KR20210046936A

KR20210046936A - 발광 표시 장치

Info

Publication number: KR20210046936A
Application number: KR1020190130354A
Authority: KR
Inventors: 김용철; 심동민; 한경훈
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2019-10-21
Filing date: 2019-10-21
Publication date: 2021-04-29

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소가 배치되고, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되고, 베이스부 및 돌출부를 갖는 오버 코팅층, 돌출부의 측부 및 베이스부를 덮도록 배치되는 복수의 제1 전극, 복수의 서브 화소의 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하도록 비발광 영역에서 복수의 제1 전극의 일부 상에 배치되는 뱅크층, 복수의 제1 전극 및 뱅크층 상에 배치되는 발광층, 및 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 복수의 서브 화소 중 제2 영역의 복수의 서브 화소에 배치되는 돌출부는, 발광 영역의 일 측에 배치되는 제1 돌출부, 및 제1 돌출부와 서로 다른 높이를 가지고, 발광 영역의 타 측에 배치되는 제2 돌출부를 포함할 수 있다. 이에, 본 발명은 곡면 영역 또는 벤딩 영역의 돌출부를 비대칭으로 배치하여 발광 표시 장치의 배광 분포를 제어함으로써, 발광 표시 장치의 시야각에 따른 휘도 저하를 개선할 수 있다.

Description

발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배광 분포를 조절할 수 있는 발광 표시 장치에 관한 것이다.

현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.

이러한 다양한 표시 장치 중, 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각(viewing angle), 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용되고 있다.

탑 에미션(top emission) 방식의 발광 표시 장치의 경우, 발광층에서 발광된 빛을 상부로 발광시키기 위해 캐소드로 투과 특성을 갖는 물질을 사용한다. 캐소드가 투과 특성을 갖더라도, 발광층에서 발광된 광의 일부는 투과 특성을 갖는 캐소드에서 반사되어 애노드 측으로 향하게 되고, 애노드에서 다시 반사되어, 애노드와 캐소드 사이에서 반복적으로 반사되는 광이 발생한다. 이때, 발광층에서 발광되는 광이 반복적으로 반사되는 층들 사이의 거리에 기초하여 발광층에서 발광되는 광 중 특정 파장의 광이 보강 간섭을 통해 휘도가 개선되는 마이크로 캐비티(micro cavity)가 구현될 수 있다.

본 발명의 발명자들은 발광 표시 장치에 마이크로 캐비티를 구현하는 경우, 발광 표시 장치는 정면 방향으로의 휘도가 증가하여, 정면에서의 광 추출 효율이 개선된다는 것을 인식하였다. 그러나, 본 발명의 발명자들은 마이크로 캐비티 구현 시, 정면 휘도가 개선되는 것과는 반대로 측면에서의 휘도가 감소하며 색좌표가 변동된다는 것을 인식하였다. 예를 들면, 마이크로 캐비티 구현 시, 시야각에 따라 휘도 및 색변화(color shift)가 발생하는 것을 확인하였다.

본 발명의 발명자들은 표시 장치의 가장자리가 벤딩(bending)되는 엣지 벤딩(edge bending)의 발광 표시 장치를 구현하는 경우, 발광 표시 장치의 벤딩 영역에 배치된 화소들이 벤딩 각도에 따라 측부를 향하도록 배치되어, 벤딩 영역에서의 휘도 및 시야각이 저하되는 것을 인식하였다. 예를 들면, 사용자가 정면 방향에서 발광 표시 장치를 바라보더라도, 벤딩 영역에 배치된 화소에 대해서는 정면 방향이 아닌 경사진 방향으로 화소를 바라보는 것과 동일한 현상이 발생한다. 이에, 마이크로 캐비티가 구현된 엣지 벤딩의 발광 표시 장치를 사용자가 정면에서 바라보는 경우, 평면부와 곡면부 간에 휘도 및 색좌표 차이가 발생한다. 예를 들면, 발광 표시 장치의 외곽부를 향할수록 벤딩되는 각도가 증가함에 따라, 휘도 및 시야각 저하 현상이 심하게 발생할 수 있다.

이에, 본 발명의 발명자들은 발광 표시 장치의 벤딩 영역에서의 광 추출 효율을 개선함과 동시에, 휘도 및 시야각에 따른 균일도 저하를 개선할 수 있는 새로운 구조의 발광 표시 장치를 발명하였다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 곡면 영역 또는 벤딩 영역에 배치되는 오버 코팅층의 돌출부를 비대칭으로 배치하여, 곡면 영역 또는 벤딩 영역에서의 배광 분포가 정면 방향을 향하도록 제어함으로써, 시야각에 따른 휘도 저하를 개선할 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 곡면 영역 또는 벤딩 영역에서의 광 추출 효율 및 정면 효율을 향상시켜, 소비 전력을 개선할 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소가 배치되고, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되고, 베이스부 및 돌출부를 갖는 오버 코팅층, 돌출부의 측부 및 베이스부를 덮도록 배치되는 복수의 제1 전극, 복수의 서브 화소의 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하도록 비발광 영역에서 복수의 제1 전극의 일부 상에 배치되는 뱅크층, 복수의 제1 전극 및 뱅크층 상에 배치되는 발광층, 및 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 복수의 서브 화소 중 제2 영역의 복수의 서브 화소에 배치되는 돌출부는, 발광 영역의 일 측에 배치되는 제1 돌출부, 및 제1 돌출부와 서로 다른 높이를 가지고, 발광 영역의 타 측에 배치되는 제2 돌출부를 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평면부 및 곡면부를 포함하고, 복수의 서브 화소가 배치되는 기판, 기판 상에 배치되고, 베이스부 및 베이스부로부터 돌출되는 돌출부를 포함하는 오버 코팅층, 및 오버 코팅층 상에서 복수의 서브 화소 각각에 배치되고, 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 복수의 발광 소자를 포함하고, 복수의 서브 화소는 평면부에 배치되는 제1 서브 화소 및 곡면부에 배치되는 제2 서브 화소를 포함하고, 돌출부 중 제2 서브 화소에 배치되는 돌출부는 제1 돌출부 및 제2 돌출부를 포함하고, 제2 서브 화소의 제1 돌출부는 제2 서브 화소의 제2 돌출부보다 평면부에 인접하도록 배치되고, 곡면부에서의 배광 분포를 조절하도록 제1 서브 화소의 제2 돌출부보다 높이가 클 수 있다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명은 곡면 영역 또는 벤딩 영역의 돌출부를 비대칭으로 배치하여 발광 표시 장치의 배광 분포를 제어함으로써, 발광 표시 장치의 시야각에 따른 휘도 저하를 개선할 수 있다.

