WO2018211776A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents

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WO2018211776A1
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organic
layer
light
electrode
light emitting
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PCT/JP2018/007878
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一樹 加藤
松村　智之
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コニカミノルタ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence element and a method for manufacturing the same.
  • organic electroluminescence A phenomenon in which voltage is applied to an organic substance to emit light is called organic electroluminescence (hereinafter also referred to as “organic EL”), and an element that generates organic EL is called an organic EL element.
  • the organic EL element is also referred to as a single-layer or multilayer light-emitting layer containing an organic light-emitting substance (“organic EL layer”, “organic thin film layer”, “organic light-emitting substance-containing layer”, “organic light-emitting layer”, etc.) A) between the anode and the cathode.
  • Organic EL element When a voltage is applied to the organic EL element, electrons are injected from the cathode into the light emitting layer and holes are injected from the anode, and these are recombined in the light emitting layer to generate excitons.
  • the organic EL element emits light by utilizing light emission (fluorescence / phosphorescence) from the excitons generated in this way.
  • Organic EL elements can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts, and are self-luminous, so they have a wide viewing angle, high visibility, and are thin-film, completely solid-state devices. It can be made space and attracts attention from the viewpoint of portability.
  • Such an organic EL element is applied to a display device such as a light source for illumination or a display.
  • organic EL elements have been developed, and those having light transmission properties (see-through properties) have been proposed.
  • Such an organic EL element is called a “see-through organic EL element” or the like. Since both the anode and the cathode are transparent electrodes, both sides emit light. See-through organic EL elements are expected to be applied to, for example, vehicle lamps and general lighting.
  • a light-emitting device that has a see-through property by using one of an anode and a cathode as a transparent electrode and the other as a reflective electrode.
  • an organic EL element in order to distinguish such an organic EL element from the see-through organic EL element described above, it is referred to as a “see-through single-sided light emitting organic EL element”. See-through single-sided organic EL elements are also expected to be applied to, for example, vehicle lamps and general lighting.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of a conventional see-through single-sided light emitting organic EL element.
  • the conventional see-through single-sided light emitting organic EL element 101 has a configuration in which a region where the reflective electrode 104, the organic layer 105, and the transparent electrode 103 overlap emits light, and a region other than that does not emit light.
  • a light emitting region is referred to as a light emitting region 151
  • a region that does not emit light is referred to as a non-light emitting region 152.
  • the see-through single-sided light emitting organic EL element 101 having such a configuration has a problem that light leaks to the reflective electrode side during light emission.
  • the patterned reflective electrode 104 cannot completely block the emitted light LL 1, and the excitation energy generated in the light emitting region 151 is generated in the non-light emitting region 152.
  • it diffuses and emits light outside the light emitting region 151 (that is, the non-light emitting region 152).
  • the problem that light leaks to the reflective electrode side during light emission does not occur in the above-described see-through organic EL element that needs to emit light on both sides.
  • Patent Document 1 discloses a technique that can solve the above-described problem relating to a see-through single-sided light emitting organic EL element.
  • Patent Document 1 includes a translucent substrate, a first electrode, a second electrode, and an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode, and A light emitting portion formed on the first surface of the substrate, and the organic layer is formed continuously over a region on the first electrode and a portion located around the first electrode, and the organic layer A light emitting device is described in which the peak of the light absorption region of the layer is not between 480 and 580 nm.
  • Patent Document 1 describes that the second electrode covers the first electrode (that is, covers the light emitting region) and has a light shielding property.
  • Patent Document 1 the peak wavelength of the light absorption region in the organic layer is out of the wavelength range of 480 to 580 nm, while the light emitting device emits visible light, and the material of the substrate is 480 to 480. It is described that the light-transmitting property is designed to be high in the wavelength region of 580 nm. For this reason, Patent Document 1 describes that it is difficult for photoluminescence to occur in the organic layer, and it is possible to suppress a decrease in light transmittance of the light emitting device.
  • photoluminescence refers to a phenomenon in which an organic layer of an organic EL element receives light from the outside to emit light, and light generated by this phenomenon is referred to as photoluminescence light. Photoluminescence occurs regardless of whether the organic EL element emits light or not.
  • the second electrode (reflecting electrode) having a predetermined shape covers the first electrode (transparent electrode) having a predetermined shape, and the reflecting electrode plays a role of shielding light emitted from the organic layer.
  • the first electrode transparent electrode
  • the reflecting electrode plays a role of shielding light emitted from the organic layer.
  • an organic layer having a light absorption region whose peak is not in the range of 480 to 580 nm is formed on the entire surface of the organic EL element.
  • this organic layer absorbs light other than 480 to 580 nm and emits light in the visible light region (380 to 780 nm).
  • the photoluminescence in this specification shall mean the photoluminescence of visible region light emission).
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and does not cause light leakage to the side of the electrode that plays a role of shielding light emitted from the organic layer, is easy to manufacture, and has a high see-through property. It is another object of the present invention to provide a manufacturing method thereof.
  • the transparent region is in contact with the light emitting region where the light emitting function is exerted when voltage is applied, but is not in contact with the reflective electrode, and the light emitting function is lower than that of the light emitting region.
  • An organic electroluminescence device having an active region.
  • the transparent region is in contact with the light emitting region where the light emitting function is exerted when voltage is applied, but is not in contact with the reflective electrode, and the light emitting function is lower than that of the light emitting region.
  • An active region, and an organic electroluminescence device having a manufacturing method for manufacturing the organic electroluminescent element, irradiating light toward the transparent electrode, the organic layer and the reflective electrode laminated on the transparent substrate, A manufacturing method of an organic electroluminescence element to be formed.
  • an organic electroluminescence device that is easy to manufacture and has high see-through property, and a method for manufacturing the same without causing light leakage to the electrode side that plays a role of shielding light emitted from the organic layer. Can do.
  • (A) is schematic sectional drawing which shows a mode when the conventional see-through single-sided light emitting organic EL element has received external light from the reflective electrode side
  • (b) is transparent in the conventional see-through single-sided light emitting organic EL element. It is a schematic sectional drawing which shows a mode when external light is received from the electrode side.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the organic EL element 1 according to this embodiment.
  • the organic EL element 1 is a see-through single-sided organic EL element that has see-through properties and emits light on one side.
  • the organic EL element 1 according to this embodiment includes a transparent substrate 2, a transparent electrode 3, a reflective electrode 4, and an organic layer 5 positioned between the transparent electrode 3 and the reflective electrode 4. ing.
  • the transparent electrode 3, the organic layer 5, and the reflective electrode 4 on the transparent substrate 2 are sealed with a sealing material.
  • the transparent substrate 2, the transparent electrode 3, the organic layer 5, and the reflective electrode 4 are preferably formed in this order. If it does in this way, it can be set as the bottom emission type organic EL element which takes out the light light-emitted by the organic layer 5 from the transparent substrate 2 side.
  • the present invention is not limited to this. That is, in the present invention, although not shown in the drawing, the configuration of the layers can be changed to form the reflective electrode, the organic layer, and the transparent electrode in this order from the transparent substrate. If it does in this way, it can be set as the top emission type organic EL element which takes out the light light-emitted by the organic layer from the transparent electrode side.
  • each configuration of the organic EL element 1 will be described with reference to FIG.
  • the transparent substrate 2 is a base on which the transparent electrode 3, the reflective electrode 4, and the organic layer 5 are formed.
  • the transparent substrate 2 is formed of a light-transmitting substrate material such as glass, quartz, or a transparent resin film.
  • the glass examples include silica glass, soda lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, and alkali-free glass.
  • the surface of these glass materials may be subjected to physical treatment such as polishing as necessary from the viewpoint of adhesion to the transparent electrode 3, durability, and smoothness, and is made of an inorganic or organic material. A film or a hybrid film combining these films may be formed.
  • transparent resin films examples include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, and cellulose acetate propionate.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • polyethylene polypropylene
  • cellophane cellulose diacetate
  • TAC cellulose triacetate
  • TAC cellulose acetate butyrate
  • cellulose acetate propionate examples include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, and cellulose acetate propionate.
  • CAP cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, Polyimide, polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, poly Cyclones such as luphones, polyetherimides, polyetherketoneimides, polyamides, fluororesins, nylons, polymethylmethacrylates, acrylics, polyarylates, Arton (trade name, manufactured by JSR) and Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Examples of the film include olefin-based resins.
  • a resin film (also referred to as a gas barrier film) on which such a coating and a hybrid coating are formed has a water vapor transmission rate (25 ⁇ 0.5 ° C., relative measurement) measured by a method according to JIS-K-7129-1992.
  • the humidity 90 ⁇ 2% RH is preferably 0.01 g / (m 2 ⁇ 24 hours) or less.
  • such a gas barrier film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS-K-7126-1987 of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 ml / (m 2 ⁇ 24 hours ⁇ atm) or less, and a water vapor permeability. Is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 5 g / (m 2 ⁇ 24 hours) or less.
  • any material may be used as long as it has a function of suppressing the intrusion of the organic EL element 1 such as moisture or oxygen, which may deteriorate, for example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride. , Polysilazane, polyvinylidene chloride, polyethylene and the like.
  • the method for forming the gas barrier film that is, the method for forming the above-mentioned film or hybrid film on the transparent substrate 2.
  • An ion beam method, an ion plating method, a plasma polymerization method, an atmospheric pressure plasma polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but are described in JP-A-2004-68143. Those obtained by atmospheric pressure plasma polymerization are particularly preferred.
  • the transparent substrate 2 preferably has an average transmittance of light having a wavelength of 450 to 800 nm of 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 85% or more.
  • the average light transmittance of the transparent substrate 2 is low, the average light transmittance of the entire organic EL element 1 is lowered.
  • the average absorptance of light having a wavelength of 450 to 800 nm of the transparent substrate 2 is preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and further preferably 3% or less.
  • the average transmittance of the transparent substrate 2 is a value measured by making measurement light incident from an angle inclined by 5 ° with respect to the front surface of the transparent substrate 2.
  • Average transmittance and average reflectance can be measured with a spectrophotometer.
  • the refractive index of the transparent substrate 2 is preferably 1.40 to 1.95, more preferably 1.45 to 1.75, and still more preferably 1.45 to 1.70.
  • the refractive index of the transparent substrate 2 is usually determined by the material of the transparent substrate 2.
  • the refractive index of the transparent substrate 2 is the refractive index of light having a wavelength of 510 nm and can be measured with an ellipsometer.
  • the thickness of the transparent substrate 2 is preferably 1 ⁇ m to 20 mm, more preferably 10 ⁇ m to 2 mm, and still more preferably 10 to 500 ⁇ m. If the thickness of the transparent substrate 2 is within this range, the strength of the transparent substrate 2 is high, so that damage when elements are formed on the transparent substrate 2 is suppressed, and the transparent substrate 2 is not too thick. There is no possibility that the light transmission property of the glass will be lowered.
  • the transparent substrate 2 has flexibility.
  • the transparent substrate 2 having flexibility can be formed with a thickness having flexibility using, for example, the transparent resin film described above.
  • a thin film glass having a thickness of 10 to 200 ⁇ m can be used as the transparent substrate 2 having flexibility.
  • Such a thin film glass can be formed of non-alkali glass, for example.
  • Such a thin glass is preferably 50 to 120 ⁇ m in thickness because it is difficult to break and roll conveyance is easy.
  • a glass film described in JP 2010-132532 A can be preferably used.
  • the transparent electrode 3 is described as an anode and the reflective electrode 4 is described as a cathode, but the present invention is not limited to this. That is, the transparent electrode 3 can be used as a cathode and the reflective electrode 4 can be used as an anode by forming the constituent materials of the electrodes described later with each other. In addition, when the constituent material of an electrode is mutually replaced and the transparent electrode 3 is made into a cathode and the reflective electrode 4 is made into an anode, the structure order of the organic layer 5 mentioned later is also switched according to this.
  • the transparent electrode 3 (hereinafter sometimes referred to as an anode) is an electrode film that supplies (injects) holes to the light emitting layer (not shown) of the organic layer 5.
  • anode a material having a work function (4 eV or more, preferably 4.3 eV or more) of a metal, an alloy, an organic conductive compound, or a mixture thereof is preferably used.
  • Specific examples of such an electrode material include metals such as Ag and Au, and inorganic oxides such as CuI, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), SnO 2 and ZnO. In this embodiment, among these, Ag and IZO are more preferable, and Ag is more preferable.
  • the organic layer 5 is irradiated from the outside of the reflective electrode 4 to form the deactivated region 52, irradiation is performed.
  • the deactivation region 52 can be formed using both components of the reflected light and a part of the reflected light. Therefore, it is preferable because the formation speed of the deactivation region 52 is improved. You may add another metal to silver, and it is preferable in that case that 50% or more of all the metals is silver.
  • the anode can form a pattern of a desired shape by photolithography by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • a pattern having a desired shape can be formed by using a pattern mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
  • a wet film forming method such as a printing method or a coating method can also be used.
  • the sheet resistance of the anode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less.
  • the film thickness depends on the material, it can be, for example, in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.
  • the underlayer may be a layer containing a substance that interacts with Ag, and may contain an inorganic material or an organic material.
  • the underlayer contains an inorganic material
  • a high surface energy material having a higher sublimation heat enthalpy than silver as a substance that interacts with silver.
  • examples of such a high surface energy material include Al, Ti, Au, Pt, Pd, In, Mo, and Cu.
  • examples of the substance that interacts with silver include nitrogen-containing compounds.
  • nitrogen-containing compounds include aziridine, azirine, azetidine, azeto, azolidine, azole, azinane, pyridine, azepan, azepine, imidazole, pyrazole, oxazole, thiazole, imidazoline, pyrazine, morpholine, thiazine, indole, iso Indole, benzimidazole, purine, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, cinnoline, pteridine, acridine, carbazole, carbazole analogs in which the carbon at any position is substituted with nitrogen (for example, azacarbazole), benzo-C-cinnoline, pirphyrin, Examples include chlorin and choline.
  • the base layer does not need to have a layer thickness required as an electrode.
  • the foundation layer may have a layer thickness suitable for the arrangement state of the anode.
  • the base layer may have a structure in which the above-described layer containing an inorganic material and a layer containing an organic material are stacked.
  • the base layer preferably has a structure in which a layer containing an inorganic material and a layer containing an organic material are arranged in this order from the anode side.
  • the reflective electrode 4 (hereinafter sometimes referred to as a cathode) is an electrode film that supplies (injects) electrons to the light emitting layer of the organic layer 5 and plays a role of reflecting and shielding light emitted from the organic layer 5. is there.
  • a material having a small work function (4 eV or less) metal referred to as an electron injecting metal
  • an alloy referred to as an organic conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used.
  • electrode materials include aluminum, sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals, oxide semiconductors such as ITO, ZnO, TiO 2 and SnO 2 .
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this for example, a magnesium / silver mixture, A magnesium / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium / aluminum mixture, and the like are suitable.
  • the sheet resistance of the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness can be, for example, in the range of 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the formation width of the cathode and the pitch of the cathode that is, the formation width of the cathode and the width of the region where the cathode is not formed can be arbitrarily set.
  • the cathode can be patterned in a stripe shape in plan view. If it does in this way, a cathode can be formed with high productivity and by extension, the organic EL element 1 can be manufactured with high productivity.
  • the formation width of the cathode is 150 ⁇ m
  • the width of the region where the cathode is not formed is 500 ⁇ m.
  • the shape of the cathode is not limited thereto, and may be formed in a lattice shape, a dot shape, or a wave shape in plan view. Even if it does in this way, the effect similar to a striped cathode can be acquired.
  • Cathodes of these shapes can be easily produced by pattern formation.
  • the cathode can be easily produced by vapor-depositing the above electrode material using a pattern mask.
  • the cathode can be formed into a pattern having a desired shape by a photolithography method by forming a thin film from the electrode material described above by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the cathode can be formed into a desired pattern by an inkjet method. Note that the method for manufacturing the cathode is not limited thereto.
  • the organic layer 5 is located between the anode (transparent electrode 3) and the cathode (reflection electrode 4).
  • the organic layer 5 may be a light-emitting layer (not shown in FIG. 1) that emits light by recombination of electrons injected from the cathode and holes injected from the anode, or a carrier is added to the light-emitting layer.
  • Various functional layers (not shown in FIG. 1) having functions of transporting, injecting, and blocking (holes and electrons) may be included.
