KR20210064559A - 발광 표시 장치 - Google Patents

발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210064559A
KR20210064559A KR1020190152920A KR20190152920A KR20210064559A KR 20210064559 A KR20210064559 A KR 20210064559A KR 1020190152920 A KR1020190152920 A KR 1020190152920A KR 20190152920 A KR20190152920 A KR 20190152920A KR 20210064559 A KR20210064559 A KR 20210064559A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
disposed
transparent conductive
thickness
Prior art date
Application number
KR1020190152920A
Other languages
English (en)
Inventor
심동민
구원회
최혜경
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190152920A priority Critical patent/KR20210064559A/ko
Priority to CN202010771893.5A priority patent/CN112864188A/zh
Priority to US17/006,475 priority patent/US11552270B2/en
Publication of KR20210064559A publication Critical patent/KR20210064559A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H01L51/5209—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H01L27/3246—
    • H01L51/5012—
    • H01L51/5215—
    • H01L51/5218—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H01L2251/301—
    • H01L2251/558—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소가 포함된 기판, 기판 상에 배치되고, 베이스부 및 돌출부를 갖는 오버 코팅층, 복수의 서브 화소에서 베이스부 및 돌출부의 측부를 덮도록 배치된 제1 전극, 오버 코팅층 및 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층 및 복수의 서브 화소에서 제1 전극 및 뱅크층 상에 배치된 발광층 및 제2 전극을 포함하고, 제1 전극은 반사층 및 반사층 상의 투명 도전층을 포함하고, 투명 도전층은 베이스부 상에 배치된 제1 부분 및 돌출부의 측면과 접하는 제2 부분을 포함하고, 제1 부분의 두께보다 두꺼운 제2 부분을 포함한다.

Description

발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광 추출 효율을 향상시킴과 동시에 색좌표 변동을 억제하여 색재현율을 향상시킬 수 있는 발광 표시 장치에 관한 것이다.
현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.
다양한 표시 장치 중, 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측부에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각(viewing angle), 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.
발광 표시 장치의 발광층에서 발광된 광은 발광 표시 장치의 여러 구성 요소들을 통과하여 발광 표시 장치의 외부로 나오게 된다. 그러나, 발광층에서 발광된 광 중 발광 표시 장치 외부로 나오지 못하고 발광 표시 장치 내부에 갇히는 광들이 존재하게 되어, 발광 표시 장치의 광 추출 효율이 문제가 된다.
예를 들어, 발광층에서 발광된 광 중 일부가 전반사 손실, 광도파 손실 및 표면 플라즈몬(surface plasmon) 손실로 인해 발광 표시 장치 내부에 갇히는 문제점이 있다. 여기서, 전반사 손실은 발광층에서 발광된 광 중 기판과 공기의 계면에서의 전반사에 의해 발광 표시 장치 내부에 광이 갇혀 광 추출 효율이 저하되는 것을 지칭한다. 광도파 손실은 발광 표시 장치 내부의 구성 요소들의 계면에서의 전반사에 의해 발광 표시 장치 내부에 광이 갇혀 광 추출 효율이 저하되는 것을 지칭한다. 표면 플라즈몬 손실은 광이 입사 및 전파되는 과정에서 금속 표면에 존재하는 광이 금속에 흡수되는 현상에 의해 금속 표면의 자유 전자가 진동 하여 광이 반사되거나 투과되지 못하여 광 추출 효율이 저하되는 것을 지칭한다.
본 발명의 발명자들은 전반사 손실 및 광도파 손실을 개선하여 발광 표시 장치의 광 추출 효율을 향상시키기 위해, 새로운 구조의 발광 표시 장치를 발명하였다. 예를 들어, 본 발명의 발명자들은 평탄한 상면을 갖는 베이스부와 베이스부 상에서 돌출된 돌출부를 갖도록 오버 코팅층을 형성하고, 베이스부와 돌출부의 측부에 반사층을 갖는 애노드를 배치하였다. 이에 따라, 돌출부의 측부에 형성된 애노드의 반사층은 측면 거울(side mirror)과 같은 기능을 할 수 있고, 전반사에 의해 발광 표시 장치 내부에 갇히는 광들 중 일부는 발광 표시 장치 정면 방향으로 추출되어, 발광 표시 장치의 광 추출 효율이 개선되었다.
그러나, 본 발명의 발명자들은 상술한 바와 같은 구조의 발광 표시 장치에서 추가로 추출되는 광이 색좌표 변동을 발생시키는 문제점을 인식하였다.
예를 들어, 발광 표시 장치의 돌출부의 측부에 반사 전극을 배치하게 되면 비발광 영역에서 광이 발광 표시 장치 상부로 추출되고, 광 추출 효율 향상에 기여할 수 있다. 그러나, 비발광 영역에 배치된 반사 전극에서 반사되어 발광 표시 장치 상부로 추출되는 광은 PL(photoluminescence)의 스펙트럼을 띄게 된다. 이에, 추가로 추출되는 광은 단파장 영역보다 장파장 영역에서 보다 많이 증가할 수 있다. 이에, 청색 서브 화소와 같이 단파장대의 광을 발광하는 서브 화소의 경우 색좌표가 변동되는 문제가 발생할 수 있다.
이에, 본 발명의 발명자들은 광 추출 효율을 향상시키면서도 색좌표 변동을 최소화할 수 있는 새로운 구조의 발광 표시 장치를 발명하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 측면 거울 형상의 애노드를 사용함에 따라 발생할 수 있는 장파장 영역의 광 발생을 최소화할 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 추출되는 광의 색좌표 변동을 저감시키는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소가 포함된 기판, 기판 상에 배치되고, 베이스부 및 돌출부를 갖는 오버 코팅층, 복수의 서브 화소에서 베이스부 및 돌출부의 측부를 덮도록 배치된 제1 전극, 오버 코팅층 및 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층 및 복수의 서브 화소에서 제1 전극 및 뱅크층 상에 배치된 발광층 및 제2 전극을 포함하고, 제1 전극은 반사층 및 반사층 상의 투명 도전층을 포함하고, 투명 도전층은 베이스부 상에 배치된 제1 부분 및 돌출부의 측면과 접하는 제2 부분을 포함하고, 제1 부분의 두께보다 두꺼운 제2 부분을 포함한다
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 복수의 서브 화소가 정의된 기판, 비발광 영역에서 돌출된 돌출부를 갖는 오버 코팅층, 발광 영역 및 돌출부에 접하도록 배치된 제1 전극, 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에서 발광 영역에 배치된 발광층을 포함하는 발광 소자 및 돌출부 및 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층을 포함하고, 제1 전극은 반사층 및 반사층 상의 투명 도전층을 포함하고, 투명 도전층은 발광 영역에 배치되는 제1 투명 도전층 및 비발광 영역에서 돌출부에 배치되는 제2 투명 도전층을 포함하고, 돌출부에 배치되는 반사층에 의해 반사되어 추출되는 광에 의해 색좌표 변동이 발생하는 것을 저감하도록 제1 투명 도전층의 두께보다 두꺼운 제2 투명 도전층을 포함한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 측면 거울 형상의 애노드를 이용하여 발광 표시 장치의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 애노드의 두께를 발광 영역과 비발광 영역에서 다르게 설정하여, 광효율 향상에 기여하는 추가 추출 광에 의한 색좌표 변동을 억제하여 색재현율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 영역에 대한 확대 평면도이다.
도 3a는 도 2의 IIIa-IIIa'에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3b는 도 2의 IIIb-IIIb'에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7a 내지 도 7c은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 발광 표시 장치의 광 추출 스펙트럼이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '가진다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제1, 제2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 A 영역에 대한 확대 평면도이다. 도 3a는 도 2의 IIIa-IIIa'에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 3b는 도 2의 IIIb-IIIb'에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 2에서는 설명의 편의상 복수의 서브 화소(SPX)만을 도시하였다. 또한, 도 3a는 제1 서브 화소(SPX1) 및 제2 서브 화소(SPX2)에 대한 단면도이고, 도 3b는 제3 서브 화소(SPX3)에 대한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 박막 트랜지스터(120), 발광 소자(130), 오버 코팅층(140), 뱅크층(114) 및 봉지부(150)를 포함할 수 있다. 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션(top emission) 방식의 발광 표시 장치로 구현될 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(A/A) 및 비표시 영역(N/A)을 포함한다.
표시 영역(A/A)은 발광 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 영역(A/A)에서는 표시 소자 및 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 소자는 제1 전극(131), 발광층(132) 및 제2 전극(133)을 포함하는 발광 소자(130)로 구성될 수 있다. 또한, 표시 소자를 구동하기 위한 박막 트랜지스터(120), 커패시터, 배선 등과 같은 다양한 구동 소자가 표시 영역(A/A)에 배치될 수 있다.
표시 영역(A/A)에는 복수의 서브 화소(SPX)가 포함될 수 있다. 서브 화소(SPX)는 화면을 구성하는 최소 단위로, 복수의 서브 화소(SPX) 각각은 발광 소자(130) 및 구동 회로를 포함할 수 있다. 그리고, 복수의 서브 화소(SPX) 각각은 서로 다른 파장의 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SPX)는 적색 서브 화소인 제1 서브 화소(SPX1), 녹색 서브 화소인 제2 서브 화소(SPX2) 및 청색 서브 화소인 제3 서브 화소(SPX3)를 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 복수의 서브 화소(SPX)는 백색 서브 화소를 더 포함할 수도 있다.
