JP4915544B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4915544B2
JP4915544B2 JP2005139099A JP2005139099A JP4915544B2 JP 4915544 B2 JP4915544 B2 JP 4915544B2 JP 2005139099 A JP2005139099 A JP 2005139099A JP 2005139099 A JP2005139099 A JP 2005139099A JP 4915544 B2 JP4915544 B2 JP 4915544B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting layer
light emitting
light
electron
dopant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005139099A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006319070A (ja
Inventor
博也 辻
小田  敦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2005139099A priority Critical patent/JP4915544B2/ja
Priority to US11/920,007 priority patent/US8314545B2/en
Priority to EP06746269.7A priority patent/EP1881543B1/en
Priority to KR1020077024440A priority patent/KR100886426B1/ko
Priority to CN2006800160127A priority patent/CN101171698B/zh
Priority to PCT/JP2006/309460 priority patent/WO2006121105A1/ja
Publication of JP2006319070A publication Critical patent/JP2006319070A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4915544B2 publication Critical patent/JP4915544B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/80Composition varying spatially, e.g. having a spatial gradient
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90Multiple hosts in the emissive layer

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ、液晶表示機用バックライト、サイン光源、照明光源などに用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
フラットパネルディスプレイの薄型化、液晶表示機を備える電子機器の小型化や薄型化、あるいはサイン光源、照明器具の形状の自由化などのために、薄く、軽量であり、かつ高効率である発光体が近年ますます要求されるようになってきている。このような要求に応じることができるものとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機電界発光素子)が注目されている。
有機エレクトロルミネッセンス素子が低電圧で発光することは、イ−ストマン・コダック社のC.W.Tangらにより、電極間に二層の薄膜を積層した構成の素子において初めて示された(Appl.Phys.Lett.,51,12,913(1978))。そしてこれ以降、有機エレクトロルミネッセンス素子は、数V程度の低電圧で100〜10000cd/m程度の高輝度の発光が可能なこと、発光層を構成する材料の組み合わせで多数の色を発光させることが可能なこと、非常に薄い面発光体として使用可能なこと、などから産業界で注目され、素子構成に改良を加えた種々の薄膜構成の有機エレクトロルミネッセンス素子が検討されている。
ここで、有機エレクトロルミネッセンス素子の基本的な素子構成は、陽極/有機発光層/陰極であるが、その他に、陽極/ホ−ル輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極の構成や、陽極/ホ−ル注入層/ホ−ル輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極の構成や、陽極/ホ−ル注入層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極の構成や、陽極/ホ−ル注入層/有機発光層/電子注入層/陰極の構成など、種々の構成のものが挙げられる。このような多層構造とすることによって、陽極や陰極として形成される電極から有機発光層へのホ−ルおよび電子の注入特性を向上させ、また、ホ−ルと電子の再結合領域が有機発光層に特定されるために、発光特性が向上することが一般に知られている。また、近年の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料の進化により、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光特性は当時に比して大幅に向上し、また当初懸念されていた寿命も比較的高いレベルにまで到達し、種々の用途に有機エレクトロルミネッセンス素子が実用化されようとし始めている(特許文献1等参照)。
特開平9−139288号公報
しかし、有機エレクトロルミネッセンス素子の効率や寿命をさらに高いものとすることが求められており、材料の改良のみならず、デバイス構造の改善を行うことが必要である。有機エレクトロルミネッセンス素子の効率や寿命を低下させる要因の一つとして、発光層以外でのホ−ルと電子の再結合が挙げられる。これは、陰極側から有機発光層への電子注入能力及び/または陽極側から有機発光層へのホ−ル注入能力が低いため、また、有機発光層へのホ−ルと電子の注入量及びバランスが最適でないために、再結合エネルギ−が発光に寄与できないことが理由である。よって、高効率、長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するためには、有機発光層へのホ−ル及び/または電子の注入性能を向上させ、また、有機発光層へのホ−ル及び/または電子の注入バランスを最適にすることが必要であり、有機発光層のみで効率よくホ−ルと電子を再結合させることが課題となっている。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、発光層で効率よくホ−ルと電子を再結合させることができ、効率や寿命を向上することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とするものである。
