TW201448307A - 有機發光結構 - Google Patents

有機發光結構 Download PDF

Info

Publication number
TW201448307A
TW201448307A TW102123836A TW102123836A TW201448307A TW 201448307 A TW201448307 A TW 201448307A TW 102123836 A TW102123836 A TW 102123836A TW 102123836 A TW102123836 A TW 102123836A TW 201448307 A TW201448307 A TW 201448307A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
organic light
emitting
anode
light emitting
Prior art date
Application number
TW102123836A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI515938B (zh
Inventor
Chih-Hung Liu
Cheng-Hsien Wang
Chun-Chieh Huang
Original Assignee
Everdisplay Optronics Shanghai Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Everdisplay Optronics Shanghai Ltd filed Critical Everdisplay Optronics Shanghai Ltd
Publication of TW201448307A publication Critical patent/TW201448307A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI515938B publication Critical patent/TWI515938B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

揭露一種有機發光結構,包括陽極層、陰極層、位於陽極層與陰極層之間的有機發光層,以及側面反射層。陽極層具有一反射層,陰極層為透明結構。側面反射層位於陰極層之下,側面反射層與陽極層構成出光區,陽極層和側面反射層反射有機發光層發出的光線,使光線從出光區射出。

Description

有機發光結構
本發明是關於一種有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode,OLED)結構。
OLED為自發光的顯示技術,OLED的發光效率與選定的發光材料、背板以及外圍元件的設計相關。OLED必須憑藉著反射層進行反射,以提高發光亮度,進而增進相關的顯示性能。
現有技術中的OLED發光結構參見圖1所示。該OLED發光結構中的陽極具有一反射層,用於對有機發光層產生的光線進行反射。反射層可以為陽極金屬平面。該OLED發光結構所產生的光線如圖1所示,其發出的光線隨意散射。一些光線幷未從有效的發光區域和方向上射出,造成該OLED發光結構的整體發光效率不高。
本發明提供了一種高發光效率的有機發光結構。
本發明提供的有機發光結構,包括具有一反射層的陽極層、為透明結構的陰極層、位於陽極層與陰極層之間的有機發光層,以及位於有機發光層周圍的側面反射層。 側面反射層與陽極層一起構成出光區,其中,陽極層和側面反射層反射有機發光層發出的光線,使其從出光區射出。
於本發明之一或多個實施例中,側面反射層採用物理氣相沈積或化學氣相沈積方法形成。
於本發明之一或多個實施例中,側面反射層包括一具有反射性能的金屬層。
於本發明之一或多個實施例中,側面反射層為三層結構,外部兩層分別為一透明且具半導體特性的氧化金屬層,中間為金屬層。
於本發明之一或多個實施例中,側面反射層為一透明且具半導體特性的氧化金屬層與金屬層結合而成。
於本發明之一或多個實施例中,氧化金屬層為銦錫氧化物或/氧化銦鋅。
於本發明之一或多個實施例中,金屬層由鋁、銀、鎳或其合金形成。
於本發明之一或多個實施例中,側面反射層與陽極層之間的夾角介於90-150度。
於本發明之一或多個實施例中,側面反射層與有機發光層之間的最短距離,大於或等於陰極層與陽極層之間的最短距離的兩倍。
於本發明之一或多個實施例中,側面反射層為圓臺狀結構。
本發明還提供了一種有機發光結構,包括具有一反射層的陰極層、為透明結構的陽極層、位於陰極層與陽極 層之間的有機發光層,以及位於有機發光層周圍的側面反射層。側面反射層與陰極層一起構成出光區,其中,陰極層和側面反射層反射有機發光層發出的光線,使其從出光區射出。
本發明的OLED發光結構,通過在有機發光層的周圍設置側面反射層,以對側方向的光線進行反射。由此能夠提高OLED發光結構的發光效率,具有很高的應用價值。
1‧‧‧陰極層
2‧‧‧陽極層
3‧‧‧有機發光層
4‧‧‧側面反射層
10‧‧‧平坦化層
12‧‧‧絕緣層
θ‧‧‧夾角
L、H‧‧‧距離
圖1為現有技術的OLED發光結構的示意圖。
圖2為本發明一實施例的OLED發光結構的示意圖。
圖3為本發明另一實施例的OLED發光結構的示意圖。
圖4為本發明OLED發光結構的局部放大圖。
以下將以圖式及詳細說明清楚說明本發明之精神,任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本發明之較佳實施例後,當可由本發明所教示之技術,加以改變及修飾,其並不脫離本發明之精神與範圍。
