JPH09139288A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法Info
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- JPH09139288A JPH09139288A JP7321277A JP32127795A JPH09139288A JP H09139288 A JPH09139288 A JP H09139288A JP 7321277 A JP7321277 A JP 7321277A JP 32127795 A JP32127795 A JP 32127795A JP H09139288 A JPH09139288 A JP H09139288A
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、
有機EL素子と略す)で発光特性及び色の制御性に優れ
て、安定なEL発光を示す有機EL素子とその作製方法
を提供する。 【解決手段】 少なくとも正孔注入電極、電子注入電極
及びこれらの電極間に形成された正孔輸送層、発光層、
電子輸送層から構成される有機EL素子において、電子
輸送層が、下記一般式(化1): 【化1】 (式中R1 、R2 、R3 、R4 は独立にアルキル基、ア
リール基、シクロアルキル基)で表される化合物で形成
される有機EL素子。電子輸送層が、式(化1)の化合
物のシクロヘキサン溶液からスピンコートにより作製さ
れる有機EL素子の作製方法。
有機EL素子と略す)で発光特性及び色の制御性に優れ
て、安定なEL発光を示す有機EL素子とその作製方法
を提供する。 【解決手段】 少なくとも正孔注入電極、電子注入電極
及びこれらの電極間に形成された正孔輸送層、発光層、
電子輸送層から構成される有機EL素子において、電子
輸送層が、下記一般式(化1): 【化1】 (式中R1 、R2 、R3 、R4 は独立にアルキル基、ア
リール基、シクロアルキル基)で表される化合物で形成
される有機EL素子。電子輸送層が、式(化1)の化合
物のシクロヘキサン溶液からスピンコートにより作製さ
れる有機EL素子の作製方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてディスプ
レイに使用される発光効率、発光安定性が高く、発光色
の制御性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子及
びその作製方法に関する。
レイに使用される発光効率、発光安定性が高く、発光色
の制御性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子及
びその作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子(以下、
EL素子と略記する)は、完全固体素子であるため耐衝
撃性に優れるという点に加え、現在広く実用化されてい
る液晶で用いられているバックライトとカラーフィルタ
ーの組合せとは異なり、自己発光のため視認性が高いと
いう特徴を有している。そのため、古くから無機材料を
中心として様々なEL素子が提案され、かつ実用化が試
みられている。無機材料を用いたEL素子には、pn接
合、粉末EL及び薄膜ELの3つの素子構造が検討され
ている。しかし、pn接合を用いたEL素子では、完全
性が高く不純物の少ない結晶作製が要求されるためコス
トが高かったり、粉末ELでは、発光特性の電圧に対す
る閾値の急峻性や動作寿命が十分でなかったり、また薄
膜ELでは動作電圧が低くできないなどの問題点があ
り、これまでのところ大面積ディスプレイへの実用化に
は至っていない。一方、有機材料についても古くからア
ントラセンなどの分子性結晶でEL発光が観測されてい
たが、結晶の厚みを1μm以下にすることが極めて困難
であったため、動作電圧が高く実用にはほど遠いもので
あった。しかし、近年有機低分子材料の積層薄膜〔例え
ば、アプライド・フィジックス・レターズ(Appl. Phy
s. Lett.)、第51巻、第913頁(1987)〕を用
いて駆動電圧の低い、青色から赤色までの多色発光が可
能なEL素子が報告され、それ以来、各種材料・素子の
開発が活発に進められている。積層構造を有する有機E
L素子は正孔を電極から注入して輸送するための正孔輸
送層、電極から電子を注入し輸送するための電子輸送層
を積層することによって構成される。正孔輸送層と電子
輸送層との間に独立した発光層を設ける場合もある。有
機EL素子に積層構造を導入することの利点は、正孔・
電子の注入や輸送をそれぞれ別々の材料に分担させて行
わせることにより、単層の場合よりも正孔、電子の注入
バランスが取りやすくなることにある。このことは、駆
動電圧の低減、効率の良い正孔・電子の再結合、発光効
率の向上に寄与する。正孔輸送材料としてはN,N′−
ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−
1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミンを始めとす
るアリールアミン誘導体や一部のポリシラン類が高移動
度正孔輸送材料(μ=10-3〜10-5cm2 /Vs)と
して用いられている。一方、電子輸送材料としては2−
(4′−ターシャリーブチルフェニル)−5−(ビフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾール(以下、PBD
と略記する)を始めとするオキサジアゾール誘導体が広
く用いられていきたが、これらオキサジアゾール誘導体
の電子移動度はアリールアミン誘導体の正孔の移動度に
比べ1桁から2桁程度小さく〔例えばアプライド・フィ
ジックス・レターズ、第66巻、第3433頁(199
5)〕、電荷の注入バランスを取るという意味では必ず
しも最適とは言えない。またPBDを始めとするオキサ
ジアゾール誘導体の多くは、その蒸着薄膜が容易に結晶
化を起こすため、素子特性の経時変化が大きく素子寿命
が短いという欠点を有していた。更にオキサジアゾール
誘導体それ自身が蛍光性であるため、発光層内で再結合
せず電子輸送層へと浸入した正孔が電子輸送層内で電子
と再結合をすると、観測されるEL発光は発光層内の蛍
光色素及び電子輸送層に用いられている有機物質からの
発光の重ね合せとなり、発光色の制御性が無いなどの欠
点も挙げられる。
EL素子と略記する)は、完全固体素子であるため耐衝
撃性に優れるという点に加え、現在広く実用化されてい
る液晶で用いられているバックライトとカラーフィルタ
ーの組合せとは異なり、自己発光のため視認性が高いと
いう特徴を有している。そのため、古くから無機材料を
中心として様々なEL素子が提案され、かつ実用化が試
みられている。無機材料を用いたEL素子には、pn接
合、粉末EL及び薄膜ELの3つの素子構造が検討され
ている。しかし、pn接合を用いたEL素子では、完全
性が高く不純物の少ない結晶作製が要求されるためコス
トが高かったり、粉末ELでは、発光特性の電圧に対す
る閾値の急峻性や動作寿命が十分でなかったり、また薄
膜ELでは動作電圧が低くできないなどの問題点があ
り、これまでのところ大面積ディスプレイへの実用化に
は至っていない。一方、有機材料についても古くからア
ントラセンなどの分子性結晶でEL発光が観測されてい
たが、結晶の厚みを1μm以下にすることが極めて困難
であったため、動作電圧が高く実用にはほど遠いもので
あった。しかし、近年有機低分子材料の積層薄膜〔例え
ば、アプライド・フィジックス・レターズ(Appl. Phy
s. Lett.)、第51巻、第913頁(1987)〕を用
いて駆動電圧の低い、青色から赤色までの多色発光が可
能なEL素子が報告され、それ以来、各種材料・素子の
開発が活発に進められている。積層構造を有する有機E
L素子は正孔を電極から注入して輸送するための正孔輸
送層、電極から電子を注入し輸送するための電子輸送層
を積層することによって構成される。正孔輸送層と電子
輸送層との間に独立した発光層を設ける場合もある。有
機EL素子に積層構造を導入することの利点は、正孔・
電子の注入や輸送をそれぞれ別々の材料に分担させて行
わせることにより、単層の場合よりも正孔、電子の注入
バランスが取りやすくなることにある。このことは、駆
動電圧の低減、効率の良い正孔・電子の再結合、発光効
率の向上に寄与する。正孔輸送材料としてはN,N′−
ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−
1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミンを始めとす
るアリールアミン誘導体や一部のポリシラン類が高移動
度正孔輸送材料(μ=10-3〜10-5cm2 /Vs)と
して用いられている。一方、電子輸送材料としては2−
(4′−ターシャリーブチルフェニル)−5−(ビフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾール(以下、PBD
と略記する)を始めとするオキサジアゾール誘導体が広
く用いられていきたが、これらオキサジアゾール誘導体
の電子移動度はアリールアミン誘導体の正孔の移動度に
比べ1桁から2桁程度小さく〔例えばアプライド・フィ
ジックス・レターズ、第66巻、第3433頁(199
5)〕、電荷の注入バランスを取るという意味では必ず
しも最適とは言えない。またPBDを始めとするオキサ
ジアゾール誘導体の多くは、その蒸着薄膜が容易に結晶
化を起こすため、素子特性の経時変化が大きく素子寿命
が短いという欠点を有していた。更にオキサジアゾール
誘導体それ自身が蛍光性であるため、発光層内で再結合
せず電子輸送層へと浸入した正孔が電子輸送層内で電子
と再結合をすると、観測されるEL発光は発光層内の蛍
光色素及び電子輸送層に用いられている有機物質からの
発光の重ね合せとなり、発光色の制御性が無いなどの欠
点も挙げられる。
【0003】こうした中で、3,5−ジメチル−3′,
5′−ジ−ターシャリーブチル−4,4′−ジフェノキ
ノン(以下、MBDQと略記する)などのジフェノキノ
ン誘導体は非分散型の電子輸送材料として知られてお
り、例えばMBDQをポリカーボネートなどの汎用高分
子中に分子分散させた膜で10-5cm2 /Vs以上の高
い電子移動度が報告されている〔例えば、ジャーナル・
オブ・アプライド・フィジックス(J.Appl. Phys.)、
第70巻、第855頁(1991)〕。したがって、ジ
フェノキノン誘導体を電子輸送層として、上述した高移
動度正孔輸送材料と積層させることにより正孔と電子の
注入バランスが向上し、その結果、EL発光効率を上昇
させることができると考えられる。更に、ジフェノキノ
ン誘導体自身は無発光性であるため、ジフェノキノン誘
導体を電子輸送層に用いることによりEL発光を発光層
内の蛍光色素からの発光のみに限定することができ、高
い発光色制御性が期待される。
5′−ジ−ターシャリーブチル−4,4′−ジフェノキ
ノン(以下、MBDQと略記する)などのジフェノキノ
ン誘導体は非分散型の電子輸送材料として知られてお
り、例えばMBDQをポリカーボネートなどの汎用高分
子中に分子分散させた膜で10-5cm2 /Vs以上の高
い電子移動度が報告されている〔例えば、ジャーナル・
オブ・アプライド・フィジックス(J.Appl. Phys.)、
第70巻、第855頁(1991)〕。したがって、ジ
フェノキノン誘導体を電子輸送層として、上述した高移
動度正孔輸送材料と積層させることにより正孔と電子の
注入バランスが向上し、その結果、EL発光効率を上昇
させることができると考えられる。更に、ジフェノキノ
ン誘導体自身は無発光性であるため、ジフェノキノン誘
導体を電子輸送層に用いることによりEL発光を発光層
内の蛍光色素からの発光のみに限定することができ、高
い発光色制御性が期待される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の有機EL素子に比較し、発光特性及び色の制御性に優
れて安定なEL発光を示す素子とその作製方法を提供す
ることにある。
の有機EL素子に比較し、発光特性及び色の制御性に優
れて安定なEL発光を示す素子とその作製方法を提供す
ることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第1の発明は有機EL素子に関する発明であっ
て、少なくとも正孔注入電極、電子注入電極及びこれら
の電極間に形成された正孔輸送層、発光層、電子輸送層
から構成される有機EL素子において、電子輸送層が下
記一般式(化1):
発明の第1の発明は有機EL素子に関する発明であっ
て、少なくとも正孔注入電極、電子注入電極及びこれら
の電極間に形成された正孔輸送層、発光層、電子輸送層
から構成される有機EL素子において、電子輸送層が下
記一般式(化1):
【0006】
【化1】
【0007】(式中R1 、R2 、R3 、R4 は、同一又
は異なり、アルキル基、アリール基、又はシクロアルキ
ル基を示す)で表されるジフェノキノン誘導体で形成さ
れていることを特徴とする。そして本発明の第2の発明
は、有機EL素子の作製方法に関する発明であって、第
1の発明の有機EL素子の作製方法において、電子輸送
層を形成する薄膜が式(化1)で表される化合物のシク
ロヘキサン溶液からスピンコート法に作製されることを
特徴とする。
は異なり、アルキル基、アリール基、又はシクロアルキ
ル基を示す)で表されるジフェノキノン誘導体で形成さ
れていることを特徴とする。そして本発明の第2の発明
は、有機EL素子の作製方法に関する発明であって、第
1の発明の有機EL素子の作製方法において、電子輸送
層を形成する薄膜が式(化1)で表される化合物のシク
ロヘキサン溶液からスピンコート法に作製されることを
特徴とする。
【0008】本発明者らはジフェノキノン誘導体のシク
ロヘキサン溶液からのスピンコートにより均一なアモル
ファス薄膜が作製できることを見出し、この方法により
ジフェノキノン誘導体を電子輸送層に持つ多層有機薄膜
EL素子を作製した。その結果、これらの有機EL素子
が低閾電場で駆動し、発光色の制御性に優れていること
がわかった。
ロヘキサン溶液からのスピンコートにより均一なアモル
ファス薄膜が作製できることを見出し、この方法により
ジフェノキノン誘導体を電子輸送層に持つ多層有機薄膜
EL素子を作製した。その結果、これらの有機EL素子
が低閾電場で駆動し、発光色の制御性に優れていること
がわかった。
【0009】
【発明の実施の形態】以下に本発明を図を参照しつつ説
明する。本発明の有機EL素子の例を図1に示す。図1
に示すように、透明基板1上に正孔注入電極2、正孔輸
送層3、発光層4、電子輸送層5、電子注入電極6が順
に積層された構造を有している。透明基板1としては、
可視光をできるだけ透過するものが望ましく、例えばガ
ラス、石英、透明サファイア、透明プラスチックなどが
挙げられる。正孔注入電極2としては、仕事関数の大き
い(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、及び
これらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いら
れる。このような電極物質の具体例としては、金、白金
などの金属、ITO、SnO2 、ZnO、CuIなどの
誘電性を有した透明材料、又は半透明材料が挙げられ
る。これらの正孔注入電極は、上記の電極用物質を蒸着
やスパッタリングなどの方法により薄膜を形成させるこ
とで作製することができる。この電極よりEL発光を取
り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが
望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□
以下、好ましくは10〜20Ω/□が望ましい。更に膜
厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましく
は10〜200nmの範囲で選ばれる。一方、電子注入
電極6としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金
属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物を電
極物質とするものが好ましく用いられる。このような電
極物質の具体例としては、ナトリウム、カリウムなどの
アルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカ
リ土類金属、アルミニウム、インジウム、イットリウム
のほか、プラセオジウム、ユーロピウム、エルビウム、
ネオジム、イッテルビウム、サマリウムなどの希土類金
属などが挙げられる。
明する。本発明の有機EL素子の例を図1に示す。図1
に示すように、透明基板1上に正孔注入電極2、正孔輸
送層3、発光層4、電子輸送層5、電子注入電極6が順
に積層された構造を有している。透明基板1としては、
可視光をできるだけ透過するものが望ましく、例えばガ
ラス、石英、透明サファイア、透明プラスチックなどが
挙げられる。正孔注入電極2としては、仕事関数の大き
い(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、及び
これらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いら
れる。このような電極物質の具体例としては、金、白金
などの金属、ITO、SnO2 、ZnO、CuIなどの
誘電性を有した透明材料、又は半透明材料が挙げられ
る。これらの正孔注入電極は、上記の電極用物質を蒸着
やスパッタリングなどの方法により薄膜を形成させるこ
とで作製することができる。この電極よりEL発光を取
り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが
望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/□
以下、好ましくは10〜20Ω/□が望ましい。更に膜
厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましく
は10〜200nmの範囲で選ばれる。一方、電子注入
電極6としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金
属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物を電
極物質とするものが好ましく用いられる。このような電
極物質の具体例としては、ナトリウム、カリウムなどの
アルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカ
リ土類金属、アルミニウム、インジウム、イットリウム
のほか、プラセオジウム、ユーロピウム、エルビウム、
ネオジム、イッテルビウム、サマリウムなどの希土類金
属などが挙げられる。
【0010】これらの電子注入電極は、これらの電極物
質を真空蒸着法あるいはスパッタリング法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極よりEL発光を取り出す場合には、透過率を10%よ
り大きくすることが望ましい。また、電極としてのシー
ト抵抗は数百Ω/□以下が望ましい。更に膜厚は材料に
よるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜20
0nmの範囲で選ばれる。なお、本発明の有機EL素子