서브 화소(SPX)의 구동 회로는 발광 소자(130)의 구동을 제어하기 위한 회로이다. 예를 들어, 구동 회로는 박막 트랜지스터(120) 및 커패시터를 포함하여 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
비표시 영역(N/A)은 영상이 표시되지 않는 영역으로서, 표시 영역(A/A)에 배치된 복수의 서브 화소(SPX)를 구동하기 위한 다양한 구성 요소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(N/A)에는 복수의 서브 화소(SPX)의 구동을 위한 신호를 공급하는 구동 IC, 플렉서블 필름 등이 배치될 수도 있다.
비표시 영역(N/A)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(A/A)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 비표시 영역(N/A)은 표시 영역(A/A)에서 연장되는 영역일 수도 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 기판(110)은 발광 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하고 보호하기 위한 기판이다. 기판(110)은 유리, 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(110) 상에 버퍼층(111)이 배치된다. 버퍼층(111)은 버퍼층(111) 상에 형성되는 층들과 기판(110) 간의 접착력을 향상시키고, 기판(110)으로부터 유출되는 알칼리 성분 등을 차단할 수 있다. 버퍼층(111)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx) 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 버퍼층(111)은 기판(110)의 종류 및 물질, 박막 트랜지스터(120)의 구조 및 타입 등에 기초하여 생략될 수도 있다.
기판(110) 상에 박막 트랜지스터(120)가 배치된다. 박막 트랜지스터(120)는 발광 표시 장치(100)의 구동 소자로 사용될 수 있다. 박막 트랜지스터(120)는 게이트 전극(121), 액티브층(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서 박막 트랜지스터(120)는 게이트 전극(121) 상에 액티브층(122)이 배치되고, 액티브층(122) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치된 구조로, 게이트 전극(121)이 가장 하부에 배치된 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터이나 이에 제한되는 것은 아니다.
박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(121)은 기판(110) 상에 배치된다. 게이트 전극(121)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트 전극(121) 상에 게이트 절연층(112)이 배치된다. 게이트 절연층(112)은 게이트 전극(121)과 액티브층(122)을 전기적으로 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(112)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트 절연층(112) 상에 액티브층(122)이 배치된다. 액티브층(122)은 게이트 전극(121)과 중첩하도록 배치된다. 예를 들어, 액티브층(122)은 산화물 반도체로 형성될 수도 있고, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 또는 유기물(organic) 반도체 등으로 형성될 수 있다.
액티브층(122) 상에 에치 스토퍼(etch stopper; 117)가 배치된다. 에치 스토퍼(117)는, 에칭 방법으로 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 패터닝하여 형성하는 경우 액티브층(122) 표면이 플라즈마로 인해 손상되는 것을 방지하기 위해 형성되는 층일 수 있다. 에치 스토퍼(117)의 일단은 소스 전극(123)과 중첩하고, 타단은 드레인 전극(124)과 중첩할 수 있다. 그러나, 에치 스토퍼(117)는 생략될 수도 있다.
액티브층(122) 및 에치 스토퍼(117) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 동일 층에서 이격되어 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 액티브층(122)과 접하는 방식으로 액티브층(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
박막 트랜지스터(120) 상에 오버 코팅층(140)이 배치된다. 오버 코팅층(140)은 박막 트랜지스터(120)를 보호하고, 기판(110) 상에 배치되는 층들의 단차를 완만하게 하기 위한 절연층이다. 오버 코팅층(140)은 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 벤조사이클로부텐 및 포토레지스트 중 하나로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
오버 코팅층(140)은 베이스부(141)와 돌출부(142)를 포함한다. 베이스부(141)와 돌출부(142)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 일체로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스부(141)와 돌출부(142)는 동일한 물질로 이루어져 동시에 동일한 공정, 예를 들어, 마스크 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
베이스부(141)는 박막 트랜지스터(120) 상에 배치된다. 베이스부(141)의 상면은 기판(110)과 평행한 면을 가진다. 이에, 베이스부(141)는 하부에 배치된 구성 요소로 인해 발생할 수 있는 단차를 평탄화할 수 있다. 예를 들면, 오버 코팅층(140)의 하부에 배치된 박막 트랜지스터(120)로 인해 발생할 수 있는 단차를 평탄화할 수 있다.
베이스부(141) 상에는 돌출부(142)가 배치된다. 돌출부(142)는 비발광 영역(NEA)상에 배치되며, 베이스부(141)와 일체로 형성되어 베이스부(141)에서 돌출된 형상을 가진다. 이에, 돌출부(142)는 상면이 하면보다 작게 배치될 수 있다. 그러나 이에 제한되는 것은 아니다.
돌출부(142)는 상면 및 측면을 포함한다. 돌출부(142)의 상면은 돌출부(142)에서 최상부에 위치하는 면으로, 베이스부(141) 또는 기판(110)과 실질적으로 평행한 면일 수 있다. 돌출부(142)의 측면은 돌출부(142)의 상면과 베이스부(141)를 연결하는 면일 수 있다.
도 3a 및 도 3b에서는 오버 코팅층(140)이 평탄한 상면을 갖는 베이스부(141)와 베이스부(141)에서 돌출된 돌출부(142)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 오버 코팅층(140)이 베이스부(141)와 돌출부(142)로 구현되는 형상을 가진다면 오버 코팅층(140)의 세부적인 구성은 베이스부(141)와 돌출부(142)로 한정되지 않고, 다양하게 구현될 수 있다.
오버 코팅층(140) 상에 발광 소자(130)가 배치된다. 발광 소자(130)는 제1 전극(131), 발광층(132) 및 제2 전극(133)을 포함한다.
제1 전극(131)은 오버 코팅층(140) 상에 배치되어 베이스부(141) 및 돌출부(142)의 측부를 덮도록 배치된다. 예를 들어, 제1 전극(131)은 돌출부(142)가 배치되지 않은 베이스부(141)의 상면, 돌출부(142)의 측부 및 돌출부(142)의 상면 중 일부 영역에서 배치되며, 베이스부(141) 및 돌출부(142)의 형상을 따라 배치된다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제1 전극(131)은 돌출부(142)가 배치되지 않은 베이스부(141)의 상면 및 돌출부(142)의 측부에만 배치될 수도 있다.
제1 전극(131)은 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결된 반사층(131A) 및 반사층(131A) 상에 배치된 투명 도전층(131B)을 포함한다.
제1 전극(131)의 반사층(131A)은 오버 코팅층(140) 상에 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이므로, 반사층(131A)은 발광 소자(130)에서 발광된 광을 상부로 반사시킬 수 있다. 발광 소자(130)의 발광층(132)에서 생성된 광은 상부로만 발광되지 않고, 측부로도 발광될 수 있다. 측부로 발광된 광은 발광 표시 장치(100) 내부로 향하게 되고, 전반사에 의해 발광 표시 장치(100) 내부에 갇힐 수 있다. 발광 표시 장치(100) 내부에 갇힌 광은 발광 표시 장치(100) 내부의 방향으로 진행하다 소멸될 수도 있다. 이에, 반사층(131A)은 발광층(132)의 하부에 배치되고, 돌출부(142)의 측부를 덮도록 배치되어, 발광층(132)의 측부로 진행하는 광의 진행 방향을 정면 방향으로 바꾸어 줄 수 있다.
반사층(131A)은 금속 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 마그네슘-은 합금(Mg:Ag) 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 반사층(131A)은 오버 코팅층(140)에 형성된 컨택홀을 통해 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 반사층(131A)은 오버 코팅층(140)에 형성된 컨택홀을 통해 소스 전극(123)과 전기적으로 연결될 수도 있다.
투명 도전층(131B)은 반사층(131A) 상에 배치된다. 투명 도전층(131B)은 반사층(131A) 상에 배치되고, 반사층(131A)을 통해 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결된다. 투명 도전층(131B)은 발광층(132)에 정공을 공급하기 위하여 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 투명 도전층(131B)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TO) 계열의 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 투명 도전층(131B)이 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)로 이루어지는 경우, 투명 도전층(131B)의 굴절률은 약 1.8 정도일 수 있다.
도 3a 및 도 3b에서는 제1 전극(131)이 반사층(131A) 및 반사층(131A) 상에 배치된 투명 도전층(131B)을 포함하는 것으로 설명하였으나, 제1 전극(131)은 반사층(131A)과 오버 코팅층(140) 사이에 배치되는 추가 투명 도전층을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(131)은 추가 투명 도전층, 반사층(131A) 및 투명 도전층(131B)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 이때, 추가 투명 도전층은 투명 도전층(131B)과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 제1 전극(131)과 오버 코팅층(140) 간의 접착력을 증대시킬 수 있다. 또한, 돌출부(142)가 배치되지 않은 베이스부(141)의 상면 상에서의 추가 투명 도전층의 두께와 투명 도전층(131B)의 두께와 동일할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 전극(131) 및 오버 코팅층(140) 상에 뱅크층(114)이 배치된다. 뱅크층(114)은 복수의 서브 화소(SPX)에서 오버 코팅층(140) 및 발광 소자(130)의 제1 전극(131)의 일부를 덮으며 발광 영역(EA)과 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비발광 영역(NEA)에서 뱅크층(114)은 제1 전극(131) 상에 배치되어 비발광 영역(NEA)에서의 광 생성을 차단할 수 있다. 발광 영역(EA)에서는 뱅크층(114)이 배치되지 않으므로, 제1 전극(131) 상에 발광층(132)이 바로 위치하여 발광층(132)에서 광이 생성될 수 있다.
뱅크층(114)은 유기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(114)은 폴리이미드, 아크릴 또는 벤조사이클로부텐계 수지 등과 같은 유기물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 뱅크층(114)으로 폴리이미드가 사용되는 경우, 뱅크층(114)의 굴절률은 약 1.6 정도일 수 있다.
