JP6963163B2 - Ｅｌ表示パネルの製造方法およびｅｌ表示装置 - Google Patents
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Description
本発明は、ＥＬ表示パネルに関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro-Luminescence。以下、ＥＬ、またはＯＬＥＤと呼ぶことがある。）素子などを有し、カラー画像表示に適するＥＬ表示パネルと表示装置、ＥＬ表示パネルの製造方法およびＥＬ表示パネルの製造装置に関するものである。
有機ＥＬ素子をマトリックス状に備えたアクティブマトリックス（Active-Matrix、以下、ＡＭ）型ＥＬ表示パネルが表示パネルに用いられ、ＥＬ表示パネルが用いられたテレビ、スマートフォン等が商品化されている。
図６０は、従来のＥＬ表示パネルの構造図（断面図）である。画素電極１５の周辺部には土手５０１が形成されている。土手５０１は、画素電極１５に蒸着する際、蒸着する各層の構成材料が隣接した画素電極１５間で混合されることを防止するとともに、ファイン蒸着マスク１１２が画素電極１５等に接触することを防止する。
ＥＬ表示パネルは、ＥＬ素子２２をマトリックス状に配置して画像表示するものである。ＥＬ素子２２は、通常、ガラス板、樹脂板等の透明基板に形成された画素電極１５上に正孔輸送層（ＨＴＬ）１６、発光層（ＥＭＬ）１７、電子輸送層（ＥＴＬ）１８などの有機材料の積層構造を有し、この積層構造を挟持して形成した光透過性を有する画素電極１５、カソード電極１９で構成される。画素電極１５であるアノード電極とカソード電極１９の間に電圧を印加することにより、ＥＬ素子（発光素子）２２が発光する。
図６１〜図６４は、従来のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。ＥＬ表示パネルは、主として低分子のＥＬ材料が採用されている。従来のＥＬ表示パネルの製造方法において、低分子のＥＬ材料は蒸着工法によりパネルの画素電極１５上に蒸着される。蒸着の際、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色のＥＬ材料を、対応する画素に蒸着させるために、ファイン蒸着マスク１１２が使用される。ファイン蒸着マスク１１２は、対応する画素形状にあわせて、ファインピッチの穴が開口された金属または樹脂からなるマスクである。
図６１に図示するように、画素電極１５には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６が形成される。次に、赤（Ｒ）色用のファイン蒸着マスク１１２Ｒが、土手５０１に接するように配置される。赤（Ｒ）色用のファイン蒸着マスク１１２Ｒは、赤（Ｒ）色の画素電極１５Ｒに対応する箇所だけが、開口されている。他の色の画素電極（緑（Ｇ）画素電極１５Ｇ、青（Ｂ）画素電極１５Ｂ）に対応する箇所は開口されていない。
以上のように、ファイン蒸着マスク１１２Ｒが配置された状態で、蒸発源から赤（Ｒ）色用の蒸着材料１１１Ｒが蒸発され、ファイン蒸着マスク１１２Ｒの開口部を介して、赤（Ｒ）色画素に対応する正孔輸送層（ＨＴＬ）１６の上方に赤（Ｒ）色の蒸着材料が蒸着される。
図６２は図６１の次の工程を示す説明図である。緑（Ｇ）色用のファイン蒸着マスク１１２Ｇが、土手５０１に接するように配置される。緑（Ｇ）色用のファイン蒸着マスク１１２Ｇは、緑（Ｇ）色の画素電極１５Ｇに対応する箇所だけが、開口されている。他の色の画素電極（赤（Ｒ）画素電極１５Ｒ、青（Ｂ）画素電極１５Ｂ）に対応する箇所は開口されていない。
以上のように、ファイン蒸着マスク１１２Ｇが配置された状態で、蒸発源から緑（Ｇ）色用の蒸着材料１１１Ｇが蒸発され、ファイン蒸着マスク１１２Ｇの開口部を介して、緑（Ｇ）色画素に対応する正孔輸送層（ＨＴＬ）１６の上方に緑（Ｇ）色の蒸着材料が蒸着される。
図６３は図６２の次の工程を示す説明図である。青（Ｂ）色用のファイン蒸着マスク１１２Ｂが、土手５０１に接するように配置される。青（Ｂ）色用のファイン蒸着マスク１１２Ｂは、青（Ｂ）色の画素電極１５Ｂに対応する箇所だけが開口されている。他の色の画素電極（赤（Ｒ）画素電極１５Ｒ、緑（Ｇ）画素電極１５Ｇ）に対応する箇所は開口されていない。
以上のように、ファイン蒸着マスク１１２Ｂが配置された状態で、蒸発源から青（Ｂ）色用の蒸着材料１１１Ｂが蒸発され、ファイン蒸着マスク１１２Ｂの開口部を介して、青（Ｂ）色画素に対応する正孔輸送層（ＨＴＬ）１６の上方に青（Ｂ）色の蒸着材料が蒸着される。
図６４は図６３の次の工程を示す説明図である。赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光層１７の上方に、電子輸送層（ＥＴＬ）１８が蒸着される。次に、電子輸送層（ＥＴＬ）１８にマグネシウム・銀（ＭｇＡｇ）などからなるカソード電極（陰極）１９が形成される。カソード電極（陰極）１９の上方には封止樹脂（封止層）２０が形成される。ＴＦＴ基板１１には、薄膜トランジスタ（thin film transistor：TFT）などが形成されている。
以上のように、ＴＦＴ基板１１上に形成する各画素電極１５には、ファイン蒸着マスク１１２と呼ばれる金属材料で構成したマスクを用い、ＥＬ材料が蒸着工法で形成される。
しかし、ファイン蒸着マスク１１２は、ＥＬ材料を蒸着させる画素位置に対応させて、位置決めする必要がある。ファイン蒸着マスク１１２の位置決めは、表示画面が高精細化になるほど、つまり画素サイズが小さくなるほど困難になる。ファイン蒸着マスク１１２位置がずれると、画素の色が混ざる（混色）が発生し、混色が発生したＥＬ表示パネルは不良品となる。
従来のＥＬ表示パネルでは、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色のＥＬ素子の形成時に、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色のそれぞれのファイン蒸着マスク１１２を使用する。
しかし、蒸着マスクの位置ずれが発生することにより、画素に混色が発生し、ＥＬ表示パネルの製造歩留まりを低下させていた。また、蒸着マスクの位置決め機構および装置が高く、製造装置の価格が高価になるという課題が発生していた。また、蒸着マスクの位置決めに長時間を必要とするため製造タクトが長くなり、製造されるＥＬ表示パネルの価格が高くなるという課題があった。
本発明は、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の少なくとも１つの工程において蒸着マスクを使用することなしに発光層を形成する。
赤（Ｒ）色の画素電極と緑（Ｇ）色の画素電極と青（Ｂ）色の画素電極とが形成された第１の基板の上方に、ホスト材料と緑色のゲスト材料とを共蒸着させて、第１の緑（Ｇ）色の発光層を形成する。
次に、青（Ｂ）色の画素電極上の第１の緑（Ｇ）色の発光層に、紫外線帯域のレーザ光を照射し、青（Ｂ）色の画素電極上の第１の緑（Ｇ）色の発光層のゲスト材料等を改質させる。発光層へのレーザ光の照射は、真空中で実施する。
次に、第１の緑（Ｇ）色の発光層を形成した上に、ホスト材料と緑色のゲスト材料とを共蒸着させて、第２の緑（Ｇ）色の発光層を形成する。
次に、第１の緑（Ｇ）色の発光層を形成した上に、ホスト材料と緑色のゲスト材料とを共蒸着させて、第２の緑（Ｇ）色の発光層を形成する。
次に、青（Ｂ）色の画素電極上の第２の緑（Ｇ）色の発光層に、紫外線帯域のレーザ光を照射し、青（Ｂ）色の画素電極上の第２の緑（Ｇ）色の発光層のゲスト材料等を改質させる。
赤（Ｒ）色の画素電極と緑（Ｇ）色の画素電極と青（Ｂ）色の画素電極とが形成された第１の基板の上方に、ホスト材料と緑色のゲスト材料とを共蒸着させて、第１の緑（Ｇ）色の発光層を形成する。
なお、ホスト材料と緑色のゲスト材料とを共蒸着させて、緑（Ｇ）色の発光層を形成すること、前記緑（Ｇ）色の発光層にレーザ光を照射することは、複数回実施する。
次の工程で、緑色の発光層の上方に、蒸着マスクを使用せずに、青色の発光層を形成する。さらに青色の発光層の上方に、必要に応じて、電子輸送層、電子注入層を形成する。また、電子輸送層または電子注入層上に、カソード電極を形成する。
本発明の製造方法等は、少なくとも、赤、緑、青の３原色の形成工程において、ファイン蒸着マスク１１２を使用せず、発光層１７を形成し、発光層１７にレーザ光９１ｂを照射し、発光層１７のゲスト材料等を改質して、非発光状態にする。
レーザ光は10μｍ以下に集光することができるため、微細な画素であっても、画素３７形状にあわせてレーザ光を照射することができる。
レーザ光は10μｍ以下に集光することができるため、微細な画素であっても、画素３７形状にあわせてレーザ光を照射することができる。
したがって、ドナーフィルム４７をＴＦＴ基板１１に重ね、画素電極１５位置に対応させてレーザ光９１ａを照射することにより、混色の発生はなく、６００ｐｐｉ以上の高精細のＥＬ表示パネルを容易に製造できる。
また、発光層１７を改質させる時は、紫外線領域の波長のレーザ光９１ｂを発生させるレーザ装置を使用することにより、レーザ光９１ｂを照射した発光層１７のゲスト材料等を改質させることができる。混色の発生はなく、６００ｐｐｉ以上の高精細のＥＬ表示パネルを容易に製造できる。本発明はレーザ光を照射するだけであるので、６０インチ以上の大画面のＥＬ表示パネルであっても容易に製造することができる。
以下、図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。ただし、必要以上な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の説明や実質的に同一の構成に対する説明を省略する場合がある。これは、説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
同様または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、また、重複する説明は省略する場合がある。
同様または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、また、重複する説明は省略する場合がある。
図７は、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の１つであるレーザ熱転写装置の説明図である。転写有機膜４６の転写装置は、図７に図示するように、ドナーフィルム４７に照射するレーザ光を発生させるレーザ装置７４を具備する。
なお、レーザ装置７４あるいはレーザ装置７４の関連部材、制御装置、制御方法、動作等は、発光層１７を改質するレーザ装置と共通あるいは類似である。
なお、レーザ装置７４あるいはレーザ装置７４の関連部材、制御装置、制御方法、動作等は、発光層１７を改質するレーザ装置と共通あるいは類似である。
図７に図示するように、レーザ装置７４が発生したレーザ光９１は、光量調整フィルタ７１でレーザ光９１ａの強度が調整される。レーザ熱転写装置で使用するレーザ光９１ａは主として赤外波長領域のレーザ光を採用する。
光量調整フィルタ７１として、可変アッテネータが例示される。可変アッテネータは特殊な膜を付けたガラス基板を回転させる事により、透過率(反射率)を変化させる。
レーザ光９１がガラス基板を通過する際に発生する光軸シフトを解消するため、光軸シフト補正基板(平行平面基板)を配置し、透過率(反射率)を制御するガラス基板に対して対称方向に回転させることで光軸シフトを補正する。
また、光量調整フィルタ７１として、偏光ビームスプリッターを用いた可変アッテネータが例示される。偏光ビームスプリッターの手前でλ／２波長板を回転させる事により、透過率(反射率)を変化させる。キューブタイプの偏光ビームスプリッターを使用する為、光軸のシフトも最小限に抑えることができる。
レーザ装置７４が発生したレーザ光９１は必要に応じて、シリンドリカルレンズで矩形あるいは楕円形に整形する。また、スリットマスク２０１で画素形状に略一致させるように略矩形あるいは円形状に整形する。レーザスポット１７１を矩形あるいは楕円形に整形するする方法は、いずれの方法を使用してもよい。
光量調整フィルタ７１で強度が調整されたレーザ光９１は、ガルバノミラー７２に入射する。ガルバノミラー７２は、ＸＹの２次元エリア（ＴＦＴ基板１１あるいはドナーフィルム４７）にレーザ光９１を走査させる。ガルバノミラー７２ではＸおよびＹ軸方向にレーザ９１を走査させる２つのモーター（ロータリーエンコーダー）を使用している。また、レーザ９１をＴＦＴ基板１１あるいはドナーフィルム４７に結像するためのレンズとして、ｆθ（エフシータ）レンズ７３を具備している。ｆθ（エフシータ）レンズ７３は、レンズのレンズ面の曲率をかえることにより、レンズ周辺部と中心部で走査速度が一定になるように設計されている。
光量調整フィルタ７１で強度が調整されたレーザ光９１は、ガルバノミラー７２に入射する。ガルバノミラー７２は、ＸＹの２次元エリア（ＴＦＴ基板１１あるいはドナーフィルム４７）にレーザ光９１を走査させる。ガルバノミラー７２ではＸおよびＹ軸方向にレーザ９１を走査させる２つのモーター（ロータリーエンコーダー）を使用している。また、レーザ９１をＴＦＴ基板１１あるいはドナーフィルム４７に結像するためのレンズとして、ｆθ（エフシータ）レンズ７３を具備している。ｆθ（エフシータ）レンズ７３は、レンズのレンズ面の曲率をかえることにより、レンズ周辺部と中心部で走査速度が一定になるように設計されている。
ｆθレンズ７３は、材質にベリリウムを使用したベリリウムミラーを用いている。ベリリウムはアルミニウムより軽く、鉄より丈夫な金属で研磨すると紫外光から赤外線を非常によく反射するのでレーザの波長にもマッチしている。
図８は、転写装置の転写工程において、レーザ照射装置により、ドナーフィルム４７にレーザ光９１を照射する動作を説明する説明図である。なお、発光層の改質工程において、ＴＦＴ基板１１にレーザ光を照射する場合も同様あるいは類似の動作である。
転写装置の転写工程において、レーザ照射装置により、ドナーフィルム４７にレーザ光９１を照射する動作を説明する説明図である。
レーザ熱転写装置は、図７に示したように、レーザ装置７４、光量調整フィルタ７１、ガルバノミラー７２、ｆθレンズ７３を具備する。
転写装置の転写工程において、レーザ照射装置により、ドナーフィルム４７にレーザ光９１を照射する動作を説明する説明図である。
レーザ熱転写装置は、図７に示したように、レーザ装置７４、光量調整フィルタ７１、ガルバノミラー７２、ｆθレンズ７３を具備する。
また、移動ステージ７８、支持機構７６、加圧ローラー７７、制御機構７９、昇降機構８０を具備する。また、図示していないが、レーザ９１のビーム形状を整形するスリットマスクを具備する。
レーザ装置７４が発生するレーザ光９１は、光量調整フィルタ７１、ガルバノミラー７２、ｆθレンズ７３に入射する。
レーザ装置７４が発生するレーザ光９１は、光量調整フィルタ７１、ガルバノミラー７２、ｆθレンズ７３に入射する。
レーザ装置７４が発生したレーザ光９１は、ガルバノミラー７２でレーザ光の方向を変化させられ、ｆθレンズ７３により、ドナーフィルム４７の表面に照射される。
必要に応じて、ｆθレンズ７３の位置を変化させる。ｆθレンズ７３の位置を変化させることにより、レーザ光９１のフォーカス位置を変更できる。フォーカス位置を変化させると、レーザ光９１の照射範囲を変更できる。
本発明のレーザ熱転写装置は、ＴＦＴ基板１１が置かれる移動ステージ７８と制御機構７９を具備する。
本発明のレーザ熱転写装置は、ＴＦＴ基板１１が置かれる移動ステージ７８と制御機構７９を具備する。
制御機構７９の支持機構７６は、ＴＦＴ基板１１上に配置されるドナーフィルム４７を保持する。支持機構７６は、ＴＦＴ基板１１とドナーフィルム４７との間隔を調節できるように、昇降機構８０を具備する。また、移動ステージ７８には、ＴＦＴ基板１１とドナーフィルム４７間に存在するガスを外部に排出させる排気口７５を有する。
制御機構７９ａは、ドナーフィルム４７の一端部を支持する支持機構７６ａと昇降機構８０ａを備える。制御機構７９ａｂ、ドナーフィルム４７の他端部を支持する支持機構７６ｂと昇降機構８０ｂを備える。支持機構７６ａと支持機構７６ｂとは、独立して、移動ステージ７８上で昇降させることができるように構成されている。
支持機構７６ａは、ドナーフィルム４７の一端部を固定する。また、昇降機構８０ａは、移動ステージ７８上で上下に移動させる。支持機構７６ｂは、ドナーフィルム４７の他端部を固定する。また、また、昇降機構８０ｂは、移動ステージ７８上でドナーフィルム４７を上下に移動させる。
支持機構７６は、ドナーフィルム４７がＴＦＴ基板１１上に配置されるようにドナーフィルム４７を支持する。支持機構７６、昇降機構８０は、ドナーフィルム４７の両端部を支持してドナーフィルム４７をＴＦＴ基板１１に対して上下に移動させることができる。
移動ステージ７８は、図２２に図示する転写装置室１６７内に設けられており、移動ステージ７８の上面には、ＴＦＴ基板１１が配置される。
移動ステージ７８は、図２２に図示する転写装置室１６７内に設けられており、移動ステージ７８の上面には、ＴＦＴ基板１１が配置される。
移動ステージ７８は、２つの排気口（７５ａ、７５ｂ）をさらに備える。排気口７５は、転写装置室１６７内部と外部とを連結する通路を意味する。すなわち、排気口７５を通じて移動ステージ７８上に置かれるＴＦＴ基板１１と、ＴＦＴ基板１１上に配されるドナーフィルム４７との間の空間に存在するガスが、転写装置室１６７の外部に排出される。
移動ステージ７８は、移動するための駆動手段（図示せず）をさらに備えている。例えば、レーザ９１ａ、９１ｃがＴＦＴ基板１１の法線方向に照射される場合、横方向に移動ステージ７８を移動させる駆動手段（機構）を有する。
支持機構７６ａ、支持機構７６ｂは、昇降機構（８０ａ、８０ｂ）により、ＴＦＴ基板１１の法線方向に、同じ速度で上昇または下降できる。また、支持機構７６ａと支持機構７６ｂとは、ＴＦＴ基板１１の法線方向に、相異なる速度で、独立して上昇または下降できる。
支持機構７６ａはドナーフィルム４７の一端部を支持して上昇するが、支持機構７６ｂは上昇しないか、または、支持機構７６ａより遅く上昇させることができる。その逆の場合も可能である。
支持機構７６ａ、支持機構７６ｂが互いに相対的に独立して動作させることができるので、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との間隔を調節できる。
支持機構７６ａ、支持機構７６ｂが互いに相対的に独立して動作させることができるので、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との間隔を調節できる。
制御機構７９を制御することにより、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との接着工程時、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との密着性を高められ、剥離工程時には、ＴＦＴ基板１１に転写された薄膜層がはがれることを防止できる。
加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７上に配置され、ＴＦＴ基板１１に向かってドナーフィルム４７上に圧力を加えることができる。加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との接着工程時、ドナーフィルム４７にＴＦＴ基板１１に向かって圧力を加えて、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とを密着させる。
接着工程時、支持機構７６ａ、７６ｂは、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とが密着されるように下降する。加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７上にＴＦＴ基板１１に向かって圧力を加えて、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との密着性をさらに向上させる。
加圧ローラー７７は、図７に示すように、ローラー形状が例示される。ローラー形状を有する加圧ローラー７７をドナーフィルム４７上に転がすことによって、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との密着性を向上させることができる。
加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との剥離工程時、ＴＦＴ基板１１に転写された転写有機膜４６がはがれることを防止できる。
加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との剥離工程時、ＴＦＴ基板１１に転写された転写有機膜４６がはがれることを防止できる。
図９に図示するように、剥離工程時には、まず、支持機構７６ａがドナーフィルム４７の一端部を持ち上げることによって、加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７の一端部から一端部に対向する他端部に沿って移動しつつ、ドナーフィルム４７に圧力を加えることによって、ＴＦＴ基板１１に転写された転写有機膜４６が剥離工程中にはがれることを防止できる。
ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との剥離工程時は、支持機構７６ｂが停止した状態で、支持機構７６ａが上昇する。ドナーフィルム４７は支持機構７６ａに近い側からドナーフィルム４７の一端部からＴＦＴ基板１１と分離される。支持機構７６ａの上昇が増加するほど、ドナーフィルム４７の一端部からドナーフィルム４７の他端部に向かって、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とが分離される。
支持機構７６ａの上昇が完了すると、支持機構７６ｂが上昇を開始する。ドナーフィルム４７は支持機構７６ｂに近い側のドナーフィルム４７が上昇し、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１が分離される。
支持機構７６は、ＴＦＴ基板１１とドナーフィルム４７との接着工程前に、ＴＦＴ基板１１と離隔されるようにドナーフィルム４７を移動させる。排気口７５は、ＴＦＴ基板１１とドナーフィルム４７との空間に存在するガスを外部に排出させる。
支持機構７６は、ドナーフィルム４７の一端部および他端部から外部に延びる方向に引っ張る。ドナーフィルム４７を引っ張ることにより、支持機構７６は、ドナーフィルム４７がＴＦＴ基板１１に向かって垂れ下がることを防止する。
図９に図示するように、加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７を加圧しながら、ドナーフィルム４７の一端から他端に移動する。
図９に図示するように、加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７を加圧しながら、ドナーフィルム４７の一端から他端に移動する。
ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との剥離工程時、支持機構７６は、ドナーフィルム４７の一端部を持ち上げる。加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７の一端部から一端部に対向する他端部に沿って移動しつつ、ドナーフィルム４７に圧力を加えることによって、ＴＦＴ基板１１に転写された薄膜が、剥離工程中にはがれることを防止する。
本発明のＥＬ表示パネルの製造方法は、一工程として、レーザ熱転写法を利用する。レーザ熱転写法は、移動ステージ７８上にＴＦＴ基板１１を配置する工程と、ＴＦＴ基板１１と離隔されるようにドナーフィルム４７を配置する工程と、ＴＦＴ基板１１とドナーフィルム４７との間に存在するガスを除去する工程と、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とを接着する工程と、ドナーフィルム４７の転写有機膜４６をＴＦＴ基板１１に転写する工程と、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とを剥離する工程とを実施する。