본 발명은 곡면 영역 또는 벤딩 영역의 발광층에서 발광된 광의 경로를 변경하여 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다.

본 발명은 광 추출 효율 및 정면 효율을 향상시켜, 소비 전력이 개선된 발광 표시 장치를 구현할 수 있다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II'에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3a는 도 1의 III-III'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 전의 단면도이다.
도 3b는 도 1의 III-III'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 후의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 오버 코팅층의 사시도이다.
도 5a는 도 1의 IV-IV'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 전의 단면도이다.
도 5b는 도 1의 IV-IV'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 후의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 다양한 조건들에 따른 배광 분포 변화를 시뮬레이션한 이미지이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 도 1의 II-II'에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 박막 트랜지스터(120), 오버 코팅층(130), 뱅크층(140), 발광 소자(150), 및 봉지부(170)를 포함할 수 있다. 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션(top emission) 방식의 발광 표시 장치로 구현된다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 발광 표시 장치(100)의 다양한 구성요소 중 기판(110)만을 도시하였다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(110)은 발광 표시 장치(100)의 여러 구성요소들을 지지하고 보호할 수 있다. 기판(110)은 유리 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.

기판(110)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함한다. 제1 영역(A1)은 평면으로 이루어지는 영역이고, 제2 영역(A2)은 곡면으로 이루어지는 영역이다. 제1 영역(A1)은 평면 영역일 수 있으며, 제2 영역(A2)은 곡면 영역일 수 있다. 제1 영역(A1)은 평면부일 수 있으며, 제2 영역(A2)은 곡면부 또는 벤딩부일 수 있다. 예를 들면, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)으로부터 멀어질수록 경사가 증가하는 곡면 영역일 수 있다. 예를 들면, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)의 양 측에 배치되어, 제1 영역(A1)으로부터 멀어질수록 기울기가 증가할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 영역(A1)의 양 측에 배치되는 제2 영역(A2) 각각은 서로 다른 곡률을 가지고 배치될 수 있다. 또한, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)의 한 변에만 배치될 수도 있고, 제1 영역(A1)의 모든 변에 배치될 수도 있다. 예를 들면, 제1 영역(A1)이 네 개의 변을 가질 경우, 제2 영역(A2)은 네 개의 변 중에서 하나 이상의 변에 배치되거나, 네 개의 변의 모든 변에 배치될 수 있다.

기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다. 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)은 기판(110)의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 각각 배치될 수 있다.

표시 영역(AA)은 발광 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 영역(AA)에서는 표시 소자 및 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 소자는 제1 전극(151), 발광층(152), 및 제2 전극(153)을 포함하는 발광 소자(150)로 구성될 수 있다. 또한, 표시 소자를 구동하기 위한 박막 트랜지스터(120), 커패시터, 및 배선 등과 같은 다양한 구동 소자가 표시 영역(AA)에 배치될 수 있다.

표시 영역(AA)에는 복수의 서브 화소(SP)가 포함될 수 있다. 서브 화소(SP)는 화면을 구성하는 최소 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각은 발광 소자(150) 및 구동 회로를 포함할 수 있다. 그리고, 복수의 서브 화소(SP) 각각은 서로 다른 파장의 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)는 적어도 하나의 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 및 청색 서브 화소를 포함할 수 있다. 이에 제한되지 않고 복수의 서브 화소(SP)는 백색 서브 화소를 더 포함할 수도 있다.

도 1을 참조하면, 복수의 서브 화소(SP)는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)를 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(SP1)는 표시 영역(AA)의 제1 영역(A1)에 배치된 서브 화소이고, 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)는 표시 영역(AA)의 제2 영역(A2)에 배치된 서브 화소이다. 예를 들면, 제1 서브 화소(SP1)는 기판(110)의 평면부에 배치될 수 있으며, 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)는 기판(110)의 곡면부에 배치될 수 있다. 또한, 제3 서브 화소(SP3)는 제2 서브 화소(SP2)보다 제1 영역(A1)으로부터 멀리 배치된 화소인 것으로 가정한다. 제1 서브 화소(SP1) 내지 제3 서브 화소(SP3)에 대해서는 도 2 내지 도 5b에서 자세히 후술한다.

서브 화소(SP)의 구동 회로는 발광 소자(150)의 구동을 제어하기 위한 회로이다. 예를 들면, 구동 회로는 박막 트랜지스터(120) 및 커패시터를 포함하여 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로서, 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 다양한 구성요소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)의 구동을 위한 신호를 공급하는 구동 IC 및 플렉서블 필름 등이 배치될 수도 있다.

비표시 영역(NA)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에서 연장되는 영역일 수도 있다.

도 2를 참조하여 제1 영역(A1)에 배치된 제1 서브 화소(SP1)에 대해 설명한다.

도 2를 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼층(111)이 배치된다. 버퍼층(111)은 버퍼층(111) 상에 형성되는 층들과 기판(110) 간의 접착력을 향상시키고, 기판(110)으로부터 유출되는 알칼리 성분 등을 차단할 수 있다. 버퍼층(111)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx) 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 버퍼층(111)은 기판(110)의 종류 및 물질, 박막 트랜지스터(120)의 구조 및 타입 등에 기초하여 생략될 수도 있다.

기판(110) 상에 박막 트랜지스터(120)가 배치된다. 박막 트랜지스터(120)는 발광 표시 장치(100)의 구동 소자로 사용될 수 있다. 박막 트랜지스터(120)는 게이트 전극(121), 액티브층(122), 소스 전극(123), 및 드레인 전극(124)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서 박막 트랜지스터(120)는 게이트 전극(121) 상에 액티브층(122)이 배치되고, 액티브층(122) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치된 구조로, 게이트 전극(121)이 가장 하부에 배치된 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터(120)일 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.

박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(121)은 기판(110) 상에 배치된다. 게이트 전극(121)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

게이트 전극(121) 상에 게이트 절연층(112)이 배치된다. 게이트 절연층(112)은 게이트 전극(121)과 액티브층(122)을 전기적으로 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(112)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

게이트 절연층(112) 상에 액티브층(122)이 배치된다. 액티브층(122)은 게이트 전극(121)과 중첩하도록 배치된다. 예를 들어, 액티브층(122)은 산화물 반도체로 형성될 수도 있고, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 또는 유기물(organic) 반도체 등으로 형성될 수 있다.

액티브층(122) 상에 에치 스토퍼(etch stopper; 113)가 배치된다. 에칭 방법으로 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 패터닝하여 형성하는 경우, 에치 스토퍼(113)에 의해 액티브층(122)의 표면이 플라즈마로 인한 손상을 방지할 수 있다. 에치 스토퍼(113)의 일측은 소스 전극(123)과 중첩하고, 타측은 드레인 전극(124)과 중첩할 수 있다. 그러나, 에치 스토퍼(113)는 생략될 수도 있다.

액티브층(122) 및 에치 스토퍼(113) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 동일 층에서 이격되어 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 액티브층(122)과 접하는 방식으로 액티브층(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

박막 트랜지스터(120) 상에 오버 코팅층(130)이 배치된다. 오버 코팅층(130)은 박막 트랜지스터(120)를 보호하고, 기판(110) 상에 배치되는 층들의 단차를 완만하게 할 수 있다. 오버 코팅층(130)은 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 벤조사이클로부텐, 및 포토레지스트 중 하나로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

오버 코팅층(130)은 베이스부(131) 및 돌출부(132)를 포함한다. 베이스부(131)와 돌출부(132)는 도 2에 도시된 바와 같이 일체로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스부(131)와 돌출부(132)는 동일한 물질로 이루어져 동시에 동일한 공정, 예를 들어, 마스크 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

베이스부(131)는 박막 트랜지스터(120) 상에 배치된다. 베이스부(131)의 상면은 기판(110)과 평행한 면을 갖는다. 이에, 베이스부(131)는 박막 트랜지스터(120)를 보호하고, 기판(110) 상에 배치되는 층들의 단차를 평탄화할 수 있다.

베이스부(131) 상에는 돌출부(132)가 배치된다. 돌출부(132)는 베이스부(131)와 일체로 형성되어 베이스부(131)에서 돌출된 형상을 가진다. 이에, 돌출부(132)는 상면이 하면보다 작게 배치될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.

돌출부(132)는 상면 및 측면을 포함한다. 돌출부(132)의 상면은 돌출부(132)에서 최상부에 위치하는 면으로, 베이스부(131) 또는 기판(110)과 실질적으로 평행한 면일 수 있다. 돌출부(132)의 측면은 돌출부(132)의 상면과 베이스부(131)를 연결하는 면일 수 있다. 돌출부(132)의 측면은 돌출부(132)의 상면에서 베이스부(131)를 향하여 경사진 형상을 가질 수 있다.

도 2에서는 오버 코팅층(130)이 상면이 평탄한 형상을 갖는 베이스부(131)와 베이스부(131)에서 돌출된 돌출부(132)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 오버 코팅층(130)이 베이스부(131)와 돌출부(132)로 구현되는 형상을 갖는다면 오버 코팅층(130)의 세부적인 구성은 베이스부(131)와 돌출부(132)로 한정되지 않고, 다양하게 정의될 수 있다.

도 2를 참조하면, 오버 코팅층(130) 상에 발광 소자(150)가 배치된다. 발광 소자(150)는 오버 코팅층(130) 상에 배치된 제1 전극(151), 제1 전극(151) 상에 배치된 발광층(152), 및 발광층(152) 상에 배치된 제2 전극(153)을 포함한다.

제1 전극(151)은 오버 코팅층(130) 상에 배치되어 베이스부(131) 및 돌출부(132)의 측부 및 상부를 덮도록 배치된다. 예를 들면, 제1 전극(151)은 돌출부(132)가 배치되지 않은 베이스부(131)의 상면, 돌출부(132)의 측면 및 상면 중 일부 영역에 배치되며, 베이스부(131) 및 돌출부(132)의 형상을 따라 배치된다. 이에, 제1 전극(151)은 오버 코팅층(130)의 베이스부(131)의 상면 및 돌출부(132)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 돌출부(132)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.

제1 전극(151)은 반사층 및 반사층 상에 배치된 투명 도전층으로 구성되어, 오버 코팅층(130)의 베이스부(131) 상에서 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이므로, 반사층은 발광 소자(150)에서 발광된 광을 상부로 반사시킬 수 있다.

반사층은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 마그네슘-은 합금(Mg:Ag) 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 반사층은 오버 코팅층(130)에 형성된 컨택홀을 통해 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 제한되지 않고, 반사층은 오버 코팅층(130)에 형성된 컨택홀을 통해 소스 전극(123)과 전기적으로 연결될 수도 있다.

제1 전극(151)의 투명 도전층은 반사층 상에 배치되어, 반사층을 통해 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결된다. 투명 도전층은 발광층(152)에 정공을 공급하기 위하여 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TO) 계열의 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

도 2를 참조하면, 제1 전극(151) 및 오버 코팅층(130) 상에 뱅크층(140)이 배치된다. 뱅크층(140)은 발광 소자(150)의 제1 전극(151)의 일부를 덮도록 배치되어, 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 뱅크층(140)은 복수의 서브 화소(SP)의 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)을 포함하도록 비발광 영역(NEA)에서 제1 전극(151)의 일부 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(140)은 비발광 영역(NEA)에서 제1 전극(151)과 발광층(152) 사이에 배치되어 비발광 영역(NEA)에서의 광의 생성을 차단할 수 있다. 또한, 뱅크층(140)은 발광 영역(EA)에는 배치되지 않으므로, 제1 전극(151) 상에 발광층(152)이 위치하여 발광층(152)에서 광이 생성될 수 있다.

뱅크층(140)은 유기물 또는 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(140)이 유기물로 이루어지는 경우, 폴리이미드, 아크릴 또는 벤조사이클로부텐계 수지로 이루어질 수 있으며, 뱅크층(140)이 무기물로 이루어지는 경우, 비정질 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

발광층(152)은 제1 전극(151) 및 뱅크층(140) 상에 배치된다. 예를 들면, 발광층(152)은 발광 영역(EA)에서는 제1 전극(151) 상에 배치되고, 비발광 영역(NEA)에서는 뱅크층(140) 상에 배치된다.

발광층(152)은 특정 색의 광을 발광하기 위한 층으로서, 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층, 및 백색 발광층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 발광층(152)은 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 저지층, 전자 주입층, 전자 저지층, 전자 수송층 등과 같은 다양한 층을 더 포함할 수도 있다. 발광층(152)은 유기물로 이루어지는 유기 발광층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 발광층(152)은 양자점 발광층 또는 마이크로 LED일 수 있다.

발광층(152)이 비발광 영역(NEA)에서 뱅크층(140) 상에 배치됨에 따라, 발광층(152) 또한 뱅크층(140)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 발광층(152)은 발광 영역(EA)의 제1 전극(151)의 상면 및 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.

제2 전극(153)은 발광층(152) 상에 배치된다. 제2 전극(153)은 발광층(152)으로 전자를 공급한다. 제2 전극(153)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TO) 계열의 투명 도전성 산화물 또는 이테르븀(Yb) 합금으로 이루어질 수도 있다. 또한, 제2 전극(153)은 은(Ag), 구리(Cu), 마그네슘-은 합금(Mg:Ag) 등과 같은 금속 물질 또는 매우 얇은 두께의 금속 물질로 이루어질 수도 있다. 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치임에 따라, 제2 전극(153)은 매우 얇은 두께를 가지므로, 제2 전극(133)의 굴절률은 광의 진행에 영향을 주지 않을 수 있다.

제2 전극(153)이 비발광 영역(NEA)에서 발광층(152) 상에 배치됨에 따라, 제2 전극(153) 또한 뱅크층(140)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제2 전극(153)은 발광 영역(EA)의 제1 전극(151)의 상면 및 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.

도 2를 참조하면, 발광 소자(150) 상에는 봉지부(170)가 배치된다. 봉지부(170)는 제2 전극(153)을 덮도록 배치될 수 있다. 봉지부(170)는 발광 표시 장치(100) 외부로부터 침투하는 수분이나 산소 등으로부터 발광층(150)을 보호할 수 있다.

봉지부(170)는 제1 봉지층(171), 제2 봉지층(172), 및 제3 봉지층(173)을 포함한다.

제1 봉지층(171)은 제2 전극(153) 상에 배치되어 수분이나 산소의 침투를 억제할 수 있다. 제1 봉지층(171)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

제1 봉지층(171)은 제2 전극(153) 상에 배치됨에 따라, 제1 봉지층(171) 또한 제2 전극(153)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제1 봉지층(171)은 발광 영역(EA)의 제1 전극(151)의 상면 및 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.

제2 봉지층(172)은 제1 봉지층(171) 상에 배치되어 표면을 평탄화한다. 또한, 제2 봉지층(172)은 제조 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클을 커버할 수 있다. 제2 봉지층(172)은 유기물, 예를 들어, 실리콘옥시카본(SiOxCz), 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진(Resin) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

제3 봉지층(173)은 제2 봉지층(172) 상에 배치되고, 제1 봉지층(171)과 같이 수분이나 산소의 침투를 억제할 수 있다. 제3 봉지층(173)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제3 봉지층(173)은 제1 봉지층(171)과 동일한 물질로 이루어질 수도 있고, 제1 봉지층(171)과 상이한 물질로 이루어질 수도 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이므로, 마이크로 캐비티가 구현되도록 제조될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 제1 전극(151)의 반사층과 제2 전극(153) 사이의 거리를 설정함으로써, 발광층(152)에서 발광되는 광에 대한 보강 간섭을 구현하여, 광 효율을 향상시킬 수 있다.

이하에서는, 제2 영역(A2)에 배치된 제2 서브 화소(SP2)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 3a 및 도 3b를 참조한다.

도 3a는 도 1의 III-III'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 전의 단면도이다. 도 3b는 도 1의 III-III'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 후의 단면도이다. 제1 영역(A1)의 제1 서브 화소(SP1)와 비교하여 제2 영역(A2)의 제2 서브 화소(SP2)는 오버 코팅층(130)의 형상이 상이하므로, 중복 설명은 생략한다. 벤딩 후의 제2 영역(A2)은 곡면 형상을 갖지만, 하나의 서브 화소(SP)의 크기가 매우 작으므로, 도 3b에서는 벤딩 후의 기판(110)이 곡면 형상이 아닌 평면 형상을 갖는 것으로 도시하였다.

도 3a를 참조하면, 기판(110)의 제2 영역(A2)에 배치되는 돌출부(132)는 제1 돌출부(132a) 및 제2 돌출부(132b)를 포함한다. 제1 돌출부(132a) 및 제2 돌출부(132b)는 발광 영역(EA) 양 측에 각각 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 돌출부(132a)는 발광 영역(EA)의 일 측에 배치될 수 있고, 제2 돌출부(132b)는 발광 영역(EA)의 타 측에 배치될 수 있다. 이때, 제1 돌출부(132a)가 배치되는 발광 영역(EA)의 일 측은 제2 돌출부(132b)가 배치되는 발광 영역(EA)의 타 측보다 제1 영역(A1)과 근접하게 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 돌출부(132a)는 제2 돌출부(132b)보다 평면부에 인접하도록 배치될 수 있다. 이에, 제1 돌출부(132a)는 제2 돌출부(132b)보다 제1 영역(A1)에 근접하게 배치될 수 있다.

제2 서브 화소(SP2)에서 제1 돌출부(132a)의 측면 및 제2 돌출부(132b)의 측면과 베이스부(132)의 상면이 이루는 각은 제1 각도(θ1)일 수 있다. 예를 들면, 제1 돌출부(132a)의 측면 및 제2 돌출부(132b)의 측면은 제1 각도(θ1)를 가지고 베이스부(132) 상에 배치될 수 있다. 제1 각도(θ1)는 40° 내지 50°일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 제1 돌출부(132a)의 측면의 경사각 및 제2 돌출부(132b)의 측면의 경사각은 서로 다르게 형성될 수 있으며, 제2 서브 화소(SP2)에서의 돌출부(132)의 측면의 경사각과 제3 서브 화소(SP3)에서의 돌출부(132)의 측면의 경사각 또한 서로 다르게 형성될 수 있다.

제2 서브 화소(SP2)에서 제1 돌출부(132a)와 제2 돌출부(132b)는 서로 다른 높이를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 돌출부(132a)와 제2 돌출부(132b) 중 제1 영역(A1)에 근접하게 배치되는 제1 돌출부(132a)의 높이(h1)는 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)보다 높을 수 있다.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제2 서브 화소(SP2)에서 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비는 기판(110)의 제2 영역(A2)의 경사가 증가할수록 증가할 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 화소(SP2)에서 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비는 기판(110)의 제1 영역(A1)과 평행한 가상의 면(PS)과 제2 영역(A2)이 이루는 제2 각도(θ2)가 증가할수록 증가할 수 있다. 제2 서브 화소(SP2)에서 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비는 1.5:1.0 내지 3.0:1.0 일 수 있다. 예를 들어, 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)가 10㎛인 경우, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1)는 15㎛ 내지 30㎛일 수 있다. 이에, 발광 표시 장치(100)의 배광 분포가 정면 방향을 향하여 틸트(tilt)될 수 있다. 다만, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비는 이에 제한되는 것은 아니고, 다양하게 변경될 수 있다.

도 3b를 참조하면, 제2 영역(A2)의 제2 서브 화소(SP2)는 제2 각도(θ2)로 벤딩될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(A2)의 제2 서브 화소(SP2)는 제1 영역(A1)과 평행한 가상의 면(PS)으로부터 제2 각도(θ2)만큼 벤딩되어, 제1 영역(A1)과 평행한 가상의 면(PS)과 제2 영역(A2)의 제2 서브 화소(SP2)가 제2 각도(θ2)를 이룰 수 있다.

이하에서는, 오버 코팅층(130)의 형상에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 4를 함께 참조한다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 오버 코팅층의 사시도이다. 도 4에서는 설명의 편의를 위해 하나의 서브 화소(SP)를 둘러싸는 오버 코팅층(130)만을 개략적으로 도시하였다.

도 4를 참조하면, 제2 영역(A2)에 배치되는 돌출부(132)는 제3 돌출부(132c) 및 제4 돌출부(132d)를 더 포함한다. 제3 돌출부(132c) 및 제4 돌출부(132d)는 제1 돌출부(132a) 및 제2 돌출부(132b) 사이에 배치되어, 제1 돌출부(132a) 및 제2 돌출부(132b)의 일 측 및 타 측을 연결할 수 있다. 이때, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1)는 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)보다 높으므로, 제3 돌출부(132c)의 높이 및 제4 돌출부(132d)의 높이는 제1 돌출부(132a)에서 제2 돌출부(132b)를 향할수록 감소할 수 있다. 예를 들면, 제3 돌출부(132c)의 높이 및 제4 돌출부(132d)의 높이는 제2 돌출부(132b)를 향할수록 감소할 수 있다. 이에, 제1 돌출부(132a), 제2 돌출부(132b), 제3 돌출부(132c) 및 제4 돌출부(132d)는 제2 서브 화소(SP2)의 발광 영역(EA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.

도 5a는 도 1의 IV-IV'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 전의 단면도이고, 도 5b는 도 1의 IV-IV'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 후의 단면도이다. 제2 영역(A2)의 제3 서브 화소(SP3)는 제2 영역(A2)의 제2 서브 화소(SP2)와 비교하여 오버 코팅층(130)의 형상이 상이하므로, 중복 설명은 생략한다.

도 5a를 참조하면, 복수의 서브 화소(SP)는 제3 서브 화소(SP3)를 포함한다. 제3 서브 화소(SP3)는 기판(110)의 제2 영역(A2)인 곡면부에 배치될 수 있다. 제2 영역(A2)에서 제3 서브 화소(SP3)는 제2 서브 화소(SP2) 보다 평면부인 제1 영역(A1)으로부터 멀리 배치될 수 있다. 예를 들면, 제3 서브 화소(SP3)가 위치한 제2 영역(A2)의 경사각은 제2 서브 화소(SP2)가 위치한 제2 영역(A2)의 경사각보다 클 수 있다. 제3 서브 화소(SP3)는 제2 서브 화소(SP2) 보다 기판(110)의 외측에 배치될 수 있다.

제3 서브 화소(SP3)는 제1 돌출부(132a) 및 제2 돌출부(132b)를 포함한다. 제3 서브 화소(SP3)에서 제1 돌출부(132a) 및 제2 돌출부(132b)는 발광 영역(EA) 양 측에 각각 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 돌출부(132a)는 발광 영역(EA)의 일 측에 배치될 수 있고, 제2 돌출부(132b)는 발광 영역(EA)의 타 측에 배치될 수 있다. 이때, 제1 돌출부(132a)가 배치되는 발광 영역(EA)의 일 측은 제2 돌출부(132b)가 배치되는 발광 영역(EA)의 타 측보다 제1 영역(A1)과 근접하게 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 돌출부(132a)는 제2 돌출부(132b)보다 평면부에 인접하도록 배치될 수 있다. 이에, 제1 돌출부(132a)는 제2 돌출부(132b)보다 제1 영역(A1)에 근접하게 배치될 수 있다.

제3 서브 화소(SP3)에서 제1 돌출부(132a)의 높이(h3)는 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)보다 높을 수 있다. 예를 들어, 제1 돌출부(132a)와 제2 돌출부(132b) 중 제1 영역(A1)에 근접하게 배치되는 제1 돌출부(132a)의 높이(h3)는 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)보다 높을 수 있다. 또한, 제3 서브 화소(SP3)에서의 제1 돌출부(132a)의 높이(h3)는 제2 서브 화소(SP2)에서의 제1 돌출부(132a)의 높이(h1)보다 높을 수 있다. 예를 들면, 복수의 서브 화소(SP) 각각에 배치되는 제1 돌출부(132a)의 높이(h1, h3)는 제1 영역(A1)으로부터 멀리 배치될수록 증가할 수 있다. 이에, 복수의 서브 화소(SP) 각각에 배치되는 제1 돌출부(132a)의 높이(h1, h3)는 제1 영역(A1)으로부터 멀리 배치되는 제1 돌출부(132a)에서 증가할 수 있다.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 제3 서브 화소(SP3)에서의 제3 각도(θ3)는 제2 서브 화소(SP2)에서의 제2 각도(θ2)보다 클 수 있다. 이에, 제3 서브 화소(SP3)에서 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비는 제2 서브 화소(SP2)에서 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 화소(SP2)에서 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 1.5:1.0인 경우, 제3 서브 화소(SP3)에서의 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비는 2.0:1.0일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 제3 서브 화소(SP3)에서의 제3 각도(θ3) 및 제2 서브 화소(SP2)에서의 제2 각도(θ2)는 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 복수의 서브 화소(SP) 각각에서의 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비는 다양하게 변경될 수 있다.

도 5b를 참조하면, 제2 영역(A2)의 제3 서브 화소(SP3)는 제3 각도(θ3)로 벤딩될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(A2)의 제3 서브 화소(SP3)는 제1 영역(A1)과 평행한 가상의 면(PS)으로부터 제3 각도(θ3)만큼 벤딩되어, 제1 영역(A1)과 평행한 가상의 면(PS)과 제2 영역(A2)의 제3 서브 화소(SP3)가 제3 각도(θ3)를 이룰 수 있다.

기존의 엣지 벤딩의 발광 표시 장치에 마이크로 캐비티가 구현되는 경우, 발광 소자로부터 발광되는 광의 배광 분포는 정면을 향하므로, 기판이 벤딩되는 경우, 벤딩 영역에 배치되는 발광 소자로부터 발광되는 광의 배광 분포 또한 발광 표시 장치의 측면을 향할 수 있다. 이에, 발광 소자로부터 발광되는 광 중 발광 표시 장치의 정면으로 추출되는 광의 양이 감소하여 벤딩 영역과 평면 영역 간의 휘도 차이가 발생할 수 있다. 또한, 정면 방향에 대한 벤딩 영역에서의 제1 전극과 제2 전극 사이의 광학 거리와 정면 방향에 대한 평면 영역에서의 제1 전극과 제2 전극 사이의 광학 거리가 상이하여, 벤딩 영역과 평면 영역 간의 색좌표의 변화가 심한 현상이 발생할 수 있다.

이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 기판(110)의 제2 영역(A2)에 배치되는 제1 돌출부(132a) 및 제2 돌출부(132b)가 서로 다른 높이를 가지도록 하여, 기판(110)의 제2 영역(A2)에서의 배광 분포를 조절할 수 있다. 예를 들면, 기판(110)의 제1 영역(A1)에 인접하도록 배치되는 제1 돌출부(132a)의 높이(h1)가 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)보다 높게 형성되는 경우, 발광층(152)으로부터 발광되는 광 중 일부가 제1 돌출부(132a)의 측면 상에 배치된 제1 전극(151)에 의해 반사될 수 있다. 이에, 발광층(152)으로부터 발광되는 광 중 제1 전극(151)에 의해 반사된 광의 진행 경로가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향을 향하도록 변경됨에 따라, 발광층(152)으로부터 발광되는 광의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향을 향하여 틸트될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 기판(110)의 제2 영역(A2)에서 제1 돌출부(132a)의 높이(h1)가 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)보다 높도록 형성하여, 발광층(152)으로부터 발광되는 광의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향을 향하도록 조절함으로써, 발광 표시 장치(100)의 제2 영역(A2)에서의 정면 휘도 및 시야각을 개선할 수 있고, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 간의 휘도 불균일 및 색좌표 변동 문제를 해결할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 기판(110)의 제2 영역(A2)의 경사에 따라 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비를 조절하여, 기판(110)의 제2 영역(A2)에서의 배광 분포를 조절할 수 있다. 발광층(152)으로부터 발광되는 광의 배광 분포는 제2 영역(A2)에서의 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 증가할수록 발광 표시 장치(100)의 정면 방향을 향하여 더 큰 각도로 틸트될 수 있다. 예를 들어, 제3 서브 화소(SP3)에서의 제3 각도(θ3)가 제2 서브 화소(SP2)에서의 제2 각도(θ2)보다 큰 경우, 제3 서브 화소(SP3)에서의 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 제2 서브 화소(SP2)에서의 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비 보다 크도록 배치할 수 있다. 이에, 제3 서브 화소(SP3)에서의 배광 분포가 제2 서브 화소(SP2)에서의 배광 분포보다 발광 표시 장치(100)의 정면을 향하여 더 큰 각도로 틸트될 수 있다. 따라서, 기판(110)의 제2 영역(A2)의 경사에 따라 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비를 조절하여, 제2 영역(A2)에서의 정면 휘도 및 시야각을 개선할 수 있고, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 간의 휘도 불균일 및 색시야각 변동 문제를 해결할 수 있다.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 다양한 조건들에 따른 배광 분포 변화를 시뮬레이션한 이미지이다. 예를 들면, 도 6a는 Ray tracing 방식 광학 시뮬레이션 프로그램으로 Ray의 개수가 약 1천 개인 것으로 설정하였고, 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)가 약 2.5㎛이고 제1 돌출부(132a)의 측면의 경사각이 약 40°인 경우, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비에 따른 배광 분포의 변화를 시뮬레이션한 이미지이다. 도 6b는 Ray tracing 방식 광학 시뮬레이션 프로그램으로 Ray의 개수가 약 1천 개인 것으로 설정하였고, 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)가 약 5.0㎛이고 제1 돌출부(132a)의 측면의 경사각이 약 40°인 경우, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비에 따른 배광 분포의 변화를 시뮬레이션한 이미지이다. 도 6c는 Ray tracing 방식 광학 시뮬레이션 프로그램으로 Ray의 개수가 약 1천 개인 것으로 설정하였고, 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)가 약 5.0㎛이고 제1 돌출부(132a)의 측면의 경사각이 약 50°인 경우, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비에 따른 배광 분포의 변화를 시뮬레이션한 이미지이다. 시뮬레이션 시, 발광 소자(150)의 굴절률은 약 1.8로 설정하였고, 오버 코팅층(130)의 굴절률은 약 1.6으로 설정하였으며, 제1 전극(151)의 반사율은 약 90%인 것으로 설정하였다. 또한, 각 서브 화소(SP)의 크기는 가로 길이 및 세로 길이가 각각 약 50㎛인 것으로 설정하였고, 제2 영역(A2)에서 제1 돌출부(132a) 및 제2 돌출부(132b) 사이의 거리는 약 20㎛인 것으로 설정하였고, 제1 돌출부(132a)의 최외측에서 제2 돌출부(132b)의 최외측까지의 거리가 약 50㎛인 것으로 설정하였다. 또한, 도 6a 내지 도 6c에서는 발광 소자(150)에서 방출되는 광 각각의 틸트 각도를 정규화(normalize)하여, θ/2으로 나타내었다.

도 6a 및 하기 [표 1]을 참조하면, 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)가 약 2.5㎛이고 제1 돌출부(132a)의 측면의 경사각이 약 40°인 경우, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비에 따른 배광 분포의 변화를 시뮬레이션한 결과이다. 예를 들면, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 1.5:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 9.9° 틸트되었고, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 2.0:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 10.9° 틸트되었으며, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 2.5:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 11.9° 틸트되었다. 이에, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 증가할수록, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면을 향하여 더 큰 각도로 틸트되는 것을 확인할 수 있다.

제2 돌출부의 높이(h2)	2.5
돌출부의 측면의 경사각(θ1)	40°
제1 돌출부의 높이 및 제2 돌출부의 높이의 비(h2/h1)	1.5	2.0	2.5
틸트 각도(θ/2)	약 9.9°	약 10.9°	약 11.9°

도 6b 및 하기 [표 2]를 참조하면, 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)가 약 5.0㎛이고 제1 돌출부(132a)의 측면의 경사각이 약 40°인 경우, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비에 따른 배광 분포의 변화를 시뮬레이션한 결과이다. 예를 들면, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 1.5:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 12.9° 틸트되었고, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 2.0:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 13.9° 틸트되었으며, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 2.5:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 14.9° 틸트되었다. 이에, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 증가할수록, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면을 향하여 더 큰 각도로 틸트되는 것을 확인할 수 있다.

제2 돌출부의 높이(h2)	5.0
돌출부의 측면의 경사각(θ1)	40°
제1 돌출부의 높이 및 제2 돌출부의 높이의 비(h2/h1)	1.5	2.0	2.5
틸트 각도(θ/2)	약 12.9°	약 13.9°	약 14.9°

도 6c 및 하기 [표 3]을 참조하면, 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)가 약 5.0㎛이고 제1 돌출부(132a)의 측면의 경사각이 약 50°인 경우, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비에 따른 배광 분포의 변화를 시뮬레이션한 결과이다. 예를 들면, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 1.5:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 3.5° 틸트되었고, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 2.0:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 5.0° 틸트되었고, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 2.5:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 16.5° 틸트되었으며, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 약 3.0:1.0인 경우, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 약 7.5° 틸트되었다. 이에, 제1 돌출부(132a)의 높이(h1) 및 제2 돌출부(132b)의 높이(h2)의 비가 증가할수록, 발광 소자(150)의 배광 분포가 발광 표시 장치(100)의 정면을 향하여 더 큰 각도로 틸트되는 것을 확인할 수 있다.

제2 돌출부의 높이(h2)	5.0
돌출부의 측면의 경사각(θ1)	40°
제1 돌출부의 높이 및 제2 돌출부의 높이의 비(h2/h1)	1.5	2.0	2.5	3.0
틸트 각도(θ/2)	약 3.5°	약 5.0°	약 6.5°	약 7.5°

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 발광 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 영역은 평면 영역이고, 제2 영역은 제1 영역으로부터 멀어질수록 경사가 증가하는 곡면 영역일 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 돌출부는 제2 돌출부보다 제1 영역에 근접하게 배치되고, 제1 돌출부의 높이는 제2 돌출부의 높이보다 높을 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 영역에 배치되는 돌출부는, 제1 돌출부와 제2 돌출부를 연결하는 제3 돌출부 및 제4 돌출부를 더 포함하고, 제3 돌출부 및 제4 돌출부의 높이는 제2 돌출부를 향할수록 감소할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 돌출부 내지 제4 돌출부는 발광 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 돌출부의 높이는 제1 영역으로부터 멀리 배치될수록 증가할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 돌출부의 높이 및 제1 돌출부의 높이의 비는 제1 영역과 평행한 면과 제2 영역이 이루는 각도가 증가할수록 증가할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 돌출부의 높이 및 제1 돌출부의 높이의 비는 1.0:1.5 내지 1.0:3.0 일 수 있다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 서브 화소는 곡면부에 배치되고, 제2 서브 화소보다 평면부로부터 멀리 배치되는 제3 서브 화소를 포함하고, 돌출부 중 제3 서브 화소에 배치되는 돌출부는 제1 돌출부 및 제2 돌출부를 포함하고, 제3 서브 화소의 제1 돌출부의 높이는 제2 서브 화소의 제1 돌출부보다 높이가 클 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제3 서브 화소가 위치한 곡면부의 경사각은 제2 서브 화소가 위치한 곡면부의 경사각보다 클 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 서브 화소의 제2 돌출부의 높이 및 제2 서브 화소의 제1 돌출부의 높이의 비는 제2 서브 화소가 위치한 곡면부의 경사가 증가할수록 증가할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 서브 화소의 제2 돌출부의 높이 및 제2 서브 화소의 제1 돌출부의 높이의 비는 1.0:1.5 내지 1.0:3.0 일 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 발광 표시 장치는 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이고, 발광 소자는 마이크로 캐비티로 구현될 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 발광 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 에치 스토퍼
120: 박막 트랜지스터
121: 게이트 전극
122: 액티브층
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
130: 오버 코팅층
131: 베이스부
132: 돌출부
132a: 제1 돌출부
132b: 제2 돌출부
132c: 제3 돌출부
132d: 제4 돌출부
140: 뱅크층
150: 발광 소자
151: 제1 전극
152: 발광층
153: 제2 전극
170: 봉지부
171: 제1 봉지층
172: 제2 봉지층
173: 제3 봉지층
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역
SP: 서브 화소
SP1: 제1 서브 화소
SP2: 제2 서브 화소
SP3: 제3 서브 화소
A1: 제1 영역
A2: 제2 영역
EA: 발광 영역
NEA: 발광 영역
θ1: 돌출부의 측면의 경사각
θ2: 제2 각도
θ3: 제3 각도
PS: 제2 영역이 제1 영역과 평행한 가상의 면
h1, h3: 제1 돌출부의 높이
h2: 제2 돌출부의 높이

Claims

복수의 서브 화소가 배치되고, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 베이스부 및 돌출부를 갖는 오버 코팅층;
상기 돌출부의 측부 및 상기 베이스부를 덮도록 배치되는 복수의 제1 전극;
상기 복수의 서브 화소의 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하도록 상기 비발광 영역에서 상기 복수의 제1 전극의 일부 상에 배치되는 뱅크층;
상기 복수의 제1 전극 및 상기 뱅크층 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
상기 복수의 서브 화소 중 상기 제2 영역의 복수의 서브 화소에 배치되는 돌출부는,
상기 발광 영역의 일 측에 배치되는 제1 돌출부; 및
상기 제1 돌출부와 서로 다른 높이를 가지고, 상기 발광 영역의 타 측에 배치되는 제2 돌출부를 포함하는, 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 영역은 평면 영역이고,
상기 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 멀어질수록 경사가 증가하는 곡면 영역인, 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 돌출부는 상기 제2 돌출부보다 상기 제1 영역에 근접하게 배치되고,
상기 제1 돌출부의 높이는 상기 제2 돌출부의 높이보다 높은, 발광 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 제2 영역에 배치되는 돌출부는,
상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부를 연결하는 제3 돌출부 및 제4 돌출부를 더 포함하고,
상기 제3 돌출부 및 상기 제4 돌출부의 높이는 상기 제2 돌출부를 향할수록 감소하는, 발광 표시 장치.
제4항에 있어서,
상기 제1 돌출부 내지 상기 제4 돌출부는 상기 발광 영역을 둘러싸도록 배치된, 발광 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 제1 돌출부의 높이는 상기 제1 영역으로부터 멀리 배치될수록 증가하는, 발광 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 제2 돌출부의 높이 및 상기 제1 돌출부의 높이의 비는 상기 제1 영역과 평행한 면과 상기 제2 영역이 이루는 각도가 증가할수록 증가하는, 발광 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 제2 돌출부의 높이 및 상기 제1 돌출부의 높이의 비는 1.0:1.5 내지 1.0:3.0 인, 발광 표시 장치.
평면부 및 곡면부를 포함하고, 복수의 서브 화소가 배치되는 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 베이스부 및 상기 베이스부로부터 돌출되는 돌출부를 포함하는 오버 코팅층; 및
상기 오버 코팅층 상에서 상기 복수의 서브 화소 각각에 배치되고, 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 복수의 발광 소자를 포함하고,
상기 복수의 서브 화소는 상기 평면부에 배치되는 제1 서브 화소 및 상기 곡면부에 배치되는 제2 서브 화소를 포함하고,
상기 돌출부 중 상기 제2 서브 화소에 배치되는 돌출부는 제1 돌출부 및 제2 돌출부를 포함하고,
상기 제2 서브 화소의 제1 돌출부는 상기 제2 서브 화소의 제2 돌출부보다 상기 평면부에 인접하도록 배치되고, 상기 곡면부에서의 배광 분포를 조절하도록 상기 제1 서브 화소의 제2 돌출부보다 높이가 큰, 발광 표시 장치.
제9항에 있어서,
상기 복수의 서브 화소는 상기 곡면부에 배치되고, 상기 제2 서브 화소보다 상기 평면부로부터 멀리 배치되는 제3 서브 화소를 포함하고,
상기 돌출부 중 상기 제3 서브 화소에 배치되는 돌출부는 제1 돌출부 및 제2 돌출부를 포함하고,
상기 제3 서브 화소의 제1 돌출부의 높이는 상기 제2 서브 화소의 제1 돌출부보다 높이가 큰, 발광 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 제3 서브 화소가 위치한 상기 곡면부의 경사각은 상기 제2 서브 화소가 위치한 상기 곡면부의 경사각보다 큰, 발광 표시 장치.
제9항에 있어서,
상기 제2 서브 화소의 제2 돌출부의 높이 및 상기 제2 서브 화소의 제1 돌출부의 높이의 비는 상기 제2 서브 화소가 위치한 상기 곡면부의 경사가 증가할수록 증가하는, 발광 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 제2 서브 화소의 제2 돌출부의 높이 및 상기 제2 서브 화소의 제1 돌출부의 높이의 비는 1.0:1.5 내지 1.0:3.0 인, 발광 표시 장치.
제9항에 있어서,
상기 발광 표시 장치는 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이고,
상기 발광 소자는 마이크로 캐비티로 구현된, 발광 표시 장치.