  • the light emitting layer may be a single layer, or may be a multilayer having different emission colors or the same multilayer.
  • Light emitting layer In the light-emitting layer, holes injected directly from the anode or from the anode through the hole transport layer, etc., and electrons injected directly from the cathode or from the cathode through the electron transport layer, etc. are recombined. To emit light.
  • the portion that emits light in the light emitting layer may be in the layer of the light emitting layer, or may be an interface with an adjacent layer.
  • the light-emitting layer preferably contains a light-emitting dopant (a light-emitting dopant compound, a dopant compound, also simply referred to as a dopant) and a host compound (a matrix material, a light-emitting host compound, also simply referred to as a host).
  • a light-emitting dopant compound a dopant compound, also simply referred to as a dopant
  • a host compound a matrix material, a light-emitting host compound, also simply referred to as a host.
  • the method for forming the light emitting layer is not particularly limited, and can be formed by a conventionally known method such as a vacuum deposition method or a wet method.
  • Luminescent dopant As the luminescent dopant, a fluorescent luminescent dopant (also referred to as a fluorescent dopant or a fluorescent compound) and a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent dopant or a phosphorescent compound) are preferably used.
  • the concentration of the light-emitting dopant in the light-emitting layer can be arbitrarily determined based on the specific dopant used and the device requirements.
  • the concentration of the light emitting dopant may be contained at a uniform concentration in the thickness direction of the light emitting layer, or may have an arbitrary concentration distribution.
  • the light emitting layer may contain a plurality of kinds of light emitting dopants.
  • dopants having different structures may be used in combination, or a fluorescent luminescent dopant and a phosphorescent dopant may be used in combination. Thereby, arbitrary luminescent colors can be obtained.
  • a phosphorescent dopant is a compound in which light emission from an excited triplet is observed.
  • the phosphorescent dopant is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and is a compound having a phosphorescence quantum yield of 0.01 or more at 25 ° C.
  • a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.
  • the phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectra II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition.
  • the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents.
  • the phosphorescent dopant used for the light emitting layer may be any phosphorescent quantum yield (0.01 or more) in any solvent.
  • the phosphorescent dopant can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL element 1.
  • a preferable phosphorescent dopant is an organometallic complex having Ir as a central metal. More preferably, a complex containing at least one coordination mode of metal-carbon bond, metal-nitrogen bond, metal-oxygen bond, and metal-sulfur bond is preferable.
  • the fluorescent light-emitting dopant is a compound that can emit light from an excited singlet, and any compound can be used as long as light emission from the excited singlet is observed.
  • Examples of the fluorescent light-emitting dopant include anthracene derivatives, pyrene derivatives, chrysene derivatives, fluoranthene derivatives, perylene derivatives, fluorene derivatives, arylacetylene derivatives, styrylarylene derivatives, styrylamine derivatives, arylamine derivatives, boron complexes, coumarin derivatives, Examples include pyran derivatives, cyanine derivatives, croconium derivatives, squalium derivatives, oxobenzanthracene derivatives, fluorescein derivatives, rhodamine derivatives, pyrylium derivatives, perylene derivatives, polythiophene derivatives, and rare earth complex compounds.
  • a light emitting dopant using delayed fluorescence may be used as the fluorescent light emitting dopant.
  • Specific examples of the luminescent dopant using delayed fluorescence include compounds described in, for example, International Publication No. 2011/156793, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-213643, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-93181, and the like.
  • the host compound is a compound mainly responsible for charge injection and transport in the light-emitting layer, and the light emission itself is not substantially observed in the organic EL element 1.
  • it is a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence of less than 0.1 at room temperature (25 ° C.), more preferably a compound having a phosphorescence quantum yield of less than 0.01.
  • the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
  • the excited state energy of a host compound is higher than the excited state energy of the light emission dopant contained in the same layer.
  • a host compound may be used independently and may use multiple types together. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and it is possible to increase the efficiency of the organic EL element 1.
  • the compound conventionally used for an organic EL element can be mentioned.
  • a low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a compound having a reactive group such as a vinyl group or an epoxy group may be used.
  • Tg glass transition temperature
  • the glass transition point (Tg) is a value obtained by a method based on JIS-K-7121 using a differential scanning calorimetry (DSC).
  • An injection layer (hole injection layer, electron injection layer)
  • An injection layer can be provided between the electrode and the light emitting layer for the purpose of lowering the driving voltage and improving the light emission luminance.
  • the injection layer is described in detail in the second chapter, Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of “Organic EL devices and their forefront of industrialization” (issued on November 30, 1998 by NTT). There are a hole injection layer and an electron injection layer.
  • the injection layer can be provided as necessary. If it is a hole injection layer, it can be provided between the anode and the light emitting layer or a hole transport layer described later. If it is an electron injection layer, it is provided between the cathode and the light emitting layer or an electron transport layer described later. be able to.
  • the hole injection layer is preferably a layer made of 4,4 ′, 4 ′′ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA). .
  • the details of the electron injection layer are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like.
  • metals represented by strontium, aluminum, etc. examples thereof include an alkali metal halide layer typified by potassium fluoride, an alkaline earth metal compound layer typified by magnesium fluoride, and an oxide layer typified by molybdenum oxide.
  • the electron injection layer in this embodiment is preferably an extremely thin film, and the layer thickness is preferably in the range of 1 nm to 10 ⁇ m although it depends on the material.
  • carrier transport layer (hole transport layer, electron transport layer)
  • the carrier transport layer transports carriers (holes and electrons) to the light emitting layer. That is, the carrier transport layer includes a hole transport layer (not shown) and an electron transport layer (not shown), and one or both of these can be provided adjacent to the light emitting layer. . Although the carrier transport layer can be provided as necessary, the light emission efficiency can be improved by providing the carrier transport layer.
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer (not shown) and an electron blocking layer (not shown) are also included in the hole transport layer. .
  • the hole transport layer can be provided as a single layer structure or a multilayer structure of a plurality of layers.
  • the hole transport material has one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.
  • hole transport materials include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives.
  • hole transport material those described above can be used, but it is preferable to use porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds, particularly aromatic tertiary amine compounds.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminoph
  • polymer materials in which these materials are introduced into polymer chains or these materials are used as polymer main chains can also be used.
  • Inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole transport material (and hole injection material).
  • a hole transport material JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. , Applied Physics Letters, 80 (2002), p.
  • a so-called p-type hole transport material as described in 139 can also be used.
  • the organic EL element 1 with higher efficiency is obtained, it is preferable to use the materials described therein.
  • the hole transport layer may be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can.
  • the layer thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the electron transport layer is made of an electron transport material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer (not shown) and a hole blocking layer (not shown) are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be provided as a single layer structure or a stacked structure of a plurality of layers.
  • an electron transport material (also serving as a hole blocking material) constituting a layer portion adjacent to the light emitting layer in an electron transport layer having a single layer structure and an electron transport layer having a multilayer structure, electrons injected from a cathode As long as it has a function of transmitting light to the light emitting layer.
  • any one of conventionally known compounds can be selected and used. Examples include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane, anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives.
  • Examples of such a material include nitrogen-containing compounds, for example, carbazole analogs in which carbon at an arbitrary position is substituted with nitrogen.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) Aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc.
  • Mg Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material.
  • metal-free or metal phthalocyanine or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.
  • a distyrylpyrazine derivative exemplified also as a material for the light emitting layer can also be used as an electron transporting material.
  • An inorganic semiconductor such as n-type-Si or n-type-SiC can also be used as the material for the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method.
  • the thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • impurities can be doped in the electron transport layer to enhance electron transport properties.
  • impurities include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • the potassium compound for example, potassium fluoride can be used.
  • the electron transport property of the electron transport layer is increased, an element with lower power consumption can be manufactured.
  • the blocking layer (not shown) blocks carrier (hole, electron) transport.
  • the blocking layer can be provided as necessary.
  • the blocking layer includes a hole blocking layer and an electron blocking layer.
  • the blocking layer is, for example, pages 237 of JP-A-11-204258, JP-A-11-204359, and “Organic EL device and its forefront of industrialization” (issued by NTT Corporation on November 30, 1998). Those described in the above can be applied.
  • the hole blocking layer has the function of an electron transport layer in a broad sense.
  • the hole blocking layer is made of a hole blocking material having a function of transporting electrons and a very small ability to transport holes.
  • the hole blocking layer can improve the recombination probability of electrons and holes by blocking holes while transporting electrons.
  • the structure of an electron carrying layer can be used as a hole-blocking layer as needed.
  • the hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
  • the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense.
  • the electron blocking layer is made of an electron blocking material having a function of transporting holes and an extremely small ability to transport electrons.
  • the electron blocking layer can improve the recombination probability of electrons and holes by blocking electrons while transporting holes.
  • the structure of a positive hole transport layer can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the thicknesses of the hole blocking layer and the electron blocking layer are preferably 3 to 100 nm, more preferably 5 to 30 nm.
  • the hole blocking layer and the electron blocking layer can be formed by the same method as described for the transport layer.
  • the sealing material should just cover the transparent electrode 3, the organic layer 5, the reflective electrode 4, and the like.
  • a material having optical transparency is used.
  • the sealing material may be a member that fixes a plate-like or film-like member to the transparent substrate 2 with an adhesive (not shown), or may be a sealing film.
  • the plate-shaped sealing material examples include, but are not limited to, a glass substrate and a polymer substrate. Further, the thickness of the substrate can be reduced using the material of these substrates, and a film-like sealing material can be obtained.
  • the glass substrate can be formed of, for example, soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz, or the like.
  • the polymer substrate can be formed of, for example, polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone, or the like.
  • a polymer substrate or a film-like polymer substrate obtained by reducing the thickness can be preferably used as the sealing material.
  • the film-like polymer substrate has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 ml / (m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm) or less, and a method according to JIS K 7129-1992.
  • the water vapor permeability (25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity 90 ⁇ 2% RH) measured in (1) is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 g / (m 2 ⁇ 24 h) or less.
  • the sealing material may be a flat plate shape or a concave plate shape.
  • the concave sealing material can be obtained by subjecting a flat sealing material to sandblasting or chemical etching.
  • the adhesive for fixing the plate-shaped sealing material as described above to the transparent substrate 2 seals a laminate such as the organic layer 5 sandwiched between the sealing material and the transparent substrate 2. It is used as a sealing agent.
  • adhesives include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curable adhesives such as 2-cyanoacrylates. An agent can be mentioned.
  • examples of such an adhesive include epoxy-based heat and chemical curing types (two-component mixing).
  • hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned.
  • a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.
  • the organic material which comprises the organic EL element 1 may deteriorate with heat processing.
  • an adhesive that can be adhesively cured between room temperature and 110 ° C. is preferable, and an adhesive that can be adhesively cured between room temperature and 80 ° C. is more preferable.
  • a desiccant may be dispersed in the adhesive.
  • adhesive to the bonding portion between the sealing material and the transparent substrate 2 may be performed using a commercially available dispenser or may be printed like screen printing. This adhesive may be provided only at the periphery of the sealing material, or may be filled without any gap between the sealing material and the transparent substrate 2 as long as the material has sufficient light transmittance after curing. .
  • an inert gas such as nitrogen or argon, an inert gas such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil is formed in this space. It is preferable to inject a liquid. Moreover, this space can also be made into a vacuum. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed in this space.
  • Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (eg, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide), sulfates (eg, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (for example, calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide, etc.), perchloric acids (for example, perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, etc.) can be used.
  • An anhydrous salt is preferably used for sulfates, metal halides and perchloric acids.
  • the sealing film When a sealing film is used as the sealing material, the sealing film completely covers the transparent electrode 3, the organic layer 5, and the reflective electrode 4 in the organic EL element 1, and the transparent electrode 3 and the reflective electrode 4 in the organic EL element 1. It can be provided so as to be in a state in which the terminal portion of is exposed.
  • Such a sealing film is composed of an inorganic material or an organic material.
  • a material having a function of suppressing entry of a substance that causes deterioration of the organic layer 5 such as moisture or oxygen is used as such a material.
  • an inorganic material such as silicon oxide, silicon dioxide, or silicon nitride is used.
  • a laminated structure may be formed using a film made of an organic material such as polyvinylidene chloride and polyethylene in addition to a film made of these inorganic materials.
  • the method for forming the sealing film is not particularly limited.
  • the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weight A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
  • the sealing material as described above is provided in a state in which the terminal portions of the transparent electrode 3 and the reflective electrode 4 in the organic EL element 1 are exposed and the transparent electrode 3, the organic layer 5 and the reflective electrode 4 are covered.
  • an electrode may be provided in the sealing material so that the terminal portions of the transparent electrode 3 and the reflective electrode 4 of the organic EL element 1 are electrically connected to the electrode of the sealing material.
  • the organic layer 5 in the present embodiment has a light emitting region 51 and a deactivated region 52.
  • the light emitting region 51 is in contact with the transparent electrode 3 and the reflective electrode 4 and is a region (light emitting region) where a light emitting function is exhibited when a voltage is applied.
  • the deactivated region 52 is in contact with the transparent electrode 3 but is not in contact with the reflective electrode 4 and has a lower light emitting function than the light emitting region 51 (deactivated region).
  • the deactivation region 52 refers to the intensity of electroluminescence light (EL light) obtained by applying a voltage and the intensity of photoluminescence light (PL light) generated by receiving light from the outside. Is a region where at least one of these is lower than the light emitting region 51, more specifically, a region where at least one of EL light and PL light is 50% or more lower.
  • the deactivation region 52 can be produced by various processes. As described in the manufacturing method described later, the organic layer 5 such as a light emitting layer, a transport layer, a blocking layer, and an injection layer is formed by irradiating light. It is preferable that at least a part of the chemical structure of the one or more materials to be produced is destroyed by photoexcitation to reduce the light emitting function.
  • the destruction means that the structure of the compound disappears from the structure before irradiation when irradiated with light. Specifically, for example, compounds having the same chemical structure react to form a dimer (dimer), a specific group that contributes to the light emitting function reacts with a reactive group of another compound, is lost, It may be based on a different structure.
  • the mechanism for forming the deactivation region 52 there are the following two (1) and (2).
  • Mechanism of deactivation region formation and light leakage (1) At least a part of the chemical structure of the material is destroyed by photoexcitation, and the injection and transport properties of electrons and holes in the deactivated region 52 are reduced or increased. As a result, the carrier balance in the deactivation region 52 is lost (current excitation is lost) and no light is emitted. According to this mechanism, light is not emitted due to the absence of current excitation in the deactivation region 52, and thus light leakage does not occur even when the reflective electrode 4 is insufficiently shielded.
  • the deactivation region 52 since the excitation energy is lost in the deactivated region 52, even if the excitation energy generated in the light emitting region 51 is diffused to the deactivated region 52 by applying a voltage, The deactivation region 52 does not emit light.
  • the deactivated region 52 having a light emitting function lower than that of the light emitting region 51 is formed by any of the mechanisms (1) and (2), it is possible to prevent light leakage to the reflective electrode 4 side.
  • the mechanism (2) even if the organic EL element 1 receives light from the outside, the excitation energy is lost in the deactivated region 52 by the quencher, so that photoluminescence does not occur and high see-through property is obtained. It is done.
  • the activity (light emission function) of the light-emitting dopant in the deactivated region 52 is not reduced, so that the excitation energy generated in the light-emitting region 51 when a voltage is applied is reduced.
  • the phenomenon in which the light-emitting dopant in the deactivated region 52 is excited and thus emits light may not be suppressed.
  • region 52 in this embodiment becomes large as the width dimension goes to the transparent electrode 3 side from the reflective electrode 4 side.
  • the deactivation region 52 is preferably gradually increased from the width dimension W4 on the reflective electrode 4 side to the width dimension W3 on the transparent electrode 3 side.
  • the light emitting region 51 in the present embodiment has a width dimension that decreases from the reflective electrode 4 side toward the transparent electrode 3 side.
  • the light from the light source is transmitted from the outside of the reflective electrode 4 as described in the manufacturing method described later. The light may be diffracted by irradiating the organic layer 5 and using the patterned reflective electrode 4.
  • both the deactivation region 52 and the light emitting region 51 in the present embodiment have a substantially trapezoidal cross-sectional shape cut in a direction perpendicular to the plane of the organic EL element 1.