本発明の請求項1に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、電極間に発光層と発光層にホール輸送するホール輸送層とを少なくとも設けて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層は、電子受容性ドーパントとして機能する化合物と発光層ホスト材料とを含有する部位と、発光層ホスト材料のみからなる部位と、発光性ドーパントとして機能する化合物と発光層ホスト材料とを含有する部位とを、ホール輸送層側から順に有することを特徴とするものである。
また請求項の発明は、請求項において、電子受容性ドーパントとして機能する化合物が金属酸化物であることを特徴とするものである。
また請求項の発明は、請求項において、金属酸化物が、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化レニウム、酸化タングステンから選ばれるものであることを特徴とするものである。
本発明の請求項に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、電極間に発光層と発光層電子を輸送する電子輸送層とを少なくとも設けて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層は、電子供与性ドーパントとして機能する物質と発光層ホスト材料とを含有する部位と、発光層ホスト材料のみからなる部位と、発光性ドーパントとして機能する化合物と発光層ホスト材料とを含有する部位とを、電子輸送層側から順に有することを特徴とするものである。
また請求項の発明は、電子供与性ドーパントとして機能する物質が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属からなる群から選択された1種以上の金属であることを特徴とするものである。
本発明によれば、電極間に発光層を積層して形成される有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層に電子受容性ド−パントとして機能する化合物や、電子供与性ド−パントとして機能する物質を含有することによって、発光層へのホールや電子の注入のバランスを最適にすることができるものであり、発光層で効率よくホ−ルと電子を再結合させることができ、効率や寿命を向上することができるものである。
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
図1は電極1,2の間に有機発光層4を積層して形成される有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の一例を示すものであり、基板10の表面に透明導電膜からなる電極(陽極)1を積層し、陽極1の表面上にホ−ル輸送層3を介して有機発光層4を積層すると共に、さらにこの有機発光層4の上に電子輸送層5を介して電極(陰極)2が積層してある。以下、本構造を例として説明するが、この構造はあくまでも一例であり、例えば発光層4と電子輸送層5の間にホールブロック層を形成するなど、本発明の趣旨に反しない限り図1の構造に限定されるものではない。また上記の発光層4は複数の発光色の層を積層して形成することもできる。
そして本発明に係る有機エレクトロルミネッセンスの第一の形態は、発光層4内に電子受容性ドーパントとして機能する化合物を含有させるようにしたものである。電子受容性ドーパントとして機能する化合物は、発光層4の全体に含有していてもよく、また発光層4の一部の部位にのみ含有していてもよい。例えば図2の実施の形態では、発光層4を構成材料の数の異なる複数の部分から形成し、発光層4のうち陽極1側の部分4aは、発光性有機物質に加えて電子受容性ドーパントとして機能する化合物を含有させるようにしてある。勿論、電子受容性ドーパントとして機能する化合物を含有させる位置は図2のものに限定されるものではなく、また電子受容性ド−パントとして機能する化合物は発光層4内で濃度勾配を有する状態、例えば発光層4の陽極1の側では濃度が高く、陰極2の側になるに従って濃度が低くなるようにして、発光層4に含有させるようにすることもできる。
また、発光層4には発光性ドーパントとして機能する化合物を含有させることができるものであり、例えば図3の実施の形態では、発光層4を構成材料の数の異なる複数の部分から形成し、発光層4のうち陽極1側の部分4aは、発光性有機物質に加えて電子受容性ドーパントとして機能する化合物を含有させ、発光層4のうち陰極2側の部分4bは、発光性有機物質に加えて発光性ドーパントとして機能する化合物を含有させるようにしてある。勿論、電子受容性ドーパントとして機能する化合物を含有させる位置や、発光性ドーパントとして機能する化合物を含有させる位置は、図3のものに限定されるものではない。
図4の実施の形態では、発光層4が発光性ド−パントとして機能する化合物を含有する部位と、電子受容性ド−パントとして機能する化合物を含有する部位とを備え、さらにこれらの部位の間に、発光層ホスト材料のみからなる部位を有するようにしてある。例えば図4の実施の形態では、発光層4を構成材料の数の異なる複数の部分から形成し、発光層4のうち陽極1側の部分は、発光性有機物質に加えて電子受容性ドーパントとして機能する化合物を含有させると共に、発光層4のうち陰極2側の部分4bは、発光性有機物質に加えて発光性ドーパントとして機能する化合物を含有させるようにし、この間の発光層4cを発光層ホスト材料のみからなる層として形成してある。勿論、これらの各位置は図4のものに限定されるものではない。
上記のように、発光層4内に電子受容性ドーパントとして機能する化合物を含有させ、また発光層4内に電子受容性ドーパントとして機能する化合物や発光性ド−パントとして機能する化合物を含有させることによって、発光層4へのホ−ル注入性能及び/または発光層4内でのホ−ル輸送性能を、発光層4内で部分的かつ、選択的に向上させることができるものであり、この結果、発光層へのホ−ル及び/または電子の注入バランスを最適にすることにより、発光層4を効率よく発光させることができ、優れた発光特性、寿命特性を得ることができるものである。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンスの第二の形態は、発光層4内に電子供与性ドーパントとして機能する物質を含有させるようにしたものである。電子供与性ドーパントとして機能する物質は、発光層4の全体に含有していてもよく、また発光層4の一部の部位にのみ含有していてもよい。例えば図5の実施の形態では、発光層4を構成材料の数の異なる複数の部分から形成し、発光層4のうち陰極2側の部分4dは、発光性有機物質に加えて電子供与性ドーパントとして機能する物質を含有させるようにしてある。勿論、電子供与性ドーパントとして機能する物質を含有させる位置は図5のものに限定されるものではなく、また電子供与性ド−パントとして機能する物質は発光層4内で濃度勾配を有する状態、例えば発光層4の陰極2の側では濃度が高く、陽極1の側になるに従って濃度が低くなるようにして、発光層4に含有させるようにすることもできる。
