KR102395917B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102395917B1 KR102395917B1 KR1020210093513A KR20210093513A KR102395917B1 KR 102395917 B1 KR102395917 B1 KR 102395917B1 KR 1020210093513 A KR1020210093513 A KR 1020210093513A KR 20210093513 A KR20210093513 A KR 20210093513A KR 102395917 B1 KR102395917 B1 KR 102395917B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- resin
- protrusion
- area
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- -1 poly(phenyleneethers) Polymers 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 7
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 5
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 167
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H01L27/3246—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H01L27/3248—
-
- H01L27/3258—
-
- H01L51/5246—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H01L2227/323—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
기판, 상기 기판 상에 구비되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 단부와 오버랩되어 구비되며, 상기 제 1 전극을 발광 영역과 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막, 상기 화소 정의막에 의해 구분된 상기 제 1 전극의 발광 영역 상에 구비되는 발광층, 상기 발광층 상에 구비되는 제 2 전극 및 상기 화소 정의막 상에 구비되며, 상기 제 1 전극의 단부와 오버랩되는 영역에 구비되는 돌출부를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로 특히, 화소 정의막 상에 구비되는 돌출부를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 블랙 매트릭스 또는 화소 정의막에 의해 정의되는 영역에 구비되는 복수개의 화소를 포함한다. 표시 장치는 발광 방식에 따라 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel, PDP) 및 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등으로 분류된다.
이러한 표시 장치 가운데, 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공이 유기 물질 내에서 결합하여 스스로 빛을 발하는 현상을 이용하는 것으로, 구동 방법에 따라 수동 매트릭스(Passive Matrix) 유기 발광 표시 장치와 능동 매트릭스(Active Matrix) 유기 발광 표시 장치로 구분될 수 있다. 능동 매트릭스 유기 발광 표시 장치는 각각의 화소 내부에 박막 트랜지스터와 같은 스위치 소자를 구비하여 각 화소의 발광을 제어한다.
유기 발광 표시 장치는 표시 기판을 포함하며, 상기 표시 기판은 복수개의 화소를 포함하는 표시 영역 및 상기 각각의 화소에 다수의 신호 및 구동 전압을 인가하는 배선이 구비되는 비표시 영역을 포함한다. 또한, 상기 비표시 영역은 하부 기판과 상부 기판을 접착하기 위한 실링 재료가 도포되는 실링 영역을 포함할 수 있다.
한편, 최근 표시 장치에서 비표시 영역의 슬림화에 대한 요구가 증대함에 따라, 상기 실링 영역의 면적을 감소시키게 되어 실링재와 기판의 접착이 곤란한 문제가 발생한다. 이에 실링 영역에서 실링재와 기판의 접착을 효과적으로 향상하기 위하여, 상기 실링 영역에 다수의 컨택홀을 형성하여 접촉면적을 증가시키는 방법이 사용된다.
다만, 상기 실링 영역에 다수의 컨택홀을 형성하는 경우, 유기 발광 표시 장치 제조 과정에서 도포되는 포토레지스트 또는 감광성 재료 등이 상기 컨택홀 내에 잔존할 수 있다. 즉, 상기 컨택홀의 위치 및 구조에 기인한 노광량 부족 등의 이유로 포토레지스트 또는 감광성 재료 등이 상기 컨택홀 내에 잔존할 수 있다.
상기 컨택홀 내에 잔존하는 포토레지스트 또는 감광성 재료를 제거하기 위해서 노광량을 기준치보다 증가시키는 경우, 컨택홀 내에 잔존하는 포토레지스트 또는 감광성 재료는 제거될 수 있지만, 다른 영역(예를 들면, 발광 영역)에서의 노광량은 기준치보다 증가하게 되어 상기 발광 영역의 면적이 증가하는 등의 문제가 발생할 수 있다.
이에 본 발명에서는 실링 영역의 컨택홀에 포토레지스트 또는 감광성 재료가 잔존하지 않으면서도, 과도한 노광으로 인하여 발광 영역의 면적이 증가하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다.