図４は、本発明の実施例で使用するドナーフィルム４７の構成、およびドナーフィルム４７を用いた製造方法を説明するための説明図である。
図４は、本発明の実施例で使用するドナーフィルム４７の構成、およびドナーフィルム４７を用いた製造方法を説明するための説明図である。
ドナーフィルム４７のベースフィルム４１は透明性高分子から構成されている。このような透明性高分子としては、ポリエチレンテレフタルレートのような、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどが用いられる。特に、ポリエチレンテレフタルレートフィルムを用いることが好ましい。
ドナーフィルム４７のベースフィルム４１は、支持フィルムとしての光学的性質と機械的強度性を有しなければならない。機械的強度性を保有するためには、ベースフィルム４１の厚さは１０〜５００μｍであることが好ましい。
ベースフィルム４１に光学変換膜４３が形成される。光学変換膜４３は、赤外線−可視光線領域のレーザ光９１ａ等を吸収して光の一部を熱に変換させる層である。光学変換膜４３は、光吸収性物質を含む。
光学変換膜４３として、例えば、アルミニウム酸化物またはアルミニウム硫化物を光吸収性物質に含む金属膜、カーボンブラック、黒鉛や赤外線染料を光吸収性物質に含む高分子有機膜がある。金属膜の場合は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパッタリングを用いて１００〜５、０００Åの厚さに形成することが好ましく、有機膜の場合は、一般のフィルムコーティング方法であるロ−ルコーティング(ｒｏｌｌ ｃｏａｔｉｎｇ)、グラビア(ｇｒａｖｕｒｅ)、圧出(ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ)、スピン(ｓｐｉｎ)、およびナイフ(ｋｎｉｆｅ)コーティング方法を用いて０．１〜１０μｍの厚さに形成することが好ましい。
また、光学変換膜４３として、鉄・コバルト・ニッケルなどの金属磁性体を用いることもできる。その他、ネオジム磁石、サマリウムコバルト磁石の材料物質も用いることができる。
光学変換膜４３上に中間膜４４を形成することができる。中間膜４４は、光学変換膜４３に含まれた光吸収性物質、例えば、カーボンブラックが後続の工程に形成される転写有機膜４６を汚染することを防止する役割をする。
中間膜４４はアクリル樹脂またはアルキド樹脂で形成することができる。中間膜４４の形成は、溶媒コーティングなどの一般のコーティング方法と紫外線硬化方法などによって行われる。
光学変換膜４３上に中間膜４４を形成する場合は、中間膜４４上にさらにバッファ膜４５を形成することが好ましい。
光学変換膜４３上に中間膜４４を形成する場合は、中間膜４４上にさらにバッファ膜４５を形成することが好ましい。
バッファ膜４５は、転写有機膜４６に形成される有機膜などの損傷を防止し、転写有機膜４６とベースフィルム４１、光学変換膜４３と転写有機膜４６、または、中間膜４４が形成された場合には中間膜４４と転写有機膜４６との接着力を効果的に調節するために形成される。
バッファ膜４５は、金属層、金属酸化物層に形成することができる。金属層である場合には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパッタリングを用いて形成し、金属酸化物層である場合には、一般のフィルムコーティング方法である圧出、スピンコーティング方法を用いて形成するか、または、金属層を形成した後に表面を酸化させて形成することができる。
バッファ膜４５が金属である場合は、マグネシウム(Ｍｇ)またはマグネシウム合金(Ｍｇ−Ａｌｌｏｙ)に形成し、金属酸化物である場合はマグネシウム酸化物(ＭｇＯ)に形成する。また、バッファ膜４５は、鉄・コバルト・ニッケルなどの金属磁性体を用いることもできる。
バッファ膜４５は、レーザビーム透過率が２０％以下の金属または金属酸化物を用いており、また、バッファ膜４５の厚さは１μｍ以下に形成する。
バッファ膜４５は、レーザビーム透過率が２０％以下の金属または金属酸化物を用いており、また、バッファ膜４５の厚さは１μｍ以下に形成する。
バッファ膜４５は、レーザ光のエネルギーおよび光学変換膜４３の熱エネルギーを転写有機膜４６の材料に伝達しないものとして、材料の熱的変形を防止するだけでよく、あまり厚すぎると光熱変換膜の膨張時に金属層が膨張しなくなるので転写特性に影響を与えることになる。
バッファ膜４５は、転写有機膜４６とドナーフィルム４７との接着力を向上させて、転写有機膜４６に転写される領域以外に付着してしまうことを防止する。
バッファ膜４５は、転写有機膜４６とドナーフィルム４７との接着力を向上させて、転写有機膜４６に転写される領域以外に付着してしまうことを防止する。
バッファ膜４５上に転写有機膜４６が形成される。転写有機膜４６は、発光層１７、正孔注入層、正孔輸送層１６、電子注入層、電子輸送層１８どの有機膜からなる群より選択される１つの単層膜または１つ以上の多層膜に形成することができる。
本明細書では、転写有機膜４６が形成される。転写有機膜４６は、発光層１７であるとして説明をする。また、発光層１７は低分子有機ＥＬ材料からなる発光層であるとして説明をする。ただし、発光層１７は、インクジェット方式で形成する高分子有機ＥＬ材料であってもよいことは言うまでもない。
低分子物質を含む有機膜は、一般に接着力がよくないため、バッファ膜４５を導入することで、転写特性が改善される。また、低分子物質のうちには、熱的安全性が低いものがある。低分子物質を含む転写有機膜４６の場合は、転写工程において光学変換膜４３から発生する熱によって転写有機膜４６が損傷される現象がある。バッファ膜４５は熱を調節することができるので、このような熱損傷を防止することができる。
発光層１７、正孔注入層、正孔輸送層１６、電子注入層、電子輸送層１８などの有機膜は、一般に用いられる材料であれば、すべて使用できる。本発明では、発光層１７を転写有機膜４６として形成し、発光層１７を転写して画素電極１５の上方に形成する場合を例示して説明をする。
転写有機膜４６の形成は、一般的なコーティング方法である圧出、スピン、コーティング方法、真空蒸着法またはＣＶＤなどの方法を用いて１００〜５０ｋÅ（オングストローム）の厚さにコーティングされる。
ドナーフィルム４７上に光学変換膜４３、中間膜４４、バッファ膜４５を塗布したドナーフィルム４７およびドナーフィルム４７の上部に転写有機膜４６が形成されている。
一実施態様として、転写有機膜４６は、有機薄膜形成用物質をコーティングして製造する。製造時、様々な特性を改善するために、所定含量の添加物質が添加してもよい。たとえば、発光層の効率を高めるためにドーパント(ｄｏｐａｎｔ)が添加することが例示される。
転写有機膜４６としては、１つの有機層ではなく２つ以上の有機層を、必要に応じて積層することができる。
転写有機膜４６としては、１つの有機層ではなく２つ以上の有機層を、必要に応じて積層することができる。
ＴＦＴ基板１１と所定間隔分に離隔された位置にドナーフィルム４７を配置した後、ドナーフィルム４７に赤外領域線の波長あるいは可視領域の波長のレーザ光９１ａを照射する。
レーザ光９１ａは、ベースフィルム４１を通過して光学変換膜４３を加熱し、光学変換膜４３は、熱を放出する。
レーザ光９１ａは、ベースフィルム４１を通過して光学変換膜４３を加熱し、光学変換膜４３は、熱を放出する。
光学変換膜４３は膨張し、転写有機膜４６がドナーフィルム４７から剥離する。剥離した転写有機膜４６は、ＴＦＴ基板１１の画素電極１５の上方に発光層１７として堆積する。実施例として正孔輸送層(ＨＴＬ)１６上に発光層（ＥＭＬ）１７として堆積される。堆積した発光層１７の厚みは、転写有機膜４６の厚みに比例する。したがって、転写有機膜４６の厚みを規定することにより、発光層１７の膜厚を規定することができる。また、複数のドナーフィルム４７を使用し、転写有機膜４６を複数回に、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６上に転写してもよい。複数回の転写により、発光層１７の膜厚を規定の膜厚に精度よく形成できる。
バッファ膜４５を形成し、レーザ熱転写時にドナーフィルム４７と転写有機膜４６との間の接着力を向上させることにより、転写有機膜４６を転写する位置以外の部分に、転写有機膜４６が付着しないようにすることができる。したがって、転写パターン特性を向上させることができる。
レーザ光９１ａとしては、固体、ガス、半導体、染料などのすべての汎用のレーザ９１ａを使用されることができる。レーザ９１ａのビーム形状も円形のビームまたはその他のあらゆる形状のビームが用いられる。中でも、波長が８００ｎｍ以上の赤外線領域の波長のレーザ光を用いることが好ましい。たとえば、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザ、炭酸ガスレーザが例示される。ヘリウムネオン（Ｈｅ−Ｎｅ）レーザも採用することができる。
図１２は、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置のうち、蒸着装置の構成図である。本発明のＥＬ表示パネルの蒸着装置は、金属蒸発源１２７、有機蒸発源１２８を備えた蒸着室１２６を有する。蒸着室１２６には、ＴＦＴ基板（被蒸着部材）１１を保持するための移動ステージ７８と、ＴＦＴ基板１１を所定温度に保持あるいは調整する温度調整板１２３、金属蒸発源１２７、有機蒸発源１２８を加熱する熱源（ヒータ）(図示せず)、真空ポンプ（真空排気手段）１２４、真空ポンプ１２４と蒸着室１２６とを結ぶ排気ダクト１２５、ガス導入ノズル（図示せず）とを備えている。
成膜装置１６６の蒸着室１２６、転写装置室１６７およびレーザ装置室１６８の真空度は、１×１０−３Ｐａ以上の真空度に保つことが好ましい。さらに好ましくは１×１０−４Ｐａ以上の真空度に保つことが好ましい。
有機分子は酸素存在下で加熱すると、酸化反応が進み炭化してしまうことが多い。しかし、高真空下では沸点降下現象により沸点（昇華点）は低下するが、有機分子を構成するＣ−Ｃ結合などの化学結合を解離・分解するエネルギーは影響を受けない。そのため、大気中では分解することなく昇華（蒸発）することができない有機材料も、酸素も取り除かれた高真空状態で加熱することによって、容易に昇華させ基板上へ薄膜を製膜することが可能となる。
また、蒸着された有機材料にレーザ光を照射しても、酸素も取り除かれた高真空状態であるため、有機材料は必要な化学的変化のみ等が促進される。したがって、酸化反応が進み炭化してしまうことがない。
真空ポンプ１２４は、オイルミストや熱分解したオイル成分が、きわめてわずかであるが真空チャンバー内へ混入して不純物として振る舞うために、水分を効果的に除去できるクライオポンプや、メンテナンスがほぼ必要のないターボ分子ポンプと液体窒素トラップを組み合わせたドライな排気系を採用している。
本発明の有機ＥＬパネルの製造装置は、真空一貫で作製したＥＬ表示パネルを、大気に曝すことなく酸素や水分濃度が０．１ｐｐｍ以下のグローブボックスへ取り出し、ガラスやアルミ缶などのガスバリア性の高い封止キャップとＵＶ硬化樹脂を用いて封止まで行うように製造する。
有機ＥＬ素子は、高度に機能分離された積層構造やドーピングが必要不可欠なため、本発明は多元蒸着源を具備している。さらに、限られた空間の中に蒸着源を多数設置することから、互いに干渉をしないためにも、相互の蒸着源を汚染しないためにも蒸着源の間は仕切板で分離されている。
また、２種類の有機材料を共蒸着法により製膜できるように、２つの蒸着電源および膜厚計がホスト材料用とゲスト材料用にそれぞれ必要となる。蒸着源は輻射熱の影響を避け、基板近傍で有機材料の蒸気を均一化するために、基板から３０ｃｍ以上離れた位置に配置する。
蒸着源が複数設置される場合には、蒸着源を基板直下に集中することができないため、膜厚のムラの発生が危惧される。本発明の製造装置および製造方法では１０〜１２ｒｐｍの速度で基板を回転させることにより、膜厚のムラの発生を防止している。
有機材料の有機蒸着源１２８には、Ｗ（タングステン）、Ｔａ(タンタル)、Ｍｏ（モリブデン）等金属製の昇華ボートに材料を投入し、金属製ボートに電流を流し、その金属の抵抗により発熱させる単純な抵抗加熱方式を採用してもよいし、石英や黒鉛、ＢＮ等でできたるつぼをタングステン（Ｗ）ヒーターで加熱する簡易Ｋセルタイプを採用してもよい。
金属の金属蒸着源１２７にも様々なボートがあるが、蒸着ボートと合金を作る金属もあり、ボートの材質の選択が必要なものがある。有機デバイスに一般的に用いられるＭｇやＡｇ、Ｃａ、電子注入層に用いられるＬｉＦなどは、ＷやＴａと合金を作らないため、粉末状の材料であればボックス型ボート、ある程度の固まり状であれば、安価なＶ字型Ｗ製ボートなどがよい。
蒸着電源は、共蒸着ができるように、有機材料、金属材料用共に２式以上準備することが望ましい。抵抗加熱方式の場合、蒸着電源は１０Ｖ、１００Ａ程度の出力パワーがあれば、ＰｔやＴａなど高融点金属材料を除いたほとんどの金属材料や４５０℃以上の昇華温度を有する有機物も蒸着できる。
真空蒸着の場合は、蒸発源の電流（もしくは蒸着ボートの温度）を一定に保持しても蒸着速度は一定になることはない。また微量のゲスト材料をホスト材料に共蒸着させるには、精密に蒸着速度を制御しなければならない。
膜厚の測定には、真空下で使用でき、オングストローム（Å）オーダーの膜厚計測が可能な水晶振動子式膜厚計を用いる。水晶振動子の固有振動数は非常に安定している。このような性質を持つ水晶振動子に交流電場を印加すると、水晶振動子の固有振動数と交流電場の振動数が等しくなったところで共振現象が起こる。
この水晶振動子表面に物質が蒸着されると、水晶振動子の固有振動数は低い振動数の方向に変化する。この変化量は蒸着物質の質量に比例する。つまり、共振周波数の変化を精度よく検出すれば、蒸着物の付着質量を膜厚に換算して膜厚が測定できることになる。
水晶振動式膜厚モニターは、蒸着物の密度を入力し、z-ratioと呼ばれる水晶振動子と蒸着物質の音響インピーダンスの補正を行うパラメーターを入力、さらに、触針式の膜厚計やエリプソメーターによって膜厚を実測し、水晶振動子式膜厚計のモニター値のズレを補正（Tooling Factor）する必要がある。
実際に水晶振動子に付着した蒸着物の質量を、オングストロームオーダーの膜厚として検出できる水晶振動子式膜厚計は、水晶振動子に入射する蒸着材料の量に非常に敏感になるため、膜厚補正した水晶振動子検出器の位置や角度の固定には十分に注意を払い、定期的にTooling Factorの再補正を行う必要がある。
なお、成膜装置１６６、レーザ装置室１６８は、被蒸着部材の洗浄を行うマッチングボックス（図示せず）や、蒸着室１２６内の真空度を測定する真空計等を有していてもよい。また、ゲートバルブ（図示せず）を介して蒸着室１２６に隣接した真空度の調整が可能なロードロック(Load Lock)室（図示せず）を設けてもよい。
ロードロック室１６２を、予め真空度を上げておくことによって、金属蒸発源１２７、有機蒸発源１２８による蒸着終了後、金属蒸発源１２７、有機蒸発源１２８をロボットやベルト（いずれも図示せず）等を用いてロードロック室１６２に回収し、他の蒸発源と交換することによって真空を破ることなく簡便に材料交換を行うことが可能となる。
これにより、複数の層が積層されたＥＬ素子２２を効率よく成膜することができる。また、大気に暴露されることなく同一の蒸着装置内において連続して行うことが可能となるため、大気中の水分、酸素による有機層の劣化が防止される。
有機蒸発源１２８は、有機材料を高周波誘導加熱方式により加熱して蒸発させ、ＴＦＴ基板１１に蒸着させる。有機蒸発源１２８は、有機材料を充填する容器と、この容器の周囲に配設される誘導コイルとから成る。容器はセラミックス製である。
セラミックス製の容器は具体的には、石英，窒化アルミニウム，窒化ホウ素，窒化ケイ素，炭化ケイ素または酸化アルミニウム製のものを採用すると良い。本実施例においては、容器として石英製のるつぼを採用している。なお、容器として、るつぼを採用しているが、この容器はどのような形状でも良く、例えばボート型であっても良い。
蒸着室１２６の上部にＴＦＴ基板１１（例えばガラス基板）を設けると共に膜厚センサー（図示せず）を設け、この膜厚センサーによりレートを測定しつつ、高周波電源の出力制御を行って誘導加熱を昇温・降温制御して、有機材料あるいは金属材料をＴＦＴ基板１１上に成膜する。
複数の有機薄膜をＴＦＴ基板１１上に積層する場合、容器が一個しか配設されていない場合には異なる有機材料が充填された容器を順次取り替えることで、また、複数の容器が配設されている場合には、この容器を順次ローテーションさせながら蒸着することで複数の有機薄膜を積層する。このようにして、例えば有機ＥＬ素子を形成するために用いられる有機ＥＬ材料をＴＦＴ基板１１上に順次、積層させる。
本実施例においては、予め、所定温度で所定時間、有機材料をＴＦＴ基板１１上に蒸着し、成膜された有機薄膜の膜厚を測定し、この膜厚から単位時間当たりの蒸着量、すなわち蒸着レートを算出しておくことで容器または有機材料の温度を制御して蒸着レートを制御できるように設定している。
例えば、容器（るつぼ等）を蒸着室１２６内に複数設け、この容器の一方にはホスト材料を、他方にはゲスト材料を充填し、このホスト材料とゲスト材料とを同時に蒸発させる。ＴＦＴ基板１１上に任意の割合で混合しえる共蒸着法の蒸発源に設定した場合、水晶振動子式レートモニターのみでは困難なホスト材料とゲスト材料の夫々の蒸着レートの制御を、一方を温度制御により制御する。他方を通常通り水晶振動子式レートモニターにより制御しても、双方の蒸着レートを容易かつ精密に制御できることになり、組成比が極めて良好な有機薄膜を容易に成膜することが可能となる。
上述したようにホスト材料とゲスト材料の一方を温度制御により長時間安定して制御することができる。例えば、有機ＥＬ素子の形成に用いられる有機ＥＬ材料を有機材料に採用し、ホスト材料にゲスト材料を極少量添加する必要がある場合であっても、極めて精密に蒸着レートを制御することができ、理想的な有機薄膜をＴＦＴ基板１１上に容易に成膜することができる。
図２２に図示するレーザ装置室１６８には、レーザ装置７４が配置されている。レーザ光の発生装置（レーザ装置）７４は、Ａ紫外線（ＵＶ−Ａ)近傍の３１０以上４００ｎｍ以下の波長の光を発生し、発生した光を所定の画素電極１５上に照射する機能を有する。
紫外線（ＵＶ）を発生するレーザ装置７４（以降、ＵＶレーザ装置と呼ぶ）は、光子の持つエネルギーが大きいため、結合の弱い部分を持つ材料（主に有機物）に照射すると分子結合を直接解離する光分解加工が行える。光分解加工はワークに当たったエネルギーが加熱ではなく、分解に主に使われるので加工面が極めてシャープとなる。紫外線領域の波長の光を発生するレーザ装置として、紫外線レーザ（ＹＡＧレーザの３倍波、４倍波）、固体紫外線（ＵＶ）レーザ、エキシマレーザなどが例示される。
レーザ光９１ｂを集光させて加工位置に照射することができるため、加工位置の有機材料などを容易に蒸発させることができる。有機材料などを蒸発させる際は、真空中で行うため、有機材料は炭化することがなく、加工周辺部に影響を与えない。
なお、レーザ光９１ｂは、ＴＦＴ基板１１の上方から照射できるように構成されている。レーザ光９１ｂによりゲスト材料が加熱され、加熱されたゲスト材料が昇華しても、周辺部に付着することを抑制するためである。
紫外線領域の波長のレーザ光９１ｂは波長が短いため、レーザ光９１ｂのスポット径を小さくできる。また、加工に用いるエネルギー量を、高精細の画素に集光できるため、超高精細のＥＬ表示パネルの画素の上方に有機材料の加工（光分解加工等）を行うことができる。
なお、本明細書において、理解を容易にするため、レーザ光９１ｂ、９１ｃは主として４１０ｎｍ以下の紫外線領域の波長の光を使用するが、これに限定するものではない。たとえば、４１０ｎｍ〜４９０ｎｍの青（Ｂ）色領域の波長の光もレーザ光９１ｂ、９１ｃとして使用できる。
また、必要に応じて、図１４に図示するように、ｆθレンズ７３の位置を変化させる。ｆθレンズ７３の位置を変化させることにより、レーザ光９１ｂのフォーカス位置を変更できる。フォーカス位置を変化させると、レーザ光９１ｂの照射範囲（レーザスポット１７１など）を変更できる。たとえば、画素の幅が５０μｍと、１００μｍに対して、フォーカス位置を変化させることにより、１つのレーザ装置で、５０μｍｈ幅と１００μｍ幅の両方の画素形状に対応することができる。
画素の幅が１００μｍに対応する場合は、単位面積あたりのレーザ光強度が低下するが、光調整フィルタ４３１を可変することにより容易に対応することができる。
図１３では、ＴＦＴ基板１１の上側からレーザ光９１ｂを照射している。有機材料を改質させる方式では、ＴＦＴ基板１１の上側からでも下側からでもいずれでもよい。
本明細書に記載する「改質する」あるいは「改質させ」とは、ゲスト材料のバンドギャップはホスト材料のバンドギャップよりも大きく、ゲスト材料とホスト材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの相対的な配置は、ＨＯＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも低く、ＬＵＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、のうち少なくとも１つ以上の関係を発生する、あるいは、少なくとも１つ以上の関係に変化させることである。
また、「改質する」あるいは「改質させ」とは、発光層１７が消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなることである。あるいは、ゲスト材料に紫外線等の光を吸収させ、ゲスト材料のバンドギャップを、可視光を発光するエネルギーギャップ領域よりも大きくすることで、発光層１７が消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなることである。
また、「改質する」あるいは「改質させ」とは、発光層１７を構成する成分の少なくとも一部、例えばゲスト（ドーパント）材料あるいはホスト材料が、分解または重合を生じるか、または分子構造に変化を生じ、物理的性質の相違を生じることである。
また、「改質する」あるいは「改質させ」とは、ゲスト（ドーパント）材料あるいはホスト材料が、蒸発等し、蒸着された箇所から除去されることである。あるいは、ＥＬ素子を構成する各物質層が、変質すること、蒸発することにより除去されることである。
レーザ光９１ｂで有機材料を除去させる場合は、ＴＦＴ基板１１の上側からレーザ光９１を照射することが好ましい。除去した有機材料は上方向に蒸発する。ＴＦＴ基板１１の下側からレーザ光９１ｂを照射すると、除去した有機材料がＴＦＴ基板１１に付着する場合があるからである。
図１５に図示するように、ＴＦＴ基板１１の位置を変化させることにより、レーザ光９１ｂのフォーカス位置を変更できる。フォーカス位置を変化させると、レーザ光９１ｂの照射範囲を変更できる。たとえば、１つのレーザ装置で、５０μｍと１００μｍの両方の画素形状に対応することができる。画素の幅が１００μｍに対応する場合は、単位面積あたりのレーザ光９１ｂの単位面積あたりの強度が低下するが、光量調整フィルタ７１を可変することにより容易に、単位面積あたりのレーザ光強度を調整することができる。
図１３などは、レーザ光９１ｂを走査してＴＦＴ基板１１に照射する実施態様であったが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図１６に図示するように、レーザ装置７４が発生するレーザ光９１ｂをレンズ９２ａで光の角度を広げ、レンズ９２ｂで平行光にして、スリットマスク２０１を介してレーザ光９１ｂをＴＦＴ基板１１に照射してもよい。
レーザ装置７４としては、一例として、オプトピア株式会社が製品化しているレーザ・リフト・オフ（ＬＬＯ）装置に用いられているレーザ装置を使用することができる。レーザ・リフト・オフ装置のレーザ装置は、固体紫外線（ＵＶ）レーザである。レーザ波長は３４３ｎｍ、ラインビーム長は７５０ｍｍである。したがって、大型のＥＬ表示パネルであっても、１画素列（画面の上端から下端）に、一度のレーザスポット１７１でレーザ光９１を照射することができる。長軸ビーム均一性は２％σ以下であり、ライン幅は３０μｍ、エネルギー密度は２５０ｍＪ／ｃｍ２、パルス幅は１５ｎｓである。