また、発光層4には発光性ドーパントとして機能する化合物を含有させることができるものであり、例えば図6の実施の形態では、発光層4を構成材料の数の異なる複数の部分から形成し、発光層4のうち陰極2側の部分4dは、発光性有機物質に加えて電子供与性ドーパントとして機能する物質を含有させ、発光層4のうち陽極1側の部分4eは、発光性有機物質に加えて発光性ドーパントとして機能する化合物を含有させるようにしてある。勿論、電子供与性ドーパントとして機能する物質を含有させる位置や、発光性ドーパントとして機能する化合物を含有させる位置は、図6のものに限定されるものではない。
図7の実施の形態では、発光層4が発光性ド−パントとして機能する化合物を含有する部位と、電子受容性ド−パントとして機能する物質を含有する部位とを備え、さらにこれらの部位の間に、発光層ホスト材料のみからなる部位を有するようにしてある。例えば図7の実施の形態では、発光層4を構成材料の数の異なる複数の部分から形成し、発光層4のうち陰極2側の部分4dは、発光性有機物質に加えて電子供与性ドーパントとして機能する物質を含有させると共に、発光層4のうち陽極1側の部分4eに発光性有機物質に加えて発光性ドーパントとして機能する化合物を含有させるようにし、この間の発光層4fを発光層ホスト材料のみからなる層として形成してある。勿論、これらの各位置は図7のものに限定されるものではない。
上記のように、発光層4内に電子供与性ドーパントとして機能する物質を含有させ、また発光層4内に電子供与性ドーパントとして機能する物質や発光性ド−パントとして機能する化合物を含有させることによって、発光層4への電子注入性能及び/または発光層4内での電子輸送性能を、発光層4内で部分的かつ、選択的に向上させることができるものであり、この結果、発光層へのホール及び/または電子の注入バランスを最適にすることにより、発光層4を効率よく発光させることができ、優れた発光特性、寿命特性を得ることができるものである。
尚、上記の第一の形態及び第二の形態では、発光層4に電子受容性ド−パントと電子供与性ド−パントのうち一方を含有するものを例に挙げ説明したが、本発明は発光層4に電子受容性ド−パントと電子供与性ド−パントの両方を含有する場合においても、同様に適用することができるのは言うまでもない。また本発明において、発光層4に含有させる電子受容性ド−パントや電子供与性ド−パントは1種単独でもよく、複数種を併用してもよい。電子受容性ド−パントや電子供与性ド−パントを含有させる方法としては、発光層ホスト材料及び/または発光性ド−パントと共蒸着する方法、発光層ホスト材料及び/または発光性ド−パントと交互に蒸着する方法、発光層ホスト材料及び/または発光性ド−パントを蒸着した後に蒸着して発光層4に拡散させる方法、発光層ホスト材料及び/発光性ド−パントと溶解した液をスピンコ−ト等で塗布して発光層4を形成する方法などがあり、発光層ホスト材料及び/または発光性ド−パントと共存させる方法であれば特に限定することなく使用することができる。
ここで、本発明において発光層4に用いることのできる発光性有機物質としては、公知の任意のものを挙げることができる。例えば、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾ−ル、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナ−ト)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナ−ト)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナ−ト)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−タ−フェニル−4−イル)アミン、1−アリ−ル−2,5−ジ(2−チエニル)ピロ−ル誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチルベンゼン誘導体、ジスチルアリ−レン誘導体、及びこれらの発光性化合物からなる基を分子内の一部に有するものであるが、これに限定されるものではない。またこれらの化合物に代表される蛍光色素由来の化合物のみならず、三重項状態からの燐光発光が可能な発光材料も好適に用いることができる。燐光性ド−パントとしては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。この金属として好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、および金が挙げられる。
発光層4は上記のような発光性有機物質の単独又は混合の層として形成することができるが、電子輸送性の材料またはホ−ル輸送性の材料をホスト材料として、これに発光性ドーパントを含有させたものでも形成することができる。この発光層ホスト材料としては、電子輸送性の材料、ホ−ル輸送性の材料のいずれも使用することができるものであり、これらは混合して用いることもできる。さらに層内で濃度勾配を有する状態で、陽極1の側ではホ−ル輸送性の材料が多く、陰極2の側になるに従って電子輸送性の材料の割合が多くなるようにして用いることもできる。電子輸送性のホスト材料やホ−ル輸送性のホスト材料としては特に制限されるものではないが、前述した発光層4に用いることができる発光性有機材料や、後述するホ−ル輸送層3を構成する材料、電子輸送層5を構成する材料に相当するものから、適宜選択して用いることができる。また、燐光発光を示す発光層4に使用されるホスト材料としては、蛍光発光を示す発光層に使用されるホスト材料として前述した材料の他に、カルバゾ−ル誘導体、ポリビニルカルバゾ−ルなどが挙げられる。また発光性ドーパントとしては、上記の発光性有機物質を用いることができるものである。
そして発光層4に含有される上記の電子受容性ド−パントとして機能する化合物としては、有機物をルイス酸化学的に酸化しうる性質を有するものを挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化レニウム、酸化タングステンなどの金属酸化物、塩化第2鉄、臭化第2鉄、ヨウ化第2鉄、ヨウ化アルミニウム、塩化ガリウム、臭化ガリウム、ヨウ化ガリウム、塩化インジウム、臭化インジウム、ヨウ化インジウム、5塩化アンチモン、5フッ化砒素、3フッ化硼素等の無機化合物やDDQ(ジシアノ−ジクロロキノン)、TNF(トリニトロフルオレノン)、TCNQ(テトラシアノキノジメタン)、4F−TCNQ(テトラフルオロ−テトラシアノキノジメタン)等の有機化合物を使用することができるが、これに限定されるものではない。そして、これらの電子受容性ドーパントを、発光性ドーパントを含有させた部分のホスト材料、または、発光性ドーパントを用いない場合は、所望の発光をさせようとする発光性有機物質と、共通の材料に含有させることができる。