발광층(132)은 복수의 서브 화소(SPX)에서 제1 전극(131)과 접하도록 배치된다. 예를 들어, 발광층(132)은 제1 전극(131) 상에서 발광 영역(EA)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 발광층(132)은 뱅크층(114)에 의해 둘러싸이도록 배치될 수 있다.
발광층(132)은 특정 색의 광을 발광하기 위한 층으로서 각각의 서브 화소(SPX)별로 분리된 구조를 갖는다. 예를 들어, 적색 서브 화소인 제1 서브 화소(SPX1)에 배치되는 발광층(132)은 적색 발광층이고, 녹색 서브 화소인 제2 서브 화소(SPX2)에 배치되는 발광층(132)은 녹색 발광층이고, 청색 서브 화소인 제3 서브 화소(SPX3)에 배치되는 발광층(132)은 청색 발광층이며, 제1 서브 화소(SPX1)에 배치되는 발광층(132), 제2 서브 화소(SPX2)에 배치되는 발광층(132) 및 제3 서브 화소(SPX3)에 배치되는 발광층(132)은 분리되어 배치될 수 있다. 각각의 발광은 서브 화소(SPX) 별로 개구된 마스크, 예를 들어, FMM(fine metal mask)을 이용하여 각각의 발광 영역(EA)에 패턴 증착될 수 있다. 발광층(132)은 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 저지층, 전자 주입층, 전자 수송층, 및 전자 저지층 등과 같은 다양한 층을 더 포함할 수도 있고, 다양한 유기층들은 모든 서브 화소(SPX)에 단일층으로 형성될 수도 있다. 또한, 발광층(132)은 유기물로 이루어지는 유기 발광층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 발광층(132)은 양자점 발광층 또는 마이크로 LED 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(133)은 복수의 서브 화소(SPX)에서 발광층(132) 및 뱅크층(114)상에 배치된다. 예를 들어, 제2 전극(133)은 발광 영역(EA)상에서 발광층(132)과 접하게 배치되며, 발광층(132)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 또한, 제2 전극(133)은 비발광 영역(NEA)상에서 뱅크층(114)과 접하게 배치되며, 뱅크층(114)의 형상을 따라 배치될 수 있다.
제2 전극(133)은 발광층(132)으로 전자를 공급한다. 제2 전극(133)은 은(Ag), 구리(Cu), 마그네슘-은 합금(Mg:Ag) 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수도 있고, 투명 도전성 산화물 또는 이테르븀(Yb) 합금으로 이루어질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이므로, 마이크로 캐비티(micro cavity)가 구현되도록 제조될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 반사층(131A)과 제2 전극(133) 사이의 거리를 설정함으로써, 발광층(132)에서 발광되는 광에 대한 보강 간섭을 구현하여, 광 효율을 향상시킬 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 발광층(132)의 두께 값을 각각의 서브 화소(SPX)마다 다르게 구현하여 마이크로 캐비티가 구현될 수 있다.
제2 전극(133) 상에는 봉지부(150)가 배치된다. 봉지부(150)는 오버 코팅층(140) 및 발광 소자(130) 상에 배치된다. 봉지부(150)는 외부로부터 발광 표시 장치(100) 내부로 침투하는 산소와 수분을 차단할 수 있다. 예를 들어, 발광 표시 장치(100)가 수분이나 산소에 노출되면 발광 영역(EA)이 축소되는 픽셀 수축 현상이 나타나거나 발광 영역(EA) 내 흑점이 발생하는 문제가 발생할 수 있다. 이에 봉지부(150)는 산소와 수분을 차단하여 발광 표시 장치(100)를 보호할 수 있다.
봉지부(150)는 제1 봉지층(151), 제2 봉지층(152), 및 제3 봉지층(153)을 포함한다.
제1 봉지층(151)은 제2 전극(133) 상에 배치되며, 수분이나 산소의 침투를 억제할 수 있다. 제1 봉지층(151)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 봉지층(152)은 제1 봉지층(151) 상에 배치되어 표면을 평탄화할 수 있다. 또한 제2 봉지층(152)은 발광 표시 장치(100)의 제조 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클을 커버할 수 있다. 제2 봉지층(152)은 유기물, 예를 들어, 실리콘옥시카본(SiOxCz), 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진(Resin) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제3 봉지층(153)은 제2 봉지층(152) 상에 배치되고, 제1 봉지층(151)과 같이 수분이나 산소의 침투를 억제할 수 있다. 제3 봉지층(153)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이전의 발광 표시 장치에서는 발광층에서 발광된 광 중 발광 표시 장치 내부에 갇혀 손실되는 광이 광효율을 저하시키는 요인이 되었다. 예를 들어, 발광층에서 발광하는 광 중 전반사 손실이나 광도파 손실에 의해 발광 표시 장치 외부로 추출되지 못하는 광들이 발생하여, 발광 표시 장치의 광 추출 효율이 저하되었다. 예를 들어, 이전의 발광 표시 장치에서는 상면이 평탄한 형상의 오버 코팅층 상에 형성된 제1 전극을 사용했으므로, 발광층에서 발광된 광 중 낮은 출사각으로 출사된 광은 전반사 손실이나 광도파 손실에 의해 발광 표시 장치에 갇힐 수 있었다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 돌출부(142)를 갖는 오버 코팅층(140)을 사용하여 발광 소자(130)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 오버 코팅층(140)이 베이스부(141) 및 베이스부(141)로부터 돌출된 돌출부(142)로 구성되고, 발광 소자(130)의 제1 전극(131)의 반사층(131A)이 돌출부(142)가 배치되지 않은 베이스부(141) 및 적어도 돌출부(142)의 측부를 덮도록 배치된다. 따라서, 발광 표시 장치(100)의 발광층(132)에서 발광되는 광 중 낮은 출사각으로 출사된 제2 광(L2)이 돌출부(142)의 측부에 배치된 반사층(131A)에 의해 정면 방향으로 추출될 수 있다. 예를 들어, 이전의 발광 표시 장치와 같이 평탄한 형상의 오버 코팅층 상에 제1 전극이 배치된 경우라면, 측부 방향으로 향하는 광, 예를 들어, 낮은 출사각으로 출사된 광은 정면 방향으로 진행되지 않고 전반사 손실이나 광도파 손실에 의해 발광 표시 장치 외부로 추출되지 못할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 발광층(132)에서 정면 방향으로 출사되는 제1 광(L1)과 함께 발광층(132)에서 낮은 출사각으로 출사되는 제2 광(L2)이 돌출부(142)의 측부에 배치된 반사층(131A)에서 반사되어 정면 방향으로 추출될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 오버 코팅층(140)의 측부에 배치된 반사층(131A)이 측면 거울과 같은 기능을 하여 발광 표시 장치(100) 내에서 손실될 수 있는 광을 정면 방향으로 추출시킬 수 있으므로, 광 추출 효율이 개선될 수 있으며, 소비 전력이 향상될 수 있다.
발광층(132)에서 정면 방향으로 출사되는 제1 광(L1)은 EL(electroluminescence) 스펙트럼을 갖고 마이크로 캐비티가 구현되어 출사되는 반면, 발광층(132)에서 낮은 출사각으로 출사되어 돌출부(142)의 측부에 배치된 반사층(131A)에서 반사되어 정면 방향으로 추출되는 제2 광(L2)은 PL(photoluminescence) 특성을 가질 수 있다. PL 스펙트럼은 빛 에너지를 인가 받아 발광하는 광의 스펙트럼이며, EL 스펙트럼은 전기 에너지를 인가 받아 발광하는 광의 스펙트럼으로, 빛 에너지는 일부가 열과 같은 에너지로 소실될 수 있다. 따라서, PL 스펙트럼은 EL 스펙트럼 보다 상대적으로 낮은 에너지의 광, 즉, 장파장 영역의 광이 많이 존재할 수 있다. 따라서, 발광 표시 장치(100)에서 외부로 추출되는 광은 PL 특성을 갖는 제2 광(L2)이 기여하는 추가 광에 의해 단파장대보다 장파장대에서 증가율이 더 높을 수 있다.
예를 들면, 적색 서브 화소인 제1 서브 화소(SPX1)의 경우 적색 서브 화소에서 발광되는 적색광이 장파장이므로, 제1 서브 화소(SPX1)에서는 제1 광(L1)과 함께 제2 광(L2)이 추출됨에 따라 색재현율이 더 개선될 수 있다. 이에, 도 3a에 도시된 바와 같이, 제1 서브 화소(SPX1)에서 제1 전극(131)의 투명 도전층(131B)의 두께는 발광 영역(EA)과 비발광 영역(NEA)에서 동일할 수 있다. 예를 들면, 베이스부(141) 상에서의 투명 도전층(131B)의 두께와 돌출부(142) 상에서의 투명 도전층(131B)의 두께는 동일할 수 있다.
또한, 녹색 서브 화소인 제2 서브 화소(SPX2)의 경우, 제2 광(L2)에 의해 장파장대에서 추출되는 광의 증가율이 높아 색좌표가 변동될 수 있다. 다만, 일반적으로 녹색광을 발광하기 위한 발광층으로 사용되는 물질의 효율이 다른 색의 광을 발광하기 위한 발광층에 비해 매우 뛰어나므로, 장파장대에 증가된 광의 양을 제거하기 위해 전체 파장대에 대한 강도를 감소시키는 방식으로 색좌표 변동을 방지할 수 있다. 이에, 도 3a에 도시된 바와 같이, 제2 서브 화소(SPX2)에서 제1 전극(131)의 투명 도전층(131B)의 두께는 발광 영역(EA)과 비발광 영역(NEA)에서 동일할 수 있다. 예를 들면, 베이스부(141) 상에서의 투명 도전층(131B)의 두께와 돌출부(142) 상에서의 투명 도전층(131B)의 두께는 동일할 수 있다.
다음으로, 청색 서브 화소인 제3 서브 화소(SPX3)의 경우, 제2 광(L2)에 의해 장파장대에서 추출되는 광의 증가율이 높아 색좌표가 변동될 수 있다. 또한, 일반적으로 청색광을 발광하기 위한 발광층으로 사용되는 물질의 효율이 다른 색의 광을 발광하기 위한 발광층에 비해 매우 낮다. 따라서, 제3 서브 화소(SPX3)에 대해 제2 서브 화소(SPX2)와 동일한 방식으로 장파장대에 증가된 광의 양을 제거하기 위해 전체 파장대에 대한 강도를 감소시키는 경우, 마이크로 캐비티를 구현하여 개선된 광 효율이 다시 감소하게 될 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 복수의 서브 화소(SPX) 중 청색 서브 화소인 제3 서브 화소(SPX3)에서 투명 도전층(131B)의 두께를 조절하여, 제2 광(L2)에 의해 제3 서브 화소(SPX3)에서 발생할 수 있는 색좌표 변동 현상을 최소화할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 청색 서브 화소인 제3 서브 화소(SPX3)에서 투명 도전층(131B)은 제1 투명 도전층인 제1 부분(131B1), 제2 투명 도전층인 제2 부분(131B2) 및 제3 투명 도전층인 제3 부분(131B3)을 포함한다.
투명 도전층(131B)의 제1 부분(131B1)은 투명 도전층(131B) 중 베이스부(141) 상에 배치되는 부분이다. 제1 부분(131B1)은 오버 코팅층(140)의 베이스부(141)와 접하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 부분(131B1)은 오버 코팅층(140)의 베이스부(141) 상에서 발광 영역(EA)에 배치될 수 있다.
제1 부분(131B1)의 두께(t1)는 마이크로 캐비티를 구현하기 위한 최적의 두께로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제3 서브 화소(SPX3)에서의 제1 부분(131B1)의 두께(t1)는 7nm일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상술한 바와 같이 제1 전극(131)이 반사층(131A)과 오버 코팅층(140) 사이에 배치되는 다른 투명 도전층을 더 포함하는 경우, 제1 부분(131B1)의 두께(t1)와 제1 부분(131B1) 아래에 배치되는 다른 투명 도전층의 두께는 동일할 수 있다.
투명 도전층(131B)의 제2 부분(131B2)은 돌출부(142) 상에 배치되어 돌출부(142)의 측면과 접하도록 배치되는 부분이다. 예를 들어, 제2 부분(131B2)은 오버 코팅층(140) 상에서 비발광 영역(NEA)에 배치될 수 있고, 돌출부(142) 상에서 비발광 영역(NEA)에 배치될 수 있다. 제2 부분(131B2)은 제1 부분(131B1)과 경사를 이루도록 배치되며, 제1 부분(131B1)으로부터 연장될 수 있다. 제2 부분(131B2)은 상부에 배치된 뱅크층(114)과 접하도록 배치되어, 광을 생성하는데 기여하지 않을 수 있다.
제2 부분(131B2)의 두께(t2)는 제1 부분(131B1)의 두께(t1)보다 클 수 있다. 즉, 돌출부(142)와 접하는 제2 부분(131B2)의 하면과 뱅크층(114)과 접하는 제2 부분(131B2)의 상면 사이의 수직 거리는 제1 부분(131B1)의 두께(t1) 보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 부분(131B2)의 두께(t2)는 45nm 내지 75nm일 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 제1 전극(131)이 반사층(131A)과 오버 코팅층(140) 사이에 배치되는 다른 투명 도전층을 더 포함하는 경우, 제2 부분(131B2)의 두께(t2)는 제2 부분(131B2) 아래에 배치되는 다른 투명 도전층의 두께보다 클 수 있다.
투명 도전층(131B)의 제3 부분(131B3)은 돌출부(142) 상에 배치되어 돌출부(142)의 상면과 접하도록 배치되는 부분이다. 예를 들어, 제3 부분(131B3)은 오버 코팅층(140) 상에서 비발광 영역(NEA)에 배치될 수 있고, 돌출부(142)의 상면과 접하도록 배치될 수 있다. 제3 부분(131B3)이 돌출부(142)의 상면과 접하도록 배치됨에 따라, 제3 부분(131B3)은 제1 부분(131B1)과 평행하도록 배치될 수 있다. 제3 부분(131B3)은 제2 부분(131B2)과 경사를 이루도록 배치되며, 제2 부분(131B2)으로부터 연장될 수 있다. 제3 부분(131B3)은 상부에 배치된 뱅크층(114)과 접하도록 배치되어, 광을 생성하는데 기여하지 않을 수 있다.
제3 부분(131B3)의 두께(t3)는 제1 부분(131B2)의 두께(t1) 및 제2 부분(131B2)의 두께(t2) 중 어느 하나와 동일할 수 있다. 즉, 제조 편의 상 제3 부분(131B3)과 제1 부분(131B1)을 동시에 형성하는 경우, 제3 부분(131B3)의 두께(t3)는 제1 부분(131B1)의 두께(t1)와 동일할 수 있고, 제3 부분(131B3)과 제2 부분(131B2)을 동시에 형성하는 경우, 제3 부분(131B3)의 두께(t3)는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)와 동일할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제3 부분(131B3)의 두께(t3)는 제1 부분(131B1)의 두께(t1) 및 제2 부분(131B2)의 두께(t2) 둘 모두와 상이할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 청색 서브 화소인 제3 서브 화소(SPX3)에 배치된 제1 전극(131)의 투명 도전층(131B)의 두께를 조절하여 청색광이 아닌 다른 파장의 광의 반사율을 저감시킬 수 있다. 굴절률이 다른 층으로 구성된 적층 구조에서는 굴절률 차이가 발생하는 계면에서 계면을 통과하는 광에 대해 보강 간섭 및 상쇄 간섭이 발생할 수 있다. 즉, 광의 진행 경로에 상이한 굴절률을 갖는 층들을 배치하면 프레넬 반사에 의한 보강 간섭 및 상쇄 간섭으로 특정 파장대의 반사율을 감소시킬 수 있다. 따라서, 돌출부(142)의 측부에 배치된 제1 전극(131)의 투명 도전층(131B)의 제2 부분(131B2)과 뱅크층(114)은 서로 상이한 굴절률을 갖도록 구성되며, 제2 부분(131B2)과 뱅크층(114)으로 구성된 적층 구조는 특정 파장 영역의 광 추출을 감소시킬 수 있다. 구체적으로, 발광층(132)에서 낮은 출사각으로 출사되어 돌출부(142)의 측부로 진행하는 제2 광(L2)은 제2 부분(131B2) 및 뱅크층(114)을 투과하며, 돌출부(142)의 측부에 배치된 반사층(131A)에서 반사되어 정면 방향으로 추출될 수 있다. 이때, 돌출부(142)의 측부로 진행하는 광에 대해 서로 굴절률이 상이한 제2 부분(131B2)과 뱅크층(114)의 계면 및 뱅크층(114)과 뱅크층(114) 상부에 배치된 층 사이의 계면에서 반사 및 간섭 현상이 발생하게 되며, 발광 표시 장치(100) 상부로 추출되는 광의 특정 파장대의 반사율이 저하될 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 제1 전극(131)의 투명 도전층(131B)을 제1 부분(131B1), 제2 부분(131B2) 및 제3 부분(131B3)으로 구성하고, 비발광 영역(NEA) 중 돌출부(142)의 측부에 배치되는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)를 제1 부분(131B1)의 두께(t1)와 다르게 설정하여 특정 파장의 광에 대한 반사율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 청색광이 아닌 다른 파장의 광의 반사율을 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 추가적인 구성 없이, 발광 표시 장치(100)에서 추출되는 광의 파장을 조절할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(131)의 투명 도전층(131B)의 두께만을 조절하여 비발광 영역(NEA) 중 돌출부(142)의 측부에서 반사되어 추출되는 광의 파장을 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 광의 파장을 조절하기 위한 구성요소를 추가로 형성하는데 필요한 공정을 최소화할 수 있고, 제조 시간 및 제조 비용 또한 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 비발광 영역(NEA)에 배치되는 투명 도전층(131B)을 사용하여, 발광 영역(EA)에서 마이크로 캐비티에 의해 구현된 높은 광 효율은 유지한 채 비발광 영역(NEA)을 통해 출사되는 제2 광(L2)에 의한 색좌표 변동을 억제할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서 발광 영역(EA)에 배치되는 투명 도전층(131B)의 제1 부분(131B1)을 마이크로 캐비티를 구현하는 두께로 배치하고, 비발광 영역(NEA)에 배치되는 투명 도전층(131B)의 제2 부분(131B2)을 장파장 영역의 광 발생을 최소화할 수 있는 두께로 배치하여, 발광 영역(EA)에서 출사되는 제1 광(L1)에 대한 높은 광 효율은 유지하며, 또한, 발광층(132)에서 낮은 출사각으로 출사되어 돌출부(142)의 측부에 배치된 반사층(131A)에서 반사되어 비발광 영역(NEA)을 통해 정면 방향으로 추출되는 제2 광(L2)의 색좌표 변동을 최소화할 수 있고 색재현율을 향상시킬 수 있다. 한편, 제2 부분(131B2)의 구체적인 두께에 대해서는 도 7a를 참조하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 4의 발광 표시 장치(400)는 도 1 내지 도 3의 발광 표시 장치(100)와 비교하여 제1 전극(431)이 상이하고, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략하기로 한다.