日本製鋼所株式会社のレーザ・リフト・オフ装置に使用されているレーザ装置も使用できる。レーザ装置は、３５５ｎｍの固体レーザを用いたもの、３０８ｎｍのエキシマレーザを用いたもののいずれでもよい。メンテナンスを含め、コストを重視する場合は前者、大出力照射（２１０ｍＪ／ｃｍ２）が容易なことから生産性を重視する場合は後者がよい。スループットは、生産性が高いエキシマレーザは６０ｍｍ／ｓである。
なお、レーザ光の波長は、ホスト材料が吸収しにくく、ゲスト材料が吸収しやすい波長を選定する。好ましくは、ホスト材料の吸収率が２５％以下、かつ、ゲスト材料の吸収率が７５％以上となる波長のレーザ光を選定する。
また、レーザ装置のレーザ光は、発光層等の有機材料を化学変化等させるために使用するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、パネルのサイズに切り出すことに使用してもよい。一連のカット工程はレーザで行う。
オプトピア株式会社のレーザ・リフト・オフ（ＬＬＯ）装置のレーザ装置において、ライン幅は３０μｍである。画素の横幅がライン幅が３０μｍ以上の場合は、レーザ光９１を照射する位置をずらせてレーザスポット１７１を行う。以上のように、１画素列には、少なくも１レーザスポット１７１を照射する。
また、たとえば、画素の横幅が３０μｍ以下で、レーザ光のライン幅を画素に照射すると、隣接した画素列にレーザ光９１が照射される場合は、図２０に図示するように、スリットマスク２０１を使用して、隣接した画素列にレーザ光９１が照射されないようにする。
スリットマスク２０１をＥＬ表示パネルの全体にわたり、スリットマスク２０１のスリット（溝）を画素列位置に位置合わせすることは困難を伴う場合がある。特に、ＥＬ表示パネルが大画面でかつ、高精細画素の場合である。
この場合は、図２１に図示するように、複数のスリットマスク２０１を使用する。図２１はスリットマスク２０１ａ、スリットマスク２０１ｂを使用した一例である。
スリットマスク２０１ａ、２０１ｂは、画素列単位の幅のスリット（溝）が形成されている。たとえば、１画素列幅のスリット、２画素列幅のスリットが形成されている。また、スリットマスク２０１には複数の画素列に対応するスリットが形成されている。
スリットマスク２０１ａ、２０１ｂは独立に移動（位置合わせ）することができる。スリット位置にあわせて、レーザ光９１ｂが照射される。スリットマスク２０１はスリット位置をＴＦＴ基板１１の画素列位置に位置合わせを行う。
図２１（ａ）は、ＴＦＴ基板１１の中央部にスリットマスク２０１ａ、２０１ｂが位置合わせされている。説明を容易にするために、１つのスリットマスク２０１は、ＴＦＴ基板１１の１／４の面積に作製されているとする。
図２１（ａ）において、レーザ光９１ｂは、スリットマスク２０１ａのスリット（画素列位置に対応）に、順次、照射する。次に、図２１（ｂ）に図示するように、レーザ光９１ｂは、スリットマスク２０１ｂのスリット（画素列位置に対応）に、順次、照射する。
次に、図２１（ｃ）に図示するように、スリットマスク２０１ｂにレーザ光９１ｂが照射されている期間内に、スリットマスク２０１ａは、ＴＦＴ基板１１の左端の表示画面３６の位置に移動し、位置決めされる。
次に、図２１（ｄ）に図示するように、スリットマスク２０１ａにレーザ光９１ｂが照射されている期間内に、スリットマスク２０１ｂは、ＴＦＴ基板１１の右端の画面位置に移動し、位置決めされる。最後に、スリットマスク２０１ｂにレーザ光９１ｂが照射される。
以上にように、複数のスリットマスク２０１を使用し、レーザ光９１ｂが照射されていないスリットマスク２０１を移動させて先行的に位置決めすることにより、レーザ装置７４は連続してレーザ光９１ｂを照射することができる。したがって、レーザ光９１ｂの照射工程での作業時間を短縮することができる。
また、１つのスリットマスク２０１は、ＴＦＴ基板１１の一部の画面に配置される。したがって、スリットマスク２０１が担当するＴＦＴ基板１１の面積は、ＴＦＴ基板１１の１／ｎ（ｎは、２以上の実数）でよいため、スリットの位置精度は比較的ラフでもよい。
以上、図１３、図１４、図１５、図１６、図２１、図２２、図２３、図２５などで説明した事項は、転写装置のレーザ装置、および転写装置のレーザ装置のレーザ光９１ａ、レーザ光９１ｂにも適用できることは言うまでもない。
図１、図２は、本発明のＥＬ表示パネルの等価回路図である。赤（Ｒ）色の画素３７Ｒ、緑（Ｇ）色の画素３７Ｇ、青（Ｂ）色の画素３７Ｂが、表示画面３６にマトリックス状に配置されている。各画素３７には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２１、コンデンサ２３、ＥＬ素子２２が形成されている。ＴＦＴ２１ａはソースドライバ回路３２が出力する映像信号を、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子に供給するスイッチ素子として機能する。ＴＦＴ２１ｂはＥＬ素子２２に電流を供給する駆動用トランジスタとして機能する。
各画素３７のＴＦＴ２１ａのゲート端子はゲート信号線３４に接続され、ＴＦＴ２１ａのソース端子またはドレイン端子は、ソース信号線３５または駆動用トランジスタであるＴＦＴ２１ｂのゲート端子と接続されている。
ゲート信号線３４またはソース信号線３５、もしくはゲート信号線３４とソース信号線３５の両方の配線材料として、銅配線または銅合金配線を採用できるプロセスを実施することが好ましい。信号線の配線抵抗を低減でき、より大型のＥＬ表示パネルを実現できるからである。
特に、ゲートドライバ回路３１が駆動（制御）するゲート信号線３４は、低抵抗値化すること好ましい。銅配線は、Ti-Cu-Tiの３層構造を採用することが好ましい。
駆動用トランジスタであるＴＦＴ２１ｂのソース端子またはドレイン端子は、アノード電圧Ｖｄｄが印加されている電極またはＥＬ素子２２のアノード端子と接続されている。
ＥＬ素子２２のアノード端子は、駆動用トランジスタ２１ｂのドレイン端子またはソース端子と接続され、ＥＬ素子２２のカソード端子はカソード電位Ｖｓｓが印加されたカソード電極と接続されている。
ソースドライバＩＣ（回路）３２は、ソース信号線３５に映像信号を出力する。ゲートドライバＩＣ（回路）３１は、ゲート信号線３４にＴＦＴ２１ａをオンまたはオフさせる電圧を出力する。オンまたはオフさせる電圧の出力ゲート信号線は、垂直同期クロックによりシフトされる。
また、ゲートドライバ回路３１は、Ｐチャンネルトランジスタと、コンデンサを用いてシフトレジスタを構成し、また、出力バッファ回路を構成してもよい。つまり、Ｎチャンネルトランジスタを用いない。Ｐチャンネルトランジスタのみ構成することにより、プロセスで使用するマスク数が少なくなり、パネルの低コスト化を実現することができる。
本明細書では、駆動用トランジスタ２１ｂ、スイッチ用トランジスタ２１ａは、薄膜トランジスタとして説明するが、薄膜トランジスタに限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。たとえば、シリコンウエハでトランジスタを構成し、剥がしてガラス基板に転写したものが例示される。
また、シリコンウエハでトランジスタチップを形成し、ガラス基板のボンディング実装した表示パネルが例示される。その他、樹脂基板にトランジスタを構成した基板も例示される。
トランジスタ２１は、もちろん、ＦＥＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。
トランジスタ２１は、もちろん、ＦＥＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。
トランジスタ２１は、高温ポリシリコン(HTPS : High-temperature polycrystalline silicon)、低温ポリシリコン(LTPS : Low-temrature poly silicon)、連続粒界シリコン(CGS : Continuous grain silicon)、透明アモルファス酸化物半導体(TAOS : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)、アモルファスシリコン（AS : amorphous silicon）、赤外線RTA（RTA : rapid thermal annealing）で形成したもののうち、いずれでもよい。
なお、本発明のトランジスタ２１は、Ｎチャンネル、Ｐチャンネルとも、ＬＤＤ（Lightly Do１５d Drain)構造を採用することが好ましい。
なお、本発明のトランジスタ２１は、Ｎチャンネル、Ｐチャンネルとも、ＬＤＤ（Lightly Do１５d Drain)構造を採用することが好ましい。
図２は、本発明のＥＬ表示パネルの等価回路図である。図２（ａ）ではすべてのトランジスタ２１はＰチャンネルで構成している。ＰチャンネルはＮチャンネルのトランジスタに比較してモビリティが低い。しかし、耐圧が大きく、また、劣化も発生しにくいので好ましい。コンデンサ２３は、一方の電極をカソード電圧Ｖｄｄと接続され、他方は駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子に接続されている。コンデンサ２３は、ソース信号線３５に印加された映像信号を保持する。
本発明は、画素のトランジスタ２１をＰチャンネルトランジスタで構成することのみに限定するものではない。図２（ｂ）に図示するように、Ｎチャンネルのトランジスタのみで構成してもよい。画素３７を構成するトランジスタをＮチャンネルトランジスタで構成した実施例である。コンデンサ２３は、一方の電極をＥＬ素子２２のアノード端子と接続され、他方は駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子に接続されている。コンデンサ２３は、ソース信号線３５に印加された映像信号を保持する。
図２（ｂ）の構成において、反射膜１２と画素電極１５を電極としてコンデンサ２３を形成してもよい。反射膜１２を駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子と接続する。
また、ＮチャンネルのトランジスタとＰチャンネルのトランジスタの両方を用いて構成してもよい。
また、ＮチャンネルのトランジスタとＰチャンネルのトランジスタの両方を用いて構成してもよい。
トランジスタはトップゲート構造にすることが好ましい。トップゲート構造にすることにより寄生容量が低減し、トップゲートのゲート電極パターンが、遮光層となり、ＥＬ素子２２から発生した光を遮光層で遮断し、トランジスタの誤動作、オフリーク電流を低減できるからである。
ＥＬ素子２２を構成するアノード電極（画素電極）１５は、透明電極であるＩＴＯで形成される。画素電極１５の下層には反射膜１２が形成されている。反射膜１２と画素電極１５を電極として、コンデンサを構成する。赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７で絶縁膜１４の膜厚を異ならせることにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７で保持容量を異ならせることができる。
なお、画素電極１５は、透明電極に限定するものでなく、アルミニウム、銀などの金属材料で形成しても良い。本明細書では、絶縁膜１４を、画素電極１５と反射膜１２間に形成するとしたがこれに限定するものではない。１４は光透過性を機能として有すれば、いずれの材料であってもよい。たとえば、導電性を有していてもよい。この場合は、赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の画素電極１５は、画素形状に対応して電気的に分離しているため、反射膜の画素形状に対応して電気的に分離している必要がある。
画素電極１５Ｒは、図３の画素３７Ｒが対応し、画素電極１５Ｇは、図３の画素３７Ｇが対応し、画素電極１５Ｂは、図３の画素３７Ｂが対応する。図３、図６で図示するように、本発明のＥＬ表示パネルおよびＥＬ表示装置は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂは、マトリックス状に配置されている。
本発明の製造装置、製造方法、ＥＬ表示パネル等は、反射膜１２がなく、陰極１９を反射膜として、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型（いわゆる透過型）のＥＬ素子２２にも適用可能である。
図２６、図２７は、本発明のＥＬ表示パネルの構造図である。ＴＦＴ基板１１上にトランジスタ２１、ゲート信号線３４（図示せず）、ソース信号線３５（図示せず）などが形成されている。
ＴＦＴ基板１１は、薄膜トランジスタ（Thin-film transistor）、画素電極等が形成されたガラス基板である。なお、ガラス基板の代わりに樹脂からなる基板の場合もある。たとえば、ポリイミド樹脂で形成された基板であってもよい。また、ワニスを平面上に塗布し、硬化させた基板であってもよい。また、金属材料、セラミック材料からなる基板であってもよい。
ＴＦＴ基板１１の上に駆動用トランジスタ２１ｂを含む画素３７を形成し、例えば感光性樹脂よりなる平坦化膜２８を設ける。
ＴＦＴ基板１１の上に駆動用トランジスタ２１ｂを含む画素３７を形成し、例えば感光性樹脂よりなる平坦化膜２８を設ける。
次いで、ＴＦＴ基板１１の全面に例えばＩＴＯよりなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をパターニングすることにより、赤（Ｒ）色の画素電極１５Ｒ、緑（Ｇ）色の画素電極１５Ｇ、青（Ｂ）色の画素電極１５Ｂを形成する。その際、画素電極１５を、平坦化膜２８のコンタクトホール（図示せず）を介して駆動用トランジスタ２１ｂのドレイン電極と導通させる。
ＴＦＴ基板１１には、光反射膜としての反射膜１２が形成されている。ＥＬ素子２２を構成するアノード電極は、透明電極である画素電極１５として形成されている。画素電極１５の下層には反射膜１２が形成されている。
反射膜１２は、アルミニウムまたは銀（Ａｇ）で形成される。より好ましくは、銀で形成する。銀で形成することにより、光の反射率が向上し、光利用効率が向上する。
反射膜１２と画素電極１５を電極として、コンデンサ（保持容量）を構成してもよい。画素の保持容量として用いることにより保持特性が良好になる。この場合は、反射膜１２をゲート信号線３４またはアノード電極と接続して所定電位にする。赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７で絶縁膜１４の膜厚を異ならせることにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７で保持容量を異ならせることができる。
図２６、図２７において、赤の画素電極１５Ｒと反射膜１２Ｒ間には絶縁膜１４が形成されている。絶縁膜１４として、無機材料からなるＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２が例示される。また、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂を用いても良い。本明細書では説明を容易にするためＳｉＮｘを例示して説明をするが、これに限定されるものではない。
同様に、緑の画素電極１５Ｇと反射膜１２Ｇ間には絶縁膜１４が形成され、青の画素電極１５Ｂと反射膜１２Ｂ間には絶縁膜１４が形成されている。なお、図２７に図示するように、反射膜１２Ｂと画素電極１５Ｂ間に絶縁膜１４を形成しない構成も本発明のＥＬ表示パネルの技術的範疇である。
反射膜１２Ｒと画素電極１５Ｒ間に絶縁膜１４Ｒ、反射膜１２Ｇと画素電極１５Ｇ間に絶縁膜１４Ｇ、反射膜１２Ｂと画素電極１５Ｂ間に絶縁膜１４Ｂを形成し、それぞれの絶縁膜１４の膜厚を異ならせても良い。また、２種類（たとえば、絶縁膜１４Ｒ、絶縁膜１４Ｇ）の膜厚を同一としてよい。
各画素電極１５の下層に形成される絶縁膜１４の膜厚は、ＥＬ素子の光学的距離を調整するために形成している。本発明は、複数色の画素電極１５の下層の絶縁膜１４において、いずれかの絶縁膜１４の膜厚を異ならせた構成である。
本発明は、複数色を発光するＥＬ表示パネルにおいて、少なくも１つの色のＥＬ素子に、複数の発光層を形成し、他の色のＥＬ素子の発光層１７と異ならせ、光学的距離を異ならせた構成である。
図２７に図示する実施例において、赤の画素電極１５Ｒ上には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｒとカソード電極１９Ｒ間の距離Ｌ１が赤色のＥＬ素子２２の光学的距離である。緑の画素電極１５Ｇ上には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｇとカソード電極１９Ｇ間の距離Ｌ２が緑色のＥＬ素子２２の光学的距離である。青の画素電極１５Ｂ上には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｂとカソード電極１９Ｂ間の距離Ｌ３が青色のＥＬ素子２２の光学的距離である。光学的距離は、物理的距離に各層の屈折率を加味されて求められる。ＥＬ素子を構成する材料の屈折率が、赤、緑、青で同一であれば、光学的距離と物理的距離は比例関係となる。
光学的距離（Optical Path Length）とは、幾何光学における用語であり、 光路長とも呼ぶ。 実際に光が進む距離（物理的距離）に屈折率をかけたものである。 物質中での光の速さは屈折率に反比例するため、光学的距離が等しければ光は進むのに同じ時間がかかる。なお、各色のＥＬ素子を構成する各層の物質の屈折率は大きくは差がないため、各色のＥＬ素子の光学的距離と物理的距離は相対的に比例する。
赤色のＥＬ素子２２では、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成され、緑色のＥＬ素子２２および青色のＥＬ素子２２では、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂのみが形成されているため、発光層の光学的距離Ｌは、赤色のＥＬ素子２２の方が長くなる。赤色のＥＬ素子２２と緑色のＥＬ素子２２とは、絶縁膜１４Ｒと１４Ｇが共通であり、青色のＥＬ素子２２は、絶縁膜１４Ｂが少なくとも絶縁膜１４Ｒより薄いかあるいは形成されていない。
本発明は、最も発光波長の短い発光層が複数色の画素３７に、共通に形成されている。たとえば、赤色の画素、緑色の画素、青色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルでは、最も発光波長が短い波長は青色である。したがって、本発明のＥＬ表示パネルでは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂで、発光層１７として青色の発光層１７が共通に形成されている。
赤色の画素３７Ｇ、緑色の画素３７Ｇがマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルでは、最も発光波長が短い波長は緑色である。したがって、本発明のＥＬ表示パネルでは、赤色の画素、緑色の画素で、発光層１７として緑色の発光層１７が共通に形成される。
図２６、図２７において、赤色の光学的距離Ｌ１と緑色の光学的距離Ｌ２と青色の光学的距離Ｌ３との関係は以下のとおりとなっている。
赤色の光学的距離Ｌ１ ＞ 緑色の光学的距離Ｌ２ ＞ 青色の光学的距離Ｌ３
図２６、図２７において、赤色の光学的距離Ｌ１と緑色の光学的距離Ｌ２と青色の光学的距離Ｌ３との関係は以下のとおりとなっている。
赤色の光学的距離Ｌ１ ＞ 緑色の光学的距離Ｌ２ ＞ 青色の光学的距離Ｌ３
本発明のＥＬ表示パネルは、光取り出し側の電極には半透過性の金属膜（ＭｇＡｇ等）を形成し、光取り出し側と逆側には電極の機能を兼ねた反射膜１２を形成する。反射膜として高反射金属である銀（Ａｇ）を用いると同時に、反射膜と発光層の発光位置との光学的距離Ｌに関して、Ｌ＝（２ｍ−（φ／π））×（λ／４）を満たすことで、取り出したい波長λの光を正面方向に集光させている。
さらには、光取り出し側の電極として厚さ１０ｎｍのＭｇＡｇ合金からなる半透過性の金属膜を形成することで、両電極（反射膜１２あるいは画素電極１５、カソード電極１９）間でキャビティ構造を作っている。φは反射膜における反射時の位相シフト［ｒａｄ］、干渉次数ｍは０又は正の整数であり、ｍ＝０の時に光学的距離Ｌは式を満足する正の最小値をとる。
干渉次数ｍは０又は１を選択する。干渉次数０の場合は、膜厚が薄く、使用する材料量を削減でき低コスト化を実現できる。また、視角による色変わりが発生しにくい。しかし、異物による短絡が発生しやすく歩留まり低下が発生するリスクがある。
光学的干渉の次数が１の場合は、膜厚が厚くなり、使用する材料量を多くなり、材料コストが増加する。また、視角による色変わりが発生しやすい。しかし、異物による短絡が発生しにくくなり、歩留まりが向上する。
本発明は、最も発光波長の色の画素の光学的距離Ｌが、他の発光波長の色の画素の光学的距離Ｌよりも長く形成していることを特徴とする。たとえば、赤色の画素、緑色の画素、青色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルでは、最も発光波長が長い波長は赤色である。したがって、本発明のＥＬ表示パネルでは、赤色の画素の光学的距離Ｌを、緑色の画素および青色の画素の光学的距離Ｌよりも長く形成している。
図２７に図示するように、隣接した画素電極１５間には土手５０１が形成されている。土手はファイン蒸着マスク１１２を使用する際に、ファイン蒸着マスク１１２を支持するためのものである。また、ドナーフィルム４７を使用する際に、ドナーフィルム４７を支持するためのものである。
本発明のＥＬ表示パネルは、図２６、図２７に図示するように、画素電極１５Ｒの上方には、赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒ、緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇ、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂが形成されている。画素電極１５Ｇの上方には、緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇ、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂが形成されている。画素電極１５Ｂの上方には、緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇ、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂが形成されている。画素電極１５Ｂの上方の緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇは、レーザ光９１ｂが照射され、改質されている。一実施態様として、赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒは、レーザ熱転写により形成されている。
画素電極１５Ｒの上方の発光層は、赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒが、赤（Ｒ）色で発光する。緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇ、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは発光しない。赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒは、“発光”、緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇは“消光”、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。
画素電極１５Ｇの上方の発光層は、緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇが緑（Ｇ）色で発光する。青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは発光しない。緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇは“発光”、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。
