JP2001110571A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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- -1 distyryl compound Chemical class 0.000 claims abstract description 73
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 68
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims abstract description 11
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims abstract description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 277
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 73
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 33
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 21
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 claims description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 abstract description 9
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- BIOPPFDHKHWJIA-UHFFFAOYSA-N anthracene-9,10-dinitrile Chemical group C1=CC=C2C(C#N)=C(C=CC=C3)C3=C(C#N)C2=C1 BIOPPFDHKHWJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 7
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNOILACWFLPWCM-UHFFFAOYSA-N 9,10-difluoroanthracene Chemical group C1=CC=C2C(F)=C(C=CC=C3)C3=C(F)C2=C1 BNOILACWFLPWCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWXCVSPKRLTRFY-UHFFFAOYSA-N C(=CC1=CC=CC=C1)C1=C(C2=CC=CC=C2C=C1)N(C1=CC2=C(C3=CC=C(C=C3C(=C2C=C1)C#N)N(C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)C=CC1=CC=CC=C1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C#N)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 Chemical compound C(=CC1=CC=CC=C1)C1=C(C2=CC=CC=C2C=C1)N(C1=CC2=C(C3=CC=C(C=C3C(=C2C=C1)C#N)N(C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)C=CC1=CC=CC=C1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)C#N)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZWXCVSPKRLTRFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257303 Hymenoptera Species 0.000 description 1
- BQCNMGLXRKOYRP-UHFFFAOYSA-N NC(=CC1=CC=CC=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C(=CC1=CC=CC=C1)N Chemical class NC(=CC1=CC=CC=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C(=CC1=CC=CC=C1)N BQCNMGLXRKOYRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定かつ発光輝度の大きい赤色発光の有機電
界発光素子を得ること。 【解決手段】 発光領域を有する有機層5、5a又は5
bに下記一般式(1)で表されるジスチリル化合物が含
まれている有機電界発光素子。 【化42】一般式(1): 〔但し、前記一般式(1)において、R1 〜R4 は、そ
の少なくとも1つが置換若しくは無置換のフェニル基で
あり、かつその少なくとも1つが置換若しくは無置換の
ナフチル基であるか、或いは、置換若しくは無置換のナ
フチル基であり、Xは、シアノ基、ニトロ基又はハロゲ
ン原子が置換導入されたアントラセン基である。〕
界発光素子を得ること。 【解決手段】 発光領域を有する有機層5、5a又は5
bに下記一般式(1)で表されるジスチリル化合物が含
まれている有機電界発光素子。 【化42】一般式(1): 〔但し、前記一般式(1)において、R1 〜R4 は、そ
の少なくとも1つが置換若しくは無置換のフェニル基で
あり、かつその少なくとも1つが置換若しくは無置換の
ナフチル基であるか、或いは、置換若しくは無置換のナ
フチル基であり、Xは、シアノ基、ニトロ基又はハロゲ
ン原子が置換導入されたアントラセン基である。〕
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光領域を有する
有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発
光素子(有機EL素子)に関するものである。
有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発
光素子(有機EL素子)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】軽量で高効率のフラットパネルディスプ
レイが、例えばコンピュータやテレビジョンの画面表示
用として盛んに研究、開発されている。
レイが、例えばコンピュータやテレビジョンの画面表示
用として盛んに研究、開発されている。
【0003】まず、ブラウン管(CRT)は、輝度が高
く、色再現性が良いため、現在ディスプレイとして最も
多く使われているが、嵩高く、重く、また消費電力も高
いという問題がある。
く、色再現性が良いため、現在ディスプレイとして最も
多く使われているが、嵩高く、重く、また消費電力も高
いという問題がある。
【0004】また、軽量で高効率のフラットパネルディ
スプレイとして、アクティブマトリックス駆動などの液
晶ディスプレイが商品化されている。しかしながら、液
晶ディスプレイは、視野角が狭く、また、自発光でない
ため周囲が暗い環境下ではバックライトの消費電力が大
きいことや、今後実用化が期待されている高精細度の高
速ビデオ信号に対して十分な応答性能を有しない等の問
題点がある。特に、大画面サイズのディスプレイを製造
することは困難であり、そのコストが高い等の課題もあ
る。
スプレイとして、アクティブマトリックス駆動などの液
晶ディスプレイが商品化されている。しかしながら、液
晶ディスプレイは、視野角が狭く、また、自発光でない
ため周囲が暗い環境下ではバックライトの消費電力が大
きいことや、今後実用化が期待されている高精細度の高
速ビデオ信号に対して十分な応答性能を有しない等の問
題点がある。特に、大画面サイズのディスプレイを製造
することは困難であり、そのコストが高い等の課題もあ
る。
【0005】これに対する代替として、発光ダイオード
を用いたディスプレイの可能性があるが、やはり製造コ
ストが高く、また、1つの基板上に発光ダイオードのマ
トリックス構造を形成することが難しい等の問題があ
り、ブラウン管に取って代わる低価格のディスプレイ候
補としては、実用化までの課題が大きい。
を用いたディスプレイの可能性があるが、やはり製造コ
ストが高く、また、1つの基板上に発光ダイオードのマ
トリックス構造を形成することが難しい等の問題があ
り、ブラウン管に取って代わる低価格のディスプレイ候
補としては、実用化までの課題が大きい。
【0006】これらの諸課題を解決する可能性のあるフ
ラットパネルディスプレイとして、最近、有機発光材料
を用いた有機電界発光素子(有機EL素子)が注目され
ている。即ち、発光材料として有機化合物を用いること
により、自発光で、応答速度が高速であり、視野角依存
性の無いフラットパネルディスプレイの実現が期待され
ている。
ラットパネルディスプレイとして、最近、有機発光材料
を用いた有機電界発光素子(有機EL素子)が注目され
ている。即ち、発光材料として有機化合物を用いること
により、自発光で、応答速度が高速であり、視野角依存
性の無いフラットパネルディスプレイの実現が期待され
ている。
【0007】有機電界発光素子の構成は、透光性の正極
と金属陰極との間に、電流の注入によって発光する発光
材料を含む有機薄膜を形成したものである。C. W. Tan
g、S.A. VanSlyke等は Applied Physics Letters第51
巻12号913〜915頁(1987年)掲載の研究報
告において、有機薄膜を正孔輸送性材料からなる薄膜と
電子輸送性材料からなる薄膜との2層構造として、各々
の電極から有機膜中に注入されたホールと電子が再結合
することにより発光する素子構造を開発した(シングル
ヘテロ構造の有機EL素子)。
と金属陰極との間に、電流の注入によって発光する発光
材料を含む有機薄膜を形成したものである。C. W. Tan
g、S.A. VanSlyke等は Applied Physics Letters第51
巻12号913〜915頁(1987年)掲載の研究報
告において、有機薄膜を正孔輸送性材料からなる薄膜と
電子輸送性材料からなる薄膜との2層構造として、各々
の電極から有機膜中に注入されたホールと電子が再結合
することにより発光する素子構造を開発した(シングル
ヘテロ構造の有機EL素子)。
【0008】この素子構造では、正孔輸送材料または電
子輸送材料のいずれかが発光材料を兼ねており、発光は
発光材料の基底状態と励起状態のエネルギギャップに対
応した波長帯で起きる。このような2層構造とすること
により、大幅な駆動電圧の低減、発光効率の改善が行わ
れた。
子輸送材料のいずれかが発光材料を兼ねており、発光は
発光材料の基底状態と励起状態のエネルギギャップに対
応した波長帯で起きる。このような2層構造とすること
により、大幅な駆動電圧の低減、発光効率の改善が行わ
れた。
【0009】その後、C. Adachi 、S. Tokita 、T. Tsu
tsui、S. Saito等の Japanese Journal of Applied Phy
sics第27巻2号L269〜L271頁(1988年)
掲載の研究報告に記載されているように、正孔輸送材
料、発光材料、電子輸送材料の3層構造(ダブルヘテロ
構造の有機EL素子)が開発され、更に、C. W. Tang、
S. A. VanSlyke、C. H. Chen等の Journal of Applied
Physics 第65巻9号3610〜3616頁(1989
年)掲載の研究報告に記載されているように、電子輸送
材料中に発光材料を含ませた素子構造などが開発され
た。これらの研究により、低電圧で、高輝度の発光の可
能性が検証され、近年、研究開発が非常に活発に行われ
ている。
tsui、S. Saito等の Japanese Journal of Applied Phy
sics第27巻2号L269〜L271頁(1988年)
掲載の研究報告に記載されているように、正孔輸送材
料、発光材料、電子輸送材料の3層構造(ダブルヘテロ
構造の有機EL素子)が開発され、更に、C. W. Tang、
S. A. VanSlyke、C. H. Chen等の Journal of Applied
Physics 第65巻9号3610〜3616頁(1989
年)掲載の研究報告に記載されているように、電子輸送
材料中に発光材料を含ませた素子構造などが開発され
た。これらの研究により、低電圧で、高輝度の発光の可
能性が検証され、近年、研究開発が非常に活発に行われ
ている。
【0010】発光材料に用いる有機化合物は、その多様
性から、理論的には分子構造を変化させることによって
発光色を任意に変えることができるという利点があると
言える。従って、分子設計を施すことにより、フルカラ
ーディスプレイに必要な色純度の良いR(赤)、G
(緑)、B(青)の3色を揃えることは、無機物を用い
た薄膜EL素子と比べて容易であると言える。
性から、理論的には分子構造を変化させることによって
発光色を任意に変えることができるという利点があると
言える。従って、分子設計を施すことにより、フルカラ
ーディスプレイに必要な色純度の良いR(赤)、G
(緑)、B(青)の3色を揃えることは、無機物を用い
た薄膜EL素子と比べて容易であると言える。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
は有機電界発光素子においても、解決しなければならな
い問題がある。安定した高輝度の赤色発光素子の開発は
難しく、現在報告されている電子輸送材料として、トリ
ス(8−キノリノール)アルミニウム(以下、Alq3
と略称。)にDCM〔4−ジシアノメチレン−6−(p
−ジメチルアミノスチリル)−2−メチル−4H−ピラ
ン〕をドープした赤色発光の例(Chem.Funct.Dyes,Proc.