발광 소자(430)의 제1 전극(431)은 반사층(131A) 및 반사층(131A) 상에 배치된 투명 도전층(431B)을 포함한다.
제1 전극(431)의 반사층(131A)은 오버 코팅층(140) 상에 배치된다. 반사층(131A)은 발광층(132)의 하부에 배치되고, 돌출부(142)의 측부를 덮도록 배치되어, 발광층(132)의 측부로 진행하는 광의 진행 방향을 정면 방향으로 바꾸어 줄 수 있다.
투명 도전층(431B)은 반사층(131A) 상에 배치되며, 제1 부분(131B1), 제2 부분(431B2) 및 제3 부분(131B3)을 포함한다.
투명 도전층(431B)의 제1 부분(131B1)은 투명 도전층(431B) 중 베이스부(141) 상에 배치되는 부분이다. 제1 부분(131B1)은 오버 코팅층(140)의 베이스부(141) 상에서 발광 영역(EA)에 배치될 수 있다. 제1 부분(131B1)의 두께(t1)는 마이크로 캐비티를 구현하기 위한 두께로 설정될 수 있다.
투명 도전층(431B)의 제2 부분(431B2)은 돌출부(142) 상에 배치되어 돌출부(142)의 측면과 접하도록 배치되는 부분이다. 제2 부분(431B2)은 제1 부분(131B1)과 경사를 이루도록 배치될 수 있다. 제2 부분(431B2)은 상부에 배치된 뱅크층(114)과 접하도록 배치되어, 광을 생성하는데 기여하지 않을 수 있다.
제2 부분(431B2)은 복수의 층으로 구성된다. 예를 들어, 제2 부분(431B2)은 상층(431B2T) 및 하층(431B2B)으로 구성될 수 있다. 도 4에는 제2 부분(431B2)이 2개의 층으로 구성되는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 제2 부분(431B2)은 상층(431B2T), 하층(431B2B) 및 상층(431B2T)과 하층(431B2B) 사이의 추가 층을 더 포함할 수도 있다.
제2 부분(431B2)의 하층(431B2B)은 돌출부(142) 상에 배치되어 돌출부(142)의 측면과 접하도록 배치된다. 하층(431B2B)은 제1 부분(131B1)으로부터 연장될 수 있다. 예를 들면, 하층(431B2B)은 제1 부분(131B1)과 동일한 물질로 구성되어 일체로 구현될 수 있다. 또한, 하층(431B2B)의 두께(t21)는 제1 부분(131B1)의 두께(t1)와 동일할 수 있다.
제2 부분(431B2)의 상층(431B2T)은 하층(431B2B)상에 배치된다. 상층(431B2T)은 하층(431B2B)과 접하도록 배치될 수 있다. 상층(431B2T)은 하층(431B2B)과 동일한 물질로 구성될 수 있으며, 예를 들면, 굴절률이 동일한 물질로 구성될 수 있다.
투명 도전층(431B)의 제3 부분(131B3)은 돌출부(142) 상에 배치되어 돌출부(142)의 상면과 접하도록 배치되는 부분이다.
제3 부분(131B3)의 두께(t3)는 제1 부분(131B1)의 두께(t1) 및 하층(431B2B)의 두께(t21)와 동일할 수 있다. 예를 들면, 제1 부분(131B1), 하층(431B2B) 및 제3 부분(131B3)을 동시에 형성하는 경우, 제3 부분(131B3)의 두께(t3)는 제1 부분(131B1)의 두께(t1) 및 하층(431B2B)의 두께(t21)와 동일할 수 있다. 따라서, 투명 도전층(431B)은 제1 부분(131B1), 하층(431B2B) 및 제3 부분(131B3)으로 구성되는 제1 층과 제1 층의 일부 영역 상에 배치되는 상층(431B2T)인 제2 층으로 구성될 수도 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제3 부분(131B3)의 두께(t3)는 제2 부분(431B2)의 두께(t2)와 동일하거나, 제1 부분(131B1)의 두께(t1) 및 제2 부분(431B2)의 두께(t2) 둘 모두와 상이할 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 제1 전극(431)의 투명 도전층(431B)을 제1 부분(131B1), 제2 부분(431B2) 및 제3 부분(131B3)으로 구성하고, 비발광 영역(NEA) 중 돌출부(142)의 측부에 배치되는 제2 부분(431B2)의 두께(t2)를 제1 부분(131B1)의 두께(t1)와 다르게 설정하여 특정 파장의 광에 대한 반사율을 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 제1 전극(431)의 투명 도전층(431B)의 두께(t1)만을 조절하여 비발광 영역(NEA) 중 돌출부(142)의 측부에서 반사되어 추출되는 광의 파장을 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 광의 파장을 조절하기 위한 구성요소를 추가로 형성하는데 필요한 공정을 최소화할 수 있고, 제조 시간 및 제조 비용 또한 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서 발광 영역(EA)에 배치되는 투명 도전층(431B)의 제1 부분(131B1)을 마이크로 캐비티를 구현하는 두께로 배치하고, 비발광 영역(NEA)에 배치되는 투명 도전층(431B)의 제2 부분(431B2)을 장파장 영역의 광 발생을 최소화할 수 있는 두께로 배치하여, 발광 영역(EA)에서 출사되는 제1 광(L1)에 대한 높은 광 효율은 유지하며, 또한, 발광층(132)에서 낮은 출사각으로 출사되어 돌출부(142)의 측부에 배치된 반사층(131A)에서 반사되어 비발광 영역(NEA)을 통해 정면 방향으로 추출되는 제2 광(L2)의 색좌표 변동을 최소화할 수 있고 색재현율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 투명 도전층(431B)의 제2 부분(431B2)을 복수의 층으로 구성하여 투명 도전층(431B)의 제조 공정을 단순화할 수 있다. 예를 들어, 발광 표시 장치(400)는 투명 도전층(431B)을 제1 부분(131B1), 하층(431B2B) 및 제3 부분(131B3)으로 구성되는 제1 층과 제1 층의 일부 영역 상에 배치되는 상층(431B2T)인 제2 층으로 구성할 수 있다. 이에, 제1 부분(131B1), 제2 부분(431B2) 및 제3 부분(131B3)을 각각 다른 공정에서 형성하는 경우보다, 마스크 공정 또는 적층 공정 등의 투명 도전층(431B) 제조 공정 수를 저감할 수 있다. 이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 투명 도전층(431B)의 제2 부분(431B2)을 복수의 층으로 구성하여 투명 도전층(431B)의 제조 공정을 단순화할 수 있으며, 발광 표시 장치(400)의 제조 비용 및 발광 표시 장치(400)의 제조에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 5의 발광 표시 장치(500)는 도 1 내지 도 3의 발광 표시 장치(100)와 비교하여 뱅크층(514)이 상이하고, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 제1 전극(131) 상에 뱅크층(514)이 배치된다. 뱅크층(514)은 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(514)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 뱅크층(514)이 질화 실리콘(SiNx)인 경우, 뱅크층(514)의 굴절률은 약 1.85일 수 있다.
뱅크층(514)을 무기물로 구성함에 따라 뱅크층을 유기물로 구성하는 경우보다 뱅크층(514)의 두께가 감소할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)에서는 제1 전극(131)의 투명 도전층(131B)을 제1 부분(131B1), 제2 부분(131B2) 및 제3 부분(131B3)으로 구성하고, 비발광 영역(NEA) 중 돌출부(142)의 측부에 배치되는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)를 제1 부분(131B1)의 두께(t1)와 다르게 설정하여 특정 파장의 광에 대한 반사율을 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)에서는 제1 전극(131)의 투명 도전층(131B)의 두께만을 조절하여 비발광 영역(NEA) 중 돌출부(142)의 측부에서 반사되어 추출되는 광의 파장을 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)에서는 광의 파장을 조절하기 위한 구성요소를 추가로 형성하는데 필요한 공정을 최소화할 수 있고, 제조 시간 및 제조 비용 또한 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)에서 발광 영역(EA)에 배치되는 투명 도전층(131B)의 제1 부분(131B1)을 마이크로 캐비티를 구현하는 두께로 배치하고, 비발광 영역(NEA)에 배치되는 투명 도전층(131B)의 제2 부분(131B2)을 장파장 영역의 광 발생을 최소화할 수 있는 두께로 배치하여, 발광 영역(EA)에서 출사되는 제1 광(L1)에 대한 높은 광 효율은 유지하며, 또한, 발광층(132)에서 낮은 출사각으로 출사되어 돌출부(142)의 측부에 배치된 반사층(131A)에서 반사되어 비발광 영역(NEA)을 통해 정면 방향으로 추출되는 제2 광(L2)의 색좌표 변동을 최소화할 수 있고 색재현율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)에서는 제1 전극(131)의 상에 제1 전극(131)과 상이한 굴절률을 갖는 뱅크층(514)을 배치하여, 각 서브 화소(SPX)의 광 추출을 조절할 수 있다. 예를 들어, 투명 도전층(131B) 상에 배치되는 뱅크층(514)의 굴절률이 투명 도전층(131B)의 굴절률보다 높은 물질로 구성되는 경우, 발광층(132)에서 형성된 광 중 측부로 진행하는 광은 뱅크층(514) 및 제2 부분(131B2)을 투과하며, 뱅크층(514) 및 제2 부분(131B2)의 두께(t2)의 차이에 따라 보강 간섭 및 상쇄 간섭을 나타낼 수 있다. 이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)에서는 제2 부분(131B2) 및 뱅크층(514)의 두께를 조절하여 제1 전극(131)의 반사층(131A)과 제2 부분(131B2) 사이의 계면과 및 제2 부분(131B2)과 뱅크층(514) 사이의 계면에서 반사되어 보강 간섭 및 상쇄 간섭이 이루어지는 파장대를 설정할 수 있으며, 예를 들면, 청색광이 아닌 다른 파장의 광의 투과율을 떨어지게 할 수 있으며, 장파장 영역의 광 추출을 제한할 수 있다. 제2 부분(131B2) 및 뱅크층(514)의 구체적인 두께에 대해서는 도 8b 및 도 8c를 참조하여 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 6의 발광 표시 장치(600)는 도 1 내지 도 3의 표시 장치(100)와 비교하여 오버 코팅층(640), 제1 전극(631), 및 뱅크층(614)이 상이하며, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략하기로 한다.
오버 코팅층(640)의 돌출부(642)는 하나 이상의 굴곡부(642a)를 포함한다. 굴곡부(642a)는 돌출부(642)의 상면의 일부에 배치될 수 있다. 굴곡부(642a)는 발광층(132)에서 발광되는 광의 추출 효율 및 정면 효율을 개선할 수 있으므로, 광 추출 패턴일 수도 있다. 도 6을 참조하면, 굴곡부(642a)는 오목한 홈 형상으로 배치되어, 타원 형상의 단면을 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 6에서는 표시 영역(A/A)의 좌측에 1개의 굴곡부(642a)가 배치되고, 표시 영역(A/A)의 우측에 1개의 굴곡부(642a)가 배치되는 것으로 도시되었으나, 굴곡부(642a)의 라인의 개수 및 도트의 개수는 이에 제한되지 않고, 다양하게 변경될 수 있다.
굴곡부(642a)는 측면 거울 구조의 외측으로 도파되는 광의 진행 방향을 용이하게 변경할 수 있다. 또한, 굴곡부(642a)는 굴곡부(642a)의 내측으로 입광되는 광의 진행 방향을 용이하게 변경할 수 있다.
발광 소자(630)의 제1 전극(631)은 오버 코팅층(640) 상에 배치되어 베이스부(141) 및 돌출부(642)의 형상을 따라 배치될 수 있다.
제1 전극(631)은 반사층(631A) 및 반사층(631A) 상에 배치된 투명 도전층(631B)을 포함한다.
반사층(631A)은 오버 코팅층(640) 상에 배치된다. 반사층(631A)은 돌출부(642)에 배치된 굴곡부(642a)의 형상을 따라 배치되어 돌출부(642)의 상면 상에서 굴곡진 상면을 가질 수 있다. 이에, 반사층(631A)은 베이스부(141)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 돌출부(642)의 상면 상에서 굴곡진 상면을 가지며, 굴곡부(642a)가 배치되지 않은 돌출부(642)의 상면 상에서 평탄한면을, 돌출부(642)의 측부 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.
투명 도전층(631B)은 반사층(631A) 상에서 반사층(631A)의 형상을 따라 배치된다.
도 6를 참조하면, 투명 도전층(631B)은 제1 부분(131B1), 제2 부분(131B2) 및 제3 부분(631B3)을 포함한다.
투명 도전층(631B)의 제1 부분(131B1)은 투명 도전층(631B) 중 베이스부(141) 상에 배치되는 부분이다. 제1 부분(131B1)은 오버 코팅층(640)의 베이스부(141) 상에서 발광 영역(EA)에 배치될 수 있다. 제1 부분(131B1)의 두께(t1)는 마이크로 캐비티를 구현하기 위한 최적의 두께로 설정될 수 있다.
투명 도전층(631B)의 제2 부분(131B2)은 돌출부(642) 상에 배치되어 돌출부(642)의 측면과 접하도록 배치되는 부분이다. 제2 부분(131B2)은 제1 부분(131B1)과 경사를 이루도록 배치되며, 제1 부분(131B1)으로부터 연장될 수 있다. 제2 부분(131B2)은 상부에 배치된 뱅크층(614)과 접하도록 배치되어, 광을 생성하는데 기여하지 않을 수 있다. 제2 부분(131B2)의 두께(t2)는 제1 부분(131B1)의 두께(t1)보다 클 수 있다.
투명 도전층(631B)의 제3 부분(631B3)은 돌출부(642) 상에 배치되어 돌출부(642)의 상면과 접하도록 배치된다. 예를 들어, 제3 부분(631B3)은 오버 코팅층(640) 상에서 비발광 영역(NEA)에 배치될 수 있고, 돌출부(642) 상에서 비발광 영역(NEA)에 배치될 수 있다.
제3 부분(631B3)은 돌출부(642)상에 배치되어 굴곡부(642a)의 형상을 따라 배치된다. 따라서 제3 부분(631B3)은, 돌출부(642) 상의 평탄한 면 및 굴곡부(642a) 상의 굴곡진 면을 가질 수 있다.
제3 부분(631B3)의 두께(t3)는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)와 동일할 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고, 굴곡부(642a) 상에 배치된 제3 부분(631B3)의 두께(t3)는 제2 부분(231B3)의 두께(t2)와 동일하고, 굴곡부(642a)가 배치되지 않은 돌출부(642) 상에 배치된 제3 부분(631B3)의 두께(t3)는 제1 부분(131B1)의 두께(t1)와 동일할 수 있다.
오버 코팅층(640) 및 제1 전극(631)의 일부 상에 뱅크층(614)이 배치된다. 뱅크층(614)은 유기물로 이루어질 수 있다. 뱅크층(614)이 유기물로 이루어짐에 따라, 뱅크층(614)은 제1 전극(631)의 굴곡진 상면을 충진하도록 배치될 수 있다. 이에, 뱅크층(614)은 돌출부(642) 상에서 돌출부(642)의 상부를 평탄화할 수 있고, 돌출부(642)의 상면보다 평탄한 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(600)에서는 제1 전극(631)의 투명 도전층(631B)을 제1 부분(131B1), 제2 부분(131B2) 및 제3 부분(631B3)으로 구성하고, 비발광 영역(NEA) 중 돌출부(642)의 측부에 배치되는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)를 제1 부분(131B1)의 두께(t1)와 다르게 설정하여 특정 파장의 광에 대한 반사율을 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(600)에서는 제1 전극(631)의 투명 도전층(631B)의 두께만을 조절하여 비발광 영역(NEA) 중 돌출부(642)의 측부에서 반사되어 추출되는 광의 파장을 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(600)에서는 광의 파장을 조절하기 위한 구성요소를 추가로 형성하는데 필요한 공정을 최소화할 수 있고, 제조 시간 및 제조 비용 또한 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(600)에서 발광 영역(EA)에 배치되는 투명 도전층(631B)의 제1 부분(131B1)을 마이크로 캐비티를 구현하는 두께로 배치하고, 비발광 영역(NEA)에 배치되는 투명 도전층(631B)의 제2 부분(131B2)을 장파장 영역의 광 발생을 최소화할 수 있는 두께로 배치하여, 발광 영역(EA)에서 출사되는 제1 광(L1)에 대한 높은 광 효율은 유지하며, 또한, 발광층(132)에서 낮은 출사각으로 출사되어 돌출부(642)의 측부에 배치된 반사층(631A)에서 반사되어 비발광 영역(NEA)을 통해 정면 방향으로 추출되는 제2 광(L2)의 색좌표 변동을 최소화할 수 있고 색재현율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(600)는 오버 코팅층(640)의 돌출부(642)의 상면에 굴곡부(642a)를 배치하여, 뱅크층(614)과 제2 봉지층(152) 사이에서 전반사에 의하여 갇히게 되는 광의 경로를 조절하여, 발광 표시 장치(600)의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 발광층(132)에서 발광된 광 중 일부는 발광 표시 장치(600)의 내부에서, 전반사되어 갇힐 수 있다. 이때, 발광 표시 장치(600) 내부에서 전반사된 광 중 돌출부(642)의 굴곡부(642a) 방향으로 진행하는 제3 광(L3)은 굴곡부(642a) 상에 배치된 굴곡진 구조의 제1 전극(631)의 반사층(631A)에 의해 발광 표시 장치(600)의 외부로 추출되도록 진행 방향이 변경될 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(614)을 구성하는 물질은 약 1.6 정도의 굴절률을 갖고, 발광층(132)을 구성하는 유기물은 약 1.8 정도의 굴절률을 갖고, 제1 봉지층(151)을 구성하는 무기물은 약 1.8 정도의 굴절률을 갖고, 제2 봉지층(152)을 구성하는 유기물은 약 1.5 내지 약 1.6 정도의 굴절률을 가질 수 있다. 이에, 제1 봉지층(151)과 제2 봉지층(152)의 굴절률 차이로 인해, 발광층(132)에서 출사된 광은 제1 봉지층(151)과 제2 봉지층(152)의 계면 및 발광층(132)과 뱅크층(614)의 계면에서 전반사가 이루어진다. 따라서, 전반사된 광 중 제3 광(L3)은 제1 전극(631)의 반사층(631A)의 굴곡진 면의 내측에서 1회 이상 반사되어 정면 방향으로 추출될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(600)에서는 돌출부(642)의 굴곡부(642a)를 따라 제1 전극(631)의 반사층(631A)을 배치하여, 뱅크층(614)과 제2 봉지층(152) 사이에 갇힐 수 있는 광의 진행 방향을 변경시킴으로써, 발광 표시 장치(600)의 광 추출 효율 및 정면 방향으로 추출되는 광의 추출 효율인 정면 효율을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(600)는 오버 코팅층(640)의 돌출부(642)의 상면에 굴곡부(642a)를 배치하고, 돌출부(642)의 측면에 배치되는 투명 도전층(631B)의 제2 부분(131B2)의 두께(t2) 및 굴곡부(642a) 상에 배치되는 투명 도전층(631B)의 제3 부분(631B3)의 두께(t3)를 조절하여 특정 파장의 광에 대한 반사율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 제3 광(L3)은 비발광 영역(NEA)에 배치된 제2 부분(131B2), 제3 부분(631B3), 뱅크층(614), 제1 봉지층(151) 및 제2 봉지층(152)을 투과할 수 있으며, 굴절률이 상이한 계면을 투과하며 반사 및 간섭 현상을 나타낼 수 있다. 이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(600)에서는 제1 전극(631)의 투명 도전층(631B)을 제1 부분(131B1), 제2 부분(131B2) 및 제3 부분(631B3)으로 구성하고, 제2 부분(131B2) 및 제3 부분(631B3)의 두께를 제1 부분(131B1)의 두께(t1)와 상이하게 배치하여 제1 전극(631)의 반사층(631A)의 굴곡진 면에서 반사되어 정면 방향으로 추출되는 제3 광(L3)의 색좌표 변동을 최소화할 수 있고 색재현율을 향상시킬 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 발광 표시 장치의 광 추출 스펙트럼이다. 도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)의 제2 부분(131B2)의 두께(t2)에 따른 광 추출 시뮬레이션 결과이다. 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)의 의 제2 부분(131B2)의 두께(t2)에 따른 광 추출 시뮬레이션 결과이다. 도 7c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)의 뱅크층(514)의 두께에 따른 광 추출 시뮬레이션 결과이다.