기판, 상기 기판 상에 구비되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 단부와 오버랩되어 구비되며, 상기 제 1 전극을 발광 영역과 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막, 상기 화소 정의막에 의해 구분된 상기 제 1 전극의 발광 영역 상에 구비되는 발광층, 상기 발광층 상에 구비되는 제 2 전극 및 상기 화소 정의막 상에 구비되며, 상기 제 1 전극의 단부와 오버랩되는 영역에 구비되는 돌출부를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 돌출부는 상기 발광 영역의 에지부를 따라 구비될 수 있다.
상기 돌출부의 폭은 1㎛ 내지 5㎛로 구비될 수 있다.
상기 돌출부의 높이는 1㎛ 내지 5㎛로 구비될 수 있다.
상기 돌출부는 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막은 상기 돌출부와 동일한 물질로 구비될 수 있다.
기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극의 일부를 노출시키는 비아홀이 구비된 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 평탄화층 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에, 상기 제 1 전극을 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극의 발광 영역 상에 발광층을 형성하는 단계 및 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 화소 정의막을 형성하는 단계는, 상기 제 1 전극이 형성된 기판 상에 화소 정의막 형성용 물질을 도포하는 단계, 상기 화소 정의막 형성용 물질 상의 상기 제 1 전극의 단부에 대응되는 영역에 돌출부 형성용 물질을 도포하는 단계 및 상기 제 1 전극의 발광 영역을 노광하여 화소 정의막 및 돌출부를 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법을 제공한다.
상기 돌출부는 상기 발광 영역의 에지부를 따라 형성될 수 있다.
상기 돌출부의 폭은 1㎛ 내지 5㎛로 형성될 수 있다.
상기 돌출부의 높이는 1㎛ 내지 5㎛로 형성될 수 있다.
상기 돌출부 형성용 물질은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막은 상기 돌출부와 동일한 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 표시 장치 및 그의 제조 방법에 따르면, 실링 영역의 컨택홀에 포토레지스트 또는 감광성 재료가 잔존하지 않으면서도, 과도한 노광으로 인하여 발광 영역의 면적이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 표시 장치에서 하나의 화소를 나타낸 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 표시 장치에서 A영역을 확대한 부분 확대도이다.
도 4 및 도 5는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 표시 장치에서 I-I를 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일례에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일례에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 일례에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 표시 장치에서 하나의 화소를 나타낸 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 표시 장치에서 A영역을 확대한 부분 확대도이다.
도 4 및 도 5는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 표시 장치에서 I-I를 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일례에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일례에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 일례에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만을 도면에 예시하고 본문에는 이를 중심으로 설명한다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 상기 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙인다.
도 1은 종래 기술에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 표시 장치(100)는 기판(110)을 포함하며, 상기 기판(110)은 영상을 표시하는 표시 영역(active area, AA)과 상기 표시 영역 가장자리에 형성되는 비표시 영역(non display area, NDA)을 포함한다.
상기 표시 영역(AA)은 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 화소(P)를 포함한다. 상기 복수개의 화소(P)는 배선부(WA)에 포함된 복수개의 데이터 라인, 스캔 라인 및 전원 라인을 통하여 데이터 신호, 스캔 신호 및 구동 전압을 각각 제공받을 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 표시 장치에서 하나의 화소(P)를 나타낸 회로도이다. 도 2를 참조하면, 상기 화소(P)는 스캔 라인(SL)에서 인가되는 스캔 신호에 의해 턴-온(turn-on)되어 데이터 신호를 전달하는 스위칭 트랜지스터(Ts), 상기 전달된 데이터 신호를 저장하는 저장 커패시터(Cst), 상기 전달된 데이터 신호에 따라 유기 발광 소자(OLED)를 구동시키는 구동 트랜지스터(Td)를 포함할 수 있다.
도 2에서 상기 화소(P)는 2Tr1C 구조인 것으로 도시되었으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 화소(P)는 상기 구동 트랜지스터(Td)의 문턱 전압을 보상하거나 초기화하기 위한 추가적인 트랜지스터 및 이를 구동하기 위한 보상 신호를 더 포함할 수 있다. 본 발명에서 상기 화소(P)를 구성하는 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터인 것으로 도시되었으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 화소(P)를 구성하는 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터로 형성될 수도 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 비표시 영역(NDA)은 패드부(PA)를 통해 외부로부터 공급되는 다수의 구동 신호 및 다수의 구동 전압을 상기 표시 영역(AA)으로 제공하는 다수의 배선들이 형성된 배선부(WA) 및 상기 표시 영역(AA)에 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버 집적회로(IC)를 포함한다. 또한, 상기 비표시 영역(NDA)은 상기 배선부(WA) 이외에도 상기 기판(110)과 인캡(encapsulation) 글라스 등을 접합시키기 위한 실링(sealing) 재료가 도포되는 실링 영역(SA)를 포함한다.