においては、該正孔注入電極又は電子注入電極のいずれ
か一方が透明又は半透明であることが、発光の効率的な
透過の観点から好都合である。また正孔輸送層3はポリ
(メチルフェニルシラン)などのポリシラン類やポリビ
ニルカルバゾールのほか、例えばN,N′−ジフェニル
−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−1,1′−
ビフェニル−4,4′−ジアミンなどが用いられる。
質を真空蒸着法あるいはスパッタリング法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極よりEL発光を取り出す場合には、透過率を10%よ
り大きくすることが望ましい。また、電極としてのシー
ト抵抗は数百Ω/□以下が望ましい。更に膜厚は材料に
よるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜20
0nmの範囲で選ばれる。なお、本発明の有機EL素子
においては、該正孔注入電極又は電子注入電極のいずれ
か一方が透明又は半透明であることが、発光の効率的な
透過の観点から好都合である。また正孔輸送層3はポリ
(メチルフェニルシラン)などのポリシラン類やポリビ
ニルカルバゾールのほか、例えばN,N′−ジフェニル
−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−1,1′−
ビフェニル−4,4′−ジアミンなどが用いられる。
【0011】発光層4には、電子又は正孔あるいはその
両方を輸送する機能を有し、かつ発光量子収率が高い有
機化合物が用いられる。例えば8−ヒドロキシキノリン
のアルミニウム錯体(以下Alq3 と略記する)やN,
N′−ビス(2,5−ジ−ターシャリブチルフェニル)
−3,4,9,10−ペリレンジカルボキシイミドのほ
か、フェノキサゾン660などのレーザー色素などを代
表とする低分子有機化合物の真空蒸着膜やポリパラフェ
ニレンビニレンやその誘導体を代表とする発光性の共役
高分子化合物が用いられる。更に発光層4はキャリア再
結合に応じて発光する能力を持つ有機ゲスト物質を有機
ホスト化合物中に濃度0.1〜10wt%分散させた系
でも良い。ここでゲストとしてはAlq3 やフェノキサ
ゾン660などのレーザー色素、有機オリゴマー、高分
子の中からホスト材料との相溶性に応じて選択すればよ
い。一方ホスト材料としては、ポリスチレン、ポリメタ
クリレート、ポリカーボネートなどの高分子のほか、A
lq3 、レーザー色素の蒸着膜を使用することもでき
る。本発明の前記式(化1)で表されるジフェノキノン
誘導体において、基R1 、R2 、R3 及びR4 としては
上記の置換基であれば何でもよいが、特にR1 、R2 が
メチル基、R3 、R4 がターシャリーブチル基であるこ
とが望ましい。
両方を輸送する機能を有し、かつ発光量子収率が高い有
機化合物が用いられる。例えば8−ヒドロキシキノリン
のアルミニウム錯体(以下Alq3 と略記する)やN,
N′−ビス(2,5−ジ−ターシャリブチルフェニル)
−3,4,9,10−ペリレンジカルボキシイミドのほ
か、フェノキサゾン660などのレーザー色素などを代
表とする低分子有機化合物の真空蒸着膜やポリパラフェ
ニレンビニレンやその誘導体を代表とする発光性の共役
高分子化合物が用いられる。更に発光層4はキャリア再
結合に応じて発光する能力を持つ有機ゲスト物質を有機
ホスト化合物中に濃度0.1〜10wt%分散させた系
でも良い。ここでゲストとしてはAlq3 やフェノキサ
ゾン660などのレーザー色素、有機オリゴマー、高分
子の中からホスト材料との相溶性に応じて選択すればよ
い。一方ホスト材料としては、ポリスチレン、ポリメタ
クリレート、ポリカーボネートなどの高分子のほか、A
lq3 、レーザー色素の蒸着膜を使用することもでき
る。本発明の前記式(化1)で表されるジフェノキノン
誘導体において、基R1 、R2 、R3 及びR4 としては
上記の置換基であれば何でもよいが、特にR1 、R2 が
メチル基、R3 、R4 がターシャリーブチル基であるこ
とが望ましい。
【0012】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定される
ものではない。
するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定される
ものではない。
【0013】実施例1 厚さ1mmの石英を界面活性剤中で10分間超音波洗浄
を行い、よくイオン交換水で洗浄した後、順にアセト
ン、イソプロピルアルコール中でそれぞれ20分間超音
波洗浄を行った。この基板を乾燥直後直ちにMBDQの
シクロヘキサン溶液(2wt%)をスピンコートし(5
000rpm、30秒)、厚さ50nmのMBDQ薄膜
を作製した。真空乾燥後、MBDQ薄膜の発光スペクト
ルを測定した結果、発光スペクトルが認められないこと
から、作製したMBDQ薄膜が非発光であることを確認
した。
を行い、よくイオン交換水で洗浄した後、順にアセト
ン、イソプロピルアルコール中でそれぞれ20分間超音
波洗浄を行った。この基板を乾燥直後直ちにMBDQの
シクロヘキサン溶液(2wt%)をスピンコートし(5
000rpm、30秒)、厚さ50nmのMBDQ薄膜
を作製した。真空乾燥後、MBDQ薄膜の発光スペクト
ルを測定した結果、発光スペクトルが認められないこと
から、作製したMBDQ薄膜が非発光であることを確認
した。
【0014】ガラス基板上にITOを厚さ100nmで
形成したものを正孔注入電極とした。この基板を界面活
性剤中で10分間超音波洗浄を行い、よくイオン交換水
で洗浄した後、順にアセトン、イソプロピルアルコール
中でそれぞれ20分間超音波洗浄を行った。この基板を
乾燥直後直ちに、ポリ(メチルフェニルシラン)(以下
PMPSと略記する)のトルエン溶液(1.5wt%)
をスピンコートし(1500rpm、30秒)、膜厚約
90nmのPMPS薄膜を作製した。このサンプルを真
空蒸着装置内に入れ、真空度3×10-6Torr、蒸着
速度0.6Å/秒でAlq3 層を40nm蒸着した。そ
の後このサンプルを別の蒸着装置に装着し、真空度4×
10-6Torr、蒸着速度3Å/秒でAl電極を190
nm作製した。以下ではこの有機EL素子を素子1と呼
ぶ。一方で、素子1の作製で用いたのと同条件で正孔注
入電極の形成、洗浄を行った基板上にPMPSのトルエ
ン溶液(1.5wt%)をスピンコートし(1500r
pm、30秒)、膜厚約90nmのPMPS薄膜を作製
した。このサンプルを真空蒸着装置内に入れ、真空度3
×10-6Torr、蒸着速度0.6Å/秒でAlq3 層
を40nm蒸着した。更にMBDQのシクロヘキサン溶
液(2wt%)をAlq3 上にスピンコートし(500
0rpm、30秒)、厚さ50nmのMBDQ膜を作製
した。ここで、シクロヘキサンはAlq3 を溶解しない
ことを確認してある。その後このサンプルを別の蒸着装
置に蒸着し、真空度4×10-6Torr、蒸着速度3Å
/秒でAl電極を190nm作製した。以下ではこの有
機EL素子を素子2と呼ぶ。素子1及び素子2をヘリウ
ムガス雰囲気の試料室に入れ、分光器とCCD検出器を
用いてELスペクトルを測定した。その結果、共に図2
のようなEL発光が観測された。このEL発光はAlq
3 の蛍光スペクトル(PL)に一致することから素子1
及び素子2のEL発光は発光層のAlq3 のみから出て
いることがわかった。すなわち、図2は、本発明で作製
したEL素子(素子2)(EL)からのEL発光スペク
トル、及び発光層のAlq3 の蛍光スペクトル(PL)
の1例を示す図である。図2において、縦軸は発光強度
(任意単位)、横軸は波長(nm)を示す。次に素子1
及び素子2をヘリウムガス雰囲気の試料室に入れ、電圧
−電流−EL発光強度特性を測定した。その結果を表1
に示す。
形成したものを正孔注入電極とした。この基板を界面活
性剤中で10分間超音波洗浄を行い、よくイオン交換水
で洗浄した後、順にアセトン、イソプロピルアルコール
中でそれぞれ20分間超音波洗浄を行った。この基板を
乾燥直後直ちに、ポリ(メチルフェニルシラン)(以下
PMPSと略記する)のトルエン溶液(1.5wt%)
をスピンコートし(1500rpm、30秒)、膜厚約
90nmのPMPS薄膜を作製した。このサンプルを真
空蒸着装置内に入れ、真空度3×10-6Torr、蒸着
速度0.6Å/秒でAlq3 層を40nm蒸着した。そ
の後このサンプルを別の蒸着装置に装着し、真空度4×
10-6Torr、蒸着速度3Å/秒でAl電極を190
nm作製した。以下ではこの有機EL素子を素子1と呼
ぶ。一方で、素子1の作製で用いたのと同条件で正孔注
入電極の形成、洗浄を行った基板上にPMPSのトルエ
ン溶液(1.5wt%)をスピンコートし(1500r
pm、30秒)、膜厚約90nmのPMPS薄膜を作製
した。このサンプルを真空蒸着装置内に入れ、真空度3
×10-6Torr、蒸着速度0.6Å/秒でAlq3 層
を40nm蒸着した。更にMBDQのシクロヘキサン溶
液(2wt%)をAlq3 上にスピンコートし(500
0rpm、30秒)、厚さ50nmのMBDQ膜を作製
した。ここで、シクロヘキサンはAlq3 を溶解しない
ことを確認してある。その後このサンプルを別の蒸着装
置に蒸着し、真空度4×10-6Torr、蒸着速度3Å
/秒でAl電極を190nm作製した。以下ではこの有
機EL素子を素子2と呼ぶ。素子1及び素子2をヘリウ
ムガス雰囲気の試料室に入れ、分光器とCCD検出器を
用いてELスペクトルを測定した。その結果、共に図2
のようなEL発光が観測された。このEL発光はAlq
3 の蛍光スペクトル(PL)に一致することから素子1
及び素子2のEL発光は発光層のAlq3 のみから出て
いることがわかった。すなわち、図2は、本発明で作製
したEL素子(素子2)(EL)からのEL発光スペク
トル、及び発光層のAlq3 の蛍光スペクトル(PL)
の1例を示す図である。図2において、縦軸は発光強度
(任意単位)、横軸は波長(nm)を示す。次に素子1
及び素子2をヘリウムガス雰囲気の試料室に入れ、電圧
−電流−EL発光強度特性を測定した。その結果を表1
に示す。
【0015】
【表1】
【0016】表1から、素子1に比べ素子2の方がEL
発光の閾電場が低いことがわかった。更に印加電圧25
Vで素子2の電流値は素子1に比べ小さいにも関わらず
素子2の発光強度が素子1のそれよりも大きいことがわ
かった。
発光の閾電場が低いことがわかった。更に印加電圧25
Vで素子2の電流値は素子1に比べ小さいにも関わらず
素子2の発光強度が素子1のそれよりも大きいことがわ
かった。
【0017】実施例2 ガラス基板上にITOを厚さ100nmで形成したもの
を正孔注入電極とした。この基板を界面活性剤中で10
分間超音波洗浄を行い、よくイオン交換水で洗浄した
後、順にアセトン、イソプロピルアルコール中でそれぞ
れ20分間超音波洗浄を行った。この基板を乾燥直後直
ちに、PMPSのトルエン溶液(1.5wt%)をスピ
ンコートし(1500rpm、30秒)、膜厚約90n
mのPMPS薄膜を作製した。このサンプルを真空蒸着
装置内に入れ、真空度3×10-6Torr、蒸着速度
0.6Å/秒でN,N′−ビス(2,5−ジ−ターシャ
リ−ブチルフェニル)−3,4,9,10−ペリレンジ
カルボキシイミド(以下、t−BuPh−PTCと略記
する)層を40nm蒸着した。更にMBDQのシクロヘ
キサン溶液(2wt%)をt−BuPh−PTC層上に
スピンコートし(5000rpm、30秒)、厚さ50
nmのMBDQ膜を作製した。ここで、シクロヘキサン
はt−BuPh−PTCを溶解しないことを確認してあ
る。その後このサンプルを別の蒸着装置に装着し、真空
度4×10-6Torr、蒸着速度3Å/秒でAl電極を
190nm作製した。以下ではこの有機EL素子を素子
3と呼ぶ。次に素子3をヘリウムガス雰囲気の試料室に
入れ、分光器とCCD検出器を用いてELスペクトルを
測定した結果、図3のようなEL発光が観測された。こ
のEL発光はt−BuPh−PTCの蛍光スペクトル
(PL)に一致することから素子3のEL発光は発光層
のt−BuPh−PTCのみから出ていることがわかっ
た。すなわち、図3は、本発明で作製したEL素子(素
子3)(EL)からのEL発光スペクトル、及び発光層
のt−BuPh−PTCの発光スペクトル(PL)の1
例を示す図である。なお、図3において、縦軸及び横軸
は図2と同義である。
を正孔注入電極とした。この基板を界面活性剤中で10
分間超音波洗浄を行い、よくイオン交換水で洗浄した
後、順にアセトン、イソプロピルアルコール中でそれぞ
れ20分間超音波洗浄を行った。この基板を乾燥直後直
ちに、PMPSのトルエン溶液(1.5wt%)をスピ
ンコートし(1500rpm、30秒)、膜厚約90n
mのPMPS薄膜を作製した。このサンプルを真空蒸着
装置内に入れ、真空度3×10-6Torr、蒸着速度
0.6Å/秒でN,N′−ビス(2,5−ジ−ターシャ
リ−ブチルフェニル)−3,4,9,10−ペリレンジ
カルボキシイミド(以下、t−BuPh−PTCと略記
する)層を40nm蒸着した。更にMBDQのシクロヘ
キサン溶液(2wt%)をt−BuPh−PTC層上に
スピンコートし(5000rpm、30秒)、厚さ50
nmのMBDQ膜を作製した。ここで、シクロヘキサン
はt−BuPh−PTCを溶解しないことを確認してあ
る。その後このサンプルを別の蒸着装置に装着し、真空
度4×10-6Torr、蒸着速度3Å/秒でAl電極を
190nm作製した。以下ではこの有機EL素子を素子
3と呼ぶ。次に素子3をヘリウムガス雰囲気の試料室に
入れ、分光器とCCD検出器を用いてELスペクトルを
測定した結果、図3のようなEL発光が観測された。こ
のEL発光はt−BuPh−PTCの蛍光スペクトル
(PL)に一致することから素子3のEL発光は発光層
のt−BuPh−PTCのみから出ていることがわかっ
た。すなわち、図3は、本発明で作製したEL素子(素
子3)(EL)からのEL発光スペクトル、及び発光層
のt−BuPh−PTCの発光スペクトル(PL)の1
例を示す図である。なお、図3において、縦軸及び横軸
は図2と同義である。
【0018】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によればEL
素子からの発光が低閾電場で発光し、かつ発光が発光層
に用いた色素からの発光だけに制御することが可能にな
るので、従来のEL素子に比べて発光効率の良い、色の
制御性に優れた有機EL素子を提供することができる。
素子からの発光が低閾電場で発光し、かつ発光が発光層
に用いた色素からの発光だけに制御することが可能にな
るので、従来のEL素子に比べて発光効率の良い、色の
制御性に優れた有機EL素子を提供することができる。