また発光層4に含有される上記の電子供与性ド−パントとして機能する物質としては、有機物に対し還元性を有するものを挙げることができる。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩からなる群から選択される少なくとも1種類以上の物質などが挙げられる。また、電子供与性ド−パントとして、芳香族化合物がアルカリ金属に配位した金属錯体も挙げられるが、これらに限定されるものではない。そして、これらの電子供与性ドーパントを、発光性ドーパントを含有させた部分のホスト材料、または、発光性ドーパントを用いない場合は、所望の発光をさせようとする発光性有機物質と、共通の材料に含有させることができる。
一方、本発明において、ホ−ル輸送層3(あるいはホ−ル注入層)を構成する材料としては、ホ−ルを輸送する能力を有し、陽極1からのホ−ル注入効果を有するとともに、発光層4に対して優れたホ−ル注入効果を有し、さらに電子のホ−ル輸送層3への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物を挙げることができる。具体的にはN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’ジアミン(TPD)や4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等の芳香族ジアミン化合物、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリ−ルアルカン、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、2,2’,7,7’−テトラキス−(N,N−ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン、及びポリビニルカルバゾ−ル等の高分子材料が挙げられるが、これに限定されるものではない。
また電子輸送層5を構成する電子輸送材料としては、電子を輸送する能力を有し、陰極2からの電子注入効果を有するとともに、発光層4に対して優れた電子注入効果を有し、さらにホ−ルの電子輸送層5への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物を挙げることができる。具体的には、フルオレン、バソフェナントロリン、バソクプロイン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、トリアゾ−ル、イミダゾ−ル、アントラキノジメタン、4,4’−N,N’−ジカルバゾ−ルビフェニル(CBP)等やそれらの化合物、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体を挙げることができる。上記の金属錯体化合物としては、具体的には、トリス(8−ヒドロキシキノリナ−ト)アルミニウム、トリ(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナ−ト)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナ−ト)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナ−ト)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナ−ト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリナ−ト)(o−クレゾラ−ト)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナ−ト)(1−ナフトラ−ト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナ−ト)−4−フェニルフェノラ−ト等があるが、これらに限定されるものではない。また上記の含窒素五員環誘導体としては、オキサゾ−ル、チアゾ−ル、オキサジアゾ−ル、チアジアゾ−ルもしくはトリアゾ−ル誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾ−ル、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾ−ル、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾ−ル、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)1,3,4−オキサジアゾ−ル、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾ−ル、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾ−ル、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾ−ル等があるが、これらに限定されるものではない。さらに、ポリマ−有機発光素子に使用されるポリマ−材料も使用することができる。例えば、ポリパラフェニレン及びその誘導体、フルオレン及びその誘導体等である。
尚、輸送層に3,5にアルカリ金属等をドープした場合、低電圧化して多少の高効率化が得られる場合があるが、本発明のように、発光層4に電子受容性ドーパントや電子受容性ドーパントをドープすると、発光層4での再結合確率を増大させ、高い効率化を得ることができるものである。
また、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する他の部材、例えば、積層された素子を保持する基板10、陽極1、陰極2等には、従来から使用されているものをそのまま用いることができる。
上記の陽極1は発光層4にホ−ルを注入するための電極であり、この陽極1としては、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料を用いるのが好ましく、特に仕事関数が4eV以上の電極材料を用いるのが好ましい。このような電極材料としては、具体的には、金などの金属、CuI、ITO(インジウム−スズ酸化物)、SnO、ZnO、IZO(インジウム−亜鉛酸化物)等の導電性透明材料が挙げられる。例えばこれらの電極材料を基板10の上に真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で成膜することによって、陽極1を薄膜として作製することができる。発光層4における発光を陽極1を透過させて基板10から外部に照射する場合には、陽極1の光透過率を70%以上にすることが好ましい。また、陽極1のシ−ト抵抗は数百Ω/□以下であることが好ましく、特に100Ω/□以下であることが好ましい。さらに陽極1の膜厚は、陽極1の光透過率、シ−ト抵抗等の特性を上記のように制御するために、材料により異なるが、通常500nm以下に設定するのが好ましく、より好ましくは10〜200nmの範囲である。