도 3은 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 표시 장치(100)에서 A영역을 확대한 부분 확대도이다. 도 3을 참조하면, 상기 비표시 영역(NDA) 내에 구비되는 실링 영역(SA)은 복수개의 컨택홀(Contact Hole, CNT hole)을 포함할 수 있다. 이러한 컨택홀(CNT hole)에 의하여 실링 재료와 기판(110)간의 접촉 면적이 증가되어, 상기 실링 재료와 기판 사이의 접착이 효과적으로 이루어질 수 있다.
도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 종래 기술에 따른 표시 장치(100)에서 I-I를 따라 절단한 단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 종래 기술에 따른 표시 장치(100)는 표시 영역(AA)과 실링 영역(SA)로 구분된다.
종래 기술에 따른 표시 장치(100)의 표시 영역(AA)은, 기판(110), 상기 기판(110) 상에 구비되는 버퍼층(115), 상기 버퍼층(115) 상에 구비되는 반도체층(120), 상기 반도체층(120) 상에 구비되는 게이트 절연막(130), 상기 게이트 절연막(130) 상에 구비되는 게이트 전극(135), 상기 게이트 전극(135) 상에 구비되는 층간 절연막(140), 상기 게이트 절연막(130) 및 층간 절연막(140)을 관통하여 상기 반도체층(120)의 소스 영역(121a) 및 드레인 영역(121b)과 각각 연결되는 소스 전극(145a) 및 드레인 전극(145b), 상기 소스 전극(145a) 및 드레인 전극(145b) 상에 구비되는 보호층(150), 상기 보호층(150) 상에 구비되는 평탄화층(155), 상기 평탄화층(155) 상에 구비되며, 상기 보호층(150) 및 상기 평탄화층(155)을 관통하여 상기 드레인 전극(145b)과 연결되는 제 1 전극(160), 상기 제 1 전극(160) 상에 구비되며 발광 영역(emission area, EA)과 비발광 영역(non emission area, NEA)을 구분하는 화소 정의막(170), 상기 제 1 전극(160) 상의 발광 영역(EA)에 구비되는 발광층(180) 및 상기 발광층(180) 상에 구비되는 제 2 전극(190)을 포함한다.
종래 기술에 따른 표시 장치(100)의 실링 영역(SA)은, 기판(110) 상기 기판(110) 상에 구비되는 버퍼층(115), 상기 버퍼층(115) 상에 구비되는 게이트 절연막(130) 및 상기 게이트 절연막(130) 상에 구비되는 층간 절연막(140)을 포함하며, 상기 층간 절연막(140)에는 복수개의 컨택홀(145)이 구비될 수 있다.
상기 화소 정의막(170)은 상기 제 1 전극(160)이 형성된 기판(110) 상에 화소 정의막 형성용 물질(미도시)이 전면 도포된 후, 포토리소그라피(photolithography) 공정을 통하여 발광 영역(EA) 및 실링 영역(SA)에 도포된 화소 정의막 형성용 물질이 제거되는 과정을 거쳐 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막 형성용 물질은 포토레지스트 또는 감광성 재료로 형성될 수 있다. 즉, 마스크를 이용한 노광 후 현상 공정을 통하여 원하는 형태의 패턴을 형성할 수 있다. 이하에서 상기 화소 정의막 형성용 물질은 현상 시 노광된 영역이 제거되는 포지티브 포토레지스트인 것을 전제로 설명하도록 한다.
한편, 상기 실링 영역(SA)에 도포된 화소 정의막 형성용 물질은, 상기 실링 영역(SA)의 위치, 및 상기 실링 영역(SA) 내에 존재하는 컨택홀(145)의 구조 및 위치에 기인한 노광량 부족 등으로 상기 컨택홀(145) 내에서 모두 제거되지 못하고, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 컨택홀(145) 내에 일부가 잔존하게 되는 문제가 있다.
