JP2001345185A

JP2001345185A - 発光装置およびその作製方法

Info

Publication number: JP2001345185A
Application number: JP2001086499A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Kenji Fukunaga; 健司福永
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-03-27
Filing date: 2001-03-26
Publication date: 2001-12-14
Anticipated expiration: 2021-03-26
Also published as: JP4693262B2

Abstract

(57)【要約】【課題】画質の均質性の高い発光装置を提供する。【解決手段】絶縁体１０１の上に陽極１０２、陽極１
０２と直交する陰極１０７並びに陽極１０２および陰極
１０７の間に設けられたＥＬ層１０６を含み、陽極１０
２には補助配線１０３が電気的に接続されている。補助
配線１０３は陽極１０２よりも抵抗値の低い材料からな
り、陽極１０２の配線抵抗を低減することが可能であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電極間に発光性材
料を挟んだ素子（以下、発光素子という）を有する装置
（以下、発光装置という）およびその作製方法に関す
る。特に発光性材料としてＥＬ（Electro Luminescenc
e）が得られる発光性材料（以下、ＥＬ材料という）を
利用した発光素子（以下、ＥＬ素子という）を用いた発
光装置（以下、ＥＬ発光装置）に関する。なお、有機Ｅ
Ｌディスプレイや有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Orga
nic Light Emitting Diode）は本発明の発光装置に含ま
れる。

【０００２】また、本発明に用いることのできるＥＬ材
料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励起
を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべて
の発光性材料を含む。

【０００３】

【従来の技術】ＥＬ発光装置は、陽極と陰極との間にＥ
Ｌ材料を挟んだ構造のＥＬ素子を有した構造からなる。
この陽極と陰極との間に電圧を加えてＥＬ材料中に電流
を流することによりキャリアを再結合させて発光させ
る。即ち、ＥＬ発光装置は発光素子自体に発光能力があ
るため、液晶表示装置に用いるようなバックライトが不
要である。さらに視野角が広く、軽量であるという利点
をもつ。

【０００４】パッシブマトリクス型（単純マトリクス
型）ＥＬ発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列され
た複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極
とが互いに直交するように設けられており、その交差部
にＥＬ材料が挟まれた構造となっている。従って、選択
された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との
交点にあたる画素が点灯することになる。即ち、陽極と
陰極との間に電圧を加えてＥＬ材料中に電流を流するこ
とによりキャリアを再結合させて発光させる。このよう
な駆動方法は電流駆動と呼ばれる。

【０００５】ところが、電流駆動であるＥＬ発光装置で
問題となる現象に配線抵抗による電圧降下（ＩＲドロッ
プともいう）がある。これは同一配線であっても電源か
らの距離が遠くなるに従って電圧が低下してしまうとい
う現象である。この問題は特に配線長が長くなった場合
に顕著であり、ＥＬ発光装置の大画面化にとって大きな
障害となっている。

【０００６】特にパッシブマトリクス型ＥＬ発光装置に
おいては、陽極として一般的に可視光に対して透明な酸
化物導電膜を用いるが、酸化物導電膜は金属膜よりも抵
抗が高いという問題があり、前述の電圧降下の影響を受
けやすい。

【０００７】このような配線抵抗に起因する電圧降下や
信号の遅延は画質の均質性を著しく損ねたり、残像現象
を起こしたり、大画面化の弊害となったりする恐れがあ
る。こういった問題は、対角数十インチといった発光装
置においては特に顕著な問題となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、発光素子の
電極となる導電膜の配線抵抗を低減することにより発光
装置の画質の均質性を向上させ、表示品質の高い発光装
置を提供することを課題とする。また、大画面化にも対
応しうる発光装置を提供することを課題とする。さら
に、その発光装置を表示部として用いた表示品質の高い
電気器具を提供することを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明では、酸化物導電
膜からなる陽極の配線抵抗を低減するために、陽極に電
気的に接続されるように補助配線を設け、陽極の配線抵
抗を低減することを特徴とする。

【００１０】この補助配線は金属膜からなる配線を用い
て形成すれば良く、陽極を形成する材料との選択比が確
保できる材料を用いることが望ましい。具体的には、白
金、パラジウム、ニッケル、金、アルミニウム、銅、
銀、タンタル、タングステン、モリブデンもしくはチタ
ンを含む金属膜を用いることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明について図１（Ａ）〜
（Ｃ）を用いて説明する。なお、図１（Ａ）は本発明の
発光装置の画素部の上面図であり、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図、図１（Ｃ）は図１
（Ａ）をＢ−Ｂ’で切断した断面図である。但し、ここ
で示す発光装置は発光素子を封止する前の状態である。

【００１２】本発明の発光装置は、まず絶縁体１０１上
に陽極１０２が設けられている。絶縁体１０１はガラス
基板、プラスチック基板（プラスチックフィルムを含
む）、金属基板もしくはセラミックス基板の上に絶縁膜
を設けたものを用いても良いし、石英基板をそのまま用
いても良い。

【００１３】陽極１０２は帯状（線状といっても良い）
に複数並べられ、全体として縞状（ストライプ状）に配
置されている。また、陽極１０２としては仕事関数の大
きい導電膜が用いられ、典型的には可視光に対して透明
な酸化物導電膜が用いられる。酸化物導電膜としては、
酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛もしくはこれらの
化合物からなる導電膜を用いることができる。さらに、
これらの酸化物導電膜にガリウムを添加したものであっ
ても良い。

【００１４】そして、本発明の特徴は陽極１０２に電気
的に接するように補助配線１０３が設けられる点にあ
る。補助配線１０３は陽極１０２の配線抵抗を見かけ上
低減するための配線であり、陽極１０２よりも低抵抗な
導電膜を用いることが好ましい。代表的には、白金、パ
ラジウム、ニッケル、金、アルミニウム、銅、銀、タン
タル、タングステン、モリブデンもしくはチタンを含む
金属膜を用いると良い。但し、陽極１０２との選択比が
十分確保できることが望ましい。

【００１５】また、補助配線１０３が可視光に対して不
透明である場合は、極力小さい面積で陽極１０２と電気
的に接するように設けることが好ましい。この際、電気
的に接してさえいれば本発明の効果が得られるので、陽
極１０２の上に設けられても下に設けられても良い。

