KR100943948B1

KR100943948B1 - 표시 장치

Info

Publication number: KR100943948B1
Application number: KR1020080002111A
Authority: KR
Inventors: 김금남
Original assignee: 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date: 2008-01-08
Filing date: 2008-01-08
Publication date: 2010-02-26
Also published as: US20090174320A1; KR20090076263A

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는, 기판과, 상기 기판 위에 형성된 제1 막과, 상기 기판 위에 형성된 유기 발광 소자들 및 상기 제1막 위에 형성되고 상기 유기 발광 소자들 사이에 배치되어 상기 유기 발광 소자에서 출사된 빛을 발광 방향으로 집광시키는 집광 부재를 포함한다.

유기 발광 표시 장치, 전면 발광, 배면 발광, 반사막, 배리어

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 새는 빛을 발광 방향으로 반사시켜 발광 효율을 높일 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.

최근, 표시 장치에 적용되고 있는 다양한 표시 패널 중에서도 급속하게 발전하고 있는 반도체 기술에 수반하여 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode; OLED)를 이용한 표시 패널이 주목 받고 있다.

유기 발광 소자를 이용한 능동 구동형 유기 발광 표시 장치는 기판 위에 화상 표현의 기본 단위인 화소(pixel)를 매트릭스 방식으로 배열하고, 각 화소마다 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 배치하여 독립적으로 화소를 제어한다.

이러한 유기 발광 표시 장치는 발광된 빛이 방출되는 방향에 따라 전면 발광형 및 배면 발광형 표시 장치로 구분할 수 있다.

이러한 유기 발광 표시 장치는 하나의 단위 화소에서 발광된 빛이 온전하게 발광 방향으로 방출되어야만, 소비자가 원하는 휘도 특성을 등을 유지할 수 있다. 그러나, 현실적으로 하나의 단위 화소에서 발광된 빛의 일부가 대응하는 유기 발광 소자의 주위에 위치한 막(예; 평탄화막)을 타고 다른 단위 화소로 새어나가 인접한 단위 화소들까지 발광되는 결과를 낳고 있다. 이로 인해 유기 발광 표시 장치는 원하지 않는 단위 화소의 발광으로 표시 품질의 저하가 초래되고 있다.

또한, 유기 발광 표시 장치는 휴대(cellular)폰, 개인 휴대 정보 단말기 (Personal Digital Assistant; PDA) 및 휴대형 멀티미디어 플레이어(Portable Multimedia Player; PMP) 등과 같이 소형 제품이면서 이동용 제품인 전자 기기에 주로 장착되어 사용되므로, 휴대가 간편하도록 그 부피가 크지 않은 특성을 지녀야만 표시 장치로서 우수한 기능을 수행할 수 있고, 제조 공정상에도 이점을 지닐 수 있다.

제조 공정이 간단하면서도 광효율을 높일 수 있는 표시 장치를 제공하고자 한다.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는, 기판과, 상기 기판 위에 형성된 제1 막과, 상기 기판 위에 형성된 유기 발광 소자들 및 상기 제1 막 위에 형성되고 상기 유기 발광 소자들 사이에 배치되어 상기 유기 발광 소자에서 출사된 빛을 발광 향으로 집광시키는 집광 부재를 포함한다.

상기 집광 부재는, 상기 유기 발광 소자의 가장자리에 배치된 배리어 및 상기 배리어 표면에 형성된 반사막을 포함할 수 있다.

상기 유기 발광 소자와 연결된 박막 트랜지스터를 더욱 포함하고, 상기 제1 막이 상기 유기 발광 소자와 박막 트랜지스터 사이에 형성된 절연막이고, 상기 배리어가 상기 절연막으로부터 돌출되어 형성될 수 있다.

상기 배리어가 상기 절연막과 동일한 물질로 형성될 수 있다.

상기 배리어가 상기 유기 발광 소자를 둘러싸게 배치되어 형성될 수 있다.