이와 같이, 상기 화소 정의막 형성용 물질이 상기 컨택홀(145) 내에 잔존하게 되면, 이후 공정에서 상기 실링 영역(SA) 상에 구비되는 실링 재료의 접착력이 저하되게 된다.
또한, 상기 실링 영역(SA)의 컨택홀(145)에 잔존하는 화소 정의막 형성용 물질을 모두 제거하기 위해서 노광량을 증가시키는 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 실링 영역(SA)의 컨택홀(145)에 존재하는 화소 정의막 형성용 물질은 모두 제거될 수 있지만, 상기 실링 영역(SA)를 제외한 영역(예를 들면, 발광 영역(EA))에서의 노광량은 과도하게 된다.
그 결과, 과도한 노광량으로 인해 상기 발광 영역(EA)의 면적이 증가하게 되고, 상기 제 1 전극(160)과 상기 화소 정의막(170)이 오버랩되는 중첩 영역(OA)의 면적은 감소하게 된다. 상기 중첩 영역(OA)의 면적이 감소하게 되면, 상기 제 1 전극(160)과 제 2 전극(190) 사이에서 발생하는 전계에 의해 발광층(180)이 파괴되면서 쇼트 불량이 발생할 수 있으며, 이로 인한 암점이 발생할 수 있다.
이에 본 발명에서는 상기 실링 영역(SA)의 컨택홀에 존재하는 화소 정의막 형성용 물질을 모두 제거하면서도, 과도한 노광으로 인하여 상기 발광 영역(EA)이 확장되는 것을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 한다.
도 6은 본 발명의 일례에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 표시 장치(200)는 표시 영역(AA)과 실링 영역(SA)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 표시 장치(200)의 표시 영역(AA)은, 기판(210), 상기 기판(210) 상에 구비되는 버퍼층(215), 상기 버퍼층(215) 상에 구비되는 반도체층(220), 상기 반도체층(220) 상에 구비되는 게이트 절연막(230), 상기 게이트 절연막(230) 상에 구비되는 게이트 전극(235), 상기 게이트 전극(235) 상에 구비되는 층간 절연막(240), 상기 게이트 절연막(230) 및 층간 절연막(240)을 관통하여 상기 반도체층(220)의 소스 영역(221a) 및 드레인 영역(221b)과 각각 연결되는 소스 전극(245a) 및 드레인 전극(245b), 상기 소스 전극(245a) 및 드레인 전극(245b) 상에 구비되는 보호층(250), 상기 보호층(250) 상에 구비되는 평탄화층(255), 상기 평탄화층(255) 상에 구비되며, 상기 보호층(250) 및 상기 평탄화층(255)을 관통하여 상기 드레인 전극(221b)과 연결되는 제 1 전극(260), 상기 제 1 전극(260) 상에 구비되며 발광 영역(emission area, EA)과 비발광 영역(non emission area, NEA)을 구분하는 화소 정의막(270), 상기 화소 정의막(270) 상에 구비되는 돌출부(275), 상기 제 1 전극(260) 상의 발광 영역(EA)에 구비되는 발광층(280) 및 상기 발광층(280) 상에 구비되는 제 2 전극(290)을 포함한다.
본 발명에 따른 표시 장치(200)의 실링 영역(SA)은, 기판(210) 상기 기판(210) 상에 구비되는 버퍼층(215), 상기 버퍼층(215) 상에 구비되는 게이트 절연막(230) 및 상기 게이트 절연막(230) 상에 구비되는 층간 절연막(240)을 포함하며, 상기 층간 절연막(240)에는 복수개의 컨택홀(245)이 구비될 수 있다.
상기 기판(210)은 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 기판 등으로 구비될 수 있다. 상기 플라스틱 기판으로는 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 술폰산 수지 등을 사용할 수 있으며, 이외에도 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 구비될 수도 있다.
상기 버퍼층(215)은 실리콘 화합물로 구비될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 버퍼층(215)는 불순 원소 또는 수분 성분의 침투를 방지하는 역할 및 기판 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 상기 버퍼층(215)은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판의 종류 및 공정에 따라 생략될 수도 있다.
