JP6389044B2 - 表示装置、表示装置の製造方法、及び、表示装置の設計方法 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置、表示装置の製造方法、及び、表示装置の設計方法に関し、より具体的には、発光素子を備えた表示装置、係る表示装置の製造方法、及び、係る表示装置の設計方法に関する。

近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、有機ＥＬ素子と略称する）を発光素子として用いた照明装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と略称する）が普及しつつある。そして、有機ＥＬ表示装置にあっては、効率良く光を取り出す技術の開発が強く求められている。光取出し効率が低いと、有機ＥＬ素子における実際の発光量を有効に活用していないことになり、消費電力等の点で大きな損失を生じる要因となるからである。

光取出し効率の向上を図るために、リフレクタ（反射構造）を有する有機ＥＬ表示装置が、例えば、特開２０１３−１９１５３３号公報に開示されている。この特許公開公報に開示された表示装置にあっては、発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、第１部材と第１部材との間を充填する第２部材から成る光反射層が備えられており、第１部材の屈折率をｎ₁、第２部材の屈折率をｎ₂としたとき、１．１≦ｎ₁≦１．８、ｎ₁−ｎ₂≧０．２０を満足し、第１部材と対向する第２部材の表面において、第１部材を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される。ここで、第１部材と対向する第２部材の対向面の形状は、例えば、切頭部が発光素子に対向した切頭円錐形であり、対向面は傾斜角θにて傾斜している。

特開２０１３−１９１５３３号公報

ところで、表示装置の製造にあっては、第１部材と対向する第２部材の対向面の傾斜角θにばらつきが生じ易いし、対向面を構成する切頭円錐形の高さと切頭部の直径の比（アスペクト比）にもばらつきが生じ易い。そして、これらがばらつくと、表示装置の法線方向の輝度（正面輝度）にばらつきが生じ、表示装置の画像表示品質の低下に繋がる。上述した特許公開公報には、表示装置の法線方向の輝度（正面輝度）にばらつきが生じ難い構造に関して、具体的な言及はなされていない。

従って、本開示の目的は、表示装置の法線方向の輝度（正面輝度）にばらつきが生じ難い構成、構造を有する表示装置、係る表示装置の製造方法、及び、係る表示装置の設計方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る表示装置は、
（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板は、更に、
各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
から成る光反射層を備えており、
第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射される。

そして、本開示の第１の態様に係る表示装置にあっては、第２部材の対向面の傾斜角をθ（単位：度）、第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）としたとき、
７５．２−５４（ｎ₁−ｎ₂）≦θ≦８１．０−２０（ｎ₁−ｎ₂） （１）
好ましくは、
７６．３−４６（ｎ₁−ｎ₂）≦θ≦７７．０−２０（ｎ₁−ｎ₂） （２）
を満足する。

また、本開示の第２の態様に係る表示装置にあっては、第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）としたとき、屈折率ｎ₁の値、屈折率ｎ₂の値、及び、第２部材の対向面の傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、第２部材の対向面の傾斜角θが決定される。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置の製造方法あるいは本開示の表示装置の設計方法は、
（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板は、更に、
各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
から成る光反射層を備えており、
第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射される表示装置の製造方法あるいは表示装置の設計方法である。

そして、本開示の表示装置の製造方法にあっては、
第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）とし、切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨ、Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂ としたとき、Δｎをパラメータとして、第２部材の対向面の傾斜角θと、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝と、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値との関係を求め、
所望の｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝の値、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求め、
求められた傾斜角θを有する光反射層を製造する。

また、本開示の表示装置の設計方法にあっては、
第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）とし、切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨ、Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂ としたとき、Δｎをパラメータとして、第２部材の対向面の傾斜角θと、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝と、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値との関係を求め、
所望の｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝の値、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求める。

本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る表示装置、本開示の表示装置の製造方法あるいは本開示の表示装置の設計方法によって得られる表示装置にあっては、第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射されるので、第１部材と第２部材との間に光反射部材等を設けなくとも、発光素子からの外部への光取出し効率の向上を図ることができる。そして、本開示の第１の態様に係る表示装置にあっては、屈折率ｎ₁と屈折率ｎ₂の値の差と、第２部材の対向面の傾斜角θとの関係が規定されているので、表示装置の法線方向の輝度（正面輝度）にばらつきが生じ難い。また、本開示の第２の態様に係る表示装置、本開示の表示装置の製造方法、本開示の表示装置の設計方法にあっては、屈折率ｎ₁，ｎ₂の値、及び、第２部材の対向面の傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、第２部材の対向面の傾斜角θが決定されるので、表示装置の法線方向の輝度（正面輝度）にばらつきが生じ難い。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１は、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図である。 図２は、実施例１の表示装置を構成する発光素子における有機層等の模式図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ、実施例１〜実施例６の表示装置における副画素の配列を表す模式図である。 図４は、実施例２の表示装置の模式的な一部断面図である。 図５は、実施例２の表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。 図６は、実施例２の表示装置の別の変形例の模式的な一部断面図である。 図７は、実施例２の表示装置の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。 図８は、実施例３の表示装置の模式的な一部断面図である。 図９は、実施例４の表示装置の模式的な一部断面図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂは、実施例５の表示装置の模式的な一部断面図である。 図１１Ａ及び図１１Ｂは、実施例５の表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。 図１２Ａ及び図１２Ｂは、実施例５の表示装置の別の変形例の模式的な一部断面図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、実施例５の表示装置の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。 図１４は、実施例６の表示装置の模式的な一部断面図である。 図１５Ａ、図１５Ｂ及び図１５Ｃは、実施例１の表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図１６Ａ及び図１６Ｂは、図１５Ｃに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図１７は、図１６Ｂに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃ及び図１８Ｄは、実施例１の表示装置の別の製造方法の概要を説明するためのガラス基板等の模式的な一部端面図である。 図１９Ａ及び図１９Ｂは、それぞれ、実施例１及び比較例１の表示装置において、アスペクト比の逆数、傾斜角θをパラメータとして、Δｎ（＝ｎ₁−ｎ₂）＝０．２０としたときの、視野角０度における相対輝度値をシミュレーションによって求めた結果を示すグラフである。 図２０Ａ及び図２０Ｂは、それぞれ、実施例１及び比較例１の表示装置において、傾斜角θのばらつき、アスペクト比の逆数のばらつきを設定したときの相対輝度値の変化をシミュレーションによって求めた結果を示すグラフである。 図２１Ａ及び図２１Ｂは、それぞれ、実施例１の表示装置において、アスペクト比の逆数、傾斜角θをパラメータとして、Δｎ（＝ｎ₁−ｎ₂）＝０．２５、Δｎ＝０．１５としたときの、視野角０度における相対輝度値をシミュレーションによって求めた結果を示すグラフである。 図２２は、実施例１の表示装置において、アスペクト比の逆数、傾斜角θをパラメータとして、Δｎ（＝ｎ₁−ｎ₂）＝０．１０としたときの、視野角０度における相対輝度値をシミュレーションによって求めた結果を示すグラフである。 図２３Ａ及び図２３Ｂは、それぞれ、傾斜角θとΔｎ（＝ｎ₁−ｎ₂）との関係を示すグラフ、及び、視野角０度の相対輝度値が１．２５以上、視野角０度の相対輝度値のばらつきが０．３０以内、半値視野角が４５度以上となる領域を塗りつぶした図である。 図２４Ａ及び図２４Ｂは、それぞれ、実施例１の表示装置において、アスペクト比の逆数、傾斜角θをパラメータとしたときの、視野角０度における相対輝度値の概念図、及び、第２部材の対向面の傾斜角θ等を説明するための光反射層の模式的な一部断面図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様及び第２の態様に係る本開示の表示装置、本開示の表示装置の製造方法、本開示の表示装置の設計方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様及び第２の態様に係る表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の更に別の変形）
６．実施例５（実施例１の更に別の変形）
７．実施例６（実施例１の更に別の変形）、その他

［本開示の第１の態様及び第２の態様に係る本開示の表示装置、本開示の表示装置の製造方法、本開示の表示装置の設計方法、全般に関する説明］
本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る表示装置、本開示の表示装置の製造方法によって得られる表示装置、あるいは又、本開示の表示装置の設計方法によって得られる表示装置（以下、これらの表示装置を総称して、『本開示の表示装置等』と呼ぶ）において、表示装置を構成する発光素子における傾斜角θのばらつき許容範囲は最大４度である（最大４度に設定する）構成とすることが望ましい。尚、「傾斜角θのばらつき」とは、表示装置において、任意の発光素子を１００個選び、傾斜角θを測定し、傾斜角θの平均値、標準偏差σを求めたときの、標準偏差σの値を指す。

上記の好ましい構成を含む本開示の表示装置等にあっては、表示装置を構成する発光素子において、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値の変動許容範囲（相対輝度値の最大値及び最小値の差）は最大０．５である構成とすることが望ましい。尚、本開示の第２の態様に係る表示装置にあっては、屈折率ｎ₁の値、屈折率ｎ₂の値、及び、第２部材の対向面の傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、更には、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように、第２部材の対向面の傾斜角θが決定される構成とすることができる。ここで、「視野角０度における相対輝度値」とは、表示装置の法線方向の輝度（正面輝度）の相対値であり、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における輝度値をＢｎ₁、第１基板が第１部材のみで覆われていると仮定し、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における輝度値をＢｎ₀としたとき、Ｂｎ₁／Ｂｎ₀で表される。尚、「視野角０度における相対輝度値のばらつき」を求める場合、表示装置において、任意の輝度測定箇所を１００箇所選び、視野角０度における輝度値を測定し、輝度値の平均値、標準偏差σを求めたときの、標準偏差σの値を求めればよい。

以上に説明した好ましい構成を含む本開示の表示装置等において、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値は、１．５以上、３．０以下である構成とすることが望ましい。

更には、以上に説明した好ましい構成を含む本開示の表示装置等において、切頭錐形の切頭部（発光素子と対向する面）の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨとしたとき、表示装置を構成する発光素子における｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝のばらつき許容範囲は最大０．２である（最大０．２に設定する）構成とすることが望ましい。尚、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝はアスペクト比の逆数に相当する。本開示の表示装置の製造方法あるいは本開示の表示装置の設計方法にあっては、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝のばらつき許容範囲、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求めてもよい。「｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝のばらつき」とは、表示装置において、任意の発光素子を１００個選び、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝を測定し、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝の平均値、標準偏差σを求めたときの、標準偏差σの値を指す。

更には、以上に説明した好ましい構成を含む本開示の表示装置等において、
０．１≦ｎ₁−ｎ₂≦０．４
を満足する構成とすることが好ましい。

更には、以上に説明した好ましい構成を含む本開示の表示装置等において、切頭錐形の切頭部（発光素子と対向する面）の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨとしたとき、
０．８≦（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ≦１．６
を満足する構成とすることが好ましい。

更には、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置等において、発光素子から出射し、切頭錐形の軸線と平行に第１部材から出射される光は、第２部材の対向面に衝突したとき、対向面で全反射される形態とすることができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本開示の表示装置等において、発光素子と第１部材とは接している形態とすることができる。これによって、発光部から出射された光は、必ず、しかも、直接、第１部材に入射するので、光取出し効率の大幅な低下を招くことが無い。

更には、以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本開示の表示装置等において、各発光素子からの光は第２基板を介して外部に出射される形態とすることができる。このような表示装置を『上面発光型の表示装置』と呼ぶ場合がある。但し、このような構成に限定されるものではなく、各発光素子からの光は第１基板を介して外部に出射される形態とすることもできる。このような表示装置を『下面発光型の表示装置』と呼ぶ場合がある。

以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本開示の表示装置等（以下、これらを総称して、『本開示における表示装置』と呼ぶ場合がある）において、第１部材を構成する材料として、Ｓｉ_1-xＮ_x、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、臭素含有ポリマー、硫黄含有ポリマー、チタン含有ポリマー、ジルコニウム含有ポリマーを挙げることができる。

本開示における表示装置において、第１部材と第２部材との間には、第２電極が延在している形態とすることができ、あるいは、有機層及び第２電極が延在している形態とすることができる。このような場合、第２部材と第２電極との界面において、あるいは又、第２部材と有機層との界面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射されるが、これらの形態も、「第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射される」形態に包含される。

また、本開示における表示装置において、後述する光吸収層を除く第２部材を構成する材料として、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ、ＬｉＦ、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコーン系ポリマー、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウムを挙げることができる。

あるいは又、本開示における表示装置において、第２部材を、有機材料から成る下層、及び、無機材料から成り、下層の少なくとも一部を覆う上層から構成することができる。具体的には、上層が下層の全面を覆っている形態、上層が下層の頂面を覆っている形態を挙げることができる。下層を構成する有機材料として、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコーン系ポリマーを挙げることができるし、上層を構成する無機材料として、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムを挙げることができる。下層は、単層から構成されていてもよいし、複数の層が積層された積層構造から構成されていてもよい。上層も、単層から構成されていてもよいし、複数の層が積層された積層構造から構成されていてもよい。このように、上層を設けることで外光反射を抑制することができるし、上層が下層の全面を覆っている形態とすることで、たとえ下層においてガスが発生したとしても、上層によってガスの拡散は防止され、ガスが発光部に悪影響を与えることを回避することができる。尚、上層を構成する材料の光学濃度（ＯＤ値）として、１．０以上を挙げることができる。

そして、第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、開口部の底面に発光部が設けられている形態とすることができる。具体的には、開口部の底面には、第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が設けられている。場合によっては、有機層及び第２電極は対向面に延在している。あるいは又、第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びている形態とすることができる。そして、このような形態にあっては、
［１］上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上に、発光部が設けられている形態
［２］上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上に、第１補助電極が形成されており、第１補助電極上に発光部が形成されている形態
［３］上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上から対向面に亙り、第１補助電極が形成されており、第１補助電極の一部の上に発光部が形成されている形態
を例示することができる。第１補助電極は、例えば、アルミニウム合金［例えば、Ａｌ−Ｎｄ（Ｎｄ：０．４質量％乃至３質量％）やＡｌ−Ｃｕ等]、あるいは又、インジウム化合物［例えば、インジウム−スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウム・ドープのガリウム−亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウム・ドープのスズ−亜鉛複合酸化物］と、アルミニウム合金（例えばＡｌ−ＮｉやＡｌ−Ｎｉ−Ｂ等）や銀、金合金との積層構造の積層構造から構成することができる。

上層が下層の全面を覆っている形態にあっては、対向面における上層の平均厚さ、及び、上層及び下層のそれぞれを構成する材料の屈折率から、「第２部材を構成する材料の屈折率ｎ₂」を求めればよい。また、上層が下層の頂面を覆っている形態にあっては、対向面には下層が露出しているので、下層を構成する材料の屈折率を、「第２部材を構成する材料の屈折率ｎ₂」とすればよい。以上に説明した上層及び下層から第２部材が構成されているとき、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る表示装置におけるθ，ｎ₁，ｎ₂の規定を除いた表示装置も、発明を構成し得る。

下層及び上層を含む第２部材は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、アトミックレイヤーデポジション（ＡＬＤ）法、ＣＶＤ法、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。

本開示における表示装置において、第２部材には光吸収層が設けられている構成とすることができる。このように、第２部材に光吸収層を設けることで、第２部材に入射した外光は、光吸収層によって吸収され、表示装置から外部に出射され難い。それ故、表示装置のコントラストの向上を図ることができる。第２部材に光吸収層を設ける場合、具体的には、第２部材は、光吸収層と、それ以外の層（便宜上、『第２部材構成層』と呼ぶ）とが積層された構造を有している構成とすることができ、あるいは又、第２部材は光吸収層から構成された構成（即ち、光吸収層は、第２部材の全体を占めている構成）とすることができる。そして、前者の構成にあっては、光吸収層は、第２部材の下部に設けられている構成とすることができ（即ち、第１基板側から、第２部材、第２部材構成層が積層された構造）、あるいは又、光吸収層は、第２部材の中間部に設けられている構成とすることができ（即ち、第１基板側から、第２部材構成層、光吸収層、第２部材構成層が積層された構造）、あるいは又、光吸収層は、第２部材の頂部に設けられている構成（即ち、第１基板側から、第２部材構成層、第２部材が積層された構造）とすることができる。光吸収層を、２層以上、形成してもよい。

光吸収層を構成する材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金から成る薄膜）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、有機樹脂、黒色顔料等を含有するガラスペースト、カーボンブラック等の黒色顔料や黒色染料を含む各種樹脂を挙げることができる。具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。光吸収層を構成する材料の屈折率ｎ₂’と第２部材構成層を構成する材料の屈折率ｎ₂との差は、出来る限り小さいことが好ましい。光吸収層とは、可視光の吸収率が９０％以上、好ましくは９９％以上である層を意味する。

更には、本開示における表示装置は、カラーフィルターを備えている構成とすることができる。表示装置をカラー表示装置とする場合、１つの画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３つの副画素、あるいは、４つ以上の副画素から構成される。このようなカラー表示装置にあっては、赤色発光副画素を赤色光を発光する発光素子から構成し、緑色発光副画素を緑色光を発光する発光素子から構成し、青色発光副画素を青色光を発光する発光素子から構成してもよいし、上記の好ましい構成、形態を含む上面発光型の表示装置において、第２基板はカラーフィルターを備えている構成とし、発光素子は白色光を発光する構成とし、各色発光副画素を、白色光を発光する発光素子とカラーフィルターとの組合せから構成してもよい。第２基板は遮光膜（ブラックマトリクス）を備えている構成としてもよい。同様に、下面発光型の表示装置において、第１基板は、カラーフィルターや遮光膜（ブラックマトリクス）を備えている構成とすることができる。

本開示における表示装置における上面発光型の表示装置にあっては、光反射層の上に（即ち、第１部材及び第２部材の上に）保護膜及び封止材料層が更に備えられている形態とすることができる。尚、第１部材と保護膜を同時に形成し、第１部材と保護膜とが一体となった構造としてもよい。保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₃、封止材料層を構成する材料の屈折率をｎ₄としたとき、
｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．３
好ましくは、
｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．２
を満足する形態とすることができ、これによって、保護膜と封止材料層との界面で光が反射又は散乱されることを効果的に防止することができる。

保護膜を構成する材料として、発光層で発光した光に対して透明であり、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ_1-yＯ_y）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α−ＳｉＯＮ）、Ａｌ₂Ｏ₃を挙げることができる。また、封止材料層を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。

本開示における表示装置において、１つの発光素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、又は、レクタングル配列を挙げることができる。また、複数の発光素子が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列を挙げることができる。１つの画素（あるいは副画素）を構成する発光素子の数として、１乃至１０００を例示することができる。１つの発光素子に対して複数の対向面が設けられている形態とすることができるし、１つの発光素子に対して１つの対向面が設けられている形態とすることもできる。

本開示における表示装置において、第１部材は回転体の一部（切頭回転体）から構成されており、あるいは又、対向面は回転体の表面の一部（切頭回転体）から構成されており、回転体の回転軸である対向面の軸線（第１部材における切頭錐形の軸線）をｚ軸としたとき、ｚ軸を含む仮想平面で第１部材あるいは対向面を切断したときの第１部材あるいは対向面の断面形状は、台形、あるいは、放物線の一部から構成されていることが好ましいが、それ以外から構成されていてもよく、回転体として、例えば、球面、回転楕円面、回転放物面とすることもできるし、３次以上の多項式、二葉線、三葉線、四葉線、連珠形、蝸牛線、正葉線、螺獅線、疾走線、公算曲線、引弧線、懸垂線、擺線、餘擺線、星芒形、半３次放物線、リサジュー曲線、アーネシー曲線、外サイクロイド、心臓形、内サイクロイド、クロソイド曲線、螺線に例示される曲線の一部を回転させて得られる曲面とすることもできる。また、場合によっては、１本の線分、あるいは、複数の線分の組合せ、線分と曲線の組合せを回転させて得られる面とすることもできる。あるいは又、第１部材あるいは対向面は、切頭角錐（例えば、切頭三角錐、切頭四角錐、切頭六角錐、切頭八角錐等）から構成することができる。更には、第１部材あるいは対向面をｘｙ平面で切断したときの第１部材あるいは対向面の外形線として、任意の閉曲線を挙げることができる。

本開示における表示装置において、第２部材の対向面の傾斜角θとは、云い換えれば、切頭錐形の軸線（ｚ軸、図２４Ｂ参照）を含む仮想平面で第２部材の対向面を切断したときの第２部材の対向面の断面と、切頭錐形の軸線（ｚ軸）と成す角度θ’の余角（単位：度）を意味する（図２４Ｂ）。第２部材の対向面の断面の傾斜角θは、対向面の断面が曲線を描く場合、対向面の下端部と上端部とを結ぶ直線と、切頭錐形の軸線（ｚ軸）との成す角度θ’の余角である。尚、図２４Ｂにおいては、図面の右手側に、対向面の断面が直線を描く場合を図示し、図面の左手側に、対向面の断面が曲線を描く場合を図示している。ｚ軸を含む仮想平面で第１部材あるいは対向面を切断したときの第１部材あるいは対向面の断面形状が複数、存在する場合（例えば、切頭角錐等の場合）、最も大きな値の傾斜角を傾斜角θとする。

隣接する発光素子において、第２部材の頂面の最短距離（便宜上、『構造間距離』と呼ぶ）として、０μｍを挙げることができるし、あるいは又、２μｍ、４μｍを挙げることができるが、これらに限定されるものではなく、表示装置に要求される仕様に依存する。

上面発光型の表示装置における第１電極、あるいは又、下面発光型の表示装置における第２電極（これらの電極を、便宜上、『光反射電極』と呼ぶ場合がある）を構成する材料（光反射材料）として、光反射電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。光反射電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、光反射電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。

一方、上面発光型の表示装置における第２電極、あるいは又、下面発光型の表示装置における第１電極（これらの電極を、便宜上、『半光透過電極』と呼ぶ場合がある）を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、半光透過電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）］、マグネシウム−カルシウムとの合金（Ｍｇ−Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ−Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１を例示することができる。半光透過電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、半光透過電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０^-8ｍ乃至１×１０^-6ｍ）との積層構造とすることもできる。積層構造とした場合、上述した材料層の厚さを１ｎｍ乃至４ｎｍと薄くすることもできる。また、透明電極のみで構成することも可能である。あるいは又、半光透過電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、半光透過電極全体として低抵抗化を図ってもよい。一方、半光透過電極をアノード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。

光反射電極の平均光反射率は５０％以上、好ましくは８０％以上であり、半光透過電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。

第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第１電極や第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、有機層の形成からこれらの電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。場合によっては、第１電極あるいは第２電極のいずれか一方は、パターニングしなくともよい。

本開示における表示装置にあっては、複数の発光素子は第１基板上に形成されている。ここで、第１基板として、あるいは又、第２基板として、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）基板、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）基板、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）を挙げることができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、上面発光型の表示装置にあっては、第２基板は、発光素子が出射する光に対して透明であることが要求され、下面発光型の表示装置にあっては、第１基板は、発光素子が出射する光に対して透明であることが要求される。

本開示における表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置と略称する）を挙げることができ、有機ＥＬ表示装置をカラー表示の有機ＥＬ表示装置としたとき、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子のそれぞれによって、上述したとおり、副画素が構成される。ここで、１画素は、上述したとおり、例えば、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、この場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、本開示における表示装置として、その他、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む照明装置を挙げることができる。

有機層は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等を「タンデムユニット」とする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよく、これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。

上面発光型の表示装置において、第１電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられている。そして、この層間絶縁層は、第１基板上に形成された発光素子駆動部を覆っている。発光素子駆動部は、１又は複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されており、ＴＦＴと第１電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド系樹脂やノボラック系樹脂、アクリル系樹脂、ポリベンゾオキサゾール等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。発光素子からの光が層間絶縁層を通過するような構成、構造の下面発光型の表示装置にあっては、層間絶縁層は、発光素子からの光に対して透明な材料から構成する必要があるし、発光素子駆動部は発光素子からの光を遮らないように形成する必要がある。また、下面発光型の表示装置にあっては、第２電極の上方に発光素子駆動部を設けることも可能である。

有機層の上方には、有機層への水分の到達防止を目的として、上述したとおり、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けることが好ましい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスが最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、既に形成されている電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、表示装置が上面発光型である場合、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、上述した材料を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。尚、保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。

本開示における表示装置は、例えば、
第１基板上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上に第１電極を形成した後、
第１電極及び層間絶縁層上に第２部材形成層（場合によっては、光吸収層を含む）を形成し、次いで、第１電極上の第２部材形成層を選択的に除去することで、開口部の斜面（対向面に該当する）が傾斜した第２部材を得た後、あるいは又、第１電極及び層間絶縁層上に第２部材の下層を構成する下層形成層を形成し、第１電極上の下層形成層を選択的に除去して、斜面が傾斜した開口部を有する下層を形成した後、下層上に第２部材の上層を構成する上層形成層を形成し、上層形成層を選択的に除去することで、開口部の斜面（対向面に該当する）が傾斜した第２部材を得た後、
開口部の底部に露出した第１電極上から開口部の斜面（対向面）に亙り、有機層及び第２電極を形成し、次いで、第２電極上に第１部材を形成する、
各工程に基づき製造することができる。あるいは又、
第１部材と相補的な形状を有するスタンパを準備し、
支持基板上に樹脂材料を塗布した後、
スタンパを用いて樹脂材料を賦形した後、スタンパを取り除き、凸部を有する樹脂材料層を得た後、
樹脂材料層の凸部の頂部を平坦化し、次いで、樹脂材料層の凸部と凸部との間を接着剤層で埋め込み、あるいは又、樹脂材料層の凸部と凸部との間を、無機材料から成る上層及び有機材料（具体的には、接着剤）から成る下層で埋め込み、その後、
支持基板から樹脂材料層を剥がし、接着剤層を第１基板に接着し、以て、接着剤層（あるいは、上層及び下層）から成る第２部材（場合によっては、光吸収層を含む）、及び、樹脂材料層からる第１部材を得る、
各工程に基づき製造することができる。このように、スタンパを用いて接着剤層から成る第２部材（場合によっては、光吸収層を含む）及び樹脂材料層から成る第１部材を得ることで、簡素な製造方法にて、発光素子からの外部への光取出し効率の一層の向上を図ることができる有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

これらの表示装置の製造方法にあっては、第２電極上に、直接、第１部材を形成することができるので、第２電極とリフレクタとの間に接着層が存在することに起因した発光素子から出射された光の取出しロスが無いし、あるいは又、スタンパを用いて接着剤層から成る第２部材及び樹脂材料層から成る第１部材を得ることができるので、簡素な製造方法にて、発光素子からの外部への光取出し効率の一層の向上を図ることができる表示装置を製造することができる。

実施例１は、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る表示装置、具体的には、有機ＥＬ表示装置に関する。また、本開示の表示装置の製造方法、本開示の表示装置の設計方法に関する。実施例１の表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と呼ぶ場合がある）の模式的な一部断面図を図１に示し、有機層等の模式図を図２に示し、副画素の配列を表す模式図を図３Ａに示す。尚、図２においては、図面の簡素化のために、１層の有機層を示しているが、実際には、複数の有機層が積層されており、複数段のタンデム構造を有する。

また、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例５の有機ＥＬ表示装置は、上面発光型である。即ち、各発光素子１０からの光は、上部電極に相当する第２電極２２、第２基板３４を介して外部に出射される。一方、後述する実施例６の有機ＥＬ表示装置は、各発光素子１０からの光は第１基板１１を介して外部に出射される下面発光型である。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例６の有機ＥＬ表示装置は、
（Ａ）第１電極２１、例えば有機発光材料から成る発光層２３Ａを備えた有機層２３から構成された発光部２４、及び、第２電極２２が積層されて成る発光素子１０が、複数、形成された第１基板１１、並びに、
（Ｂ）第１基板１１と対向して配された第２基板３４、
を具備し、
第１基板１１は、更に、
各発光素子１０からの光を伝播して外部に出射する第１部材５１、及び、
第１部材５１と第１部材５１との間を占める第２部材５２、
から成る光反射層５０を備えており、
第１部材５１の形状は、切頭部が発光素子１０に対向した切頭錐形であり、
第１部材５１と対向する第２部材５２の対向面５２’において、第１部材５１を伝播した光の一部が全反射される。尚、第１部材５１の形状は、具体的には、切頭円錐形であり、切頭錐形の斜面は直線状である。即ち、切頭錐形の第１部材５１の軸線（ｚ軸）を含む仮想平面で第１部材５１を切断したときの第１部材５１の断面形状は台形であるし、第２部材５２の対向面５２’を切断したときの対向面５２’の断面形状も台形である。

そして、第２部材５２の対向面５２’の傾斜角をθ（単位：度）、第１部材５１を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材５２を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）としたとき、後に詳述するように、
７５．２−５４（ｎ₁−ｎ₂）≦θ≦８１．０−２０（ｎ₁−ｎ₂） （１）
好ましくは、
７６．３−４６（ｎ₁−ｎ₂）≦θ≦７７．０−２０（ｎ₁−ｎ₂） （２）
を満足する。

あるいは又、後に詳述するように、第１部材５１を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材５２を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）としたとき、屈折率ｎ₁の値、屈折率ｎ₂の値、及び、第２部材５２の対向面５２’の傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、第２部材５２の対向面５２’の傾斜角θが決定される。

ここで、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例６の有機ＥＬ表示装置における各発光素子（有機ＥＬ素子）１０は、より具体的には、
（ａ）第１電極２１、
（ｂ）開口部２５を有し、開口部２５の底部に第１電極２１が露出した第２部材５２、
（ｃ）開口部２５の底部に露出した第１電極２１の部分の上に少なくとも設けられ、例えば有機発光材料から成る発光層２３Ａを備えた有機層２３、及び、
（ｄ）有機層２３上に形成された第２電極２２、
を具備している。有機層２３は、例えば、正孔注入層及び正孔輸送層２３Ｂ、発光層２３Ａ並びに電子輸送層２３Ｃの積層構造から構成されているが、図面では１層で表す場合がある。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例６の有機ＥＬ表示装置は、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（ＨＭＤ）に適用される、高精細表示装置であり、あるいは又、例えば、テレビジョン受像機といった大型の有機ＥＬ表示装置である。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例６の有機ＥＬ表示装置は、発光素子（具体的には、有機ＥＬ素子）１０を、複数、有する。具体的には、画素数は、例えば、２０４８×１２３６であり、１つの発光素子１０は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）１０は画素数の３倍である。そして、アクティブマトリックス型のカラー表示の有機ＥＬ表示装置である。

１つの画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、青色を発光する青色発光副画素の３つの副画素から構成されている。また、第２基板３４はカラーフィルター３３を備えており、発光素子１０は白色光を発光し、各色発光副画素は、白色光を発光する発光素子１０とカラーフィルター３３との組合せから構成されている。カラーフィルター３３は、通過光が赤色となる領域、緑色となる領域、青色となる領域から構成されている。カラーフィルター３３とカラーフィルター３３との間に、遮光膜（ブラックマトリクス）を備えていてもよい。発光素子１０と第１部材５１とは接している。具体的には、第２電極２２と第１部材５１とは、直接、接している。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例６の有機ＥＬ表示装置において、副画素の配列は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、疑似デルタ配列であり、点線で囲んだ１画素の大きさは、例えば５μｍ×５μｍである。尚、図３Ａ及び図３Ｂには、４つの画素を示す。図３Ａあるいは図３Ｂにおいて、赤色発光副画素を「Ｒ」で示し、緑色発光副画素を「Ｇ」で示し、青色発光副画素を「Ｂ」で示す。図３Ａに示した例では、構造間距離は０μｍであり、図３Ｂに示した例では、構造間距離は０μｍを超える値である。但し、副画素の配列は、これらに限定するものではない。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例６において、各発光素子は、３つのタンデムユニットが積層された３段のタンデム構造を有しており、各タンデムユニットにおける有機層２３は、具体的には、以下に例示する赤色発光有機層、緑色発光有機層及び青色発光有機層から構成されている。但し、これらに限定するものではない。尚、有機層全体の平均屈折率は、（実数部，虚数部）＝（１．８５，０）である。

具体的には、赤色発光有機層は、第１電極側から、
［正孔注入層］（厚さ１０ｎｍ） ：ＬＧケミカル社製 ＬＧＨＩＬ
［正孔輸送層］（厚さ２６ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＨＴ３２０
［発光層］ （厚さ５０ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＲＨ００１ 及び
東レ株式会社製 Ｄ１２５（０．５％ドープ）
［電子輸送層］（厚さ２２０ｎｍ）：出光興産株式会社製 ＥＴ０８５
から構成されている。

また、緑色発光有機層は、第１電極側から、
［正孔注入層］（厚さ１０ｎｍ） ：ＬＧケミカル社製 ＬＧＨＩＬ
［正孔輸送層］（厚さ３５ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＨＴ３２０
［発光層］ （厚さ３０ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＢＨ２３２ 及び
ＧＤ２０６（１０％ドープ）
［電子輸送層］（厚さ１７５ｎｍ）：出光興産株式会社製 ＥＴＳ０８５
から構成されている。

更には、青色発光有機層は、第１電極側から、
［正孔注入層］（厚さ１０ｎｍ） ：ＬＧケミカル社製 ＬＧＨＩＬ
［正孔輸送層］（厚さ２４ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＨＴ３２０
［発光層］ （厚さ３０ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＢＨ２３２ 及び
ＢＤ２１８（１０％ドープ）
［電子輸送層］（厚さ１４１ｎｍ）：出光興産株式会社製 ＥＴ０８５
から構成されている。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例５においては、第１電極２１をアノード電極として用い、第２電極２２をカソード電極として用いる。第１電極２１は、光反射材料、具体的には、Ａｌ−Ｎｄ合金から成り、第２電極２２は、半光透過材料、具体的には、マグネシウム（Ｍｇ）を含む導電材料、より具体的には、厚さ１０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金から成る。第１電極２１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、第２電極２２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングはされていない。第１電極２１の光反射率及び第２電極２２の屈折率、光透過率の測定結果は以下の表１のとおりである。

［表１］
第１電極２１の屈折率
実数部：０．７５５
虚数部：５．４６６
第２電極２２の屈折率
実数部：０．６１７
虚数部：３．９０４
第１電極２１の光反射率：８５
第２電極２２の光透過率：５７％

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例５において、有機ＥＬ素子を構成する第１電極２１は、ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯＮから成る層間絶縁層１６（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）上に設けられている。そして、この層間絶縁層１６は、第１基板１１上に形成された有機ＥＬ素子駆動部を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、複数のＴＦＴから構成されており、ＴＦＴと第１電極２１とは、層間絶縁層（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）に設けられたコンタクトプラグ１８、配線１７、コンタクトプラグ１７Ａを介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの有機ＥＬ素子駆動部につき、１つのＴＦＴを図示した。ＴＦＴは、第１基板１１上に形成されたゲート電極１２、第１基板１１及びゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜１３上に形成された半導体層に設けられたソース／ドレイン領域１４、並びに、ソース／ドレイン領域１４の間であって、ゲート電極１２の上方に位置する半導体層の部分が相当するチャネル形成領域１５から構成されている。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極１２は、走査回路（図示せず）に接続されている。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例５において、第１基板１１はシリコン基板から構成されており、第２基板は、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されている。一方、後述する実施例６において、第１基板１１及び第２基板は、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されている。

そして、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例５の有機ＥＬ表示装置にあっては、前述したとおり、第１部材５１と対向する第２部材５２の対向面５２’において（即ち、第１部材５１と第２部材５２との界面において）、第１部材５１を伝播した光の一部が全反射される。より具体的には、第１部材５１と第２部材５２との間に有機層２３及び第２電極２２が形成されているので、第２部材５２と有機層２３との界面において、第１部材５１を伝播した光の一部が全反射される。このような構造を、便宜上、『アノードリフレクタ構造』と呼ぶ。発光素子１０から出射し、切頭錐形の軸線と平行に第１部材５１から出射される光は、第２部材５２の対向面５２’に衝突したとき、対向面５２’で全反射される。

具体的には、実施例１において、切頭円錐形の第１部材５１は、例えば、窒化シリコン（Ｓｉ_1-xＮ_x）から成り、第２部材５２は、例えば、アクリル系樹脂から成る。第１部材５１を構成する材料の屈折率ｎ₁の値及び第２部材５２を構成する材料の屈折率ｎ₂の値を、以下の表２に示すが、
ｎ₁−ｎ₂≦０．４
を満足している。また、切頭錐形の切頭部の面積Ｓの値を、例えば、２８μｍ²（切頭錐形の切頭部の形状は、直径６μｍの円形）とし、切頭錐形の高さＨの値を、例えば５μｍ、傾斜角θの値を６８度とする。

更には、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例５において、第１部材５１及び第２部材５２（光反射層５０）の上には、保護膜３１及び封止材料層３２が更に備えられている。Ｓｉ_1-yＮ_yから成る保護膜３１の屈折率ｎ₃、エポキシ系樹脂から成る封止材料層３２の屈折率ｎ₄を以下の表２に示すが、
｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．３
を満足している。保護膜３１は、有機層２３への水分の到達防止を目的として、プラズマＣＶＤ法に基づき形成されている。尚、第１部材５１と保護膜３１を同時に形成し、第１部材５１と保護膜３１とが一体となった構造としてもよい。また、図１においては、第１部材５１の頂面と、第２部材５２上の第２電極２２の頂面とを同一レベルで示しているが、第１部材５１は第２部材５２の頂面上の第２電極２２を覆っていてもよい。即ち、第１部材５１は全面を覆っていてもよい。

［表２］
実数部 虚数部
第１部材５１を構成する材料の屈折率ｎ₁ ：１．８１ ０．００
第２部材５２を構成する材料の屈折率ｎ₂ ：１．５４ ０．００
Ｓｉ_1-yＮ_yから成る保護膜３１の屈折率ｎ₃ ：１．８１ ０．００
エポキシ系樹脂から成る封止材料層３２の屈折率ｎ₄：１．７１ ０．００

実施例１において、Δｎ（＝ｎ₁−ｎ₂）＝０．２０をパラメータとして、傾斜角θ、アスペクト比の逆数ＡＳ^-1｛＝（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝、及び、発光素子１０から第１部材５１を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値の関係をシミュレーションによって求めた。尚、ｎ₁＝１．８０、ｎ₂＝１．６０とした。図１９Ａにその結果を示すが、図１９Ａあるいは後述する図１９Ｂ、図２０Ａ、図２０Ｂ、図２１Ａ、図２１Ｂ、図２２、図２３Ｂの横軸（Ｘ軸）はアスペクト比の逆数ＡＳ^-1であり、縦軸（Ｙ軸）は傾斜角θである。また、図１９Ａ、図１９Ｂ、図２０Ａ、図２０Ｂ、図２１Ａ、図２１Ｂ、図２２、図２３Ｂにおける等高線は、視野角０度における相対輝度値（以下、単に、『相対輝度値』と呼ぶ）を示し、「×１．５」、「×２．０」、「×２．５」等は、Ｂｎ₁／Ｂｎ₀の値である。尚、発光部から出射される光をランバート光と想定した。

また、第１部材５１と第２部材５２の界面に、アルミニウムから成る金属反射層を形成し、第１部材５１を伝播し、第１部材５１と第２部材５２の界面に向かう光が、全て金属反射層によって反射される表示装置を想定し、比較例１として、相対輝度値をシミュレーションによって求めた。図１９Ｂにその結果を示す。

実施例１にあっては、図１９Ａに示すように、傾斜角θの値が７３度以上では、相対輝度値は、アスペクト比の逆数ＡＳ^-1が大きくなるに従い、且つ、傾斜角θの値が小さくなるに従い、単調に減少する。また、傾斜角θの値が６７度以上、７３度未満では、相対輝度値は、アスペクト比の逆数ＡＳ^-1が大きくなるに従い、減少する。更には、傾斜角θの値が６７度未満では、相対輝度値は、アスペクト比の逆数ＡＳ^-1が小さくなるに従い、且つ、傾斜角θの値が小さくなるに従い、増加する。

即ち、実施例１において、相対輝度値の等高線は凸形状であり、この凸形状は、Ｘ軸方向（アスペクト比の逆数ＡＳ^-1を規定する方向）に延び、しかも、凸形状の底部は、Ｘ軸方向を向いた形状を有する。即ち、Ｘ軸方向に突出した凸形状を示す。

一方、比較例１にあっては、図１９Ｂに示すように、傾斜角θの値に拘わらず、相対輝度値は、アスペクト比の逆数ＡＳ^-1が大きくなるに従い、単調に減少する。

実施例１にあっては、対向面５２’に衝突した光の一部が全反射されることで相対輝度値の増加が図られる一方、対向面５２’に衝突した光の残部は第２部材５２に侵入することで相対輝度値の極端な増加を抑制する。そして、これらによって、相対輝度値の等高線は、前述したとおり、アスペクト比の逆数ＡＳ^-1をＸ軸、対向面の傾斜角θをＹ軸とした座標系において、Ｘ軸方向に突出した凸形状を示す。

ここで、
アスペクト比の逆数ＡＳ^-1 ：１．４
傾斜角θ ：６９度
傾斜角θのばらつき許容範囲 ：±２度以内
アスペクト比の逆数ＡＳ^-1のばらつき：±０．０５以内
を想定する。すると、凸形状の頂部あるいはその近傍（図１９Ａではこの想定領域を点線の矩形で示す）においては、対向面の傾斜角θが変化しても、相対輝度値の変化は少ない。一方、凸形状のそれ以外の領域（例えば、図１９Ａでは実線の矩形で示す）においては、対向面の傾斜角θの変化に対する相対輝度値の変化が大きい。即ち、対向面の傾斜角θのばらつきが相対輝度値に与える影響が大である。実施例１の表示装置において、アスペクト比の逆数、傾斜角θをパラメータとしたときの、視野角０度における相対輝度値の概念図を図２４Ａに示す。図２４Ａにおける線分「Ａ」で示される領域（傾斜角θのばらつき許容範囲のみを考慮した領域）や、矩形の領域「Ｂ」（傾斜角θのばらつき許容範囲及びアスペクト比の逆数のばらつき許容範囲を考慮した領域）にあっては、相対輝度値の等高線は混み合っておらず、対向面の傾斜角θが変化しても相対輝度値の変化は少ないが、矩形の領域「Ｃ」にあっては、相対輝度値の等高線が混み合っており、対向面の傾斜角θが変化すると相対輝度値は大きく変化する。

一方、比較例１にあっては、傾斜角θの値に拘わらず、相対輝度値は、アスペクト比の逆数ＡＳ^-1が大きくなるに従い、単調に減少するので、対向面の傾斜角θの変化に対する相対輝度値の変化が大きい（図１９Ｂでは、上記の想定領域を点線の矩形で示す）。即ち、対向面の傾斜角θのばらつきが相対輝度値に与える影響が大である。そして、対向面の傾斜角θが変化しても相対輝度値の変化が少ない領域は存在しない。

そして、相対輝度値の変動許容範囲（視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値の差。以下においても同様）を所望の値とすると、比較例１では、相対輝度値のばらつきは相対輝度値の変動許容範囲から逸脱してしまう。尚、相対輝度値のばらつきは、例えば、図１９Ｂにおいて点線で示された矩形の想定領域の左下コーナー部の相対輝度値最大値から、矩形の想定領域の右上コーナー部の相対輝度値最小値を減じたものである。一方、実施例１では、相対輝度値のばらつきは、このような相対輝度値の変動許容範囲内に納まる（相対輝度値のばらつき：±０．０５程度）。

実施例１及び比較例１において、
傾斜角θのばらつき許容範囲 ：±１度以内
アスペクト比の逆数ＡＳ^-1のばらつき：±０．０３以内
を想定したときの、相対輝度値の変化がどの程度になるかを、図２０Ａ及び図２０Ｂに示す。比較例１にあっては、相対輝度値の変化は、傾斜角θの値に拘わらず、アスペクト比の逆数ＡＳ^-1が大きくなるに従い、単調に減少する。一方、実施例１にあっては、傾斜角θが６６度乃至７２度において、相対輝度値の変化は小さい。

以上の解析結果から、傾斜角θのばらつき許容範囲を、最大（Ａ）＝４度に納めることを想定した場合、傾斜角θ（但し、Δｎ＝０．２０）における上限値、最適値、下限値は以下の表３のとおりであることが判った。尚、上限値（Ａ）、下限値（Ａ）は、傾斜角θのばらつき許容範囲を最大（Ａ）に納めることを想定した場合の値である。

Δｎ＝０．２０と場合と同様にして、Δｎ＝０．２５、Δｎ＝０．１５、Δｎ＝０．１０をパラメータとして、アスペクト比の逆数ＡＳ^-1、傾斜角θ及び相対輝度値の関係をシミュレーションによって求めた。その結果を、図２１Ａ、図２１Ｂ、図２２に示す。そして、同様に、傾斜角θのばらつき許容範囲を上記のとおりに納めることを想定した場合、傾斜角θ（但し、Δｎ＝０．２５）、傾斜角θ（但し、Δｎ＝０．１５）、傾斜角θ（但し、Δｎ＝０．１０）の上限値、最適値、下限値は以下の表３のとおりであることが判った。

［表３］
［傾斜角θ（但し、Δｎ＝０．１０）］
上限値（Ａ）：７５度
最適値 ：７３度
下限値（Ａ）：７２度
［傾斜角θ（但し、Δｎ＝０．１５）］
上限値（Ａ）：７４度
最適値 ：７１度
下限値（Ａ）：６９度
［傾斜角θ（但し、Δｎ＝０．２０）］
上限値（Ａ）：７３度
最適値 ：６９度
下限値（Ａ）：６７度
［傾斜角θ（但し、Δｎ＝０．２５）］
上限値（Ａ）：７２度
最適値 ：６７度
下限値（Ａ）：６５度

以上の上限値（Ａ）及び下限値（Ａ）の結果から、以下の式（１）が求まり、上限値（Ｂ）及び下限値（Ｂ）の結果から、以下の式（２）が求まった。即ち、傾斜角θと、Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂）とは、
７５．２−５４（ｎ₁−ｎ₂）≦θ≦８１．０−２０（ｎ₁−ｎ₂） （１）
好ましくは、
７６．３−４６（ｎ₁−ｎ₂）≦θ≦７７．０−２０（ｎ₁−ｎ₂） （２）
を満足する必要があることが判明した。尚、傾斜角θとΔｎ（＝ｎ₁−ｎ₂）との上記の関係をグラフにしたものを図２３Ａに示す。Δｎ（＝ｎ₁−ｎ₂）と傾斜角θとがこれらの関係を満足することで、発光素子１０から第１部材５１を介して出射される光に基づく視野角０度の相対輝度値のばらつきを最大０．５とすることができるし、発光素子１０から第１部材５１を介して出射される光に基づく視野角０度の相対輝度値を１．５以上、３．０以下とすることができる。あるいは又、表示装置を構成する発光素子１０における傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき［具体的には、例えば、ばらつき許容範囲を最大４度とすることで（最大４度に設定することで）］、更には、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように、傾斜角θの値が決定され、係る傾斜角θを有する発光素子を製造することで、発光素子１０から第１部材５１を介して出射される光に基づく視野角０度の相対輝度値のばらつきを最大０．５とすることができるし、発光素子１０から第１部材５１を介して出射される光に基づく視野角０度の相対輝度値を１．５以上、３．０以下とすることができる。ここで、視野角０度の相対輝度値の値を余りに高く設定すると、高視野角（例えば、６０度）の輝度値の値が低下し、視野角特性が劣化してしまうので、視野角０度の相対輝度値の変動許容範囲を設定する際の視野角０度の相対輝度値の設定値は、例えば、１．５乃至３．０とすることが好ましい。尚、これらの場合、表示装置を構成する発光素子１０におけるアスペクト比の逆数ＡＳ^-1［即ち、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝］のばらつき許容範囲を最大０．２とする（最大０．２に設定する）ことが好ましい。また、アスペクト比の逆数｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝は、
０．８≦（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ≦１．６
を満足することが好ましい。

即ち、実施例１の表示装置の設計方法にあっては、
第１部材５１を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材５２を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）とし、切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨ、Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂ としたとき、Δｎをパラメータとして、第２部材５２の対向面の傾斜角θと、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝と、発光素子１０から第１部材５１を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値との関係を求め、
［ａ］所望の｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝の値、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求め、あるいは又、
［ｂ］｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝のばらつき許容範囲、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求める。

また、実施例１の表示装置の製造方法にあっては、
第１部材５１を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材５２を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）とし、切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨ、Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂ としたとき、Δｎをパラメータとして、第２部材５２の対向面の傾斜角θと、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝と、発光素子１０から第１部材５１を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値との関係を求め、
［ａ］所望の｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝の値、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求め、あるいは又、
［ｂ］｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝のばらつき許容範囲、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求め、
求められた傾斜角θを有する光反射層を製造する。

実施例１の表示装置において、Δｎ（＝ｎ₁−ｎ₂）＝０．２０をパラメータとして、アスペクト比の逆数、傾斜角θ及び視野角０度における相対輝度値の関係をシミュレーションによって求め、更には、視野角０度の相対輝度値が１．２５以上、視野角０度の相対輝度値のばらつきが０．３０以内、半値視野角が４５度以上となる領域を塗りつぶした図を図２３Ｂに示すが、実施例１にあっては、広い領域を得ることができることが判る。尚、「半値視野角」とは、正面の輝度（視野角０度）を規格化して１とし、視野角を増加したときに輝度が０．５未満となるときの視野角である。

以下、実施例１の有機ＥＬ表示装置の製造方法の概要を、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｃ、図１６Ａ、図１６Ｂ及び図１７を参照して説明するが、実施例１の有機ＥＬ表示装置は、
第１基板１１上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上に第１電極２１を形成した後、
第１電極２１及び層間絶縁層上に第２部材形成層を形成し、次いで、第１電極２１上の第２部材形成層を選択的に除去することで、開口部２５の斜面（対向面）が傾斜した第２部材５２を得た後、
開口部２５の底部に露出した第１電極２１上から開口部２５の斜面（対向面）に亙り、発光部２４及び第２電極２２を形成した後、
第２電極２２上に第１部材５１を形成する、
各工程に基づき製造することができる。

［工程−１００］
先ず、第１基板１１上に、副画素毎にＴＦＴを、周知の方法で作製する。ＴＦＴは、第１基板１１上に形成されたゲート電極１２、第１基板１１及びゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜１３上に形成された半導体層に設けられたソース／ドレイン領域１４、並びに、ソース／ドレイン領域１４の間であって、ゲート電極１２の上方に位置する半導体層の部分が相当するチャネル形成領域１５から構成されている。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極１２は、走査回路（図示せず）に接続されている。次に、第１基板１１上に、ＴＦＴを覆うように、ＳｉＯ₂から成る下層層間絶縁層１６ＡをＣＶＤ法にて成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、下層層間絶縁層１６Ａに開口１６’を形成する（図１５Ａ参照）。

［工程−１１０］
次いで、下層層間絶縁層１６Ａ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、アルミニウムから成る配線１７を形成する。尚、配線１７は、開口１６’内に設けられたコンタクトプラグ１７Ａを介して、ＴＦＴのソース／ドレイン領域１４に電気的に接続されている。配線１７は、信号供給回路（図示せず）に接続されている。そして、全面にＳｉＯ₂から成る上層層間絶縁層１６ＢをＣＶＤ法にて成膜する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、上層層間絶縁層１６Ｂ上に開口１８’を形成する（図１５Ｂ参照）。

［工程−１２０］
その後、上層層間絶縁層１６Ｂ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、Ａｌ−Ｎｄ合金から成る第１電極２１を形成する（図１５Ｃ参照）。尚、第１電極２１は、開口１８’内に設けられたコンタクトプラグ１８を介して、配線１７に電気的に接続されている。

［工程−１３０］
次いで、第２部材５２を形成する。具体的には、全面に、第２部材形成層５２Ａを形成し、第２部材形成層５２Ａ上にレジスト材料層５２Ｂを形成する。次いで、レジスト材料層５２Ｂを露光、現像することで、レジスト材料層５２Ｂに開口部５２Ｃを形成する（図１６Ａ参照）。その後、ＲＩＥ法に基づき、レジスト材料層５２Ｂ及び第２部材形成層５２Ａをエッチングすることで、テーパー形状を第２部材形成層５２Ａに付与し（図１６Ｂ参照）、最終的に、開口部２５の斜面（側壁であり、対向面５２’に該当する）が傾斜した第２部材５２を得ることができる（図１７参照）。開口部２５は、切頭円錐形の形状を有する。尚、エッチング条件の制御によってテーパー形状を第２部材形成層５２Ａに付与することができる。但し、第２部材５２の形成方法は、このような形成方法に限定されず、例えば、全面に、アクリル系樹脂あるいはポリイミド系樹脂から成る第２部材形成層を成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びウェットエッチング技術に基づき図１７に示す第２部材５２を形成してもよい。

［工程−１４０］
次に、開口部２５の底部に露出した第１電極２１の部分の上を含む第２部材５２上に（即ち、全面に）、有機層２３を形成する。尚、有機層２３は、例えば、有機材料から成る正孔注入層及び正孔輸送層２３Ｂ、発光層２３Ａ並びに電子輸送層２３Ｃが順次積層されている。有機層２３は、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着することで得ることができる。

［工程−１５０］
その後、表示領域の全面に第２電極２２を形成する。第２電極２２は、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子を構成する有機層２３の全面を覆っている。第２電極２２は、第２部材５２及び有機層２３によって第１電極２１とは絶縁されている。第２電極２２は、有機層２３に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成されている。また、有機層２３を大気に暴露することなく、有機層２３の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して第２電極２２の形成を行うことで、大気中の水分や酸素による有機層２３の劣化を防止することができる。具体的には、Ｍｇ−Ａｇ（体積比１０：１）の共蒸着膜を厚さ１０ｎｍ成膜することで、第２電極２２を得ることができる。

［工程−１６０］
次いで、全面に（具体的には第２電極２２上に）、第１部材５１を形成することで、第１部材５１及び第２部材５２から成る光反射層５０を得ることができる。こうして、アノードリフレクタ構造を得ることができる。第２電極２２上に、直接、第１部材５１を形成することで、第２電極２２とリフレクタとの間に接着層等が存在することに起因した発光素子から出射された光の取出しロスが無い。

［工程−１７０］
その後、光反射層５０上に、窒化シリコン（Ｓｉ_1-yＮ_y）から成る絶縁性の保護膜３１を真空蒸着法に基づき形成する。尚、第１部材５１と保護膜３１を同時に形成し、第１部材５１と保護膜３１とが一体となった構造としてもよい。このような構造にあっては、開口部２５の影響によって保護膜３１の頂面に凹部が形成される場合があるが、上述したとおり｜ｎ₃−ｎ₄｜の値を規定することで、この凹部において発光素子１０から出射された光が散乱されることを効果的に防止することができる。

［工程−１８０］
次いで、カラーフィルター３３が形成された第２基板３４と、保護膜３１が形成された第１基板１１とを、封止材料層３２を用いて接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。

あるいは又、以下の表示装置の製造方法に基づき光反射層を形成することもできる。以下、光反射層５０の作製方法を、以下、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃ及び図１８Ｄを参照して説明する。

［工程−１００Ａ］
先ず、第１部材５１と相補的な形状を有するスタンパを準備する。具体的には、第１部材５１と相補的な形状を有するスタンパ（雌型）６０を、電鋳、エッチング、その他の切削加工等の公知技術を利用して形成する。

［工程−１１０Ａ］
一方、支持基板上に樹脂材料を塗布する。具体的には、例えば、光透過性を有するガラス基板から成る支持基板６１上に、紫外線硬化型の樹脂材料６２を塗布（形成）する（図１８Ａ参照）。

［工程−１２０Ａ］
そして、スタンパ６０を用いて樹脂材料６２を賦形した後、スタンパ６０を取り除き、凸部６４を有する樹脂材料層６３を得る。具体的には、この樹脂材料６２にスタンパ６０を押し付けた状態で、支持基板６１の側からエネルギー線（具体的には、紫外線）を照射することで樹脂材料６２を硬化させ、樹脂材料層６３を得た後（図１８Ｂ参照）、スタンパ６０を取り除く。こうして、凸部６４を有する樹脂材料層６３を得ることができる（図１８Ｃ参照）。樹脂材料層６３の凸部６４が、第１部材５１に相当する。

［工程−１３０Ａ］
その後、樹脂材料層６３の凸部６４の頂部を平坦化し、次いで、樹脂材料層６３の凸部６４と凸部６４との間を接着剤層６５で埋め込む（図１８Ｄ参照）。

［工程−１４０Ａ］
次いで、支持基板（ガラス基板）６１から樹脂材料層６３を剥がし、発光素子等が形成された第１基板１１に樹脂材料層６３を載置し、即ち、接着剤層６５が発光素子１０からの光の出射を妨げないように接着剤層６５を第２電極２２の上に配置し、接着剤層６５によって接着する。尚、第１基板１１は、［工程−１００］〜［工程−１２０］に引き続き、第１電極２１及び上層層間絶縁層１６Ｂ上において、有機層２３の形成及び第２電極２２の形成を［工程−１４０］〜［工程−１５０］と同様にして実行することで得ることができる。こうして、接着剤層６５から成る第２部材５２、及び、樹脂材料層６３から成る第１部材５１から構成された光反射層５０を得ることができる。即ち、アノードリフレクタ構造を得ることができる。

［工程−１５０Ａ］
その後、光反射層５０上に絶縁性の保護膜３１をプラズマＣＶＤ法に基づき形成する。そして、カラーフィルター３３が形成された第２基板３４と、保護膜３１が形成された第１基板１１とを、封止材料層３２を用いて接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。尚、紫外線硬化型の樹脂材料６２の代わりに、熱硬化型の樹脂材料や、熱可塑性樹脂を用いることもできる。

実施例１の表示装置にあっては、第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射される。それ故、第１部材と第２部材との間に光反射部材等を設けなくとも、発光素子からの外部への光取出し効率の向上を図ることができる。そして、屈折率ｎ₁と屈折率ｎ₂の値の差と、第２部材の対向面の傾斜角θとの関係が規定されているので、あるいは又、屈折率ｎ₁，ｎ₂の値、及び、第２部材の対向面の傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、第２部材の対向面の傾斜角θが決定されるので、表示装置の法線方向の輝度（正面輝度）にばらつきが生じ難い。

実施例２は、実施例１の変形である。模式的な一部断面図を図４に示すように、実施例２の表示装置において、第２部材５２には光吸収層５４が設けられている。具体的には、第２部材５２は、光吸収層５４と第２部材構成層５３とが積層された構造を有している。より具体的には、光吸収層５４は第２部材５２の下部に設けられている。即ち、第１基板側から、第２部材５２、第２部材構成層５３が積層された構造を有する。ここで、第２部材５２を構成する第２部材構成層５３はＳｉＯ₂から成り、光吸収層５４はカーボンブラックを含むアクリル系樹脂から成る。光吸収層５４を含む第２部材５２を構成する材料の平均屈折率ｎ_2-ave、第２部材構成層５３を構成する材料の屈折率ｎ₂、光吸収層を構成する材料の屈折率ｎ₂’を、以下の表４に示す。

［表４］
実数部 虚数部
ｎ_2-ave １．４８ ０
ｎ₂ １．４６ ０
ｎ₂’ １．５４ ０

実施例２の有機ＥＬ表示装置において、第１基板は、各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材（発光領域を占める）、及び、第１部材と第１部材との間を占める第２部材（非発光領域を占める）を備えており、第２部材には光吸収層が設けられているので、第２部材に入射した外光は、光吸収層によって吸収され、有機ＥＬ表示装置から外部に出射され難い。それ故、有機ＥＬ表示装置のコントラストの向上を図ることができる。

尚、模式的な一部断面図を図５に示すように、実施例２の有機ＥＬ表示装置において、光吸収層５４を、第２部材５２の中間部に設けてもよい。即ち、第１基板側から、第２部材構成層５３、光吸収層５４、第２部材構成層５３が積層された構造を有する。あるいは又、模式的な一部断面図を図６に示すように、光吸収層５４を、第２部材５２の頂部に設けてもよい。即ち、第１基板側から、第２部材構成層５３、第２部材５２が積層された構造を有する。あるいは又、模式的な一部断面図を図７に示すように、第２部材５２を光吸収層５４から構成してもよい。即ち、光吸収層５４は、第２部材５２の全体を占めている。

以上の点を除き、実施例２の有機ＥＬ表示装置は、実施例１の有機ＥＬ表示装置の同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

実施例３は、実施例１〜実施例２の変形である。実施例１〜実施例２においては、第１部材５１の頂面と第２部材５２の頂面を、略同一平面に位置させた。即ち、第２部材５２と第２部材５２との間を第１部材５１で充填した。一方、実施例３にあっては、図８に模式的な一部断面図を示すように、第１部材５１と第２部材５２との間に、層状の第１部材５１Ａを形成する。具体的には、第２電極２２上に、平均厚さ３μｍの層状の第１部材５１Ａ（屈折率ｎ₁：１．８１）を形成する。尚、第１電極２１の上方であって、第２部材５２及びその上に形成された層状の第１部材５１Ａによって囲まれた領域を、『領域５１Ｂ』と呼ぶ。そして、全面に、即ち、領域５１Ｂ、及び、第２部材５２の頂面の上方の領域には、窒化シリコン（Ｓｉ_1-yＮ_y）から成る絶縁性の保護膜３１が形成されている。更には、保護膜３１の上には、封止材料層３２、カラーフィルター３３が形成されている。尚、領域５１Ｂ内には封止材料層３２の一部が延在している。

以上の点を除き、実施例３の有機ＥＬ表示装置は、実施例１〜実施例２の有機ＥＬ表示装置と同様の構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

実施例４も、実施例１〜実施例２の変形である。図９に実施例４の有機ＥＬ表示装置の模式的な一部断面図を示すように、領域５１Ｂ内に、封止材料層３２の一部を延在させる代わりに、保護膜３１の屈折率ｎ₃よりも高い屈折率ｎ₅を有する高屈折率領域５１Ｃを設ける。これによって、保護膜３１から高屈折率領域５１Ｃに侵入し、保護膜３１と高屈折率領域５１Ｃとの界面である斜面５１Ｄに衝突した光の多くは、高屈折率領域５１Ｃに戻される結果、発光素子からの外部への光取出し効率の一層の向上を図ることができる。尚、例えば、
ｎ₅−ｎ₃≧０．３
を満足することが好ましい。以上の点を除き、実施例４の有機ＥＬ表示装置は、実施例１〜実施例２の有機ＥＬ表示装置と同様の構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

実施例５も、実施例１〜実施例２の変形である。図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３に、実施例５の有機ＥＬ表示装置あるいはその変形例の模式的な一部断面図を示すが、これらの図面においては、第１電極２１及び第２部材等を図示し、有機層２３から構成された発光部２４、第２電極２２、第１部材５１、保護膜３１、封止材料層３２、カラーフィルター３３、第２基板３４の図示は省略している。

実施例５の表示装置において、第２部材は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂、あるいは、顔料を分散させたこれらの樹脂材料といった有機材料から成る下層１５２Ａ、及び、ＳｉＯ₂、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウムといった無機材料から成り、下層１５２Ａの少なくとも一部を覆う上層１５２Ｂから構成されている。そして、第２部材には開口部２５が設けられており、開口部２５の斜面が対向面５２’に該当し、開口部２５の底面に発光部（図示せず）が設けられている。より具体的には、開口部２５の底面には、第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が設けられている。有機層及び第２電極は、開口部２５の斜面（対向面５２’）に延在していてもよい。

図１０Ａに図示するように、上層１５２Ｂが下層１５２Ａの全面を覆っていてもよいし、図１０Ｂに図示するように、上層１５２Ｂが下層１５２Ａの頂面を覆っていてもよい。そして、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、第２部材には開口部２５が設けられており、開口部２５の斜面が対向面５２’に該当し、開口部２５の底面に発光部（図示せず）が設けられている。あるいは又、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３に図示するように、第２部材には開口部２５が設けられており、開口部２５の斜面が対向面５２’に該当し、第２部材を構成する上層１５２Ｂは、開口部２５の底面の一部にまで延びている。そして、
［１］上層１５２Ｂの延在部で一部が覆われた開口部２５の底部に露出した第１電極２１上に、発光部（図示せず）が設けられている形態（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）
［２］上層１５２Ｂの延在部で一部が覆われた開口部２５の底部に露出した第１電極２１上に、第１補助電極２１Ａが形成されており、第１補助電極２１Ａ上に発光部（図示せず）が形成されている形態（図１２Ａ及び図１２Ｂ参照）
［３］上層１５２Ｂの延在部で一部が覆われた開口部２５の底部に露出した第１電極２１上から対向面５２’に亙り、第１補助電極２１Ａが形成されており、第１補助電極２１Ａの一部の上に発光部（図示せず）が形成されている形態（図１３Ａ及び図１３Ｂ参照）
のいずれかの形態とすることができる。第１補助電極２１Ａは、例えば、Ａｌ−Ｎｄ合金を含むアルミニウム合金、あるいは又、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ等、銀、金合金、アルミニウム合金や、これらとＩＴＯの積層から構成されている。尚、図１１Ａ、図１２Ａ、図１３Ａにおいては、露出した第１電極は開口部２５の底面の中央部を占め、図１１Ｂ、図１２Ｂ、図１３Ｂにおいては、露出した第１電極は開口部２５の底面の中央部からずれた領域を占める。また、図１０Ｂに示した上層１５２Ｂが下層１５２Ａの頂面を覆っている構成と、第１補助電極２１Ａが形成された構成とを組み合わせてもよい。

実施例５にあっては、第１電極２１及び層間絶縁層１６上に第２部材の下層１５２Ａを構成する下層形成層を形成し、第１電極２１上の下層形成層を選択的に除去して、斜面が傾斜した開口部２５を有する下層１５２Ａを形成した後、下層１５２Ａ上に第２部材の上層１５２Ｂを構成する上層形成層を形成し、上層形成層を選択的に除去することで、開口部２５の斜面（対向面５２’）が傾斜した第２部材を得ることができる。

図１０Ａ、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３に示す例において、「第２部材を構成する材料の屈折率ｎ₂」の値は、例えば、ＳｉＯ₂から構成する場合、１．４６である。一方、図１０Ｂに示す例において、「第２部材を構成する材料の屈折率ｎ₂」の値は、例えば、アクリル系樹脂から構成する場合、１．５５である。尚、実施例５において、実施例１〜実施例２の表示装置におけるθ，ｎ₁，ｎ₂の規定を除いた表示装置も、発明を構成し得る。

実施例６も、実施例１〜実施例２の変形であるが、実施例６にあっては、各発光素子１０からの光は第１基板１１を介して外部に出射される。即ち、実施例６の表示装置は、下面発光型の表示装置である。実施例６の表示装置（アクティブマトリックス型のカラー表示の有機ＥＬ表示装置）の模式的な一部断面図を図１４に示す。尚、副画素の配列状態は、図３Ａ、図３Ｂに示したと同様である。そして、第１部材５１は切頭円錐形（あるいは切頭回転体）の形状を有する。即ち、切頭円錐形の斜面は直線状であり、また、切頭錐形の軸線（ｚ軸）を含む仮想平面で第２部材５２を切断したときの対向面５２’の断面形状は台形である。

実施例６においては、第２電極２２をアノード電極として用い、第１電極２１をカソード電極として用いる。第２電極２２は、光反射材料、具体的には、Ａｌ−Ｎｄ合金から成り、第１電極２１は、半光透過材料、具体的には、マグネシウム（Ｍｇ）を含む導電材料、より具体的には、厚さ１０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金から成る。第２電極２２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されている。また、第１電極２１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。第１電極２１及び第２電極２２の屈折率測定結果、第１電極２１の平均光反射率測定結果、第２電極２２の平均光透過率測定結果は、実施例１に示したと同様である。但し、実施例１の測定値において、「第１電極２１」を『第２電極２２』と読み替え、「第２電極２２」を『第１電極２１』と読み替える。

実施例６において、有機ＥＬ素子を構成する第１電極２１は、第１部材５１及び第２部材５２から成る光反射層５０上に設けられている。そして、この光反射層５０は、第１基板１１上に形成された有機ＥＬ素子駆動部（図示せず）を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、複数のＴＦＴから構成されており、ＴＦＴと第１電極２１とは、第２部材５２に設けられたコンタクトプラグ、配線（これらも図示せず）を介して電気的に接続されている。場合によっては、有機ＥＬ素子駆動部を発光部２４の上方に設けてもよい。

実施例６において、発光部２４の上には、実施例１と同様に、保護膜３１及び封止材料層３２が更に備えられている。また、発光部２４は、絶縁層２６によって囲まれている。

実施例６の表示装置にあっても、第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射される。それ故、第１部材と第２部材との間に光反射部材等を設けなくとも、発光素子からの外部への光取出し効率の向上を図ることができる。そして、屈折率ｎ₁と屈折率ｎ₂の値の差と、第２部材の対向面の傾斜角θとの関係が規定されているので、あるいは又、屈折率ｎ₁，ｎ₂の値、及び、第２部材の対向面の傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、第２部材の対向面の傾斜角θが決定されるので、表示装置の法線方向の輝度（正面輝度）にばらつきが生じ難い。

以上、好ましい実施例に基づき本開示を説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例における有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子の構成、構造、有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子を構成する材料等は例示であり、適宜変更することができる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《表示装置：第１の態様》
（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板は、更に、
各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
から成る光反射層を備えており、
第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射され、
第２部材の対向面の傾斜角をθ（単位：度）、第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）としたとき、
７５．２−５４（ｎ₁−ｎ₂）≦θ≦８１．０−２０（ｎ₁−ｎ₂）
を満足する表示装置。
［Ａ０２］７６．３−４６（ｎ₁−ｎ₂）≦θ≦７７．０−２０（ｎ₁−ｎ₂）
を満足する［Ａ０１］に記載の表示装置。
［Ａ０３］表示装置を構成する発光素子における傾斜角θのばらつき許容範囲は最大４度である［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の表示装置。
［Ａ０４］表示装置を構成する発光素子において、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値の変動許容範囲は最大０．５である［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０５］発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値は、１．５以上、３．０以下である［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０６］切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨとしたとき、表示装置を構成する発光素子における｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝のばらつき許容範囲は最大０．２である［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０７］０．１≦ｎ₁−ｎ₂≦０．４
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０８］切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨとしたとき、
０．８≦（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ≦１．６
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０９］発光素子から出射し、切頭錐形の軸線と平行に第１部材から出射される光は、第１部材と対向する第２部材の対向面に衝突したとき、対向面で全反射される［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１０］発光素子と第１部材とは接している［Ａ０１］乃至［Ａ０９］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１１］各発光素子からの光は第２基板を介して外部に出射される［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１２］カラーフィルターを備えている［Ａ１１］に記載の表示装置。
［Ａ１３］第２部材には、光吸収層が設けられている［Ａ０１］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１４］光吸収層は、第２部材の下部に設けられている［Ａ１３］に記載の表示装置。
［Ａ１５］光吸収層は、第２部材の中間部に設けられている［Ａ１３］に記載の表示装置。
［Ａ１６］光吸収層は、第２部材の頂部に設けられている［Ａ１３］に記載の表示装置。
［Ａ１７］光吸収層は、第２部材の全体を占めている［Ａ１３］に記載の表示装置。
［Ａ１８］第１部材は、Ｓｉ_1-xＮ_x、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、臭素含有ポリマー、硫黄含有ポリマー、チタン含有ポリマー、又は、ジルコニウム含有ポリマーから成る［Ａ０１］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１９］第２部材は、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ、ＬｉＦ、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系ポリマー、又は、シリコーン系ポリマーから成る［Ａ０１］乃至［Ａ１８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ２０］第２部材は、有機材料から成る下層、及び、無機材料から成り、下層の少なくとも一部を覆う上層から構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ２１］上層は下層の全面を覆っている［Ａ２０］に記載の表示装置。
［Ａ２２］上層は下層の頂面を覆っている［Ａ２０］に記載の表示装置。
［Ａ２３］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、開口部の底面に発光部が設けられている［Ａ２０］乃至［Ａ２２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ２４］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びており、
上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上に、発光部が設けられている［Ａ２０］又は［Ａ２１］に記載の表示装置。
［Ａ２５］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びており、
上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上に、第１補助電極が形成されており、第１補助電極上に発光部が形成されている［Ａ２０］又は［Ａ２１］に記載の表示装置。
［Ａ２６］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びており、
上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上から対向面に亙り、第１補助電極が形成されており、第１補助電極の一部の上に発光部が形成されている［Ａ２０］又は［Ａ２１］に記載の表示装置。
［Ａ２７］第１部材及び第２部材の上に保護膜及び封止材料層が更に備えられており、
保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₃、封止材料層を構成する材料の屈折率をｎ₄としたとき、
｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．３
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ２６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ２８］第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の残部は第２部材に侵入する［Ａ０１］乃至［Ａ２７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ２９］１つの発光素子によって１つの画素が構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ２８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ３０］複数の発光素子が集合して１つの画素が構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ２８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０１］《表示装置：第２の態様》
（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板は、更に、
各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
から成る光反射層を備えており、
第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射され、
第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）としたとき、屈折率ｎ₁の値、屈折率ｎ₂の値、及び、第２部材の対向面の傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、第２部材の対向面の傾斜角θが決定される表示装置。
［Ｂ０２］表示装置を構成する発光素子における傾斜角θのばらつき許容範囲は最大４度である［Ｂ０１］に記載の表示装置。
［Ｂ０３］表示装置を構成する発光素子において、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値の変動許容範囲は最大０．５である［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の表示装置。
［Ｂ０４］発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値は、１．５以上、３．０以下である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０５］切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨとしたとき、表示装置を構成する発光素子における｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝のばらつき許容範囲は最大０．２である［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０６］０．１≦ｎ₁−ｎ₂≦０．４
を満足する［Ｂ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０７］切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨとしたとき、
０．８≦（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ≦１．６
を満足する［Ｂ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０８］発光素子から出射し、切頭錐形の軸線と平行に第１部材から出射される光は、第１部材と対向する第２部材の対向面に衝突したとき、対向面で全反射される［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ０９］発光素子と第１部材とは接している［Ｂ０１］乃至［Ｂ０８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ１０］各発光素子からの光は第２基板を介して外部に出射される［Ｂ０１］乃至［Ｂ０９］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ１１］カラーフィルターを備えている［Ｂ１０］に記載の表示装置。
［Ｂ１２］第２部材には、光吸収層が設けられている［Ｂ０１］乃至［Ｂ１１］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ１３］光吸収層は、第２部材の下部に設けられている［Ｂ１２］に記載の表示装置。
［Ｂ１４］光吸収層は、第２部材の中間部に設けられている［Ｂ１２］に記載の表示装置。
［Ｂ１５］光吸収層は、第２部材の頂部に設けられている［Ｂ１２］に記載の表示装置。
［Ｂ１６］光吸収層は、第２部材の全体を占めている［Ｂ１２］に記載の表示装置。
［Ｂ１７］第１部材は、Ｓｉ_1-xＮ_x、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、臭素含有ポリマー、硫黄含有ポリマー、チタン含有ポリマー、又は、ジルコニウム含有ポリマーから成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ１８］第２部材は、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ、ＬｉＦ、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系ポリマー、又は、シリコーン系ポリマーから成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ１７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ１９］第２部材は、有機材料から成る下層、及び、無機材料から成り、下層の少なくとも一部を覆う上層から構成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ１６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ２０］上層は下層の全面を覆っている［Ｂ１９］に記載の表示装置。
［Ｂ２１］上層は下層の頂面を覆っている［Ｂ１９］に記載の表示装置。
［Ｂ２２］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、開口部の底面に発光部が設けられている［Ｂ１９］乃至［Ｂ２１］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ２３］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びており、
上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上に、発光部が設けられている［Ｂ１９］又は［Ｂ２０］に記載の表示装置。
［Ｂ２４］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びており、
上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上に、第１補助電極が形成されており、第１補助電極上に発光部が形成されている［Ｂ１９］又は［Ｂ２０］に記載の表示装置。
［Ｂ２５］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びており、
上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上から対向面に亙り、第１補助電極が形成されており、第１補助電極の一部の上に発光部が形成されている［Ｂ１９］又は［Ｂ２０］に記載の表示装置。
［Ｂ２６］第１部材及び第２部材の上に保護膜及び封止材料層が更に備えられており、
保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₃、封止材料層を構成する材料の屈折率をｎ₄としたとき、
｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．３
を満足する［Ｂ０１］乃至［Ｂ２５］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ２７］第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の残部は第２部材に侵入する［Ｂ０１］乃至［Ｂ２６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ２８］１つの発光素子によって１つの画素が構成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ２７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｂ２９］複数の発光素子が集合して１つの画素が構成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ２７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ０１］（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板は、更に、
各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
から成る光反射層を備えており、
第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射され、
第２部材は、有機材料から成る下層、及び、無機材料から成り、下層の少なくとも一部を覆う上層から構成されている表示装置。
［Ｃ０２］上層は下層の全面を覆っている［Ｃ０１］に記載の表示装置。
［Ｃ０３］上層は下層の頂面を覆っている［Ｃ０１］に記載の表示装置。
［Ｃ０４］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、開口部の底面に発光部が設けられている［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ０５］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びており、
上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上に、発光部が設けられている［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の表示装置。
［Ｃ０６］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びており、
上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上に、第１補助電極が形成されており、第１補助電極上に発光部が形成されている［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の表示装置。
［Ｃ０７］第２部材には開口部が設けられており、開口部の斜面が対向面に該当し、第２部材を構成する上層は、開口部の底面の一部にまで延びており、
上層の延在部で一部が覆われた開口部の底部に露出した第１電極上から対向面に亙り、第１補助電極が形成されており、第１補助電極の一部の上に発光部が形成されている［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の表示装置。
［Ｄ０１］《表示装置の製造方法》
（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板は、更に、
各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
から成る光反射層を備えており、
第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射される表示装置の製造方法であって、
第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）とし、切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨ、Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂ としたとき、Δｎをパラメータとして、第２部材の対向面の傾斜角θと、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝と、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値との関係を求め、
所望の｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝の値、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求め、
求められた傾斜角θを有する光反射層を製造する表示装置の製造方法。
［Ｄ０２］所望の｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝の値の代わりに、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝のばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求める［Ｄ０１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｄ０３］《表示装置の設計方法》
（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板は、更に、
各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
から成る光反射層を備えており、
第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射される表示装置の設計方法であって、
第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ₂（但し、ｎ₂＜ｎ₁）とし、切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨ、Δｎ＝ｎ₁−ｎ₂ としたとき、Δｎをパラメータとして、第２部材の対向面の傾斜角θと、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝と、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値との関係を求め、
所望の｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝の値、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求める表示装置の設計方法。
［Ｄ０４］所望の｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝の値の代わりに、｛（４Ｓ／π）^1/2／Ｈ｝のばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求める［Ｄ０３］に記載の表示装置の設計方法。

１０・・・発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、１１・・・第１基板、１２・・・ゲート電極、１３・・・ゲート絶縁膜、１４・・・ソース／ドレイン領域、１５・・・チャネル形成領域、１６・・・層間絶縁層、１６’，１８’・・・開口、１６Ａ・・・下層層間絶縁層、１６Ｂ・・・上層層間絶縁層、１７・・・配線、１７Ａ，１８・・・コンタクトプラグ、２１・・・第１電極、２２・・・第２電極、２３・・・有機層、２３Ａ・・・発光層、２３Ｂ・・・正孔注入層及び正孔輸送層、２３Ｃ・・・電子輸送層、２４・・・発光部、２５・・・開口部、２６・・・絶縁層、３１・・・保護膜、３２・・・封止材料層、３３・・・カラーフィルター、３４・・・第２基板、５０・・・光反射層、５１・・・第１部材、５１Ｂ・・・第１電極の上方であって、第２部材及びその上に形成された層状の第１部材によって囲まれた領域、５１Ｃ・・・高屈折率領域、５１Ｄ・・・保護膜と高屈折率領域との界面である斜面、５２・・・第２部材、５２Ａ・・・第２部材形成層、５３・・・第２部材構成層、５４・・・光吸収層、６０，６６・・・スタンパ（雌型）、６１，６７・・・支持基板、６２，６８・・・樹脂材料、６３・・・樹脂材料層、６４・・・凸部、６５・・・接着剤層

Claims (13)

1. （Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
   （Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
   を具備し、
   第１基板は、更に、
   各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
   第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
   から成る光反射層を備えており、
   第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
   第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射され、
   第１部材を構成する材料の屈折率をｎ _１ 、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ _２ （但し、ｎ _２ ＜ｎ _１ ）とし、切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨ、Δｎ＝ｎ _１ −ｎ _２ としたとき、Δｎをパラメータとして、第２部材の対向面の傾斜角θと、｛（４Ｓ／π） ^１／２ ／Ｈ｝と、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値との関係を求め、
   所望の｛（４Ｓ／π） ^１／２ ／Ｈ｝の値、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θが決定される表示装置。
2. 表示装置を構成する発光素子における傾斜角θのばらつき許容範囲は最大４度である請求項１に記載の表示装置。
3. 表示装置を構成する発光素子において、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値の変動許容範囲は最大０．５である請求項１に記載の表示装置。
4. 発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値は、１．５以上、３．０以下である請求項１に記載の表示装置。
5. 切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨとしたとき、表示装置を構成する発光素子における｛（４Ｓ／π） ^１／２ ／Ｈ｝のばらつき許容範囲は最大０．２である請求項１に記載の表示装置。
6. 前記ｎ _１ 、ｎ _２ は、
   ０．１≦ｎ _１ −ｎ _２ ≦０．２５
   を満足する請求項１に記載の表示装置。
7. 切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨとしたとき、
   ０．８≦（４Ｓ／π） ^１／２ ／Ｈ≦１．６
   を満足する請求項１に記載の表示装置。
8. 発光素子から出射し、切頭錐形の軸線と平行に第１部材から出射される光は、第１部材と対向する第２部材の対向面に衝突したとき、対向面で全反射される請求項１に記載の表示装置。
9. 発光素子と第１部材とは接している請求項１に記載の表示装置。
10. 各発光素子からの光は第２基板を介して外部に出射される請求項１に記載の表示装置。
11. 前記第２部材は、光吸収層を含む請求項１に記載の表示装置。
12. （Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
    （Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
    を具備し、
    第１基板は、更に、
    各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
    第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
    から成る光反射層を備えており、
    第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
    第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射される表示装置の製造方法であって、
    第１部材を構成する材料の屈折率をｎ_１、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ_２（但し、ｎ_２＜ｎ_１）とし、切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨ、Δｎ＝ｎ_１−ｎ_２としたとき、Δｎをパラメータとして、第２部材の対向面の傾斜角θと、｛（４Ｓ／π）^１／２／Ｈ｝と、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値との関係を求め、
    所望の｛（４Ｓ／π）^１／２／Ｈ｝の値、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求め、
    求められた傾斜角θを有する光反射層を製造する表示装置の製造方法。
13. （Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
    （Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
    を具備し、
    第１基板は、更に、
    各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
    第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
    から成る光反射層を備えており、
    第１部材の形状は、切頭部が発光素子に対向した切頭錐形であり、
    第１部材と対向する第２部材の対向面において、第１部材を伝播した光の一部が全反射される表示装置の設計方法であって、
    第１部材を構成する材料の屈折率をｎ_１、第２部材を構成する材料の屈折率をｎ_２（但し、ｎ_２＜ｎ_１）とし、切頭錐形の切頭部の面積をＳ、切頭錐形の高さをＨ、Δｎ＝ｎ_１−ｎ_２としたとき、Δｎをパラメータとして、第２部材の対向面の傾斜角θと、｛（４Ｓ／π）^１／２／Ｈ｝と、発光素子から第１部材を介して出射される光の視野角０度における相対輝度値との関係を求め、
    所望の｛（４Ｓ／π）^１／２／Ｈ｝の値、及び、傾斜角θのばらつき許容範囲に基づき、視野角０度における相対輝度値の最大値及び最小値を求め、視野角０度における相対輝度値の最大値と最小値との差が最小となるように傾斜角θを求める表示装置の設計方法。
    

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