  • the deactivation region 52 and the light emitting region 51 having a substantially trapezoidal cross-sectional shape are alternately in contact with each other at an oblique side.
  • the change amount ⁇ W of the width dimension between the reflective electrode 4 side and the transparent electrode 3 side is preferably 10 nm or more at the portion in contact with the transparent electrode 3, but is not limited thereto.
  • the width dimension change amount ⁇ W is set in this way, the excitation energy generated in the light emitting region 51 is diffused into the deactivated region 52, whereby the light emitting dopant in the deactivated region 52 is excited to emit light. Even if it exists, since it can shield more reliably by the reflective electrode 4, it can make it hard to produce light leakage. Thus, it is preferable that the width dimension increases from the reflective electrode 4 side toward the transparent electrode 3 side, but the mechanism effect (2) can be obtained even if the width dimension is the same. However, since the light emitting region 51 having the same width dimension may include a light emitting region that cannot be shielded by the reflective electrode 4, a very small amount of light leakage may occur.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state when the organic EL element 1 according to the present embodiment receives external light from the reflective electrode 4 side
  • FIG. 2B is a schematic view of the present embodiment.
  • It is a schematic sectional drawing which shows a mode when the organic EL element 1 which concerns on receives external light from the transparent electrode 3 side
  • FIG. 5A is a schematic cross-sectional view showing a state where a conventional see-through single-sided light emitting organic EL element receives external light from the reflective electrode side
  • FIG. 5B is a conventional see-through single-sided light-emitting organic EL device. It is a schematic sectional drawing which shows a mode when an element receives external light from the transparent electrode side.
  • a conventional see-through single-sided light emitting organic EL element 101 (hereinafter simply referred to as “organic EL element 101”) is formed in the order of a transparent substrate 102, a transparent electrode 103, an organic layer 105, and a reflective electrode 104. . Of these, only the reflective electrode 104 is patterned, and the other layers are simply laminated without patterning. That is, the organic EL element 101 is configured to emit light in the light emitting region 151 where the reflective electrode 104, the organic layer 105, and the transparent electrode 103 overlap, and the non-light emitting region 152 that does not emit light.
  • the organic EL element 101 when the organic EL element 101 receives the light L from the reflective electrode 104 side, it is shielded by the reflective electrode 104 regardless of whether it is the light emitting region 151 or the non-light emitting region 152. Photoluminescence is generated in the organic layer 105 except for the portion where it is present, and a large amount of photoluminescence light PL is emitted. Therefore, the see-through property of the conventional organic EL element 101 is lowered.
  • the organic layer 5 has the deactivated region 52. Since the deactivation region 52 has a light emitting function lower than that of the light emitting region 51, it is difficult for photoluminescence to occur even when the light L is received.
  • the width dimension of the deactivation region 52 is increased from the reflective electrode 4 side toward the transparent electrode 3 side. Therefore, as shown in FIG. 2A, when the organic EL element 1 receives external light L from the reflective electrode 4 side, the light emitting region 51 is shielded (shielded) by the reflective electrode 4, so that the light L Is not received, and photoluminescence does not occur. Therefore, the organic EL element 1 has high see-through property.
  • the organic EL element 1 when the organic EL element 1 receives external light L from the transparent electrode 3 side, photoluminescence occurs in the light emitting region 51 and the photoluminescence light PL is on the transparent electrode 3 side.
  • the light emitting function of the deactivated region 52 is lower than the light emitting function of the light emitting region 51, even if the light L is received, it is difficult for photoluminescence to occur.
  • the organic EL element 1 emits the photoluminescence light PL, the light emission amount is small and is significantly suppressed as compared with the conventional organic EL element 101, so that the see-through property can be maintained high.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the organic EL element 10 according to another embodiment.
  • the organic EL element 10 includes a transparent substrate 2, a transparent electrode 3, a patterned reflective electrode 4, and an organic layer 5 (first organic layer) positioned between the transparent electrode 3 and the reflective electrode 4. Layer 15 and second organic layer 25).
  • the 1st organic layer 15 and the 2nd organic layer 25 are laminated
  • the first organic layer 15, the second organic layer 25, and the intermediate connector layer 6, which are different points, will be mainly described.
  • the organic EL element 10 is preferably formed in the order of the transparent substrate 2, the transparent electrode 3, the first organic layer 15, the intermediate connector layer 6, the second organic layer 25, and the reflective electrode 4. If it does in this way, it can be set as the bottom emission type organic EL element which takes out the light light-emitted by the 1st organic layer 15 and the 2nd organic layer 25 from the transparent substrate 2 side.
  • the present invention is not limited to this. That is, in the present invention, although not shown in the figure, like the organic EL element 1, the configuration of the layers is changed so that the reflective electrode, the second organic layer, the intermediate connector layer, the first organic layer, and the transparent electrode are changed from the transparent substrate. They can be formed in order.
  • an intermediate electrode layer may be formed instead of the intermediate connector layer 6.
  • the first organic layer 15 and the second organic layer 25 of the organic EL element 10 each have a light emitting region 51 and a deactivated region 52 similar to the organic layer 5 of the organic EL element 1. . Therefore, the organic EL element 10 can prevent light leakage to the reflective electrode 4 side for the same reason as described in the organic EL element 1, and has high see-through property.
  • Each of the first organic layer 15 and the second organic layer 25 of the organic EL element 10 can be made of the materials described in the configuration of the organic layer 5 of the organic EL element 1.
  • the first organic layer 15 and the second organic layer 25 can adopt the layer structures such as [1] to [9] described above.
  • the first organic layer 15 and the second organic layer 25 may emit the same color or may emit different colors.
  • the emission luminance of the color can be increased, and when emitting different colors, these can be mixed to have an arbitrary color such as white light. Light can be obtained.
  • the transparent electrode 3, the first organic layer 15, the intermediate connector layer 6, the second organic layer 25, and the reflective electrode 4 on the transparent substrate 2 are sealed as in the organic EL element 1. It is sealed with a material.
  • the intermediate connector layer 6 plays a role of injecting electrons into the first organic layer 15 and injecting holes into the second organic layer 25.
  • the intermediate connector layer 6 is preferably transparent or translucent.
  • the intermediate connector layer 6 may have a structure in which a metal single layer is formed to a thickness of about 0.1 to 10 nm, but does not include a metal single layer and has a function of injecting holes and a function of injecting electrons. It is also possible to adopt a structure of a charge generation layer in which a layer having a plurality of layers (not shown).
  • the intermediate connector layer 6 can be formed using the same material as described for the anode and the cathode. Further, the intermediate connector layer 6 may be formed using a material having lower conductivity than the anode and the cathode.
  • an insulator or a semiconductor such as lithium oxide, lithium fluoride, or cesium carbonate can be used.
  • a material in which an electron donating substance is added to a substance having a high electron transporting property can be used.
  • a substance having a high electron-transport property is a substance mainly having an electron mobility of 10 ⁇ 6 cm 2 / Vs or higher. Note that any substance can be used as long as it has a higher electron-transport property than holes.
  • the layer having the function of injecting electrons can have high electron injection properties by adding an electron donating substance to a substance having a high electron transporting property. For this reason, the drive voltage of the organic EL element 10 can be reduced.
  • the electron-donating substance for example, an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, a metal belonging to Group 13 of the periodic table, an oxide thereof, or a carbonate thereof can be used.
  • a semiconductor or an insulator such as molybdenum oxide, vanadium oxide, rhenium oxide, or ruthenium oxide can be used.
  • a material in which an electron-accepting substance is added to a substance having a high hole-transport property can be used.
  • a substance having a high hole-transport property is a substance mainly having a hole mobility of 10 ⁇ 6 cm 2 / Vs or higher. Note that any substance can be used as long as it has a property of transporting more holes than electrons. Moreover, you may use the above-mentioned host compound.
  • a layer having a function of injecting holes can have a high hole-injecting property by adding an electron-accepting substance to a substance having a high hole-transporting property. For this reason, the drive voltage of the organic EL element 10 can be reduced.
  • the electron-accepting substance 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F4-TCNQ), chloranil, transition metal oxide, or the like may be used. it can.
  • another layer may be introduced between the layer having the function of injecting holes and the layer having the function of injecting electrons, if necessary.
  • a conductive layer such as ITO or an electronic relay layer may be provided (none is shown).
  • the electron relay layer has a function of reducing voltage loss generated between a layer having a function of injecting holes and a layer having a function of injecting electrons.
  • a material having a LUMO level of about ⁇ 5.0 eV or more is preferably used, and a material having ⁇ 5.0 to ⁇ 3.0 eV is more preferably used.
  • the organic EL elements 1 and 10 described above have the light emitting region 51 and the deactivated region 52 having the specific structure described above. Therefore, the organic EL elements 1 and 10 can prevent light leakage to the reflective electrode 4 (an electrode that serves to shield light emitted from the organic layer) and have high see-through performance. Moreover, since the organic EL elements 1 and 10 have the deactivation region 52, even if light is received from the outside, photoluminescence does not occur and high see-through property is obtained. Further, in the present embodiment, the reflective electrode 4 is patterned, but the positioning of the transparent electrode 3 having the predetermined shape and the reflective electrode 4 having the predetermined shape is precisely performed as in the light emitting device described in Patent Document 1. Since it is not the structure which needs to be performed, manufacture is easy.
  • the organic EL elements 1 and 10 are compounds in which the selection of the material constituting the organic layer 5 is not limited as in the light emitting device described in Patent Document 1, and the peak of the light absorption region is 480 to 580 nm. Therefore, the selectivity of the material constituting the organic layer 5 is high.
  • This manufacturing method is a method for manufacturing the above-described organic EL elements 1 and 10 (in the following description, simply referred to as organic EL element 1).
  • This manufacturing method includes the transparent electrode 3 and the organic layer 5 (the first organic layer 15, the intermediate connector layer 6, and the second organic layer 25) laminated on the transparent substrate 2.
  • the organic layer 5 is simply used.
  • the reflective electrode 4 is irradiated with light to form the deactivation region 52 described above. This light irradiation is performed in a light irradiation process.
  • a lamination process is performed prior to this light irradiation process.
  • the transparent electrode 3, the organic layer 5 (or the first organic layer 15, the intermediate connector layer 6, the second organic layer 25) and the reflective electrode 4 are laminated on the transparent substrate 2. These layers can be formed by an appropriate method described in each item.
  • the sealing process In the sealing process, the laminated body subjected to the lamination process, that is, the transparent electrode 3 on the transparent substrate 2, the organic layer 5 (or the first organic layer 15, the intermediate connector layer 6, the second organic layer 25) and the reflective electrode 4. Is sealed with a sealing material.
  • a sealing material Although it is possible to perform the sealing step after the light irradiation step, if the sealing step is performed between the stacking step and the light irradiation step, the organic layer 5 and the like are sealed with the sealing material.
  • the EL element 1 can be exposed to the atmosphere (open system), and the light irradiation process does not need to be performed in a closed system such as in a chamber.
  • sealing with a sealing material is preferable because the strength of the organic EL element 1 is increased and the handling becomes easy. Sealing with the sealing material can be performed by the appropriate method described above.
  • the light irradiation step is a step of forming the deactivation region 52 as described above.
  • the light irradiation in the light irradiation step is preferably performed such that the light from the light source is applied to the organic layer 5 from the outside of the reflective electrode 4. If it does in this way, since the predetermined area
  • region of the organic layer 5 which is not shielded with the reflective electrode 4 is irradiated with light, it becomes the deactivation area
  • the width of the deactivation region 52 increases from the reflective electrode 4 side toward the transparent electrode 3 side.
  • both the deactivated region 52 and the light emitting region 51 in the present embodiment have a substantially trapezoidal cross-sectional shape cut in a direction perpendicular to the plane of the organic EL element 1.
  • the deactivation region 52 and the light emitting region 51 having a substantially trapezoidal cross-sectional shape are alternately in contact with each other at the hypotenuse.
  • the shape of the trapezoid can be controlled.
  • the deactivation region 52 can be formed in the organic layer 5, and the present invention is not limited to the method described above.
  • a pattern mask may be provided between the light source and the transparent electrode 3 so that the light from the light source is applied to the organic layer 5 from the outside of the transparent electrode 3. If it does in this way, since the predetermined area
  • the light irradiated in the light irradiation step is not particularly limited with respect to the wavelength, spectral shape and intensity of the light, but the emission spectrum of the irradiated light and the organic material (especially, the light emitting dopant and the organic material of the adjacent layer) It is preferable to set a large overlap with the absorption spectrum. In this way, since the molecules can be efficiently brought into an excited state, the molecules (chemical structure) can be destroyed more quickly and efficiently, and the light emitting function can be reduced. Further, as a general tendency, when light having a high energy and a short wavelength is used, molecules can be destroyed more quickly and light emitting function can be reduced.
  • the light irradiated in the light irradiation step contains ultraviolet rays, and may further contain visible light and infrared rays.
  • the transparent substrate 2 when using a transparent resin film as the transparent substrate 2, it is desirable that light having a wavelength of less than 340 nm is not included. If it does in this way, it can prevent that the transparent substrate 2 which is a transparent resin film yellows. That is, since the deactivation region 52 can be formed without changing the color of the transparent substrate 2, a sufficient light irradiation time can be secured. Thereby, a light irradiation process can be performed, without reducing the quality of the organic EL element 1 manufactured.
  • the light irradiated in the light irradiation step preferably has a wavelength of 340 to 460 nm, and more preferably has a wavelength of 385 nm.
  • Light that does not contain a wavelength component of less than 340 nm can be obtained, for example, by transmitting it through an optical filter having a light transmittance of 50% or less (cut wavelength is 340 nm) in the entire wavelength region of 340 nm or less.
  • an optical filter having a light transmittance of 50% or less (cut wavelength is 340 nm) in the entire wavelength region of 340 nm or less.
  • an optical filter for example, an ultraviolet absorption filter manufactured by Isuzu Seiko Glass Co., Ltd. can be used.
  • what is necessary is just to set to a wavelength of 340 nm or more when irradiating a laser beam.
  • the light generating means and the irradiating means used in the light irradiation process may be any conventionally known device and are not particularly limited.
  • Specific light sources include a high pressure mercury lamp, a low pressure mercury lamp, a hydrogen (deuterium) lamp, a rare gas (xenon, argon, helium, neon, etc.) discharge lamp, a nitrogen laser, an excimer laser (XeCl, XeF, KrF, KrCl). Etc.), hydrogen laser, halogen laser, various harmonics of visible (LD) -infrared laser (THG (Third Harmonic Generation) light of YAG laser, etc.) and the like.
  • LD visible
  • THG Total Harmonic Generation
  • the organic layer 5 is irradiated with laser light in a spot shape, and the laser light source and the organic layer 5 are moved relative to each other to scan the laser light irradiation position, and light is applied to a predetermined region. You may make it irradiate. Also, when light from a light source is passed through an optical filter, the light irradiation position may be scanned to irradiate a predetermined region with light.
  • the organic layer 5 may be heated at an appropriate temperature together with the light irradiation.
  • the heating temperature can be set within a range in which the performance of the light emitting function of the light emitting region 51 of the organic layer 5 does not deteriorate.
  • the heating temperature at this time is, for example, preferably 110 ° C. or less, and more preferably 80 ° C. or less.
  • the light emitting function in the deactivated region 52 can be rapidly reduced.
  • the organic layer 5 has a tandem structure that generates white light or the like
  • light of a different color according to the compound constituting each organic layer 5 (the first organic layer 15 and the second organic layer 25) ( (Light having different wavelength regions) may be irradiated simultaneously or at different times. In this way, the deactivation region 52 can be more reliably formed with respect to the organic layer 5 having a tandem structure.
  • the light irradiation step by adjusting the light intensity, the irradiation time, etc., and changing the light irradiation amount, it is possible to change the light emission luminance of the light irradiation portion according to the light irradiation amount. That is, as the light irradiation amount increases, the emission luminance of the deactivated region 52 attenuates, and as the light irradiation amount decreases, the emission luminance attenuation rate of the deactivated region 52 decreases.
  • the intensity (contrast) of light emission luminance can be added, and the contrast can be changed by increasing or decreasing the drive current.
  • the drive voltage increases as the luminance attenuates, but this luminance-voltage characteristic is stable over time. Therefore, it is possible to manufacture the organic EL element 1 in which contrast appears in the light emitting region 51 during light emission.