【００１６】なお、図１（Ｂ）に示すように補助配線１
０３は分離絶縁膜１０４に覆われている。分離絶縁膜１
０４は、隣接する陽極間に設けられ、陽極１０２の端部
にＥＬ層１０６が形成されないように分離する役割を担
う絶縁膜である。分離絶縁膜１０４としては珪素を含む
絶縁膜、代表的には酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化
珪素膜もしくは炭化珪素膜を用いることができる。

【００１７】また、図１（Ｂ）に示す構造ではさらに補
助配線１０３とＥＬ層１０６とが接することがないよう
にする役割も担うことになる。これは補助配線１０３と
ＥＬ層１０６とが接することにより発光機構そのものに
変化を与えることがないようにするための配慮である。
もちろん、影響がなければ補助配線１０３とＥＬ層１０
６とが接するような構造とすることも可能である。

【００１８】また、陽極１０２と直交するようにバンク
１０５が設けられている。バンク１０５はこの上に形成
されるＥＬ層１０６および陰極１０７をパターニングす
るためのマスク材として用いられる絶縁膜である。バン
ク１０５は樹脂からなる絶縁膜（以下、樹脂膜という）
を用いて形成すれば良い。樹脂としては、典型的にはポ
リイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂も
しくはノボラック樹脂を用いることができる。

【００１９】また、バンク１０５は下層側の幅が狭く、
下向きに凸形状となっているが、このような形状はエッ
チングレートの異なる二層の絶縁膜を組み合わせること
で実現できる。即ち、上層側より下層側のエッチングレ
ートが早い組み合わせとすれば、等方性エッチングで下
層側の幅を狭くすることが可能である。

【００２０】さらに、バンク１０５と平行に（陽極１０
２と直交するように）ＥＬ層１０６および陰極１０７が
設けられる。これらはバンク１０５によって帯状に分離
され、全体としてストライプ状に設けられている。もち
ろん、帯状に分離された個々の陰極は電気的に絶縁され
ている。

【００２１】なお、本明細書においてＥＬ層とは、ＥＬ
素子において陽極と陰極との間に設けられた絶縁層もし
くは半導体層を指し、様々な有機膜もしくは無機膜を組
み合わせて形成される層である。典型的には、ＥＬ層は
少なくとも発光層を含み、発光層に電荷注入層や電荷輸
送層を組み合わせて用いられる。また、ＥＬ層１０６と
しては、有機ＥＬ材料、無機ＥＬ材料もしくはそれらを
組み合わせたＥＬ材料を用いる。また、有機ＥＬ材料を
用いる場合、低分子材料を用いても高分子材料を用いて
も良く、公知の如何なる材料を用いても良い。

【００２２】また、陰極１０７は仕事関数の小さい導電
膜が用いられ、典型的には周期表の１族もしくは２族に
属する元素を含む導電膜が用いられる。代表的にはマグ
ネシウム、リチウム、セシウム、ベリリウム、カリウム
もしくはカルシウムを含む合金膜が用いられる。また、
ビスマス膜を用いることもできる。

【００２３】以上の陽極１０２、ＥＬ層１０６および陰
極１０７がＥＬ素子１００を形成する。実際には、ＥＬ
素子１００の上に樹脂膜を封止材として設けるか、ＥＬ
素子１００の上に密閉空間を作るかして、ＥＬ素子１０
０を外気から保護する。これはＥＬ層１０６や陰極１０
７が酸化することで劣化してしまうため、酸素および水
に極力触れないようにするためである。

【００２４】以上にような構造を含む本発明の発光装置
は、酸化物導電膜からなる陽極１０２にそれよりも低抵
抗な補助配線１０３を接続することで、陽極１０２の配
線抵抗を見かけ上低減することができる。従って、電圧
降下による画質の均質性のムラを回避することが可能と
なり、表示品質の高い発光装置が得られる。

【００２５】

【実施例】〔実施例１〕本発明の発光装置の一実施例を
図２に示す。発光素子を形成するための基板２０１上に
は画素部２０２が形成されている。画素部２０２は走査
線（ここでは陽極および補助配線を含む積層配線）群２
０３とデータ線（ここでは陰極）群２０４が互いに直交
するように交差している。このとき交差した部分（以
下、交差部という）は走査線とデータ線とにＥＬ材料が
挟まれたＥＬ素子が形成される。このとき画素部２０２
は図１に示した構造の画素部である。

【００２６】また、画素部２０２の周辺（外側）の領域
には、画素部２０２へ各信号を伝送する駆動回路が形成
されたＩＣがＣＯＧ方式により実装されている。本実施
例ではこのＩＣが、ガラス基板、石英基板もしくはプラ
スチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであ
る点に特徴がある。本明細書ではこのような特徴を有す
るＩＣをスティックドライバと呼ぶ。もちろん、シリコ
ン基板上に公知のＩＣ技術により駆動回路を形成したＩ
Ｃチップを用いることも可能である。

【００２７】図２において、２０５はデータ線側のステ
ィックドライバであり、２０６は走査線側のスティック
ドライバである。なお、ここでは複数個に分割して実装
した例を示しているが、各１個づつとしても良い。ま
た、カラー表示に対応した画素部を形成するためには、
ＸＧＡクラスでデータ線の本数が３０７２本であり走査
線側が７６８本必要となる。このような数で形成された
データ線及び走査線は画素部２０２の端部で数ブロック
毎に区分して引出線２０７を形成し、スティックドライ
バ２０５、２０６の出力端子のピッチに合わせて集めら
れている。

【００２８】一方、基板２０１の端部には入力端子２０
８が形成され、この部分で外部回路と接続するＦＰＣ
（フレキシブルプリント配線板：Flexible Printed Cir
cuit）を貼り合わせる。そして、外部入力端子２０８と
スティックドライバとの間は基板２０１上に形成した接
続配線２０９によって結ばれ、最終的にはスティックド
ライバの入力端子のピッチに合わせて集められる。