【図1】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
1例の構成図である。
1例の構成図である。
【図2】本発明で作製したエレクトロルミネッセンス素
子(素子2)(EL)からのEL発光スペクトル、及び
発光層のAlq3 の蛍光スペクトル(PL)の1例を示
す図である。
子(素子2)(EL)からのEL発光スペクトル、及び
発光層のAlq3 の蛍光スペクトル(PL)の1例を示
す図である。
【図3】本発明で作製したエレクトロルミネッセンス素
子(素子3)(EL)からのEL発光スペクトル、及び
発光層のt−BuPh−PTCの発光スペクトル(P
L)の1例を示す図である。
子(素子3)(EL)からのEL発光スペクトル、及び
発光層のt−BuPh−PTCの発光スペクトル(P
L)の1例を示す図である。
1:透明基板、2:正孔注入電極、3:正孔輸送層、
4:発光層、5:電子輸送層、6:電子注入電極
4:発光層、5:電子輸送層、6:電子注入電極
Claims (2)
- 【請求項1】 少なくとも正孔注入電極、電子注入電極
及びこれらの電極間に形成された正孔輸送層、発光層、
電子輸送層から構成される有機エレクトロルミネッセン
ス素子において、電子輸送層が、下記一般式(化1): 【化1】 (式中R1 、R2 、R3 、R4 は、同一又は異なり、ア
ルキル基、アリール基、又はシクロアルキル基を示す)
で表されるジフェノキノン誘導体で形成されていること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項2】 請求項1に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の作製方法において、電子輸送層となる薄
膜が、式(化1)で表される化合物のシクロヘキサン溶
液からスピンコートにより作製されることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7321277A JPH09139288A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7321277A JPH09139288A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09139288A true JPH09139288A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=18130779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7321277A Pending JPH09139288A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09139288A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005317923A (ja) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機アクセプタ膜を備えた有機薄膜トランジスタ |
JP4635279B2 (ja) * | 1999-03-12 | 2011-02-23 | 住友化学株式会社 | 高分子発光素子 |
US8314545B2 (en) | 2005-05-11 | 2012-11-20 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence element |
-
1995
- 1995-11-16 JP JP7321277A patent/JPH09139288A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4635279B2 (ja) * | 1999-03-12 | 2011-02-23 | 住友化学株式会社 | 高分子発光素子 |
JP2005317923A (ja) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機アクセプタ膜を備えた有機薄膜トランジスタ |
US7355198B2 (en) | 2004-04-29 | 2008-04-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic thin film transistor including organic acceptor film |
US8314545B2 (en) | 2005-05-11 | 2012-11-20 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence element |
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