CN112055892B - 像素结构、显示装置和制造像素结构的方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种像素结构。该像素结构包括：衬底基板(10)；绝缘岛(21)，其位于衬底基板(10)上；发光元件(50)，其位于绝缘岛(21)的远离衬底基板(10)的一侧；绝缘层(22)，其位于衬底基板(10)上，并且围绕绝缘岛(21)，绝缘层(22)通过凹槽(G)与绝缘岛(21)隔开；以及反射层(40)，其位于绝缘层(22)的围绕发光元件(50)的周边的侧面上，并且被配置为反射从发光元件(50)横向发射的光以从像素结构的发光表面射出。绝缘层(22)相对于衬底基板(10)的主表面的高度大于绝缘岛(21)相对于衬底基板(10)的主表面的高度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地说，涉及像素结构、显示装置和制造像素结构的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示装置是自发光装置，并且不需要背光源。与传统的液晶显示(LCD)装置相比，OLED显示装置还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示装置可以制造得比典型的LCD装置更柔性、更薄和更轻。
发明内容
一方面，本发明提供一种像素结构，包括：衬底基板；绝缘岛，其位于衬底基板上；发光元件，其位于绝缘岛的远离衬底基板的一侧；绝缘层，其位于衬底基板上，并且围绕绝缘岛，绝缘层通过凹槽与绝缘岛隔开；以及反射层，其位于绝缘层的围绕发光元件的周边的侧面上，并且被配置为反射从发光元件横向发射的光以从像素结构的发光表面射出；其中，绝缘层相对于衬底基板的主表面的高度大于绝缘岛相对于衬底基板的主表面的高度。
可选地，发光元件包括：第一电极、位于第一电极上的发光层、以及位于发光层的远离第一电极的一侧的第二电极；第一电极与反射层断开；并且绝缘层相对于衬底基板的主表面的高度大于位于夹在第一电极和第二电极之间的区域中的发光层相对于衬底基板的主表面的高度。
可选地，像素结构还包括限定像素孔的像素限定层；其中发光层位于像素孔中；并且像素限定层位于第一电极的远离绝缘岛的一侧。
可选地，像素限定层至少部分地位于凹槽中，使绝缘层和反射层与绝缘岛间隔开。
可选地，像素限定层实质上位于凹槽外；并且第二电极和发光层延伸到凹槽中。
可选地，像素限定层与绝缘层间隔开。
可选地，绝缘岛具有背向衬底基板的第一侧、与第一侧相对且面向衬底基板的第二侧、以及连接第一侧和第二侧的第三侧；并且绝缘岛的第三侧相对于绝缘岛的第二侧的倾斜角大于约90度。
可选地，绝缘岛具有背向衬底基板的第一侧、与第一侧相对且面向衬底基板的第二侧、以及连接第一侧和第二侧的第三侧；其中发光层和第二电极至少部分地覆盖绝缘岛的第三侧。
可选地，绝缘层具有背向衬底基板的第一侧、与第一侧相对且面向衬底基板的第二侧、以及连接第一侧和第二侧的第三侧；并且反射层位于绝缘层的第三侧。
可选地，第三侧至少在与绝缘层的一部分相对应的区域中是实质上平坦的，绝缘层的该部分相对于衬底基板的主表面的高度大于绝缘岛相对于衬底基板的主表面的高度。
可选地，绝缘层的第三侧相对于绝缘层的第二侧的倾斜角小于约90度。
可选地，反射层在凹槽中与衬底基板直接接触。
可选地，发光元件为有机发光二极管，有机发光二极管包括第一电极、位于第一电极上的有机发光层、以及位于有机发光层的远离第一电极的一侧的第二电极。
另一方面，本发明提供一种显示装置，包括本文所述的像素结构或通过本文所述的方法制造的像素结构。
另一方面，本发明提供一种制造像素结构的方法，包括：在衬底基板上形成绝缘岛；在绝缘岛的远离衬底基板的一侧形成发光元件；在衬底基板上形成围绕绝缘岛的绝缘层，绝缘层形成为通过凹槽与绝缘岛间隔开；在绝缘层的围绕发光元件的周边的侧面上形成反射层，反射层被配置为反射从发光元件横向发射的光以从像素结构的发光表面射出；其中，绝缘层形成为其相对于衬底基板的主表面的高度大于绝缘岛的相对于衬底基板的主表面的高度。