画素電極１５Ｂの上方の発光層は、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂが青（Ｂ）色で発光する。緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇは“消光”、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは“発光”となっている。
画素電極１５上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６が形成されている。画素電極１５と正孔輸送層（ＨＴＬ）１６間に正孔注入層（ＨＩＬ 図示せず）を形成してもよい。画素電極１５Ｒ上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒを形成し、画素電極１５Ｇ上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｇを形成し、画素電極１５Ｂ上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｂを形成してもよい。
画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｇ上の正孔輸送層（ＨＴＬ）１６は、ファイン蒸着マスク１１２などを使用せずに、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｇで共通に形成する。
なお、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｇ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｂは、ファイン蒸着マスク１１２などを使用して独立して形成してもよい。また、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｇ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｂは異なる正孔輸送層（ＨＴＬ）材料を用いてもよい。
正孔輸送層（ＨＴＬ）１６は、発光層１７へ正孔を輸送する働きをし、発光層と接するため発光層１７から励起エネルギーが移動せず、さらには高層と相互作用してエキサイプレックスを形成しないように、発光層１７よりもエネルギーバンドギャップが大きな材料が用いられる。たとえば、ＴＰＤ、α―ＮＰＤ、ＮＢＰ、ＴＣＴＡが例示される。
正孔輸送層（ＨＴＬ）１６は、単一の正孔輸送層材料で形成することに限定されるものではなく、複数の正孔輸送層１６が積層された構造であっても良い。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への掘る注入障壁を下げる働きをする。
正孔輸送層（ＨＴＬ）１６は、単一の正孔輸送層材料で形成することに限定されるものではなく、複数の正孔輸送層１６が積層された構造であっても良い。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への掘る注入障壁を下げる働きをする。
このような正孔注入層を構成する材料としては、例えば、ベンジジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。
発光層１７の上方には、電子輸送層（ＥＴＬ）１８を形成されている。電子輸送層（ＥＴＬ）１８とカソード電極１９との間に電子注入層（図示せず）を形成してもよい。電子輸送層（ＥＴＬ）１８は、赤（Ｒ）色の画素３７Ｒ、緑（Ｇ）色の画素３７Ｇ、青（Ｂ）色の画素３７Ｂで異ならせてもよい。
電子輸送層（ＥＴＬ）１８は、カソード電極（陰極)１９から電子を注入し輸送する機能を持つ。正孔輸送層（ＨＴＬ）１６と同様に、バンドギャップが広い材料が好ましい。また、発光層１７内で生成した励起子の移動を阻止する働きもあるため、励起子阻止層や、ＢＣＰはホールの移動を阻止する作用があるため、ホールブロッキング層として使われることもある。
電子輸送層（ＥＴＬ）１８の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、スチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。このような電子輸送層（ＥＴＬ）１８は積層構造であっても良い。
発光層１７は、画素電極（陽極）１５とカソード電極（陰極）１９とに対する電圧印加時に、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが再結合する領域である。このような発光材料としては、例えば、多環縮合芳香族化合物、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキサノイド化合物、ジスチリルベンゼン系化合物などの薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。
多環縮合芳香族化合物としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン骨格を含む縮合環発光物質や、約８個の縮合環を含む他の縮合環発光物質などを挙げることができる。
具体的には、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、４，４’−（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニルなどを用いることができる。この発光層は、これらの発光材料の１種または２種以上からなる１層で構成されてもよいし、あるいは該発光層とは別種の化合物からなる発光層を積層したものであってもよい。
発光層１７は、燐光（燐光）発光材料とホスト材料とを含有する層とすることが好ましい。燐光発光材料を用いて発光層１７を構成した場合、正孔輸送層１６は、炭素より重い第１４族元素の有機化合物基を有する材料で構成されていることが好ましい。
ホスト材料は、発光材料の濃度消光が激しいときや、発光材料のキャリア移動度が遅く単層膜として挿入できない場合など、バイポーラー性のホスト材料中に発光色素（ゲスト材料）をドーピングする。ホスト材料は、ゲスト材料よりも大きなバンドギャップを有している必要がある。
また、燐光発光材料をドーピングするときは、ホスト材料の三重項のバンドギャップも燐光発光材料よりも大きい必要がある。小さい場合はエネルギー移動し、エネルギーを閉じ込められなくなったり、ホスト材料の三重項から熱失活してしまったりするので、材料の選択には注意を要する。
燐光材料には、禁制である三重項からの発光をえるため、重原子効果を利用する。そのため、中心金属に白金やイリジウムを有する材料が例示される。これらの金属錯体は、配位子のπ電子の広がりを制御することによって、青（Ｂ）色〜赤（Ｒ）色の発光色が得られている。
ホスト材料としては、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl 、4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl、9,9'-Bianthracene、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (purified by sublimation)、2,6-Bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyridine、Bis[2-(2-pyridinyl)phenolato]beryllium(II) 、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)-2,2'-dimethylbiphenyl 、2,8-Bis(9H-carbazol-9-yl)dibenzothiophene 、2,6-Bis(9H-carbazol-9-yl)pyridine 、2,2''-Bi-9,9'-spirobi[9H-fluorene] (This product is only available in Japan.) 、9,9-Bis[4-(1-pyrenyl)phenyl]fluorene 、9,10-Bis(4-methoxyphenyl)anthracene 、4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl (purified by sublimation) 、Bis[2-[(oxo)diphenylphosphino]phenyl] Ether 、3,7-Bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-2,6-diphenylbenzo[1,2-b:4,5-b’]difuran 、9,10-Diphenylanthracene 、9,10-Di(1-naphthyl)anthracene 、1,3-Di-9-carbazolylbenzene (purified by sublimation) 、9,10-Di(2-naphthyl)anthracene 、9,10-Diphenylanthracene (purified by sublimation) 、3,3'-Di(9H-carbazol-9-yl)-1,1'-biphenyl 、9,9'-Diphenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 、3,3''-Di(9H-carbazol-9-yl)-1,1':3',1''-terphenyl 、9-[3-(Dibenzofuran-2-yl)phenyl]-9H-carbazole 、Diphenyl[9,9'-spirobi[9H-fluoren]-2-yl]phosphine Oxide (This product is only available in Japan.) 、1,4-Di(1-pyrenyl)benzene 、2,7-Di(1-pyrenyl)-9,9'-spirobi[9H-fluorene] 、9,10-Di(1-naphthayl)anthracene (purified by sublimation) 、9,10-Di(2-naphthayl)anthracene (purified by sublimation) 、2-Methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene 、Poly(N-vinylcarbazole) 、Tris(8-quinolinolato)aluminum 、1,3,5-Tri(9H-carbazol-9-yl)benzene (purified by sublimation) 、Tris(8-quinolinolato)aluminum (purified by sublimation) 、4,4',4''-Tri-9-carbazolyltriphenylamine (purified by sublimation) 、4,4',4''-Tri-9-carbazolyltriphenylamine 、1,3,5-Tri(1-naphthyl)benzene 、9,9',10,10'-Tetraphenyl-2,2'-bianthracene等が例示される。
赤（Ｒ）色ドーパント（ゲスト材料）としては、4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-dimethylaminostyryl)-4H-pyran 、4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)vinyl]-4H-pyran 、DCJTB 、(1,10-Phenanthroline)tris[4,4,4-trifluoro-1-(2-thienyl)-1,3-butanedionato]europium(III) 、5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene 、Tris(1,3-diphenyl-1,3-propanedionato)(1,10-phenanthroline)europium(III) 、5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene (purified by sublimation) 、Tris[1-phenylisoquinoline-C2,N]iridium(III) (purified by sublimation) 、Tris(acetylacetonato)(1,10-phenanthroline)europium(III) 、Tris(1,10-phenanthroline)ruthenium(II) Bis(hexafluorophosphate) が例示される。
緑（Ｇ）色ドーパント（ゲスト材料）としては、Bis(8-quinolinolato)zinc(II) Hydrate 、Bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zinc(II) 、Bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zinc(II) 、3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin 、3-(2-Benzimidazolyl)-7-(diethylamino)coumarin 、Coumarin 545T 、(2,2'-Bipyridine)bis(2-phenylpyridinato)iridium(III) Hexafluorophosphate 、(2,2'-Bipyridine)bis[2-(2,4-difluorophenyl)pyridine]iridium(III)Hexafluorophosphate、9,10-Bis[N-(m-tolyl)anilino]anthracene 、9,10-Bis[N,N-di(p-tolyl)amino]anthracene 、2,6-Bis(diphenylamino)anthraquinone 、B5149 9,10-Bis[N-(p-tolyl)anilino]anthracene 、7-(Diethylamino)-3-(1-methyl-2-benzimidazolyl)coumarin 、Coumarin 153 、Coumarin 545 、N,N'-Dimethylquinacridone 、N,N'-Dimethylquinacridone (purified by sublimation) 、7-(Dimethylamino)-4-(trifluoromethyl)coumarin 、7-(Diethylamino)-4-(trifluoromethyl)coumarin 、5,12-Dibutyl-1,3,8,10-tetramethylquinacridone 、N,N'-Dibutylquinacridone 、(4,4'-Di-tert-butyl-2,2'-bipyridine)bis[(2-pyridinyl)phenyl]iridium(III) Hexafluorophosphate 、Quinacridone 、Quinacridone (purified by sublimation) 、Tris(2-phenylpyridinato)iridium(III) (purified by sublimation) 、Tris(acetylacetonato)(1,10-phenanthroline)terbium(III) が例示される。
青ドーパント（ゲスト材料）としては、1,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]benzene 、4,4'-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl 、1,4-Bis[2-(9-ethylcarbazol-3-yl)vinyl]benzene 、3-(Diphenylamino)dibenzo[g,p]chrysene 、Perylene 、Perylene (purified by sublimation) 、4-Styryltriphenylamine 、1,3,6,8-Tetraphenylpyrene 、2,5,8,11-Tetra-tert-butylperylene が例示される。
本発明のＥＬ表示パネルの発光層１７は、ホスト材料とドーパンド材料（ゲスト材料）を共蒸着して形成することが好ましい。
本発明のＥＬ表示パネルの発光層１７は、ホスト材料とドーパンド材料（ゲスト材料）を共蒸着して形成することが好ましい。
電子注入層は、電子注入層として用いられるものであり、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）、さらにはこれらの酸化物および複合酸化物の混合物を用いることができる。
電子注入層は、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物および複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物および複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用しても良い。
カソード電極（陰極）１９は、例えば金属材料を用いて構成されたものであり、光透過性を有している。例えば、ＭｇＡｇなどの光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この金属陰極層は、さらにアルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であっても良い。さらに第３の層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。
図２６、図２７等は、一実施例としてＭｇＡｇを例示してカソード電極（陰極）１９を形成している。カソード電極（陰極）１９は、蒸着により形成する。カソード電極（陰極）１９を形成したのち、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、封止層２０を形成する。
例えば、アモルファス窒化シリコンからなる封止層２０を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２〜３μｍの膜厚に形成する。この際、有機層の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、封止層の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
また、ＳｉＯＮなどをＣＶＤで形成した後、有機材料などを形成して、封止層２０としてもよい。封止層２０には、封止フィルム２７を貼り付け、防湿対策をすることが好ましい。また、光出射側には、表示コントラストを良好なものとするため、円偏光板（円偏光フィルム）２９を貼り付けることが望ましい。
ＥＬ素子２２が、共振器構造となっている場合、半透過半反射性を有して構成された陰極１９の光反射面と、反射膜１２の光反射面との間で多重干渉させた発光が陰極１９側から取り出される。反射膜１２の光反射面と陰極１９側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の膜厚および干渉条件が設定される。
このような上面発光型のＥＬ素子２２においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能である。
なお、本発明の製造装置、製造方法、ＥＬ表示パネル等は、反射膜１２がなく、陰極１９を反射膜として、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型（いわゆる透過型）のＥＬ素子にも適用可能であることは言うまでもない。
以上の事項は本発明の他の実施例においても同様あるいは類似である。また、前述の本発明の実施例は他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。
ＴＦＴ基板１１の画素電極１５の表面を酸素プラズマ処理し、その表面に付着した有機物等の汚染物を除去する。具体的には、ＴＦＴ基板１１を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。
以下、本発明のＥＬ表示パネルの製造方法について説明する。まず、本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の一工程であるレーザ熱転写工程について説明をする。図４は、本発明のレーザ熱転写工程の説明図である。図４は、本発明によるドナーフィルム４７を用いて転写する方法を説明するための図である。
図４に示すように、ドナーフィルム４７上に光学変換膜４３、中間膜４４、バッファ膜４５を塗布したドナーフィルム４７および上記ドナーフィルム４７の上部に転写有機膜４６が形成されている。
転写有機膜４６は有機薄膜形成用物質をコーティングして製造し、このとき、様々な特性を改善するために、所定含量の添加物質が添加されてもよい。例えば、発光層１７の効率を高めるためにドーパント(ｄｏｐａｎｔ)が添加されてもよい。そして、転写有機膜４６を形成する方法としては、一般的なフィルムコーティング方法である圧出、スピンコーティング方法が用いられる。
ドナーフィルム４７の接着工程時、支持機構７６ａ、７６ｂは、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１が密着されるように下降する。加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７上にＴＦＴ基板１１に向かって圧力を加えて、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との密着性をさらに向上させる。
加圧ローラー７７は、図７に示すように、ローラー形状が例示される。ローラー形状を有する加圧ローラー７７をドナーフィルム４７上に転がすことによって、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との密着性を向上させることができる。
図４において、ドナーフィルム４７の光熱変換膜４３、中間膜４４、バッファ膜４５のいずれかを磁性体材料で形成する。ＴＦＴ基板１１の裏面（ドナーフィルム４７を配置した反対側）に、永久磁石あるいは電磁磁石を有する磁力発生装置４８を配置する。磁力発生装置から磁力の発生により、ドナーフィルム４７が吸い寄せられ、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とはより良好に密着させることができる。
本明細書では、転写有機膜４６は、発光層（ＥＭＬ）材料であるとして説明する。より理解を容易にするため、図４の実施例では、転写有機膜４６は赤色（Ｒ）の発光層（ＥＭＬ）材料であるとして説明する。
なお、転写有機膜４６は、色（Ｒ）の発光層（ＥＭＬ）１７材料に限定されるものではなく、他の色の発光層（ＥＭＬ）１７材料であっても良いことは言うまでもない。また、転写有機膜４６は、色（Ｒ）の発光層（ＥＭＬ）１７材料に限定されるものではなく、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６、電子輸送層（ＥＴＬ）１８など他の層材料であっても良い。
ＴＦＴ基板１１と土手５０１などにより離隔された位置にドナーフィルム４７を配置した後、ドナーフィルム４７にレーザ光９１ａを照射する。レーザ光９１ａは、ベースフィルム４１を通過して光学変換膜４３を加熱し熱を放出する。
このように放出された熱によって、ドナーフィルム４７の光学変換膜４３が膨張され、転写有機膜４６がドナーフィルム４７から剥離する。剥離した転写有機膜４６がＴＦＴ基板１１の正孔輸送層(ＨＴＬ)１６上に、発光層１７Ｒとして所望するパターンと厚さに転写される。つまり、転写有機膜４６が発光層１７Ｒとなる。
本発明のように、バッファ膜４５を導入し、レーザ熱転写時にドナーフィルム４７と転写有機膜４６との間の表面特性、特に、接着力を向上させて基板に低分子物質が付かないように転写パターン特性を向上させることができる。
