏡圖，說明以圖9之光罩製得的預設圖案；
圖11是一L-I-V圖，說明本發明該較佳實施例製得之CPSS與習知Planar的L-I-V圖；
圖12是一CL圖，說明本發明該較佳實施例製得之CPSS與習知Planar之CL圖；及
圖13是一示意圖，說明該披覆層形成位置。
51．．．步驟
52．．．步驟
53．．．步驟
Claims (24)
- 一種磊晶基板的製作方法，包含：(a)於一基材表面形成一遮罩層，並配合使用一光罩，將該遮罩層預定部份移除，令該遮罩層殘留部分形成複數個彼此間隔設置的第一圖案，該每一個第一圖案具有至少一由該遮罩層材料構成的第一非蝕刻區、一第二非蝕刻區，及複數個經由移除該遮罩層材料所形成的蝕刻區，且該第二非蝕刻區為環圍該些蝕刻區及該第一非蝕刻區；(b)以該些第一圖案為遮罩，自該基材表面向下進行蝕刻，令該基材同時形成複數個預設圖案，之後移除該第一圖案，完成該磊晶基板的製作，其中，該每一個預設圖案具有一個外圍部、一個由該外圍部界定出之凹槽，及至少一個位於該凹槽的凸塊。
- 依據申請專利範圍第1項所述之磊晶基板的製作方法，其中，該步驟(b)形成的每一個預設圖案具有複數個凸塊。
- 依據申請專利範圍第2項所述之磊晶基板的製作方法，其中，該些凸塊彼此不相連接。
- 依據申請專利範圍第1項所述之磊晶基板的製作方法，其中，該外圍部具有一自該基材表面向上延伸的高度，且該凹槽的深度與該高度實質相同。
- 依據申請專利範圍第2項所述之磊晶基板的製作方法，其中，該步驟(b)是利用高密度電漿蝕刻、反應式離子 蝕刻方式進行。
- 一種發光二極體，包含：一磊晶基板，具有一本體，及複數個由該本體表面向上凸起，且彼此間隔設置的預設圖案，該每一預設圖案具有一個外圍部、一個由該外圍部界定出之凹槽，及至少一個位於該凹槽的凸塊；及一半導體發光元件，設置在該磊晶基板具有預設圖案的表面，在提供電能時以光電效應發光，而當發光時，向該磊晶基板方向行進的光子碰到該每一預設圖案時會被反射而實質向外發出。
- 依據申請專利範圍第6項所述之發光二極體，其中，該每一個預設圖案具有複數個凸塊。
- 依據申請專利範圍第7項所述之發光二極體，其中，該凹槽是由該外圍部與該本體表面共同界定，且該些凸塊彼此不相連接。
- 依據申請專利範圍第6或7項所述之發光二極體，其中，該半導體發光元件具有一形成於該些預設圖案表面的第一型半導體層，且該第一型半導體層與該些預設圖案共同界定出至少一封閉孔。
- 依據申請專利範圍第6或7項所述之發光二極體，其中，該半導體發光元件具有一形成於該些預設圖案表面的第一型半導體層，且該第一型半導體層與該每一預設圖案共同界定出至少一封閉孔。
- 依據申請專利範圍第6項所述之發光二極體，其中，該 磊晶基板選自藍寶石、矽、氧化物，及碳化矽。
- 依據申請專利範圍第6項所述之發光二極體，其中，該磊晶基板更具有一設置於該磊晶基板的披覆層。
- 依據申請專利範圍第12項所述之發光二極體，其中，該披覆層是氧化物、氮化物、矽，或矽化物。
- 依據申請專利範圍第12項所述之發光二極體，其中，該披覆層選自金屬、合金金屬。
- 一種發光二極體的製作方法，包含：(a)於一基材表面形成一遮罩層，並配合使用一光罩將該遮罩層預定部份移除，令該遮罩層殘留部分形成複數個彼此間隔設置的第一圖案，該每一個第一圖案具有至少一由該遮罩層材料構成的第一非蝕刻區、一第二非蝕刻區，及複數個經由移除該遮罩層材料所形成的蝕刻區，且該第二非蝕刻區為環圍該些蝕刻區及該第一非蝕刻區；(b)以該些第一圖案為遮罩自該基材表面向下進行蝕刻，令該基材同時形成複數個預設圖案，該每一個預設圖案具有一個外圍部、一個由該外圍部界定出之凹槽，及至少一個位於該凹槽的凸塊，之後，移除該第一圖案，形成一磊晶基板；及(c)於該磊晶基板表面形成一在接收外施加電能時會以光電效應發光的半導體發光元件，完成該發光二極體的製作。
- 依據申請專利範圍第15項所述之磊晶基板的製作方法， 其中，該步驟(a)形成的每一預設圖案具有複數個第一圖案，該步驟(b)形成的每一個預設圖案具有複數個凸塊。
- 依據申請專利範圍第16項所述之磊晶基板的製作方法，其中，該些凸塊彼此不相連接。
- 依據申請專利範圍第15項所述之發光二極體的製作方法，其中，該外圍部具有一個自該基材露出表面向上延伸的高度，且該凹槽的深度與該高度實質相同。
- 依據申請專利範圍第15或16項所述之發光二極體的製作方法，其中，該半導體發光元件具有一以橫向磊晶方式形成於該磊晶基板表面的第一型半導體層，且該第一型半導體層與該些預設圖案共同界定出至少一封閉孔。
- 依據申請專利範圍第15或16項所述之發光二極體的製作方法，其中，該半導體發光元件具有一以橫向磊晶方式形成於該磊晶基板表面的第一型半導體層，且該第一型半導體層與該每一預設圖案共同界定出至少一封閉孔。
- 依據申請專利範圍第15項所述之發光二極體的製作方法，其中，該步驟(b)是利用高密度電漿蝕刻、反應式離子蝕刻方式進行。
- 依據申請專利範圍第15項所述之發光二極體的製作方法，更包含一實施在步驟(c)之前的步驟(d)，於該磊晶基板形成一披覆層。
- 依據申請專利範圍第22項所述之發光二極體，其中，該披覆層是氧化物、氮化物、矽，或矽化物。
- 依據申請專利範圍第22項所述之發光二極體，其中，該披覆層選自金屬、合金金屬。
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