可选地，形成发光元件包括：形成第一电极；在第一电极上形成发光层；以及在发光层远离第一电极的一侧形成第二电极；其中，第一电极形成为与反射层断开；绝缘层相对于衬底基板的主表面的高度大于位于夹在第一电极和第二电极之间的区域中的发光层相对于衬底基板的主表面的高度；在形成第一电极之后，该方法还包括形成限定像素孔的像素限定层；其中，发光层形成在像素孔中；并且像素限定层形成在第一电极的远离绝缘岛的一侧。
可选地，使用相同的电极材料在同一图案化步骤中形成反射层和第一电极。
可选地，绝缘岛形成为具有背向衬底基板的第一侧、与第一侧相对且面向衬底基板的第二侧、以及连接第一侧和第二侧的第三侧；
绝缘岛的第三侧相对于绝缘岛的第二侧的倾斜角大于约90度；其中，形成反射层和第一电极包括：在绝缘岛和绝缘层上沉积电极材料层，电极材料层在凹槽处中断，从而将反射层与第一电极分离。
可选地，像素限定层至少部分地形成在凹槽中，使绝缘层和反射层与绝缘岛间隔开。
可选地，像素限定层实质上形成在凹槽外；并且第二电极和发光层形成为延伸到凹槽中。
附图说明
以下附图仅是用于根据各种公开的实施例的说明性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是传统像素结构的部分结构的示意图。
图2A是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。
图2B是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。
图2C是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。
图3是根据本公开的一些实施例中的像素结构的部分结构的示意图。
图4A是根据本公开的一些实施例中的像素结构的绝缘岛的示意图。
图4B是根据本公开的一些实施例中的像素结构的绝缘岛的示意图。
图5A至图5D示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。
图6A至图6D示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。
图7A至图7D示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。
具体实施方式
现在将参考以下实施例更具体地描述本公开。应注意，本文仅出于说明和描述的目的呈现了一些实施例的以下描述。其并非旨在穷举或限于所公开的精确形式。
图1是相关像素结构在显示基板的子像素中的子像素区域与子像素间区域之间的界面处的部分结构的示意图。参考图1，相关像素结构在界面处包括第一绝缘层21'、位于第一绝缘层21'上的第二绝缘层22'、位于第二绝缘层22'的侧面上的反射层40'、以及位于第二绝缘层22'和反射层40'的远离第一绝缘层21'的一侧的像素限定层30'。发光元件的折射率(例如，有机发光二极管中的有机功能层的折射率)远大于外部介质(例如，空气或钝化层)的折射率。结果，仅当发射光的入射角在一定范围内时，从发光元件发射的光才能从像素结构的发光表面射出。从发光元件发射的入射角在所述一定范围之外的光在发光元件和外部介质之间的界面上发生全反射。被全反射的光在发光元件内部传输，该发光元件用作引导发射光的波导。在发光元件和像素限定层30'的界面处，由于发光元件和像素限定层的折射率之间的相似性，光继续从发光元件传输到像素限定层30'。
像素限定层30'中的光束继续透过用作波导的像素限定层30'。
在没有反射层40'的情况下，光束将沿横向(例如，实质上垂直于像素结构的有效显示所需的发光方向)传输到第二绝缘层22'中。横向传输的光束最终将在像素结构中消散，导致漏光或能量浪费。
图1中的反射层40'旨在反射从发光元件横向发射的光以从像素结构的发光表面射出。然而，当形成第二绝缘层22'时，由于在图案化第二绝缘层22'之后残留在第二绝缘层22'的侧面上的残留材料，通常不可能在第二绝缘层22'的侧面上存在具有实质上平坦表面的尖锐边缘。结果，第二绝缘层22'的侧面通常具有图1所示的弯曲表面。
随后，在第二绝缘层22'的侧面上形成反射层40'。因为第二绝缘层22'的侧面具有弯曲表面，所以反射层40'也具有弯曲表面。当从发光元件发射的光横向透过像素限定层30'时，它将被反射层40'的弯曲表面反射，光路将实质上沿着反射层40'的表面弯曲。结果，从发光元件横向发射的光不会被反射层40'反射以从像素结构的发光表面射出，而是将继续在像素结构内部(例如，在图1所示的像素限定层30'内部)横向传输，导致漏光。
因此，本公开特别提供一种像素结构、一种显示装置和一种制造像素结构的方法，其实质上消除了由于相关技术的局限和缺点而导致的问题中的一个或多个。一方面，本公开提供了一种新的像素结构。在一些实施例中，像素结构包括：衬底基板；位于衬底基板上的绝缘岛；位于绝缘岛的远离衬底基板的一侧的发光元件；位于衬底基板上并且围绕绝缘岛的绝缘层，绝缘层通过凹槽与绝缘岛间隔开；位于绝缘层的围绕发光元件的周边的侧面上的反射层，并且被配置为反射从发光元件横向发射的光以从像素结构的发光表面射出。可选地，绝缘层相对于衬底基板的主表面的高度大于绝缘岛相对于衬底基板的主表面的高度。
图2A至图2C是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。参考图2A至图2C，一些实施例中的像素结构包括：衬底基板10；位于衬底基板10上的绝缘岛21；位于绝缘岛21的远离衬底基板10的一侧的发光元件50；位于衬底基板10上并且围绕绝缘岛21的绝缘层22。在所述像素结构中，绝缘层22通过凹槽G与绝缘岛21间隔开。像素结构还包括位于绝缘层22的围绕发光元件50的周边的侧面上的反射层40，反射层40被配置为反射从发光元件50横向发射的光以从像素结构的发光表面射出。绝缘层22相对于衬底基板10的主表面M的高度h1大于绝缘岛21相对于衬底基板10的主表面M的高度h2。可选地，绝缘层22至少通过凹槽G中的反射层40与绝缘岛21间隔开。可选地，反射层40在凹槽G中与衬底基板10直接接触，例如，没有任何中间结构或组件。
参考图2A至图2C，绝缘层22具有背向衬底基板10的第一侧S1、与第一侧S1相对并面向衬底基板10的第二侧S2、以及连接第一侧S1和第二侧S2的第三侧S3。第三侧S3是面向绝缘岛21的周边和发光元件50的周边的一侧。绝缘层22的围绕发光元件50的周边的侧面指的是第三侧S3。可选地，反射层40位于绝缘层22的第三侧S3。可选地，反射层40完全覆盖绝缘层22的第三侧S3。参考图2A至2C，在一些实施例中，绝缘层22的第三侧S3相对于绝缘层22的第二侧S2具有小于约90度的倾斜角，例如小于80度、小于70度、小于60度、小于50度、小于40度、以及小于30度。
在一些实施例中，绝缘岛21在衬底基板10上的正投影与绝缘层22在衬底基板10上的正投影实质上不重叠。如本文所用，术语“实质上不重叠”是指两个正投影至少为50％(例如，至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％以及100％)不重叠。可选地，绝缘岛21在衬底基板10上的正投影至少部分地与发光元件50在衬底基板10上的正投影重叠。
在一些实施例中，发光元件包括第一电极51、位于第一电极51上的发光层52、以及位于发光层52远离第一电极51的一侧的第二电极53。可选地，第一电极51与反射层40断开，以防止第一电极51和第二电极53之间短路。可选地，绝缘层22相对于衬底基板10的主表面M的高度h1大于位于夹在第一电极51和第二电极53之间的区域中的发光层52相对于衬底基板10的主表面M的高度h3。
在一些实施例中，像素结构还包括限定像素孔的像素限定层30，发光层位于像素孔中。参考图2A至图2C，在一些实施例中，像素限定层30位于第一电极51远离绝缘岛21的一侧。参考图2A和图2B，在一些实施例中，像素限定层30至少部分地位于凹槽G中。可选地，绝缘层22至少通过凹槽G中的像素限定层30和反射层40与绝缘岛21间隔开。可选地，凹槽G中的像素限定层30将绝缘层22和反射层40与绝缘岛21间隔开。参考图2C，在一些实施例中，像素限定层30实质上在凹槽G的外部。可选地，第二电极53和发光层52延伸到凹槽G中。像素限定层30例如至少通过凹槽G中的反射层40与绝缘层22间隔开。
图3是根据本公开的一些实施例中的像素结构的部分结构的示意图。参考图3，通过与绝缘岛21间隔开并且高于绝缘岛21的绝缘层22，形成在绝缘层22的侧面上的反射层40将具有实质上平坦的表面，用于反射从发光元件横向发射的光，以从像素结构的发光表面射出。如图3所示，绝缘层22的第三侧包括第一子侧S3-1和第二子侧S3-2。第一子侧S3-1位于与绝缘层22的第一部分22-1相对应的区域中，该第一部分22-1相对于衬底基板10的主表面M的高度小于或等于绝缘岛21相对于衬底基板10的主表面M的高度h2。第二子侧S3-2位于与绝缘层22的第二部分22-2相对应的区域中，该第二部分22-2相对于衬底基板10的主表面M的高度大于绝缘岛21相对于衬底基板10的主表面M的高度h2。参考图3，第三侧至少在与绝缘层22的一部分相对应的区域中是实质上平坦的，绝缘层22的该部分相对于衬底基板10的主表面M的高度大于绝缘岛21相对于衬底基板10的主表面M的高度h2。例如，至少第二子侧S3-2是实质上平坦的。
在形成绝缘层22时，即使在图案化绝缘层22之后残留材料仍残留在绝缘层22的侧面上，残留材料也实质上保留在绝缘层22的第一子侧S3-1上，因为像素限定层30设置在绝缘岛21上，所以从发光元件横向发射的光不会通过像素限定层30照射残留材料。因此，第一子侧S3-1上的反射层40的弯曲表面不被配置为反射从发光元件横向发射的通过像素限定层30的光。相反，参考图3，从发光元件横向发射的光束通过像素限定层30照射在实质上平坦的第二子侧S3-2上，并且沿着从像素结构的发光表面射出的方向反射光束。如本文所用，术语“实质上平坦的”是指具有小于10度(例如，小于7.5度、小于5度、小于2.5度、小于1度、以及等于零度)的曲率的表面。
图4A是根据本公开的一些实施例中的像素结构的绝缘岛的示意图。参考图4A和图4B，在一些实施例中，绝缘岛21具有背向衬底基板10的侧S1'、与侧S1'相对并面向衬底基板10的侧S2'、以及连接侧S1'和侧S2'的侧S3'。参考图4A，在一些实施例中，绝缘岛21的侧S3'相对于绝缘岛21的侧S2'的倾斜角α大于约90度，例如，大于100度、大于110度、大于120度、大于130度、大于140度、以及大于150度。参考图2B，在一些实施例中，凹槽G具有沿实质上垂直于衬底基板10的平面的横截面，该横截面具有实质上平行四边形的形状。
图4B是根据本公开的一些实施例中的像素结构的绝缘岛的示意图。参考图4B、图2A和图2C，在一些实施例中，绝缘岛21具有背向衬底基板10的侧S1'、与侧S1'相对并面向衬底基板10的侧S2'、以及连接侧S1'和侧S1'的侧S3'。参考图4B，在一些实施例中，绝缘岛21的侧S3'相对于绝缘岛21的侧S2'的倾斜角α小于约90度，例如，小于80度、小于70度、小于60度、小于50度、小于40度、以及小于30度。参考图2A和图2C，在一些实施例中，凹槽G具有沿实质上垂直于衬底基板10的平面的横截面，该横截面具有倒梯形形状。参考图4B和图2C，在一些实施例中，发光层52和第二电极53至少部分地覆盖绝缘岛21的侧S3'。
在一些实施例中，发光元件是有机发光二极管，其包括第一电极(例如，阳极)、位于第一电极上的有机发光层、以及位于有机发光层的远离第一电极的一侧的第二电极(例如，阴极)。
另一方面，本公开提供了一种制造像素结构的方法。在一些实施例中，该方法包括：在衬底基板上形成绝缘岛；在绝缘岛的远离衬底基板的一侧形成发光元件；在衬底基板上形成围绕绝缘岛的绝缘层，绝缘层形成为通过凹槽与绝缘岛间隔开；以及在绝缘层的围绕发光元件的周边的侧面上形成反射层，反射层被配置为反射从发光元件横向发射的光以从像素结构的发光表面射出。可选地，绝缘层形成为其相对于衬底基板的主表面的高度大于绝缘岛相对于衬底基板的主表面的高度。
在一些实施例中，形成发光元件的步骤包括：形成第一电极；在第一电极上形成发光层；以及在发光层的远离第一电极的一侧形成第二电极。可选地，第一电极形成为与反射层断开。可选地，绝缘岛和绝缘层形成为使得绝缘层相对于衬底基板的主表面的高度大于位于夹在第一电极和第二电极之间的区域中的发光层相对于衬底基板的主表面的高度。
在一些实施例中，该方法还包括形成限定像素孔的像素限定层。发光层形成在像素孔中，并且像素限定层形成在第一电极的远离绝缘岛的一侧。
在一些实施例中，使用相同的电极材料在同一图案化步骤中形成反射层和第一电极。
在一些实施例中，绝缘岛形成为具有背向衬底基板的第一侧、与第一侧相对并面向衬底基板的第二侧、以及连接第一侧和第二侧的第三侧。可选地，绝缘岛的第三侧相对于绝缘岛的第二侧的倾斜角大于约90度。可选地，形成反射层和第一电极包括在绝缘岛和绝缘层上沉积电极材料层，电极材料层在凹槽处中断，从而将反射层与第一电极分离。
在一些实施例中，像素限定层至少部分地形成在凹槽中，使绝缘层和反射层与绝缘岛间隔开。
在一些实施例中，像素限定层实质上形成在凹槽外部；并且第二电极和发光层形成为延伸到凹槽中。
图5A至图5D示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。参考图5A，在衬底基板10上形成绝缘岛21。可选地，可以通过在衬底基板10上涂覆绝缘材料层，随后进行包括曝光和显影的光刻工艺以对绝缘材料层进行图案化来形成绝缘岛21。参考图5B，在形成绝缘岛21之后，在衬底基板10上形成绝缘层22。绝缘层22形成为围绕绝缘岛21，绝缘层22通过凹槽G与绝缘岛21间隔开。绝缘层22形成为其相对于衬底基板10的主表面M的高度h1大于绝缘岛21相对于衬底基板10的主表面M的高度h2。参考图5C，使用相同的材料并使用相同的掩模板在单个图案化步骤中形成反射层40和第一电极51。反射层40形成在绝缘层22的围绕绝缘岛21的周边的侧面上。第一电极51形成在绝缘岛21上，绝缘岛21在衬底基板10上的正投影实质上覆盖第一电极51在衬底基板10上的正投影。第一电极51形成为与反射层40断开。
可以使用各种适当的反射导电材料和各种适当的制造方法来制作金属电极段。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将反射导电材料沉积在衬底上。合适的反射导电材料的示例包括但不限于诸如铜、铝、银、钼、铬、钕、镍、锰、钛、钽和钨的金属材料。
可以使用各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法来制作绝缘岛和绝缘层。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在衬底上沉积绝缘材料。适当的绝缘材料的示例包括但不限于聚酰亚胺、硅的氧化物(SiOy)、硅的氮化物(SiNy，例如，Si3N4)和硅的氮氧化物(SiOxNy)。
参考图5C，在形成第一电极51之后，在第一电极51的远离绝缘岛21的一侧形成用于限定像素孔的像素限定层30。在该示例中，像素限定层30形成为延伸到凹槽G中，然而，像素限定层30不与绝缘层22直接接触。而是，像素限定层30形成为通过凹槽G中的反射层40与绝缘层22间隔开。
可以使用各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法来制作像素限定层。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在衬底上沉积绝缘材料。适当的绝缘材料的示例包括但不限于聚酰亚胺、硅的氧化物(SiOy)、硅的氮化物(SiNy，例如，Si3N4)和硅的氮氧化物(SiOxNy)。
参考图5D，在形成像素限定层30之后，在第一电极51的远离绝缘岛21的一侧形成发光层52，并且在发光层52远离第一电极51的一侧形成第二电极53。可选地，第二电极53形成为实质上覆盖像素结构的发光表面。
可以使用各种适当的反射导电材料和各种适当的制造方法来制作第二电极。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在衬底上沉积透明导电材料。适当的透明导电材料的示例包括但不限于各种透明金属电极材料、透明金属氧化物电极材料和透明碳纳米管。透明金属电极材料的示例包括银和镁/银合金或层压件。透明金属氧化物材料的示例包括但不限于氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓和氧化铟镓锌。
可选地，发光层52是有机发光层。如图5D所示，从发光元件50横向发射的光被反射层40沿着从像素结构的发光表面射出的方向反射(箭头所示的光束)。
在图5A至图5D中，可以使用正性光刻胶材料形成绝缘岛21和绝缘层22，并且绝缘岛21和绝缘层22形成为具有过切轮廓，例如，绝缘岛21和绝缘层22形成为具有沿实质上垂直于衬底基板10的平面的梯形形状的横截面。
图6A至图6D示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。参考图6A，在衬底基板10上形成绝缘岛21。在该实施例中，绝缘岛21形成为具有底切轮廓。例如，可以通过在衬底基板10上涂覆负性光致抗蚀剂材料层来形成绝缘岛21。然后使用用于图案化负性光致抗蚀剂材料层的包括曝光和显影的光刻工艺来图案化负性光致抗蚀剂材料层以形成具有底切轮廓的绝缘岛21，例如，绝缘岛21形成为具有沿着实质上垂直于衬底基板10的平面的横截面，该横截面具有倒梯形形状。
参考图6B，在形成绝缘岛21之后，在衬底基板10上形成绝缘层22。可以通过在衬底基板10上涂覆正性光刻胶材料层，使用正性光刻胶材料形成绝缘层22。绝缘层22形成为具有过切轮廓，例如，绝缘层22形成为具有沿实质上垂直于衬底基板10的平面的梯形形状的横截面。绝缘层22形成为围绕绝缘岛21，绝缘层22通过凹槽G与绝缘岛21间隔开。参考图6B，在一些实施例中，凹槽G具有沿实质上垂直于衬底基板10的平面的横截面，该横截面具有实质上平行四边形的形状。绝缘层22形成为其相对于衬底基板10的主表面M的高度h1大于绝缘岛21相对于衬底基板10的主表面M的高度h2。
参考图6C，使用相同的材料并使用相同的掩模板在单个图案化步骤中形成反射层40和第一电极51。反射层40形成在绝缘层22的围绕绝缘岛21的周边的侧面上。第一电极51形成在绝缘岛21上，绝缘岛21在衬底基板10上的正投影实质上覆盖第一电极51在衬底基板10上的正投影。第一电极51形成为与反射层40断开。在该实施例中，因为凹槽G具有实质上平行四边形的横截面并且绝缘岛21具有底切轮廓，所以用于形成反射层40和第一电极51的导电材料在沉积在衬底上时自然地在凹槽G处中断，从而将反射层40与第一电极51分离。
参考图6C，在形成第一电极51之后，在第一电极51的远离绝缘岛21的一侧形成用于限定像素孔的像素限定层30。在该示例中，像素限定层30形成为延伸到凹槽G中，然而，像素限定层30不与绝缘层22直接接触。而是，像素限定层30形成为通过凹槽G中的反射层40与绝缘层22间隔开。
参考图6D，在形成像素限定层30之后，在第一电极51的远离绝缘岛21的一侧形成发光层52，并且在发光层52的远离第一电极51的一侧形成第二电极53。可选地，第二电极53形成为实质上覆盖像素结构的发光表面。如图6D所示，从发光元件50横向发射的光被反射层40沿着从像素结构的发光表面射出的方向反射(箭头所示的光束)。
图7A至图7D示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。图7A和图7B中所示的处理分别与图5A和图5B中所示的处理大致相似。参考图7C，在形成第一电极51之后，在第一电极51的远离绝缘岛21的一侧形成用于限定像素孔的像素限定层30。在该示例中，像素限定层30实质上形成在凹槽G的外部。因此，像素限定层30形成为不覆盖反射层40，而是形成在限制为覆盖绝缘岛21上的第一电极51的周边的区域中。像素限定层30形成为通过凹槽G中的反射层40与绝缘层22间隔开。
参考图7D，在形成像素限定层30之后，在第一电极51的远离绝缘岛21的一侧形成发光层52，并且在发光层52的远离第一电极51的一侧形成第二电极53。在该实施例中，发光层52和第二电极53形成为延伸到凹槽G中。可选地，第二电极53形成为实质上覆盖像素结构的发光表面。如图7D所示，从发光元件50横向发射的光被反射层40沿着从像素结构的发光表面射出的方向反射(箭头所示的光束)。
另一方面，本公开提供一种显示基板，其具有本文所述的像素结构或通过本文所述的方法制造的像素结构。另一方面，本公开提供一种显示面板，其具有本文所述的像素结构或通过本文所述的方法制造的像素结构。另一方面，本公开提供一种显示装置，其具有本文所述的像素结构或通过本文所述的方法制造的像素结构。可选地，显示装置是有机发光二极管显示装置。适当的显示装置的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相册、GPS等。
已经出于说明和描述的目的呈现了本发明的实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使本领域技术人员能够通过各种实施例及适用于特定用途或所构思的实施方式的各种变型来理解本发明。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而不应解释为对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非已给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变型。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。
Claims (16)
1.一种像素结构，包括：
衬底基板；
绝缘岛，其位于所述衬底基板上；
发光元件，其位于所述绝缘岛的远离所述衬底基板的一侧；
绝缘层，其位于所述衬底基板上，并且围绕所述绝缘岛，所述绝缘层通过凹槽与所述绝缘岛隔开；以及
反射层，其位于所述绝缘层的围绕所述发光元件的周边的侧面上，并且被配置为反射从所述发光元件横向发射的光以从所述像素结构的发光表面射出；
其中，所述绝缘层相对于所述衬底基板的主表面的高度大于所述绝缘岛相对于所述衬底基板的主表面的高度；
其中，所述发光元件包括：第一电极、位于所述第一电极上的发光层、以及位于所述发光层的远离所述第一电极的一侧的第二电极；
所述第一电极与所述反射层断开；并且
所述绝缘层相对于所述衬底基板的主表面的高度大于位于夹在所述第一电极和所述第二电极之间的区域中的所述发光层相对于所述衬底基板的主表面的高度；
所述绝缘岛具有背向所述衬底基板的第一侧、与所述第一侧相对且面向所述衬底基板的第二侧、以及连接所述第一侧和所述第二侧的第三侧；并且
其中，所述发光层和所述第二电极至少部分地覆盖所述绝缘岛的第三侧。
2.根据权利要求1所述的像素结构，还包括限定像素孔的像素限定层；
其中所述发光层位于所述像素孔中；并且
所述像素限定层位于所述第一电极的远离所述绝缘岛的一侧。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其中，所述像素限定层实质上位于所述凹槽外；并且
所述第二电极和所述发光层延伸到所述凹槽中。
4.根据权利要求2所述的像素结构，其中，所述像素限定层与所述绝缘层间隔开。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述绝缘岛的第三侧相对于所述绝缘岛的第二侧的倾斜角小于约90度。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述绝缘层具有背向所述衬底基板的第一侧、与所述第一侧相对且面向所述衬底基板的第二侧、以及连接所述第一侧和所述第二侧的第三侧；所述反射层位于所述绝缘层的第三侧。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其中，所述绝缘层的第三侧至少在与所述绝缘层的一部分相对应的区域中是实质上平坦的，所述绝缘层的该部分相对于所述衬底基板的主表面的高度大于所述绝缘岛相对于所述衬底基板的主表面的高度。
8.根据权利要求7所述的像素结构，其中，所述绝缘层的第三侧相对于所述绝缘层的第二侧的倾斜角小于约90度。
9.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述反射层在所述凹槽中与所述衬底基板直接接触。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的像素结构，其中，所述发光元件为有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一电极、位于所述第一电极上的有机发光层、以及位于所述有机发光层的远离所述第一电极的一侧的第二电极。
11.一种显示装置，包括根据权利要求1至10中任一项所述的像素结构。
12.一种制造像素结构的方法，包括：
在衬底基板上形成绝缘岛；
在所述绝缘岛的远离所述衬底基板的一侧形成发光元件；
在所述衬底基板上形成围绕所述绝缘岛的绝缘层，所述绝缘层形成为通过凹槽与所述绝缘岛间隔开；
在所述绝缘层的围绕所述发光元件的周边的侧面上形成反射层，所述反射层被配置为反射从所述发光元件横向发射的光，以从所述像素结构的发光表面射出；
其中，所述绝缘层形成为其相对于所述衬底基板的主表面的高度大于所述绝缘岛的相对于所述衬底基板的主表面的高度；
其中，形成发光元件包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成发光层；以及在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成第二电极；并且
其中，所述第一电极形成为与所述反射层断开；并且
所述绝缘层相对于所述衬底基板的主表面的高度大于位于夹在所述第一电极和所述第二电极之间的区域中的所述发光层相对于所述衬底基板的主表面的高度；
所述绝缘岛形成为具有背向所述衬底基板的第一侧、与所述第一侧相对且面向所述衬底基板的第二侧、以及连接所述第一侧和所述第二侧的第三侧；并且
其中，所述发光层和所述第二电极形成为至少部分地覆盖所述绝缘岛的第三侧。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，
在形成所述第一电极之后，所述方法还包括形成限定像素孔的像素限定层；
其中，所述发光层形成在所述像素孔中；并且
所述像素限定层形成在所述第一电极的远离所述绝缘岛的一侧。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，使用相同的电极材料在同一图案化步骤中形成所述反射层和所述第一电极。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述绝缘岛的第三侧相对于所述绝缘岛的第二侧的倾斜角小于约90度；
其中，形成所述反射层和所述第一电极包括：在所述绝缘岛和所述绝缘层上沉积电极材料层，所述电极材料层在凹槽处中断，从而将所述反射层与所述第一电极分离。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述像素限定层实质上形成在所述凹槽外；并且
所述第二电极和所述发光层形成为延伸到所述凹槽中。
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