CN113261127B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了具有改善的光提取效率并且使根据视角的颜色感测变化最小化的一种显示装置，所述显示装置包括：像素电极，布置在基底上；绝缘层，覆盖像素电极的边缘并且通过用于暴露中心部分的开口限定发射区域；第一光提取图案，布置在像素电极的上部上，并且第一光提取图案的侧表面的倾角具有第一角度；以及第二光提取图案，被布置为在第一光提取图案的外部上包围第一光提取图案，并且第二光提取图案的侧表面的倾角具有第二角度，第二角度比第一角度小。

Description

显示装置
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种具有改善的光提取效率和减少的根据视角的颜色感测变化(color sense variation，或被称为“色感差”)的显示装置。
背景技术
在显示装置之中，有机发光显示装置由于它们的宽视角、高对比度和快速响应速度而已经被强调为下一代显示装置。
通常，有机发光显示装置由布置在基底上的薄膜晶体管和有机发光器件形成，并且通过自身发射光的有机发光器件进行操作。有机发光显示装置可以用作诸如移动电话的小型产品中的显示器，或者诸如电视的大型产品中的显示器。
有机发光显示装置具有有机发光器件，该有机发光器件包括在每个(子)像素的像素电极与对电极之间的中间层，其中，中间层包括发射层。有机发光显示装置通常经由电连接到像素电极的薄膜晶体管来控制来自每个像素的光发射或发光程度，并且对电极遍及多个(子)像素一体地设置。
发明内容
技术问题
然而，根据现有技术的显示装置，随着显示装置变大，每个(子)像素的光提取效率劣化，并且难以控制根据视角的颜色感测变化。
一个或更多个实施例包括具有改善的光提取效率和减少的根据视角的颜色感测变化的显示装置。然而，上面的技术特征是示例性的，并且公开的范围不限于此。
技术方案
根据实施例，显示装置包括：像素电极，在基底上；绝缘层，经由开口限定发射区域，绝缘层覆盖像素电极的边缘并且经由开口暴露像素电极的中心部分；第一光提取图案，在像素电极上，第一光提取图案具有以第一角度倾斜的侧表面；以及第二光提取图案，在第一光提取图案的外部上围绕第一光提取图案，第二光提取图案具有以第二角度倾斜的侧表面，第二角度比第一角度小。
显示装置可以包括覆盖第一光提取图案和第二光提取图案的平坦化层。
第一光提取图案和第二光提取图案可以具有第一折射率，并且平坦化层可以具有比第一折射率大的第二折射率。
第一光提取图案、第二光提取图案和平坦化层可以包括透光有机材料。
平坦化层可以包括包含无机材料的微粒。
第二光提取图案可以具有第二高度，并且第一光提取图案可以具有比第二高度小的第一高度。
第一光提取图案可以具有第一高度，并且第二光提取图案可以具有等于第一高度的第二高度。
第一光提取图案可以在开口上，以与发射区域对应。
第二光提取图案可以在绝缘层上，以与发射区域的外部对应。
第一光提取图案和第二光提取图案可以在平面图中均具有闭环形状。
开口可以在平面图中具有多边形形状、椭圆形形状或圆形形状。
第一光提取图案和第二光提取图案可以在平面图中具有与开口的形状类似的形状。
开口中的中心点可以在平面图中与第一光提取图案和第二光提取图案的中心点匹配。
显示装置还可以包括：中间层，在通过开口暴露的像素电极上，中间层包括有机发光材料；以及对电极，面对像素电极，且中间层在对电极与像素电极之间，其中，第一光提取图案与中间层叠置。
显示装置还可以包括：触摸传感器层，在对电极上；以及覆盖层，在触摸传感器层上，第一光提取图案和第二光提取图案可以在触摸传感器层与覆盖层之间。
覆盖层可以在平坦化层上。
根据另一实施例，显示装置包括：基底；有机发光器件，在基底上，有机发光器件包括像素电极、面对像素电极的对电极和在像素电极与对电极之间的中间层；绝缘层，经由开口限定发射区域，绝缘层覆盖像素电极的边缘并且经由开口暴露像素电极的中心部分；第一光提取图案，在绝缘层上，第一光提取图案具有第一高度；以及第二光提取图案，围绕第一光提取图案同时与第一光提取图案分开一定间隙，第二光提取图案具有比第一高度大的第二高度。
显示装置还可以包括在第一光提取图案上的平坦化层，平坦化层覆盖第一光提取图案。
第二光提取图案可以与绝缘层对应。
第一光提取图案可以具有相对于第一光提取图案的下表面拥有第一角度的侧表面，并且第二光提取图案可以具有相对于第二光提取图案的下表面拥有第二角度的侧表面，第二角度比第一角度小。
第一光提取图案可以具有第一宽度，并且第二光提取图案可以具有比第一宽度大的第二宽度。
第一光提取图案和第二光提取图案可以包括相同的材料。
显示装置还包括在第一光提取图案上的平坦化层，第一光提取图案可以具有第一折射率，并且平坦化层可以具有比第一折射率大的第二折射率。
第一光提取图案和平坦化层可以包括透光有机材料。
第一光提取图案可以在平面图中具有闭环形状。
开口可以在平面图中具有多边形形状、椭圆形形状或圆形形状，并且第一光提取图案可以具有与开口的形状类似的形状。
在平面图中，开口的图形中的中心可以与第一光提取图案的图形中的中心匹配。
通过附图、权利要求书和详细描述，将更好地理解公开的其它方面、特征和优点。
有益效果
根据公开的一个或更多个实施例，可以实现具有改善的光提取效率和减少的根据视角的颜色感测变化的显示装置。然而，一个或更多个实施例的范围不限于上面的效果。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的平面图。
图2是根据实施例的显示装置中的一个像素的等效电路图。
图3是示出图1中的区域A的放大图的平面图。
图4是沿着图3的线B-B截取的显示装置的剖视图。
图5是根据另一实施例的显示装置中的像素的剖视图。
图6是根据另一实施例的显示装置中的像素的剖视图。
图7和图8是根据另一实施例的显示装置中的像素的平面图。
图9是根据另一实施例的显示装置中的像素的剖视图。
图10是根据另一实施例的显示装置中的像素的剖视图。
图11是根据另一实施例的显示装置中的像素的剖视图。
具体实施方式
由于本公开允许各种变化和许多实施例，所以具体实施例将在附图中示出并且在书面描述中详细描述。参照用于示出一个或更多个实施例的附图，以获得充分的理解、其优点和通过实施方式实现的目的。然而，实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。
下面将参照附图更详细描述实施例。无论附图编号如何，相同或对应的这些组件被赋予相同的附图标记，并且省略了冗余的解释。
虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种组件，但是这样的组件不限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。除非以单数形式使用的表述在上下文中具有清楚地不同的意思，否则以单数形式使用的表述也包含复数形式的表述。
还将理解的是，这里使用的术语“包括”、“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于解释而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
当可以不同地实现某个实施例时，具体的工艺顺序可以以与描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
图1是根据实施例的显示装置的平面图。
参照图1，根据实施例的显示装置1包括基底100和在基底100上的显示单元200。
基底100可以包括诸如玻璃、金属或有机材料的各种材料。根据实施例，基底100可以包括柔性材料。例如，基底100可以包括可弯曲的、可折叠的或可卷曲的材料(例如，聚酰亚胺(PI))。然而，一个或更多个实施例不限于此。
基底100包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示单元200在显示区域DA中。非显示区域NDA在显示区域DA的外部处(例如，沿着基底100的边界)。用于向显示单元200供应信号的驱动单元DU可以在非显示区域NDA中的一侧处。
多个像素P可以在显示区域DA中。像素P中的每个可以包括像素电路和连接到像素电路的显示元件(例如，有机发光二极管OLED)，像素电路包括电连接到信号线和电力线的薄膜晶体管、存储电容器等。
像素P中的每个可以从有机发光二极管OLED发射光(例如，红光、绿光、蓝光或白光)。在说明书中，如上所述，像素P可以发射红光、绿光、蓝光或白光。当像素P中的显示元件是有机发光二极管时，薄膜晶体管可以至少包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管。
图2是根据实施例的显示装置中的一个像素的等效电路图。
参照图2，像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件。图2示出了作为显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
第二薄膜晶体管T2是开关薄膜晶体管，并且连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据输入到扫描线SL的开关电压将输入到数据线DL的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从第二薄膜晶体管T2传输的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1是连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst的驱动薄膜晶体管，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流Id。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流Id发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS的电压。
图2示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是一个或更多个实施例不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而变化。
图3是部分地示出根据实施例的显示装置的平面图。图3可以与图1中的区域A对应。
参照图3，根据实施例的每个像素P包括在有机发光二极管OLED上的光提取器300。光提取器300包括第一光提取图案310、第二光提取图案320以及覆盖第一光提取图案310和第二光提取图案320的平坦化层330。
第一光提取图案310和第二光提取图案320在同一层处并且在绝缘层150上。绝缘层150通过开口OP限定发射区域EA，并且第一光提取图案310和第二光提取图案320在开口OP上方。
在平面图中，第一光提取图案310和第二光提取图案320具有闭环形状。在图3中，第一光提取图案310和第二光提取图案320具有框架状形状，但不限于此。第一光提取图案310和第二光提取图案320可以具有与开口OP的形状类似的形状。在图3中，开口OP具有四边形形状，但是可以具有各种形状(例如，如图7中的八边形形状或如图8中的六边形形状)。另外，开口OP可以具有多边形形状、椭圆形形状或圆形形状。
由开口OP限定的发射区域EA可以关于在第一方向上的第一轴CAX1对称并且关于在第二方向上的第二轴CAX2对称。第一方向和第二方向可以彼此交叉，例如，以直角彼此交叉。第一光提取图案310和第二光提取图案320均基于第一轴CAX1且基于第二轴CAX2对称。
第一轴CAX1和第二轴CAX2在可以被限定为图的中心点O的一点处彼此交汇。第一光提取图案310和第二光提取图案320也具有以相同方式限定的中心点O，并且开口OP以及第一光提取图案310和第二光提取图案320可以彼此共享中心点O。在实施例中，当开口OP具有多边形形状时，中心点O可以被限定为连接两个面对的角的两条或更多条对角线在开口OP中彼此交汇的点。
第一光提取图案310和第二光提取图案320在有机发光二极管OLED上，并且被设置为从有机发光二极管OLED发射更多的光到外侧。在对比示例中，当第一光提取图案310和第二光提取图案320基于第一轴CAX1和第二轴CAX2不对称时，从发射区域EA的特定部分可能发生例如光被更多地反射或更少地反射的差异，并且这可能导致可见性的缺陷。因此，如在开口OP中那样，第一光提取图案310和第二光提取图案320基于第一轴CAX1和第二轴CAX2对称。
第一光提取图案310与开口OP中的发射区域EA对应。也就是说，第一光提取图案310与开口OP中的发射区域EA叠置，并且可以理解的是，第一光提取图案310与开口OP中的中间层240叠置。
第二光提取图案320与开口OP外侧的非发射区域NEA对应。也就是说，第二光提取图案320与开口OP外侧的非发射区域NEA叠置，并且可以理解的是，第二光提取图案320与绝缘层150叠置。因为从其去除了绝缘层150的区域被限定为开口OP(即，发射区域EA)，并且未从其去除绝缘层150的区域被限定为非发射区域NEA，所以可以理解的是，第一光提取图案310在发射区域EA中，第二光提取图案320在非发射区域NEA中。
第一光提取图案310具有第一宽度W1，第二光提取图案320具有第二宽度W2。这里，第二宽度W2可以比第一宽度W1大。这与第一光提取图案310的侧表面和第二光提取图案320的侧表面之间的角度以及根据第一光提取图案310和第二光提取图案320的位置的光提取效率有关。这将在下面参照图4和图5详细描述。
图4是部分地示出根据实施例的显示装置的剖视图，图5是根据另一实施例的显示装置中的像素的剖视图。图4可以示出沿着图3的线B-B截取的显示装置的剖面。
参照图4，显示区域DA中的像素P包括像素电路PC，该像素电路PC包括薄膜晶体管210和存储电容器220。图4的薄膜晶体管210可以是作为图2中的驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1。
像素电路层可以包括顺序地在基底100上的缓冲层101、栅极绝缘层103和层间绝缘层105。
缓冲层101在基底100上以防止杂质的渗透，栅极绝缘层103可以在半导体层211与薄膜晶体管210的栅电极213之间。层间绝缘层105在薄膜晶体管210的栅电极213与源电极215s和漏电极215d之间，同时可以在存储电容器220的下电极221与上电极223之间来用作介电材料。
缓冲层101、栅极绝缘层103和层间绝缘层105可以包括绝缘层间材料。例如，缓冲层101、栅极绝缘层103和层间绝缘层105均可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。
图4示出了其中像素电路PC的薄膜晶体管210是顶栅型薄膜晶体管的示例，但是一个或更多个实施例不限于此。在另一实施例中，薄膜晶体管210可以是底栅型薄膜晶体管。此外，图4描述了存储电容器220的下电极221和上电极223分别与栅电极213以及源电极215s和漏电极215d位于同一层处以包括分别与栅电极213以及源电极215s和漏电极215d的材料相同的材料，但是一个或更多个实施例不限于此。
有机发光二极管OLED包括像素电极230、面对像素电极230的对电极250以及在像素电极230与对电极250之间的中间层240，其中，像素电极230利用具有在像素电极230与像素电路PC之间的接触孔的过孔层130电连接到像素电路PC。在实施例中，过孔层130可以包括绝缘有机材料。
像素电极230通过被理解为像素限定层的绝缘层150中的开口OP暴露，像素电极230的边缘可以被包括绝缘有机材料的绝缘层150覆盖。在实施例中，像素电极230可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物。
对电极250一体地设置以完全地覆盖显示区域DA。在实施例中，对电极250可以包括包含银(Ag)和镁(Mg)的薄膜金属层或诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的透明导电氧化物(TCO)。
中间层240可以包括有机材料并且可以被图案化以与显示区域DA中的像素P对应，有机材料包括发射红光、绿光和蓝光的荧光材料或磷光体材料。
尽管附图中未示出，但是可以设置在中间层240与像素电极230之间的第一功能层(未示出)和在中间层240与对电极250之间的第二功能层(未示出)中的至少一个，且中间层240在它们之间。与在像素电极230上图案化的中间层240不同，第一功能层和第二功能层可以是完全地设置在显示单元200上的公共层。
第一功能层可以包括例如空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一者。HIL使空穴容易地从阳极发射，HTL使空穴从HIL传输到发射层。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一者。EIL使电子容易地从阴极发射，ETL使电子从EIL传输到发射层。
封装层260在显示区域DA中。图4示出了在显示区域DA中的封装层260，但封装层260可以部分地在非显示区域NDA中。
在另一实施例中，封装基底(未示出)可以在基底100上而不在封装层上，然后基底100和封装基底可以经由在基底100的外部上的密封剂(未示出)彼此接合来密封显示单元200。在实施例中，下面将描述经由封装层260密封显示单元200的结构。
封装层260包括第一无机层261和第二无机层263以及有机层262。例如，封装层260可以包括其中第一无机层261、有机层262和第二无机层263顺序地堆叠的结构。第一无机层261和第二无机层263可以包括选自氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种材料。第一无机层261和第二无机层263可以通过例如化学气相沉积(CVD)工艺而获得。
有机层262可以包括选自由丙烯酰类树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂组成的组中的至少一种材料。
在实施例中，可以通过原子层沉积(ALD)工艺使用诸如六甲基二硅氧烷(HMDSO)或原硅酸四乙酯(TEOS)的材料作为源气体来获得有机层262。
在另一实施例中，有机层262可以通过沉积液态单体并通过使用热或光(诸如紫外线)固化单体来获得。
在实施例中，封装层260包括两个无机层(例如，第一无机层261和第二无机层263)和一个有机层262，但是无机封装层和有机封装层的堆叠顺序以及无机封装层和有机封装层的数量不限于此。
光提取器300可以在封装层260上。在实施例中，光提取器300在封装层260上，但是在另一实施例中，各种功能层可以在光提取器300与封装层260之间，并且光提取器300可以在功能层上。功能层可以包括例如触摸传感器层、偏振层、滤光器层、有机层、无机层等。
光提取器300包括第一光提取图案310、第二光提取图案320以及覆盖第一光提取图案310和第二光提取图案320的平坦化层330。第一光提取图案310和第二光提取图案320在同一层处，平坦化层330覆盖第一光提取图案310和第二光提取图案320。平坦化层330使第一光提取图案310和第二光提取图案320的上表面平坦化，使得窗盖(未示出)等可以设置在其上。
参照图4和图5，第一光提取图案310在由绝缘层150的开口OP限定的发射区域EA中，第二光提取图案320在开口OP外侧的非发射区域NEA中。如图4中示出的，第一光提取图案310和第二光提取图案320基于穿过发射区域EA的中心的中心轴CAX对称。中心轴CAX可以与图3的第一轴CAX1垂直。
参照图5，第一光提取图案310和第二光提取图案320具有第一折射率，并且平坦化层330具有第二折射率。这里，平坦化层330的第二折射率比第一光提取图案310和第二光提取图案320的第一折射率大。也就是说，包括在平坦化层330中的材料的折射率比包括在第一光提取图案310和第二光提取图案320中的材料的折射率大。根据上面的特性，从有机发光二极管OLED发射的光被第一光提取图案310和第二光提取图案320的表面全反射，然后发射到正面，因此，可以改善光发射效率。
第一光提取图案310和第二光提取图案320以及平坦化层330包括例如透光有机材料。因为光提取器300被设置为改善有机发光二极管OLED的光发射效率，并且根据实施例的显示装置被假设为顶发射型显示装置，所以光提取器300中的元件包括透光材料。例如，第一光提取图案310和第二光提取图案320以及平坦化层330可以包括丙烯酰类的有机层，但是一个或更多个实施例不限于此。也就是说，可以使用任何类型的透光有机材料，只要平坦化层330的折射率比第一光提取图案310和第二光提取图案320的折射率大。
在实施例中，为了改善折射率，具有相对高折射率的平坦化层330可以包括其中微粒332分散在有机材料331中的材料。微粒332可以包括诸如氧化锆的无机材料。
第一光提取图案310的侧表面具有第一角度θ1的倾斜度，第二光提取图案320的侧表面具有第二角度θ2的倾斜度。这里，第一角度θ1比第二角度θ2大。例如，第一角度θ1可以在约70°至约90°的范围内，第二角度θ2可以在约70°至约80°的范围内。在图5中，第一光提取图案310和第二光提取图案320均可以具有梯形形状，但是第一光提取图案310可以具有矩形形状。可以考虑像素P的尺寸、光提取器300的厚度等来设计第一光提取图案310和第二光提取图案320的第一角度θ1和第二角度θ2。
如图5中示出的，从发射区域EA的中心发射的光在第一光提取图案310和第二光提取图案320的侧表面上被全反射，并发射到有机发光二极管OLED的正面。当用户使用显示装置时，显示装置和用户的眼睛大部分位于直线上。因此，来自有机发光二极管OLED的光是否发射到正面是显示装置的性能中的重要因素。因此，根据实施例的显示装置包括在有机发光二极管OLED上的第一光提取图案310和第二光提取图案320，使得可以改善来自有机发光二极管OLED的光的正面发射效率。因此，可以显著地改善显示装置的性能和寿命。
根据角度，图5将从发射区域EA的中心发射的光示出为第一光L1和第二光L2。第二光L2与中心轴CAX的角度比第一光L1与中心轴CAX的角度大，并且第二光L2朝向非发射区域NEA行进。因为第二光L2不直接行进到有机发光二极管OLED的前表面，所以当如对比示例中那样不设置第一光提取图案310和第二光提取图案320时，第二光L2与相邻像素的颜色混合或者第二光L2可能使有机发光二极管OLED的光学效率劣化。因此，当第二光提取图案320设置在非发射区域NEA中时，朝向非发射区域NEA行进的第二光L2可以被发射到正面，从而改善光发射效率。
如上所述，第二光L2朝向非发射区域NEA行进并且相对于中心轴CAX具有相对大的角度，因此，考虑到入射角度，第二光提取图案320的侧表面的角度比第一光提取图案310的侧表面的角度小。类似地，因为第一光L1朝向发射区域EA行进并且相对于中心轴CAX具有相对小的角度，所以考虑到入射角度，第一光提取图案310的侧表面的角度比第二光提取图案320的侧表面的角度大。
尽管第一光L1朝向发射区域EA行进，但是作为对比示例当未设置第一光提取图案310时，第一光L1不被发射到正面。因此，第一光提取图案310设置在发射区域EA中，因此，第一光L1可以发射到正面，并且可以改善光发射效率。
第一光提取图案310具有第一高度h1，第二光提取图案320具有第二高度h2。第一光提取图案310的第一高度h1比第二光提取图案320的第二高度h2小。因为第一光提取图案310在发射区域EA中，所以就光效率而言，易于形成具有相对较薄的厚度的第一光提取图案310。
根据相同的原理，第一光提取图案310具有第一宽度W1，第二光提取图案320具有第二宽度W2。这里，第一光提取图案310的第一宽度W1比第二光提取图案320的第二宽度W2小。如上所述，即使当第一光提取图案310包括透光材料时，当结构在发射区域EA中时，也可能使光效率劣化。因此，发射区域EA中的第一光提取图案310具有比非发射区域NEA中的第二光提取图案320的宽度小的宽度，因此，可以减少由于第一光提取图案310引起的发射区域EA的光效率的劣化。例如，第一光提取图案310的第一宽度W1可以是发射区域EA在相同方向上的宽度的约10％至约30％，但不限于此。
图6是根据另一实施例的显示装置中的像素的剖视图。
图6的实施例与图4的实施例的不同之处在于像素电路PC的结构。其他组件与图4的组件相同，下面将描述像素电路PC的结构之间的差异。
参照图6，像素电路PC包括薄膜晶体管210和存储电容器220。像素电路层110可以包括顺序地在基底100上的缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105、层间绝缘层107和无机保护层(未示出)。
缓冲层101在基底100上，以防止杂质的渗透。栅极绝缘层103在薄膜晶体管210的半导体层211与栅电极213之间。介电绝缘层105在存储电容器220的下电极221与上电极223之间，层间绝缘层107在薄膜晶体管210的栅电极213与源电极215s和漏电极215d之间。
缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105、层间绝缘层107和无机保护层全部包括绝缘无机材料。例如，缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105、层间绝缘层107和无机保护层均可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。
在图6中，薄膜晶体管210和存储电容器220彼此叠置，因此，薄膜晶体管210的栅电极213用作存储电容器220的下电极221，但是一个或更多个实施例不限于此。
图7和图8是根据另一实施例的显示装置中的一个像素的平面图，并且示出了图3的修改示例。
在上面的图3中，由开口OP限定的发射区域EA具有四边形形状，而图7和图8示出了其中由开口OP限定的发射区域EA具有八边形形状和六边形形状的情况作为修改示例。除了开口OP的形状之外，图7和图8中示出的实施例与图3的实施例相同，下面将描述不同之处。
参照图7，像素P'的由开口OP限定的发射区域EA可以具有八边形形状。发射区域EA基于在第一方向上的第一轴CAX1且基于与第一轴CAX1交叉的第二轴CAX2对称。第一光提取图案310和第二光提取图案320的形状类似于开口OP的形状。与图3中类似，第一光提取图案310在发射区域EA中，第二光提取图案320在非发射区域NEA中。
参照图8，像素P”的由开口OP限定的发射区域EA可以具有六边形形状。发射区域EA基于在第一方向上的第一轴CAX1且基于与第一轴CAX1交叉的第二轴CAX2对称。与图7的第一方向和第二方向相比，图8中的第一方向和第二方向可以是对角线。也就是说，像素P”的布置可以以Pentile类型以及条纹类型设置，在这种情况下，可以使用如图8中的像素P”的形状。同样地，第一光提取图案310和第二光提取图案320的形状类似于开口OP的形状。第一光提取图案310在发射区域EA中，第二光提取图案320在非发射区域NEA中。
图9和图10是根据另一实施例的一个像素的剖视图，并且示出了图4中示出的实施例的修改示例。
图9和图10的实施例与图4的实施例的不同之处在于光提取器300的结构。其它组件与图4的组件相同，下面将描述光提取器300的结构之间的差异。
参照图9，第一光提取图案310的第一高度h1和第二光提取图案320的第二高度h2可以彼此相等。在图4的实施例中，第一光提取图案310的第一高度h1比第二光提取图案320的第二高度h2小，除了与发射区域EA的光学效率有关之外，这还与制造工艺的问题有关。也就是说，因为第一光提取图案310的侧表面角度被设计为几乎约90°，所以可能难以使第一光提取图案310具有比具有相对小的侧表面角度的第二光提取图案320的高度大的高度。此外，为了改善发射区域EA，在增加第一光提取图案310的宽度方面存在限制，因此，在图4的实施例中，光提取器300被设计为使得第一光提取图案310的高度减小。
因此，当工艺条件允许时，如图9中示出的，第一光提取图案310的第一高度h1可以等于第二光提取图案320的第二高度h2。
参照图10，第一光提取图案310和第二光提取图案320可以在非发射区域NEA中。在这种情况下，位于内侧的第一光提取图案310的第一高度h1可以比位于外侧的第二光提取图案320的第二高度h2小。这样，在朝向非发射区域NEA行进的光中，未被第一光提取图案310反射的光可以被第二光提取图案320反射，因此，可以改善有机发光二极管OLED的正面光发射效率。
图11是根据另一实施例的显示装置中的像素的剖视图，并且示出了图4中示出的实施例的修改示例。
图11的实施例与图4的实施例的不同之处在于封装层260的上结构。其他组件与图4的组件相同，下面将描述封装层260的上结构之间的差异。
参照图11，根据实施例的显示装置包括光提取器300、触摸传感器层400和覆盖层500。光提取器300可以在触摸传感器层400与覆盖层500之间。
触摸传感器层400电感测或物理感测来自用户的触摸输入，并将触摸输入作为电信号传输到显示单元。在实施例中，触摸传感器层400可以直接在封装层260上。也就是说，触摸传感器层400的感测图案和绝缘层等可以直接在封装层260上。在另一实施例中，触摸传感器层400可以以触摸面板的形式层叠在封装层260上。这里，触摸传感器层400可以经由粘合层(未示出)在封装层260上。
光提取器300可以在触摸传感器层400上。与覆盖窗对应的覆盖层500可以在光提取器300上。
已经描述了显示装置，但是公开的一个或更多个实施例不限于此。例如，制造显示装置的方法也可以包括在公开的范围内。
虽然已经参照公开的示例性实施例具体地示出并描述了公开，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。因此，公开的寻求保护的范围应由所附权利要求限定。

Claims (27)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
像素电极，在基底上；
绝缘层，经由开口限定发射区域，所述绝缘层覆盖所述像素电极的边缘并且经由所述开口暴露所述像素电极的中心部分；
第一光提取图案，在所述像素电极上，所述第一光提取图案具有以第一角度倾斜的侧表面；以及
第二光提取图案，在所述第一光提取图案的外部上围绕所述第一光提取图案，所述第二光提取图案具有以第二角度倾斜的侧表面，所述第二角度比所述第一角度小。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述第一光提取图案和所述第二光提取图案的平坦化层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案和所述第二光提取图案具有第一折射率，并且所述平坦化层具有比所述第一折射率大的第二折射率。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案、所述第二光提取图案和所述平坦化层包括透光有机材料。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述平坦化层包括包含无机材料的微粒。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二光提取图案具有第二高度，并且所述第一光提取图案具有比所述第二高度小的第一高度。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案具有第一高度，并且所述第二光提取图案具有等于所述第一高度的第二高度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案在所述开口上，以与所述发射区域对应。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二光提取图案在所述绝缘层上，以与所述发射区域的外部对应。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案和所述第二光提取图案在平面图中均具有闭环形状。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述开口在平面图中具有多边形形状、椭圆形形状或圆形形状。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案和所述第二光提取图案在平面图中具有与所述开口的形状类似的形状。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述开口中的中心点在平面图中与所述第一光提取图案和所述第二光提取图案的中心点匹配。
14.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
中间层，在通过所述开口暴露的所述像素电极上，所述中间层包括有机发光材料；以及
对电极，面对所述像素电极，且中间层在所述对电极与所述像素电极之间，
其中，所述第一光提取图案与所述中间层叠置。
15.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：
触摸传感器层，在所述对电极上；以及
覆盖层，在所述触摸传感器层上，
其中，所述第一光提取图案和所述第二光提取图案在所述触摸传感器层与所述覆盖层之间。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述覆盖层在所述平坦化层上。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
有机发光器件，在所述基底上，所述有机发光器件包括像素电极、面对所述像素电极的对电极和在所述像素电极与所述对电极之间的中间层；
绝缘层，经由开口限定发射区域，所述绝缘层覆盖所述像素电极的边缘并且经由所述开口暴露所述像素电极的中心部分；
第一光提取图案，在所述绝缘层上，所述第一光提取图案具有第一高度；以及
第二光提取图案，围绕所述第一光提取图案并且与所述第一光提取图案分开一定间隙，所述第二光提取图案具有比所述第一高度大的第二高度。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第二光提取图案与所述绝缘层对应。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案具有相对于所述第一光提取图案的下表面拥有第一角度的侧表面，并且所述第二光提取图案具有相对于所述第二光提取图案的下表面拥有第二角度的侧表面，所述第二角度比所述第一角度小。
20.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案具有第一宽度，并且所述第二光提取图案具有比所述第一宽度大的第二宽度。
21.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案和所述第二光提取图案包括相同的材料。
22.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括在所述第一光提取图案上的平坦化层，所述第一光提取图案具有第一折射率，并且所述平坦化层具有比所述第一折射率大的第二折射率。
23.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述第一光提取图案上的平坦化层，所述平坦化层覆盖所述第一光提取图案。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案和所述平坦化层包括透光有机材料。
25.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述第一光提取图案在平面图中具有闭环形状。
26.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述开口在平面图中具有多边形形状、椭圆形形状或圆形形状，并且所述第一光提取图案具有与所述开口的形状类似的形状。
27.根据权利要求17所述的显示装置，其中，在平面图中，所述开口的图形中的中心与所述第一光提取图案的图形中的中心匹配。
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