유기 발광 소자는 제1 화소 전극, 유기 발광층 및 제2 화소 전극을 포함하고, 상기 반사막이 상기 제1 화소 전극에서 연장 형성될 수 있으며, 이 때, 상기 반사막은 상기 제1 화소 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.

상기 제1 화소 전극이 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은-합금(Ag-alloy), 및 금-합금(Au-alloy) 중 선택된 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 화소 전극이 투명하게 형성될 수 있는데, 이는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 및 MgAg 중 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 유기 발광 소자와 연결된 박막 트랜지스터 및 상기 유기 발광 소자가 위치하는 제1 개구부를 가지고 상기 제1 막 위에 형성된 화소 정의막을 더욱 포함하고, 상기 제1 막이 상기 유기 발광 소자와 박막 트랜지스터 사이에 형성된 절연막이고, 상기 배리어가 상기 화소 정의막으로 형성될 수 있다.

상기 유기 발광 소자들 사이로 상기 화소 정의막에는 채널이 형성될 수 있으며, 이 채널은 상기 반사막이 위치하는 제2 개구부에 의해 형성될 수 있다.

상기 유기 발광 소자는 제1 화소 전극, 유기 발광층 및 제2 화소 전극을 포함하고, 상기 반사막이 상기 제2 화소 전극에서 연장 형성될 수 있다.

상기 반사막이 상기 채널 내에 배치될 수 있으며, 이러한 반사막은 상기 제2 화소 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.

이 경우, 상기 제1 화소 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 및 MgAg 중 선택된 어느 하나로 이루어져 투명하고, 상기 제2 화소 전극이 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은-합금(Ag-alloy), 및 금-합금(Au-alloy) 중 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 별도의 구성 요소를 통하지 않고 유기 발광층을 둘러싸도록 집광 부재를 형성할 수 있다.

이에 따라 집광 부재에 의해 유기 발광층에서 출사된 빛이 인접한 화소로 새어나가지 않도록 하여 단위 화소에 발광된 빛이 발광 방향으로 온전하게 집광되도록 함으로써 광효율을 높일 수 있다.

또한, 기존의 표시 장치가 갖는 구성 요소를 이용하여 집광 부재를 형성하므로, 구성 요소의 증가에 따른 전체 장치의 부피 확장을 막아 휴대용 제품 적응성을 높일 수 있고, 제조 공정의 간소화로 제조비 상승을 막을 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.

또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위해서는 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

도 1a 내지 도 1n은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치(10)를 제조하는 공정 순서를 나타낸다. 이 표시 장치(10)는 유기 발광 소자에서 출사된 빛이 박막 트랜지스터가 형성된 기판의 반대 방향으로 발광되는 이른바, 전면 발광형 유기 발광 표시 장치로 구성된다. 이 표시 장치(10)는, 기판(110) 상에 형성된 제1 막 위에 유기 발광 소자로부터 발광된 빛이 발광 방향으로 모일 수 있도록 하는 집광 부재를 형성하여 구성되고 있다. 여기서, 제1 막은 기판(110) 위에 형성된 박막 트랜지스터를 덮으면서 기판(110) 상에 형성된 절연막으로서 평탄화막이 적용될 수 있다. 물론, 이 제1 막이 평탄화막으로만 국한되는 것은 아니다.

도 1a을 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼층(120)을 형성하고 버퍼층(120) 위에 비정질 실리콘막(131)을 형성한다. 이어서 400℃ 내지 550℃의 온도에서 비정질 실리콘막(131)에 대한 탈수소 공정을 수행한다.

기판(110)은 절연 재질 또는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 절연 재질로 유리 또는 플라스틱을 사용할 수 있으며, 금속 재질로는 스테인레스 스틸(stainless using steel; SUS)을 사용할 수 있다.

버퍼층(120)은 이후 비정질 실리콘막(131)의 결정화 공정 시, 기판(110) 표 면에 존재하는 불순물들이 비정질 실리콘막(131)으로 확산되는 것을 방지한다. 버퍼층(120)은 일례로 실리콘 질화물(SiN)층 또는 실리콘 질화물(SiN)과 실리콘 산화물(SiO₂)이 적층된 층으로 이루어질 수 있다.