上記の陰極2は、発光層4中に電子を注入するための電極であり、この陰極2としては、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が5eV以下の電極材料を用いるのが好ましい。このような電極材料としては、アルカリ金属、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属等や、これらと他の金属との合金などを用いることができるものであり、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/LiF混合物などを例として挙げることができる。これらの他にアルミニウム、Al/Al混合物なども使用可能である。またアルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、あるいは金属酸化物を下地として用い、上記の仕事関数が5eV以下である材料(あるいはこれらを含有する合金)を1層以上積層して陰極2を作製することもできる。例えば、アルカリ金属/Alの積層、アルカリ金属のハロゲン化物/アルカリ土類金属/Alの積層、Al/Alの積層などを例として挙げることができる。またITO、IZOなどに代表される透明電極で陰極2を作製し、発光層4で発光した光を陰極2の側から取り出す構成に形成するようにしてもよい。さらに、陰極2の界面の電子輸送層5にリチウム、ナトリウム、セシウム、カルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属をド−プしてもよい。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
(実施例1)
基板10として、厚み0.7mmの透明ガラス板を用い、この基板10の一方の表面に、ITO(インジウム−スズ酸化物)をスパッタしてシ−ト抵抗10Ω/□の透明電極からなる陽極1を形成した。そしてこれを、純水、イソプロピルアルコ−ルで10分間超音波洗浄した後、乾燥させた。
次に陽極1を形成したこの基板10を真空蒸着装置にセットし、3×10−5Paの減圧下、2,2’,7,7’−テトラキス−(N,N−ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン(「スピロ−TAD」と略す)を150Å厚に蒸着し、陽極1の上にホ−ル輸送層3を形成した。
次に、ホ−ル輸送層3の上に、4,4’−N,N’−ジカルバゾ−ルビフェニル(新日鐵化学株式会社製:「CBP」と略す)と電子受容性ド−パントとしてMoOをモル比1:1の割合で100Å厚に共蒸着し、MoOをド−プした発光層4の一部4aを形成した。またこの上に「CBP」を100Å厚に蒸着してホスト材料のみからなる発光層4の一部4cを形成し、さらにこの上に「CBP」と発光性ド−パントとしてビス(2−フェニルベンゾチアゾラ−ト−N,C’)イリジウム(アセチルアセトナ−ト)(「Bt2Ir(acac)」と略す)を重量比96:4の割合で300Å厚に共蒸着し、「Bt2Ir(acac)」)をド−プした発光層の一部4bを形成した。尚、上記の有機物の蒸着速度はいずれも1〜2Å/sに設定した。
次に、上記のように3層構成で形成した発光層4の上に、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(新日鐵化学株式会社製:「BCP」と略す)を100Å厚に蒸着し、ホ−ルブロック層(図示省略)を形成した。また、その上にトリス(8−ヒドロキシキノリナ−ト)アルミニウム(新日鐵化学株式会社製:「Alq3」と略す)を400Å厚に蒸着し、電子輸送層5を形成した。最後に、電子輸送層5の上にLiFを5Å厚に蒸着し、さらにその上にAlを5Å/sの蒸着速度で厚み1000Å蒸着して陰極2を形成することによって、図4のような構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例2)
実施例1と同様に陽極1を形成した基板10を真空蒸着装置にセットし、3×10−5Paの減圧下、4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(新日鐵化学株式会社製:「HMTPD」と略す)を450Å厚に蒸着し、陽極1の上にホ−ル輸送層3を形成した。
次に、ホ−ル輸送層3の上に、「CBP」と発光性ド−パントとして「Bt2Ir(acac)」を重量比96:4の割合で300Å厚に共蒸着し、「Bt2Ir(acac)」をド−プした発光層4の一部4eを形成した。またこの上に「CBP」を100Å厚に蒸着してホスト材料のみからなる発光層4の一部4fを形成し、さらにこの上に「CBP」と電子供与性ド−パントとしてCsをモル比1:1の割合で100Å厚に共蒸着し、Csをド−プした発光層4の一部4dを形成した。尚、上記有機物の蒸着速度はいずれも1〜2Å/sに設定した。
次に、この3層構成の発光層4の上にビス(2−メチル−8−キノリナ−ト)−4−フェニルフェノラ−ト(「BAlq」と略す)を200Å厚に蒸着し、電子輸送層5を形成した。最後に、電子輸送層5の上にLiFを5Å厚に蒸着し、さらにその上にAlを5Å/sの蒸着速度で厚み1000Å蒸着して陰極2を形成することによって、図7のような構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(比較例1)
実施例1と同様に陽極1を形成した基板10を真空蒸着装置にセットし、3×10−5Paの減圧下、「スピロ−TAD」を500Å厚に蒸着し、陽極1の上にホ−ル輸送層3を形成した。
次に、ホ−ル輸送層3の上に、「CBP」と発光性ド−パントとして「Bt2Ir(acac)」を重量比96:4の割合で300Å厚に共蒸着し、Bt2Ir(acac)をド−プした発光層4を形成した。
次に、発光層4の上に「BCP」を100Å厚に蒸着し、ホ−ルブロック層を形成した。また、その上に「Alq3」を400Å厚に蒸着し、電子輸送層5を形成した。最後に、電子輸送層5の上にLiFを5Å厚に蒸着し、さらにその上にAlを5Å/sの蒸着速度で厚み1000Å蒸着して陰極2を形成することによって、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図1参照)。
(比較例2)
実施例1と同様に陽極1を形成した基板10を真空蒸着装置にセットし、3×10−5Paの減圧下、「HMTPD」を450Å厚に蒸着し、陽極1の上にホ−ル輸送層3を形成した。
次に、ホ−ル輸送層3の上に、「CBP」と発光性ド−パントとして「Bt2Ir(acac)」を重量比96:4の割合で300Å厚に共蒸着し、「Bt2Ir(acac)」をド−プした発光層4を形成した。
次に、発光層4の上に「BAlq」を400Å厚に蒸着し、電子輸送層5を形成した。最後に、電子輸送層5の上にLiFを5Å厚に蒸着し、さらにその上にAlを5Å/sの蒸着速度で厚み1000Å蒸着して陰極2を形成することによって、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た(図1参照)。
上記のように実施例1,2及び比較例1,2で得た有機エレクトロルミネッセンス素子を電源(KEYTHLEY製「2400」)に接続し、マルチチャンネルアナライザ−(コニカミノルタ株式会社製「CS−1000」)を用いて、電流密度、電圧、輝度、電流効率、外部量子効率の測定を行った。尚、輝度の測定はトプコン株式会社製「BM−5A」で行った。結果を表1に示す。
Figure 0004915544
表1の実施例1と比較例1、実施例2と比較例2との比較にみられるように、各実施例のものは輝度が高く、また電流効率や外部量子効率が高いことが確認される。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す正面図である。 本発明の実施の形態の一例を示す正面図である。 本発明の実施の形態の他の一例を示す正面図である。 本発明の実施の形態のさらに他の一例を示す正面図である。 本発明の実施の形態のさらに他の一例を示す正面図である。 本発明の実施の形態のさらに他の一例を示す正面図である。 本発明の実施の形態のさらに他の一例を示す正面図である。
符号の説明
1 電極(陽極)
2 電極(陰極)
3 ホール輸送層
4 発光層
5 電子輸送層
10 基板

Claims (5)

  1. 電極間に発光層と発光層にホール輸送するホール輸送層とを少なくとも設けて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層は、電子受容性ドーパントとして機能する化合物と発光層ホスト材料とを含有する部位と、発光層ホスト材料のみからなる部位と、発光性ドーパントとして機能する化合物と発光層ホスト材料とを含有する部位とを、ホール輸送層側から順に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 電子受容性ドーパントとして機能する化合物が金属酸化物であることを特徴とする請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 金属酸化物が、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化レニウム、酸化タングステンから選ばれるものであることを特徴とする請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 電極間に発光層と発光層電子を輸送する電子輸送層とを少なくとも設けて形成される有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層は、電子供与性ドーパントとして機能する物質と発光層ホスト材料とを含有する部位と、発光層ホスト材料のみからなる部位と、発光性ドーパントとして機能する化合物と発光層ホスト材料とを含有する部位とを、電子輸送層側から順に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 電子供与性ドーパントとして機能する物質が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属からなる群から選択された1種以上の金属であることを特徴とする請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
JP2005139099A 2005-05-11 2005-05-11 有機エレクトロルミネッセンス素子 Expired - Fee Related JP4915544B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005139099A JP4915544B2 (ja) 2005-05-11 2005-05-11 有機エレクトロルミネッセンス素子
US11/920,007 US8314545B2 (en) 2005-05-11 2006-05-11 Organic electroluminescence element
EP06746269.7A EP1881543B1 (en) 2005-05-11 2006-05-11 Organic electroluminescent element
KR1020077024440A KR100886426B1 (ko) 2005-05-11 2006-05-11 유기 전계 발광 소자
CN2006800160127A CN101171698B (zh) 2005-05-11 2006-05-11 有机电致发光元件
PCT/JP2006/309460 WO2006121105A1 (ja) 2005-05-11 2006-05-11 有機エレクトロルミネッセンス素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005139099A JP4915544B2 (ja) 2005-05-11 2005-05-11 有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006319070A JP2006319070A (ja) 2006-11-24
JP4915544B2 true JP4915544B2 (ja) 2012-04-11

Family

ID=37396613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005139099A Expired - Fee Related JP4915544B2 (ja) 2005-05-11 2005-05-11 有機エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8314545B2 (ja)
EP (1) EP1881543B1 (ja)
JP (1) JP4915544B2 (ja)
KR (1) KR100886426B1 (ja)
CN (1) CN101171698B (ja)
WO (1) WO2006121105A1 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8659008B2 (en) 2005-07-08 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material
JP4954623B2 (ja) * 2005-07-08 2012-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN101461073B (zh) * 2006-06-01 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
US9397308B2 (en) 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
DE102007023876A1 (de) 2007-03-02 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrisches organisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102007024153A1 (de) * 2007-04-23 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrisches organisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
KR20140069342A (ko) * 2008-05-16 2014-06-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자 및 전자기기
KR100924145B1 (ko) * 2008-06-10 2009-10-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
JP2010073850A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Seiko Epson Corp 有機el素子とその製造方法
KR101691395B1 (ko) * 2009-09-04 2017-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 및 이의 제조방법
CN102576802B (zh) 2009-09-18 2015-08-05 欧司朗光电半导体有限公司 有机电子器件和用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂
JP2011139044A (ja) 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP5466024B2 (ja) * 2010-01-21 2014-04-09 株式会社カネカ 有機エレクトロルミネッセント素子
EP2503618B1 (en) 2011-03-23 2014-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
DE102012209523A1 (de) 2012-06-06 2013-12-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hauptgruppenmetallkomplexe als p-Dotanden für organische elektronische Matrixmaterialien
DE202014106226U1 (de) 2014-09-30 2015-10-28 Osram Oled Gmbh Organisches elektronisches Bauteil
DE102014114224A1 (de) 2014-09-30 2016-03-31 Osram Oled Gmbh Organisches elektronisches Bauteil, Verwendung eines Zinkkomplexes als p-Dotierungsmittel für organische elektronische Matrixmaterialien
JP6538339B2 (ja) * 2014-12-12 2019-07-03 株式会社Joled 有機el素子および有機el素子の製造方法
CN110010774B (zh) * 2018-01-05 2023-06-27 固安鼎材科技有限公司 有机电致发光器件

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09139288A (ja) 1995-11-16 1997-05-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法
WO2000017911A1 (en) 1998-09-24 2000-03-30 Fed Corporation Active matrix organic light emitting diode with doped organic layer having increased thickness
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP4420486B2 (ja) * 1999-04-30 2010-02-24 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
KR20010050711A (ko) 1999-09-29 2001-06-15 준지 키도 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법
US7022910B2 (en) * 2002-03-29 2006-04-04 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
US6660411B2 (en) * 2000-09-20 2003-12-09 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP4415489B2 (ja) * 2000-12-15 2010-02-17 日本精機株式会社 有機電界発光素子
US20030010288A1 (en) * 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
JP2003051386A (ja) 2001-08-06 2003-02-21 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003077658A (ja) 2001-09-05 2003-03-14 Sharp Corp 有機el素子製造用ドナーフィルムおよび有機el素子用基板
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20030117069A1 (en) * 2001-12-03 2003-06-26 Tetsuya Kato Organic electroluminescent element and process for its manufacture
JP3656608B2 (ja) * 2002-03-07 2005-06-08 松下電器産業株式会社 有機薄膜el素子およびその駆動方法
JP2003282267A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
JP2003303681A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Sharp Corp 有機led素子およびその製造方法、有機led表示装置
KR100490539B1 (ko) * 2002-09-19 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법
JP2004220874A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Tohoku Pioneer Corp 有機el素子、およびその製造方法
KR100560785B1 (ko) * 2003-02-03 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 저전압에서 구동되는 유기 전계 발광 소자
US6869699B2 (en) * 2003-03-18 2005-03-22 Eastman Kodak Company P-type materials and mixtures for electronic devices
JP2004362930A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子、電荷輸送材料、及び有機電界発光素子材料
JP4396163B2 (ja) * 2003-07-08 2010-01-13 株式会社デンソー 有機el素子
JP2005063910A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Canon Inc 有機発光素子及びその製造方法
JP2005100977A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界発光素子およびそれを用いた発光装置
KR101246247B1 (ko) 2003-08-29 2013-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치
KR100560783B1 (ko) * 2003-09-03 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 도핑된 발광층을 갖는 유기전계발광소자
JP2005108723A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP4300176B2 (ja) * 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US20050164019A1 (en) * 2004-01-22 2005-07-28 General Electric Company Charge transfer-promoting materials and electronic devices incorporating same

Also Published As

Publication number Publication date
EP1881543B1 (en) 2015-07-08
US20090091246A1 (en) 2009-04-09
JP2006319070A (ja) 2006-11-24
CN101171698A (zh) 2008-04-30
WO2006121105A1 (ja) 2006-11-16
EP1881543A1 (en) 2008-01-23
KR20070112890A (ko) 2007-11-27
KR100886426B1 (ko) 2009-03-02
EP1881543A4 (en) 2011-03-09
US8314545B2 (en) 2012-11-20
CN101171698B (zh) 2010-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4915544B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6089280B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5476061B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP4886352B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4068279B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6660411B2 (en) Organic electroluminescent device
JP5237541B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3904793B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001319779A (ja) 発光素子
JP2007123865A (ja) 有機電界発光素子
JP2010092741A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4872805B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3967946B2 (ja) 有機電界発光素子
JP5109054B2 (ja) 有機電界発光素子
JP2003282265A (ja) 有機電界発光素子
JP2002260869A (ja) 有機発光ダイオードデバイス
JP2004111080A (ja) 有機el素子
JP2008218320A (ja) 有機電界発光素子
JP2003282267A (ja) 発光素子
JP2001110569A (ja) 有機発光素子および画像表示装置
JP5075027B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR100660001B1 (ko) 전자 래더층을 갖는 유기 전계 발광 소자
JPH11354282A (ja) 有機発光素子
JP2010040444A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004119145A (ja) 有機el素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080122

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110308

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110509

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111213

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4915544

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees