WO2020053974A1 - 発光デバイス - Google Patents

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WO2020053974A1
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light emitting
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complementary
layer
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時由 梅田
優人 塚本
柏 張
伸一 川戸
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device provided with a light emitting element.
  • Patent Document 1 describes an image display device provided with an optical film having the function of a circularly polarizing plate for the purpose of preventing reflection of external light.
  • a display device provided with a circularly polarizing plate has a problem that the film thickness of the device is increased by the thickness of the circularly polarizing plate.
  • a light emitting device of the present invention includes a light emitting element including a light emitting surface, a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode sequentially stacked toward the light emitting surface.
  • a light-emitting device comprising a complementary-color-absorbing layer that absorbs complementary-color light of light emitted by the light-emitting element, on the light-emitting surface side of the second electrode.
  • the installation of the circularly polarizing plate on the light emitting device can be omitted, and the light emitting device can be easily thinned.
  • FIG. 2 is a schematic top view and a schematic cross-sectional view of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view for explaining light emission from a light emitting element of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention and a mechanism for reducing external light reflection in the light emitting device.
  • It is a schematic sectional drawing of the light emitting device which concerns on Embodiment 2 of this invention.
  • FIG. 9 is a schematic sectional view of a light emitting device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic top view of a light emitting device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1A.
  • the light emitting device 1 includes a light emitting surface DS from which light is emitted, and a frame region NA surrounding the light emitting surface DS.
  • a terminal T to which a signal for driving a light emitting element of the light emitting device 1 described later in detail may be formed.
  • a light emitting device 1 includes a light emitting element layer 2 and an array substrate 3 at a position overlapping with the light emitting surface DS in plan view, as shown in FIG.
  • the light emitting device 1 has a structure in which each layer of the light emitting element layer 2 is stacked on an array substrate 3 on which a TFT (Thin Film Transistor) (not shown) is formed.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the light emitting element layer 2 includes a first charge transport layer 6, a light emitting layer 8, a second charge transport layer 10, and a second electrode 12, which are sequentially stacked from the lower layer on the first electrode 4.
  • the first electrode 4 of the light emitting element layer 2 formed on the array substrate 3 is electrically connected to the TFT of the array substrate 3.
  • the light emitting device 1 includes a complementary color light absorbing layer 14, a sealing layer 16, and a protective film 18 on the light emitting surface DS side of the second electrode 12.
  • the first electrode 4 is an anode
  • the second electrode 12 is a cathode.
  • the present invention is not limited to this, and the first electrode 4 may be a cathode and the second electrode 12 may be an anode.
  • the light emitting element layer 2 includes a first light emitting element 2R, a second light emitting element 2G, and a third light emitting element 2B.
  • the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B are organic EL elements, that is, OLED elements in which the light emitting layer 8 includes an organic fluorescent material or an organic phosphorescent material. Is also good.
  • the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B are QLED elements in which the light emitting layer 8 includes a semiconductor nanoparticle material, that is, a quantum dot material. There may be.
  • the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B are not limited to OLED elements or QLED elements, and various light emitting elements can be adopted.
  • each of the first electrode 4, the first charge transport layer 6, and the light emitting layer 8 is separated by the edge cover 20.
  • the first electrode 4 is formed by the edge cover 20 so that the first electrode 4R for the first light emitting element 2R, the first electrode 4G for the second light emitting element 2G, and the third electrode 4B for the third light emitting element 2B.
  • the first charge transport layer 6 is formed by the edge cover 20 so that the first charge transport layer 6R for the first light emitting element 2R, the first charge transport layer 6G for the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B.
  • the light emitting layer 8 is separated by the edge cover 20 into a first light emitting layer 8R, a second light emitting layer 8G, and a third light emitting layer 8B.
  • the second charge transport layer 10 and the second electrode 12 are formed in common without being separated by the edge cover 20.
  • the edge cover 20 may be formed at a position that covers the side surface of the first electrode 4 and the vicinity of the peripheral edge of the upper surface.
  • the first light emitting element 2R includes a first electrode 4R, a first charge transport layer 6R, a first light emitting layer 8R, a second charge transport layer 10, and a second electrode 12.
  • the second light emitting element 2G includes a first electrode 4G, a first charge transport layer 6G, a second light emitting layer 8G, a second charge transport layer 10, and a second electrode 12.
  • the third light emitting element 2B includes a first electrode 4B, a first charge transport layer 6B, a third light emitting layer 8B, a second charge transport layer 10, and a second electrode 12.
  • the first light emitting layer 8R, the second light emitting layer 8G, and the third light emitting layer 8B emit red light, green light, and blue light, respectively. That is, the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B are light emitting elements that emit red light, green light, and blue light, respectively.
  • the blue light is, for example, light having a light emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • the green light is, for example, light having a light emission center wavelength in a wavelength band of more than 500 nm and not more than 600 nm.
  • the red light is, for example, light having a light emission center wavelength in a wavelength band of more than 600 nm and 780 nm or less.
  • the first electrode 4 and the second electrode 12 include a conductive material, and are electrically connected to the first charge transport layer 6 and the second charge transport layer 10, respectively.
  • the electrode close to the light emitting surface DS is a translucent electrode.
  • the first electrode 4 may be an anode
  • the second electrode 12 may be a cathode.
  • the present invention is not limited to this, and the polarities of the first electrode 4 and the second electrode 12 may be reversed.
  • the first electrode 4 has a structure in which ITO (Indium Tin Oxide, indium tin oxide) is laminated on, for example, an Ag-Pd-Cu alloy.
  • the first electrode 4 having the above configuration is a reflective electrode that reflects light emitted from the light emitting layer 8. Therefore, of the light emitted from the light emitting layer 8, the light going downward is reflected by the first electrode 4.
  • the second electrode 12 is made of, for example, a translucent Mg-Ag alloy. That is, the second electrode 12 is a transmissive electrode that transmits light emitted from the light emitting layer 8. Therefore, of the light emitted from the light emitting layer 8, the light going upward passes through the second electrode 12. As described above, the light emitting device 1 can emit the light emitted from the light emitting layer 8 in the upward direction.
  • both the light emitted upward from the light emitting layer 8 and the light emitted downward can be directed to the second electrode 12 (upward). That is, the light emitting device 1 is configured as a top emission type light emitting device. Since both light emitted upward from the light emitting layer 8 and light emitted downward can be used as light emission from the light emitting device 1, the light emitting device 1 emits light emitted from the light emitting layer 8. Efficiency can be improved.
  • the second electrode 12 which is a translucent electrode may partially reflect light emitted from the light emitting layer 8.
  • a cavity for light emitted from the light emitting layer 8 may be formed between the first electrode 4 that is a reflective electrode and the second electrode 12 that is a translucent electrode.
  • the configuration of the first electrode 4 and the second electrode 12 described above is an example, and may have another configuration.
  • the light emitting layer 8 is a layer that emits light when recombination of holes transported from the first electrode 4 and electrons transported from the second electrode 12 occurs.
  • the first light-emitting layer 8R may be, for example, Btp2Ir (acac) (bis- (3- (2- (2-pyridyl) benzothienyl) mono-acetylacetonate as a light-emitting dopant. ) Iridium (III))). Further, the first light emitting layer 8R may include, for example, CDBP (4,4′-bis (carbazol-9-yl) -2,2′-dimethylbiphenyl) as a host material.
  • the second light emitting layer 8G may include, for example, Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridinato) iridium (III)) as a light emitting dopant.
  • the second light emitting layer 8G may include, for example, CBP (4,4′-di (N-carbazolyl) biphenyl) as a host material.
  • the third light emitting layer 8B may include, for example, DPVBi (4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl) as a light emitting dopant. Further, the third light emitting layer 8B may include, for example, adamantane anthracene as a host material.
  • the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B are QLED elements
  • the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B are known.
  • the light emitting layer 8 may include the same quantum dot material as the QLED element. That is, the first light emitting layer 8R, the second light emitting layer 8G, and the third light emitting layer 8B may each include a known quantum dot material used for the light emitting layers of the red, green, and blue QLED elements. Good.
  • the first charge transport layer 6 is a layer that transports the charge from the first electrode 4 to the light emitting layer 8.
  • the first charge transport layer 6 may have a function of inhibiting charge transport from the second electrode 12.
  • the first charge transport layer 6 may be a hole transport layer that transports holes from the first electrode 4 serving as an anode to the light emitting layer 8.
  • the second charge transport layer 10 is a layer that transports the charge from the second electrode 12 to the light emitting layer 8.
  • the second charge transport layer 10 may have a function of inhibiting the transport of charges from the first electrode 4.
  • the second charge transport layer 10 may be an electron transport layer that transports electrons from the second electrode 12 serving as a cathode to the light emitting layer 8.
  • the first charge transport layer 6, the light emitting layer 8, and the second charge transport layer 10 may be formed by a conventionally known method, for example, may be formed by vapor deposition using a vapor deposition mask.
  • the complementary color light absorbing layer 14 is a layer that absorbs complementary color light of the light from the light emitting element layer 2.
  • the complementary color light absorbing layer 14 includes a first complementary color light absorbing layer 14R and a second complementary color light at positions overlapping with the first light emitting element 2R, the second light emitting element 2G, and the third light emitting element 2B in plan view. It has an absorption layer 14G and a third complementary color light absorption layer 14B.
  • the first complementary light absorbing layer 14R absorbs the complementary light of red light
  • the second complementary light absorbing layer 14G absorbs the complementary light of green light
  • the third complementary light absorbing layer 14B controls the complementary light of blue light. Absorb.
  • the complementary light absorbing layer 14 includes a red light absorbing layer 22R that absorbs red light, a green light absorbing layer 22G that absorbs green light, and a blue light absorbing layer 22B that absorbs blue light.
  • the first complementary light absorbing layer 14R includes a green light absorbing layer 22G and a blue light absorbing layer 22B stacked on each other.
  • the second complementary color light absorbing layer 14G includes a red light absorbing layer 22R and a blue light absorbing layer 22B stacked on each other.
  • the third complementary color light absorption layer 14B includes a red light absorption layer 22R and a green light absorption layer 22G stacked on each other.
  • the first complementary color light absorbing layer 14R is, for example, light having a light emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less and light having a light emission center wavelength in a wavelength band of more than 500 nm and 600 nm or less as complementary light of red light. And absorb.
  • the second complementary light absorbing layer 14G is, for example, light having a light emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less and light having a light emission center wavelength in a wavelength band of more than 600 nm and 780 nm or less as complementary light of green light. And absorb.
  • the third complementary light absorbing layer 14B is, for example, light having a light emission center wavelength in a wavelength band of more than 500 nm and not more than 600 nm and light having a light emission center wavelength in a wavelength band of more than 600 nm and not more than 780 nm as complementary light of blue light. And absorb.
  • the complementary color light absorbing layer 14 has a structure in which at least two layers of a red light absorbing layer 22R, a green light absorbing layer 22G, and a blue light absorbing layer 22B are laminated. Further, the complementary color light absorbing layer 14 has at least one layer in common at a position overlapping with the adjacent light emitting element in a plan view.
  • the complementary light absorbing layer 14 has a blue light absorbing layer 22B at a position where the complementary light absorbing layer 14 overlaps the adjacent first light emitting element 2R and second light emitting element 2G in plan view.
  • the complementary-color light-absorbing layer 14 includes a red light-absorbing layer 22R in a position overlapping with the second light-emitting element 2G and the third light-emitting element 2B adjacent to each other in a plan view.
  • the green light absorbing layer 22G may also be commonly formed at a position where the green light absorbing layer 22G overlaps an adjacent light emitting element.
  • the complementary color light absorbing layer 14 may be made of an organic vapor deposition material.
  • each layer of the complementary color light absorbing layer 14 may be formed by vapor deposition using a vapor deposition mask, or at least one layer may be formed by co-vapor deposition.
  • the first complementary light absorbing layer 14R may be formed as a single layer by co-evaporating the material of the red light absorbing layer 22R and the material of the green light absorbing layer 22G. This is the same in the second complementary light absorbing layer 14G and the third complementary light absorbing layer 14B.
  • the complementary color light absorbing layer 14 only needs to have at least one layer in common at a position overlapping at least one set of adjacent light emitting elements that emit light of different colors.
  • each layer of the complementary color light absorbing layer 14 has a simpler shape when formed by vapor deposition using a vapor deposition mask.
  • the formation of the complementary color light absorbing layer 14 can be performed using an evaporation mask.
  • the edge cover 23 may be divided into two layers that absorb light of the same layer and different colors. However, when each layer of the complementary color light absorbing layer 14 is formed separately by vapor deposition using a vapor deposition mask, the formation of the edge cover 23 can be omitted.
  • Materials that absorb blue light and transmit green light and red light include DNTT (dinaphthothienothiophene), 3A (oligo (2,6-anthrylene) trimer) and the like.
  • Examples of a material that absorbs green light, weakly absorbs blue light, and transmits red light include tetracene, ADT (anthradithiophene), and the like.
  • Materials that absorb red light, weakly absorb green light, and transmit blue light include H2Pc (anhydrous phthalocyanine), CuPc (copper phthalocyanine), and pentacene.
  • TIPS pentacene and the like are examples of a material that absorbs red light, transmits green light, and absorbs a part of blue light.
  • the first complementary light absorbing layer 14R may have a single-layer structure of tetracene or ADT, or may have a stacked structure of DNTT or 3A and tetracene or ADT.
  • the first complementary light absorbing layer 14R may be formed by co-evaporation of DNTT or 3A with tetracene or ADT.
  • the second complementary color light absorption layer 14G may have a single-layer structure of TIPS pentacene, or may have a stacked structure of DNTT or 3A and H2Pc, CuPc, or pentacene.
  • the second complementary light absorbing layer 14G may be formed by co-evaporation of DNTT or 3A and H2Pc, CuPc, or pentacene.
  • the third complementary light absorbing layer 14B may have a single-layer structure of H2Pc, CuPc, or pentacene, or may have a stacked structure of tetracene or ADT and H2Pc, CuPc, or pentacene. Good. Further, the third complementary color light absorbing layer 14B may be formed by co-evaporation of tetracene or ADT with H2Pc, CuPc, or pentacene.
  • the complementary color light absorbing layer 14 also functions as a capping layer of each light emitting element of the light emitting element layer 2. That is, the light emitting device 1 includes the capping layer that is in contact with the light emitting surface DS side of the second electrode 12 as the complementary color light absorbing layer 14.
  • the capping layer has a function of suppressing the occurrence of plasmons at the interface of the second electrode 12 on the light emitting surface DS side. The efficiency of extracting light emitted from the light emitting element layer 2 is improved by the capping layer.
  • the capping layer may be any substance whose refractive index is higher than that of the atmosphere.
  • the first complementary light absorbing layer 14R, the second complementary light absorbing layer 14G, and the third complementary light absorbing layer 14B containing the above-described materials have a function as a capping layer.
  • the light emitting device 1 does not need to include a capping layer in addition to the complementary color light absorbing layer 14, and thus contributes to the thinning of the light emitting device 1.
  • the thickness of the capping layer is preferably 1000 nm or less from the viewpoint of reducing the thickness of the light emitting device 1 and improving the luminous efficiency. That is, in the present embodiment, it is preferable that the thickness d14 of the complementary color light absorbing layer 14 be 1000 nm or less.
  • the sealing layer 16 includes a first inorganic sealing film 24, an organic sealing film 26, and a second inorganic sealing film 28 laminated from the light emitting element layer 2 side toward the light emitting surface DS side.
  • the first inorganic sealing film 24 and the second inorganic sealing film 28 have a function of preventing moisture and the like from entering each light emitting element of the light emitting element layer 2.
  • the organic sealing film 26 has a function of sealing foreign substances on the upper layer of the light emitting element layer 2 or a function as a buffer layer for the first inorganic sealing film 24 or the second inorganic sealing film 28.
  • the protective film 18 is attached to the surface of the light emitting device 1 and forms a light emitting surface DS.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view for explaining light emission from the light emitting element layer 2 of the light emitting device 1 according to the present embodiment and a mechanism for reducing external light reflection in the light emitting device 1.
  • FIG. 2 is an enlarged sectional view from the light emitting layer 8 to the complementary color light absorbing layer 14 in FIG.
  • red light LR is emitted from the first light emitting layer 8R toward the light emitting surface DS.
  • the red light LR is illustrated as light traveling directly from the first light-emitting layer 8R to the light-emitting surface DS, but actually, the red light LR is transmitted from the first light-emitting layer 8R to the first electrode 4.
  • the red light LR transmits through the second electrode 12 which is a translucent electrode, and then transmits through the first complementary color light absorbing layer 14R. At this time, since the red light LR is not absorbed by the green light absorbing layer 22G and the blue light absorbing layer 22B, the red light LR is not largely absorbed by the complementary light absorbing layer 14.
  • external light LW is transmitted from the outside through the light emitting surface DS and enters the first light emitting element 2R. It is assumed that the external light LW is substantially white light including sunlight or the like.
  • the external light LW is partially reflected by the second electrode 12 which is a translucent electrode. Further, the external light LW transmitted through the second electrode 12 is also reflected by the first electrode 4.
  • the light reflected on the first electrode 4 or the second electrode 12 is referred to as reflected light RR shown in FIG.
  • the external light LW is transmitted twice through the complementary light absorbing layer 14. Therefore, the ratio of light absorbed by the complementary light absorbing layer 14 is larger than that of the red light LR transmitted through the complementary light absorbing layer 14 only once. Therefore, compared to the red light LR from the light emitting layer 8, the intensity of the reflected light RR reflected by the external light LW can be reduced.
  • the external light LW passes through the first complementary color light absorbing layer 14R, that is, the blue light absorbing layer 22B and the green light absorbing layer 22G.
  • the wavelength component of the blue light of the external light LW is absorbed by the blue light absorbing layer 22B, and the wavelength component of the green light is absorbed by the green light absorbing layer 22G. Therefore, the reflected light RR becomes substantially red light. For this reason, the wavelength components of the red light LR and the reflected light RR are relatively close to each other, so that it is difficult for the viewer of the light emitting device 1 to visually recognize the reflected light RR.
  • the relationship between the red light LR and the reflected light RR is the same in the relationship between the green light LG and the reflected light RG in the second light emitting element 2G and the relationship between the blue light LB and the reflected light RB in the third light emitting element 2B. is there. Therefore, in the light emitting device 1, the reflected light of external light can be reduced with respect to the light emitted from the light emitting element layer 2, and the reflected light can be hardly recognized by a viewer of the light emitting device 1.
  • the light emitting device 1 absorbs external light by the complementary light absorbing layer 14 and reduces reflected light. Therefore, the light emitting device 1 does not need to include a circularly polarizing plate having a larger film thickness than the complementary color light absorbing layer 14, and contributes to thinning and improvement of flexibility. Further, in the light emitting device 1, since the light emitted from the light emitting element layer 2 is not largely absorbed by the complementary light absorbing layer 14, the light extraction efficiency can be improved, which leads to the improvement of the light emission efficiency. Further, since the light emitting device 1 does not include the circularly polarizing plate, coloring depending on the viewing angle with respect to the light emitting surface DS is reduced, and the viewing angle characteristics of the light emitting device 1 are improved.
  • the light emitting device 1 includes, for each light emitting element, a complementary light absorbing layer 14 that absorbs complementary light of light from the light emitting element. Therefore, even when the light emitting layer that emits light of a specific color in the light emitting layer 8 is formed on a light emitting element that emits light of a color different from the specific color, the light of the specific color is supplied to the complementary color light absorbing layer. At 14 can be absorbed. Therefore, the possibility of color mixing between light emitting elements can be reduced.
  • each light emitting element travels in an oblique direction with respect to the light emitting device 1, or when the light is guided in a planar direction and then emitted from the second electrode 12 of a different light emitting element.
  • the light is absorbed by the complementary color light absorption layer 14. Therefore, stray light or color mixing between different light emitting elements can be suppressed, and the contrast of the light emitting device 1 is improved.
  • the second electrode 12 and the complementary color light absorbing layer 14 are in contact with each other.
  • the shorter distance between the second electrode 12 and the complementary color light absorbing layer 14 improves the effect of suppressing stray light or color mixing between different light emitting elements described above. preferable.
  • the second electrode 12 and the complementary light absorbing layer 14 may be formed at a certain distance. Further, the first complementary color light absorbing layer 14R, the second complementary color light absorbing layer 14G, and the third complementary color light absorbing layer 14B may be formed separately. May be different.
  • the distance between the second electrode 12 and the first complementary light absorbing layer 14R, the distance between the second electrode 12 and the second complementary light absorbing layer 14G, and the distance between the second electrode 12 and the third complementary light absorbing layer 14B, respectively. May be 1000 nm or less.
  • the light emitting device 1 according to the embodiment is a flexible device, and the sealing layer 16 is used for sealing the light emitting device 1.
  • the present invention is not limited to this, and the light emitting device 1 in the present embodiment may be a rigid device, and the sealing of the light emitting device 1 may be realized by a glass frit sandwiched between two glass substrates.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the light-emitting device 1 according to the present embodiment, corresponding to FIG.
  • the light emitting device 1 according to the present embodiment is different from the light emitting device 1 according to the previous embodiment only in that the configuration is different only in having a capping layer 30 between the second electrode 12 and the complementary color light absorbing layer 14. .
  • the light emitting device 1 contributes to thinning and improvement of the luminous efficiency as in the previous embodiment. Further, in the present embodiment, the light emitting device 1 includes the capping layer 30 independently of the complementary light absorbing layer 14. For this reason, since the complementary color light absorption layer 14 does not need to also function as a capping layer, the types of materials that can be adopted as the material of the complementary color light absorption layer 14 increase, and the degree of freedom in design improves. In addition, since the light emitting device 1 includes the capping layer 30 independently, the efficiency of light extraction from the light emitting element layer 2 can be further improved.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device 1 according to the present modification, corresponding to FIG.
  • the light emitting device 1 according to the present modification is different from the light emitting device 1 according to the first embodiment only in the point that a circular polarizing plate 32 is provided between the sealing layer 16 and the protective film 18.
  • the circularly polarizing plate 32 may have, for example, a structure in which a ⁇ / 4 plate and a linearly polarizing plate are laminated.
  • the light emitting device 1 according to the present modification includes the circularly polarizing plate 32, it is possible to further reduce the reflection of external light. Furthermore, in the light emitting device 1 according to the present modification, since the external light reflection is reduced even in the complementary color light absorbing layer 14, the circularly polarizing plate 32 can be formed thinner than before. For this reason, this modified example also contributes to a reduction in thickness and an improvement in luminous efficiency, as in the above-described embodiments. In particular, when the light emitting device 1 is a flexible device, the circularly polarizing plate 32 may be thinned to such an extent that flexibility is not hindered, and the circularly polarizing plate 32 may be a film circularly polarizing plate.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the light-emitting device 1 according to the present embodiment, corresponding to FIG.
  • the light emitting device 1 according to the present embodiment is different from the light emitting device 1 according to each of the above embodiments in that the light emitting element layer 2 further includes a fourth light emitting element 2Y.
  • the first electrode 4 and the first charge transport layer 6 further include a first electrode 4Y and a first charge transport layer 6Y, respectively.
  • the fourth light emitting element 2Y includes a first electrode 4Y and a first charge transport layer. 6Y, a fourth light emitting layer 8Y, a second charge transport layer 10, and a second electrode 12.
  • the first complementary light absorbing layer 14R, the second complementary light absorbing layer 14G, and the third complementary light absorbing layer 14B further include a yellow light absorbing layer 22Y.
  • the complementary light absorbing layer 14 further includes a fourth complementary light absorbing layer 14Y including a red light absorbing layer 22R, a green light absorbing layer 22G, and a blue light absorbing layer 22B. It is provided at a position overlapping with the light emitting element 2Y.
  • the light emitting device 1 according to the present embodiment may have the same configuration as the light emitting device 1 according to each of the above embodiments.
  • the fourth light emitting layer 8Y emits yellow light. That is, the fourth light emitting element 2Y is a light emitting element that emits yellow light.
  • the yellow light is, for example, light having a light emission center wavelength in a wavelength band of 560 nm or more and 600 nm or less.
  • the fourth light emitting layer 8Y may include, for example, Ir (BT) 2 (acac) (Bis (2-benzo [b] thiophen-2-ylpyridine) (acetylacetonate) iridium (III)) as a light emitting dopant.
  • the fourth light emitting layer 8Y may include, for example, CBP as a host material.
  • the yellow light absorbing layer 22Y has a function of absorbing yellow light, that is, light having an emission center wavelength in a wavelength band of 560 nm or more and 600 nm or less.
  • the yellow light absorption layer 22Y is preferably formed using, for example, SubPC (subphthalocyanine).
  • the green light absorbing layer 22G does not absorb yellow light, that is, light having an emission center wavelength in a wavelength band of 560 nm or more and 600 nm or less.
  • This embodiment also has the effect of reducing the thickness of the light emitting device, as in the above embodiments.
  • the color reproducibility of the light emitting device 1 can be improved by further including the fourth light emitting element 8Y that emits yellow light.
  • the light-emitting device comprising a light-emitting surface, a light-emitting device including a light-emitting element in which a first electrode, a light-emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked toward the light-emitting surface, On the light emitting surface side of the second electrode, there is provided a complementary color light absorbing layer that absorbs complementary color light of light emitted by the light emitting element.
  • the light emitting element includes a first light emitting element that emits red light, a second light emitting element that emits green light, and a third light emitting element that emits blue light.
  • a first complementary light absorbing layer that absorbs complementary light of red light, and complementary light of green light
  • a third complementary light absorbing layer that absorbs complementary light of blue light.
  • the complementary color light absorbing layer includes a plurality of stacked layers, and at least one set of the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element. At least one layer is commonly provided at a position overlapping with a light emitting element that emits light of a different color adjacent thereto.
  • the first complementary light absorbing layer includes a green light absorbing layer that absorbs green light and a blue light absorbing layer that absorbs blue light, which are stacked on each other.
  • the second complementary light absorbing layer includes a red light absorbing layer that absorbs red light and a blue light absorbing layer that absorbs blue light, which are stacked on each other.
  • the third complementary light absorbing layer includes a red light absorbing layer that absorbs red light and a green light absorbing layer that absorbs green light, which are stacked on each other.
  • the distance between the second electrode and the first complementary light absorbing layer, the distance between the second electrode and the second complementary light absorbing layer, and the distance between the second electrode and the third complementary light absorbing layer are not more than 1000 nm.
  • the light-emitting elements are a first light-emitting element that emits red light, a second light-emitting element that emits green light, a third light-emitting element that emits blue light, and a fourth light-emitting element that emits yellow light.
  • the complementary light absorbing layer has a structure in which, when viewed in a plan view, the first light-emitting element, the second light-emitting element, the third light-emitting element, and the fourth light-emitting element overlap each other with red light.
  • a first complementary light absorbing layer that absorbs complementary light a second complementary light absorbing layer that absorbs complementary light of green light, a third complementary light absorbing layer that absorbs complementary light of blue light, and complementary light of yellow light
  • a fourth complementary light absorbing layer that absorbs light.
  • the semiconductor device further includes a capping layer in contact with the light emitting surface side of the second electrode.
  • the capping layer also functions as the complementary color light absorbing layer.
  • the thickness of the complementary light absorbing layer is 1000 nm or less.
  • the second electrode is a cathode.
  • the second electrode is provided commonly to a plurality of the light emitting elements.
  • a sealing layer is provided on the light emitting surface side of the complementary light absorbing layer.
  • the complementary light absorbing layer is provided between the second electrode and the sealing layer.
  • the sealing layer includes a first inorganic sealing film, an organic sealing film, and a second inorganic sealing film laminated on each other.
  • no circularly polarizing plate is provided on the light emitting surface side of the complementary color light absorbing layer.
  • a circularly polarizing plate is provided on the light emitting surface side of the complementary color light absorbing layer.

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Abstract

発光デバイス（１）は、第１電極（４）と、発光層（８）と、第２電極（１２）とが、発光面（ＤＡ）側に向かって順次積層された発光素子（２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ）を備える。また、前記発光デバイスは、前記第２電極の前記発光面側に、前記発光素子が発する光の補色光を吸収する補色光吸収層（１４）を備える。

Description

発光デバイス
　本発明は、発光素子を備えた発光デバイスに関する。
　特許文献１には、外光の反射防止を目的として、円偏光板の機能を有する光学フィルムを備えた画像表示装置が記載されている。
日本国公開特許公報「特開２０１７－２２４３９８号」
　円偏光板を備えた表示装置には、円偏光板の膜厚分だけデバイスの膜厚が厚くなるという問題がある。
　上記課題を解決するために、本発明の発光デバイスは、発光面を備え、第１電極と、発光層と、第２電極とが、前記発光面側に向かって順次積層された発光素子を備えた発光デバイスであって、前記第２電極の前記発光面側に、前記発光素子が発する光の補色光を吸収する補色光吸収層を備える。
　上記構成により、発光デバイスへの円偏光板の設置を省略することができ、当該発光デバイスの薄膜化を容易に図ることができる。
本発明の実施形態１に係る発光デバイスの概略上面図および概略断面図である。 本発明の実施形態１に係る発光デバイスの発光素子からの発光と、当該発光デバイスにおける外光反射の低減機構とを説明するための拡大断面図である。 本発明の実施形態２に係る発光デバイスの概略断面図である。 本発明の変形例に係る発光デバイスの概略断面図である。 本発明の実施形態３に係る発光デバイスの概略断面図である。
　〔実施形態１〕
　図１の（ａ）は、本実施形態に係る発光デバイス１の概略上面図である。図１の（ｂ）は、図１の（ａ）における、Ａ－Ａ線矢視断面図である。
　図１の（ａ）に示すように、本実施形態に係る発光デバイス１は、発光が取り出される発光面ＤＳと、当該発光面ＤＳの周囲を囲う額縁領域ＮＡとを備える。額縁領域ＮＡにおいては、後に詳述する発光デバイス１の発光素子を駆動するための信号が入力される端子Ｔが形成されていてもよい。
　平面視において発光面ＤＳと重畳する位置において、図１の（ｂ）に示すように、本実施形態に係る発光デバイス１は、発光素子層２とアレイ基板３とを備える。発光デバイス１は、図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたアレイ基板３上に、発光素子層２の各層が積層された構造を備える。なお、本明細書においては、発光デバイス１の発光素子層２からアレイ基板３への方向を「下方向」、発光デバイス１の発光素子層２から発光面ＤＳへの方向を「上方向」として記載する。
　発光素子層２は、第１電極４上に、第１電荷輸送層６と、発光層８と、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とを、下層から順次積層して備える。アレイ基板３の上層に形成された発光素子層２の第１電極４は、アレイ基板３のＴＦＴと電気的に接続されている。さらに、発光デバイス１は、第２電極１２の発光面ＤＳ側に、補色光吸収層１４と、封止層１６と、保護フィルム１８を備える。
　本実施形態において、例えば、第１電極４は陽極であり、第２電極１２は陰極である。また、これに限られず、第１電極４が陰極であり、第２電極１２が陽極であってもよい。
　本実施形態において、発光素子層２は、第１発光素子２Ｒと、第２発光素子２Ｇと、第３発光素子２Ｂとを備える。第１発光素子２Ｒと、第２発光素子２Ｇと、第３発光素子２Ｂとは、発光層８に、有機蛍光材料または有機りん光材料を備えた、有機ＥＬ素子、すなわち、ＯＬＥＤ素子であってもよい。また、この他に、第１発光素子２Ｒと、第２発光素子２Ｇと、第３発光素子２Ｂとは、発光層８に、半導体ナノ粒子材料、すなわち、量子ドット材料を備えた、ＱＬＥＤ素子であってもよい。しかしながら、本実施形態において、第１発光素子２Ｒと、第２発光素子２Ｇと、第３発光素子２Ｂとは、ＯＬＥＤ素子またはＱＬＥＤ素子には限られず、種々の発光素子を採用できる。
　ここで、第１電極４、第１電荷輸送層６、および発光層８のそれぞれは、エッジカバー２０によって分離されている。特に、本実施形態においては、第１電極４は、エッジカバー２０によって、第１発光素子２Ｒ用の第１電極４Ｒ、第２発光素子２Ｇ用の第１電極４Ｇ、および第３発光素子２Ｂ用の第１電極４Ｂに分離されている。また、第１電荷輸送層６は、エッジカバー２０によって、第１発光素子２Ｒ用の第１電荷輸送層６Ｒ、第２発光素子２Ｇ用の第１電荷輸送層６Ｇ、および第３発光素子２Ｂ用の第１電荷輸送層６Ｂに分離されている。さらに、発光層８は、エッジカバー２０によって、第１発光層８Ｒ、第２発光層８Ｇ、および第３発光層８Ｂに分離されている。
　なお、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とは、エッジカバー２０によって分離されず、共通して形成されている。エッジカバー２０は、図１の（ｂ）に示すように、第１電極４の側面と上面の周囲端部付近とを覆う位置に形成されていてもよい。
　本実施形態において、第１発光素子２Ｒは、第１電極４Ｒ、第１電荷輸送層６Ｒと、第１発光層８Ｒと、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とからなる。また、第２発光素子２Ｇは、第１電極４Ｇと、第１電荷輸送層６Ｇと、第２発光層８Ｇと、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とからなる。さらに、第３発光素子２Ｂは、第１電極４Ｂと、第１電荷輸送層６Ｂと、第３発光層８Ｂと、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とからなる。
　本実施形態においては、第１発光層８Ｒと、第２発光層８Ｇと、第３発光層８Ｂとは、それぞれ、赤色光と、緑色光と、青色光とを発する。すなわち、第１発光素子２Ｒと、第２発光素子２Ｇと、第３発光素子２Ｂとは、それぞれ、赤色光と、緑色光と、青色光とを発する発光素子である。
　ここで、青色光とは、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光である。また、緑色光とは、例えば、５００ｎｍ超６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。また、赤色光とは、例えば、６００ｎｍ超７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。
　第１電極４および第２電極１２は導電性材料を含み、それぞれ、第１電荷輸送層６および第２電荷輸送層１０と電気的に接続されている。第１電極４と第２電極１２とのうち、発光面ＤＳに近い電極は半透明電極である。本実施形態において、第１電極４がアノードであってもよく、第２電極１２がカソードであってもよい。しかしながら、これに限られず、第１電極４と第２電極１２との極性は逆転してもよい。
　第１電極４は、例えばＡｇ‐Ｐｄ‐Ｃｕ合金上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide，インジウムスズ酸化物）が積層された構成を有する。上記構成を有する第１電極４は、発光層８から発せられた光を反射する反射性電極である。したがって、発光層８から発せられた光のうち、下方向に向かう光が、第１電極４によって反射される。
　これに対して、第２電極１２は、例えば半透明のＭｇ‐Ａｇ合金によって構成されている。つまり、第２電極１２は、発光層８から発せられた光を透過する透過性電極である。したがって、発光層８から発せられた光のうち、上方向に向かう光が、第２電極１２を透過する。このように、発光デバイス１は、発光層８から発せられた光を上方向に出射できる。
　以上のとおり、発光デバイス１においては、発光層８から上方向に発せられた光、および下方向に発せられた光の両方を、第２電極１２（上方向）へと向かわせることができる。すなわち、発光デバイス１は、トップエミッション型の発光デバイスとして構成されている。発光層８から上方向に発せられた光、および下方向に発せられた光の両方を、発光デバイス１からの発光として利用可能であるため、発光デバイス１は、発光層８から発せられた光の利用効率を向上させることができる。
　また、本実施形態において、半透明電極である第２電極１２は、発光層８から発せられた光を、一部反射してもよい。加えて、反射電極である第１電極４と、半透明電極である第２電極１２との間において、発光層８から発せられた光のキャビティが形成されてもよい。第１電極４と第２電極１２との間においてキャビティを形成することにより、発光層８から発せられた光の色度を改善することができる。
　なお、上述した第１電極４と第２電極１２との構成は一例であり、別の構成を有していてもよい。
　発光層８は、第１電極４から輸送された正孔と、第２電極１２から輸送された電子との再結合が発生することにより、光を発する層である。
　第１発光素子２ＲがＯＬＥＤ素子の場合、第１発光層８Ｒは、発光ドーパントとして、例えば、Btp2Ir(acac)（ビス-（3-（2-（2-ピリジル）ベンゾチエニル）モノ-アセチルアセトネート）イリジウム（III）））を備えていてもよい。また、第１発光層８Ｒは、ホスト材料として、例えば、CDBP（4,4'-ビス(カルバゾール-9-イル)-2,2'-ジメチルビフェニル）を備えていてもよい。
　第２発光素子２ＧがＯＬＥＤ素子の場合、第２発光層８Ｇは、発光ドーパントとして、例えば、Ir(ppy)3（トリス(2-フェニルピリジナト)イリジウム(III)）を備えていてもよい。また、第２発光層８Ｇは、ホスト材料として、例えば、CBP（4，4'-ジ（N-カルバゾリル）ビフェニル）を備えていてもよい。
　第３発光素子２ＢがＯＬＥＤ素子の場合、第３発光層８Ｂは、発光ドーパントとして、例えば、DPVBi（4,4'-ビス(2,2-ジフェニルビニル)ビフェニル）を備えていてもよい。また、第３発光層８Ｂは、ホスト材料として、例えば、アダマンタンアントラセンを備えていてもよい。
　さらに、第１発光素子２Ｒ、第２発光素子２Ｇ、および第３発光素子２ＢがＱＬＥＤ素子である場合は、第１発光素子２Ｒ、第２発光素子２Ｇ、および第３発光素子２Ｂは、公知のＱＬＥＤ素子と同様の量子ドット材料を、発光層８に備えていてもよい。すなわち、１発光層８Ｒ、第２発光層８Ｇ、および第３発光層８Ｂは、それぞれ、赤色、緑色、および青色のＱＬＥＤ素子の発光層に使用される、公知の量子ドット材料を備えていてもよい。
　第１電荷輸送層６は、第１電極４からの電荷を発光層８へと輸送する層である。第１電荷輸送層６は、第２電極１２からの電荷の輸送を阻害する機能を有していてもよい。本実施形態においては、第１電荷輸送層６は、陽極である第１電極４からの正孔を発光層８へと輸送する正孔輸送層であってもよい。
　第２電荷輸送層１０は、第２電極１２からの電荷を発光層８へと輸送する層である。第２電荷輸送層１０は、第１電極４からの電荷の輸送を阻害する機能を有していてもよい。本実施形態においては、第２電荷輸送層１０は、陰極である第２電極１２からの電子を発光層８へと輸送する電子輸送層であってもよい。
　第１電荷輸送層６と、発光層８と、第２電荷輸送層１０とは、従来公知の手法によって形成されてもよく、例えば、蒸着マスクを使用した蒸着によって形成してもよい。
　補色光吸収層１４は、発光素子層２からの光の補色光を吸収する層である。補色光吸収層１４は、平面視において、第１発光素子２Ｒと、第２発光素子２Ｇと、第３発光素子２Ｂとに重畳する位置において、第１補色光吸収層１４Ｒと、第２補色光吸収層１４Ｇと、第３補色光吸収層１４Ｂとをそれぞれ備える。第１補色光吸収層１４Ｒは、赤色光の補色光を吸収し、第２補色光吸収層１４Ｇは、緑色光の補色光を吸収し、第３補色光吸収層１４Ｂは、青色光の補色光を吸収する。
　具体的には、補色光吸収層１４は、赤色光を吸収する赤色光吸収層２２Ｒと、緑色光を吸収する緑色光吸収層２２Ｇと、青色光を吸収する青色光吸収層２２Ｂとを備える。第１補色光吸収層１４Ｒは、緑色光吸収層２２Ｇと、青色光吸収層２２Ｂとを、互いに積層して備える。また、第２補色光吸収層１４Ｇは、赤色光吸収層２２Ｒと、青色光吸収層２２Ｂとを、互いに積層して備える。さらに、第３補色光吸収層１４Ｂは、赤色光吸収層２２Ｒと、緑色光吸収層２２Ｇとを、互いに積層して備える。
　すなわち、第１補色光吸収層１４Ｒは、赤色光の補色光として、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光と、５００ｎｍ超６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光とを吸収する。また、第２補色光吸収層１４Ｇは、緑色光の補色光として、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光と、６００ｎｍ超７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光とを吸収する。また、第３補色光吸収層１４Ｂは、青色光の補色光として、例えば、５００ｎｍ超６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光と、６００ｎｍ超７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光とを吸収する。
　ここで、補色光吸収層１４は、赤色光吸収層２２Ｒと、緑色光吸収層２２Ｇと、青色光吸収層２２Ｂとのうちの少なくとも２層を積層した構造を有する。さらに、補色光吸収層１４は、平面視において、隣接する発光素子と重畳する位置において、少なくとも１層を共通して備える。
　例えば、図１の（ｂ）に示すように、補色光吸収層１４は、平面視において、互いに隣接する第１発光素子２Ｒと第２発光素子２Ｇとに重畳する位置において、青色光吸収層２２Ｂを共通して備える。同様に、補色光吸収層１４は、平面視において、互いに隣接する第２発光素子２Ｇと第３発光素子２Ｂとに重畳する位置において、赤色光吸収層２２Ｒを共通して備える。緑色光吸収層２２Ｇについても、隣接する発光素子と重畳する位置において、共通して形成されていてもよい。
　補色光吸収層１４は、有機蒸着材料からなっていてもよい。この場合、補色光吸収層１４は、例えば、蒸着マスクを用いた蒸着によって各層を形成してもよく、少なくとも１層を共蒸着によって形成してもよい。例えば、赤色光吸収層２２Ｒの材料と緑色光吸収層２２Ｇの材料とを共蒸着することにより、第１補色光吸収層１４Ｒを単一の層として形成してもよい。このことは、第２補色光吸収層１４Ｇおよび第３補色光吸収層１４Ｂにおいても同様である。
　本実施形態においては、補色光吸収層１４は、少なくとも１組の隣接する異なる色の光を発する発光素子と重畳する位置において、少なくとも１層を共通して備えていればよい。特に、複数の発光素子に共通して形成された層を補色光吸収層１４が備えることにより、補色光吸収層１４の各層を、蒸着マスクを用いた蒸着によって形成する場合、より簡素な形状の蒸着マスクを使用して、補色光吸収層１４の形成が実行できる。
　なお、補色光吸収層１４において、同層かつ互いに異なる色の光を吸収する２層をエッジカバー２３が分割していてもよい。ただし、補色光吸収層１４の各層を、蒸着マスクを用いた蒸着によって、塗り分けて形成する場合、エッジカバー２３の形成を省略することができる。
　青色光を吸収し、緑色光および赤色光を透過する材料として、DNTT（ジナフトチエノチオフェン）、3A（オリゴ（2,6-アンスリレン）三量体）等があげられる。緑色光を吸収し、青色光を弱く吸収し、赤色光を透過する材料として、テトラセン、ADT（アントラジチオフェン）等があげられる。赤色光を吸収し、緑色光を弱く吸収し、青色光を透過する材料として、H2Pc（無水フタロシアニン）、CuPc（銅フタロシアニン）、ペンタセン等があげられる。赤色光を吸収し、緑色光を透過し、青色光の一部を吸収する材料として、TIPSペンタセン等があげられる。
　したがって、第１補色光吸収層１４Ｒは、テトラセンまたはADTの単層構造を備えていてもよく、あるいは、DNTTまたは3Aと、テトラセンまたはADTとの積層構造を備えていてもよい。また、第１補色光吸収層１４Ｒは、DNTTまたは3Aと、テトラセンまたはADTとの共蒸着により形成されてもよい。
　同様に、第２補色光吸収層１４Ｇは、TIPSペンタセンの単層構造を備えていてもよく、あるいは、DNTTまたは3Aと、H2Pc、CuPc、またはペンタセンとの積層構造を備えていてもよい。また、第２補色光吸収層１４Ｇは、DNTTまたは3Aと、H2Pc、CuPc、またはペンタセンとの共蒸着により形成されてもよい。
　同様に、第３補色光吸収層１４Ｂは、H2Pc、CuPc、またはペンタセンの単層構造を備えていてもよく、あるいは、テトラセンまたはADTとH2Pc、CuPc、またはペンタセンとの積層構造を備えていてもよい。また、第３補色光吸収層１４Ｂは、テトラセンまたはADTとH2Pc、CuPc、またはペンタセンとの共蒸着により形成されてもよい。
　補色光吸収層１４は、発光素子層２の各発光素子のキャッピングレイヤーとしての機能を兼ねている。すなわち、発光デバイス１は、第２電極１２の発光面ＤＳ側と接するキャッピングレイヤーを、補色光吸収層１４として備える。キャッピングレイヤーは、第２電極１２の発光面ＤＳ側の界面における、プラズモンの発生を抑制する機能を有する。キャッピングレイヤーにより、発光素子層２からの発光の取り出し効率が向上する。キャッピングレイヤーは、その屈折率が、大気よりも大きい物質であればよい。なお、上述した材料を含む第１補色光吸収層１４Ｒ、第２補色光吸収層１４Ｇ、および第３補色光吸収層１４Ｂは、キャッピングレイヤーとしての機能を備える。
　本実施形態における発光デバイス１は、補色光吸収層１４の他に、キャッピングレイヤーを備える必要が無いため、発光デバイス１の薄膜化に貢献する。
　なお、キャッピングレイヤーの膜厚は、発光デバイス１の薄膜化および発光効率向上の観点から、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。すなわち、本実施形態においては、補色光吸収層１４の膜厚ｄ１４が、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
　封止層１６は、発光素子層２側から発光面ＤＳ側に向かって、第１無機封止膜２４と、有機封止膜２６と、第２無機封止膜２８とを積層して備える。第１無機封止膜２４と、第２無機封止膜２８とは、発光素子層２の各発光素子への水分等の侵入を防止する機能を有する。有機封止膜２６は、発光素子層２の上層の異物の封止する機能、あるいは、第１無機封止膜２４または第２無機封止膜２８に対するバッファ層としての機能を有する。保護フィルム１８は、発光デバイス１の表面に貼り付けられ、発光面ＤＳを構成する。
　図２は、本実施形態に係る発光デバイス１の発光素子層２からの発光と、発光デバイス１における外光反射の低減機構とを説明するための拡大断面図である。図２は、図１の（ｂ）における、発光層８から補色光吸収層１４までを拡大した断面図である。
　例えば、第１発光素子２Ｒにおいて、第１発光層８Ｒから発光面ＤＳに向かって、赤色光ＬＲが出射したとする。図２においては、赤色光ＬＲは、第１発光層８Ｒから直接発光面ＤＳへ向かう光として図示されているが、実際には、赤色光ＬＲは、第１発光層８Ｒから第１電極４の方向へ向かい、第１電極４において反射された光を含む。
　赤色光ＬＲは、半透明電極である第２電極１２を透過した後、第１補色光吸収層１４Ｒを透過する。この際、赤色光ＬＲは、緑色光吸収層２２Ｇおよび青色光吸収層２２Ｂによっては吸収されないため、補色光吸収層１４において、赤色光ＬＲは大きく吸収されない。
　ここで、外部から発光面ＤＳを透過し、第１発光素子２Ｒへ向かって外光ＬＷが入射したとする。外光ＬＷは太陽光等を含む略白色光であるとする。外光ＬＷは、半透明電極である第２電極１２において一部が反射される。さらに、第２電極１２を透過した外光ＬＷにおいても、第１電極４において反射される。この第１電極４または第２電極１２において反射された光を、図２に示す反射光ＲＲとする。
　外光ＬＷは、補色光吸収層１４を２回透過する。このため、１回のみ補色光吸収層１４を透過する赤色光ＬＲと比較して、補色光吸収層１４によって吸収される光の割合が大きい。したがって、発光層８からの赤色光ＬＲと比較して、外光ＬＷが反射した反射光ＲＲの強度を低減することができる。
　さらに、外光ＬＷは、第１補色光吸収層１４Ｒ、すなわち、青色光吸収層２２Ｂおよび緑色光吸収層２２Ｇを透過する。この際、外光ＬＷの青色光の波長成分が青色光吸収層２２Ｂによって、緑色光の波長成分が緑色光吸収層２２Ｇによって吸収される。このため、反射光ＲＲは略赤色光となる。このため、赤色光ＬＲと反射光ＲＲとの波長成分は比較的近くなるため、反射光ＲＲが発光デバイス１の視認者に対して視認されづらくなる。
　赤色光ＬＲと反射光ＲＲとの関係は、第２発光素子２Ｇにおける緑色光ＬＧと反射光ＲＧとの関係、および第３発光素子２Ｂにおける青色光ＬＢと反射光ＲＢとの関係においても同様である。したがって、発光デバイス１においては、発光素子層２からの発光に対し、外光の反射光を低減し、当該反射光を発光デバイス１の視認者に対して視認されづらくすることができる。
　本実施形態においては、発光デバイス１は、外光を補色光吸収層１４によって吸収し、反射光を低減する。このため、発光デバイス１は、補色光吸収層１４と比較して膜厚が大きい円偏光板を備える必要がなく、薄膜化およびフレキシブル性の向上に貢献する。また、発光デバイス１は、発光素子層２からの発光が補色光吸収層１４によって大きく吸収されないため、光取り出し効率を向上させることができ、発光効率の向上につながる。さらに、発光デバイス１は円偏光板を備えないため、発光面ＤＳに対する視認角度に依存した色付きが低減され、発光デバイス１の視野角特性が改善される。
　発光デバイス１は、発光素子ごとに、当該発光素子からの光の補色光を吸収する補色光吸収層１４を備える。このため、発光層８において、ある特定色の光を発する発光層が、特定色とは異なる色の光を発する発光素子に形成された場合であっても、特定色の光を補色光吸収層１４において吸収できる。したがって、発光素子間における混色の可能性を低減できる。
　さらに、各発光素子における発光層からの光が、発光デバイス１に対して斜め方向に進行した場合、または、平面方向に導光された後、異なる発光素子の第２電極１２から出射された場合であっても、当該光が補色光吸収層１４において吸収される。このため、異なる発光素子同士における、迷光、または混色を抑制できるため、発光デバイス１のコントラストが改善される。
　本実施形態においては、図１に示すように、第２電極１２と補色光吸収層１４とは接している。このように、本実施形態においては、第２電極１２と補色光吸収層１４との距離が近い方が、上述した、異なる発光素子同士における、迷光、または混色を抑制する効果を向上させる点から好ましい。
　しかしながら、第２電極１２と補色光吸収層１４とは、ある距離を離して形成されていてもよい。また、第１補色光吸収層１４Ｒと、第２補色光吸収層１４Ｇと、第３補色光吸収層１４Ｂとは、個別に形成されていてもよく、これに伴い、各々の第２電極１２からの距離が異なっていてもよい。
　例えば、第２電極１２と第１補色光吸収層１４Ｒとの距離、第２電極１２と第２補色光吸収層１４Ｇとの距離、および第２電極１２と第３補色光吸収層１４Ｂとのそれぞれの距離は、１０００ｎｍ以下であってよい。
　なお、本実施形態における発光デバイス１はフレキシブルデバイスであり、発光デバイス１の封止に封止層１６を用いている。しかしながら、これに限られず、本実施形態における発光デバイス１は硬直なデバイスであってもよく、発光デバイス１の封止を、２枚のガラス基板によって挟持する、ガラスフリットによって実現してもよい。
　〔実施形態２〕
　図３は、本実施形態に係る発光デバイス１の、図１の（ｂ）に対応する断面図である。本実施形態に係る発光デバイス１は、前実施形態に係る発光デバイス１と比較して、第２電極１２と補色光吸収層１４との間に、キャッピングレイヤー３０を有する点においてのみ、構成が異なる。
　本実施形態においても、発光デバイス１は、前実施形態と同様に、薄膜化および発光効率の向上に貢献する。さらに、本実施形態においては、発光デバイス１が、キャッピングレイヤー３０を、補色光吸収層１４とは独立して備える。このため、補色光吸収層１４がキャッピングレイヤーとしての機能を兼ねる必要が無いため、補色光吸収層１４の材料として採用できる材料の種類が増加し、設計の自由度が向上する。また、発光デバイス１が、キャッピングレイヤー３０を独立して備えることにより、発光素子層２からの光取り出しの効率をより向上させることができる。
　〔変形例〕
　図４は、本変形例に係る発光デバイス１の、図１の（ｂ）に対応する断面図である。本変形例に係る発光デバイス１は、実施形態１に係る発光デバイス１と比較して、封止層１６と保護フィルム１８との間に、円偏光板３２を有する点においてのみ、構成が異なる。円偏光板３２は、例えば、λ／４板と直線偏光板とを積層した構造を有していてもよい。
　本変形例に係る発光デバイス１は、円偏光板３２を備えるため、外光の反射をより低減することが可能である。さらに、本変形例に係る発光デバイス１は、補色光吸収層１４においても外光反射を低減するため、従来よりも円偏光板３２を薄く形成することができる。このため、本変形例においても、前述までの実施形態と同様に、薄膜化および発光効率の向上に貢献する。特に、発光デバイス１がフレキシブルデバイスである場合は、円偏光板３２を、フレキシブル化に支障がない程度に薄膜化してもよく、円偏光板３２として、フィルム円偏光板を採用してもよい。
　〔実施形態３〕
　図５は、本実施形態に係る発光デバイス１の、図１の（ｂ）に対応する断面図である。本実施形態に係る発光デバイス１は、前述の各実施形態に係る発光デバイス１と比較して、発光素子層２がさらに第４発光素子２Ｙを備える点において構成が異なる。第１電極４と第１電荷輸送層６とは、それぞれ、第１電極４Ｙと第１電荷輸送層６Ｙとをさらに備え、第４発光素子２Ｙは、第１電極４Ｙと、第１電荷輸送層６Ｙと、第４発光層８Ｙと、第２電荷輸送層１０と、第２電極１２とからなる。
　また、本実施形態においては、第１補色光吸収層１４Ｒと、第２補色光吸収層１４Ｇと、第３補色光吸収層１４Ｂとが、さらに黄色光吸収層２２Ｙを備える。さらに、本実施形態においては、補色光吸収層１４が、さらに、赤色光吸収層２２Ｒと、緑色光吸収層２２Ｇと、青色光吸収層２２Ｂとを含む第４補色光吸収層１４Ｙを、第４発光素子２Ｙと重畳する位置に備える。
　上述した構成を除いて、本実施形態に係る発光デバイス１は、前述の各実施形態に係る発光デバイス１と同様の構成を備えていてもよい。
　本実施形態においては、第４発光層８Ｙは黄色光を発する。すなわち、第４発光素子２Ｙは黄色光を発する発光素子である。ここで、黄色光とは、例えば、５６０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光である。
　第４発光層８Ｙは、例えば、発光ドーパントとしてIr(BT)2(acac)（Bis(2-benzo[b]thiophen-2-ylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III)）を備えていてもよい。また、第４発光層８Ｙは、例えば、ホスト材料としてＣＢＰを備えていてもよい。
　黄色光吸収層２２Ｙは、黄色光、すなわち、５６０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を吸収する機能を有する。黄色光吸収層２２Ｙは、例えば、SubPC（サブフタロシアニン）を用いて形成されることが好ましい。なお、本実施形態においては、緑色光吸収層２２Ｇが、黄色光、すなわち、５６０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を吸収しないことが好ましい。
　本実施形態においても、前述した各実施形態と同様に、発光デバイスの薄膜化の効果を奏する。また、本実施形態においては、黄色光を発する第４発光素子８Ｙをさらに備えることにより、発光デバイス１の色再現性を向上させることができる。
　〔まとめ〕
　様態１の発光デバイスは、発光面を備え、第１電極と、発光層と、第２電極とが、前記発光面側に向かって順次積層された発光素子を備えた発光デバイスであって、前記第２電極の前記発光面側に、前記発光素子が発する光の補色光を吸収する補色光吸収層を備える。
　様態２においては、前記発光素子が、赤色光を発する第１発光素子と、緑色光を発する第２発光素子と、青色光を発する第３発光素子とを備え、前記補色光吸収層は、平面視において、前記第１発光素子と、前記第２発光素子と、前記第３発光素子とに重畳する位置において、赤色光の補色光を吸収する第１補色光吸収層と、緑色光の補色光を吸収する第２補色光吸収層と、青色光の補色光を吸収する第３補色光吸収層とをそれぞれ備える。
　様態３においては、前記補色光吸収層が、複数の層を積層して備え、かつ、前記第１発光素子と、前記第２発光素子と、前記第３発光素子とのうち、少なくとも１組の隣接する異なる色の光を発する発光素子と重畳する位置において、少なくとも１層を共通して備える。
　様態４においては、前記第１補色光吸収層が、緑色光を吸収する緑色光吸収層と、青色光を吸収する青色光吸収層とを、互いに積層して備える。
　様態５においては、前記第２補色光吸収層が、赤色光を吸収する赤色光吸収層と、青色光を吸収する青色光吸収層とを、互いに積層して備える。
　様態６においては、前記第３補色光吸収層が、赤色光を吸収する赤色光吸収層と、緑色光を吸収する緑色光吸収層とを、互いに積層して備える。
　様態７においては、前記第２電極と前記第１補色光吸収層との距離、前記第２電極と前記第２補色光吸収層の距離、および前記第２電極と前記第３補色光吸収層との距離のそれぞれが、１０００ｎｍ以下である。
　様態８においては、前記発光素子が、赤色光を発する第１発光素子と、緑色光を発する第２発光素子と、青色光を発する第３発光素子と、黄色光を発する第４発光素子と、を備え、前記補色光吸収層は、平面視において、前記第１発光素子と、前記第２発光素子と、前記第３発光素子と、前記第４発光素子とに重畳する位置において、赤色光の補色光を吸収する第１補色光吸収層と、緑色光の補色光を吸収する第２補色光吸収層と、青色光の補色光を吸収する第３補色光吸収層と、黄色光の補色光を吸収する第４補色光吸収層とをそれぞれ備える。
　様態９においては、前記第２電極の前記発光面側と接するキャッピングレイヤーを備える。
　様態１０においては、前記キャッピングレイヤーが前記補色光吸収層を兼ねる。
　様態１１においては、前記補色光吸収層の膜厚が１０００ｎｍ以下である。
　様態１２においては、前記第２電極が陰極である。
　様態１３においては、前記第２電極を、複数の前記発光素子に共通して備える。
　様態１４においては、前記補色光吸収層の前記発光面側に封止層を備える。
　様態１５においては、前記補色光吸収層を、前記第２電極と前記封止層との間に備える。
　様態１６においては、前記封止層が、第１無機封止膜と、有機封止膜と、第２無機封止膜とを積層して備える。
　様態１７においては、前記補色光吸収層の発光面側に円偏光板を備えていない。
　様態１８においては、前記補色光吸収層の発光面側に円偏光板を備える。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１　　　　　　　　　　　発光デバイス
２　　　　　　　　　　　発光素子層
２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ　　　　第１・第２・第３発光素子
４　　　　　　　　　　　第１電極
８　　　　　　　　　　　発光層
８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ　　　　第１・第２・第３発光層
１２　　　　　　　　　　第２電極
１４　　　　　　　　　　補色光吸収層
１４Ｒ・１４Ｇ・１４Ｂ　第１・第２・第３補色光吸収層
１６　　　　　　　　　　封止層
２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂ　赤・緑・青色光吸収層
３０　　　　　　　　　　キャッピングレイヤー
３２　　　　　　　　　　円偏光板
ＤＳ　　　　　　　　　　発光面

Claims (18)

  1. 　発光面を備え、第１電極と、発光層と、第２電極とが、前記発光面側に向かって順次積層された発光素子を備えた発光デバイスであって、
    　前記第２電極の前記発光面側に、前記発光素子が発する光の補色光を吸収する補色光吸収層を備えた発光デバイス。
  2. 　前記発光素子が、赤色光を発する第１発光素子と、緑色光を発する第２発光素子と、青色光を発する第３発光素子とを備え、
    　前記補色光吸収層は、平面視において、前記第１発光素子と、前記第２発光素子と、前記第３発光素子とに重畳する位置において、赤色光の補色光を吸収する第１補色光吸収層と、緑色光の補色光を吸収する第２補色光吸収層と、青色光の補色光を吸収する第３補色光吸収層とをそれぞれ備えた請求項１に記載の発光デバイス。
  3. 　前記補色光吸収層が、複数の層を積層して備え、かつ、前記第１発光素子と、前記第２発光素子と、前記第３発光素子とのうち、少なくとも１組の隣接する異なる色の光を発する発光素子と重畳する位置において、少なくとも１層を共通して備えた請求項２に記載の発光デバイス。
  4. 　前記第１補色光吸収層が、緑色光を吸収する緑色光吸収層と、青色光を吸収する青色光吸収層とを、互いに積層して備えた請求項２または３に記載の発光デバイス。
  5. 　前記第２補色光吸収層が、赤色光を吸収する赤色光吸収層と、青色光を吸収する青色光吸収層とを、互いに積層して備えた請求項２から４の何れか１項に記載の発光デバイス。
  6. 　前記第３補色光吸収層が、赤色光を吸収する赤色光吸収層と、緑色光を吸収する緑色光吸収層とを、互いに積層して備えた請求項２から５の何れか１項に記載の発光デバイス。
  7. 　前記第２電極と前記第１補色光吸収層との距離、前記第２電極と前記第２補色光吸収層の距離、および前記第２電極と前記第３補色光吸収層との距離のそれぞれが、１０００ｎｍ以下である請求項２から６の何れか１項に記載の発光デバイス。
  8. 　前記発光素子が、赤色光を発する第１発光素子と、緑色光を発する第２発光素子と、青色光を発する第３発光素子と、黄色光を発する第４発光素子と、を備え、
    　前記補色光吸収層は、平面視において、前記第１発光素子と、前記第２発光素子と、前記第３発光素子と、前記第４発光素子とに重畳する位置において、赤色光の補色光を吸収する第１補色光吸収層と、緑色光の補色光を吸収する第２補色光吸収層と、青色光の補色光を吸収する第３補色光吸収層と、黄色光の補色光を吸収する第４補色光吸収層とをそれぞれ備えた請求項１に記載の発光デバイス。
  9. 　前記第２電極の前記発光面側と接するキャッピングレイヤーを備えた請求項１から８の何れか１項に記載の発光デバイス。
  10. 　前記キャッピングレイヤーが前記補色光吸収層を兼ねる請求項９に記載の発光デバイス。
  11. 　前記補色光吸収層の膜厚が１０００ｎｍ以下である請求項９または１０に記載の発光デバイス。
  12. 　前記第２電極が陰極である請求項１から１１の何れか１項に記載の発光デバイス。
  13. 　前記第２電極を、複数の前記発光素子に共通して備えた請求項１から１２の何れか１項に記載の発光デバイス。
  14. 　前記補色光吸収層の前記発光面側に封止層を備えた請求項１から１３の何れか１項に記載の発光デバイス。
  15. 　前記補色光吸収層を、前記第２電極と前記封止層との間に備えた請求項１４に記載の発光デバイス。
  16. 　前記封止層が、第１無機封止膜と、有機封止膜と、第２無機封止膜とを積層して備えた請求項１４または１５に記載の発光デバイス。
  17. 　前記補色光吸収層の発光面側に円偏光板を備えていない請求項１から１６の何れか１項に記載の発光デバイス。
  18. 　前記補色光吸収層の発光面側に円偏光板を備えた請求項１から１６の何れか１項に記載の発光デバイス。
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