JP5412548B2 - 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
画素電極と対向電極との間に第1ドーパント材料を含む有機層を備えた第1有機EL素子と、画素電極と対向電極との間に、前記第1有機EL素子から延在した前記有機層を備え、前記有機層が前記第1ドーパント材料の異性体である第2ドーパント材料を含む第2有機EL素子と、を具備することを特徴とする有機EL表示装置が提供される。
画素電極と対向電極との間に、ドーパント材料、ホスト材料、及び、添加剤を含む有機層を備えた第1有機EL素子と、画素電極と対向電極との間に、前記第1有機EL素子から延在した前記有機層を備え、前記有機層が前記ドーパント材料と前記添加剤とが化学結合した分子を含む第2有機EL素子と、を具備することを特徴とする有機EL表示装置が提供される。
画素電極と対向電極との間に、ドーパント材料及びホスト材料を含む有機層を備えた第1有機EL素子と、画素電極と対向電極との間に、前記第1有機EL素子から延在した前記有機層を備え、前記有機層が前記ドーパント材料と前記ホスト材料とが化学結合した分子を含む第2有機EL素子と、を具備することを特徴とする有機EL表示装置が提供される。
また、他の態様によれば、
絶縁基板の上方に第1画素電極及び第2画素電極を形成する工程と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極の上にドーパント材料、ホスト材料、及び、添加剤を有する発光層を形成する工程と、前記第2画素電極の上の前記発光層に紫外光を照射して前記ドーパント材料と前記添加剤とが化学結合した分子を形成する工程と、前記発光層の上に対向電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法が提供される。
また、他の態様によれば、
絶縁基板の上方に第1画素電極及び第2画素電極を形成する工程と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極の上にドーパント材料及びホスト材料を含む発光層を形成する工程と、前記第2画素電極の上の前記発光層に紫外光を照射して前記ドーパント材料と前記ホスト材料とが化学結合した分子を形成する工程と、前記発光層の上に対向電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法が提供される。
また、他の態様によれば、
絶縁基板の上方に第1画素電極、第2画素電極、及び、第3画素電極を形成する工程と、前記第1画素電極、第2画素電極、及び、第3画素電極の上に第1ホスト材料、第1ドーパント材料、及び、添加剤を有する第1発光層を形成する工程と、前記第1画素電極の上の前記第1発光層を遮光し前記第2画素電極及び前記第3画素電極の上の前記第1発光層に紫外光を照射して前記第1ドーパント材料と前記添加剤とが化学結合した分子を形成し消光する工程と、前記第1発光層の上に第2ホスト材料及び第2ドーパント材料を有する第2発光層を形成する工程と、前記第1画素電極及び前記第3画素電極の上の前記第2発光層を遮光し前記第2画素電極の上の前記第2発光層に紫外光を照射して前記第2ドーパント材料をその異性体である第3ドーパント材料に変化させる工程と、前記第2発光層の上に対向電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法が提供される。
また、他の態様によれば、
絶縁基板の上方に第1画素電極、第2画素電極、及び、第3画素電極を形成する工程と、前記第1画素電極、第2画素電極、及び、第3画素電極の上にホスト材料、第1ドーパント材料、及び、第2ドーパント材料を有する単層の発光層を形成する工程と、前記第1画素電極の上の前記発光層を遮光し前記第2画素電極及び前記第3画素電極の上の前記発光層に第1紫外光を照射して前記第1ドーパント材料をその異性体に変化させて消光する工程と、前記第1画素電極及び前記第3の上の前記発光層を遮光し前記第2画素電極の上の前記発光層に第1紫外光とは異なる波長の第2紫外光を照射して前記第2ドーパント材料をその異性体である第3ドーパント材料に変化させる工程と、前記発光層の上に対向電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法が提供される。
次に、第3実施形態について説明する。
OLED1…第1有機EL素子 OLED2…第2有機EL素子
OLEDr…赤色有機EL素子 OLEDg…緑色有機EL素子 OLEDb…青色有機EL素子
PE…画素電極 CE…対向電極 ORG…有機層
D1…第1ドーパント材料 D2…第2ドーパント材料
D…ドーパント材料 A…添加剤 H…ホスト材料 CB…化学結合体
Claims (2)
- 絶縁基板の上方に第1画素電極、第2画素電極、及び、第3画素電極を形成する工程と、
前記第1画素電極、第2画素電極、及び、第3画素電極の上に第1ホスト材料、第1ドーパント材料、及び、添加剤を有する第1発光層を形成する工程と、
前記第1画素電極の上の前記第1発光層を遮光し前記第2画素電極及び前記第3画素電極の上の前記第1発光層に紫外光を照射して前記第1ドーパント材料と前記添加剤とが化学結合した分子を形成し消光する工程と、
前記第1発光層の上に第2ホスト材料及び第2ドーパント材料を有する第2発光層を形成する工程と、
前記第1画素電極及び前記第3画素電極の上の前記第2発光層を遮光し前記第2画素電極の上の前記第2発光層に紫外光を照射して前記第2ドーパント材料をその異性体である第3ドーパント材料に変化させる工程と、
前記第2発光層の上に対向電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 絶縁基板の上方に形成された第1画素電極、第2画素電極、及び、第3画素電極と、
前記第1画素電極、前記第2画素電極、及び、前記第3画素電極の上に形成された第1発光層であって、前記第1画素電極の上に第1ホスト材料、第1ドーパント材料、及び、添加剤を有するとともに、前記第2画素電極及び前記第3画素電極の上に前記第1ドーパント材料と前記添加剤とが化学結合し消光した分子を有する第1発光層と、
前記第1発光層の上に形成された第2発光層であって、前記第1画素電極及び前記第3画素電極の上に第2ホスト材料及び第2ドーパント材料を有するとともに、前記第2画素電極の上に前記第2ドーパント材料の異性体である第3ドーパント材料を有する第2発光層と、
前記第2発光層の上に形成された対向電極と、
を具備し、前記第1画素電極上では前記第1ドーパント材料が発光し、前記第2画素電極上では前記第3ドーパント材料が発光し、前記第3電極上では前記第2ドーパント材料が発光することを特徴とする有機EL表示装置。
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