비정질 실리콘막(131)을 형성하고 결정화하기 전에 탈수소 공정을 진행하면, 비정질 실리콘막(131)에 포함된 수소를 미리 제거할 수 있다. 이에 따라 결정화 공정 동안 수소가 떨어져 나가 발생되는 결함들을 미리 방지할 수 있다.

도 1b를 참조하면, 결정화 공정에 의해 비정질 실리콘막(131)을 결정화하여 폴리 실리콘막을 형성하고, 폴리 실리콘막를 패터닝하여 반도체층(130)을 형성한다. 여기서, 폴리 실리콘막은 비정질 실리콘막(131)을 이엘에이(ELA; Excimer Laser Annealing)법으로 결정화하여 형성할 수 있다. 전술한 바와 같이 제조된 반도체층(130)이 폴리 실리콘막으로 이루어지는 경우, 비정질 실리콘막으로 이루어진 경우에 비해 전자(electron)나 정공(hole)의 이동도가 높은 장점이 있다.

도 1c를 참조하면, 반도체층(130)이 형성된 기판(110) 위에 게이트 절연막(140)을 형성한다. 게이트 절연막(140)은 화학적 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 형성할 수 있다. 게이트 절연막(140)은 CVD 챔버 내부에 실란 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 주입하여 실리콘 산화막을 형성하거나 실란 가스와 질소 가스의 혼합 가스는 주입하여 실리콘 질화막을 형성할 수 있다.

게이트 절연막(140)을 형성한 후에는, 도 1d에 도시한 바와 같이, 마스크 패 턴(P)을 형성한다. 마스크 패턴(P)은 게이트 절연막(140)의 전면에 감광제를 도포한 후, 이 감광제를 특정 패턴으로 노광 및 현상하여 형성할 수 있다. 마스크 패턴(P)은 반도체층(130)의 일부 영역, 예컨대 소스/드레인 영역을 노출시키도록 형성한다.

도 1e를 참조하면, 마스크 패턴(P)이 형성된 게이트 절연막(140) 위로 N형 또는 P형 불순물을 주입하여 반도체층(130)의 양측 가장자리에 에 소스 영역(135) 및 드레인 영역(136)을 형성한다. 이때, 소스 영역(135) 및 드레인 영역(136) 사이의 영역, 즉 중앙 부분은 채널 영역(137)으로 작용한다. P형 또는 N형 불순물의 주입 공정에 따라 각각 피모스(PMOS; p-channel metal oxide semiconductor)형 박막 트랜지스터 또는 엔모스(NMOS; n-channel metal oxide semiconductor)형 박막 트랜지스터가 제조될 수 있다.

도 1f를 참조하면, 마스크 패턴(P)을 제거한 후에 게이트 절연막(140) 위로 반도체층(130)의 중앙 부분에 대응하여 게이트 전극(150)을 형성하고, 게이트 전극(150)을 덮도록 층간 절연막(160)을 형성한다. 게이트 전극(150)은 금속, 일례로 MoW, Al, Cr 및 Al/Cr 중 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.

도 1g를 참조하면, 마스크를 이용한 노광/현상 공정 및 식각 공정에 의해 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)을 패터닝하여 제1 컨택홀(1401) 및 제2 컨택홀(1601)을 형성한다. 이로써, 소스 영역(135) 및 드레인 영역(136)이 컨택홀들(1401, 1601)을 통해 노출된다.

다음으로, 도 1h를 참조하면, 층간 절연막(160) 위로 제1 컨택홀(1401) 및 제2 컨택홀(1601)을 통하여 소스 영역(135) 및 드레인 영역(136)과 전기적으로 연결되는 소스 전극(171) 및 드레인 전극(172)을 형성한다. 소스 전극(171) 및 드레인 전극(172)은 금속, 예를 들어 Ti/Al 또는 Ti/Al/Ti으로 이루어질 수 있다.