  • the deactivated region 52 is formed on the organic EL elements 1 and 10. Form. Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to prevent light leakage to the reflective electrode 4 (electrode that serves to shield light emitted from the organic layer), and to manufacture the organic EL element 1 having high see-through performance. Can do. Moreover, according to this manufacturing method, since the deactivation area
  • this manufacturing method has a configuration in which the reflective electrode 4 is patterned, it is necessary to precisely position the transparent electrode 3 having a predetermined shape and the reflective electrode 4 having a predetermined shape as in the light emitting device described in Patent Document 1. Therefore, the organic EL element 1 can be easily manufactured.
  • a flexible substrate with a gas barrier layer was prepared as follows.
  • a polyethylene naphthalate film (a film made by Teijin DuPont Co., Ltd., hereinafter referred to as a PEN film) was prepared.
  • An inorganic gas barrier layer made of silicon oxide (SiOx) is formed on one main surface of this PEN film with a film thickness of 500 nm using an atmospheric pressure plasma discharge treatment apparatus having the configuration described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-68143.
  • SiOx silicon oxide
  • IZO Indium Zinc Oxide
  • the organic layer 5 was formed according to the procedure shown below. Note that the flexible substrate formed up to the IZO transparent electrode is dried in a glove box having a dew point of ⁇ 80 ° C. or less and an oxygen concentration of 1 ppm or less, and then the vacuum of a vacuum deposition apparatus that forms an organic layer without exposing it to the atmosphere from the glove box. It was transferred into the tank.
  • a resistance heating boat filled with the optimum amount of the constituent materials of each layer was attached.
  • the resistance heating boat used was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.
  • a resistance heating boat containing a compound M-2 ( ⁇ -NPD) represented by the following chemical formula was heated by energization.
  • the compound M-2 ( ⁇ -NPD) was vapor-deposited on the hole injection layer to form a 30 nm-thick hole transport layer (HTL).
  • the compound GD-1, the compound RD-1, and the compound H-2 represented by the following chemical formulas are prepared such that the compound GD-1 has a concentration of 10% by volume and the compound RD-1 has a concentration of 10% by volume.
  • Compound RD-1 has a maximum peak wavelength of 620 nm.
  • the resistance heating boat containing the following compound 1 was energized and heated.
  • Compound 1 was deposited on the phosphorescent layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to form an electron transport layer (ETL) having a thickness of 15 nm.
  • ETL electron transport layer
  • a resistance heating boat containing lithium fluoride (LiF) was energized and heated. Thereby, lithium fluoride (LiF) was deposited on the electron transport layer (ETL) at a deposition rate of 0.1 nm / second to form an electron injection layer having a thickness of 1 nm.
  • This electrode layer is a light-impermeable reflection electrode 4 and has a stripe shape in which metal widths of 150 ⁇ m are arranged at a pitch of 500 ⁇ m.
  • sealing material Preparation of sealing material
  • a barrier layer was formed on one main surface of a polyester film (PET film) (a film made by Teijin DuPont).
  • PET film a film made by Teijin DuPont.
  • a SiN layer was formed as a barrier layer by a deposition CVD plasma CVD deposition apparatus under the following conditions.
  • the film thickness of the SiN layer was 300 nm.
  • the SiN layer includes an electrode provided to face the PET film, a high-frequency power source that supplies plasma excitation power to the electrode, a bias power source that supplies bias power to the holding member that holds the PET film, and an electrode And a gas supply unit for supplying a carrier gas and a source gas toward the substrate.
  • Silane gas (SiH 4 ), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and hydrogen gas (H 2 ) were used as the film forming gas.
  • the supply amounts of these gases were 100 sccm (standard cubic centimeter per minute) for silane gas, 200 sccm for ammonia gas, 500 sccm for nitrogen gas, and 500 sccm for hydrogen gas.
  • the film forming pressure was 50 Pa.
  • the electrode was supplied with 3000 W plasma excitation power at a frequency of 13.5 MHz from a high frequency power source. Further, 500 W bias power was supplied to the holding member from a bias power source.
  • a wavelength cut filter manufactured by Isuzu Glass Co., Ltd.
  • a UV tester manufactured by Iwasaki Electric Co., Ltd.
  • SUV-W151 100 mW / cm 2
  • the distance from the light source to the reflective electrode was 30 cm. In this way, the light emitting region 51 and the deactivated region 52 were formed in the organic layer 5.
  • a wavelength cut filter having a light transmittance of 50% or less over the entire wavelength region of 300 nm or less (cut wavelength: 300 nm) was used. In this way, no.
  • An organic EL device according to 101 organic EL device 1 was produced. In the following description, it is assumed that the wavelength cut filter has a light transmittance of 50% or less over the entire wavelength region below the wavelength indicated as the cut wavelength.
  • the flexible substrate on which the base layer was formed was mounted in a vacuum chamber of a vacuum deposition apparatus. Next, after reducing the pressure in the vacuum chamber to 4 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, the heating boat containing silver (Ag) was energized and heated. Thus, an anode (transparent electrode 2) made of silver (Ag) having a film thickness of 13 nm was formed at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / second.
  • the organic EL element 10 having the configuration shown in FIG. 3 was produced as follows. Except that the formation of the anode and the organic layer 5 (the first organic layer 15 and the second organic layer 25) was changed as follows, In the same manner as the organic EL element according to No. 101, Organic EL devices according to 111 to 115 were produced. In addition, No. The organic EL element according to 118 is No. Although it has the same configuration as the organic EL elements according to 111 to 115, it was not irradiated with light.
  • the flexible substrate on which the base layer was formed was mounted in a vacuum chamber of a vacuum deposition apparatus. Next, after reducing the pressure in the vacuum chamber to 4 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, the heating boat containing silver (Ag) was energized and heated. Thus, an anode made of silver (Ag) having a film thickness of 13 nm was formed at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / second.
  • a first organic layer 15 was formed on the anode according to the following procedure. Note that the flexible substrate formed up to the anode is dried in a glove box having a dew point of ⁇ 80 ° C. or less and an oxygen concentration of 1 ppm or less, and then the vacuum of a vacuum evaporation apparatus for forming the first organic layer 15 without exposing the glove box to the atmosphere. It was transferred into the tank.
  • a resistance heating boat filled with the optimum amount of the constituent materials of each layer was attached.
  • the resistance heating boat used was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.
  • a resistance heating boat containing Compound M-2 (see [Chemical Formula 2]) was energized and heated. Thereby, the compound M-2 ( ⁇ -NPD) was vapor-deposited on the hole injection layer to form a 30 nm-thick hole transport layer (HTL).
  • Compound GD-1, Compound RD-1 and Compound H-2 are such that Compound GD-1 has a volume ratio of 10% and Compound RD-1 has a volume ratio of 10%.
  • co-evaporation was performed at a deposition rate of 0.1 nm / second to form a phosphorescent light emitting layer having a thickness of 35 nm on the hole transport layer (HTL).
  • a resistance heating boat containing lithium fluoride (LiF) was energized and heated. Thereby, lithium fluoride (LiF) was deposited on the electron transport layer (ETL) at a deposition rate of 0.1 nm / second to form an electron injection layer having a thickness of 1 nm.
  • the second organic layer 25 was formed on the intermediate connector layer 6 as follows. First, Compound M-1 (see [Chemical Formula 1]) was vapor-deposited on the intermediate connector layer 6 at a vapor deposition rate of 0.1 nm / second to form a 18 nm-thick hole injection layer.
  • Compound M-2 (see [Chemical Formula 2]) was deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer having a thickness of 120 nm.
  • Compound GD-1, Compound RD-1 and Compound H-2 are such that Compound GD-1 has a volume ratio of 10% and Compound RD-1 has a volume ratio of 10%.
  • co-evaporation was performed at a deposition rate of 0.1 nm / second to form a phosphorescent light emitting layer having a thickness of 35 nm on the hole transport layer (HTL).
  • lithium fluoride (LiF) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second to form an electron injection layer having a thickness of 1 nm.
  • ⁇ Evaluation of luminance ratio ⁇ No. produced Luminance from the cathode side using a two-dimensional color luminance meter CA-2000 (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) by causing a constant current (5 mA / cm 2 ) to flow through the organic EL elements 101 to 118.
  • the brightness from the anode side (light emitting side) was compared.
  • the measurement area is 3 cm ⁇ 3 cm.
  • the luminance ratio is defined as luminance from the anode side (light emitting side) / luminance from the cathode side. It can be determined that light leakage from the cathode side does not occur as the luminance ratio is higher. In this evaluation, it was determined that a luminance ratio of 100 or more was practically acceptable.
  • the organic EL elements 101 to 115 are irradiated with light to form a light emitting region 51 and a deactivated region 52 in the organic layer 5 (first organic layer 15 and second organic layer 25). is doing. Moreover, from the aspect when the deactivation region 52 is formed by light irradiation, that is, the positional relationship between the light source, the reflection electrode 4 and the organic layer 5, the deactivation region 52 is directed from the reflection electrode 4 side to the transparent electrode 3 side. It is considered that the width dimension increases with time. Therefore, no.
  • the organic EL elements according to 101 to 115 showed good results in both the luminance ratio and the degree of transparency (both examples).