【００２９】駆動回路が形成されたスティックドライバ
は図３に示すように、駆動回路を形成するための基板
（ここではガラス基板）３０１上に形成され、ＴＦＴで
形成された駆動回路３０２と、入力端子３０３および出
力端子３０４が設けられている。基板３０１の材料とし
ては、図２の基板２０１と熱膨張係数の近い材料を用い
ることが望ましく、ガラス、石英ガラスもしくはプラス
チックを用いることが望ましい。熱膨張係数の近い材料
を用いると、熱を加えた際に応力の発生を最小限に抑制
することができ、応力に起因する接続不良や動作不良を
回避できる。

【００３０】また、駆動回路３０２のＴＦＴは、活性層
（能動層）、特にチャネル形成領域が多結晶半導体膜も
しくは単結晶半導体膜で形成されている。多結晶半導体
膜および単結晶半導体膜はいずれも公知の技術で形成さ
れたもので良い。また、ＴＦＴ構造にも特に限定はな
い。

【００３１】図３に示すようなスティックドライバを基
板２０１上に実装する方法は異方導電性材料もしくはメ
タルバンプを用いた接続方法またはワイヤボンディング
方式を採用することができる。特に、ＩＴＯ（酸化イン
ジウムと酸化スズとの化合物からなる酸化物）からなる
配線上にスティックドライバを形成する場合は異方導電
性材料を用いた接続方法が好ましい。

【００３２】図４にその一例を示す。図４（Ａ）は基板
４０１にスティックドライバ４０２が異方導電性材料を
用いて実装された例を示している。基板４０１上には画
素部４０３、引出線４０４、入力端子４０５、接続配線
（図示せず）が設けられている。なお、画素部４０３は
カバー材４０６およびシール材４０７により密閉空間４
０８に封入され外気から保護されている。

【００３３】また、入力端子４０５の一方の端にはＴＣ
Ｐ４０９が異方導電性材料で接着されている。異方導電
性材料は樹脂４１０と表面が金属メッキされた直径数十
〜数百μmの導電性粒子４１１からなり、導電性粒子４
１１によりスティックドライバ側の入力端子４１２もし
くはＴＣＰ４０９と引出線４０４もしくは入力端子４０
５とが電気的に接続されている。

【００３４】また、図４（Ｂ）で示すように基板４０１
にスティックドライバを接着材４１５で固定して、金属
ワイヤ４１６によりスティックドライバ４０２の入力端
子４１２と引出線４０４もしくは入力端子４０５とを電
気的に接続しても良い。この場合、接続したスティック
ドライバ４０２は樹脂膜４１７で封入する。

【００３５】なお、スティックドライバの実装方法は図
４に示した方法に限定されるものではなく、公知の実装
方法を用いることが可能である。

【００３６】〔実施例２〕本発明の発光装置の一実施例
を図５に示す。図５（Ａ）は本発明の発光装置の上面図
であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した
断面図に相当する。まず、図５（Ａ）の上面図について
説明する。

【００３７】図５（Ａ）において、５０１は基板であ
り、ここではプラスチック材を用いる。プラスチック材
としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、Ｐ
Ｃ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフ
タレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレー
ト）を板状もしくはフィルム状にして用いることができ
る。

【００３８】５０２は酸化物導電膜からなる走査線（陽
極）であり、本実施例では酸化亜鉛に酸化ガリウムを添
加した酸化物導電膜を用いる。このとき走査線５０２の
上には図１と同様にニッケル配線５０３が設けられてい
る（図５（Ａ）参照）。

【００３９】また、５０４は金属膜からなるデータ線
（陰極）であり、本実施例ではビスマス膜を用いる。ま
た、５０５はアクリル樹脂からなるバンクであり、デー
タ線５０４を分断するための隔壁として機能する。走査
線５０２とデータ線５０４は両方ともストライプ状に複
数本形成されており、互いに直交するように設けられ
る。なお、図５（Ａ）では図示されないが、走査線５０
２とデータ線５０４の間にはＥＬ層が挟まれており、５
０６で示される交差部が画素となる。

【００４０】５０７は走査線側スティックドライバであ
り、ＴＦＴで形成された駆動回路を含んでいる。ここで
は駆動回路をプラスチック基板上に形成しているが、ガ
ラス基板上に形成しても構わない。なお、スティックド
ライバ５０７の構造は図３で説明した通りである。ま
た、一つのスティックドライバを設けた例を示している
が、複数個に分割して設けても構わない。

【００４１】５０８はデータ線側スティックドライバで
あり、ＴＦＴで形成された駆動回路を含んでいる。ここ
でも駆動回路をプラスチック基板上に形成している。ま
た、スティックドライバ５０８も図３で説明した構造で
ある。また、一つのスティックドライバを設けた例を示
しているが、複数個に分割して設けても構わない。

【００４２】なお、データ線５０４は配線端で接続配線
５０９と電気的に接続され、接続配線５０９がスティッ
クドライバ５０８と接続される。これはスティックドラ
イバ５０８をバンク５０５上に設けることが困難だから
である。

【００４３】以上のような構成で設けられた走査線側ス
ティックドライバ５０７は接続配線５１０aおよび入力
端子５１１を介してＦＰＣ５１２に接続される。また、
データ線側スティックドライバ５０８は接続配線５１０
bおよび入力端子５１１を介してＦＰＣ５１２に接続さ
れる。

【００４４】また、５１３はシール材、５１４はシール
材５１３によりプラスチック材５０１に貼り合わせたカ
バー材である。シール材５１３としては光硬化樹脂を用
いれば良く、脱ガスが少なく、吸湿性の低い材料が好ま
しい。また、カバー材としては基板５０１と同一の材料
が好ましく、ガラス（石英ガラスを含む）もしくはプラ
スチックを用いることができる。ここではプラスチック
材を用いる。

【００４５】次に、図５（Ｂ）の断面図について説明す
る。なお、図５（Ａ）と同一の部分は同一の符号を用い
て説明する。

【００４６】図５（Ｂ）において、５１５で示された領
域は画素の構造を示しており、この拡大図を図５（Ｃ）
に示す。５１６はＥＬ層であり、正孔注入層、正孔輸送
層、発光層、電子輸送層もしくは電子注入層を適宜組み
合わせて形成する。勿論、発光層を単層で用いても良
い。ＥＬ層５１６を形成する構造および材料は公知のも
のを用いれば良い。

