JP2009187774A - 有機エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】曲面化及び大面積化が可能な発光面を有する有機EL素子を提供する。
【解決手段】基板10と、列方向に配列された複数の透明電極21〜2n、及び複数の透明電極21〜2nそれぞれの外縁部と重なって行方向に延伸する複数の補助電極31〜3nを有して基板10上に配置された第1電極層20と、第1電極層20上に配置された有機層40と、有機層40上に配置され、列方向に延伸する第2電極層50とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、透明電極層を有する有機エレクトロルミネセンス素子に関する。
近年、有機物中に注入された電子と正孔の再結合を利用して発光する有機エレクトロルミネセンス素子(以下において、「有機EL素子」という。)が、照明や表示装置等に使用されてきている。通常、有機EL素子は、ガラス基板やプラスティック基板等の透明基板上に、酸化インジウムスズ(ITO)等からなる透明電極層、有機層、金属電極層を積層して形成される。そして、透明電極層と金属電極層間に電圧を印加して有機層に電流を流すことにより、有機層で光を発生させる。
プラスティック基板等のフレキシブル基板を使用する場合には、有機EL素子を曲げることが可能である(例えば、特許文献1参照。)。このため、発光面を曲面とする照明や表示装置等を実現できる。
特開2004−47381号公報
しかしながら、透明電極層として採用されるITO等は結晶性の金属酸化物であり、フレキシブル基板を曲げる際に透明電極層の割れが生じやすい。特に、結晶性の強い膜の場合は割れの発生が顕著である。ITO等は金属と比較して電気抵抗が高く、低抵抗化のためにはITO膜形成時のアニール温度を上げて結晶性を強くする必要がある。このため、透明電極層の断線が生じやすく、大面積の有機EL素子の実現が困難であるという問題があった。
上記問題点を鑑み、本発明は、曲面化及び大面積化が可能な発光面を有する有機EL素子を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、(イ)基板と、(ロ)列方向に配列された複数の透明電極、及び複数の透明電極それぞれの外縁部と重なって行方向に延伸する複数の補助電極を有し、基板上に配置された第1電極層と、(ハ)第1電極層上に配置された有機層と、(ニ)有機層上に配置され、列方向に延伸する第2電極層とを備える有機エレクトロルミネセンス素子が提供される。
本発明によれば、曲面化及び大面積化が可能な発光面を有する有機EL素子を提供できる。
次に、図面を参照して、本発明の第1及び第2の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
又、以下に示す第1及び第2の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態に係る有機EL素子は、図1に上面図、図2に断面図を示すように、基板10と、列方向に配列された複数の透明電極21〜2n及び複数の透明電極21〜2nそれぞれの外縁部と重なって行方向に延伸する複数の補助電極31〜3nを有して基板10上に配置された第1電極層20と、第1電極層20上に配置された有機層40と、有機層40上に配置され、行方向と直交する列方向に延伸する第2電極層50とを備える(n:2以上の整数)。図2は図1のI−I方向に沿った断面図である。
図1では図示を省略したが、基板10と有機層40との間に絶縁膜60が配置される。図2に示すように、絶縁膜60は、第1電極層20上、及び主面11の第1電極層20が配置された残余の領域上に配置される。そして、絶縁膜60の開口部61〜6nにおいて有機層40と透明電極21〜2nとが接する。
そして、第1電極層20、有機層40及び第2電極層50が積層された発光領域で発光が生じる。つまり、開口部61〜6nを形成した領域が、図1に示した有機EL素子の発光領域になる。第1電極層20を透明アノード電極とし、第2電極層50を金属カソード電極として有機層40に電界を印加することで、有機層40で光が発生する。具体的には、第1電極層20から有機層40に正孔が供給され、第2電極層50から有機層40に電子が供給される。そして、正孔と電子の再結合により発生した光が有機層40から放出され、透明電極21〜2n及び透明基板である基板10を透過して、主面11に対向する基板10の裏面(以下において「発光面」という。)12から有機EL素子の外部に出力光Lが出力される。
図1に示した有機EL素子は、発光領域の大きな照明装置等に適用可能である。透明電極21〜2nのサイズは、例えば列方向及び行方向の長さが5cm程度である。透明電極21〜2nの間隔は50μm程度であり、透明電極21〜2n及び補助電極31〜3nは5cm程度のピッチで配置される。また、絶縁膜60の開口部61〜6nは、透明電極21〜2nの外縁から50μm程度内側に形成される。
基板10には、例えばプラスティック基板等のフレキシブル基板が採用可能である。具体的には、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板、ポリカーボネート(PC)基板、ポリエチレン(PE)基板等の曲げることが可能な透明基板を基板10に採用できる。
透明電極21〜2nには、ITO膜、酸化亜鉛(ZnO)膜、アルミニウム(Al)ドープの酸化チタン(TiO2)膜、酸化スズ(SnO2)膜等が採用可能である。また、補助電極31〜3nには、金(Au)膜、Al膜、モリブデン(Mo)膜、クロム(Cr)膜、銀(Ag)膜等が採用可能である。特に、展性と延性に優れたAu膜を補助電極31〜3nに採用することが好ましい。
有機層40は、有機化合物等からなる正孔輸送層や電子輸送層等が積層された構造である。例えば、正孔輸送層にジフェニルナフチルジアミン(NPD)膜等が採用可能であり、電子輸送層にキノリノールアルミ錯体(Alq3)膜等が採用可能である。なお、有機層40が、正孔輸送層と電子輸送層の間に配置された発光層を備える構造であってもよい。また、正孔注入層として、銅フタロシアニン(CuPc)層を透明電極21〜2nと正孔輸送層間に配置してもよい。
第2電極層50には、アルミニウム(Al)膜、マグネシウム(Mg)−Ag合金膜等が採用可能である。
一般に、ITO等からなる透明電極21〜2nの電気抵抗は大きい。そのため、補助電極31〜3nがない場合は、透明電極21〜2nにおける電圧降下により、透明電極21〜2nに電圧を印加する電極端子(図示略)に近い領域と遠い領域との間で電位差が生じ得る。その結果、透明電極21〜2nにおける電圧降下量の分布に対応して、有機層40に生じる電界強度の分布が発生する。電界強度が小さいほど有機層40で発生する光の輝度が低下する。このため、透明電極21〜2nにおける電圧降下量のばらつきに起因して、有機層40で生じる光の輝度にばらつきが生じるという問題が生じる。
しかし、図1に示した有機EL素子では、電気抵抗の小さい金属膜からなる補助電極31〜3nに正電位を印加して、補助電極31〜3nから透明電極21〜2nに正孔が供給される。このため、第1電極層20での電圧降下に起因する光の輝度分布ばらつきが生じない。なお、図1、図2に示すように、透明電極21〜2nの外縁部でのみ補助電極31〜3nは透明電極21〜2nに重なる。そのため、補助電極31〜3nが形成された非発光領域を小さくできる。
図3に、図1に示した有機EL素子を曲げた状態での列方向に沿った断面の概念図を示す。既に述べたように、透明電極21〜2nとして採用されるITO等は結晶性の強い膜であり、基板10を曲げる際に通常は割れが生じやすい。しかし、図1に示した有機EL素子は、透明電極21〜2nが分離し、端部が自由端になっている。このため、図3に示すように、基板10を曲げた状態において透明電極21〜2nにかかる応力を、透明電極21〜2nの外部に逃がすことができる。
図4に、透明電極200を分離せずに配置した有機EL素子の比較例について、断面の概念図を示す。図4に示した比較例では、透明電極200の結晶粒界等の弱い部分(例えば、図4のA1〜A3。)に基板10を曲げたときの応力が集中し、透明電極200にひびや割れが生じる。
また、図1に示した有機EL素子は補助電極31〜3nから透明電極21〜2nに正孔が供給されるため、透明電極21〜2nのシート抵抗を100〜1000Ω/スクエア程度にできる。補助電極31〜3nが配置されない場合は、透明電極21〜2nでの電圧降下量を抑制するため、通常、透明電極200に使用するITO膜のシート抵抗を10Ω/スクエア程度にする必要がある。シート抵抗を低くするためにはITO膜を200〜300℃程度の高温で形成する必要があるが、この場合はITO膜の結晶性が強くなる。その結果、曲げ応力によって透明電極200が更に割れやすいという問題があった。
一方、図1に示した透明電極21〜2nは、シート抵抗が大きくてもよいため、100℃程度の低温で形成可能である。そのため、透明電極21〜2nに明確な結晶粒界が存在しない。また、透明電極21〜2nの間隔は50μm程度に設定されるため、透明電極21〜2nに結晶粒界が存在したとしても、透明電極21〜2n間を跨ぐような大きな結晶が成長することはない。
次に、図1に示した有機EL素子の製造方法を説明する。なお、以下に述べる有機EL素子の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。
(イ)例えばPET基板等のフレキシブル基板である基板10の主面11上に、蒸着法等により、膜厚100nm程度のAu膜を形成する。このAu膜をフォトリソグラフィ技術を用いたリフトオフ法或いはエッチング法等によりパターニングして、補助電極31〜3nを形成する。発光領域とする領域上に補助電極31〜3nが形成されないように、Au膜をパターニングする。
(ロ)次に、100℃でのスパッタ法等により、ITO膜を膜厚150nm程度で形成する。その後、所望のパターンになるように、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング法等によりITO膜をパターニングして、透明電極21〜2nを形成する。これにより、第1電極層20が形成される。
(ハ)基板10及び第1電極層20の全面に、絶縁膜60用のフォトレジスト膜を膜厚1μm程度に形成する。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁膜60をパターニングし、透明電極21〜2nの表面の一部が露出するまで絶縁膜60をエッチング除去して開口部61〜6nを形成する。
(ニ)開口部61〜6nを埋め込むように、有機層40を絶縁膜60上に形成する。有機層40は、例えば膜厚50nmのCuPc層、膜厚50nmのNPD層、膜厚30nmのAlq3膜の積層体等が採用可能である。
(ホ)次に、有機層40上に膜厚100nm程度のAl膜を形成する。フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング法等により、所望のパターンにAl膜をパターニングして、第2電極層50を形成する。以上により、図1に示した有機EL素子が完成する。
なお、透明電極21〜2nのパターニングには、エッチング法やリフトオフ法、或いはシャドーマスクを使用したパターニングが採用可能である。また、絶縁膜60には、酸化シリコン(SiO2)膜やアルミナ(Al23)膜等も採用可能である。
上記に説明した製造方法のように、100℃程度でのスパッタ法等の低温形成によってITO膜を形成することにより、明確な結晶粒界が存在しない、結晶の小さな透明電極21〜2nを形成できる。このため、曲げ応力による透明電極21〜2nでの断線の発生を抑制できる。
以上に説明したように、本発明の第1の実施の形態に係る有機EL素子では、結晶の小さな透明電極21〜2nが分割して配置され、第1電極層20での電圧降下量の増大を抑制するために補助電極31〜3nが透明電極21〜2nに沿って配置される。そのため、曲げ応力による透明電極21〜2nの断線の発生が抑制され、かつ第1電極層20での電圧降下に起因する出力光Lの発光面12での輝度ばらつきが抑制される。その結果、曲面化及び大面積化が可能な発光面12を有する、照明装置等に適用可能な有機EL素子が提供される。
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態に係る有機EL素子は、図5に示すように、透明電極21〜2nのそれぞれが行方向に配列された複数の透明電極ユニット211〜2nmからなり、第2電極層50が透明電極21〜2nと直交する行方向に配列された複数のストライプ状電極51〜5mからなることが、図1に示した有機EL素子と異なる点である(m:2以上の整数)。
ストライプ状電極51〜5mのそれぞれは、透明電極21〜2n毎に1つの透明電極ユニット211〜2nmと交差する。このため、図5に示すように、ストライプ状電極51〜5mと透明電極21〜2nとが交差する領域はマトリクス状に存在する。例えば、透明電極21は透明電極ユニット211〜21mを有し、透明電極ユニット211〜21mはそれぞれストライプ状電極51〜5mと交差する。
また、透明電極ユニット211〜2nmとストライプ状電極51〜5mとが重なる領域に絶縁膜60の開口部611〜6nmが形成される。この開口部611〜6nmが配置される領域が発光領域になる。つまり、図5に示した有機EL素子では、基板10上に発光領域がn行×m列のマトリクス状に配置される。その他の構成については、図1に示す第1の実施の形態と同様である。
図6は図5のII−II方向に沿った断面図である。また、図5のIII−III方向に沿った断面図を図7に示す。補助電極31〜3nは、透明電極ユニット211〜2nmそれぞれの外縁部と重なって行方向に延伸する。例えば、図5に示すように、補助電極31は、透明電極21に含まれる透明電極ユニット211〜21mの外縁部と重なって行方向に延伸する。そして、透明電極ユニット211〜21mは補助電極31から正孔を供給される。
補助電極31〜3nから正孔が供給される透明電極ユニット211〜2nmはシート抵抗が大きくてもよいため、100℃程度の低温で形成可能である。そのため、透明電極ユニット211〜2nmに明確な結晶粒界が存在せず、仮に透明電極ユニット211〜2nmに結晶粒界が存在したとしても、透明電極ユニット211〜2nm間を跨ぐような大きな結晶が成長することはない。
列方向に延伸するストライプ状電極51〜5mのサイズは、例えば、行方向の幅は480μm程度、ストライプ状電極51〜5mのピッチは500μm程度に設定される。この場合、ストライプ状電極51〜5m間の間隔は20μm程度である。
また、透明電極ユニット211〜2nmのサイズは、例えば列方向及び行方向の幅がそれぞれ450mμ程度に設定される。そして、第1電極層20の電気抵抗を低減するための補助電極31〜3nの幅は5μm程度である。補助電極31〜3nは500μm程度のピッチで配置される。また、絶縁膜60の開口部611〜6nmは、透明電極ユニット211〜2nmの外縁から50μm程度内側に形成される。
図5では、透明電極ユニット211〜2nm毎に形成される絶縁膜60の開口部611〜6nmが正方形の場合を例示したが、開口部611〜6nmが長方形等の他の形状であってもよいことは勿論である。また、透明電極ユニット211〜2nmが単色の光を発光する有機材料のみを含むのではなく、赤、青、緑の3色の光をそれぞれ発光する3つの有機材料を並べた構成であってもよい。絶縁膜60の各開口部611〜6nmに3色の光を発生する有機材料を配列することにより、1つの透明電極ユニット211〜2nmを1つの画素とするカラー表示可能なマトリクス型有機ELディスプレイを実現できる。