  • the light emitting region 51 and the deactivated region 52 are formed in the organic layer 5 (the first organic layer 15 and the second organic layer 25) by performing light irradiation from the outside of the reflective electrode. Manufacture was easy.
  • the wavelength cut filter used was 340 nm, so that yellowing of the flexible base material was suppressed and the transparency was higher.
  • Organic electroluminescence device (organic EL device) 2 Transparent substrate 3 Transparent electrode 4 Reflective electrode 5 Organic layer 51 Light emitting area 52 Deactivated area

Landscapes

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Abstract

有機層からの発光を遮蔽する役割を果たす電極の側への光漏れが生じず、製造が容易であり、シースルー性が高い有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法を提供する。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（１）は、透明基板（２）、透明電極（３）、パターン形成された反射電極（４）、および前記透明電極（３）と前記反射電極（４）との間に位置する有機層（５）を有し、前記有機層（５）は、前記透明電極（３）および前記反射電極（４）と接しており、電圧が印加されて発光機能が発揮される発光領域（５１）と、前記透明電極（３）とは接しているが、前記反射電極（４）とは接しておらず、かつ前記発光機能が前記発光領域よりも低い失活領域（５２）と、を有する。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法に関する。
　有機物質に電圧を印加して発光する現象を有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」ともいう）といい、有機ＥＬを発生させる素子を有機ＥＬ素子という。有機ＥＬ素子は、有機発光物質が含有された単層または多層の発光層（「有機ＥＬ層」、「有機薄膜層」、「有機発光物質含有層」、「有機発光層」などとも呼称されている）を陽極と陰極の間に有する構造となっている。有機ＥＬ素子は、電圧が印加されると、発光層に陰極から電子が注入されると共に、陽極から正孔が注入され、これらが発光層で再結合して励起子が生じる。有機ＥＬ素子はこのようにして生じた励起子からの光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する。有機ＥＬ素子は、数Ｖ～数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さらに自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース化でき、携帯性などの観点から注目されている。このような有機ＥＬ素子は、照明用光源やディスプレイなどの表示装置に適用されている。
　近年、有機ＥＬ素子の開発が進み、光透過性（シースルー性）を有するものが提案されている。このような有機ＥＬ素子は、「シースルー有機ＥＬ素子」などと呼ばれており、陽極および陰極ともに透明電極であるので、両面発光する。シースルー有機ＥＬ素子は、例えば、車両用灯具や一般照明などへの応用が期待されている。
　また、最近では、陽極および陰極のいずれか一方を透明電極とし、他方を反射電極とすることで、シースルー性を有し、片面を発光させるものも提案されている。本明細書では、このような有機ＥＬ素子を前記したシースルー有機ＥＬ素子と区別するため、「シースルー片面発光有機ＥＬ素子」と呼ぶこととする。シースルー片面発光有機ＥＬ素子も、例えば、車両用灯具、一般照明などへの応用が期待されている。
　ここで、図４は、従来のシースルー片面発光有機ＥＬ素子の構成を説明する概略断面図である。図４に示すように、従来のシースルー片面発光有機ＥＬ素子１０１は、反射電極１０４と有機層１０５と透明電極１０３が重なる領域が発光し、そうでない領域が発光しない構成となっている。なお、シースルー片面発光有機ＥＬ素子１０１における発光する領域を発光領域１５１といい、発光しない領域を非発光領域１５２という。
　しかしながら、このような構成のシースルー片面発光有機ＥＬ素子１０１には、発光時に反射電極の側へ光漏れが生じるという問題がある。
　この問題の原因として、図４に示すように、パターン形成されている反射電極１０４が発光光ＬＬ１を完全に遮蔽できていないことや、発光領域１５１で生成された励起エネルギーが非発光領域１５２に拡散して発光領域１５１の外（つまり、非発光領域１５２）で発光してしまうことが挙げられる。このような励起エネルギーの拡散とこれによる発光ＬＬ２は、発光領域１５１の外側に約１０ｎｍの範囲１５１ａで生じる。なお、発光時に反射電極の側に光が漏れるという問題は、両面で発光することが必要とされる前記したシースルー有機ＥＬ素子では生じない。
　シースルー片面発光有機ＥＬ素子に関する前記問題を解決し得る技術が、例えば、特許文献１に記載されている。
　この特許文献１には、透光性の基板と、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層と、を有し、かつ、前記基板の第１面に形成される発光部と、を備え、前記有機層は前記第１電極上の領域と前記第１電極の周囲に位置する部分とにわたって連続して形成されており、前記有機層の光の吸収領域のピークが４８０～５８０ｎｍにない発光装置が記載されている。また、この特許文献１には、第２電極は第１電極を覆っており（つまり、発光領域を覆っており）、遮光性を有していると記載されている。
　さらに、この特許文献１には、有機層における光の吸収領域のピーク波長は４８０～５８０ｎｍの波長域から外れる一方で、発光装置は可視光を発光する装置であり、基板等の材料は４８０～５８０ｎｍの波長域において透光性が高くなるように設計されていると記載されている。このため、特許文献１には、有機層においてフォトルミネッセンスは生じ難くなり、発光装置の光透過性が低下することを抑制できると記載されている。なお、本明細書において、フォトルミネッセンスとは、有機ＥＬ素子の有機層が外部から光を受光して発光する現象をいい、この現象で生じた光をフォトルミネッセンス光という。フォトルミネッセンスは、有機ＥＬ素子の発光時であるか非発光時であるかに関わらず生じる。
特開２０１６－０８２１０１号公報
　特許文献１に記載の発光装置は、所定の形状の第２電極（反射電極）が所定の形状の第１電極（透明電極）を覆い、反射電極が有機層からの発光を遮蔽する役割を果たす構成とすることで、第２電極側に光が漏れないようにしている。しかしながら、このような構成とするには、所定の形状の第１電極と所定の形状の第２電極の位置決めを精緻に行ってそれぞれを形成する必要があるため、製造が困難であるという問題があった。また、それに付随してコストも高くなるおそれがあった。さらに、特許文献１に記載の発光装置は、発光領域の励起エネルギーが反射電極と透明電極に挟まれた発光領域の外に拡散して有機層が発光することによる光漏れを防ぐことができないおそれがあった。
　特許文献１に記載の発光装置は、光の吸収領域のピークが４８０～５８０ｎｍにない有機層を有機ＥＬ素子の全面に形成している。言い換えると、光の吸収領域のピークが４８０～５８０ｎｍ以外にある有機層が形成されているため、この有機層は４８０～５８０ｎｍ以外の光を吸収して、可視光領域（３８０～７８０ｎｍ）に発光するフォトルミネッセンスを生じるおそれがある（以下、本明細書におけるフォトルミネッセンスとは、可視光領域発光のフォトルミネッセンスを意味するものとする）。フォトルミネッセンスが生じると、有機ＥＬ素子のシースルー性が低下するという問題がある。
　本発明は前記状況に鑑みてなされたものであり、有機層からの発光を遮蔽する役割を果たす電極の側への光漏れが生じず、製造が容易であり、シースルー性が高い有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法を提供することを課題とする。
　本発明に係る前記課題は以下の手段により解決される。
（１）　透明基板、透明電極、パターン形成された反射電極、および前記透明電極と前記反射電極との間に位置する有機層を有し、前記有機層は、前記透明電極および前記反射電極と接しており、電圧が印加されて発光機能が発揮される発光領域と、前記透明電極とは接しているが、前記反射電極とは接しておらず、かつ前記発光機能が前記発光領域よりも低い失活領域と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
（２）　前記透明基板から、前記透明電極、前記有機層、前記反射電極の順に形成されている前記（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（３）　前記反射電極が、ストライプ状にパターン形成されている前記（１）または前記（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（４）　前記透明電極が無機酸化物または金属である前記（１）から前記（３）のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（５）　前記透明電極が膜厚１～３０ｎｍの銀である前記（１）から前記（４）のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（６）　透明基板、透明電極、パターン形成された反射電極、および前記透明電極と前記反射電極との間に位置する有機層を有し、前記有機層は、前記透明電極および前記反射電極と接しており、電圧が印加されて発光機能が発揮される発光領域と、前記透明電極とは接しているが、前記反射電極とは接しておらず、かつ前記発光機能が前記発光領域よりも低い失活領域と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する製造方法であり、前記透明基板上に積層された前記透明電極、前記有機層および前記反射電極に向けて光を照射し、前記失活領域を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（７）　前記光の波長が３４０～４６０ｎｍの範囲である前記（６）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（８）　前記光の照射を前記反射電極の外側から行う前記（６）または前記（７）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（９）　前記透明基板から、前記透明電極、前記有機層、前記反射電極の順に形成されている前記（６）から前記（８）のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１０）　前記反射電極が、ストライプ状にパターン形成されている前記（６）から前記（９）のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１１）　前記透明電極が無機酸化物または金属である前記（６）から前記（１０）のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１２）　前記透明電極が膜厚１～３０ｎｍの銀である前記（６）から前記（１１）のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　本発明によれば、有機層からの発光を遮蔽する役割を果たす電極の側への光漏れが生じず、製造が容易であり、シースルー性が高い有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法を提供することができる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を説明する概略断面図である。 （ａ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子が反射電極側から外部の光を受光したときの様子を示す概略断面図であり、（ｂ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子が透明電極側から外部の光を受光したときの様子を示す概略断面図である。 他の実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を説明する概略断面図である。 従来のシースルー片面発光有機ＥＬ素子の構成を説明する概略断面図である。 （ａ）は、従来のシースルー片面発光有機ＥＬ素子が反射電極側から外部の光を受光したときの様子を示す概略断面図であり、（ｂ）は、従来のシースルー片面発光有機ＥＬ素子が透明電極側から外部の光を受光したときの様子を示す概略断面図である。
（有機ＥＬ素子）
　以下、適宜図面を参照して本発明に係る有機ＥＬ素子の一実施形態について詳細に説明する。
　図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の構成を説明する概略断面図である。
　有機ＥＬ素子１は、シースルー性を有し、片面が発光する、シースルー片面発光有機ＥＬ素子である。
　図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、透明基板２、透明電極３、反射電極４、および透明電極３と反射電極４との間に位置する有機層５を有している。
　なお、図１において図示はしないが、透明基板２上の透明電極３、有機層５、反射電極４は、封止材で封止されている。
　本実施形態は、図１に示すように、透明基板２から、透明電極３、有機層５、反射電極４の順に形成されているのが好ましい。このようにすると、有機層５で発光させた光を透明基板２側から取り出すボトムエミッション型式の有機ＥＬ素子とすることができる。
　なお、本発明はこれに限定されない。つまり、本発明においては、図示はしないが、層の構成を入れ替えて、透明基板から、反射電極、有機層、透明電極の順に形成することができる。このようにすると、有機層で発光させた光を透明電極側から取り出すトップエミッション型式の有機ＥＬ素子とすることができる。
　以下、図１を参照して有機ＥＬ素子１の各構成について説明する。
（透明基板）
　透明基板２は、透明電極３、反射電極４、有機層５を形成する土台となるものである。透明基板２は、例えば、ガラス、石英、透明樹脂フィルムなどの光透過性を有する基板材料で形成される。
　ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラスなどが挙げられる。これらのガラス材料の表面には、透明電極３との密着性、耐久性および平滑性の観点から、必要に応じて研磨等の物理的処理が施されていてもよいし、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。
　透明樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレートなどのセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル、ポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）やアペル（商品名三井化学社製）などのシクロオレフィン系樹脂等のフィルムが挙げられる。
　透明樹脂フィルムの表面には、ガラスについて述べたのと同様の観点から、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜およびハイブリッド被膜を形成した樹脂フィルム（ガスバリア性フィルムということもある）は、ＪＩＳ－Ｋ－７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４時間）以下であることが好ましい。また、このようなガスバリア性フィルムは、ＪＩＳ－Ｋ－７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０－３ｍｌ／（ｍ２・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１×１０－５ｇ／（ｍ２・２４時間）以下であることが好ましい。
　前記した被膜やハイブリッド被膜を形成する材料としては、水分や酸素などの有機ＥＬ素子１の劣化をもたらすものの侵入を抑制する機能を有するものであればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシラザン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンなどを挙げることができる。さらに、前記した被膜やハイブリッド被膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる層（無機層）と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
　ガスバリア性フィルムの形成方法、つまり、透明基板２への前記した被膜やハイブリッド被膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
　透明基板２は、波長４５０～８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板２の光の平均透過率が低いと、有機ＥＬ素子１全体の光の平均透過率が低下する。また、透明基板２の波長４５０～８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
　透明基板２の平均透過率は、透明基板２の正面に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させて測定した値である。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の方法で透明基板２の平均反射率を測定し、［平均吸収率＝１００－（平均透過率＋平均反射率）］として算出される値である。平均透過率および平均反射率は分光光度計で測定できる。
　透明基板２の屈折率は、好ましくは１．４０～１．９５であり、より好ましくは１．４５～１．７５であり、さらに好ましくは１．４５～１．７０である。透明基板２の屈折率は、通常、透明基板２の材質によって定まる。透明基板２の屈折率は、波長５１０ｎｍの光の屈折率であり、エリプソメーターで測定できる。
　透明基板２の厚さは、１μｍ～２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ～２ｍｍ、さらに好ましくは１０～５００μｍである。透明基板２の厚さがこの範囲であると、透明基板２の強度が高いので透明基板２上に素子を形成する際の破損が抑制されると共に、透明基板２が厚すぎないので透明基板２の光透過性が低下するおそれもない。
　また、透明基板２は、フレキシブル性を有していることが好ましい。フレキシブル性を有する透明基板２は、例えば、前記した透明樹脂フィルムを用いてフレキシブル性を有する厚さで形成することができる。
　また、フレキシブル性を有する透明基板２として、例えば、厚さが１０～２００μｍの薄膜ガラスを用いることができる。このような薄膜ガラスは、例えば、無アルカリガラスで形成することができる。このような薄膜ガラスは、厚さが５０～１２０μｍであると破損し難く、ロール搬送も容易であるので好ましい。このような薄膜ガラスとしては、例えば、特開２０１０－１３２５３２号公報に記載されているガラスフィルムを好適に用いることができる。
（透明電極）
　以下の説明では、透明電極３を陽極とし、反射電極４を陰極として説明するが、これに限定されない。つまり、後記する電極の構成材料を相互に入れ替えて形成することで透明電極３を陰極とし、反射電極４を陽極とすることもできる。なお、電極の構成材料を相互に入れ替えて透明電極３を陰極とし、反射電極４を陽極とした場合、これに合わせて後述する有機層５の構成順序も入れ替わる。
　透明電極３（以下、陽極ということもある）は、有機層５の発光層（図示せず）に正孔を供給（注入）する電極膜である。陽極は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上、好ましくは４．３ｅＶ以上）金属、合金、有機導電性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｇやＡｕなどの金属、およびＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどの無機酸化物が挙げられる。本実施形態においては、これらの中でもＡｇやＩＺＯがより好ましく、Ａｇがさらに好ましい。ＡｇやＩＺＯを用いると、光で劣化し難く、有機ＥＬ素子１の性能が低下し難い。また、Ａｇを用いると、光の一部を反射するため、後述するように、光源からの光を反射電極４の外側から有機層５に照射して失活領域５２を形成する際に、照射された光と、前記反射した光の一部との両成分を用いて失活領域５２を形成できる。そのため、失活領域５２の形成速度が向上するので好ましい。銀に他の金属を添加してもよく、その場合は全金属中５０％以上が銀であることが好ましい。
　陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法によって薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成することができる。また、パターン精度をあまり必要としない場合は、前記した電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のパターンマスクを用いることで所望の形状のパターンに形成することができる。さらに、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式など湿式製膜法を用いることもできる。陽極のシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、例えば、１０～１０００ｎｍ、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲とすることができる。
（下地層）
　陽極として厚さが１～３０ｎｍの薄膜Ａｇを用いる場合は、透明基板２と陽極との間に、陽極の下地となる下地層（図示せず）を形成するのが好ましい。陽極としてこのような薄膜Ａｇを用いると、陽極陰極間での微小光共振構造（マイクロキャビティ）となり、光取り出し効率の向上が期待できる。また、透明基板２と陽極（薄膜Ａｇ）との間に下地層を形成すると、薄膜Ａｇの成膜に際し、銀の凝集を抑制でき、導電性が向上する。
　下地層は、Ａｇと相互作用する物質を含有した層であればよく、無機材料を含有していてもよいし、有機材料を含有していてもよい。
　下地層が無機材料を含有する場合、銀と相互作用する物質として、銀よりも昇華熱エンタルピーが大きい高表面エネルギー材料を含むことが好ましい。このような高表面エネルギー材料としては、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｃｕなどが挙げられる。
　下地層が有機材料を含有する場合、銀と相互作用する物質として、窒素含有化合物が挙げられる。このような窒素含有化合物としては、例えば、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、任意の位置の炭素が窒素に置換されたカルバゾール類縁体（例えば、アザカルバゾール）、ベンゾ－Ｃ－シンノリン、ピルフィリン、クロリン、コリンなどが挙げられる。
　なお、下地層は、導電性を有する材料で構成されている場合であっても、主たる電極となることはない。このため下地層は、電極として必要な層厚を備えている必要はない。下地層は、下地層が形成された陽極が用いられる有機ＥＬ素子１中において、陽極の配置状態に適した層厚を有していればよい。
　また、下地層は、上述した無機材料を含有する層と有機材料を含有する層とを積層した構成であってもよい。この場合、下地層は、陽極側から順に、無機材料を含有する層と有機材料を含有する層とを配置した構成とすることが好ましい。
（反射電極）
　反射電極４（以下、陰極ということもある）は、有機層５の発光層に電子を供給（注入）する電極膜であり、有機層５からの発光を反射させて遮蔽する役割を果たすものである。陰極は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、有機導電性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、アルミニウム、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２などの酸化物半導体などが挙げられる。これらの中で、電子注入性や酸化などに対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物などが好適である。陰極のシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は、例えば、５ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲とすることができる。
　陰極の形成幅や、陰極のピッチ、つまり陰極の形成幅と陰極が形成されていない領域の幅は任意に設定できる。
　本実施形態では、陰極を平面視でストライプ状にパターン形成することができる。このようにすると、陰極を生産性よく形成することができ、延いては有機ＥＬ素子１を生産性よく製造することができる。ストライプ状の陰極とする場合、例えば、陰極の形成幅を１５０μｍ、陰極が形成されていない領域の幅を５００μｍとすることが挙げられる。
　なお、陰極の形状はこれに限定されず、平面視で格子状やドット状、波状に形成してもよい。このようにしてもストライプ状の陰極と同様の効果を得ることができる。
　これらの形状の陰極はパターン形成で容易に作製できる。例えば、陰極は、パターンマスクを用いて前記した電極物質を蒸着等することにより容易に作製できる。また、陰極は、前記した電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法によって薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンに形成することができる。さらに、陰極はインクジェット法で所望の形状のパターンに形成することができる。なお、陰極の作製方法はこれに限定されない。
（有機層）
　有機層５は、前記したように、陽極（透明電極３）と陰極（反射電極４）との間に位置している。有機層５は、陰極から注入された電子と、陽極から注入された正孔とが再結合して発光する発光層（図１において図示せず）そのものであってもよいし、発光層にキャリア（正孔および電子）を輸送、注入、阻止する機能などを有する各種の機能層（図１において図示せず）を有して構成されていてもよい。また、発光層は単層であってもよいし、発光色が異なるまたは同一の多層であってもよい。
　有機層５の構成の一例を下記〔１〕～〔９〕に示す。なお、〔１〕～〔９〕において、通常は、先に記載された層が陽極側に設けられ、以下、記載されている順に陰極側に積層される。
〔１〕発光層
〔２〕発光層／電子輸送層
〔３〕正孔輸送層／発光層
〔４〕正孔輸送層／発光層／電子輸送層
〔５〕正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層
〔６〕正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層（陰極バッファー層）
〔７〕正孔注入層（陽極バッファー層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層
〔８〕正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層
〔９〕正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層
（発光層）
　発光層は、陽極から直接、または陽極から正孔輸送層などを介して注入される正孔と、陰極から直接、または陰極から電子輸送層などを介して注入される電子とが再結合することによって発光する。発光層において発光する部分は、発光層の層内であってもよいし、隣接する層との界面であってもよい。
　発光層は、発光ドーパント（発光性ドーパント化合物、ドーパント化合物、単にドーパントともいう。）と、ホスト化合物（マトリックス材料、発光ホスト化合物、単にホストともいう。）と、を含有することが好ましい。
　発光層の形成方法は特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法や湿式法などで形成することができる。
（発光ドーパント）
　発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう。）、および、リン光発光性ドーパント（リン光ドーパント、リン光性化合物ともいう。）が好ましく用いられる。発光層中の発光ドーパントの濃度については、使用される特定のドーパントおよびデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができる。発光ドーパントの濃度は、発光層の層厚方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。
　また、発光層には、複数種の発光ドーパントが含まれていてもよい。例えば、構造の異なるドーパント同士を組み合わせて用いてもよいし、蛍光発光性ドーパントとリン光発光性ドーパントとを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。
（リン光発光性ドーパント）
　リン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物である。具体的には、リン光発光性ドーパントは、室温（２５℃）でリン光発光する化合物であり、２５℃においてリン光量子収率が０．０１以上の化合物である。発光層に用いられるリン光発光性ドーパントにおいて、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
　前記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できる。発光層に用いるリン光発光性ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて前記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
　リン光発光性ドーパントは、有機ＥＬ素子１の発光層に使用される公知の材料から適宜選択して用いることができる。中でも、好ましいリン光発光性ドーパントとして、Ｉｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属－炭素結合、金属－窒素結合、金属－酸素結合、金属－硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。
（蛍光発光性ドーパント）
　蛍光発光性ドーパントは、励起一重項からの発光が可能な化合物であり、励起一重項からの発光が観測されるものであれば、どのようなものも用いることができる。
　蛍光発光性ドーパントしては、例えば、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、シアニン誘導体、クロコニウム誘導体、スクアリウム誘導体、オキソベンツアントラセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ローダミン誘導体、ピリリウム誘導体、ペリレン誘導体、ポリチオフェン誘導体や希土類錯体系化合物などが挙げられる。
　また、蛍光発光性ドーパントとして、遅延蛍光を利用した発光ドーパントなどを用いてもよい。遅延蛍光を利用した発光ドーパントの具体例としては、例えば、国際公開第２０１１／１５６７９３号、特開２０１１－２１３６４３号公報、特開２０１０－９３１８１号公報等に記載の化合物が挙げられる。
（ホスト化合物）
　ホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入および輸送を担う化合物であり、有機ＥＬ素子１においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。
　好ましくは室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物であり、さらに好ましくは、リン光量子収率が０．０１未満の化合物である。また、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
　また、ホスト化合物の励起状態エネルギーは、同一層内に含有される発光ドーパントの励起状態エネルギーよりも高いことが好ましい。
　ホスト化合物は、単独で用いてもよく、複数種併用してもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子１の高効率化が可能となる。
　発光層に用いられるホスト化合物としては、特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子に用いられる化合物を挙げることができる。例えば、低分子化合物や、繰り返し単位を有する高分子化合物でもよいし、ビニル基やエポキシ基のような反応性基を有する化合物でもよい。
　公知のホスト化合物としては、正孔輸送能または電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、さらに、有機ＥＬ素子１を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対する安定性の観点から、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好ましい。ホスト化合物としては、Ｔｇが９０℃以上であることが好ましく、より好ましくは１２０℃以上である。
　ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、示差走査熱量法（Differential Scanning Calorimetry；ＤＳＣ）を用いて、ＪＩＳ－Ｋ－７１２１に準拠した方法により求められる値である。
（注入層（正孔注入層、電子注入層））
　注入層（図示せず）は、駆動電圧低下や発光輝度向上を目的として、電極と発光層の間に設けることができる。注入層は、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
　注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層であれば、陽極と発光層または後記する正孔輸送層との間に設けることができ、電子注入層であれば、陰極と発光層または後記する電子輸送層との間に設けることができる。
　正孔注入層は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報などにもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェンなどの導電性高分子を用いた高分子層などが挙げられる。本実施形態においては、正孔注入層として、４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）からなる層とするのが好ましい。
　電子注入層は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報などにもその詳細が記載されており、具体例として、ストロンチウムやアルミニウムなどに代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層などが挙げられる。本実施形態における電子注入層は極薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は１ｎｍ～１０μｍの範囲が好ましい。
（キャリア輸送層（正孔輸送層、電子輸送層））
　キャリア輸送層（図示せず）は、発光層にキャリア（正孔及び電子）を輸送する。つまり、キャリア輸送層には、正孔輸送層（図示せず）と電子輸送層（図示せず）とがあり、これらのうちのいずれか一方または両方を発光層と隣接して設けることができる。キャリア輸送層は必要に応じて設けることができるものであるが、これを設けることによって発光効率を向上させることができる。
（正孔輸送層）
　正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層（図示せず）、電子阻止層（図示せず）も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層構造または複数層の積層構造として設けることができる。
　正孔輸送材料は、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。正孔輸送材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。
　正孔輸送材料としては、前記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物およびスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
　芳香族第３級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（ＴＰＤ）；２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン；ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル；４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン；４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン；３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ－フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（α－ＮＰＤ）、特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）などが挙げられる。
　さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣなどの無機化合物も正孔輸送材料（および正孔注入材料）として使用することができる。
　また、正孔輸送材料として、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ　ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本実施形態においては、より高効率の有機ＥＬ素子１が得られることから、これらに記載されている材料を用いることが好ましい。
　正孔輸送層は、前記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法などの公知の方法で薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。この正孔輸送層は、前記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　また、正孔輸送材料に不純物をドープして正孔輸送特性を高くすることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）などに記載されたものが挙げられる。このように正孔輸送層の正孔輸送特性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。
（電子輸送層）
　電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する電子輸送材料からなり、広い意味で電子注入層（図示せず）、正孔阻止層（図示せず）も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層構造または複数層の積層構造として設けることができる。
　単層構造の電子輸送層、および複数層の積層構造の電子輸送層において発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる。）としては、陰極から注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体およびオキサジアゾール誘導体などが挙げられる。また、このような材料として、窒素含有化合物、例えば、任意の位置の炭素が窒素に置換されたカルバゾール類縁体を挙げることができる。さらに、前記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
　また、８－キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）など、およびこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。
　その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。また、ｎ型－Ｓｉ、ｎ型－ＳｉＣなどの無機半導体も電子輸送層の材料として用いることができる。
　電子輸送層は、前記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法などの公知の方法で薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。電子輸送層は、前記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　また、電子輸送層に不純物をドープし、電子輸送特性を高くすることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）などに記載されたものが挙げられる。さらに、電子輸送層には、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウムなどを用いることができる。このように電子輸送層の電子輸送特性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。
（阻止層（正孔阻止層、電子阻止層））
　阻止層（図示せず）は、キャリア（正孔、電子）の輸送を阻止する。阻止層は、必要に応じて設けることができる。阻止層には、正孔阻止層と電子阻止層とがある。阻止層は、例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報、および「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁などに記載されているものを適用できる。
　正孔阻止層は、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなる。正孔阻止層は、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
　電子阻止層は、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい電子阻止材料からなる。電子阻止層は、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。
　正孔阻止層および電子阻止層の層厚はいずれも好ましくは３～１００ｎｍであり、さらに好ましくは５～３０ｎｍである。
　正孔阻止層および電子阻止層は、輸送層で述べたのと同様の手法で形成することができる。
（封止材）
　封止材（図示せず）は、透明電極３、有機層５および反射電極４などを覆うものであればよい。封止材は、光透過性を有しているものを用いる。また、封止材は、板状やフィルム状の部材を接着剤（図示せず）で透明基板２に固定するものであってもよいし、封止膜であってもよい。
　板状の封止材としては、例えば、ガラス基板、ポリマー基板が挙げられるが、これらに限定されない。また、これらの基板の材料を用いて厚さを薄くし、フィルム状の封止材とすることができる。
　ガラス基板は、例えば、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで形成することができる。
　ポリマー基板は、例えば、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォンなどで形成することができる。
　なお、有機ＥＬ素子１の厚さを薄くできることから、封止材としてはポリマー基板やこれを薄くしたフィルム状のポリマー基板を好ましく使用することができる。
　フィルム状のポリマー基板は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０－３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が１×１０－３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
　また、封止材は、平板状であってもよいし、凹板状であってもよい。凹板状の封止材は、平板状の封止材に対してサンドブラスト加工や化学エッチング加工などを施すことによって得ることができる。
　また、以上のような板状の封止材を透明基板２に固定するための接着剤は、封止材と透明基板２との間に挟持された有機層５などの積層体を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤として、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーなどの反応性ビニル基を有する光硬化および熱硬化型接着剤、２－シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型接着剤を挙げることができる。
　また、このような接着剤として、エポキシ系などの熱および化学硬化型（二液混合）であるものを挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
　なお、有機ＥＬ素子１を構成する有機材料は、熱処理で劣化する場合がある。このため、接着剤は、室温から１１０℃の間で接着硬化できるものが好ましく、室温から８０℃の間で接着硬化できるものがより好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
　封止材と透明基板２の接着部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。この接着剤は、封止材の周縁のみに設けられてもよいし、硬化後に十分な光透過性を有する材料であれば、封止材と透明基板２の間に隙間なく充填されてもよい。
　また、板状の封止材と透明基板２と接着剤との間にスペースが形成される場合、このスペースに窒素、アルゴンなどの不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、このスペースを真空とすることもできる。また、このスペースに吸湿性化合物を封入することもできる。
　吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムなど）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルトなど）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウムなど）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウムなど）などを用いることができる。なお、硫酸塩、金属ハロゲン化物および過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
　封止材として封止膜を用いる場合、封止膜は、有機ＥＬ素子１における透明電極３、有機層５および反射電極４を完全に覆い、かつ有機ＥＬ素子１における透明電極３および反射電極４の端子部分を露出させた状態となるように設けることができる。
　このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素などの有機層５の劣化をもたらす物質の侵入を抑制する機能を有する材料で構成することが好ましい。このような材料として、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素などの無機材料が用いられる。また、封止膜の脆弱性を改良するために、これらの無機材料からなる膜とともに、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンなどの有機材料からなる膜を用いて積層構造としてもよい。
　封止膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることができる。
　以上のような封止材は、有機ＥＬ素子１における透明電極３および反射電極４の端子部分を露出させると共に透明電極３、有機層５および反射電極４を覆う状態で設けられている。また、封止材に電極を設け、有機ＥＬ素子１の透明電極３および反射電極４の端子部分と、封止材の電極とを導通させるように構成されていてもよい。
（発光領域および失活領域）
　ここで、図１に示すように、本実施形態における有機層５は、発光領域５１と、失活領域５２とを有している。
　発光領域５１は、透明電極３および反射電極４と接しており、電圧が印加されて発光機能が発揮される領域（発光する領域）である。
　また、失活領域５２は、透明電極３とは接しているが、反射電極４とは接しておらず、かつ発光機能が発光領域５１よりも低い領域（失活している領域）である。具体的には、失活領域５２とは、電圧を印加して得られるエレクトロルミネッセンス光（ＥＬ光）の強度および外部からの光を受光して生じたフォトルミネッセンス光（ＰＬ光）の強度のうちの少なくとも一方が発光領域５１よりも低い領域、より具体的にはＥＬ光およびＰＬ光のうちの少なくとも一方が５０％以上低い領域をいう。
　失活領域５２は、種々のプロセスにより作製することができるが、後記する製造方法で説明するように、光を照射して発光層、輸送層、阻止層、注入層などの有機層５を構成する１つ以上の材料の化学構造の少なくとも一部を光励起により破壊して発光機能を低減させて製造することが好ましい。ここで、前記破壊とは、化合物の構造が光の照射を受けることによって照射前の構造ではなくなることをいう。具体的には、例えば、同じ化学構造の化合物同士が反応してダイマー（二量体）となったり、発光機能に寄与する特定の基が他の化合物の反応基と反応して失われたり、異なる構造の基になったりすることが挙げられる。
　失活領域５２が形成されるメカニズムとしては、下記（１）と（２）の２つが挙げられる。
（失活領域が形成されるメカニズムと光漏れ）
（１）材料の化学構造の少なくとも一部が光励起で破壊され、失活領域５２中の電子や正孔の注入輸送特性が低下または上昇する。その結果、失活領域５２中のキャリアバランスが崩れて（電流励起がなくなって）非発光化する。このメカニズムによれば、失活領域５２中の電流励起がなくなることで発光しなくなるため、反射電極４の遮蔽が不足している場合でも光漏れが生じない。
（２）発光層の発光ドーパントやホスト化合物、および発光層の周辺の層の材料が光励起で破壊され、励起三重項態Ｔ１の低い材料（クエンチャー）が生成される。その結果、発光ドーパントの励起エネルギーがクエンチャーに移り、励起エネルギーが失われて非発光化する。このメカニズムによれば、励起エネルギーが失われることによって失活領域５２が発光しなくなるので、反射電極４の遮蔽が不足している場合でも光漏れが生じない。また、このメカニズムによれば、失活領域５２中で励起エネルギーが失われるので、電圧が印加されて発光領域５１で生成された励起エネルギーが失活領域５２に拡散した場合であってもこれを失わせることができ、失活領域５２は発光しない。
　前記（１）、（２）いずれのメカニズムによっても発光機能が発光領域５１よりも低い失活領域５２が形成されるので、反射電極４側への光漏れを防ぐことができる。特に、（２）のメカニズムによれば、有機ＥＬ素子１が外部から光を受光してもクエンチャーによって失活領域５２中で励起エネルギーが失われるのでフォトルミネッセンスが生じず、高いシースルー性が得られる。
　ただし、前記（１）のメカニズムでは、失活領域５２中の発光ドーパントの活性（発光機能）は低減していないため、電圧が印加されて発光領域５１で生成された励起エネルギーが失活領域５２に拡散し、これによって失活領域５２中の発光ドーパントが励起されて発光する現象は抑制できないおそれがある。
　原理的には、（２）のメカニズムで失活領域５２を形成した方がより確実に発光機能を低減させることができ、前記した効果をより確実に得ることができるので好ましい。このような態様で失活領域５２を形成する方法については後述する。
（失活領域の幅寸法とシースルー性）
　また、図１に示すように、本実施形態における失活領域５２は、反射電極４側から透明電極３側に向かうにつれて幅寸法が大きくなっているのが好ましい。具体的には、失活領域５２は、反射電極４側の幅寸法Ｗ４から透明電極３側の幅寸法Ｗ３へと漸次的に大きくなっているのが好ましい。言い換えると、本実施形態における発光領域５１は、反射電極４側から透明電極３側に向かうにつれて幅寸法が小さくなっているのが好ましい。失活領域５２が、反射電極４側から透明電極３側に向かうにつれて幅寸法が大きくなるようにするには、後記する製造方法で説明するように、光源からの光が反射電極４の外側から有機層５に照射し、パターン形成された反射電極４により、光を回折させればよい。
　つまり、本実施形態における失活領域５２および発光領域５１は共に、有機ＥＬ素子１の平面に垂直な方向で切断した断面形状がほぼ台形となっているのが好ましい。具体的には、断面形状がほぼ台形をなしている失活領域５２と発光領域５１が、互い違いに斜辺で接する構造となっているのが好ましい。
　反射電極４側と透明電極３側の幅寸法の変化量ΔＷは、透明電極３と接する部分において、例えば、１０ｎｍ以上とするのが好ましいが、これに限定されない。なお、幅寸法の変化量ΔＷをこのようにすると、発光領域５１で生成された励起エネルギーが失活領域５２に拡散し、これによって失活領域５２中の発光ドーパントが励起されて発光する場合であっても、反射電極４によってより確実に遮蔽できるため、光漏れをより生じ難くすることができる。
　このように、反射電極４側から透明電極３側に向かうにつれて幅寸法が大きくなっている方が好ましいが、幅寸法が同じでも前記（２）のメカニズム効果は得られる。ただし、幅寸法が同じ場合の発光領域５１では、反射電極４によって遮蔽できない発光領域も含まれ得るため、極微量の光漏れが発生するおそれがある。
　ここで、図１、図２、図４、図５を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１と従来のシースルー片面発光有機ＥＬ素子とを対比して、シースルー性について説明する。
　なお、図２の（ａ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１が反射電極４側から外部の光を受光したときの様子を示す概略断面図であり、（ｂ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１が透明電極３側から外部の光を受光したときの様子を示す概略断面図である。
　図５の（ａ）は、従来のシースルー片面発光有機ＥＬ素子が反射電極側から外部の光を受光したときの様子を示す概略断面図であり、（ｂ）は、従来のシースルー片面発光有機ＥＬ素子が透明電極側から外部の光を受光したときの様子を示す概略断面図である。
　図４に示すように、従来のシースルー片面発光有機ＥＬ素子１０１（以下、単に有機ＥＬ素子１０１という）は、透明基板１０２から、透明電極１０３、有機層１０５、反射電極１０４の順に形成されている。このうち、反射電極１０４のみがパターン形成されており、その他の層はパターン形成せず単に積層した構成となっている。つまり、この有機ＥＬ素子１０１は、反射電極１０４と有機層１０５と透明電極１０３が重なり合う発光領域１５１で発光し、そうでない非発光領域１５２が発光しない構成となっている。
　図５（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子１０１が反射電極１０４側から光Ｌを受光すると、発光領域１５１であるか非発光領域１５２であるかに関係なく、反射電極１０４で遮蔽されている部分以外、有機層１０５中でフォトルミネッセンスが生じ、フォトルミネッセンス光ＰＬが大量に放射される。そのため、従来の有機ＥＬ素子１０１はシースルー性が低下する。
　また、図５（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１０１が透明電極１０３側から光Ｌを受光すると、有機層１０５全体でフォトルミネッセンスが生じ、フォトルミネッセンス光ＰＬが大量に放射される。そのため、従来の有機ＥＬ素子１０１はシースルー性が低下する。
　これに対し、前記したように本実施形態では、有機層５が失活領域５２を有している。失活領域５２は発光機能が発光領域５１よりも低いので光Ｌを受光してもフォトルミネッセンスが生じ難い。また、本実施形態では好ましくは、図１に示すように、失活領域５２の幅寸法を反射電極４側から透明電極３側に向かうにつれて大きくしている。従って、図２の（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子１が反射電極４側から外部の光Ｌを受光した場合、発光領域５１は反射電極４によって遮蔽（遮光）されているので光Ｌを受光せず、フォトルミネッセンスが生じない。そのため、有機ＥＬ素子１はシースルー性が高い。
　さらに、図２の（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１が透明電極３側から外部の光Ｌを受光した場合、発光領域５１はフォトルミネッセンスが生じてフォトルミネッセンス光ＰＬが透明電極３側に放射されるが、失活領域５２の発光機能は、発光領域５１の発光機能よりも低いので光Ｌを受光してもフォトルミネッセンスが生じ難い。この場合、有機ＥＬ素子１はフォトルミネッセンス光ＰＬを放射するものの、その発光量はわずかであり、従来の有機ＥＬ素子１０１と比較して大幅に抑制されているので、シースルー性を高く維持できる。
（タンデム構造）
　次に、他の実施形態に係る有機ＥＬ素子について説明する。
　図３は、他の実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の構成を説明する概略断面図である。なお、有機ＥＬ素子１０の構成について、有機ＥＬ素子１と同じ構成であるものは、有機ＥＬ素子１と同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
　図３に示すように、有機ＥＬ素子１０は、透明基板２、透明電極３、パターン形成された反射電極４、および透明電極３と反射電極４との間に位置する有機層５（第１有機層１５および第２有機層２５）を有している。なお、第１有機層１５と第２有機層２５は、中間コネクタ層６を介して積層されており、いわゆるタンデム構造となっている点で、有機ＥＬ素子１と相違している。以下、相違点である第１有機層１５、第２有機層２５、中間コネクタ層６について主に説明する。
　有機ＥＬ素子１０は、具体的には、透明基板２から、透明電極３、第１有機層１５、中間コネクタ層６、第２有機層２５、反射電極４の順に形成されているのが好ましい。このようにすると、第１有機層１５および第２有機層２５で発光させた光を透明基板２側から取り出すボトムエミッション型式の有機ＥＬ素子とすることができる。
　なお、本発明はこれに限定されない。つまり、本発明においては、図示はしないが、有機ＥＬ素子１と同様、層の構成を入れ替えて、透明基板から、反射電極、第２有機層、中間コネクタ層、第１有機層、透明電極の順に形成することができる。このようにすると、第２有機層および第１有機層で発光させた光を透明電極側から取り出すトップエミッション型式の有機ＥＬ素子とすることができる。また、中間コネクタ層６の代わりに中間電極層を形成してもよい。
（第１有機層および第２有機層）
　図３に示すように、有機ＥＬ素子１０の第１有機層１５と第２有機層２５はそれぞれ、有機ＥＬ素子１の有機層５と同様の発光領域５１と失活領域５２を有している。そのため、有機ＥＬ素子１０は、有機ＥＬ素子１で説明したのと同様の理由により、反射電極４側への光漏れを防ぐことができ、シースルー性が高い。
　有機ＥＬ素子１０の第１有機層１５と第２有機層２５はそれぞれ、有機ＥＬ素子１の有機層５の構成で説明した材料で構成することができる。
　また、第１有機層１５と第２有機層２５はそれぞれ前記した〔１〕～〔９〕などの層構造を採用することができる。
　第１有機層１５と第２有機層２５は、同じ色を発光するものであってもよいし、異なる色を発光するものであってもよい。第１有機層１５と第２有機層２５が同じ色を発光する場合、その色の発光輝度を高くすることができ、異なる色を発光する場合、これらを混ぜて白色光などの任意の色の光を得ることができる。
　なお、図３において図示はしないが、透明基板２上の透明電極３、第１有機層１５、中間コネクタ層６および第２有機層２５、反射電極４は、有機ＥＬ素子１と同様、封止材で封止されている。
（中間コネクタ層）
　中間コネクタ層６は、第１有機層１５に電子を注入し、第２有機層２５に正孔を注入する役割を果たす。中間コネクタ層６は透明または半透明であることが好ましい。
　中間コネクタ層６は、金属単独層を０．１～１０ｎｍ程度形成した構成とすることができるが、金属単独層を含まず、正孔を注入する機能を有する層と、電子を注入する機能を有する層とを積層した電荷発生層の構成とすることもできる（いずれの層も図示せず）。
　また、中間コネクタ層６は、陽極や陰極で説明したのと同じ材料を用いて形成することができる。また、中間コネクタ層６は、陽極や陰極よりも導電率の低い材料を用いて形成してもよい。
　中間コネクタ層６において、電子を注入する機能を有する層としては、例えば、酸化リチウム、フッ化リチウム、炭酸セシウムなどの絶縁体や半導体を用いることができる。また、電子輸送性の高い物質に電子供与性物質を添加した材料を用いることができる。
　電子輸送性の高い物質とは、主に１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子輸送性の高い物質であれば、任意の物質を用いることができる。
　電子を注入する機能を有する層は、電子輸送性の高い物質に電子供与性物質を添加することにより、電子注入性を高くすることができる。このため、有機ＥＬ素子１０の駆動電圧を低減することができる。電子供与性物質としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくは、希土類金属、または、元素周期表における第１３族に属する金属、その酸化物、もしくは、その炭酸塩を用いることができる。
　また、中間コネクタ層６のうち、正孔を注入する機能を有する層として、例えば、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化レニウム、酸化ルテニウムなどの半導体や絶縁体を用いることができる。また、正孔輸送性の高い物質に電子受容性物質を添加した材料を用いることができる。また、電子受容性物質からなる層としてもよい。
　正孔輸送性の高い物質とは、主に１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。なお、電子よりも正孔輸送性の高い物質であれば、任意の物質を用いることができる。また、上述のホスト化合物を用いてもよい。
　なお、正孔を注入する機能を有する層は、正孔輸送性の高い物質に電子受容性物質を添加することにより、正孔注入性を高くすることができる。このため、有機ＥＬ素子１０の駆動電圧を低減することができる。電子受容性物質としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニルや、遷移金属酸化物などを用いることができる。
　また、正孔輸送性の高い物質に電子受容性物質を添加した構成、および、電子輸送性の高い物質に電子供与性物質を添加した構成のうち、いずれか一方または両方の構成を用いることにより、中間コネクタ層６を厚膜化した場合にも駆動電圧の上昇を抑制することができる。また、中間コネクタ層６を厚膜化することにより、微小な異物や衝撃などによるショートを防止することができ、駆動電圧を上昇させずに信頼性の高い有機ＥＬ素子１０を得ることができる。
　なお、中間コネクタ層６において、正孔を注入する機能を有する層と電子を注入する機能を有する層との間に、必要に応じて他の層を導入してもよい。例えば、ＩＴＯのような導電層や電子リレー層を設けてもよい（いずれも図示せず）。電子リレー層は、正孔を注入する機能を有する層と電子を注入する機能を有する層との間で生じる電圧のロスを低減する機能を有する。具体的には、ＬＵＭＯ準位がおよそ－５．０ｅＶ以上である材料を用いることが好ましく、－５．０～－３．０ｅＶである材料を用いることがより好ましい。
　以上に説明した有機ＥＬ素子１、１０は、前記した特定の構造の発光領域５１と失活領域５２を有している。そのため、有機ＥＬ素子１、１０は、反射電極４（有機層からの発光を遮蔽する役割を果たす電極）側への光漏れを防ぐことができると共に、シースルー性が高いものとなっている。また、有機ＥＬ素子１、１０は、失活領域５２を有しているので、外部から光を受光してもフォトルミネッセンスが生じず、高いシースルー性が得られる。さらに、本実施形態では反射電極４がパターン形成された構成としているものの、特許文献１に記載の発光装置のように所定の形状の透明電極３と所定の形状の反射電極４の位置決めを精緻に行うことを要する構成ではないので、製造が容易である。
　これらに加え、有機ＥＬ素子１、１０は、特許文献１に記載の発光装置のように有機層５を構成する材料の選択に制限がなく、光の吸収領域のピークが４８０～５８０ｎｍである化合物を使用することができるので、有機層５を構成する材料の選択性が高い。
（有機ＥＬ素子の製造方法）
　次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法の好適な一例について説明する。
　本製造方法は、前記した有機ＥＬ素子１、１０（以下の説明においては単に有機ＥＬ素子１と記載する）を製造する方法である。
　本製造方法は、透明基板２上に積層された透明電極３、有機層５（第１有機層１５、中間コネクタ層６、第２有機層２５を含むが、以下の説明においては単に有機層５と記載する）および反射電極４に向けて光を照射し、前記した失活領域５２を形成する。この光の照射は、光照射工程で行う。この光照射工程に先立って積層工程が行われる。また、この積層工程と光照射工程との間に封止工程を行うことが好ましい。
（積層工程）
　積層工程では、透明基板２上に透明電極３、有機層５（または第１有機層１５、中間コネクタ層６、第２有機層２５）および反射電極４を積層する。これらの層の形成は、それぞれの項目で述べた適宜の手法で行うことができる。
（封止工程）
　封止工程では、積層工程を行った積層体、つまり、透明基板２上の透明電極３、有機層５（または第１有機層１５、中間コネクタ層６、第２有機層２５）および反射電極４を封止材で封止する。封止工程を光照射工程の後に行うことも可能ではあるが、封止工程を積層工程と光照射工程との間に行うと、有機層５などが封止材で封止されるので、有機ＥＬ素子１を大気中（開放系）に曝すことが可能となり、光照射工程をチャンバ内などの閉鎖系で行う必要がない。このため、簡易な製造設備での製造が可能となり、低コスト化を図ることができる。また、封止材で封止することで有機ＥＬ素子１の強度が増し、取扱いが容易となるので好ましい。封止材での封止は前述した適宜の手法で行うことができる。
（光照射工程）
　光照射工程は、前記したように、失活領域５２を形成する工程である。
　光照射工程における光の照射は、光源からの光が反射電極４の外側から有機層５に照射されるようにして行うのが好ましい。このようにすると、反射電極４で遮蔽されている有機層５の所定の領域は光が照射されないので発光機能が低減せず、発光機能を有する前記した発光領域５１となる。また、反射電極４で遮蔽されていない有機層５の所定の領域は光が照射されるので、発光機能が低減した失活領域５２となる。この場合、透明基板２の外側から照射する際には必要となるパターンマスクを使用しなくてもよいため、生産効率や歩留りの向上、コストダウンなどを図ることができる。また、このようにすると、光源からの光が反射電極４で回折するため、失活領域５２は、反射電極４側から透明電極３側に向かうにつれて幅寸法が大きくなる。
　つまり、本実施形態における失活領域５２および発光領域５１は共に、有機ＥＬ素子１の平面に垂直な方向で切断した断面形状がほぼ台形となる。具体的には、断面形状がほぼ台形をなしている失活領域５２と発光領域５１が、互い違いに斜辺で接する構造となる。なお、失活領域５２の幅寸法を反射電極４側から透明電極３側に向かうにつれて大きくするには、反射電極４の法線方向からの光照射だけでなく、斜めから光照射をしてもよい。斜めから光照射を行うことで、台形の形状を制御することができる。
　なお、本実施形態においては、有機層５に失活領域５２を形成することができればよく、前記した手法に限定されない。例えば、光源と透明電極３の間にパターンマスクを設け、光源からの光が透明電極３の外側から有機層５に照射されるようにして行うこともできる。このようにすると、パターンマスクで遮蔽されている有機層５の所定の領域は光が照射されないので発光機能が低減せず、発光機能を有する前記した発光領域５１となる。また、パターンマスクで遮蔽されていない有機層５の所定の領域は光が照射されるので、発光機能が低減した失活領域５２となる。
　光照射工程で照射される光は、光の波長、スペクトル形状および強度などに関して特に限定はないが、照射する光の発光スペクトルと、有機材料（特に、発光ドーパントおよび隣接する層の有機材料）の吸収スペクトルとの重なりを大きく設定するのが好ましい。このようにすると、効率的に分子を励起状態にさせることができるので、より早く効率的に分子（化学構造）を破壊して発光機能を低減できる。また、おおよその傾向として、エネルギーの高い、短波波長の光を用いると、より早く効率的に分子を破壊して発光機能を低減できる。
　光照射工程で照射される光は、紫外線を含有し、さらに可視光および赤外線を含有していてもよい。
　なお、透明基板２として透明樹脂フィルムを用いる場合、３４０ｎｍ未満の波長の光は含んでいないことが望ましい。このようにすると、透明樹脂フィルムである透明基板２が黄変するのを防ぐことができる。つまり、透明基板２を変色させることなく失活領域５２を形成することができるため、光照射時間を十分に確保することができる。これにより、製造される有機ＥＬ素子１の品質を低下させることなく、光照射工程を行うことができる。光照射工程で照射される光は、３４０～４６０ｎｍの波長であるのが好ましく、３８５ｎｍの波長であるのがより好ましい。
　３４０ｎｍ未満の波長成分を含まない光は、例えば、３４０ｎｍ以下の波長領域の全域の光透過率が５０％以下（カット波長が３４０ｎｍ）の光学フィルターを透過させることによって得ることができる。この光学フィルターを用いると、入射光から３４０ｎｍ以下の波長領域の全域の光を５０％以下にカットできる。そのような光学フィルターとしては、例えば、五鈴精工硝子株式会社製の紫外線吸収フィルターを用いることができる。なお、レーザー光を照射する場合には、３４０ｎｍ以上の波長に設定すればよい。
　光照射工程で照射される光の発生手段および照射手段は、従来公知の装置を用いればよく、特に限定されない。
　具体的な光源としては、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、水素（重水素）ランプ、希ガス（キセノン、アルゴン、ヘリウム、ネオンなど）放電ランプ、窒素レーザー、エキシマレーザー（ＸｅＣｌ、ＸｅＦ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌなど）、水素レーザー、ハロゲンレーザー、各種可視（ＬＤ）－赤外レーザーの高調波（ＹＡＧレーザーのＴＨＧ（Third Harmonic Generation）光など）などが挙げられる。
　レーザー光を照射する場合、有機層５に対してレーザー光をスポット状に照射し、レーザー光源と有機層５とを相対移動させることによって、レーザー光照射位置を走査させ、所定の領域に光を照射するようにしてもよい。
　また、光源からの光を光学フィルターに通す場合も光照射位置を走査させ、所定の領域に光を照射するようにしてもよい。
　光照射工程では、光の照射とともに、有機層５を適宜の温度で加熱してもよい。加熱温度は、有機層５の発光領域５１の発光機能の性能が劣化しない範囲で設定することができる。このときの加熱温度は、例えば、１１０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。このようにすると、失活領域５２における発光機能を迅速に低減させることができる。
　また、有機層５が白色光などを発生させるタンデム構造である場合は、それぞれの有機層５（第１有機層１５および第２有機層２５）を構成する化合物に応じた別の色の光（波長領域の異なる光）を同時にまたは異時に照射してもよい。このようにすると、タンデム構造の有機層５に対してより確実に失活領域５２を形成することができる。
　また、光照射工程において、光強度や照射時間などを調整して、光照射量を変化させることにより、当該光照射量に応じて光照射部分の発光輝度を変化させることが可能である。つまり、光照射量が多いほど失活領域５２の発光輝度は減衰し、光照射量が少ないほど失活領域５２の発光輝度の減衰率は小さい。
　これにより、製造される有機ＥＬ素子１において、発光輝度の強弱（コントラスト）を付けることが可能であり、駆動電流の増減によってもコントラストを変化させることが可能である。また、輝度の減衰に伴い駆動電圧が高電圧化するが、この輝度－電圧特性は経時的に安定している。よって、発光時に発光領域５１にコントラストが現れる有機ＥＬ素子１を製造することが可能である。
　以上に説明した本製造方法によれば、透明基板２上に積層された透明電極３、有機層５および反射電極４に向けて光を照射し、有機ＥＬ素子１、１０に失活領域５２を形成する。従って、本製造方法によれば、反射電極４（有機層からの発光を遮蔽する役割を果たす電極）側への光漏れを防ぐことができると共に、シースルー性が高い有機ＥＬ素子１を製造することができる。また、本製造方法によれば、失活領域５２を形成するので、外部から光を受光してもフォトルミネッセンスが生じず、高いシースルー性が得られる有機ＥＬ素子１、１０を製造することができる。本製造方法では反射電極４がパターン形成された構成としているものの、特許文献１に記載の発光装置のように所定の形状の透明電極３と所定の形状の反射電極４の位置決めを精緻に行う必要がないので、容易に有機ＥＬ素子１を製造することができる。
　以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
≪Ｎｏ．１０１に係る有機ＥＬ素子の作製≫
　下記の方法に従って、図１に記載の構成の有機ＥＬ素子１を作製した。
（透明基板の準備）
　透明基板２として、ガスバリア層付のフレキシブル基板を以下のようにして準備した。
　ポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン社製フィルムであり、以下ＰＥＮフィルムと記す）を用意した。特開２００４－６８１４３号公報に記載の構成よりなる大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、このＰＥＮフィルムの一主面上に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）より構成される無機ガスバリア層を膜厚５００ｎｍとなるように形成し、ガスバリア層付のフレキシブル基板を作製した。
（陽極の形成）
　作製したフレキシブル基板の上に、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を１５０ｎｍの厚さで製膜してパターニングを行い、陽極としてＩＺＯ透明電極（透明電極３）を形成した。
（有機層の形成）
　ＩＺＯ透明電極上に、下記に示す手順に従って、有機層５を形成した。なお、ＩＺＯ透明電極上まで形成したフレキシブル基板は、露点－８０℃以下、酸素濃度１ｐｐｍ以下のグローブボックスにおいて乾燥させた後、グローブボックスから大気に晒すことなく有機層を形成する真空蒸着装置の真空槽内に移送した。
　真空蒸着装置の真空槽内に、各層の構成材料を最適の量で充填した抵抗加熱ボートを取り付けた。抵抗加熱ボートは、モリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
　続いて、真空蒸着装置の真空槽内を１×１０－４Ｐａにまで減圧し、先ず下記化学式で表される化合物Ｍ－１（ＭＴＤＡＴＡ）の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、ＩＺＯ透明電極上に、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で化合物Ｍ－１（ＭＴＤＡＴＡ）を蒸着し、膜厚１７ｎｍの正孔注入層を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　次いで、下記化学式で表される化合物Ｍ－２（α－ＮＰＤ）の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、正孔注入層上に、化合物Ｍ－２（α－ＮＰＤ）を蒸着し、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　次いで、下記化学式で表される化合物ＧＤ－１、化合物ＲＤ－１および化合物Ｈ－２を、化合物ＧＤ－１が体積比で１０％、化合物ＲＤ－１が体積比で１０％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、正孔輸送層（ＨＴＬ）上に膜厚３５ｎｍの赤色を呈するリン光発光層を形成した。なお、化合物ＲＤ－１は、６２０ｎｍの最大ピーク波長を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　その後、下記化合物１の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、リン光発光層上に、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で化合物１を蒸着し、膜厚１５ｎｍの電子輸送層（ＥＴＬ）を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　次いで、フッ化リチウム（ＬｉＦ）の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、電子輸送層（ＥＴＬ)上に蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
（陰極の形成）
　次に、幅１５０μｍの開口部が５００μｍピッチで並んでいる金属マスクを用いて、アルミニウム（Ａｌ）を厚さ１００ｎｍで蒸着して電極層（陰極）を形成した。この電極層は、光不透過性の反射電極４であり、１５０μｍの金属幅が５００μｍピッチで並んだストライプ状である。
（封止材の作製）
　次のようにして、陽極から陰極までの積層体を被覆するように封止フィルム（封止材）を貼り合わせて封止した。
（バリア層の形成）
　ポリエステルフィルム（ＰＥＴフィルム）（帝人デュポン社製フィルム）の一主面上にバリア層を形成した。
　バリア層としてＳｉＮ層を以下の条件でデポアップ方式のプラズマＣＶＤ成膜装置によって形成した。ＳｉＮ層の膜厚は３００ｎｍとした。
　ＳｉＮ層は、ＰＥＴフィルムに対面するように設けられた電極と、この電極にプラズマ励起電力を供給する高周波電源と、ＰＥＴフィルムを保持する保持部材に対してバイアス電力を供給するバイアス電源と、電極に向けてキャリアガスや原料ガスを供給するガス供給手段と、を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置で形成した。
　成膜ガスは、シランガス（ＳｉＨ４）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）および水素ガス（Ｈ２）を用いた。これらのガスの供給量は、シランガスが１００ｓｃｃｍ（standard cubic centimeter per minute）、アンモニアガスが２００ｓｃｃｍ、窒素ガスが５００ｓｃｃｍ、水素ガスが５００ｓｃｃｍとした。また、成膜圧力は５０Ｐａとした。
　電極には、高周波電源から周波数１３．５ＭＨｚで３０００Ｗのプラズマ励起電力を供給した。さらに、保持部材には、バイアス電源から５００Ｗのバイアス電力を供給した。
（接着層の形成と積層体との接着）
　封止材の接着層の形成と積層体との接着は、接着剤としてエポキシ系熱硬化型接着剤（巴川製紙所社製エレファンＣＳ）を用いて行った。バリア層の上にエポキシ系熱硬化型接着剤を塗布した後、陽極から陰極までを積層した積層体の積層面に前記バリア層を形成したＰＥＴフィルムを接着させた。その後、酸素濃度１０ｐｐｍ以下、水分濃度１０ｐｐｍ以下のグローブボックス内で、８０℃、０．０４ＭＰａ荷重下、減圧（１×１０－３ＭＰａ以下）吸引を２０秒、プレスを２０秒の条件で真空プレスした。その後、グローブボックス内で、１１０℃のホットプレート上で３０分間加熱して接着層を熱硬化させ、有機ＥＬ素子を得た。
≪サンプルへの光照射≫
　透明基板２の前記各層が設けられている側と反対側の面上に、波長カットフィルター（五鈴精工硝子株式会社製）を配置した状態で減圧密着し、ＵＶテスター（岩崎電気株式会社製、ＳＵＶ－Ｗ１５１：１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて、反射電極側から紫外線を３時間照射し、パターニングした。また、光源から反射電極の距離は３０ｃｍとした。このようにして、有機層５に発光領域５１と失活領域５２を形成した。
　波長カットフィルターは、３００ｎｍ以下の波長領域の全域の光透過率が５０％以下のもの（カット波長：３００ｎｍ）を用いた。このようにしてＮｏ．１０１に係る有機ＥＬ素子（有機ＥＬ素子１）を作製した。なお、以下の説明において、波長カットフィルターは、カット波長として示された波長以下の波長領域全域の光透過率が５０％以下であるものとする。
≪Ｎｏ．１０２～１０５、１１６に係る有機ＥＬ素子の作製≫
　波長カットフィルターのカット波長（透過率５０％）を表１に示すように３４０ｎｍ、３８０ｎｍ、４２０ｎｍ、４６０ｎｍに変更した以外はＮｏ．１０１に係る有機ＥＬ素子と同様にして、Ｎｏ．１０２～１０５に係る有機ＥＬ素子を作製した。
　なお、Ｎｏ．１１６に係る有機ＥＬ素子は、Ｎｏ．１０２～１０５に係る有機ＥＬ素子と同様の構成としているが、光照射をしなかった。
≪Ｎｏ．１０６～１１０、１１７に係る有機ＥＬ素子の作製≫
　陽極の形成を以下のように変更した以外はＮｏ．１０１に係る有機ＥＬ素子と同様にして、Ｎｏ．１０６～１１０に係る有機ＥＬ素子を作製した。
　なお、Ｎｏ．１１７に係る有機ＥＬ素子は、Ｎｏ．１０６～１１０に係る有機ＥＬ素子と同様の構成としているが、光照射をしなかった。
（下地層の形成）
　ガスバリア層付きのフレキシブル基板を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、基板ホルダーを真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、真空槽内を４×１０－４Ｐａまで減圧した後、窒素含有化合物である化合物１（［化４］参照）の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、フレキシブル基板のガスバリア層上に、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒で化合物１を蒸着し、膜厚１５ｎｍの下地層を形成した。
（陽極の形成）
　下地層までが形成されたフレキシブル基板を、真空蒸着装置の真空槽内に装着した。次に、真空槽内を４×１０－４Ｐａまで減圧した後、銀（Ａｇ）の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒で膜厚１３ｎｍの銀（Ａｇ）からなる陽極（透明電極２）を形成した。
≪Ｎｏ．１１１～１１５、１１８に係る有機ＥＬ素子の作製≫
　下記のようにして、図３に記載の構成の有機ＥＬ素子１０を作製した。
　陽極と有機層５（第１有機層１５および第２有機層２５）の形成を以下のように変更した以外はＮｏ．１０１に係る有機ＥＬ素子と同様にして、Ｎｏ．１１１～１１５に係る有機ＥＬ素子を作製した。
　なお、Ｎｏ．１１８に係る有機ＥＬ素子は、Ｎｏ．１１１～１１５に係る有機ＥＬ素子と同様の構成としているが、光照射をしなかった。
（下地層の形成）
　ガスバリア層付きのフレキシブル基板を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、基板ホルダーを真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、真空槽内を４×１０－４Ｐａまで減圧した後、窒素含有化合物である化合物１（［化４］参照）の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、フレキシブル基板のガスバリア層上に蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒で化合物１を蒸着し、膜厚１５ｎｍの下地層を形成した。
（陽極の形成）
　下地層までが形成されたフレキシブル基板を、真空蒸着装置の真空槽内に装着した。次に、真空槽内を４×１０－４Ｐａまで減圧した後、銀（Ａｇ）の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒で膜厚１３ｎｍの銀（Ａｇ）からなる陽極を形成した。
（第１有機層の形成）
　陽極の上に、下記に示す手順に従って、第１有機層１５を形成した。なお、陽極まで形成したフレキシブル基板は、露点－８０℃以下、酸素濃度１ｐｐｍ以下のグローブボックスにおいて乾燥させた後、グローブボックスから大気に晒すことなく第１有機層１５を形成する真空蒸着装置の真空槽内に移送した。
　真空蒸着装置の真空槽内に、各層の構成材料を最適の量で充填した抵抗加熱ボートを取り付けた。抵抗加熱ボートは、モリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
　続いて、真空蒸着装置の真空槽内を１×１０－４Ｐａにまで減圧し、先ず化合物Ｍ－１（［化１］参照）の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、陽極上に、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で化合物Ｍ－１（ＭＴＤＡＴＡ）を蒸着し、膜厚１７ｎｍの正孔注入層を形成した。
　次いで、化合物Ｍ－２（［化２］参照）の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、正孔注入層上に、化合物Ｍ－２（α－ＮＰＤ）を蒸着し、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成した。
　次いで、化合物ＧＤ－１、化合物ＲＤ－１および化合物Ｈ－２（［化３］参照）を、化合物ＧＤ－１が体積比で１０％、化合物ＲＤ－１が体積比で１０％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、正孔輸送層（ＨＴＬ）上に膜厚３５ｎｍの赤色を呈するリン光発光層を形成した。
　その後、化合物１（［化４］参照）の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、リン光発光層上に、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で化合物１を蒸着し、膜厚１５ｎｍの電子輸送層（ＥＴＬ）を形成した。
　次いで、フッ化リチウム（ＬｉＦ）が入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、電子輸送層（ＥＴＬ)上に蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
（中間コネクタ層の形成）
　次に、電子注入層上にアルミニウムを蒸着して層厚１ｎｍの金属単独層からなる中間コネクタ層６を形成した。
（第２有機層の形成）
　次いで、中間コネクタ層６上に、以下のようにして第２有機層２５を形成した。先ず化合物Ｍ－１（［化１］参照）を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で中間コネクタ層６上に蒸着し、膜厚１８ｎｍの正孔注入層を形成した。
　次いで、化合物Ｍ－２（［化２］参照）を、正孔注入層上に蒸着し、膜厚１２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
　次いで、化合物ＧＤ－１、化合物ＲＤ－１および化合物Ｈ－２（［化３］参照）を、化合物ＧＤ－１が体積比で１０％、化合物ＲＤ－１が体積比で１０％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、正孔輸送層（ＨＴＬ）上に膜厚３５ｎｍの赤色を呈するリン光発光層を形成した。
　その後、上記した化合物１（［化４］参照）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、厚さ５０ｎｍの電子輸送層を形成した。
　さらに、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
（陰極の形成）
　次に、幅１５０μｍの開口部が５００μｍピッチで並んでいる金属マスクを用いて、アルミニウム（Ａｌ）を厚さ１００ｎｍで蒸着して電極層（陰極）を形成した。この電極層は、光不透過性の反射電極４であり、１５０μｍの金属幅が５００μｍピッチで並んだストライプ状の陰極を形成している。
≪輝度比の評価≫
　作製したＮｏ．１０１～１１８に係る有機ＥＬ素子に対して、一定の電流量（５ｍＡ／ｃｍ２）を流して発光させ、２次元色彩輝度計ＣＡ－２０００（コニカミノルタ社製）を用いて陰極側からの輝度と陽極側（発光側）からの輝度を比較した。なお、測定面積は３ｃｍ×３ｃｍである。ここで、輝度比＝陽極側（発光側）からの輝度÷陰極側からの輝度として定義している。この輝度比が高いほど相対的にみて陰極側からの光漏れが生じていないと判断することができる。本評価では、輝度比が１００以上であるものを実用上可と判断した。
≪透明性の度合い測定≫
　作製したＮｏ．１０１～１１８に係る有機ＥＬ素子に対して、反射電極側からＤ６５光源を当て、１ｍ離れた観測位置から透明性の度合いを一般モニター１０人により以下の基準に従って評価した。なお、○または△であれば、明るさ（透明性）としては実用上可と判断した。また、本評価では、Ｎｏ．１１６に係る有機ＥＬ素子の発光を基準と比較したときの明るさを評価した。
○：９人以上のモニターが、Ｎｏ．１１６に係る有機ＥＬ素子より色味が無く、透明と判定した。
△：５～８人のモニターが、Ｎｏ．１１６に係る有機ＥＬ素子より色味が無く、透明と判定した。
－：６人以上のモニターが、Ｎｏ．１１６に係る有機ＥＬ素子と同等であると判定した。
　表１に、Ｎｏ．１０１～１１８に係る有機ＥＬ素子の構造（陽極、有機層の処方）と、光照射の有無と、光照射の際に用いた波長カットフィルターのカット波長とともに、輝度比と、透明性の度合いとを示す。なお、波長カットフィルターのカット波長における「－」は、光照射していないので、波長カットフィルターを用いていないことを示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表１に示すように、Ｎｏ．１０１～１１５に係る有機ＥＬ素子（有機ＥＬ素子１、１０）は、光照射を行って有機層５（第１有機層１５および第２有機層２５）に発光領域５１と失活領域５２を形成している。また、光照射して失活領域５２を形成したときの態様、すなわち、光源と反射電極４と有機層５の位置関係から、失活領域５２は、反射電極４側から透明電極３側に向かうにつれて幅寸法が大きくなっていると考えられる。そのため、Ｎｏ．１０１～１１５に係る有機ＥＬ素子は、輝度比および透明度の度合いが共に良好な結果となった（いずれも実施例）。つまり、反射電極の側への光漏れが生じず、また、シースルー性が高かった。さらに、これらの実施例は、反射電極の外側から光照射を行って有機層５（第１有機層１５および第２有機層２５）に発光領域５１と失活領域５２を形成しているので、製造が容易であった。なお、Ｎｏ．１０２～１０５、１０７～１１０、１１２～１１５に係る有機ＥＬ素子は、用いた波長カットフィルターが３４０ｎｍであったので、フレキシブル基材の黄変が抑えられ、透明性がより高い結果となった。
　これに対し、Ｎｏ．１１６～１１８に係る有機ＥＬ素子は、光照射を行っておらず、有機層に発光領域と失活領域を形成していないので、輝度比および透明度の度合いが共に良好でない結果となった（いずれも比較例）。
　１　　　有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）
　２　　　透明基板
　３　　　透明電極
　４　　　反射電極
　５　　　有機層
　５１　　発光領域
　５２　　失活領域

Claims (12)

  1. 　透明基板、透明電極、パターン形成された反射電極、および前記透明電極と前記反射電極との間に位置する有機層を有し、
    　前記有機層は、前記透明電極および前記反射電極と接しており、電圧が印加されて発光機能が発揮される発光領域と、前記透明電極とは接しているが、前記反射電極とは接しておらず、かつ前記発光機能が前記発光領域よりも低い失活領域と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 　前記透明基板から、前記透明電極、前記有機層、前記反射電極の順に形成されている請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 　前記反射電極が、ストライプ状にパターン形成されている請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 　前記透明電極が無機酸化物または金属である請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 　前記透明電極が膜厚１～３０ｎｍの銀である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 　透明基板、透明電極、パターン形成された反射電極、および前記透明電極と前記反射電極との間に位置する有機層を有し、前記有機層は、前記透明電極および前記反射電極と接しており、電圧が印加されて発光機能が発揮される発光領域と、前記透明電極とは接しているが、前記反射電極とは接しておらず、かつ前記発光機能が前記発光領域よりも低い失活領域と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する製造方法であり、
    　前記透明基板上に積層された前記透明電極、前記有機層および前記反射電極に向けて光を照射し、前記失活領域を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  7. 　前記光の波長が３４０～４６０ｎｍの範囲である請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  8. 　前記光の照射を前記反射電極の外側から行う請求項６または請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  9. 　前記透明基板から、前記透明電極、前記有機層、前記反射電極の順に形成されている請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  10. 　前記反射電極が、ストライプ状にパターン形成されている請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  11. 　前記透明電極が無機酸化物または金属である請求項６から請求項１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  12. 　前記透明電極が膜厚１～３０ｎｍの銀である請求項６から請求項１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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