이로써, 박막 트랜지스터(T)를 제조할 수 있다.

다음으로, 박막 트랜지스터(T) 위에 형성되고 박막 트랜지스터(T)의 일부와 전기적으로 연결된 유기 발광 소자(L)를 설명한다. 여기서, 박막 트랜지스터(T)와 유기 발광 소자(L)는 표시 장치(10)의 단위 화소를 구성한다.

도 1i를 참조하면, 도 1h의 박막 트랜지스터(T)를 덮으면서 층간 절연막(160) 위에는 평탄화막(180)이 형성된다. 그리고, 이 평탄화막(180)에 마스크를 이용한 노광/현상 공정 및 식각 공정으로 패터닝된 비아홀(1801)을 형성한다.

도 1j를 참조하면, 평탄화막(180) 위에 절연 물질로서 임의의 두께를 갖는 층을 형성한 후, 이를 패터닝하여 배리어(191)를 형성한다. 배리어(191)는 유기 발광 소자(L)를 사방에서 감싸도록 이의 가장자리에 형성된 격자형의 격벽으로 이루어진다. 이때, 배리어(191)는 그 하부에 배치된 평탄화막(180)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

이러한 배리어(191)는 평탄화막(180)이 형성된 후, 이 평탄화막(180)의 형성시 사용된 마스크와 다른 마스크를 사용하여 평탄화막(180) 위에 패터닝될 수 있다. 그러나 본 발명에 있어 이 배리어의 형성 방법이 이것으로 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 광 투과량을 조절하여 감광막의 노광 두께를 조절할 수 있는 하프톤 마스크(halftone-mask)를 이용하여 평탄화막과 배리어를 동시에 형성할 수 있 다. 이 방법은 2 개의 마스크를 사용하는 전자의 경우에 비해 공정이 단순해지는 장점이 있다.

이어서, 도 1k를 참조하면, 평탄화막(180) 위에는 제1 화소 전극(200)이 형성된다. 제1 화소 전극(200)은 비아홀(1801)을 통해 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(172)과 전기적으로 연결된다.

제1 화소 전극(200)은 평탄화막(180)의 윗부분뿐만 아니라, 배리어(191)의 경사면(1911) 또는/및 상면(1913)을 따라 연장 형성될 수 있는데, 본 실시예에서는 배리어(191)의 경사면(1911) 및 상면(1913)에 형성된다. 여기서, 제1 화소 전극(200)의 일부, 즉, 배리어(191)의 경사면(1911)에 형성된 부위는 배리어(191)와 함께 집광 부재(190)를 구성하여 유기 발광 소자(L)에서 발광된 빛을 발광 방향으로 모아 주는 역할을 하게 되는데, 이하 이를 반사막(192)이라 칭한다.

도 1l을 참조하면, 제1 화소 전극(200), 반사막(192), 및 배리어(191)를 덮으면서 평탄화막(180) 위에는 화소 정의막(210)이 형성된다. 이 화소 정의막(210)의 일부는 패터닝되어 개구부(2101)를 형성한다. 이로써, 제1 화소 전극(200)의 일부가 개구부(2101)를 통해 노출된다. 이 화소 정의막(210)은 서로 인접한 화소의 제1 화소 전극(200)을 전기적으로 분리시킨다.

도 1m을 참조하면, 화소 정의막(210)에 형성된 개구부(2101)를 통해 제1 화소 전극(200) 위에는 유기 발광층(220)을 형성한다.

유기 발광층(220)은 실제 발광이 이루어지는 발광층과 발광층의 상하부에 위치하여 정공이나 전자 등의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달시켜 주기 위한 유기층을 더 포함할 수 있다. 일례로, 유기층은 발광층과 제1 화소 전극(210) 사이에 형성되는 정공 주입층 및 정공 수송층과, 발광층과 제2 화소 전극(230) 사이에 형성되는 전자 전달층 및 전자 수송층 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.

도 1n을 참조하면, 기판(110)의 전면으로 복수의 단위 화소들에 공통적으로 음극 전압을 제공하기 위한 제2 화소 전극(230)을 형성한다. 일례로, 제1 화소 전극(200)은 정공을 주입하는 기능을 수행하고, 제2 화소 전극(230)은 전자를 주입하는 기능을 수행한다. 이로써 제1 화소 전극(200), 유기 발광층(220) 및 제2 화소 전극(230)이 순차적으로 형성되어 유기 발광 소자(L)를 구성한다.

제2 화소 전극(230)은 유기 발광 소자(L)의 발광 방향(도 1n의 실선 화살표 참조)을 고려하여 투명 도전막으로 이루어진다. 일례로, 투명 도전막은 IZO, ITO 또는 MgAg로 이루어질 수 있다.

한편, 본 실시예에서 집광 부재(190)는 각 화소의 유기 발광층(220)에서 출사되는 빛이 화소 정의막(210)을 통해 인접한 화소로 새어나가는 것을 방지한다. 즉, 집광 부재(190)는 유기 발광층(220)에서 출사된 빛을 표시 장치(10)의 발광 방향으로 집광시킨다.

배리어(191)는 유기 발광 소자(L)의 적층 방향을 기준으로 유기 발광층(220)보다 높게 형성되는 것이 좋다. 전술한 것처럼 배리어(191)는 유기 발광 소자(L)를 둘러쌀 수 있도록 형성된다.

반사막(192)은 유기 발광층(220)에서 출사된 빛을 도 1n의 점선 화살표 방향을 따라 반사시킴으로써 이 빛을 표시 장치(10)의 발광 방향을 향해 집광시킨다. 이를 위해, 반사막(192)은 반사율이 높은 물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은(Ag), 은-합금(Ag-alloy), 금(Au) 또는 금-합금(Au-alloy)으로 이루어질 수 있다.

본 실시예의 표시 장치(10)는 전면 발광형 표시 장치(10)로서, 표시 장치(10)의 발광 효율을 높이기 위해 제1 화소 전극(200)이 반사 물질로 이루어진다. 이 경우, 전술한 바와 같이(도 1l참조), 제1 화소 전극(200)을 배리어(191)의 경사면(1911)까지 연장시켜 반사막(192)을 형성할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 배리어(191)의 경사면(1911)에 형성되고, 반사 기능을 가진다면 반사막의 형태 및 물질은 다양하게 변형될 수 있다.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치(10')를 제조하는 공정 순서를 나타낸다. 이 표시 장치(10')는 유기 발광 소자에서 출사된 빛이 박막 트랜지스터(T)를 통과하여 기판(110)을 통해 발광되는 이른바 배면 발광형 유기 발광 표시 장치로 구성된다.

도 2a 내지 도 2f 에서는 편의상 박막 트랜지스터(T)의 제조 순서에 대한 설명을 생략하였으며, 도 1에서와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이 표시 장치(10') 역시, 전술한 실시예의 표시 장치가 갖는 집광 부재를 구성 요소로서 포함하고 있다.

도 2a를 참조하면, 박막 트랜지스터(T)를 덮으면서 층간 절연막(160) 위에는 평탄화막(180)을 형성하고, 이 평탄화막(180)을 패터닝하여 비아홀(1801)을 형성한다.

도 2b를 참조하면, 평탄화막(180) 위에 제1 화소 전극(200')을 형성한다. 제1 화소 전극(200')은 비아홀(1801)을 통해 드레인 전극(172)과 전기적으로 연결된다. 제1 화소 전극(200')은 배면 발광형 표시 장치(10')의 발광 방향(도 2f의 실선 화살표 방향)을 고려하여 인튬 틴 옥사이드(indium tin oxide; ITO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide; IZO) 또는 Mg/Ag로 이루어지는 투명 전극으로 이루어질 수 있다.

