CN109904347A - 发光器件及其制造方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种发光器件及其制造方法、显示装置，属于发光器件领域。发光器件包括：衬底基板；设置在衬底基板上的发光单元；以及，设置在发光单元远离衬底基板的一侧的薄膜封装结构，薄膜封装结构包括至少一个封装膜层，至少一个封装膜层中的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，第一封装部在衬底基板上的正投影覆盖发光单元在衬底基板上的正投影，第一封装部的折射率小于第二封装部的折射率。本申请有助于避免发光单元发射出的光线在薄膜封装结构发生波导效应，有助于提高发光器件的外耦合效率。本申请用于发光器件。
Description
技术领域
本申请涉及发光器件领域，特别涉及一种发光器件及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)器件是一种电致发光器件，具有低功耗、自发光、快速响应、宽视角以及可柔性显示等优点，是当前显示行业研究的热点。
OLED器件包括衬底基板，设置在衬底基板上的发光单元，以及，设置在发光单元远离衬底基板的一侧的薄膜封装结构，OLED器件在工作时，发光单元发射出的光线通过薄膜封装结构靠近发光单元的一面射入薄膜封装结构，并通过薄膜封装结构远离发光单元的一面从薄膜封装结构射出。
但是，从发光单元射入薄膜封装结构的光线中，入射角在一定范围内的光线会在薄膜封装结构内发生波导效应而被消耗，使得从薄膜封装结构远离发光单元的一面射出的光线被削弱，因此，OLED器件的外耦合效率较低。
发明内容
本申请提供一种发光器件及其制造方法、显示装置，有助于提高发光器件的外耦合效率。所述技术方案如下：
第一方面，提供一种发光器件，所述发光器件包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的发光单元；以及，
设置在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧的薄膜封装结构，所述薄膜封装结构包括至少一个封装膜层，所述至少一个封装膜层中的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影，所述第一封装部的折射率小于所述第二封装部的折射率。
可选地，所述目标封装膜层为所述至少一个封装膜层中，距离所述发光单元最近的封装膜层。
可选地，所述目标封装膜层为无机层。
可选地，所述第二封装部的折射率与所述第一封装部的折射率的差值的范围为0.1～0.5。
可选地，所述第一封装部的折射率的范围为1.45～1.55，所述第二封装部的折射率的范围为1.65～1.85。
可选地，所述第一封装部的材料包括氧化硅，所述第二封装部的材料包括氮氧化硅。
可选地，所述薄膜封装结构包括沿远离所述发光单元的方向交替叠加的无机层和有机层，所述薄膜封装结构中距离所述发光单元最近的封装膜层和距离所述发光单元最远的封装膜层均为无机层，所述目标封装膜层为距离所述发光单元最近的无机层。
可选地，所述第一封装部的边界与所述发光单元的边界之间的水平距离的范围为2微米～6微米，所述水平距离为所述第一封装部的边界与所述发光单元的边界在平行于所述衬底基板的板面的方向上的最小距离。
可选地，所述衬底基板具有封装区域，所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述封装区域内，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影，所述第二封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述封装区域中，除所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影所在区域之外的区域。
可选地，所述发光器件还包括：围绕所述发光单元设置的反射层，所述反射层的反射面与所述衬底基板的板面之间存在夹角。
可选地，所述衬底基板具有封装区域，所述发光单元在所述衬底基板上的正投影和所述反射层在所述衬底基板上的正投影均位于所述封装区域内，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影，且覆盖所述反射层在所述衬底基板上的正投影，所述第二封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述封装区域中，除所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影所在区域之外的区域。
可选地，所述第一封装部的边界与所述反射层的反射面的边界之间的水平距离的范围为1微米～4微米，所述水平距离为所述第一封装部的边界与所述反射层的反射面的边界在平行于所述衬底基板的板面的方向上的最小距离。
可选地，所述发光单元包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠加的第一电极、发光层和第二电极，所述反射层围绕所述第一电极设置。
第二方面，提供一种发光器件的制造方法，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成发光单元；
在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成薄膜封装结构，所述薄膜封装结构包括至少一个封装膜层，所述至少一个封装膜层中的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影，所述第一封装部的折射率小于所述第二封装部的折射率。
可选地，在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成薄膜封装结构，包括：
在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成第一封装部，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影；
在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成第二封装部，所述第二封装部与所述第一封装部同层设置且相互接触，所述第一封装部和所述第二封装部构成所述目标封装膜层；
在所述目标封装膜层远离所述发光单元的一侧形成有机层。
可选地，所述方法还包括：形成围绕所述发光单元的反射层，所述反射层的反射面与所述衬底基板的板面之间存在夹角。
可选地，在所述衬底基板上形成发光单元，包括：
在所述衬底基板上形成依次叠加的第一电极、发光层和第二电极；
所述形成围绕所述发光单元的反射层，包括：
形成围绕所述第一电极的反射层；
其中，所述反射层与所述第一电极同时形成。
第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面或第一方面的任一可选方式所述的发光器件。
本申请提供的技术方案带来的有益效果是：
本申请提供的发光器件及其制造方法、显示装置，在发光器件中，薄膜封装结构的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，第一封装部在衬底基板上的正投影覆盖发光单元在衬底基板上的正投影，第一封装部的折射率小于第二封装部的折射率。发光单元发射出的光线射入目标封装膜层后，首先在第一封装部中传播，然后在第一封装部与第二封装部的交界面向发光器件的出光面所在侧折射至第二封装部，最终通过第二封装部从发光器件的出光面射出。由于目标封装膜层可以通过折射的方式使光线从发光器件的出光面射出，因此有助于避免光线在薄膜封装结构内发生波导效应，有助于提高发光器件的外耦合效率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例所涉及的一种传统的OLED器件的结构示意图；
图2是光线在图1所示的OLED器件中的传播示意图；
图3是本申请实施例提供一种发光器件的结构示意图；
图4是本申请实施例提供另一种发光器件的结构示意图；
图5是图4所示的发光器件的区域Q的放大图；
图6是光线在图3所示的发光器件中的传播示意图；
图7是光线在图4所示的发光器件中的传播示意图；
图8是本申请实施例提供的一种发光器件的制造方法的方法流程图；
图9是本申请实施例提供的另一种发光器件的制造方法的方法流程图；
图10至图16是本申请实施例提供的一种发光器件的制造过程的示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
OLED器件是当前显示行业的研究热点，其通常包括发光单元以及用于对发光单元进行封装的薄膜封装结构，薄膜封装结构的存在可以在延长OLED器件的使用寿命的同时，保证OLED器件的柔性。目前，OLED器件的外耦合效率是行业研究的热点和难点，外耦合效率又称为出光效率，指的是理论发射出的光线的功率与实际探测到的光线的功率的比值。
顶发射OLED器件是一种典型的OLED器件，波导效应是影响顶发射OLED器件的外耦合效率的主要因素之一。然而，薄膜封装结构的存在加剧了顶发射OLED器件的波导效应。请参考图1，其示出了一种传统的OLED器件01的结构示意图，该OLED器件01可以为顶发射OLED器件，且该OLED器件01可以为显示器件。参见图1，该OLED器件01包括衬底基板011，设置在衬底基板011上的发光单元012，设置在发光单元012远离衬底基板011的一侧的薄膜封装结构013，以及，设置在衬底基板011上的界定层014，界定层014具有发光开口E，发光单元012位于界定层014的发光开口E中，发光单元012包括沿远离衬底基板011的方向依次叠加的阳极0121、发光层0122和阴极0123，薄膜封装结构013包括沿远离发光单元012的方向依次叠加的第一无机层0131、有机层0132和第二无机层0133。
请参考图2，其示出了光线在图1所示的OLED器件01中的传播示意图，参见图2，在阳极0121和阴极0123的作用下，发光层0122发射出光线。发光层0122发射出的光线中：光线R1直接通过薄膜封装结构013从OLED器件01的出光面(也即是第二无机层0133远离衬底基板011的一面)射出；光线R2射入界定层014，并在界定层014中发生波导效应而横向传播，最终被消耗；光线R3射入薄膜封装结构013后，在薄膜封装结构013(例如第一无机层0131)中发生波导效应而横向传播，最终被消耗。由于发光层0122发射出的光线中，仅光线R1从OLED器件01的出光面射出，光线R2和光线R3都被OLED器件01消耗，因此，发光层0122发射出光线中，大部分光线在OLED器件01中被消耗，仅有少量光线从OLED器件01的出光面射出，OLED器件01的外耦合效率较低。
请参考图3，其示出了本申请实施例提供的一种发光器件02的结构示意图，参见图3，该发光器件02包括：衬底基板021；设置在衬底基板021上的发光单元022；以及，设置在发光单元022远离衬底基板021的一侧的薄膜封装结构023，薄膜封装结构023包括至少一个封装膜层，至少一个封装膜层中的目标封装膜层0231具有同层设置且相互接触的第一封装部02311和第二封装部02312，第一封装部02311在衬底基板021上的正投影覆盖发光单元022在衬底基板021上的正投影，第一封装部02311的折射率小于第二封装部02312的折射率。
综上所述，本申请实施例提供的发光器件，在发光器件中，薄膜封装结构的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，第一封装部在衬底基板上的正投影覆盖发光单元在衬底基板上的正投影，第一封装部的折射率小于第二封装部的折射率。发光单元发射出的光线射入目标封装膜层后，首先在第一封装部中传播，然后在第一封装部与第二封装部的交界面向发光器件的出光面所在侧折射至第二封装部，最终通过第二封装部从发光器件的出光面射出。由于目标封装膜层可以通过折射的方式使光线从发光器件的出光面射出，因此有助于避免光线在薄膜封装结构内发生波导效应，有助于提高发光器件的外耦合效率。
可选地，如图3所示，发光单元022包括沿远离衬底基板021的方向依次叠加的第一电极0221、发光层0222和第二电极0223，发光器件02还包括界定层024和平坦层025，平坦层025为表面(平坦层025远离衬底基板021的一面)平坦的膜层，界定层024具有发光开口(图3中未标出)，第一电极0221、发光层0222和第二电极0223中，依次叠加且相互接触的部分位于界定层024的发光开口中。由于发光单元022实际上是由第一电极0221、发光层0222和第二电极0223中，依次叠加且相互接触的部分构成，因此第一电极0221、发光层0222和第二电极0223中，依次叠加且相互接触的部分位于界定层024的发光开口中也即是发光单元022位于发光开口中。其中，该图3示出的发光器件02可以为顶发射发光器件。
可选地，如图3所示，第一封装部02311的边界与发光单元022的边界之间的水平距离为d1，该水平距离d1的范围可以为2微米～6微米，这样可以在保证第一封装部02311在衬底基板021上的正投影覆盖发光单元022在衬底基板021上的正投影的情况下，降低第一封装部02311的制备工艺精度要求，便于第一封装部02311的制备。示例地，d1＝2微米，d1＝3微米或者d1＝4微米等。其中，该水平距离d1为第一封装部02311的边界与发光单元022的边界在平行于衬底基板021的板面的方向上的最小距离，如图3所示，发光单元022的边界之间可以是界定层024的发光开口的边界。
可选地，如图3所示，衬底基板021具有封装区域(图3中未标出)，发光单元022在衬底基板021上的正投影位于封装区域内，第一封装部02311在衬底基板021上的正投影覆盖发光单元022在衬底基板021上的正投影，第二封装部02312在衬底基板021上的正投影覆盖封装区域中，除第一封装部02311在衬底基板021上的正投影所在区域之外的区域，这样一来，目标封装膜层0231由邻接的第一封装部02311和第二封装部02312构成，第一封装部02311的边界也即是第一封装部02311与第二封装部02312的交界。
请参考图4，其示出了本申请实施例提供的另一种发光器件02的结构示意图，参见图4，除图3所示的结构外，该发光器件02还包括围绕发光单元022设置的反射层026，可选地，反射层026围绕第一电极0221设置。图5是图4所示的发光器件02的区域Q的放大图，结合图4和图5，反射层026的反射面M与衬底基板021的板面之间存在夹角a，该夹角a例如为钝角。容易理解，该图5仅仅示出了区域Q中与夹角a相关的结构，并未示出区域Q中的其他结构。
可选地，如图4所示，平坦层025上具有沟槽(图4中未标出)，沟槽的开口面的面积大于界定层024的发光开口的面积，且沟槽在衬底基板021上的正投影覆盖发光开口在衬底基板021上的正投影，反射层026围绕第一电极0221设置在沟槽的侧壁(图4中未标出)上，反射层026的反射面M朝向发光开口。其中，反射层026的反射面M指的是反射层026的表面中，远离平坦层025的沟槽的侧壁的一面，反射层026的材质与第一电极0221的材质相同，反射层026与第一电极0221可以同时形成，也即是，反射层026与第一电极0221可以通过同一次工艺制备。其中，该图4示出的发光器件02可以为反射杯式发光器件。
可选地，如图4所示，衬底基板021具有封装区域(图4中未标出)，发光单元022在衬底基板021上的正投影和反射层026在衬底基板021上的正投影均位于封装区域内，第一封装部02311在衬底基板021上的正投影覆盖发光单元022在衬底基板021上的正投影，且覆盖反射层026在衬底基板021上的正投影，第二封装部02312在衬底基板021上的正投影覆盖封装区域中，除第一封装部02311在衬底基板021上的正投影所在区域之外的区域，这样一来，目标封装膜层0231由邻接的第一封装部02311和第二封装部02312构成，第一封装部02311的边界也即是第一封装部02311与第二封装部02312的交界。
可选地，如图4所示，第一封装部02311的边界与反射层026的反射面M的边界之间的水平距离为d2，该水平距离d2的范围可以为1微米～4微米，这样可以在保证第一封装部02311在衬底基板021上的正投影覆盖发光单元022在衬底基板021上的正投影以及覆盖反射层026在衬底基板021上的正投影的情况下，降低第一封装部02311的制备工艺精度要求，便于第一封装部02311的制备。示例地，d2＝2微米，d2＝2.5微米或者d2＝3微米等。其中，该水平距离d2为第一封装部02311的边界与反射层026的反射面M的边界在平行于衬底基板021的板面的方向上的最小距离。
可选地，如图3和图4所示，目标封装膜层0231为薄膜封装结构023的至少一个封装膜层中，距离发光单元022最近的封装膜层，该目标封装膜层0231可以为无机层。在本申请实施例中，薄膜封装结构023可以包括沿远离发光单元022的方向交替叠加的无机层和有机层，薄膜封装结构023中距离发光单元022最近的封装膜层和距离发光单元022最远的封装膜层均为无机层，目标封装膜层0231为距离发光单元022最近的无机层。例如，如图3和图4所示，薄膜封装结构023包括沿远离发光单元022的方向依次叠加的目标封装膜层0231(无机层)、有机层0232和无机层0233。需要说明的是，本申请实施例是以薄膜封装结构023包括三个封装膜层，且以距离发光单元022最近的封装膜层为目标封装膜层为例进行说明的，容易理解，薄膜封装结构023也可以包括两个封装膜层，或者包括三个以上封装膜层，并且目标封装膜层也可以为多个，只要保证薄膜封装结构023包括交替叠加的无机层和有机层，且薄膜封装结构023包括目标封装膜层即可，本申请实施例对此不做限定。
可选地，在本申请实施例中，第二封装部02312的折射率与第一封装部02311的折射率的差值的范围可以为0.1～0.5，这样可以保证光线在从第一封装部02311射入第二封装部02312时，能够更好的向发光器件02的出光面所在侧折射。在设计时，首先可以确定期望的折射角的范围，然后根据期望的折射角的范围以及折射定律确定出第二封装部02312的折射率与第一封装部02311的折射率的差值的范围。
可选地，第一封装部02311的折射率的范围可以为1.45～1.55，第二封装部02312的折射率的范围可以为1.65～1.85，这样一来，可以保证第一封装部02311的折射率与第二封装部02312的折射率的差值满足上述差值范围要求。其中，设置第一封装部02311的折射率的范围为1.45～1.55，第二封装部02312的折射率的范围为1.65～1.85，可以便于对第一封装部02311的材料和第二封装部02312的材料的选择，从而便于第一封装部02311和第二封装部02312的制备，本领域技术人员容易理解，第一封装部02311的折射率的范围和第二封装部02312的折射率的范围还可以为其他范围，只要能保证第一封装部02311的折射率与第二封装部02312的折射率的差值满足上述差值范围要求即可。
可选地，第一封装部02311的材料可以包括氧化硅(SiOx)，第二封装部02312的材料可以包括氮氧化硅(SiOxNy)，以满足第一封装部02311和第二封装部02312的折射率要求。当然，第一封装部02311的材料和第二封装部02312的材料并不局限于此，只要保证满足上述折射率要求即可。
需要说明的是，在本申请实施例中，发光器件02可以为电致发光(英文：Electroluminescence；简称：EL)器件，从而发光单元022可以为电致发光单元，发光层0222也可以为电致发光层，例如，发光器件02可以为OLED器件或量子点发光二极管(英文：Quantum Dot Light Emitting Diodes；简称：QLED)器件。在如图3和图4所示的发光器件02中，第一电极0221可以为阳极(英文：anode)，第二电极0223可以为阴极(英文：cathode)。此外，发光器件02可以为显示器件，相应地，上述界定层024可以为像素界定层(英文：PixelDefinition Layer；简称：PDL)，发光器件02还可以包括诸如薄膜晶体管(英文：Thin FilmTransistor；简称：TFT)之类的开关单元，诸如像素电路之类的驱动电路，以及诸如偏光片之类的光学功能层。其中，平坦层025主要用于对形成TFT后的基板表面进行平坦化，以便于发光单元022等结构的制备，TFT、像素电路以及偏光片等的结构均可以参考相关技术，本申请实施例在此不再赘述。
下面结合图2、图6和图7对本申请实施例提供的发光器件02提高光线的外耦合效率的过程进行说明如下。
请参考图6，其示出了光线在图3所示的发光器件02中的传播示意图，参见图6，在第一电极0221和第二电极0223的作用下，发光层0222发射出光线。发光层0222发射出的光线中：光线R1直接通过薄膜封装结构023从发光器件02的出光面(也即是无机层0233远离衬底基板021的一面)射出；光线R2射入界定层024，并在界定层024中发生波导效应而横向传播，最终被消耗；光线R3射入目标封装膜层0231的第一封装部02311，并在第一封装部02311中传播，光线在传播至第一封装部02311与第二封装部02312的交界面时，在该交界面上向发光器件02的出光面所在侧折射至第二封装部02312，最终通过第二封装部02312、有机层0232和无机层0233，从发光器件02的出光面射出。由于发光层0222发射出的光线中，光线R1和光线R3均能够从发光器件02的出光面射出，仅光线R2被消耗，因此，相比于图1所示的OLED器件01，本申请图3所示的发光器件02的外耦合效率较高。
请参考图7，其示出了光线在图4所示的发光器件02中的传播示意图，参见图7，在第一电极0221和第二电极0223的作用下，发光层0222发射出光线。发光层0222发射出的光线中：光线R1直接通过薄膜封装结构023从发光器件02的出光面(也即是无机层0233远离衬底基板021的一面)射出；光线R2射入界定层024，并通过界定层024射入反射层026，在反射层026的反射面M发生反射后，重新射入界定层024，并依次通过界定层024、发光层0222和阴极0223射入目标封装膜层0231的第一封装部02311而在第一封装部02311中传播，光线在传播至第一封装部02311与第二封装部02312的交界面时，在该交界面上向发光器件02的出光面所在侧折射至第二封装部02312，最终通过第二封装部02312、有机层0232和无机层0233，从发光器件02的出光面射出；光线R3射入目标封装膜层0231的第一封装部02311，并在第一封装部02311中传播，光线在传播至第一封装部02311与第二封装部02312的交界面时，在该交界面上向发光器件02的出光面所在侧折射至第二封装部02312，最终通过第二封装部02312、有机层0232和无机层0233，从发光器件02的出光面射出。由于发光层0222发射出的光线中，光线R1、光线R2和光线R3均能够从发光器件02的出光面射出，因此，相比于图1所示的OLED器件01，本申请图4所示的发光器件02的外耦合效率较高。
需要说明的是，在本申请实施例中，由于第一封装部02311的折射率小于第二封装部02312的折射率，因此，光线在第一封装部02311与第二封装部02312的交界面发生折射时，折射角大于入射角，使得光线(例如光线R3)向发光器件02的出光面所在侧折射，并最终从发光器件02的出光面射出。此外，容易理解，光线在从一种介质射入另一种介质时，通常会发生折射，因此，无论是在图2所示的OLED器件01中，还是在图6以及图7所示的发光器件02中，光线在从一个膜层射入另一个膜层时，都会发生一定角度的折射，然而，图6和图7仅示出了对提高外耦合效率贡献较大的折射光线，并未示出其他折射光线。例如，在图6和图7中，光线R1在从发光层0222射入第二电极0223时，从第二电极0223射入第一封装部02311时，从第一封装部02311射入有机层0232时，从有机层0232射入无机层0233时，以及从无机层0233射出时，均会发生一定角度的折射，然而图6和图7未示出光线R1的折射过程。
对比图2、图6和图7容易理解，相比于传统的OLED器件，本申请实施例提供的发光器件具有较高的外耦合效率，并且，对比图6和图7可以看出，在本申请实施例提供的两种发光器件中，图4所示的发光器件(反射杯式发光器件)比图3所示的发光器件(顶发射发光器件)具有更高的外耦合效率，图4所示的发光器件可以适用于对外耦合效率要求相对较高的应用场景，图3所示的发光器件可以适用于对外耦合效率要求相对较低的应用场景，本申请实施例对此不做限定。
综上所述，本申请实施例提供的发光器件，在发光器件中，薄膜封装结构的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，第一封装部在衬底基板上的正投影覆盖发光单元在衬底基板上的正投影，第一封装部的折射率小于第二封装部的折射率。发光单元发射出的光线射入目标封装膜层后，首先在第一封装部中传播，然后在第一封装部与第二封装部的交界面向发光器件的出光面所在侧折射至第二封装部，最终通过第二封装部从发光器件的出光面射出。由于目标封装膜层可以通过折射的方式使光线从发光器件的出光面射出，因此目标封装膜层可以有效提取薄膜封装结构中的光线，有助于避免光线在薄膜封装结构内发生波导效应，有助于提高发光器件的外耦合效率。
本申请实施例提供的发光器件可以应用于下文的方法，本申请实施例中发光器件的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
请参考图8，其示出了本申请实施例提供的一种发光器件的制造的方法流程图，该方法可以用于制造上述实施例提供的发光器件。参见图8，该方法可以包括如下步骤：
步骤801、提供衬底基板。
步骤802、在衬底基板上形成发光单元。
步骤803、在发光单元远离衬底基板的一侧形成薄膜封装结构，薄膜封装结构包括至少一个封装膜层，至少一个封装膜层中的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，第一封装部在衬底基板上的正投影覆盖发光单元在衬底基板上的正投影，第一封装部的折射率小于第二封装部的折射率。
综上所述，本申请实施例提供的发光器件的制造的方法，在发光器件中，薄膜封装结构的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，第一封装部在衬底基板上的正投影覆盖发光单元在衬底基板上的正投影，第一封装部的折射率小于第二封装部的折射率。发光单元发射出的光线射入目标封装膜层后，首先在第一封装部中传播，然后在第一封装部与第二封装部的交界面向发光器件的出光面所在侧折射至第二封装部，最终通过第二封装部从发光器件的出光面射出。由于目标封装膜层可以通过折射的方式使光线从发光器件的出光面射出，因此有助于可以避免光线在薄膜封装结构内发生波导效应，有助于提高发光器件的外耦合效率。
可选地，步骤803可以包括：
在发光单元远离衬底基板的一侧形成第一封装部，第一封装部在衬底基板上的正投影覆盖发光单元在衬底基板上的正投影；
在发光单元远离衬底基板的一侧形成第二封装部，第二封装部与第一封装部同层设置且相互接触，第一封装部和第二封装部构成目标封装膜层；
在目标封装膜层远离发光单元的一侧形成有机层。
可选地，该方法还包括：形成围绕发光单元的反射层，反射层的反射面与所述衬底基板的板面之间存在夹角。
可选地，步骤802可以包括：
在衬底基板上形成依次叠加的第一电极、发光层和第二电极；
形成围绕发光单元的反射层，包括：
形成围绕第一电极的反射层；
其中，反射层与第一电极同时形成。
可选地，在步骤802之前，该方法还包括：在衬底基板上形成平坦层；
相应地，步骤802包括：在形成有平坦层的衬底基板上形成发光单元。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本申请的可选实施例，在此不再一一赘述。
请参考图9，其示出了本申请实施例提供的另一种发光器件的制造的方法流程图，该方法可以用于制造上述实施例提供的发光器件，本申请实施例以制造图4所示的发光器件02为例来对该方法进行说明，图3所示的发光器件02的制造过程可以参考本实施例。参见图9，该方法可以包括如下步骤：
步骤901、提供衬底基板。
其中，衬底基板可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的材料制成的刚性基板，例如衬底基板是玻璃基板，或者，衬底基板可以是采用聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)等柔性材料制成的柔性基板。当衬底基板是柔性基板时，可以通过刚性基板提供衬底基板(也即是将衬底基板设置在刚性基板上提供)。
步骤902、在衬底基板上形成平坦层，平坦层上具有沟槽。
请参考图10，其示出了本申请实施例提供的一种在衬底基板021上形成平坦层025后的示意图，平坦层025上具有沟槽G。其中，平坦层025的材料可以包括有机树脂等透明有机材料，或者，平坦层025的材料可以包括SiOx、SiNx(中文：氮化硅)、Al2O3(中文：氧化铝)或SiOxNy等透明无机材料。
以平坦层025的材料为有机树脂为例，可选地，在衬底基板021上形成平坦层025可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition；简称：PECVD)等工艺在衬底基板021上沉积一层有机树脂得到树脂材质层，对树脂材质层依次进行曝光和显影得到平坦层025。
步骤903、在形成有平坦层的衬底基板上形成电极图案层，电极图案层包括位于沟槽中的第一电极以及围绕第一电极设置在沟槽的侧壁上的反射层。
请参考图11，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有平坦层025的衬底基板021上形成电极图案层(图11中未标出)后的示意图，结合图10和图11，电极图案层包括位于平坦层025的沟槽G中的第一电极0221以及围绕第一电极0221设置在沟槽G的侧壁上的反射层026，反射层026的反射面M与衬底基板021的板面之间存在夹角。其中，电极图案层的材料可以包括金属Mo(中文：钼)、金属Cu(中文：铜)、金属Al(中文：铝)及其合金材料。
以电极图案层的材料为金属Mo为例，可选地，在形成有平坦层025的衬底基板021上形成电极图案层可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有平坦层025的衬底基板021上沉积一层金属Mo得到金属Mo材质层，通过一次构图工艺对金属Mo材质层进行处理得到电极图案层。
步骤904、在形成有电极图案层的衬底基板上形成界定层，界定层具有发光开口，第一电极至少位于发光开口中。
请参考图12，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有电极图案层的衬底基板021上形成界定层024后的示意图，界定层024具有发光开口K，结合图10至图12，发光开口K位于沟槽G中，第一电极0221至少位于发光开口K中。其中，界定层024的材料可以包括有机树脂等透明有机材料，或者，界定层024的材料可以包括SiOx、SiNx、Al2O3或SiOxNy等透明无机材料。
以界定层024的材料为SiOx为例，可选地，在形成有电极图案层的衬底基板021上形成界定层024可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有电极图案层的衬底基板021上沉积一层SiOx得到SiOx材质层，通过一次构图工艺对SiOx材质层进行处理得到界定层024。
步骤905、在形成有界定层的衬底基板上依次形成发光层和第二电极，第一电极、发光层和第二电极构成发光单元。
请参考图13，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有界定层024的衬底基板021上依次形成发光层0222和第二电极0223后的示意图，发光层0222和第二电极0223依次叠加，且发光层0222和第二电极0223均部分位于发光开口K中，发光层0222和第二电极0223位于发光开口K中的部分与第一电极0221叠加，第一电极0221、发光层0222和第二电极0223构成发光单元022。其中，发光层0222的材料可以包括电致发光材料，例如可以为有机发光材料，第二电极0223的材料可以包括氧化铟锡(英文：Indium tin oxide；简称：ITO)、氧化铟锌(英文：Indium zinc oxide；简称：IZO)或掺铝氧化锌(英文：aluminum-doped zincoxide；简称：ZnO:Al)等金属氧化物。
以发光层0222的材料为有机发光材料，第二电极0223的材料为ITO为例，可选地，在形成有界定层024的衬底基板021上依次形成发光层0222和第二电极0223可以包括：首先，通过喷墨打印工艺在形成有界定层024的衬底基板021上形成打印一层有机发光材料，并对打印的有机发光材料进行干燥处理得到发光层0222，然后，通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有发光层0222的衬底基板021上沉积一层ITO得到ITO材质层，通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理得到第二电极0223。
步骤906、在第二电极远离衬底基板的一侧形成第一封装部，第一封装部在衬底基板上的正投影覆盖发光单元在衬底基板上的正投影，且覆盖反射层在衬底基板上的正投影。
请参考图14，其示出了本申请实施例提供的一种在第二电极0223远离衬底基板021的一侧形成第一封装部02311后的示意图，第一封装部02311在衬底基板021上的正投影覆盖发光单元022在衬底基板021上的正投影，且第一封装部02311在衬底基板021上的正投影覆盖反射层026在衬底基板021上的正投影，第一封装部02311的边界与反射层026的反射面的边界之间的水平距离d2的范围可以为1微米～4微米。其中，第一封装部02311的材料可以包括SiOx。
可选地，在第二电极0223远离衬底基板021的一侧形成第一封装部02311可以包括：采用SiOx在第二电极0223远离衬底基板021的一侧形成第一封装部02311。示例地，首先，通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在第二电极0223远离衬底基板021的一侧沉积一层SiOx得到SiOx材质层，然后，通过一次构图工艺对SiOx材质层进行处理得到第一封装部02311。
步骤907、在第二电极远离衬底基板的一侧形成第二封装部，第二封装部与第一封装部同层设置且相互接触，第一封装部和第二封装部构成目标封装膜层。
请参考图15，其示出了本申请实施例提供的一种在第二电极0223远离衬底基板021的一侧形成第二封装部02312后的示意图，第二封装部02312与第一封装部02311同层设置且相互接触，第一封装部02311和第二封装部02312构成目标封装膜层0231。第一封装部02311的折射率小于第二封装部02312的折射率，第一封装部02311的材料包括SiOx，第二封装部02312材料可以包括SiOxNy。
可选地，在第二电极0223远离衬底基板021的一侧形成第二封装部02312可以包括：采用SiOxNy在第二电极0223远离衬底基板021的一侧形成第二封装部02312。示例地，首先，通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在第二电极0223远离衬底基板021的一侧沉积一层SiOxNy得到SiOxNy材质层，然后，通过一次构图工艺对SiOxNy材质层进行处理得到第二封装部02312。
步骤908、在目标封装膜层远离第二电极的一侧形成有机层。
请参考图16，其示出了本申请实施例提供的一种在目标封装膜层0231远离第二电极0223的一侧形成有机层0232后的示意图，有机层0232为覆盖目标封装膜层0231的整层结构，有机层0232的材料可以为有机树脂。
可选地，在目标封装膜层0231远离第二电极0223的一侧形成有机层0232可以包括：通过喷墨打印工艺在目标封装膜层0231远离第二电极0223的一侧打印一层有机树脂，并对打印的有机树脂进行干燥处理得到有机层0232。
步骤909、在有机层远离目标封装膜层的一侧形成无机层，目标封装膜层、有机层和无机层构成薄膜封装结构。
在有机层0232远离目标封装膜层0231的一侧形成无机层0233后的示意图可以参考图4，目标封装膜层0231、有机层0232和无机层0233构成薄膜封装结构023。其中，无机层0233的材料可以包括SiOx、SiNx、Al2O3或SiOxNy等透明无机材料。
以无机层0233的材料为SiOx为例，可选地，在有机层0232远离目标封装膜层0231的一侧形成无机层0233可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在有机层0232远离目标封装膜层0231的一侧沉积一层SiOx得到SiOx材质层，通过一次构图工艺对SiOx材质层进行处理得到无机层0233。
需要说明的是，本申请实施例提供的发光器件的制造方法中，所涉及的一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，通过一次构图工艺对材质层(例如ITO材质层)进行处理包括：在材质层(例如ITO材质层)上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对材质层(例如ITO材质层)上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，最后剥离非曝光区的光刻胶得到相应的结构(例如第二电极0223)。这里是以光刻胶为正性光刻胶为例进行说明的，当光刻胶为负性光刻胶时，一次构图工艺的过程可以参考本段的描述，本申请实施例在此不再赘述。
本申请实施例提供的发光器件的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，例如，当发光器件为显示器件时，该方法还可以包括形成薄膜晶体管、像素电路以及偏光片等的过程，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的发光器件的制造的方法，在发光器件中，薄膜封装结构的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，第一封装部在衬底基板上的正投影覆盖发光单元在衬底基板上的正投影，第一封装部的折射率小于第二封装部的折射率。发光单元发射出的光线射入目标封装膜层后，首先在第一封装部中传播，然后在第一封装部与第二封装部的交界面向发光器件的出光面所在侧折射至第二封装部，最终通过第二封装部从发光器件的出光面射出。由于目标封装膜层可以通过折射的方式使光线从发光器件的出光面射出，因此有助于避免光线在薄膜封装结构内发生波导效应，有助于提高发光器件的外耦合效率。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的发光器件02，发光器件02可以为电致发光器件，例如，发光器件02为OLED器件或QLED器件，相应地，显示装置可以为OLED显示装置或QLED显示装置。
其中，该显示装置可以为电子纸、显示基板、显示面板、手表、手环、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (18)
1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的发光单元；以及，
设置在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧的薄膜封装结构，所述薄膜封装结构包括至少一个封装膜层，所述至少一个封装膜层中的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影，所述第一封装部的折射率小于所述第二封装部的折射率。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述目标封装膜层为所述至少一个封装膜层中，距离所述发光单元最近的封装膜层。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述目标封装膜层为无机层。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二封装部的折射率与所述第一封装部的折射率的差值的范围为0.1～0.5。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一封装部的折射率的范围为1.45～1.55，所述第二封装部的折射率的范围为1.65～1.85。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一封装部的材料包括氧化硅，所述第二封装部的材料包括氮氧化硅。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述薄膜封装结构包括沿远离所述发光单元的方向交替叠加的无机层和有机层，所述薄膜封装结构中距离所述发光单元最近的封装膜层和距离所述发光单元最远的封装膜层均为无机层，所述目标封装膜层为距离所述发光单元最近的无机层。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一封装部的边界与所述发光单元的边界之间的水平距离的范围为2微米～6微米，所述水平距离为所述第一封装部的边界与所述发光单元的边界在平行于所述衬底基板的板面的方向上的最小距离。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬底基板具有封装区域，所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述封装区域内，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影，所述第二封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述封装区域中，除所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影所在区域之外的区域。
10.根据权利要求1至7任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：围绕所述发光单元设置的反射层，所述反射层的反射面与所述衬底基板的板面之间存在夹角。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述衬底基板具有封装区域，所述发光单元在所述衬底基板上的正投影和所述反射层在所述衬底基板上的正投影均位于所述封装区域内，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影，且覆盖所述反射层在所述衬底基板上的正投影，所述第二封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述封装区域中，除所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影所在区域之外的区域。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述第一封装部的边界与所述反射层的反射面的边界之间的水平距离的范围为1微米～4微米，所述水平距离为所述第一封装部的边界与所述反射层的反射面的边界在平行于所述衬底基板的板面的方向上的最小距离。
13.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述发光单元包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠加的第一电极、发光层和第二电极，所述反射层围绕所述第一电极设置。
14.一种发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成发光单元；
在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成薄膜封装结构，所述薄膜封装结构包括至少一个封装膜层，所述至少一个封装膜层中的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影，所述第一封装部的折射率小于所述第二封装部的折射率。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成薄膜封装结构，包括：
在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成第一封装部，所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影；
在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成第二封装部，所述第二封装部与所述第一封装部同层设置且相互接触，所述第一封装部和所述第二封装部构成所述目标封装膜层；
在所述目标封装膜层远离所述发光单元的一侧形成有机层。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
形成围绕所述发光单元的反射层，所述反射层的反射面与所述衬底基板的板面之间存在夹角。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，
在所述衬底基板上形成发光单元，包括：
在所述衬底基板上形成依次叠加的第一电极、发光层和第二电极；
所述形成围绕所述发光单元的反射层，包括：
形成围绕所述第一电极的反射层；
其中，所述反射层与所述第一电极同时形成。
18.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至13任一项所述的发光器件。
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