상기 반도체층(220)은 채널 영역(221)과 채널 영역(221)의 양측에 각각 형성된 소스 영역(221a) 및 드레인 영역(221b)으로 구분된다. 상기 채널 영역(221)은 불순물이 도핑되지 않은 다결정 규소층이고, 상기 소스 영역(221a) 및 드레인 영역(221b)은 불순물이 도핑된 다결정 규소층이다. 상기 반도체층(220)은 상기 소스 영역(221a) 및 드레인 영역(221b)에 도핑되는 불순물에 따라 인(P) 이온이 도핑되는 n형 반도체 및 붕소(B) 이온이 도핑되는 p형 반도체로 나뉠 수 있다.
상기 게이트 전극(235), 소스 전극(145a) 및 드레인 전극(145b)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta) 및 이들의 합금, 알루미늄 질화물(AlNx) 텅스텐 질화물(WNx), 크롬 질화물(CrNx), 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOX) 및 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140), 보호층(150) 및 평탄화층(155)은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx), 하프뮴 산화막(HfOx), 알루미늄 산화막(AlOx), 이트륨 산화막(YOx) 및 탄탈륨 산화막(TaOx)을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 표시 장치(200)가 배면 발광형인 경우, 상기 제 1 전극(260)은 투명 전극으로 구비되고, 상기 제 2 전극(290)은 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 마찬가지로 본 발명의 일례에 따른 표시 장치(200)가 전면 발광형인 경우 상기 제 1 전극(260)은 반사형 전극으로 구비되고, 상기 제 2 전극(290)은 투명 전극으로 구비될 수 있다.
상기 투명 전극은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 주석 산화물(TO) 및 산화 아연(ZnO)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 반사형 전극은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광층(280)은 각 화소에 따라 적색 발광 물질, 녹색 발광 물질 및 청색 발광 물질을 포함하는 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 포함할 수 있으며, 상기 발광층(280)은 상기 발광층(280)으로의 원활한 정공 주입을 위한 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL) 및 정공 수송층(Hole Trans-fer Layer, HTL)이 포함될 수 있으며, 원활한 전자 주입을 위한 전자 수송층(Electron Transport Layer, ETL) 및 전자 주입층(Elec-tron Injection Layer, EIL)이 더 포함될 수 있다.
상기 화소 정의막(270)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(270)은 포지티브(positive) 포토레지스트(photoresist) 또는 네가티브(negative) 포토레지스트(photoresist)로 이루어질 수 있다. 상기 포지티브 포토레지스트는 포토리소그래피(photolithography) 공정에서 빛을 조사받은 부분의 구조가 약해져(softening) 빛을 조사받은 부분이 제거되는 물질이다. 상기 네가티브 포토레지스트는 빛을 조사받은 부분의 구조가 강해져(hardening) 빛을 조사받지 않은 부분이 제거되는 물질이다. 이하에서 설명의 편의상 상기 화소 정의막(270)은 포지티브 포토레지스트인 것을 전제로 설명하도록 한다.
상기 화소 정의막(270)은 상기 제 1 전극(260) 상에 구비되며, 상기 제 1 전극(260)의 가장자리 영역과 오버랩되어 구비될 수 있다. 특히, 상기 화소 정의막(270) 상의 상기 제 1 전극(260)과 상기 화소 정의막(270)이 오버랩되는 영역에는 돌출부(275)가 구비될 수 있다. 상기 돌출부(275)는 상기 화소 정의막(270)과 동일한 물질로 구비될 수 있으며, 도 6에서 상기 돌출부(275)는 사다리꼴 형태로 도시되었으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 돌출부는 돔형태 또는 사각형태 등으로 형성될 수 있다.
상기 돌출부(275)의 폭(w)은 1㎛ 내지 5㎛ 로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 돌출부(275)의 높이(h)는 1㎛ 내지 5㎛ 로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 특히, 상기 돌출부(275)는 상기 화소 정의막(270) 상에 구비되어 셀갭을 조절하기 위한 일반적인 스페이서보다 낮게 형성되는 것이 바람직하다.
도 7은 본 발명에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부(275)는 발광 영역(EA)의 가장자리 영역을 따라 일정한 폭(w)을 가지고 형성될 수 있다.