以上に説明したように、本発明の第2の実施の形態に係る有機EL素子では、結晶の小さな透明電極ユニット211〜2nmが分割してマトリクス状に配置され、第1電極層20での電圧降下量の増大を抑制するために補助電極31〜3nが配置される。そのため、基板10が曲げられた場合に生じる曲げ応力による透明電極ユニット211〜2nmの断線の発生が抑制され、かつ第1電極層20での電圧降下に起因する出力光Lの発光面12での輝度ばらつきが抑制される。その結果、曲面化及び大面積化が可能な発光面12を有する有機EL素子が提供される。他は、第1の実施の形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
上記のように、本発明は第1及び第2の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
本発明の第1の実施の形態に係る有機EL素子の構成を示す模式的な上面図である。 図1のI−I方向に沿った模式的な断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る有機EL素子を曲げた状態の模式的な断面図である。 比較例の有機EL素子を曲げた状態の模式的な断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る有機EL素子の構成を示す模式的な上面図である。 図5のII−II方向に沿った模式的な断面図である。 図5のIII−III方向に沿った模式的な断面図である。
符号の説明
10…基板
11…主面
12…発光面
20…第1電極層
21〜2n…透明電極
31〜3n…補助電極
40…有機層
50…第2電極層
51〜5m…ストライプ状電極
60…絶縁膜
61〜6n…開口部
200…透明電極
211〜2nm…透明電極ユニット
611〜6nm…開口部

Claims (5)

  1. 基板と、
    列方向に配列された複数の透明電極、及び前記複数の透明電極それぞれの外縁部と重なって行方向に延伸する複数の補助電極を有し、前記基板上に配置された第1電極層と、
    前記第1電極層上に配置された有機層と、
    前記有機層上に配置され、列方向に延伸する第2電極層と
    を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
  2. 前記複数の透明電極のそれぞれが行方向に配列された複数の透明電極ユニットからなり、前記第2電極層が行方向に配列された複数のストライプ状電極からなることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
  3. 前記基板がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
  4. 前記透明電極が酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、アルミニウムドープの酸化チタン、及び酸化スズのいずれかからなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
  5. 前記補助電極が金膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012009420A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置
US8552652B2 (en) 2010-12-21 2013-10-08 Seiko Epson Corporation Lighting device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2013546154A (ja) * 2010-12-20 2013-12-26 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 電流拡散バスを備えた大面積発光電気パッケージ
JP2015230883A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 パイオニア株式会社 発光装置
KR20180066204A (ko) 2015-10-20 2018-06-18 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 el 소자 및 그의 제조 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05307997A (ja) * 1992-04-30 1993-11-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1997034447A1 (fr) * 1996-03-12 1997-09-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Element electroluminescent organique et affichage electroluminescent organique
JPH10275683A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜積層型導電体
JP2001345185A (ja) * 2000-03-27 2001-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2002358843A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP2003036037A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Pioneer Electronic Corp 銀若しくは銀合金配線及びその形成方法並びに表示パネル基板
JP2005302508A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電性シートおよびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP2007178754A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Kyodo Printing Co Ltd 表示装置用素子基板とその製造方法及び液晶表示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05307997A (ja) * 1992-04-30 1993-11-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1997034447A1 (fr) * 1996-03-12 1997-09-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Element electroluminescent organique et affichage electroluminescent organique
JPH10275683A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜積層型導電体
JP2001345185A (ja) * 2000-03-27 2001-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2002358843A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP2003036037A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Pioneer Electronic Corp 銀若しくは銀合金配線及びその形成方法並びに表示パネル基板
JP2005302508A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電性シートおよびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP2007178754A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Kyodo Printing Co Ltd 表示装置用素子基板とその製造方法及び液晶表示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012009420A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置
JP2016136545A (ja) * 2010-05-21 2016-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び照明装置
KR101784218B1 (ko) * 2010-05-21 2017-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 조명 장치
JP2013546154A (ja) * 2010-12-20 2013-12-26 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 電流拡散バスを備えた大面積発光電気パッケージ
TWI552403B (zh) * 2010-12-20 2016-10-01 京東方科技集團股份有限公司 利用電流散佈總線之大面積發光電氣封裝體
US8552652B2 (en) 2010-12-21 2013-10-08 Seiko Epson Corporation Lighting device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2015230883A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 パイオニア株式会社 発光装置
KR20180066204A (ko) 2015-10-20 2018-06-18 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 el 소자 및 그의 제조 방법
US10991904B2 (en) 2015-10-20 2021-04-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic EL element and method for manufacturing same

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