現在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而,示例實施方式能夠以多種形式實施,且不應被理解為限於在此闡述的實施方式;相反,提供這些實施方式使得本揭露將全面和完整,幷將示例實施方式的構思全面地傳 達給本領域的技術人員。在圖中,為了清晰,誇大了區域和層的厚度。在圖中相同的附圖標此外,所描述的特徵、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施例中。在下面的描述中,提供許多具體細節從而給出對本揭露的實施例的充分理記表示相同或類似的結構,因而將省略它們的詳細描述。
此外,所描述的特徵、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施例中。在下面的描述中,提供許多具體細節從而給出對本揭露的實施例的充分理解。然而,本領域技術人員將意識到,可以實踐本揭露的技術方案而沒有所述特定細節中的一個或更多,或者可以採用其他的方法、組元、材料等。在其他情況下,不詳細示出或描述公知結構、材料或者操作以避免模糊本揭露的各方面。
本發明提供了一種高發光效率的OLED發光結構,包括陰極層1、陽極層2,陰極層1和陽極層2之間所夾的有機發光層3,以及側面反射層4。
參見圖2所示。在本發明的一實施例中,該OLED發光結構中的陽極具有一反射層,用於對有機發光層3產生的光線進行反射。陰極層1為透明層,在陰極層1和陽極層2之間夾有機發光層3,形成如三明治的結構。當陰極層1和陽極層2之間施加適當電壓時,電子和空穴在此有機發光層3中相遇複合,就會發出光線。所發出的光線經陽極反射層的反射後,從陰極透明層透射而出。
陽極層2包括一具有高反射性能的金屬層。該金屬層可使用鋁(Al)、銀(Ag)或鎳(Ni)等金屬或其合金製成平滑的具有高反射性能的平面。陽極層也可以採用雙層或三明治結構。例如,陽極上下兩層可使用銦錫氧化物(ITO)或/氧化銦鋅(IZO)等相關的氧化金屬層。中間的金屬行反射層的功能,使用Al/Ag/Ni或相關金屬合金製成。
在有機發光層3的四周,另外設置有側面反射層4。側面反射層4可以利用PVD(Physical Vapor Deposition,物理氣相沈積)或CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相沈積)的工藝製作於有機發光層3的四周。側面反射層4也包括一金屬層,起到反射作用。金屬層與陽極的金屬層類似。側面反射層4也可以設計成類似三明治結構,外部兩層可分別為一薄而透明具半導體特性的氧化金屬層,如可以為ITO或/IZO,中間一層為金屬層。或者,側面反射層4也可以採用單層金屬層的結構,或者也可以採用透明的氧化金屬層與金屬層結合的雙層結構。側面反射層4位於陰極層1之下,其與陽極層2共同構成OLED發光結構的出光區。有機發光層3所發出的光都從出光區射出。
在OLED發光結構中,根據具體的應用需求,可以對側面反射層4的高度進行調節,以實現調節OLED發光結構的側面透光度。或者,調節側面反射層4與陽極層2之間的距離,以實現調節OLED出光區的大小。或者,調節側面反射層4與陽極層2平面間的夾角θ,以實現調節出 光區的角度。
此外,側面反射層4應與OLED的有機發光層3保持一定的距離,以進行電性保護。參見圖4所示為OLED發光結構的局部放大圖,設側面反射層4與有機發光層3之間的最短距離為L,陰極層1與陽極層2之間的最短距離為H,則應使L2H,以防止OLED的電荷被誘導,造成元件燒毀。如在一種OLED結構中,設計側面反射層4與有機發光層3的距離約為0.6um的距離,而考慮到目前OLED蒸鍍的精度為±7um,故可設計側面反射層4與有機發光層3的距離為0.6um~7um。
在本發明的一實施例中,為提高側面反射層4的反射效率,如圖2和圖3所示,其適宜設計成圓臺狀結構。圓臺狀結構與陽極層2平面的夾角θ適宜設計為90-150度,夾角θ可根據具體的應用環境進行調整,以最大限度的使OLED射出的近水平方向的散射光能夠導回到人眼可視的角度,以實現增加亮度的目的。易於理解,本案也可以根據具體需求,將側面反射層4設計成其他形狀的曲面,以實現不同的反射效果。
下面說明側面反射層4的形成方法。
在平坦化層10上形成陽極2之後,形成覆蓋陽極2的絕緣層12。在絕緣層12中形成用於側面反射層4的開口。利用PVD或CVD方法在絕緣層12上及開口中形成反射材料層。利用回蝕刻工藝蝕刻反射材料層,在開口中形成側面反射層4。沈積絕緣材料,覆蓋側面反射層4的上表 面。然後,通過蝕刻工藝形成暴露陽極2的開口。在開口中沈積有機發光層3。在有機發光層3上沈積陰極層。後續工藝與本領域通常使用的常規方法相同,在此不再贅述。
需要說明的是,本發明的上述實施方式以陽極層2 作為反射層,陰極層1為透明層為例進行說明。對於其他類型的OLED發光結構,如陰極層1為反射層,陽極為透明的結構,也可以在該OLED發光結構的有機發光層3中設置側面反射層4,以提高發光效率。本發明的方案對於不同種類和形態的OLED發光結構均能適用,其不影響本發明的技術目的和有益效果。
本發明的OLED發光結構,通過在有機發光層的周 圍設置側面反射層4,以對側方向的光線進行反射。由此能夠提高OLED發光結構的發光效率,具有很高的應用價值。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧陰極層
2‧‧‧陽極層
3‧‧‧有機發光層
4‧‧‧側面反射層
θ‧‧‧夾角