【００４７】なお、図５（Ｃ）に示すようにバンク５０
５は下層の幅が上層の幅よりも狭い形状となっており、
データ線５０４を物理的に分断する。

【００４８】また、図５（Ｂ）に示すように、走査線側
スティックドライバ５０７は異方導電性材料５１７を用
いて走査線５０２および接続配線５１０aに電気的に接
続されている。また同様にＦＰＣ５１２も異方導電性材
料５１８を用いて接続配線５１０aに電気的に接続され
ている。

【００４９】また、シール材５１３で囲まれた画素部５
１９は、樹脂からなる封止材５２０により外気から遮断
され、ＥＬ層の劣化を防ぐ構造となっている。

【００５０】以上のような構成を含む本発明の発光装置
は、画素部５１９が走査線５０２、補助配線５０３、デ
ータ線５０４、バンク５０５およびＥＬ層５１６で形成
されるため、非常に簡単なプロセスで作製することがで
きる。さらに、補助配線５０３を設けたことで走査線５
０２の配線抵抗を低減することができ、表示品質の高い
発光装置とすることができる。

【００５１】また、本実施例に示した発光装置の表示面
（画像を観測する面）に偏光板を設けても良い。この偏
光板は、外部から入射した光の反射を抑え、観測者が表
示面に映り込むことを防ぐ効果を有する。一般的には円
偏光板が用いられている。但し、ＥＬ層から発した光が
偏光板により反射されて内部に戻されることを防ぐた
め、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすること
が望ましい。

【００５２】また、駆動回路となるスティックドライバ
５０７、５０８を別工程で作製して実装する。その結
果、特に煩雑なプロセスを必要とせずに発光装置を作製
することができるため歩留まりが高く、製造コストを下
げることができる。

【００５３】〔実施例３〕本実施例では、本発明の発光
装置における回路構成の一実施例を図６に示す。画素部
６０１は複数の走査線とデータ線で形成され、複数のＥ
Ｌ素子が形成される。その周辺の領域には走査線側ドラ
イバ６０２及びデータ線側ドライバ６０３が設けられ、
これらのドライバ（駆動回路）にスティックドライバが
用いられる。このスティックドライバの構造は図３、図
４を用いて説明した通りである。

【００５４】これらのスティックドライバは入力端子６
０４と接続されている。このように、画素部６０１が形
成された基板上には、走査線側ドライバ６０２、データ
線側ドライバ６０３および入力端子６０４が形成されて
いる。

【００５５】また、コントロール回路６０６、安定化電
源６０７、オペアンプを含む電源回路６０８のうちコン
トロール回路６０６と電源回路６０８はプリント配線板
に実装し、ＦＰＣを用いて入力端子６０４に接続され
る。また、ＦＰＣの一方の端にはインターフェースコネ
クタ６０９が設けられ、これを介してクロック信号及び
データ信号６０５、画質信号６１１が上記プリント配線
板に入力される。また、安定化電源６０７からの電源信
号もインターフェースコネクタ６０９を介して上記プリ
ント配線板に入力される。

【００５６】なお、外部から入力されるクロック信号及
びデータ信号６０５は、スティックドライバの入力仕様
に変換するためのコントロール回路６０６に入力され、
それぞれのタイミング仕様に変換される。

【００５７】なお、本実施例の回路構成は、実施例１も
しくは実施例２に示した発光装置に適用することが可能
である。

【００５８】〔実施例４〕本実施例では、図１において
補助配線１０３の別の配置例を図７、図８に示す。図７
（Ａ）〜（Ｄ）は陽極１０２に補助配線を設けた状態で
ある。

【００５９】図７（Ａ）では陽極１０２の端部を覆うよ
うに補助配線７０１が設けられている。図７（Ｂ）では
陽極１０２の片側の端部を覆うように補助配線７０２が
設けられている。この場合、図７（Ａ）よりも広い面積
で陽極１０２と補助配線７０２が接しているので抵抗値
は図７（Ａ）の場合に比べて遜色ない。

【００６０】また、図７（Ｃ）は補助配線７０３の端部
を覆うように陽極７０４が設けられており、陽極７０４
に対して二つの補助配線が設けられている。一方、図７
（Ｄ）の構造では、図７（Ｂ）と同様に補助配線７０５
を覆うように陽極７０６が設けられているが、陽極７０
６に対して一つの補助配線を設けた構造となっている。
この場合も、図７（Ｂ）で説明したように、図７（Ｃ）
よりも広い面積で陽極７０６と補助配線７０５が接して
いるので抵抗値は図７（Ｃ）の場合に比べて遜色ない。

【００６１】また、図８（Ａ）は陽極１０２に対して梯
子状の補助配線８０１を設けた例である。この場合、後
にバンク１０５が形成される部分（点線で示される）の
下に補助配線８０１の一部を隠すことにより、画素の有
効発光面積を減らすことなく、効果的に陽極１０２の抵
抗を下げることが可能である。

【００６２】さらに、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の変形例
であり、補助配線８０２を形成した後で陽極８０３を設
けている。補助配線８０２の形状は図８（Ａ）に示した
補助配線８０１と同一形状である。

【００６３】もちろん、補助配線の設け方は本実施例の
構造に限定されるものではない。なるべく少ない面積で
陽極と接するように設けることで、画素の有効発光面積
を減少させることなく抵抗値を下げることが望ましい。
そのためには、図８のようにバンクなどの非発光部分を
活用することが好ましい。

【００６４】なお、本実施例の構成は、実施例１もしく
は実施例２と自由に組み合わせて実施することが可能で
ある。

【００６５】〔実施例５〕実施例１〜４では、絶縁体の
上に陽極および補助配線、ＥＬ層、陰極の順に積層して
いく場合について説明したが、陰極、ＥＬ層、陽極およ
び補助配線の順に積層していくことも可能である。

【００６６】前者は絶縁体を通過した光を観測すること
になるのに対して、後者は絶縁体から離れる方向に光が
放射される。

【００６７】なお、本実施例の構成は実施例１〜４のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。

【００６８】〔実施例６〕実施例１〜３で用いるスティ
ックドライバの作製方法について図９を用いて説明す
る。ここでは駆動回路を形成する基本単位としてＣＭＯ
Ｓ回路を作製する場合の例について説明する。