レーザ装置７４としては、固体、ガス、半導体、染料などのすべての汎用のレーザ装置がすべて使用されることができる。特に、赤外性領域の波長あるいは可視光領域の波長のレーザ光９１ａを採用することが好ましい。好ましくは、波長８００以上１２００ｎｍ以下の赤外レーザ光９１ａを照射する。レーザビームの形状も円形のビームまたはその他のあらゆる形状のビームが用いられる。
上記のような転写過程を経た後は、転写された転写有機膜を固形化、固着化させるために熱処理する工程を行う。
上記のような転写過程を経た後は、転写された転写有機膜を固形化、固着化させるために熱処理する工程を行う。
ここで、転写物質の転写は、一度または多段階を経て行われる。すなわち転写有機膜４６が薄い場合は、一度に必要な厚さを転写することができる。転写有機膜４６が厚い場合は、複数回、繰り返して転写することもできる。しかし、工程の便宜性及び安定性を考慮した場合、一度に転写物質を転写することが好ましい。
レーザ光９１ａの照射は、図６に図示するように、赤色の画素３７Ｒの画素電極１５Ｒの上方に順次行う。レーザ光９１ａの照射により、ドナーフィルム４６の転写有機膜４６が画素電極１５Ｒの上方に転写される。
ＴＦＴ基板１１とドナーフィルム４７とが前述の接着工程により接着された状態で、レーザ熱転写工程で、ドナーフィルム４７上の発光層１７Ｒが転写される領域にのみレーザ光９１ａを照射する。レーザ光９１ａが照射されれば、光熱変換膜４３がＴＦＴ基板１１方向に膨張することによって、転写有機膜４６も膨張され、レーザが照射された領域の転写有機膜４６がドナーフィルム４７から剥離されて、ＴＦＴ基板１１に転写される。
図４の実施例では、ドナーフィルム４７は、ＴＦＴ基板１１に形成された土手５０１によって保持されている。また、図６に図示するように、赤色の画素３７Ｒあるいは赤色の画素列ごとにレーザ光９１ａが照射されて、発光層１７Ｒが形成される。
図４では、レーザ光９１ａ１が照射され、該当の画素３７Ｒあるいは赤色の画素列の発光層１７Ｒａが形成される。次に、レーザ光９１ａ２が照射され、該当の画素３７Ｒあるいは赤色の画素３７列の発光層１７Ｒｂが形成される。上記の事項は、図５に図示するＴＦＴ基板１１に対しても同様である。
レーザ光９１ａは、図８に図示するように、ガルバノミラー７２で走査する。ガルバノミラー７２により、レーザ光９１ａＡ、レーザ光９１ａＢのようにレーザ光９１ａが走査され、図６に図示するように、赤色の画素列に発光層（ＥＭＬ）１７Ｒが形成される。
図４の実施例では、土手５０１でドナーフィルム４７を、ＴＦＴ基板１１上に保持した実施例である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図５に図示するように、土手５０１を形成しない構成であってもよい。この場合は、支持機構７６でドナーフィルム４７を張力により保持させればよい。
図６に示すように、ＴＦＴ基板１１上に、マトリックス状に配置された画素に対応して転写有機膜４６が転写されれば、剥離工程により、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とを剥離させる。剥離されたＴＦＴ基板１１上には、転写有機膜４６が形成されており、ドナーフィルム４７上には、レーザが照射された領域の転写有機膜４６のみが転写され、残りの部分は、そのままドナーフィルム４７上に残っている。
ＴＦＴ基板１１に転写される発光層１７の転写パターンは、ドナーフィルム４７のレーザ光の照射位置に依存したものとなる。これにより、ＴＦＴ基板１１上の単位画素部分に発光層（ＥＭＬ）１７が形成される。このようにして発光層１７を転写した後は、ＴＦＴ基板１１とドナーフィルム４７を分離する。
ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との接着工程及びレーザ熱転写後には、図９で説明したドナーフィルム４７をＴＦＴ基板１１からはがす剥離工程を行う。
ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１との接着工程及びレーザ熱転写後には、図９で説明したドナーフィルム４７をＴＦＴ基板１１からはがす剥離工程を行う。
剥離工程において、本発明の一実施形態によるレーザ熱転写装置は、図９に示したように、加圧ローラー７７を利用する。剥離工程時には、まず、支持機構７６ａが上昇しつつ、ドナーフィルム４７の一端部からＴＦＴ基板１１から分離される。この時、加圧ローラー７７は、ドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とが分離される部分で、ＴＦＴ基板１１に向かってドナーフィルム４７に圧力を加えることによって、ＴＦＴ基板１１に転写された転写有機膜４６がドナーフィルム４７と共にはがれることを防止する。加圧ローラー７７は、支持機構７６ａがドナーフィルム４７の一端部を持ち上げることによって、ドナーフィルム４７の一端部側から他端部側へ移動する。
なお、以上の実施例では、熱転写により赤色の発光層１７Ｒを形成するとしたがこれに限定するものではない。緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂであってもよいことは言うまでもない。また、赤色の発光層１７Ｒ、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂを順次、形成してもよい。また、発光層１７に限定されるものではなく、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６、電子輸送層（ＥＴＬ）１８などの他の層であっても本発明の製造方法が適用できることは言うまでもない。
図４、図５で示したように、ＴＦＴ基板１１上に転写有機膜４６が転写されれば、前述の剥離工程によりドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とを分離させる。
図４、図５で示したように、ＴＦＴ基板１１上に転写有機膜４６が転写されれば、前述の剥離工程によりドナーフィルム４７とＴＦＴ基板１１とを分離させる。
図４、図５の実施例により、転写有機膜４６が発光層（ＥＭＬ）１７Ｒとして、ＴＦＴ基板１１赤色の画素１５Ｒに転写される。しかし、図１０に図示するように、転写有機膜４６は、赤色の画素電極１５Ｒの上方だけでなく、土手５０１上に付着膜１０１ｂとして付着することがある。また、赤色の画素電極１５Ｒだけでなく、緑色の画素電極１５Ｇの上方、青色の画素電極１５Ｂの上方に付着膜１０１ａとして付着する場合がある。
土手５０１上に付着した付着膜１０１ｂは、混色問題は発生しない。しかし、転写工程後に、剥離して、画素電極１５上に付着して不良原因になる場合がある。また、緑色の画素電極１５Ｇの上方、青色の画素電極１５Ｂの上方に付着した付着膜１０１ａは、発光し、混色問題となる場合がある。
たとえば、緑色の画素電極１５Ｇの上方に付着した赤色の転写有機膜４６は赤色で発光する場合がある。転写有機膜４６が赤色で発光すると、緑色光に赤色光が混色した光となる。もしくは、付着量が多い場合は、赤色の発光となる。
青色の画素電極１５Ｂの上方に付着した赤色の転写有機膜４６は赤色で発光する場合がある。転写有機膜４６が赤色で発光する発光層（ＥＭＬ）だとすると、緑色光に赤色光が混色した光となる。もしくは、赤色の発光となる。
図１０は、本発明のＥＬ表示パネルの製造工程で発生する付着膜１０１を改質あるいは除去する方法の説明図である。
図１０は、本発明のＥＬ表示パネルの製造工程で発生する付着膜１０１を改質あるいは除去する方法の説明図である。
熱転写により、不要な箇所に付着した付着膜１０１には、レーザ光９１ｃを照射して改質させる。付着膜１０１に紫外線帯域のレーザ光９１ｃを照射する。紫外線帯域のレーザ光９１ｃの照射により付着膜１０１のゲスト材料は改質される。改質により、付着膜１０１は発光しなくなるか、除去される。レーザ光９１ｃの照射は、真空中で実施する。
なお、レーザ光９１ｃは、レーザ光９１ａと同様のものを使用できる。また、レーザ装置７４もレーザ光９１ａを発生するレーザ装置と同様のものを使用できる。レーザ装置は、図７で図示、説明したものを使用できる。ただし、レーザ光の波長は紫外線領域の波長を使用することが好ましい。
レーザ光９１ｃの照射により、付着膜１０１のゲスト材料のバンドギャップはホスト材料のバンドギャップよりも大きく、ゲスト材料とホスト材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの相対的な配置は、ＨＯＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも低く、ＬＵＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、のうち、少なくとも１つ以上の関係を発生する。もしくは、レーザ光９１ｃの照射により、付着膜１０１は加熱され、蒸発し、画素電極１５Ｇの上方、画素電極１５Ｂの上方から除去される。
以上の事項は、レーザ光９１ａで説明したことと同様であるので詳細は省略する。
レーザ装置７４は、Ａ紫外線（ＵＶ−Ａ)近傍の３１０以上４００ｎｍ以下の波長の光を発生し、発生した光を所定の付着膜１０１に照射する機能を有する。
以上の事項は、レーザ光９１ａで説明したことと同様であるので詳細は省略する。
レーザ装置７４は、Ａ紫外線（ＵＶ−Ａ)近傍の３１０以上４００ｎｍ以下の波長の光を発生し、発生した光を所定の付着膜１０１に照射する機能を有する。
紫外線（ＵＶ）を発生するレーザ装置（以降、ＵＶレーザ装置と呼ぶ）は、光子の持つエネルギーが大きいため、結合の弱い部分を持つ材料（主に有機物）に照射すると分子結合を直接解離する光分解加工が行える。光分解加工はワークに当たったエネルギーが加熱ではなく、分解に主に使われるので加工面が極めてシャープとなる。
付着膜１０１を改質あるいは蒸発させる際は、真空中で行うため、有機材料は炭化することがなく、また、加工周辺部に影響を与えない。または、レーザ光を集光させて加工位置に照射することができるため、加工位置の付着膜１０１を容易に蒸発あるいは改質させることができる。
紫外線領域（ＵＶ）のレーザ光は波長が短いため、レーザのスポット径を小さくできる。したがって、土手５０１上の微小な領域であっても、加工に用いるレーザエネルギー量を集光できる。
なお、本明細書において、理解を容易にするため、レーザ光９１ｃは主として紫外線領域の波長の光を使用するが、これに限定するものではない。たとえば、青（Ｂ）色領域の波長の光もレーザ光として使用できる。
図７に図示するように、レーザ装置７４が発生したレーザ光９１ａは、光量調整フィルタ７１でレーザ光９１ａの強度が調整される。
図７に図示するように、レーザ装置７４が発生したレーザ光９１ａは、光量調整フィルタ７１でレーザ光９１ａの強度が調整される。
レーザ装置７４が発生したレーザ光９１は必要に応じて、シリンドリカルレンズで矩形あるいは楕円形に整形する。また、スリットマスクで画素形状に略一致させるように略矩形あるいは円形状に整形する。
光量調整フィルタ７１で強度が調整されたレーザ光９１ｃは、ガルバノミラー７２に入射する。レーザ装置７４が発生したレーザ光９１ｃは、ガルバノミラー７２でレーザ光の方向を変化させられ、ｆθレンズ７３により、付着膜１０１の表面に照射される。
光量調整フィルタ７１で強度が調整されたレーザ光９１ｃは、ガルバノミラー７２に入射する。レーザ装置７４が発生したレーザ光９１ｃは、ガルバノミラー７２でレーザ光の方向を変化させられ、ｆθレンズ７３により、付着膜１０１の表面に照射される。
以上のように、熱転写の際に、転写有機膜４６が付着膜１０１として不要な箇所に付着するという問題が発生する場合がある。図１０で説明したようにレーザ光９１ｃを付着膜１０１に照射することにより、容易に付着膜１０１を改質することができる。したがって、付着膜が付着した箇所に混色などの発生はなくなり、良好な表示品位を実現できる。また、付着膜１０１を改質するための動作は、レーザ光９１ｃを照射するだけである。マスクなども不要であり、コストもかからない。あるいは、レーザ光９１ｃを付着膜１０１に照射することにより、付着膜１０１を蒸発させて除去する。
本発明のＥＬ表示パネルの製造方法では、画素電極１５の上方に形成された発光層１７を改質あるいは除去する方法も実施する。この説明を図１１に示す。図１１は本発明のＥＬ表示パネルの製造方法において、製造途中段階でのＥＬ表示パネルの状態を示す。
図１１は、本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。画素電極１５Ｒの上方には正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが形成されている。画素電極１５Ｇの上方には正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが形成されている。画素電極１５Ｂの上方には正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｂ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが形成されている。
画素電極１５Ｂの上方の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇには、レーザ光９１ｂが照射され、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇは改質される。
画素電極１５Ｂの上方の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇには、レーザ光９１ｂが照射され、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇは改質される。
レーザ光９１ｂとレーザ光９１ｃとは同一のものを使用することができる。また、レーザ光９１ｂを発生するレーザ装置は、レーザ光９１ｃを発生するレーザ装置と同一のものを使用することができる。
画素電極１５Ｂの上方に形成された発光層１７Ｇは、紫外線光領域のレーザ光９１ｂが照射される。レーザ光９１ｂは、主として、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇのゲスト材料に吸収される。
画素電極１５Ｂの上方に形成された発光層１７Ｇのゲスト材料は、紫外線光の吸収によって共有結合鎖が切断される。酸素の無い蒸着室１２６で共有結合鎖が切断されると、共有結合鎖のラジカルは二重結合を生成したり、他の共有結合鎖の原子を引き抜き結合したり、他の共有結合鎖と架橋構造を生成したりと構造に変化が生じる。また、共有結合鎖が切断されることで他の物質へも変化する。
したがって、画素電極１５Ｂの上方に形成された発光層１７Ｇのゲスト材料のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ電位が変化し、レーザ光９１ｂを照射された発光層１７Ｇのゲスト材料は発光しなくなる。つまり、発光層１７Ｇが改質し改質層６２となる。
図１３に図示するように、レーザ光９１ｂは、平行光であり直進性がよい。そのため、所定の画素の発光層１７を選択してレーザ光９１ｂを照射することができる。
本発明のＥＬ表示パネルの製造方法は、平行光であり直進性がよいレーザ光９１ｂを用いることにより、レーザ光９１ｂは、走査あるいはライン状に、画素３７を選択して照射することができる。したがって、従来の製造方法のように、ファイン蒸着マスク１１２は使用する必要がない。
以上の事項は、レーザ光９１ｃでも同様に適用できる。また、レーザ光１９ａでも同様に適用できる。
以上の事項は、レーザ光９１ｃでも同様に適用できる。また、レーザ光１９ａでも同様に適用できる。
ファイン蒸着マスク１１２を使用しないため、本発明はEL表示パネルの製造装置の装置コストを低減できる。ファイン蒸着マスク１１２の位置決めも不要であるから、製造タクトを短縮することができる。
図１１の実施例は、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇを形成した後、青色（Ｂ）の画素の上方の緑色の発光層１７Ｇにレーザ光９１ｂを照射し、前記発光層１７Ｇを改質または除去する方法であった。
本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図４７に図示するように、蒸着材料１１１を蒸着する工程中に、レーザ光９１ｂを照射し、必要な箇所の発光層１７を改質させても良い。
一例として、図４７に図示するように、緑色の発光層１７Ｇとなる蒸着材料１１１Ｇを表示領域に蒸着する。蒸着材料１１１Ｇは、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の画素の上方、かつ、表示画面３６の範囲に蒸着される。蒸着にはファインマスクを使用せず、表示画面３６内の蒸着されるようにするラフマスクを使用する。
蒸着材料１１１Ｇの蒸着工程中に、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇに、レーザ光９１ｂが照射される。レーザ光９１ｂは図１７、図１８、図１９などの図示するようにレーザスポット１７１を移動させて、発光層１７Ｇを改質させる。発光層１７Ｇのゲスト材料はレーザ光を吸収することによりバンドギャップ等が変化し、レーザ光９１ｂを照射された箇所の発光層１７Ｇは”消灯”する。
前記実施例では、発光層１７Ｇにレーザ光９１ｂを照射し、また、レーザ光９１ｂを走査して発光層１７Ｇを順次、改質または除去する方法であった。しかし、これに限定するものではない。たとえば、図２１のように、スリットマスク２０１を介して、発光層１７Ｇにレーザ光９１ｂを照射し、一度に複数の画素の発光層１７Ｇを改質させても良いことは言うまでもない。以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。
レーザ光９１ｂの照射は、蒸着材料１１１の蒸着中に断続的に実施される。したがって、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇは、蒸着材料１１１Ｇの蒸着中に複数回、レーザ光９１ｂが照射される。
蒸着材料１１１Ｇの蒸着中に、レーザ光９１ｂが照射する。そのため、発光層１７Ｇの既定の膜厚より薄い状態で、レーザ光９１ｂを照射する。改質させる発光層１７Ｇの膜厚が薄いため、レーザ光９１ｂが発光層１７Ｇに侵入する深さが浅くてもよい。したがって、レーザ光９１ｂの照射単位面積あたりの強度を減少させることができる。また、発光層１７Ｇを複数回、蒸着し、また、複数回、レーザ光９１ｂを照射して、発光層１７Ｇを改質等させる。したがって、均一に発光層１７Ｇを改質させることができる。あるいは、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇを良好に除去することができる。
なお、図４７の実施例では、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇに複数回のレーザ光９１ｂを照射するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、レーザ光９１ｂを照射する発光層１７は、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇに限定するものではなく、他の色に発光層１７であってもよい。また、正孔輸送層あるいは電子輸送層などＥＬ素子を構成する他の層であってよいことは言うまでもない。以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。
また、蒸着材料１１１の蒸着中に、レーザ光９１ｂが照射するとしたが、これに限定するものではなく、蒸着材料１１１の蒸着を停止する。その後に、発光層１７にレーザ光９１ｂを照射する。その後、蒸着材料１１１の蒸着を再開し、所定膜厚の発光層１７を形成後、蒸着材料１１１の蒸着を停止する。その後に、発光層１７にレーザ光９１ｂを照射する工程を、複数回、繰り返しても良いことは言うまでもない。
図４８〜図５２は、発光層１７Ｇを２回に分割して形成し、２回のレーザ光９１ｂを照射して発光層１７Ｇを改質または除去する製造方法の説明図である。
図４８〜図５２は、発光層１７Ｇを２回に分割して形成し、２回のレーザ光９１ｂを照射して発光層１７Ｇを改質または除去する製造方法の説明図である。
図４８では、緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇとなる蒸着材料１１１Ｇを表示領域に発光層１７Ｇａとして蒸着する。蒸着材料１１１Ｇは、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の画素の上方、かつ、表示画面３６に蒸着される。蒸着する発光層１７Ｇａの膜厚は、最終膜厚よりも薄い膜厚である。本発明は、最終膜厚の１／ｎ（ｎは整数）の発光層１７を、ｎ回蒸着することにより所定の発光層１７の膜厚を形成する。図４８〜図５２の製造方法では、理解を容易にするため、発光層１７の蒸着は、２回に分割して実施するとして説明をする。
図４９に図示するように、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇａに、レーザ光９１ｂが照射される。レーザ光９１ｂは図１７、図１８、図１９などの図示するようにレーザスポット１７１を移動させて、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇａを改質させる。レーザ光９１ｂを照射された箇所の発光層１７Ｇａは”消灯”する。また、図２１のように、スリットマスク２０１を用いて発光層１７Ｇａを改質あるいは除去する。
青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇａは、蒸着材料１１１Ｇの蒸着中に複数回、レーザ光９１ｂが照射される。レーザ光９１ｂの照射により青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇａは、改質層６２ａとなる。発光層１７Ｇａの最終の既定の膜厚の１／２の膜厚で、レーザ光９１ｂを照射する。したがって、改質させる発光層１７Ｇａが、最終の既定の膜厚の１／２と薄いため、レーザ光９１ｂの照射単位面積あたりの強度を減少させることができる。
また、発光層１７Ｇを複数回、蒸着し、また、複数回、レーザ光９１ｂを照射して、発光層１７Ｇを改質等させる。したがって、均一に改質させることができる。あるいは、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇａを良好に除去することができる。
次に、図５０に図示するように、緑色の発光層１７Ｇｂとなる蒸着材料１１１Ｇを表示領域に発光層１７Ｇａとして蒸着する。蒸着材料１１１Ｇは、赤、緑、青の画素の上方、かつ、表示画面３６に蒸着される。蒸着する発光層１７Ｇｂの膜厚は、最終膜厚よりも薄い膜厚である。図４８〜図５２の製造方法では、発光層の蒸着は、２回に分割して実施する。
なお、発光層１７Ｇａと発光層１７Ｇｂは同一の発光材料である。また、発光層１７Ｇａの膜厚と発光層１７Ｇｂの膜厚を加算したものが、発光層１７Ｇの膜厚となるように設定する。
次に、図５１に図示するように、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇｂに、レーザ光９１ｂが照射される。レーザ光９１ｂは、図１７、図１８、図１９などの図示するようにレーザスポット１７１を移動させて、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇｂを改質させる。レーザ光９１ｂを照射された箇所の発光層１７Ｇｂは”消灯”する。また、図２１のように、スリットマスク２０１を用いて発光層１７Ｇｂを改質あるいは除去してもよい。
図５１の方法により、図５２に図示するように、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇｂは、改質層６２ｂとなる。
図５１の方法により、図５２に図示するように、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇｂは、改質層６２ｂとなる。
なお、図４８〜図５２の実施例では、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇに２回のレーザ光９１ｂを照射するとしたが、これに限定するものではない。２回以上のレーザ光９１ｂの照射であればいずれの回数であってでもよい。レーザ光９１ｂを照射する発光層１７は、青色の画素の上方に蒸着された発光層１７Ｇに限定するものではなく、発光層１７Ｇ（緑）だけでなく、他の色の発光層１７であってもよい。また、正孔輸送層あるいは電子輸送層などＥＬ素子を構成する他の層であってよいことは言うまでもない。以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。
以上の実施例では、図１７、図１８、図１９で図示するように、画素にレーザ光９１ｂのレーザスポット１７１を照射し、該当の発光層１７を改質または除去する方法であったが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図５３〜図５６に図示するように、スリットマスク２０１を使用してもよい。
スリットは、図２０、図２１に図示されているものがイメージされる。図５３に図示するように、スリットマスク２０１の開口部は、画素３７位置に対応して位置決めされる。
スリットマスク２０１ａは、蒸着材料１１１が画素３７ａの上方に蒸着されるに位置決めされる。スリットマスク２０１ｃは、蒸着材料１１１が画素３７ｃの上方に蒸着されるに位置決めされる。
スリットマスク２０１ｂは、レーザ光９１ｂが画素３７ｂの上方に照射されるに位置決めされる。スリットマスク２０１ｄは、レーザ光９１ｂが画素３７ｄの上方に照射されるに位置決めされる。
以上の構成あるいは配置により、画素３７ａ、画素３７ｃには、発光層１７が形成される。画素３７ｂ、画素３７ｄの発光層１７にはレーザ光９１ｂが照射され発光層１７は改質あるいは除去される。なお、画素３７ｂ、画素３７ｄの発光層１７が形成してからレーザ光９１ｂが照射されるように制御することは言うまでもない。
図５４は、図５３の次の工程の説明図である。スリットマスク２０１ａは、レーザ光９１ｂが画素３７ａの上方に照射されるに位置決めされる。スリットマスク２０１ｂは、レーザ光９１ｂが画素３７ｃの上方に照射されるに位置決めされる。
スリットマスク２０１ｂは、蒸着材料１１１が画素３７ｂの上方に蒸着されるに位置決めされる。スリットマスク２０１ｄは、蒸着材料１１１が画素３７ｂの上方に蒸着されるに位置決めされる。
図５３と図５４とは、レーザ光９１ｂを照射する画素３７と、蒸着材料を蒸着する画素３７とが逆の関係になっている。つまり、蒸着材料を蒸着した画素３７の発光層１７は、次工程でレーザ光９１ｂが照射された改質あるいは除去される。また、発光層１７の形成は複数回に分けて実施される。レーザ光９１ｂの照射による改質あるいは除去も複数回に分けて実施される。
発光層１７の既定の所定膜厚より薄い状態で、レーザ光９１ｂを照射する。したがって、改質させる発光層１７の膜厚が薄いため、レーザ光９１ｂの強度を減少させることができる。また、均一に改質させることができる。あるいは、蒸着された発光層１７を良好に除去することができる。
図５３、図５４は、基板１１の全面あるいは多くの部分にスリットマスク２０１を配置する構成であった。図５５、図５６は、スリットマスク２０１ｂ、２０１ｄを移動させて、発光層１７の形成と、レーザ光９１ｂの照射を実施する方法である。
スリットマスク２０１ｂは、蒸着材料１１１が画素３７ｂの上方に蒸着されるに位置決めされる。スリットマスク２０１ｄは、蒸着材料１１１が画素３７ｄの上方に蒸着されるに位置決めされる。
以上の状態で、蒸着材料１１１がスリットマスク２０１の開口部を通過して、画素３７ｂ、３７ｄに蒸着されて、発光層１７（図示せず）が形成される。
以上の状態で、蒸着材料１１１がスリットマスク２０１の開口部を通過して、画素３７ｂ、３７ｄに蒸着されて、発光層１７（図示せず）が形成される。
次に、図５６に図示するように、スリットマスク２０１ｂは、レーザ光９１ｂが画素３７ａの上方に照射されるに位置決めされる。スリットマスク２０１ｄは、レーザ光９１ｂが画素３７ｃの上方に照射されるように位置決めされる。画素３７ａ、画素３７ｃの発光層１７にはレーザ光９１ｂが照射され発光層１７は改質あるいは除去される。
次の工程では、図５５で説明した工程が実施され、次に、図５６で説明した工程が実施される。蒸着材料を蒸着した画素３７の発光層１７は、次工程でレーザ光９１ｂが照射された改質あるいは除去される。また、発光層１７の形成は２回以上に分けて実施される。レーザ光９１ｂの照射による改質あるいは除去も２回以上に分けて実施される。なお、２回に限定されるものではない。
発光層１７の既定の膜厚より薄い状態で、レーザ光９１ｂを照射する。したがって、改質させる発光層１７の膜厚が薄いため、レーザ光９１ｂを照射させる単位面積あたりの強度を減少させることができる。また、均一に改質させることができる。あるいは、蒸着された発光層１７を良好に除去することができる。また、発光層１７を複数回に分けて、レーザ光９１ｂを照射するため、照射ムラが発生しにくい。
レーザ装置室１６８等は真空中でレーザ光を対象の発光層１７に照射する。紫外線領域等のような短波長のレーザ光９１ｂを照射するため、発光層１７のゲスト材料は酸素と結合することなく、容易に発光層１７に化学変化を起こさせることができる。特に化学変化等は、特に発光層１７のゲスト材料に発生する。
本発明は、発光層１７へのレーザ光９１ｂ、９１ｃを照射することにより、ゲスト材料のバンドギャップはホスト材料のバンドギャップよりも大きく、ゲスト材料とホスト材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの相対的な配置は、ＨＯＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも低く、ＬＵＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、のうち少なくとも１つ以上の関係を発生させる。
したがって、レーザ光９１ｂ、９１ｃを照射された発光層１７は消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなる。あるいは、ゲスト材料に紫外線を吸収させ、ゲスト材料のバンドギャップを、可視光を発光するエネルギーギャップ領域よりも大きくすることで、発光層１７が消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなる。あるいは、該当発光層１７は除去される。
ゲスト材料が完全に改質しない場合は、発光が残存（残光）する。残光する発光は、中心波長からはずれた波長の光になる場合が多い。中心波長からはずれた光は、マイクロキャビティ効果により、残光は出力されなくなる。あるいは残光が低減する。したがって、残光する発光の影響はほとんどなくなり、良好な色再現性を実現できる。
本発明のＥＬ表示パネルは、光学的膜厚Ｌを、各色の波長に適するように設定してＥＬ素子２２を形成している。したがって、良好なマイクロキャビティ効果を発揮することができ、残光が発生しても、色純度の高い、各色の発光を実現できる。
レーザ光９１ｂは集光性がよいため、画素電極１５の形状にあわせてレーザ光９１ｂを集光することにより、画素電極１５部に単位面積あたり強いレーザ光９１ｂを照射することができる。そのため、所定の箇所の発光層１７のゲスト材料を短時間で改質することができる。または、短時間で、画素電極１５の発光層１７を蒸発させることができる。また、レーザ光９１ｂの走査制御も容易である。したがって、ＥＬ表示パネルの製造タクトを非常に短くすることができる。
レーザ光９１ｃの場合もレーザ光９１ｂと同様であり、付着膜１０１を短時間で改質あるいは除去することができる。また、製造タクトも短くすることができる。
画素電極１５Ｒでは発光層１７Ｒの電子正孔注入バランス（electron/hole injection balance）を最適化する。画素電極１５Ｇでは発光層１７Ｇの電子正孔注入バランスを最適化する。画素電極１５Ｂでは発光層１７Ｂの電子正孔注入バランスを最適化することができる。
電子正孔注入バランス（electron/hole injection balance）を最適化することにより、画素電極１５Ｒでは主に発光層１７Ｒにおいて生じさせることができる。また、画素電極１５Ｇでは主に発光層１７Ｇにおいて生じさせ、画素電極１５Ｂでは発光層１７Ｂにおいて生じさせることができる。
画素電極１５Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇにおいても発生する可能性がある。すなわち、画素電極１５Ｒでは、発光層１７Ｒ、１７Ｇの各々が発光する可能性がある。
画素電極１５Ｒでは、発光層１７Ｒが含んでいるドーパント材料は、発光層１７Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。
画素電極１５Ｒでは、発光層１７Ｒが含んでいるドーパント材料は、発光層１７Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。
画素電極１５Ｒでは、発光層１７Ｇが励起されるエネルギーの少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるドーパント材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。
したがって、画素電極１５Ｒの発光色は、発光層１７Ｒの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｒは、赤（Ｒ）色光を放出する。
したがって、画素電極１５Ｒの発光色は、発光層１７Ｒの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｒは、赤（Ｒ）色光を放出する。
発光層１７Ｇが含んでいるドーパント材料は、発光層１７Ｂが放出する光を吸収して励起する。また、発光層１７Ｂが含んでいるドーパント材料は、発光層１７Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光することはほとんどない。
したがって、画素電極１５Ｇの発光色は、発光層１７Ｇの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｇは、緑（Ｇ）色の光を放出する。
したがって、画素電極１５Ｇの発光色は、発光層１７Ｇの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｇは、緑（Ｇ）色の光を放出する。
画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは、レーザ光９１ｂの照射により改質されている。発光層１７Ｇは、発光する可能性があるドーパント材料を含有していない。したがって、画素電極１５Ｂの発光色は、発光層１７Ｂの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｂは、青（Ｂ）色光を放出する。
発光層１７は、ホスト材料とゲスト材料で構成される。発光層１７のゲスト材料は、レーザ光９１を吸収することにより改質する。
発光層１７は、ホスト材料とゲスト材料で構成される。発光層１７のゲスト材料は、レーザ光９１を吸収することにより改質する。
レーザ光９１ｂの波長は、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６の光吸収率（％）も考慮する必要がある。正孔輸送層（ＨＴＬ）１６の上方に発光層１７が形成され、発光層１７にレーザ光９１ｂを照射する。その際、発光層１７を透過したレーザ光９１ｂが正孔輸送層（ＨＴＬ）１６に照射される場合がある。正孔輸送層（ＨＴＬ）１６がレーザ光９１ｂを吸収すると正孔輸送層（ＨＴＬ）１６が劣化する可能性がある。
図２５に図示するように、ホスト材料は、レーザ光９１ｂを吸収しにくく、ゲスト材料は、レーザ光９１ｂを吸収しやすい材料を選定する。もしくは、レーザ光９１ｂの波長は、ホスト材料が吸収しにくく、ゲスト材料が吸収しやすい波長を選定する。
また、発光層１７の下層に位置する正孔輸送層１６が吸収しにくいレーザ光９１ｂの波長を選定する。もしくは、レーザ光９ｂを吸収しにくい正孔輸送層（ＨＴＬ）１６の材料、物質を選定する。
図２５において、ドーパント材料およびホスト材料の光吸収率（％）は、光吸収率の最大時を１００％として規格化している。
図２５において、ドーパント材料およびホスト材料の光吸収率（％）は、光吸収率の最大時を１００％として規格化している。
好ましくは、図２５に図示するように、ドーパント材料のレーザ光９１ｂの吸収率が、７５％以上の時、ホスト材料のレーザ光９１ｂの吸収率が２５％以下の関係となるように、ホスト材料、ゲスト材料を選定する。
以上の内容は、付着膜１０１に対しても同様である。したがって、レーザ光９１ｃに対しても適用される。
以上の内容は、付着膜１０１に対しても同様である。したがって、レーザ光９１ｃに対しても適用される。
本発明のＥＬ表示パネルの製造方法について、図面を参照しながら説明をする。図２８は、本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造方法のフローチャートである。また、図２２は、本発明の有機ＥＬパネルの製造装置の説明図である。
第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造方法の工程フローチャートである。第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造方法では、図２２（ａ）のＥＬ表示パネルの製造装置を使用する。
ＴＦＴ基板１１は、搬入室１６３から、中央室１６５に搬送され、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６を蒸着するチャンバー室１６１ｃに搬入される。チャンバー室１６１ｃは真空状態に設定される。チャンバー室１６１ｃで、ＴＦＴ基板１１の画素電極１５上に、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６が蒸着される（ＨＴＬ蒸着工程）。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を経由して、転写装置室１６７に搬入される。なお、転写装置室１６７は真空状態に維持される。図４〜図１１に図示して説明したようにして、転写装置室１６７では、ＴＦＴ基板１１の正孔輸送層（ＨＴＬ）１６上に、赤色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｒが形成される（発光層１７Ｒレーザ熱転写工程）。また、図１０で説明した周辺部に付着した付着膜１０１にレーザ光９０ｃを照射し、付着膜１０１を改質させる（周辺レーザ照射工程）。
なお、付着膜１０１を改質させる工程では、２０〜２００ｐｐｍの酸素を含有する窒素あるいはアルゴン雰囲気中で実施してもよい。付着膜１０１が酸素により、より高速に改質されるからである。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を経由して、チャンバー室１６１ｂに搬入される。チャンバー室１６１ｂでは発光層１７Ｇが蒸着される（発光層１７Ｇ蒸着工程）。
なお、図４７〜図５２、図５３〜図５６で説明した実施例を実施してもよい。また、図４７〜図５２、図５３〜図５６で説明した実施例を実施と組み合わせてもよいことは言うまでもない。以上の事項は他の実施例においても同様に適用できる。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を経由して、レーザ装置室１６８に搬入される。なお、レーザ装置室１６８内は真空状態、または２０〜２００ｐｐｍ程度の酸素を含んだ窒素あるいはアルゴン雰囲気状態にされる。レーザ装置室１６８では、青色の画素電極上の発光層１７Ｇにレーザ光９１ａを照射し、前記発光層１７Ｇを改質して「消光」状態にする（発光層１７Ｇレーザ照射工程）。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を経由して、チャンバー室１６１ｅに搬入される。チャンバー室１６１ｅでは発光層１７Ｂが蒸着される（発光層１７Ｂ蒸着工程）。また、発光層１７Ｂ上に、電子輸送層（ＥＴＬ）１８が蒸着される（ＥＴＬ蒸着工程）。
次に、中央室１６５を経由してチャンバー室１６１ａに搬入され、ＬｉＦ、ＭｇＡｇなどからなるカソード電極１９が形成される（ＬｉＦ、ＭｇＡｇ工程）。カソード電極の形成後、成膜室１６６からＴＦＴ基板１１は搬出され、封止工程に送られる。
なお、カソード電極は、光透過性を有すれば、いずれの材料で構成してもよいことは言うまでもない。
なお、カソード電極は、光透過性を有すれば、いずれの材料で構成してもよいことは言うまでもない。
図２９に図示するように、ＴＦＴ基板１１上に、ドナーフィルム４７が接着あるいは配置される。接着あるいは配置の方式、ドナーフィルム４７剥離の方式等は、図４、図５、図６、図８、図９などを用いて説明をしているので、説明を省略する。
図２９の実施例では、ＴＦＴ基板１１には土手５０１が形成され、ドナーフィルム４７は土手５０１と接するように配置される。
図２９の実施例では、ＴＦＴ基板１１には土手５０１が形成され、ドナーフィルム４７は土手５０１と接するように配置される。
次に、図３０に図示するように、レーザ光９１ａがドナーフィルム４７に照射され、転写有機膜４６が正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒ上に形成される。図３０での転写有機膜４６は、赤色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｒとなる。図３０では、転写有機膜４６が加熱されている箇所を４６ａで図示している。
レーザ光９１ａは、ベースフィルム４１を通過して光学変換膜４３を加熱し、光学変換膜４３は、熱を放出する。光学変換膜４３は膨張し、転写有機膜４６がドナーフィルム４７から剥離する。剥離した転写有機膜４６は、ＴＦＴ基板１１の画素電極１５の上方の正孔輸送層（ＨＴＬ）１６上に発光層１７Ｒとして堆積する。
堆積した発光層１７Ｒの厚みは、ドナーフィルム４７上に形成した転写有機膜４６の厚みに比例する。したがって、ドナーフィルム４７上に形成する転写有機膜４６の厚みを所定値にすることにより、発光層１７の膜厚を規定することができる。
以上の転写有機膜４６の転写に関する事項は、図４、図５等で説明しているので説明を省略する。
以上の転写有機膜４６の転写に関する事項は、図４、図５等で説明しているので説明を省略する。
理想的には、転写有機膜４６は、赤色の画素にのみに形成できるが、実際には、図１０で説明したように、周辺部の画素に付着膜１０１ａ、土手５０１に付着膜１０１ｂが付着する場合がある。一例として図３１に図示する実施例では付着膜１０１は、転写有機膜４６からなる赤色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ材料である。
次に、図３１に図示するように、付着膜１０１に、レーザ光９１ｃを照射して、付着膜１０１を改質させる。レーザ光９１ｃは紫外線領域の波長のレーザ光９１ｂである。レーザ光９１ｃは、発光層（ＥＭＬ）１７Ｒを改質させるレーザ光９１ｂと同一あるいは類似のものを使用する。
改質よりも高いエネルギー密度のレーザ光９１ｃを付着膜１０１に照射して、付着膜１０１を蒸発させてもよい。レーザ光９１ｃの照射により、付着膜１０１は除去される。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を経由して、チャンバー室１６１ｂに搬入される。チャンバー室１６１ｂは、緑色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが蒸着される。チャンバー室１６１ｂは真空状態に維持される。
チャンバー室１６１ｂでは、ファイン蒸着マスク１１２を使用せずに、緑色の発光層（ＥＭＬ）１７ＧがＴＦＴ基板１１に形成される。
チャンバー室１６１ｂでは、ファイン蒸着マスク１１２を使用せずに、緑色の発光層（ＥＭＬ）１７ＧがＴＦＴ基板１１に形成される。
なお、「ファイン蒸着マスク１１２を使用せずに」とは、各色の画素３７形状に対応したファイン蒸着マスク１１２を使用せずに意味であり、表示領域以外を遮蔽するラフ蒸着マスクあるいは複数画素を同時に蒸着するのに用いるラフ蒸着マスクを使用することを除外するものではない。
図３２は、緑色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが形成されたＴＦＴ基板１１を示している。赤色の画素電極１５Ｒの上方には、赤色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ、その上に積層された緑色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが形成されている。緑色の画素電極１５Ｇの上方には、緑色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが形成されている。青色の画素電極１５Ｂの上方には、緑色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが形成されている。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５、ロードロック室１６２を経由して、レーザ装置室１６８に搬入される。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５、ロードロック室１６２を経由して、レーザ装置室１６８に搬入される。
レーザ装置室１６８では、青色の画素電極１５Ｂの上方の緑色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇに、レーザ光９１ｂが照射され、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが改質される。もしくは、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが除去される。レーザ装置室１６８は、真空状態に維持される。レーザ装置室１６８には図１３〜図１６等で説明したレーザ装置が配置されている。
レーザ装置は、図３３に図示するように、青色の画素電極１５Ｂ上の緑色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇに、レーザ光９１ｂを照射し、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇの主としてゲスト材料を改質させる。発光層（ＥＭＬ）１７Ｇは改質層６２となり、非発光となる。なお、ホスト材料を改質させても、「消光」状態にすることができる。
図２３はレーザ装置７４による発光層１７の改質方法を説明する説明図である。図２３において、２３４は光検出器である。光検出器２３４は、集光レンズ２３５、光の帯域を制限する光学的帯域フィルタ２３６、光検出部２３７などを有している。図２４は光検出部２３７の回路ブロック図である。
レーザ光９１ｂは蒸着された発光層１７に照射され、発光層１７は励起されて蛍光あるいは燐光（蛍光・燐光）２３３を発光する。レーザ光９１ｂは照射された発光層（ＥＭＬ）１７Ｇを改質させる。発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが改質されると、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが発生する蛍光・燐光２３３の強度は低下する。
したがって、レーザ光９１ｂは、発光層を励起される機能と、発光層を改質する機能の２つを併せ持つ。特に、レーザ光９１ｂは、紫外線領域の光であるため、発光層１７を励起しやすい。レーザ光９１ｂを発光層１７に照射し、発光状態あるいは発光強度を監視することにより、発光層１７の改質あるいは除去状態を定量的に検出することができる。以上の事項は、レーザ光９１ｃにおいても同様である。
また、レーザ光９１は波長が固定波長のため、発生する蛍光・燐光波長と波長分離しやすい。レーザ光９１の波長をフィルタで遮光すれば、容易に蛍光あるいは燐光に励起された光を分離して取り出すことができる。つまり、蛍光・燐光２３３を検出が容易である。
本発明では、図２３で示すように、光検出器２３４は、蛍光・燐光を分離する光学的帯域フィルタ２３６を具備するため、蛍光・燐光の検出は容易である。光学的帯域フィルタ２３６は、レーザ光９１ｂの波長をカットする光学的帯域フィルタ２３６を使用する。
光検出器２３４とレーザ光９１ａの照射部は、同一の筐体に取り付けられている。したがって、レーザ光９１ａの照射位置の移動にともない、光検出器２３４の光検出位置も、同時に移動する。