도 2c를 참조하면, 제1 화소 전극(200')을 덮으면서 평탄화막(180) 위에 화소 정의막(210')을 형성한다. 그리고, 화소 정의막(210')을 패터닝하여 제1 개구부(2101')를 형성한다. 제1 개구부(2101')는 제1 화소 전극(200')의 위치에 대응되도록 형성되며, 제1 개구부(2101')를 통해 제1 화소 전극(200')의 일부가 노출된다.

이어서, 도 2d를 참조하면, 화소 정의막(210')을 패터닝하여 제2 개구부(2102')로 만들어진 채널(2103')을 형성한다. 이 채널(2103')은 각 단위 화소의 유기 발광 소자들(L') 사이로 박막 트랜지스터(T)와 가까운 위치에 대응되도록 형성되며, 제2 개구부(2101')를 통해 평탄화막(180)의 일부가 노출된다. 이러한 채널(2103')은 표시 장치(10')를 평면 상태로 보았을 때, 단위 화소의 가장자리를 따라 이 단위 화소를 둘러싸면서 형성되게 된다.

이와 같은 채널은, 이 제2 실시예에서와 같이 개구 형태를 가지고 형성될 수도 있고, 다른 한편으로 홈 형태로도 형성 가능하다.

전술한 화소 정의막(210')은 서로 인접한 단위 화소들의 제1 화소 전극 들(200')을 전기적으로 분리시킨다.

도 2e를 참조하면, 화소 정의막(210')에 형성된 제1 개구부(2101')를 통해 제1 화소 전극(200') 위에 유기 발광층(220)을 형성한다.

유기 발광층(220)은 실제 발광이 이루어지는 발광층과 발광층의 상하부에 위치하여 정공이나 전자 등의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달시켜 주기 위한 유기층을 더 포함할 수 있다. 일례로, 유기층은 발광층과 제1 화소 전극(210') 사이에 형성되는 정공 주입층 및 정공 수송층과, 발광층과 제2 화소 전극(230') 사이에 형성되는 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.

도 2f를 참조하면, 기판(110)의 전면으로 복수의 단위 화소들에 공통적으로 음극 전압을 제공하기 위한 제2 화소 전극(230')을 형성한다. 이 제2 실시예에서 제1 화소 전극(200')은 정공을 주입하는 기능을 수행하고, 제2 화소 전극(230')은 전자를 주입하는 기능을 수행한다. 이로써 제1 화소 전극(200'), 유기 발광층(220) 및 제2 화소 전극(230')이 순차적으로 형성되어 유기 발광 소자(L')를 구성한다.

제2 화소 전극(230')은 유기 발광 소자(L')의 발광 방향(도 2의 실선 화살표 참조)을 고려하여 반사 물질로 이루어질 수 있다. 일례로 알루미늄(Al), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은(Ag), 은-합금(Ag-alloy), 금(Au) 또는 금-합금(Au-alloy)으로 이루어질 수 있다.

이 제2 실시예에서 제2 화소 전극(230')은 화소 정의막(210')의 제2 개구부(2102') 내로 배치되어 화소 정의막(210') 및 평탄화막(180)의 표면에 형성된다. 이러한 구조에 의해 화소 정의막(210')은 유기 발광층(220)을 포함한 유기 발광 소자(L')를 둘러싸는 배리어 역할을 하고, 제2 개구부(2102') 내에 형성된 제2 화소 전극(230')은 반사막의 역할을 한다.

이와 같이 구성된 표시 장치(10')는, 그 작용시, 유기 발광층(220)에서 출사된 빛 중 화소 정의막(210')을 타고 흐르는 빛은 제2 개구부(2102')내에 형성된 제2 화소 전극(230')에 의해 도 2f의 점선 화살표 방향을 따라 반사되어 표시 장치(10')의 발광 방향을 향해 집광된다. 즉, 화소 정의막(210') 및 제2 화소 전극(230')이 유기 발광층(220)에서 출사되는 빛을 표시 장치(10')의 발광 방향으로 집광시키는 집광 부재의 역할을 하게 되고, 표시 장치(10')는 이로 인해 광효율을 향상시킬 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

도 1a 내지 도 1n은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 제조 과정을

도시한 순서도이다.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 제조 과정을 도시한 순서도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 참조 부호의 설명>

10; 표시 장치 190; 집광 부재

191; 배리어 192; 반사막

Claims

기판;

상기 기판 위에 형성된 제1 막;

상기 기판 위에 형성된 유기 발광 소자들; 및

상기 제1 막 위에 형성되고, 상기 유기 발광 소자들 사이에 배치되어 상기 유기 발광 소자에서 출사된 빛을 발광 방향으로 집광시키는 집광 부재

를 포함하고,

상기 집광 부재는,

상기 유기 발광 소자의 가장자리에 배치된 배리어; 및

상기 배리어 표면에 형성된 반사막

을 포함하고,

상기 유기 발광 소자는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 위에 형성된 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 위에 형성된 제2 화소 전극을 포함하고,

상기 반사막이 상기 제1 화소 전극과 동일한 물질로 형성되고, 상기 제1 화소 전극에서 연장 형성된 표시 장치.
삭제
제1항에 있어서,

상기 유기 발광 소자와 연결된 박막 트랜지스터를 더욱 포함하고,

상기 제1 막이 상기 유기 발광 소자와 상기 박막 트랜지스터 사이에 형성된 절연막이고,

상기 배리어가 상기 절연막으로부터 돌출되어 형성된 표시 장치.
제3항에 있어서,

상기 배리어가 상기 절연막과 동일한 물질로 형성된 표시 장치.
제1항에 있어서,

상기 배리어가 상기 유기 발광 소자를 둘러싸게 배치된 표시 장치.
삭제
삭제
제1항에 있어서,

상기 제1 화소 전극이 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은-합금(Ag-alloy), 및 금-합금(Au-alloy) 중 선택된 어느 하나를 포함하고,

상기 제2 화소 전극이 투명한 표시 장치.
제8항에 있어서,

상기 제2 화소 전극이 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 및 MgAg 중 선택된 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
기판;

상기 기판 위에 형성된 제1 막;

상기 기판 위에 형성된 유기 발광 소자들;

상기 제1 막 위에 형성되고, 상기 유기 발광 소자들 사이에 배치되어 상기 유기 발광 소자에서 출사된 빛을 발광 방향으로 집광시키는 집광 부재; 및

상기 유기 발광 소자가 위치하는 제1 개구부를 가지고 상기 제1 막 위에 형성된 화소 정의막

를 포함하고,

상기 집광 부재는,

상기 유기 발광 소자의 가장자리에 배치된 배리어; 및

상기 배리어 표면에 형성된 반사막

을 포함하고,

상기 유기 발광 소자는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 위에 형성된 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 위에 형성된 제2 화소 전극을 포함하고,

상기 유기 발광 소자들 사이로 상기 화소 정의막에는 상기 반사막이 위치하는 제2 개구부에 의해 형성된 채널이 형성되고,

상기 반사막이 상기 제2 화소 전극과 동일한 물질로 형성되고, 상기 제2 화소 전극에서 연장 형성된 표시 장치.
제10항에 있어서,

상기 유기 발광 소자와 연결된 박막 트랜지스터를 더욱 포함하고,

상기 제1 막이 상기 유기 발광 소자와 박막 트랜지스터 사이에 형성된 절연막이고, 상기 배리어가 상기 화소 정의막으로 형성된 표시 장치.
삭제
삭제
삭제
삭제
제10항에 있어서,

상기 제1 화소 전극이 투명하고, 상기 제2 화소 전극이 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은-합금(Ag-alloy), 및 금-합금(Au-alloy) 중 선택된 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
제16항에 있어서,

상기 제1 화소 전극이 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 및 MgAg 중 선택된 어느 하나를 포함하는 표시 장치.