도 8 내지 도 11은 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 도이다.
본 발명에 따른 표시 장치는 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에, 상기 제 1 전극을 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극의 발광 영역 상에 발광층을 형성하는 단계 및 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
도 8을 참조하면, 상기 기판(210)의 표시 영역(AA)에 박막트랜지스터를 형성하고, 상기 기판(210)의 실링 영역(SA)에 복수개의 컨택홀(245)을 형성한다.
우선, 기판(210) 상에 버퍼층(215)을 형성한다. 버퍼층(215)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(55)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물 및 실리콘 탄질화물으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(215) 상에는 반도체층(220)이 형성된다. 상기 반도체층(220)은 반도체층 형성용 물질을 도포하고 패터닝한 다음 결정화시켜 형성될 수 있다. 상기 반도체층은 화학 기상 증착 공정 또는 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 결정화 공정은 레이저 조사 공정 및 열처리 공정 등을 포함할 수 있다.
상기 반도체층(220)이 형성된 기판(210) 상에 게이트 절연막(230)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(230)은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx), 하프뮴 산화막(HfOx), 알루미늄 산화막(AlOx), 이트륨 산화막(YOx) 및 탄탈륨 산화막(TaOx)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 및 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 절연막(230) 상에는 게이트 전극(235)이 형성된다. 상기 게이트 전극(235)은 상기 게이트 절연막(230) 상에 게이트 전극 형성용 물질을 도포하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 전극(235)를 이온 주입 마스크로 이용하여, 상기 반도체층(220)에 불순물을 주입함으로써, 상기 반도체층(220)에 소스 영역(221a)과 드레인 영역(221b)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 전극(235) 아래에 위치하는 반도체층(220)의 중앙부에는 상기 불순물들이 주입되지 않으며, 이에 따라 상기 반도체층(220)의 중앙부는 채널 영역(221)이 된다.
상기 게이트 절연막(230) 상에는 상기 게이트 전극(235)를 덮는 층간 절연막(240)이 형성된다. 상기 층간 절연막(240)은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx), 하프뮴 산화막(HfOx), 알루미늄 산화막(AlOx), 이트륨 산화막(YOx) 및 탄탈륨 산화막(TaOx)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 및 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
이어서, 상기 게이트 절연막(230)과 상기 층간 절연막(240)을 관통하여 상기 반도체층(220)의 소스 영역(221a) 및 드레인 영역(221b)를 노출시키는 비아홀(via hole)이 형성된다. 이 때, 상기 기판(210)의 실링 영역(SA)에 복수개의 컨택홀(245)이 동시에 형성된다.
도 9를 참조하면, 상기 비아홀을 채울 수 있도록 소스 전극 및 드레인 전극 형성용 물질을 도포한 후, 패터닝하여 소스 전극(245a) 및 드레인 전극(245b)를 형성한다.
상기 층간 절연막(240) 상에 상기 소스 전극(245a) 및 드레인 전극(245b)를 덮는 보호층(250) 및 평탄화층(255)을 형성한다. 상기 보호층(250) 및 평탄화층(255)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx), 하프뮴 산화막(HfOx), 알루미늄 산화막(AlOx), 이트륨 산화막(YOx) 및 탄탈륨 산화막(TaOx)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 및 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 평탄화층(255) 상에는 제 1 전극(260)이 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(260)은 상기 보호층(250) 및 평탄화층(255)를 관통하여 상기 드레인 전극(245b)에 연결될 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 제 1 전극(260)이 형성된 기판(210) 상에 화소 정의막(270)을 형성한다.
상기 화소 정의막(270)을 형성하는 단계는 상기 제 1 전극(260)이 형성된 기판(210) 상에 화소 정의막 형성용 물질을 도포하는 단계, 상기 화소 정의막 형성용 물질 상의 상기 제 1 전극의 단부에 대응되는 영역에 돌출부(275)를 형성하는 단계 및 노광 공정을 통하여 발광 영역(EA) 및 실링 영역(SA)에 존재하는 화소 정의막 형성용 물질을 제거하는 단계를 포함한다.
상기 돌출부(275)는 상기 화소 정의막(270)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 도 10에서 상기 돌출부(275)는 사다리꼴 형태로 형성되는 것으로 도시되어 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 돌출부는 돔형태 또는 사각형태 등으로 형성될 수 있다.