また、光検出器２３４は、蛍光・燐光の強度だけでなく、波長も判別できるように構成しておくことが好ましい。たとえば、赤色の発光波長が、緑色の発光波長に変化あるいは変化量を検出する。緑色の発光波長に変化すれば、結果的に、「消光」状態となり、非発光となる。
なお、発光層１７に照射するレーザ光９１ａとは別に、発光層１７を励起させる光を別途発生させ、前記光を発光層１７Ｇに照射させてもよい。たとえば、蛍光・燐光発光用のレーザ光９１の発生装置を別途設置し、前記レーザ光９１を改質する発光層１７に照射する構成が例示される。
発生する蛍光・燐光２３３の強度が所定値以下となれば、発光層１７が消光状態となる。消光状態になると、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇの改質が完了したと判断し、レーザ光９１ｂの照射位置は、次の画素に移動する。あるいは、レーザ光９１ｂの照射位置を連続して移動し、発光層１７Ｇの発光状態を連続して検出していってもよい。
図２３において、レーザ装置７４は発光層（ＥＭＬ）１７Ｇにレーザ光９１ｂを照射し、発生する蛍光・燐光２３３を光検出器２３４で集光する。蛍光・燐光２３３は集光レンズ２３５で集光し、集光した蛍光・燐光２３３は、光学的帯域フィルタ２３６で所定の帯域に帯域制限される。もしくは所定の帯域あるいは波長の光を取り出す。帯域制限された蛍光・燐光２３３は、光検出部２３７に入射する。
光検出器２３４は、ＰＩＮフォトダイオード２４３を有する。ＰＩＮフォトダイオード２４３は蛍光・燐光２３３を電気信号に変換する。電気信号に変換された蛍光・燐光２３３は抵抗ＲＬにより電圧信号に変換され、オペアンプ２４１から電圧Ｖｏとして出力される。なお、オペアンプ２４１は信号の増幅器として使用するものであり、他の素子、機器などを使用してもよいことは言うまでもない。
電圧Ｖｏは、ＡＤ変換器２４２でアナログ・デジタル変換される。アナログ・デジタル変換されたＶｏデータは、レーザ制御回路２４４に印加され、レーザ制御回路２４４は、Ｖｏデータの値によりレーザ装置７４を制御する。Ｖｏデータが一定値以下になると、レーザ装置７４からレーザ光９１ｂが出射することを停止させ、レーザ光９１ｂの照射位置を次に照射位置（発光層）に移動させる。
以上のように、蛍光・燐光２３３の強度を、光検出器２３４でモニターすることにより、所定画素の発光層１７を精度よく消光状態にすることができる。
以上のように、蛍光・燐光２３３の強度を、光検出器２３４でモニターすることにより、所定画素の発光層１７を精度よく消光状態にすることができる。
以上の図２３、図２４で説明した事項、内容は、本発明の他の実施例においても適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。また、付着膜１０１の改質あるいは除去に関しても適用できることは言うまでもない。たとえば、付着膜１０１から発生する蛍光・燐光２３３を、光検出器２３４で検出する構成が例示される。
レーザ装置７４はフェムト秒レーザ装置を用いることが望ましい。フェムト秒レーザ装置はパルスレーザで、そのパルス幅がフェムト秒レベルのレーザ装置である。
レーザ強度はＩ ＝ E ／ Ｓｔ で表される。Ｅはパルスエネルギー、Ｓはビームスポットの面積、ｔ はレーザパルスの時間幅である。フェムト秒レーザ装置は、通常の加工に用いられるＣＯ２レーザ装置やＹＡＧレーザ装置などと違い、非熱加工であることに特徴がある。加工対象物にＣＯ２レーザ光やＹＡＧレーザ光を当てると、分子が光エネルギーを吸収して振動し、熱エネルギーに変換されて溶融・蒸発することで加工される。フェムト秒レーザの場合は光エネルギーで分子結合を切断し、周辺部分に熱拡散せずに分子を除去する「アブレーション」という現象で加工することができる。したがって、レーザ光９１を照射した箇所のみを改質し、周辺部には熱的影響などを与えない。
レーザ強度はＩ ＝ E ／ Ｓｔ で表される。Ｅはパルスエネルギー、Ｓはビームスポットの面積、ｔ はレーザパルスの時間幅である。フェムト秒レーザ装置は、通常の加工に用いられるＣＯ２レーザ装置やＹＡＧレーザ装置などと違い、非熱加工であることに特徴がある。加工対象物にＣＯ２レーザ光やＹＡＧレーザ光を当てると、分子が光エネルギーを吸収して振動し、熱エネルギーに変換されて溶融・蒸発することで加工される。フェムト秒レーザの場合は光エネルギーで分子結合を切断し、周辺部分に熱拡散せずに分子を除去する「アブレーション」という現象で加工することができる。したがって、レーザ光９１を照射した箇所のみを改質し、周辺部には熱的影響などを与えない。
図３、図６などに図示するように、本発明のＥＬ表示パネルはマトリックス状に画素が配置され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の画素３７は直線状（ストライプ状）に配置されている。したがって、画素列（行）のライン毎、または、画素上にレーザ光９１（９１ａ、９１ｂ、９１ｃ）を走査することにより、容易に、画素電極１５の上方の付着膜１０１、発光層（ＥＭＬ）１７を改質させることができる。または、画素電極１５上の付着膜１０１、発光層（ＥＭＬ）１７を蒸発させ、除去することができる。
以上のように、発明は、レーザ光９１あるいはレーザ装置７４による有機材料の改質、あるいは蒸発させることによる有機材料等の除去方式を利用する。
以上のように、発明は、レーザ光９１あるいはレーザ装置７４による有機材料の改質、あるいは蒸発させることによる有機材料等の除去方式を利用する。
また、本発明のＥＬ表示パネルの製造方法において、レーザ光９１等の照射は、１×１０−４Ｐａ以上の高真空雰囲気で行うことが好ましい。蒸着室等の真空中では、酸素がなく、レーザ光９１で発光層１７を構成する有機材料が過熱されても、発光層１７の有機材料は酸化反応が抑制され、化学変化（改質）が優先される。また、有機材料を蒸発させる場合であっても、有機材料の変化なく蒸発させることができる。
レーザ光９１は薄膜の表層の有機材料を化学変化させる。ＥＬパネルの発光層は、有機材料で構成され、５ｎｍ〜１００ｎｍという薄膜である。そのため、比較的弱いレーザであっても効率よく発光層の有機材料を化学変化させることができる。
ただし、レーザ装置室１６８の真空中に、微量の酸素（２０ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下）を入れることにより、レーザ光９１を照射している有機材料が安定的に酸素反応し、改質を促進させることができる。したがって、１０ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下のわずかな酸素雰囲気中でレーザ加工を行うことも好ましい。この場合は、真空中に限定する必要はなく、窒素あるいはアルゴン雰囲気中であってもよい。
本発明において、「真空中」と記載する場合、真空雰囲気内に２０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の酸素等を混入させる場合も本発明の技術的範疇である。
本発明において、「真空中」と記載する場合、真空雰囲気内に２０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の酸素等を混入させる場合も本発明の技術的範疇である。
レーザ光９１を照射することにより、発光層１７のゲスト材料が加熱され、発光層１７を蒸発させることができる。なお、蒸発しない残留物は十分な化学的な変化が完了し、安定的である。
レーザ装置は、基本波長の１／３の波長でＴＨＧ（Third Harmonic Generation：第３高調波）レーザを用いることが好ましい。たとえば、基本波長を非線形結晶に通して変換された４８２ｎｍの波長に基本波長を合わせ、さらにもう一つの単結晶を通過させることで３５５ｎｍの波長に変換したレーザ光を使用する。そのため、各種材質に対して吸収率が非常に高く、熱を与えにくい。ビーム径がＳＨＧ（Second harmonic generation）よりもさらに絞れるため、より微細な加工が可能である。
一般的には波長が短いと材料へのレーザ吸収率が高まる。また、 回折限界近くまでスポット径を絞ることができるので、加工したときに周囲への熱影響を小さくでき、微細加工に適している。なお、レーザ装置は、連続発振モードの装置を使用することが好ましい。
とくに、３３０ｎｍ以上３９０ｎｍの範囲の波長の紫外線光は、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６材料および発光層１７のホスト材料に吸収されにくく、また、発光層１７のゲスト材料が吸収されやすいため本発明の実施例として使用することが好ましい。
レーザ光９１（９１ａ、９１ｂ、９１ｃ）のレーザスポット１７１は、一例として、図１７に図示するように、画素３７より小さくとも良い。レーザスポット１７１が画素３７上を移動して画素３７の全面積（全領域）にレーザ光９１が照射できるからである。レーザ光９１（９１ａ、９１ｂ、９１ｃ）のレーザスポット１７１は画素３７内で移動させて、画素電極１５の範囲内にレーザ光９１を照射する。
発光層１７のゲスト材料を改質させるか、蒸発させるかはレーザ装置７４が発生し、ＴＦＴ基板１１に照射するレーザ光９１ｂ、９１ｃの強度を制御することにより容易に実現できる。レーザ光の強度の可変は光量調整フィルタ７１で行う。
図１８に図示するように、レーザスポット１７１は、画素全体を囲うように楕円形あるいは矩形としてもよい。レーザ光９１を楕円形あるいは矩形にするはシリンドルカルレンズを使用することにより容易に実現できる。
レーザ光９１ｂのレーザスポット１７１は、レーザスポット１７１が画素３７Ｇ１に照射され、次に、レーザ光９１のレーザスポット１７１は画素３７Ｇ２を移動し、次に画素３７Ｇ３を移動し、緑（Ｇ）色の画素３７Ｇの発光層のゲスト材料、あるいはホスト材料を改質（ＨＯＭＯ電位、ＬＵＭＯ電位、イオン化ポテンシャル等を変化）させる。もしくは、発光層を形成するホスト材料とゲスト材料を蒸発させる。
図１９に図示するように、レーザスポット１７１は、複数の画素３７を囲うように楕円形あるいは矩形としてもよい。
図１９に図示するように、レーザスポット１７１は、複数の画素３７を囲うように楕円形あるいは矩形としてもよい。
図１９に図示するように、レーザ光９１のレーザスポット１７１は、レーザスポット１７１が画素３７Ｇ１、画素３７Ｂ１に照射され、次に、レーザ光９１のレーザスポット１７１は画素３７Ｇ２、画素３７Ｂ２を移動し、次に、画素３７Ｇ３、画素３７Ｂ３を移動し、緑（Ｇ）色の画素列と青（Ｂ）色の画素列の発光層１７のゲスト材料を改質させる。もしくは、発光層１７を形成するホスト材料とゲスト材料のうち少なくとも一方を蒸発させる。
レーザ光９１は平行光であるため、所定の画素電極１５の上方の発光層１７のみに光を照射させることができる。また、レーザ光９１は単位面積あたりの光強度を非常に強くできるため、短時間で発光層１７を改質させることができる。もしくは、発光層１７を形成するホスト材料とゲスト材料のうち少なくとも一方を蒸発させる。
レーザ光９１ｂ、９１ｃは、紫外線領域の波長とすることにより、発光層１７を形成する有機材料を化学的に変化、もしくは蒸発させることができる。また、有機材料の化学変化、あるいは有機材料の蒸発は、有機材料の表面に発生し、下層には影響しない。そのため、たとえば、発光層１７Ｒを改質させるときに、下層の正孔輸送層（ＨＴＬ）１６を構成する材料を変化させることはない。あるいは変化を少なくすることができる。
以上のように、本発明は、紫外線領域のレーザ光９１ｂ、９１ｃを用いることにより、所定の発光層１７を選択して効率よく化学変化させることができる。もしくは、効率よく、発光層１７を蒸発させることができる。
以上の事項は本発明の他の実施例においても同様あるいは類似である。また、前述の本発明の実施例は他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。
次に、中央室１６５のロボット（図示せず）により、青色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｂ等を蒸着するチャンバー室１６１ｅに搬入される。図３４に図示するように、チャンバー室１６１ｅでは、ファイン蒸着マスク１１２を使用せずに、青色の発光層（ＥＭＬ）１７ＢがＴＦＴ基板１１に形成される。また、図３５に図示するように、連続して、電子輸送層（ＥＴＬ）が蒸着される。以上の工程も真空状態で実施される。
次に、中央室１６５のロボット（図示せず）により、図３６に図示するように、カソード電極等を蒸着するチャンバー室１６１ａに搬入される。チャンバー室１６１ａでは、ファイン蒸着マスク１１２を使用せずに、カソード電極材料（ＬｉＦ、ＭｇＡｇなど）がＴＦＴ基板１１に形成される。また、必要に応じて、カソード電極材料（ＬｉＦ、ＭｇＡｇなど）がＴＦＴ基板１１に形成される前に、電子注入層（ＥＩＬ）１８が蒸着される。
図３６に図示するように、電子輸送層（ＥＴＬ）１８上にカソード電極（陰極）１９を形成する。陰極１９には、アルミニウム、銀、銀・マグネシウム（ＭｇＡｇ）合金、カルシウムなどを用いる。
カソード電極１９は、例えば真空蒸着により発光層１７Ｂ上に積層させる。この真空蒸着では、ＥＬ表示パネルの表示領域のみにカソード電極材料が蒸着されるように、ラフ蒸着マスクを使用する。これにより、カソード電極１９は、表示領域全体に連続膜として形成される。
カソード電極１９上には、封止層２０が形成される。封止層２０は、ＣＶＤで形成された保護層（ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等）と有機材料からなる封止樹脂層から構成される。
次に、このようにして得られたＥＬ素子２２を封止する。すなわち、ＥＬ素子２２がＴＦＴ基板と封止基板とシール層とによって取り囲まれるように、ＴＦＴ基板１１と封止基板とをシール層を介して貼り合わせる。もしくは、薄膜封止技術で封止する。
次に、中央室１６５のロボット（図示せず）により、ＴＦＴ基板１１は搬出室１６４に搬入され、ＴＦＴ基板１１は、次工程の封止工程等のために搬出される。
次に、中央室１６５のロボット（図示せず）により、ＴＦＴ基板１１は搬出室１６４に搬入され、ＴＦＴ基板１１は、次工程の封止工程等のために搬出される。
ＳｉＯＮなどをＣＶＤで形成した後、有機材料などを形成して、封止層２０としてもよい。封止層２０には、封止フィルム２７を貼り付け、防湿対策をすることが好ましい。また、光出射側には、表示コントラストを良好なものとするため、円偏光板（円偏光フィルム）２９を貼り付けることが望ましい。
本発明のＥＬ表示パネルの製造方法では、ファイン蒸着マスク１１２をしない。したがって、ファイン蒸着マスク１１２の位置決め不良による混色の発生を大幅に抑制でき、製造歩留りを向上できる。また、ファイン蒸着マスク１１２の位置決めがないため製造タクトを短縮できる。また、ファイン蒸着マスク１１２数が削減されるため、製造装置のコストも低減できる。
図３７、図３８は、本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの説明図である。図３７、図３８において、赤（Ｒ）の画素３７Ｒの絶縁膜１４Ｒと、緑（Ｇ）の画素３７Ｇの絶縁膜１４Ｇと、青（Ｂ）の画素３７Ｂの絶縁膜１４Ｂとの膜厚は異なっている。
赤（Ｒ）の画素３７Ｒの絶縁膜１４Ｒが最も厚く形成されている。緑（Ｇ）の画素３７Ｇの絶縁膜１４Ｇは赤（Ｒ）の画素３７Ｒの絶縁膜１４Ｒの膜厚よりも薄く、青（Ｂ）の画素３７Ｂの絶縁膜１４Ｂの膜厚よりは厚く形成されている。青（Ｂ）の画素３７Ｂの絶縁膜１４Ｂは緑（Ｇ）の画素３７Ｇの絶縁膜１４Ｇの膜厚よりも薄いか、青（Ｂ）の画素３７Ｂの絶縁膜１４Ｂは形成されていない。
赤（Ｒ）の画素３７Ｒの発光層１７は、発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｂの２つの層が積層されて形成されている。緑（Ｇ）の画素３７Ｇの発光層１７は、発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｂの３つの層が積層されて形成されている。青（Ｂ）の画素３７Ｂの発光層１７は、発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｂの２つの層が積層されて形成されている。
したがって、赤色の画素３７Ｒの光学的距離Ｌ１ ＞ 緑色の画素３７Ｇの光学的距離Ｌ２ ＞ 青色の画素３７Ｂの光学的距離Ｌ３となっている。
したがって、赤色の画素３７Ｒの光学的距離Ｌ１ ＞ 緑色の画素３７Ｇの光学的距離Ｌ２ ＞ 青色の画素３７Ｂの光学的距離Ｌ３となっている。
マイクロキャビティ効果は、赤（Ｒ）の画素３７Ｒ、緑（Ｇ）の画素３７Ｇ、青（Ｂ）の画素３７Ｂで適正に設定することが容易であり、高色再現性を実現できる。
なお、以上の実施例では、絶縁膜１４の膜厚を、赤（Ｒ）の画素３７Ｒ、緑（Ｇ）の画素３７Ｇのと、青（Ｂ）の画素３７Ｂで変化させること、赤（Ｒ）の画素３７Ｒと、緑（Ｇ）の画素３７Ｇ、青（Ｂ）の画素３７Ｂとで発光層１７の積層数を変化させることにより、マイクロキャビティ効果が適正となるように、光学的距離を設計している。
以上の本発明の技術的思想は、限定するものではない。たとえば、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６、電子輸送層（ＥＴＬ）１８の膜厚を、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７で光学的距離を変化させてもよいことは言うまでもない。
また、絶縁膜１４の膜厚を、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７で変化させること、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素で発光層１７の積層数を変化させること、正孔輸送層（ＨＴＬ）の膜厚を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素で変化させること、電子輸送層（ＥＴＬ）１８の膜厚を、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７で変化させることのうち、いずれかあるいは組み合わせて、マイクロキャビティ効果が適正となるように、光学的距離Ｌを設計あるいは設定してもよいことはいうまでもない。
本発明の実施例では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７の３色としたが、これに限定するものではなく、たとえば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）画素３７の４色でもよい。つまり、表示画面３６は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の画素３７から構成される。表示画面３６を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の画素３７で構成することにより、高輝度化が可能となる。
また、本発明の実施例において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７の３原色として説明したが、これに限定されるものではない。たとえば、青（Ｂ）色、黄色（Ｙ）の２色であってもよい。
また、本発明の技術的思想は、アクティブマトリックス型ＥＬ表示パネルに適用されるだけでなく、キャラクタ表示などの単純マトリックス型ＥＬ表示パネルにも適用できることは言うまでもない。
また、レーザ光９１で発光層１７、あるいは付着膜１０１を改質あるいは除去するという技術的思想は、ＥＬ表示パネルが単色（たとえば、黄色（Ｙ）の一色）であっても適用できることは言うまでもない。
本発明のＥＬ表示パネルは、複数の色を有するＥＬ表示パネルにおいて、絶縁膜１４の膜厚、発光層１７の積層数等を変化させることにより、光学的距離Ｌを変化させるものである。
以上の事項は、本発明の他の実施例においても適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
以上の事項は、本発明の他の実施例においても適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることも言うまでもない。
図３７、図３８は、第２の実施例における本発明のＥＬ表示パネルの構造図である。ＴＦＴ基板１１上にトランジスタ２１（図示せず）、ゲート信号線３４（図示せず）、ソース信号線３５（図示せず）などが形成されている。
また、ＴＦＴ基板１１には、光反射膜あるいは反射膜が形成されている。ＥＬ素子２２を構成するアノード電極は、透明電極である画素電極１５として形成されている。画素電極１５の下層には反射膜１２が形成されている。
反射膜１２は、アルミニウムまたは銀（Ａｇ）で形成される。より好ましくは、銀で形成する。銀で形成することにより、光の反射率が向上する。
反射膜１２は、アルミニウムまたは銀（Ａｇ）で形成される。より好ましくは、銀で形成する。銀で形成することにより、光の反射率が向上する。
反射膜１２と画素電極１５を電極として、コンデンサ２３を構成してもよい。画素の保持容量として用いることにより保持特性が良好になる。この場合は、反射膜１２をゲート信号線３４またはアノード電極（画素電極１５）と接続して所定電位とする。赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７で絶縁膜１４の膜厚を異ならせることにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素３７で保持容量を異ならせることができる。
図３７、図３８において、絶縁膜１４として、無機材料からなるＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２が例示される。また、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂を用いても良い。本明細書では説明を容易にするためＳｉＮｘを例示して説明をするがこれに限定されるものではない。
赤の画素電極１５Ｒと反射膜１２Ｒ間には絶縁膜１４Ｒが形成されている。同様に、緑の画素電極１５Ｇと反射膜１２Ｇ間には絶縁膜１４Ｇが形成され、青の画素電極１５Ｂと反射膜１２Ｂ間には絶縁膜１４Ｂが形成されている。なお、反射膜１２Ｂと画素電極１５Ｂ間に絶縁膜１４Ｂを形成しない構成も本発明の範疇である。
各画素電極１５の下層に形成される絶縁膜１４の膜厚は、ＥＬ素子２２の光学的距離Ｌを調整するために異ならせている。本発明は、複数色の画素電極１５の下層の絶縁膜１４において、いずれかの絶縁膜１４の膜厚を異ならせた構成である。
また、本発明は、複数色を発光するＥＬ表示パネルにおいて、少なくも１つの色のＥＬ素子２２に、複数の発光層（ＥＭＬ）１７を形成し、他の色のＥＬ素子２２の発光層１７と異ならせ、光学的距離Ｌを異ならせた構成である。
図３７、図３８に図示する実施例において、赤色の画素電極１５Ｒ上には、発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｒとカソード電極１９Ｒ間の距離Ｌ１が赤色のＥＬ素子２２の光学的距離である。
緑色の画素電極１５Ｇ上には、発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｇ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｇとカソード電極１９Ｇ間の距離Ｌ２が緑色のＥＬ素子２２の光学的距離である。
青色の画素電極１５Ｂ上には、発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ、発光層（ＥＭＬ）１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｂとカソード電極１９Ｂ間の距離Ｌ３が青色のＥＬ素子２２の光学的距離である。
図３８に図示するように、隣接した画素電極１５間には土手５０１が形成されている。土手はドナーフィルム４７を使用する際に、ドナーフィルム４７を支持するためのものである。
画素３７Ｒは、赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒが赤（Ｒ）色で発光する。青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは発光しない。赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒは、“発光”、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。
画素３７Ｇは、緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇが緑（Ｇ）色で発光する。赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒは発光しない。また、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは発光しない。緑（Ｇ）色の発光層１７Ｇは“発光”、赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒ、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。
画素３７Ｂは、青（Ｂ）色の発光層１７Ｂが青（Ｂ）色で発光する。赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒは発光しない。青（Ｂ）色の発光層１７Ｂは“発光”、赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒは“消光”となっている。
画素電極１５上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６が形成されている。画素電極１５と正孔輸送層（ＨＴＬ）１６間に正孔注入層（ＨＩＬ 図示せず）を形成してもよい。画素電極１５Ｒ上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒを形成し、画素電極１５Ｇ上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｇを形成し、画素電極１５Ｂ上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｂを形成してもよい。
画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｇ上の正孔輸送層（ＨＴＬ）１６は、ファイン蒸着マスク１１２などを使用せずに、同時に形成する。なお、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｇ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｂは、ファイン蒸着マスク１１２などを使用して独立して形成してもよい。また、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｇ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｂは異なる正孔輸送層（ＨＴＬ）１６材料を用いてもよい。
発光層１７の上方には、電子輸送層（ＥＴＬ）１８を形成されている。電子輸送層（ＥＴＬ）１８とカソード電極１９との間に電子注入層（図示せず）を形成してもよい。電子輸送層（ＥＴＬ）１８は、赤（Ｒ）色の画素、緑（Ｇ）色の画素、青（Ｂ）色の画素３７で異ならせてもよい。
赤色のＥＬ素子の物理的距離と、緑色のＥＬ素子の物理的距離Ｌ２と、青色のＥＬ素子の物理的距離Ｌ３との関係は、赤色のＥＬ素子の物理的距離Ｌ１ ＞ 緑色のＥＬ素子の物理的距離Ｌ２ ＞ 青色のＥＬ素子の物理的距離Ｌ３の関係となっている。光学的干渉の次数は赤色のＥＬ素子、緑色のＥＬ素子、青色のＥＬ素子で、同一の次数としている。
赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色のＥＬ素子に使用する材料の屈折率は、大きな差異はない。したがって、物理的距離と、光学的距離とは、ほぼ比例関係にある。
以上のことから、図１９、図２０の本発明のＥＬ表示パネルにおいても、絶縁膜１４の膜厚、発光層１７の層数を、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の画素３７（ＥＬ素子２２）で変化あるいは調整することにより、マイクロキャビティ効果が適正となるように構成したものである。
以下、図３７、図３８に図示する本発明のＥＬ表示パネルの製造方法について説明をする。
以下、図３７、図３８に図示する本発明のＥＬ表示パネルの製造方法について説明をする。
図３９は、本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造方法のフローチャートである。図３９のフローチャート図に示すように、本発明の製造方法は、主として真空中（真空工程）で実施する。本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造方法では、図２２（ｂ）の製造装置を使用する。
ＴＦＴ基板１１は、搬入室１６３から、中央室１６５に搬送され、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６を蒸着するチャンバー室１６１ｃに搬入される。チャンバー室１６１ｃは真空状態に設定される。チャンバー室１６１ｃで、ＴＦＴ基板１１の画素電極１５上に、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６が蒸着される（ＨＴＬ蒸着工程）。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を経由して、チャンバー室１６１ｄに搬入される。チャンバー室１６１ｄでは発光層１７Ｒが蒸着される（発光層１７Ｒ蒸着工程）。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を経由して、レーザ装置室１６８に搬入される。なお、レーザ装置室１６８内は、真空状態または、２０〜２００ｐｐｍ程度の酸素を含んだ窒素あるいはアルゴン雰囲気状態にされる。レーザ装置室１６８では、緑色の画素電極１５Ｇ上、および青色の画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｒにレーザ光９１ａを照射し、前記発光層１７Ｒを改質して「消光」状態にする（発光層１７Ｒレーザ照射工程）。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を経由して、転写装置室１６７に搬入される。なお、転写装置室１６７は真空状態に維持される。転写装置室１６７では、緑色の画素電極１５Ｇの上方に、緑色の発光層（ＥＭＬ）１７Ｇが形成される（発光層１７Ｇレーザ熱転写工程）。また、図４３で図示するように、説明した周辺部に付着した付着膜１０１にレーザ光９０ｃを照射し、付着膜１０１を改質させる（周辺レーザ照射工程）。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を経由して、チャンバー室１６１ｅに搬入される。チャンバー室１６１ｅでは発光層１７Ｂが蒸着される（発光層１７Ｂ蒸着工程）。また、発光層１７Ｂ上に、電子輸送層（ＥＴＬ）１８が蒸着される（ＥＴＬ蒸着工程）。
次に、中央室１６５を経由してチャンバー室１６１ａに搬入され、ＬｉＦ、ＭｇＡｇなどからなるカソード電極１９が形成される（ＬｉＦ、ＭｇＡｇ工程）。カソード電極１９の形成後、成膜室１６６からＴＦＴ基板１１は搬出され、封止工程に送られる。
ＴＦＴ基板１１は、図２２（ｂ）に示すように、搬入室１６３から中央室１６５を介して、チャンバー室１６１ｃに搬入される。チャンバー室１６１ｃで正孔輸送層（ＨＴＬ）１６が、赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の画素に共通に形成される。この工程では、ファイン蒸着マスク１１２は使用しない。
次に、ＴＦＴ基板１１は、中央室１６５を介して、チャンバー室１６１ｄに搬入される。チャンバー室１６１ｄでは、図４０で図示するように、発光層（ＥＭＬ）１７Ｒが蒸着される。発光層（ＥＭＬ）１７Ｒは、ファイン蒸着マスク１１２を使用せず、表示画面３６の赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の画素３７に連続して蒸着される。
次に、ＴＦＴ基板１１は、ロードロック室（ＬＬ室）１６２を介して、レーザ装置室１６８に搬入される。図４１に図示するように、レーザ装置室１６８で、緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの正孔輸送層（ＨＴＬ）上の発光層（ＥＭＬ）１７Ｒにレーザ光９１ｂが照射される。レーザ光９１ｂが照射されることにより、発光層１７Ｒが改質し、消光状態となる。
画素電極１５Ｒの上方は、赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒが赤（Ｒ）色で発光する。画素電極１５Ｇの上方は、赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒが“消光”となる。同様に、画素電極１５Ｂの上方は、赤（Ｒ）色の発光層１７Ｒが“消光”となる。
次に、ＴＦＴ基板１１は、成膜装置１６６の転写装置室１６７に搬入され、発光層１７Ｇが転写される。転写工程は、図４２に図示するように、ＴＦＴ基板１１上に、ドナーフィルム４７が接着され、該当箇所に、レーザ光９１ａを照射することにより実施される。
ＴＦＴ基板１１とドナーフィルム４７とが前述の接着工程により接着された状態で、ドナーフィルム４７上で発光層１７Ｇが転写される領域にのみ、レーザ光９１ａを照射する。
レーザ光９１ａが照射されれば、光熱変換膜４３がＴＦＴ基板１１方向に膨張することによって、転写有機膜４６も膨張され、レーザが照射された領域の転写有機膜４６がドナーフィルム４７から剥離されて、ＴＦＴ基板１１に転写される。
図４２の実施例では、ドナーフィルム４７は、ＴＦＴ基板１１に形成された土手５０１によって保持されている。また、緑色の画素３７Ｇあるいは緑色の画素列ごとにレーザ光９１ａが照射されて、発光層１７Ｇが形成される。
この工程も真空中で実施される。発光層１７Ｇの転写は、ファイン蒸着マスク１１２を使用せず、画素電極１５Ｇの上方の発光層（ＥＭＬ）１７Ｒ上に、転写有機膜４６が積層される。転写有機膜４６は発光層（ＥＭＬ）１７Ｇとなる。
図４２の実施例により、転写有機膜４６が発光層（ＥＭＬ）１７Ｇとして、ＴＦＴ基板１１の緑色の画素１５Ｇに転写される。しかし、図４３に図示するように、転写有機膜４６は、緑色の画素電極１５Ｇの上方だけでなく、土手５０１上に付着膜１０１ｂとして付着することがある。また、緑色の画素電極１５Ｇだけでなく、赤色の画素電極１５Ｒの上方、青色の画素電極１５Ｂの上方に付着膜１０１ａとして付着する場合がある。
図４３は、本発明のＥＬ表示パネルの製造工程で発生する付着膜１０１を改質あるいは除去する方法の説明図である。
図４３は、本発明のＥＬ表示パネルの製造工程で発生する付着膜１０１を改質あるいは除去する方法の説明図である。
熱転写により、不要な箇所に付着した付着膜１０１には、レーザ光９１ｃを照射して改質させる。付着膜１０１に紫外線帯域のレーザ光９１ｃを照射する。紫外線帯域のレーザ光９１ｃの照射により付着膜１０１のゲスト材料は改質される。改質により、付着膜１０１は発光しなくなるか。レーザ光９１ｃの照射は、真空中で実施する。もしくは、２０〜２００ｐｐｍの酸素を含んだ窒素あるいはアルゴン雰囲気状態で実施する。
次に、図４４に図示するように、ＴＦＴ基板１１は、成膜装置１６６のチャンバー室１６１ｅに搬入され、発光層１７Ｂが蒸着される。この工程も真空中で実施される。発光層１７Ｂの蒸着は、ファイン蒸着マスク１１２を使用せず、表示画面の全体に発光層１７Ｂが蒸着される。また、電子輸送層（ＥＴＬ）１８が、赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の画素３７に連続して形成される。
次に、図４５に図示するように、ＴＦＴ基板１１は、成膜装置１６６のチャンバー室１６１ａに搬入され、電子注入層（ＥＩＬ）１８、カソード電極１９が蒸着される。電子注入層（ＥＩＬ）、カソード電極１９の蒸着は、ファイン蒸着マスク１１２を使用せず、表示画面３６の全体に蒸着される。
次に、ＴＦＴ基板１１は搬出室１６４を介して、封止工程に送られ、封止構成では、カソード電極１９上には、図４６に図示するように、封止層２０が形成される。封止層２０は、ＣＶＤで形成された保護層（ＳｉＯＮ等）と有機材料からなる封止樹脂層から構成される。
以上の実施の形態は、本発明の他の実施の形態にも適用できることは言うまでもない。また、本明細書に記載された実施の形態は相互に組み合わせることができることも言うまでもない。
また、本明細書に記載するＥＬ表示パネルおよびＥＬ表示装置、ＥＬ表示パネルの製造方法、製造装置に関する技術的思想は、アクティブマトリックス型の表示パネルのみに適用されるものではなく、単純マトリックス型のＥＬ表示パネルあるいはキャラクタ表示のＥＬ表示パネルにも適用できることは言うまでもない。
また、本発明において、レーザ光９１を用いて、発光層１７を改質あるいは除去するとしたが、レーザ光９１に限定されるものではない。たとえば、紫外線領域の光を発生する紫外線発光ＬＥＤが発生する光を集光等して用いてもよいことは言うまでもない。
本発明の技術的思想は、少なくとも１つの色の画素電極の上方に複数の発光層１７を積層して形成すること、複数の発光層１７のうち、少なくとも１つの発光層１７に光を照射し、消光させていることを特徴とする。また、本発明の技術的思想は、少なくとも１つの色の画素電極１５の上方に複数の発光層１７を積層して形成すること、少なくとも１つの色の画素電極１５の下方の絶縁膜１４が、他の色の画素電極１５の下方の絶縁膜１４と膜厚が異なっていることを特徴とする。
したがって、本発明の実施例において、発光層１７は、低分子ＥＬ材料を蒸着方式により形成することを例示して説明したが、これに限定するものではない。たとえば、ＥＬ材料は高分子材料を使用し、発光層１７はインクジェット方式で形成してもよいことは言うまでもない。
つまり、発光層（ＥＭＬ）１７の形成は、蒸着方式に限定されるものではなく、インクジェット技術あるいは印刷技術方式で形成してもよいことは言うまでない。また、電子輸送層（ＥＴＬ）１８、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６など他の層も、インクジェット技術あるいは印刷技術からなる方式で形成してもよいことは言うまでない。
実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示部に適用することができる。
実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示部に適用することができる。
そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが例示される。
図５７は、実施の形態に係るＥＬ表示装置を用いたディスプレイの概観図である。図５７に示されたディスプレイは、保持台５７２と、ＥＬ表示装置（ＥＬ表示パネル）５７１と、支柱５７３を含む。 図５７に示すディスプレイは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。なお、図５７に示すディスプレイが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図５８は、実施の形態に係るＥＬ表示装置を用いたカメラの概観図である。図５８に示されたカメラは、シャッタ５８１と、ビューファインダ５８２とを含む。図５８に示すカメラは、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影する機能を有する。なお、図５８示すカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図５９は、実施の形態に係るＥＬ表示装置を用いたコンピュータの概観図である。図５９に示されたコンピュータは、キーボード５９１と、タッチパッド５９２とを含む。図５９に示すコンピュータは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。なお、図５９に示すコンピュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
本実施の形態に係るＥＬ表示装置とは、情報機器などのシステム機器を含む概念である。表示パネルの概念は、広義には情報機器などのシステム機器を含む。また、テレビ、スマートフォンなど機器を含む。
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。
それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
本開示は、ＥＬ表示装置、ＥＬ表示パネルに有用である。特に、アクティブ型の有機ＥＬフラットパネルディスプレイに有用である。また、本発明のＥＬ表示パネルの製造方法、製造装置として有用である。
１１ ＴＦＴ基板
１２ 反射膜
１４ 絶縁膜
１５ 画素電極
１６ 正孔輸送層（ＨＴＬ）
１７ 発光層（ＥＭＬ）
１８ 電子輸送層（ＥＴＬ）
１９ カソード電極
２０ 封止層
２１ ＴＦＴ（トランジスタ）
２２ ＥＬ素子
２３ コンデンサ
２７ 封止フィルム
２８ 平坦化膜
２９ 円偏光板（円偏光フィルム）
３１ ゲートドライバＩＣ（回路）
３２ ソースドライバＩＣ（回路）
３４ ゲート信号線
３５ ソース信号線
３６ 表示画面
３７ 画素
４１ ベースフィルム
４３ 光熱変換膜
４４ 中間膜
４５ バッファ膜
４６ 転写有機膜
４７ ドナーフィルム
４８ 磁力発生装置
６２ 改質層
７１ 光量調整フィルタ
７２ ガルバノミラー
７３ ｆθレンズ
７４ レーザ装置
７５ 排気口
７６ 支持機構
７７ 加圧ローラー
７８ 移動ステージ
７９ 制御機構
８０ 昇降機構
９２ レンズ
１０１ 付着膜
１１１ 蒸着材料
１２３ 温度調整板
１２４ 真空ポンプ
１２５ 排気ダクト
１２６ 蒸着室
１２７ 金属蒸着源
１２８ 有機蒸着源
１６１ チャンバー室
１６２ ロードロック室
１６３ 搬入室
１６４ 搬出室
１６５ 中央室
１６６ 成膜装置
１６７ 転写装置室
１６８ レーザ装置室
１７１ レーザスポット
２０１ スリットマスク
２３３ 蛍光・燐光
２３４ 光検出器
２３５ 集光レンズ
２３６ フィルタ
２３７ 光検出部
２４１ オペアンプ
２４２ ＡＤ変換器
２４３ ＰＩＮフォトダイオード
２４４ レーザ制御回路
５７１ ＥＬ表示装置
５７２ 保持台
５７３ 支柱
５８１ シャッタ
５８２ ビューファインダ
５９１ キーボード
５９２ タッチパッド
５０１ 土手
１２ 反射膜
１４ 絶縁膜
１５ 画素電極
１６ 正孔輸送層（ＨＴＬ）
１７ 発光層（ＥＭＬ）
１８ 電子輸送層（ＥＴＬ）
１９ カソード電極
２０ 封止層
２１ ＴＦＴ（トランジスタ）
２２ ＥＬ素子
２３ コンデンサ
２７ 封止フィルム
２８ 平坦化膜
２９ 円偏光板（円偏光フィルム）
３１ ゲートドライバＩＣ（回路）
３２ ソースドライバＩＣ（回路）
３４ ゲート信号線
３５ ソース信号線
３６ 表示画面
３７ 画素
４１ ベースフィルム
４３ 光熱変換膜
４４ 中間膜
４５ バッファ膜
４６ 転写有機膜
４７ ドナーフィルム
４８ 磁力発生装置
６２ 改質層
７１ 光量調整フィルタ
７２ ガルバノミラー
７３ ｆθレンズ
７４ レーザ装置
７５ 排気口
７６ 支持機構
７７ 加圧ローラー
７８ 移動ステージ
７９ 制御機構
８０ 昇降機構
９２ レンズ
１０１ 付着膜
１１１ 蒸着材料
１２３ 温度調整板
１２４ 真空ポンプ
１２５ 排気ダクト
１２６ 蒸着室
１２７ 金属蒸着源
１２８ 有機蒸着源
１６１ チャンバー室
１６２ ロードロック室
１６３ 搬入室
１６４ 搬出室
１６５ 中央室
１６６ 成膜装置
１６７ 転写装置室
１６８ レーザ装置室
１７１ レーザスポット
２０１ スリットマスク
２３３ 蛍光・燐光
２３４ 光検出器
２３５ 集光レンズ
２３６ フィルタ
２３７ 光検出部
２４１ オペアンプ
２４２ ＡＤ変換器
２４３ ＰＩＮフォトダイオード
２４４ レーザ制御回路
５７１ ＥＬ表示装置
５７２ 保持台
５７３ 支柱
５８１ シャッタ
５８２ ビューファインダ
５９１ キーボード
５９２ タッチパッド
５０１ 土手
Claims (7)
- 第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造方法であって、
少なくともいずれかの前記色の画素に、第２の発光層を形成する第２の工程と、
前記第２の発光層に、第１の光を照射して、前記第２の発光層を改質する第３の工程を有し、
前記第２の発光層を形成する第２の工程と、前記第２の発光層を改質する第３の工程とを複数回行うことを特徴とするＥＬ表示パネルの製造方法。 - 第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造方法であって、
少なくともいずれかの前記色の画素に、第２の発光層を形成する第２の工程と、
前記第２の発光層に、第１の光を照射して、前記第２の発光層を改質する第３の工程を有し、
前記第１の光が、前記第２の発光層に照射されることにより、前記第２の発光層が発光し、
前記発光の強度に基づいて、前記第１の光が制御されることを特徴とするＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記第１の光は、紫外線波長のレーザ光またはＬＥＤが発生する光であり、
前記第１の光は、スリットマスクのスリットを介して、前記第２の発光層に照射されることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記第２の発光層は、ゲスト材料とホスト材料とを含有し、
前記第１の光が照射された前記第２の発光層には、
前記ゲスト材料のバンドギャップが、前記ホスト材料のバンドギャップよりも大きく、
前記ゲスト材料と前記ホスト材料のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）の相対的な配置は、前記ゲスト材料のほうが前記ホスト材料よりも低く、
前記ゲスト材料と前記ホスト材料のＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）の相対的な配置は、ゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、の３つの関係のうち、少なくとも１つ以上の関係があることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記第１の発光層、前記第２の発光層および前記第３の発光層のいずれか１つの発光層は、熱転写技術で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
- 前記第２の発光層は、ホスト材料とゲスト材料とを共蒸着することにより形成され、
前記ゲスト材料は、前記ホスト材料よりも、前記第１の光の吸収率が大きいことを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素の各々の画素のカソード電極は光透過性を有し、
前記第１の発光層、前記第２の発光層および前記第３の発光層の各々の発光層で発生した光は、前記カソード電極側から出射される構造であり、
前記各々の色の画素の画素電極は透明電極であり、
前記画素電極の下層に反射膜が形成され、
前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素のうち、少なくとも１つの色の画素の前記画素電極と前記反射膜との間に、光透過性を有する薄膜が形成され、
前記第１の色の画素の反射膜と前記カソード電極との間の光学的距離、前記第２の色の画素の反射膜と前記カソード電極との間の光学的距離、および前記第３の色の画素の反射膜と前記カソード電極との間の光学的距離のうち、
少なくとも１つの色の画素についての光学的距離が、他の色の画素についての光学的距離と異なることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
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