Claims (11)

  1. 一種有機發光結構,包括:一陽極層,該陽極層具有一反射層;一陰極層,該陰極層為透明結構;一有機發光層,位於該陽極層與該陰極層之間;以及一側面反射層,位於該有機發光層周圍,與該陽極層一起構成一出光區,其中,該陽極層和該側面反射層反射該有機發光層發出的光線,使其從該出光區射出。
  2. 根據請求項1所述的有機發光結構,其中,該側面反射層採用物理氣相沈積或化學氣相沈積方法形成。
  3. 根據請求項1所述的有機發光結構,其中,該側面反射層包括一具有反射性能的金屬層。
  4. 根據請求項3所述的有機發光結構,其中,該側面反射層為三層結構,外部兩層分別為一透明且具半導體特性的氧化金屬層,中間為該金屬層。
  5. 根據請求項3所述的有機發光結構,其中,該側面反射層為一透明且具半導體特性的氧化金屬層與該金屬層結合而成。
  6. 根據請求項4或5所述的有機發光結構,其中,該氧化金屬層為銦錫氧化物或氧化銦鋅。
  7. 根據請求項3所述的有機發光結構,其中,該金屬層由鋁、銀、鎳或其合金形成。
  8. 根據請求項1所述的有機發光結構,其中,該側面反射層與該有機發光層之間的最短距離,大於或等於該陰極層與該陽極層之間的最短距離的兩倍。
  9. 根據請求項1所述的有機發光結構,其中,該側面反射層與該陽極層之間的夾角介於90-150度。
  10. 根據請求項1或8所述的有機發光結構,其中,該側面反射層為圓臺狀結構。
  11. 一種有機發光結構,包括:一陰極層,該陰極層具有一反射層;一陽極層,該陽極層為透明結構;一有機發光層,位於該陰極層與該陽極層之間;以及一側面反射層,位於該有機發光層周圍,與該陰極層一起構成一出光區,其中,該陰極層和該側面反射層反射該有機發光層發出的光線,使其從該出光區射出。
TW102123836A 2013-06-06 2013-07-03 有機發光結構 TWI515938B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310224799.8A CN104241535B (zh) 2013-06-06 2013-06-06 一种有机发光结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201448307A true TW201448307A (zh) 2014-12-16
TWI515938B TWI515938B (zh) 2016-01-01

Family

ID=52004705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102123836A TWI515938B (zh) 2013-06-06 2013-07-03 有機發光結構

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9379357B2 (zh)
CN (1) CN104241535B (zh)
TW (1) TWI515938B (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104600093A (zh) * 2014-12-25 2015-05-06 上海和辉光电有限公司 一种显示面板
CN107851586B (zh) 2015-01-23 2021-07-06 维耶尔公司 到受体衬底的选择性微型器件转移
US10700120B2 (en) 2015-01-23 2020-06-30 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
US10847571B2 (en) 2015-01-23 2020-11-24 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
CN108336126B (zh) * 2015-02-13 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示装置以及像素结构的制作方法
CN106033800A (zh) * 2015-03-16 2016-10-19 上海和辉光电有限公司 有机发光结构以及具有该结构的有机发光器件和面板
CN106159100A (zh) * 2015-04-24 2016-11-23 上海和辉光电有限公司 有机发光二极管结构及其制作方法
CN109964540B (zh) * 2016-12-01 2022-04-01 东丽株式会社 有机el显示装置
CN107331680B (zh) * 2017-07-05 2020-04-24 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN107968110B (zh) * 2017-11-21 2020-05-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法
KR102449772B1 (ko) * 2017-12-19 2022-09-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN108538888A (zh) * 2018-04-09 2018-09-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制造方法、oled显示器
US10658621B2 (en) 2018-04-09 2020-05-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED panel and manufacturing method thereof and OLED display
CN109148489B (zh) * 2018-08-30 2022-06-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及制作方法、显示装置
CN112055892B (zh) * 2018-11-28 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示装置和制造像素结构的方法
CN109671749A (zh) * 2018-12-13 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示屏及其制作方法
CN109873023B (zh) * 2019-03-29 2021-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置
CN110071224B (zh) * 2019-04-04 2020-07-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件及其制作方法
KR20210041673A (ko) 2019-10-07 2021-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112117357B (zh) * 2020-09-17 2022-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN113113550B (zh) * 2021-03-16 2023-01-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板和oled显示装置
WO2022246808A1 (zh) * 2021-05-28 2022-12-01 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN114023838B (zh) * 2021-11-03 2023-11-10 宁波勤邦新材料科技股份有限公司 一种高反射高阻隔太阳能电池背板膜及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
JP4693253B2 (ja) * 2001-01-30 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
JP4252297B2 (ja) * 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
KR20100066416A (ko) 2007-09-06 2010-06-17 소니 가부시끼가이샤 광 추출 소자, 광 추출 소자의 제조 방법 및 표시 장치
KR100943948B1 (ko) * 2008-01-08 2010-02-26 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
JP2011023240A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Sony Corp 表示装置
KR101084177B1 (ko) * 2009-11-30 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
JP2011228229A (ja) * 2010-04-23 2011-11-10 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2012054040A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
KR101821167B1 (ko) * 2011-08-30 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 반사 구조를 갖는 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101928582B1 (ko) * 2012-07-25 2018-12-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
CN102891265B (zh) * 2012-09-28 2015-10-07 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Oled阳极的增反结构和oled阴极的增反结构

Also Published As

Publication number Publication date
TWI515938B (zh) 2016-01-01
US9379357B2 (en) 2016-06-28
US20140361265A1 (en) 2014-12-11
CN104241535B (zh) 2017-07-25
CN104241535A (zh) 2014-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI515938B (zh) 有機發光結構
JP5758314B2 (ja) 有機電界発光素子、及び照明装置
CN107507920B (zh) 有机电致发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置
EP3026725A1 (en) See-through organic light emitting display device and method for manufacturing the same
JP2013219025A5 (ja) 発光装置
TWI558266B (zh) 發光裝置及照明裝置
CN104037359A (zh) 一种oled阴极结构及其制造方法
WO2016065864A1 (zh) Oled阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
TW201535821A (zh) 有機電致發光元件、照明裝置及顯示裝置
JP2013125968A5 (zh)
TW201926757A (zh) 有機發光裝置
CN106654051B (zh) 一种具有光取出结构的oled和oled灯具
TW201325307A (zh) 發光裝置
KR102033162B1 (ko) Oled 발광 소자 및 표시 장치
JP2016004775A (ja) 有機発光ダイオード表示パネル
WO2021031517A1 (zh) 一种显示面板及其显示装置
JP2013545230A5 (zh)
JP6047038B2 (ja) 有機el装置
JP2013012377A (ja) 発光装置及び表示装置
US10818869B2 (en) Top-emitting type organic electroluminescent device, manufacturing method thereof and display apparatus
US8492967B2 (en) Light emitting device and display panel
WO2019033794A1 (zh) 有机电致发光装置及其电极
Qian et al. A stacked Al/Ag anode for short circuit protection in ITO free top-emitting organic light-emitting diodes
US10879495B2 (en) Organic light emitting device and array substrate
TW201349576A (zh) 具反射鏡保護層的發光二極體