상기 돌출부(275)의 폭(w)은 1㎛ 내지 5㎛ 로 형성될 수 있으며, 상기 돌출부(275)의 높이(h)는 1㎛ 내지 5㎛ 로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 특히, 상기 돌출부(275)는 상기 화소 정의막(270) 상에 구비되어 셀갭을 조절하기 위한 일반적인 돌출부보다 낮게 형성되는 것이 바람직하다.
도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극의 단부에 대응되는 영역에 돌출부(275)를 형성한 상태에서, 상기 발광 영역(EA) 및 실링 영역(SA) 상에 존재하는 화소 정의막 형성용 물질을 제거하기 위한 노광 공정을 진행하는 경우, 노광량을 증가시키더라도, 상기 돌출부(275)로 인하여 상기 제 1 전극(260)과 화소 정의막(270)이 오버랩되는 영역(OA)이 증가하지 않게 된다. 따라서, 상기 실링 영역(SA)의 컨택홀(245)에 상기 화소 정의막 형성용 물질이 잔존하지 않도록 하면서도 상기 발광 영역(EA)의 면적이 증가되지 않을 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일례들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일례들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110, 210 : 기판 115, 215 : 버퍼층
120, 220 : 반도체층 130, 230 : 게이트 절연막
135, 235 : 게이트 전극 140, 240 : 층간 절연막
145a, 245a : 소스 전극 145b, 245b : 드레인 전극
150, 250 : 보호층 155, 255 : 평탄화층
160, 260 : 제 1 전극 170, 270 : 화소정의막
175, 275 : 돌출부 180, 280 : 발광층
190, 290 : 제 2 전극
120, 220 : 반도체층 130, 230 : 게이트 절연막
135, 235 : 게이트 전극 140, 240 : 층간 절연막
145a, 245a : 소스 전극 145b, 245b : 드레인 전극
150, 250 : 보호층 155, 255 : 평탄화층
160, 260 : 제 1 전극 170, 270 : 화소정의막
175, 275 : 돌출부 180, 280 : 발광층
190, 290 : 제 2 전극
Claims (14)
- 표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 구비되는 제 1 전극;
상기 제 1 전극의 단부와 오버랩되어 구비되며, 상기 제 1 전극을 발광 영역과 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막;
상기 화소 정의막에 의해 구분된 상기 제 1 전극의 발광 영역 상에 구비되는 발광층;
상기 발광층 상에 구비되는 제 2 전극;
상기 기판상에 형성되는 절연막; 및
상기 화소 정의막 상에 구비되며, 상기 제 1 전극의 단부와 오버랩되는 영역에 구비되는 돌출부;를 포함하고,
상기 절연막에는 다수의 컨택홀이 형성되는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 발광 영역의 에지부를 따라 구비되는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 돌출부의 폭은 1㎛ 내지 5㎛인 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 돌출부의 높이는 1㎛ 내지 5㎛인 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 돌출부는 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 어느 하나의 물질을 포함하는 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 돌출부와 동일한 물질로 구비되는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 상기 표시 영역의 가장자리에 형성되는 실링 영역을 더 포함하는 표시 장치.
- 표시 영역을 포함하는 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 상에 절연막을 형성하는 단계;
상기 절연막에 다수의 컨택홀을 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극의 일부를 노출시키는 비아홀이 구비된 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 평탄화층 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에, 상기 제 1 전극을 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극의 발광 영역 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 화소 정의막을 형성하는 단계는,
상기 제 1 전극이 형성된 기판 상에 화소 정의막 형성용 물질을 도포하는 단계;
상기 화소 정의막 형성용 물질 상의 상기 제 1 전극의 단부에 대응되는 영역에 돌출부 형성용 물질을 도포하는 단계; 및
상기 제 1 전극의 발광 영역을 노광하여 화소 정의막 및 돌출부를 형성하는 단계;를 포함하는 표시 장치 제조 방법. - 제 8 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 발광 영역의 에지부를 따라 형성되는 표시 장치 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 돌출부의 폭은 1㎛ 내지 5㎛로 형성되는 표시 장치 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 돌출부의 높이는 1㎛ 내지 5㎛로 형성되는 표시 장치 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 돌출부 형성용 물질은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 표시 장치 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 돌출부와 동일한 물질로 형성되는 표시 장치 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 기판은 상기 표시 영역의 가장자리에 형성되는 실링 영역을 더 포함하는 표시 장치 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210093513A KR102395917B1 (ko) | 2013-12-20 | 2021-07-16 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130160254A KR102280777B1 (ko) | 2013-12-20 | 2013-12-20 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR1020210093513A KR102395917B1 (ko) | 2013-12-20 | 2021-07-16 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130160254A Division KR102280777B1 (ko) | 2013-12-20 | 2013-12-20 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210094499A KR20210094499A (ko) | 2021-07-29 |
| KR102395917B1 true KR102395917B1 (ko) | 2022-05-10 |
Family
ID=53400946
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130160254A KR102280777B1 (ko) | 2013-12-20 | 2013-12-20 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR1020210093513A KR102395917B1 (ko) | 2013-12-20 | 2021-07-16 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130160254A KR102280777B1 (ko) | 2013-12-20 | 2013-12-20 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9219104B2 (ko) |
| KR (2) | KR102280777B1 (ko) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015114763A1 (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | パイオニアＯｌｅｄライティングデバイス株式会社 | 発光装置 |
| KR102237135B1 (ko) * | 2014-07-14 | 2021-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102238994B1 (ko) * | 2014-07-17 | 2021-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN104393192A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| KR102462423B1 (ko) * | 2015-09-15 | 2022-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102516054B1 (ko) | 2015-11-13 | 2023-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법 |
| KR102421577B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN107768544A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-03-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种玻璃基板、oled器件及玻璃基板的制程方法 |
| CN111129034A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
| US12108621B2 (en) | 2020-07-15 | 2024-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100943948B1 (ko) | 2008-01-08 | 2010-02-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 |
| JP5096648B1 (ja) | 2011-04-22 | 2012-12-12 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2013051423A (ja) | 2009-07-18 | 2013-03-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013168659A (ja) | 2009-08-07 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708734B1 (ko) | 2005-11-30 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR100739651B1 (ko) | 2006-08-30 | 2007-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100924137B1 (ko) | 2008-01-31 | 2009-10-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR101333612B1 (ko) | 2009-06-09 | 2013-11-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
-
2013
- 2013-12-20 KR KR1020130160254A patent/KR102280777B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-07-01 US US14/321,575 patent/US9219104B2/en active Active
-
2021
- 2021-07-16 KR KR1020210093513A patent/KR102395917B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100943948B1 (ko) | 2008-01-08 | 2010-02-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 |
| JP2013051423A (ja) | 2009-07-18 | 2013-03-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013168659A (ja) | 2009-08-07 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP5096648B1 (ja) | 2011-04-22 | 2012-12-12 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150072749A (ko) | 2015-06-30 |
| KR102280777B1 (ko) | 2021-07-23 |
| US20150179708A1 (en) | 2015-06-25 |
| US9219104B2 (en) | 2015-12-22 |
| KR20210094499A (ko) | 2021-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102395917B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US10541288B2 (en) | Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same | |
| CN107579076B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| US9287531B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| KR102652822B1 (ko) | 전계 발광 표시 장치 | |
| US8558235B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| US8866706B2 (en) | Organic electroluminescent display device and manufacturing method of the same | |
| US9570529B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| US9293738B2 (en) | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same | |
| KR102139677B1 (ko) | 플렉서블 유기전계 발광장치 및 그 제조방법 | |
| WO2019012769A1 (ja) | 表示装置、および表示装置の製造方法 | |
| KR20110065717A (ko) | 유기발광 표시장치의 제조방법 | |
| US20140346445A1 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US9911802B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| US20200219423A1 (en) | Flexible display device and method of manufacturing flexible display device | |
| US10573205B2 (en) | Flexible display device and method for manufacturing flexible display device | |
| US9570526B2 (en) | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof | |
| KR101212153B1 (ko) | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20160058297A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20150021212A (ko) | 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자 | |
| KR102317821B1 (ko) | 유기발광소자 | |
| KR20110117355A (ko) | 전면 발광형 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR100739579B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20210083944A (ko) | 유기 발광 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |