JPH11297472A - 電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
電界発光素子及びその製造方法Info
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- JPH11297472A JPH11297472A JP10115898A JP11589898A JPH11297472A JP H11297472 A JPH11297472 A JP H11297472A JP 10115898 A JP10115898 A JP 10115898A JP 11589898 A JP11589898 A JP 11589898A JP H11297472 A JPH11297472 A JP H11297472A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-10-one Chemical compound C1=CNC2=C3C(=O)C=CC=C3C=CC2=C1 ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光表示部分以外での発光を確実に防止し、
高精細に発光できる電界発光素子の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 透明基板１１の上にアノード電極１２が
形成され、さらに透明基板１１の上に有機ＥＬ層１３が
成膜され、この有機ＥＬ層１３の上に不透明な第１カソ
ード電極１５が形成されている。この第１カソード電極
１５がマスクとなって、この電極１５で覆われていない
部分の有機ＥＬ層１３が紫外線により劣化されて非発光
領域１３Ａとなっている。第１カソード電極１５が形成
された有機ＥＬ層１３の上に、略全体に亙って第２カソ
ード電極１７が形成されている。このような構成とする
ことにより、有機ＥＬ層１３へは、第１カソード電極１
５のみから電子注入が可能となる。また、第２カソード
電極１７とアノード電極１２とで挟まれた領域（発光可
能領域１３Ｂを除く）では有機ＥＬ層１３が劣化されて
非発光領域１３Ａとなっているため、表示光の発光は起
こらない。このため、キャラクタ表示部のみが点灯表示
され、意図した部分での発光を防止することができる。
高精細に発光できる電界発光素子の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 透明基板１１の上にアノード電極１２が
形成され、さらに透明基板１１の上に有機ＥＬ層１３が
成膜され、この有機ＥＬ層１３の上に不透明な第１カソ
ード電極１５が形成されている。この第１カソード電極
１５がマスクとなって、この電極１５で覆われていない
部分の有機ＥＬ層１３が紫外線により劣化されて非発光
領域１３Ａとなっている。第１カソード電極１５が形成
された有機ＥＬ層１３の上に、略全体に亙って第２カソ
ード電極１７が形成されている。このような構成とする
ことにより、有機ＥＬ層１３へは、第１カソード電極１
５のみから電子注入が可能となる。また、第２カソード
電極１７とアノード電極１２とで挟まれた領域（発光可
能領域１３Ｂを除く）では有機ＥＬ層１３が劣化されて
非発光領域１３Ａとなっているため、表示光の発光は起
こらない。このため、キャラクタ表示部のみが点灯表示
され、意図した部分での発光を防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電界発光素子及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電界発光素子として、有機ＥＬ（ＥＬ；
エレクトロルミネッセンス）層をアノード電極とカソー
ド電極とで挟んだ構成の有機ＥＬ素子が知られている。
このような有機ＥＬ素子の電極構造としては、大きく分
類してセグメントによるキャラクタ表示を行う電極構造
とマトリクスによるドット表示を行う電極構造とがあ
る。キャラクタ表示を行う電極構造を採用した電界発光
素子としては、図５に示すようなものがある。同図に示
すように、この電界発光素子は、透明基板１の上にキャ
ラクタ形状部２Ａ及び外部との接続配線２Ｂにパターニ
ングされたアノード電極２が形成され、透明基板１及び
アノード電極２の上に有機ＥＬ層３が形成され、この有
機ＥＬ層３の上に上記したアノード電極２の接続配線２
Ｂとの重なりを避けるように１枚のカソード電極４が形
成されている。なお、アノード電極２は有機ＥＬ層３に
対して正孔注入材料として機能する、例えばＩＴＯ（in
dium tin oxide）などの透明電極材料が用いられ、カソ
ード電極４としては有機ＥＬ層３に対して電子注入材料
として機能する低仕事関数の金属が用いられている。ま
た、このような有機ＥＬ素子の製造において、アノード
電極２はフォトリソグラフィー技術を用いて形成され、
カソード電極４は所望の電極形状が開口されたメタルマ
スクを用いて電極材料を蒸着することにより形成されて
いる。
エレクトロルミネッセンス）層をアノード電極とカソー
ド電極とで挟んだ構成の有機ＥＬ素子が知られている。
このような有機ＥＬ素子の電極構造としては、大きく分
類してセグメントによるキャラクタ表示を行う電極構造
とマトリクスによるドット表示を行う電極構造とがあ
る。キャラクタ表示を行う電極構造を採用した電界発光
素子としては、図５に示すようなものがある。同図に示
すように、この電界発光素子は、透明基板１の上にキャ
ラクタ形状部２Ａ及び外部との接続配線２Ｂにパターニ
ングされたアノード電極２が形成され、透明基板１及び
アノード電極２の上に有機ＥＬ層３が形成され、この有
機ＥＬ層３の上に上記したアノード電極２の接続配線２
Ｂとの重なりを避けるように１枚のカソード電極４が形
成されている。なお、アノード電極２は有機ＥＬ層３に
対して正孔注入材料として機能する、例えばＩＴＯ（in
dium tin oxide）などの透明電極材料が用いられ、カソ
ード電極４としては有機ＥＬ層３に対して電子注入材料
として機能する低仕事関数の金属が用いられている。ま
た、このような有機ＥＬ素子の製造において、アノード
電極２はフォトリソグラフィー技術を用いて形成され、
カソード電極４は所望の電極形状が開口されたメタルマ
スクを用いて電極材料を蒸着することにより形成されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな有機ＥＬ素子においては、アノード電極２のキャラ
クタ形状部２Ａが複雑になると、接続配線２Ｂとカソー
ド電極４との重なりを避けることが困難となり、ともす
ると接続配線２Ｂとカソード電極４とが有機ＥＬ層３を
介して重なってしまい、キャラクタ形状以外のその部分
で意図しない表示が生じてしまうという問題があった。
うな有機ＥＬ素子においては、アノード電極２のキャラ
クタ形状部２Ａが複雑になると、接続配線２Ｂとカソー
ド電極４との重なりを避けることが困難となり、ともす
ると接続配線２Ｂとカソード電極４とが有機ＥＬ層３を
介して重なってしまい、キャラクタ形状以外のその部分
で意図しない表示が生じてしまうという問題があった。
【０００４】また、発光領域の微細化は、アノード電極
２がフォトリソグラフィーによりパターニングされるた
め、カソード電極４のメタルマスクの微細化に依存し、
メタルマスクの加工限度以上の微細化は不可能となると
いう問題がある。
２がフォトリソグラフィーによりパターニングされるた
め、カソード電極４のメタルマスクの微細化に依存し、
メタルマスクの加工限度以上の微細化は不可能となると
いう問題がある。
【０００５】この発明が解決しようとする課題は、発光
表示部分以外での発光を確実に防止でき、しかもメタル
マスクの簡略化も可能な、電界発光素子の製造方法を得
るにはどのような手段を講じればよいかという点にあ
る。
表示部分以外での発光を確実に防止でき、しかもメタル
マスクの簡略化も可能な、電界発光素子の製造方法を得
るにはどのような手段を講じればよいかという点にあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
電界発光素子の製造方法であって、基板の上に、アノー
ド電極をパターン形成する工程と、前記アノード電極が
形成された前記基板の上に、有機エレクトロルミネッセ
ンス層を成膜する工程と、前記有機エレクトロルミネッ
センス層の上に、第１カソード電極を、第１メタルマス
クを用いて蒸着して形成する工程と、前記第１カソード
電極をマスクとして露呈する前記有機エレクトロルミネ
ッセンス層へ紫外線を照射して劣化させる工程と、前記
第１カソード電極の上に、第２メタルマスクを用いて第
２カソード電極を蒸着により形成する工程とを備えるこ
とを特徴としている。
電界発光素子の製造方法であって、基板の上に、アノー
ド電極をパターン形成する工程と、前記アノード電極が
形成された前記基板の上に、有機エレクトロルミネッセ
ンス層を成膜する工程と、前記有機エレクトロルミネッ
センス層の上に、第１カソード電極を、第１メタルマス
クを用いて蒸着して形成する工程と、前記第１カソード
電極をマスクとして露呈する前記有機エレクトロルミネ
ッセンス層へ紫外線を照射して劣化させる工程と、前記
第１カソード電極の上に、第２メタルマスクを用いて第
２カソード電極を蒸着により形成する工程とを備えるこ
とを特徴としている。
【０００７】請求項１記載の発明では、第１カソード電
極を形成するための第１メタルマスクが、例えば、キャ
ラクタ部の形状のみを形成すればよく、第２カソード電
極を形成するための第２メタルマスクは少なくとも第１
カソード電極上に第２カソード電極を形成する簡単な形
状のマスクでよいため、メタルマスクの加工が容易にな
り、また、カソード配線を第２カソード電極で形成すれ
ば、その分第１メタルマスクの強度を強くすることがで
き、さらに第１カソード電極以外の第２カソード電極と
アノード電極との重なり領域の有機エレクトロルミネッ
センス層は、紫外線により劣化しているので、第２カソ
ード電極配線が不要に発光することはない。
極を形成するための第１メタルマスクが、例えば、キャ
ラクタ部の形状のみを形成すればよく、第２カソード電
極を形成するための第２メタルマスクは少なくとも第１
カソード電極上に第２カソード電極を形成する簡単な形
状のマスクでよいため、メタルマスクの加工が容易にな
り、また、カソード配線を第２カソード電極で形成すれ
ば、その分第１メタルマスクの強度を強くすることがで
き、さらに第１カソード電極以外の第２カソード電極と
アノード電極との重なり領域の有機エレクトロルミネッ
センス層は、紫外線により劣化しているので、第２カソ
ード電極配線が不要に発光することはない。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の電
界発光素子の製造方法であって、前記第２カソード電極
の材料は、前記第１カソード電極より酸化されにくい材
料で形成されることを特徴としている。請求項２記載の
発明によれば、第２カソード電極が第１カソード電極の
酸化を抑制することができる。
界発光素子の製造方法であって、前記第２カソード電極
の材料は、前記第１カソード電極より酸化されにくい材
料で形成されることを特徴としている。請求項２記載の
発明によれば、第２カソード電極が第１カソード電極の
酸化を抑制することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る電界発光素
子の製造方法及び電界発光素子の構成の詳細を図１〜図
４に示す実施形態に基づいて説明する。
子の製造方法及び電界発光素子の構成の詳細を図１〜図
４に示す実施形態に基づいて説明する。
【００１０】先ず、例えばガラスや合成樹脂などでなる
透明基板１１の上に例えばＩＴＯ膜を成膜し、このＩＴ
Ｏ膜をフォトリソグラフィー技術を用いて、本実施形態
では、例えば図１（ａ）に示すようなパターンの２つの
アノード電極１２を形成する。このアノード電極１２の
パターンは、表示領域を略二分するように互いに分離し
てそれぞれ矩形状に形成され、それぞれのアノード電極
１２に透明基板１１の一側縁まで引き出される引き出し
配線１２Ａが形成されている。また、アノード電極１２
のパターニングにおいては、後記する第２カソード電極
１７が接続されるカソード端子部１２Ｂも同時に形成す
る。図１（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
透明基板１１の上に例えばＩＴＯ膜を成膜し、このＩＴ
Ｏ膜をフォトリソグラフィー技術を用いて、本実施形態
では、例えば図１（ａ）に示すようなパターンの２つの
アノード電極１２を形成する。このアノード電極１２の
パターンは、表示領域を略二分するように互いに分離し
てそれぞれ矩形状に形成され、それぞれのアノード電極
１２に透明基板１１の一側縁まで引き出される引き出し
配線１２Ａが形成されている。また、アノード電極１２
のパターニングにおいては、後記する第２カソード電極
１７が接続されるカソード端子部１２Ｂも同時に形成す
る。図１（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【００１１】次に、図２（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、アノード電極１２を形成した透明基板１１の上に、
有機ＥＬ層１３を蒸着により成膜する。なお、この有機
ＥＬ層１３としては、下層から順に、N,N'-ジ（α-ナフ
チル）-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミ
ン（以下、α−ＮＰＤという）からなる有機正孔輸送層
と、4,4'-ビス（2,2'-ジフェニルビニレン）ビフェニル
（以下、ＤＰＶＢｉという）９６ｗｔ％と、4,4'-ビス
（2-カルバゾールビニレン）ビフェニル（以下、ＢＣｚ
ＶＢｉという）４ｗｔ％とからなる有機発光層と、トリ
ス（8-ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以下、Ａｌ
ｑ３という）からなる有機電子輸送層の３層を順次積層
して形成する。
に、アノード電極１２を形成した透明基板１１の上に、
有機ＥＬ層１３を蒸着により成膜する。なお、この有機
ＥＬ層１３としては、下層から順に、N,N'-ジ（α-ナフ
チル）-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミ
ン（以下、α−ＮＰＤという）からなる有機正孔輸送層
と、4,4'-ビス（2,2'-ジフェニルビニレン）ビフェニル
（以下、ＤＰＶＢｉという）９６ｗｔ％と、4,4'-ビス
（2-カルバゾールビニレン）ビフェニル（以下、ＢＣｚ
ＶＢｉという）４ｗｔ％とからなる有機発光層と、トリ
ス（8-ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以下、Ａｌ
ｑ３という）からなる有機電子輸送層の３層を順次積層
して形成する。
【００１２】次に、図３（ａ）に示すように、表示キャ
ラクタ形状の開口部１４Ａが形成された第１メタルマス
ク１４を有機ＥＬ層１３の上に位置合わせして載せ、Ｍ
ｇＩｎ、ＭｇＡｇなどの低仕事関数の合金を蒸着する。
その後、同図（ａ）に示すように、第１メタルマスク１
４を取り外すことにより、有機ＥＬ層１３上にキャラク
タ形状の第１カソード電極１５、１５が残る。その後、
図３（ｂ）に示すように、有機ＥＬ層１３に対して垂直
に入射する紫外線を照射する。これにより、第１カソー
ド電極１５で覆われた領域以外の領域の有機ＥＬ層１３
は紫外線が入射することにより、劣化が起こり非発光領
域１３Ａとなり電界が印加されても発光を起こさなくな
る。すなわち、第１カソード電極１５に覆われた部分の
有機ＥＬ層１３のみが発光可能領域１３Ｂとなる。
ラクタ形状の開口部１４Ａが形成された第１メタルマス
ク１４を有機ＥＬ層１３の上に位置合わせして載せ、Ｍ
ｇＩｎ、ＭｇＡｇなどの低仕事関数の合金を蒸着する。
その後、同図（ａ）に示すように、第１メタルマスク１
４を取り外すことにより、有機ＥＬ層１３上にキャラク
タ形状の第１カソード電極１５、１５が残る。その後、
図３（ｂ）に示すように、有機ＥＬ層１３に対して垂直
に入射する紫外線を照射する。これにより、第１カソー
ド電極１５で覆われた領域以外の領域の有機ＥＬ層１３
は紫外線が入射することにより、劣化が起こり非発光領
域１３Ａとなり電界が印加されても発光を起こさなくな
る。すなわち、第１カソード電極１５に覆われた部分の
有機ＥＬ層１３のみが発光可能領域１３Ｂとなる。
【００１３】その後、図４（ａ）に示すように、有機Ｅ
Ｌ層１３の上面と略同程度もしくはそれより小さい面積
・形状の開口部１６Ａが開設された第２メタルマスク１
６を、第１カソード電極１５が形成された有機ＥＬ層１
３の上に位置合わせして載置し、第１カソード電極１５
と同一の材料または酸化されにくい導電性材料を蒸着し
て同図（ｂ）に示すような第２カソード電極１７を形成
する。第２カソード電極１７は、第１カソード電極１５
及び有機ＥＬ層１３を覆うように配置されるが、アノー
ド電極１２と導通はされていない。ここで、第２カソー
ド電極１７の材料として第１カソード電極１５の材料よ
り酸化されにくい導電性材料を用いれば、ＭｇＩｎ、Ａ
ｌＬｉなどの酸化され易い合金でなる第１カソード電極
１５を第２カソード電極１７で保護することができ、例
えばダークスポット（非点灯部：黒点）などの不都合が
発生するのを抑制することが可能となる。なお、この第
２カソード電極１７の一側縁部１７Ａは引き出し電極と
して形成され、この部分が上記したカソード端子部１２
Ｂに重なって接続され配線が低抵抗化するように設定さ
れている。このようにして、図４（ｂ）に示すような電
界発光素子１０の製造が完了する。
Ｌ層１３の上面と略同程度もしくはそれより小さい面積
・形状の開口部１６Ａが開設された第２メタルマスク１
６を、第１カソード電極１５が形成された有機ＥＬ層１
３の上に位置合わせして載置し、第１カソード電極１５
と同一の材料または酸化されにくい導電性材料を蒸着し
て同図（ｂ）に示すような第２カソード電極１７を形成
する。第２カソード電極１７は、第１カソード電極１５
及び有機ＥＬ層１３を覆うように配置されるが、アノー
ド電極１２と導通はされていない。ここで、第２カソー
ド電極１７の材料として第１カソード電極１５の材料よ
り酸化されにくい導電性材料を用いれば、ＭｇＩｎ、Ａ
ｌＬｉなどの酸化され易い合金でなる第１カソード電極
１５を第２カソード電極１７で保護することができ、例
えばダークスポット（非点灯部：黒点）などの不都合が
発生するのを抑制することが可能となる。なお、この第
２カソード電極１７の一側縁部１７Ａは引き出し電極と
して形成され、この部分が上記したカソード端子部１２
Ｂに重なって接続され配線が低抵抗化するように設定さ
れている。このようにして、図４（ｂ）に示すような電
界発光素子１０の製造が完了する。
【００１４】本実施形態の電界発光素子１０は、上記し
たように、透明基板１１の上に表示キャラクタに対して
面積の大きいアノード電極１２が形成され、表示領域全
体に亙って連続する有機ＥＬ層１３が成膜され、この有
機ＥＬ層１３の上に不透明な第１カソード電極１５が形
成されている。この第１カソード電極１５がマスクとな
って、この電極１５で覆われていない部分の有機ＥＬ層
１３が紫外線により劣化されて非発光領域１３Ａとな
り、この間に電圧が印加されても発光しない。第１カソ
ード電極１５が形成された有機ＥＬ層１３の上に、略全
体に亙って第２カソード電極１７が形成されている。こ
のような構成とすることにより、有機ＥＬ層１３へは、
第１カソード電極１５のみから電子注入が可能となり、
面積の大きいアノード電極１２から有機ＥＬ層１３へは
第１カソード電極１５と対向する領域（発光可能領域１
３Ｂ）へのみ正孔注入が可能となる。第２カソード電極
１７とアノード電極１２とで挟まれた領域（発光可能領
域１３Ｂを除く）では有機ＥＬ層１３が劣化されて非発
光領域１３Ａとなっているため、表示光の発光は起こら
ない。このため、第１カソード電極１５の形状にしたが
ってキャラクタ表示部のみが点灯表示され、意図しない
部分での発光が起こることがない。そして、第１カソー
ド電極１５に接続されるカソード端子部１２Ｂを第２メ
タルマスク１４で形成しているので、第１メタルマスク
１４は表示部のみの開口部１４Ａだけ開口していればよ
いため強度が強くなり、第１カソード電極１５を高精細
でかつ比較的広い面積に形成することができる。
たように、透明基板１１の上に表示キャラクタに対して
面積の大きいアノード電極１２が形成され、表示領域全
体に亙って連続する有機ＥＬ層１３が成膜され、この有
機ＥＬ層１３の上に不透明な第１カソード電極１５が形
成されている。この第１カソード電極１５がマスクとな
って、この電極１５で覆われていない部分の有機ＥＬ層
１３が紫外線により劣化されて非発光領域１３Ａとな
り、この間に電圧が印加されても発光しない。第１カソ
ード電極１５が形成された有機ＥＬ層１３の上に、略全
体に亙って第２カソード電極１７が形成されている。こ
のような構成とすることにより、有機ＥＬ層１３へは、
第１カソード電極１５のみから電子注入が可能となり、
面積の大きいアノード電極１２から有機ＥＬ層１３へは
第１カソード電極１５と対向する領域（発光可能領域１
３Ｂ）へのみ正孔注入が可能となる。第２カソード電極
１７とアノード電極１２とで挟まれた領域（発光可能領
域１３Ｂを除く）では有機ＥＬ層１３が劣化されて非発
光領域１３Ａとなっているため、表示光の発光は起こら
ない。このため、第１カソード電極１５の形状にしたが
ってキャラクタ表示部のみが点灯表示され、意図しない
部分での発光が起こることがない。そして、第１カソー
ド電極１５に接続されるカソード端子部１２Ｂを第２メ
タルマスク１４で形成しているので、第１メタルマスク
１４は表示部のみの開口部１４Ａだけ開口していればよ
いため強度が強くなり、第１カソード電極１５を高精細
でかつ比較的広い面積に形成することができる。
【００１５】以上、実施形態について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の設計変更が可能である。例えば、上記した実
施形態では、任意の形状の第１カソード電極１５を用い
て説明したが、セグメントによるキャラクタ表示に本発
明を適用することも勿論可能である。また、上記した実
施形態では、有機ＥＬ層１３を有機正孔輸送層、有機発
光層、有機電子輸送層の３層を積層した構成としたが、
これに限定されるものではなく、例えば２層構造とな
し、アノード電極１２側から、順次、ビス（10-ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリン）化ベリリウム（以下、Ｂｅｂ
ｑ２という）でなる、電子輸送層を兼ねた発光層、α−
ＮＰＤでなる正孔輸送層を積層した構成とすることも可
能である。また、第１カソード電極１５は、ＡｌＬｉ等
のアルミニウム合金としてもよい。上記実施形態では、
第２カソード電極１７をほぼ有機ＥＬ層１３の全面上に
形成したが、第１カソード電極１５とカソード端子部１
２Ｂとを接続する一側縁部１７Ａだけ形成してもよい。
また、第１メタルマスクでカソード電極端子部１２Ｂを
形成せず、第２メタルマスクで、一側縁部１７Ａのみで
カソード電極１５のカソード配線としてもよい。
明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の設計変更が可能である。例えば、上記した実
施形態では、任意の形状の第１カソード電極１５を用い
て説明したが、セグメントによるキャラクタ表示に本発
明を適用することも勿論可能である。また、上記した実
施形態では、有機ＥＬ層１３を有機正孔輸送層、有機発
光層、有機電子輸送層の３層を積層した構成としたが、
これに限定されるものではなく、例えば２層構造とな
し、アノード電極１２側から、順次、ビス（10-ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリン）化ベリリウム（以下、Ｂｅｂ
ｑ２という）でなる、電子輸送層を兼ねた発光層、α−
ＮＰＤでなる正孔輸送層を積層した構成とすることも可
能である。また、第１カソード電極１５は、ＡｌＬｉ等
のアルミニウム合金としてもよい。上記実施形態では、
第２カソード電極１７をほぼ有機ＥＬ層１３の全面上に
形成したが、第１カソード電極１５とカソード端子部１
２Ｂとを接続する一側縁部１７Ａだけ形成してもよい。
また、第１メタルマスクでカソード電極端子部１２Ｂを
形成せず、第２メタルマスクで、一側縁部１７Ａのみで
カソード電極１５のカソード配線としてもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、発光表示部分以外での発光を確実に防止で
き、しかもメタルマスクの簡略化及び強度向上も可能に
するという効果がある。
明によれば、発光表示部分以外での発光を確実に防止で
き、しかもメタルマスクの簡略化及び強度向上も可能に
するという効果がある。
【図１】（ａ）は本発明に係る電界発光素子の実施形態
の製造工程を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面
図。
の製造工程を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面
図。
【図２】（ａ）は本実施形態の電界発光素子の製造工程
を示す分解斜視図、（ｂ）は工程断面図。
を示す分解斜視図、（ｂ）は工程断面図。
【図３】（ａ）は本実施形態の電界発光素子の製造工程
を示す分解斜視図、（ｂ）は工程断面図。
を示す分解斜視図、（ｂ）は工程断面図。
【図４】（ａ）は本実施形態の電界発光素子の製造工程
を示す分解斜視図、（ｂ）は工程断面図。
を示す分解斜視図、（ｂ）は工程断面図。
【図５】従来の電界発光素子を示す分解斜視図。
１０ 電界発光素子 １１ 透明基板 １２ アノード電極 １３ 有機ＥＬ層 １３Ａ 非発光領域 １３Ｂ 発光可能領域 １４ 第１メタルマスク １５ 第１カソード電極 １６ 第２メタルマスク １７ 第２カソード電極
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の上に、アノード電極をパターン形
成する工程と、 前記アノード電極が形成された前記透明基板の上に、有
機エレクトロルミネッセンス層を成膜する工程と、 前記有機エレクトロルミネッセンス層の上に、第１カソ
ード電極を、第１メタルマスクを用いて蒸着して形成す
る工程と、 前記第１カソード電極をマスクとして露呈する前記有機
エレクトロルミネッセンス層へ紫外線を照射して劣化さ
せる工程と、 前記第１カソード電極の上に、第２メタルマスクを用い
て第２カソード電極を蒸着により形成する工程と、 を備えることを特徴とする電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記第２カソード電極の材料は、前記第
１カソード電極より酸化されにくい材料で形成されるこ
とを特徴とする請求項１記載の電界発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10115898A JPH11297472A (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 電界発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10115898A JPH11297472A (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 電界発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297472A true JPH11297472A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14673942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10115898A Pending JPH11297472A (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 電界発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297472A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7285910B2 (en) | 2002-11-04 | 2007-10-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescence device for preventing current leakage and improving inkjet-printing quality |
| JP2008251397A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2014534594A (ja) * | 2011-11-03 | 2014-12-18 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Ｏｌｅｄの構造化 |
| WO2018211776A1 (ja) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-04-13 JP JP10115898A patent/JPH11297472A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7285910B2 (en) | 2002-11-04 | 2007-10-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescence device for preventing current leakage and improving inkjet-printing quality |
| JP2008112747A (ja) * | 2002-11-04 | 2008-05-15 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光ディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2008251397A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2014534594A (ja) * | 2011-11-03 | 2014-12-18 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Ｏｌｅｄの構造化 |
| WO2018211776A1 (ja) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
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