【００６９】まず、図９（Ａ）に示すように、ガラス基
板９００上に下地膜９０１を３００ｎｍの厚さに形成す
る。本実施例では下地膜９０２として窒化酸化珪素膜を
積層して用いる。この時、ガラス基板９００に接する方
の窒素濃度を１０〜２５ｗｔ％としておくと良い。

【００７０】次に下地膜９０１の上に５０ｎｍの厚さの
非晶質珪素膜（図示せず））を公知の成膜法で形成す
る。なお、非晶質珪素膜に限定する必要はなく、非晶質
構造を含む半導体膜（微結晶半導体膜を含む）であれば
良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶
質構造を含む化合物半導体膜でも良い。また、膜厚は２
０〜１００ｎｍの厚さであれば良い。

【００７１】そして、公知の技術により非晶質珪素膜を
結晶化し、結晶質珪素膜（多結晶シリコン膜若しくはポ
リシリコン膜ともいう）９０２を形成する。公知の結晶
化方法としては、電熱炉を使用した熱結晶化方法、レー
ザー光を用いたレーザーアニール結晶化法、赤外光を用
いたランプアニール結晶化法がある。

【００７２】本実施例では特開平７−１３０６５２号公
報に記載された技術を用い、非晶質珪素膜にニッケルを
添加し、ファーネスアニールを行って結晶化させる。ニ
ッケルは結晶化を促進させる触媒として用いられる。

【００７３】なお、本実施例では結晶質珪素膜をＴＦＴ
の活性層として用いるが、非晶質珪素膜を用いることも
可能である。また、オフ電流を低減する必要のあるスイ
ッチング用ＴＦＴの活性層を非晶質珪素膜で形成し、電
流制御用ＴＦＴの活性層を結晶質珪素膜で形成すること
も可能である。非晶質珪素膜はキャリア移動度が低いた
め電流を流しにくくオフ電流が流れにくい。即ち、電流
を流しにくい非晶質珪素膜と電流を流しやすい結晶質珪
素膜の両者の利点を生かすことができる。

【００７４】次に、図９（Ｂ）に示すように、結晶質珪
素膜９０２上に酸化珪素膜でなる保護膜９０３を１３０
ｎｍの厚さに形成する。この厚さは１００〜２００ｎｍ
（好ましくは１３０〜１７０ｎｍ）の範囲で選べば良
い。また、珪素を含む絶縁膜であれば他の膜でも良い。
この保護膜９０３は不純物を添加する際に結晶質珪素膜
が直接プラズマに曝されないようにするためと、微妙な
濃度制御を可能にするために設ける。

【００７５】そして、その上にレジストマスク９０４を
形成し、保護膜９０３を介してｎ型を付与する不純物元
素（以下、ｎ型不純物元素という）を添加する。なお、
ｎ型不純物元素としては、代表的には周期表の１５族に
属する元素、典型的にはリン又は砒素を用いることがで
きる。なお、本実施例ではフォスフィン（ＰＨ₃）を質
量分離しないでプラズマ励起したプラズマドーピング法
を用い、リンを１×１０¹⁸atoms/cm³の濃度で添加す
る。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション
法を用いても良い。

【００７６】この工程により形成されるｎ型不純物領域
９０５には、ｎ型不純物元素が２×１０¹⁶〜５×１０¹⁹
atoms/cm³（代表的には５×１０¹⁷〜５×１０¹⁸atoms/c
m³）の濃度で含まれるようにドーズ量を調節する。

【００７７】次に、図９（Ｃ）に示すように、結晶質珪
素膜の不要な部分を除去して、後にｐチャネル型ＴＦＴ
の活性層となる半導体膜９０６および後にｎチャネル型
ＴＦＴの活性層となる半導体膜９０７を形成する。

【００７８】次に、図９（Ｄ）に示すように、半導体膜
９０６、９０７を覆ってゲート絶縁膜９０８を形成す
る。ゲート絶縁膜９０８としては、１０〜２００ｎｍ、
好ましくは５０〜１５０ｎｍの厚さの珪素を含む絶縁膜
を用いれば良い。これは単層構造でも積層構造でも良
い。

【００７９】次に、２００〜４００ｎｍ厚の導電膜を形
成し、パターニングしてゲート電極９０９、９１０を形
成する。このゲート電極９０９、９１０の端部をテーパ
ー状にすることもできる。また、ゲート電極は単層の導
電膜で形成しても良いが、必要に応じて二層、三層とい
った積層膜とすることが好ましい。ゲート電極の材料と
しては公知のあらゆる導電膜を用いることができる。

【００８０】代表的には、タンタル（Ｔａ）、チタン
（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、
クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素で
なる膜、または前記元素の窒化物膜（代表的には窒化タ
ンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜）、また
は前記元素を組み合わせた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ
合金、Ｍｏ−Ｔａ合金）、または前記元素のシリサイド
膜（代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリ
サイド膜）を用いることができる。勿論、単層で用いて
も積層して用いても良い。

【００８１】本実施例では、５０ｎｍ厚の窒化タングス
テン（ＷＮ）膜と、３５０ｎｍ厚のタングステン（Ｗ）
膜とでなる積層膜を用いる。これはスパッタ法で形成す
れば良い。また、スパッタガスとしてＸｅ、Ｎｅ等の不
活性ガスを添加すると応力による膜はがれを防止するこ
とができる。

【００８２】またこの時、ゲート電極９１０はｎ型不純
物領域９０５の一部とゲート絶縁膜９０８を挟んで重な
るように形成する。この重なった部分が後にゲート電極
と重なったＬＤＤ領域となる。

【００８３】次に、図９（Ｅ）に示すように、レジスト
９１１を形成し、ｎ型不純物元素（本実施例ではリン）
を添加して高濃度にリンを含む不純物領域９１２〜９１
５を形成する。ここでもフォスフィン（ＰＨ₃）を用い
たイオンドープ法で行い、この領域のリンの濃度は１×
１０²⁰〜１×１０²¹atoms/cm³（代表的には２×１０² ⁰
〜５×１０²¹atoms/cm³）となるように調節する。この
工程によってｎチャネル型ＴＦＴのソース領域若しくは
ドレイン領域が形成される。

【００８４】この工程では、ｐチャネル型ＴＦＴの活性
層となる半導体膜９０６にもｎ型不純物領域９１２、９
１３を形成する点に特徴がある。この領域は非晶質珪素
膜の結晶化に用いたニッケルをゲッタリングするために
後工程で必要となる。

【００８５】次に、図９（Ｆ）に示すように、レジスト
マスク９１１を除去し、新たにレジスト９１６を形成す
る。そして、ｐ型不純物元素（本実施例ではボロン）を
添加し、高濃度にボロンを含む不純物領域９１７、９１
８を形成する。ここではジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイ
オンドープ法により３×１０²⁰〜３×１０²¹atoms/cm ³
（代表的には５×１０²⁰〜１×１０²¹atoms/cm³ノ）濃度
となるようにボロンを添加する。

【００８６】なお、９１９、９２０で示される領域には
既に１×１０²⁰〜１×１０²¹atoms/cm³の濃度でリンが
添加されているが、ここで添加されるボロンはその少な
くとも３倍以上の濃度で添加される。そのため、予め形
成されていたｎ型の不純物領域は完全にＰ型に反転し、
Ｐ型の不純物領域として機能する。

【００８７】次に、レジストマスク９１６を除去した
後、図９（Ｇ）に示すように、それぞれの濃度で添加さ
れたｎ型またはｐ型不純物元素を活性化する。活性化手
段としては、ファーネスアニール法、レーザーアニール
法、またはランプアニール法で行うことができる。本実
施例では電熱炉において窒素雰囲気中、５５０℃、４時
間の熱処理を行う。

【００８８】このとき、結晶化の際に用いたニッケルが
チャネル形成領域９２１、９２２からｎ型不純物領域９
１４、９１５およびｐ型不純物領域９１９、９２０の方
へ移動してゲッタリング（捕獲）される。即ち、ｎ型不
純物領域９１４、９１５およびｐ型不純物領域９１９、
９２０に含まれたリンによりニッケルがゲッタリングさ
れる。この工程によりチャネル形成領域９２１、９２２
のニッケル濃度を１×１０¹⁷atoms/cm³以下（好ましく
は１×１０¹⁶atoms/cm³以下）とすることができる。ま
た逆に、ｎ型不純物領域９１４、９１５およびｐ型不純
物領域９１９、９２０にはニッケルが偏析して５×１０
¹⁸atoms/cm³以上（代表的には１×１０¹⁹〜５×１０²⁰a
toms/cm³）濃度で存在するようになる。

【００８９】次に、図９（Ａ）に示すように、層間絶縁
膜９２３を形成する。層間絶縁膜９２３としては、珪素
を含む絶縁膜を単層で用いるか、その中で組み合わせた
積層膜を用いれば良い。また、膜厚は４００ｎｍ〜１．
５μmとすれば良い。本実施例では、２００ｎｍ厚の窒
化酸化珪素膜の上に８００ｎｍ厚の酸化珪素膜を積層し
た構造とする。

【００９０】さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気
中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い
水素化処理を行う。この工程は熱的に励起された水素に
より半導体膜の不対結合手を水素終端する工程である。
水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマに
より励起された水素を用いる）を行っても良い。

【００９１】なお、水素化処理は層間絶縁膜９２３を形
成する間に入れても良い。即ち、２００ｎｍ厚の窒化酸
化珪素膜を形成した後で上記のように水素化処理を行
い、その後で残り８００ｎｍ厚の酸化珪素膜を形成して
も構わない。

【００９２】次に、第１層間絶縁膜９２３に対してコン
タクトホールを形成し、ソース配線９２４、９２５と、
ドレイン配線９２６を形成する。このとき同時に図３に
示す入力端子３０３および出力端子３０４を形成すれば
良い。なお、本実施例ではこの電極を、Ｔｉ（チタン）
膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００ｎ
ｍおよびＴｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続形成した
３層構造の積層膜とする。勿論、他の導電膜でも良い。

【００９３】次に、５０〜５００ｎｍ（代表的には２０
０〜３００ｎｍ）の厚さでパッシベーション膜９２７を
形成する。本実施例ではパッシベーション膜９２７とし
て３００ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜を用いる。これは窒化
珪素膜で代用しても良い。

【００９４】なお、窒化酸化珪素膜の形成に先立ってＨ
₂、ＮＨ₃等水素を含むガスを用いてプラズマ処理を行う
ことは有効である。この前処理により励起された水素が
層間絶縁膜９２３に供給され、熱処理を行うことで、パ
ッシベーション膜９２７の膜質が改善される。それと同
時に、層間絶縁膜９２３に添加された水素が下層側に拡
散するため、効果的に活性層を水素化することができ
る。

【００９５】こうして図９（Ｈ）に示す構造のｐチャネ
ル型ＴＦＴ９３１およびｎチャネル型ＴＦＴ９３２を相
補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路が完成する。本実施例
の場合、ｐチャネル型ＴＦＴ９３１の活性層はソース領
域９１７、ドレイン領域９１８およびチャネル形成領域
９２１で形成される。

【００９６】また、ｎチャネル型９３２の活性層は、ソ
ース領域９１５、ドレイン領域９１４、ＬＤＤ領域９３
５およびチャネル形成領域９２２を含み、ＬＤＤ領域９
３５はゲート絶縁膜９０８を挟んでゲート電極９１０と
重なっている。このＬＤＤ領域９３５のうち、ゲート電
極９１０と重なっている領域のチャネル長方向の長さは
０．５〜３．０μｍ、好ましくは１．０〜２．０μｍと
する。

【００９７】このような構造はホットキャリア効果によ
る劣化を抑制する上で非常に有効である。但し、ドレイ
ン領域９１４側のみにＬＤＤ領域９３５を形成している
のは、動作速度を落とさないための配慮である。ホット
キャリア効果はドレイン領域とチャネル形成領域の接合
部付近で問題となるため、ドレイン領域側に設けられて
いれば十分に効果が得られる。勿論、ソース領域側に同
様に設けても良い。

【００９８】本実施例はＣＭＯＳ回路の作製方法を説明
しているが、実際にはＣＭＯＳ回路、ＮＭＯＳ回路もし
くはＰＭＯＳ回路を組み合わせて駆動回路を形成する。
その際、ＰＭＯＳ回路の作製にはｐチャネル型ＴＦＴ９
３１の作製方法を、ＮＭＯＳ回路の作製にはｎチャネル
型ＴＦＴ９３２の作製方法を参照すれば良い。

【００９９】なお、本実施例の構成は実施例１〜５のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。

【０１００】〔実施例７〕本実施例では、多面取りプロ
セスにより１枚の大型ガラス基板上から複数の発光装置
を作製する場合について図１０に示す。

【０１０１】ガラス基板１００１上には複数の画素部１
００２が形成されている。本実施例では１枚のガラス基
板上に九つの画素部、即ち、九つの発光装置が形成され
ることになる。また、各画素は図１に示すような構造か
らなり、図中のＸ方向に陽極１００３が形成され、Ｙ方
向に陰極１００４が形成されている。

【０１０２】本実施例では、陽極１００３が全て同電位
となるように個々の陽極を接続するための配線（以下、
陽極接続配線という）１００５が形成され、陽極パッド
１００６に電圧を加えればその電圧が全て陽極に伝わる
ようになっている。また、陰極１００４が全て同電位と
なるように個々の陰極を接続するための配線（以下、陰
極接続配線という）１００７が形成され、陰極パッド１
００８に電圧を加えればその電圧が全て陰極に伝わるよ
うになっている。

【０１０３】本実施例では、これらの陽極接続配線１０
０５および陰極接続配線１００７を静電対策に活用する
点に特徴がある。即ち、全てが同電位になっていれば突
発的に大きな電圧が配線間に加わることもないため、絶
縁破壊等を効果的に抑制することができる。

【０１０４】ここで、点線で囲まれた領域１０００の拡
大図を図１１（Ａ）に示す。なお、１１０５は補助配線
である。

【０１０５】図１１（Ａ）に示すように、陽極接続配線
１００５と陰極接続配線１００７とは同時に形成されて
いる。即ち、両者は同一の金属膜で同一の層に形成され
ている。このとき、陽極接続配線１００５は陽極１００
３と同時に形成されたバッファ配線１１０１で連結され
た部分を有する。また、陰極接続配線１００７は陽極１
００３と同時に形成されたバッファ配線１１０２、１１
０３および陰極１００７と同時に形成されたバッファ配
線１１０４で連結された部分を有する。

【０１０６】ここで図１１（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した
断面図を図１１（Ｂ）に、Ｂ−Ｂ’で切断した断面図を
図１１（Ｃ）に、Ｃ−Ｃ’で切断した断面図を図１１
（Ｄ）に示す。なお、１１０６は分離絶縁膜である。

【０１０７】バッファ配線１１０１〜１１０３は、陽極
と同一材料からなる配線であり、典型的には酸化物導電
膜からなる配線である。酸化物導電膜は金属膜に比べて
抵抗値が高いため、バッファ配線は一種の抵抗体として
機能することになる。そのため、陽極接続配線１００５
もしくは陰極接続配線１００７に大電流が流れたとして
も、バッファ配線で緩衝され、複数の発光装置に被害が
及ぶのを防ぐことが可能となる。

【０１０８】また、発光装置が完成したら、ダイサーも
しくはスクライバーを用いて基板１００１を分断し、発
光装置を個々に分離すれば良い。このとき、陽極接続配
線１００５や陰極接続配線１００７も分断してしまえ
ば、各発光装置は電気的に孤立した状態となる。

【０１０９】なお、基板１００１を分断する前もしくは
分断した後に、必要に応じて実施例１〜６に示したステ
ィックドライバを設けることも可能である。

【０１１０】〔実施例８〕本発明において、三重項励起
子からの燐光を発光に利用できるＥＬ材料を用いること
で、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができ
る。これにより、ＥＬ素子の低消費電力化、長寿命化、
および軽量化が可能になる。ここで、三重項励起子を利
用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。 (T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Proce
sses in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda,
(Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.) 上記論文に報告されたＥＬ材料（クマリン色素）の分子
式を以下に示す。

【０１１１】

【化１】

【０１１２】(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shou
stikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Natur
e 395 (1998) p.151.) 上記論文に報告されたＥＬ材料（Ｐｔ錯体）の分子式を
以下に示す。

【０１１３】

【化２】

【０１１４】(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows,
M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Wat
anabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi,
Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.) 上記論文に報告されたＥＬ材料（Ｉｒ錯体）の分子式を
以下に示す。

【０１１５】

【化３】

【０１１６】以上のように三重項励起子からの燐光発光
を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光
を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実
現が可能となる。なお、本実施例の構成は、実施例１〜
実施例７のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施す
ることが可能である。

【０１１７】〔実施例９〕本発明を実施して形成された
発光装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて
明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従
って、様々な電気器具の表示部として用いることができ
る。その際、本発明の発光装置はパッシブ型の発光装置
でありながらも配線抵抗を減らすことで大画面化を可能
としているため、用途も幅広いものとすることができ
る。

【０１１８】本発明の電気器具としては、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッド
マウントディスプレイ）、カーナビゲーションシステ
ム、カーオーディオ、ノート型パーソナルコンピュー
タ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍）、記録
媒体を備えた画像再生装置（具体的にはコンパクトディ
スク（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）（ＬＤ）
又はデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）等の記録
媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備
えた装置）などが挙げられる。それら電気器具の具体例
を図１２に示す。

【０１１９】図１２（Ａ）はＥＬディスプレイであり、
筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３を含
む。本発明の発光装置は表示部２００３に用いることが
できる。ＥＬディスプレイは自発光型であるためバック
ライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部
とすることができる。なお、表示部２００３に用いる発
光装置にスティックドライバを設ける場合は、数十個に
分割して設けることが好ましい。

【０１２０】図１２（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いる
ことができる。なお、表示部２１０２に用いる発光装置
にスティックドライバを設ける場合は、数個に分割して
設けることが好ましい。

【０１２１】図１２（Ｃ）はデジタルカメラであり、本
体２２０１、表示部２２０２、接眼部部２２０３、操作
スイッチ２２０４を含む。本発明の発光装置は表示部２
２０２に用いることができる。なお、表示部２２０２に
用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合は、
数個に分割して設けることが好ましい。

【０１２２】図１２（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２３０２、
操作スイッチ２３０３、表示部（ａ）２３０４、表示部
（ｂ）２３０５を含む。表示部（ａ）は主として画像情
報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示す
るが、本発明の発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）
に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再
生装置には、ＣＤ再生装置、ゲーム機器なども含まれう
る。なお、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０
５に用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合
は、数十個に分割して設けることが好ましい。

【０１２３】図１２（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピ
ュータであり、本体２４０１、表示部２４０２、受像部
２４０３、操作スイッチ２４０４、メモリスロット２４
０５を含む。本発明の電気光学装置は表示部２４０２に
用いることができる。この携帯型コンピュータはフラッ
シュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情
報を記録したり、それを再生したりすることができる。
なお、表示部２４０２に用いる発光装置にスティックド
ライバを設ける場合は、数個に分割して設けることが好
ましい。

【０１２４】図１２（Ｆ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、
キーボード２５０４を含む。本発明の発光装置は表示部
２５０３に用いることができる。なお、表示部２５０３
に用いる発光装置にスティックドライバを設ける場合
は、数十個に分割して設けることが好ましい。

【０１２５】なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。

【０１２６】また、上記電子装置はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速
度は非常に高いため、そのような動画表示を行うに適し
ている。

【０１２７】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話やカーオーディオのような文字情報を主とす
る表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背
景として文字情報を発光部分で形成するように駆動する
ことが望ましい。

【０１２８】ここで図１３（Ａ）は携帯電話であり、本
体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０
３、表示部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ
２６０６を含む。本発明の発光装置は表示部２６０４に
用いることができる。なお、表示部２６０４は黒色の背
景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を
抑えることができる。

【０１２９】また、図１３（Ｂ）はカーオーディオであ
り、本体２７０１、表示部２７０２、操作スイッチ２７
０３、２７０４を含む。本発明の発光装置は表示部２７
０２に用いることができる。また、本実施例では車載用
カーオーディオを示すが、据え置き型のカーオーディオ
に用いても良い。なお、表示部２７０４は黒色の背景に
白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。な
お、表示部２７０４に用いる発光装置にスティックドラ
イバを設ける場合は、数個に分割して設けることが好ま
しい。

【０１３０】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜８の構成を
自由に組み合わせた発光装置を用いることで得ることが
できる。

【０１３１】

【発明の効果】本発明を実施することでパッシブマトリ
クス型の発光装置において、特に酸化物導電膜からなる
陽極の配線抵抗を低減することができる。そのため、配
線抵抗に起因する画質の不均質性や配線遅延による残像
現象を抑制することが可能となる。さらに、そのような
発光装置を表示部に用いることで表示品質の高い電気器
具を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発光装置の上面構造および断面構造を示す
図。

【図２】発光装置の上面構造を示す図。

【図３】スティックドライバの断面構造を示す図。

【図４】スティックドライバの接続例を示す図。

【図５】発光装置の上面構造および断面構造を示す
図。

【図６】発光装置および発光装置に入力される信号
の構成を示す図。

【図７】補助配線の配置例を示す図。

【図８】補助配線の配置例を示す図。

【図９】スティックドライバの作製工程を示す図。

【図１０】多面取りプロセスの一例を示す図。

【図１１】多面取りプロセスの一例を示す図。

【図１２】電気器具の一例を示す図。

【図１３】電気器具の一例を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10 33/14 33/14 Ａ 33/22 33/22 ＺＦターム(参考） 3K007 AB00 AB18 BA06 BB01 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA04 AA13 AA14 AA21 AA43 AA48 AA53 AA55 BA03 BA27 CA19 DA09 DA12 DA13 DB01 DB02 DB04 EA04 EA05 EA06 EB02 FA01 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 GB10 5G435 AA16 AA17 BB05 CC09 EE33 EE34 EE37 EE41 EE42 HH12 KK05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁体の上に陽極、該陽極と直交する陰極
並びに前記陽極および前記陰極の間に設けられた発光性
材料を含む発光装置であって、前記陽極には補助配線が電気的に接続されていることを
特徴とする発光装置。
【請求項２】請求項１において、前記補助配線は金属膜
からなる配線であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】絶縁体の上に陽極、該陽極と直交する陰極
並びに前記陽極および前記陰極の間に設けられた発光性
材料を含む発光装置であって、前記陽極と前記陰極が交差する領域において、前記陽極
には該陽極とは異なる材料からなる配線が電気的に接続
されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】請求項３において、前記陽極とは異なる材
料からなる配線は金属膜からなる配線であることを特徴
とする発光装置。
【請求項５】絶縁体の上に陽極、該陽極と直交する陰極
並びに前記陽極および前記陰極の間に設けられた発光性
材料を含む発光装置であって、前記陽極と前記陰極が交差する領域において、前記陽極
には該陽極よりも抵抗値の低い材料からなる配線が電気
的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】請求項５において、前記陽極よりも抵抗値
の低い材料からなる配線は金属膜からなる配線であるこ
とを特徴とする発光装置。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一におい
て、前記陽極は酸化物導電膜からなることを特徴とする
発光装置。
【請求項８】請求項１乃至請求項６のいずれか一におい
て、前記陽極および前記陰極は駆動回路に電気的に接続
され、該駆動回路はガラス、石英ガラス、シリコンもし
くはプラスチックからなる基板の上に形成されているこ
とを特徴とする発光装置。
【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載
の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【請求項１０】絶縁体の上に陽極および該陽極に電気的
に接続された補助配線を形成し、前記陽極の上に発光性
材料を形成し、該発光性材料の上に陰極を形成すること
を特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】絶縁体の上に陰極を形成し、該陰極の上
に発光性材料を形成し、該発光性材料の上に陽極および
該陽極に電気的に接続された補助配線を形成することを
特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】請求項１０または請求項１１において、
前記補助配線として前記陽極よりも抵抗値の低い材料を
用いることを特徴とする発光装置の作製方法。