Int.Symp.,2nd P.536(1993))等においても、最高輝度、
信頼性ともにディスプレイ材料としては満足の行くもの
ではない。
は有機電界発光素子においても、解決しなければならな
い問題がある。安定した高輝度の赤色発光素子の開発は
難しく、現在報告されている電子輸送材料として、トリ
ス(8−キノリノール)アルミニウム(以下、Alq3
と略称。)にDCM〔4−ジシアノメチレン−6−(p
−ジメチルアミノスチリル)−2−メチル−4H−ピラ
ン〕をドープした赤色発光の例(Chem.Funct.Dyes,Proc.
Int.Symp.,2nd P.536(1993))等においても、最高輝度、
信頼性ともにディスプレイ材料としては満足の行くもの
ではない。
【0012】また、T.Tsutsui,D.U.Kim がInorganic an
d Organic electroluminescence 会議(1996、Be
rlin)で報告したBSB−BCNは、1000cd
/m2 以上の高い輝度を実現しているが、フルカラーに
対応する赤色としての色度が完全なものとは言えない。
d Organic electroluminescence 会議(1996、Be
rlin)で報告したBSB−BCNは、1000cd
/m2 以上の高い輝度を実現しているが、フルカラーに
対応する赤色としての色度が完全なものとは言えない。
【0013】さらに高輝度で安定かつ色純度の高い赤色
発光素子の実現が、望まれているのが現状である。
発光素子の実現が、望まれているのが現状である。
【0014】また、特開平7−188649号(特願平
6−148798号)においては、特定のジスチリル化
合物を有機電界発光材料とすることを提案しているが、
目的の発光色が青色であり、赤色用ではない。一方、有
機電界発光素子の積層構造の中にホールと電子のエネル
ギー的な閉じ込め構造を作ることによって発光層にてホ
ールと電子が効率良く結合し、高い輝度および発光材料
独自の純粋な発光を得られることが報告されている(特
開平10−79297、特開平11−204258、特
開平11−204264、特開平11−204259
等)が、目的の発光色はやはり青色であり、赤色用では
ない。
6−148798号)においては、特定のジスチリル化
合物を有機電界発光材料とすることを提案しているが、
目的の発光色が青色であり、赤色用ではない。一方、有
機電界発光素子の積層構造の中にホールと電子のエネル
ギー的な閉じ込め構造を作ることによって発光層にてホ
ールと電子が効率良く結合し、高い輝度および発光材料
独自の純粋な発光を得られることが報告されている(特
開平10−79297、特開平11−204258、特
開平11−204264、特開平11−204259
等)が、目的の発光色はやはり青色であり、赤色用では
ない。
【0015】本発明の目的は、高輝度かつ安定な赤色発
光を有する有機電界発光素子を提供することにある。本
発明の第二の目的は、本来高い量子収率を有する化合物
を含有する有機電界発光素子において発光層でのホール
と電子の再結合を促進し、さらに高輝度かつ高効率な発
光を呈する有機電界発光素子を提供することにある。
光を有する有機電界発光素子を提供することにある。本
発明の第二の目的は、本来高い量子収率を有する化合物
を含有する有機電界発光素子において発光層でのホール
と電子の再結合を促進し、さらに高輝度かつ高効率な発
光を呈する有機電界発光素子を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために鋭意検討した結果、発光材料として特定のジ
スチリル化合物を用いることによって、安定した、高輝
度のフルカラーディスプレイ実現に極めて有用な信頼性
の高い赤色発光素子を提供できることを見出し、本発明
に到達したものである。
するために鋭意検討した結果、発光材料として特定のジ
スチリル化合物を用いることによって、安定した、高輝
度のフルカラーディスプレイ実現に極めて有用な信頼性
の高い赤色発光素子を提供できることを見出し、本発明
に到達したものである。
【0017】即ち、本発明は、発光領域を有する有機層
が陽極と陰極との間に設けられ、電流の注入によって発
光する有機物質を構成要素として含む有機電界発光素子
において、前記有機層に下記一般式(1)で表されるジ
スチリル化合物の少なくとも一種が有機発光材料として
含まれていることを特徴とする、有機電界発光素子に係
るものである。
が陽極と陰極との間に設けられ、電流の注入によって発
光する有機物質を構成要素として含む有機電界発光素子
において、前記有機層に下記一般式(1)で表されるジ
スチリル化合物の少なくとも一種が有機発光材料として
含まれていることを特徴とする、有機電界発光素子に係
るものである。
【0018】
【化14】一般式(1): 〔但し、前記一般式(1)において、R1 、R2 、R3
及びR4 は互いに同一の若しくは異なる基であって、そ
の少なくとも1つが下記一般式(2)で表されるアリー
ル基であり、かつその少なくとも1つが下記一般式
(3)又は(4)で表されるアリール基であり、
及びR4 は互いに同一の若しくは異なる基であって、そ
の少なくとも1つが下記一般式(2)で表されるアリー
ル基であり、かつその少なくとも1つが下記一般式
(3)又は(4)で表されるアリール基であり、
【化15】 (但し、前記一般式(2)、(3)及び(4)におい
て、R5 、R6 、R7 、R 8 、R9 、R10、R11、
R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R
20、R21、R22及びR23は互いに同一の又は異なる基で
あって、水素原子、或いはそれらの少なくとも1つが飽
和又は不飽和アルコキシル基(炭素数が好ましくは1〜
24、更には1〜10のもの)、アミノ基、アルキルア
ミノ基(炭素数が好ましくは1〜24、更には1〜10
のもの)又はフェニル基等の置換若しくは無置換のアリ
ール基、又は水酸基である。) Xは下記一般式(5)又は(6)で表される置換若しく
は無置換のアリール基である。
て、R5 、R6 、R7 、R 8 、R9 、R10、R11、
R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R
20、R21、R22及びR23は互いに同一の又は異なる基で
あって、水素原子、或いはそれらの少なくとも1つが飽
和又は不飽和アルコキシル基(炭素数が好ましくは1〜
24、更には1〜10のもの)、アミノ基、アルキルア
ミノ基(炭素数が好ましくは1〜24、更には1〜10
のもの)又はフェニル基等の置換若しくは無置換のアリ
ール基、又は水酸基である。) Xは下記一般式(5)又は(6)で表される置換若しく
は無置換のアリール基である。
【化16】 (但し、前記一般式(5)及び(6)において、R24、
R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R
33、R34、R35、R36、R37、R38及びR39は、互いに
同一の若しくは異なる基であって、水素原子、シアノ
基、ニトロ基又はF、Cl等の(以下、同様)ハロゲン
原子である。)〕
R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R
33、R34、R35、R36、R37、R38及びR39は、互いに
同一の若しくは異なる基であって、水素原子、シアノ
基、ニトロ基又はF、Cl等の(以下、同様)ハロゲン
原子である。)〕
【0019】また、本発明は、発光領域を有する有機層
が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子
において、前記有機層に下記一般式(1)で表されるジ
スチリル化合物の少なくとも一種が有機発光材料として
含まれていることを特徴とする、有機電界発光素子も提
供するものである。
が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子
において、前記有機層に下記一般式(1)で表されるジ
スチリル化合物の少なくとも一種が有機発光材料として
含まれていることを特徴とする、有機電界発光素子も提
供するものである。
【0020】
【化17】一般式(1): 〔但し、前記一般式(1)において、R1 、R2 、R3
及びR4 は互いに同一の若しくは異なる基であって、下
記一般式(3)又は(4)で表されるアリール基であ
り、
及びR4 は互いに同一の若しくは異なる基であって、下
記一般式(3)又は(4)で表されるアリール基であ
り、
【化18】 (但し、前記一般式(3)及び(4)において、R10、
R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R
19、R20、R21、R22及びR23は互いに同一の若しくは
異なる基であって、上記したと同様、水素原子、飽和若
しくは不飽和アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、フェニル基等の置換若しくは無置換のアリール
基、又は水酸基である。) Xは下記一般式(5)又は(6)で表される置換若しく
は無置換のアリール基である。
R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R
19、R20、R21、R22及びR23は互いに同一の若しくは
異なる基であって、上記したと同様、水素原子、飽和若
しくは不飽和アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、フェニル基等の置換若しくは無置換のアリール
基、又は水酸基である。) Xは下記一般式(5)又は(6)で表される置換若しく
は無置換のアリール基である。
【化19】 (但し、前記一般式(5)及び(6)において、R24、
R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R
33、R34、R35、R36、R37、R38及びR39は、互いに
同一の若しくは異なる基であって、水素原子、シアノ
基、ニトロ基又はハロゲン原子である。)〕
R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R
33、R34、R35、R36、R37、R38及びR39は、互いに
同一の若しくは異なる基であって、水素原子、シアノ
基、ニトロ基又はハロゲン原子である。)〕
【0021】上記一般式(1)のジスチリル化合物を発
光材料に用いることによって、高輝度で安定な赤色発光
が得られると共に、電気的、熱的或いは化学的にも安定
性に優れた素子を提供できる。上記一般式(1)で表わ
されるジスチリル化合物はそれぞれ単独で用いることが
できるが、併用してもよい。
光材料に用いることによって、高輝度で安定な赤色発光
が得られると共に、電気的、熱的或いは化学的にも安定
性に優れた素子を提供できる。上記一般式(1)で表わ
されるジスチリル化合物はそれぞれ単独で用いることが
できるが、併用してもよい。
【0022】本発明の有機電界発光素子に用いるジスチ
リル化合物について説明する。
リル化合物について説明する。
【0023】本発明の有機電界発光素子において、発光
材料である一般式(1)で示されるジスチリル化合物
は、例えば下記構造式(7)−1、(7)−2、(7)
−3、(7)−4、(7)−5、(7)−6、(7)−
7、(7)−8又は(7)−9のような分子構造の少な
くとも1種が使用可能である。これらはいずれも、アル
コキシ(又はアルキル)アリール基又は無置換アリール
基を有するビス(アミノスチリル)アントラセン化合物
である。
材料である一般式(1)で示されるジスチリル化合物
は、例えば下記構造式(7)−1、(7)−2、(7)
−3、(7)−4、(7)−5、(7)−6、(7)−
7、(7)−8又は(7)−9のような分子構造の少な
くとも1種が使用可能である。これらはいずれも、アル
コキシ(又はアルキル)アリール基又は無置換アリール
基を有するビス(アミノスチリル)アントラセン化合物
である。
【0024】
【化20】構造式(7)−1: 構造式(7)−2: 構造式(7)−3: 構造式(7)−4: 構造式(7)−5: 構造式(7)−6: 構造式(7)−7: 構造式(7)−8: 構造式(7)−9:
【0025】本発明者はまた、上記課題を解決するため
に鋭意検討した結果、特定のスチリル化合物と、それに
効率良くエネルギーを伝達することが可能な材料とから
発光層を構成した有機電界発光素子を作製し、さらに高
輝度、高信頼性の赤色発光素子を提供する本発明に到達
したものである。
に鋭意検討した結果、特定のスチリル化合物と、それに
効率良くエネルギーを伝達することが可能な材料とから
発光層を構成した有機電界発光素子を作製し、さらに高
輝度、高信頼性の赤色発光素子を提供する本発明に到達
したものである。
【0026】即ち本発明は、発光領域を有する有機層が
陽極と陰極との間に設けられ、電流の注入によって発光
する有機物質を構成要素として含む有機電界発光素子に
おいて、前記有機層のうちの少なくとも1層が下記一般
式[I]で示されるスチリル化合物からなる層であるこ
とを特徴とする有機電界発光素子に係るものである。
陽極と陰極との間に設けられ、電流の注入によって発光
する有機物質を構成要素として含む有機電界発光素子に
おいて、前記有機層のうちの少なくとも1層が下記一般
式[I]で示されるスチリル化合物からなる層であるこ
とを特徴とする有機電界発光素子に係るものである。
【化21】一般式[I]: [但し、前記一般式[I]において、X1は下記一般式
(8)〜(11)で表される基であり、
(8)〜(11)で表される基であり、
【化22】 (但し、前記一般式(8)〜(11)中のR41〜R48、R
49〜R56、R57〜R64、及びR65〜R72のそれぞれにおい
て、少なくとも一つがハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、トリフルオロメチル基から選ばれた基であり、その
他は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロ
メチル基から選ばれた基である。またそれらが同一であ
っても異なっても良い。) また、Y1及びY2は下記一般式(12)、(13)及び
(14)から選ばれた基である。
49〜R56、R57〜R64、及びR65〜R72のそれぞれにおい
て、少なくとも一つがハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、トリフルオロメチル基から選ばれた基であり、その
他は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロ
メチル基から選ばれた基である。またそれらが同一であ
っても異なっても良い。) また、Y1及びY2は下記一般式(12)、(13)及び
(14)から選ばれた基である。
【化23】 (但し、前記一般式(12)〜(14)中のR73およびR
74は水素原子、置換基を有しても良いアルキル基、置換
基を有しても良いアリール基から選ばれた基であり、そ
れらが同一であっても異なっても良い。また、R75〜R97
は水素原子、置換基を有しても良いアルキル基、置換基
を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いアル
コキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフ
ルオロメチル基から選ばれた基であって、それらが同一
であっても異なっても良い。)]
74は水素原子、置換基を有しても良いアルキル基、置換
基を有しても良いアリール基から選ばれた基であり、そ
れらが同一であっても異なっても良い。また、R75〜R97
は水素原子、置換基を有しても良いアルキル基、置換基
を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いアル
コキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフ
ルオロメチル基から選ばれた基であって、それらが同一
であっても異なっても良い。)]
【0027】また本発明は、本来高い量子収率を有する
上記の本発明の化合物を含有する有機電界発光素子にお
いて、発光層の陰極側にホール(正孔)ブロッキング層
を置くことにより、発光層にてホールと電子の再結合が
効率良く行われ、発光材料独自の純粋な発光が高輝度か
つ高効率に得られる有機電界発光素子を提供するに至っ
たものである。
上記の本発明の化合物を含有する有機電界発光素子にお
いて、発光層の陰極側にホール(正孔)ブロッキング層
を置くことにより、発光層にてホールと電子の再結合が
効率良く行われ、発光材料独自の純粋な発光が高輝度か
つ高効率に得られる有機電界発光素子を提供するに至っ
たものである。
【0028】即ち本発明はまた、発光領域を有する有機
層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素
子において、前記有機層の少なくとも1層が前記一般式
[I]で示されるスチリル化合物からなり、かつ前記ス
チリル化合物を含む有機層の陰極側にホール(正孔)ブ
ロッキング層が存在する有機電界発光素子に係るもので
ある。
層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素
子において、前記有機層の少なくとも1層が前記一般式
[I]で示されるスチリル化合物からなり、かつ前記ス
チリル化合物を含む有機層の陰極側にホール(正孔)ブ
ロッキング層が存在する有機電界発光素子に係るもので
ある。
【0029】例えば、前記有機層が、ホール輸送層と電
子輸送層とが積層された有機積層構造をしており、前記
有機層のうちの少なくとも電子輸送層が前記一般式
[I]で示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記
スチリル化合物で構成された層の陰極側に接して前記ホ
ール(正孔)ブロッキング層が存在してよい。
子輸送層とが積層された有機積層構造をしており、前記
有機層のうちの少なくとも電子輸送層が前記一般式
[I]で示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記
スチリル化合物で構成された層の陰極側に接して前記ホ
ール(正孔)ブロッキング層が存在してよい。
【0030】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をしており、前記有
機層のうちの少なくともホール輸送層が前記一般式
[I]で示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記
スチリル化合物で構成された層の陰極側に接して前記ホ
ールブロッキング層が存在してよい。
輸送層とが積層された有機積層構造をしており、前記有
機層のうちの少なくともホール輸送層が前記一般式
[I]で示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記
スチリル化合物で構成された層の陰極側に接して前記ホ
ールブロッキング層が存在してよい。
【0031】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をしており、前記ホ
ール輸送層が前記一般式[I]で示されるスチリル化合
物で構成され、かつ前記電子輸送層が前記一般式[I]
で示されるスチリル化合物で構成され、かつこの電子輸
送性発光性層の陰極側に接して前記ホールブロッキング
層が存在してよい。
輸送層とが積層された有機積層構造をしており、前記ホ
ール輸送層が前記一般式[I]で示されるスチリル化合
物で構成され、かつ前記電子輸送層が前記一般式[I]
で示されるスチリル化合物で構成され、かつこの電子輸
送性発光性層の陰極側に接して前記ホールブロッキング
層が存在してよい。
【0032】また、前記有機層が、ホール輸送層と発光
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をしてお
り、前記有機層のうちの少なくとも発光層が前記一般式
[I]で示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記
スチリル化合物で構成された層の陰極側に接して前記ホ
ールブロッキング層が存在してよい。
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をしてお
り、前記有機層のうちの少なくとも発光層が前記一般式
[I]で示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記
スチリル化合物で構成された層の陰極側に接して前記ホ
ールブロッキング層が存在してよい。
【0033】本発明の有機電界発光素子において、一般
式[I]で示されるスチリル化合物としては、下記構造
式(15)−1〜(15)−7のような分子構造の少な
くとも一種が使用可能である。
式[I]で示されるスチリル化合物としては、下記構造
式(15)−1〜(15)−7のような分子構造の少な
くとも一種が使用可能である。
【0034】
【化24】
【0035】また、ホールブロッキング層に適した材料
とは、次のようなエネルギー状態を有するものであるこ
とが望ましい。すなわち、ホールブロッキング層を形成
する材料の最高占有分子軌道レベルが、ホールブロッキ
ング層の陽極側に接する層を形成する材料の最高占有分
子軌道レベルより低いエネルギーレベルにあること、か
つ、ホールブロッキング層を形成する材料の最低非占有
分子軌道レベルが、ホールブロッキング層の陽極側に接
する層を形成する材料の最低非占有分子軌道レベルより
高いエネルギーレベルにあり、またホールブロッキング
層の陰極側に接する層を形成する材料の最低非占有分子
軌道レベルより低いエネルギーレベルにあることであ
る。
とは、次のようなエネルギー状態を有するものであるこ
とが望ましい。すなわち、ホールブロッキング層を形成
する材料の最高占有分子軌道レベルが、ホールブロッキ
ング層の陽極側に接する層を形成する材料の最高占有分
子軌道レベルより低いエネルギーレベルにあること、か
つ、ホールブロッキング層を形成する材料の最低非占有
分子軌道レベルが、ホールブロッキング層の陽極側に接
する層を形成する材料の最低非占有分子軌道レベルより
高いエネルギーレベルにあり、またホールブロッキング
層の陰極側に接する層を形成する材料の最低非占有分子
軌道レベルより低いエネルギーレベルにあることであ
る。
【0036】このような材料として、特開平10−79
297、特開平11−204258、特開平11−20
4264、特開平11−204259等に示されたフェ
ナントロリン誘導体が挙げられるが、上記のエネルギー
レベルの条件を満たすものであれば、フェナントロリン
誘導体に限定されるものではない。
297、特開平11−204258、特開平11−20
4264、特開平11−204259等に示されたフェ
ナントロリン誘導体が挙げられるが、上記のエネルギー
レベルの条件を満たすものであれば、フェナントロリン
誘導体に限定されるものではない。
【0037】図1〜図4及び図5〜図8には、本発明に
基づく有機電界発光素子の例をそれぞれ示す。
基づく有機電界発光素子の例をそれぞれ示す。
【0038】図1は陰極3を発光光20が透過する透過
型有機電界発光素子Aであって、発光20は保護層4の
側からも観測できる。図2は陰極3での反射光も発光光
20として得る反射型有機電界発光素子Bを示す。
型有機電界発光素子Aであって、発光20は保護層4の
側からも観測できる。図2は陰極3での反射光も発光光
20として得る反射型有機電界発光素子Bを示す。
【0039】図中、1は有機電界発光素子を形成するた
めの基板であり、ガラス、プラスチック及び他の適宜の
材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を
他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共
用することもできる。2は透明電極(陽極)であり、I
TO(Indium tin oxide)、SnO 2
等を使用できる。
めの基板であり、ガラス、プラスチック及び他の適宜の
材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を
他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共
用することもできる。2は透明電極(陽極)であり、I
TO(Indium tin oxide)、SnO 2
等を使用できる。
【0040】また、5は有機発光層であり、上記したス
チリル化合物を発光材料として含有している。この発光
層について、有機電界発光20を得る層構成としては、
従来公知の種々の構成を用いることができる。後述する
ように、例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれかを
構成する材料が発光性を有する場合、これらの薄膜を積
層した構造を使用できる。更に本発明の目的を満たす範
囲で電荷輸送性能を上げるために、正孔輸送層と電子輸
送層のいずれか若しくは両方が、複数種の材料の薄膜を
積層した構造、または、複数種の材料を混合した組成か
らなる薄膜を使用するのを妨げない。また、発光性能を
上げるために、少なくとも1種以上の蛍光性の材料を用
いて、この薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に挟持し
た構造、更に少なくとも1種以上の蛍光性の材料を正孔
輸送層若しくは電子輸送層、またはこれらの両方に含ま
せた構造を使用しても良い。これらの場合には、発光効
率を改善するために、正孔または電子の輸送を制御する
ための薄膜をその層構成に含ませることも可能である。
チリル化合物を発光材料として含有している。この発光
層について、有機電界発光20を得る層構成としては、
従来公知の種々の構成を用いることができる。後述する
ように、例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれかを
構成する材料が発光性を有する場合、これらの薄膜を積
層した構造を使用できる。更に本発明の目的を満たす範
囲で電荷輸送性能を上げるために、正孔輸送層と電子輸
送層のいずれか若しくは両方が、複数種の材料の薄膜を
積層した構造、または、複数種の材料を混合した組成か
らなる薄膜を使用するのを妨げない。また、発光性能を
上げるために、少なくとも1種以上の蛍光性の材料を用
いて、この薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に挟持し
た構造、更に少なくとも1種以上の蛍光性の材料を正孔
輸送層若しくは電子輸送層、またはこれらの両方に含ま
せた構造を使用しても良い。これらの場合には、発光効
率を改善するために、正孔または電子の輸送を制御する
ための薄膜をその層構成に含ませることも可能である。
【0041】上記の例えば構造式(7)で例示したジス
チリル化合物は、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を
持つため、素子構成中、電子輸送層を兼ねた発光層とし
ても、或いは正孔輸送層を兼ねた発光層としても用いる
ことが可能である。また、このジスチリル化合物を発光
層として、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込んだ構成
とすることも可能である。図5及び図6は、上記の構成
に加えて、発光層5の陰極側に接してフェナントロリン
誘導体からなるホールブロッキング層21を設けたもの
である。
チリル化合物は、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を
持つため、素子構成中、電子輸送層を兼ねた発光層とし
ても、或いは正孔輸送層を兼ねた発光層としても用いる
ことが可能である。また、このジスチリル化合物を発光
層として、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込んだ構成
とすることも可能である。図5及び図6は、上記の構成
に加えて、発光層5の陰極側に接してフェナントロリン
誘導体からなるホールブロッキング層21を設けたもの
である。
【0042】なお、図1及び図2、図5及び図6中、3
は陰極であり、電極材料としては、Li、Mg、Ca等
の活性な金属とAg、Al、In等の金属との合金、或
いはこれらを積層した構造を使用できる。透過型の有機
電界発光素子においては、陰極の厚さを調節することに
より、用途に合った光透過率を得ることができる。ま
た、図中の4は封止・保護層であり、有機電界発光素子
全体を覆う構造とすることにより、その効果が上がる。
気密性が保たれれば、適宜の材料を使用することができ
る。また、8は電流注入用の駆動電源である。
は陰極であり、電極材料としては、Li、Mg、Ca等
の活性な金属とAg、Al、In等の金属との合金、或
いはこれらを積層した構造を使用できる。透過型の有機
電界発光素子においては、陰極の厚さを調節することに
より、用途に合った光透過率を得ることができる。ま
た、図中の4は封止・保護層であり、有機電界発光素子
全体を覆う構造とすることにより、その効果が上がる。
気密性が保たれれば、適宜の材料を使用することができ
る。また、8は電流注入用の駆動電源である。
【0043】本発明に基づく有機電界発光素子におい
て、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造(シングルヘテロ構造)を有しており、正
孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として前記スチリル
化合物が用いられてよい。或いは、有機層が、正孔輸送
層と発光層と電子輸送層とが順次積層された有機積層構
造(ダブルヘテロ構造)を有しており、発光層の形成材
料として前記スチリル化合物が用いられてよい。
て、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造(シングルヘテロ構造)を有しており、正
孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として前記スチリル
化合物が用いられてよい。或いは、有機層が、正孔輸送
層と発光層と電子輸送層とが順次積層された有機積層構
造(ダブルヘテロ構造)を有しており、発光層の形成材
料として前記スチリル化合物が用いられてよい。
【0044】このような有機積層構造を有する有機電界
発光素子の例を示すと、図3は、透光性の基板1上に、
透光性の陽極2と、正孔輸送層6と電子輸送層7とから
なる有機層5aと、陰極3とが順次積層された積層構造
を有し、この積層構造が保護膜4によって封止されてな
る、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子Cである。
図7では、電子輸送層7及び/又は正孔輸送層6の陰極
側に接してホールブロッキング層21が設けられてい
る。
発光素子の例を示すと、図3は、透光性の基板1上に、
透光性の陽極2と、正孔輸送層6と電子輸送層7とから
なる有機層5aと、陰極3とが順次積層された積層構造
を有し、この積層構造が保護膜4によって封止されてな
る、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子Cである。
図7では、電子輸送層7及び/又は正孔輸送層6の陰極
側に接してホールブロッキング層21が設けられてい
る。
【0045】図3、図7に示すように発光層を省略した
層構成の場合には、正孔輸送層6と電子輸送層7の界面
から所定波長の発光20を発生する。これらの発光は基
板1側から観測される。
層構成の場合には、正孔輸送層6と電子輸送層7の界面
から所定波長の発光20を発生する。これらの発光は基
板1側から観測される。
【0046】また、図4は、透光性の基板1上に、透光
性の陽極2と、正孔輸送層10と発光層11と電子輸送
層12とからなる有機層5bと、陰極3とが順次積層さ
れた積層構造を有し、この積層構造が保護膜4によって
封止されてなる、ダブルヘテロ構造の有機電界発光素子
Dである。図8では、発光層11の陰極側に接してホー
ルブロッキング層21が設けられている。
性の陽極2と、正孔輸送層10と発光層11と電子輸送
層12とからなる有機層5bと、陰極3とが順次積層さ
れた積層構造を有し、この積層構造が保護膜4によって
封止されてなる、ダブルヘテロ構造の有機電界発光素子
Dである。図8では、発光層11の陰極側に接してホー
ルブロッキング層21が設けられている。
【0047】図4、図8に示した有機電界発光素子にお
いては、陽極2と陰極3の間に直流電圧を印加すること
により、陽極2から注入された正孔が正孔輸送層10を
経て、また陰極3から注入された電子が電子輸送層12
を経て、それぞれ発光層11に到達する。この結果、発
光層11においては電子/正孔の再結合が生じて一重項
励起子が生成し、この一重項励起子から所定波長の発光
を発生する。
いては、陽極2と陰極3の間に直流電圧を印加すること
により、陽極2から注入された正孔が正孔輸送層10を
経て、また陰極3から注入された電子が電子輸送層12
を経て、それぞれ発光層11に到達する。この結果、発
光層11においては電子/正孔の再結合が生じて一重項
励起子が生成し、この一重項励起子から所定波長の発光
を発生する。
【0048】上述した各有機電界発光素子C、Dにおい
て、基板1は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透
過性の材料を適宜用いることができる。また、他の表示
素子と組み合わせて用いる場合や、図3及び図4、図7
及び図8に示した積層構造をマトリックス状に配置する
場合等は、この基板を共用としてよい。、また、素子
C、Dはいずれも、透過型、反射型のいずれの構造も採
りうる。
て、基板1は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透
過性の材料を適宜用いることができる。また、他の表示
素子と組み合わせて用いる場合や、図3及び図4、図7
及び図8に示した積層構造をマトリックス状に配置する
場合等は、この基板を共用としてよい。、また、素子
C、Dはいずれも、透過型、反射型のいずれの構造も採
りうる。
【0049】また、陽極2は、透明電極であり、ITO
(indium tin oxide)やSnO2 等が使用できる。この
陽極2と正孔輸送層6(又は正孔輸送層10)との間に
は、電荷の注入効率を改善する目的で、有機物若しくは
有機金属化合物からなる薄膜を設けてもよい。なお、保
護膜4が金属等の導電性材料で形成されている場合は、
陽極2の側面に絶縁膜が設けられていてもよい。
(indium tin oxide)やSnO2 等が使用できる。この
陽極2と正孔輸送層6(又は正孔輸送層10)との間に
は、電荷の注入効率を改善する目的で、有機物若しくは
有機金属化合物からなる薄膜を設けてもよい。なお、保
護膜4が金属等の導電性材料で形成されている場合は、
陽極2の側面に絶縁膜が設けられていてもよい。
【0050】また、有機電界発光素子Cにおける有機層
5aは、正孔輸送層6と電子輸送層7とが積層された有
機層であり、これらのいずれか又は双方に上記したスチ
リル化合物が含有され、発光性の正孔輸送層6又は電子
輸送層7としてよい。有機電界発光素子Dにおける有機
層5bは、正孔輸送層10と上記したスチリル化合物を
含有する発光層11と電子輸送層12とが積層された有
機層であるが、その他、種々の積層構造を取ることがで
きる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若し
くは両方が発光性を有していてもよい。
5aは、正孔輸送層6と電子輸送層7とが積層された有
機層であり、これらのいずれか又は双方に上記したスチ
リル化合物が含有され、発光性の正孔輸送層6又は電子
輸送層7としてよい。有機電界発光素子Dにおける有機
層5bは、正孔輸送層10と上記したスチリル化合物を
含有する発光層11と電子輸送層12とが積層された有
機層であるが、その他、種々の積層構造を取ることがで
きる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若し
くは両方が発光性を有していてもよい。
【0051】また、特に、正孔輸送層6又は電子輸送層
7や発光層11が本発明のスチリル化合物からなる層で
あることが望ましいが、これらの層を前記スチリル化合
物のみで形成してもよく、或いは、前記スチリル化合物
と他の正孔又は電子輸送材料(例えば、芳香族アミン類
やピラゾリン類等)との共蒸着によって形成してもよ
い。さらに、正孔輸送層において、正孔輸送性能を向上
させるために、複数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸
送層を形成してもよい。
7や発光層11が本発明のスチリル化合物からなる層で
あることが望ましいが、これらの層を前記スチリル化合
物のみで形成してもよく、或いは、前記スチリル化合物
と他の正孔又は電子輸送材料(例えば、芳香族アミン類
やピラゾリン類等)との共蒸着によって形成してもよ
い。さらに、正孔輸送層において、正孔輸送性能を向上
させるために、複数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸
送層を形成してもよい。
【0052】また、有機電界発光素子Cにおいて、発光
層は電子輸送性発光層7であってよいが、電源8から印
加される電圧によっては、正孔輸送層6やその界面で発
光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Dにお
いて、発光層は層11以外に、電子輸送層12であって
もよく、正孔輸送層10であってもよい。発光性能を向
上させるために、少なくとも1種の蛍光性材料を用いた
発光層11を正孔輸送層と電子輸送層との間に挟持させ
た構造であるのがよい。または、この蛍光性材料を正孔
輸送層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた
構造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善
するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜
(ホールブロッキング層やエキシトン生成層など)をそ
の層構成に含ませることも可能である。
層は電子輸送性発光層7であってよいが、電源8から印
加される電圧によっては、正孔輸送層6やその界面で発
光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Dにお
いて、発光層は層11以外に、電子輸送層12であって
もよく、正孔輸送層10であってもよい。発光性能を向
上させるために、少なくとも1種の蛍光性材料を用いた
発光層11を正孔輸送層と電子輸送層との間に挟持させ
た構造であるのがよい。または、この蛍光性材料を正孔
輸送層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた
構造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善
するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜
(ホールブロッキング層やエキシトン生成層など)をそ
の層構成に含ませることも可能である。
【0053】また、陰極3に用いる材料としては、L
i、Mg、Ca等の活性な金属とAg、Al、In等の
金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構
造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択
することによって、用途に見合った有機電界発光素子を
作製できる。
i、Mg、Ca等の活性な金属とAg、Al、In等の
金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構
造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択
することによって、用途に見合った有機電界発光素子を
作製できる。
【0054】また、保護膜4は、封止膜として作用する
ものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とするこ
とで、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、そ
の気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム等の
単金属又は合金など、適宜その材料を選択できる。
ものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とするこ
とで、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、そ
の気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム等の
単金属又は合金など、適宜その材料を選択できる。
【0055】上記した各有機電界発光素子に印加する電
流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても
よい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれ
ば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿
命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率
良く発光させることが望ましい。
流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても
よい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれ
ば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿
命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率
良く発光させることが望ましい。
【0056】次に、図9は、本発明の有機電界発光素子
を用いた平面ディスプレイの構成例である。図示の如
く、例えばフルカラーディスプレイの場合は、赤
(R)、緑(G)及び青(B)の3原色を発光可能な有
機層5(5a、5b)が、陰極3と陽極2との間に配さ
れている。陰極3及び陽極2は、互いに交差するストラ
イプ状に設けることができ、輝度信号回路14及びシフ
トレジスタ内蔵の制御回路15により選択されて、それ
ぞれに信号電圧が印加され、これによって、選択された
陰極3及び陽極2が交差する位置(画素)の有機層が発
光するように構成される。
を用いた平面ディスプレイの構成例である。図示の如
く、例えばフルカラーディスプレイの場合は、赤
(R)、緑(G)及び青(B)の3原色を発光可能な有
機層5(5a、5b)が、陰極3と陽極2との間に配さ
れている。陰極3及び陽極2は、互いに交差するストラ
イプ状に設けることができ、輝度信号回路14及びシフ
トレジスタ内蔵の制御回路15により選択されて、それ
ぞれに信号電圧が印加され、これによって、選択された
陰極3及び陽極2が交差する位置(画素)の有機層が発
光するように構成される。
【0057】即ち、図9は例えば8×3RGB単純マト
リックスであって、正孔輸送層と、発光層および電子輸
送層のいずれか少なくとも一方とからなる積層体5を陰
極3と陽極2の間に配置したものである(図3及び図
7、又は図4及び図8参照)。陰極と陽極は、ともにス
トライプ状にパターニングするとともに、互いにマトリ
クス状に直交させ、シフトレジスタ内蔵の制御回路15
および14により時系列的に信号電圧を印加し、その交
叉位置で発光するように構成されたものである。かかる
構成のEL素子は、文字・記号等のディスプレイとして
は勿論、画像再生装置としても使用できる。また陰極3
と陽極2のストライプ状パターンを赤(R)、緑
(G)、青(B)の各色毎に配し、マルチカラーあるい
はフルカラーの全固体型フラットパネルディスプレイを
構成することが可能となる。
リックスであって、正孔輸送層と、発光層および電子輸
送層のいずれか少なくとも一方とからなる積層体5を陰
極3と陽極2の間に配置したものである(図3及び図
7、又は図4及び図8参照)。陰極と陽極は、ともにス
トライプ状にパターニングするとともに、互いにマトリ
クス状に直交させ、シフトレジスタ内蔵の制御回路15
および14により時系列的に信号電圧を印加し、その交
叉位置で発光するように構成されたものである。かかる
構成のEL素子は、文字・記号等のディスプレイとして
は勿論、画像再生装置としても使用できる。また陰極3
と陽極2のストライプ状パターンを赤(R)、緑
(G)、青(B)の各色毎に配し、マルチカラーあるい
はフルカラーの全固体型フラットパネルディスプレイを
構成することが可能となる。
【0058】
【実施例】以下、本発明を実施例について具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
【0059】実施例1 本実施例は、一般式(1)の上記ジスチリル化合物のう
ち、R1 、R2 、R3及びR4 に無置換ナフチル基を、
Xに9,10−ジシアノアントラセン基を持った下記構
造式(7)−6の化合物(2,6−ビス(スチリルジナ
フチルアミノ)−9,10−ジシアノアントラセン)を
正孔輸送性発光材料として用い、シングルヘテロ構造の
有機電界発光素子を作製した例である。
ち、R1 、R2 、R3及びR4 に無置換ナフチル基を、
Xに9,10−ジシアノアントラセン基を持った下記構
造式(7)−6の化合物(2,6−ビス(スチリルジナ
フチルアミノ)−9,10−ジシアノアントラセン)を
正孔輸送性発光材料として用い、シングルヘテロ構造の
有機電界発光素子を作製した例である。
【化25】構造式(7)−6:
【0060】まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により10-4Pa以下の真空下で上記構造式(7)−6
の化合物を例えば50nmの厚さに正孔輸送層(兼発光
層)として成膜した。蒸着レートは0.1nm/秒とし
た。
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により10-4Pa以下の真空下で上記構造式(7)−6
の化合物を例えば50nmの厚さに正孔輸送層(兼発光
層)として成膜した。蒸着レートは0.1nm/秒とし
た。
【0061】さらに、電子輸送材料として下記構造式の
Alq3 (トリス(8−キノリノール)アルミニウム)
を正孔輸送層に接して蒸着した。Alq3 からなるこの
電子輸送層の膜厚も例えば50nmとし、蒸着レートは
0.2nm/秒とした。
Alq3 (トリス(8−キノリノール)アルミニウム)
を正孔輸送層に接して蒸着した。Alq3 からなるこの
電子輸送層の膜厚も例えば50nmとし、蒸着レートは
0.2nm/秒とした。
【化26】
【0062】陰極材料としてはMgとAgの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例1による図3に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例1による図3に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
【0063】このように作製した実施例1の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、図10に示すように、705nmに発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。分光測定は、大塚電子
社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を
用いた。また、電圧−輝度測定を行ったところ、図11
に示すように、8.5Vで150cd/m2 の輝度が得
られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、図10に示すように、705nmに発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。分光測定は、大塚電子
社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を
用いた。また、電圧−輝度測定を行ったところ、図11
に示すように、8.5Vで150cd/m2 の輝度が得
られた。
【0064】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度100cd/m2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで100時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度100cd/m2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで100時間であった。
【0065】実施例2 本実施例は、一般式(1)の上記ジスチリル化合物のう
ち、R1 、R2 、R3及びR4 に無置換ナフチル基を、
Xに9,10−ジシアノアントラセン基を持った上記構
造式(7)−6の化合物を電子輸送性発光材料として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
ち、R1 、R2 、R3及びR4 に無置換ナフチル基を、
Xに9,10−ジシアノアントラセン基を持った上記構
造式(7)−6の化合物を電子輸送性発光材料として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【0066】まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により10-4Pa以下の真空下で、下記構造式のα−N
PD(α−ナフチルフェニルジアミン)を例えば50n
mの厚さに正孔輸送層として成膜した。蒸着レートは
0.1nm/秒とした。
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により10-4Pa以下の真空下で、下記構造式のα−N
PD(α−ナフチルフェニルジアミン)を例えば50n
mの厚さに正孔輸送層として成膜した。蒸着レートは
0.1nm/秒とした。
【化27】α−NPD:
【0067】さらに、電子輸送材料として上記構造式
(7)−6の化合物を正孔輸送層に接して蒸着した。上
記構造式(7)−6の化合物からなる電子輸送層(兼発
光層)の膜厚も例えば50nmとし、蒸着レートは0.
2nm/秒とした。
(7)−6の化合物を正孔輸送層に接して蒸着した。上
記構造式(7)−6の化合物からなる電子輸送層(兼発
光層)の膜厚も例えば50nmとし、蒸着レートは0.
2nm/秒とした。
【0068】陰極材料としてはMgとAgの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例2による図3に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例2による図3に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
【0069】このように作製した実施例2の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1と
同様に分光測定を行った結果、図12に示すように、7
05nmに発光ピークを有するスペクトルを得た。ま
た、電圧−輝度測定を行ったところ、図13に示すよう
に、8.5Vで170cd/m2 の輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1と
同様に分光測定を行った結果、図12に示すように、7
05nmに発光ピークを有するスペクトルを得た。ま
た、電圧−輝度測定を行ったところ、図13に示すよう
に、8.5Vで170cd/m2 の輝度が得られた。
【0070】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度100cd/m2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで110時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度100cd/m2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで110時間であった。
【0071】実施例3 本実施例は、一般式(1)の上記ジスチリル化合物のう
ち、R1 、R2 、R3及びR4 に無置換ナフチル基を、
Xに9,10−ジシアノアントラセン基を持った上記構
造式(7)−6の化合物を発光材料として用い、ダブル
ヘテロ層構造の有機電界発光素子を作製した例である。
ち、R1 、R2 、R3及びR4 に無置換ナフチル基を、
Xに9,10−ジシアノアントラセン基を持った上記構
造式(7)−6の化合物を発光材料として用い、ダブル
ヘテロ層構造の有機電界発光素子を作製した例である。
【0072】まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により10-4Pa以下の真空下で、上記構造式のα−N
PDを例えば30nmの厚さに正孔輸送層として成膜し
た。蒸着レートは0.2nm/秒とした。
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により10-4Pa以下の真空下で、上記構造式のα−N
PDを例えば30nmの厚さに正孔輸送層として成膜し
た。蒸着レートは0.2nm/秒とした。
【0073】さらに、発光材料として上記構造式(7)
−6の化合物を正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造
式(7)−6の化合物からなる発光層の膜厚も例えば3
0nmとし、蒸着レートは0.2nm/秒とした。
−6の化合物を正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造
式(7)−6の化合物からなる発光層の膜厚も例えば3
0nmとし、蒸着レートは0.2nm/秒とした。
【0074】さらに、電子輸送材料として上記構造式の
Alq3 を発光層に接して蒸着した。Alq3 の膜厚を
例えば30nmとし、蒸着レートは、0.2nm/秒と
した。
Alq3 を発光層に接して蒸着した。Alq3 の膜厚を
例えば30nmとし、蒸着レートは、0.2nm/秒と
した。
【0075】陰極材料としてはMgとAgの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例3による図4に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例3による図4に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
【0076】このように作製した実施例3の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、図14に示すように、705nmに発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。電圧−輝度測定を行っ
たところ、図15に示すように、8.5Vで250cd
/m2 の輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、図14に示すように、705nmに発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。電圧−輝度測定を行っ
たところ、図15に示すように、8.5Vで250cd
/m2 の輝度が得られた。
【0077】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度100cd/m2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで200時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度100cd/m2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで200時間であった。
【0078】実施例4 正孔輸送性材料としてα−NPDに替えて下記構造式の
TPD(トリフェニルジアミン誘導体)を用いた他は層
構成、成膜法とも実施例2に準拠して、有機電界発光素
子を作製した。
TPD(トリフェニルジアミン誘導体)を用いた他は層
構成、成膜法とも実施例2に準拠して、有機電界発光素
子を作製した。
【化28】
【0079】本実施例の有機電界発光素子も実施例2と
同様の赤色の発光を呈した。分光測定の結果、スペクト
ルは実施例2の有機電界発光素子のスペクトルと一致し
た。
同様の赤色の発光を呈した。分光測定の結果、スペクト
ルは実施例2の有機電界発光素子のスペクトルと一致し
た。
【0080】実施例5 本実施例は、一般式(1)の上記ジスチリル化合物のう
ち、R1 及びR4 に無置換ナフチル基を、R2 及びR3
に4−メトキシナフチル基を、Xに9,10−ジシアノ
アントラセン基を持った下記構造式(7)−7の化合物
を正孔輸送性発光材料として用い、シングルヘテロ構造
の有機電界発光素子を作製した例である。
ち、R1 及びR4 に無置換ナフチル基を、R2 及びR3
に4−メトキシナフチル基を、Xに9,10−ジシアノ
アントラセン基を持った下記構造式(7)−7の化合物
を正孔輸送性発光材料として用い、シングルヘテロ構造
の有機電界発光素子を作製した例である。
【化29】構造式(7)−7:
【0081】まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により10-4Pa以下の真空下で上記構造式(7)−7
の化合物を例えば50nmの厚さに正孔輸送層(兼発光
層)として成膜した。蒸着レートは0.1nm/秒とし
た。
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして、複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を
有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法
により10-4Pa以下の真空下で上記構造式(7)−7
の化合物を例えば50nmの厚さに正孔輸送層(兼発光
層)として成膜した。蒸着レートは0.1nm/秒とし
た。
【0082】さらに、電子輸送材料として上記構造式の
Alq3 (トリス(8−キノリノール)アルミニウム)
を正孔輸送層に接して蒸着した。Alq3 からなるこの
電子輸送層の膜厚も例えば50nmとし、蒸着レートは
0.2nm/秒とした。
Alq3 (トリス(8−キノリノール)アルミニウム)
を正孔輸送層に接して蒸着した。Alq3 からなるこの
電子輸送層の膜厚も例えば50nmとし、蒸着レートは
0.2nm/秒とした。
【0083】陰極材料としてはMgとAgの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例5による図3に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例5による図3に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
【0084】このように作製した実施例5の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、図16に示すように、720nmに発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。分光測定は、大塚電子
社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を
用いた。また、電圧−輝度測定を行ったところ、図17
に示すように、8.5Vで200cd/m2 の輝度が得
られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、図16に示すように、720nmに発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。分光測定は、大塚電子
社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を
用いた。また、電圧−輝度測定を行ったところ、図17
に示すように、8.5Vで200cd/m2 の輝度が得
られた。
【0085】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度100cd/m2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで150時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度100cd/m2 で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで150時間であった。
【0086】実施例6 本実施例は、一般式(1)の上記ジスチリル化合物のう
ち、R1 及びR4 に無置換フェニル基を、R2 及びR3
に無置換ナフチル基を、Xに9,10−ジシアノアント
ラセン基を持った下記構造式(7)−1の化合物を電子
輸送性発光材料として用い、シングルヘテロ構造の有機
電界発光素子を作製した例である。層構造、成膜法と
も、実施例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
ち、R1 及びR4 に無置換フェニル基を、R2 及びR3
に無置換ナフチル基を、Xに9,10−ジシアノアント
ラセン基を持った下記構造式(7)−1の化合物を電子
輸送性発光材料として用い、シングルヘテロ構造の有機
電界発光素子を作製した例である。層構造、成膜法と
も、実施例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【化30】構造式(7)−1:
【0087】このように作製した実施例6の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1と
同様に分光測定を行った結果、705nmに発光ピーク
を有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行
ったところ、8Vで200cd/m2 の輝度が得られ
た。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1と
同様に分光測定を行った結果、705nmに発光ピーク
を有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行
ったところ、8Vで200cd/m2 の輝度が得られ
た。
【0088】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【0089】実施例7 本実施例は、一般式(1)の上記ジスチリル化合物のう
ち、R1 及びR4 に無置換フェニル基を、R2 及びR3
に4−メトキシナフチル基を、Xに9,10−ジシアノ
アントラセン基を持った下記構造式(7)−2の化合物
を電子輸送性材料として用い、シングルヘテロ層構造の
有機電界発光素子を作製した例である。層構造、成膜法
とも、実施例2に準拠して有機電界発光素子を作製し
た。
ち、R1 及びR4 に無置換フェニル基を、R2 及びR3
に4−メトキシナフチル基を、Xに9,10−ジシアノ
アントラセン基を持った下記構造式(7)−2の化合物
を電子輸送性材料として用い、シングルヘテロ層構造の
有機電界発光素子を作製した例である。層構造、成膜法
とも、実施例2に準拠して有機電界発光素子を作製し
た。
【化31】構造式(7)−2:
【0090】このように作製した実施例7の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、705nmに発光ピークを有するスペクト
ルを得た。電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで16
0cd/m2 の輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、705nmに発光ピークを有するスペクト
ルを得た。電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで16
0cd/m2 の輝度が得られた。
【0091】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【0092】実施例8 本実施例は、一般式(1)の上記ジスチリル化合物のう
ち、R1 及びR4 に無置換フェニル基を、R2 及びR3
に無置換ナフチル基を、Xに9,10−ジシアノアント
ラセン基を持った下記構造式(7)−3の化合物を電子
輸送性材料として用い、シングルヘテロ層構造の有機電
界発光素子を作製した例である。層構造、成膜法とも、
実施例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
ち、R1 及びR4 に無置換フェニル基を、R2 及びR3
に無置換ナフチル基を、Xに9,10−ジシアノアント
ラセン基を持った下記構造式(7)−3の化合物を電子
輸送性材料として用い、シングルヘテロ層構造の有機電
界発光素子を作製した例である。層構造、成膜法とも、
実施例2に準拠して有機電界発光素子を作製した。
【化32】構造式(7)−3:
【0093】このように作製した実施例8の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、705nmに発光ピークを有するスペクト
ルを得た。電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで90
cd/m2 の輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、705nmに発光ピークを有するスペクト
ルを得た。電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで90
cd/m2 の輝度が得られた。
【0094】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【0095】実施例9 本実施例は、一般式(1)の上記ジスチリル化合物のう
ち、R1 、R2 、R3及びR4 に無置換ナフチル基を、
Xに9,10−ジフロロアントラセン基を持った下記構
造式(7)−8の化合物を電子輸送性材料として用い、
シングルヘテロ層構造の有機電界発光素子を作製した例
である。層構造、成膜法とも、実施例2に準拠して有機
電界発光素子を作製した。
ち、R1 、R2 、R3及びR4 に無置換ナフチル基を、
Xに9,10−ジフロロアントラセン基を持った下記構
造式(7)−8の化合物を電子輸送性材料として用い、
シングルヘテロ層構造の有機電界発光素子を作製した例
である。層構造、成膜法とも、実施例2に準拠して有機
電界発光素子を作製した。
【化33】構造式(7)−8:
【0096】このように作製した実施例9の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、705nmに発光ピークを有するスペクト
ルを得た。電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで18
0cd/m2 の輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、705nmに発光ピークを有するスペクト
ルを得た。電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで18
0cd/m2 の輝度が得られた。
【0097】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【0098】実施例10 本実施例は、一般式[I]の上記スチリル化合物のう
ち、下記構造式(15)−1の化合物を正孔輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
ち、下記構造式(15)−1の化合物を正孔輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【0099】
【化34】構造式(15)−1:
【0100】まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より10-4Pa以下の真空下で上記構造式(15)−1
の化合物を例えば50nmの厚さに正孔輸送層(兼発光
層)として成膜した。蒸着レートは各々0.1nm/秒
とした。
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より10-4Pa以下の真空下で上記構造式(15)−1
の化合物を例えば50nmの厚さに正孔輸送層(兼発光
層)として成膜した。蒸着レートは各々0.1nm/秒
とした。
【0101】さらに、ホールブロッキング層材料として
下記構造式のバソクプロインを正孔輸送層に接して蒸着
した。バソクプロインからなるこのホールブロッキング
層の膜厚は例えば15nmとし、蒸着レートは0.1n
m/秒とした。
下記構造式のバソクプロインを正孔輸送層に接して蒸着
した。バソクプロインからなるこのホールブロッキング
層の膜厚は例えば15nmとし、蒸着レートは0.1n
m/秒とした。
【0102】さらに、電子輸送層材料として上記構造式
のAlq3(トリス(8−キノリノール)アルミニウ
ム)をホールブロッキング層に接して蒸着した。Alq
3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば50nmと
し、蒸着レートは0.2nm/秒とした。
のAlq3(トリス(8−キノリノール)アルミニウ
ム)をホールブロッキング層に接して蒸着した。Alq
3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば50nmと
し、蒸着レートは0.2nm/秒とした。
【0103】
【化35】バソクプロイン:
【0104】陰極材料としてはMgとAgの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例10による図7に示した如き有
機電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg膜)および150nm(Ag膜)
の厚さに形成し、実施例10による図7に示した如き有
機電界発光素子を作製した。
【0105】このように作製した実施例10の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定
を行った結果、710nm付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダ
イオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、
電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで200cd/m
2の輝度が得られた。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定
を行った結果、710nm付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダ
イオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、
電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで200cd/m
2の輝度が得られた。
【0106】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで200時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで200時間であった。
【0107】実施例11 本実施例は、一般式[I]の上記スチリル化合物のう
ち、上記構造式(15)−1の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
ち、上記構造式(15)−1の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【0108】まず、真空蒸着装置中に、100nmの厚
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より10-4Pa以下の真空下で上記構造式のα−NPD
を例えば30nmの厚さに成膜した。蒸着レートは0.
1nm/秒とした。
さのITOからなる陽極が一表面に形成された30mm
×30mmのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の2.0mm×2.0mmの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より10-4Pa以下の真空下で上記構造式のα−NPD
を例えば30nmの厚さに成膜した。蒸着レートは0.
1nm/秒とした。
【0109】さらに、上記構造式(15)−1の化合物
を正孔輸送層に接して蒸着した。この構造式(15)−
1の化合物からなる電子輸送層(兼発光層)の膜厚も例
えば30nmとし、蒸着レートは各々0.2nm/秒と
した。
を正孔輸送層に接して蒸着した。この構造式(15)−
1の化合物からなる電子輸送層(兼発光層)の膜厚も例
えば30nmとし、蒸着レートは各々0.2nm/秒と
した。
【0110】さらに、ホールブロッキング層材料として
上記構造式のバソクプロインを発光層に接して蒸着し
た。バソクプロインからなるこのホールブロッキング層
の膜厚は例えば15nmとし、蒸着レートは0.1nm
/秒とした。
上記構造式のバソクプロインを発光層に接して蒸着し
た。バソクプロインからなるこのホールブロッキング層
の膜厚は例えば15nmとし、蒸着レートは0.1nm
/秒とした。
【0111】さらに、電子輸送層材料として上記構造式
のAlq3をホールブロッキング層に接して蒸着した。
Alq3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば30n
mとし、蒸着レートは0.2nm/秒とした。
のAlq3をホールブロッキング層に接して蒸着した。
Alq3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば30n
mとし、蒸着レートは0.2nm/秒とした。
【0112】陰極材料としてはMgとAgの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg)および150nm(Ag膜)の
厚さに形成し、図8に示した如き有機電界発光素子を作
製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート1nm/秒として
例えば50nm(Mg)および150nm(Ag膜)の
厚さに形成し、図8に示した如き有機電界発光素子を作
製した。
【0113】このように作製した実施例11の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、710nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで170cd/m2の輝度が
得られた。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、710nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで170cd/m2の輝度が
得られた。
【0114】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで140時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで140時間であった。
【0115】実施例12 本実施例は、一般式[I]の上記スチリル化合物のう
ち、下記構造式(15)−2の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
ち、下記構造式(15)−2の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【0116】
【化36】構造式(15)−2:
【0117】層構造、成膜法とも実施例11に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
有機電界発光素子を作製した。
【0118】このように作製した実施例12の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、750nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで100cd/m2の輝度が
得られた。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、750nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで100cd/m2の輝度が
得られた。
【0119】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで100時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで100時間であった。
【0120】実施例13 本実施例は、一般式[I]の上記スチリル化合物のう
ち、下記構造式(15)−3の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
ち、下記構造式(15)−3の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【0121】
【化37】構造式(15)−3:
【0122】層構造、成膜法とも実施例11に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
有機電界発光素子を作製した。
【0123】このように作製した実施例13の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、730nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで100cd/m2の輝度が
得られた。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、730nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで100cd/m2の輝度が
得られた。
【0124】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで150時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで150時間であった。
【0125】実施例14 本実施例は、一般式[I]の上記スチリル化合物のう
ち、下記構造式(15)−4の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
ち、下記構造式(15)−4の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【0126】
【化38】構造式(15)−4:
【0127】層構造、成膜法とも実施例11に準拠して
有機電界発光素子を作製した。このように作製した実施
例14の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイア
ス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色
であり、実施例10と同様に分光測定を行った結果、6
70nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。
また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで500c
d/m2の輝度が得られた。
有機電界発光素子を作製した。このように作製した実施
例14の有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイア
ス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色
であり、実施例10と同様に分光測定を行った結果、6
70nm付近に発光ピークを有するスペクトルを得た。
また、電圧−輝度測定を行ったところ、8Vで500c
d/m2の輝度が得られた。
【0128】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで400時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで400時間であった。
【0129】実施例15 本実施例は、一般式[I]の上記スチリル化合物のう
ち、下記構造式(15)−5の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
ち、下記構造式(15)−5の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【0130】
【化39】構造式(15)−5:
【0131】層構造、成膜法とも実施例11に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
有機電界発光素子を作製した。
【0132】このように作製した実施例15の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、680nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで300cd/m2の輝度が
得られた。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、680nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで300cd/m2の輝度が
得られた。
【0133】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで170時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで170時間であった。
【0134】実施例16 本実施例は、一般式[I]の上記スチリル化合物のう
ち、下記構造式(15)−6の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
ち、下記構造式(15)−6の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【0135】
【化40】構造式(15)−6:
【0136】層構造、成膜法とも実施例11に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
有機電界発光素子を作製した。
【0137】このように作製した実施例16の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで700cd/m2の輝度が
得られた。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、640nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで700cd/m2の輝度が
得られた。
【0138】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで300時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで300時間であった。
【0139】実施例17 本実施例は、一般式[I]の上記スチリル化合物のう
ち、下記構造式(15)−7の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
ち、下記構造式(15)−7の化合物を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【0140】
【化41】構造式(15)−7:
【0141】層構造、成膜法とも実施例11に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
有機電界発光素子を作製した。
【0142】このように作製した実施例17の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、650nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで690cd/m2の輝度が
得られた。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例1
0と同様に分光測定を行った結果、650nm付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、8Vで690cd/m2の輝度が
得られた。
【0143】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで350時間であった。
気下に1カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度50cd/m2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで350時間であった。
【0144】
【発明の作用効果】本発明の有機電界発光素子によれ
ば、発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設け
られている有機電界発光素子において、前記有機層に前
記一般式(1)又は[I]で表されるスチリル化合物の少
なくとも1種が含まれているので、高輝度で安定な赤色
発光を有する有機電界発光素子を提供することが可能と
なる。
ば、発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設け
られている有機電界発光素子において、前記有機層に前
記一般式(1)又は[I]で表されるスチリル化合物の少
なくとも1種が含まれているので、高輝度で安定な赤色
発光を有する有機電界発光素子を提供することが可能と
なる。
【図1】本発明に基づく有機電界発光素子の一例の要部
概略断面図である。
概略断面図である。
【図2】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図3】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図4】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図5】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図6】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図7】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図8】同、有機電界発光素子の更に他の例の要部概略
断面図である。
断面図である。
【図9】同、有機電界発光素子を用いたフルカラーの平
面ディスプレイの構成図である。
面ディスプレイの構成図である。
【図10】本発明の実施例1による有機電界発光素子の
発光スペクトル図である。
発光スペクトル図である。
【図11】同、実施例1による有機電界発光素子の電圧
−輝度特性図である。
−輝度特性図である。
【図12】本発明の実施例2による有機電界発光素子の
発光スペクトル図である。
発光スペクトル図である。
【図13】同、実施例2による有機電界発光素子の電圧
−輝度特性図である。
−輝度特性図である。
【図14】本発明の実施例3による有機電界発光素子の
発光スペクトル図である。
発光スペクトル図である。
【図15】同、実施例3による有機電界発光素子の電圧
−輝度特性図である。
−輝度特性図である。
【図16】本発明の実施例5による有機電界発光素子の
発光スペクトル図である。
発光スペクトル図である。
【図17】同、実施例5による有機電界発光素子の電圧
−輝度特性図である。
−輝度特性図である。
1…基板、2…透明電極(陽極)、3…陰極、4…保護
膜、5、5a、5b…有機層、6…正孔輸送層、7…電
子輸送層、8…電源、10…正孔輸送層、11…発光
層、12…電子輸送層、14…輝度信号回路、15…制
御回路、20…発光光、21…ホール(正孔)ブロッキ
ング層、A、B、C、D…有機電界発光素子
膜、5、5a、5b…有機層、6…正孔輸送層、7…電
子輸送層、8…電源、10…正孔輸送層、11…発光
層、12…電子輸送層、14…輝度信号回路、15…制
御回路、20…発光光、21…ホール(正孔)ブロッキ
ング層、A、B、C、D…有機電界発光素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 眞一郎 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 植田 尚之 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (26)
- 【請求項1】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極と
の間に設けられている有機電界発光素子において、前記
有機層に下記一般式(1)で表されるジスチリル化合物
の少なくとも一種が有機発光材料として含まれているこ
とを特徴とする、有機電界発光素子。 【化1】一般式(1): 〔但し、前記一般式(1)において、 R1 、R2 、R3 及びR4 は互いに同一の若しくは異な
る基であって、その少なくとも1つが下記一般式(2)
で表わされるアリール基であり、かつその少なくとも1
つが下記一般式(3)又は(4)で表されるアリール基
であり、 【化2】 (但し、前記一般式(2)、(3)及び(4)におい
て、R5 、R6 、R7 、R 8 、R9 、R10、R11、
R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R
20、R21、R22及びR23は互いに同一の若しくは異なる
基であって、水素原子、飽和若しくは不飽和アルコキシ
ル基、アルキル基、アミノ基、アルキルアミノ基 、フェニル基等の置換若しくは無置換のアリール基、又
は水酸基である。)Xは下記一般式(5)又は(6)で
表される置換若しくは無置換のアリール基である。 【化3】 (但し、前記一般式(5)及び(6)において、R24、
R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R
33、R34、R35、R36、R37、R38及びR39は互いに同
一の若しくは異なる基であって、水素原子、シアノ基、
ニトロ基又はハロゲン原子である。)〕 - 【請求項2】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層
とが積層された有機積層構造を有しており、前記正孔輸
送層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用いられ
ている、請求項1に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項3】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層
とが順次積層された有機積層構造を有しており、前記電
子輸送層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用い
られている、請求項1に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項4】 前記有機層が、正孔輸送層と発光層と電
子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、前
記発光層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用い
られている、請求項1に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項5】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極と
の間に設けられている有機電界発光素子において、前記
有機層に下記構造式(7)−1、(7)−2、(7)−
3、(7)−4、(7)−5、(7)−6、(7)−
7、(7)−8又は(7)−9で表されるジスチリル化
合物の少なくとも1種が有機発光材料として含まれてい
ることを特徴とする、有機電界発光素子。 【化4】構造式(7)−1: 構造式(7)−2: 構造式(7)−3: 構造式(7)−4: 構造式(7)−5: 構造式(7)−6: 構造式(7)−7: 構造式(7)−8: 構造式(7)−9: - 【請求項6】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層
とが積層された有機積層構造を有しており、前記正孔輸
送層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用いられ
ている、請求項5に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項7】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層
とが順次積層された有機積層構造を有しており、前記電
子輸送層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用い
られている、請求項5に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項8】 前記有機層が、正孔輸送層と発光層と電
子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、前
記発光層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用い
られている、請求項5に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項9】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極と
の間に設けられている有機電界発光素子において、前記
有機層に下記一般式(1)で表されるジスチリル化合物
の少なくとも一種が有機発光材料として含まれているこ
とを特徴とする、有機電界発光素子。 【化5】一般式(1): 〔但し、前記一般式(1)において、 R1 、R2 、R3 及びR4 は互いに同一の若しくは異な
る基であって、下記一般式(3)又は(4)で表される
アリール基であり、 【化6】 (但し、前記一般式(3)及び(4)において、R10、
R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R
19、R20、R21、R22及びR23は互いに同一の若しくは
異なる基であって、水素原子、飽和若しくは不飽和アル
コキシル基、アルキル基、アミノ基、アルキルアミノ
基、フェニル基等の置換若しくは無置換のアリール基、
又は水酸基である。) Xは下記一般式(5)又は(6)で表される置換若しく
は無置換のアリール基である。 【化7】 【化8】 (但し、前記一般式(5)及び(6)において、R24、
R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R
33、R34、R35、R36、R37、R38及びR39は、互いに
同一の若しくは異なる基であって、水素原子、シアノ
基、ニトロ基又はハロゲン原子である。)〕 - 【請求項10】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送
層とが積層された有機積層構造を有しており、前記正孔
輸送層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用いら
れている、請求項9に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項11】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送
層とが順次積層された有機積層構造を有しており、前記
電子輸送層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用
いられている、請求項9に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項12】 前記有機層が、正孔輸送層と発光層と
電子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、
前記発光層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用
いられている、請求項9に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項13】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極
との間に設けられている有機電界発光素子において、前
記有機層に下記構造式(7)−6、(7)−7、(7)
−8又は(7)−9で表されるジスチリル化合物の少な
くとも1種が有機発光材料として含まれていることを特
徴とする、有機電界発光素子。 【化9】構造式(7)−6: 構造式(7)−7: 構造式(7)−8: 構造式(7)−9: - 【請求項14】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送
層とが積層された有機積層構造を有しており、前記正孔
輸送層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用いら
れている、請求項13に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項15】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送
層とが順次積層された有機積層構造を有しており、前記
電子輸送層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用
いられている、請求項13に記載した有機電界発光素
子。 - 【請求項16】 前記有機層が、正孔輸送層と発光層と
電子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、
前記発光層の形成材料として前記ジスチリル化合物が用
いられている、請求項13に記載した有機電界発光素
子。 - 【請求項17】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極
との間に設けられている有機電界発光素子において、前
記有機層のうちの少なくとも1層が下記一般式[I]で
示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記スチリル
化合物で構成された有機層の陰極側に接してホールブロ
ッキング層が存在することを特徴とする有機電界発光素
子。 【化10】一般式[I]: [但し、前記一般式[I]において、X1は下記一般式
(8)〜(11)で表される基であり、 【化11】 (但し、前記一般式(8)〜(11)中のR41〜R48、R
49〜R56、R57〜R64、及びR65〜R72のそれぞれにおい
て、少なくとも一つがハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、トリフルオロメチル基から選ばれた基であり、その
他は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロ
メチル基から選ばれた基である。またそれらが同一であ
っても異なっても良い。) また、Y1及びY2は下記一般式(12)、(13)及び
(14)から選ばれた基である。 【化12】 (但し、前記一般式(12)〜(14)中のR73およびR
74は水素原子、置換基を有しても良いアルキル基、置換
基を有しても良いアリール基から選ばれた基であり、そ
れらが同一であっても異なっても良い。また、R75〜R97
は水素原子、置換基を有しても良いアルキル基、置換基
を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いアル
コキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、トリフ
ルオロメチル基から選ばれた基であって、それらが同一
であっても異なっても良い。)] - 【請求項18】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
送層とが積層された有機積層構造をしており、前記有機
層のうちの少なくとも電子輸送層が前記一般式[I]で
示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記アミノス
チリル化合物で構成された層の陰極側に接して前記ホー
ルブロッキング層が存在する、請求項17に記載した有
機電界発光素子。 - 【請求項19】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
送層とが積層された有機積層構造をしており、前記有機
層のうちの少なくともホール輸送層が前記一般式[I]
で示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記スチリ
ル化合物で構成された層の陰極側に接して前記ホールブ
ロッキング層が存在する、請求項17に記載した有機電
界発光素子。 - 【請求項20】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
送層とが積層された有機積層構造をしており、前記ホー
ル輸送層が前記一般式[I]で示されるスチリル化合物
で構成され、かつ前記電子輸送層が前記一般式[I]で
示されるスチリル化合物で構成され、かつこの電子輸送
性発光性層の陰極側に接して前記ホールブロッキング層
が存在する、請求項17に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項21】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
と電子輸送層とが積層された有機積層構造をしており、
前記有機層のうちの少なくとも前記発光層が前記一般式
[I]で示されるスチリル化合物で構成され、かつ前記
スチリル化合物で構成された層の陰極側に接して前記ホ
ールブロッキング層が存在する、請求項17に記載した
有機電界発光素子。 - 【請求項22】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極
との間に設けられている有機電界発光素子において、前
記有機層のうちの少なくとも1層が下記構造式(15)
−1〜(15)−7で示されるスチリル化合物で構成さ
れ、かつ前記スチリル化合物で構成された層の陰極側に
接してホールブロッキング層が存在することを特徴とす
る、有機電界発光素子。 【化13】 - 【請求項23】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
送層とが積層された有機積層構造をしており、前記有機
層のうちの少なくとも電子輸送層が前記構造式(15)
−1〜(15)−7で示されるスチリル化合物で構成さ
れ、かつ前記スチリル化合物で構成された層に接して陰
極側に前記ホールブロッキング層が存在する、請求項2
2に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項24】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
送層とが積層された有機積層構造をしており、前記有機
層のうちの少なくともホール輸送層が前記構造式(1
5)−1〜(15)−7で示されるスチリル化合物で構
成され、かつ前記スチリル化合物で構成された層に接し
て陰極側に前記ホールブロッキング層が存在する、請求
項22に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項25】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
送層とが積層された有機積層構造をしており、前記ホー
ル輸送層が前記構造式(15)−1〜(15)−7で示
されるスチリル化合物で構成され、かつ前記電子輸送層
が前記構造式(15)−1〜(15)−7で示されるス
チリル化合物で構成され、かつ前記電子輸送性発光層の
陰極側に接して前記ホールブロッキング層が存在する、
請求項22に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項26】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
と電子輸送層とが積層された有機積層構造をしており、
前記有機層のうちの少なくとも前記発光層が前記構造式
(15)−1〜(15)−7で示されるスチリル化合物
で構成され、かつ前記スチリル化合物で構成された層の
陰極側に接して前記ホールブロッキング層が存在する、
請求項22に記載した有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000229659A JP2001110571A (ja) | 1999-07-30 | 2000-07-28 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-216308 | 1999-07-30 | ||
JP21630899 | 1999-07-30 | ||
JP2000229659A JP2001110571A (ja) | 1999-07-30 | 2000-07-28 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001110571A true JP2001110571A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=16686497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000229659A Pending JP2001110571A (ja) | 1999-07-30 | 2000-07-28 | 有機電界発光素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6495274B1 (ja) |
EP (1) | EP1072668B1 (ja) |
JP (1) | JP2001110571A (ja) |
KR (1) | KR100751464B1 (ja) |
CN (1) | CN1319184C (ja) |
DE (1) | DE60039659D1 (ja) |
TW (1) | TW463520B (ja) |
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- 2000-07-21 US US09/624,146 patent/US6495274B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-28 KR KR1020000043755A patent/KR100751464B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-07-28 EP EP00402171A patent/EP1072668B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-28 DE DE60039659T patent/DE60039659D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-28 JP JP2000229659A patent/JP2001110571A/ja active Pending
- 2000-07-31 CN CNB00121795XA patent/CN1319184C/zh not_active Expired - Fee Related
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---|---|
EP1072668A3 (en) | 2004-11-03 |
TW463520B (en) | 2001-11-11 |
KR100751464B1 (ko) | 2007-08-23 |
KR20010049923A (ko) | 2001-06-15 |
EP1072668B1 (en) | 2008-07-30 |
DE60039659D1 (de) | 2008-09-11 |
US6495274B1 (en) | 2002-12-17 |
EP1072668A2 (en) | 2001-01-31 |
CN1319184C (zh) | 2007-05-30 |
CN1283072A (zh) | 2001-02-07 |
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