도 7a 내지 도 7c에서는 시뮬레이션을 위해, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 발광 표시 장치(100, 500)가 오버 코팅층(140), 제1 전극(131), 발광층(132), 뱅크층(114, 514)으로 구성되는 것으로 설정하였으며, 오버 코팅층(140)의 돌출부(142)의 측부와 베이스부(141)는 60도의 경사각을 형성하는 것으로 가정하였다. 도 7a는 내지 도 7c는 돌출부(142)의 측부에서 추출되는 광의 광 추출 스펙트럼을 나타낸다. 예를 들면, 도 7a 내지 도 7c에 도시된 스펙트럼은 돌출부(142)의 측부에 배치된 제2 부분(131B2) 및 뱅크층(114)을 투과하여 추출된 광일 수 있다. 도 7a 내지 도 7c의 그래프는 최대 피크 값을 1로 설정하여 실험한 결과이다.
먼저, 도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)의 제2 부분(131B2)의 두께(t2)에 따른 광 추출 시뮬레이션 결과이다. 실시예 1 내지 실시예 8에서는 뱅크층(114)에 대응하는 구성으로 굴절률이 1.6인 폴리이미드가 2,200nm 두께로 배치되는 것으로 가정하였으며, 제2 부분(131B2)에 대응하는 구성으로 굴절률이 1.8인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)이 배치되는 것으로 가정하였다.
실시예 1에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 5nm이고, 실시예 2에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 15nm이고, 실시예 3에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 25nm이고, 실시예 4에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 35nm이고, 실시예 5는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 45nm이고, 실시예 6에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 55nm이고, 실시예 7에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 65nm이고, 실시예 8에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 75nm인 것을 가정하였다.
도 7a를 참고하면, 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 5nm에서 75nm로 증가함에 따라 광 추출이 최소가 되는 제1 피크가 장파장 영역으로 이동하는 것을 확인할 수 있다. 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 45nm보다 작을 경우 제1 피크가 너무 단파장으로 이동하여, 청색 효율 자체가 많이 감소될 수 있어 문제가 되며, 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 75nm보다 클 경우 제1 피크보다 단파장 대에 형성되는 제2 피크가 장파장 영역으로 이동하여 440nm 내지 480nm 파장대의 광 투과를 저감시킬 수 있다. 따라서, 청색 효율이 감소할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서 돌출부(142)의 측부와 베이스부(141)의 경사각이 60도 이며, 뱅크층(114)으로 두께 2,200nm, 굴절률이 1.6인 폴리이미드가 배치되며, 제2 부분(131B2)으로 굴절률이 1.8인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)이 배치될 경우, 제2 부분(131B2)의 두께(t2)를 45nm 내지 75nm로 하여 청색 광의 추출 효율을 개선함과 동시에 색 재현성을 개선할 수 있다.
도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)의 제2 부분(131B2)의 두께(t2)에 따른 광 추출 시뮬레이션 결과이다. 도 7b는 도 7a와 비교하여 뱅크층(514)이 상이하며 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략하기로 한다.
도 7b는 실시예 1 내지 실시예 5에 따른 광 추출 시뮬레이션 결과이다. 실시예 1 내지 실시예 5에서는 뱅크층(514)에 대응하는 구성으로 굴절률이 1.85인 질화 실리콘(SiNx)이 1,000nm 두께로 배치되는 것으로 가정하였으며, 질화 실리콘(SiNx)에 대응하는 구성으로 굴절률이 1.8인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)이 배치되는 것으로 가정하였다.
실시예 1에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 5nm이고, 실시예 2에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 15nm이고, 실시예 3에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 25nm이고, 실시예 4에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 35nm이고, 실시예 5에서는 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 45nm인 것을 가정하였다. 도 7b를 참고하면, 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 5nm에서 45nm로 증가함에 따라 광 추출이 최소가 되는 파장이 장파장 영역으로 이동하는 것을 확인할 수 있다. 제2 부분(131B2)의 두께(t2)가 5nm보다 작을 경우 광 추출이 최소가 되는 파장이 너무 단파장으로 이동하여, 청색 효율 자체가 많이 감소될 수 있어 문제가 된다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)에서 돌출부(142)의 측부와 베이스부(141)의 경사각이 60도이며, 뱅크층(514)으로 두께 1,000nm, 굴절률이 질화 실리콘(SiNx)인 물질이 배치되며, 제2 부분(131B2)으로 굴절률이 1.8인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)이 배치될 경우 제2 부분(131B2)의 두께(t2)를 5nm 내지 25nm로 하여 청색 광의 추출 효율을 개선함과 동시에 색재현성을 개선할 수 있다.
도 7c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)의 뱅크층(514)의 두께에 따른 광 추출 시뮬레이션 결과이다. 도 7c는 도 7b와 비교하여 뱅크층(514) 및 제2 부분(131B2)이 상이하며 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략하기로 한다.
도 7c는 실시예 1 내지 실시예 3의 광의 파장에 따른 투과율에 대한 광 추출 시뮬레이션 결과이다. 실시예 1 내지 실시예 3에서는 제2 부분(131B2)에 대응하는 구성으로 굴절률이 1.8인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)이 15nm 두께로 배치되며, 뱅크층(514)에 대응하는 구성으로 굴절률이 1.85인 질화 실리콘(SiNx)이 배치되는 것으로 가정하였다.
실시예 1에서는 뱅크층(514)의 두께가 1000nm이고, 실시예 2에서는 뱅크층(514)의 두께가 1500nm이고, 실시예 3에서는 뱅크층(514)의 두께가 2000nm인 것을 가정하였다. 도 7c를 참고하면, 뱅크층(514)의 두께가 1000nm에서 2000nm로 증가함에 따라 광 추출이 최소가 파장이 장파장 영역으로 이동하는 것을 확인할 수 있다. 뱅크층(514)의 두께가 1000nm일 경우 광 추출이 최소가 되는 파장이 너무 단파장으로 이동하여, 청색 효율 자체가 많이 감소될 수 있어 문제가 되며, 뱅크층(514)의 두께가 2000nm인 경우 광 추출 효울이 최소가 되는 파장이 너무 장파장으로 이동하여 480nm에서 500nm영역의 광에 대한 반사율이 저감되지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)에서 돌출부(142)의 측부와 베이스부(141)의 경사각이 60도이며, 제2 부분(131B2)으로 두께 15nm, 굴절률이 1.8인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)이 배치되며, 뱅크층(514)으로 굴절률이 1.85인 질화 실리콘(SiNx)이 배치될 경우, 뱅크층(514)의 두께를 1000nm 내지 2000nm로 하여 청색 광의 추출 효율을 개선함과 동시에 색재현성을 개선할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 발광 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소가 포함된 기판, 기판 상에 배치되고, 베이스부 및 돌출부를 갖는 오버 코팅층, 복수의 서브 화소에서 베이스부 및 돌출부의 측부를 덮도록 배치된 제1 전극, 오버 코팅층 및 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층 및 복수의 서브 화소에서 제1 전극 및 뱅크층 상에 배치된 발광층 및 제2 전극을 포함하고, 제1 전극은 반사층 및 반사층 상의 투명 도전층을 포함하고, 투명 도전층은 베이스부 상에 배치된 제1 부분 및 돌출부의 측면과 접하는 제2 부분을 포함하고, 제1 부분의 두께보다 두꺼운 제2 부분을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제2 부분의 두께는 돌출부와 접하는 제2 부분의 하면과 뱅크층과 접하는 제2 부분의 상면 사이의 수직 거리일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 서브 화소는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소를 포함하고, 청색 서브 화소에 투명 도전층이 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 뱅크층은 무기물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 투명 도전층은 돌출부의 상면과 접하는 제3 부분을 더 포함하고, 제3 부분의 두께는 제1 부분의 두께 또는 제2 부분의 두께와 동일할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 돌출부는 돌출부의 상면에 하나 이상의 굴곡부를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 굴곡부 상의 제3 부분의 두께는 제2 부분의 두께와 동일할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 발광층은 복수의 서브 화소 각각에서 분리되어 배치되고, 발광층의 두께는 복수의 서브 화소 각각에서 마이크로 캐비티를 구현하는 값을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 복수의 서브 화소가 정의된 기판, 비발광 영역에서 돌출된 돌출부를 갖는 오버 코팅층, 발광 영역 및 돌출부에 접하도록 배치된 제1 전극, 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에서 발광 영역에 배치된 발광층을 포함하는 발광 소자 및 돌출부 및 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층을 포함하고, 제1 전극은 반사층 및 반사층 상의 투명 도전층을 포함하고, 투명 도전층은 발광 영역에 배치되는 제1 투명 도전층 및 비발광 영역에서 돌출부에 배치되는 제2 투명 도전층을 포함하고, 돌출부에 배치되는 반사층에 의해 반사되어 추출되는 광에 의해 색좌표 변동이 발생하는 것을 저감하도록 제1 투명 도전층의 두께보다 두꺼운 제2 투명 도전층을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 서브 화소는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소를 포함하고, 청색 서브 화소에 제1 투명 도천층 및 제2 투명 도전층이 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 투명 도전층 및 제2 투명 도전층은 동일 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 투명 도전층 및 제2 투명 도전층은 일체로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 투명 도전층은 뱅크층과 상이한 굴절률을 갖는 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 투명 도전층은 하층 및 하층 상에 배치된 상층을 포함할 수 있다
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상층은 하층과 상이한 굴절율을 갖는 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 뱅크층이 유기물인 경우, 뱅크층의 두께는 2,200nm이고, 제2 투명 도전층의 두께는 45nm 내지 75nm일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 뱅크층이 무기물인 경우, 제2 투명 도전층의 두께는 5nm 내지 25nm일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 뱅크층의 두께는 1000nm 내지 2000nm일 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 400, 500, 600: 발광 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
114, 514, 614: 뱅크층
117: 에치 스토퍼
120: 박막 트랜지스터
121: 게이트 전극
122: 액티브층
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
130, 430, 630: 발광 소자
131, 431, 631: 제1 전극
131A, 631A: 반사층
131B, 431B, 631B: 투명 도전층
131B1: 제1 부분
131B2, 431B2: 제2 부분
131B3, 631B3: 제3 부분
132: 발광층
133: 제2 전극
140, 640: 오버 코팅층
141: 베이스부
142, 642: 돌출부
150: 봉지부
151: 제1 봉지층
152: 제2 봉지층
153: 제3 봉지층
431B2T: 상층
431B2B: 하층
642a: 굴곡부
A/A: 표시 영역
N/A: 비표시 영역
SPX: 서브 화소
SPX1: 제1 서브 화소
SPX2: 제2 서브 화소
SPX3: 제3 서브 화소
EA: 발광 영역
NEA: 비발광 영역
L1: 제1 광
L2: 제2 광
L3: 제3 광
t1: 제1 부분의 두께
t2: 제2 부분의 두께
t3: 제2 부분의 두께

Claims (18)

  1. 복수의 서브 화소가 포함된 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 베이스부 및 돌출부를 갖는 오버 코팅층;
    상기 복수의 서브 화소에서 상기 베이스부 및 상기 돌출부의 측부를 덮도록 배치된 제1 전극;
    상기 오버 코팅층 및 상기 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층; 및
    상기 복수의 서브 화소에서 상기 제1 전극 및 상기 뱅크층 상에 배치된 발광층 및 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은 반사층 및 반사층 상의 투명 도전층을 포함하고,
    상기 투명 도전층은 상기 베이스부 상에 배치된 제1 부분 및 상기 돌출부의 측면과 접하는 제2 부분을 포함하고,
    상기 제2 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께보다 두꺼운, 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 부분의 두께는 상기 돌출부와 접하는 상기 제2 부분의 하면과 상기 뱅크층과 접하는 제2 부분의 상면 사이의 수직 거리인, 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소를 포함하고,
    상기 청색 서브 화소에 상기 투명 도전층이 배치되는, 발광 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 뱅크층은 무기물로 이루어지는, 발광 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투명 도전층은 상기 돌출부의 상면과 접하는 제3 부분을 더 포함하고,
    상기 제3 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께 또는 상기 제2 부분의 두께와 동일한, 발광 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 돌출부의 상면에 하나 이상의 굴곡부를 포함하는, 발광 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 굴곡부 상의 상기 제3 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께와 동일한, 발광 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 복수의 서브 화소 각각에서 분리되어 배치되고,
    상기 발광층의 두께는 상기 복수의 서브 화소 각각에서 마이크로 캐비티를 구현하는 값을 갖는, 발광 표시 장치.
  9. 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 복수의 서브 화소가 정의된 기판;
    상기 비발광 영역에서 돌출된 돌출부를 갖는 오버 코팅층;
    상기 발광 영역 및 상기 돌출부에 접하도록 배치된 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서 상기 발광 영역에 배치된 발광층을 포함하는 발광 소자; 및
    상기 돌출부 및 상기 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층을 포함하고,
    상기 제1 전극은 반사층 및 반사층 상의 투명 도전층을 포함하고,
    상기 투명 도전층은 상기 발광 영역에 배치되는 제1 투명 도전층 및 상기 비발광 영역에서 상기 돌출부에 배치되는 제2 투명 도전층을 포함하고,
    상기 돌출부에 배치되는 반사층에 의해 반사되어 추출되는 광에 의해 색좌표 변동이 발생하는 것을 저감하도록 상기 제2 투명 도전층의 두께는 상기 제1 투명 도전층의 두께보다 두꺼운, 발광 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소를 포함하고,
    상기 청색 서브 화소에 상기 제1 투명 도천층 및 상기 제2 투명 도전층이 배치된, 발광 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층은 동일 물질로 구성된, 발광 표시 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층은 일체로 구성된, 발광 표시 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제2 투명 도전층은 상기 뱅크층과 상이한 굴절률을 갖는 물질로 구성된, 발광 표시 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제2 투명 도전층은 하층 및 상기 하층 상에 배치된 상층을 포함하는, 발광 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 상층은 상기 하층과 상이한 굴절율을 갖는 물질로 구성된, 발광 표시 장치.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 뱅크층이 유기물인 경우, 상기 뱅크층의 두께는 2,200nm이고, 상기 제2 투명 도전층의 두께는 45nm 내지 75nm인, 발광 표시 장치.
  17. 제9항에 있어서,
    상기 뱅크층이 무기물인 경우, 상기 제2 투명 도전층의 두께는 5nm 내지 25nm인, 발광 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 뱅크층의 두께는 1000nm 내지 2000nm인, 발광 표시 장치.
KR1020190152920A 2019-11-26 2019-11-26 발광 표시 장치 KR20210064559A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190152920A KR20210064559A (ko) 2019-11-26 2019-11-26 발광 표시 장치
CN202010771893.5A CN112864188A (zh) 2019-11-26 2020-08-04 发光显示设备
US17/006,475 US11552270B2 (en) 2019-11-26 2020-08-28 Light emitting display apparatus having improved light extraction and color gamut

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190152920A KR20210064559A (ko) 2019-11-26 2019-11-26 발광 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210064559A true KR20210064559A (ko) 2021-06-03

Family

ID=75975092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190152920A KR20210064559A (ko) 2019-11-26 2019-11-26 발광 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11552270B2 (ko)
KR (1) KR20210064559A (ko)
CN (1) CN112864188A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109873023B (zh) * 2019-03-29 2021-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置
KR20220030361A (ko) * 2020-08-28 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
US20220352414A1 (en) * 2021-04-30 2022-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Combined auxiliary electrode and reflective bank for three-dimensional qled pixel

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4702516B2 (ja) * 2003-05-07 2011-06-15 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 有機ｅｌ素子及びその製造方法
KR100689316B1 (ko) * 2004-10-29 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광다이오드소자 및 그 제조방법
KR101900954B1 (ko) 2012-01-19 2018-09-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR102021027B1 (ko) * 2013-02-28 2019-09-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN104078424B (zh) * 2014-06-30 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 低温多晶硅tft阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107818988A (zh) * 2017-09-27 2018-03-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11552270B2 (en) 2023-01-10
CN112864188A (zh) 2021-05-28
US20210159445A1 (en) 2021-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110875438B (zh) 发光显示装置
KR101354303B1 (ko) 표시 장치
KR101321878B1 (ko) 유기전계 발광소자
KR101990312B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US10651427B2 (en) Organic light emitting diode display device
US11165001B2 (en) Light emitting display apparatus
US11527590B2 (en) Light emitting display apparatus
KR102645419B1 (ko) 발광 표시 장치
US11552270B2 (en) Light emitting display apparatus having improved light extraction and color gamut
KR101972169B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US11417798B2 (en) Light emitting display apparatus
KR20140014682A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
JP2006073219A (ja) 表示装置およびその製造方法
JP2019061927A (ja) 表示装置
JP2012221811A (ja) 表示装置
US20210043690A1 (en) Light emitting display apparatus
TWI811838B (zh) 發光顯示裝置
KR20210012415A (ko) 발광 표시 장치
KR20200127762A (ko) 발광 표시 장치
KR20210026452A (ko) 발광 표시 장치
KR20200133653A (ko) 발광 표시 장치
KR20210083901A (ko) 발광 표시 장치
KR20210046936A (ko) 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal